JP7279565B2 - 波長可変干渉フィルター - Google Patents

Description

本発明は、波長可変干渉フィルターに関する。

従来、エアギャップを介して一対のミラーを対向配置した波長可変干渉フィルター（光フィルター）が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載の波長可変干渉フィルターは、固定ミラーが配置された第１基板と、可動ミラーが配置された第２基板とを備えたエタロンである。この波長可変干渉フィルターは、静電アクチュエーターによって固定ミラーと可動ミラーとの間の寸法が変更可能に設けられている。これにより、波長可変干渉フィルターは、入射光から所定波長の光を分光して透過させることが可能となる。
より具体的には、第１基板は、固定ミラーが配置されるミラー固定部と、ミラー固定部を囲うように配置された電極形成溝とを備え、電極形成溝に静電アクチュエーターを構成する第１電極が設けられている。第２基板は、ミラー固定部に対向して可動ミラーが設けられた可動部と、可動部を囲って設けられる凹状の連結保持部が設けられている。そして、この波長可変干渉フィルターでは、可動ミラーは、可動部の縁（連結保持部との境界）よりも可動部の中心側に位置して設けられている。また、固定ミラーは、この可動ミラーに対向するように、ミラー固定部の縁よりもミラー固定部の中心側に位置して設けられている。

特開２０１２－１７３３２４号公報

しかしながら、特許文献１のように、可動部の縁よりも可動部の中心側に可動ミラーを配置する構成とする場合、可動ミラーが小さくなり、波長可変干渉フィルターにおいて、入射光束から、所定波長の光を取り出すことが可能となる有効領域が小さくなる。特に、可動部の周囲に凹状の連結保持部を設ける構成では、凹状部分に入射した入射光の進行方向が変化して迷光となり、可動ミラーや固定ミラーの外周縁に沿った領域に入射する。このため、可動ミラーや固定ミラーの外周縁に沿った領域では、分光精度が悪化し、結果として、入射光束から、所定波長の光を取り出すことが可能となる有効領域が小さくなる。

第一適用例に係る波長可変干渉フィルターは、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設けられた第一ミラーと、前記第二基板に設けられ、前記第一ミラーに第一ギャップを介して対向する第二ミラーと、を備え、前記第一基板は、前記第一基板から前記第二基板に向かうＺ方向から見た平面視で、前記Ｚ方向の厚みが均一な可動部と、前記可動部を囲い、前記可動部を前記Ｚ方向に移動可能に保持するダイアフラム部と、を含み、前記ダイアフラム部は、前記Ｚ方向に平行な平面で切断した断面視で、厚みが均一となる平坦部と、前記平坦部と前記可動部との間に配置され、前記平坦部から前記可動部に向かって前記Ｚ方向の厚みが漸増する第一傾斜部と、を含み、前記第一ミラーは、前記第一基板の前記第二基板に対向する面のうち、前記可動部から前記第一傾斜部の少なくとも一部に亘って設けられていることを特徴とする。

本適用例の波長可変干渉フィルターにおいて、前記可動部の前記第二基板とは反対側の面には、前記第一ミラーによる膜応力を低減する応力低減膜が設けられていることが好ましい。

本適用例の波長可変干渉フィルターにおいて、前記応力低減膜の外周縁は、前記可動部と前記第一傾斜部との境界に位置することが好ましい。

本適用例の波長可変干渉フィルターにおいて、前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられた第一電極と、前記第二基板の前記第一電極に対向する位置に設けられた第二電極と、を備え、前記第一電極は、前記平坦部から前記第一傾斜部に亘って設けられていることが好ましい。

一実施形態に係る波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。 図１におけるＡ－Ａ線で波長可変干渉フィルターを切断した際の断面図。 本実施形態の波長可変干渉フィルターのダイアフラム部の近傍の拡大断面図。 比較例１の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。 比較例１の波長可変干渉フィルターを透過する光の重心波長を示す図。 本実施形態の波長可変干渉フィルターを透過する光の重心波長を示す図。

［第一実施形態］
以下、第一実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る波長可変干渉フィルター１の概略構成を示す平面図である。図２は、図１のＡ－Ａ線で波長可変干渉フィルター１を切断した際の断面図である。
図１及び図２において、波長可変干渉フィルター１は、透光性の第一基板１１と、透光性の第二基板１２と、第一基板１１に設けられた第一ミラー２１と、第二基板１２に設けられた第二ミラー２２とを備える。第一基板１１及び第二基板１２は、第一ミラー２１及び第二ミラー２２を、第一ギャップＧ１を介して対向するように保持する基板である。この波長可変干渉フィルター１は、第一ミラー２１及び第二ミラー２２に入射した光のうち、第一ギャップＧ１の寸法に応じた所定波長の光を出射する、ファブリーペローエタロン素子である。
また、波長可変干渉フィルター１は、第一基板１１に設けられた第一電極３１と、第二基板１２に設けられた第二電極３２とを備えている。これらの第一電極３１及び第二電極３２は、第二ギャップＧ２を介して対向配置され、静電アクチュエーター３０を構成する。第一電極３１及び第二電極３２の間に電圧を印加することで、第一電極３１及び第二電極３２の間に静電引力が作用して第二ギャップＧ２の寸法が変化し、これに応じて第一ギャップＧ１の寸法も変化する。これにより、波長可変干渉フィルター１から出射される光の波長も、第一ギャップＧ１の寸法に応じて変化する。
以下、このような波長可変干渉フィルター１の構成について、詳細に説明する。
なお、以降の説明にあたり、図１に示すような平面視における第一ミラー２１及び第二ミラー２２の中心点は一致し、これらの中心点を通るミラーの中心軸をフィルター中心軸Ｏと称する。フィルター中心軸Ｏは、第一基板１１から第二基板１２に向かうＺ方向に平行な軸となる。

［第一基板１１及び第二基板１２の構成］
第一基板１１は、図１に示すように、第一基板１１から第二基板１２に向かう方向（Ｚ方向）から見た平面視で、可動部１１１と、ダイアフラム部１１２と、外周部１１３と、コネクタ部１１４と、を備えている。

より具体的には、第一基板１１は、第二基板１２に対向する第一面１１Ａと、第一面１１Ａとは反対側の第二面１１Ｂとを有し、第二面１１Ｂがエッチング処理されることで、凹状のダイアフラム部１１２が形成されている。このダイアフラム部１１２は、平面視で、可動部１１１を囲う環状に形成されており、好ましくは、図１に示すように、円環状である。
本実施形態では、第一基板１１の表面上に、ダイアフラム部１１２の形成位置以外をマスクしたレジストパターンを形成して等方性エッチングによりダイアフラム部１１２を形成する。このため、本実施形態では、ダイアフラム部１１２は、マスク開孔位置に対応した平坦部１１２Ａと、平坦部１１２Ａの周囲でオーバーエッチングによって形成される第一傾斜部１１２Ｂ及び第二傾斜部１１２Ｃとを備える。

平坦部１１２Ａは、Ｚ方向の厚みが均一となる部位である。
第一傾斜部１１２Ｂは、平坦部１１２Ａと、可動部１１１との間に形成され、平坦部１１２Ａから可動部１１１に向かうにしたがって、Ｚ方向の厚みが漸増する部位である。
第二傾斜部１１２Ｃは、平坦部１１２Ａと、外周部１１３との間に形成され、平坦部１１２Ａから外周部１１３に向かうにしたがって、Ｚ方向の厚みが漸増する部位である。
本実施形態では、第一傾斜部１１２Ｂ及び第二傾斜部１１２Ｃの表面は、凹状に湾曲した円弧面となる。
本実施形態では、ダイアフラム部１１２の、第二基板１２に対向する第一面１１Ａには、第一電極３１が配置されている。第一電極３１の配置についての説明は後述する。

可動部１１１は、環状のダイアフラム部１１２に囲われる部位であり、ダイアフラム部１１２よりもＺ方向の厚みが大きい。この可動部１１１の第一面１１Ａに、第一ミラー２１が配置されている。
本実施形態では、可動部１１１は、ダイアフラム部１１２により、Ｚ方向に移動可能に保持されている。つまり、静電アクチュエーター３０によって第一基板１１と第二基板１２との間に静電引力を作用させると、ダイアフラム部１１２が大きく撓み、可動部１１１が第二基板１２側に変位する。可動部１１１は、ダイアフラム部１１２よりも厚みが大きいため、ダイアフラム部１１２が大きく撓んだとしても可動部１１１の撓みは抑制され、可動部１１１に設けられる第一ミラー２１の撓みも抑制される。

また、可動部１１１の第二面１１Ｂには、透光性の応力低減膜５０が設けられている。具体的には、応力低減膜５０は、可動部１１１の第二面１１Ｂ側全体を覆って設けられている。つまり、Ｚ方向から見た際に、応力低減膜５０の外周縁（低減膜外縁５０Ａ）は、可動部１１１と第一傾斜部１１２Ｂとの境界である、可動部１１１の外周縁（可動部外縁１１１Ａ）に重なって位置している。
この応力低減膜５０は、第一ミラー２１の膜応力を相殺する膜応力を可動部１１１に付与する膜である。例えば、第一ミラー２１が膜応力によって可動部１１１に引張応力を付与する場合、応力低減膜５０も可動部１１１に引張応力が付与する膜材や成膜方法により形成される。これにより、第一ミラー２１と応力低減膜５０との膜応力が打ち消し合い、可動部１１１の変形が抑制される。

外周部１１３は、環状のダイアフラム部１１２の外側に形成される部位であって、ダイアフラム部１１２よりもＺ方向の厚みが大きい。
この外周部１１３は、接合部４０を介して第二基板１２に接合される部位である。第一基板１１と第二基板１２との接合強度を一定以上に維持するために、外周部１１３の平面視での面積は、予め設定された規定値以上に形成されている。
なお、詳細は後述するが、外周部１１３のコネクタ部１１４の近傍には、第一電極３１に接続される第一接続電極３３が、ダイアフラム部１１２からコネクタ部１１４に亘って配置されている。また、コネクタ部１１４から、外周部１１３の一部に亘って、第三接続電極３５が設けられており、この第三接続電極３５は、第二基板１２に設けられる第二接続電極に電気接続されている。第一接続電極３３及び第三接続電極３５の配置位置、又は第一接続電極３３及び第三接続電極３５の配置位置を中心とした所定距離内には、接合部４０が設けられていなくてもよい。

コネクタ部１１４は、外周部１１３に連続して形成され、平面視において、第二基板１２の外周よりも外側に突出する部位である。このコネクタ部１１４は、静電アクチュエーター３０に接続される第一接続電極３３及び第三接続電極３５が配置されている。

第二基板１２は、図２に示すように、第一基板１１に対向する面がエッチング処理等によって加工されることで、可動部１１１に対向するミラー台１２１と、ミラー台１２１の外側に設けられる溝部１２２と、溝部１２２の外側に設けられる基台部１２３とが形成されている。
ミラー台１２１は、第一ミラー２１に対して第一ギャップＧ１を介して対向する第二ミラー２２が設けられる部位である。このミラー台１２１の第一基板１１側の面は、可動部１１１の第一面１１Ａに対して平行な平面が形成されている。

溝部１２２は、第一電極３１と、第二ギャップＧ２を介して対向する溝である。なお、本実施形態では、第一ギャップＧ１の寸法よりも第二ギャップＧ２の寸法が大きくなるように、ミラー台１２１及び溝部１２２が設けられているが、第一ギャップＧ１の寸法が第二ギャップＧ２の寸法よりも大きくなるように、ミラー台１２１及び溝部１２２が設けられていてもよい。
なお、本実施形態では、ミラー台１２１及び溝部１２２は、例えばイオンミリング等のドライエッチングを用いて形成される。このため、溝部１２２は、第一基板１１の第一面１１Ａに平行な溝底部１２２Ａと、溝底部１２２Ａに対して略直角に立ち上がる側壁とを備える。

基台部１２３は、接合部４０を介して第一基板１１に接合される部位である。
また、基台部１２３の溝部１２２との境界である基台端縁１２５（図３参照）は、ダイアフラム部１１２の第二傾斜部１１２Ｃに対向して位置する。基台部１２３の第一基板１１に対向する面には、接合部４０が設けられ、当該接合部４０を介して第一基板１１が接合される。上述のように、基台部１２３の基台端縁１２５が、ダイアフラム部１１２の第二傾斜部１１２Ｃに位置するので、本実施形態では、第一基板１１の第二傾斜部１１２Ｃのうち、基台端縁１２５に対向する位置よりも外側が、基台部１２３に接合される。

また、基台部１２３は、第一基板１１の端縁よりも外側に突出する固定部１２３Ａを備える。本実施形態では、固定部１２３Ａは、第一基板１１に設けられるコネクタ部１１４とは反対側に設けられている。この固定部１２３Ａは、例えば波長可変干渉フィルター１をパッケージ筐体に収納する際に、筐体に対して固定する部位である。

さらに、基台部１２３のうち、コネクタ部１１４の近傍には、溝部１２２から連続して形成された配線溝１２４が設けられている。この配線溝１２４は、第二電極３２に接続される第二接続電極３４が配置されている。また、配線溝１２４には、第一基板１１に向かって突出する突出部１２４Ａが設けられている。突出部１２４Ａは、配線溝１２４の形成時に同時に形成されてもよく、配線溝１２４の形成後に樹脂層を成膜する等によって形成されてもよい。第二接続電極３４は、溝部１２２から、配線溝１２４の突出部１２４Ａに亘って設けられ、突出部１２４Ａにおいて、第一基板１１に設けられた第三接続電極３５に接続されている。なお、第三接続電極３５は、第一基板１１のうち、突出部１２４Ａに対向する位置からコネクタ部１１４まで引き出されている。

なお、本実施形態では、基台部１２３に配線溝１２４が設けられる例を示したが、これに限定されない。溝底部１２２Ａから基台部１２３に亘って第二接続電極３４が設けられ、基台部１２３の一部において、第二接続電極３４が、第一基板１１に設けられた第三接続電極３５に接続されていてもよい。この場合、接合部４０の厚みが、第二接続電極３４と第三接続電極３５との合計厚みとなるか、当該合計厚みよりも若干小さく形成されていればよい。

［第一電極３１の構成］
図３は、波長可変干渉フィルター１のダイアフラム部１１２の近傍の拡大断面図である。
第一電極３１は、第一基板１１のダイアフラム部１１２の第一面１１Ａに設けられている。具体的には、Ｚ方向において、第一電極３１の接合部４０側の端縁（外側縁３１Ａ）は、第二傾斜部１１２Ｃに位置し、第一電極３１の第一ミラー２１側の端縁（内側縁３１Ｂ）は、第一傾斜部１１２Ｂに位置する。
第一電極３１には、上述したように、第一接続電極３３が接続されており、この第一接続電極３３は、ダイアフラム部１１２からコネクタ部１１４に亘って延設されている。

［第二電極３２の構成］
第二電極３２は、第二基板１２の溝部１２２の溝底部１２２Ａに設けられている。よって、可動部１１１が変位していない状態では、第二電極３２は、第一電極３１に対して平行となり、第二ギャップＧ２の寸法は一定値に維持されている。
なお、第二基板１２は、第一基板１１に対して厚みが大きいため、第二電極３２の膜応力による影響が極めて小さい。
第二電極３２には、上述したように、第二接続電極３４が接続されており、この第二接続電極３４は、溝部１２２から、配線溝１２４を通り、突出部１２４Ａまで延設されている。そして、突出部１２４Ａにおいて、第一基板１１に設けられた第三接続電極３５に接続される。

［接合部４０の構成］
接合部４０は、第一基板１１と第二基板１２とを接合する接合膜により構成されている。このような接合膜としては、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜などを用いることができ、その他、エポキシ樹脂などの接着剤が用いられていてもよい。
接合部４０は、上述したように、基台部１２３の第一基板１１に対向する面に設けられ、第一基板１１と第二基板１２とを接合する。

本実施形態では、基台部１２３の基台端縁１２５が第二傾斜部１１２Ｃに対向して位置する。よって、接合部４０の端縁（接合縁４０Ａ）も、第二傾斜部１１２Ｃに位置する。つまり、接合部４０は、第一基板１１の第二傾斜部１１２Ｃの一部から外周部１１３に亘る領域を、基台部１２３に接合する。

［第一ミラー２１及び第二ミラー２２の構成］
第一ミラー２１は、上述したように、第一基板１１の可動部１１１の第一面１１Ａに設けられている。
また、第二ミラー２２は、第二基板１２のミラー台１２１に、第一ミラー２１に第一ギャップＧ１を介して対向するように配置されている。
これにより、波長可変干渉フィルター１に入射した入射光束のうち、第一ミラー２１及び第二ミラー２２が対向する領域に入射した光が、第一ミラー２１及び第二ミラー２２の間で多重干渉し、第一ミラー２１及び第二ミラー２２の間の寸法に応じた所定波長の光が第一ミラー２１及び第二ミラー２２を透過して出力される。
本実施形態の波長可変干渉フィルター１では、波長可変干渉フィルター１から所望の目標波長の光を透過させるために、第一電極３１及び第二電極３２の間に電圧を印加して第一ギャップＧ１の寸法を変化させる。そして、第一ギャップＧ１の寸法を変化させた際に、Ｚ方向に直交する面内において、所望の目標波長の光が得られる範囲が、波長可変干渉フィルター１の有効領域Ａ１となる。なお、有効領域Ａ１についての詳細な説明は後述する。

第一ミラー２１及び第二ミラー２２を構成する素材としては特に限定されず、波長可変干渉フィルター１を透過させる光の波長域に応じて設定されていればよい。例えば、波長可変干渉フィルター１から透過させる光の波長（目標波長）を、可視光域から近赤外域に亘る広い波長域で変化させる場合、第一ミラー２１及び第二ミラー２２として、当該波長域に対して高い反射特性を有するミラー素材を用いる。この場合、例えば、Ａｇ等の金属膜や、Ａｇ合金等の合金膜を用いることが好ましい。また、波長可変干渉フィルター１から透過させる光の波長（目標波長）を、狭い帯域内において変化させる場合では、第一ミラー２１及び第二ミラー２２として、高屈折層及び低屈折層を積層した誘電体多層膜を用いることが好ましい。この場合、波長可変干渉フィルター１から、半値幅が狭い高分解能な光を出射させることができる。

より具体的には、第一ミラー２１は、図１から図３に示すように、可動部１１１の全体と、第一傾斜部１１２Ｂの一部を覆って設けられている。つまり、第一ミラー２１の外周縁（第一ミラー縁２１Ａ）は、可動部１１１の可動部外縁１１１Ａよりも外側に寸法Ｗ１だけ突出して位置する。

また、第二基板１２のミラー台１２１は、第一ミラー２１に対向する部分が第一面１１Ａに平行な平坦面である。そして、第二ミラー２２は、第一ミラー２１に対向する位置に設けられており、可動部１１１が第一基板１１側に変位していない状態で、その外周縁（第二ミラー縁２２Ａ）は、第一ミラー縁２１Ａに対向する。

ところで、ダイアフラム部１１２は、第一ミラー２１や第一電極３１の膜応力の影響を受け、変形する場合がある。特に、第一ミラー２１の第一ミラー縁２１Ａや、第一電極３１の外側縁３１Ａ及び内側縁３１Ｂにおいて、膜応力によってダイアフラム部１１２が受けるモーメント力が最大となる。
ここで、本実施形態では、第一傾斜部１１２Ｂにおいて、第一ミラー２１の第一ミラー縁２１Ａ及び第一電極３１の内側縁３１Ｂが位置する。このような構成では、ダイアフラム部１１２のうち、最も変形しやすい平坦部１１２Ａに第一ミラー縁２１Ａや第一電極３１の内側縁３１Ｂが設けられていないので、ダイアフラム部１１２の変形を抑制できる。
さらに、本実施形態では、第一ミラー縁２１Ａ及び内側縁３１Ｂの隙間は、０．２ｍｍ以下となる。このような構成とすることで、第一ミラー縁２１Ａに作用する第一ミラー２１による膜応力に基づいたモーメント力と、内側縁３１Ｂに作用する第一電極３１による膜応力に基づいたモーメント力とが打ち消し合い、ダイアフラム部１１２の変形をさらに抑制することが可能となる。
なお、第一電極３１の外側縁３１Ａに関しても同様であり、第一電極３１の外側縁３１Ａが第二傾斜部１１２Ｃに位置している。これにより、ダイアフラム部１１２の変形を抑制できる。また、外側縁３１Ａと接合部４０の接合縁４０Ａとの隙間が０．２ｍｍ以下となる。これにより、第一ミラー縁２１Ａに作用する第一ミラー２１による膜応力に基づいたモーメント力と、外側縁３１Ａに作用する第一電極３１による膜応力に基づいたモーメント力と、接合縁４０Ａに作用する接合部４０の膜応力によるモーメント力とが打ち消し合い、ダイアフラム部１１２の変形をさらに抑制することが可能となる。

［波長可変干渉フィルター１の有効領域］
次に、本実施形態の波長可変干渉フィルター１の有効領域Ａ１について説明する。
本明細書で述べる有効領域Ａ１とは、上述したように、静電アクチュエーター３０に印加する電圧を制御して第一ギャップＧ１を変化させた際に、Ｚ方向に直交する面内において、所望の目標波長の光が得られる範囲を指す。所望の目標波長の光が得られる範囲とは、波長可変干渉フィルターを透過した光の光量を複数の波長で測定した際の重心波長と、目標波長との差が所定の閾値以下となる範囲である。この閾値は、波長可変干渉フィルターの使用目的に基づいた測定精度によって変わる。例えば、可視光域の光を２０ｎｍ間隔で測定する場合、目標波長と重心波長との差が１０ｎｍ以下に設定することが好ましい。この場合、有効領域Ａ１は、目標波長と重心波長との差が１０ｎｍとなる範囲である。
本実施形態の波長可変干渉フィルター１では、ダイアフラム部１１２は、静電アクチュエーター３０への電圧印加により、静電引力によって撓む部分である。よって、当該ダイアフラム部１１２に設けられる第一ミラー２１と第二ミラー２２との間のギャップは、可動部１１１に設けられる第一ミラー２１と第二ミラー２２との間の第一ギャップＧ１よりも大きくなる。つまり、ダイアフラム部１１２に対応するダイアフラム領域Ａ４（図２，３参照）は、目標波長の光とは異なる波長の光が出力される領域となり、有効領域外となる。

また、本実施形態のような波長可変干渉フィルター１では、可動部１１１外に入射した光が基板表面で反射したり屈折したりすることで、第一ミラー２１や第二ミラー２２に入射することがある。例えば、ダイアフラム部１１２の第一傾斜部１１２Ｂや第二傾斜部１１２Ｃで反射又は屈折した光が迷光となって第一ミラー２１や第二ミラー２２に入射する。このような迷光が入射すると、第一ギャップＧ１に応じた目標波長の光のみならず、目標波長以外の光も波長可変干渉フィルター１を透過することになり、出射光の波長むらが大きくなる。

ここで、Ｚ方向に沿って第一ミラー２１及び第二ミラー２２が互いに対向する範囲をミラー対向領域Ａ２（図２、３参照）とすると、上記のような迷光により、波長むらが大きくなる領域は、ミラー対向領域Ａ２の外周部（以降、迷光域Ａ３と称する）となる。この迷光域Ａ３は、第一ミラー縁２１Ａからフィルター中心軸Ｏ側に向かって所定の寸法Ｗ２の位置までの領域となる。
本実施形態では、Ｗ１＞Ｗ２であり、迷光域Ａ３は、可動部１１１より外側の第一傾斜部１１２Ｂに位置している。すなわち、迷光域Ａ３は、有効領域外とされているダイアフラム領域Ａ４内に位置している。このため、本実施形態では、可動部１１１を通過する光に含まれる迷光成分は極めて少なく、Ｚ方向に沿って可動部１１１を通過する全領域が本実施形態の有効領域Ａ１となる。
なお、迷光域Ａ３の迷光の影響は、第一ミラー縁２１Ａや第二ミラー縁２２Ａにおいて最も大きく、フィルター中心軸Ｏ側に向かうにしたがって低減する。よって、迷光域Ａ３の幅である寸法Ｗ２は、波長可変干渉フィルター１の使用目的に応じた測定精度に基づいて設定される。つまり、第一ミラー２１は、寸法Ｗ１が、波長可変干渉フィルター１の測定精度に基づいて設定される寸法Ｗ２よりも大きくなるように、そのサイズや配置位置が設定されている。

次に、本実施形態と比較例１との有効領域Ａ１を比較する。
図４は、比較例１の波長可変干渉フィルター９０の一部を示す図である。
比較例１の波長可変干渉フィルター９０は、本実施形態と同様に、第一基板１１と第二基板１２とを備え、第一基板１１には、可動部１１１とダイアフラム部１１２が設けられている。そして、第一基板１１には、第二基板１２に対向する面に第一ミラー９２１が設けられ、第二基板１２の第一ミラー９２１に対向する位置には、第二ミラー９２２が設けられている。ここで、第一ミラー９２１は、可動部１１１と略同一形状、同一サイズとなり、Ｚ方向から見た際に、第一ミラー９２１の縁である第一ミラー縁９２１Ａは、可動部１１１の縁である第二ミラー縁９２２Ａと一致する。
なお、波長可変干渉フィルター９０では、本実施形態と同様に、ダイアフラム部１１２に、第一電極３１及び第二電極３２が設けられており、第一ミラー９２１及び第二ミラー９２２の配置以外の構成は、本実施形態の波長可変干渉フィルター１と同じである。

図５は、比較例１の波長可変干渉フィルター９０を透過する光の重心波長を示す図であり、図６は、本実施形態の波長可変干渉フィルター１を透過する光の重心波長を示す図である。
図５及び図６に示される重心波長の測定方法について説明する。重心波長の測定では、まず、波長可変干渉フィルター１及び波長可変干渉フィルター９０の第一ギャップＧ１の寸法を、所望の目標波長に対応した寸法となるように設定する。図５及び図６に示す例では、目標波長として５４０ｎｍを採用している。次に、波長可変干渉フィルター１及び波長可変干渉フィルター９０に、例えば白色光等の基準光を入射させる。また、別途用意した基準分光測定装置を用い、波長可変干渉フィルター１及び波長可変干渉フィルター９０から出力される光を分光測定する。具体的には、Ｚ方向に直交するＸ方向に沿った各位置について、複数の波長に対する光量で測定する。複数の波長としては、例えば、可視光域を２０ｎｍ間隔で区分した１６バンドの波長等が例示できる。そして、Ｘ方向の各位置について、各波長に対する光量からその重心波長を求める。図５及び図６は、Ｘ方向に各位置について、この重心波長をプロットした図である。図５及び図６において、重心波長と目標波長（５４０ｎｍ）との差が大きい程、波長むらが大きく、当該位置に目標波長の５４０ｎｍの光以外の迷光が多く混入していることを示している。

図５に示すように、比較例１では、可動部１１１の全域に第一ミラー９２１を配置しているが、第一ミラー９２１の外縁から内側に寸法Ｗ２までの領域が迷光域Ａ３となり、当該迷光域Ａ３が可動部１１１内に位置している。このため、比較例１の有効領域は、可動部１１１の可動部外縁１１１Ａよりも内側にある。
一方、図６に示すように、本実施形態では、迷光域Ａ３が可動部１１１の外側に位置している。このため、本実施形態の有効領域Ａ１は、可動部１１１の可動部外縁１１１Ａに囲われる範囲が、有効領域Ａ１であり、比較例１に示すような従来の波長可変干渉フィルター９０に比べて大きくなる。

［本実施形態の作用効果］
本実施形態の波長可変干渉フィルター１は、第一基板１１と、第一基板１１に対向する第二基板１２と、第一基板１１に設けられた第一ミラー２１と、第二基板１２に設けられ、第一ミラー２１に第一ギャップＧ１を介して対向する第二ミラー２２と、を備える。第一基板１１は、Ｚ方向から見た際に、均一な厚みを有する可動部１１１と、可動部１１１を囲い、可動部１１１をＺ方向に移動可能に保持するダイアフラム部１１２と、を含む。ダイアフラム部１１２は、Ｚ方向に平行な平面で切断した断面視で、厚みが均一となる平坦部１１２Ａと、平坦部１１２Ａと可動部１１１との間に配置され、平坦部１１２Ａから可動部１１１に向かってＺ方向の厚みが漸増する第一傾斜部１１２Ｂと、を含む。そして、第一ミラー２１は、第一基板１１の第二基板に対向する第一面１１Ａのうち、可動部１１１から第一傾斜部１１２Ｂの少なくとも一部に亘って設けられている。

このような構成の波長可変干渉フィルター１では、第一ミラー２１と第二ミラー２２とが対向するミラー対向領域Ａ２の外周部に、迷光が入り込みやすい迷光域Ａ３が含まれるが、当該迷光域Ａ３はダイアフラム部１１２に位置する。したがって、可動部外縁１１１Ａよりも内側に入射する迷光を減らすことができ、結果として有効領域Ａ１を広げることができる。

本実施形態では、第一ミラー２１の第一ミラー縁２１Ａは、可動部１１１の可動部外縁１１１Ａよりも寸法Ｗ１だけ外側に位置する。一方、迷光域Ａ３は、第一ミラー縁２１Ａから内側に寸法Ｗ２となる位置から第一ミラー縁２１Ａまでの範囲であり、Ｗ１＞Ｗ２を満たす。このため、本実施形態では、可動部１１１の全域を有効領域Ａ１とすることができる。

本実施形態では、可動部１１１の第二基板１２とは反対側の第二面１１Ｂには、第一ミラー２１による膜応力を低減する応力低減膜５０が設けられている。
これにより、第一ミラー２１による膜応力による可動部１１１の撓みを抑制できる。

本実施形態では、応力低減膜５０の低減膜外縁５０Ａは、可動部１１１の可動部外縁１１１Ａに設けられている。
可動部１１１において、応力低減膜５０が設けられている部分と設けられていない部分とが存在すると、これらの部分間で光学的特性が変化する。つまり、応力低減膜５０が設けられている部分では、応力低減膜５０と第一基板１１との境界面で光の反射や屈折、減衰等が生じ、応力低減膜５０が設けられていない部分に対して、これらの反射や屈折、減衰等による光量低下が発生する。このように、Ｚ方向に直交する面内で測定条件にばらつきが生じると、測定精度が低下する。これに対して、本実施形態では、可動部１１１の全体が有効領域Ａ１に含まれ、かつ、当該可動部１１１の第二面１１Ｂの全体が応力低減膜５０で覆われる構成となる。このため、Ｚ方向に直交する面内で測定条件が同一となり、測定精度の低下を抑制できる。

本実施形態では、第一基板１１の第二基板１２に対向する第一面１１Ａに設けられた第一電極３１と、第二基板１２の第一電極３１に対向する位置に設けられた第二電極３２と、を備える。そして、第一電極３１は、平坦部１１２Ａから第一傾斜部１１２Ｂに亘って設けられている。
つまり、第一傾斜部１１２Ｂには、第一ミラー２１の第一ミラー縁２１Ａと、第一電極３１の内側縁３１Ｂとが近接して位置する。このような構成では、第一ミラー２１の膜応力によって第一傾斜部１１２Ｂに作用するモーメント力と、第一電極３１の膜応力によって第一傾斜部１１２Ｂに作用するモーメント力とが互いに打ち消し合い、第一傾斜部１１２Ｂの撓みを抑制することができる。

［変形例］
なお、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良、及び各実施形態を適宜組み合わせる等によって得られる構成は本発明に含まれるものである。

（変形例１）
上記実施形態では、ダイアフラム部１１２が、等方性エッチングにより形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、ダイアフラム部１１２が、異方性エッチングにより形成され、第一傾斜部１１２Ｂや第二傾斜部１１２Ｃの第二基板１２とは反対側の面が、平坦部１１２Ａに対して傾斜する平面に形成されていてもよい。

（変形例２）
上記実施形態では、第一ミラー２１が可動部１１１から第一傾斜部１１２Ｂに亘って形成される例を示したが、より広い範囲を覆って設けられていてもよい。例えば、第一ミラー２１が可動部１１１から第一傾斜部１１２Ｂ、平坦部１１２Ａの一部を覆うように設けられていてもよい。この場合、平坦部１１２Ａにおいて、第一ミラー縁２１Ａと、第一電極３１の内側縁３１Ｂとの隙間が０．２ｍｍ以下となるように第一ミラー２１及び第一電極３１を配置することが好ましい。これにより、平坦部１１２Ａに作用するモーメント力の影響を低減でき、平坦部１１２Ａの撓みを抑制できる。

（変形例３）
上記実施形態では、応力低減膜５０が可動部１１１の第二面１１Ｂ全体を覆う構成としたが、これに限定されない。例えば、応力低減膜５０として、第一基板１１と同一素材を用いる場合では、第一基板１１と応力低減膜５０との間の光学特性が略同一となり、境界面における反射や屈折等を抑制できる。このような場合では、応力低減膜５０の低減膜外縁５０Ａが、可動部外縁１１１Ａよりもフィルター中心軸Ｏ側に位置していてもよい。
また、可動部１１１の厚みが十分に厚く、第一ミラー２１の膜応力による可動部１１１の変形がない場合では、応力低減膜５０が設けられていなくてもよい。

（変形例４）
波長可変干渉フィルター１において、第一基板１１や第二基板１２の形状を矩形状とし、第一ミラー２１及び第二ミラー２２を円形とし、第一電極３１及び第二電極３２を略円環状としたが、これに限定されない。
例えば、第一基板１１、第二基板１２、第一基板１１、及び第二基板１２の形状として、円形や楕円形、多角形状としてもよい。また、第一電極３１及び第二電極３２として、第一ミラー２１や第二ミラー２２を囲う矩形枠状としてもよい。また、第一電極３１や第二電極３２が、フィルター中心軸Ｏに対して回転対象となるように、等間隔で複数配置される構成としてもよい。
また、コネクタ部１１４や、固定部１２３Ａの位置も、上記実施形態に限定されるものではなく、第二基板１２にコネクタ部が設けられていてもよく、第一基板１１に固定部が設けられていてもよい。第一基板１１及び第二基板１２のいずれか一方に、コネクタ部及び固定部の双方が設けられる構成としてもよく、第一基板１１及び第二基板１２の両方にコネクタ部及び固定部が設けられる構成としてもよい。

（変形例６）
波長可変干渉フィルター１に設けられる電極として、第一電極３１及び第二電極３２を例示したが、これに限定されない。例えば、第一電極が、円環状のバイアス電極と、バイアス電極の外側に配置される円環状の制御電極とにより構成されてもよい。また、第一ギャップＧ１の寸法を検出する静電容量検出用の電極をさらに追加してもよい。この場合、静電容量検出用の電極として、例えばＩＴＯやＩＧＯ等の透明電極を用い、第一ミラー２１及び第二ミラー２２の表面に設けられることが好ましい。また、Ｚ方向において、電極外周縁が可動部外縁１１１Ａと重なるように配置されることで、電極の有無により、面内で光学特性が変化する不都合を抑制できる。

１…波長可変干渉フィルター、１１…第一基板、１１Ａ…第一面、１１Ｂ…第二面、１２…第二基板、２１…第一ミラー、２１Ａ…第一ミラー縁、２２…第二ミラー、２２Ａ…第二ミラー縁、３０…静電アクチュエーター、３１…第一電極、３１Ａ…外側縁、３１Ｂ…内側縁、３２…第二電極、４０…接合部、４０Ａ…接合縁、５０…応力低減膜、５０Ａ…低減膜外縁、１１１…可動部、１１１Ａ…可動部外縁、１１２…ダイアフラム部、１１２Ａ…平坦部、１１２Ｂ…第一傾斜部、１１２Ｃ…第二傾斜部、１１３…外周部、１２１…ミラー台、１２２…溝部、１２２Ａ…溝底部、１２３…基台部、１２５…基台端縁、Ａ１…有効領域、Ａ２…ミラー対向領域、Ａ３…迷光域、Ａ４…ダイアフラム領域、Ｇ１…第一ギャップ、Ｇ２…第二ギャップ、Ｏ…フィルター中心軸。

Claims (4)

1. 第一基板と、
   前記第一基板に対向する第二基板と、
   前記第一基板に設けられた第一ミラーと、
   前記第二基板に設けられ、前記第一ミラーに第一ギャップを介して対向する第二ミラーと、を備え、
   前記第一基板は、前記第一基板から前記第二基板に向かうＺ方向から見た平面視で、前記Ｚ方向の厚みが均一な可動部と、前記可動部を囲い、前記可動部を前記Ｚ方向に移動可 能に保持するダイアフラム部と、を含み、
   前記ダイアフラム部は、前記Ｚ方向に平行な平面で切断した断面視で、厚みが均一となる平坦部と、前記平坦部と前記可動部との間に配置され、前記平坦部から前記可動部に向かって前記Ｚ方向の厚みが漸増する第一傾斜部と、を含み、
   前記第一ミラーの外縁は、前記Z方向から見た平面視で、前記ダイアフラム部に位置することを特徴とする波長可変干渉フィルター。
2. 請求項１に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
   前記可動部の前記第二基板とは反対側の面には、前記第一ミラーによる膜応力を低減する応力低減膜が設けられていることを特徴とする波長可変干渉フィルター。
3. 請求項２に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
   前記応力低減膜の外周縁は、前記可動部と前記第一傾斜部との境界に位置することを特徴とする波長可変干渉フィルター。
4. 請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
   前記第一基板の前記第二基板に対向する面に設けられた第一電極と、
   前記第二基板の前記第一電極に対向する位置に設けられた第二電極と、を備え、
   前記第一電極は、前記平坦部から前記第一傾斜部に亘って設けられていることを特徴とする波長可変干渉フィルター。

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