JP7278650B2 - バルブモジュール及びこれを含む基板処理装置 - Google Patents

バルブモジュール及びこれを含む基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7278650B2
JP7278650B2 JP2021547836A JP2021547836A JP7278650B2 JP 7278650 B2 JP7278650 B2 JP 7278650B2 JP 2021547836 A JP2021547836 A JP 2021547836A JP 2021547836 A JP2021547836 A JP 2021547836A JP 7278650 B2 JP7278650 B2 JP 7278650B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
opening
closing plate
channel
valve module
process chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021547836A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022520274A (ja
Inventor
ミン キム、サン
ミン イ、ジェ
Original Assignee
プリシス.カンパニー,リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by プリシス.カンパニー,リミテッド filed Critical プリシス.カンパニー,リミテッド
Publication of JP2022520274A publication Critical patent/JP2022520274A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7278650B2 publication Critical patent/JP7278650B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means
    • H01J37/32449Gas control, e.g. control of the gas flow
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K25/00Details relating to contact between valve members and seats
    • F16K25/04Arrangements for preventing erosion, not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K3/00Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing
    • F16K3/02Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor
    • F16K3/0281Guillotine or blade-type valves, e.g. no passage through the valve member
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K51/00Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus
    • F16K51/02Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus specially adapted for high-vacuum installations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853Hygiene
    • H01J37/32862In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/335Cleaning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Description

本発明は、バルブモジュール及びこれを含む基板処理装置に関し、より詳細には、プラズマによって活性化されたガスが流れる流路に設置されるバルブモジュール及びこれを含む基板処理装置に関する。
CVD(Chemical Vapor deposition)などの基板処理装置は、絶縁膜、導電性膜などの薄膜を基板上に蒸着するために多くの組成物を有する各工程ガス(プロセスガス)が工程チャンバー(プロセスチャンバー)内に供給される。
それによって、工程チャンバーの内部で化学反応によって基板上に薄膜が蒸着されるが、このとき、各工程副産物が工程チャンバーの内壁やサセプタの表面に付着し得る。
これらの工程副産物は、工程の反復によって持続的に累積されるようになり、時によって工程チャンバーから剥離され、工程チャンバーの内部空間に浮遊するようになるが、このような浮遊物(パーティクル)は良好な基板処理を困難にするので、工程チャンバーを周期的に洗浄し、各工程副産物を除去する必要性がある。
工程チャンバーの洗浄方式で工程チャンバーに洗浄ガスを供給し、これを工程チャンバー内で活性化させ、工程チャンバーに付着した工程副産物を分解するインサイチュ(In-situ)方式と、洗浄ガスを工程チャンバーと別途の遠隔プラズマソース(Remote Plasma Source)を通じて活性化させた後、活性化された洗浄ガスを工程チャンバーに供給し、工程チャンバーに付着した工程副産物を分解する遠隔プラズマ洗浄方式とがある。
遠隔プラズマ洗浄の場合、遠隔プラズマによって活性化された洗浄ガスが導管に沿って移動しながら工程チャンバーに供給されるようになるが、このとき、洗浄ガスの流れを遮断又は開放するためのバルブが導管に設置される。
ところが、バルブが導管を開放しているとき、導管に沿って流れる活性化された洗浄ガスにより、バルブを構成する構成要素(例として、開閉プレートの密着のためのOリング部材)が損傷し、開閉プレートのシーリングが低下することによってリークが発生し、リークの防止のために損傷した部品を頻繁に取り替えなければならないという問題がある。
それによって、良好な基板処理が困難になり、装置の運営費用が増加し、装置の生産性が低下し得る。
上述した問題は、遠隔プラズマソースに設置されるバルブのみならず、工程チャンバーと排気ポンプとの間に設置されるバルブでも問題になり得るので、このような問題を解決するためのバルブ構造の開発の必要性がある。
本発明の目的は、上記のような問題及び必要性を認識し、プラズマによって活性化されたガスが流れる流路に設置されるバルブが、活性化されたガスによって損傷することを防止できるバルブモジュール及びこれを含む基板処理装置を提供することにある。
特に、本発明の目的は、バルブの構成要素のうち流路を開閉する開閉プレートに備えられるシーリング部材(Oリング)が、活性化されたガスによって損傷することによってリークが発生することを防止できるバルブモジュール及びこれを含む基板処理装置を提供することにある。
本発明は、上記のような本発明の目的を達成するためになされたものであって、基板処理空間Sを形成する工程チャンバー100と、前記工程チャンバー100に結合され、プラズマによって活性化されたガスが流れる流路302を形成する流路部300とを含む基板処理装置に設置されるバルブモジュール400であって、前記流路302を開閉するために前記流路部300の一側に備えられる開放スリット301を介して前記流路302を横切りながら前後方移動可能に設置される開閉プレート410と、前記開閉プレート410の前後方移動を駆動する第1駆動部420と、前記開閉プレート410が後方に移動しながら前記流路302を開放しているとき、前記開閉プレート410と前記流路302との間に移動し、活性化されたガスによって前記開閉プレート410が損傷することを防止する開閉プレート保護部430と、前記開閉プレート保護部430の移動を駆動する第2駆動部440とを含むことを特徴とするバルブモジュール400を開示する。
前記流路部300には、前記開閉プレート410の前方移動時に前記開閉プレート410と密着するバルブゲート303が備えられてもよい。
前記開閉プレート410は、バルブゲート303のシーリングのために前記バルブゲート303と密着するシーリング部413を含んでもよい。
前記開閉プレート保護部430は、前記開閉プレート410の後方移動時、前記開閉プレート410と前記開放スリット301との間に進入しながら前記開放スリット301を覆蓋する遮断ブレード432を含んでもよい。
前記遮断ブレード432は、前記流路302の周囲を覆う中空型リング状からなってもよい。
前記遮断ブレード432と前記開放スリット301との間には間隙が形成されてもよい。
前記バルブモジュール400は、前記開閉プレート410及び前記第1駆動部420が設置されるバルブハウジング450をさらに含んでもよい。
前記バルブモジュール400は、前記開閉プレート410が後方に移動しながら前記流路302を開放しているとき、前記開閉プレート410が位置した空間に活性化されたガスが浸透することを防止するために、前記バルブハウジング450を介して不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を含んでもよい。
前記遮断ブレード432は、前記開閉プレート410と干渉しないように、前記開閉プレート410の前後進移動と連動しながら前記開閉プレート410の板面に垂直な第1方向に沿って移動し得る。
前記流路部300は、前記工程チャンバー100と遠隔プラズマを発生させる遠隔プラズマ発生部200との間に設置されてもよい。
前記工程チャンバー100の洗浄のために、前記遠隔プラズマ発生部200で活性化された洗浄ガスが前記流路部300を介して前記工程チャンバー100に供給され得る。
前記流路部300は、前記工程チャンバー100と前記工程チャンバー100の排気のための排気ポンプ800との間に設置されてもよい。
他の側面において、本発明は、基板処理空間Sを形成する工程チャンバー100と、前記工程チャンバー100に結合され、プラズマによって活性化されたガスが流れる流路302を形成する流路部300と、前記流路部300に設置される請求項9に係るバルブモジュール400とを含む基板処理装置を開示する。
前記基板処理装置は、前記工程チャンバー100の洗浄のために、前記遠隔プラズマ発生部200で活性化される洗浄ガスを前記遠隔プラズマ発生部200に供給する洗浄ガス供給ライン210をさらに含んでもよい。
前記基板処理装置は、前記流路部300及び前記バルブモジュール400のうち少なくとも一つを冷却するための冷却部900をさらに含んでもよい。
本発明に係るバルブモジュール及びこれを含む基板処理装置は、プラズマによって活性化されたガスが流れる流路に設置されるバルブが、活性化されたガスによって損傷することを防止できるという利点を有する。
特に、本発明に係るバルブモジュール及びこれを含む基板処理装置は、バルブの構成要素のうち流路を開閉する開閉プレートに備えられるシーリング部材(Oリング)が、活性化されたガスによって損傷することによってリークが発生することを防止できるという利点を有する。
より具体的に、本発明に係るバルブモジュール及びこれを含む基板処理装置は、開閉プレートが流路を開放しているとき、開閉プレートと流路との間に進入し、開閉プレートが流路に沿って流れる活性化されたガスに直接露出しないようにする開閉プレート保護部を含むことによって、開閉プレートに備えられるシーリング部材の損傷を効果的に防止できるという利点を有する。
図1は、本発明の一実施例に係る基板処理装置を示す断面図である。 図2は、図1の基板処理装置のバルブモジュールを示す斜視図である。 図3は、図2のA-A方向の断面図である。 図4a乃至図4bは、図2のバルブモジュールの動作を示す動作状態図であって、それぞれバルブモジュールが流路を閉鎖した状態及びバルブモジュールが流路を開放した状態を示す図である。 図5a乃至図5cは、それぞれ図2のバルブモジュールの構成の一部を示す斜視図、底面図及びB-B方向の断面図である。 図6a乃至図6cは、それぞれ図2のバルブモジュールの構成の一部を示す斜視図、底面図、及びC-C方向の断面図である。 図7a乃至図7bは、本発明の他の実施例に係るバルブモジュールの動作を示す動作状態図であって、それぞれバルブモジュールが流路を閉鎖した状態及びバルブモジュールが流路を開放した状態を示す図である。 図8は、図7a乃至図7bのバルブモジュールの構成の一部を示す斜視図である。
以下、本発明に係る基板処理装置に関して添付の図面を参照して説明する。
本発明に係る基板処理装置は、図1乃至図8に示したように、基板処理空間Sを形成する工程チャンバー100と、工程チャンバー100に結合され、プラズマによって活性化されたガスが流れる流路302を形成する流路部300と、流路部300に設置されるバルブモジュール400とを含む。
前記工程チャンバー100は、密閉された基板処理空間Sを形成する構成であって、多様な構成が可能であり、例として、上側に開口が形成されたチャンバー本体110と、チャンバー本体110の開口に着脱可能に結合され、チャンバー本体110と共に密閉された基板処理空間Sを形成する上部リッド120とを含んで構成され得る。
そして、前記工程チャンバー100の一側には、基板10の導入及び排出のための一つ以上のゲート111が形成されてもよい。
前記工程チャンバー100には、基板処理のための電源印加システム、基板処理空間Sの圧力制御及び排気のための排気システムなどが連結又は設置されてもよい。
また、前記工程チャンバー100には、基板処理空間Sに工程ガスを噴射するためのガス噴射部600が設置されてもよい。
前記ガス噴射部600は、工程のための多様な工程ガスを基板処理空間Sに噴射するための構成であって、多様な構成が可能である。
例として、前記ガス噴射部600は、上部リッド120に設置され、ガス供給ライン500を介して流入した工程ガスを拡散させる一つ以上の拡散プレートと、拡散された工程ガスを基板処理空間Sに向かって噴射する複数の噴射ホールとを含んでもよい。
また、前記工程チャンバー100には、基板処理空間Sに導入された基板10を支持する基板支持部700が設置されてもよい。
前記基板支持部700は、工程チャンバー100内に設置されることによって基板10を支持する構成であって、多様な構成が可能であり、例として、図1に示したように、上面で基板10を支持する基板支持プレートと、基板支持プレートに結合され、工程チャンバー100のチャンバー壁を貫通して基板上下駆動部(図示せず)と結合されることによって上下に移動する基板支持シャフトとを含んでもよい。
前記基板支持プレートは、基板10の平面形状に対応する形状のプレートからなってもよく、前記基板支持プレートに基板加熱のためのヒーター部(図示せず)が内蔵されてもよい。
前記基板支持シャフトは、基板支持プレートの底面に結合され、工程チャンバー100のチャンバー壁を貫通して基板上下駆動部(図示せず)と結合されることによって上下に移動する構成であって、多様な構成が可能である。
前記基板上下駆動部(図示せず)は、基板支持シャフトを上下に移動させるための構成であって、多様な構成が可能であり、装置の構成によってモーター、リニアガイド、スクリュー、ナットなどを含んで構成され得る。
前記流路部300は、工程チャンバー100に結合され、プラズマによって活性化されたガスが流れる流路302を形成する構成であって、多様な構成が可能である。
一実施例において、前記流路部300は、図1に示したように、工程チャンバー100と遠隔プラズマを発生させる遠隔プラズマ発生部200との間に設置されてもよい。
前記遠隔プラズマ発生部200は、遠隔プラズマを発生させる遠隔プラズマソースであって、多様な構成が可能である。
前記遠隔プラズマ発生部200は、図1に示したように、工程チャンバー100と遠隔して位置し、プラズマ放電が発生する遠隔プラズマチャンバーを含んでもよい。
前記遠隔プラズマチャンバーは、陽極処理されたアルミニウム合金からなってもよく、後述する流路部300を介して工程チャンバー100と連結されてもよい。
前記遠隔プラズマ発生部200は、一般的な遠隔プラズマ発生装置(Remote Plasma Generator、RPG)と同一又は類似する形に構成され得るので、これ以上の詳細な説明は省略する。
このとき、前記基板処理装置は、工程チャンバー100の洗浄のために洗浄ガスを遠隔プラズマ発生部200に供給する洗浄ガス供給ライン210をさらに含んでもよい。
前記洗浄ガス供給ライン210を介して遠隔プラズマ発生部200に流入した洗浄ガスは、プラズマによって活性化(ラジカル)され得る。
前記活性化された洗浄ガスは、後述する流路部300を介して工程チャンバー100に流入し、工程チャンバー100の内部を洗浄することができる。
このとき、前記洗浄ガスとしては、フッ化窒素、フッ化炭素、フッ化塩素、フッ化窒素やフッ化炭素の混合ガス、又は、これらのガスと酸素、窒素又は不活性ガスとの混合ガスなどのフルオロ含有ガスが用いられてもよい。
例として、前記洗浄ガスは、NF、CIF、CF、C、Cと酸素との混合ガス、NFと窒素との混合ガス、NFと希釈ガスとの混合ガスであってもよい。
前記希釈ガスは、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン及びクリプトンのうち少なくともいずれか一つを含んでもよい。
この場合、前記流路部300を介して、遠隔プラズマ発生部200で活性化された活性ガス(活性種)が流れ得る。
前記遠隔プラズマ発生部200に洗浄ガスが流入する場合、前記流路部300に沿って流れる活性ガス(活性種)は、遠隔プラズマによって活性化されたフッ素ラジカルであってもよい。
すなわち、工程チャンバー100の洗浄のために、前記流路部300を介して遠隔プラズマ発生部200で活性化された洗浄ガスが工程チャンバー100に供給され得る。
一方、図1の場合、流路部300は、工程のための工程ガスが工程チャンバー100に供給されるガス供給ライン500と独立的な構成として示したが、流路部300の構成がこれに限定されるのではない。
すなわち、前記流路部300は、ガス供給ライン500と独立的に工程チャンバー100のガス噴射部600に直接連結されたり、又はガス供給ライン500を介して間接的にガス噴射部600に連結される例も可能であることは当然である。
他の実施例において、前記流路部300は、図1に示したように、工程チャンバー100と工程チャンバー100の排気のための排気ポンプ800との間に設置されてもよい。
この場合、前記流路部300を介して、工程チャンバー100内の活性化された活性ガス(活性種)又は工程副産物が流れ得る。
前記バルブモジュール400は、流路部300に設置され、流路302に沿って流れる活性ガス(活性種)や工程副産物の流れを制御する構成であって、多様な構成が可能である。
例として、前記バルブモジュール400は、流路部300の流路302を開閉するために、流路部300の一側に備えられる開放スリット301を介して流路302を横切りながら前後方移動可能に設置される開閉プレート410と、開閉プレート410の前後方移動を駆動する第1駆動部420とを含んでもよい。
前記開閉プレート410は、流路302を開閉するために流路302を横切りながら前後方移動可能に設置される構成であって、多様な形状及び材質からなり得る。例として、前記開閉プレート410は、図5a乃至図5cに示したように、流路302の周囲に密着できるように一側板面に段差が形成されるプレートであってもよい。
このとき、前記流路部300には、開閉プレート410が流路302を横切りながら前後方に移動できるように開閉プレート410が貫通し得る開放スリット301が形成されてもよい。
前記開放スリット301は、開閉プレート410の流路301に向かう前後方移動を可能にする開放口であって、多様な形状及び大きさで形成され得る。前記開放スリット301は、流路302の周り方向に沿って予め設定された幅で形成されることが好ましく、少なくとも開閉プレート410が摩擦することなく貫通し得る長さで形成されることが好ましい。
このとき、前記開放スリット301は、遠隔プラズマ発生部200側(又は排気ポンプ800側)の流路PSと工程チャンバー100側の流路PCとの間の境界を形成することができる。
そして、前記流路部300には、開放スリット301を基準にして遠隔プラズマ発生部200側(又は排気ポンプ800側)又は工程チャンバー100側に開閉プレート410によって密着して覆蓋されるバルブゲート303が形成されてもよい。
前記バルブゲート303は、開閉プレート410の前方移動時(流路302の閉鎖時)に開閉プレート410と密着し得る。図1乃至図8の実施例は、バルブゲート303が工程チャンバー100側に形成される実施例を示したものであるが、本発明の範囲がこれに限定されるのではない。
このとき、前記開閉プレート410は、バルブゲート303のシーリングのためにバルブゲート303と密着するシーリング部413を含んでもよい。
前記シーリング部413は、バルブゲート303と密着することによって流路302をシーリングするための構成であって、多様な構成が可能であり、例として、Oリング部材又は密着領域に形成される突起で構成されてもよい。
図2乃至図8の場合、シーリング部413は、開閉プレート410のうちバルブゲート303との密着領域に沿って一体に形成される突起形態で示したが、別途のOリング部材が開閉プレート410の密着領域の周囲に沿って備えられる実施例も可能であることは当然である。
そして、前記開閉プレート410は、流路302を横切りながら前後方に移動するので、シーリング部413を通じたバルブゲート303のシーリングを容易にするために、一側板面に形成される段差構造を通じてシーリング部413が流路302に向かう方向に突出するように形成されてもよい。それによって、後述する第1駆動部420が開閉プレート410を前方(図面を基準にしてX軸方向)に加圧する力を最小化し、シーリング部310の損傷を最小化することができ、開閉プレート410を前方に加圧することによって開閉プレート410によるバルブゲート303のシーリング効果を極大化することができる。
一方、前記開閉プレート410、特にシーリング部413は、流路302に沿って流れる活性ガスによって損傷し得るので、活性ガスに対する耐久性の良い材質からなることが好ましい。また、前記開閉プレート410、特にシーリング部413は、活性ガスによって高温環境に露出することによってバルブゲート303に粘着して損傷し得るので、高温での粘着性の低い材質からなることが好ましい。
前記第1駆動部420は、開閉プレート410の前後方移動を駆動する駆動源であって、これには多様な駆動方式が適用可能であり、例として、ソレノイドバルブで構成されてもよい。
例として、前記第1駆動部420は、開閉プレート410の一端に結合されるメインロッド422に結合される移動ブロック426と、移動ブロック426が移動可能に結合され、移動ブロック426の移動方向に沿って延長されながら移動ブロック426の移動をガイドするガイドロッド424と、移動ブロック426の移動を駆動する移動ブロック駆動部421とを含んでもよい。
このとき、前記メインロッド422は、開閉プレート410の一端に形成される結合部411を通じて開閉プレート410と結合され得る。
一方、前記第1駆動部420は、開閉プレート410及び第1駆動部420が設置される駆動部フレーム428をさらに含んでもよく、駆動部フレーム428には、上述した移動ブロック426が移動する中空型シリンダー構造が形成されてもよい。
このとき、前記移動ブロック駆動部421は、移動ブロック426の移動のために駆動部フレーム428内の空圧(Air)を制御するソレノイドモジュールであってもよい。
一方、前記バルブモジュール400は、開閉プレート410及び第1駆動部420が設置されるバルブハウジング450をさらに含んでもよい。
前記バルブハウジング450は、開閉プレート410及び第1駆動部420が設置されるハウジングであって、多様な形状及び材質が可能であり、上述した流路部300に結合され、流路302又は開放スリット301の少なくとも一部を構成することができる。
ところが、前記バルブモジュール400は、活性ガスが流れる流路302を開閉する構成であるので、流路302を開放しているとき(開閉プレート410が後方に移動した状態)、開閉プレート410が貫通する開放スリット301を介して開閉プレート410が活性ガスに露出しやすいという問題がある。
したがって、前記バルブモジュール400は、開閉プレート410が後方に移動しながら流路302を開放しているとき、開閉プレート410が位置した空間にプラズマによって活性化されたガス(活性種)が浸透することを防止するために、バルブハウジング450を介して不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を含んでもよい。
前記不活性ガス供給部によって開閉プレート410が位置した空間に不活性ガスを供給するので、供給された不活性ガスは、開放スリット301を介して開閉プレート410側にプラズマ(具体的には、活性ガス)が浸透することをある程度遮断することができる。
前記不活性ガス供給部は、図4b及び図7bに示したように、バルブハウジング450の一側に形成される不活性ガス流入口405に設置される不活性ガス供給ライン407に設置されてもよい。
前記開閉プレート410が位置した空間に不活性ガスを供給する場合、開放スリット301を介して開閉プレート410が位置した空間にプラズマが浸透することをある程度遮断できるだけで、開閉プレート410が開放スリット301を介してプラズマによって活性化されたガス(活性種)が流れる流路301に直接露出するので、依然として開閉プレート410のシーリング部413の損傷が問題になり得る。
そこで、本発明に係るバルブモジュール400は、開閉プレート410、特に開閉プレート410のシーリング部413が活性ガスに直接露出することを防止するための構造を提示することができる。
具体的に、本発明に係るバルブモジュール400は、開閉プレート410が後方に移動しながら流路302を開放しているとき、開閉プレート410と流路302との間に移動し、開閉プレート410がプラズマによって活性化されたガス(活性種)によって損傷することを防止する開閉プレート保護部430と、開閉プレート保護部430の移動を駆動する第2駆動部440とをさらに含んでもよい。
前記開閉プレート保護部430は、開閉プレート410が後方に移動しながら流路302を開放しているとき、開閉プレート410と流路302との間に移動し、開閉プレート410がプラズマによって損傷することを防止する構成であって、多様な形状及び大きさからなり得る。前記開閉プレート保護部430は、開閉プレート410と同様に、活性ガスに対する耐久性の良い材質からなることが好ましい。
具体的に、前記開閉プレート保護部430は、開閉プレート410の後方移動時、開閉プレート410と開放スリット301との間に進入しながら開放スリット301を覆蓋する遮断ブレード432を含んでもよい。
前記遮断ブレード432は、開閉プレート410と開放スリット301との間に進入しながら開放スリット301を覆蓋できるものであれば、多様な形状からなり得る。
例として、前記遮断ブレード432は、図6a乃至図6cに示したように、開放スリット301の長さ及び幅に対応する形状からなってもよい。
他の例として、前記遮断ブレード432は、図7a乃至図8に示したように、流路302の周囲を覆う中空型リング状からなってもよい。
図7a乃至図8に示した実施例の場合、前記遮断ブレード432は、開放スリット301を覆蓋することに加えて、流路302の周囲全体を取り囲むことができる。
前記遮断ブレード432が、図6a乃至図6cのように、流路302の周囲全体を覆うのではなく、開放スリット301に対応する領域のみを覆蓋するように構成される場合、不必要な部分を省略することによって開閉プレート保護部430の構成を簡素化することができ、遮断ブレード432が高温環境で燃えて損傷することによって発生する問題を最小化できるという利点がある。
一方、前記遮断ブレード432が、後方に移動した開閉プレート410と開放スリット301との間に進入したとき、遮断ブレード432と開放スリット301との間には、図4bに示したように、間隙Dが形成され得る。
遮断ブレード432と開放スリット301との間に間隙が形成されるので、遮断ブレード432が開放スリット301と摩擦することなく移動し得る。
このとき、不活性ガス供給部から供給された不活性ガスは、図4bに示したように間隙Dを介して流路302側に抜け出ることによって、開閉プレート410にプラズマ(活性種)が浸透することを防止することができる。ここで、間隙Dは、開放スリット301の大きさに比べて非常に小さいので、不活性ガスを通じてプラズマ開閉プレート410への浸透を十分に防止することができる。
一方、前記遮断ブレード432は、図4a乃至図4b、及び図7a乃至図7bに示したように、開閉プレート410と干渉しないように、開閉プレート410の前後進移動(図面を基準にしてX軸方向の移動)と連動しながら開閉プレート410の板面(図面を基準にしてX-Y平面)に垂直な第1方向(図面を基準にしてY軸方向)に沿って移動し得る。
前記第2駆動部440は、開閉プレート保護部430の移動を駆動する構成であって、これには多様な駆動方式が適用され得る。
前記第2駆動部440は、開閉プレート保護部430の終端に形成された結合部431を通じて開閉プレート保護部430と結合され得る。
また、前記バルブモジュール400は、上述した第1駆動部420及び第2駆動部440の動作を制御することによって流路302の開閉を制御するバルブ制御部460を含んでもよい。
一方、本発明に係る基板処理装置は、流路部300及びバルブモジュール400のうち少なくとも一つを冷却するための冷却部900をさらに含んでもよい。
前記冷却部900は、流路部300及びバルブモジュール400のうち少なくとも一つを冷却できるものであれば多様な構成が可能であり、例として、図2、図4a乃至図4b、及び図7a乃至図7bに示したように、流路部300又はバルブハウジング450に形成され、冷却のためのクーラントが流れる冷却流路を含んでもよい。
前記冷却部900が流路部300及びバルブモジュール400のうち少なくとも一つを冷却することによって、高温環境によってシーリング部413が粘着して損傷することを防止することができる。
以下、図4a乃至図4b、及び図7a乃至図7bを参照して、上述した基板処理装置で行われるバルブゲート303の開閉過程を説明する。
図4a及び図7aは、開閉プレート410が前方に移動(図面を基準にしてX軸方向)した状態で、開放スリット301を貫通しながら流路302を閉鎖している状態を示す。
ここで、前方移動とは、開閉プレート410が流路302に向かって近くなる方向を意味し得る。
このとき、開閉プレート410によって流路302が塞がった状態になるので、活性ガスが流路302を介して流れることができない。
ここで、開閉プレート保護部430は、開閉プレート410と干渉しない空間に位置する。図4a及び図7bは、開閉プレート保護部430が開閉プレート410を基準にして遠隔プラズマ発生部200側(又は排気ポンプ800側)に形成された空間に位置した場合を示したが、その反対に、開閉プレート保護部430が開閉プレート410を基準にして工程チャンバー100側に形成された空間に位置する場合も可能であることは当然である。
工程チャンバー100への遠隔プラズマの供給(活性ガスの供給)が必要であったり、又は工程チャンバー100の排気が必要である場合、流路302を開放するために開閉プレート410が後方に移動(図面を基準にしてX軸方向)し得る。
図4b及び図7bは、開閉プレート410が後方に移動(図面を基準にしてX軸方向)した状態で、流路302の外側に移動しながら流路302を開放している状態を示す。このとき、工程チャンバー100は、流路302を介して工程チャンバー100に供給される活性化された洗浄ガスによって洗浄され得る。
ここで、後方移動とは、開閉プレート410が流路302から遠くなる方向を意味し得る。
このとき、流路302から開閉プレート410が除去されるので、流路302が開放され、活性ガスが流路302に沿って流れ得る。
開閉プレート410の後方移動と連動し、開閉プレート保護部430は、開閉プレート410と開放スリット301との間に形成される空のスペースに進入しながら開放スリット301を覆蓋することができる。
図4b及び図7bは、開閉プレート410を基準にして遠隔プラズマ発生部200側(又は排気ポンプ800側)に形成された空間に位置していた開閉プレート保護部430が、下側の開放スリット301側に移動しながら開放スリット301を覆蓋した状態を示すが、図示してはいないが、その反対に、開閉プレート410を基準にして工程チャンバー100側に形成された空間に位置していた開閉プレート保護部430が、上側の開放スリット301側に移動しながら開放スリット301を覆蓋する実施例も可能であることは当然である。
工程チャンバー100への遠隔プラズマの供給(活性ガスの供給)を遮断する必要がある場合(例として、工程チャンバー100の洗浄過程の完了後)、又は工程チャンバー100の排気が完了した場合、開閉プレート保護部430が図4a又は図7aの元の位置に戻ることによって、開閉プレート410は、再び流路302に向かって前方に移動しながら流路302を閉鎖することができる。
以上は、本発明によって具現され得る好適な実施例の一部に関して説明したものに過ぎないので、周知のように、本発明の範囲は、上記の実施例に限定して解釈してはならず、上記で説明した本発明の技術的思想及びその根本を共にする技術的思想は、いずれも本発明の範囲に含まれると言えるだろう。

Claims (14)

  1. 基板処理空間(S)を形成する工程チャンバー(100)と、
    前記工程チャンバー(100)に結合され、プラズマによって活性化されたガスが流れる流路(302)を形成する流路部(300)と、
    を含む基板処理装置に設置されるバルブモジュール(400)であって、
    前記流路(302)を開閉するために前記流路部(300)の一側に備えられる開放スリット(301)を介して前記流路(302)を横切りながら前後方移動可能に設置される開閉プレート(410)と、
    前記開閉プレート(410)の前後方移動を駆動する第1駆動部(420)と、
    前記開閉プレート(410)が後方に移動しながら前記流路(302)を開放しているとき、前記開閉プレート(410)と前記流路(302)との間に移動し、活性化されたガスによって前記開閉プレート(410)が損傷することを防止する開閉プレート保護部(430)と、
    前記開閉プレート(410)の板面に垂直な第1方向に前記開閉プレート保護部(430)の移動を駆動する第2駆動部(440)と、
    含み、
    前記開閉プレート保護部(430)は、前記開閉プレート(410)の後方移動時、前記開閉プレート(410)と前記開放スリット(301)との間に進入する遮断ブレード(432)を含み、
    前記開閉プレート保護部(430)は、前記第2駆動部(440)に結合されるために、2つの結合部(431)をさらに含み、
    前記2つの結合部(431)は、前記遮断ブレード(432)の両端部で、前記開閉プレート(410)の後進移動方向にそれぞれ延び、
    前記遮断ブレード(432)が前記開閉プレート(410)と前記開放スリット(301)との間に進入しながら前記開放スリット(301)を覆蓋するとき、前記開閉プレート(410)は前記2つの結合部(431)の間に位置することを特徴とするバルブモジュール(400)。
  2. 請求項1に記載のバルブモジュール(400)であって、
    前記流路部(300)には、前記開閉プレート(410)の前方移動時、前記開閉プレート(410)と密着するバルブゲート(303)が備えられ、
    前記開閉プレート(410)は、シーリングのために前記バルブゲート(303)と密着するシーリング部(413)を含むことを特徴とする、バルブモジュール(400)。
  3. 基板処理空間(S)を形成する工程チャンバー(100)と、
    前記工程チャンバー(100)に結合され、プラズマによって活性化されたガスが流れる流路(302)を形成する流路部(300)と、
    を含む基板処理装置に設置されるバルブモジュール(400)であって、
    前記流路(302)を開閉するために前記流路部(300)の一側に備えられる開放スリット(301)を介して前記流路(302)を横切りながら前後方移動可能に設置される開閉プレート(410)と、
    前記開閉プレート(410)の前後方移動を駆動する第1駆動部(420)と、
    前記開閉プレート(410)が後方に移動しながら前記流路(302)を開放しているとき、前記開閉プレート(410)と前記流路(302)との間に移動し、活性化されたガスによって前記開閉プレート(410)が損傷することを防止する開閉プレート保護部(430)と、
    前記開閉プレート保護部(430)の移動を駆動する第2駆動部(440)と、
    を含み、
    前記開閉プレート保護部(430)は、前記開閉プレート(410)の後方移動時、前記開閉プレート(410)と前記開放スリット(301)との間に進入しながら前記開放スリット(301)を覆蓋する遮断ブレード(432)を含み、
    前記遮断ブレード(432)は、前記流路(302)の周囲を覆う中空型リング状からなることを特徴とする、バルブモジュール(400)。
  4. 請求項に記載のバルブモジュール(400)であって、
    前記遮断ブレード(432)と前記開放スリット(301)との間には間隙が形成されることを特徴とする、バルブモジュール(400)。
  5. 請求項1~のいずれか1項に記載のバルブモジュール(400)であって、
    前記バルブモジュール(400)は、前記開閉プレート(410)及び前記第1駆動部(420)が設置されるバルブハウジング(450)をさらに含むことを特徴とする、バルブモジュール(400)。
  6. 請求項に記載のバルブモジュール(400)であって、
    前記バルブモジュール(400)は、前記開閉プレート(410)が後方に移動しながら前記流路(302)を開放しているとき、前記開閉プレート(410)が位置した空間に活性化されたガスが浸透することを防止するために、前記バルブハウジング(450)を介して不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を含むことを特徴とする、バルブモジュール(400)。
  7. 請求項3に記載のバルブモジュール(400)であって、
    前記遮断ブレード(432)は、前記開閉プレート(410)と干渉しないように前記開閉プレート(410)の前後進移動と連動し、前記開閉プレート(410)の板面に垂直な第1方向に沿って移動することを特徴とする、バルブモジュール(400)。
  8. 請求項1または4に記載のバルブモジュール(400)であって、
    前記遮断ブレード(432)は、前記開閉プレート(410)と干渉しないように前記開閉プレート(410)の前後進移動と連動し、前記第1方向に沿って移動することを特徴とする、バルブモジュール(400)。
  9. 請求項1~のいずれか1項に記載のバルブモジュール(400)であって、
    前記流路部(300)は、前記工程チャンバー(100)と遠隔プラズマを発生させる遠隔プラズマ発生部(200)との間に設置されることを特徴とする、バルブモジュール(400)。
  10. 請求項9に記載のバルブモジュール(400)であって、
    前記工程チャンバー(100)の洗浄のために、前記遠隔プラズマ発生部(200)で活性化された洗浄ガスが前記流路部(300)を介して前記工程チャンバー(100)に供給されることを特徴とする、バルブモジュール(400)。
  11. 請求項1~のいずれか1項に記載のバルブモジュール(400)であって、
    前記流路部(300)は、前記工程チャンバー(100)と前記工程チャンバー(100)の排気のための排気ポンプ(800)との間に設置されることを特徴とする、バルブモジュール(400)。
  12. 基板処理空間(S)を形成する工程チャンバー(100)と、
    前記工程チャンバー(100)に結合され、プラズマによって活性化されたガスが流れる流路(302)を形成する流路部(300)と、
    前記流路部(300)に設置される請求項9に係るバルブモジュール(400)と、
    を含む基板処理装置。
  13. 請求項12に記載の基板処理装置であって、
    前記工程チャンバー(100)の洗浄のために、前記遠隔プラズマ発生部(200)で活性化される洗浄ガスを前記遠隔プラズマ発生部(200)に供給する洗浄ガス供給ライン(210)をさらに含むことを特徴とする、基板処理装置。
  14. 請求項12に記載の基板処理装置であって、
    前記流路部(300)及び前記バルブモジュール(400)のうち少なくとも一つを冷却するための冷却部(900)をさらに含むことを特徴とする、基板処理装置。
JP2021547836A 2019-02-13 2020-01-03 バルブモジュール及びこれを含む基板処理装置 Active JP7278650B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190016638A KR102229688B1 (ko) 2019-02-13 2019-02-13 밸브모듈 및 이를 포함하는 기판처리장치
KR10-2019-0016638 2019-02-13
PCT/KR2020/000122 WO2020166823A1 (ko) 2019-02-13 2020-01-03 밸브모듈 및 이를 포함하는 기판처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022520274A JP2022520274A (ja) 2022-03-29
JP7278650B2 true JP7278650B2 (ja) 2023-05-22

Family

ID=72044968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021547836A Active JP7278650B2 (ja) 2019-02-13 2020-01-03 バルブモジュール及びこれを含む基板処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220148855A1 (ja)
JP (1) JP7278650B2 (ja)
KR (1) KR102229688B1 (ja)
WO (1) WO2020166823A1 (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010203585A (ja) 2009-03-05 2010-09-16 Smc Corp 真空バルブ
KR101201817B1 (ko) 2011-03-10 2012-11-15 주성엔지니어링(주) 기판처리장치의 배기 시스템 및 배기 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6347636B1 (en) * 1996-11-13 2002-02-19 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for gettering fluorine from chamber material surfaces
US6103069A (en) * 1997-03-31 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Chamber design with isolation valve to preserve vacuum during maintenance
JPH11236978A (ja) * 1998-02-24 1999-08-31 Shibaura Mechatronics Corp 弁装置およびプラズマ処理装置
KR100767762B1 (ko) * 2000-01-18 2007-10-17 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 자가 세정을 위한 원격 플라즈마 소스를 구비한 cvd 반도체 공정장치
KR100906950B1 (ko) * 2007-12-27 2009-07-10 세메스 주식회사 원격 플라즈마 발생기를 구비하는 플라즈마 처리 장치
US20110308453A1 (en) * 2008-01-31 2011-12-22 Applied Materials, Inc. Closed loop mocvd deposition control
WO2010024036A1 (ja) * 2008-08-28 2010-03-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置のクリーニング方法
JP6438320B2 (ja) * 2014-06-19 2018-12-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US11761084B2 (en) * 2016-12-02 2023-09-19 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method of processing substrate
KR102193380B1 (ko) * 2016-12-19 2020-12-21 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010203585A (ja) 2009-03-05 2010-09-16 Smc Corp 真空バルブ
KR101201817B1 (ko) 2011-03-10 2012-11-15 주성엔지니어링(주) 기판처리장치의 배기 시스템 및 배기 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN113748497A (zh) 2021-12-03
KR20200098922A (ko) 2020-08-21
KR102229688B1 (ko) 2021-03-18
JP2022520274A (ja) 2022-03-29
US20220148855A1 (en) 2022-05-12
WO2020166823A1 (ko) 2020-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5527954B2 (ja) Pecvdシステムにおけるソースガス流路の制御によるチャンバ内部での副生成物の膜堆積制御
US20070266946A1 (en) Semiconductor device manufacturing apparatus and method of using the same
JPH08227876A (ja) プラズマエッチングリアクタ内の真空シール用保護カラー
KR100961678B1 (ko) 개폐 밸브 및 그 개폐 밸브를 구비한 처리 장치
KR20170037294A (ko) 웨이퍼 처리장치의 배기장치
TW201020429A (en) Balanced purge slit valve
JP7278650B2 (ja) バルブモジュール及びこれを含む基板処理装置
JP2019033236A (ja) 原子層成長装置並びに原子層成長装置を使用した成膜方法および原子層成長装置のクリーニング方法
KR100782889B1 (ko) 진공처리장치용 실드링 및 그를 가지는 진공처리장치
CN113748497B (en) Valve module and substrate processing apparatus including the same
KR102267834B1 (ko) 냉각블록 및 격리밸브를 포함하는 멀티스테이션 플라즈마 반응기
KR101573526B1 (ko) 유기금속 화학기상 증착장치의 퍼니스
KR101526861B1 (ko) 가스공급부 및 이를 구비한 박막증착장치
KR102612086B1 (ko) 파티클 프리 원격플라즈마소스 차단밸브
US20030047133A1 (en) Apparatus and method for photo-induced process
JP2012017497A (ja) プラズマプロセス装置
KR100975935B1 (ko) 박막형성장치 및 그 방법
KR102386544B1 (ko) 밸브 조립체 및 기판 처리 장치
CN111801778B (zh) 维护装置
KR20150004542A (ko) 박막증착장치
KR102033735B1 (ko) 기판 냉각장치 및 이를 포함하는 화학기상 증착장치
KR102386545B1 (ko) 밸브 조립체 및 기판 처리 장치
KR101488760B1 (ko) 전극어셈블리 및 이를 구비한 박막증착장치
KR20070099832A (ko) 플라즈마 처리장치
KR200458798Y1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211006

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221115

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20221117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230206

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230418

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230428

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7278650

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150