JP7282431B2 - 電磁波遮蔽フィルム - Google Patents
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Description
実施例などで製造された電磁波遮蔽フィルムの電磁波遮蔽効率は、ASTM‐D4935規格に従う場合に、Keysight社のネットワーク分析器とElectro‐matrics社の測定ジグを使用し、ASTM‐ES7規格の場合、Anritsu社の測定装備とKeycom社の測定ジグを分析ツールとして使用して確認した。
適用された金属フォームの気孔サイズは、電子顕微鏡(SEM,JEOL,JSM‐7610F)を使用して500倍の倍率で金属フォームを撮影して確認し、気孔が円形でない場合に、長軸と短軸をそれぞれ測定した後に、これを平均して、気孔のサイズとした。
金属フォームとしては、銅金属フォームであって、気孔度が約70%程度であり、前記方式で確認される気孔のうち約90%以上の気孔サイズが10μm水準である銅フォームを使用した。このような金属フォームは、次の方式で製造した。平均粒径(メディアン粒径、D50粒径)が約60μm水準である前記銅粉末130g、テキサノール(texanol)110g、イソブチルイソブチレート(isobutyl isobutyrate)14g、エチルセルロース6gおよびレベリング剤(ACME社、Surfadol338)2gを混合して、スラリーを製造した。前記スラリーを350μm程度の厚さのフィルム形態でコートし、120℃のオーブンで30分間乾燥した後に、水素/アルゴンの雰囲気の1,000℃程度の温度で約2時間の間焼結して、前記金属フォームを製造した。
金属フォームとしては、銅金属フォームであって、気孔度が約70%程度であり、前記方式で確認される気孔のうち約90%以上の気孔サイズが50μm水準である銅フォームを使用した。このような金属フォームは、実施例1で適用されたスラリーにさらなる成分として平均粒径(メディアン粒径、D50粒径)が約50μm水準である高分子ビーズ10gを追加したスラリーを使用して実施例1と同じ方式で金属フォームを製造した。前記金属フォームを使用して実施例1と同じ方式で複合材を製造した。前記電磁波遮蔽フィルムの前記方式で確認した電磁波遮蔽効率は、100kHz~3GHzで約95dB以上であり、1.5~18GHzで約85dB以上であった。
金属フォームとしては、銅金属フォームであって、気孔度が約70%程度であり、前記方式で確認される気孔のうち約90%以上の気孔サイズが100μm水準である銅フォームを使用した。このような金属フォームは、実施例1で適用されたスラリーにさらなる成分として平均粒径(メディアン粒径、D50粒径)が約100μm水準である高分子ビーズ10gを追加したスラリーを使用して実施例1と同じ方式で金属フォームを製造した。前記金属フォームを使用して実施例1と同じ方式で複合材を製造した。前記電磁波遮蔽フィルムの前記方式で確認した電磁波遮蔽効率は、100kHz~3GHzで約90dB以上であり、1.5~18GHzで約75dB以上であった。
金属フォームとしては、銅金属フォームであって、厚さが約80μm程度であり、気孔度が約70%程度である銅フォームを使用した。前記銅金属フォームを熱硬化性シリコン樹脂(Dow Corning,PDMS)に濡らし、フィルムアプリケーターを利用して最終電磁波遮蔽フィルムの厚さが約110μm程度になるように過量の組成物を除去した。次に、前記材料を約120℃のオーブンに約1時間程度維持して硬化させることによって、電磁波遮蔽フィルムを製造した。前記電磁波遮蔽フィルムのEMI効率は、約85~95dB(30~1500MHz)であった。
金属フォームとしては、銅金属フォームであって、厚さが約90μm程度であり、気孔度が約70%程度である銅フォームを使用した。前記銅金属フォームを熱硬化性シリコン樹脂(Dow Corning,PDMS)に濡らし、フィルムアプリケーターを利用して最終電磁波遮蔽フィルムの厚さが約120μm程度になるように過量の組成物を除去した。次に、前記材料を約120℃のオーブンに約1時間程度維持して硬化させることによって、電磁波遮蔽フィルムを製造した。前記電磁波遮蔽フィルムのEMI効率は、約95~105dB(30~1500MHz)であった。
金属フォームとしては、銅金属フォームであって、厚さが約120μm程度であり、気孔度が約70%程度である銅フォームを使用した。前記銅金属フォームを熱硬化性シリコン樹脂(Dow Corning,PDMS)に濡らし、フィルムアプリケーターを利用して最終電磁波遮蔽フィルムの厚さが約150μm程度になるように過量の組成物を除去した。次に、前記材料を約120℃のオーブンに約1時間程度維持して硬化させることによって、電磁波遮蔽フィルムを製造した。前記電磁波遮蔽フィルムのEMI効率は、約100~110dB(30~1500MHz)であった。
金属フォームとしては、ニッケル金属フォームであって、厚さが約60μm程度であり、気孔度が約60%程度である銅フォームを使用した。前記銅金属フォームを熱硬化性シリコン樹脂(Dow Corning,PDMS)に濡らし、フィルムアプリケーターを利用して最終電磁波遮蔽フィルムの厚さが約90μm程度になるように過量の組成物を除去した。次に、前記材料を約120℃のオーブンに約1時間程度維持して硬化させることによって、電磁波遮蔽フィルムを製造した。前記電磁波遮蔽フィルムのEMI効率は、約70~80dB(30~1500MHz)であった。
金属フォームとしては、銅金属フォームであって、気孔度が約70%程度であり、前記方式で確認される気孔のうち約90%以上の気孔サイズが100μmを超過する銅フォームを使用した。このような金属フォームは、実施例1で適用されたスラリーにさらなる成分として平均粒径(メディアン粒径、D50粒径)が約100μmを超過する高分子ビーズ10gを追加したスラリーを使用して実施例1と同じ方式で金属フォームを製造した。前記のような金属フォームを使用して実施例1と同じ方式で複合材を製造した。前記電磁波遮蔽フィルムの前記方式で確認した電磁波遮蔽効率は、100kHz~3GHzで約75dB水準であり、1.5~18GHzで約60dB水準であった。
熱硬化性シリコン樹脂(Dow Corning,PDMS)に銅パウダー(平均直径約20μm)を約10体積%程度の量になるように混合し、フィルムアプリケーターにて約150μm程度の厚さのフィルム形態に成形し、約120℃のオーブンに約1時間程度維持して硬化させることによって、電磁波遮蔽フィルムを製造した。前記電磁波遮蔽フィルムのEMI効率は、約0dB(30~1500MHz)であった。
熱硬化性シリコン樹脂(Dow Corning,PDMS)に銅パウダー(平均直径約20μm)を約30体積%程度の量になるように混合し、フィルムアプリケーターにて約150μm程度の厚さのフィルム形態に成形し、約120℃のオーブンに約1時間程度維持して硬化させることによって、電磁波遮蔽フィルムを製造した。前記電磁波遮蔽フィルムのEMI効率は、約0dB(30~1500MHz)であった。
熱硬化性シリコン樹脂(Dow Corning,PDMS)にニッケルパウダー(平均直径約20μm)を約10体積%程度の量になるように混合し、フィルムアプリケーターにて約150μm程度の厚さのフィルム形態に成形し、約120℃のオーブンに約1時間程度維持して硬化させることによって、電磁波遮蔽フィルムを製造した。前記電磁波遮蔽フィルムのEMI効率は、約0dB(30~1500MHz)であった。
熱硬化性シリコン樹脂(Dow Corning,PDMS)にニッケルパウダー(平均直径約20μm)を約30体積%程度の量になるように混合し、フィルムアプリケーターにて約150μm程度の厚さのフィルム形態に成形し、約120℃のオーブンに約1時間程度維持して硬化させることによって、電磁波遮蔽フィルムを製造した。前記電磁波遮蔽フィルムのEMI効率は、約0dB(30~1500MHz)であった。
銅箔(Cu Foil)に熱硬化性シリコン樹脂(Dow Corning,PDMS)を濡らし、フィルムアプリケーターにて約130μm程度の厚さのフィルム形態に成形し、約120℃のオーブンに約1時間程度維持して硬化させることによって、電磁波遮蔽フィルムを製造した。前記電磁波遮蔽フィルムのEMI効率は、約90~100dB(30~1500MHz)であった。
Claims (14)
- フィルム形態の金属フォームおよび前記金属フォームの表面または前記金属フォームの内部に存在する高分子成分を含み、
前記金属フォームの気孔度が60%~98%の範囲内であり、
前記金属フォームの全気孔のうち80%以上の気孔サイズが100μm以下であり、
前記金属フォームの厚さが150μm以上であり、
ASTM D4935またはASTM ES7により測定した100kHz~3GHzでの電磁波遮蔽効率が85dB以上であり、1.5~18GHzでの電磁波遮蔽効率が70dB以上である、電磁波遮蔽フィルム。 - ASTM D4935またはASTM ES7により測定した100kHz~3GHzでの電磁波遮蔽効率が86dB以上であり、1.5~18GHzでの電磁波遮蔽効率が72dB以上である、請求項1に記載の電磁波遮蔽フィルム。
- 前記金属フォームの全気孔のうち80%以上の気孔サイズが95μm以下である、請求項1又は2に記載の電磁波遮蔽フィルム。
- 前記金属フォームの全気孔のうち90%以上の気孔サイズが100μm以下である、請求項1から3のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽フィルム。
- 前記金属フォームの厚さMTおよび全厚さTの比率T/MTが1.01以上である、請求項1から4のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽フィルム。
- 前記金属フォームの厚さMTおよび全厚さTの比率T/MTが2以下である、請求項1から5のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽フィルム。
- 前記金属フォームの厚さが200μm以上である、請求項1から6のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽フィルム。
- 前記金属フォームの気孔度が65~98%の範囲内にある、請求項1から7のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽フィルム。
- 前記金属フォームは、銅、金、銀、アルミニウム、ニッケル、鉄、コバルト、マグネシウム、モリブデン、タングステンおよび亜鉛よりなる群から選択されたいずれか1種または2種以上の金属を含む骨格を有する、請求項1から8のいずれかに記載の電磁波遮蔽フィルム。
- 前記高分子成分は、前記金属フォームの表面で表面層を形成している、請求項1から9のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽フィルム。
- 前記高分子成分は、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、アミノ樹脂およびフェノール樹脂よりなる群から選択された一つ以上を含む、請求項1から10のいずれか一項に電磁波遮蔽フィルム。
- 前記高分子成分の体積PVと前記金属フォームの体積MVの比率MV/PVは、10以下である、請求項1から11のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽フィルム。
- 請求項1から12のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽フィルムを製造する方法であって、
金属または金属合金を含み、フィルム形態である金属フォームの表面または内部に硬化性高分子組成物が存在する状態で前記硬化性高分子組成物を硬化させる段階を含む方法。 - 電磁波発生源と、前記電磁波発生源で発生する電磁波を遮蔽することができるように設置された請求項1から12のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽フィルムと、を含む装置。
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