JP7280206B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7280206B2 JP7280206B2 JP2020001869A JP2020001869A JP7280206B2 JP 7280206 B2 JP7280206 B2 JP 7280206B2 JP 2020001869 A JP2020001869 A JP 2020001869A JP 2020001869 A JP2020001869 A JP 2020001869A JP 7280206 B2 JP7280206 B2 JP 7280206B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- potential
- partial region
- electrically connected
- capacitance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 193
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
- H03K17/223—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
- H01L27/0629—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with diodes, or resistors, or capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
- H01L27/0705—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type
- H01L27/0711—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with bipolar transistors and diodes, or capacitors, or resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/30—Modifications for providing a predetermined threshold before switching
- H03K17/302—Modifications for providing a predetermined threshold before switching in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
- H01L27/0705—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type
- H01L27/0727—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with diodes, or capacitors or resistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1実施形態に係る半導体装置を例示する模式図である。
図1に示すように、実施形態に係る半導体装置110は、半導体部材25、ゲート電極51、ソース電極52、ドレイン電極53、導電部材15、ゲート端子Tg、及び、第1回路30を含む。半導体部材25、ゲート電極51、ソース電極52、ドレイン電極53、導電部材15は、トランジスタ10Tに含まれる。図1は、トランジスタ10Tの断面を例示している。
第2実施形態は、図1に例示した第1回路30の1つの例に対応する。
図2は、第2実施形態に係る半導体装置を例示する模式図である。
図3は、第2実施形態に係る半導体装置を例示する回路図である。
図2に示すように、実施形態に係る半導体装置120において、半導体部材25、ゲート電極51、ソース電極52、ドレイン電極53、導電部材15及びゲート端子Tgなどの構成は、半導体装置110における構成と同様である。以下、半導体装置120における第1回路30の例について説明する。
これらの図の横軸は、時間tmである。図4(a)の縦軸は、ゲート端子Tgに印加されるゲート電圧Vgである。図4(b)の縦軸は、導電部材15に印加される第1電圧V1である。
図6は、第2実施形態に係る半導体装置を例示する回路図である。
図5に示すように、半導体装置121において、半導体部材25、ゲート電極51、ソース電極52、ドレイン電極53、ゲート端子Tg及び第1回路30などの構成は、半導体装置120における構成と同様である。以下、半導体装置121における導電部材15の例について説明する。
図7に示すように、半導体装置122において、半導体部材25、ゲート電極51、ソース電極52、ドレイン電極53、ゲート端子Tg及び第1回路30などの構成は、半導体装置120における構成と同様である。半導体装置122においても、導電部材15は、基体10s(例えばシリコン基板)から離れている。
第3実施形態は、図1に例示した第1回路30の1つの例に対応する。
図8は、第3実施形態に係る半導体装置を例示する模式図である。
図9は、第3実施形態に係る半導体装置を例示する回路図である。
図8に示すように、実施形態に係る半導体装置130において、半導体部材25、ゲート電極51、ソース電極52、ドレイン電極53、導電部材15及びゲート端子Tgなどの構成は、半導体装置110における構成と同様である。以下、半導体装置130における第1回路30の例について説明する。
これらの図の横軸は、時間tmである。図10(a)の縦軸は、ゲート端子Tgに印加されるゲート電圧Vgである。図10(b)の縦軸は、導電部材15に印加される第1電圧V1である。
図11に示すように、実施形態に係る半導体装置131において、第1回路30は、第1キャパシタンス41、第2キャパシタンス42、第1ダイオード31及び第2ダイオード32に加えて、電圧増幅回路35を含む。電圧増幅回路35は、入力端35a及び出力端35bを含む。入力端35aはゲート端子Tgと電気的に接続される。出力端35bは、第1端部41aと電気的に接続される。半導体装置131においては、増幅された第1電圧V1が導電部材15に印加できる。安定して高いしきい値が得られる。
図12は、電圧増幅回路35の例を示している。図12に示すように、ダイオードD1~D4、及び、キャパシタンスC01~C04を組み合わせることで、電圧増幅回路が得られる。入力電圧Viに基づいて、増幅された出力電圧Voが、得られる。
図13は、第4実施形態に係る半導体装置を例示する模式図である。
図13は、模式的平面図である。図13に示すように、半導体装置140において、実装基板78eの上に第1回路30が設けられる。この例では、第1回路30は、第1ダイオード31及び第1キャパシタンス41を含む。例えば、実装基板78eの上に導電層78cが設けられる。導電層78cの上に、第1ダイオード31、第1キャパシタンス41及びトランジスタ10Tが設けられる。トランジスタ10Tは、半導体部材25、ゲート電極51、ソース電極52及びドレイン電極53(図1参照)を含む。トランジスタ10Tにおいて、ゲートパッド51P、ソースパッド52P及びドレインパッド53Pが設けられる。ゲートパッド51Pは、ゲート電極51と電気的に接続される。ソースパッド52Pは、ソース電極52と電気的に接続される。ドレインパッド53Pは、ドレイン電極53と電気的に接続される。
第5実施形態において、ダイオード及びキャパシタンスが、トランジスタ10Tに含まれる材料により形成される。
図15及び図16は、第5実施形態に係る半導体装置を例示する模式的平面図である。 図14において、図15におけるA1-A2線断面及びA3-A4線断面が例示されている。図15において、図14のZ1-Z2線の位置における平面が図示されている。図16において、図14のZ3-Z4線の位置における平面が図示されている。
図18及び図19は、第5実施形態に係る半導体装置を例示する模式的平面図である。 図17において、図18におけるA1-A2線断面及びA3-A4線断面が例示されている。図18において、図17のZ1-Z2線の位置における平面が図示されている。図19において、図17のZ3-Z4線の位置における平面が図示されている。
図21及び図22は、第5実施形態に係る半導体装置を例示する模式的平面図である。 図20において、図21におけるA1-A2線断面、A3-A4線断面、及び、A5-A6線断面が例示されている。図21において、図20のZ1-Z2線の位置における平面が図示されている。図22において、図20のZ3-Z4線の位置における平面が図示されている。
Claims (20)
- 第1部分領域を含みAlx1Ga1-x1N(0≦x1<1)を含む第1半導体層と、Alx2Ga1-x2N(0<x2≦1、x1<x2)を含む第2半導体層と、を含む半導体部材と、
ゲート電極と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、
導電部材であって、第1方向において前記導電部材の少なくとも一部と前記ゲート電極との間に、前記第1部分領域がある、前記導電部材と、
前記ゲート電極と電気的に接続されたゲート端子と、
前記ゲート端子に印加されるゲート電圧に基づいて、第1電圧を前記導電部材に印加可能な第1回路と、
を備え、
前記ゲート電圧が正の第1電位から前記第1電位よりも低い第2電位になったら、前記第1電圧は、グランド電位の第3電位から負の第4電位になる、半導体装置。 - 前記第1回路は、前記ゲート電圧から前記第1電圧を生成する、請求項1記載の半導体装置。
- 前記第2電位は、前記グランド電位である、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記ゲート電圧が前記第2電位から前記第1電位になったら、前記第1電圧は、前記第4電位から前記第3電位になる、請求項3記載の半導体装置。
- 前記ゲート電圧が前記第2電位から前記第1電位になったときに、前記第1電圧は、前記第4電位を維持する、請求項3記載の半導体装置。
- 第1回路は、
第1端部及び第2端部を含む第1キャパシタンスと、
第1アノード及び第1カソードを含む第1ダイオードと、
を含み、
前記第1端部は、前記ゲート端子と電気的に接続され、
前記第2端部は、前記導電部材及び前記第1アノードと電気的に接続され、
前記第1カソードは、前記ソース電極と電気的に接続された、請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記第1キャパシタンスの第1静電容量は、前記導電部材と前記ゲート電極との間の静電容量の10倍以上である、請求項6記載の半導体装置。
- 前記第1ダイオードは、前記半導体部材に含まれる半導体層を含む、請求項6または7に記載の半導体装置。
- 絶縁部材をさらに備え、
前記絶縁部材の一部は、前記ゲート電極と前記ソース電極とを電気的に絶縁し、
前記第1キャパシタンスは、前記絶縁部材の別の一部を含む、請求項6~8のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 第1回路は、
第1端部及び第2端部を含む第1キャパシタンスと、
第3端部及び第4端部を含む第2キャパシタンスと、
第1アノード及び第1カソードを含む第1ダイオードと、
第2アノード及び第2カソードを含む第2ダイオードと、
を含み、
前記第1端部は、前記ゲート端子と電気的に接続され、
前記第2端部は、前記第1アノード及び前記第2カソードと電気的に接続され、
前記第1カソードは、前記ソース電極と電気的に接続され、
前記第2アノードは、前記導電部材及び前記第3端部と電気的に接続され、
前記第4端部は、前記ソース電極と電気的に接続された、請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 第1回路は、
第1端部及び第2端部を含む第1キャパシタンスと、
第3端部及び第4端部を含む第2キャパシタンスと、
第1アノード及び第1カソードを含む第1ダイオードと、
第2アノード及び第2カソードを含む第2ダイオードと、
入力端及び出力端と含む電圧増幅回路と、
を含み、
前記入力端は前記ゲート端子と電気的に接続され、
前記出力端は、前記第1端部と電気的に接続され、
前記第2端部は、前記第1アノード及び前記第2カソードと電気的に接続され、
前記第1カソードは、前記ソース電極と電気的に接続され、
前記第2アノードは、前記導電部材及び前記第3端部と電気的に接続され、
前記第4端部は、前記ソース電極と電気的に接続された、請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記第2キャパシタンスの第2静電容量は、前記導電部材と前記ゲート電極との間の静電容量の10倍以上である、請求項11記載の半導体装置。
- 前記導電部材は、前記第1方向と交差する平面に沿って広がり、
前記第1方向において前記導電部材の一部と前記ソース電極との間に前記第1半導体層の一部があり、
前記第1方向において前記導電部材の別の一部と前記ドレイン電極との間に前記第1半導体層の別の一部がある、請求項1~12のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記導電部材は、シリコン基板の少なくとも一部である、請求項13記載の半導体装置。
- 基体をさらに備え、
前記第1方向において前記基体の一部と前記ソース電極との間に前記第1半導体層の一部があり、
前記第1方向において前記基体の別の一部と前記ドレイン電極との間に前記第1半導体層の別の一部があり、
前記導電部材は、前記基体から離れている、請求項1~14のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記ソース電極から前記ドレイン電極への第2方向は、前記第1方向と交差し、
前記ゲート電極の前記第2方向における位置は、前記ソース電極の前記第2方向における位置と、前記ドレイン電極の前記第2方向における位置と、の間にある、請求項1~15のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記第1半導体層は、第2部分領域、第3部分領域、第4部分領域及び第5部分領域を含み、
前記第2部分領域から前記ソース電極への方向は、前記第1方向に沿い、
前記第3部分領域から前記ドレイン電極への方向は、前記第1方向に沿い、
前記第1部分領域は、前記第2方向において、前記第2部分領域と前記第3部分領域との間にあり、
前記第4部分領域は、前記第2方向において、前記第2部分領域と前記第1部分領域との間にあり、
前記第5部分領域は、前記第2方向において、前記第1部分領域と前記第3部分領域との間にあり、
前記第2半導体層は、第1半導体部分及び第2半導体部分を含み、
前記第4部分領域から前記第1半導体部分への方向は、前記第1方向に沿い、
前記第5部分領域から前記第2半導体部分への方向は、前記第1方向に沿う、請求項16記載の半導体装置。 - 第1絶縁膜をさらに備え、
前記第1絶縁膜の少なくとも一部は、前記第1部分領域と前記ゲート電極との間にある、請求項17記載の半導体装置。 - 前記ゲート電極の少なくとも一部から前記第2半導体層の少なくとも一部への方向は、前記第1方向に対して垂直である、請求項1~18のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、ノーマリオフである、請求項1~14のいずれか1つに記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020001869A JP7280206B2 (ja) | 2020-01-09 | 2020-01-09 | 半導体装置 |
US17/018,009 US11362653B2 (en) | 2020-01-09 | 2020-09-11 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020001869A JP7280206B2 (ja) | 2020-01-09 | 2020-01-09 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021111676A JP2021111676A (ja) | 2021-08-02 |
JP2021111676A5 JP2021111676A5 (ja) | 2022-04-14 |
JP7280206B2 true JP7280206B2 (ja) | 2023-05-23 |
Family
ID=76763641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020001869A Active JP7280206B2 (ja) | 2020-01-09 | 2020-01-09 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11362653B2 (ja) |
JP (1) | JP7280206B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111613666B (zh) * | 2020-06-04 | 2023-04-18 | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 | 半导体组件及其制造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011009504A (ja) | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Panasonic Corp | 電力変換装置 |
JP2012248753A (ja) | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Panasonic Corp | スイッチ装置 |
JP2013062298A (ja) | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Toshiba Corp | 窒化物半導体装置 |
US20150371987A1 (en) | 2014-06-23 | 2015-12-24 | International Rectifier Corporation | Group III-V HEMT Having a Diode Controlled Substrate |
JP2017055071A (ja) | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置、駆動制御装置、および駆動制御方法 |
CN207183255U (zh) | 2017-08-30 | 2018-04-03 | 广东省半导体产业技术研究院 | 一种背面场板结构hemt器件 |
JP2019220557A (ja) | 2018-06-19 | 2019-12-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3481225B2 (ja) | 2000-11-21 | 2003-12-22 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及び通信システム用機器 |
TWI288435B (en) | 2000-11-21 | 2007-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and equipment for communication system |
JP2007128994A (ja) | 2005-11-02 | 2007-05-24 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置 |
JP5439725B2 (ja) * | 2008-02-20 | 2014-03-12 | サンケン電気株式会社 | 半導体スイッチング装置 |
US8519438B2 (en) * | 2008-04-23 | 2013-08-27 | Transphorm Inc. | Enhancement mode III-N HEMTs |
US20110286430A1 (en) | 2009-09-18 | 2011-11-24 | Nec Europe Ltd. | Communication system and communication controlling method |
WO2011064955A1 (ja) | 2009-11-30 | 2011-06-03 | パナソニック株式会社 | 双方向スイッチ |
JP5765978B2 (ja) | 2011-03-15 | 2015-08-19 | トランスフォーム・ジャパン株式会社 | 半導体素子およびその駆動方法 |
JP2014027253A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-02-06 | Toshiba Corp | 整流回路 |
JP6223729B2 (ja) * | 2013-06-25 | 2017-11-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US9007117B2 (en) * | 2013-08-02 | 2015-04-14 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Solid-state switching device having a high-voltage switching transistor and a low-voltage driver transistor |
JP6901880B2 (ja) | 2017-03-17 | 2021-07-14 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体装置 |
JP6764375B2 (ja) | 2017-06-26 | 2020-09-30 | 日本電信電話株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
-
2020
- 2020-01-09 JP JP2020001869A patent/JP7280206B2/ja active Active
- 2020-09-11 US US17/018,009 patent/US11362653B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011009504A (ja) | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Panasonic Corp | 電力変換装置 |
JP2012248753A (ja) | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Panasonic Corp | スイッチ装置 |
JP2013062298A (ja) | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Toshiba Corp | 窒化物半導体装置 |
US20150371987A1 (en) | 2014-06-23 | 2015-12-24 | International Rectifier Corporation | Group III-V HEMT Having a Diode Controlled Substrate |
JP2017055071A (ja) | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置、駆動制御装置、および駆動制御方法 |
CN207183255U (zh) | 2017-08-30 | 2018-04-03 | 广东省半导体产业技术研究院 | 一种背面场板结构hemt器件 |
JP2019220557A (ja) | 2018-06-19 | 2019-12-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210218394A1 (en) | 2021-07-15 |
US11362653B2 (en) | 2022-06-14 |
JP2021111676A (ja) | 2021-08-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8785912B2 (en) | Graphene electronic device including a plurality of graphene channel layers | |
JP2012517699A (ja) | Iii族窒化物デバイスおよび回路 | |
JP2017143127A (ja) | 保護ダイオード付き電界効果トランジスタ | |
US9123796B2 (en) | Semiconductor device | |
JP6811737B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI737084B (zh) | 半導體裝置 | |
CN108463889B (zh) | 场效应管及其制造方法 | |
JP2012134317A (ja) | 半導体装置 | |
JP7280206B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10937875B2 (en) | Semiconductor device | |
US10651161B2 (en) | Semiconductor device | |
US20220384422A1 (en) | Semiconductor device | |
US11398473B2 (en) | Semiconductor device | |
JP6635900B2 (ja) | 半導体装置 | |
US9692410B2 (en) | Semiconductor switch | |
US20140183547A1 (en) | Semiconductor device | |
US10896975B2 (en) | Semiconductor device | |
US9786653B1 (en) | Self-balanced diode device | |
US20240055386A1 (en) | Semiconductor package | |
JP6983958B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2023281795A1 (ja) | 保護回路及び半導体装置 | |
US20230307509A1 (en) | Semiconductor device | |
US20220231155A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP2023129196A (ja) | 半導体装置 | |
JP2022139519A (ja) | 高周波トランジスタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220406 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230412 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230511 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7280206 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |