JP7285284B2 - レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法
等に関する。

特許文献１には、下記化合物に由来する構造単位を含む樹脂を含有するレジスト組成物
が記載されている。

特許文献２には、下記化合物に由来する構造単位を含む樹脂を含有するレジスト組成物
が記載されている。

特許文献３には、下記化合物に由来する構造単位を含む樹脂を含有するレジスト組成物
が記載されている。

特開２００８－２６８７４０号公報 特開平１１－２４２７４号公報 特開２０１４－１１２１５８号公報

上記の樹脂を含有するレジスト組成物から形成されたレジストパターンは、マスクエラ
ーファクター（ＭＥＦ）が必ずしも満足できない場合があった。

本発明は、以下の発明を含む。
〔１〕式（Ｉ）で表される化合物。

［式（Ｉ）中、
Ｒ^１は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１～６のアルキル基、水素原子又はハロゲ
ン原子を表す。
Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、炭素数１～４のアルキル基を表す。
ｎは、１～６の整数を表す。
Ｒは、炭素数１～８のアルキル基を有してもよい１－アダマンチル基又は＊－ＣＨＲ^４
Ｒ^５を表す。＊は結合位を表す。
Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～
１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Ｒ^４及びＲ^５は互いに結
合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数３～１８の２価の脂環式炭化水素基を形
成する。］
〔２〕Ｒは、１－アダマンチル基又はＲ^４及びＲ^５が互いに結合してそれらが結合する
炭素原子とともに炭素数３～１２の２価の脂環式炭化水素基である〔１〕記載の化合物。
〔３〕Ｒ^２及びＲ^３は、メチル基である〔１〕又は〔２〕記載の化合物。
〔４〕ｎは、２である〔１〕～〔３〕のいずれかに記載の化合物。
〔５〕〔１〕～〔４〕のいずれかに記載の化合物に由来する構造単位を含む樹脂。
〔６〕さらに、式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位とは異なる酸不安定基を
有する構造単位を含む〔５〕記載の樹脂。
〔７〕式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位とは異なる酸不安定基を有する構
造単位が、式（ａ１－１）又は式（ａ１－２）で表される構造単位である〔６〕記載の樹
脂。

［式（ａ１－１）及び式（ａ１－２）中、
Ｌ^a1及びＬ^a2は、それぞれ独立に、－Ｏ－又は^＊－Ｏ－（ＣＨ₂）_k1－ＣＯ－Ｏ－を表
し、ｋ１は１～７の整数を表し、＊は－ＣＯ－との結合手を表す。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a6及びＲ^a7は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～１８の脂環
式炭化水素基又はこれらを組み合わせることにより形成される基を表す。
ｍ１は０～１４の整数を表す。
ｎ１は０～１０の整数を表す。
ｎ１’は０～３の整数を表す。］
〔８〕〔５〕～〔７〕のいずれかに記載の樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物
。
〔９〕酸発生剤が、式（Ｂ１）で表される塩である〔８〕記載のレジスト組成物。

［式（Ｂ１）中、
Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１～６のペルフルオロアルキル
基を表す。
Ｌ^b1は、炭素数１～２４の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含
まれる－ＣＨ₂－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該２価の飽和炭化
水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Ｙは、置換基を有していてもよいメチル基又は置換基を有していてもよい炭素数３～１
８の１価の脂環式炭化水素基を表し、該メチル基及び該１価の脂環式炭化水素基に含まれ
る－ＣＨ₂－は、－Ｏ－、－ＳＯ₂－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］
〔１０〕酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩をさらに含有する
〔８〕又は〔９〕に記載のレジスト組成物。
〔１１〕（１）〔８〕～〔１０〕のいずれかに記載のレジスト組成物を基板上に塗布す
る工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。

本発明のレジスト組成物を用いることにより、良好なマスクエラーファクター（ＭＥＦ
）で、レジストパターンを製造することができる。

本明細書では、特に断りのない限り、化合物の構造式の説明において「脂肪族炭化水素
基」は直鎖状又は分岐状の炭化水素基を意味し、「脂環式炭化水素基」は脂環式炭化水素
の環から価数に相当する数の水素原子を取り去った基を意味する。「芳香族炭化水素基」
は芳香環に炭化水素基が結合した基をも包含する。立体異性体が存在する場合は、全ての
立体異性体を包含する。
本明細書において「（メタ）アクリレート」とは、それぞれ「アクリレート及びメタク
リレートの少なくとも一種」を意味する。「（メタ）アクリル酸」や「（メタ）アクリロ
イル」等の表記も、同様の意味を有する。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後
述する溶剤（Ｅ）を除いた成分の合計を意味する。

〔化合物（Ｉ）〕
本発明の化合物は、式（Ｉ）で表される化合物（以下、「化合物（Ｉ）」という場合が
ある）である。

［式（Ｉ）中、
Ｒ^１は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１～６のアルキル基、水素原子又はハロゲ
ン原子を表す。
Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、炭素数１～４のアルキル基を表す。
ｎは、１～６の整数を表す。
Ｒは、炭素数１～８のアルキル基を有してもよい１－アダマンチル基又は＊－ＣＨＲ^４
Ｒ^５を表す。＊は結合位を表す。
Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～
１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Ｒ^４及びＲ^５は互いに結
合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数３～１８の２価の脂環式炭化水素基を形
成する。］

Ｒ¹のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、
ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基及びｎ－ヘキシ
ル基等が挙げられ、好ましくは、炭素数１～４のアルキル基であり、より好ましくは、メ
チル基及びエチル基である。
Ｒ¹のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げ
られる。
Ｒ¹のハロゲン原子を有するアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオ
ロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチ
ル基、ペルフルオロｓｅｃ－ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ－ブチル基、ペルフルオロ
ペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基及びペ
ルヨードメチル基等が挙げられる。
Ｒ¹は、水素原子又はメチル基であることが好ましい。

Ｒ^２及びＲ^３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロ
ピル基、ｎ－ブチル基及びｓｅｃ－ブチル基等が挙げられ、好ましくは、炭素数１～３の
アルキル基であり、より好ましくは、メチル基及びエチル基であり、さらに好ましくは、
メチル基である。

ｎは、１～４の整数であることが好ましく、１～３の整数であることがより好ましく、
１又は２であることがさらに好ましく、２であることが特に好ましい。

Ｒのアダマンチル基が有してもよいアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プ
ロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ
－ペンチル基及びｎ－ヘキシル基等が挙げられ、好ましくは、炭素数１～４のアルキル基
であり、より好ましくは、メチル基及びエチル基である。
Ｒ^４及びＲ^５のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロ
ピル基、ｎ－ブチル基及びｓｅｃ－ブチル基等が挙げられ、好ましくは、炭素数１～３の
アルキル基であり、より好ましくは、メチル基及びエチル基であり、さらに好ましくは、
メチル基である。
Ｒ^４及びＲ^５の脂環式炭化水素基としては、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環
式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロ
ヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化
水素基としては、例えば、アダマンチル基及びノルボルニル基等が挙げられる。Ｒ^４及び
Ｒ^５の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３～１２である。
Ｒ^４及びＲ^５のアルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基としては、例えば、
メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、メチルア
ダマンチル基、シクロヘキシルメチル基、メチルシクロヘキシルメチル基、アダマンチル
メチル基、アダマンチルジメチル基、ノルボルニルメチル基等が挙げられる。

Ｒ^４及びＲ^５が互いに結合して２価の脂環式炭化水素基を形成する場合の－ＣＨＲ^４Ｒ
^５としては、例えば、下記の基が挙げられる。２価の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭
素数３～１２の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは単価のシクロアルカンジイル基
である。＊は－Ｏ－との結合手を表す。

なお、Ｒ^４及びＲ^５が互いに結合して形成する脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は
、炭素数１～８のアルキル基で置換されていてもよい。この場合、酸素原子に結合する炭
素原子にはアルキル基は置換されない。
Ｒは、好ましくは、単環のシクロアルキル基又は１－アダマンチル基であり、より好ま
しくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１－アダマンチル基である。

化合物（Ｉ）は、下記式で表される化合物等及びＲ¹に相当するメチル基が水素原子で
置き換わった化合物が挙げられる。

＜化合物（Ｉ）の製造方法＞
化合物（Ｉ）は、式（Ｉ－ａ）で表される化合物と式（Ｉ－ｂ）で表される化合物とを
塩基触媒の存在下、溶媒中で、反応させることにより製造することができる。以下の式中
、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^３及びＲは、上記と同義である。

溶媒としては、クロロホルム、テトラヒドロフラン及びトルエンなどが挙げられる。
塩基触媒としては、ピリジン、ジメチルアミノピリジンなどが挙げられる。
式（Ｉ－ｂ）で表される化合物としては、下記式で表される化合物等が挙げられ、市場
より容易に入手することができる。

化合物（Ｉ－ａ）は、式（Ｉ－ｃ）で表される化合物と式（Ｉ－ｄ１）で表される化合
物又は式（Ｉ－ｄ２）で表される化合物とを、触媒の存在下、溶媒中で、反応させること
により製造することができる。

溶媒としては、クロロホルム、テトラヒドロフラン及びトルエンなどが挙げられる。
触媒としては、塩基触媒（例えば、ピリジン、ジメチルアミノピリジン）及び公知のエ
ステル化触媒（例えば、酸触媒やカルボジイミド触媒など）などが挙げられ、塩基触媒及
び公知のエステル化触媒を共存させてもよい。
式（Ｉ－ｃ）で表される化合物は、例えば、以下で表される化合物などが挙げられ、市
場より容易に入手できる。

式（Ｉ－ｄ１）で表される化合物は、例えば、以下で表される化合物などが挙げられ、
市場より容易に入手できる。

式（Ｉ－ｄ２）で表される化合物は、例えば、以下で表される化合物などが挙げられ、
市場より容易に入手できる。

カルボジイミド触媒としては、下記式で表される塩等が挙げられ、市場より容易に入手
することができる。

〔樹脂（Ａ）〕
本発明の樹脂は、化合物（Ｉ）に由来する構造単位（以下「構造単位（Ｉ）」という場
合がある。）を含む樹脂（以下「樹脂（Ａ）」という場合がある。）である。樹脂（Ａ）
は、１種の構造単位（Ｉ）を含む単独重合体でもよいし、２種以上の構造単位（Ｉ）を含
む共重合体でもよい。
樹脂（Ａ）は、構造単位（Ｉ）のみからなるものであってもよいし、構造単位（Ｉ）以
外の構造単位を含んでいてもよい。樹脂（Ａ）において、構造単位（Ｉ）の含有率は、樹
脂（Ａ）の全構造単位に対して、１～１００モル％であり、３～６０モル％が好ましく、
５～５０モル％がより好ましく、１０～４０モル％がさらに好ましい。

樹脂（Ａ）は、構造単位（Ｉ）以外に、さらに、酸不安定基を含有することが好ましく
、酸不安定基を有する構造単位（以下「構造単位（ａ１）」という場合がある）を有する
樹脂であることが好ましい。ここで、酸不安定基とは、脱離基を有し、酸との接触により
脱離基が脱離して、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基を
意味する。

樹脂（Ａ）は、さらに、酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ｓ）」とい
う場合がある）、その他の構造単位（以下「構造単位（ｔ）」という場合がある）及び当
該分野で公知のモノマーに由来する構造単位等が挙げられる。

＜構造単位（ａ１）＞
構造単位（ａ１）は、酸不安定基を有するモノマー（以下「モノマー（ａ１）」という
場合がある）から導かれる。構造単位（ａ１）に含まれる酸不安定基としては、下記の基
（１）及び／又は基（２）が好ましい。

［式（１）中、Ｒ^a1～Ｒ^a3は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３
～２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Ｒ^a1及びＲ^a2は互いに
結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数３～２０の２価の脂環式炭化水素基を
形成する。
ｎａは、０又は１を表す。
＊は結合手を表す。］

［式（２）中、Ｒ^a1’及びＲ^a2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～１２の
炭化水素基を表し、Ｒ^a3’は、炭素数１～２０の炭化水素基を表すか、Ｒ^a2’及びＲ^a3’
は互いに結合してそれらが結合する炭素原子及びＸとともに炭素数３～２０の２価の複素
環基を形成し、該炭化水素基及び該２価の複素環基に含まれる－ＣＨ₂－は、－Ｏ－又は
－Ｓ－で置き換わってもよい。
Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
＊は結合手を表す。］

Ｒ^a1～Ｒ^a3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、
ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基等が挙げられる。
Ｒ^a1～Ｒ^a3の脂環式炭化水素基としては、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式
の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘ
プチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水
素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下
記の基（＊は結合手を表す。）等が挙げられる。Ｒ^a1～Ｒ^a3の脂環式炭化水素基は、好ま
しくは炭素数３～１６である。

アルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基としては、例えば、メチルシクロヘ
キシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、メチルアダマンチル基、
シクロヘキシルメチル基、メチルシクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、ノル
ボルニルメチル基等が挙げられる。
ｎａは、好ましくは０である。

Ｒ^a1及びＲ^a2が互いに結合して２価の脂環式炭化水素基を形成する場合の－Ｃ（Ｒ^a1）
（Ｒ^a2）（Ｒ^a3）としては、例えば、下記の基が挙げられる。２価の脂環式炭化水素基は
、好ましくは炭素数３～１２の脂環式炭化水素基である。＊は－Ｏ－との結合手を表す。

Ｒ^a1'～Ｒ^a3'の炭化水素基としては、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族
炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、上記と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ｐ－メチルフェ
ニル基、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、ｐ－アダマンチルフェニル基、トリル基、キ
シリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、２，６－ジエチ
ルフェニル基、２－メチル－６－エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
Ｒ^a2'及びＲ^a3'が互いに結合してそれらが結合する炭素原子及びＸとともに形成する２
価の複素環基としては、下記の基が挙げられる。＊は、結合手を表す。

式（１）で表される基としては、例えば、１，１－ジアルキルアルコキシカルボニル基
（式（１）中においてＲ^a1～Ｒ^a3がアルキル基である基、好ましくはｔｅｒｔ－ブトキシ
カルボニル基）、２－アルキルアダマンタン－２－イルオキシカルボニル基（式（１）中
、Ｒ^a1、Ｒ^a2及びこれらが結合する炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ｒ^a3がアルキル
基である基）及び１－（アダマンタン－１－イル）－１－アルキルアルコキシカルボニル
基（式（１）中、Ｒ^a1及びＲ^a2がアルキル基であり、Ｒ^a3がアダマンチル基である基）等
が挙げられる。
Ｒ^a1'及びＲ^a2'のうち、少なくとも１つは水素原子であることが好ましい。

式（２）で表される基の具体例としては、以下の基が挙げられる。＊は結合手を表す。

モノマー（ａ１）は、好ましくは、酸不安定基とエチレン性不飽和結合とを有するモノ
マー、より好ましくは酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーである。

酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数５～２０
の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を
有するモノマー（ａ１）に由来する構造単位を有する樹脂（Ａ）をレジスト組成物に使用
すれば、レジストパターンの解像度を向上させることができる。

式（１）で表される基を有する（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造単位として
、好ましくは、式（ａ１－０）で表される構造単位、式（ａ１－１）で表される構造単位
又は式（ａ１－２）で表される構造単位が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、
２種以上を併用してもよい。本明細書では、式（ａ１－０）で表される構造単位、式（ａ
１－１）で表される構造単位及び式（ａ１－２）で表される構造単位を、それぞれ構造単
位（ａ１－０）、構造単位（ａ１－１）及び構造単位（ａ１－２）と、構造単位（ａ１－
０）を誘導するモノマー、構造単位（ａ１－１）を誘導するモノマー及び構造単位（ａ１
－２）を誘導するモノマーを、それぞれモノマー（ａ１－０）、モノマー（ａ１－１）及
びモノマー（ａ１－２）という場合がある。

［式（ａ１－０）中、
Ｌ^a01は、酸素原子又は^＊－Ｏ－（ＣＨ₂）_k01－ＣＯ－Ｏ－を表し、ｋ０１は１～７の
整数を表し、＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a01は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a02、Ｒ^a03及びＲ^a04は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～
１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表す。］

［式（ａ１－１）及び式（ａ１－２）中、
Ｌ^a1及びＬ^a2は、それぞれ独立に、－Ｏ－又は^＊－Ｏ－（ＣＨ₂）_k1－ＣＯ－Ｏ－を表
し、ｋ１は１～７の整数を表し、＊は－ＣＯ－との結合手を表す。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a6及びＲ^a7は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～１８の脂環
式炭化水素基又はこれらを組み合わせることにより形成される基を表す。
ｍ１は０～１４の整数を表す。
ｎ１は０～１０の整数を表す。
ｎ１’は０～３の整数を表す。］

Ｌ^a01は、好ましくは、酸素原子又は^＊－Ｏ－（ＣＨ₂）_k01－ＣＯ－Ｏ－であり（但し
ｋ０１は、好ましくは１～４の整数、より好ましくは１である。）、より好ましくは酸素
原子である。
Ｒ^a02、Ｒ^a03及びＲ^a04のアルキル基、脂環式炭化水素基及びこれらを組み合わせた基
としては、式（１）のＲ^a1～Ｒ^a3で挙げた基と同様の基が挙げられる。
Ｒ^a02、Ｒ^a03及びＲ^a04のアルキル基は、好ましくは炭素数１～６のアルキル基である
。
Ｒ^a02、Ｒ^a03及びＲ^a04の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３～８、より好まし
くは３～６の脂肪族炭化水素基である。
アルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基は、これらアルキル基と脂環式炭化
水素基とを組み合わせた合計炭素数が、１８以下であることが好ましい。このような基と
しては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボル
ニル基、メチルアダマンチル基、シクロヘキシルメチル基、メチルシクロへキシルメチル
基、アダマンチルメチル基、ノルボルニルメチル基等が挙げられる。
Ｒ^a02及びＲ^a03は、好ましくは炭素数１～６のアルキル基であり、より好ましくはメチ
ル基又はエチル基である。
Ｒ^a04は、好ましくは炭素数１～６のアルキル基又は炭素数５～１２の脂環式炭化水素
基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、シクロヘキシル基又はアダマンチル基で
ある。

Ｌ^a1及びＬ^a2は、好ましくは、－Ｏ－又は^＊－Ｏ－（ＣＨ₂）_k1’－ＣＯ－Ｏ－であり
（但し、ｋ１’は、１～４の整数であり、好ましくは１である）、より好ましくは－Ｏ－
である。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a6及びＲ^a7のアルキル基、脂環式炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形
成される基は、式（１）のＲ^a1～Ｒ^a3で挙げた基と同様の基が挙げられる。
Ｒ^a6及びＲ^a7のアルキル基は、好ましくは炭素数１～６のアルキル基である。
Ｒ^a6及びＲ^a7の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３～８、より好ましくは３～６
の脂環式炭化水素基以下である。
ｍ１は、好ましくは０～３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１は、好ましくは０～３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１’は好ましくは０又は１である。

構造単位（ａ１－０）としては、例えば、式（ａ１－０－１）～式（ａ１－０－１２）
のいずれかで表される構造単位が好ましく、式（ａ１－０－１）～式（ａ１－０－１０）
のいずれかで表される構造単位がより好ましい。

上記の構造単位において、Ｒ^a01に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単
位も、構造単位（ａ１－０）の具体例として挙げることができる。

モノマー（ａ１－１）としては、例えば、特開２０１０－２０４６４６号公報に記載さ
れたモノマーが挙げられる。中でも、式（ａ１－１－１）～式（ａ１－１－８）のいずれ
かで表されるモノマーが好ましく、式（ａ１－１－１）～式（ａ１－１－４）のいずれか
で表されるモノマーがより好ましい。

モノマー（ａ１－２）としては、１－メチルシクロペンタン－１－イル（メタ）アクリ
レート、１－エチルシクロペンタン－１－イル（メタ）アクリレート、１－メチルシクロ
ヘキサン－１－イル（メタ）アクリレート、１－エチルシクロヘキサン－１－イル（メタ
）アクリレート、１－エチルシクロヘプタン－１－イル（メタ）アクリレート、１－エチ
ルシクロオクタン－１－イル（メタ）アクリレート、１－イソプロピルシクロペンタン－
１－イル（メタ）アクリレート、１－イソプロピルシクロヘキサン－１－イル（メタ）ア
クリレート等が挙げられる。式（ａ１－２－１）～式（ａ１－２－１２）のいずれかで表
されるモノマーが好ましく、式（ａ１－２－３）、式（ａ１－２－４）、式（ａ１－２－
９）又は式（ａ１－２－１０）で表されるモノマーがより好ましく、式（ａ１－２－３）
又は式（ａ１－２－９）で表されるモノマーがさらに好ましい。

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ１－０）及び／又は構造単位（ａ１－１）及び／又は構造単
位（ａ１－２）を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、
通常１０～９５モル％であり、好ましくは１５～９０モル％であり、より好ましくは２０
～８５モル％である。

また、構造単位（ａ１）としては、例えば、以下で表される式（ａ１－３－１）～式（
ａ１－３－７）、式（ａ１－４－１）～式（ａ１－４－８）で表される構造単位も挙げら
れる。

樹脂（Ａ）が上記構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対し
て、１０～９５モル％が好ましく、１５～９０モル％がより好ましく、２０～８５モル％
がさらに好ましい。

式（２）で表される基を有する（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造単位として
は、式（ａ１－５）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ１－５）」という場合があ
る）も挙げられる。

式（ａ１－５）中、
Ｒ^a8は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１～６のアルキル基、水素原子又はハロゲ
ン原子を表す。
Ｚ^a1は、単結合又は＊－（ＣＨ₂）_h3－ＣＯ－Ｌ⁵⁴－を表し、ｈ３は１～４の整数を表
し、＊は、Ｌ⁵¹との結合手を表す。
Ｌ⁵¹、Ｌ⁵²、Ｌ⁵³及びＬ⁵⁴は、それぞれ独立に、－Ｏ－又は－Ｓ－を表す。
ｓ１は、１～３の整数を表す。
ｓ１’は、０～３の整数を表す。

ハロゲン原子としては、フッ素原子及び塩素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
ハロゲン原子を有してもよい炭素数１～６のアルキル基としては、メチル基、エチル基
、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、フルオロ
メチル基及びトリフルオロメチル基が挙げられる。
式（ａ１－５）においては、Ｒ^a8は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基が
好ましい。
Ｌ⁵¹は、酸素原子が好ましい。
Ｌ⁵²及びＬ⁵³は、一方が－Ｏ－、他方が－Ｓ－であることが好ましい。
ｓ１は、１が好ましい。
ｓ１’は、０～２の整数が好ましい。
Ｚ^a1は、単結合又は＊－ＣＨ₂－ＣＯ－Ｏ－が好ましい。＊はＬ⁵¹との結合手を表す。

構造単位（ａ１－５）を導くモノマーとしては、例えば、特開２０１０－６１１１７号
公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式（ａ１－５－１）～式（ａ１－５－
４）でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式（ａ１－５－１）又は式（ａ１－５－２
）で表されるモノマーがより好ましい。

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ１－５）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構
造単位に対して、１～５０モル％が好ましく、３～４５モル％がより好ましく、５～４０
モル％がさらに好ましい。

〈構造単位（ｓ）〉
構造単位（ｓ）は、酸不安定基を有さないモノマー（以下「モノマー（ｓ）」という場
合がある）から導かれる。モノマー（ｓ）は、レジスト分野で公知の酸不安定基を有さな
いモノマーを使用できる。
構造単位（ｓ）としては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さ
ない構造単位が好ましい。ヒドロキシ基を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位（以
下「構造単位（ａ２）」という場合がある）及び／又はラクトン環を有し、かつ酸不安定
基を有さない構造単位（以下「構造単位（ａ３）」という場合がある）を有する樹脂を本
発明のレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度及び基板との密着性を向
上させることができる。

〈構造単位（ａ２）〉
構造単位（ａ２）が有するヒドロキシ基は、アルコール性ヒドロキシ基でも、フェノー
ル性ヒドロキシ基でもよい。
本発明のレジスト組成物からレジストパターンを製造するとき、露光光源としてＫｒＦ
エキシマレーザ（２４８ｎｍ）、電子線又はＥＵＶ（超紫外光）等の高エネルギー線を用
いる場合には、構造単位（ａ２）として、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位（
ａ２）を用いることが好ましい。また、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）等を用いる
場合には、構造単位（ａ２）として、アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２
）が好ましく、構造単位（ａ２－１）を用いることがより好ましい。構造単位（ａ２）と
しては、１種を単独で含んでいてもよく、２種以上を含んでいてもよい。

フェノール性ヒドロキシ基有する構造単位（ａ２）としては、式（ａ２－０）で表され
る構造単位（以下「構造単位（ａ２－０）」という場合がある。）が挙げられる。

［式（ａ２－０）中、
Ｒ^a30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１～６のア
ルキル基を表す。
Ｒ^a31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６の
アルコキシ基、炭素数２～４のアシル基、炭素数２～４のアシルオキシ基、アクリロイル
オキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
ｍａは０～４の整数を表す。ｍａが２以上の整数である場合、複数のＲ^a31は互いに同
一であっても異なってもよい。］

炭素数１～６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｎ
－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等が挙げられる。
ハロゲン原子を有してもよい炭素数１～６のアルキル基としては、トリフルオロメチル
基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，１－トリフルオロ
エチル基、１，１，２，２－テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル
基、１，１，１，２，２－ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル
基、１，１，２，２，３，３，４，４－オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオ
ロペンチル基、１，１，１，２，２，３，３，４，４－ノナフルオロペンチル基、ｎ－ペ
ンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。Ｒ^a30は、水
素原子又は炭素数１～４のアルキル基が好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基がよ
り好ましく、水素原子又はメチル基がさらに好ましい。
Ｒ^a31のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基
、ペンチルオキシ基及びヘキシルオキシ基等が挙げられる。なかでも、炭素数１～４のア
ルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに
好ましい。
アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基が挙げられる。
アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ
基等が挙げられる。
ｍａは０、１又は２が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。

構造単位（ａ２－０）を誘導するモノマーとしては、例えば、特開２０１０－２０４６
３４号公報に記載されているモノマーが挙げられる。
中でも、構造単位（ａ２－０）としては、式（ａ２－０－１）、式（ａ２－０－２）、
式（ａ２－０－３）及び式（ａ２－０－４）でそれぞれ表されるものが好ましく、式（ａ
２－０－１）又は式（ａ２－０－２）で表されるものがより好ましい。

構造単位（ａ２－０）を含む樹脂（Ａ）は、構造単位（ａ２－０）を誘導するモノマー
が有するフェノール性ヒドロキシ基を保護基で保護したモノマーを用いて重合反応を行い
、その後脱保護処理することにより製造できる。ただし、脱保護処理を行う際には、構造
単位（ａ１）が有する酸不安定基を著しく損なわないようにして行う必要がある。このよ
うな保護基としては、アセチル基等が挙げられる。

樹脂（Ａ）が、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２－０）を有する場合
、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、５～９５モル％が好ましく、１０～
８０モル％がより好ましく、１５～８０モル％がさらに好ましい。

アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）としては、式（ａ２－１）で表さ
れる構造単位（以下「構造単位（ａ２－１）」という場合がある。）が挙げられる。

式（ａ２－１）中、
Ｌ^a3は、－Ｏ－又は^＊－Ｏ－（ＣＨ₂）_k2－ＣＯ－Ｏ－を表す。
ｋ２は１～７の整数を表す。＊は－ＣＯ－との結合手を表す。
Ｒ^a14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a15及びＲ^a16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０～１０の整数を表す。

式（ａ２－１）では、Ｌ^a3は、好ましくは、－Ｏ－、－Ｏ－（ＣＨ₂）_f1－ＣＯ－Ｏ－
であり（前記ｆ１は、１～４の整数である）、より好ましくは－Ｏ－である。
Ｒ^a14は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a15は、好ましくは水素原子である。
Ｒ^a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
ｏ１は、好ましくは０～３の整数、より好ましくは０又は１である。

構造単位（ａ２－１）としては、例えば、特開２０１０－２０４６４６号公報に記載さ
れたモノマーに由来する構造単位が挙げられる。式（ａ２－１－１）～式（ａ２－１－６
）のいずれかで表される構造単位が好ましく、式（ａ２－１－１）～式（ａ２－１－４）
のいずれかで表される構造単位がより好ましく、式（ａ２－１－１）又は式（ａ２－１－
３）で表される構造単位がさらに好ましい。

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ２－１）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単
位に対して、通常１～４５モル％であり、好ましくは１～４０モル％であり、より好まし
くは１～３５モル％であり、さらに好ましくは２～２０モル％である。

〈構造単位（ａ３）〉
構造単位（ａ３）が有するラクトン環は、β－プロピオラクトン環、γ－ブチロラクト
ン環、δ－バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮
合環でもよい。好ましくは、γ－ブチロラクトン環、アダマンタンラクトン環又はγ－ブ
チロラクトン環構造を含む橋かけ環が挙げられる。

構造単位（ａ３）は、好ましくは、式（ａ３－１）、式（ａ３－２）、式（ａ３－３）
又は式（ａ３－４）で表される構造単位である。これらの１種を単独で含有してもよく、
２種以上を含有してもよい。

［式（ａ３－１）中、
Ｌ^a4は、－Ｏ－又は^＊－Ｏ－（ＣＨ₂）_k3－ＣＯ－Ｏ－（ｋ３は１～７の整数を表す。
）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a18は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a21は炭素数１～４の脂肪族炭化水素基を表す。
ｐ１は０～５の整数を表す。ｐ１が２以上のとき、複数のＲ^a21は互いに同一又は相異
なる。
式（ａ３－２）中、
Ｌ^a5は、－Ｏ－又は^＊－Ｏ－（ＣＨ₂）_k3－ＣＯ－Ｏ－（ｋ３は１～７の整数を表す。
）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a19は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１～４の脂肪族炭化水素基を表す。
ｑ１は、０～３の整数を表す。ｑ１が２以上のとき、複数のＲ^a22は互いに同一又は相
異なる。
式（ａ３－３）中、
Ｌ^a6は、－Ｏ－又は^＊－Ｏ－（ＣＨ₂）_k3－ＣＯ－Ｏ－（ｋ３は１～７の整数を表す。
）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a20は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１～４の脂肪族炭化水素基を表す。
ｒ１は、０～３の整数を表す。ｒ１が２以上のとき、複数のＲ^a23は互いに同一又は相
異なる。
式（ａ３－４）中、
Ｒ^a24は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１～６のアルキル基、水素原子又はハロ
ゲン原子を表す。
Ｒ^ａ２５は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１～４の脂肪族炭化水素基を表す。
ｗ１は、０～３の整数を表す。ｗ１が２以上のとき、複数のＲ^ａ２５は互いに同一又は
相異なる。
Ｌ^a7は、－Ｏ－、^＊－Ｏ－Ｌ^a8－Ｏ－、^＊－Ｏ－Ｌ^a8－ＣＯ－Ｏ－、^＊－Ｏ－Ｌ^a8－Ｃ
Ｏ－Ｏ－Ｌ^a9－ＣＯ－Ｏ－又は^＊－Ｏ－Ｌ^a8－Ｏ－ＣＯ－Ｌ^a9－Ｏ－を表す。
＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｌ^a8及びＬ^a9は、互いに独立に、炭素数１～６のアルカンジイル基を表す。］

Ｒ^a21、Ｒ^a22、Ｒ^a23及びＲ^a25の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ
－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基及びｔｅｒｔ－ブチル
基等のアルキル基が挙げられる。
Ｒ^a24のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙
げられる。
Ｒ^a24のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基
、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基及びｎ－ヘキ
シル基等が挙げられ、好ましくは炭素数１～４のアルキル基であり、より好ましくはメチ
ル基又はエチル基である。
Ｒ^a24のハロゲン原子を有するアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフル
オロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブ
チル基、ペルフルオロｓｅｃ－ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ－ブチル基、ペルフルオ
ロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、ト
リヨードメチル基等が挙げられる。

Ｌ^a8及びＬ^a9のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン－１，
３－ジイル基、プロパン－１，２－ジイル基、ブタン－１，４－ジイル基、ペンタン－１
，５－ジイル基、ヘキサン－１，６－ジイル基、ブタン－１，３－ジイル基、２－メチル
プロパン－１，３－ジイル基、２－メチルプロパン－１，２－ジイル基、ペンタン－１，
４－ジイル基及び２－メチルブタン－１，４－ジイル基等が挙げられる。

式（ａ３－１）～式（ａ３－３）において、Ｌ^a4～Ｌ^a6は、それぞれ独立に、好ましく
は、－Ｏ－又は、ｋ３が１～４の整数である＊－Ｏ－（ＣＨ₂）_k3－ＣＯ－Ｏ－で表され
る基、より好ましくは－Ｏ－及び、＊－Ｏ－ＣＨ₂－ＣＯ－Ｏ－、さらに好ましくは酸素
原子である。
Ｒ^a18～Ｒ^a21は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a22及びＲ^a23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基
である。
ｐ１、ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に、好ましくは０～２の整数であり、より好まし
くは０又は１である。

式（ａ３－４）において、
Ｒ^a24は、好ましくは、水素原子又は炭素数１～４のアルキル基であり、より好ましく
は、水素原子、メチル基又はエチル基であり、さらに好ましくは、水素原子又はメチル基
である。
Ｌ^a7は、好ましくは、－Ｏ－又は^＊－Ｏ－Ｌ^a8－ＣＯ－Ｏ－であり、より好ましくは、
－Ｏ－、－Ｏ－ＣＨ₂－ＣＯ－Ｏ－又は－Ｏ－Ｃ₂Ｈ₄－ＣＯ－Ｏ－である。
ＲＲ^a25は、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
ｗ１は、好ましくは０～２の整数であり、より好ましくは０又は１である。
特に、式（ａ３－４）は、式（ａ３－４）’が好ましい。

（式中、Ｒ^ａ２４、Ｌ^ａ７は、上記と同じ意味を表す。）

構造単位（ａ３）を導くモノマーとしては、特開２０１０－２０４６４６号公報に記載
されたモノマー、特開２０００－１２２２９４号公報に記載されたモノマー、特開２０１
２－４１２７４号公報に記載されたモノマーが挙げられる。構造単位（ａ３）としては、
式（ａ３－１－１）～式（ａ３－１－４）、式（ａ３－２－１）～式（ａ３－２－４）、
式（ａ３－３－１）～式（ａ３－３－４）及び式（ａ３－４－１）～式（ａ３－４－１２
）のいずれかで表される構造単位が好ましく、式（ａ３－１－１）、式（ａ３－１－２）
、式（ａ３－２－３）～式（ａ３－２－４）及び式（ａ３－４－１）～式（ａ３－４－１
２）のいずれかで表される構造単位がより好ましく、式（ａ３－４－１）～式（ａ３－４
－１２）のいずれかで表される構造単位がさらに好ましく、式（ａ３－４－１）～式（ａ
３－４－６）のいずれかで表される構造単位がさらにより好ましい。

以下の式（ａ３－４－１）～式（ａ３－４－１２）で表される構造単位においては、Ｒ
^a24に相当するメチル基が水素原子に置き換わった化合物も、構造単位（ａ３－４）の具
体例として挙げることができる。

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ３）を含む場合、その合計含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単
位に対して、通常５～７０モル％であり、好ましくは１０～６５モル％であり、より好ま
しくは１０～６０モル％である。
また、構造単位（ａ３－１）、構造単位（ａ３－２）、構造単位（ａ３－３）及び構造
単位（ａ３－４）の含有率は、それぞれ、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、５～６０モ
ル％が好ましく、５～５０モル％がより好ましく、１０～５０モル％がさらに好ましい。

＜その他の構造単位（ｔ）＞
構造単位（ｔ）としては、構造単位（ａ２）及び構造単位（ａ３）以外にハロゲン原子
を有する構造単位（以下、場合により「構造単位（ａ４）」という。）及び非脱離炭化水
素基を有する構造単位（以下「構造単位（ａ５）」という場合がある）などが挙げられる
。

＜構造単位（ａ４）＞
構造単位（ａ４）は以下で表される。

［式（ａ４）中、
Ｒ^a41は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a42は、炭素数１～２４のフッ素原子を有する飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水
素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。］

Ｒ^a42の飽和炭化水素基としては、脂肪族飽和炭化水素基、脂環式飽和炭化水素基及び
これらを組み合わせた基が挙げられる。脂肪族飽和炭化水素基としては、直鎖及び分岐の
アルキル基が挙げられる。脂環式飽和炭化水素基としては、単環及び多環式の脂環式炭化
水素基が挙げられる。
直鎖及び分岐のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチ
ル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－デシル
基、ｎ－ドデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基及
びｎ－オクタデシル基が挙げられる。
単環の脂肪族炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプ
チル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環の脂肪族炭化水素基
としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は
結合手を表す。）等が挙げられる。

脂肪族飽和炭化水素基と脂環式飽和炭化水素基とを組み合わせた基としては、アダマン
チルメチル基、ノルボルニルメチル基、ペルフルオロアダマンチルメチル基等が挙げられ
る。

Ｒ^a42のフッ素原子を有する飽和炭化水素基としては、ジフルオロメチル基、トリフル
オロメチル基、１，１－ジフルオロエチル基、２，２－ジフルオロエチル基、２，２，２
－トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，２，２－テトラフルオロプロ
ピル基、１，１，２，２，３，３－ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチ
ル基、１－（トリフルオロメチル）－１，２，２，２－テトラフルオロエチル基、１－（
トリフルオロメチル）－２，２，２－トリフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、
１，１，２，２－テトラフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３－ヘキサフルオロブ
チル基、１，１，２，２，３，３，４，４－オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチ
ル基、１，１－ビス（トリフルオロ）メチル－２，２，２－トリフルオロエチル基、２－
（ペルフルオロプロピル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４－オクタフルオロ
ペンチル基、ペルフルオロペンチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５－デカ
フルオロペンチル基、１，１－ビス（トリフルオロメチル）－２，２，３，３，３－ペン
タフルオロプロピル基、２－（ペルフルオロブチル）エチル基、１，１，２，２，３，３
，４，４，５，５－デカフルオロヘキシル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５
，６，６－ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロ
ヘキシル基等のフッ化アルキル基；ペルフルオロシクロヘキシル基、ペルフルオロアダマ
ンチル基等のフッ素原子を有する脂環式炭化水素基が挙げられる。

構造単位（ａ４）としては、例えば、式（ａ４－０）～式（ａ４－３）のいずれかで表
される構造単位（以下「構造単位（ａ４－０）～構造単位（ａ４－３）」という場合があ
る）が好ましい。

［式（ａ４－０）中、
Ｒ^f1は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^f2は、炭素数１～２０のフッ素原子を有する飽和炭化水素基を表す。］
Ｒ^f2の飽和炭化水素基及びフッ素原子を有する飽和炭化水素基は、Ｒ^a42で例示したも
のと同様の基が挙げられる。

構造単位（ａ４－０）としては、以下に示す構造単位及びＲ^ｆ１に相当するメチル基が
水素原子で置き換わった構造単位が挙げられる。

［式（ａ４－１）中、
Ｒ^f3は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｌ³は、炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる
メチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Ｒ^f4は、炭素数１～２０のフッ素原子を有する飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ³及びＲ^f4の合計炭素数の上限は２１である。］

Ｌ³の２価の飽和炭化水素基としては、脂肪族飽和炭化水素基、脂環式飽和炭化水素基
及びこれらを組み合わせた基が挙げられる。この脂肪族飽和炭化水素は、直鎖又は分岐の
アルカンジイル基が挙げられる。脂環式飽和炭化水素基としては、単環及び多環の脂環式
炭化水素基が挙げられる。
アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン－１，３－ジイル基、
プロパン－１，２－ジイル基、ブタン－１，４－ジイル基、１－メチルプロパン－１，３
－ジイル基、２－メチルプロパン－１，３－ジイル基、２－メチルプロパン－１，２－ジ
イル基等が挙げられる。
２価の脂環式飽和炭化水素基としては、上述した１価の脂環式炭化水素基から水素原子
を１つ取り除いた基が挙げられる。

飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わった基
としては、以下の基等が挙げられる。以下の例示において、＊及び＊＊はそれぞれ結合手
を表わす。

Ｒ^f4の飽和炭化水素基及びフッ素原子を有する飽和炭化水素基は、Ｒ^a42で例示したも
のと同様の基が挙げられる。

構造単位（ａ４－１）としては、以下に示す構造単位及びＲ^ｆ3に相当するメチル基が
水素原子で置き換わった構造単位が挙げられる。

［式（ａ４－２）中、
Ｒ^f5は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｌ⁴は、炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる
メチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Ｒ^f6は、炭素数１～２０のフッ素原子を有する飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ⁴及びＲ^f6の合計炭素数の上限は２１である。］

Ｌ⁴の２価の飽和炭化水素基は、Ｌ³で例示したものと同様の基が挙げられる。
Ｒ^f6の飽和炭化水素基及びフッ素原子を有する飽和炭化水素基は、Ｒ^a42で例示したも
のと同様の基が挙げられる。

Ｌ^４の飽和炭化水素基としては、炭素数２～４のアルカンジイル基が好ましく、エチレ
ン基がより好ましい。

構造単位（ａ４－２）としては、以下に示す構造単位及びＲ^ｆ5に相当するメチル基が
水素原子で置き換わった構造単位が挙げられる。

［式（ａ４－３）中、
Ｒ^f7は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｌ⁵は、炭素数１～６のアルカンジイル基を表す。
Ａ^f13は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基を表
す。
Ｘ^f12は、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ａ^f14は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１～１７の飽和炭化水素基を表す。
但し、Ａ^f13及びＡ^f14の少なくとも１つは、フッ素原子を有し、Ｌ⁵、Ａ^f13及びＡ^f14
の合計炭素数の上限は２０である。］

Ｌ⁵のアルカンジイル基としては、Ｌ³の２価の飽和炭化水素基におけるアルカンジイル
基で例示したものと同様の基が挙げられる。

Ａ^f13の２価の飽和炭化水素基は、Ｌ³の２価の飽和炭化水素基で例示したものと同様の
基が挙げられる。
Ａ^f13のフッ素原子を有していてもよい飽和炭化水素基としては、好ましくはフッ素原
子を有していてもよい２価の脂肪族飽和炭化水素基及び２価の脂環式飽和炭化水素基であ
り、より好ましくはペルフルオロアルカンジイル基である。
フッ素原子を有していてもよい２価の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレ
ン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基及びペンタンジイル基等のアルカンジイル基；
ジフルオロメチレン基、ペルフルオロエチレン基、ペルフルオロプロパンジイル基、ペル
フルオロブタンジイル基及びペルフルオロペンタンジイル基等のペルフルオロアルカンジ
イル基等が挙げられる。
フッ素原子を有していてもよい２価の脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれ
を含む基でもよい。単環式の基としては、シクロヘキサンジイル基及びペルフルオロシク
ロヘキサンジイル基等が挙げられる。多環式の基としては、アダマンタンジイル基、ノル
ボルナンジイル基、ペルフルオロアダマンタンジイル基等が挙げられる。

Ａ^f14の飽和炭化水素基及びフッ素原子を有していてもよい飽和炭化水素基は、Ｒ^a42で
例示したものと同様の基が挙げられる。なかでも、トリフルオロメチル基、ジフルオロメ
チル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，１－トリフルオロエチル基、１，１
，２，２－テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，１，
２，２－ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，
２，３，３，４，４－オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、１
，１，１，２，２，３，３，４，４－ノナフルオロペンチル基、ペンチル基、ヘキシル基
、ペルフルオロヘキシル基、ヘプチル基、ペルフルオロヘプチル基、オクチル基及びペル
フルオロオクチル基等のフッ化アルキル基、シクロプロピルメチル基、シクロプロピル基
、シクロブチルメチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ペルフルオロシクロヘ
キシル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、ノルボルニル基、ノルボルニルメチ
ル基、ペルフルオロアダマンチル基、ペルフルオロアダマンチルメチル基等が好ましい。

式（ａ４－３）において、Ｌ⁵は、エチレン基が好ましい。
Ａ^f13の飽和炭化水素基は、炭素数１～６の脂肪族炭化水素基及び炭素数３～１２の脂
環式炭化水素基を含む基が好ましく、炭素数２～３の脂肪族炭化水素基がさらに好ましい
。
Ａ^f14の飽和炭化水素基は、炭素数３～１２の脂肪族炭化水素基及び炭素数３～１２の
脂環式炭化水素基を含む基が好ましく、炭素数３～１０の脂肪族炭化水素基及び炭素数３
～１０の脂環式炭化水素基を含む基がさらに好ましい。なかでも、Ａ^f14は、好ましくは
炭素数３～１２の脂環式炭化水素基を含む基であり、より好ましくは、シクロプロピルメ
チル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びアダマンチル基であ
る。

構造単位（ａ４－３）としては、例えば、以下に示す構造単位及びＲ^ｆ7に相当するメ
チル基が水素原子で置き換わった構造単位が挙げられる。

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ４）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単
位に対して、１～２０モル％が好ましく、２～１５モル％がより好ましく、３～１０モル
％がさらに好ましい。

＜構造単位（ａ５）＞
構造単位（ａ５）が有する非脱離炭化水素基としては、直鎖、分岐又は環状の炭化水素
基が挙げられる。なかでも、構造単位（ａ５）は、脂環式炭化水素基を含むことが好まし
い。
構造単位（ａ５）としては、例えば、式（ａ５－１）で表される構造単位が挙げられる
。

［式（ａ５－１）中、
Ｒ^５１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^５２は、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる
水素原子は炭素数１～８の脂肪族炭化水素基又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^５１との結合位置にある炭素原子に結合する水素原子は、炭素数１～８の脂肪
族炭化水素基で置換されない。
Ｌ^５１は、単結合又は炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素
基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。］

Ｒ^５２の脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭
化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基及び
シクロヘキシル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、アダマン
チル基及びノルボルニル基等が挙げられる。
炭素数１～８の脂肪族炭化水素基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、
イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、
ヘキシル基、オクチル基及び２－エチルヘキシル基等のアルキル基が挙げられる。
置換基を有した脂環式炭化水素基としては、３－ヒドロキシアダマンチル基、３－メチ
ルアダマンチル基などが挙げられる。
Ｒ^５２は、好ましくは無置換の炭素数３～１８の脂環式炭化水素基であり、より好まし
くはアダマンチル基、ノルボルニル基又はシクロヘキシル基である。

Ｌ^５１の２価の飽和炭化水素基としては、２価の脂肪族飽和炭化水素基及び２価の脂環
式飽和炭化水素基が挙げられ、好ましくは２価の脂肪族飽和炭化水素基が挙げられる。
２価の脂肪族飽和炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロパンジ
イル基、ブタンジイル基及びペンタンジイル基等のアルカンジイル基が挙げられる。
２価の脂環式飽和炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式
飽和炭化水素基としては、シクロペンタンジイル基及びシクロヘキサンジイル基等のシク
ロアルカンジイル基が挙げられる。多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基としては、アダ
マンタンジイル基及びノルボルナンジイル基等が挙げられる。

飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基で置き換わった基
としては、例えば、式（Ｌ１－１）～式（Ｌ１－４）で表される基が挙げられる。下記式
中、＊は酸素原子との結合手を表す。

［式（Ｌ１－１）中、
Ｘ^ｘ１は、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ｌ^ｘ１は、炭素数１～１６の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｘ２は、単結合又は炭素数１～１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^ｘ１及びＬ^ｘ２の合計炭素数は、１６以下である。
式（Ｌ１－２）中、
Ｌ^ｘ３は、炭素数１～１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｘ４は、単結合又は炭素数１～１６の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^ｘ３及びＬ^ｘ４の合計炭素数は、１７以下である。
式（Ｌ１－３）中、
Ｌ^ｘ５は、炭素数１～１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｘ６及びＬ^ｘ７は、互いに独立に、単結合又は炭素数１～１４の２価の脂肪族飽和炭
化水素基を表す。
ただし、Ｌ^ｘ５～Ｌ^ｘ７の合計炭素数は、１５以下である。
式（Ｌ１－４）中、
Ｌ^ｘ８及びＬ^ｘ９は、互いに独立に、単結合又は炭素数１～１２の２価の脂肪族飽和炭
化水素基を表す。
Ｗ^ｘ１は、炭素数３～１５の２価の脂環式飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^ｘ８、Ｌ^ｘ９及びＷ^ｘ１の合計炭素数は、１５以下である。］

Ｌ^ｘ１は、好ましくは炭素数１～８の２価の脂肪族飽和炭化水素基であり、より好まし
くはメチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^ｘ２は、好ましくは単結合又は炭素数１～８の２価の脂肪族飽和炭化水素基であり、
より好ましくは単結合である。
Ｌ^ｘ３は、好ましくは炭素数１～８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｘ４は、好ましくは単結合又は炭素数１～８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｘ５は、好ましくは炭素数１～８の２価の脂肪族飽和炭化水素基であり、より好まし
くはメチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^ｘ６は、好ましくは単結合又は炭素数１～８の２価の脂肪族飽和炭化水素基であり、
より好ましくはメチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^ｘ７は、好ましくは単結合又は炭素数１～８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｘ８は、好ましくは単結合又は炭素数１～８の２価の脂肪族飽和炭化水素基であり、
より好ましくは単結合又はメチレン基である。
Ｌ^ｘ９は、好ましくは単結合又は炭素数１～８の２価の脂肪族飽和炭化水素基であり、
より好ましくは単結合又はメチレン基である。
Ｗ^ｘ１は、好ましくは炭素数３～１０の２価の脂環式飽和炭化水素基であり、より好ま
しくはシクロヘキサンジイル基又はアダマンタンジイル基である。

式（Ｌ１－１）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

式（Ｌ１－２）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

式（Ｌ１－３）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

式（Ｌ１－４）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

Ｌ^５１は、好ましくは単結合又は式（Ｌ１－１）で表される基である。

構造単位（ａ５－１）としては、以下の構造単位及びＲ^５１に相当するメチル基が水素
原子に置き換わった構造単位等が挙げられる。

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ５）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単
位に対して、１～３０モル％が好ましく、２～２０モル％がより好ましく、３～１５モル
％がさらに好ましい。

樹脂（Ａ）は、好ましくは、構造単位（Ｉ）と構造単位（ａ１）と構造単位（ｓ）とか
らなる樹脂、すなわち、モノマー（Ｉ）とモノマー（ａ１）とモノマー（ｓ）との共重合
体である。
構造単位（ａ１）は、好ましくは、構造単位（ａ１－０）、構造単位（ａ１－１）、構
造単位（ａ１－２）（好ましくはシクロヘキシル基、シクロペンチル基を有する該構造単
位）及び構造単位（ａ１－５）の少なくとも一種、より好ましくは構造単位（ａ１－１）
又は構造単位（ａ１－２）（好ましくはシクロヘキシル基、シクロペンチル基を有する該
構造単位）である。
構造単位（ｓ）は、好ましくは構造単位（ａ２）及び構造単位（ａ３）の少なくとも一
種である。構造単位（ａ２）は、好ましくは式（ａ２－１）で表される構造単位である。
構造単位（ａ３）は、好ましくはγ－ブチロラクトン環、γ－ブチロラクトン環構造を含
む橋かけ環又はアダマンタンラクトン環で表される構造単位の少なくとも一種である。

樹脂（Ａ）は、アダマンチル基を有するモノマーに由来する構造単位（特に、構造単位
（ａ１－１））を、構造単位（ａ１）の含有量に対して１５モル％以上含有していること
が好ましい。アダマンチル基を有する構造単位の含有量が増えると、レジストパターンの
ドライエッチング耐性が向上する。

樹脂（Ａ）を構成する各構造単位は、１種のみ又は２種以上を組み合わせて用いてもよ
く、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法
）によって製造することができる。樹脂（Ａ）が有する各構造単位の含有率は、重合に用
いるモノマーの使用量で調整できる。
樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、好ましくは、２，０００以上（より好ましくは２，５
００以上、さらに好ましくは３，０００以上）、５０，０００以下（より好ましくは３０
，０００以下、さらに好ましくは１５，０００以下）である。なお、重量平均分子量は、
ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。

〔レジスト組成物〕
本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ａ）及び酸発生剤（以下「酸発生剤（Ｂ）」という
場合がある）を含有する。
樹脂（Ａ）の含有率は、レジスト組成物の固形分に対して、８０質量％以上９９質量％
以下が好ましい。レジスト組成物の固形分及びこれに対する樹脂の含有率は、液体クロマ
トグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定することができる。

本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ａ）以外の樹脂を含有していることが好ましい。
本発明のレジスト組成物は、さらに、溶剤（以下「溶剤（Ｅ）」という場合がある）及
び／又はクエンチャー（以下「クエンチャー（Ｃ）」という場合がある）を含有している
ことが好ましい。

＜樹脂（Ａ）以外の樹脂＞
樹脂（Ａ）以外の樹脂としては、例えば、構造単位（ｔ）のみからなる樹脂が挙げられ
る。構造単位（ａ４）を含む樹脂（ただし、構造単位（Ｉ）を含まない。；以下「樹脂（
Ｘ）」という場合がある。）が好ましい。構造単位（ａ４）の含有率は、樹脂（Ｘ）の全
構造単位に対して、４０モル％以上が好ましく、４５モル％以上がより好ましく、５０モ
ル％以上がさらに好ましい。
樹脂（Ｘ）がさらに有していてもよい構造単位としては、構造単位（ａ１）、構造単位
（ａ２）、構造単位（ａ３）、構造単位（ａ５）及び当技術分野で公知の化合物に由来す
る構造単位等が挙げられる。
樹脂（Ｘ）は、構造単位（ｔ）のみから樹脂であることが好ましく、構造単位（ａ４）
及び又は構造単位（ａ５）からなる樹脂であることがより好ましい。
樹脂（Ｘ）において、構造単位（ａ４）の含有率は、樹脂（Ｘ）の全構造単位に対して
、４０モル％以上が好ましく、４５モル％以上がより好ましく、５０モル％以上がさらに
好ましい。
樹脂（Ｘ）において、構造単位（ａ５）が含まれる場合、その含有率は、樹脂（Ｘ）の
全構造単位に対して、１５モル％以上が好ましく、２０モル％以上がより好ましく、２５
モル％以上がさらに好ましい。

樹脂（Ｘ）の重量平均分子量は、好ましくは、６，０００以上（より好ましくは７，０
００以上）、８０，０００以下（より好ましくは６０，０００以下）である。樹脂（Ｘ）
の重量平均分子量の測定手段は、樹脂（Ａ）の場合と同様である。
レジスト組成物が樹脂（Ｘ）を含む場合、その含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対
して、好ましくは１～６０質量部であり、より好ましくは１～５０質量部であり、さらに
好ましくは１～４０質量部であり、特に好ましくは２～３０質量部である。

樹脂（Ａ）と樹脂（Ａ）以外の樹脂との合計含有率は、レジスト組成物の固形分に対し
て、８０質量％以上９９質量％以下が好ましい。レジスト組成物の固形分及びこれに対す
る樹脂の含有率は、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析
手段で測定することができる。

＜酸発生剤（Ｂ）＞
酸発生剤は、非イオン系とイオン系とに分類されるが、本発明のレジスト組成物の酸発
生剤（Ｂ）は、いずれを用いてもよい。非イオン系酸発生剤としては、有機ハロゲン化物
、スルホネートエステル類（例えば２－ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、
オキシムスルホネート、Ｎ－スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾ
ナフトキノン ４－スルホネート）、スルホン類（例えばジスルホン、ケトスルホン、ス
ルホニルジアゾメタン）等が挙げられる。イオン系酸発生剤としては、オニウムカチオン
を含むオニウム塩（例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニ
ウム塩）が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホ
ニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等が挙げられる。

酸発生剤（Ｂ）としては、特開昭６３－２６６５３号、特開昭５５－１６４８２４号、
特開昭６２－６９２６３号、特開昭６３－１４６０３８号、特開昭６３－１６３４５２号
、特開昭６２－１５３８５３号、特開昭６３－１４６０２９号、米国特許第３，７７９，
７７８号、米国特許第３，８４９，１３７号、独国特許第３９１４４０７号、欧州特許第
１２６，７１２号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用することができる
。また、公知の方法で製造した化合物を使用してもよい。酸発生剤（Ｂ）は、１種を単独
で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

酸発生剤（Ｂ）は、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式（Ｂ１）
で表される塩（以下「酸発生剤（Ｂ１）」という場合がある）である。

［式（Ｂ１）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１～６のペルフルオロアルキル
基を表す。
Ｌ^ｂ１は、炭素数１～２４の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に
含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該２価の飽和炭
化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Ｙは、置換基を有していてもよいメチル基又は置換基を有していてもよい炭素数３～１
８の１価の脂環式炭化水素基を表し、該メチル基及び該１価の脂環式炭化水素基に含まれ
る－ＣＨ_２－は、－Ｏ－、－ＳＯ_２－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］

Ｑ^１及びＱ^２のペルフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオ
ロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチ
ル基、ペルフルオロｓｅｃ－ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ－ブチル基、ペルフルオロ
ペンチル基及びペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることが好
ましく、ともにフッ素原子であることがより好ましい。

Ｌ^ｂ１の２価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジ
イル基、単環式又は多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち
２種以上を組合せることにより形成される基でもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン－１，３－ジイル基、ブタン－１，４
－ジイル基、ペンタン－１，５－ジイル基、ヘキサン－１，６－ジイル基、ヘプタン－１
，７－ジイル基、オクタン－１，８－ジイル基、ノナン－１，９－ジイル基、デカン－１
，１０－ジイル基、ウンデカン－１，１１－ジイル基、ドデカン－１，１２－ジイル基、
トリデカン－１，１３－ジイル基、テトラデカン－１，１４－ジイル基、ペンタデカン－
１，１５－ジイル基、ヘキサデカン－１，１６－ジイル基及びヘプタデカン－１，１７－
ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；
エタン－１，１－ジイル基、プロパン－１，１－ジイル基、プロパン－１，２－ジイル
基、プロパン－２，２－ジイル基、ペンタン－２，４－ジイル基、２－メチルプロパン－
１，３－ジイル基、２－メチルプロパン－１，２－ジイル基、ペンタン－１，４－ジイル
基、２－メチルブタン－１，４－ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；
シクロブタン－１，３－ジイル基、シクロペンタン－１，３－ジイル基、シクロヘキサ
ン－１，４－ジイル基、シクロオクタン－１，５－ジイル基等のシクロアルカンジイル基
である単環式の２価の脂環式飽和炭化水素基；
ノルボルナン－１，４－ジイル基、ノルボルナン－２，５－ジイル基、アダマンタン－
１，５－ジイル基、アダマンタン－２，６－ジイル基等の多環式の２価の脂環式飽和炭化
水素基等が挙げられる。

Ｌ^ｂ１の２価の飽和炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－が－Ｏ－又は－ＣＯ－で置き換わ
った基としては、例えば、式（ｂ１－１）～式（ｂ１－３）のいずれかで表される基が挙
げられる。なお、式（ｂ１－１）～式（ｂ１－３）及び下記の具体例において、＊は－Ｙ
との結合手を表す。

［式（ｂ１－１）中、
Ｌ^ｂ２は、単結合又は炭素数１～２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素
基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ３は、単結合又は炭素数１～２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素
基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和
炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよ
い。
ただし、Ｌ^ｂ２とＬ^ｂ３との炭素数合計は、２２以下である。
式（ｂ１－２）中、
Ｌ^ｂ４は、単結合又は炭素数１～２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素
基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ５は、単結合又は炭素数１～２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素
基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和
炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよ
い。
ただし、Ｌ^ｂ４とＬ^ｂ５との炭素数合計は、２２以下である。
式（ｂ１－３）中、
Ｌ^ｂ６は、単結合又は炭素数１～２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素
基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ７は、単結合又は炭素数１～２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素
基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和
炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよ
い。
ただし、Ｌ^ｂ６とＬ^ｂ７との炭素数合計は、２３以下である。］

式（ｂ１－１）～式（ｂ１－３）においては、飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が
酸素原子又はカルボニル基に置き換わっている場合、置き換わる前の炭素数を該飽和炭化
水素基の炭素数とする。
２価の飽和炭化水素基としては、Ｌ^ｂ１の２価の飽和炭化水素基と同様のものが挙げら
れる。

Ｌ^ｂ２は、好ましくは単結合である。
Ｌ^ｂ３は、好ましくは炭素数１～４の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ４は、好ましくは炭素数１～８の２価の飽和炭化水素基であり、該２価の飽和炭化
水素基に含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ５は、好ましくは単結合又は炭素数１～８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ６は、好ましくは単結合又は炭素数１～４の２価の飽和炭化水素基であり、該飽和
炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ７は、好ましくは単結合又は炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基であり、該飽
和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく
、該２価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は酸素原子又はカルボニル基に置き換わ
っていてもよい。

Ｌ^ｂ１の２価の飽和炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－が－Ｏ－又は－ＣＯ－で置き換わ
った基としては、式（ｂ１－１）又は式（ｂ１－３）で表される基が好ましい。

式（ｂ１－１）としては、式（ｂ１－４）～式（ｂ１－８）でそれぞれ表される基が挙
げられる。

［式（ｂ１－４）中、
Ｌ^ｂ８は、単結合又は炭素数１～２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素
基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
式（ｂ１－５）中、
Ｌ^ｂ９は、炭素数１～２０の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１０は、単結合又は炭素数１～１９の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和
炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい
。
ただし、Ｌ^ｂ９及びＬ^ｂ１０の合計炭素数は２０以下である。
式（ｂ１－６）中、
Ｌ^ｂ１１は、炭素数１～２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１２は、単結合又は炭素数１～２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和
炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい
。
ただし、Ｌ^ｂ１１及びＬ^ｂ１２の合計炭素数は２１以下である。
式（ｂ１－７）中、
Ｌ^ｂ１３は、炭素数１～１９の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１４は、単結合又は炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１５は、単結合又は炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和
炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい
。
ただし、Ｌ^ｂ１３～Ｌ^ｂ１５の合計炭素数は１９以下である。
式（ｂ１－８）中、
Ｌ^ｂ１６は、炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１７は、炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１８は、単結合又は炭素数１～１７の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和
炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい
。
ただし、Ｌ^ｂ１６～Ｌ^ｂ１８の合計炭素数は１９以下である。］

Ｌ^ｂ８は、好ましくは炭素数１～４の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ９は、好ましくは炭素数１～８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１０は、好ましくは単結合又は炭素数１～１９の２価の飽和炭化水素基であり、よ
り好ましくは単結合又は炭素数１～８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１１は、好ましくは炭素数１～８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１２は、好ましくは単結合又は炭素数１～８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１３は、好ましくは炭素数１～１２の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１４は、好ましくは単結合又は炭素数１～６の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１５は、好ましくは単結合又は炭素数１～１８の２価の飽和炭化水素基であり、よ
り好ましくは単結合又は炭素数１～８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１６は、好ましくは炭素数１～１２の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１７は、好ましくは炭素数１～６の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１８は、好ましくは単結合又は炭素数１～１７の２価の飽和炭化水素基であり、よ
り好ましくは単結合又は炭素数１～４の２価の飽和炭化水素基である。

式（ｂ１－３）としては、式（ｂ１－９）～式（ｂ１－１１）でそれぞれ表される基が
挙げられる。

［式（ｂ１－９）中、
Ｌ^ｂ１９は、単結合又は炭素数１～２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和
炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ２０は、単結合又は炭素数１～２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和
炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子、ヒドロキシ基又はアシルオキシ基に置換さ
れていてもよい。該アシルオキシ基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基
に置き換わっていてもよく、該アシルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置
換されていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ１９及びＬ^ｂ２０の合計炭素数は２３以下である。
式（ｂ１－１０）中、
Ｌ^ｂ２１は、単結合又は炭素数１～２１の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和
炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ２２は、単結合又は炭素数１～２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ２３は、単結合又は炭素数１～２１の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和
炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアシルオキシ基に置換
されていてもよい。該アシルオキシ基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル
基に置き換わっていてもよく、該アシルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に
置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ２１～Ｌ^ｂ２３の合計炭素数は２１以下である。
式（ｂ１－１１）中、
Ｌ^ｂ２４は、単結合又は炭素数１～２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和
炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ２５は、炭素数１～２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ２６は、単結合又は炭素数１～２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和
炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアシルオキシ基に置換
されていてもよい。該アシルオキシ基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル
基に置き換わっていてもよく、該アシルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に
置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ２４～Ｌ^ｂ２６の合計炭素数は２１以下である。］

式（ｂ１－９）から式（ｂ１－１１）においては、２価の飽和炭化水素基に含まれる水
素原子がアシルオキシ基に置換されている場合、アシルオキシ基の炭素数、エステル結合
中のＣＯ及びＯの数をも含めて、該２価の飽和炭化水素基の炭素数とする。

アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ
基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、アダマンチルカルボニルオキシ基等が挙げられ
る。
置換基を有するアシルオキシ基としては、オキソアダマンチルカルボニルオキシ基、ヒ
ドロキシアダマンチルカルボニルオキシ基、オキソシクロヘキシルカルボニルオキシ基、
ヒドロキシシクロヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。

式（ｂ１－１）で表される基のうち、式（ｂ１－４）で表される基としては、以下のも
のが挙げられる。

式（ｂ１－１）で表される基のうち、式（ｂ１－５）で表される基としては、以下のも
のが挙げられる。

式（ｂ１－１）で表される基のうち、式（ｂ１－６）で表される基としては、以下のも
のが挙げられる。

式（ｂ１－１）で表される基のうち、式（ｂ１－７）で表される基としては、以下のも
のが挙げられる。

式（ｂ１－１）で表される基のうち、式（ｂ１－８）で表される基としては、以下のも
のが挙げられる。

式（ｂ１－２）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１－３）で表される基のうち、式（ｂ１－９）で表される基としては、以下のも
のが挙げられる。

式（ｂ１－３）で表される基のうち、式（ｂ１－１０）で表される基としては、以下の
ものが挙げられる。

式（ｂ１－３）で表される基のうち、式（ｂ１－１１）で表される基としては、以下の
ものが挙げられる。

Ｙで表される１価の脂環式炭化水素基としては、式（Ｙ１）～式（Ｙ１１）で表される
基が挙げられる。
Ｙで表される１価の脂環式炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－が－Ｏ－、－ＳＯ_２－又は
－ＣＯ－で置き換わる場合、その数は１つでもよいし、２以上の複数でもよい。そのよう
な基としては、式（Ｙ１２）～式（Ｙ３８）で表される基が挙げられる。

つまり、Ｙは、脂環式炭化水素基に含まれる水素原子２つがそれぞれ、酸素原子に置換
され、その２つの酸素原子が炭素数１～８のアルカンジイル基と一緒になってケタール環
を形成してもよいし、異なる炭素原子にそれぞれ酸素原子が結合した構造を含んでいても
よい。ただし、式（Ｙ２８）～式（Ｙ３３）等のスピロ環を構成する場合には、２つの酸
素間のアルカンジイル基は、１以上のフッ素原子を有することが好ましい。また、ケター
ル構造に含まれるアルカンジイル基のうち、酸素原子に隣接するメチレン基には、フッ素
原子が置換されていないものが好ましい。

中でも、好ましくは式（Ｙ１）～式（Ｙ２０）、式（Ｙ３０）、式（Ｙ３１）のいずれ
かで表される基が挙げられ、より好ましくは式（Ｙ１１）、式（Ｙ１５）、式（Ｙ１６）
、式（Ｙ１９）、式（Ｙ２０）、式（Ｙ３０）又は式（Ｙ３１）で表される基が挙げられ
、さらに好ましくは式（Ｙ１１）、式（Ｙ１５）又は式（Ｙ３０）で表される基が挙げら
れる。

Ｙで表されるメチル基の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数３～１
６の１価の脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の１価の芳香族炭化水素基、グリシジルオ
キシ基又は－（ＣＨ_２）_ｊａ－Ｏ－ＣＯ－Ｒ^ｂ１基（式中、Ｒ^ｂ１は、炭素数１～１６の
アルキル基、炭素数３～１６の１価の脂環式炭化水素基又は炭素数６～１８の１価の芳香
族炭化水素基を表す。ｊａは、０～４の整数を表す）等が挙げられる。
Ｙで表される１価の脂環式炭化水素基の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基
、炭素数１～１２のアルキル基、ヒドロキシ基含有炭素数１～１２のアルキル基、炭素数
３～１６の１価の脂環式炭化水素基、炭素数１～１２のアルコキシ基、炭素数６～１８の
１価の芳香族炭化水素基、炭素数７～２１のアラルキル基、炭素数２～４のアシル基、グ
リシジルオキシ基又は－（ＣＨ_２）_ｊａ－Ｏ－ＣＯ－Ｒ^ｂ１基（式中、Ｒ^ｂ１は、炭素数
１～１６のアルキル基、炭素数３～１６の１価の脂環式炭化水素基又は炭素数６～１８の
１価の芳香族炭化水素基を表す。ｊａは、０～４の整数を表す）等が挙げられる。

ヒドロキシ基含有アルキル基としては、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等が
挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチ
ルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基
及びドデシルオキシ基等が挙げられる。
１価の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ｐ－メチ
ルフェニル基、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、ｐ－アダマンチルフェニル基；トリル
基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、２，６－
ジエチルフェニル基、２－メチル－６－エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメ
チル基及びナフチルエチル基等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられ
る。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられ
る。

Ｙとしては、以下のものが挙げられる。

なお、Ｙがメチル基であり、かつＬ^ｂ１が炭素数１～１７の２価の直鎖状又は分岐状飽
和炭化水素基である場合、Ｙとの結合位置にある該２価の飽和炭化水素基の－ＣＨ_２－は
、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていることが好ましい。この場合、Ｙのアルキル基に
含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わらない。

Ｙは、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数３～１８の１価の脂環式炭化水素基
であり、より好ましく置換基を有していてもよいアダマンチル基であり、これらの基を構
成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよ
い。Ｙは、さらに好ましくはアダマンチル基、ヒドロキシアダマンチル基又はオキソアダ
マンチル基又は下記で表される基である。

式（Ｂ１）で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、式（Ｂ１－Ａ－１）～
式（Ｂ１－Ａ－４６）で表されるアニオン〔以下、式番号に応じて「アニオン（Ｂ１－Ａ
－１）」等という場合がある。〕が好ましく、式（Ｂ１－Ａ－１）～式（Ｂ１－Ａ－４）
、式（Ｂ１－Ａ－９）、式（Ｂ１－Ａ－１０）、式（Ｂ１－Ａ－２４）～式（Ｂ１－Ａ－
３３）、式（Ｂ１－Ａ－３６）～式（Ｂ１－Ａ－４０）のいずれかで表されるアニオンが
より好ましい。

ここでＲ^ｉ２～Ｒ^ｉ７は、例えば、炭素数１～４のアルキル基、好ましくはメチル基又
はエチル基である。
Ｒ^ｉ８は、例えば、炭素数１～１２の脂肪族炭化水素基であり、好ましくは炭素数１～
４のアルキル基、炭素数５～１２の１価の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せることに
より形成される基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、シクロヘキシル基又はア
ダマンチル基である。
Ｌ^４は、単結合又は炭素数１～４のアルカンジイル基である。
Ｑ^１及びＱ^２は、上記と同じである。
式（Ｂ１）で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、具体的には、特開２０
１０－２０４６４６号公報に記載されたアニオンが挙げられる。

好ましい式（Ｂ１）で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、式（Ｂ１ａ－
１）～式（Ｂ１ａ－２２）でそれぞれ表されるアニオンが挙げられる。

なかでも、式（Ｂ１ａ－１）～式（Ｂ１ａ－３）及び式（Ｂ１ａ－７）～式（Ｂ１ａ－
１６）、式（Ｂ１ａ－１８）、式（Ｂ１ａ－１９）、式（Ｂ１ａ－２２）のいずれかで表
されるアニオンが好ましい。
Ｚ^＋の有機カチオンとしては、有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチ
オン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチ
オン、有機ホスホニウムカチオン等が挙げられ、好ましくは有機スルホニウムカチオン又
は有機ヨードニウムカチオンが挙げられ、より好ましくはアリールスルホニウムカチオン
が挙げられる。
式（Ｂ１）中のＺ^＋は、好ましくは式（ｂ２－１）～式（ｂ２－４）のいずれかで表さ
れるカチオン〔以下、式番号に応じて「カチオン（ｂ２－１）」等という場合がある。〕
である。

［式（ｂ２－１）～式（ｂ２－４）において、
Ｒ^ｂ４～Ｒ^ｂ６は、互いに独立に、炭素数１～３０の１価の脂肪族炭化水素基、炭素数
３～３６の１価の脂環式炭化水素基又は炭素数６～３６の１価の芳香族炭化水素基を表し
、該１価の脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１～１２のア
ルコキシ基、炭素数３～１２の１価の脂環式炭化水素基又は炭素数６～１８の１価の芳香
族炭化水素基で置換されていてもよく、該１価の脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は
、ハロゲン原子、炭素数１～１８の１価の脂肪族炭化水素基、炭素数２～４のアシル基又
はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、該１価の芳香族炭化水素基に含まれる水
素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は炭素数１～１２のアルコキシ基で置換されて
いてもよい。
Ｒ^ｂ４とＲ^ｂ５とは、それらが結合する硫黄原子とともに環を形成してもよく、該環に
含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－、－ＳＯ－又は－ＣＯ－に置き換わってもよい。
Ｒ^ｂ７及びＲ^ｂ８は、互いに独立に、ヒドロキシ基、炭素数１～１２の１価の脂肪族炭
化水素基又は炭素数１～１２のアルコキシ基を表す。
ｍ２及びｎ２は、互いに独立に、０～５の整数を表す。
ｍ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ７は同一であっても異なってもよく、ｎ２が２以上の
とき、複数のＲ^ｂ８は同一であっても異なってもよい。
Ｒ^ｂ９及びＲ^ｂ１０は、互いに独立に、炭素数１～３６の１価の脂肪族炭化水素基又は
炭素数３～３６の１価の脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ^ｂ９とＲ^ｂ１０とは、それらが結合する硫黄原子とともに環を形成してもよく、該環
に含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－、－ＳＯ－又は－ＣＯ－に置き換わってもよい。
Ｒ^ｂ１１は、水素原子、炭素数１～３６の１価の脂肪族炭化水素基、炭素数３～３６の
１価の脂環式炭化水素基又は炭素数６～１８の１価の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^ｂ１２は、炭素数１～１２の１価の脂肪族炭化水素基、炭素数３～１８の１価の脂環
式炭化水素基又は炭素数６～１８の１価の芳香族炭化水素基を表し、該１価の脂肪族炭化
水素に含まれる水素原子は、炭素数６～１８の１価の芳香族炭化水素基で置換されていて
もよく、該１価の芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１～１２のアルコキシ
基又は炭素数１～１２のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
Ｒ^ｂ１１とＲ^ｂ１２とは、一緒になってそれらが結合する－ＣＨ－ＣＯ－を含む環を形
成していてもよく、該環に含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－、－ＳＯ－又は－ＣＯ－に置き
換わってもよい。
Ｒ^ｂ１３～Ｒ^ｂ１８は、互いに独立に、ヒドロキシ基、炭素数１～１２の１価の脂肪族
炭化水素基又は炭素数１～１２のアルコキシ基を表す。
Ｌ^ｂ３１は、－Ｓ－又は－Ｏ－を表す。
ｏ２、ｐ２、ｓ２、及びｔ２は、互いに独立に、０～５の整数を表す。
ｑ２及びｒ２は、互いに独立に、０～４の整数を表す。
ｕ２は、０又は１を表す。
ｏ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１３は同一であっても異なってもよく、ｐ２が２以上
のとき、複数のＲ^ｂ１４は同一であっても異なってもよく、ｑ２が２以上のとき、複数の
Ｒ^ｂ１５は同一であっても異なってもよく、ｒ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１６は同一
であっても異なってもよく、ｓ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１７は同一であっても異な
ってもよく、ｔ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１８は同一であっても異なってもよい。］

１価の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基
、オクチル基及び２－エチルヘキシル基のアルキル基が挙げられる。中でも、Ｒ^ｂ９～Ｒ
^ｂ１２の１価の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１～１２である。
１価の脂環式炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の１価の脂環
式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロ
へキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル
基が挙げられる。多環式の１価の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、ア
ダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基等が挙げられる。

中でも、Ｒ^ｂ９～Ｒ^ｂ１２の１価の脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３～１８
であり、より好ましくは４～１２である。

水素原子が脂肪族炭化水素基で置換された１価の脂環式炭化水素基としては、例えば、
メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、２－アルキルアダマンタン－２－
イル基、メチルノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。水素原子が１価の脂肪
族炭化水素基で置換された１価の脂環式炭化水素基においては、１価の脂環式炭化水素基
と１価の脂肪族炭化水素基との合計炭素数が好ましくは２０以下である。

１価の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、
メシチル基、ｐ－エチルフェニル基、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、ｐ－シクロへキ
シルフェニル基、ｐ－アダマンチルフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナン
トリル基、２，６－ジエチルフェニル基、２－メチル－６－エチルフェニル基等のアリー
ル基が挙げられる。
１価の芳香族炭化水素基に、１価の脂肪族炭化水素基又は１価の脂環式炭化水素基が含
まれる場合は、炭素数１～１８の１価の脂肪族炭化水素基又は炭素数３～１８の１価の脂
環式炭化水素基が好ましい。
水素原子がアルコキシ基で置換された１価の芳香族炭化水素基としては、ｐ－メトキシ
フェニル基等が挙げられる。
水素原子が芳香族炭化水素基で置換された１価の脂肪族炭化水素基としては、ベンジル
基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチ
ル基等のアラルキル基が挙げられる。

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチ
ルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基
及びドデシルオキシ基等が挙げられる。
アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられ
る。
アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニル
オキシ基、ｎ－プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ－ブ
チルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ－ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルカルボ
ニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカ
ルボニルオキシ基及び２－エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。

Ｒ^ｂ４とＲ^ｂ５とがそれらが結合している硫黄原子とともに形成してもよい環は、単環
式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この
環としては、炭素数３～１８の環が挙げられ、好ましくは炭素数４～１８の環が挙げられ
る。また、硫黄原子を含む環としては、３員環～１２員環が挙げられ、好ましくは３員環
～７員環が挙げられ、具体的には下記の環が挙げられる。

Ｒ^ｂ９とＲ^ｂ１０とがそれらが結合している硫黄原子とともに形成する環は、単環式、
多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この環と
しては、３員環～１２員環が挙げられ、好ましくは３員環～７員環が挙げられ、例えば、
チオラン－１－イウム環（テトラヒドロチオフェニウム環）、チアン－１－イウム環、１
，４－オキサチアン－４－イウム環等が挙げられる。
Ｒ^ｂ１１とＲ^ｂ１２とが一緒になって形成する環は、単環式、多環式、芳香族性、非芳
香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよい。この環としては、３員環～１２員
環が挙げられ、好ましくは３員環～７員環が挙げられ、例えば、オキソシクロヘプタン環
、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環等が挙げられ
る。

カチオン（ｂ２－１）～カチオン（ｂ２－４）の中で、好ましくはカチオン（ｂ２－１
）が挙げられる。

カチオン（ｂ２－１）としては、以下のカチオンが挙げられる。

カチオン（ｂ２－２）としては、以下のカチオンが挙げられる。

カチオン（ｂ２－３）としては、以下のカチオンが挙げられる。

カチオン（ｂ２－４）のとしては、以下のカチオンが挙げられる。

酸発生剤（Ｂ１）は、上述のスルホン酸アニオン及び上述の有機カチオンの組合せであ
り、これらは任意に組合せることができる。酸発生剤（Ｂ１）としては、好ましくは式（
Ｂ１ａ－１）～式（Ｂ１ａ－３）及び式（Ｂ１ａ－７）～式（Ｂ１ａ－１５）のいずれか
で表されるアニオンとカチオン（ｂ２－１）又はカチオン（ｂ２－３）との組合せが挙げ
られる。

酸発生剤（Ｂ１）としては、好ましくは式（Ｂ１－１）～式（Ｂ１－４０）でそれぞれ
表されるものが挙げられ、好ましくはアリールスルホニウムカチオンを含む式（Ｂ１－１
）、式（Ｂ１－２）、式（Ｂ１－３）、式（Ｂ１－５）、式（Ｂ１－６）、式（Ｂ１－７
）、式（Ｂ１－１１）、式（Ｂ１－１２）、式（Ｂ１－１３）、式（Ｂ１－１４）、式（
Ｂ１－１３）、式（Ｂ１－２０）、式（Ｂ１－２１）、式（Ｂ１－２３）、式（Ｂ１－２
４）、式（Ｂ１－２５）、式（Ｂ１－２６）、式（Ｂ１－２９）、式（Ｂ１－３１）、式
（Ｂ１－３２）、式（Ｂ１－３３）、式（Ｂ１－３４）、式（Ｂ１－３５）、式（Ｂ１－
３６）、式（Ｂ１－３７）、式（Ｂ１－３８）、式（Ｂ１－３９）又は式（Ｂ１－４０）
でそれぞれ表されるものが挙げられる。

酸発生剤（Ｂ１）の含有率は、酸発生剤（Ｂ）の総量に対して、３０質量％以上１００
質量％以下であることが好ましく、５０質量％以上１００質量％以下であることがより好
ましく、実質的に酸発生剤（Ｂ１）のみであることがさらに好ましい。
酸発生剤（Ｂ）の含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１質量部以
上（より好ましくは３質量部以上）、好ましくは３０質量部以下（より好ましくは２５質
量部以下）である。本発明のレジスト組成物は、酸発生剤（Ｂ）の１種を含有してもよく
、複数種を含有してもよい。

〈溶剤（Ｅ）〉
溶剤（Ｅ）の含有率は、通常、レジスト組成物中９０質量％以上、好ましくは９２質量
％以上、より好ましくは９４質量％以上であり、９９．９質量％以下、好ましくは９９質
量％以下である。溶剤（Ｅ）の含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマ
トグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。

溶剤（Ｅ）としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及び
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類
；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢
酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類；アセトン、メチルイソブチ
ルケトン、２－ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類；γ－ブチロラクトン等の
環状エステル類；等を挙げることができる。溶剤（Ｅ）の１種を単独で含有してもよく、
２種以上を含有してもよい。

〈クエンチャー（Ｃ）〉
本発明のレジスト組成物は、クエンチャー（以下「クエンチャー（Ｃ）」という場合が
ある）を含有していてもよい。クエンチャー（Ｃ）は、塩基性の含窒素有機化合物又は酸
発生剤（Ｂ）よりも酸性度の弱い酸を発生する塩が挙げられる。

〈塩基性の含窒素有機化合物〉
塩基性の含窒素有機化合物としては、アミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミン
としては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級
アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。

具体的には、１－ナフチルアミン、２－ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルア
ニリン、２－，３－又は４－メチルアニリン、４－ニトロアニリン、Ｎ－メチルアニリン
、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オ
クチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘ
キシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン
、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリ
ペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリ
ノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メ
チルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチ
ルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルア
ミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エ
チルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシ
ルメチルアミン、トリス〔２－（２－メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロ
パノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン
、４，４’－ジアミノ－１，２－ジフェニルエタン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジ
メチルジフェニルメタン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジエチルジフェニルメタン、
２，２’－メチレンビスアニリン、イミダゾール、４－メチルイミダゾール、ピリジン、
４－メチルピリジン、１，２－ジ（２－ピリジル）エタン、１，２－ジ（４－ピリジル）
エタン、１，２－ジ（２－ピリジル）エテン、１，２－ジ（４－ピリジル）エテン、１，
３－ジ（４－ピリジル）プロパン、１，２－ジ（４－ピリジルオキシ）エタン、ジ（２－
ピリジル）ケトン、４，４’－ジピリジルスルフィド、４，４’－ジピリジルジスルフィ
ド、２，２’－ジピリジルアミン、２，２’－ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げら
れ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは２，６－ジイソプロ
ピルアニリンが挙げられる。

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピ
ルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシル
アンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメ
チルアンモニウムヒドロキシド、３－（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラ－ｎ－ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げ
られる。

〈酸性度の弱い酸を発生する塩〉
酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩における酸性度は酸解離定
数（ｐＫａ）で示される。酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩は
、該塩から発生する酸のｐＫａが、通常－３＜ｐＫａの塩であり、好ましくは－１＜ｐＫ
ａ＜７の塩であり、より好ましくは０＜ｐＫａ＜５の塩である。酸発生剤から発生する酸
よりも弱い酸を発生する塩としては、下記式で表される塩、式（Ｄ）で表される弱酸分子
内塩、並びに特開２０１２－２２９２０６号公報、特開２０１２－６９０８号公報、特開
２０１２－７２１０９号公報、特開２０１１－３９５０２号公報及び特開２０１１－１９
１７４５号公報記載の塩が挙げられる。

［式（Ｄ）中、
Ｒ^D1及びＲ^D2は、それぞれ独立に、炭素数１～１２の１価の炭化水素基、炭素数１～６
のアルコキシ基、炭素数２～７のアシル基、炭素数２～７のアシルオキシ基、炭素数２～
７のアルコキシカルボニル基、ニトロ基又はハロゲン原子を表す。
ｍ’及びｎ’は、それぞれ独立に、０～４の整数を表し、ｍ’が２以上の場合、複数の
Ｒ^D1は同一又は相異なり、ｎ’が２以上の場合、複数のＲ^D2は同一又は相異なる。］

式（Ｄ）で表される化合物におけるＲ^D1及びＲ^D2の炭化水素基としては、１価の脂肪族
炭化水素基、１価の脂環式炭化水素基、１価の芳香族炭化水素基及びこれらの組み合わせ
ることにより形成される基等が挙げられる。
１価の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基
、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ノニル基等
のアルキル基が挙げられる。
１価の脂環式炭化水素基としては、単環式及び多環式のいずれでもよく、飽和及び不飽
和のいずれでもよい。シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへ
キシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基等のシクロアルキル基、ノルボニル基、ア
ダマンチル基等が挙げられる。
１価の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、２
－メチルフェニル基、３－メチルフェニル基、４－メチルフェニル基、４－エチルフェニ
ル基、４－プロピルフェニル基、４－イソプロピルフェニル基、４－ブチルフェニル基、
４－ｔ－ブチルフェニル基、４－ヘキシルフェニル基、４－シクロヘキシルフェニル基、
アントリル基、ｐ－アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシ
チル基、ビフェニル基、フェナントリル基、２，６－ジエチルフェニル基、２－メチル－
６－エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
これらを組み合わせることにより形成される基としては、アルキル－シクロアルキル基
、シクロアルキル－アルキル基、アラルキル基（例えば、フェニルメチル基、１－フェニ
ルエチル基、２－フェニルエチル基、１－フェニル－１－プロピル基、１－フェニル－２
－プロピル基、２－フェニル－２－プロピル基、３－フェニル－１－プロピル基、４－フ
ェニル－１－ブチル基、５－フェニル－１－ペンチル基、６－フェニル－１－ヘキシル基
等）等が挙げられる。

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。
アシル基としては、アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基、シクロヘキサンカル
ボニル基等が挙げられる。
アシルオキシ基としては、上記アシル基にオキシ基（－Ｏ－）が結合した基等が挙げら
れる。
アルコキシカルボニル基としては、上記アルコキシ基にカルボニル基（－ＣＯ－）が結
合した基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。

式（Ｄ）においては、Ｒ^D1及びＲ^D2は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、
炭素数３～１０のシクロアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～４のアシ
ル基、炭素数２～４のアシルオキシ基、炭素数２～４のアルコキシカルボニル基、ニトロ
基又はハロゲン原子が好ましい。
ｍ’及びｎ’は、それぞれ独立に、０～２の整数が好ましく、０がより好ましい。ｍ’
が２以上の場合、複数のＲ^D1は同一又は相異なり、ｎ’が２以上の場合、複数のＲ^D2は同
一又は相異なる。

弱酸分子内塩（Ｄ）としては、以下の化合物が挙げられる。

弱酸分子内塩（Ｄ）は、「Tetrahedron Vol. 45, No. 19, p6281-6296」に記載の方法
で製造することができる。また、弱酸分子内塩（Ｄ）は、市販されている化合物を用いる
ことができる。

クエンチャー（Ｃ）の含有率は、レジスト組成物の固形分中、好ましくは、０．０１～
５質量％であり、より好ましく０．０１～４質量％であり、特に好ましく０．０１～３質
量％である。

〈その他の成分〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、上述の成分以外の成分（以下「その他の成
分（Ｆ）」という場合がある。）を含有していてもよい。その他の成分（Ｆ）に特に限定
はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定
剤、染料等を利用できる。

〈レジスト組成物の調製〉
本発明のレジスト組成物は、本発明の樹脂（Ａ）及び酸発生剤（Ｂ）、並びに、必要に
応じて用いられる樹脂（Ｘ）、クエンチャー（Ｃ）、溶剤（Ｅ）及びその他の成分（Ｆ）
を混合することにより調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるもの
ではない。混合する際の温度は、１０～４０℃から、樹脂等の種類や樹脂等の溶剤（Ｅ）
に対する溶解度等に応じて適切な温度を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じ
て、０．５～２４時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制
限はなく、攪拌混合等を用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径０．００３～０．２μｍ程度のフィルターを用いてろ過す
ることが好ましい。

〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含む。

レジスト組成物を基板上に塗布するには、スピンコーター等、通常、用いられる装置に
よって行うことができる。基板としては、シリコンウェハ等の無機基板が挙げられる。レ
ジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄してもよいし、基板上に反射防止膜等が形成さ
れていてもよい。

塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤を除去し、組成物層を形成する。乾燥は、
例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること（いわゆるプリベー
ク）により行うか、あるいは減圧装置を用いて行う。加熱温度は５０～２００℃が好まし
く、加熱時間は１０～１８０秒間が好ましい。また、減圧乾燥する際の圧力は、１～１．
０×１０⁵Ｐａ程度が好ましい。

得られた組成物層に、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であって
もよい。露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマ
レーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ₂エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレ
ーザ光を放射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を
波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線や、超
紫外光（ＥＵＶ）を照射するもの等、種々のものを用いることができる。尚、本明細書に
おいて、これらの放射線を照射することを総称して「露光」という場合がある。露光の際
、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源が電子
線の場合は、マスクを用いずに直接描画により露光してもよい。

露光後の組成物層を、酸不安定基における脱保護反応を促進するために加熱処理（いわ
ゆるポストエキスポジャーベーク）を行う。加熱温度は、通常５０～２００℃程度、好ま
しくは７０～１５０℃程度である。

加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。現像方法
としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げら
れる。現像温度は５～６０℃が好ましく、現像時間は５～３００秒間が好ましい。現像液
の種類を以下のとおりに選択することにより、ポジ型レジストパターン又はネガ型レジス
トパターンを製造できる。

本発明のレジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として
アルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水
溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２－ヒドロキシ
エチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。
アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。
現像後レジストパターンを超純水で洗浄し、次いで、基板及びパターン上に残った水を
除去することが好ましい。

本発明のレジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として
有機溶剤を含む現像液（以下「有機系現像液」という場合がある）を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、２－ヘキサノン、２－ヘプタノン等のケト
ン溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエ
ステル溶剤；酢酸ブチル等のエステル溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテル等
のグリコールエーテル溶剤；Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド溶剤；アニソール
等の芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、９０質量％以上１００質量％以下が好ましく、
９５質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさ
らに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び／又は２－ヘプタノンを含む現像液が
好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び２－ヘプタノンの合計含有率は、５０質量％
以上１００質量％以下が好ましく、９０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実
質的に酢酸ブチル及び／又は２－ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量
の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止して
もよい。

現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、
レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶
液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。

本発明のレジスト組成物では、樹脂（Ｘ）が、組成物層内において、表面で分布が高く
なる傾向があり、液浸露光時における酸発生剤等の液浸露光液体への溶出を抑制できる。
また、樹脂（Ｘ）に起因する上述した前進接触角及び後退接触角により、撥水性を発揮さ
せて水滴が残らずに高速でのスキャン露光を可能にする。

〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエ
キシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物又はＥＵ
Ｖ露光用のレジスト組成物、特にＡｒＦエキシマレーザ液浸露光用のレジスト組成物とし
て好適であり、半導体の微細加工に有用である。

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す
「％」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで下記条件により求めた
値である。
装置：ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣ型（東ソー社製）
カラム：TSKgel Multipore H_XL-M x 3 + guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：ＲＩ検出器
カラム温度：４０℃
注入量：１００μｌ
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）

また、化合物の構造は、質量分析（ＬＣはＡｇｉｌｅｎｔ製１１００型、ＭＡＳＳはＡ
ｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型）を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の
実施例ではこの分子ピークの値を「ＭＡＳＳ」で示す。
後退接触角（ＲＣＡ）、前進接触角（ＡＣＡ）は、協和界面科学社製「ＤＭ－７００」
を用いて測定することで確認した。

実施例１〔式（Ｉ－２）で表される化合物の合成〕

式（Ｉ－２－ａ）で表される化合物１５部、式（Ｉ－２－ｂ）で表される化合物１４．
８９部及びクロロホルム６７．５部を添加し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合
溶液を５℃まで冷却し、ピリジン１７．０９部及び式（Ｉ－２－ｃ）で表される化合物４
１．４３部を添加し、２３℃に昇温し、さらに、２３℃で１８時間攪拌した。得られた反
応物に、クロロホルム１６０部及び５％塩酸１２７部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し
、静置、分液することにより有機層を洗浄した。回収された有機層に、イオン交換水１１
５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。
回収された有機層に、１０％炭酸カリウム水溶液１００部を仕込み、２３℃で３０分間攪
拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。回収された有機層に、イオン交換水
１１５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗し
た。このような水洗操作を５回繰り返した。回収された有機層を濃縮した。得られた濃縮
マスをカラム（関東化学 シリカゲル６０Ｎ（球状、中性）１００－２１０μｍ 展開溶
媒：ｎ－ヘプタン／酢酸エチル＝１／１）分取することにより、式（Ｉ－２－ｄ）で表さ
れる化合物２９．２２部を得た。

式（Ｉ－２－ｄ）で表される化合物２０部、テトラヒドロフラン１００部及びピリジン
８．８６部を添加し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合溶液を５℃まで冷却し、
式（Ｉ－２－ｅ）で表される化合物１１．７１部を添加し、２３℃に昇温し、さらに、２
３℃で６時間攪拌した。得られた反応物に、酢酸エチル３００部及び５％塩酸４１部を仕
込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した。回収され
た有機層に、１０％炭酸カリウム水溶液４７部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置
、分液することにより有機層を水洗した。回収された有機層に、イオン交換水９０部を仕
込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。このよう
な水洗操作を４回繰り返した。回収された有機層を濃縮した。得られた濃縮マスをカラム
（関東化学 シリカゲル６０Ｎ（球状、中性）１００－２１０μｍ 展開溶媒：ｎ－ヘプ
タン／酢酸エチル＝１／１）分取することにより、式（Ｉ－２）で表される化合物１９．
４２部を得た。

ＭＳ（質量分析）：２８２．２（分子イオンピーク）

実施例２〔式（Ｉ－１４）で表される化合物の合成〕

式（Ｉ－１４－ａ）で表される化合物４０部、テトラヒドロフラン２００部及びピリジ
ン３６．４６部を添加し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合溶液を５℃まで冷却
し、式（Ｉ－１４－ｂ）で表される化合物４７．０５部を添加した。その後、これを２３
℃に昇温し、さらに、２３℃で３時間攪拌し、濃縮した。得られた濃縮残に、酢酸エチル
２７５部及び５％塩酸３４０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液すること
により有機層を洗浄した。回収された有機層に、イオン交換水１１０部を仕込み、２３℃
で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。回収された有機層に、
１０％炭酸カリウム水溶液１９１部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液する
ことにより有機層を水洗した。回収された有機層に、イオン交換水１００部を仕込み、２
３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操
作を５回繰り返した。回収された有機層を濃縮することにより、式（Ｉ－１４－ｃ）で表
される化合物５１．０２部を得た。

式（Ｉ－１４－ｃ）で表される化合物４０部、テトラヒドロフラン２００部及びピリジ
ン２５．９７部を添加し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合溶液を５℃まで冷却
し、式（Ｉ－１４－ｄ）で表される化合物３４．３２部を添加した。その後、これを２３
℃に昇温し、さらに、２３℃で６時間攪拌した。得られた反応物に、酢酸エチル６５０部
及び５％塩酸１２０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有
機層を洗浄した。回収された有機層に、１０％炭酸カリウム水溶液１４０部を仕込み、２
３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。回収された有機層
に、イオン交換水２００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することによ
り有機層を水洗した。このような水洗操作を４回繰り返した。回収された有機層を濃縮す
ることにより、式（Ｉ－１４）で表される化合物２０．２０部を得た。
ＭＳ（質量分析）：２１４．１（分子イオンピーク）

実施例３〔式（Ｉ－５）で表される化合物の合成〕

式（Ｉ－５－ａ）で表される化合物１５部、式（Ｉ－５－ｂ）で表される化合物２０．
９４部及びクロロホルム１００部を添加し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合溶
液を５℃まで冷却し、ピリジン１７．０９部及び式（Ｉ－５－ｃ）で表される化合物４１
．４３部を添加し、２３℃に昇温し、さらに、２３℃で１８時間攪拌した。得られた反応
物に、クロロホルム１５０部及び５％塩酸１２７部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、
静置、分液することにより有機層を洗浄した。回収された有機層に、イオン交換水１５０
部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。回
収された有機層に、１０％炭酸カリウム水溶液１００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌
し、静置、分液することにより有機層を水洗した。回収された有機層に、イオン交換水１
５０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した
。このような水洗操作を５回繰り返した。回収された有機層を濃縮した。得られた濃縮マ
スをカラム（関東化学 シリカゲル６０Ｎ（球状、中性）１００－２１０μｍ 展開溶媒
：ｎ－ヘプタン／酢酸エチル＝１／１）分取することにより、式（Ｉ－５－ｄ）で表され
る化合物３１．４８部を得た。

式（Ｉ－５－ｄ）で表される化合物２４．８６部、テトラヒドロフラン１００部及びピ
リジン８．８６部を添加し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合溶液を５℃まで冷
却し、式（Ｉ－５－ｅ）で表される化合物１１．７１部を添加し、２３℃に昇温し、さら
に、２３℃で６時間攪拌した。得られた反応物に、酢酸エチル３００部及び５％塩酸４１
部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した。回
収された有機層に、１０％炭酸カリウム水溶液４７部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し
、静置、分液することにより有機層を水洗した。回収された有機層に、イオン交換水９０
部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。こ
のような水洗操作を４回繰り返した。回収された有機層を濃縮した。得られた濃縮マスを
カラム（関東化学 シリカゲル６０Ｎ（球状、中性）１００－２１０μｍ 展開溶媒：ｎ
－ヘプタン／酢酸エチル＝１／１）分取することにより、式（Ｉ－５）で表される化合物
２２．４８部を得た。

ＭＳ（質量分析）：３３４．２（分子イオンピーク）

実施例４〔式（Ｉ－２０）で表される化合物の合成〕

式（Ｉ－２０－ａ）で表される化合物１２．９８部、式（Ｉ－２０－ｂ）で表される化
合物１４．８９部及びクロロホルム６７．５部を添加し、２３℃で３０分間攪拌した。得
られた混合溶液を５℃まで冷却し、ピリジン１７．０９部及び式（Ｉ－２０－ｃ）で表さ
れる化合物４１．４３部を添加し、２３℃に昇温し、さらに、２３℃で１８時間攪拌した
。得られた反応物に、クロロホルム１６０部及び５％塩酸１２７部を仕込み、２３℃で３
０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した。回収された有機層に、イオ
ン交換水１１５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層
を水洗した。回収された有機層に、１０％炭酸カリウム水溶液１００部を仕込み、２３℃
で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。回収された有機層に、
イオン交換水１１５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有
機層を水洗した。このような水洗操作を５回繰り返した。回収された有機層を濃縮した。
得られた濃縮マスをカラム（関東化学 シリカゲル６０Ｎ（球状、中性）１００－２１０
μｍ 展開溶媒：ｎ－ヘプタン／酢酸エチル＝１／１）分取することにより、式（Ｉ－２
０－ｄ）で表される化合物２２．１９部を得た。

式（Ｉ－２０－ｄ）で表される化合物１８．６９部、テトラヒドロフラン１００部及び
ピリジン８．８６部を添加し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合溶液を５℃まで
冷却し、式（Ｉ－２０－ｅ）で表される化合物１１．７１部を添加し、２３℃に昇温し、
さらに、２３℃で６時間攪拌した。得られた反応物に、酢酸エチル３００部及び５％塩酸
４１部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した
。回収された有機層に、１０％炭酸カリウム水溶液４７部を仕込み、２３℃で３０分間攪
拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。回収された有機層に、イオン交換水
９０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した
。このような水洗操作を４回繰り返した。回収された有機層を濃縮した。得られた濃縮マ
スをカラム（関東化学 シリカゲル６０Ｎ（球状、中性）１００－２１０μｍ 展開溶媒
：ｎ－ヘプタン／酢酸エチル＝１／１）分取することにより、式（Ｉ－２０）で表される
化合物１４．９８部を得た。

ＭＳ（質量分析）：２６８．２（分子イオンピーク）

実施例５〔式（Ｉ－３９）で表される化合物の合成〕

式（Ｉ－３９－ａ）で表される化合物１７．０２部、式（Ｉ－３９－ｂ）で表される化
合物１４．８９部及びクロロホルム６７．５部を添加し、２３℃で３０分間攪拌した。得
られた混合溶液を５℃まで冷却し、ピリジン１７．０９部及び式（Ｉ－３９－ｃ）で表さ
れる化合物４１．４３部を添加し、２３℃に昇温し、さらに、２３℃で１８時間攪拌した
。得られた反応物に、クロロホルム１６０部及び５％塩酸１２７部を仕込み、２３℃で３
０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した。回収された有機層に、イオ
ン交換水１１５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層
を水洗した。回収された有機層に、１０％炭酸カリウム水溶液１００部を仕込み、２３℃
で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。回収された有機層に、
イオン交換水１１５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有
機層を水洗した。このような水洗操作を５回繰り返した。回収された有機層を濃縮した。
得られた濃縮マスをカラム（関東化学 シリカゲル６０Ｎ（球状、中性）１００－２１０
μｍ 展開溶媒：ｎ－ヘプタン／酢酸エチル＝１／１）分取することにより、式（Ｉ－３
９－ｄ）で表される化合物２５．４８部を得た。

式（Ｉ－３９－ｄ）で表される化合物２１．３１部、テトラヒドロフラン１００部及び
ピリジン８．８６部を添加し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合溶液を５℃まで
冷却し、式（Ｉ－３９－ｅ）で表される化合物１１．７１部を添加し、２３℃に昇温し、
さらに、２３℃で６時間攪拌した。得られた反応物に、酢酸エチル３００部及び５％塩酸
４１部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した
。回収された有機層に、１０％炭酸カリウム水溶液４７部を仕込み、２３℃で３０分間攪
拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。回収された有機層に、イオン交換水
９０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した
。このような水洗操作を４回繰り返した。回収された有機層を濃縮した。得られた濃縮マ
スをカラム（関東化学 シリカゲル６０Ｎ（球状、中性）１００－２１０μｍ 展開溶媒
：ｎ－ヘプタン／酢酸エチル＝１／１）分取することにより、式（Ｉ－３９）で表される
化合物１４．９１部を得た。

ＭＳ（質量分析）：２９６．２（分子イオンピーク）

実施例６〔式（Ｉ－５７）で表される化合物の合成〕

式（Ｉ－５７－ａ）で表される化合物１５部、式（Ｉ－５７－ｂ）で表される化合物１
４．８９部及びクロロホルム６７．５部を添加し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた
混合溶液を５℃まで冷却し、ピリジン１７．０９部及び式（Ｉ－５７－ｃ）で表される化
合物４１．４３部を添加し、２３℃に昇温し、さらに、２３℃で１８時間攪拌した。得ら
れた反応物に、クロロホルム１６０部及び５％塩酸１２７部を仕込み、２３℃で３０分間
攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した。回収された有機層に、イオン交換
水１１５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗
した。回収された有機層に、１０％炭酸カリウム水溶液１００部を仕込み、２３℃で３０
分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。回収された有機層に、イオン
交換水１１５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を
水洗した。このような水洗操作を５回繰り返した。回収された有機層を濃縮した。得られ
た濃縮マスをカラム（関東化学 シリカゲル６０Ｎ（球状、中性）１００－２１０μｍ
展開溶媒：ｎ－ヘプタン／酢酸エチル＝１／１）分取することにより、式（Ｉ－５７－ｄ
）で表される化合物２１．６６部を得た。

式（Ｉ－５７－ｄ）で表される化合物２０部、テトラヒドロフラン１００部及びピリジ
ン８．８６部を添加し、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合溶液を５℃まで冷却し
、式（Ｉ－５７－ｅ）で表される化合物１１．７１部を添加し、２３℃に昇温し、さらに
、２３℃で６時間攪拌した。得られた反応物に、酢酸エチル３００部及び５％塩酸４１部
を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した。回収
された有機層に、１０％炭酸カリウム水溶液４７部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、
静置、分液することにより有機層を水洗した。回収された有機層に、イオン交換水９０部
を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。この
ような水洗操作を４回繰り返した。回収された有機層を濃縮した。得られた濃縮マスをカ
ラム（関東化学 シリカゲル６０Ｎ（球状、中性）１００－２１０μｍ 展開溶媒：ｎ－
ヘプタン／酢酸エチル＝１／１）分取することにより、式（Ｉ－５７）で表される化合物
１２．４４部を得た。

ＭＳ（質量分析）：２８２．２（分子イオンピーク）

樹脂の合成
樹脂の合成において使用した化合物（モノマー）を下記に示す。

以下、これらのモノマーを式番号に応じて「モノマー（ａ１－１－３）」等という。

実施例７〔樹脂Ａ１の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１－１－３）、モノマー（ａ１－２－９）、モノマー（
Ｉ－２）、モノマー（ａ２－１－１）及びモノマー（ａ３－４－２）を用い、そのモル比
〔モノマー（ａ１－１－３）：モノマー（ａ１－２－９）：モノマー（Ｉ－２）：モノマ
ー（ａ２－１－１）：モノマー（ａ３－４－２）〕が３０：１４：１５：２．５：３８．
５となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロ
ニトリル及びアゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々
、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応
混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した
。得られた樹脂を再び、メタノール／水混合溶媒に注いでリパルプし、この樹脂をろ過す
ることにより、重量平均分子量８．０×１０³の樹脂Ａ１（共重合体）を収率６２％で得
た。この樹脂Ａ１は、以下の構造単位を有するものである。

実施例８〔樹脂Ａ２の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１－１－３）、モノマー（ａ１－２－９）、モノマー（
Ｉ－２）、モノマー（ａ２－１－１）及びモノマー（ａ３－４－２）を用い、そのモル比
〔モノマー（ａ１－１－３）：モノマー（ａ１－２－９）：モノマー（Ｉ－２）：モノマ
ー（ａ２－１－１）：モノマー（ａ３－４－２）〕が１５：１４：３０：２．５：３８．
５となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロ
ニトリル及びアゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々
、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応
混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した
。得られた樹脂を再び、メタノール／水混合溶媒に注いでリパルプし、この樹脂をろ過す
ることにより、重量平均分子量７．８×１０³の樹脂Ａ２（共重合体）を収率７１％で得
た。この樹脂Ａ２は、以下の構造単位を有するものである。

実施例９〔樹脂Ａ３の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１－２－９）、モノマー（Ｉ－２）、モノマー（ａ２－
１－１）及びモノマー（ａ３－４－２）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１－２－９）
：モノマー（Ｉ－２）：モノマー（ａ２－１－１）：モノマー（ａ３－４－２）〕が１４
：４５：２．５：３８．５となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤と
してアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）を全
モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間
加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿さ
せ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、メタノール／水混合溶媒に注いでリパル
プし、この樹脂をろ過することにより、重量平均分子量８．２×１０³の樹脂Ａ３（共重
合体）を収率７８％で得た。この樹脂Ａ３は、以下の構造単位を有するものである。

実施例１０〔樹脂Ａ４の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１－２－９）、モノマー（Ｉ－２）、モノマー（ａ２－
１－１）及びモノマー（ａ３－４－２）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１－２－９）
：モノマー（Ｉ－２）：モノマー（ａ２－１－１）：モノマー（ａ３－４－２）〕が２９
：３０：２．５：３８．５となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤と
してアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）を全
モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間
加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿さ
せ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、メタノール／水混合溶媒に注いでリパル
プし、この樹脂をろ過することにより、重量平均分子量８．３×１０³の樹脂Ａ４（共重
合体）を収率７７％で得た。この樹脂Ａ４は、以下の構造単位を有するものである。

実施例１１〔樹脂Ａ５の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１－２－９）、モノマー（Ｉ－２）、モノマー（ａ２－
１－１）及びモノマー（ａ３－４－２）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１－２－９）
：モノマー（Ｉ－２）：モノマー（ａ２－１－１）：モノマー（ａ３－４－２）〕が４５
：１４：２．５：３８．５となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤と
してアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）を全
モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間
加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿さ
せ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、メタノール／水混合溶媒に注いでリパル
プし、この樹脂をろ過することにより、重量平均分子量８．０×１０³の樹脂Ａ５（共重
合体）を収率７９％で得た。この樹脂Ａ５は、以下の構造単位を有するものである。

実施例１２〔樹脂Ａ６の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１－１－３）、モノマー（Ｉ－２）、モノマー（ａ２－
１－１）及びモノマー（ａ３－４－２）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１－１－３）
：モノマー（Ｉ－２）：モノマー（ａ２－１－１）：モノマー（ａ３－４－２）〕が１５
：４４：２．５：３８．５となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤と
してアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）を全
モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間
加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿さ
せ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、メタノール／水混合溶媒に注いでリパル
プし、この樹脂をろ過することにより、重量平均分子量７．４×１０³の樹脂Ａ６（共重
合体）を収率７１％で得た。この樹脂Ａ６は、以下の構造単位を有するものである。

実施例１３〔樹脂Ａ７の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｉ－２）、モノマー（ａ２－１－１）及びモノマー（ａ３
－４－２）を用い、そのモル比〔モノマー（Ｉ－２）：モノマー（ａ２－１－１）：モノ
マー（ａ３－４－２）〕が５９：２．５：３８．５となるように混合し、全モノマー量の
１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした
。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４－ジメチ
ルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、こ
れらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶
媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、メタノール／水
混合溶媒に注いでリパルプし、この樹脂をろ過することにより、重量平均分子量７．７×
１０³の樹脂Ａ７（共重合体）を収率７８％で得た。この樹脂Ａ７は、以下の構造単位を
有するものである。

実施例１４〔樹脂Ａ８の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１－２－９）、モノマー（Ｉ－１４）、モノマー（ａ２－１－１）及びモノマー（ａ３－４－２）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１－２－９）：モノマー（Ｉ－１４）：モノマー（ａ２－１－１）：モノマー（ａ３－４－２）〕が２９：３０：２．５：３８．５となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、メタノール／水混合溶媒に注いでリパルプし、この樹脂をろ過することにより、重量平均分子量８．６×１０³の樹脂Ａ８（共重合体）を収率７７％で得た。この樹脂Ａ８は、以下の構造単位を有するものである。

実施例１５〔樹脂Ａ９の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｉ－１４）、モノマー（ａ２－１－１）及びモノマー（ａ３－４－２）を用い、そのモル比〔モノマー（Ｉ－１４）：モノマー（ａ２－１－１）：モノマー（ａ３－４－２）〕が５９：２．５：３８．５となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、メタノール／水混合溶媒に注いでリパルプし、この樹脂をろ過することにより、重量平均分子量８．４×１０³の樹脂Ａ９（共重合体）を収率７９％で得た。この樹脂Ａ９は、以下の構造単位を有するものである。

実施例１６〔樹脂Ａ１０の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１－２－９）、モノマー（Ｉ－５）、モノマー（ａ２－
１－１）及びモノマー（ａ３－４－２）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１－２－９）
：モノマー（Ｉ－５）：モノマー（ａ２－１－１）：モノマー（ａ３－４－２）〕が２９
：３０：２．５：３８．５となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤と
してアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）を全
モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間
加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿さ
せ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、メタノール／水混合溶媒に注いでリパル
プし、この樹脂をろ過することにより、重量平均分子量８．１×１０³の樹脂Ａ１０（共
重合体）を収率７５％で得た。この樹脂Ａ１０は、以下の構造単位を有するものである。

実施例１７〔樹脂Ａ１１の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１－２－９）、モノマー（Ｉ－２０）、モノマー（ａ２
－１－１）及びモノマー（ａ３－４－２）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１－２－９
）：モノマー（Ｉ－２０）：モノマー（ａ２－１－１）：モノマー（ａ３－４－２）〕が
２９：３０：２．５：３８．５となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始
剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）
を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５
時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈
殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、メタノール／水混合溶媒に注いでリ
パルプし、この樹脂をろ過することにより、重量平均分子量７．９×１０³の樹脂Ａ１１
（共重合体）を収率８０％で得た。この樹脂Ａ１１は、以下の構造単位を有するものであ
る。

実施例１８〔樹脂Ａ１２の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１－２－９）、モノマー（Ｉ－３９）、モノマー（ａ２
－１－１）及びモノマー（ａ３－４－２）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１－２－９
）：モノマー（Ｉ－３９）：モノマー（ａ２－１－１）：モノマー（ａ３－４－２）〕が
２９：３０：２．５：３８．５となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始
剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）
を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５
時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈
殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、メタノール／水混合溶媒に注いでリ
パルプし、この樹脂をろ過することにより、重量平均分子量８．４×１０³の樹脂Ａ１２
（共重合体）を収率７５％で得た。この樹脂Ａ１２は、以下の構造単位を有するものであ
る。

実施例１９〔樹脂Ａ１３の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１－２－９）、モノマー（Ｉ－５７）、モノマー（ａ２
－１－１）及びモノマー（ａ３－４－２）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１－２－９
）：モノマー（Ｉ－５７）：モノマー（ａ２－１－１）：モノマー（ａ３－４－２）〕が
２９：３０：２．５：３８．５となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始
剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）
を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５
時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈
殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、メタノール／水混合溶媒に注いでリ
パルプし、この樹脂をろ過することにより、重量平均分子量８．１×１０³の樹脂Ａ１３
（共重合体）を収率７６％で得た。この樹脂Ａ１３は、以下の構造単位を有するものであ
る。

合成例１〔樹脂ＡＸ１の合成〕
モノマーとして、モノマー（ＩＸ－１）、モノマー（ａ２－１－１）及びモノマー（ａ
３－４－２）を用い、そのモル比〔モノマー（ＩＸ－１）：モノマー（ａ２－１－１）：
モノマー（ａ３－４－２）〕が５９：２．５：３８．５となるように混合し、全モノマー
量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液と
した。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４－ジ
メチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し
、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混
合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、メタノール
／水混合溶媒に注いでリパルプし、この樹脂をろ過することにより、重量平均分子量９．
４×１０³の樹脂ＡＸ１（共重合体）を収率７０％で得た。この樹脂ＡＸ１は、以下の構
造単位を有するものである。

合成例２〔樹脂ＡＸ２の合成〕
モノマーとして、モノマー（ＩＸ－２）、モノマー（ａ２－１－１）及びモノマー（ａ
３－４－２）を用い、そのモル比〔モノマー（ＩＸ－２）：モノマー（ａ２－１－１）：
モノマー（ａ３－４－２）〕が５９：２．５：３８．５となるように混合し、全モノマー
量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液と
した。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４－ジ
メチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し
、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混
合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、メタノール
／水混合溶媒に注いでリパルプし、この樹脂をろ過することにより、重量平均分子量８．
６×１０³の樹脂Ａ９（共重合体）を収率８３％で得た。この樹脂Ａ９は、以下の構造単
位を有するものである。

合成例３〔樹脂ＡＸ３の合成〕
モノマーとして、モノマー（ＩＸ－３）、モノマー（ａ２－１－１）及びモノマー（ａ
３－４－２）を用い、そのモル比〔モノマー（ＩＸ－３）：モノマー（ａ２－１－１）：
モノマー（ａ３－４－２）〕が５９：２．５：３８．５となるように混合し、全モノマー
量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液と
した。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４－ジ
メチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し
、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混
合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、メタノール
／水混合溶媒に注いでリパルプし、この樹脂をろ過することにより、重量平均分子量８．
６×１０³の樹脂Ａ９（共重合体）を収率８３％で得た。この樹脂Ａ９は、以下の構造単
位を有するものである。

合成例４〔樹脂Ｘ１の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ５－１－１）及びモノマー（ａ４－０－１２）を用い、
そのモル比〔モノマー（ａ５－１－１）：モノマー（ａ４－０－１２）〕が５０：５０と
なるように混合し、全モノマー量の１．２質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液
とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）を全モ
ノマー量に対して３ｍｏｌ％添加し、７０℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を
、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均
分子量１．０×１０⁴の樹脂Ｘ１（共重合体）を収率９１％で得た。この樹脂Ｘ１は、以
下の構造単位を有するものである。

＜レジスト組成物の調製＞
以下に示す成分の各々を表１に示す質量部で混合して溶剤に溶解し、孔径０．２μｍの
フッ素樹脂製フィルターでろ過して、レジスト組成物を調製した。

＜樹脂（Ａ）＞
Ａ１～Ａ１３、ＡＸ１～ＡＸ３、Ｘ１：樹脂Ａ１～樹脂Ａ１３、樹脂ＡＸ１～樹脂ＡＸ
３、樹脂Ｘ１
＜酸発生剤（Ｂ）＞
Ｂ１－５：式（Ｂ１－５）で表される塩（特開２０１５－２００８８６公報の実施例に
従って合成）
Ｂ１－２１：式（Ｂ１－２１）で表される塩（特開２０１５－２００８８６公報の実施
例に従って合成）
Ｂ１－２２：式（Ｂ１－２２）で表される塩（特開２０１５－２００８８６公報の実施
例に従って合成）
＜クエンチャー（Ｃ）＞
Ｄ１：（東京化成工業（株）製）

＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ２６５部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ２０部
２－ヘプタノン ２０部
γ－ブチロラクトン ３．５部

＜レジストパターンの製造及びその評価＞
シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物（ＡＲＣ－２９；日産化学（株）製）を塗
布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、ウェハ上に膜厚７８ｎｍの
有機反射防止膜を形成した。次いで、この有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物
を乾燥後の膜厚が８５ｎｍとなるように塗布（スピンコート）した。塗布後、シリコンウ
ェハをダイレクトホットプレート上にて、表１の「ＰＢ」欄に記載された温度で６０秒間
プリベークし、組成物層を形成した。組成物層が形成されたシリコンウェハに、液浸露光
用ＡｒＦエキシマステッパー（ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１．３５、３
／４Ａｎｎｕｌａｒ Ｘ－Ｙ偏光）で、コンタクトホールパターン（ホールピッチ９０ｎ
ｍ／ホール径５５ｎｍ）を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて
露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表１の「ＰＥＢ」欄に記載された温度で６０秒間ポス
トエキスポジャーベークを行った。次いで、このシリコンウェハ上の組成物層を、現像液
として酢酸ブチル（東京化成工業（株）製）を用いて、２３℃で２０秒間ダイナミックデ
ィスペンス法によって現像を行うことにより、ネガ型レジストパターンを製造した。

現像後に得られたレジストパターンにおいて、前記マスクを用いて形成したホール径が
４５ｎｍとなる露光量を実効感度とした。

＜マスクエラーファクター（ＭＥＦ）評価＞
実効感度において、マスクホール径（マスクが有する透光部のホール径）がそれぞれ５
７ｎｍ、５６ｎｍ、５５ｎｍ、５４ｎｍ、５３ｎｍ（ホールピッチはいずれも９０ｎｍ）
のマスクを用いて、レジストパターンを形成した。マスクホール径を横軸に、露光によっ
て基板に形成（転写）されたレジストパターンのホール径を縦軸にプロットした時の回帰
直線の傾きをＭＥＦ値として算出した。
ＭＥＦ値が、５．０以下のものを、ＭＥＦが良好であると評価して、○と、
ＭＥＦ値が、５．０を超えるものを、ＭＥＦが良好でないと評価して、×とした。
その結果を表２に示す。括弧内の数値はＭＥＦ値を示す。

上記の結果から、本発明の化合物、樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物によれば、
良好なマスクエラーファクター（ＭＥＦ）でレジストパターンを製造できることがわかる
。

本発明の化合物、樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物は、良好なマスクエラーファ
クター（ＭＥＦ）でレジストパターンを製造することができため、半導体の微細加工に好
適である。

Claims (6)

1. 式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位を含む樹脂と、酸発生剤と、式（Ｄ）で表される弱酸分子内塩とを含有するレジスト組成物であって、
   樹脂は、式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位に加えて、
   式（ａ２－０）で表される構造単位及び式（ａ２－１）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種と、
   式（ａ３－１）で表される構造単位、式（ａ３－２）で表される構造単位及び式（ａ３－３）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種とを含む樹脂、又は、
   式（ａ１－０）で表される構造単位、式（ａ１－１）で表される構造単位及び式（ａ１－２）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種と、
   式（ａ２－０）で表される構造単位及び式（ａ２－１）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種と、
   式（ａ３－１）で表される構造単位、式（ａ３－２）で表される構造単位及び式（ａ３－３）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種とを含む樹脂であって、
   樹脂の全構造単位の合計に対して、
   式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位の含有率は３～６０モル％であり、
   式（ａ１－０）で表される構造単位、式（ａ１－１）で表される構造単位及び式（ａ１－２）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む場合の式（ａ１－０）で表される構造単位、式（ａ１－１）で表される構造単位及び式（ａ１－２）で表される構造単位の合計含有率は１５～９０モル％であり、
   式（ａ２－０）で表される構造単位を含む場合の式（ａ２－０）で表される構造単位の含有率は１０～８０モル％であり、
   式（ａ２－１）で表される構造単位を含む場合の式（ａ２－１）で表される構造単位の含有率は１～４０モル％であり、
   式（ａ３－１）で表される構造単位、式（ａ３－２）で表される構造単位及び式（ａ３－３）で表される構造単位の合計含有率は５～７０モル％であるレジスト組成物。
   

   

   ［式（Ｉ）中、
   Ｒ^１は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１～６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
   Ｒ^２は、炭素数２～４のアルキル基を表す。
   Ｒ^３は、炭素数１～４のアルキル基を表す。
   ｎは、１～６の整数を表す。
   Ｒは、＊－ＣＨＲ^４Ｒ^５を表す。＊は結合位を表す。
   Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表す。］
   

   

   ［式（ａ１－０）中、
   Ｌ^a01は、酸素原子又は＊－Ｏ－（ＣＨ₂）_k01－ＣＯ－Ｏ－を表し、ｋ０１は１～７の整数を表し、＊はカルボニル基との結合手を表す。
   Ｒ^a01は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^a02、Ｒ^a03及びＲ^a04は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表す。］
   

   

   ［式（ａ１－１）及び式（ａ１－２）中、
   Ｌ^a1及びＬ^a2は、それぞれ独立に、－Ｏ－又は＊－Ｏ－（ＣＨ₂）_k1－ＣＯ－Ｏ－を表し、ｋ１は１～７の整数を表し、＊は－ＣＯ－との結合手を表す。
   Ｒ^a4及びＲ^a5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^a6及びＲ^a7は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせることにより形成される基を表す。
   ｍ１は０～１４の整数を表す。
   ｎ１は０～１０の整数を表す。
   ｎ１’は０～３の整数を表す。］
   

   

   ［式（ａ２－０）中、
   Ｒ^a30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
   Ｒ^a31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～４のアシル基、炭素数２～４のアシルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
   ｍａは０～４の整数を表す。ｍａが２以上の整数である場合、複数のＲ^a31は互いに同一であっても異なってもよい。］
   

   

   ［式（ａ２－１）中、
   Ｌ^a3は、－Ｏ－又は^＊－Ｏ－（ＣＨ₂）_k2－ＣＯ－Ｏ－を表す。
   ｋ２は１～７の整数を表す。＊は－ＣＯ－との結合手を表す。
   Ｒ^a14は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^a15及びＲ^a16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
   ｏ１は、０～１０の整数を表す。］
   

   

   ［式（ａ３－１）中、
   Ｌ^a4は、－Ｏ－又は＊－Ｏ－（ＣＨ₂）_k3－ＣＯ－Ｏ－（ｋ３は１～７の整数を表す。）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
   Ｒ^a18は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^a21は炭素数１～４の脂肪族炭化水素基を表す。
   ｐ１は０～５の整数を表す。ｐ１が２以上のとき、複数のＲ^a21は互いに同一又は相異なる。
   式（ａ３－２）中、
   Ｌ^a5は、－Ｏ－又は＊－Ｏ－（ＣＨ₂）_k3－ＣＯ－Ｏ－（ｋ３は１～７の整数を表す。）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
   Ｒ^a19は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^a22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１～４の脂肪族炭化水素基を表す。
   ｑ１は、０～３の整数を表す。ｑ１が２以上のとき、複数のＲ^a22は互いに同一又は相異なる。
   式（ａ３－３）中、
   Ｌ^a6は、－Ｏ－又は＊－Ｏ－（ＣＨ₂）_k3－ＣＯ－Ｏ－（ｋ３は１～７の整数を表す。）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
   Ｒ^a20は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^a23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１～４の脂肪族炭化水素基を表す。
   ｒ１は、０～３の整数を表す。ｒ１が２以上のとき、複数のＲ^a23は互いに同一又は相異なる。］
   

   

   ［式（Ｄ）中、
   Ｒ^D1及びＲ^D2は、それぞれ独立に、炭素数１～１２の１価の炭化水素基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～７のアシル基、炭素数２～７のアシルオキシ基、炭素数２～７のアルコキシカルボニル基、ニトロ基又はハロゲン原子を表す。
   ｍ’及びｎ’は、それぞれ独立に、０～４の整数を表し、ｍ’が２以上の場合、複数のＲ^D1は同一又は相異なり、ｎ’が２以上の場合、複数のＲ^D2は同一又は相異なる。］
2. Ｒ^２は、エチル基であり、Ｒ^３は、メチル基である請求項１に記載のレジスト組成物。
3. ｎは、２である請求項１又は２に記載のレジスト組成物。
4. 樹脂が、式（ａ１－１）で表される構造単位及び式（ａ１－２）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む請求項１～３のいずれかに記載のレジスト組成物。
5. 酸発生剤が、式（Ｂ１）で表される塩である請求項１～４のいずれかに記載のレジスト組成物。
   

   

   ［式（Ｂ１）中、
   Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１～６のペルフルオロアルキル基を表す。
   Ｌ^b1は、炭素数１～２４の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれる－ＣＨ₂－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
   Ｙは、置換基を有していてもよいメチル基又は置換基を有していてもよい炭素数３～１８の１価の脂環式炭化水素基を表し、該メチル基及び該１価の脂環式炭化水素基に含まれる－ＣＨ₂－は、－Ｏ－、－ＳＯ₂－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
   Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］
6. （１）請求項１～５のいずれかに記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
   （２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
   （３）組成物層に露光する工程、
   （４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
   （５）加熱後の組成物層を現像する工程
   を含むレジストパターンの製造方法。