JP7421317B2 - Conductive film and connected structure - Google Patents
Conductive film and connected structure Download PDFInfo
- Publication number
- JP7421317B2 JP7421317B2 JP2019214010A JP2019214010A JP7421317B2 JP 7421317 B2 JP7421317 B2 JP 7421317B2 JP 2019214010 A JP2019214010 A JP 2019214010A JP 2019214010 A JP2019214010 A JP 2019214010A JP 7421317 B2 JP7421317 B2 JP 7421317B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive material
- electrode
- solder
- less
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 269
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 226
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 171
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 109
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 103
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 49
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 48
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims description 42
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims description 42
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims description 42
- -1 fatty acid amine salt Chemical class 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 22
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 54
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 49
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 34
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 15
- WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N benzylamine Chemical compound NCC1=CC=CC=C1 WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 10
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 8
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 8
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 8
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 7
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 6
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 6
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 6
- WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N pimelic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCC(O)=O WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N suberic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCC(O)=O TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 5
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 4
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 4
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 4
- BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N nonanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCC(O)=O BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BJQWBACJIAKDTJ-UHFFFAOYSA-N tetrabutylphosphanium Chemical compound CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CCCC BJQWBACJIAKDTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BTXXTMOWISPQSJ-UHFFFAOYSA-N 4,4,4-trifluorobutan-2-one Chemical group CC(=O)CC(F)(F)F BTXXTMOWISPQSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQACOLQNOUYJCE-FYZZASKESA-N Abietic acid Natural products CC(C)C1=CC2=CC[C@]3(C)[C@](C)(CCC[C@@]3(C)C(=O)O)[C@H]2CC1 BQACOLQNOUYJCE-FYZZASKESA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 3
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 3
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 3
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 3
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1,3-diol Chemical compound OCC(C)CO QWGRWMMWNDWRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUZKCNWZBXLAJX-UHFFFAOYSA-N 2-phenylmethoxyethanol Chemical compound OCCOCC1=CC=CC=C1 CUZKCNWZBXLAJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZVSBNPILBDJOTR-UHFFFAOYSA-N 6-(benzylamino)-6-oxohexanoic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(=O)NCC1=CC=CC=C1 ZVSBNPILBDJOTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 2
- JHCAIWSXCLXTKK-UHFFFAOYSA-N C(CCCC(=O)O)(=O)O.C(C1=CC=CC=C1)N Chemical compound C(CCCC(=O)O)(=O)O.C(C1=CC=CC=C1)N JHCAIWSXCLXTKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N Dicyclohexylamine Chemical compound C1CCCCC1NC1CCCCC1 XBPCUCUWBYBCDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Chemical class 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag].[Sn] Chemical compound [Cu].[Ag].[Sn] PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYGUBTIWNBFFMQ-UHFFFAOYSA-N [N+](#[C-])N1C(=O)NC=2NC(=O)NC2C1=O Chemical group [N+](#[C-])N1C(=O)NC=2NC(=O)NC2C1=O VYGUBTIWNBFFMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JPYQFYIEOUVJDU-UHFFFAOYSA-N beclamide Chemical compound ClCCC(=O)NCC1=CC=CC=C1 JPYQFYIEOUVJDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical group O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- NZNMSOFKMUBTKW-UHFFFAOYSA-N cyclohexanecarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCCC1 NZNMSOFKMUBTKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MGHPNCMVUAKAIE-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)C1=CC=CC=C1 MGHPNCMVUAKAIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZRLWJPXWBSARU-UHFFFAOYSA-N hexanedioic acid;phenylmethanamine Chemical compound NCC1=CC=CC=C1.OC(=O)CCCCC(O)=O RZRLWJPXWBSARU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N iodonium Chemical compound [IH2+] MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 2
- 150000007974 melamines Chemical class 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-O oxonium Chemical compound [OH3+] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Chemical class 0.000 description 2
- UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N prehnitene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1C UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 2
- 229910000969 tin-silver-copper Inorganic materials 0.000 description 2
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N undecane Chemical compound CCCCCCCCCCC RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- CJAAPVQEZPAQNI-UHFFFAOYSA-N (2-methylphenyl)methanamine Chemical compound CC1=CC=CC=C1CN CJAAPVQEZPAQNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGXUCUWVGKLACF-UHFFFAOYSA-N (3-methylphenyl)methanamine Chemical compound CC1=CC=CC(CN)=C1 RGXUCUWVGKLACF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N (3ar,4s,7r,7as)-3a-methyl-3a,4,7,7a-tetrahydro-4,7-methano-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C([C@H]1C=C2)[C@H]2[C@H]2[C@]1(C)C(=O)OC2=O LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N 0.000 description 1
- KNDQHSIWLOJIGP-UMRXKNAASA-N (3ar,4s,7r,7as)-rel-3a,4,7,7a-tetrahydro-4,7-methanoisobenzofuran-1,3-dione Chemical compound O=C1OC(=O)[C@@H]2[C@H]1[C@]1([H])C=C[C@@]2([H])C1 KNDQHSIWLOJIGP-UMRXKNAASA-N 0.000 description 1
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- MPWSRGAWRAYBJK-UHFFFAOYSA-N (4-tert-butylphenyl)methanamine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(CN)C=C1 MPWSRGAWRAYBJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMAMKNPVAMKIIC-UHFFFAOYSA-N (5-benzyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanol Chemical compound OCC=1N=C(C=2C=CC=CC=2)NC=1CC1=CC=CC=C1 ZMAMKNPVAMKIIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanol Chemical compound OCC1=C(C)NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPZSNGJNFHWQDC-ARJAWSKDSA-N (z)-2,3-diaminobut-2-enedinitrile Chemical compound N#CC(/N)=C(/N)C#N DPZSNGJNFHWQDC-ARJAWSKDSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 1,8-diaminooctane Chemical compound NCCCCCCCCN PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIKLJUUTSQYGQI-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxypropoxy)propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OCC ZIKLJUUTSQYGQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FODCFYIWOJIZQL-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfanyl-3,5-bis(trifluoromethyl)benzene Chemical compound CSC1=CC(C(F)(F)F)=CC(C(F)(F)F)=C1 FODCFYIWOJIZQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEULWJSKCVACTH-UHFFFAOYSA-N 1-phenylimidazole Chemical compound C1=NC=CN1C1=CC=CC=C1 SEULWJSKCVACTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHXSYTACTOMVLJ-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole-2-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2NC(C(=O)O)=NC2=C1 RHXSYTACTOMVLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOMATQMEHRJKLO-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazol-2-ylmethanol Chemical compound OCC1=NC=CN1 ZOMATQMEHRJKLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRLRGHZJOQGQEC-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)=O DRLRGHZJOQGQEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)pyridine-3-carbonitrile Chemical compound ClCC1=NC=CC=C1C#N FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OADIZUFHUPTFAG-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethylhexoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCC(CC)COCCOCCO OADIZUFHUPTFAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFUGQJXVXHBTEM-UHFFFAOYSA-N 2-hydroperoxy-2-(2-hydroperoxybutan-2-ylperoxy)butane Chemical compound CCC(C)(OO)OOC(C)(CC)OO WFUGQJXVXHBTEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CCCN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANOPCGQVRXJHHD-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-aminopropyl)-2,4,8,10-tetraoxaspiro[5.5]undecan-9-yl]propan-1-amine Chemical compound C1OC(CCCN)OCC21COC(CCCN)OC2 ANOPCGQVRXJHHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZIHTWJGPDVSGE-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-aminocyclohexyl)methyl]cyclohexan-1-amine Chemical compound C1CC(N)CCC1CC1CCC(N)CC1 DZIHTWJGPDVSGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJKFETKWAWVFBY-UHFFFAOYSA-N 5-(benzylamino)-5-oxopentanoic acid Chemical compound OC(=O)CCCC(=O)NCC1=CC=CC=C1 QJKFETKWAWVFBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBNYDUMNZJJZIQ-UHFFFAOYSA-N 5-(hexylamino)-5-oxopentanoic acid Chemical compound CCCCCCNC(=O)CCCC(O)=O IBNYDUMNZJJZIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CC(C)=CC2C(=O)OC(=O)C12 MWSKJDNQKGCKPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOYGTBXFJBGGLI-UHFFFAOYSA-N 7a-but-1-enyl-3a-methyl-4,5-dihydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=CCCC2(C)C(=O)OC(=O)C21C=CCC GOYGTBXFJBGGLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVPYWNRNYVKNGO-UHFFFAOYSA-N CCS(CC)=P1(O)SOO1 Chemical compound CCS(CC)=P1(O)SOO1 FVPYWNRNYVKNGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N N-ethyldiethanolamine Chemical compound OCCN(CC)CCO AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JOBBTVPTPXRUBP-UHFFFAOYSA-N [3-(3-sulfanylpropanoyloxy)-2,2-bis(3-sulfanylpropanoyloxymethyl)propyl] 3-sulfanylpropanoate Chemical compound SCCC(=O)OCC(COC(=O)CCS)(COC(=O)CCS)COC(=O)CCS JOBBTVPTPXRUBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MORJXSSLQYWCHC-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-(3-methylphenyl)-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound CC1=CC=CC(C=2NC(CO)=C(CO)N=2)=C1 MORJXSSLQYWCHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AATODONPOVNXKH-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-(4-methylphenyl)-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C1=NC(CO)=C(CO)N1 AATODONPOVNXKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMTQRMVGJPFHDS-UHFFFAOYSA-N [5-methyl-2-(3-methylphenyl)-1h-imidazol-4-yl]methanol Chemical compound OCC1=C(C)NC(C=2C=C(C)C=CC=2)=N1 VMTQRMVGJPFHDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical group C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- MRNZSTMRDWRNNR-UHFFFAOYSA-N bis(hexamethylene)triamine Chemical compound NCCCCCCNCCCCCCN MRNZSTMRDWRNNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001191 butyl (2R)-2-hydroxypropanoate Substances 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical group 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 1
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 1
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N decane-1,10-diamine Chemical compound NCCCCCCCCCCN YQLZOAVZWJBZSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical class OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical group C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSDYBCGXPCFFNM-UHFFFAOYSA-M dimethyl phosphate;tributyl(methyl)phosphanium Chemical compound COP([O-])(=O)OC.CCCC[P+](C)(CCCC)CCCC LSDYBCGXPCFFNM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- JDVIRCVIXCMTPU-UHFFFAOYSA-N ethanamine;trifluoroborane Chemical compound CCN.FB(F)F JDVIRCVIXCMTPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- VANNPISTIUFMLH-UHFFFAOYSA-N glutaric anhydride Chemical compound O=C1CCCC(=O)O1 VANNPISTIUFMLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012760 heat stabilizer Substances 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001502 inorganic halide Inorganic materials 0.000 description 1
- LYBKPDDZTNUNNM-UHFFFAOYSA-N isopropylbenzylamine Chemical compound CC(C)NCC1=CC=CC=C1 LYBKPDDZTNUNNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N methyl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C)C1=CC=CC=C1 UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N methylhexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21C VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- DLSOILHAKCBARI-UHFFFAOYSA-N n-benzyl-2-methylpropan-2-amine Chemical compound CC(C)(C)NCC1=CC=CC=C1 DLSOILHAKCBARI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTWJETSWSUWSEJ-UHFFFAOYSA-N n-benzylaniline Chemical compound C=1C=CC=CC=1CNC1=CC=CC=C1 GTWJETSWSUWSEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVAAHUDGWQAAOJ-UHFFFAOYSA-N n-benzylethanamine Chemical compound CCNCC1=CC=CC=C1 HVAAHUDGWQAAOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIWRFSMVIUAEBX-UHFFFAOYSA-N n-methyl-1-phenylmethanamine Chemical compound CNCC1=CC=CC=C1 RIWRFSMVIUAEBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 150000002903 organophosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002921 oxetanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 150000003021 phthalic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Chemical class 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Chemical class 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Chemical class 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical class [H]N([H])* 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 229940014800 succinic anhydride Drugs 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- RKHXQBLJXBGEKF-UHFFFAOYSA-M tetrabutylphosphanium;bromide Chemical compound [Br-].CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CCCC RKHXQBLJXBGEKF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 1
- GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N tin zinc Chemical compound [Zn].[Sn] GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000597 tin-copper alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N tricyclohexylphosphine Chemical compound C1CCCCC1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Chemical class 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
本発明は、はんだ粒子を含む導電材料に関する。また、本発明は、上記導電材料を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法に関する。 The present invention relates to conductive materials containing solder particles. The present invention also relates to a connected structure using the above-mentioned conductive material and a method for manufacturing the connected structure.
異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。 Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes and anisotropic conductive films are widely known. In the above anisotropic conductive material, conductive particles are dispersed in a binder resin.
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために使用されている。上記異方性導電材料による接続としては、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等が挙げられる。 The above-mentioned anisotropic conductive material is used to obtain various connected structures. Examples of connections using the anisotropic conductive material include connections between flexible printed circuit boards and glass substrates (FOG (Film on Glass)), connections between semiconductor chips and flexible printed circuit boards (COF (Chip on Film)), and semiconductor Examples include connection between a chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)), and the like.
上記異方性導電材料により、例えば、フレキシブルプリント基板の電極とガラスエポキシ基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラスエポキシ基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、フレキシブルプリント基板を積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して、接続構造体を得る。 For example, when electrically connecting the electrodes of a flexible printed circuit board and the electrodes of a glass epoxy board using the anisotropic conductive material, the anisotropic conductive material containing conductive particles is placed on the glass epoxy board. do. Next, flexible printed circuit boards are laminated and heated and pressurized. Thereby, the anisotropic conductive material is cured, the electrodes are electrically connected via the conductive particles, and a connected structure is obtained.
下記の特許文献1には、導電部の外表面部分に、はんだを有する複数の導電性粒子と、熱硬化性成分とを含む導電材料が開示されている。上記導電材料では、25℃以上、上記導電性粒子における上記はんだの融点以下での導電材料の粘度の最小値は、25Pa・s以上、255Pa・s以下である。上記導電性粒子の平均粒子径は、3μm以上、15μm以下である。上記導電材料では、上記導電性粒子の平均粒子径(μm)をAとし、上記導電性粒子における上記はんだの融点での導電材料の粘度(Pa・s)をBとしたときに、上記Bが、(-5A+100)以上、(-15A+300)以下である。
はんだ粒子を含む導電材料を用いて導電接続を行う際には、上方の複数の電極と下方の複数の電極とが電気的に接続されて、導電接続が行われる。はんだ粒子は、上下の電極間に配置されることが望ましく、隣接する横方向の電極間には配置されないことが望ましい。隣接する横方向の電極間は、電気的に接続されないことが望ましい。 When making a conductive connection using a conductive material containing solder particles, a plurality of upper electrodes and a plurality of lower electrodes are electrically connected to make a conductive connection. The solder particles are preferably placed between the upper and lower electrodes, and desirably not between adjacent lateral electrodes. It is desirable that adjacent horizontal electrodes are not electrically connected.
一般に、はんだ粒子を含む導電材料は、スクリーン印刷等によって、基板上の特定の位置に配置された後、リフロー等により加熱されて用いられる。導電材料がはんだ粒子の融点以上に加熱されることで、はんだ粒子が溶融し、電極間にはんだが凝集することで、上下の電極間が電気的に接続される。 Generally, a conductive material containing solder particles is placed at a specific position on a substrate by screen printing or the like, and then heated by reflow or the like before use. When the conductive material is heated above the melting point of the solder particles, the solder particles melt and the solder aggregates between the electrodes, thereby electrically connecting the upper and lower electrodes.
従来の導電材料では、スクリーン印刷を繰り返し行う場合に、印刷時の導電材料の粘度が低く、スクリーン透過量が多くなり、導電材料のにじみが発生したり、印刷時の導電材料の粘度が高くなって、導電材料がメッシュに目詰まりすることで、導電材料のかすれが発生したりすることがある。従来の導電材料では、スクリーン印刷を連続して行う場合に、導電材料のにじみや導電材料のかすれ等が発生し、スクリーン印刷を連続して行うことが困難なことがある。 With conventional conductive materials, when screen printing is performed repeatedly, the viscosity of the conductive material during printing is low, the amount of screen penetration increases, and bleeding of the conductive material occurs, or the viscosity of the conductive material during printing becomes high. Therefore, the conductive material may clog the mesh, causing the conductive material to become blurred. With conventional conductive materials, when screen printing is performed continuously, bleeding of the conductive material or blurring of the conductive material may occur, making it difficult to perform screen printing continuously.
また、従来の導電材料では、印刷後の導電材料の形状を維持することが困難なことがある。印刷後の導電材料の形状を維持することができない場合には、導電材料が本来配置される場所(例えば、電極近傍等)から離れることがある。従来の導電材料では、印刷後の導電材料の形状を維持することができず、接続されるべき上下の電極間にはんだ粒子を効率的に配置できないことがある。結果として、導電材料に含まれるはんだ粒子が電極が形成されていない領域に配置されて、接続されるべき上下の電極間に配置されるはんだ粒子の量が減少し、接続されるべき上下の電極間の導通信頼性が低くなったり、隣接する横方向の電極間の絶縁信頼性が低くなったりすることがある。 Additionally, with conventional conductive materials, it may be difficult to maintain the shape of the conductive material after printing. If the shape of the conductive material after printing cannot be maintained, the conductive material may move away from its original location (for example, near an electrode). With conventional conductive materials, the shape of the conductive material after printing cannot be maintained, and solder particles may not be efficiently placed between the upper and lower electrodes to be connected. As a result, solder particles contained in the conductive material are placed in areas where no electrodes are formed, reducing the amount of solder particles placed between the upper and lower electrodes to be connected, and reducing the amount of solder particles placed between the upper and lower electrodes to be connected. The reliability of conduction between adjacent electrodes may be lowered, or the reliability of insulation between adjacent horizontal electrodes may be lowered.
本発明の目的は、スクリーン印刷を連続して行うことができ、さらに、電極上にはんだを効率的に配置することができる導電材料を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電材料を用いた接続構造体及び接続構造体の製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a conductive material that can be continuously screen printed and that can also efficiently place solder on electrodes. Another object of the present invention is to provide a connected structure using the above conductive material and a method for manufacturing the connected structure.
本発明の広い局面によれば、熱硬化性成分と、複数のはんだ粒子とを含む導電材料であり、前記導電材料が、溶剤を含まないか、又は、前記導電材料100重量%中に溶剤を1重量%以下で含み、25℃及びせん断速度600sec-1での前記導電材料の粘度が、1Pa・s以上20Pa・s以下であり、25℃及びせん断速度0.06sec-1での前記導電材料の粘度が、1000Pa・s以上3500Pa・s以下であり、25℃及び周波数1Hzでの前記導電材料のtanδが、2以上10以下である、導電材料が提供される。 According to a broad aspect of the invention, there is provided an electrically conductive material comprising a thermosetting component and a plurality of solder particles, wherein the electrically conductive material does not contain a solvent or contains a solvent in 100% by weight of the electrically conductive material. 1% by weight or less, the viscosity of the conductive material at 25° C. and a shear rate of 600 sec −1 is 1 Pa·s or more and 20 Pa·s or less, and the conductive material at 25° C. and a shear rate of 0.06 sec −1 Provided is a conductive material having a viscosity of 1000 Pa·s or more and 3500 Pa·s or less, and a tan δ of 2 or more and 10 or less at 25° C. and a frequency of 1 Hz.
本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記導電材料が、脂肪酸アミン塩又は脂肪酸アミドを含む。 In a particular aspect of the electrically conductive material according to the present invention, the electrically conductive material contains a fatty acid amine salt or a fatty acid amide.
本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記はんだ粒子の平均粒子径が、1μm以上15μm以下である。 In a particular aspect of the conductive material according to the present invention, the solder particles have an average particle diameter of 1 μm or more and 15 μm or less.
本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記導電材料100重量%中、前記はんだ粒子の含有量が、40重量%以上75重量%以下である。 In a particular aspect of the conductive material according to the present invention, the content of the solder particles is 40% by weight or more and 75% by weight or less in 100% by weight of the conductive material.
本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記熱硬化性成分が、熱硬化性化合物を含み、25℃での前記熱硬化性化合物の粘度が、1Pa・s以上100Pa・s以下である。 In a particular aspect of the conductive material according to the present invention, the thermosetting component includes a thermosetting compound, and the thermosetting compound has a viscosity of 1 Pa·s or more and 100 Pa·s or less at 25°C. .
本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記導電材料が、導電ペーストである。 In a particular aspect of the conductive material according to the present invention, the conductive material is a conductive paste.
本発明の広い局面によれば、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と、前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した導電材料であり、前記第1の電極と前記第2の電極とが、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, a first connection target member having a first electrode on its surface, a second connection target member having a second electrode on its surface, and the first connection target member, a connecting portion connecting the second connection target member, the material of the connecting portion is the above-mentioned conductive material, and the first electrode and the second electrode are connected to the connecting portion. A connection structure is provided that is electrically connected by a solder portion therein.
本発明の広い局面によれば、上述した導電材料を用いて、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材の表面上に、前記導電材料を配置する工程と、前記導電材料の前記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向するように配置する工程と、前記はんだ粒子の融点以上に前記導電材料を加熱することで、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、前記導電材料により形成し、かつ、前記第1の電極と前記第2の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程とを備える、接続構造体の製造方法が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, the above-described conductive material is disposed on the surface of a first connection target member having a first electrode on its surface; A second connection target member having a second electrode on its surface is arranged on a surface opposite to the first connection target member side so that the first electrode and the second electrode face each other. forming a connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member with the conductive material by heating the conductive material to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder particles; There is provided a method for manufacturing a connected structure, comprising the steps of: electrically connecting the first electrode and the second electrode with a solder portion in the connecting portion.
本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、複数のはんだ粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、上記導電材料が、溶剤を含まないか、又は、上記導電材料100重量%中に溶剤を1重量%以下で含む。本発明では、25℃及びせん断速度600sec-1での上記導電材料の粘度が、1Pa・s以上20Pa・s以下である。本発明では、25℃及びせん断速度0.06sec-1での上記導電材料の粘度が、1000Pa・s以上3500Pa・s以下である。本発明では、25℃及び周波数1Hzでの上記導電材料のtanδが、2以上10以下である。本発明に係る導電材料では、上記の構成が備えられているので、スクリーン印刷を連続して行うことができ、さらに、電極上にはんだを効率的に配置することができる。 The electrically conductive material according to the present invention includes a thermosetting component and a plurality of solder particles. In the electrically conductive material according to the present invention, the electrically conductive material does not contain a solvent, or contains 1% by weight or less of a solvent in 100% by weight of the electrically conductive material. In the present invention, the viscosity of the conductive material at 25° C. and a shear rate of 600 sec −1 is 1 Pa·s or more and 20 Pa·s or less. In the present invention, the viscosity of the conductive material at 25° C. and a shear rate of 0.06 sec −1 is 1000 Pa·s or more and 3500 Pa·s or less. In the present invention, the tan δ of the conductive material at 25° C. and a frequency of 1 Hz is 2 or more and 10 or less. Since the conductive material according to the present invention has the above configuration, screen printing can be performed continuously, and furthermore, solder can be efficiently placed on the electrodes.
以下、本発明の詳細を説明する。 The details of the present invention will be explained below.
(導電材料)
本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分と、複数のはんだ粒子とを含む。本発明に係る導電材料では、上記導電材料が、溶剤を含まないか、又は、上記導電材料100重量%中に溶剤を1重量%以下で含む。本発明では、25℃及びせん断速度600sec-1での上記導電材料の粘度が、1Pa・s以上20Pa・s以下である。本発明では、25℃及びせん断速度0.06sec-1での上記導電材料の粘度が、1000Pa・s以上3500Pa・s以下である。本発明では、25℃及び周波数1Hzの条件で測定したときの上記導電材料のtanδが、2以上10以下である。
(conductive material)
The electrically conductive material according to the present invention includes a thermosetting component and a plurality of solder particles. In the electrically conductive material according to the present invention, the electrically conductive material does not contain a solvent, or contains 1% by weight or less of a solvent in 100% by weight of the electrically conductive material. In the present invention, the viscosity of the conductive material at 25° C. and a shear rate of 600 sec −1 is 1 Pa·s or more and 20 Pa·s or less. In the present invention, the viscosity of the conductive material at 25° C. and a shear rate of 0.06 sec −1 is 1000 Pa·s or more and 3500 Pa·s or less. In the present invention, the tan δ of the conductive material is 2 or more and 10 or less when measured at 25° C. and a frequency of 1 Hz.
本発明に係る導電材料では、上記の構成が備えられているので、スクリーン印刷を連続して行うことができ、さらに、電極上にはんだを効率的に配置することができる。 Since the conductive material according to the present invention has the above configuration, screen printing can be performed continuously, and furthermore, solder can be efficiently placed on the electrodes.
従来の導電材料では、スクリーン印刷を繰り返し行う場合に、印刷時の導電材料の粘度が低く、スクリーン透過量が多くなり、導電材料のにじみが発生したり、印刷時の導電材料の粘度が高くなり、導電材料がメッシュに目詰まりすることで、導電材料のかすれが発生したりすることがある。 With conventional conductive materials, when screen printing is performed repeatedly, the viscosity of the conductive material during printing is low, the amount of screen penetration increases, and bleeding of the conductive material occurs, and the viscosity of the conductive material during printing becomes high. When the mesh is clogged with the conductive material, the conductive material may become blurred.
また、従来の導電材料では、印刷後の導電材料の形状を維持することが困難なことがある。印刷後の導電材料の形状を維持することができない場合には、導電材料が本来配置される場所(例えば、電極近傍等)から離れることがある。従来の導電材料では、印刷後の導電材料の形状を維持することができず、接続されるべき上下の電極間にはんだ粒子を効率的に配置できないことがある。 Additionally, with conventional conductive materials, it may be difficult to maintain the shape of the conductive material after printing. If the shape of the conductive material after printing cannot be maintained, the conductive material may move away from its original location (for example, near an electrode). With conventional conductive materials, the shape of the conductive material after printing cannot be maintained, and solder particles may not be efficiently placed between the upper and lower electrodes to be connected.
本発明者らは、導電材料の粘弾特性に注目し、特定の導電材料を用いることで、導電材料の粘弾特性を制御することができることを見出した。本発明では、導電材料の粘弾特性を制御することによって、スクリーン印刷時の導電材料のにじみや導電材料のかすれ等の発生を効果的に抑制することができ、スクリーン印刷を連続して行うことができる。また、本発明では、導電材料の粘弾特性を制御することによって、印刷後の導電材料の形状を維持することができ、接続されるべき上下の電極間に配置されるはんだ粒子の量を十分に確保することができる。結果として、接続されるべき上下の電極間の導通信頼性を効果的に高めることができる。 The present inventors focused on the viscoelastic properties of conductive materials and discovered that by using a specific conductive material, the viscoelastic properties of the conductive materials can be controlled. In the present invention, by controlling the viscoelastic properties of the conductive material, it is possible to effectively suppress the occurrence of bleeding of the conductive material or blurring of the conductive material during screen printing, and it is possible to perform screen printing continuously. Can be done. In addition, in the present invention, by controlling the viscoelastic properties of the conductive material, the shape of the conductive material after printing can be maintained, and the amount of solder particles placed between the upper and lower electrodes to be connected can be sufficiently reduced. can be secured. As a result, the reliability of conduction between the upper and lower electrodes to be connected can be effectively improved.
また、本発明では、電極間の導電接続時に、複数のはんだ粒子が、上下の対向した電極間に集まりやすく、複数のはんだ粒子を電極(ライン)上に配置することができる。また、複数のはんだ粒子の一部が、接続されてはならない横方向の電極間に配置され難く、接続されてはならない横方向の電極間に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくすることができる。結果として、本発明では、接続されるべき上下の電極間の導通信頼性を効果的に高めることができ、接続されてはならない隣接する横方向の電極間の絶縁信頼性を効果的に高めることができる。 Furthermore, in the present invention, when conductive connection is made between electrodes, a plurality of solder particles easily gather between upper and lower opposing electrodes, and a plurality of solder particles can be arranged on an electrode (line). In addition, it is difficult for some of the plurality of solder particles to be placed between horizontal electrodes that should not be connected, and it is possible to considerably reduce the amount of solder particles that are placed between horizontal electrodes that should not be connected. can. As a result, the present invention can effectively increase the continuity reliability between the upper and lower electrodes that should be connected, and can effectively increase the insulation reliability between adjacent lateral electrodes that should not be connected. Can be done.
本発明では、上記のような効果を得るために、特定の導電材料を用いることは大きく寄与する。 In the present invention, the use of a specific conductive material greatly contributes to obtaining the above effects.
さらに、本発明では、電極間の位置ずれを防ぐことができる。本発明では、導電材料を上面に配置した第1の接続対象部材に、第2の接続対象部材を重ね合わせる際に、第1の接続対象部材の電極と第2の接続対象部材の電極とのアライメントがずれた状態でも、そのずれを補正して電極同士を接続させることができる(セルフアライメント効果)。 Furthermore, in the present invention, positional displacement between the electrodes can be prevented. In the present invention, when the second connection target member is superimposed on the first connection target member having a conductive material disposed on the upper surface, the electrodes of the first connection target member and the second connection target member are connected to each other. Even in a state where the alignment is misaligned, the misalignment can be corrected and the electrodes can be connected to each other (self-alignment effect).
上記導電材料の粘度(ηA)を、25℃及びせん断速度600sec-1の条件で測定したときに、該粘度(ηA)は、1Pa・s以上20Pa・s以下である。スクリーン印刷をより一層良好に連続して行う観点、及び電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記粘度(ηA)は、好ましくは5Pa・s以上であり、好ましくは10Pa・s以下である。 When the viscosity (ηA) of the conductive material is measured at 25° C. and a shear rate of 600 sec −1 , the viscosity (ηA) is 1 Pa·s or more and 20 Pa·s or less. From the viewpoint of performing screen printing more continuously and more efficiently disposing the solder on the electrode, the viscosity (ηA) is preferably 5 Pa·s or more, preferably 10 Pa·s. s or less.
上記導電材料の粘度(ηB)を、25℃及びせん断速度0.06sec-1の条件で測定したときに、該粘度(ηB)は、1000Pa・s以上3500Pa・s以下である。スクリーン印刷をより一層良好に連続して行う観点、及び電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記粘度(ηB)は、好ましくは2000Pa・s以上であり、好ましくは3000Pa・s以下である。 When the viscosity (ηB) of the conductive material is measured at 25° C. and a shear rate of 0.06 sec −1 , the viscosity (ηB) is 1000 Pa·s or more and 3500 Pa·s or less. From the viewpoint of performing screen printing more continuously and more efficiently disposing the solder on the electrode, the viscosity (ηB) is preferably 2000 Pa·s or more, preferably 3000 Pa·s. s or less.
上記粘度(ηA及びηB)は、レオメーター(Thermo Scientific社製、タイプ:HAAKE)等により測定することができる。具体的には、以下のようにして測定することができる。 The viscosity (ηA and ηB) can be measured using a rheometer (manufactured by Thermo Scientific, type: HAAKE) or the like. Specifically, it can be measured as follows.
25℃の一定温度下にて、導電材料に対して、プレシェアとして100sec-1のせん断速度を60秒間付与し、その後5分間静置する。次に、せん断速度を0sec-1~1000sec-1まで120秒間で変化させ、続いて、せん断速度を1000sec-1~0sec-1まで120秒間で変化させて測定を行う。この測定において、せん断速度を1000sec-1~0sec-1まで120秒間で変化させたときのせん断速度600sec-1における粘度をηAとし、せん断速度0.06sec-1における粘度をηBとする。 At a constant temperature of 25° C., a shear rate of 100 sec −1 is applied as a pre-shear for 60 seconds to the conductive material, and then left to stand for 5 minutes. Next, the shear rate is changed from 0 sec -1 to 1000 sec -1 in 120 seconds, and then the shear rate is changed from 1000 sec -1 to 0 sec -1 in 120 seconds, and measurement is performed. In this measurement, when the shear rate is changed from 1000 sec -1 to 0 sec -1 in 120 seconds, the viscosity at a shear rate of 600 sec -1 is defined as ηA, and the viscosity at a shear rate of 0.06 sec -1 is defined as ηB.
上記導電材料のtanδを、25℃及び周波数1Hzの条件で測定したときに、該tanδが、2以上10以下である。スクリーン印刷をより一層良好に連続して行う観点、及び電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記tanδは、好ましくは4以上であり、好ましくは7以下である。 When the tan δ of the conductive material is measured at 25° C. and a frequency of 1 Hz, the tan δ is 2 or more and 10 or less. From the viewpoint of continuously performing screen printing more effectively and from the viewpoint of arranging solder on the electrodes more efficiently, the tan δ is preferably 4 or more, and preferably 7 or less.
上記tanδは、レオメーター(Thermo Scientific社製、タイプ:HAAKE)等により測定することができる。具体的には、以下のようにして測定することができる。 The tan δ can be measured using a rheometer (manufactured by Thermo Scientific, type: HAAKE) or the like. Specifically, it can be measured as follows.
25℃の一定温度下で、周波数1Hzにて、導電材料に与える歪みを0~100%まで掃引により変化させ、貯蔵弾性率(G’)と損失弾性率(G”)とをそれぞれ測定する。得られた貯蔵弾性率(G’)と損失弾性率(G”)とから、tanδ(G”/G’)を算出する。 At a constant temperature of 25° C., the strain applied to the conductive material is varied by sweeping from 0 to 100% at a frequency of 1 Hz, and the storage modulus (G') and loss modulus (G'') are measured. Tan δ (G''/G') is calculated from the obtained storage modulus (G') and loss modulus (G'').
上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。上記導電ペーストは異方性導電ペーストであることが好ましく、上記導電フィルムは異方性導電フィルムであることが好ましい。電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記導電材料は、導電ペーストであることが好ましい。上記導電材料は、電極の電気的な接続に好適に用いられる。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。 The above-mentioned conductive material can be used as a conductive paste, a conductive film, and the like. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste, and the conductive film is preferably an anisotropic conductive film. From the viewpoint of arranging the solder on the electrodes more efficiently, the conductive material is preferably a conductive paste. The above-mentioned conductive material is suitably used for electrical connection of electrodes. Preferably, the conductive material is a circuit connection material.
以下、上記導電材料に含まれる各成分を説明する。なお、本明細書中において、「(メタ)アクリル」は「アクリル」と「メタクリル」との一方又は双方を意味する。 Each component contained in the above conductive material will be explained below. In addition, in this specification, "(meth)acrylic" means one or both of "acrylic" and "methacrylic."
(はんだ粒子)
上記はんだ粒子は、中心部分及び外表面のいずれもがはんだにより形成されている。上記はんだ粒子は、中心部分及び外表面のいずれもがはんだである粒子である。上記はんだ粒子の代わりに、はんだ以外の材料から形成された基材粒子と該基材粒子の表面上に配置されたはんだ部とを備える導電性粒子を用いた場合には、電極上に導電性粒子が集まり難くなる。また、上記導電性粒子では、導電性粒子同士のはんだ接合性が低いために、電極上に移動した導電性粒子が電極外に移動しやすくなる傾向があり、電極間の位置ずれの抑制効果も低くなる傾向がある。
(solder particles)
Both the center portion and the outer surface of the solder particles are made of solder. The solder particles described above are particles in which both the center portion and the outer surface are solder. When conductive particles comprising base particles made of a material other than solder and a solder portion disposed on the surface of the base particles are used instead of the solder particles described above, conductive particles may be placed on the electrodes. Particles become difficult to collect. In addition, since the conductive particles described above have low solderability between conductive particles, the conductive particles that have moved onto the electrode tend to move out of the electrode, and the effect of suppressing misalignment between the electrodes is also low. tends to be lower.
上記はんだは、融点が450℃以下である金属(低融点金属)であることが好ましい。上記はんだ粒子は、融点が450℃以下である金属粒子(低融点金属粒子)であることが好ましい。上記低融点金属粒子は、低融点金属を含む粒子である。該低融点金属とは、融点が450℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは300℃以下、より好ましくは230℃以下である。上記はんだは、融点が230℃未満の低融点はんだであることが好ましい。 The solder is preferably a metal having a melting point of 450° C. or lower (low melting point metal). The solder particles are preferably metal particles having a melting point of 450° C. or lower (low-melting point metal particles). The low melting point metal particles are particles containing a low melting point metal. The low melting point metal refers to a metal having a melting point of 450° C. or lower. The melting point of the low melting point metal is preferably 300°C or lower, more preferably 230°C or lower. The solder is preferably a low melting point solder having a melting point of less than 230°C.
上記はんだ粒子の融点は、示差走査熱量測定(DSC)により求めることができる。示差走査熱量測定(DSC)装置としては、SII社製「EXSTAR DSC7020」等が挙げられる。 The melting point of the solder particles can be determined by differential scanning calorimetry (DSC). Examples of the differential scanning calorimetry (DSC) device include "EXSTAR DSC7020" manufactured by SII.
また、上記はんだ粒子は錫を含むことが好ましい。上記はんだ粒子に含まれる金属100重量%中、錫の含有量は、好ましくは30重量%以上、より好ましくは40重量%以上、さらに好ましくは70重量%以上、特に好ましくは90重量%以上である。上記はんだ粒子における錫の含有量が、上記下限以上であると、はんだ部と電極との導通信頼性及び接続信頼性がより一層高くなる。 Further, it is preferable that the solder particles contain tin. The content of tin is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 70% by weight or more, and particularly preferably 90% by weight or more in 100% by weight of the metal contained in the solder particles. . When the content of tin in the solder particles is equal to or higher than the lower limit, the conduction reliability and connection reliability between the solder portion and the electrode will be further increased.
なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置(堀場製作所社製「ICP-AES」)、又は蛍光X線分析装置(島津製作所社製「EDX-800HS」)等を用いて測定することができる。 The above tin content was measured using a high frequency inductively coupled plasma emission spectrometer ("ICP-AES" manufactured by Horiba Ltd.) or a fluorescent X-ray analyzer ("EDX-800HS" manufactured by Shimadzu Corporation), etc. can be measured.
上記はんだ粒子を用いることで、はんだが溶融して電極に接合し、はんだ部が電極間を導通させる。例えば、はんだ部と電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、上記はんだ粒子の使用により、はんだ部と電極との接合強度が高くなる結果、はんだ部と電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性及び接続信頼性がより一層高くなる。 By using the above-mentioned solder particles, the solder melts and joins to the electrodes, and the solder portion establishes conduction between the electrodes. For example, since the solder portion and the electrode tend to make surface contact rather than point contact, the connection resistance becomes low. Furthermore, the use of the solder particles increases the bonding strength between the solder part and the electrode, making it even more difficult for the solder part to separate from the electrode, resulting in even higher conduction reliability and connection reliability.
上記はんだ粒子を構成する低融点金属は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫-銀合金、錫-銅合金、錫-銀-銅合金、錫-ビスマス合金、錫-亜鉛合金、錫-インジウム合金等が挙げられる。電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫-銀合金、錫-銀-銅合金、錫-ビスマス合金、錫-インジウム合金であることが好ましい。上記低融点金属は、錫-ビスマス合金、錫-インジウム合金であることがより好ましい。 The low melting point metal constituting the solder particles is not particularly limited. The low melting point metal is preferably tin or an alloy containing tin. Examples of the alloy include tin-silver alloy, tin-copper alloy, tin-silver-copper alloy, tin-bismuth alloy, tin-zinc alloy, tin-indium alloy, and the like. The low melting point metal is preferably tin, tin-silver alloy, tin-silver-copper alloy, tin-bismuth alloy, or tin-indium alloy, since they have excellent wettability to the electrode. More preferably, the low melting point metal is a tin-bismuth alloy or a tin-indium alloy.
はんだ部と電極との接合強度をより一層高めるために、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含んでいてもよい。また、はんだ部と電極との接合強度をさらに一層高める観点からは、上記はんだ粒子は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。はんだ部と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、はんだ粒子に含まれる金属100重量%中、好ましくは0.0001重量%以上、好ましくは1重量%以下である。 In order to further increase the bonding strength between the solder part and the electrode, the solder particles include nickel, copper, antimony, aluminum, zinc, iron, gold, titanium, phosphorus, germanium, tellurium, cobalt, bismuth, manganese, chromium, It may also contain metals such as molybdenum and palladium. Moreover, from the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder part and the electrode, it is preferable that the solder particles contain nickel, copper, antimony, aluminum, or zinc. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder part and the electrode, the content of these metals for increasing the bonding strength is preferably 0.0001% by weight or more based on 100% by weight of the metal contained in the solder particles, Preferably it is 1% by weight or less.
本発明に係る導電材料では、上記はんだ粒子の平均粒子径は、好ましくは1μm以上、より好ましくは2μm以上であり、好ましくは15μm以下、より好ましくは10μm以下、さらに好ましくは10μm未満、特に好ましくは7μm以下である。上記はんだ粒子の平均粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。上記はんだ粒子の平均粒子径は、2μm以上10μm以下であることが特に好ましい。 In the conductive material according to the present invention, the average particle diameter of the solder particles is preferably 1 μm or more, more preferably 2 μm or more, preferably 15 μm or less, more preferably 10 μm or less, still more preferably less than 10 μm, particularly preferably It is 7 μm or less. When the average particle diameter of the solder particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder can be disposed on the electrode even more efficiently. It is particularly preferable that the average particle diameter of the solder particles is 2 μm or more and 10 μm or less.
上記はんだ粒子の平均粒子径は、体積平均粒子径である。上記はんだ粒子の平均粒子径は、例えば、任意のはんだ粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各はんだ粒子の粒子径の平均値を算出することや、レーザー回折式粒度分布測定を行うことにより求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、1個当たりのはんだ粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の50個のはんだ粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。レーザー回折式粒度分布測定では、1個当たりのはんだ粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記はんだ粒子の平均粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定により算出することが好ましい。 The average particle diameter of the solder particles is the volume average particle diameter. The average particle diameter of the above solder particles can be determined, for example, by observing 50 arbitrary solder particles with an electron microscope or optical microscope and calculating the average value of the particle diameter of each solder particle, or by laser diffraction particle size distribution measurement. It is sought after by doing. In observation using an electron microscope or an optical microscope, the particle diameter of each solder particle is determined as the particle diameter in equivalent circle diameter. In observation using an electron microscope or an optical microscope, the average particle diameter of any 50 solder particles in equivalent circle diameter is approximately equal to the average particle diameter in equivalent sphere diameter. In the laser diffraction particle size distribution measurement, the particle diameter of each solder particle is determined as the particle diameter in equivalent sphere diameter. The average particle diameter of the solder particles is preferably calculated by laser diffraction particle size distribution measurement.
上記はんだ粒子の粒子径の変動係数(CV値)は、好ましくは5%以上、より好ましくは10%以上であり、好ましくは40%以下、より好ましくは30%以下である。上記はんだ粒子の粒子径の変動係数が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。但し、上記はんだ粒子の粒子径のCV値は、5%未満であってもよい。 The coefficient of variation (CV value) of the particle diameter of the solder particles is preferably 5% or more, more preferably 10% or more, and preferably 40% or less, more preferably 30% or less. When the coefficient of variation of the particle diameter of the solder particles is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, the solder can be disposed on the electrode much more efficiently. However, the CV value of the particle diameter of the solder particles may be less than 5%.
上記変動係数(CV値)は、以下のようにして測定できる。 The above coefficient of variation (CV value) can be measured as follows.
CV値(%)=(ρ/Dn)×100
ρ:はんだ粒子の粒子径の標準偏差
Dn:はんだ粒子の粒子径の平均値
CV value (%) = (ρ/Dn) x 100
ρ: Standard deviation of particle diameter of solder particles Dn: Average value of particle diameter of solder particles
上記はんだ粒子の形状は特に限定されない。上記はんだ粒子の形状は、球状であってもよく、球状以外の形状であってもよく、扁平状等であってもよい。上記はんだ粒子の形状は、球状であることが好ましい。上記はんだ粒子は、球状粒子であることが好ましい。 The shape of the solder particles is not particularly limited. The shape of the solder particles may be spherical, non-spherical, flat, etc. The shape of the solder particles is preferably spherical. The solder particles are preferably spherical particles.
上記導電材料100重量%中、上記はんだ粒子の含有量は、好ましくは40重量%以上、より好ましくは45重量%以上、さらに好ましくは50重量%以上、特に好ましくは55重量%以上、最も好ましくは60重量%以上であり、好ましくは75重量%以下、より好ましくは70重量%以下、さらに好ましくは65重量%以下である。上記はんだ粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、電極間にはんだを多く配置することが容易であり、導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記はんだ粒子の含有量は多い方が好ましい。 The content of the solder particles in 100% by weight of the conductive material is preferably 40% by weight or more, more preferably 45% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, particularly preferably 55% by weight or more, and most preferably The content is 60% by weight or more, preferably 75% by weight or less, more preferably 70% by weight or less, even more preferably 65% by weight or less. When the content of the solder particles is above the above lower limit and below the above upper limit, the solder can be placed on the electrodes even more efficiently, it is easy to place a large amount of solder between the electrodes, and conduction is ensured. Reliability can be improved even more effectively. From the viewpoint of further effectively increasing conduction reliability, it is preferable that the content of the solder particles be large.
(熱硬化性成分)
本発明に係る導電材料は、熱硬化性成分を含む。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物を含むことが好ましい。上記導電材料は、熱硬化性成分として、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含んでいてもよい。導電材料をより一層良好に硬化させるために、上記導電材料は、熱硬化性成分として、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含むことが好ましい。導電材料をより一層良好に硬化させるために、上記導電材料は、熱硬化性成分として硬化促進剤を含むことが好ましい。
(thermosetting component)
The electrically conductive material according to the present invention contains a thermosetting component. The thermosetting component preferably includes a thermosetting compound. The electrically conductive material may include a thermosetting compound and a thermosetting agent as thermosetting components. In order to cure the conductive material even better, the conductive material preferably contains a thermosetting compound and a thermosetting agent as thermosetting components. In order to cure the conductive material even better, the conductive material preferably contains a curing accelerator as a thermosetting component.
(熱硬化性成分:熱硬化性化合物)
本発明に係る導電材料は、熱硬化性化合物を含むことが好ましい。上記熱硬化性化合物は、加熱により硬化可能な化合物である。上記熱硬化性化合物は特に限定されない。上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、(メタ)アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。導電材料の硬化性及び粘度をより一層良好にし、導通信頼性をより一層高める観点から、エポキシ化合物又はエピスルフィド化合物が好ましく、エポキシ化合物がより好ましい。上記導電材料は、エポキシ化合物を含むことが好ましい。上記熱硬化性化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Thermosetting component: thermosetting compound)
The conductive material according to the present invention preferably contains a thermosetting compound. The thermosetting compound is a compound that can be cured by heating. The above thermosetting compound is not particularly limited. Examples of the thermosetting compound include oxetane compounds, epoxy compounds, episulfide compounds, (meth)acrylic compounds, phenol compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds, and polyimide compounds. From the viewpoint of further improving the curability and viscosity of the conductive material and further increasing the continuity reliability, epoxy compounds or episulfide compounds are preferred, and epoxy compounds are more preferred. Preferably, the conductive material includes an epoxy compound. The above thermosetting compounds may be used alone or in combination of two or more.
上記エポキシ化合物は、少なくとも1個のエポキシ基を有する化合物である。上記エポキシ化合物としては、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、ビスフェノールS型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、ビフェノール型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、フルオレン型エポキシ化合物、フェノールアラルキル型エポキシ化合物、ナフトールアラルキル型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物、アントラセン型エポキシ化合物、アダマンタン骨格を有するエポキシ化合物、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ化合物、ナフチレンエーテル型エポキシ化合物、及びトリアジン核を骨格に有するエポキシ化合物等が挙げられる。上記エポキシ化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The above epoxy compound is a compound having at least one epoxy group. The above-mentioned epoxy compounds include bisphenol A type epoxy compounds, bisphenol F type epoxy compounds, bisphenol S type epoxy compounds, phenol novolak type epoxy compounds, biphenyl type epoxy compounds, biphenyl novolac type epoxy compounds, biphenol type epoxy compounds, and naphthalene type epoxy compounds. , fluorene type epoxy compound, phenol aralkyl type epoxy compound, naphthol aralkyl type epoxy compound, dicyclopentadiene type epoxy compound, anthracene type epoxy compound, epoxy compound having an adamantane skeleton, epoxy compound having a tricyclodecane skeleton, naphthylene ether type Examples include epoxy compounds and epoxy compounds having a triazine nucleus in their skeleton. Only one kind of the above-mentioned epoxy compound may be used, or two or more kinds thereof may be used in combination.
上記エポキシ化合物は、常温(23℃)で液状又は固体であり、上記エポキシ化合物が常温で固体である場合には、上記エポキシ化合物の溶融温度は、上記はんだ粒子の融点以下であることが好ましい。上記の好ましいエポキシ化合物を用いることで、接続対象部材を貼り合わせた段階では、粘度が高く、搬送等の衝撃により加速度が付与された際に、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材との位置ずれを抑制することができる。さらに、硬化時の熱により、導電材料の粘度を大きく低下させることができ、導電接続時のはんだの凝集を効率よく進行させることができる。 The epoxy compound is liquid or solid at room temperature (23° C.), and when the epoxy compound is solid at room temperature, the melting temperature of the epoxy compound is preferably equal to or lower than the melting point of the solder particles. By using the above preferable epoxy compound, the viscosity is high at the stage where the connection target members are bonded together, and when acceleration is applied due to impact such as transportation, the first connection target member and the second connection target member are bonded together. Misalignment with the member can be suppressed. Furthermore, the viscosity of the conductive material can be greatly reduced by the heat during curing, and the aggregation of the solder during conductive connection can proceed efficiently.
本発明に係る導電材料では、25℃での上記熱硬化性化合物の粘度は、好ましくは1Pa・s以上、より好ましくは3Pa・s以上であり、好ましくは100Pa・s以下、より好ましくは60Pa・s以下である。上記熱硬化性化合物の粘度が、上記下限以上及び上記上限以下であると、スクリーン印刷をより一層良好に連続して行うことができ、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。 In the conductive material according to the present invention, the viscosity of the thermosetting compound at 25° C. is preferably 1 Pa·s or more, more preferably 3 Pa·s or more, and preferably 100 Pa·s or less, more preferably 60 Pa·s. s or less. When the viscosity of the thermosetting compound is not less than the lower limit and not more than the upper limit, screen printing can be performed even better and continuously, and the solder can be placed on the electrode more efficiently. .
上記熱硬化性化合物の粘度は、例えば、E型粘度計(東機産業社製「TVE22L」)等を用いて、25℃及び5rpmの条件で測定することができる。 The viscosity of the thermosetting compound can be measured at 25° C. and 5 rpm using, for example, an E-type viscometer (“TVE22L” manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.).
絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記熱硬化性成分はエポキシ化合物を含むことが好ましく、上記熱硬化性化合物はエポキシ化合物を含むことが好ましい。 From the viewpoint of further effectively increasing the insulation reliability and the viewpoint of further effectively increasing the conduction reliability, the thermosetting component preferably contains an epoxy compound, and the thermosetting compound preferably contains an epoxy compound. It is preferable to include.
電極上にはんだをより一層効果的に配置する観点からは、上記熱硬化性化合物は、ポリエーテル骨格を有する熱硬化性化合物を含むことが好ましい。 From the viewpoint of arranging the solder on the electrode more effectively, the thermosetting compound preferably includes a thermosetting compound having a polyether skeleton.
上記ポリエーテル骨格を有する熱硬化性化合物としては、炭素数3~12のアルキル鎖の両末端にグリシジルエーテル基を有する化合物、並びに炭素数2~4のポリエーテル骨格を有し、該ポリエーテル骨格2~10個が連続して結合した構造単位を有するポリエーテル型エポキシ化合物等が挙げられる。 Examples of the thermosetting compound having a polyether skeleton include a compound having a glycidyl ether group at both ends of an alkyl chain having 3 to 12 carbon atoms, and a compound having a polyether skeleton having 2 to 4 carbon atoms; Examples include polyether-type epoxy compounds having 2 to 10 consecutively bonded structural units.
硬化物の耐熱性をより一層効果的に高める観点からは、上記熱硬化性化合物は、イソシアヌル骨格を有する熱硬化性化合物を含むことが好ましい。 From the viewpoint of further effectively increasing the heat resistance of the cured product, the thermosetting compound preferably contains a thermosetting compound having an isocyanuric skeleton.
上記イソシアヌル骨格を有する熱硬化性化合物としてはトリイソシアヌレート型エポキシ化合物等が挙げられ、日産化学工業社製TEPICシリーズ(TEPIC-G、TEPIC-S、TEPIC-SS、TEPIC-HP、TEPIC-L、TEPIC-PAS、TEPIC-VL、TEPIC-UC)等が挙げられる。 Examples of the thermosetting compound having an isocyanuric skeleton include triisocyanurate type epoxy compounds, which include the TEPIC series manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd. (TEPIC-G, TEPIC-S, TEPIC-SS, TEPIC-HP, TEPIC-L, TEPIC-PAS, TEPIC-VL, TEPIC-UC), etc.
電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点、接続されるべき上下の電極間の導通信頼性をより一層効果的に高める観点、及び熱硬化性化合物の変色をより一層効果的に抑制する観点からは、上記熱硬化性化合物は、高い耐熱性を有することが好ましく、ノボラック型エポキシ化合物であることがより好ましい。ノボラック型エポキシ化合物は、比較的高い耐熱性を有する。 To more efficiently arrange solder on the electrodes, to more effectively increase the reliability of conduction between the upper and lower electrodes to be connected, and to more effectively suppress discoloration of thermosetting compounds. From this point of view, the thermosetting compound preferably has high heat resistance, and is more preferably a novolak-type epoxy compound. Novolak-type epoxy compounds have relatively high heat resistance.
上記導電材料100重量%中、上記熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは5重量%以上、より好ましくは8重量%以上、さらに好ましくは10重量%以上であり、好ましくは99重量%以下、より好ましくは90重量%以下、さらに好ましくは80重量%以下、特に好ましくは70重量%以下である。上記熱硬化性化合物の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置し、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。耐衝撃性をより一層効果的に高める観点からは、上記熱硬化性化合物の含有量は多い方が好ましい。 The content of the thermosetting compound in 100% by weight of the conductive material is preferably 5% by weight or more, more preferably 8% by weight or more, even more preferably 10% by weight or more, and preferably 99% by weight or less, The content is more preferably 90% by weight or less, further preferably 80% by weight or less, particularly preferably 70% by weight or less. When the content of the thermosetting compound is at least the above lower limit and below the above upper limit, the solder can be placed on the electrodes even more efficiently, and the insulation reliability between the electrodes can be further effectively increased. , it is possible to further effectively improve the reliability of conduction between the electrodes. From the viewpoint of increasing impact resistance even more effectively, it is preferable that the content of the thermosetting compound is as large as possible.
上記導電材料100重量%中、上記エポキシ化合物の含有量は、好ましくは5重量%以上、より好ましくは8重量%以上、さらに好ましくは10重量%以上であり、好ましくは99重量%以下、より好ましくは90重量%以下、さらに好ましくは80重量%以下、特に好ましくは70重量%以下である。上記エポキシ化合物の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置し、電極間の絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができ、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。耐衝撃性をより一層高める観点からは、上記エポキシ化合物の含有量は多い方が好ましい。 The content of the epoxy compound in 100% by weight of the conductive material is preferably 5% by weight or more, more preferably 8% by weight or more, even more preferably 10% by weight or more, and preferably 99% by weight or less, more preferably is 90% by weight or less, more preferably 80% by weight or less, particularly preferably 70% by weight or less. When the content of the epoxy compound is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the solder can be placed on the electrode more efficiently, and the insulation reliability between the electrodes can be further effectively increased. The reliability of conduction between the two can be further effectively improved. From the viewpoint of further improving impact resistance, it is preferable that the content of the epoxy compound is as large as possible.
(熱硬化性成分:熱硬化剤)
上記導電材料は、熱硬化剤を含んでいてもよい。上記導電材料は、上記熱硬化性化合物とともに熱硬化剤を含んでいてもよい。上記熱硬化剤は、上記熱硬化性化合物を熱硬化させる。上記熱硬化剤は特に限定されない。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、フェノール硬化剤、チオール硬化剤、アミン硬化剤、酸無水物硬化剤、熱カチオン硬化剤及び熱ラジカル発生剤等がある。上記熱硬化剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Thermosetting component: thermosetting agent)
The conductive material may contain a thermosetting agent. The conductive material may contain a thermosetting agent together with the thermosetting compound. The thermosetting agent thermosets the thermosetting compound. The above thermosetting agent is not particularly limited. Examples of the thermosetting agent include imidazole curing agents, phenol curing agents, thiol curing agents, amine curing agents, acid anhydride curing agents, thermal cation curing agents, and thermal radical generators. The above thermosetting agents may be used alone or in combination of two or more.
導電材料を低温でより一層速やかに硬化可能とする観点からは、上記熱硬化剤は、イミダゾール硬化剤、チオール硬化剤、又はアミン硬化剤であることが好ましい。また、上記熱硬化性化合物と上記熱硬化剤とを混合したときの保存安定性を高める観点からは、上記熱硬化剤は、潜在性の硬化剤であることが好ましい。潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性チオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。なお、上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。 From the viewpoint of enabling the conductive material to be cured more rapidly at low temperatures, the thermosetting agent is preferably an imidazole curing agent, a thiol curing agent, or an amine curing agent. Further, from the viewpoint of improving the storage stability when the thermosetting compound and the thermosetting agent are mixed, the thermosetting agent is preferably a latent curing agent. Preferably, the latent curing agent is a latent imidazole curing agent, a latent thiol curing agent or a latent amine curing agent. Note that the thermosetting agent may be coated with a polymeric substance such as polyurethane resin or polyester resin.
上記イミダゾール硬化剤は特に限定されない。上記イミダゾール硬化剤としては、2-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテート、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン及び2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-ベンジル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2-パラトルイル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2-メタトルイル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2-メタトルイル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-パラトルイル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール等における1H-イミダゾールの5位の水素をヒドロキシメチル基で、かつ、2位の水素をフェニル基またはトルイル基で置換したイミダゾール化合物等が挙げられる。 The above imidazole curing agent is not particularly limited. Examples of the imidazole curing agent include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6 -[2'-Methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine and 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct , 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-benzyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-paratolyl-4-methyl-5 -5-position of 1H-imidazole in hydroxymethylimidazole, 2-metatolyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-metatolyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-paratolyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, etc. Examples include imidazole compounds in which hydrogen at the 2-position is substituted with a hydroxymethyl group and hydrogen at the 2-position is substituted with a phenyl group or a tolyl group.
上記チオール硬化剤は特に限定されない。上記チオール硬化剤としては、トリメチロールプロパントリス-3-メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス-3-メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ-3-メルカプトプロピオネート等が挙げられる。 The above-mentioned thiol curing agent is not particularly limited. Examples of the thiol curing agent include trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate.
上記アミン硬化剤は特に限定されない。上記アミン硬化剤としては、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、3,9-ビス(3-アミノプロピル)-2,4,8,10-テトラスピロ[5.5]ウンデカン、ビス(4-アミノシクロヘキシル)メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。 The above amine curing agent is not particularly limited. Examples of the amine curing agent include hexamethylene diamine, octamethylene diamine, decamethylene diamine, 3,9-bis(3-aminopropyl)-2,4,8,10-tetraspiro[5.5]undecane, bis(4 -aminocyclohexyl)methane, metaphenylenediamine, and diaminodiphenylsulfone.
上記酸無水物硬化剤は特に限定されず、エポキシ化合物等の熱硬化性化合物の硬化剤として用いられる酸無水物であれば広く用いることができる。上記酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルブテニルテトラヒドロ無水フタル酸、フタル酸誘導体の無水物、無水マレイン酸、無水ナジック酸、無水メチルナジック酸、無水グルタル酸、無水コハク酸、グリセリンビス無水トリメリット酸モノアセテート、及びエチレングリコールビス無水トリメリット酸等の2官能の酸無水物硬化剤、無水トリメリット酸等の3官能の酸無水物硬化剤、並びに、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、及びポリアゼライン酸無水物等の4官能以上の酸無水物硬化剤等が挙げられる。 The acid anhydride curing agent is not particularly limited, and any acid anhydride that can be used as a curing agent for thermosetting compounds such as epoxy compounds can be used. The acid anhydride curing agents include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylbutenyltetrahydrophthalic anhydride. , anhydrides of phthalic acid derivatives, maleic anhydride, nadic anhydride, methyl nadic anhydride, glutaric anhydride, succinic anhydride, glycerin bis-trimellitic anhydride monoacetate, and difunctional compounds such as ethylene glycol bis-trimellitic anhydride. trifunctional acid anhydride curing agents such as trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic anhydride, methylcyclohexenetetracarboxylic anhydride, polyazelaic anhydride, etc. Examples include acid anhydride curing agents having four or more functional groups.
上記熱カチオン開始剤は特に限定されない。上記熱カチオン開始剤としては、ヨードニウム系カチオン硬化剤、オキソニウム系カチオン硬化剤及びスルホニウム系カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系カチオン硬化剤としては、ビス(4-tert-ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系カチオン硬化剤としては、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系カチオン硬化剤としては、トリ-p-トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。 The thermal cationic initiator is not particularly limited. Examples of the thermal cationic initiator include iodonium-based cationic curing agents, oxonium-based cationic curing agents, and sulfonium-based cationic curing agents. Examples of the iodonium-based cationic curing agent include bis(4-tert-butylphenyl)iodonium hexafluorophosphate. Examples of the oxonium-based cationic curing agent include trimethyloxonium tetrafluoroborate. Examples of the sulfonium-based cationic curing agent include tri-p-tolylsulfonium hexafluorophosphate.
上記熱ラジカル発生剤は特に限定されない。上記熱ラジカル発生剤としては、アゾ化合物及び有機過酸化物等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、ジ-tert-ブチルペルオキシド及びメチルエチルケトンペルオキシド等が挙げられる。 The thermal radical generator described above is not particularly limited. Examples of the thermal radical generator include azo compounds and organic peroxides. Examples of the azo compound include azobisisobutyronitrile (AIBN) and the like. Examples of the organic peroxide include di-tert-butyl peroxide and methyl ethyl ketone peroxide.
上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記熱硬化性化合物100重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは1重量部以上であり、好ましくは200重量部以下、より好ましくは100重量部以下、さらに好ましくは75重量部以下である。熱硬化剤の含有量が、上記下限以上であると、導電材料を十分に硬化させることが容易である。熱硬化剤の含有量が、上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつ硬化物の耐熱性がより一層高くなる。 The content of the thermosetting agent is not particularly limited. With respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound, the content of the thermosetting agent is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, and preferably 200 parts by weight or less, more preferably The amount is 100 parts by weight or less, more preferably 75 parts by weight or less. When the content of the thermosetting agent is at least the above lower limit, it is easy to sufficiently cure the conductive material. When the content of the thermosetting agent is below the above upper limit, it becomes difficult for surplus thermosetting agent that did not take part in curing to remain after curing, and the heat resistance of the cured product becomes even higher.
(熱硬化性成分:硬化促進剤)
上記導電材料は硬化促進剤を含んでいてもよい。上記硬化促進剤は特に限定されない。上記硬化促進剤は、上記熱硬化性化合物と上記熱硬化剤との反応において硬化触媒として作用することが好ましい。上記硬化促進剤は、上記熱硬化性化合物との反応において硬化触媒として作用することが好ましい。上記硬化促進剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Thermosetting component: curing accelerator)
The conductive material may contain a curing accelerator. The above-mentioned curing accelerator is not particularly limited. The curing accelerator preferably acts as a curing catalyst in the reaction between the thermosetting compound and the thermosetting agent. The curing accelerator preferably acts as a curing catalyst in the reaction with the thermosetting compound. As for the said hardening accelerator, only 1 type may be used, and 2 or more types may be used together.
上記硬化促進剤としては、ホスホニウム塩、三級アミン、三級アミン塩、四級オニウム塩、三級ホスフィン、クラウンエーテル錯体、アミン錯体化合物及びホスホニウムイリド等が挙げられる。具体的には、上記硬化促進剤としては、イミダゾール化合物、イミダゾール化合物のイソシアヌル酸塩、ジシアンジアミド、ジシアンジアミドの誘導体、メラミン化合物、メラミン化合物の誘導体、ジアミノマレオニトリル、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ビス(ヘキサメチレン)トリアミン、トリエタノールアミン、ジアミノジフェニルメタン、有機酸ジヒドラジド等のアミン化合物、1,8-ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデセン-7、3,9-ビス(3-アミノプロピル)-2,4,8,10-テトラオキサスピロ[5,5]ウンデカン、三フッ化ホウ素、三フッ化ホウ素-アミン錯体化合物、並びに、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリブチルホスフィン及びメチルジフェニルホスフィン等の有機リン化合物等が挙げられる。 Examples of the curing accelerator include phosphonium salts, tertiary amines, tertiary amine salts, quaternary onium salts, tertiary phosphines, crown ether complexes, amine complex compounds, and phosphonium ylides. Specifically, the curing accelerators include imidazole compounds, isocyanurates of imidazole compounds, dicyandiamide, derivatives of dicyandiamide, melamine compounds, derivatives of melamine compounds, diaminomaleonitrile, diethylenetriamine, triethylenetetramine, and tetraethylenepentamine. , bis(hexamethylene)triamine, triethanolamine, diaminodiphenylmethane, amine compounds such as organic acid dihydrazide, 1,8-diazabicyclo[5,4,0]undecene-7,3,9-bis(3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraoxaspiro[5,5]undecane, boron trifluoride, boron trifluoride-amine complex compounds, triphenylphosphine, tricyclohexylphosphine, tributylphosphine, methyldiphenylphosphine, etc. Examples include organic phosphorus compounds such as
上記ホスホニウム塩は特に限定されない。上記ホスホニウム塩としては、テトラノルマルブチルホスホニウムブロマイド、テトラノルマルブチルホスホニウムO-Oジエチルジチオリン酸、メチルトリブチルホスホニウムジメチルリン酸塩、テトラノルマルブチルホスホニウムベンゾトリアゾール、テトラノルマルブチルホスホニウムテトラフルオロボレート、及びテトラノルマルブチルホスホニウムテトラフェニルボレート等が挙げられる。 The above phosphonium salt is not particularly limited. The above phosphonium salts include tetra-n-butylphosphonium bromide, tetra-n-butylphosphonium O-O diethyldithiophosphate, methyltributylphosphonium dimethyl phosphate, tetra-n-butylphosphonium benzotriazole, tetra-n-butylphosphonium tetrafluoroborate, and tetra-n-butyl phosphonium. Examples include phosphonium tetraphenylborate.
上記熱硬化性化合物が良好に硬化するように、上記硬化促進剤の含有量は適宜選択される。上記熱硬化性化合物100重量部に対する上記硬化促進剤の含有量は、好ましくは0.5重量部以上、より好ましくは0.8重量部以上であり、好ましくは10重量部以下、より好ましくは8重量部以下である。上記硬化促進剤の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記熱硬化性化合物を良好に硬化させることができる。また、上記硬化促進剤の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、接続されるべき上下の電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。 The content of the curing accelerator is appropriately selected so that the thermosetting compound is well cured. The content of the curing accelerator relative to 100 parts by weight of the thermosetting compound is preferably 0.5 parts by weight or more, more preferably 0.8 parts by weight or more, and preferably 10 parts by weight or less, more preferably 8 parts by weight. Parts by weight or less. When the content of the curing accelerator is at least the above lower limit and at most the above upper limit, the thermosetting compound can be cured well. In addition, when the content of the curing accelerator is at least the above lower limit and below the above upper limit, the solder can be placed on the electrodes even more efficiently, and the continuity reliability between the upper and lower electrodes to be connected is improved. can be increased even more effectively.
(溶剤)
本発明に係る導電材料では、溶剤を含まないか、又は、上記導電材料100重量%中に溶剤を1重量%以下で含む。上記導電材料では、上記導電材料100重量%中に溶剤を1重量%以下で含むことが好ましく、溶剤を含まないことがより好ましい。上記溶剤が、上記の好ましい態様を満足すると、スクリーン印刷をより一層良好に連続して行うことができ、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。上記溶剤は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(solvent)
The conductive material according to the present invention does not contain a solvent, or contains 1% by weight or less of a solvent in 100% by weight of the conductive material. The conductive material preferably contains 1% by weight or less of a solvent in 100% by weight of the conductive material, and more preferably does not contain a solvent. When the above-mentioned solvent satisfies the above-mentioned preferred embodiments, screen printing can be carried out in a better and continuous manner, and the solder can be disposed on the electrodes more efficiently. Only one type of the above solvent may be used, or two or more types may be used in combination.
上記溶剤としては、水及び有機溶剤等が挙げられる。容易に除去できることから、有機溶剤が好ましい。上記有機溶剤としては、エタノール等のアルコール化合物、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン化合物、トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素化合物、セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル化合物、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン等のエステル化合物、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素化合物、並びに石油エーテル、ナフサ等の石油系溶剤等が挙げられる。 Examples of the solvent include water and organic solvents. Organic solvents are preferred because they can be easily removed. Examples of the organic solvents include alcohol compounds such as ethanol, ketone compounds such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone, aromatic hydrocarbon compounds such as toluene, xylene, and tetramethylbenzene, cellosolve, methyl cellosolve, butyl cellosolve, carbitol, and methyl carbitol. , glycol ether compounds such as butyl carbitol, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, ethyl acetate, butyl acetate, butyl lactate, cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate, carbitol Ester compounds such as acetate, butyl carbitol acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, propylene carbonate, aliphatic hydrocarbon compounds such as octane and decane, petroleum solvents such as petroleum ether and naphtha, etc. Can be mentioned.
上記溶剤は、260℃及び5分間の条件で加熱したときに蒸発することが好ましい。上記の好ましい態様を満足する溶剤としては、ベンジルグリコール、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル及びジエチレングリコールモノ2-エチルヘキシルエーテル等が挙げられる。上記溶剤は、ベンジルグリコール、又はジエチレングリコールモノヘキシルエーテルであることが好ましい。 Preferably, the solvent evaporates when heated at 260° C. for 5 minutes. Examples of the solvent that satisfies the above preferred embodiments include benzyl glycol, diethylene glycol monohexyl ether, and diethylene glycol mono-2-ethylhexyl ether. The solvent is preferably benzyl glycol or diethylene glycol monohexyl ether.
(脂肪酸アミン塩又は脂肪酸アミド)
上記導電材料は、脂肪酸アミン塩又は脂肪酸アミドを含むことが好ましい。上記導電材料は脂肪酸アミン塩のみを含んでいてもよく、脂肪酸アミドのみを含んでいてもよく、脂肪酸アミン塩と脂肪酸アミドとを含んでいてもよい。脂肪酸アミン塩又は脂肪酸アミドを用いることで、導電材料の粘弾特性をより一層良好にすることができ、スクリーン印刷をより一層良好に連続して行うことができ、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。上記脂肪酸アミン塩及び上記脂肪酸アミドは、後述するフラックスとして導電材料に用いられてもよい。上記脂肪酸アミン塩及び上記脂肪酸アミドは、後述するフラックスとは異なる添加剤として導電材料に用いられてもよい。上記脂肪酸アミン塩は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記脂肪酸アミドは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Fatty acid amine salt or fatty acid amide)
The conductive material preferably contains a fatty acid amine salt or a fatty acid amide. The conductive material may contain only a fatty acid amine salt, only a fatty acid amide, or a fatty acid amine salt and a fatty acid amide. By using fatty acid amine salts or fatty acid amides, the viscoelastic properties of the conductive material can be further improved, screen printing can be performed better and continuously, and the solder can be applied more efficiently to the electrodes. It can be placed as follows. The above-mentioned fatty acid amine salt and the above-mentioned fatty acid amide may be used in a conductive material as a flux described below. The fatty acid amine salt and the fatty acid amide may be used in the conductive material as an additive different from the flux described below. The above fatty acid amine salts may be used alone or in combination of two or more. The above fatty acid amides may be used alone or in combination of two or more.
上記脂肪酸アミン塩としては、グルタル酸ベンジルアミン塩、アジピン酸ベンジルアミン塩及びグルタル酸ヘキシルアミン塩等が挙げられる。導電材料の粘弾特性をより一層良好にする観点、スクリーン印刷をより一層良好に連続して行う観点、及び電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記脂肪酸アミン塩は、グルタル酸ベンジルアミン塩又はアジピン酸ベンジルアミン塩であることが好ましい。 Examples of the fatty acid amine salts include benzylamine glutarate, benzylamine adipate, hexylamine glutarate, and the like. From the viewpoint of further improving the viscoelastic properties of the conductive material, the viewpoint of performing continuous screen printing even better, and the viewpoint of disposing the solder on the electrode more efficiently, the fatty acid amine salt is Preferably, it is glutaric acid benzylamine salt or adipic acid benzylamine salt.
上記脂肪酸アミドとしては、グルタル酸ベンジルアミド、アジピン酸ベンジルアミド及びグルタル酸ヘキシルアミド等が挙げられる。導電材料の粘弾特性をより一層良好にする観点、スクリーン印刷をより一層良好に連続して行う観点、及び電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記脂肪酸アミドは、グルタル酸ベンジルアミド又はアジピン酸ベンジルアミドであることが好ましい。 Examples of the fatty acid amides include glutaric acid benzylamide, adipic acid benzylamide, glutaric acid hexylamide, and the like. From the viewpoint of further improving the viscoelastic properties of the conductive material, improving continuous screen printing, and disposing the solder on the electrode more efficiently, the fatty acid amide is glutaric. Preference is given to acid benzylamide or adipic acid benzylamide.
上記導電材料100重量%中、上記脂肪酸アミン塩の含有量は、好ましくは1重量%以上、より好ましくは3重量%以上であり、好ましくは10重量%以下、より好ましくは7重量%以下である。上記導電材料は、上記脂肪酸アミン塩を含んでいなくてもよい。上記脂肪酸アミン塩の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料の粘弾特性をより一層良好にすることができ、スクリーン印刷をより一層良好に連続して行うことができ、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。 The content of the fatty acid amine salt in 100% by weight of the conductive material is preferably 1% by weight or more, more preferably 3% by weight or more, and preferably 10% by weight or less, more preferably 7% by weight or less. . The conductive material does not need to contain the fatty acid amine salt. When the content of the fatty acid amine salt is at least the above lower limit and below the above upper limit, the viscoelastic properties of the conductive material can be further improved, and screen printing can be performed even better and continuously. , it is possible to more efficiently arrange the solder on the electrode.
上記導電材料100重量%中、上記脂肪酸アミドの含有量は、好ましくは0.2重量%以上、より好ましくは0.5重量%以上であり、好ましくは3重量%以下、より好ましくは2重量%以下である。上記導電材料は、上記脂肪酸アミドを含んでいなくてもよい。上記脂肪酸アミドの含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料の粘弾特性をより一層良好にすることができ、スクリーン印刷をより一層良好に連続して行うことができ、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。 The content of the fatty acid amide in 100% by weight of the conductive material is preferably 0.2% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, and preferably 3% by weight or less, more preferably 2% by weight. It is as follows. The conductive material does not need to contain the fatty acid amide. When the content of the fatty acid amide is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the viscoelastic properties of the conductive material can be further improved, and screen printing can be performed continuously even better. Solder can be placed on the electrodes even more efficiently.
(フラックス)
上記導電材料は、フラックスを含んでいてもよい。フラックスを用いることで、導電接続時のはんだの凝集性をより一層効果的に高めることができる。上記フラックスは特に限定されない。上記フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを用いることができる。上記フラックスは、上述した脂肪酸アミン塩又は脂肪酸アミドであってもよい。上記フラックスは、上述した脂肪酸アミン塩又は脂肪酸アミド以外の化合物を含んでいてもよい。
(flux)
The conductive material may contain flux. By using flux, the cohesiveness of solder during conductive connection can be further effectively increased. The above flux is not particularly limited. As the above-mentioned flux, a flux commonly used for soldering and the like can be used. The above-mentioned flux may be the above-mentioned fatty acid amine salt or fatty acid amide. The above-mentioned flux may contain compounds other than the above-mentioned fatty acid amine salt or fatty acid amide.
上記フラックスとしては、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、アミン化合物、有機酸及び松脂等が挙げられる。上記フラックスは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The above fluxes include zinc chloride, a mixture of zinc chloride and an inorganic halide, a mixture of zinc chloride and an inorganic acid, a molten salt, phosphoric acid, a derivative of phosphoric acid, an organic halide, hydrazine, an amine compound, an organic acid and Examples include pine resin. The above fluxes may be used alone or in combination of two or more.
上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びグルタル酸等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、カルボキシル基を2個以上有する有機酸、又は松脂であることが好ましい。上記フラックスは、カルボキシル基を2個以上有する有機酸であってもよく、松脂であってもよい。カルボキシル基を2個以上有する有機酸、松脂の使用により、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。 Examples of the molten salt include ammonium chloride. Examples of the organic acids include lactic acid, citric acid, stearic acid, glutamic acid, and glutaric acid. Examples of the pine resin include activated pine resin and non-activated pine resin. The flux is preferably an organic acid having two or more carboxyl groups or pine resin. The above-mentioned flux may be an organic acid having two or more carboxyl groups, or may be pine resin. By using an organic acid or pine resin having two or more carboxyl groups, the reliability of conduction between the electrodes can be further effectively improved.
上記カルボキシル基を2個以上有する有機酸としては、例えば、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、及びセバシン酸等が挙げられる。 Examples of the organic acids having two or more carboxyl groups include succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, and sebacic acid.
上記アミン化合物としては、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、ベンズヒドリルアミン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、フェニルイミダゾール、カルボキシベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、及びカルボキシベンゾトリアゾール等が挙げられる。 Examples of the amine compounds include cyclohexylamine, dicyclohexylamine, benzylamine, benzhydrylamine, imidazole, benzimidazole, phenylimidazole, carboxybenzimidazole, benzotriazole, and carboxybenzotriazole.
上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。上記ロジン類としては、アビエチン酸、及びアクリル変性ロジン等が挙げられる。フラックスはロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。 The above-mentioned pine resin is a rosin whose main component is abietic acid. Examples of the rosins include abietic acid and acrylic modified rosin. The flux is preferably a rosin, more preferably abietic acid. By using this preferable flux, the reliability of conduction between the electrodes can be further effectively improved.
上記フラックスの活性温度(融点)は、好ましくは50℃以上、より好ましくは70℃以上、さらに好ましくは80℃以上であり、好ましくは200℃以下、より好ましくは190℃以下、より一層好ましくは160℃以下、さらに好ましくは150℃以下、さらに一層好ましくは140℃以下である。上記フラックスの活性温度が、上記下限以上及び上記上限以下であると、フラックス効果がより一層効果的に発揮され、はんだが電極上により一層効率的に配置される。上記フラックスの活性温度(融点)は80℃以上190℃以下であることが好ましい。上記フラックスの活性温度(融点)は80℃以上140℃以下であることが特に好ましい。 The activation temperature (melting point) of the above flux is preferably 50°C or higher, more preferably 70°C or higher, even more preferably 80°C or higher, preferably 200°C or lower, more preferably 190°C or lower, even more preferably 160°C or lower. The temperature is preferably 150°C or lower, even more preferably 140°C or lower. When the activation temperature of the flux is equal to or higher than the lower limit and lower than the upper limit, the flux effect is even more effectively exhibited, and the solder is disposed on the electrode more efficiently. The activation temperature (melting point) of the flux is preferably 80°C or more and 190°C or less. It is particularly preferable that the activation temperature (melting point) of the above-mentioned flux is 80°C or more and 140°C or less.
上記フラックスの融点は、示差走査熱量測定(DSC)により求めることができる。示差走査熱量測定(DSC)装置としては、SII社製「EXSTAR DSC7020」等が挙げられる。 The melting point of the flux can be determined by differential scanning calorimetry (DSC). Examples of the differential scanning calorimetry (DSC) device include "EXSTAR DSC7020" manufactured by SII.
フラックスの活性温度(融点)が80℃以上190℃以下である上記フラックスとしては、コハク酸(融点186℃)、グルタル酸(融点96℃)、アジピン酸(融点152℃)、ピメリン酸(融点104℃)、スベリン酸(融点142℃)等のジカルボン酸、安息香酸(融点122℃)、リンゴ酸(融点130℃)等が挙げられる。 Examples of the above-mentioned fluxes having an active temperature (melting point) of 80°C or higher and 190°C or lower include succinic acid (melting point 186°C), glutaric acid (melting point 96°C), adipic acid (melting point 152°C), and pimelic acid (melting point 104°C). C), dicarboxylic acids such as suberic acid (melting point 142°C), benzoic acid (melting point 122°C), malic acid (melting point 130°C), and the like.
また、上記フラックスの沸点は200℃以下であることが好ましい。 Moreover, it is preferable that the boiling point of the above-mentioned flux is 200° C. or lower.
上記フラックスは、導電材料中に分散されていてもよく、はんだ粒子の表面上に付着していてもよい。 The flux may be dispersed in the conductive material or may be attached to the surface of the solder particles.
上記フラックスは、加熱によりカチオンを放出するフラックスであることが好ましい。加熱によりカチオンを放出するフラックスの使用により、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができる。 The above-mentioned flux is preferably a flux that releases cations when heated. By using a flux that releases cations when heated, the solder can be placed on the electrodes more efficiently.
上記加熱によりカチオンを放出するフラックスとしては、上記熱カチオン開始剤(熱カチオン硬化剤)が挙げられる。 Examples of the flux that releases cations upon heating include the thermal cation initiator (thermal cation curing agent).
電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点、絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記フラックスは、酸化合物と塩基化合物との塩であることが好ましい。上記酸化合物は、金属の表面を洗浄する効果を有することが好ましく、上記塩基化合物は、上記酸化合物を中和する作用を有することが好ましい。上記フラックスは、上記酸化合物と上記塩基化合物との中和反応物(塩)であることが好ましい。 From the viewpoint of arranging the solder more efficiently on the electrode, from the viewpoint of further increasing the insulation reliability, and from the viewpoint of further effectively increasing the conduction reliability, the above-mentioned flux is composed of an acid compound and a basic compound. It is preferable that it is a salt with. The acid compound preferably has the effect of cleaning the surface of the metal, and the base compound preferably has the effect of neutralizing the acid compound. The flux is preferably a neutralization reaction product (salt) of the acid compound and the base compound.
上記酸化合物は、カルボキシル基を有する有機化合物であることが好ましい。上記酸化合物としては、脂肪族系カルボン酸であるマロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、クエン酸、リンゴ酸、環状脂肪族カルボン酸であるシクロヘキシルカルボン酸、1,4-シクロヘキシルジカルボン酸、芳香族カルボン酸であるイソフタル酸、テレフタル酸、トリメリット酸、及びエチレンジアミン四酢酸等が挙げられる。電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点、絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記酸化合物は、グルタル酸、シクロヘキシルカルボン酸、又はアジピン酸であることが好ましい。 The acid compound is preferably an organic compound having a carboxyl group. The above acid compounds include aliphatic carboxylic acids such as malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, citric acid, malic acid, and cycloaliphatic carboxylic acids. Examples include cyclohexylcarboxylic acid, 1,4-cyclohexyldicarboxylic acid, aromatic carboxylic acids such as isophthalic acid, terephthalic acid, trimellitic acid, and ethylenediaminetetraacetic acid. From the viewpoint of arranging the solder more efficiently on the electrode, from the viewpoint of further effectively increasing the insulation reliability, and from the viewpoint of further effectively increasing the conduction reliability, the above acid compounds include glutaric acid, cyclohexyl Preferably, it is carboxylic acid or adipic acid.
上記塩基化合物は、アミノ基を有する有機化合物であることが好ましい。上記塩基化合物としては、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、エチルジエタノールアミン、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、ベンズヒドリルアミン、2-メチルベンジルアミン、3-メチルベンジルアミン、4-tert-ブチルベンジルアミン、N-メチルベンジルアミン、N-エチルベンジルアミン、N-フェニルベンジルアミン、N-tert-ブチルベンジルアミン、N-イソプロピルベンジルアミン、N,N-ジメチルベンジルアミン、イミダゾール化合物、及びトリアゾール化合物が挙げられる。電極上にはんだをより一層効率的に配置する観点、絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記塩基化合物は、ベンジルアミンであることが好ましい。 The basic compound is preferably an organic compound having an amino group. The above basic compounds include diethanolamine, triethanolamine, methyldiethanolamine, ethyldiethanolamine, cyclohexylamine, dicyclohexylamine, benzylamine, benzhydrylamine, 2-methylbenzylamine, 3-methylbenzylamine, 4-tert-butylbenzylamine. , N-methylbenzylamine, N-ethylbenzylamine, N-phenylbenzylamine, N-tert-butylbenzylamine, N-isopropylbenzylamine, N,N-dimethylbenzylamine, imidazole compounds, and triazole compounds. . From the viewpoint of arranging the solder on the electrode more efficiently, from the viewpoint of further effectively increasing insulation reliability, and from the viewpoint of further effectively increasing continuity reliability, the above basic compound is benzylamine. It is preferable.
上記導電材料100重量%中、上記フラックスの含有量は、好ましくは1重量%以上であり、好ましくは10重量%以下、より好ましくは7重量%以下である。上記フラックスの含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ及び電極の表面に酸化被膜がより一層形成され難くなり、さらに、はんだ及び電極の表面に形成された酸化被膜をより一層効果的に除去できる。 The content of the flux in 100% by weight of the conductive material is preferably 1% by weight or more, preferably 10% by weight or less, and more preferably 7% by weight or less. When the content of the flux is more than the above lower limit and less than the above upper limit, it becomes even more difficult to form an oxide film on the surfaces of the solder and electrodes, and furthermore, it becomes even more difficult to form an oxide film on the surfaces of the solder and electrodes. Can be removed effectively.
(フィラー)
上記導電材料は、フィラーを含んでいてもよい。上記フィラーは、有機フィラーであってもよく、無機フィラーであってもよい。フィラーの添加により、基板の全電極上に対して、はんだをより一層均一に凝集させることができる。
(filler)
The above-mentioned conductive material may contain a filler. The filler may be an organic filler or an inorganic filler. By adding the filler, the solder can be more uniformly aggregated over all the electrodes on the substrate.
上記導電材料は、上記フィラーを含まないか、又は上記フィラーを5重量%以下で含むことが好ましい。上記熱硬化性化合物を用いている場合には、フィラーの含有量が少ないほど、電極上にはんだ粒子が移動しやすくなる。 It is preferable that the conductive material does not contain the filler or contains 5% by weight or less of the filler. When using the above-mentioned thermosetting compound, the smaller the filler content, the easier the solder particles will move onto the electrode.
上記導電材料100重量%中、上記フィラーの含有量は、好ましくは0重量%(未含有)以上であり、好ましくは5重量%以下、より好ましくは2重量%以下、さらに好ましくは1重量%以下である。上記フィラーの含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだが電極上により一層均一に配置される。 The content of the filler in 100% by weight of the conductive material is preferably 0% by weight (not contained) or more, preferably 5% by weight or less, more preferably 2% by weight or less, even more preferably 1% by weight or less. It is. When the content of the filler is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder is more uniformly arranged on the electrode.
(他の成分)
上記導電材料は、必要に応じて、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、増粘剤、チキソ剤、レベリング剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
(other ingredients)
The above-mentioned conductive material may include fillers, extenders, softeners, plasticizers, thickeners, thixotropic agents, leveling agents, polymerization catalysts, curing catalysts, colorants, antioxidants, and heat stabilizers, as necessary. , a light stabilizer, an ultraviolet absorber, a lubricant, an antistatic agent, and a flame retardant.
(接続構造体及び接続構造体の製造方法)
本発明に係る接続構造体は、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、上記第1の接続対象部材と、上記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記接続部の材料が、上述した導電材料である。本発明に係る接続構造体では、上記第1の電極と上記第2の電極とが、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている。
(Connected structure and method for manufacturing the connected structure)
The connection structure according to the present invention includes a first connection target member having a first electrode on its surface, a second connection target member having a second electrode on its surface, and the first connection target member, and a connecting portion connecting the second connection target member. In the connected structure according to the present invention, the material of the connecting portion is the conductive material described above. In the connected structure according to the present invention, the first electrode and the second electrode are electrically connected by a solder part in the connecting part.
本発明に係る接続構造体の製造方法は、上述した導電材料を用いて、第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材の表面上に、上記導電材料を配置する工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記導電材料の上記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を、上記第1の電極と上記第2の電極とが対向するように配置する工程を備える。本発明に係る接続構造体の製造方法は、上記はんだ粒子の融点以上に上記導電材料を加熱することで、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、上記導電材料により形成し、かつ、上記第1の電極と上記第2の電極とを、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程と備える。 A method for manufacturing a connected structure according to the present invention includes a step of using the above-mentioned conductive material and arranging the above-described conductive material on the surface of a first connection target member having a first electrode on the surface. The method for manufacturing a connected structure according to the present invention includes a method for manufacturing a connected structure, in which a second connection target member having a second electrode on the surface is placed on a surface of the conductive material opposite to the first connection target member side. The method includes a step of arranging the first electrode and the second electrode so as to face each other. The method for manufacturing a connected structure according to the present invention provides a connection between the first connection target member and the second connection target member by heating the conductive material above the melting point of the solder particles. forming a portion of the electrically conductive material, and electrically connecting the first electrode and the second electrode with a solder portion in the connecting portion.
本発明に係る接続構造体及び接続構造体の製造方法では、特定の導電材料を用いているので、はんだ粒子が第1の電極と第2の電極との間に集まりやすく、はんだ粒子を電極(ライン)上に効率的に配置することができる。また、はんだ粒子の一部が、電極が形成されていない領域(スペース)に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子の量をかなり少なくすることができる。従って、第1の電極と第2の電極との間の導通信頼性を高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続を防ぐことができ、絶縁信頼性を高めることができる。 In the bonded structure and the method for manufacturing the bonded structure according to the present invention, since a specific conductive material is used, solder particles tend to collect between the first electrode and the second electrode. line). Furthermore, some of the solder particles are less likely to be placed in areas (spaces) where no electrodes are formed, and the amount of solder particles placed in areas where no electrodes are formed can be considerably reduced. Therefore, the reliability of conduction between the first electrode and the second electrode can be improved. Moreover, electrical connection between horizontally adjacent electrodes that should not be connected can be prevented, and insulation reliability can be improved.
また、はんだを電極上に効率的に配置し、かつ電極が形成されていない領域に配置されるはんだの量をかなり少なくするためには、上記導電材料は、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いることが好ましい。 In addition, in order to efficiently place the solder on the electrodes and significantly reduce the amount of solder placed in areas where no electrodes are formed, the above-mentioned conductive material should be a conductive paste rather than a conductive film. It is preferable.
本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、上記導電材料には、上記第2の接続対象部材の重量が加わることが好ましい。本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、上記導電材料には、上記第2の接続対象部材の重量の力を超える加圧圧力は加わらないことが好ましい。これらの場合には、複数のはんだ部において、はんだ量の均一性をより一層高めることができる。さらに、はんだ部の厚みをより一層効果的に厚くすることができ、複数のはんだ粒子が電極間に多く集まりやすくなり、複数のはんだ粒子を電極(ライン)上により一層効率的に配置することができる。また、複数のはんだ粒子の一部が、電極が形成されていない領域(スペース)に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだ粒子におけるはんだの量をより一層少なくすることができる。従って、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続をより一層防ぐことができ、絶縁信頼性をより一層高めることができる。 In the method for manufacturing a connected structure according to the present invention, in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection part, no pressure is applied to the conductive material, and the second connection target member is not pressurized. Preferably, the weight of the target member is added. In the method for manufacturing a connected structure according to the present invention, in the step of arranging the second member to be connected and the step of forming the connecting portion, the conductive material is subjected to the force of the weight of the second member to be connected. It is preferable not to apply pressure exceeding . In these cases, the uniformity of the amount of solder can be further improved in the plurality of solder parts. Furthermore, the thickness of the solder part can be increased even more effectively, making it easier for multiple solder particles to gather between the electrodes, making it possible to more efficiently arrange multiple solder particles on the electrodes (lines). can. In addition, it is difficult for some of the plurality of solder particles to be placed in areas (spaces) where electrodes are not formed, and it is possible to further reduce the amount of solder in solder particles placed in areas where electrodes are not formed. can. Therefore, the reliability of conduction between the electrodes can be further improved. Moreover, electrical connections between horizontally adjacent electrodes that should not be connected can be further prevented, and insulation reliability can be further improved.
また、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いれば、導電ペーストの塗布量によって、接続部及びはんだ部の厚みを調整することが容易になる。一方で、導電フィルムでは、接続部の厚みを変更したり、調整したりするためには、異なる厚みの導電フィルムを用意したり、所定の厚みの導電フィルムを用意したりしなければならないという問題がある。また、導電フィルムでは、導電ペーストと比べて、はんだの溶融温度で、導電フィルムの溶融粘度を十分に下げることができず、はんだ粒子の凝集が阻害されやすい傾向がある。 Further, if a conductive paste is used instead of a conductive film, it becomes easy to adjust the thickness of the connection portion and the solder portion by adjusting the amount of conductive paste applied. On the other hand, with conductive films, there is a problem in that in order to change or adjust the thickness of the connection part, it is necessary to prepare conductive films of different thicknesses or to prepare conductive films of a predetermined thickness. There is. Moreover, in a conductive film, compared to a conductive paste, the melt viscosity of the conductive film cannot be sufficiently lowered at the melting temperature of the solder, and aggregation of solder particles tends to be inhibited.
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明する。 Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて得られる接続構造体を模式的に示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a connected structure obtained using a conductive material according to an embodiment of the present invention.
図1に示す接続構造体1は、第1の接続対象部材2と、第2の接続対象部材3と、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とを接続している接続部4とを備える。接続部4は、上述した導電材料により形成されている。本実施形態では、上記導電材料は、熱硬化性成分と、複数のはんだ粒子とを含む。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含む。本実施形態では、導電材料として、導電ペーストが用いられている。
The
接続部4は、複数のはんだ粒子が集まり互いに接合したはんだ部4Aと、熱硬化性成分が熱硬化された硬化物部4Bとを有する。
The connecting
第1の接続対象部材2は表面(上面)に、複数の第1の電極2aを有する。第2の接続対象部材3は表面(下面)に、複数の第2の電極3aを有する。第1の電極2aと第2の電極3aとが、はんだ部4Aにより電気的に接続されている。従って、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とが、はんだ部4Aにより電気的に接続されている。なお、接続部4において、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まったはんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)では、はんだは存在しない。はんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)では、はんだ部4Aと離れたはんだは存在しない。なお、少量であれば、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まったはんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)に、はんだが存在していてもよい。
The first
図1に示すように、接続構造体1では、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に、複数のはんだ粒子が集まり、複数のはんだ粒子が溶融した後、はんだ粒子の溶融物が電極の表面を濡れ拡がった後に固化して、はんだ部4Aが形成されている。このため、はんだ部4Aと第1の電極2a、並びにはんだ部4Aと第2の電極3aとの接続面積が大きくなる。すなわち、はんだ粒子を用いることにより、導電部の外表面部分がニッケル、金又は銅等の金属である導電性粒子を用いた場合と比較して、はんだ部4Aと第1の電極2a、並びにはんだ部4Aと第2の電極3aとの接触面積が大きくなる。このため、接続構造体1における導通信頼性及び接続信頼性が高くなる。なお、導電材料に含まれるフラックスは、一般に、加熱により次第に失活する。
As shown in FIG. 1, in the
なお、図1に示す接続構造体1では、はんだ部4Aの全てが、第1,第2の電極2a,3a間の対向している領域に位置している。図3に示す変形例の接続構造体1Xは、接続部4Xのみが、図1に示す接続構造体1と異なる。接続部4Xは、はんだ部4XAと硬化物部4XBとを有する。接続構造体1Xのように、はんだ部4XAの多くが、第1,第2の電極2a,3aの対向している領域に位置しており、はんだ部4XAの一部が第1,第2の電極2a,3aの対向している領域から側方にはみ出していてもよい。第1,第2の電極2a,3aの対向している領域から側方にはみ出しているはんだ部4XAは、はんだ部4XAの一部であり、はんだ部4XAから離れたはんだではない。なお、本実施形態では、はんだ部から離れたはんだの量を少なくすることができるが、はんだ部から離れたはんだが硬化物部中に存在していてもよい。
In addition, in the
はんだ粒子の使用量を少なくすれば、接続構造体1を得ることが容易になる。はんだ粒子の使用量を多くすれば、接続構造体1Xを得ることが容易になる。
By reducing the amount of solder particles used, it becomes easier to obtain the
上記第1の電極と上記第2の電極との間におけるはんだ部の厚みは、好ましくは10μm以上、より好ましくは20μm以上であり、好ましくは100μm以下、より好ましくは80μm以下である。上記第1の電極及び上記第2の電極において、電極の表面上のはんだ濡れ面積(電極の露出した面積100%中のはんだが接している面積)は、好ましくは50%以上、より好ましくは60%以上、さらに好ましくは70%以上であり、好ましくは100%以下である。上記接続部中の上記はんだ部が、上記の好ましい態様を満足することで、導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。 The thickness of the solder portion between the first electrode and the second electrode is preferably 10 μm or more, more preferably 20 μm or more, and preferably 100 μm or less, more preferably 80 μm or less. In the first electrode and the second electrode, the solder wetted area on the surface of the electrode (the area in contact with the solder out of 100% of the exposed area of the electrode) is preferably 50% or more, more preferably 60% or more. % or more, more preferably 70% or more, and preferably 100% or less. When the solder part in the connection part satisfies the above-mentioned preferable aspects, conduction reliability and insulation reliability can be further effectively improved.
接続構造体1,1Xでは、第1の電極2aと接続部4,4Xと第2の電極3aとの積層方向に第1の電極2aと第2の電極3aとの対向し合う部分をみたときに、第1の電極2aと第2の電極3aとの対向し合う部分の面積100%中の50%以上に、接続部4,4X中のはんだ部4A,4XAが配置されていることが好ましい。接続部4,4X中のはんだ部4A,4XAが、上記の好ましい態様を満足することで、導通信頼性をより一層高めることができる。
In the
上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の50%以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることが好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の60%以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることがより好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の70%以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることがさらに好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の80%以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることが特に好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の90%以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることが最も好ましい。上記接続部中のはんだ部が、上記の好ましい態様を満足することで、導通信頼性をより一層高めることができる。 When looking at the opposing portions of the first electrode and the second electrode in the stacking direction of the first electrode, the connecting portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode It is preferable that the solder portion in the connection portion is disposed on 50% or more of the 100% area of the portion facing the second electrode. When looking at the opposing portions of the first electrode and the second electrode in the stacking direction of the first electrode, the connecting portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode It is more preferable that the solder portion in the connection portion is disposed on 60% or more of the 100% area of the portion facing the second electrode. When looking at the opposing portions of the first electrode and the second electrode in the stacking direction of the first electrode, the connecting portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode It is more preferable that the solder part in the connection part is disposed on 70% or more of the 100% area of the part facing the second electrode. When looking at the opposing portions of the first electrode and the second electrode in the stacking direction of the first electrode, the connecting portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode It is particularly preferable that the solder portion in the connection portion is disposed on 80% or more of the 100% area of the portion facing the second electrode. When looking at the opposing portions of the first electrode and the second electrode in the stacking direction of the first electrode, the connecting portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode It is most preferable that the solder part in the connection part is disposed on 90% or more of the 100% area of the part facing the second electrode. When the solder portion in the connection portion satisfies the preferred embodiments described above, conduction reliability can be further improved.
上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向と直交する方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の60%以上が配置されていることが好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向と直交する方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の70%以上が配置されていることがより好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向と直交する方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の90%以上が配置されていることがさらに好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向と直交する方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の95%以上が配置されていることが特に好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向と直交する方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の99%以上が配置されていることが最も好ましい。上記接続部中のはんだ部が、上記の好ましい態様を満足することで、導通信頼性をより一層高めることができる。 When the opposing portions of the first electrode and the second electrode are viewed in a direction perpendicular to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first It is preferable that 60% or more of the solder portion in the connection portion is disposed at the portion where the electrode and the second electrode face each other. When the opposing portions of the first electrode and the second electrode are viewed in a direction perpendicular to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first More preferably, 70% or more of the solder portion in the connection portion is disposed in a portion where the electrode and the second electrode face each other. When the opposing portions of the first electrode and the second electrode are viewed in a direction perpendicular to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first It is further preferable that 90% or more of the solder portion in the connection portion be disposed at a portion where the electrode and the second electrode face each other. When the opposing portions of the first electrode and the second electrode are viewed in a direction perpendicular to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first It is particularly preferable that 95% or more of the solder portion in the connection portion is disposed at the portion where the electrode and the second electrode face each other. When the opposing portions of the first electrode and the second electrode are viewed in a direction perpendicular to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first It is most preferable that 99% or more of the solder portion in the connecting portion is disposed at the portion where the electrode and the second electrode face each other. When the solder portion in the connection portion satisfies the preferred embodiments described above, conduction reliability can be further improved.
次に、図2では、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて、接続構造体1を製造する方法の一例を説明する。
Next, in FIG. 2, an example of a method for manufacturing the
先ず、第1の電極2aを表面(上面)に有する第1の接続対象部材2を用意する。次に、図2(a)に示すように、第1の接続対象部材2の表面上に、熱硬化性成分11Bと、複数のはんだ粒子11Aとを含む導電材料11を配置する(第1の工程)。熱硬化性成分11Bは、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含む。
First, a first
第1の接続対象部材2の第1の電極2aが設けられた表面上に、導電材料11を配置する。導電材料11の配置の後に、はんだ粒子11Aは、第1の電極2a(ライン)上と、第1の電極2aが形成されていない領域(スペース)上との双方に配置されている。なお、上記導電材料は、上記第1の電極の表面上にのみ配置されてもよい。
A
導電材料11の配置方法としては、特に限定されないが、ディスペンサーによる塗布、スクリーン印刷、及びインクジェット装置による吐出等が挙げられる。導電材料11の配置方法は、スクリーン印刷であることが好ましい。
Methods for disposing the
また、第2の電極3aを表面(下面)に有する第2の接続対象部材3を用意する。次に、図2(b)に示すように、第1の接続対象部材2の表面上の導電材料11において、導電材料11の第1の接続対象部材2側とは反対側の表面上に、第2の接続対象部材3を配置する(第2の工程)。導電材料11の表面上に、第2の電極3a側から、第2の接続対象部材3を配置する。このとき、第1の電極2aと第2の電極3aとを対向させる。
Further, a second
次に、はんだ粒子11Aの融点以上に導電材料11を加熱する(第3の工程)。好ましくは、熱硬化性成分11B(熱硬化性化合物)の硬化温度以上に導電材料11を加熱する。この加熱時には、電極が形成されていない領域に存在していたはんだ粒子11Aは、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まる(自己凝集効果)。導電フィルムではなく、導電ペーストを用いた場合には、はんだ粒子11Aが、第1の電極2aと第2の電極3aとの間により一層効果的に集まる。また、はんだ粒子11Aは溶融し、互いに接合する。また、熱硬化性成分11Bは熱硬化する。この結果、図2(c)に示すように、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とを接続している接続部4が、導電材料11により形成される。導電材料11により接続部4が形成され、複数のはんだ粒子11Aが接合することによってはんだ部4Aが形成され、熱硬化性成分11Bが熱硬化することによって硬化物部4Bが形成される。はんだ粒子11Aが十分に移動すれば、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に位置していないはんだ粒子11Aの移動が開始してから、第1の電極2aと第2の電極3aとの間にはんだ粒子11Aの移動が完了するまでに、温度を一定に保持しなくてもよい。
Next, the
本実施形態では、特定の導電材料11を用いているので、スクリーン印刷を繰り返し行っても、導電材料のにじみや導電材料のかすれ等の発生を効果的に抑制することができる。また、本実施形態では、特定の導電材料11を用いているので、印刷後の導電材料の形状を維持することができる。結果として、接続されるべき電極間にはんだ粒子11Aをより一層効率的に配置することができ、導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。
In this embodiment, since a specific
上記第2の工程及び上記第3の工程において、加圧を行わない方が好ましい。この場合には、導電材料11には、第2の接続対象部材3の重量が加わる。このため、接続部4の形成時に、はんだ粒子11Aが、第1の電極2aと第2の電極3aとの間により一層効果的に集まる。なお、上記第2の工程及び上記第3の工程の内の少なくとも一方において、加圧を行えば、はんだ粒子11Aが第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まろうとする作用が阻害される傾向が高くなる。
In the second step and the third step, it is preferable not to apply pressure. In this case, the weight of the second
また、本実施形態では、加圧を行っていないため、第1の電極2aと第2の電極3aとのアライメントが僅かにずれた状態で、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とが重ね合わされた場合でも、その僅かなずれを補正して、第1の電極2aと第2の電極3aとを接続させることができる(セルフアライメント効果)。これは、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に自己凝集している溶融したはんだが、第1の電極2aと第2の電極3aとの間のはんだと導電材料のその他の成分とが接する面積が最小となる方がエネルギー的に安定になるため、その最小の面積となる接続構造であるアライメントのあった接続構造にする力が働くためである。この際、導電材料が硬化していないこと、及び、その温度、時間にて、導電材料のはんだ粒子以外の成分の粘度が十分低いことが望ましい。
In addition, in this embodiment, since no pressure is applied, the alignment between the
このようにして、図1に示す接続構造体1が得られる。なお、上記第2の工程と上記第3の工程とは連続して行われてもよい。また、上記第2の工程を行った後に、得られる第1の接続対象部材2と導電材料11と第2の接続対象部材3との積層体を、加熱部に移動させて、上記第3の工程を行ってもよい。上記加熱を行うために、加熱部材上に上記積層体を配置してもよく、加熱された空間内に上記積層体を配置してもよい。
In this way, the
上記第3の工程における上記加熱温度は、好ましくは220℃以上、より好ましくは240℃以上であり、好ましくは300℃以下、より好ましくは260℃以下である。上記第3の工程における上記加熱温度が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上にはんだをより一層効率的に配置することができ、接続されるべき上下の電極間の導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。 The heating temperature in the third step is preferably 220°C or higher, more preferably 240°C or higher, and preferably 300°C or lower, more preferably 260°C or lower. When the heating temperature in the third step is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the solder can be placed on the electrodes even more efficiently, and the continuity reliability between the upper and lower electrodes to be connected is improved. can be increased even more effectively.
上記第3の工程における加熱方法としては、はんだの融点以上及び熱硬化性成分の硬化温度以上に、接続構造体全体を、リフロー炉を用いて又はオーブンを用いて加熱する方法や、接続構造体の接続部のみを局所的に加熱する方法が挙げられる。 The heating method in the third step includes a method of heating the entire connected structure using a reflow oven or an oven above the melting point of the solder and the curing temperature of the thermosetting component; An example of this method is to locally heat only the connecting portion.
局所的に加熱する方法に用いる器具としては、ホットプレート、熱風を付与するヒートガン、はんだゴテ、及び赤外線ヒーター等が挙げられる。 Examples of devices used in the local heating method include a hot plate, a heat gun that applies hot air, a soldering iron, and an infrared heater.
また、ホットプレートにて局所的に加熱する際、接続部直下は、熱伝導性の高い金属にて、その他の加熱することが好ましくない個所は、フッ素樹脂等の熱伝導性の低い材質にて、ホットプレート上面を形成することが好ましい。 In addition, when heating locally with a hot plate, use a highly thermally conductive metal directly below the connection, and use a low thermally conductive material such as fluororesin for other areas where it is not desirable to heat. , preferably forming the top surface of the hot plate.
上記第1,第2の接続対象部材は、特に限定されない。上記第1,第2の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、半導体パッケージ、LEDチップ、LEDパッケージ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びに樹脂フィルム、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、リジッドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板等の電子部品等が挙げられる。上記第1,第2の接続対象部材は、電子部品であることが好ましい。 The first and second connection target members are not particularly limited. Specifically, the first and second connection target members include semiconductor chips, semiconductor packages, LED chips, LED packages, electronic components such as capacitors and diodes, resin films, printed circuit boards, flexible printed circuit boards, and flexible Examples include electronic components such as flat cables, rigid-flexible boards, circuit boards such as glass epoxy boards, and glass boards. It is preferable that the first and second connection target members are electronic components.
上記第1の接続対象部材及び上記第2の接続対象部材の内の少なくとも一方が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。上記第1の接続対象部材及び上記第2の接続対象部材の内の少なくとも一方が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板は、柔軟性が高く、比較的軽量であるという性質を有する。このような接続対象部材の接続に導電フィルムを用いた場合には、はんだが電極上に集まりにくい傾向がある。これに対して、導電ペーストを用いることで、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いたとしても、はんだを電極上に効率的に集めることで、電極間の導通信頼性を十分に高めることができる。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いる場合に、半導体チップ等の他の接続対象部材を用いた場合と比べて、加圧を行わないことによる電極間の導通信頼性の向上効果がより一層効果的に得られる。 It is preferable that at least one of the first connection target member and the second connection target member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible circuit board. It is preferable that at least one of the first connection target member and the second connection target member is a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible circuit board. Resin films, flexible printed circuit boards, flexible flat cables, and rigid-flexible circuit boards have the properties of being highly flexible and relatively lightweight. When a conductive film is used to connect such connection target members, solder tends to be difficult to collect on the electrodes. On the other hand, by using a conductive paste, even when using a resin film, flexible printed circuit board, flexible flat cable, or rigid-flexible circuit board, the solder can be efficiently collected on the electrodes, thereby improving the continuity reliability between the electrodes. can be sufficiently increased. When using resin films, flexible printed circuit boards, flexible flat cables, or rigid-flex circuit boards, the reliability of conduction between electrodes can be improved by not applying pressure, compared to when using other connection objects such as semiconductor chips. The improvement effect can be obtained even more effectively.
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極、SUS電極、及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極、銀電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。 Examples of the electrodes provided on the connection target member include metal electrodes such as gold electrodes, nickel electrodes, tin electrodes, aluminum electrodes, copper electrodes, molybdenum electrodes, silver electrodes, SUS electrodes, and tungsten electrodes. When the member to be connected is a flexible printed circuit board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, a silver electrode, or a copper electrode. When the member to be connected is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, it may be an electrode formed only with aluminum, and the electrode may be an electrode in which an aluminum layer is laminated|stacked on the surface of a metal oxide layer. Examples of the material for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal elements include Sn, Al, and Ga.
本発明に係る接続構造体では、上記第1の電極及び上記第2の電極は、エリアアレイ又はペリフェラルにて配置されていることが好ましい。上記第1の電極及び上記第2の電極が、エリアアレイ又はペリフェラルにて配置されている場合において、はんだを電極上により一層効果的に凝集させることができる。上記エリアアレイとは、接続対象部材の電極が配置されている面にて、格子状に電極が配置されている構造のことである。上記ペリフェラルとは、接続対象部材の外周部に電極が配置されている構造のことである。電極が櫛型に並んでいる構造の場合は、櫛に垂直な方向に沿ってはんだが凝集すればよいのに対して、上記エリアアレイ又はペリフェラル構造では電極が配置されている面において、全面にて均一にはんだが凝集する必要がある。そのため、従来の方法では、はんだ量が不均一になりやすいのに対して、本発明の方法では、全面にて均一にはんだを凝集させることができる。 In the connected structure according to the present invention, it is preferable that the first electrode and the second electrode are arranged in an area array or a peripheral. When the first electrode and the second electrode are arranged in an area array or peripheral, the solder can be more effectively aggregated on the electrodes. The above-mentioned area array is a structure in which electrodes are arranged in a grid pattern on the surface of the connection target member on which the electrodes are arranged. The above-mentioned peripheral refers to a structure in which electrodes are arranged on the outer periphery of a member to be connected. In the case of a structure in which the electrodes are arranged in a comb shape, the solder only needs to agglomerate along the direction perpendicular to the comb, whereas in the above area array or peripheral structure, the solder aggregates over the entire surface on the surface where the electrodes are arranged. It is necessary for the solder to coagulate uniformly. Therefore, in the conventional method, the amount of solder tends to be uneven, whereas in the method of the present invention, the solder can be uniformly aggregated over the entire surface.
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically explained with reference to Examples and Comparative Examples. The invention is not limited only to the following examples.
熱硬化性成分(熱硬化性化合物):
熱硬化性化合物1:フェノールノボラック型エポキシ化合物、DOW社製「DEN431」、25℃での粘度50Pa・s(51.7℃での粘度1.4Pa・s)
熱硬化性化合物2:フェノールノボラック型エポキシ化合物、DOW社製「DEN438」、25℃での粘度600Pa・s以上(51.7℃での粘度35.5Pa・s)
熱硬化性化合物3:ビスフェノールA型エポキシ化合物、新日鉄住金化学社製「YD-8125」、25℃での粘度0.173Pa・s
熱硬化性化合物4:ビスフェノールF型エポキシ樹脂、DOW社製「DER354」、25℃での粘度3.8Pa・s
Thermosetting component (thermosetting compound):
Thermosetting compound 1: Phenol novolak type epoxy compound, “DEN431” manufactured by DOW, viscosity at 25°C 50 Pa·s (viscosity at 51.7°C 1.4 Pa·s)
Thermosetting compound 2: Phenol novolak type epoxy compound, "DEN438" manufactured by DOW, viscosity at 25°C 600 Pa・s or more (viscosity at 51.7°C 35.5 Pa・s)
Thermosetting compound 3: Bisphenol A type epoxy compound, “YD-8125” manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., viscosity at 25°C 0.173 Pa・s
Thermosetting compound 4: Bisphenol F type epoxy resin, “DER354” manufactured by DOW, viscosity at 25°C 3.8 Pa・s
熱硬化性成分(硬化促進剤):
硬化促進剤1:三フッ化ホウ素、アルドリッチ社製「三フッ化ホウ素エチルアミン錯体」
Thermosetting component (hardening accelerator):
Curing accelerator 1: Boron trifluoride, "Boron trifluoride ethylamine complex" manufactured by Aldrich
脂肪酸アミン塩:
脂肪酸アミン塩1:「グルタル酸ベンジルアミン塩」、融点108℃
脂肪酸アミン塩1の作製方法:
ガラスビンに、反応溶媒である水24gと、グルタル酸(和光純薬工業社製)13.212gとを入れ、室温で均一になるまで溶解させた。その後、ベンジルアミン(和光純薬工業社製)10.715gを入れて、約5分間撹拌し、混合液を得た。得られた混合液を5~10℃の冷蔵庫に入れて、一晩放置した。析出した結晶をろ過により分取し、水で洗浄し、真空乾燥し、脂肪酸アミン塩1を得た。
Fatty acid amine salt:
Fatty acid amine salt 1: “Glutaric acid benzylamine salt”, melting point 108°C
Method for producing fatty acid amine salt 1:
24 g of water as a reaction solvent and 13.212 g of glutaric acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were placed in a glass bottle and dissolved until uniform at room temperature. Then, 10.715 g of benzylamine (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added and stirred for about 5 minutes to obtain a mixed solution. The resulting mixture was placed in a refrigerator at 5 to 10°C and left overnight. The precipitated crystals were collected by filtration, washed with water, and vacuum dried to obtain fatty
脂肪酸アミド:
脂肪酸アミド1:「グルタル酸ベンジルアミド」、融点101℃
脂肪酸アミド1の作製方法:
3つ口フラスコに、グルタル酸(和光純薬工業社製)13.212gと、ベンジルアミン(和光純薬工業社製)10.715gとを入れて、140℃で1時間加熱して反応させ、脂肪酸アミド1を得た。
Fatty acid amide:
Fatty acid amide 1: “Glutaric acid benzylamide”, melting point 101°C
Method for preparing fatty acid amide 1:
13.212 g of glutaric acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and 10.715 g of benzylamine (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were placed in a three-necked flask and heated at 140° C. for 1 hour to react.
はんだ粒子:
はんだ粒子1:SnAgCuはんだ粒子、融点219℃、三井金属鉱業社製「Sn96.5Ag3Cu0.5」を選別したはんだ粒子、平均粒子径30μm
はんだ粒子2:SnAgCuはんだ粒子、融点219℃、三井金属鉱業社製「Sn96.5Ag3Cu0.5」を選別したはんだ粒子、平均粒子径10μm
はんだ粒子3:SnAgCuはんだ粒子、融点219℃、三井金属鉱業社製「Sn96.5Ag3Cu0.5」を選別したはんだ粒子、平均粒子径3μm
はんだ粒子4:SnAgCuはんだ粒子、融点219℃、三井金属鉱業社製「Sn96.5Ag3Cu0.5」を選別したはんだ粒子、平均粒子径2μm
Solder particles:
Solder particles 1: SnAgCu solder particles, melting point 219°C, solder particles selected from "Sn96.5Ag3Cu0.5" manufactured by Mitsui Mining & Mining Co., Ltd., average particle size 30 μm
Solder particle 2: SnAgCu solder particles, melting point 219°C, solder particles selected from "Sn96.5Ag3Cu0.5" manufactured by Mitsui Mining & Mining Co., Ltd., average particle size 10 μm
Solder particles 3: SnAgCu solder particles, melting point 219°C, solder particles selected from "Sn96.5Ag3Cu0.5" manufactured by Mitsui Mining & Mining Co., Ltd.,
Solder particle 4: SnAgCu solder particles, melting point 219°C, solder particles selected from "Sn96.5Ag3Cu0.5" manufactured by Mitsui Mining & Mining Co., Ltd.,
溶剤:
溶剤1:2-メチル-1,3-プロパンジオール、東京化成工業社製「2-メチル-1,3-プロパンジオール」、沸点214℃
solvent:
Solvent 1: 2-methyl-1,3-propanediol, "2-methyl-1,3-propanediol" manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd., boiling point 214°C
(25℃での熱硬化性化合物の粘度)
25℃での熱硬化性化合物の粘度は、E型粘度計(東機産業社製「TVE22L」)を用いて、25℃及び5rpmの条件で測定した。
(Viscosity of thermosetting compound at 25°C)
The viscosity of the thermosetting compound at 25° C. was measured at 25° C. and 5 rpm using an E-type viscometer (“TVE22L” manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.).
(はんだ粒子の平均粒子径)
はんだ粒子の平均粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定装置(堀場製作所社製「LA-920」)を用いて測定した。
(Average particle diameter of solder particles)
The average particle diameter of the solder particles was measured using a laser diffraction particle size distribution analyzer (“LA-920” manufactured by Horiba, Ltd.).
(はんだ粒子の融点)
はんだ粒子の融点は、示差走査熱量測定(DSC)を用いて算出した。示差走査熱量測定(DSC)装置としては、SII社製「EXSTAR DSC7020」を用いた。
(Melting point of solder particles)
The melting point of the solder particles was calculated using differential scanning calorimetry (DSC). As a differential scanning calorimetry (DSC) device, "EXSTAR DSC7020" manufactured by SII was used.
(実施例1~9及び比較例1~6)
(1)導電材料(異方性導電ペースト)の作製
下記の表1,2に示す成分を下記の表1,2に示す配合量で配合して、導電材料(異方性導電ペースト)を得た。
(Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 6)
(1) Preparation of conductive material (anisotropic conductive paste) A conductive material (anisotropic conductive paste) was obtained by blending the ingredients shown in Tables 1 and 2 below in the amounts shown in Tables 1 and 2 below. Ta.
(2)接続構造体Aの作製
第1の接続対象部材として、L/S=50μm/50μmの銅電極(電極長さ:3mm、電極厚み:12μm)を表面に有するガラスエポキシ基板(材質:FR-4、厚み:0.6mm)を用意した。
(2) Preparation of connection structure A As the first connection target member, a glass epoxy substrate (material: FR -4, thickness: 0.6 mm) was prepared.
第2の接続対象部材として、L/S=50μm/50μmの銅電極(電極長さ:3mm、電極厚み:12μm)を表面に有するフレキシブルプリント基板(材質:ポリイミド、厚み:0.1mm)を用意した。 As the second connection target member, a flexible printed circuit board (material: polyimide, thickness: 0.1 mm) with copper electrodes (electrode length: 3 mm, electrode thickness: 12 μm) with L/S = 50 μm/50 μm on the surface is prepared. did.
上記ガラスエポキシ基板の上面に、スクリーン印刷により、作製直後の導電材料(異方性導電ペースト)を厚さ100μmとなるように印刷し、導電材料(異方性導電ペースト)層を形成した。次に、導電材料(異方性導電ペースト)層の上面にフレキシブルプリント基板を電極同士が対向するように積層した。導電材料(異方性導電ペースト)層には、上記フレキシブルプリント基板の重量は加わる。その状態から、導電材料(異方性導電ペースト)層の温度が、昇温開始から5秒後にはんだ粒子の融点となるように加熱した。さらに、昇温開始から15秒後に、導電材料(異方性導電ペースト)層の温度が200℃となるように加熱し、導電材料(異方性導電ペースト)層を硬化させ、接続構造体を得た。加熱時には、加圧を行わなかった。 On the upper surface of the glass epoxy substrate, a conductive material (anisotropic conductive paste) immediately after preparation was printed to a thickness of 100 μm by screen printing to form a conductive material (anisotropic conductive paste) layer. Next, a flexible printed circuit board was laminated on the upper surface of the conductive material (anisotropic conductive paste) layer so that the electrodes faced each other. The weight of the flexible printed circuit board is added to the conductive material (anisotropic conductive paste) layer. From this state, the conductive material (anisotropic conductive paste) layer was heated so that the temperature reached the melting point of the solder particles 5 seconds after the start of temperature rise. Furthermore, 15 seconds after the start of temperature rise, the conductive material (anisotropic conductive paste) layer is heated to a temperature of 200°C to harden the conductive material (anisotropic conductive paste) layer, and the connected structure is formed. Obtained. No pressure was applied during heating.
(3)接続構造体Bの作製
上記ガラスエポキシ基板の上面に、スクリーン印刷により、作製直後の導電材料(異方性導電ペースト)を厚さ100μmとなるように印刷した。その後、連続して20回のスクリーン印刷を行った。20回後のスクリーン印刷により、導電材料(異方性導電ペースト)層が形成されたガラスエポキシ基板を用いたこと以外は、接続構造体Aと同様にして、接続構造体Bを作製した。
(3) Preparation of Connected Structure B Immediately after preparation, a conductive material (anisotropic conductive paste) was printed on the upper surface of the glass epoxy substrate to a thickness of 100 μm by screen printing. After that, screen printing was performed continuously 20 times. A connected structure B was produced in the same manner as the connected structure A except that a glass epoxy substrate on which a conductive material (anisotropic conductive paste) layer was formed by screen printing after 20 times was used.
(評価)
(1)導電材料の粘度
得られた導電材料について、25℃及びせん断速度600sec-1の条件で測定したときの粘度(ηA)を算出した。また、得られた導電材料について、25℃及びせん断速度0.06sec-1の条件で測定したときの粘度(ηB)を算出した。上記粘度(ηA及びηB)を以下の基準で判定した。
(evaluation)
(1) Viscosity of conductive material The viscosity (ηA) of the obtained conductive material was calculated when measured at 25° C. and a shear rate of 600 sec −1 . Furthermore, the viscosity (ηB) of the obtained conductive material was calculated when measured under the conditions of 25° C. and a shear rate of 0.06 sec −1 . The above viscosity (ηA and ηB) was determined based on the following criteria.
上記粘度(ηA及びηB)は、レオメーター(Thermo Scientific社製、「HAAKE MARS III」)により測定した。具体的には、以下のようにして測定した。 The above viscosity (ηA and ηB) was measured using a rheometer (manufactured by Thermo Scientific, "HAAKE MARS III"). Specifically, it was measured as follows.
25℃の一定温度下にて、得られた導電材料に対して、プレシェアとして100sec-1のせん断速度を60秒間付与し、その後5分間静置した。次に、せん断速度を0sec-1~1000sec-1まで120秒間で変化させ、続いて、せん断速度を1000sec-1~0sec-1まで120秒間で変化させて測定を実施した。この測定において、せん断速度を1000sec-1~0sec-1まで120秒間で変化させたときのせん断速度600sec-1における粘度をηAとし、せん断速度0.06sec-1における粘度をηBとした。 At a constant temperature of 25° C., a shear rate of 100 sec −1 was applied as a pre-shear for 60 seconds to the obtained conductive material, and then it was allowed to stand for 5 minutes. Next, the shear rate was changed from 0 sec -1 to 1000 sec -1 in 120 seconds, and then the shear rate was changed from 1000 sec -1 to 0 sec -1 in 120 seconds to perform measurements. In this measurement, when the shear rate was changed from 1000 sec -1 to 0 sec -1 in 120 seconds, the viscosity at a shear rate of 600 sec -1 was defined as ηA, and the viscosity at a shear rate of 0.06 sec -1 was defined as ηB.
[ηAの判定基準]
○○:ηAが5Pa・s以上10Pa・s以下
○:ηAが1Pa・s以上5Pa・s未満であるか、又は、10Pa・sを超え20Pa・s以下
×:ηAが1Pa・s未満であるか、又は、20Pa・sを超える
[Judgement criteria for ηA]
○○: ηA is 5 Pa·s or more and 10 Pa·s or less ○: ηA is 1 Pa·s or more and less than 5 Pa·s, or more than 10 Pa·s and 20 Pa·s or less ×: ηA is less than 1 Pa·s or exceeding 20 Pa・s
[ηBの判定基準]
○○:ηBが2000Pa・s以上3000Pa・s以下
○:ηBが1000Pa・s以上2000Pa・s未満であるか、又は、3000Pa・sを超え3500Pa・s以下
×:ηBが1000Pa・s未満であるか、又は、3500Pa・sを超える
[Judgement criteria for ηB]
○○: ηB is 2000 Pa・s or more and 3000 Pa・s or less ○: ηB is 1000 Pa・s or more and less than 2000 Pa・s, or more than 3000 Pa・s and 3500 Pa・s or less ×: ηB is less than 1000 Pa・s or more than 3500Pa・s
(2)導電材料のtanδ
得られた導電材料について、25℃及び周波数1Hzの条件で測定したときのtanδを算出した。上記tanδを以下の基準で判定した。
(2) Tanδ of conductive material
Regarding the obtained conductive material, tan δ was calculated when measured under the conditions of 25° C. and a frequency of 1 Hz. The above tan δ was determined based on the following criteria.
上記tanδは、レオメーター(Thermo Scientific社製、「HAAKE MARS III」)により測定した。具体的には、以下のようにして測定した。 The tan δ was measured using a rheometer (“HAAKE MARS III” manufactured by Thermo Scientific). Specifically, it was measured as follows.
25℃の一定温度下で、周波数1Hzにて、得られた導電材料に与える歪みを0~100%まで掃引により変化させ、貯蔵弾性率(G’)と損失弾性率(G”)とをそれぞれ測定した。得られた貯蔵弾性率(G’)と損失弾性率(G”)とから、tanδ(G”/G’)を算出した。 At a constant temperature of 25°C, the strain applied to the obtained conductive material was varied by sweeping from 0 to 100% at a frequency of 1 Hz, and the storage modulus (G') and loss modulus (G'') were determined, respectively. tan δ (G''/G') was calculated from the obtained storage modulus (G') and loss modulus (G'').
[tanδの判定基準]
○○:tanδが4以上7以下
○:tanδが2以上4未満であるか、又は、7を超え10以下
×:tanδが2未満であるか、又は、10を超える
[Judgment criteria for tan δ]
○○: tan δ is 4 or more and 7 or less ○: tan δ is 2 or more and less than 4, or more than 7 and 10 or less ×: tan δ is less than 2 or more than 10
(3)連続印刷性
得られた導電材料について、開口部1箇所当たりの寸法が130mm×175mm、厚みが40μmのメタルマスクを用いて、スライドガラス上にスクリーン印刷を行った。印刷されたパターンについて、印刷直後の印刷面を目視および実体顕微鏡で観察し、また寸法を測定し、にじみやかすれが発生しているか否かを確認した。連続してスクリーン印刷を行い、にじみやかすれが発生せずに印刷できる回数を確認し、以下の基準で連続印刷性を判定した。
(3) Continuous Printability The obtained conductive material was screen printed on a slide glass using a metal mask with dimensions of 130 mm x 175 mm per opening and a thickness of 40 μm. Immediately after printing, the printed surface of the printed pattern was observed visually and with a stereomicroscope, and the dimensions were measured to determine whether bleeding or blurring had occurred. Continuous screen printing was performed to check the number of times printing could be performed without bleeding or blurring, and continuous printability was judged based on the following criteria.
[にじみ又はかすれの判定基準]
[にじみ]:印刷直後に、製版寸法に対して20%以上太っている箇所がある場合
[かすれ]:印刷直後に、製版寸法に対して20%以上欠けている箇所がある場合
[Judgment criteria for blurring or blurring]
[Bleeding]: Immediately after printing, there are areas that are 20% or more thicker than the plate dimensions. [Fading]: Immediately after printing, there are areas that are missing 20% or more compared to the plate dimensions.
[連続印刷性の判定基準]
○○:にじみやかすれが発生せずに印刷できる回数が25回以上
○:にじみやかすれが発生せずに印刷できる回数が11回以上25回未満
×:にじみやかすれが発生せずに印刷できる回数が11回未満
[Continuous printing performance criteria]
○○: Can be printed 25 times or more without bleeding or blurring ○: Can be printed 11 or more times but less than 25 times without bleeding or blurring ×: Can be printed without bleeding or blurring Less than 11 times
(4)電極上のはんだの配置精度(初期のはんだ凝集性)
得られた接続構造体Aにおいて、第1の電極と接続部と第2の電極との積層方向に第1の電極と第2の電極との対向し合う部分をみたときに、第1の電極と第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の、接続部中のはんだ部が配置されている面積の割合Xを評価した。電極上のはんだの配置精度を下記の基準で判定した。
(4) Accuracy of solder placement on the electrode (initial solder cohesion)
In the obtained connected structure A, when looking at the portion where the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connecting portion, and the second electrode, the first electrode The ratio X of the area where the solder part in the connection part is arranged to 100% of the area of the opposing part of the electrode and the second electrode was evaluated. The placement accuracy of the solder on the electrode was judged based on the following criteria.
[電極上のはんだの配置精度の判定基準]
○○:割合Xが70%以上
○:割合Xが50%以上70%未満
×:割合Xが50%未満
[Criteria for determining accuracy of solder placement on electrodes]
○○: Proportion X is 70% or more ○: Proportion X is 50% or more and less than 70% ×: Proportion X is less than 50%
(5)電極上のはんだの配置精度(連続印刷後のはんだ凝集性)
得られた接続構造体Bにおいて、第1の電極と接続部と第2の電極との積層方向に第1の電極と第2の電極との対向し合う部分をみたときに、第1の電極と第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の、接続部中のはんだ部が配置されている面積の割合Yを評価した。電極上のはんだの配置精度を下記の基準で判定した。
(5) Solder placement accuracy on electrodes (solder cohesion after continuous printing)
In the obtained connected structure B, when looking at the portion where the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connecting portion, and the second electrode, the first electrode The ratio Y of the area where the solder part in the connection part is arranged to 100% of the area of the opposing part of the electrode and the second electrode was evaluated. The placement accuracy of the solder on the electrode was judged based on the following criteria.
[電極上のはんだの配置精度の判定基準]
○○:割合Yが70%以上
○:割合Yが50%以上70%未満
×:割合Yが50%未満
[Criteria for determining accuracy of solder placement on electrodes]
○○: Proportion Y is 70% or more ○: Proportion Y is 50% or more and less than 70% ×: Proportion Y is less than 50%
(6)はんだサイドボール
得られた接続構造体Aにおいて、走査型電子顕微鏡により接続部を観察することで、接続部の周囲に直径100μm以上のはんだサイドボール又は直径100μm未満のはんだサイドボールが形成されているか否かを確認した。はんだサイドボールを以下の基準で判定した。
(6) Solder side balls In the obtained connection structure A, by observing the connection parts with a scanning electron microscope, solder side balls with a diameter of 100 μm or more or solder side balls with a diameter of less than 100 μm are formed around the connection parts. I checked to see if it was. Solder side balls were judged based on the following criteria.
[直径100μm以上のはんだサイドボールの判定基準]
○○:接続部の周囲に直径100μm以上のはんだサイドボールが形成されていない
○:接続部の周囲に形成されている直径100μm以上のはんだサイドボールの個数が3個以下
×:接続部の周囲に形成されている直径100μm以上のはんだサイドボールの個数が4個を超える
[Judgment criteria for solder side balls with a diameter of 100 μm or more]
○○: No solder side balls with a diameter of 100 μm or more are formed around the connection. ○: The number of solder side balls with a diameter of 100 μm or more formed around the connection is 3 or less. ×: Around the connection. The number of solder side balls with a diameter of 100 μm or more formed on the
[直径100μm未満のはんだサイドボールの判定基準]
○○:接続部の周囲に形成されている直径100μm未満のはんだサイドボールの個数が3個以下
○:接続部の周囲に形成されている直径100μm未満のはんだサイドボールの個数が4個を超え10個以下
×:接続部の周囲に形成されている直径100μm未満のはんだサイドボールの個数が11個を超える
[Judgment criteria for solder side balls with a diameter of less than 100 μm]
○○: The number of solder side balls with a diameter of less than 100 μm formed around the connection part is 3 or less. ○: The number of solder side balls with a diameter of less than 100 μm formed around the connection part is more than 4. 10 or less ×: The number of solder side balls with a diameter of less than 100 μm formed around the connection exceeds 11.
(7)導通信頼性(上下の電極間)
得られた接続構造体A(合計20個)において、上下の電極間の1接続箇所当たりの接続抵抗をそれぞれ、4端子法により測定した。接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧=電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。導通信頼性を下記の基準で判定した。
(7) Continuity reliability (between upper and lower electrodes)
In the obtained connected structure A (20 pieces in total), the connection resistance per connection point between the upper and lower electrodes was measured using a four-terminal method. The average value of connection resistance was calculated. Note that from the relationship of voltage=current×resistance, the connection resistance can be determined by measuring the voltage when a constant current is passed. Continuity reliability was determined based on the following criteria.
[導通信頼性の判定基準]
○○:接続抵抗の平均値が50mΩ以下
○:接続抵抗の平均値が50mΩを超え100mΩ以下
×:接続抵抗の平均値が100mΩを超える、又は接続不良が生じている
[Criteria for determining continuity reliability]
○○: The average value of connection resistance is 50 mΩ or less. ○: The average value of connection resistance exceeds 50 mΩ and is 100 mΩ or less. ×: The average value of connection resistance exceeds 100 mΩ, or a connection failure has occurred.
(8)絶縁信頼性(横方向に隣接する電極間)
上記(7)導通信頼性の評価で得られた20個の接続構造体Aにおいて、隣接する電極間のリークの有無を、テスターで抵抗値を測定することにより評価した。絶縁信頼性を下記の基準で評価した。
(8) Insulation reliability (between horizontally adjacent electrodes)
In the 20 connected structures A obtained in the above (7) evaluation of continuity reliability, the presence or absence of leakage between adjacent electrodes was evaluated by measuring the resistance value with a tester. Insulation reliability was evaluated using the following criteria.
[絶縁信頼性の判定基準]
○○:抵抗値が108Ω以上の接続構造体の個数が、18個以上
○:抵抗値が108Ω以上の接続構造体の個数が、10個以上18個未満
×:抵抗値が108Ω以上の接続構造体の個数が、10個未満
[Judgment criteria for insulation reliability]
○○: The number of connected structures with a resistance value of 10 8 Ω or more is 18 or more ○: The number of connected structures with a resistance value of 10 8 Ω or more is 10 or more and less than 18 ×: The resistance value is 10 The number of connected structures of 8 Ω or more is less than 10.
結果を下記の表1,2に示す。 The results are shown in Tables 1 and 2 below.
フレキシブルプリント基板、樹脂フィルム、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板を用いた場合でも、同様の傾向が見られた。 Similar trends were observed even when flexible printed circuit boards, resin films, flexible flat cables, and rigid-flex circuit boards were used.
1,1X…接続構造体
2…第1の接続対象部材
2a…第1の電極
3…第2の接続対象部材
3a…第2の電極
4,4X…接続部
4A,4XA…はんだ部
4B,4XB…硬化物部
11…導電材料
11A…はんだ粒子
11B…熱硬化性成分
1, 1X...
Claims (8)
前記熱硬化性成分が、熱硬化性化合物を含み、
25℃での前記熱硬化性化合物の粘度が、3Pa・s以上であり、
前記導電材料が、溶剤を含まないか、又は、前記導電材料100重量%中に溶剤を1重量%以下で含み、
25℃及びせん断速度600sec-1での前記導電材料の粘度が、1Pa・s以上20Pa・s以下であり、
25℃及びせん断速度0.06sec-1での前記導電材料の粘度が、1000Pa・s以上3500Pa・s以下であり、
25℃及び周波数1Hzでの前記導電材料のtanδが、2以上10以下である、導電材料。 A conductive material containing a thermosetting component and a plurality of solder particles,
the thermosetting component includes a thermosetting compound,
The viscosity of the thermosetting compound at 25° C. is 3 Pa·s or more,
The conductive material does not contain a solvent, or contains 1% by weight or less of a solvent in 100% by weight of the conductive material,
The viscosity of the conductive material at 25° C. and a shear rate of 600 sec −1 is 1 Pa·s or more and 20 Pa·s or less,
The viscosity of the conductive material at 25° C. and a shear rate of 0.06 sec −1 is 1000 Pa·s or more and 3500 Pa·s or less,
The conductive material has a tan δ of 2 or more and 10 or less at 25° C. and a frequency of 1 Hz.
第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と、前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、請求項1~6のいずれか1項に記載の導電材料であり、
前記第1の電極と前記第2の電極とが、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている、接続構造体。 a first connection target member having a first electrode on its surface;
a second connection target member having a second electrode on its surface;
comprising a connection part connecting the first connection target member and the second connection target member,
The material of the connecting portion is the conductive material according to any one of claims 1 to 6,
A connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by a solder part in the connection part.
前記導電材料の前記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向するように配置する工程と、
前記はんだ粒子の融点以上に前記導電材料を加熱することで、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、前記導電材料により形成し、かつ、前記第1の電極と前記第2の電極とを、前記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程とを備える、接続構造体の製造方法。 using the conductive material according to any one of claims 1 to 6, disposing the conductive material on the surface of the first connection target member having the first electrode on the surface;
A second connection target member having a second electrode on its surface is placed on a surface of the conductive material opposite to the first connection target member side, and the first electrode and the second electrode are opposite to each other. a step of arranging the
A connecting portion connecting the first connection target member and the second connection target member is formed from the conductive material by heating the conductive material to a temperature higher than the melting point of the solder particles, and A method for manufacturing a connected structure, comprising the step of electrically connecting the first electrode and the second electrode with a solder part in the connecting part.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018221189 | 2018-11-27 | ||
JP2018221189 | 2018-11-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020092087A JP2020092087A (en) | 2020-06-11 |
JP7421317B2 true JP7421317B2 (en) | 2024-01-24 |
Family
ID=71013044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019214010A Active JP7421317B2 (en) | 2018-11-27 | 2019-11-27 | Conductive film and connected structure |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7421317B2 (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017177196A (en) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 株式会社タムラ製作所 | Solder composition for solder bump formation and method for forming solder bump |
-
2019
- 2019-11-27 JP JP2019214010A patent/JP7421317B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017177196A (en) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 株式会社タムラ製作所 | Solder composition for solder bump formation and method for forming solder bump |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020092087A (en) | 2020-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7356217B2 (en) | Conductive material, connected structure, and method for manufacturing connected structure | |
JP7518602B2 (en) | Conductive material, connection structure, and method for manufacturing the connection structure | |
JP7184758B2 (en) | Conductive material, method for storing conductive material, method for manufacturing conductive material, and method for manufacturing connection structure | |
JP2023138947A (en) | Conductive material, connection structure and method for producing connection structure | |
JP2021028895A (en) | Conductive material, connection structure and production method of connection structure | |
JP6767307B2 (en) | Conductive material, connecting structure and manufacturing method of connecting structure | |
WO2020255874A1 (en) | Electroconductive material, connection structure, and method for manufacturing connection structure | |
JP7332458B2 (en) | Conductive material, connection structure, and method for manufacturing connection structure | |
JP7280758B2 (en) | Conductive material, connection structure, and method for manufacturing connection structure | |
JP7271312B2 (en) | Conductive material, connection structure, and method for manufacturing connection structure | |
JP7277289B2 (en) | Conductive material, connection structure, and method for manufacturing connection structure | |
JP7312105B2 (en) | Conductive material, connection structure, and method for manufacturing connection structure | |
JP7421317B2 (en) | Conductive film and connected structure | |
JP7014576B2 (en) | Conductive material, connection structure and method for manufacturing the connection structure | |
JP2020119955A (en) | Connection structure, method for manufacturing connection structure, conductive material, and method for manufacturing conductive material | |
JP7389657B2 (en) | Conductive paste and connection structure | |
JP7372745B2 (en) | Conductive material, connected structure, and method for manufacturing connected structure | |
JP2021057293A (en) | Conductive material, connection structure, and method for producing connection structure | |
JP7316109B2 (en) | Conductive material, connection structure, and method for manufacturing connection structure | |
JP7303675B2 (en) | Conductive material, connection structure, and method for manufacturing connection structure | |
JP7284699B2 (en) | Conductive material, connection structure, and method for manufacturing connection structure | |
JP7267685B2 (en) | Conductive material, connection structure, and method for manufacturing connection structure | |
JP7368947B2 (en) | electronic components | |
WO2024034516A1 (en) | Electroconductive paste and connection structure | |
JP2024022787A (en) | Conductive paste and connection structure |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220822 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230518 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230606 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230919 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240112 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7421317 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |