JP7280758B2 - Conductive material, connection structure, and method for manufacturing connection structure - Google Patents

Conductive material, connection structure, and method for manufacturing connection structure Download PDF

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Description

本発明は、はんだ粒子を含む導電材料に関する。また、本発明は、上記導電材料を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法に関する。 The present invention relates to conductive materials containing solder particles. The present invention also relates to a connection structure using the conductive material and a method for manufacturing the connection structure.

はんだを比較的多く含むはんだペーストが知られている。 Solder pastes containing relatively large amounts of solder are known.

また、はんだペーストと比べて、バインダー樹脂を比較的多く含む異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料としては、異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等が挙げられる。上記異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。 Also, anisotropic conductive materials are widely known that contain a relatively large amount of binder resin compared to solder paste. Examples of the anisotropic conductive material include an anisotropic conductive paste and an anisotropic conductive film. In the anisotropic conductive material, conductive particles are dispersed in a binder resin.

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために使用されている。上記異方性導電材料による接続としては、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等が挙げられる。 The anisotropic conductive material is used to obtain various connection structures. Examples of the connection using the anisotropic conductive material include connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF (Chip on Film)), semiconductor Examples include connection between a chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)) and connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)).

上記異方性導電材料により、例えば、フレキシブルプリント基板の電極とガラスエポキシ基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラスエポキシ基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、フレキシブルプリント基板を積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して、接続構造体を得る。 For example, when electrically connecting electrodes of a flexible printed circuit board and electrodes of a glass epoxy board using the anisotropic conductive material, an anisotropic conductive material containing conductive particles is placed on the glass epoxy board. do. Next, the flexible printed circuit board is laminated and heated and pressurized. As a result, the anisotropic conductive material is cured and the electrodes are electrically connected via the conductive particles to obtain a connection structure.

下記の特許文献1には、第1の硬化性化合物と、硬化剤と、はんだ粒子とを含む導電材料であり、前記導電材料が、第2の硬化性化合物を含まないか又は含む導電材料が開示されている。この導電材料では、上記第1の硬化性化合物のSP値と上記硬化剤のSP値との差の絶対値は2以上であり、上記第2の硬化性化合物のSP値と上記硬化剤のSP値との差の絶対値は2未満であり、上記第1の硬化性化合物と上記第2の硬化性化合物との合計100重量%中、上記第1の硬化性化合物の含有量は5重量%以上である。上記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において、上記はんだ粒子のd90は10μm以下である。 Patent Document 1 below discloses a conductive material containing a first curable compound, a curing agent, and solder particles, wherein the conductive material does not contain or contains a second curable compound. disclosed. In this conductive material, the absolute value of the difference between the SP value of the first curable compound and the SP value of the curing agent is 2 or more, and the SP value of the second curable compound and the SP value of the curing agent The absolute value of the difference between the values is less than 2, and the content of the first curable compound is 5% by weight in the total 100% by weight of the first curable compound and the second curable compound. That's it. In the volume-based particle size distribution of the solder particles, d90 of the solder particles is 10 μm or less.

特開2018-195525号公報JP 2018-195525 A

はんだ粒子を含む導電材料を用いて導電接続を行う際には、上方の複数の電極と下方の複数の電極とが電気的に接続されて、導電接続が行われる。はんだ粒子は、上下の電極間に配置されることが望ましく、隣接する横方向の電極間には配置されないことが望ましい。隣接する横方向の電極間は、電気的に接続されないことが望ましい。 When making a conductive connection using a conductive material containing solder particles, a plurality of upper electrodes and a plurality of lower electrodes are electrically connected to form a conductive connection. The solder particles are preferably placed between the top and bottom electrodes and not between adjacent lateral electrodes. It is desirable that there is no electrical connection between adjacent lateral electrodes.

一般に、はんだ粒子を含む導電材料は、スクリーン印刷等の印刷によって、基板上の特定の位置に配置された後、リフロー等により加熱されて用いられる。導電材料がはんだ粒子の融点以上に加熱されることで、はんだ粒子が溶融し、電極間にはんだが凝集することで、上下の電極間が電気的に接続される。 In general, a conductive material containing solder particles is placed at a specific position on a substrate by printing such as screen printing, and then heated by reflow or the like. When the conductive material is heated to the melting point of the solder particles or higher, the solder particles melt and the solder aggregates between the electrodes, thereby electrically connecting the upper and lower electrodes.

近年、電子機器の小型化に伴い電子機器に実装される部品も小型化が進んでおあり、それに伴って導電材料に含まれるはんだ粒子の粒子径を小さくすることが求められている。しかしながら、はんだ粒子の粒子径を小さくすると、導電材料の粘度が高くなりやすい。このため、粒子径の小さいはんだ粒子を用いると、印刷後の導電材料の形状を維持することが困難なことがあり、印刷ムラが生じることがある。また、粒子径の大きいはんだ粒子を用いる場合であっても、印刷後の導電材料の形状を維持することが困難なことがあり、印刷ムラが生じることがある。印刷後の導電材料の形状を維持することができず、印刷ムラが生じる場合には、導電材料が本来配置される場所(例えば、電極近傍等)から離れることがある。結果として、導電材料に含まれるはんだ粒子が、電極が形成されていない領域に配置されて、接続されるべき上下の電極間に配置されるはんだ粒子の量が減少し、接続されるべき上下の電極間の導通信頼性が低くなったり、隣接する横方向の電極間の絶縁信頼性が低くなったりすることがある。 In recent years, along with the miniaturization of electronic devices, the size of the components mounted on the electronic devices has also been reduced. However, reducing the particle size of the solder particles tends to increase the viscosity of the conductive material. Therefore, when solder particles having a small particle diameter are used, it may be difficult to maintain the shape of the conductive material after printing, and printing unevenness may occur. Moreover, even when solder particles having a large particle size are used, it may be difficult to maintain the shape of the conductive material after printing, and printing unevenness may occur. If the shape of the conductive material after printing cannot be maintained and printing unevenness occurs, the conductive material may move away from the place where it is originally arranged (for example, the vicinity of the electrode, etc.). As a result, the solder particles contained in the conductive material are arranged in areas where electrodes are not formed, the amount of solder particles arranged between the upper and lower electrodes to be connected is reduced, and the upper and lower electrodes to be connected are The reliability of conduction between electrodes may be lowered, and the reliability of insulation between adjacent lateral electrodes may be lowered.

本発明の目的は、導電材料の配置時のムラの発生を抑えることができる導電材料を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電材料を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a conductive material capable of suppressing the occurrence of unevenness during placement of the conductive material. Another object of the present invention is to provide a connection structure using the conductive material and a method for manufacturing the connection structure.

本発明の広い局面によれば、熱硬化性成分と、複数のはんだ粒子とを含む導電材料であり、前記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において、粒子径が1μm以下である領域に少なくとも1個のピークが存在し、前記粒度分布の全体の積分値100%中、粒子径が1μm以下である領域に存在する全てのピークの積分値の割合が30%以上である、導電材料が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, the conductive material includes a thermosetting component and a plurality of solder particles, and in the volume-based particle size distribution of the solder particles, at least one There is provided a conductive material in which there are 30% or more of the integrated values of all the peaks present in a region having a particle diameter of 1 μm or less, out of 100% of the integrated values of the entire particle size distribution. be.

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において2個以上のピークが存在し、前記はんだ粒子の体積基準での粒度分布おいて存在する全てのピークのうち、ピーク高さが最も高いピークを第1のピークとし、ピーク高さが2番目に高いピークを第2のピークとしたときに、前記第1のピークのピーク高さの、前記第2のピークのピーク高さに対する比が1以上5以下である。 In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, there are two or more peaks in the volume-based particle size distribution of the solder particles, and all the peaks present in the volume-based particle size distribution of the solder particles. Among them, when the peak with the highest peak height is set as the first peak and the peak with the second highest peak height is set as the second peak, the peak height of the first peak is the second peak height. The ratio of the peak to the peak height is 1 or more and 5 or less.

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記第1のピークの積分値の、前記第2のピークの積分値に対する比が1以上5以下である。 In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the ratio of the integrated value of the first peak to the integrated value of the second peak is 1 or more and 5 or less.

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記第1のピークが、粒子径が1μm以下である領域に存在するピークであり、かつ前記第2のピークが、粒子径が1μmを超える領域に存在するピークであるか、又は、前記第1のピークが、粒子径が1μmを超える領域に存在するピークであり、かつ前記第2のピークが、粒子径が1μm以下である領域に存在するピークである。 In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the first peak is a peak present in a region with a particle diameter of 1 μm or less, and the second peak is a region with a particle diameter exceeding 1 μm. or the first peak is present in a region where the particle size exceeds 1 μm, and the second peak is present in a region where the particle size is 1 μm or less peak.

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記第1のピークが、粒子径が1μm以下である領域に存在するピークであり、かつ前記第2のピークが、粒子径が1μmを超える領域に存在するピークである。 In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the first peak is a peak present in a region with a particle diameter of 1 μm or less, and the second peak is a region with a particle diameter exceeding 1 μm. is the peak present in

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において、前記はんだ粒子のD50が10nm以上3μm以下である。 In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, in the volume-based particle size distribution of the solder particles, D50 of the solder particles is 10 nm or more and 3 μm or less.

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記熱硬化性成分がエポキシ化合物を含む。 In a specific aspect of the electrically conductive material according to the present invention, the thermosetting component contains an epoxy compound.

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記導電材料が、フラックスを含む。 In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the conductive material contains flux.

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記導電材料が、導電ペーストである。 In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the conductive material is conductive paste.

本発明の広い局面によれば、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と、前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した導電材料であり、前記第1の電極と前記第2の電極とが、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, a first member to be connected having a first electrode on its surface, a second member to be connected having a second electrode on its surface, the first member to be connected, a connecting portion connecting the second member to be connected, wherein the material of the connecting portion is the conductive material described above, and the first electrode and the second electrode are connected to the connecting portion A connecting structure is provided that is electrically connected by a solder portion therein.

本発明の広い局面によれば、上述した導電材料を用いて、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材の表面上に、前記導電材料を配置する工程と、前記導電材料の前記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向するように配置する工程と、前記はんだ粒子の融点以上に前記導電材料を加熱することで、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、前記導電材料により形成し、かつ、前記第1の電極と前記第2の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程とを備える、接続構造体の製造方法が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, using the above-described conductive material, placing the conductive material on the surface of a first member to be connected having a first electrode on the surface; A second connection target member having a second electrode on its surface is arranged on the surface opposite to the first connection target member side such that the first electrode and the second electrode face each other. and heating the conductive material to a melting point of the solder particles or higher to form a connecting portion connecting the first member to be connected and the second member to be connected from the conductive material. and electrically connecting the first electrode and the second electrode with a solder portion in the connection portion.

本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、複数のはんだ粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、上記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において、粒子径が1μm以下である領域に少なくとも1個のピークが存在し、上記粒度分布の全体の積分値100%中、粒子径が1μm以下である領域に存在する全てのピークの積分値の割合が30%以上である。本発明に係る導電材料では、上記の構成が備えられているので、導電材料の配置時のムラの発生を抑えることができる。 A conductive material according to the present invention includes a thermosetting component and a plurality of solder particles. In the conductive material according to the present invention, in the volume-based particle size distribution of the solder particles, at least one peak exists in a region where the particle size is 1 μm or less, and the total integrated value of the particle size distribution is 100%. The ratio of the integrated value of all peaks present in the region with a particle diameter of 1 μm or less is 30% or more. Since the conductive material according to the present invention has the above configuration, it is possible to suppress the occurrence of unevenness during placement of the conductive material.

図1は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて得られる接続構造体を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a connected structure obtained using a conductive material according to one embodiment of the present invention. 図2(a)~(c)は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて、接続構造体を製造する方法の一例の各工程を説明するための断面図である。2(a) to 2(c) are cross-sectional views for explaining steps of an example of a method of manufacturing a connection structure using a conductive material according to an embodiment of the present invention. 図3は、接続構造体の変形例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a modification of the connection structure.

以下、本発明の詳細を説明する。 The details of the present invention are described below.

(導電材料)
本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、複数のはんだ粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、上記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において、粒子径が1μm以下である領域に少なくとも1個のピークが存在し、上記粒度分布の全体の積分値100%中、粒子径が1μm以下である領域に存在する全てのピークの積分値の割合が30%以上である。すなわち、本発明に係る導電材料では、上記はんだ粒子として、体積基準での粒度分布において、粒子径が1μm以下である領域に少なくとも1個のピークが存在し、上記粒度分布の全体の積分値100%中、粒子径が1μm以下である領域に存在する全てのピークの積分値の割合が30%以上であるはんだ粒子が用いられる。
(Conductive material)
A conductive material according to the present invention includes a thermosetting component and a plurality of solder particles. In the conductive material according to the present invention, in the volume-based particle size distribution of the solder particles, at least one peak exists in a region where the particle size is 1 μm or less, and the total integrated value of the particle size distribution is 100%. The ratio of the integrated value of all peaks present in the region with a particle diameter of 1 μm or less is 30% or more. That is, in the conductive material according to the present invention, the volume-based particle size distribution of the solder particles has at least one peak in a region where the particle size is 1 μm or less, and the integrated value of the entire particle size distribution is 100. %, the ratio of the integrated value of all peaks existing in a region with a particle diameter of 1 μm or less is 30% or more.

本発明に係る導電材料では、上記の構成が備えられているので、導電材料の配置時のムラの発生を抑えることができる。特に、本発明に係る導電材料では、スクリーン印刷等の導電材料の印刷ムラの発生を抑えることができる。本発明に係る導電材料では、印刷後の導電材料の形状が良好に維持される。そのため、本発明に係る導電材料では、電極上にはんだを効率的に配置することができ、その結果、接続されるべき上下の電極間の導通信頼性を高めることができ、また、隣接する横方向の電極間の絶縁信頼性を高めることができる。 Since the conductive material according to the present invention has the above configuration, it is possible to suppress the occurrence of unevenness during placement of the conductive material. In particular, with the conductive material according to the present invention, it is possible to suppress the occurrence of uneven printing of the conductive material by screen printing or the like. In the conductive material according to the present invention, the shape of the conductive material after printing is well maintained. Therefore, in the conductive material according to the present invention, the solder can be efficiently arranged on the electrodes, and as a result, the reliability of conduction between the upper and lower electrodes to be connected can be improved. Insulation reliability between the electrodes in the direction can be enhanced.

粒子径の小さいはんだ粒子が単に配合されている従来の導電材料では、導電材料の配置時のムラが生じやすい。本発明者は、粒子径の小さいはんだ粒子を用いた場合であっても、導電材料の配置時のムラの発生を抑えることができる構成を見出した。本発明者は、はんだ粒子の粒度分布を調整することで、粒子径の小さいはんだ粒子を用いた場合であっても、導電材料の配置時のムラの発生を抑えることをできることを見出した。 A conventional conductive material that simply contains solder particles with a small particle size tends to cause unevenness in placement of the conductive material. The inventors have found a configuration capable of suppressing the occurrence of unevenness in arranging the conductive material even when solder particles having a small particle size are used. The present inventors have found that by adjusting the particle size distribution of solder particles, it is possible to suppress the occurrence of unevenness during placement of the conductive material even when solder particles having a small particle size are used.

本発明では、粒子径が小さく、かつ特定の粒度分布を有するはんだ粒子が用いられているので、導電材料の配置時のムラの発生を抑えることができる。本発明に係る導電材料では、はんだ粒子の粒子径が小さい場合であっても、導電材料の配置時のムラの発生を抑えることができる。そのため、本発明に係る導電材料では、はんだ粒子の粒子径が小さい場合であっても、電極上にはんだを効率的に配置することができ、その結果、接続されるべき上下の電極間の導通信頼性を高めることができ、また、隣接する横方向の電極間の絶縁信頼性を高めることができる。 In the present invention, since solder particles having a small particle size and a specific particle size distribution are used, it is possible to suppress the occurrence of unevenness during placement of the conductive material. With the conductive material according to the present invention, even when the solder particles have a small particle size, it is possible to suppress the occurrence of unevenness during placement of the conductive material. Therefore, in the conductive material according to the present invention, even when the particle diameter of the solder particles is small, the solder can be efficiently arranged on the electrodes, and as a result, the conduction between the upper and lower electrodes to be connected is improved. Reliability can be improved, and insulation reliability between adjacent lateral electrodes can be improved.

また、本発明に係る導電材料では、上記の構成が備えられているので、接合時におけるボイドの発生を抑制することができる。 Moreover, since the conductive material according to the present invention has the above configuration, it is possible to suppress the generation of voids during bonding.

さらに、本発明では、電極間の位置ずれを防ぐことができる。本発明では、導電材料を上面に配置した第1の接続対象部材に、第2の接続対象部材を重ね合わせる際に、第1の接続対象部材の電極と第2の接続対象部材の電極とのアライメントがずれた状態でも、そのずれを補正して電極同士を接続させることができる(セルフアライメント効果)。 Furthermore, according to the present invention, positional displacement between electrodes can be prevented. In the present invention, when the second connection target member is superimposed on the first connection target member having the conductive material disposed on the upper surface, the electrode of the first connection target member and the electrode of the second connection target member Even if the alignment is misaligned, the electrodes can be connected by correcting the misalignment (self-alignment effect).

電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記導電材料は、25℃で液状であることが好ましく、導電ペーストであることが好ましい。上記導電材料は、25℃で導電ペーストであることが好ましい。 From the viewpoint of arranging the solder on the electrodes more efficiently, the conductive material is preferably liquid at 25° C., and is preferably a conductive paste. Preferably, the conductive material is a conductive paste at 25°C.

電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、作製直後の上記導電材料の25℃での粘度(η25)は、好ましくは100Pa・s以上、より好ましくは120Pa・s以上、さらに好ましくは140Pa・s以上であり、好ましくは200Pa・s以下、より好ましくは180Pa・s以下である。上記粘度(η25)は、配合成分の種類及び配合量により適宜調整することができる。 From the viewpoint of arranging the solder on the electrode more efficiently, the viscosity (η25) of the conductive material at 25° C. immediately after production is preferably 100 Pa·s or more, more preferably 120 Pa·s or more, and still more preferably is 140 Pa·s or more, preferably 200 Pa·s or less, more preferably 180 Pa·s or less. The viscosity (η25) can be appropriately adjusted depending on the types and amounts of ingredients to be blended.

上記粘度(η25)として、作製直後に冷凍保管された上記導電材料を解凍し、25℃に達した直後の導電材料の25℃での粘度(ηA)を用いてもよい。 As the viscosity (η25), the viscosity (ηA) of the conductive material at 25°C immediately after thawing the conductive material that has been stored frozen immediately after production and reaching 25°C may be used.

上記粘度(η25)及び上記粘度(ηA)は、例えば、E型粘度計(東機産業社製「TVE22L」)等を用いて、25℃及び5rpmの条件で測定することができる。 The viscosity (η25) and the viscosity (ηA) can be measured at 25° C. and 5 rpm using, for example, an E-type viscometer (“TVE22L” manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.).

なお、本明細書において、粘度を測定するための導電材料の冷凍保管の条件は、-40℃で7日間保管する条件である。一方で、導電材料の実際の使用時の上記冷凍保管の条件は特に限定されない。導電材料の実際の使用時の上記冷凍保管の温度は特に限定されず、0℃未満であればよい。導電材料の実際の使用時の上記冷凍保管の温度は、-10℃以下であってもよく、-20℃以下であってもよく、-40℃以下であってもよい。導電材料の実際の使用時の上記冷凍保管の期間は特に限定されず、180日間以下であればよい。該冷凍保管の期間は、30日間以上であってもよく、60日間以上であってもよく、90日間以上であってもよく、120日間以上であってもよい。 In this specification, the conditions for the frozen storage of the conductive material for measuring the viscosity are the conditions for storage at −40° C. for 7 days. On the other hand, there is no particular limitation on the above-mentioned frozen storage conditions when the conductive material is actually used. The temperature of the above frozen storage at the time of actual use of the conductive material is not particularly limited, and may be less than 0°C. The temperature of the above frozen storage during actual use of the conductive material may be −10° C. or lower, −20° C. or lower, or −40° C. or lower. The period of the above frozen storage when the conductive material is actually used is not particularly limited, and may be 180 days or less. The period of frozen storage may be 30 days or longer, 60 days or longer, 90 days or longer, or 120 days or longer.

また、本明細書において、粘度を測定するための導電材料の解凍条件は、25℃で保管する条件である。一方で、導電材料の実際の使用時の冷凍保管された上記導電材料を解凍する方法は特に限定されない。導電材料の実際の使用時の冷凍保管された上記導電材料を解凍する方法としては、室温条件下で解凍する方法、冷蔵条件下で解凍する方法、及び加熱条件下で解凍する方法等が挙げられる。上記室温条件は、20℃以上25℃以下であることが好ましい。上記冷蔵条件は、0℃を超え10℃以下であることが好ましい。上記加熱条件は、30℃以上35℃以下であることが好ましい。 Moreover, in this specification, the thawing condition of the conductive material for measuring the viscosity is the condition of storage at 25°C. On the other hand, there is no particular limitation on the method of thawing the above-mentioned electrically conductive material that has been stored frozen when the electrically conductive material is actually used. Examples of the method for thawing the above-mentioned conductive material that has been frozen and stored at the time of actual use of the conductive material include a method of thawing under room temperature conditions, a method of thawing under refrigeration conditions, and a method of thawing under heating conditions. . The room temperature condition is preferably 20° C. or higher and 25° C. or lower. The refrigeration conditions are preferably above 0°C and 10°C or less. The heating conditions are preferably 30° C. or higher and 35° C. or lower.

上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。上記導電ペーストは異方性導電ペーストであることが好ましく、上記導電フィルムは異方性導電フィルムであることが好ましい。電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記導電材料は、導電ペーストであることが好ましい。上記導電材料は、電極の電気的な接続に好適に用いられる。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。 The conductive material can be used as a conductive paste, a conductive film, and the like. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste, and the conductive film is preferably an anisotropic conductive film. From the viewpoint of arranging the solder on the electrodes more efficiently, the conductive material is preferably a conductive paste. The conductive material is suitably used for electrical connection of electrodes. The conductive material is preferably a circuit connecting material.

上記導電材料は、印刷されて用いられることが好ましく、スクリーン印刷されて用いられることがより好ましい。 The conductive material is preferably used after being printed, more preferably after being screen-printed.

以下、上記導電材料に含まれる各成分を説明する。なお、本明細書中において、「(メタ)アクリル」は「アクリル」と「メタクリル」との一方又は双方を意味する。 Each component contained in the conductive material will be described below. In this specification, "(meth)acryl" means one or both of "acryl" and "methacryl".

(はんだ粒子)
上記導電材料は、はんだ粒子を含む。上記はんだ粒子は、中心部分及び外表面のいずれもがはんだにより形成されている。上記はんだ粒子は、中心部分及び外表面のいずれもがはんだである粒子である。上記はんだ粒子の代わりに、はんだ以外の材料から形成された基材粒子と該基材粒子の表面上に配置されたはんだ部とを備える導電性粒子を用いた場合には、電極上に導電性粒子が集まり難くなる。また、上記導電性粒子では、導電性粒子同士のはんだ接合性が低いために、電極上に移動した導電性粒子が電極外に移動しやすくなる傾向があり、電極間の位置ずれの抑制効果も低くなる傾向がある。
(solder particles)
The conductive material includes solder particles. Both the central portion and the outer surface of the solder particles are formed of solder. The solder particles are particles in which both the central portion and the outer surface are solder. Instead of the solder particles, when using conductive particles comprising base particles made of a material other than solder and solder portions disposed on the surfaces of the base particles, conductive particles are formed on the electrodes. It becomes difficult for particles to gather. In addition, since the conductive particles have low solderability between the conductive particles, the conductive particles that have moved onto the electrodes tend to move out of the electrodes. tends to be low.

本発明に係る導電材料では、上記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において、粒子径が1μm以下である領域に少なくとも1個のピークが存在し、上記粒度分布の全体の積分値100%中、粒子径が1μm以下である領域に存在する全てのピークの積分値の割合(積分値の合計の割合)が30%以上である。本発明では、特定のはんだ粒子が用いられているので、導電材料の配置時のムラの発生を抑えることができる。 In the conductive material according to the present invention, in the volume-based particle size distribution of the solder particles, at least one peak exists in a region where the particle size is 1 μm or less, and the total integrated value of the particle size distribution is 100%. The ratio of the integrated values of all peaks present in the region with a particle diameter of 1 μm or less (percentage of the total integrated values) is 30% or more. In the present invention, since the specific solder particles are used, it is possible to suppress the occurrence of unevenness during placement of the conductive material.

上記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において、粒子径が1μm以下である領域に存在するピークの数は、少なくとも1個である。上記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において、粒子径が1μm以下である領域に存在するピークの数は、1個であってもよく、2個であってもよく、2個以上であってもよい。 In the volume-based particle size distribution of the solder particles, the number of peaks present in a region having a particle diameter of 1 μm or less is at least one. In the volume-based particle size distribution of the solder particles, the number of peaks present in a region having a particle diameter of 1 μm or less may be 1, 2, or 2 or more. good too.

上記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において、上記粒度分布の全体の積分値100%中、粒子径が1μm以下である領域に存在する全てのピークの積分値の割合(積分値の合計の割合)は、好ましくは40%以上、より好ましくは50%以上である。上記割合が上記下限以上であると、導電材料の配置時のムラの発生をより一層効果的に抑えることができる。 In the volume-based particle size distribution of the solder particles, the ratio of the integrated values of all the peaks existing in the region with a particle diameter of 1 μm or less in 100% of the integrated value of the entire particle size distribution (percentage of the total integrated value ) is preferably 40% or more, more preferably 50% or more. When the ratio is equal to or higher than the lower limit, it is possible to more effectively suppress the occurrence of unevenness during placement of the conductive material.

上記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において、2個以上のピークが存在してもよく、存在しなくてもよい。上記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において、1個のみのピークが存在する場合、該ピークは、粒子径が1μm以下である領域に存在する。上記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において、2個以上のピークが存在する場合、係るピークは、粒子径が1μm以下である領域に全てのピークが存在してもよく、粒子径が1μm以下である領域と粒子径が1μmを超える領域との双方にピークが存在してもよい。 The volume-based particle size distribution of the solder particles may or may not have two or more peaks. When there is only one peak in the volume-based particle size distribution of the solder particles, the peak exists in a region where the particle diameter is 1 μm or less. In the volume-based particle size distribution of the solder particles, when two or more peaks are present, such peaks may all be present in a region where the particle size is 1 μm or less, and the particle size is 1 μm or less. A peak may exist in both the region where the particle diameter is greater than 1 μm.

なお、粒子径が1μm以下である領域に存在するピークとは、ピークトップの粒子径が1μm以下であるピークを意味する。粒子径が1μmを超える領域に存在するピークとは、ピークトップの粒子径が1μmを超えるピークを意味する。 The peak present in the region with a particle size of 1 μm or less means a peak with a particle size of 1 μm or less at the peak top. A peak existing in a region with a particle size exceeding 1 μm means a peak with a particle size exceeding 1 μm at the peak top.

上記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において2個以上のピークが存在する場合、上記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において存在する全てのピークのうち、ピーク高さが最も高いピークを第1のピークとし、ピーク高さが2番目に高いピークを第2のピークとする。 When there are two or more peaks in the volume-based particle size distribution of the solder particles, the peak having the highest peak height among all the peaks present in the volume-based particle size distribution of the solder particles is selected as the first peak. and the peak with the second highest peak height is taken as the second peak.

上記第1のピークのピーク高さの、上記第2のピークのピーク高さに対する比(第1のピークのピーク高さ/第2のピークのピーク高さ)は、好ましくは1以上、好ましくは5以下である。上記比(第1のピークのピーク高さ/第2のピークのピーク高さ)が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料の配置時のムラの発生をより一層効果的に抑えることができる。 The ratio of the peak height of the first peak to the peak height of the second peak (peak height of the first peak/peak height of the second peak) is preferably 1 or more, preferably 5 or less. When the ratio (peak height of the first peak/peak height of the second peak) is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the occurrence of unevenness during placement of the conductive material can be more effectively suppressed. can be done.

上記第1のピークの積分値の、上記第2のピークの積分値に対する比(第1のピークの積分値/第2のピークの積分値)は、好ましくは1以上、好ましくは5以下である。上記比(第1のピークの積分値/第2のピークの積分値)が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料の配置時のムラの発生をより一層効果的に抑えることができる。 The ratio of the integrated value of the first peak to the integrated value of the second peak (integrated value of the first peak/integrated value of the second peak) is preferably 1 or more and preferably 5 or less. . When the ratio (integrated value of the first peak/integrated value of the second peak) is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, it is possible to more effectively suppress the occurrence of unevenness during placement of the conductive material. .

上記第1のピークは、粒子径が1μm以下である領域に存在するピークであってもよく、粒子径が1μmを超える領域に存在するピークであってもよい。上記第2のピークは、粒子径が1μm以下である領域に存在するピークであってもよく、粒子径が1μmを超える領域に存在するピークであってもよい。 The first peak may be a peak present in a region with a particle size of 1 μm or less, or may be a peak present in a region with a particle size of more than 1 μm. The second peak may be a peak present in a region with a particle size of 1 μm or less, or may be a peak present in a region with a particle size of more than 1 μm.

導電材料の配置時のムラの発生をより一層効果的に抑える観点からは、上記第1のピークと上記第2のピークとは、以下の(1)又は以下の(2)を満足することが好ましく、以下の(1)を満足することがより好ましい。(1)上記第1のピークが、粒子径が1μm以下である領域に存在するピークであり、かつ上記第2のピークが、粒子径が1μmを超える領域に存在するピークである。(2)上記第1のピークが、粒子径が1μmを超える領域に存在するピークであり、かつ上記第2のピークが、粒子径が1μm以下である領域に存在するピークである。 From the viewpoint of more effectively suppressing the occurrence of unevenness during placement of the conductive material, the first peak and the second peak should satisfy the following (1) or the following (2). Preferably, it is more preferable to satisfy the following (1). (1) The first peak is present in a region with a particle size of 1 μm or less, and the second peak is present in a region with a particle size of more than 1 μm. (2) The first peak is present in a region with a particle size exceeding 1 μm, and the second peak is a peak present in a region with a particle size of 1 μm or less.

上記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において、上記はんだ粒子のD50は、好ましくは3μm以下、より好ましくは1μm以下である。上記はんだ粒子のD50は、10nm以上であることが好ましい。上記はんだ粒子のD50が上記下限以上であると、本発明の効果をより一層効果的に発揮させることができる。 In the volume-based particle size distribution of the solder particles, D50 of the solder particles is preferably 3 μm or less, more preferably 1 μm or less. D50 of the solder particles is preferably 10 nm or more. When the D50 of the solder particles is equal to or higher than the lower limit, the effects of the present invention can be exhibited more effectively.

なお、上記はんだ粒子のD50は、はんだ粒子の累積体積が50%であるときのはんだ粒子の粒子径である。上記はんだ粒子のD50は、体積基準での粒度分布から算出することができる。 The D50 of the solder particles is the particle diameter of the solder particles when the cumulative volume of the solder particles is 50%. The D50 of the solder particles can be calculated from the volume-based particle size distribution.

上記はんだ粒子の体積基準での粒度分布は、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて求められる。上記レーザー回折式粒度分布測定装置としては、マルバーン社製「マスターサイザー3000」等が挙げられる。 The volume-based particle size distribution of the solder particles is determined using a laser diffraction particle size distribution analyzer. Examples of the laser diffraction particle size distribution analyzer include "Mastersizer 3000" manufactured by Malvern.

また、上記ピークの積分値は、体積基準での粒度分布において、各粒径における体積値を累積することにより求められる。 In addition, the integrated value of the peak is obtained by accumulating the volume value at each particle size in the volume-based particle size distribution.

また、上記はんだ粒子の粒度分布を上記の好ましい態様に調整する方法としては、篩等による篩分け法、はんだ粒子をジェットミル等で粉砕する方法等が挙げられる。 Examples of the method for adjusting the particle size distribution of the solder particles to the preferred aspect include a sieving method using a sieve or the like and a method of pulverizing the solder particles using a jet mill or the like.

上記はんだは、融点が450℃以下である金属(低融点金属)であることが好ましい。上記はんだ粒子は、融点が450℃以下である金属粒子(低融点金属粒子)であることが好ましい。上記低融点金属粒子は、低融点金属を含む粒子である。該低融点金属とは、融点が450℃以下の金属を示す。接続構造体の作製時の熱劣化を抑える観点からは、低融点金属の融点は好ましくは400℃以下、より好ましくは350℃以下、さらに好ましくは300℃以下である。上記はんだ粒子は、融点が250℃未満の低融点はんだであることが好ましい。 The solder is preferably a metal having a melting point of 450° C. or less (low melting point metal). The solder particles are preferably metal particles having a melting point of 450° C. or less (low-melting-point metal particles). The low-melting-point metal particles are particles containing a low-melting-point metal. The low-melting-point metal means a metal having a melting point of 450° C. or lower. From the viewpoint of suppressing thermal deterioration during fabrication of the bonded structure, the melting point of the low-melting-point metal is preferably 400° C. or lower, more preferably 350° C. or lower, and even more preferably 300° C. or lower. The solder particles are preferably low-melting solder having a melting point of less than 250.degree.

本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記はんだ粒子の融点は、好ましくは200℃以上、より好ましくは210℃以上、更に好ましくは220℃以上である。 From the viewpoint of exhibiting the effects of the present invention more effectively, the melting point of the solder particles is preferably 200° C. or higher, more preferably 210° C. or higher, and even more preferably 220° C. or higher.

上記はんだ粒子の融点は、示差走査熱量測定(DSC)により求めることができる。示差走査熱量測定(DSC)装置としては、SII社製「EXSTAR DSC7020」等が挙げられる。 The melting point of the solder particles can be determined by differential scanning calorimetry (DSC). Examples of the differential scanning calorimeter (DSC) device include "EXSTAR DSC7020" manufactured by SII.

また、上記はんだ粒子は錫を含むことが好ましい。上記はんだ粒子に含まれる金属100重量%中、錫の含有量は、好ましくは30重量%以上、より好ましくは40重量%以上、さらに好ましくは70重量%以上、特に好ましくは90重量%以上である。上記はんだ粒子における錫の含有量が上記下限以上であると、はんだ部と電極との接続信頼性がより一層高くなる。 Also, the solder particles preferably contain tin. The content of tin in 100% by weight of the metal contained in the solder particles is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 70% by weight or more, and particularly preferably 90% by weight or more. . When the content of tin in the solder particles is equal to or higher than the lower limit, the connection reliability between the solder portion and the electrode is further enhanced.

なお、錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置(堀場製作所社製「ICP-AES」)、又は蛍光X線分析装置(島津製作所社製「EDX-800HS」)等を用いて測定することができる。 The tin content is measured using a high-frequency inductively coupled plasma atomic emission spectrometer ("ICP-AES" manufactured by Horiba Ltd.) or a fluorescent X-ray spectrometer ("EDX-800HS" manufactured by Shimadzu Corporation). can do.

上記はんだ粒子を用いることで、はんだが溶融して電極に接合し、はんだ部が電極間を導通させる。例えば、はんだ部と電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、上記はんだ粒子の使用により、はんだ部と電極との接合強度が高くなる結果、はんだ部と電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性及び接続信頼性がより一層高くなる。 By using the solder particles, the solder is melted and joined to the electrodes, and the solder portions conduct between the electrodes. For example, since the solder part and the electrode are likely to be in surface contact rather than point contact, the connection resistance is reduced. In addition, the use of the solder particles increases the bonding strength between the solder portion and the electrode, making it more difficult for the solder portion and the electrode to separate, thereby further increasing the conduction reliability and connection reliability.

上記はんだ粒子を構成する低融点金属は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫-銀合金、錫-銅合金、錫-銀-銅合金、錫-ビスマス合金、錫-亜鉛合金、及び錫-インジウム合金等が挙げられる。電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫-銀合金、錫-銀-銅合金、錫-ビスマス合金、又は錫-インジウム合金であることが好ましい。上記低融点金属は、錫-ビスマス合金、又は錫-インジウム合金であることがより好ましい。 The low-melting-point metal forming the solder particles is not particularly limited. The low melting point metal is preferably tin or an alloy containing tin. The alloys include tin-silver alloys, tin-copper alloys, tin-silver-copper alloys, tin-bismuth alloys, tin-zinc alloys, and tin-indium alloys. The low-melting-point metal is preferably tin, a tin-silver alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, or a tin-indium alloy because of its excellent wettability with the electrode. More preferably, the low melting point metal is a tin-bismuth alloy or a tin-indium alloy.

上記はんだ粒子は、JIS Z3001:溶接用語に基づき、液相線が450℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだ粒子の組成としては、例えば亜鉛、金、銀、鉛、銅、錫、ビスマス、及びインジウム等を含む金属組成が挙げられる。低融点で鉛フリーである錫-インジウム系(117℃共晶)、又は錫-ビスマス系(139℃共晶)が好ましい。すなわち、上記はんだ粒子は、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むか、又は錫とビスマスとを含むことが好ましい。 The solder particles are preferably a filler material having a liquidus line of 450° C. or less based on JIS Z3001: Welding Terminology. Examples of the composition of the solder particles include metal compositions containing zinc, gold, silver, lead, copper, tin, bismuth, and indium. A tin-indium system (117° C. eutectic) or a tin-bismuth system (139° C. eutectic), which have a low melting point and are lead-free, are preferred. That is, the solder particles preferably do not contain lead, and preferably contain tin and indium, or tin and bismuth.

本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記はんだ粒子は、錫と銀とを含むか、又は錫と銅とを含むことが好ましく、錫と銀と銅とを含むことがより好ましい。 From the viewpoint of exhibiting the effects of the present invention more effectively, the solder particles preferably contain tin and silver, or contain tin and copper, and more preferably contain tin, silver, and copper. more preferred.

はんだ部と電極との接合強度をより一層高めるために、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、及びパラジウム等の金属を含んでいてもよい。また、はんだ部と電極との接合強度をさらに一層高める観点からは、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。はんだ部と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、はんだ粒子に含まれる金属100重量%中、好ましくは0.0001重量%以上、好ましくは1重量%以下である。 In order to further increase the bonding strength between the solder part and the electrode, the solder particles contain nickel, copper, antimony, aluminum, zinc, iron, gold, titanium, phosphorus, germanium, tellurium, cobalt, bismuth, manganese, chromium, Metals such as molybdenum and palladium may also be included. Moreover, from the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder portion and the electrode, the solder particles preferably contain nickel, copper, antimony, aluminum, or zinc. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder part and the electrode, the content of these metals for increasing the bonding strength is preferably 0.0001% by weight or more in 100% by weight of the metal contained in the solder particles. It is preferably 1% by weight or less.

上記はんだ粒子の形状は特に限定されない。上記はんだ粒子の形状は、球状であってもよく、球状以外の形状であってもよく、扁平状等の形状であってもよい。 The shape of the solder particles is not particularly limited. The shape of the solder particles may be spherical, may be other than spherical, or may be flat.

上記導電材料100重量%中、上記はんだ粒子の含有量は、好ましくは40重量%以上、より好ましくは45重量%以上、さらに好ましくは50重量%以上、特に好ましくは55重量%以上であり、好ましくは90重量%以下、より好ましくは85重量%以下、さらに好ましくは80重量%以下である。上記はんだ粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、電極間にはんだを多く配置することが容易であり、導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記はんだ粒子の含有量は多い方が好ましい。 The content of the solder particles in 100% by weight of the conductive material is preferably 40% by weight or more, more preferably 45% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, and particularly preferably 55% by weight or more. is 90% by weight or less, more preferably 85% by weight or less, and still more preferably 80% by weight or less. When the content of the solder particles is equal to or more than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the solder can be arranged more efficiently on the electrodes, and it is easy to arrange a large amount of solder between the electrodes, resulting in reliability of conduction. It is possible to enhance the property more effectively. From the standpoint of further improving conduction reliability, the content of the solder particles is preferably large.

(熱硬化性成分)
本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分を含む。上記導電材料は、熱硬化性成分として、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含んでいてもよい。導電材料をより一層良好に硬化させるために、上記導電材料は、熱硬化性成分として、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含むことが好ましい。導電材料をより一層良好に硬化させるために、上記導電材料は、熱硬化性成分として硬化促進剤を含むことが好ましい。
(Thermosetting component)
The electrically conductive material according to the invention comprises a thermosetting component. The conductive material may contain a thermosetting compound and a thermosetting agent as thermosetting components. In order to cure the conductive material even better, the conductive material preferably contains a thermosetting compound and a thermosetting agent as thermosetting components. In order to cure the conductive material even better, the conductive material preferably contains a curing accelerator as a thermosetting component.

(熱硬化性成分:熱硬化性化合物)
本発明に係る導電材料は、熱硬化性化合物を含むことが好ましい。上記熱硬化性化合物は、加熱により硬化可能な化合物である。
(Thermosetting component: thermosetting compound)
The conductive material according to the present invention preferably contains a thermosetting compound. The thermosetting compound is a compound that can be cured by heating.

上記熱硬化性化合物は特に限定されない。上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、(メタ)アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。上記熱硬化性化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The thermosetting compound is not particularly limited. Examples of the thermosetting compounds include oxetane compounds, epoxy compounds, episulfide compounds, (meth)acrylic compounds, phenol compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds and polyimide compounds. As for the said thermosetting compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

導電材料の硬化性及び粘度をより一層良好にし、導通信頼性をより一層高める観点から、上記熱硬化性化合物は、エポキシ化合物又はエピスルフィド化合物を含むことが好ましく、エポキシ化合物を含むことがより好ましく、エポキシ化合物又はエピスルフィド化合物であることが更に好ましく、エポキシ化合物であることが特に好ましい。上記熱硬化性成分は、エポキシ化合物又はエピスルフィド化合物を含むことが好ましく、エポキシ化合物を含むことがより好ましい。上記導電材料は、エポキシ化合物又はエピスルフィド化合物を含むことが好ましく、エポキシ化合物を含むことがより好ましい。 From the viewpoint of further improving the curability and viscosity of the conductive material and further increasing the conduction reliability, the thermosetting compound preferably contains an epoxy compound or an episulfide compound, and more preferably contains an epoxy compound. Epoxy compounds or episulfide compounds are more preferred, and epoxy compounds are particularly preferred. The thermosetting component preferably contains an epoxy compound or an episulfide compound, more preferably an epoxy compound. The conductive material preferably contains an epoxy compound or an episulfide compound, more preferably an epoxy compound.

上記エポキシ化合物は、少なくとも1個のエポキシ基を有する化合物である。上記エポキシ化合物としては、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、ビスフェノールS型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、ビフェノール型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、フルオレン型エポキシ化合物、フェノールアラルキル型エポキシ化合物、ナフトールアラルキル型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物、アントラセン型エポキシ化合物、アダマンタン骨格を有するエポキシ化合物、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ化合物、ナフチレンエーテル型エポキシ化合物、及びトリアジン核を骨格に有するエポキシ化合物等が挙げられる。上記エポキシ化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The epoxy compound is a compound having at least one epoxy group. Examples of the epoxy compounds include bisphenol A type epoxy compounds, bisphenol F type epoxy compounds, bisphenol S type epoxy compounds, phenol novolac type epoxy compounds, biphenyl type epoxy compounds, biphenyl novolak type epoxy compounds, biphenol type epoxy compounds, and naphthalene type epoxy compounds. , fluorene type epoxy compound, phenol aralkyl type epoxy compound, naphthol aralkyl type epoxy compound, dicyclopentadiene type epoxy compound, anthracene type epoxy compound, epoxy compound having adamantane skeleton, epoxy compound having tricyclodecane skeleton, naphthylene ether type Epoxy compounds, epoxy compounds having a triazine core in the skeleton, and the like are included. Only one type of the epoxy compound may be used, or two or more types may be used in combination.

上記エポキシ化合物は、常温(23℃)で液状又は固体であり、上記エポキシ化合物が常温で固体である場合には、上記エポキシ化合物の溶融温度は、上記はんだ粒子の融点以下であることが好ましい。上記の好ましいエポキシ化合物を用いることで、接続対象部材を貼り合わせた段階では、粘度が高く、搬送等の衝撃により加速度が付与された際に、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材との位置ずれを抑制することができる。さらに、硬化時の熱により、導電材料の粘度を大きく低下させることができ、導電接続時のはんだの凝集を効率よく進行させることができる。 The epoxy compound is liquid or solid at normal temperature (23° C.), and when the epoxy compound is solid at normal temperature, the melting temperature of the epoxy compound is preferably equal to or lower than the melting point of the solder particles. By using the above preferable epoxy compound, the viscosity is high at the stage of bonding the connection target members, and when acceleration is applied due to impact such as transportation, the first connection target member and the second connection target It is possible to suppress misalignment with the member. Furthermore, the heat during curing can greatly reduce the viscosity of the conductive material, and the cohesion of the solder during conductive connection can be efficiently advanced.

電極上にはんだをより一層効果的に配置する観点からは、上記熱硬化性化合物は、ポリエーテル骨格を有する熱硬化性化合物を含むことが好ましい。 From the viewpoint of arranging the solder on the electrode more effectively, the thermosetting compound preferably contains a thermosetting compound having a polyether skeleton.

上記ポリエーテル骨格を有する熱硬化性化合物としては、炭素数3~12のアルキル鎖の両末端にグリシジルエーテル基を有する化合物、並びに炭素数2~4のポリエーテル骨格を有し、該ポリエーテル骨格2個~10個が連続して結合した構造単位を有するポリエーテル型エポキシ化合物等が挙げられる。 As the thermosetting compound having a polyether skeleton, a compound having a glycidyl ether group at both ends of an alkyl chain having 3 to 12 carbon atoms, and a polyether skeleton having 2 to 4 carbon atoms, the polyether skeleton Examples thereof include polyether type epoxy compounds having a structural unit in which 2 to 10 are continuously bonded.

硬化物の耐熱性をより一層効果的に高める観点からは、上記熱硬化性化合物は、イソシアヌル骨格を有する熱硬化性化合物を含むことが好ましい。 From the viewpoint of more effectively increasing the heat resistance of the cured product, the thermosetting compound preferably contains a thermosetting compound having an isocyanuric skeleton.

上記イソシアヌル骨格を有する熱硬化性化合物としてはトリイソシアヌレート型エポキシ化合物等が挙げられ、日産化学工業社製TEPICシリーズ(TEPIC-G、TEPIC-S、TEPIC-SS、TEPIC-HP、TEPIC-L、TEPIC-PAS、TEPIC-VL、TEPIC-UC)等が挙げられる。 Examples of the thermosetting compound having an isocyanurate skeleton include triisocyanurate type epoxy compounds, and the TEPIC series manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd. (TEPIC-G, TEPIC-S, TEPIC-SS, TEPIC-HP, TEPIC-L, TEPIC-PAS, TEPIC-VL, TEPIC-UC) and the like.

電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点、接続されるべき上下の電極間の導通信頼性をより一層効果的に高める観点、及び熱硬化性化合物の変色をより一層効果的に抑制する観点からは、上記熱硬化性化合物は、高い耐熱性を有することが好ましく、ノボラック型エポキシ化合物であることがより好ましい。ノボラック型エポキシ化合物は、比較的高い耐熱性を有する。 From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, from the viewpoint of more effectively increasing the reliability of conduction between the upper and lower electrodes to be connected, and from the viewpoint of more effectively suppressing the discoloration of the thermosetting compound. From the viewpoint, the thermosetting compound preferably has high heat resistance, and is more preferably a novolac epoxy compound. Novolac type epoxy compounds have relatively high heat resistance.

上記導電材料100重量%中、上記熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは5重量%以上、より好ましくは8重量%以上、さらに好ましくは10重量%以上であり、好ましくは99重量%以下、より好ましくは90重量%以下、さらに好ましくは80重量%以下、特に好ましくは70重量%以下である。上記熱硬化性化合物の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置し、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。耐衝撃性をより一層効果的に高める観点からは、上記熱硬化性化合物の含有量は多い方が好ましい。 The content of the thermosetting compound in 100% by weight of the conductive material is preferably 5% by weight or more, more preferably 8% by weight or more, still more preferably 10% by weight or more, and preferably 99% by weight or less. It is more preferably 90% by weight or less, still more preferably 80% by weight or less, and particularly preferably 70% by weight or less. When the content of the thermosetting compound is the lower limit or more and the upper limit or less, the solder can be arranged on the electrodes more efficiently, and the insulation reliability between the electrodes can be more effectively improved. It is possible to further effectively improve the reliability of electrical connection between the electrodes. From the viewpoint of more effectively increasing the impact resistance, the content of the thermosetting compound is preferably large.

上記導電材料100重量%中、上記エポキシ化合物の含有量は、好ましくは5重量%以上、より好ましくは8重量%以上、さらに好ましくは10重量%以上であり、好ましくは99重量%以下、より好ましくは90重量%以下、さらに好ましくは80重量%以下、特に好ましくは70重量%以下である。上記エポキシ化合物の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置し、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。耐衝撃性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物の含有量は多い方が好ましい。 The content of the epoxy compound in 100% by weight of the conductive material is preferably 5% by weight or more, more preferably 8% by weight or more, still more preferably 10% by weight or more, and more preferably 99% by weight or less. is 90% by weight or less, more preferably 80% by weight or less, and particularly preferably 70% by weight or less. When the content of the epoxy compound is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the solder can be arranged on the electrodes more efficiently, and the insulation reliability between the electrodes can be more effectively improved. It is possible to further effectively improve the reliability of electrical continuity. From the viewpoint of further increasing the impact resistance, the content of the epoxy compound is preferably large.

(熱硬化性成分:熱硬化剤)
上記導電材料は、熱硬化剤を含んでいてもよい。上記導電材料は、上記熱硬化性化合物とともに熱硬化剤を含んでいてもよい。上記熱硬化剤は、上記熱硬化性化合物を熱硬化させる。
(Thermosetting component: thermosetting agent)
The conductive material may contain a thermosetting agent. The conductive material may contain a thermosetting agent together with the thermosetting compound. The thermosetting agent thermosets the thermosetting compound.

上記熱硬化剤は特に限定されない。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、フェノール硬化剤、チオール硬化剤、アミン硬化剤、酸無水物硬化剤、熱カチオン硬化剤及び熱ラジカル発生剤等が挙げられる。上記熱硬化剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The thermosetting agent is not particularly limited. Examples of the heat curing agent include imidazole curing agents, phenol curing agents, thiol curing agents, amine curing agents, acid anhydride curing agents, thermal cationic curing agents and thermal radical generators. Only one kind of the thermosetting agent may be used, or two or more kinds thereof may be used in combination.

導電材料を低温でより一層速やかに硬化可能とする観点からは、上記熱硬化剤は、イミダゾール硬化剤、チオール硬化剤、又はアミン硬化剤であることが好ましい。また、上記熱硬化性化合物と上記熱硬化剤とを混合したときの保存安定性を高める観点からは、上記熱硬化剤は、潜在性の硬化剤であることが好ましい。潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性チオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。なお、上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。 From the viewpoint of enabling the conductive material to be cured at a low temperature more rapidly, the thermosetting agent is preferably an imidazole curing agent, a thiol curing agent, or an amine curing agent. Moreover, from the viewpoint of enhancing storage stability when the thermosetting compound and the thermosetting agent are mixed, the thermosetting agent is preferably a latent curing agent. The latent curing agent is preferably a latent imidazole curing agent, a latent thiol curing agent or a latent amine curing agent. The thermosetting agent may be coated with a polymeric material such as polyurethane resin or polyester resin.

上記イミダゾール硬化剤は特に限定されない。上記イミダゾール硬化剤としては、2-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテート、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン及び2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-ベンジル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2-パラトルイル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2-メタトルイル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2-メタトルイル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-パラトルイル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール等における1H-イミダゾールの5位の水素をヒドロキシメチル基で、かつ、2位の水素をフェニル基またはトルイル基で置換したイミダゾール化合物等が挙げられる。 The imidazole curing agent is not particularly limited. Examples of the imidazole curing agent include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6. -[2′-methylimidazolyl-(1′)]-ethyl-s-triazine and 2,4-diamino-6-[2′-methylimidazolyl-(1′)]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adducts , 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-benzyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-p-toluyl-4-methyl-5 -5-position of 1H-imidazole in hydroxymethylimidazole, 2-methatoluyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-methatoluyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-paratoluyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, etc. and the hydrogen at the 2-position is substituted with a hydroxymethyl group and the hydrogen at the 2-position with a phenyl group or a toluyl group.

上記チオール硬化剤は特に限定されない。上記チオール硬化剤としては、トリメチロールプロパントリス-3-メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス-3-メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ-3-メルカプトプロピオネート等が挙げられる。 The thiol curing agent is not particularly limited. Examples of the thiol curing agent include trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate.

上記アミン硬化剤は特に限定されない。上記アミン硬化剤としては、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、3,9-ビス(3-アミノプロピル)-2,4,8,10-テトラスピロ[5.5]ウンデカン、ビス(4-アミノシクロヘキシル)メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。 The amine curing agent is not particularly limited. Examples of the amine curing agent include hexamethylenediamine, octamethylenediamine, decamethylenediamine, 3,9-bis(3-aminopropyl)-2,4,8,10-tetraspiro[5.5]undecane, bis(4 -aminocyclohexyl)methane, metaphenylenediamine and diaminodiphenylsulfone.

上記酸無水物硬化剤は特に限定されず、エポキシ化合物等の熱硬化性化合物の硬化剤として用いられる酸無水物であれば広く用いることができる。上記酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルブテニルテトラヒドロ無水フタル酸、フタル酸誘導体の無水物、無水マレイン酸、無水ナジック酸、無水メチルナジック酸、無水グルタル酸、無水コハク酸、グリセリンビス無水トリメリット酸モノアセテート、及びエチレングリコールビス無水トリメリット酸等の2官能の酸無水物硬化剤、無水トリメリット酸等の3官能の酸無水物硬化剤、並びに、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、及びポリアゼライン酸無水物等の4官能以上の酸無水物硬化剤等が挙げられる。 The acid anhydride curing agent is not particularly limited, and a wide range of acid anhydrides can be used as long as they are used as curing agents for thermosetting compounds such as epoxy compounds. Examples of the acid anhydride curing agent include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, and methylbutenyltetrahydrophthalic anhydride. , anhydrides of phthalic acid derivatives, maleic anhydride, nadic anhydride, methyl nadic anhydride, glutaric anhydride, succinic anhydride, glycerin bis trimellitic anhydride monoacetate, and ethylene glycol bis trimellitic anhydride. acid anhydride curing agent, trifunctional acid anhydride curing agent such as trimellitic anhydride, and pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic anhydride, methylcyclohexene tetracarboxylic anhydride, polyazelaic anhydride, etc. and a tetrafunctional or higher acid anhydride curing agent.

上記熱カチオン開始剤は特に限定されない。上記熱カチオン開始剤としては、ヨードニウム系カチオン硬化剤、オキソニウム系カチオン硬化剤及びスルホニウム系カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系カチオン硬化剤としては、ビス(4-tert-ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系カチオン硬化剤としては、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系カチオン硬化剤としては、トリ-p-トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。 The thermal cationic initiator is not particularly limited. Examples of the thermal cationic initiator include iodonium-based cationic curing agents, oxonium-based cationic curing agents, and sulfonium-based cationic curing agents. Examples of the iodonium cationic curing agent include bis(4-tert-butylphenyl)iodonium hexafluorophosphate. Examples of the oxonium cationic curing agent include trimethyloxonium tetrafluoroborate. Examples of the sulfonium cationic curing agent include tri-p-tolylsulfonium hexafluorophosphate.

上記熱ラジカル発生剤は特に限定されない。上記熱ラジカル発生剤としては、アゾ化合物及び有機過酸化物等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、ジ-tert-ブチルペルオキシド及びメチルエチルケトンペルオキシド等が挙げられる。 The thermal radical generator is not particularly limited. Examples of the thermal radical generator include azo compounds and organic peroxides. Examples of the azo compound include azobisisobutyronitrile (AIBN). Examples of the organic peroxide include di-tert-butyl peroxide and methyl ethyl ketone peroxide.

上記熱硬化剤の反応開始温度は、好ましくは50℃以上、より好ましくは70℃以上、さらに好ましくは80℃以上であり、好ましくは250℃以下、より好ましくは200℃以下、さらに好ましくは150℃以下、特に好ましくは140℃以下である。上記熱硬化剤の反応開始温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだがより一層効率的に配置される。電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点、及び接続されるべき上下の電極間の導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記熱硬化剤の反応開始温度は、80℃以上、140℃以下であることが特に好ましい。 The reaction initiation temperature of the thermosetting agent is preferably 50°C or higher, more preferably 70°C or higher, still more preferably 80°C or higher, preferably 250°C or lower, more preferably 200°C or lower, and still more preferably 150°C. Below, it is 140 degrees C or less especially preferably. When the reaction initiation temperature of the thermosetting agent is equal to or higher than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, the solder is arranged on the electrode more efficiently. From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrodes and from the viewpoint of more effectively increasing the reliability of conduction between the upper and lower electrodes to be connected, the reaction initiation temperature of the thermosetting agent is 80°C. Above, it is especially preferable that it is 140 degrees C or less.

上記熱硬化剤の反応開始温度は、DSCでの発熱ピークの立ち上がり開始の温度を意味する。DSC装置としては、SII社製「EXSTAR DSC7020」等が挙げられる。 The reaction start temperature of the thermosetting agent means the temperature at which the exothermic peak starts to rise in DSC. Examples of the DSC apparatus include "EXSTAR DSC7020" manufactured by SII.

上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記熱硬化性化合物100重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは1重量部以上であり、好ましくは200重量部以下、より好ましくは100重量部以下、さらに好ましくは75重量部以下である。上記熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、導電材料を十分に硬化させることが容易である。上記熱硬化剤の含有量が上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつ硬化物の耐熱性がより一層高くなる。 The content of the thermosetting agent is not particularly limited. With respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound, the content of the thermosetting agent is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, and preferably 200 parts by weight or less, more preferably It is 100 parts by weight or less, more preferably 75 parts by weight or less. When the content of the thermosetting agent is at least the lower limit, it is easy to sufficiently cure the conductive material. If the content of the thermosetting agent is equal to or less than the above upper limit, it becomes difficult for excess thermosetting agent that has not been involved in curing to remain after curing, and the heat resistance of the cured product is further enhanced.

(熱硬化性成分:硬化促進剤)
上記導電材料は硬化促進剤を含んでいてもよい。上記硬化促進剤は特に限定されない。上記硬化促進剤は、上記熱硬化性化合物と上記熱硬化剤との反応において硬化触媒として作用することが好ましい。上記硬化促進剤は、上記熱硬化性化合物との反応において硬化触媒として作用することが好ましい。上記硬化促進剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Thermosetting component: curing accelerator)
The conductive material may contain a curing accelerator. The curing accelerator is not particularly limited. The curing accelerator preferably acts as a curing catalyst in the reaction between the thermosetting compound and the thermosetting agent. The curing accelerator preferably acts as a curing catalyst in the reaction with the thermosetting compound. Only one kind of the curing accelerator may be used, or two or more kinds thereof may be used in combination.

上記硬化促進剤としては、ホスホニウム塩、三級アミン、三級アミン塩、四級オニウム塩、三級ホスフィン、クラウンエーテル錯体、アミン錯体化合物及びホスホニウムイリド等が挙げられる。具体的には、上記硬化促進剤としては、イミダゾール化合物、イミダゾール化合物のイソシアヌル酸塩、ジシアンジアミド、ジシアンジアミドの誘導体、メラミン化合物、メラミン化合物の誘導体、ジアミノマレオニトリル、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ビス(ヘキサメチレン)トリアミン、トリエタノールアミン、ジアミノジフェニルメタン、有機酸ジヒドラジド等のアミン化合物、1,8-ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデセン-7、3,9-ビス(3-アミノプロピル)-2,4,8,10-テトラオキサスピロ[5,5]ウンデカン、三フッ化ホウ素、三フッ化ホウ素-アミン錯体化合物、並びに、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリブチルホスフィン及びメチルジフェニルホスフィン等の有機リン化合物等が挙げられる。 Examples of the curing accelerator include phosphonium salts, tertiary amines, tertiary amine salts, quaternary onium salts, tertiary phosphines, crown ether complexes, amine complex compounds and phosphonium ylides. Specifically, the curing accelerator includes imidazole compounds, isocyanurates of imidazole compounds, dicyandiamide, dicyandiamide derivatives, melamine compounds, melamine compound derivatives, diaminomaleonitrile, diethylenetriamine, triethylenetetramine, and tetraethylenepentamine. , bis(hexamethylene)triamine, triethanolamine, diaminodiphenylmethane, amine compounds such as organic acid dihydrazide, 1,8-diazabicyclo[5,4,0]undecene-7,3,9-bis(3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraoxaspiro[5,5]undecane, boron trifluoride, boron trifluoride-amine complex compounds, triphenylphosphine, tricyclohexylphosphine, tributylphosphine and methyldiphenylphosphine, etc. organic phosphorus compounds and the like.

上記ホスホニウム塩は特に限定されない。上記ホスホニウム塩としては、テトラノルマルブチルホスホニウムブロマイド、テトラノルマルブチルホスホニウムO-Oジエチルジチオリン酸、メチルトリブチルホスホニウムジメチルリン酸塩、テトラノルマルブチルホスホニウムベンゾトリアゾール、テトラノルマルブチルホスホニウムテトラフルオロボレート、及びテトラノルマルブチルホスホニウムテトラフェニルボレート等が挙げられる。 The phosphonium salt is not particularly limited. Examples of the phosphonium salts include tetra-butylphosphonium bromide, tetra-butylphosphonium O—O diethyldithiophosphate, methyltributylphosphonium dimethylphosphate, tetra-butylphosphonium benzotriazole, tetra-butylphosphonium tetrafluoroborate, and tetra-butyl phosphonium tetraphenylborate and the like.

上記熱硬化性化合物が良好に硬化するように、上記硬化促進剤の含有量は適宜選択される。上記熱硬化性化合物100重量部に対する上記硬化促進剤の含有量は、好ましくは0.5重量部以上、より好ましくは0.8重量部以上であり、好ましくは10重量部以下、より好ましくは8重量部以下である。上記硬化促進剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記熱硬化性化合物を良好に硬化させることができる。また、上記硬化促進剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、接続されるべき上下の電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。 The content of the curing accelerator is appropriately selected so that the thermosetting compound cures satisfactorily. The content of the curing accelerator with respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound is preferably 0.5 parts by weight or more, more preferably 0.8 parts by weight or more, preferably 10 parts by weight or less, more preferably 8 parts by weight. Part by weight or less. When the content of the curing accelerator is equal to or more than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the thermosetting compound can be cured satisfactorily. Further, when the content of the curing accelerator is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder can be arranged on the electrodes more efficiently, and the conduction reliability between the upper and lower electrodes to be connected can be improved. can be enhanced more effectively.

(フラックス)
上記導電材料は、フラックスを含むことが好ましい。フラックスを用いることで、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。上記フラックスは特に限定されない。上記フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを用いることができる。
(flux)
The conductive material preferably contains flux. By using flux, the solder can be more efficiently placed on the electrodes. The above flux is not particularly limited. Flux generally used for soldering or the like can be used as the flux.

上記フラックスとしては、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、アミン化合物、有機酸及び松脂等が挙げられる。上記フラックスは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the flux include zinc chloride, mixtures of zinc chloride and inorganic halides, mixtures of zinc chloride and inorganic acids, molten salts, phosphoric acid, phosphoric acid derivatives, organic halides, hydrazine, amine compounds, organic acids and pine resin and the like. Only one kind of the above flux may be used, or two or more kinds thereof may be used in combination.

上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びグルタル酸等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、カルボキシル基を2個以上有する有機酸、又は松脂であることが好ましい。上記フラックスは、カルボキシル基を2個以上有する有機酸であってもよく、松脂であってもよい。カルボキシル基を2個以上有する有機酸、松脂の使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。 Examples of the molten salt include ammonium chloride. Examples of the organic acid include lactic acid, citric acid, stearic acid, glutamic acid and glutaric acid. Examples of the pine resin include activated pine resin and non-activated pine resin. The flux is preferably an organic acid having two or more carboxyl groups, or rosin. The flux may be an organic acid having two or more carboxyl groups, or may be rosin. The use of rosin, an organic acid having two or more carboxyl groups, further enhances the reliability of electrical connection between electrodes.

上記カルボキシル基を2個以上有する有機酸としては、例えば、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、及びセバシン酸等が挙げられる。 Examples of the organic acid having two or more carboxyl groups include succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, and sebacic acid.

上記アミン化合物としては、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、ベンズヒドリルアミン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、フェニルイミダゾール、カルボキシベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、及びカルボキシベンゾトリアゾール等が挙げられる。 Examples of the amine compound include cyclohexylamine, dicyclohexylamine, benzylamine, benzhydrylamine, imidazole, benzimidazole, phenylimidazole, carboxybenzimidazole, benzotriazole, and carboxybenzotriazole.

上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。上記ロジン類としては、アビエチン酸、及びアクリル変性ロジン等が挙げられる。フラックスはロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。 The pine resin is a rosin containing abietic acid as a main component. Examples of the rosins include abietic acid and acryl-modified rosins. The flux is preferably rosins, more preferably abietic acid. The use of this preferable flux further enhances the reliability of electrical connection between the electrodes.

上記フラックスの活性温度(融点)は、好ましくは50℃以上、より好ましくは70℃以上、さらに好ましくは80℃以上であり、好ましくは200℃以下、より好ましくは190℃以下、より一層好ましくは160℃以下、さらに好ましくは150℃以下、さらに一層好ましくは140℃以下である。上記フラックスの活性温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、フラックス効果がより一層効果的に発揮され、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。 The active temperature (melting point) of the flux is preferably 50° C. or higher, more preferably 70° C. or higher, still more preferably 80° C. or higher, preferably 200° C. or lower, more preferably 190° C. or lower, and even more preferably 160° C. °C or less, more preferably 150°C or less, and even more preferably 140°C or less. When the activation temperature of the flux is equal to or higher than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, the flux effect is exhibited more effectively, and the solder can be arranged on the electrode more efficiently.

上記フラックスの融点は、示差走査熱量測定(DSC)により求めることができる。示差走査熱量測定(DSC)装置としては、SII社製「EXSTAR DSC7020」等が挙げられる。 The melting point of the flux can be determined by differential scanning calorimetry (DSC). Examples of the differential scanning calorimeter (DSC) device include "EXSTAR DSC7020" manufactured by SII.

また、上記フラックスの沸点は200℃以下であることが好ましい。 Also, the boiling point of the flux is preferably 200° C. or lower.

電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記熱硬化剤の反応開始温度よりも、高いことが好ましく、5℃以上高いことがより好ましく、10℃以上高いことが更に好ましい。 From the viewpoint of arranging the solder on the electrode more efficiently, the melting point of the flux is preferably higher than the reaction initiation temperature of the thermosetting agent, more preferably 5° C. or higher, and 10° C. or higher. Higher is more preferred.

上記フラックスは、導電材料中に分散されていてもよく、はんだ粒子の表面上に付着していてもよい。 The flux may be dispersed in the conductive material or adhered to the surfaces of the solder particles.

上記フラックスは、加熱によりカチオンを放出するフラックスであることが好ましい。加熱によりカチオンを放出するフラックスの使用により、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。 The flux is preferably a flux that releases cations when heated. The use of a flux that releases cations upon heating allows for much more efficient placement of the solder on the electrodes.

上記加熱によりカチオンを放出するフラックスとしては、上記熱カチオン開始剤(熱カチオン硬化剤)が挙げられる。 Examples of the flux that releases cations upon heating include the thermal cationic initiator (thermal cationic curing agent).

電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点、絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記フラックスは、酸化合物と塩基化合物との塩であることが好ましい。 From the viewpoints of more efficiently arranging the solder on the electrode, more effectively improving the insulation reliability, and more effectively improving the conduction reliability, the above-mentioned flux contains an acid compound and a base compound. It is preferably a salt with.

上記酸化合物は、カルボキシル基を有する有機化合物であることが好ましい。上記酸化合物としては、脂肪族系カルボン酸であるマロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、クエン酸、リンゴ酸、環状脂肪族カルボン酸であるシクロヘキシルカルボン酸、1,4-シクロヘキシルジカルボン酸、芳香族カルボン酸であるイソフタル酸、テレフタル酸、トリメリット酸、及びエチレンジアミン四酢酸等が挙げられる。電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点、絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記酸化合物は、グルタル酸、シクロヘキシルカルボン酸、又はアジピン酸であることが好ましい。 The acid compound is preferably an organic compound having a carboxyl group. Examples of the acid compound include aliphatic carboxylic acids such as malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, citric acid, malic acid, and cycloaliphatic carboxylic acids. Examples include cyclohexylcarboxylic acid, 1,4-cyclohexyldicarboxylic acid, isophthalic acid which is an aromatic carboxylic acid, terephthalic acid, trimellitic acid, and ethylenediaminetetraacetic acid. From the viewpoints of more efficiently arranging the solder on the electrode, more effectively improving the insulation reliability, and more effectively improving the conduction reliability, the above acid compounds include glutaric acid, cyclohexyl Carboxylic acid or adipic acid is preferred.

上記塩基化合物は、アミノ基を有する有機化合物であることが好ましい。上記塩基化合物としては、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、エチルジエタノールアミン、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、ベンズヒドリルアミン、2-メチルベンジルアミン、3-メチルベンジルアミン、4-tert-ブチルベンジルアミン、N-メチルベンジルアミン、N-エチルベンジルアミン、N-フェニルベンジルアミン、N-tert-ブチルベンジルアミン、N-イソプロピルベンジルアミン、N,N-ジメチルベンジルアミン、イミダゾール化合物、及びトリアゾール化合物が挙げられる。電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点、絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記塩基化合物は、ベンジルアミンであることが好ましい。 The basic compound is preferably an organic compound having an amino group. Examples of the base compound include diethanolamine, triethanolamine, methyldiethanolamine, ethyldiethanolamine, cyclohexylamine, dicyclohexylamine, benzylamine, benzhydrylamine, 2-methylbenzylamine, 3-methylbenzylamine, 4-tert-butylbenzylamine. , N-methylbenzylamine, N-ethylbenzylamine, N-phenylbenzylamine, N-tert-butylbenzylamine, N-isopropylbenzylamine, N,N-dimethylbenzylamine, imidazole compounds, and triazole compounds. . From the viewpoint of more efficiently arranging solder on the electrode, more effectively improving insulation reliability, and more effectively improving conduction reliability, the base compound is benzylamine. is preferred.

上記導電材料100重量%中、上記フラックスの含有量は、好ましくは0.5重量%以上であり、好ましくは30重量%以下、より好ましくは25重量%以下である。上記フラックスの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ及び電極の表面に酸化被膜がより一層形成され難くなり、さらに、はんだ及び電極の表面に形成された酸化被膜をより一層効果的に除去できる。 The flux content in 100% by weight of the conductive material is preferably 0.5% by weight or more, preferably 30% by weight or less, and more preferably 25% by weight or less. If the content of the flux is above the lower limit and below the upper limit, it becomes even more difficult to form an oxide film on the surface of the solder and the electrode, and the oxide film formed on the surface of the solder and the electrode is further effectively removed. can be effectively removed.

(フィラー)
上記導電材料は、フィラーを含んでいてもよい。上記フィラーは、有機フィラーであってもよく、無機フィラーであってもよい。上記導電材料がフィラーを含むことにより、基板の全電極上に対して、はんだをより一層均一に凝集させることができる。また、上記導電材料がフィラーを含むことにより、上記導電材料中に上記はんだ粒子をより一層均一に分散させることができる。
(filler)
The conductive material may contain a filler. The filler may be an organic filler or an inorganic filler. By including the filler in the conductive material, the solder can be more uniformly agglomerated on all the electrodes of the substrate. In addition, since the conductive material contains a filler, the solder particles can be more uniformly dispersed in the conductive material.

上記導電材料は、上記フィラーを含まないか、又は上記フィラーを5重量%以下で含むことが好ましい。上記熱硬化性化合物を用いている場合には、フィラーの含有量が少ないほど、電極上にはんだ粒子が移動しやすくなる。 Preferably, the conductive material does not contain the filler, or contains the filler in an amount of 5% by weight or less. When the thermosetting compound is used, the smaller the content of the filler, the easier it is for the solder particles to move onto the electrode.

上記導電材料100重量%中、上記フィラーの含有量は、好ましくは0重量%(未含有)以上であり、好ましくは5重量%以下、より好ましくは2重量%以下、さらに好ましくは1重量%以下である。上記フィラーの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだが電極上により一層均一に配置される。 In 100% by weight of the conductive material, the content of the filler is preferably 0% by weight (not included) or more, preferably 5% by weight or less, more preferably 2% by weight or less, and further preferably 1% by weight or less. is. When the content of the filler is equal to or more than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the solder is arranged more uniformly on the electrode.

(他の成分)
上記導電材料は、必要に応じて、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、チキソ剤、レベリング剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
(other ingredients)
The above-mentioned conductive material may optionally include fillers, extenders, softeners, plasticizers, thixotropic agents, leveling agents, polymerization catalysts, curing catalysts, colorants, antioxidants, heat stabilizers, light stabilizers, , ultraviolet absorbers, lubricants, antistatic agents and flame retardants.

(接続構造体及び接続構造体の製造方法)
本発明に係る接続構造体は、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、上記第1の接続対象部材と、上記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記接続部の材料が、上述した導電材料である。本発明に係る接続構造体では、上記第1の電極と上記第2の電極とが、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている。
(Connection structure and method for manufacturing the connection structure)
A connection structure according to the present invention includes a first connection object member having a first electrode on the surface, a second connection object member having a second electrode on the surface, the first connection object member, and a connecting portion connecting the second member to be connected. In the connection structure according to the present invention, the material of the connection portion is the above-described conductive material. In the connection structure according to the present invention, the first electrode and the second electrode are electrically connected by a solder portion in the connection portion.

本発明に係る接続構造体の製造方法は、上述した導電材料を用いて、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材の表面上に、上記導電材料を配置する工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記導電材料の上記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を、上記第1の電極と上記第2の電極とが対向するように配置する工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記はんだ粒子の融点以上に上記導電材料を加熱することで、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、上記導電材料により形成し、かつ、上記第1の電極と上記第2の電極とを、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程を備える。 A method for manufacturing a connected structure according to the present invention includes the step of placing the conductive material on the surface of the first member to be connected having the first electrode on the surface thereof, using the conductive material described above. In the method for manufacturing a connected structure according to the present invention, a second member to be connected having a second electrode on the surface thereof is formed on the surface of the conductive material opposite to the first member to be connected. A step of arranging the one electrode and the second electrode so as to face each other. In the method for manufacturing a connected structure according to the present invention, the first member to be connected and the second member to be connected are connected by heating the conductive material to the melting point of the solder particles or higher. forming a section from the conductive material, and electrically connecting the first electrode and the second electrode by a solder section in the connecting section.

本発明に係る接続構造体及び接続構造体の製造方法では、特定の導電材料を用いているので、はんだ粒子が第1の電極と第2の電極との間に集まりやすく、はんだを電極(ライン)上に効率的に配置することができる。また、はんだの一部が、電極が形成されていない領域(スペース)に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだの量をかなり少なくすることができる。従って、第1の電極と第2の電極との間の導通信頼性を高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続を防ぐことができ、絶縁信頼性を高めることができる。 In the connection structure and the method for manufacturing the connection structure according to the present invention, since a specific conductive material is used, solder particles tend to gather between the first electrode and the second electrode, and the solder is applied to the electrodes (line ) can be efficiently placed on the Also, part of the solder is less likely to be placed in the regions (spaces) where the electrodes are not formed, and the amount of solder placed in the regions where the electrodes are not formed can be considerably reduced. Therefore, reliability of conduction between the first electrode and the second electrode can be improved. Moreover, it is possible to prevent electrical connection between laterally adjacent electrodes, which should not be connected, and improve insulation reliability.

また、電極上にはんだをより一層効率的に配置し、かつ電極が形成されていない領域に配置されるはんだの量をかなり少なくするためには、上記導電材料は、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いることが好ましい。 Also, in order to place the solder on the electrodes more efficiently and to significantly reduce the amount of solder placed in the areas where the electrodes are not formed, the conductive material is a conductive paste rather than a conductive film. is preferably used.

電極間でのはんだ部の厚みは、好ましくは10μm以上、より好ましくは20μm以上であり、好ましくは100μm以下、より好ましくは80μm以下である。電極の表面上のはんだ濡れ面積(電極の露出した面積100%中のはんだが接している面積)は、好ましくは50%以上、より好ましくは70%以上であり、好ましくは100%以下である。 The thickness of the solder portion between the electrodes is preferably 10 μm or more, more preferably 20 μm or more, and preferably 100 μm or less, more preferably 80 μm or less. The solder-wetting area on the surface of the electrode (the area in contact with solder in 100% of the exposed area of the electrode) is preferably 50% or more, more preferably 70% or more, and preferably 100% or less.

本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、上記導電材料には、上記第2の接続対象部材の重量が加わることが好ましい。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、上記導電材料には、上記第2の接続対象部材の重量の力を超える加圧圧力は加わらないことが好ましい。これらの場合には、複数のはんだ部において、はんだ量の均一性をより一層高めることができる。さらに、はんだ部の厚みをより一層効果的に厚くすることができ、複数のはんだ粒子が電極間に多く集まりやすくなり、複数のはんだ粒子を電極(ライン)上により一層効率的に配置することができる。また、複数のはんだ粒子の一部が、電極が形成されていない領域(スペース)に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだの量をより一層少なくすることができる。従って、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続をより一層防ぐことができ、絶縁信頼性をより一層高めることができる。 In the method for manufacturing a connected structure according to the present invention, pressure is not applied in the step of arranging the second member to be connected and the step of forming the connecting portion, and the second connection is not applied to the conductive material. Preferably, the weight of the target member is added. In the method for manufacturing a connected structure according to the present invention, in the step of arranging the second member to be connected and the step of forming the connecting portion, the conductive material does not have the force of the weight of the second member to be connected. It is preferable not to apply a pressure exceeding . In these cases, it is possible to further improve the uniformity of the amount of solder in the plurality of solder portions. In addition, the thickness of the solder portion can be increased more effectively, a plurality of solder particles can easily gather between the electrodes, and a plurality of solder particles can be more efficiently arranged on the electrodes (lines). can. In addition, it is difficult for some of the plurality of solder particles to be arranged in the regions (spaces) where the electrodes are not formed, and the amount of solder arranged in the regions where the electrodes are not formed can be further reduced. Therefore, it is possible to further improve the reliability of electrical connection between the electrodes. Moreover, it is possible to further prevent electrical connection between laterally adjacent electrodes that should not be connected, thereby further enhancing insulation reliability.

また、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いれば、導電ペーストの塗布量によって、接続部及びはんだ部の厚みを調整することが容易になる。一方で、導電フィルムでは、接続部の厚みを変更したり、調整したりするためには、異なる厚みの導電フィルムを用意したり、所定の厚みの導電フィルムを用意したりしなければならないという問題がある。また、導電フィルムでは、導電ペーストと比べて、はんだ粒子の溶融温度で、導電フィルムの溶融粘度を十分に下げることができず、はんだ粒子の凝集が阻害されやすい傾向がある。 Also, if a conductive paste is used instead of a conductive film, it becomes easier to adjust the thickness of the connecting portion and the solder portion by adjusting the amount of the conductive paste applied. On the other hand, with the conductive film, in order to change or adjust the thickness of the connection part, there is a problem that it is necessary to prepare conductive films with different thicknesses or prepare conductive films with a predetermined thickness. There is Moreover, in the conductive film, the melt viscosity of the conductive film cannot be sufficiently lowered at the melting temperature of the solder particles as compared with the conductive paste, and the agglomeration of the solder particles tends to be easily inhibited.

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明する。 Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて得られる接続構造体を模式的に示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a connected structure obtained using a conductive material according to one embodiment of the present invention.

図1に示す接続構造体1は、第1の接続対象部材2と、第2の接続対象部材3と、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とを接続している接続部4とを備える。接続部4は、上述した導電材料により形成されている。本実施形態では、上記導電材料は、熱硬化性成分と、複数のはんだ粒子と、フラックスとを含む。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含む。本実施形態では、導電材料として、導電ペーストが用いられている。 A connection structure 1 shown in FIG. a part 4; The connecting portion 4 is made of the conductive material described above. In this embodiment, the conductive material includes a thermosetting component, a plurality of solder particles, and flux. The thermosetting component includes a thermosetting compound and a thermosetting agent. In this embodiment, a conductive paste is used as the conductive material.

接続部4は、複数のはんだ粒子が集まり互いに接合したはんだ部4Aと、熱硬化性成分が熱硬化された硬化物部4Bとを有する。 The connection portion 4 has a solder portion 4A in which a plurality of solder particles are gathered and joined together, and a cured product portion 4B in which a thermosetting component is thermally cured.

第1の接続対象部材2は表面(上面)に、複数の第1の電極2aを有する。第2の接続対象部材3は表面(下面)に、複数の第2の電極3aを有する。第1の電極2aと第2の電極3aとが、はんだ部4Aにより電気的に接続されている。従って、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とが、はんだ部4Aにより電気的に接続されている。なお、接続部4において、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まったはんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)では、はんだは存在しない。はんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)では、はんだ部4Aと離れたはんだは存在しない。なお、少量であれば、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まったはんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)に、はんだが存在していてもよい。なお、はんだが電極の表面に濡れ拡がっていることが好ましく、必ずしも、はんだが上下の電極間に集まっていなくてもよい。 The first connection target member 2 has a plurality of first electrodes 2a on its surface (upper surface). The second connection target member 3 has a plurality of second electrodes 3a on its surface (lower surface). The first electrode 2a and the second electrode 3a are electrically connected by a solder portion 4A. Therefore, the first connection target member 2 and the second connection target member 3 are electrically connected by the solder portion 4A. In the connection portion 4, solder does not exist in a region (cured material portion 4B portion) different from the solder portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a. In a region different from the solder portion 4A (hardened material portion 4B portion), there is no solder separate from the solder portion 4A. As long as the amount is small, the solder may exist in a region (cured material portion 4B portion) different from the solder portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a. In addition, it is preferable that the solder wets and spreads on the surfaces of the electrodes, and the solder does not necessarily have to be collected between the upper and lower electrodes.

図1に示すように、接続構造体1では、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に、複数のはんだ粒子が集まり、複数のはんだ粒子が溶融した後、はんだ粒子の溶融物が電極の表面を濡れ拡がった後に固化して、はんだ部4Aが形成されている。このため、はんだ部4Aと第1の電極2a、並びにはんだ部4Aと第2の電極3aとの接続面積が大きくなる。すなわち、はんだ粒子を用いることにより、外表面がニッケル、金又は銅等の金属である導電性粒子を用いた場合と比較して、はんだ部4Aと第1の電極2a、並びにはんだ部4Aと第2の電極3aとの接触面積が大きくなる。このことによっても、接続構造体1における導通信頼性及び接続信頼性が高くなる。なお、導電材料に含まれるフラックスは、一般に、加熱により次第に失活する。 As shown in FIG. 1, in the connection structure 1, a plurality of solder particles gather between the first electrode 2a and the second electrode 3a. Wet and spread the surface of the electrode and then solidify to form the solder portion 4A. Therefore, the connection areas between the solder portion 4A and the first electrode 2a and between the solder portion 4A and the second electrode 3a are increased. That is, by using the solder particles, the solder portion 4A and the first electrode 2a, and the solder portion 4A and the second electrode 2a, compared to the case of using the conductive particles whose outer surface is a metal such as nickel, gold, or copper. 2, the contact area with the electrode 3a becomes large. This also increases the conduction reliability and connection reliability in the connection structure 1 . Note that the flux contained in the conductive material is generally gradually deactivated by heating.

なお、図1に示す接続構造体1では、はんだ部4Aの全てが、第1,第2の電極2a,3a間の対向している領域に位置している。図3に示す変形例の接続構造体1Xは、接続部4Xのみが、図1に示す接続構造体1と異なる。接続部4Xは、はんだ部4XAと硬化物部4XBとを有する。接続構造体1Xのように、はんだ部4XAの多くが、第1,第2の電極2a,3aの対向している領域に位置しており、はんだ部4XAの一部が第1,第2の電極2a,3aの対向している領域から側方にはみ出していてもよい。第1,第2の電極2a,3aの対向している領域から側方にはみ出しているはんだ部4XAは、はんだ部4XAの一部であり、はんだ部4XAから離れたはんだではない。なお、本実施形態では、はんだ部から離れたはんだの量を少なくすることができるが、はんだ部から離れたはんだが硬化物部中に存在していてもよい。 In addition, in the connection structure 1 shown in FIG. 1, all of the solder portions 4A are located in the opposing regions between the first and second electrodes 2a and 3a. A connection structure 1X of a modification shown in FIG. 3 differs from the connection structure 1 shown in FIG. 1 only in connection portions 4X. The connection portion 4X has a solder portion 4XA and a cured product portion 4XB. Like the connection structure 1X, most of the solder portion 4XA is located in the region where the first and second electrodes 2a and 3a face each other, and part of the solder portion 4XA is located between the first and second electrodes 2a and 3a. It may protrude laterally from the regions where the electrodes 2a and 3a face each other. The solder portion 4XA protruding laterally from the regions where the first and second electrodes 2a and 3a face each other is a part of the solder portion 4XA and is not solder separate from the solder portion 4XA. In this embodiment, the amount of solder separated from the solder portion can be reduced, but the solder separated from the solder portion may exist in the cured product portion.

はんだ粒子の使用量を少なくすれば、接続構造体1を得ることが容易になる。はんだ粒子の使用量を多くすれば、接続構造体1Xを得ることが容易になる。 If the amount of solder particles used is reduced, it becomes easier to obtain the connection structure 1 . If the amount of solder particles used is increased, it becomes easier to obtain the connection structure 1X.

接続構造体1,1Xでは、第1の電極2aと接続部4,4Xと第2の電極3aとの積層方向に第1の電極2aと第2の電極3aとの対向し合う部分をみたときに、第1の電極2aと第2の電極3aとの対向し合う部分の面積100%中の50%以上に、接続部4,4X中のはんだ部4A,4XAが配置されていることが好ましい。接続部4,4X中のはんだ部4A,4XAが、上記の好ましい態様を満足することで、導通信頼性をより一層高めることができる。 In the connection structures 1, 1X, when the first electrode 2a, the connection portion 4, 4X, and the second electrode 3a are stacked in the direction in which the first electrode 2a and the second electrode 3a face each other, Furthermore, it is preferable that the solder portions 4A and 4XA in the connection portions 4 and 4X are arranged in 50% or more of the 100% area of the portion where the first electrode 2a and the second electrode 3a face each other. . When the solder portions 4A and 4XA in the connection portions 4 and 4X satisfy the above preferred aspects, the electrical connection reliability can be further enhanced.

上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の50%以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることが好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の60%以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることがより好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の70%以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることがさらに好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の80%以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることが特に好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の90%以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることが最も好ましい。上記接続部中のはんだ部が、上記の好ましい態様を満足することで、導通信頼性をより一層高めることができる。 When the facing portion of the first electrode and the second electrode is viewed in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode It is preferable that the solder portion in the connection portion is arranged in 50% or more of 100% of the area of the portion facing the two electrodes. When the facing portion of the first electrode and the second electrode is viewed in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode More preferably, the solder portion in the connecting portion is arranged in 60% or more of 100% of the area of the portion facing the two electrodes. When the facing portion of the first electrode and the second electrode is viewed in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode More preferably, the solder portion in the connection portion is arranged in 70% or more of 100% of the area of the portion facing the two electrodes. When the facing portion of the first electrode and the second electrode is viewed in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode It is particularly preferable that the solder portion in the connection portion is arranged in 80% or more of 100% of the area of the portion facing the two electrodes. When the facing portion of the first electrode and the second electrode is viewed in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode It is most preferable that the solder portion in the connection portion is arranged in 90% or more of 100% of the area of the portion facing the two electrodes. When the solder portion in the connection portion satisfies the above-mentioned preferred aspects, the reliability of conduction can be further improved.

上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向と直交する方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の60%以上が配置されていることが好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向と直交する方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の70%以上が配置されていることがより好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向と直交する方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の90%以上が配置されていることがさらに好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向と直交する方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の95%以上が配置されていることが特に好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向と直交する方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の99%以上が配置されていることが最も好ましい。上記接続部中のはんだ部が、上記の好ましい態様を満足することで、導通信頼性をより一層高めることができる。 When a portion of the first electrode and the second electrode facing each other is viewed in a direction orthogonal to the lamination direction of the first electrode, the connecting portion, and the second electrode, the first electrode It is preferable that 60% or more of the solder portion in the connection portion is arranged in the portion where the electrode and the second electrode face each other. When a portion of the first electrode and the second electrode facing each other is viewed in a direction orthogonal to the lamination direction of the first electrode, the connecting portion, and the second electrode, the first electrode More preferably, 70% or more of the solder portion in the connection portion is arranged in the portion where the electrode and the second electrode face each other. When a portion of the first electrode and the second electrode facing each other is viewed in a direction orthogonal to the lamination direction of the first electrode, the connecting portion, and the second electrode, the first electrode More preferably, 90% or more of the solder portion in the connection portion is arranged in the portion where the electrode and the second electrode face each other. When a portion of the first electrode and the second electrode facing each other is viewed in a direction orthogonal to the lamination direction of the first electrode, the connecting portion, and the second electrode, the first electrode It is particularly preferable that 95% or more of the solder portion in the connection portion is arranged in the portion where the electrode and the second electrode face each other. When a portion of the first electrode and the second electrode facing each other is viewed in a direction orthogonal to the lamination direction of the first electrode, the connecting portion, and the second electrode, the first electrode Most preferably, 99% or more of the solder portion in the connecting portion is arranged in the portion where the electrode and the second electrode face each other. When the solder portion in the connection portion satisfies the above-mentioned preferred aspects, the reliability of conduction can be further improved.

次に、図2では、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて、接続構造体1を製造する方法の一例を説明する。 Next, with reference to FIG. 2, an example of a method of manufacturing the connection structure 1 using the conductive material according to one embodiment of the present invention will be described.

先ず、第1の電極2aを表面(上面)に有する第1の接続対象部材2を用意する。次に、図2(a)に示すように、第1の接続対象部材2の表面上に、熱硬化性成分11Bと、複数のはんだ粒子11Aと、フラックスとを含む導電材料11を配置する(第1の工程)。用いた導電材料11では、熱硬化性成分11Bとして、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含む。本実施形態では、導電材料11は、導電ペーストである。 First, a first member to be connected 2 having a first electrode 2a on its surface (upper surface) is prepared. Next, as shown in FIG. 2A, a conductive material 11 containing a thermosetting component 11B, a plurality of solder particles 11A, and flux is placed on the surface of the first member 2 to be connected ( first step). The conductive material 11 used contains a thermosetting compound and a thermosetting agent as the thermosetting component 11B. In this embodiment, the conductive material 11 is a conductive paste.

第1の接続対象部材2の第1の電極2aが設けられた表面上に、導電材料11を配置する。導電材料11の配置の後に、はんだ粒子11Aは、第1の電極2a(ライン)上と、第1の電極2aが形成されていない領域(スペース)上との双方に配置されている。なお、上記導電材料は、上記第1の電極の表面上にのみ配置されてもよい。 A conductive material 11 is arranged on the surface of the first connection target member 2 on which the first electrode 2a is provided. After the placement of the conductive material 11, the solder particles 11A are placed both on the first electrodes 2a (lines) and on the regions (spaces) where the first electrodes 2a are not formed. The conductive material may be arranged only on the surface of the first electrode.

導電材料11の配置方法としては、特に限定されないが、ディスペンサーによる塗布、スクリーン印刷、及びインクジェット装置による吐出等が挙げられる。 The method of arranging the conductive material 11 is not particularly limited, but examples thereof include application using a dispenser, screen printing, and ejection using an inkjet device.

また、第2の電極3aを表面(下面)に有する第2の接続対象部材3を用意する。次に、図2(b)に示すように、第1の接続対象部材2の表面上の導電材料11において、導電材料11の第1の接続対象部材2側とは反対側の表面上に、第2の接続対象部材3を配置する(第2の工程)。導電材料11の表面上に、第2の電極3a側から、第2の接続対象部材3を配置する。このとき、第1の電極2aと第2の電極3aとを対向させる。 Also, a second connection object member 3 having a second electrode 3a on its surface (lower surface) is prepared. Next, as shown in FIG. 2(b), on the surface of the conductive material 11 on the surface of the first connection target member 2, on the surface opposite to the first connection target member 2 side of the conductive material 11, A second member to be connected 3 is arranged (second step). The second member 3 to be connected is arranged on the surface of the conductive material 11 from the side of the second electrode 3a. At this time, the first electrode 2a and the second electrode 3a are opposed to each other.

次に、はんだ粒子11Aの融点以上に導電材料11を加熱する(第3の工程)。好ましくは、熱硬化性成分11B(熱硬化性化合物)の硬化温度以上に導電材料11を加熱する。この加熱時には、電極が形成されていない領域に存在していたはんだ粒子11Aは、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まる(自己凝集効果)。導電フィルムではなく、導電ペーストを用いた場合には、はんだ粒子11Aが、第1の電極2aと第2の電極3aとの間により一層効果的に集まる。また、はんだ粒子11Aは溶融し、互いに接合する。また、熱硬化性成分11Bは熱硬化する。この結果、図2(c)に示すように、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とを接続している接続部4が、導電材料11により形成される。導電材料11により接続部4が形成され、複数のはんだ粒子11Aが接合することによってはんだ部4Aが形成され、熱硬化性成分11Bが熱硬化することによって硬化物部4Bが形成される。はんだ粒子11Aが十分に移動すれば、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に位置していないはんだ粒子11Aの移動が開始してから、第1の電極2aと第2の電極3aとの間にはんだ粒子11Aの移動が完了するまでに、温度を一定に保持しなくてもよい。 Next, the conductive material 11 is heated above the melting point of the solder particles 11A (third step). Preferably, the conductive material 11 is heated to the curing temperature of the thermosetting component 11B (thermosetting compound) or higher. During this heating, the solder particles 11A existing in the regions where no electrodes are formed gather between the first electrode 2a and the second electrode 3a (self-aggregation effect). When a conductive paste is used instead of the conductive film, the solder particles 11A gather more effectively between the first electrode 2a and the second electrode 3a. Also, the solder particles 11A are melted and joined together. Also, the thermosetting component 11B is thermoset. As a result, as shown in FIG. 2(c), the connecting portion 4 connecting the first connection target member 2 and the second connection target member 3 is formed of the conductive material 11. Next, as shown in FIG. The connecting portion 4 is formed of the conductive material 11, the solder portion 4A is formed by joining a plurality of solder particles 11A, and the cured product portion 4B is formed by thermally curing the thermosetting component 11B. If the solder particles 11A move sufficiently, the solder particles 11A that are not located between the first electrode 2a and the second electrode 3a start to move, and then the first electrode 2a and the second electrode It is not necessary to keep the temperature constant until the movement of the solder particles 11A between the solder particles 3a is completed.

本実施形態では、特定の導電材料11を用いているので、スクリーン印刷を繰り返し行っても、導電材料のにじみや導電材料のかすれ等の発生を効果的に抑制することができる。また、本実施形態では、特定の導電材料11を用いているので、印刷後の導電材料の形状を維持することができ、導電材料の配置時のムラの発生を推させることができる。結果として、接続されるべき電極間にはんだ粒子11Aをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。なお、本発明に係る導電材料は、スクリーン印刷等の印刷以外の方法でも用いることができる。 In this embodiment, since the specific conductive material 11 is used, it is possible to effectively suppress the occurrence of bleeding of the conductive material, blurring of the conductive material, and the like even if screen printing is performed repeatedly. In addition, since the specific conductive material 11 is used in the present embodiment, the shape of the conductive material after printing can be maintained, and the occurrence of unevenness during placement of the conductive material can be reduced. As a result, the solder particles 11A can be arranged more efficiently between the electrodes to be connected, and the reliability of conduction and reliability of insulation can be more effectively improved. The conductive material according to the present invention can also be used by methods other than printing, such as screen printing.

上記第2の工程及び上記第3の工程において、加圧は行われない方が好ましい。この場合には、導電材料11には、第2の接続対象部材3の重量が加わる。このため、接続部4の形成時に、はんだ粒子11Aが、第1の電極2aと第2の電極3aとの間により一層効果的に集まる。なお、上記第2の工程及び上記第3の工程の内の少なくとも一方において、加圧を行えば、はんだ粒子11Aが第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まろうとする作用が阻害される傾向が高くなる。 In the second step and the third step, it is preferable not to pressurize. In this case, the weight of the second member 3 to be connected is added to the conductive material 11 . Therefore, the solder particles 11A gather more effectively between the first electrode 2a and the second electrode 3a when forming the connecting portion 4. As shown in FIG. In at least one of the second step and the third step, when pressure is applied, the solder particles 11A tend to gather between the first electrode 2a and the second electrode 3a. are more likely to be inhibited.

また、本実施形態では、加圧を行っていないため、第1の電極2aと第2の電極3aとのアライメントが僅かにずれた状態で、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とが重ね合わされた場合でも、その僅かなずれを補正して、第1の電極2aと第2の電極3aとを接続させることができる(セルフアライメント効果)。これは、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に自己凝集している溶融したはんだが、第1の電極2aと第2の電極3aとの間のはんだと導電材料のその他の成分とが接する面積が最小となる方がエネルギー的に安定になるため、その最小の面積となる接続構造であるアライメントのあった接続構造にする力が働くためである。この際、導電材料が硬化していないこと、及び、その温度、時間にて、導電材料のはんだ粒子以外の成分の粘度が十分低いことが望ましい。 Further, in the present embodiment, since no pressure is applied, the first connection target member 2 and the second connection target member 2 are connected with the first electrode 2a and the second electrode 3a slightly misaligned. Even when the member 3 is overlaid, the first electrode 2a and the second electrode 3a can be connected by correcting a slight deviation (self-alignment effect). This is because the molten solder that is self-coalescing between the first electrode 2a and the second electrode 3a is removed from the solder and other conductive material between the first electrode 2a and the second electrode 3a. This is because the smaller the area in contact with the component is, the more stable the energy is, and the force acts to make the connection structure having the minimum area, which is the connection structure with alignment. At this time, it is desirable that the conductive material is not hardened and that the viscosity of the components other than the solder particles of the conductive material is sufficiently low at that temperature and time.

このようにして、図1に示す接続構造体1が得られる。なお、上記第2の工程と上記第3の工程とは連続して行われてもよい。また、上記第2の工程を行った後に、得られる第1の接続対象部材2と導電材料11と第2の接続対象部材3との積層体を、加熱部に移動させて、上記第3の工程を行ってもよい。上記加熱を行うために、加熱部材上に上記積層体を配置してもよく、加熱された空間内に上記積層体を配置してもよい。 Thus, the connection structure 1 shown in FIG. 1 is obtained. Note that the second step and the third step may be performed continuously. Further, after performing the second step, the obtained laminate of the first connection object member 2, the conductive material 11, and the second connection object member 3 is moved to the heating unit, and the third step is performed. process may be performed. To perform the heating, the laminate may be placed on a heating member, or the laminate may be placed in a heated space.

上記第3の工程における上記加熱温度は、好ましくは230℃以上、より好ましくは250℃以上であり、好ましくは450℃以下、より好ましくは350℃以下、さらに好ましくは300℃以下である。 The heating temperature in the third step is preferably 230° C. or higher, more preferably 250° C. or higher, and preferably 450° C. or lower, more preferably 350° C. or lower, and still more preferably 300° C. or lower.

上記第3の工程における加熱方法としては、はんだの融点以上及び熱硬化性成分の硬化温度以上に、接続構造体全体を、リフロー炉を用いて又はオーブンを用いて加熱する方法や、接続構造体の接続部のみを局所的に加熱する方法が挙げられる。 As the heating method in the third step, a method of heating the entire connection structure to a temperature above the melting point of the solder and above the curing temperature of the thermosetting component using a reflow furnace or an oven, or a method of heating the connection structure A method of locally heating only the connection portion of the .

局所的に加熱する方法に用いる器具としては、ホットプレート、熱風を付与するヒートガン、はんだゴテ、及び赤外線ヒーター等が挙げられる。 Tools used in the local heating method include a hot plate, a heat gun that applies hot air, a soldering iron, an infrared heater, and the like.

また、ホットプレートにて局所的に加熱する際、接続部直下は、熱伝導性の高い金属にて、その他の加熱することが好ましくない個所は、フッ素樹脂等の熱伝導性の低い材質にて、ホットプレート上面を形成することが好ましい。 Also, when locally heating with a hot plate, use a metal with high thermal conductivity just below the connection part, and use a material with low thermal conductivity such as fluororesin for other places that are not desirable to heat. , preferably forming a hot plate top surface.

上記第1,第2の接続対象部材は、特に限定されない。上記第1,第2の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、半導体パッケージ、LEDチップ、LEDパッケージ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びに樹脂フィルム、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、リジッドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板等の電子部品等が挙げられる。上記第1,第2の接続対象部材は、電子部品であることが好ましい。 The first and second members to be connected are not particularly limited. Specifically, the first and second connection target members include electronic components such as semiconductor chips, semiconductor packages, LED chips, LED packages, capacitors and diodes, resin films, printed boards, flexible printed boards, flexible Examples include electronic components such as circuit boards such as flat cables, rigid flexible boards, glass epoxy boards and glass boards. The first and second members to be connected are preferably electronic components.

上記第1の接続対象部材及び上記第2の接続対象部材の内の少なくとも一方が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板は、柔軟性が高く、比較的軽量であるという性質を有する。このような接続対象部材の接続に導電フィルムを用いた場合には、はんだ粒子が電極上に集まりにくい傾向がある。これに対して、導電ペーストを用いることで、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いたとしても、はんだ粒子を電極上に効率的に集めることで、電極間の導通信頼性を十分に高めることができる。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いる場合に、半導体チップ等の他の接続対象部材を用いた場合と比べて、加圧を行わないことによる電極間の導通信頼性の向上効果がより一層効果的に得られる。 At least one of the first member to be connected and the second member to be connected is preferably a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board. Resin films, flexible printed boards, flexible flat cables, and rigid flexible boards have properties of being highly flexible and relatively lightweight. When a conductive film is used to connect such members to be connected, solder particles tend to be less likely to gather on the electrodes. On the other hand, by using a conductive paste, even if a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible circuit board is used, by efficiently collecting solder particles on the electrodes, the reliability of the conduction between the electrodes can be improved. can fully enhance sexuality. When using a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible circuit board, compared to the case of using other connection target members such as semiconductor chips, the conduction reliability between electrodes is improved by not applying pressure. An improvement effect can be obtained more effectively.

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極、SUS電極、及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極、銀電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。 The electrodes provided on the connection object members include metal electrodes such as gold electrodes, nickel electrodes, tin electrodes, aluminum electrodes, copper electrodes, molybdenum electrodes, silver electrodes, SUS electrodes, and tungsten electrodes. When the member to be connected is a flexible printed circuit board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, a silver electrode or a copper electrode. When the member to be connected is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, or a tungsten electrode. When the electrode is an aluminum electrode, it may be an electrode made of only aluminum, or an electrode in which an aluminum layer is laminated on the surface of a metal oxide layer. Examples of materials for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal elements include Sn, Al and Ga.

本発明に係る接続構造体では、上記第1の電極及び上記第2の電極は、エリアアレイ又はペリフェラルにて配置されていることが好ましい。上記第1の電極及び上記第2の電極が、エリアアレイ又はペリフェラルにて配置されている場合において、はんだを電極上により一層効果的に凝集させることができる。上記エリアアレイとは、接続対象部材の電極が配置されている面にて、格子状に電極が配置されている構造のことである。上記ペリフェラルとは、接続対象部材の外周部に電極が配置されている構造のことである。電極が櫛型に並んでいる構造の場合は、櫛に垂直な方向に沿ってはんだが凝集すればよいのに対して、上記エリアアレイ又はペリフェラル構造では電極が配置されている面において、全面にて均一にはんだが凝集する必要がある。そのため、従来の方法では、はんだ量が不均一になりやすいのに対して、本発明の方法では、全面にて均一にはんだを凝集させることができる。 In the connection structure according to the present invention, it is preferable that the first electrode and the second electrode are arranged in an area array or a peripheral. In the case where the first electrodes and the second electrodes are arranged in an area array or peripheral arrangement, the solder can be more effectively agglomerated on the electrodes. The area array is a structure in which electrodes are arranged in a grid pattern on the surface of the member to be connected where the electrodes are arranged. The peripheral is a structure in which electrodes are arranged on the outer periphery of the member to be connected. In the case of the structure in which the electrodes are arranged in a comb shape, the solder should be aggregated along the direction perpendicular to the comb. The solder should agglomerate uniformly. Therefore, in the conventional method, the amount of solder tends to be non-uniform, whereas in the method of the present invention, the solder can be uniformly aggregated over the entire surface.

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。 EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples and comparative examples. The invention is not limited only to the following examples.

熱硬化性成分(熱硬化性化合物):
熱硬化性化合物1:フェノールノボラック型エポキシ化合物、DOW社製「DEN431」
熱硬化性化合物2:ビスフェノールA型エポキシ化合物、DOW社製「DER354」
Thermosetting component (thermosetting compound):
Thermosetting compound 1: Phenol novolac type epoxy compound, "DEN431" manufactured by DOW
Thermosetting compound 2: Bisphenol A type epoxy compound, "DER354" manufactured by DOW

熱硬化性成分(硬化促進剤):
硬化促進剤1:東京化成工業社製「BF3-MEA」、三フッ化ホウ素-モノエチルアミン錯体
Thermosetting component (curing accelerator):
Curing accelerator 1: "BF3-MEA" manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., boron trifluoride-monoethylamine complex

はんだ粒子:
はんだ粒子をふるいで選別することにより、以下のはんだ粒子1~5を得た。
Solder particles:
Solder particles 1 to 5 below were obtained by screening the solder particles with a sieve.

はんだ粒子1:Sn96.5Ag3Cu0.5はんだ粒子、平均粒子径100nm
はんだ粒子2:Sn96.5Ag3Cu0.5はんだ粒子、平均粒子径2μm
はんだ粒子3:Sn96.5Ag3Cu0.5はんだ粒子、平均粒子径3μm
はんだ粒子4:Sn96.5Ag3Cu0.5はんだ粒子、平均粒子径10μm
はんだ粒子5:Sn96.5Ag3Cu0.5はんだ粒子、平均粒子径30μm
Solder particles 1: Sn96.5Ag3Cu0.5 solder particles, average particle size 100 nm
Solder particles 2: Sn96.5Ag3Cu0.5 solder particles, average particle size 2 μm
Solder particles 3: Sn96.5Ag3Cu0.5 solder particles, average particle size 3 μm
Solder particles 4: Sn96.5Ag3Cu0.5 solder particles, average particle size 10 μm
Solder particles 5: Sn96.5Ag3Cu0.5 solder particles, average particle size 30 μm

フラックス:
フラックス1:「グルタル酸ベンジルアミン塩」、融点108℃
フラックス1の作製方法:
ガラスビンに、反応溶媒である水45g及びエタノール75gと、アジピン酸(和光純薬工業社製)13.89gとを入れ、室温で均一になるまで溶解させた。その後、ベンジルアミン(和光純薬工業社製)10.715gを入れて、約5分間撹拌し、混合液を得た。得られた混合液を5℃~10℃の冷蔵庫に入れて、一晩放置した。析出した結晶をろ過により分取し、水で洗浄し、真空乾燥し、フラックス1を得た。
flux:
Flux 1: "glutaric acid benzylamine salt", melting point 108°C
How to make Flux 1:
45 g of water, 75 g of ethanol, and 13.89 g of adipic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), which are reaction solvents, were placed in a glass bottle and dissolved at room temperature until uniform. After that, 10.715 g of benzylamine (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added and stirred for about 5 minutes to obtain a mixed liquid. The resulting mixture was placed in a refrigerator at 5°C to 10°C and allowed to stand overnight. Precipitated crystals were separated by filtration, washed with water, and dried in a vacuum to obtain a flux 1.

(実施例1,2及び比較例1~3)
(1)導電材料(異方性導電ペースト)の作製
下記の表1に示す成分を下記の表1に示す配合量で配合して、導電材料(異方性導電ペースト)を得た。
(Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3)
(1) Preparation of Conductive Material (Anisotropic Conductive Paste) The components shown in Table 1 below were blended in the amounts shown in Table 1 below to obtain a conductive material (anisotropic conductive paste).

(2)接続構造体の作製
第1の接続対象部材として、銅電極パターン(L/S:50μm/50μm、電極の長さ:3mm、電極の厚み:12μm)を上面に有するガラスエポキシ基板(FR-4基板、厚み0.6mm)を用意した。
(2) Fabrication of connection structure As the first member to be connected, a glass epoxy substrate (FR -4 substrate, thickness 0.6 mm) was prepared.

第2の接続対象部材として、銅電極パターン(L/S:50μm/50μm、電極の長さ:3mm、電極の厚み:12μm)を下面に有するフレキシブルプリント基板(ポリイミドにより形成、厚み0.1mm)を用意した。 As a second member to be connected, a flexible printed circuit board (made of polyimide, thickness 0.1 mm) having a copper electrode pattern (L/S: 50 μm/50 μm, electrode length: 3 mm, electrode thickness: 12 μm) on the lower surface. prepared.

上記ガラスエポキシ基板の上面に、スクリーン印刷により、作製直後の導電材料(異方性導電ペースト)を厚さ100μmとなるように印刷し、導電材料(異方性導電ペースト)層を形成した。次に、導電材料(異方性導電ペースト)層の上面にフレキシブルプリント基板を電極同士が対向するように積層した。導電材料(異方性導電ペースト)層には、上記フレキシブルプリント基板の重量は加わる。その状態から、導電材料(異方性導電ペースト)層の温度が、昇温開始から5秒後にはんだ粒子の融点となるように加熱した。さらに、昇温開始から15秒後に、導電材料(異方性導電ペースト)層の温度が200℃となるように加熱し、導電材料(異方性導電ペースト)層を硬化させ、接続構造体を得た。加熱時には、加圧を行わなかった。 A conductive material (anisotropic conductive paste) immediately after production was printed on the upper surface of the glass epoxy substrate by screen printing so as to have a thickness of 100 μm to form a conductive material (anisotropic conductive paste) layer. Next, a flexible printed circuit board was laminated on the upper surface of the conductive material (anisotropic conductive paste) layer so that the electrodes faced each other. The weight of the flexible printed circuit board is added to the conductive material (anisotropic conductive paste) layer. From this state, the temperature of the conductive material (anisotropic conductive paste) layer was heated to reach the melting point of the solder particles after 5 seconds from the start of heating. Furthermore, after 15 seconds from the start of temperature rise, the conductive material (anisotropic conductive paste) layer is heated to 200° C. to cure the conductive material (anisotropic conductive paste) layer and form the connection structure. Obtained. No pressure was applied during heating.

(評価)
(1)はんだ粒子の粒度分布
はんだ粒子の体積基準での粒度分布を、レーザー回折式粒度分布測定装置(マルバーン社製「マスターサイザー3000」)を用いて測定した。解析方法は、粒子形状を球形、粒子密度を7.4g/cmとし、光強度分布パターンを求めた。得られた粒度分布の結果から、以下を求めた。なお、粒度分布において、1個のピークのみが観察されたときは、第1のピークは、該ピークを意味する。粒度分布において、2個以上のピークが観察されたときは、第1のピークは、存在する全てのピークのうちピーク高さが最も高いピークを意味し、第2のピークは、存在する全てのピークのうちピーク高さが2番目に高いピークを意味する。
(evaluation)
(1) Particle Size Distribution of Solder Particles Volume-based particle size distribution of solder particles was measured using a laser diffraction particle size distribution analyzer ("Mastersizer 3000" manufactured by Malvern). As for the analysis method, the particle shape was spherical, the particle density was 7.4 g/cm 3 , and the light intensity distribution pattern was determined. From the obtained particle size distribution results, the following was obtained. In addition, when only one peak is observed in the particle size distribution, the first peak means this peak. When two or more peaks are observed in the particle size distribution, the first peak means the peak with the highest peak height among all existing peaks, and the second peak means all existing peaks. It means the peak with the second highest peak height among the peaks.

粒子径が1μm以下である領域に存在するピークの数
粒度分布の全体の積分値100%中、粒子径が1μm以下である領域に存在する全てのピークの積分値の割合
はんだ粒子のD50
第1のピークの粒子径(ピークトップの粒子径)
第2のピークの粒子径(ピークトップの粒子径)
第1のピークの積分値
第2のピークの積分値
比(第1のピークの積分値/第2のピークの積分値)
比(第1のピークのピーク高さ/第2のピークのピーク高さ)
Number of peaks present in a region with a particle diameter of 1 μm or less Percentage of integrated values of all peaks present in a region with a particle diameter of 1 μm or less in 100% of the integrated value of the entire particle size distribution D50 of solder particles
Particle size of first peak (particle size of peak top)
Second peak particle size (peak top particle size)
Integrated value of first peak Integrated value of second peak Ratio (integrated value of first peak/integrated value of second peak)
Ratio (peak height of first peak/peak height of second peak)

以下の基準により、粒度分布の全体の積分値100%中、粒子径が1μm以下である領域に存在する全てのピークの積分値の割合、D50、比(第1のピークの積分値/第2のピークの積分値)、及び比(第1のピークのピーク高さ/第2のピークのピーク高さ)を評価した。 According to the following criteria, the ratio of the integrated values of all peaks present in the region where the particle diameter is 1 μm or less in 100% of the overall integrated value of the particle size distribution, D50, the ratio (integrated value of the first peak / second ) and the ratio (peak height of the first peak/peak height of the second peak) were evaluated.

[粒度分布の全体の積分値100%中、粒子径が1μm以下である領域に存在する全てのピークの積分値の割合の判定基準]
○○:50%以上
○:30%以上50%未満
×:30%未満
[Criteria for determination of percentage of integrated values of all peaks present in regions with particle diameters of 1 μm or less in 100% of integrated values of overall particle size distribution]
○○: 50% or more ○: 30% or more and less than 50% ×: less than 30%

[はんだ粒子のD50の判定基準]
○○:10nm以上1μm以下
○:1μmを超え3μm以下
×:3μmを超える
[Determination Criteria for D50 of Solder Particles]
○○: 10 nm or more and 1 μm or less ○: More than 1 μm and 3 μm or less ×: More than 3 μm

[比(第1のピークの積分値/第2のピークの積分値)の判定基準]
○○:1以上5以下
×:5を超える
[Ratio (integral value of first peak/integral value of second peak)]
○○: 1 or more and 5 or less ×: more than 5

[比(第1のピークのピーク高さ/第2のピークのピーク高さ)の判定基準]
○○:1以上5以下
×:5を超える
[Ratio (peak height of first peak/peak height of second peak)]
○○: 1 or more and 5 or less ×: more than 5

(2)作製直後の導電材料の25℃での粘度(η25)
得られた導電材料(異方性導電ペースト)の作製直後の25℃、5rpmでの粘度(η25)を、E型粘度計(東機産業社製「TVE22L」)を用いて測定した。
(2) Viscosity (η25) at 25°C of the conductive material immediately after fabrication
The viscosity (η25) of the obtained conductive material (anisotropic conductive paste) at 25°C and 5 rpm immediately after preparation was measured using an E-type viscometer (“TVE22L” manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.).

[粘度(η25)の判定基準]
○○:120Pa・s以上180Pa・s以下
○:100Pa・s以上120Pa・s未満、又は、180Pa・sを超え200Pa・s以下
×:100Pa・s未満、又は、200Pa・sを超える
[Criteria for Viscosity (η25)]
○○: 120 Pa s or more and 180 Pa s or less ○: 100 Pa s or more and less than 120 Pa s, or more than 180 Pa s and 200 Pa s or less ×: less than 100 Pa s, or more than 200 Pa s

(3)TI
得られた導電材料(異方性導電ペースト)の作製直後の25℃、5rpmでの粘度(η25)及び25℃、0.5rpmでの粘度を、E型粘度計(東機産業社製「TVE22L」)を用いてそれぞれ測定し、下記式よりTIを算出した。
(3) TI
The viscosity (η25) at 25° C. and 5 rpm immediately after preparation of the obtained conductive material (anisotropic conductive paste) and the viscosity at 25° C. and 0.5 rpm were measured using an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd. “TVE22L ”), and TI was calculated from the following formula.

TI=(25℃、0.5rpmでの粘度)/(25℃、5rpmでの粘度) TI = (viscosity at 25°C, 0.5 rpm)/(viscosity at 25°C, 5 rpm)

(4)印刷ムラ(印刷後の導電材料の形状)
得られた導電材料について、厚みを50μmに設定したアプリケーターを用いて、スライドガラス上に印刷を行った。その際の表面粗さを、顕微鏡で観察し、以下の基準で印刷ムラ(印刷後の導電材料の形状)を判定した。
(4) Print unevenness (shape of conductive material after printing)
The obtained conductive material was printed on a slide glass using an applicator having a thickness of 50 μm. The surface roughness at that time was observed with a microscope, and printing unevenness (the shape of the conductive material after printing) was determined according to the following criteria.

[印刷ムラ(印刷後の導電材料の形状)の判定基準]
○○:表面粗さの最大値と最小値との差の絶対値が1μm未満
○:表面粗さの最大値と最小値との差の絶対値が1μm以上3μ未満
△:表面粗さの最大値と最小値との差の絶対値が3μm以上20μm未満
×:表面粗さの最大値と最小値との差の絶対値が20μm以上50μm未満
××:表面粗さの最大値と最小値との差の絶対値が50μm以上
[Criteria for judgment of uneven printing (shape of conductive material after printing)]
○○: The absolute value of the difference between the maximum and minimum values of surface roughness is less than 1 μm ○: The absolute value of the difference between the maximum and minimum values of surface roughness is 1 μm or more and less than 3 μm △: Maximum surface roughness The absolute value of the difference between the value and the minimum value is 3 μm or more and less than 20 μm ×: The absolute value of the difference between the maximum value and the minimum value of the surface roughness is 20 μm or more and less than 50 μm XX: The maximum value and the minimum value of the surface roughness The absolute value of the difference is 50 μm or more

(5)電極上のはんだの配置精度
得られた接続構造体において、第1の電極と接続部と第2の電極との積層方向に第1の電極と第2の電極との対向し合う部分をみたときに、第1の電極と第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の、接続部中のはんだ部が配置されている面積の割合Xを評価した。電極上のはんだの配置精度を下記の基準で判定した。
(5) Arrangement Accuracy of Solder on Electrode In the obtained connection structure, the portion where the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connecting portion, and the second electrode , the ratio X of the area where the solder portion in the connection portion is arranged in 100% of the area of the portion where the first electrode and the second electrode face each other was evaluated. The placement accuracy of the solder on the electrodes was determined according to the following criteria.

[電極上のはんだの配置精度の判定基準]
○○:割合Xが70%以上
○:割合Xが50%以上70%未満
×:割合Xが50%未満
[Criteria for determination of placement accuracy of solder on electrodes]
○○: Proportion X is 70% or more ○: Proportion X is 50% or more and less than 70% ×: Proportion X is less than 50%

(6)絶縁信頼性(横方向に隣接する電極間)
上記と同様にして、接続構造体を20個作製した。接続構造体において、隣接する電極間のリークの有無を、テスターで抵抗値を測定することにより評価した。絶縁信頼性を下記の基準で評価した。
(6) Insulation reliability (between laterally adjacent electrodes)
Twenty connected structures were produced in the same manner as described above. In the connection structure, the presence or absence of leakage between adjacent electrodes was evaluated by measuring the resistance value with a tester. Insulation reliability was evaluated according to the following criteria.

[絶縁信頼性の判定基準]
○○:抵抗値が10Ω以上の接続構造体の個数が、18個以上
○:抵抗値が10Ω以上の接続構造体の個数が、10個以上18個未満
×:抵抗値が10Ω以上の接続構造体の個数が、5個を超え10個未満
××:抵抗値が10Ω以上の接続構造体の個数が、5個以下
[Insulation Reliability Criteria]
○○: The number of connection structures with a resistance value of 10 8 Ω or more is 18 or more ○: The number of connection structures with a resistance value of 10 8 Ω or more is 10 or more and less than 18 ×: The resistance value is 10 The number of connection structures with a resistance value of 8 Ω or more is more than 5 and less than 10 XX: The number of connection structures with a resistance value of 10 8 Ω or more is 5 or less

詳細及び結果を下記の表1に示す。 Details and results are shown in Table 1 below.

Figure 0007280758000001
Figure 0007280758000001

フレキシブルプリント基板、樹脂フィルム、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板を用いた場合でも、同様の傾向が見られた。 A similar tendency was observed when using a flexible printed circuit board, a resin film, a flexible flat cable, and a rigid flexible circuit board.

1,1X…接続構造体
2…第1の接続対象部材
2a…第1の電極
3…第2の接続対象部材
3a…第2の電極
4,4X…接続部
4A,4XA…はんだ部
4B,4XB…硬化物部
11…導電材料
11A…はんだ粒子
11B…熱硬化性成分
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1X... Connection structure 2... 1st connection object member 2a... 1st electrode 3... 2nd connection object member 3a... 2nd electrode 4, 4X... connection part 4A, 4XA... solder part 4B, 4XB ... Cured material part 11 ... Conductive material 11A ... Solder particles 11B ... Thermosetting component

Claims (11)

熱硬化性成分と、複数のはんだ粒子とを含む導電材料であり、
前記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において、2個以上のピークが存在し、粒子径が1μm以下である領域と粒子径が1μmを超える領域との双方にピークが存在し、前記粒度分布の全体の積分値100%中、粒子径が1μm以下である領域に存在する全てのピークの積分値の割合が30%以上である、導電材料。
A conductive material comprising a thermosetting component and a plurality of solder particles;
In the volume-based particle size distribution of the solder particles, two or more peaks are present, and the peaks are present in both a region with a particle size of 1 μm or less and a region with a particle size of more than 1 μm , and the particle size distribution A conductive material, wherein the ratio of integrated values of all peaks present in a region having a particle diameter of 1 μm or less is 30% or more in 100% of the total integrated value.
前記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において、前記はんだ粒子の体積基準での粒度分布おいて存在する全てのピークのうち、ピーク高さが最も高いピークを第1のピークとし、ピーク高さが2番目に高いピークを第2のピークとしたときに、
前記第1のピークのピーク高さの、前記第2のピークのピーク高さに対する比が1以上5以下である、請求項1に記載の導電材料。
In the volume-based particle size distribution of the solder particles, among all the peaks present in the volume-based particle size distribution of the solder particles, the highest peak is defined as a first peak, and the peak height is When the second highest peak is the second peak,
2. The conductive material according to claim 1, wherein the ratio of the peak height of said first peak to the peak height of said second peak is 1 or more and 5 or less.
前記第1のピークの積分値の、前記第2のピークの積分値に対する比が1以上5以下である、請求項2に記載の導電材料。 3. The conductive material according to claim 2, wherein the ratio of the integrated value of said first peak to the integrated value of said second peak is 1 or more and 5 or less. 前記第1のピークが、粒子径が1μm以下である領域に存在するピークであり、かつ前記第2のピークが、粒子径が1μmを超える領域に存在するピークであるか、又は、前記第1のピークが、粒子径が1μmを超える領域に存在するピークであり、かつ前記第2のピークが、粒子径が1μm以下である領域に存在するピークである、請求項2又は3に記載の導電材料。 The first peak is a peak present in a region with a particle diameter of 1 μm or less, and the second peak is a peak present in a region with a particle diameter exceeding 1 μm, or the first 4. The conductive according to claim 2 or 3, wherein the peak of is a peak present in a region with a particle size exceeding 1 μm, and the second peak is a peak present in a region with a particle size of 1 μm or less material. 前記第1のピークが、粒子径が1μm以下である領域に存在するピークであり、かつ前記第2のピークが、粒子径が1μmを超える領域に存在するピークである、請求項4に記載の導電材料。 The first peak is a peak present in a region with a particle size of 1 μm or less, and the second peak is a peak present in a region with a particle size exceeding 1 μm, according to claim 4. conductive material. 前記はんだ粒子の体積基準での粒度分布において、前記はんだ粒子のD50が10nm以上3μm以下である、請求項1~5のいずれか1項に記載の導電材料。 The conductive material according to any one of claims 1 to 5, wherein in the volume-based particle size distribution of the solder particles, the D50 of the solder particles is 10 nm or more and 3 µm or less. 前記熱硬化性成分がエポキシ化合物を含む、請求項1~6のいずれか1項に記載の導電材料。 The conductive material of any one of claims 1-6, wherein the thermosetting component comprises an epoxy compound. フラックスを含む、請求項1~7のいずれか1項に記載の導電材料。 Conductive material according to any one of claims 1 to 7, comprising a flux. 導電ペーストである、請求項1~8のいずれか1項に記載の導電材料。 The conductive material according to any one of claims 1 to 8, which is a conductive paste. 第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、
第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と、前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、請求項1~9のいずれか1項に記載の導電材料であり、
前記第1の電極と前記第2の電極とが、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている、接続構造体。
a first connection target member having a first electrode on its surface;
a second connection target member having a second electrode on its surface;
A connecting portion that connects the first connection target member and the second connection target member,
The material of the connection portion is the conductive material according to any one of claims 1 to 9,
A connection structure, wherein the first electrode and the second electrode are electrically connected by a solder portion in the connection portion.
請求項1~9のいずれか1項に記載の導電材料を用いて、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材の表面上に、前記導電材料を配置する工程と、
前記導電材料の前記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向するように配置する工程と、
前記はんだ粒子の融点以上に前記導電材料を加熱することで、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、前記導電材料により形成し、かつ、前記第1の電極と前記第2の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程とを備える、接続構造体の製造方法。
Using the conductive material according to any one of claims 1 to 9, placing the conductive material on the surface of a first connection target member having a first electrode on the surface;
A second member to be connected having a second electrode on the surface of the conductive material opposite to the side of the first member to be connected is provided so that the first electrode and the second electrode face each other. arranging to
By heating the conductive material to a melting point of the solder particles or higher, a connecting portion connecting the first member to be connected and the second member to be connected is formed from the conductive material, and A method of manufacturing a connection structure, comprising the step of electrically connecting the first electrode and the second electrode with a solder portion in the connection portion.
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