JP7268350B2 - 充填システムおよび充填方法 - Google Patents
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Description
本発明は、殺菌済みの容器に内容液を充填する充填システムおよび充填方法に関し、特に、容器成形から内容液の充填・密封までを一貫して行うインラインブロー式の充填システムおよび充填方法に関する。
従来、同一工場内において、ブロー成形による容器成形から、内容液の充填・密封までを一貫して行うインラインブロー式の充填システムが知られており（例えば、特許文献１を参照）、このような充填システムでは、無菌環境に維持された充填ユニットに容器を搬送する前に、容器を充分に殺菌する必要がある。
容器の殺菌方法としては、様々なものが知られており、例えば、過酸化水素等の殺菌剤を容器内に塗布して容器を殺菌することが知られているが、容器内に過酸化水素等の殺菌剤を用いた場合、容器内に残留した殺菌剤が内容液の風味等を落とす懸念があるため、容器に充填する内容液の種類によっては、過酸化水素等の殺菌剤を用いることを避けたい場合もある。
そのため、上述した容器内における殺菌剤の残留を回避する殺菌方法として、容器内に過酸化水素等の殺菌剤を用いることなく、容器成形ユニットのブロー成形ターレットと充填ユニットの充填部との間に設けられた容器搬送路において、約８５℃程度の温水を容器の内面に噴出することで、容器内のカビや酵母菌を殺菌することも知られている。
ところが、上述したような温水を用いた殺菌方法では、容器内のカビや酵母菌を殺菌することはできるものの、芽胞菌については、温水による洗浄効果は期待できるものの、殺菌することができないため、温水を用いて殺菌された容器は、成分に含まれるカテキンによって芽胞菌を静菌できる緑茶や、芽胞菌の繁殖が無い水にしか使用することができないという問題があった。
また、上述したような温水を用いた殺菌方法では、高温に耐えうる耐熱性を容器に付与する必要があるため、容器の肉厚を厚くしなければならず、また、追加設備が必要になり、材料コストや製造コストが増加するという問題や、熱による容器へのダメージを軽減するために、温水を用いた殺菌処理を施した後に容器に冷却する工程を設けなければならないため、生産コストが増加する等の問題があった。
そこで、本発明は、これらの問題点を解決するものであり、簡素な構成で、容器に充填し得る内容液の種類を増加させるとともに、材料コストや製造コストや生産コストの低減を実現する充填システムおよび充填方法を提供することを目的とするものである。
本発明の充填システムは、殺菌済みの容器に内容液を充填する充填システムであって、ブロー成形ターレットを有した容器成形ユニットと、前記容器成形ユニットの下流側に配置され容器に内容液を充填する充填部を有した充填ユニットと、前記ブロー成形ターレットおよび前記充填部の間の容器搬送路に設置された容器搬送機と、殺菌処理機構とを備え、前記殺菌処理機構は、前記ブロー成形ターレットよりも上流側においてプリフォームにキセノンランプの光照射による殺菌処理を施すキセノンランプ殺菌処理器を備えるとともに、前記プリフォームを加熱する加熱部と前記ブロー成形ターレットとの間に設けられた転送部に配置され、前記キセノンランプ殺菌処理器は、前記キセノンランプを前記プリフォームの内側に挿入して、プリフォームに殺菌処理を施すように構成され、前記容器搬送機は、前記容器搬送路において容器に温水による殺菌処理を施すことなく、容器を搬送するように構成されていることにより、前記課題を解決するものである。
本発明の充填方法は、殺菌済みの容器に内容液を充填する充填方法であって、ブロー成形ターレットよりも上流側であって、プリフォームを加熱する加熱部とブロー成形ターレットとの間に設けられた転送部においてプリフォームにキセノンランプの光照射による殺菌処理を施し、前記キセノンランプの光照射による殺菌処理は、前記キセノンランプを前記プリフォームの内側に挿入して施し、前記ブロー成形ターレットおよび充填部の間に設置された容器搬送路において、容器に温水による殺菌処理を施すことなく、容器を搬送することにより、前記課題を解決するものである。
本発明の充填方法は、殺菌済みの容器に内容液を充填する充填方法であって、ブロー成形ターレットよりも上流側であって、プリフォームを加熱する加熱部とブロー成形ターレットとの間に設けられた転送部においてプリフォームにキセノンランプの光照射による殺菌処理を施し、前記キセノンランプの光照射による殺菌処理は、前記キセノンランプを前記プリフォームの内側に挿入して施し、前記ブロー成形ターレットおよび充填部の間に設置された容器搬送路において、容器に温水による殺菌処理を施すことなく、容器を搬送することにより、前記課題を解決するものである。
本請求項１、７に係る発明によれば、光照射によって殺菌を行うキセノンランプを設置することによって、芽胞菌を殺菌することが可能であるため、充填システムの使用範囲を緑茶や水以外の内容液にも広げることができるばかりでなく、キセノンランプの光照射によって、カビや酵母菌についても殺菌することが可能であるため、容器搬送路において温水による殺菌処理を施す必要が無く、これにより、容器の薄肉化を実現して、材料コストや製造コストを低減できるとともに、温水殺菌処理後の冷却工程が不要になり、生産コストを低減することができ、また、容器搬送路に温水による殺菌処理を施す温水殺菌器を設置する必要がないため、装置構成を簡素化することができるとともに、容器搬送路における容器の搬送を迅速に行うことができる。
また、キセノンランプをプリフォームの内側に挿入して施されることにより、キセノンランプの光を外部に漏らすことなく、殺菌照射面（プリフォーム内面）とランプ間距離を極めて短くすることができるため、キセノンランプから発される光の大部分を殺菌処理に利用することが可能であるため、キセノンランプの出力を抑えることができる等、効率的な殺菌処理を実現することができる。
また、殺菌処理機構での殺菌後のプリフォームが加熱部や転送部においてブロー加工前に汚濁されることを防止できる。
また、キセノンランプをプリフォームの内側に挿入して施されることにより、キセノンランプの光を外部に漏らすことなく、殺菌照射面（プリフォーム内面）とランプ間距離を極めて短くすることができるため、キセノンランプから発される光の大部分を殺菌処理に利用することが可能であるため、キセノンランプの出力を抑えることができる等、効率的な殺菌処理を実現することができる。
また、殺菌処理機構での殺菌後のプリフォームが加熱部や転送部においてブロー加工前に汚濁されることを防止できる。
本請求項２に係る発明によれば、殺菌処理機構でプリフォームが汚濁されることをさらに防止でき、より効率的な殺菌処理を実現することができる。
本請求項４に係る発明によれば、殺菌処理機構が、キセノンランプのプリフォームへの挿入時にキセノンランプ及びプリフォームの少なくとも何れか一方を回転させる回転手段を有することにより、プリフォームの内面に対するキセノンランプの光照射の均一性を確保することができる。
本請求項５に係る発明によれば、殺菌処理機構が、ブロー成形ターレットよりも上流側においてプリフォームの外面に殺菌流体を噴出する殺菌流体噴出器を備えていることにより、ブロー成形後の容器の外面に対して殺菌処理を施す必要を無くすことができる、または、容器の外面に対する殺菌レベルの要求を下げることができる。
本請求項６に係る発明によれば、キセノンランプ殺菌処理器が、その一部がプリフォームの内側に挿入されるキセノンランプと、キセノンランプから照射された光を反射させてプリフォームの首部の外面に誘導する反射部材とを有することにより、簡素な構成で、プリフォームの内面および首部の外面に対してキセノンランプの光照射による殺菌処理を良好に施すことができる。
本請求項８～１１に係る発明によれば、キセノンランプの光照射によってプリフォームの内面をさらに良好に殺菌することができる。
本請求項４に係る発明によれば、殺菌処理機構が、キセノンランプのプリフォームへの挿入時にキセノンランプ及びプリフォームの少なくとも何れか一方を回転させる回転手段を有することにより、プリフォームの内面に対するキセノンランプの光照射の均一性を確保することができる。
本請求項５に係る発明によれば、殺菌処理機構が、ブロー成形ターレットよりも上流側においてプリフォームの外面に殺菌流体を噴出する殺菌流体噴出器を備えていることにより、ブロー成形後の容器の外面に対して殺菌処理を施す必要を無くすことができる、または、容器の外面に対する殺菌レベルの要求を下げることができる。
本請求項６に係る発明によれば、キセノンランプ殺菌処理器が、その一部がプリフォームの内側に挿入されるキセノンランプと、キセノンランプから照射された光を反射させてプリフォームの首部の外面に誘導する反射部材とを有することにより、簡素な構成で、プリフォームの内面および首部の外面に対してキセノンランプの光照射による殺菌処理を良好に施すことができる。
本請求項８～１１に係る発明によれば、キセノンランプの光照射によってプリフォームの内面をさらに良好に殺菌することができる。
以下に、本発明の一実施形態に係る充填システム１０について、図面に基づいて説明する。
まず、充填システム１０は、殺菌済みの容器に殺菌された内容液を無菌充填するものである。充填システム１０は、ミネラルウォーター等の水や緑茶やニアウォーター（フレーバー付きの水）等の充填用のＮＳ（ＮＯＮ ＳＴＥＲＩＬＡＮＴ）モードと、ミルク入り低酸性飲料等の低酸性飲料や麦茶等の充填用の低酸性モードの２つのモードを選択可能に構成されている。
充填システム１０は、図１に示すように、ブロー成形ターレット２３を有した容器成形ユニット２０と、容器成形ユニット２０の下流側に配置された充填ユニット３０と、ブロー成形ターレット２３および充填ユニット３０の充填部３３の間に設置された容器搬送路６０と、容器成形ユニット２０と充填ユニット３０との間に設置された容器転送ユニット４０と、容器またはプリフォームＰＦに殺菌処理を施す殺菌処理機構５０とを備えている。
以下に、充填システム１０の各構成要素について、図１～図３に基づいて説明する。
まず、容器成形ユニット２０は、図１に示すように、プリフォームＰＦを投入する入口部２１と、入口部２１の下流側に配置されプリフォームＰＦを加熱する加熱部２２と、加熱部２２の下流側に配置され、プリフォームＰＦ内に無菌エアーを吹き込むことで容器をブロー成形するブロー機（図示しない）が設置されたブロー成形ターレット２３と、ブロー成形ターレット２３の下流側に配置され容器を搬送する複数のターレットから成る搬送部２４と、搬送部２４の下流側に配置された出口部２５と、容器成形ユニット２０全体を覆うボックス２６と、加熱部２２およびブロー成形ターレット２３の間に配置され、加熱部２２から排出されたプリフォームＰＦをブロー成形ターレット２３に転送する１つまたは複数のターレットから成る転送部２７とを備えている。
なお、容器成形ユニット２０のボックス２６内は、ＨＥＰＡフィルタを通した無菌エアーをＦＦＵ（Ｆａｎ Ｆｉｌｔｅｒ Ｕｎｉｔ）により上部から吹き込むことにより、陽圧に保たれている。
また、搬送部２４において、ブロー成形後の容器を、当該容器の内部の無菌保持を目的に、容器口部側から容器底部側に向かってエアーを吹き出した中を、通過させるように搬送してもよい。
なお、容器成形ユニット２０のボックス２６内は、ＨＥＰＡフィルタを通した無菌エアーをＦＦＵ（Ｆａｎ Ｆｉｌｔｅｒ Ｕｎｉｔ）により上部から吹き込むことにより、陽圧に保たれている。
また、搬送部２４において、ブロー成形後の容器を、当該容器の内部の無菌保持を目的に、容器口部側から容器底部側に向かってエアーを吹き出した中を、通過させるように搬送してもよい。
また、充填ユニット３０は、図１に示すように、容器を投入する入口部３１と、入口部３１の下流側に配置され容器を搬送する複数のターレットから成る搬送部３２と、搬送部３２の下流側に配置され容器内に内容液を充填する充填部３３と、充填部３３の下流側に配置され容器の口部に殺菌済みのキャップを装着するキャッピング部３４と、キャッピング部３４の下流側に配置されキャップを装着した容器を搬出する出口部３５と、充填ユニット３０全体を覆うボックス３６とを備えている。
充填ユニット３０における各工程は、その内部を無菌状態に維持されたボックス３６内で行われる。このボックス３６では、充填部３３付近において外部から無菌エアーを導入し、入口部３１付近および出口部３５付近において無菌エアーを回収（排気）することにより、ボックス３６内が陽圧に保たれる。
容器転送ユニット４０は、無菌状態を保持した状態で容器を搬送するものであり、図１に示すように、複数（本実施形態では２つ）のターレット４１と、容器成形ユニット２０の出口部２５に接続された入口部４２と、充填ユニット３０の入口部３１に接続された出口部４３と、容器転送ユニット４０全体を覆うボックス４４とを備えている。
各ターレット４１には、容器の首部を把持する複数のグリッパー（図示しない）が備え付けられている。
なお、容器転送ユニット４０のボックス４４内は、陽圧に保たれるが、容器転送ユニット４０のボックス４４内の圧力は、充填ユニット３０のボックス３６内の気圧や容器成形ユニット２０のボックス２６の気圧よりも低く維持されている。
なお、容器転送ユニット４０のボックス４４内は、陽圧に保たれるが、容器転送ユニット４０のボックス４４内の圧力は、充填ユニット３０のボックス３６内の気圧や容器成形ユニット２０のボックス２６の気圧よりも低く維持されている。
殺菌処理機構５０は、図１や図２に示すように、除塵器５１と、キセノンランプ殺菌処理器５２と、第１殺菌流体噴出器５３と、第２殺菌流体噴出器５４と、第３殺菌流体噴出器５５と、容器洗浄器５７とを備えている。
ＮＳモード選択時には、図２に示すように、除塵器５１とキセノンランプ殺菌処理器５２と第２殺菌流体噴出器５４とが、稼働するように構成されている。
また、低酸性モード選択時には、図２に示すように、除塵器５１とキセノンランプ殺菌処理器５２と第１殺菌流体噴出器５３と第２殺菌流体噴出器５４と第３殺菌流体噴出器５５と容器洗浄器５７とが、稼働するように構成されている。
また、低酸性モード選択時には、図２に示すように、除塵器５１とキセノンランプ殺菌処理器５２と第１殺菌流体噴出器５３と第２殺菌流体噴出器５４と第３殺菌流体噴出器５５と容器洗浄器５７とが、稼働するように構成されている。
除塵器５１は、ブロー成形ターレット２３よりも上流側（更に具体的には、加熱部２２よりも上流側）に設置され、プリフォームＰＦの少なくとも内面に付着した塵埃を除去するものである。
除塵器５１の具体的態様としては、プリフォームＰＦの少なくとも内面にエアー等の気体を噴出することで除塵するものや、プリフォームＰＦの少なくとも内面に温水（または常温水）を噴出することで除塵するものが挙げられる。
このような除塵処理をキセノンランプ殺菌処理器５２による処理の前に行うことにより、塵埃の裏側等に隠れた芽胞菌・カビ・酵母菌等にキセノンランプ５２ａの光が当たらないといった事態を回避することもできる。
除塵器５１の具体的態様としては、プリフォームＰＦの少なくとも内面にエアー等の気体を噴出することで除塵するものや、プリフォームＰＦの少なくとも内面に温水（または常温水）を噴出することで除塵するものが挙げられる。
このような除塵処理をキセノンランプ殺菌処理器５２による処理の前に行うことにより、塵埃の裏側等に隠れた芽胞菌・カビ・酵母菌等にキセノンランプ５２ａの光が当たらないといった事態を回避することもできる。
キセノンランプ殺菌処理器５２は、ブロー成形ターレット２３よりも上流側（更に具体的には、加熱部２２よりも上流側）において、除塵器５１の下流側に設置され、プリフォームＰＦにキセノンランプ５２ａの光照射による殺菌処理を施すものである。
本実施形態では、キセノンランプ殺菌処理器５２は、図３に示すように、プリフォームＰＦの内側にキセノンランプ５２ａを挿入して、プリフォームＰＦの内面に殺菌処理を施すように構成されている。
すなわち、本実施形態では、殺菌処理機構５０が、プリフォームＰＦの軸方向に沿ってキセノンランプ５２ａ及びプリフォームＰＦの少なくとも何れか一方を移動させる移動手段を有し、これにより、キセノンランプ殺菌処理器５２による殺菌処理時に、プリフォームＰＦの内側にキセノンランプ５２ａを挿入するように構成されている。
なお、キセノンランプ殺菌処理器５２の具体的態様は、上記のプリフォーム挿入型に限定されず、プリフォームＰＦの外側に１つまたは複数のキセノンランプ５２ａを配置して、プリフォームＰＦの内面（または、内面および外面）に殺菌処理を施すように構成されていてもよく、また、キセノンランプ５２ａをプリフォームＰＦ内に挿入するとともに、プリフォームＰＦの外側にキセノンランプ５２ａを配置して、プリフォームＰＦの内面および外面に殺菌処理を施すように構成されていてもよい（言い替えると、プリフォームの内面を殺菌するキセノンランプ殺菌処理器５２－１と、プリフォームの外面を殺菌するキセノンランプ殺菌処理器５２－２とを設けてもよい）。
また、キセノンランプ殺菌処理器５２の変形例として、図８に示すように、キセノンランプ５２ａによって照射される光を反射させる反射部材５２ｂを設けてもよい。図８の例を具体的に説明すると、キセノンランプ殺菌処理器５２は、プリフォームＰＦの内側にその一部が挿入されるキセノンランプ５２ａと、当該キセノンランプ５２ａから照射された光を反射させてプリフォームＰＦの首部ＰＦＮの外面に誘導する反射部材５２ｂとを有している。
反射部材５２ｂは、キセノンランプ５２ａから照射された光を反射させる凹状かつ湾曲面状の反射面をその内面に有しており、主に、キセノンランプ５２ａのうちプリフォームＰＦの外側に位置する部分から照射された光を首部ＰＦＮの外面に誘導するように形成されている。
なお、図８に示す例では、反射部材５２ｂが、キセノンランプ５２ａを挿入させる挿入孔を有し、キセノンランプ５２ａが、反射部材５２ｂの挿入孔に挿入された状態で反射部材５２ｂに固定されているが、キセノンランプ５２ａと反射部材５２ｂとを固定しなくてもよい。
本実施形態では、キセノンランプ殺菌処理器５２は、図３に示すように、プリフォームＰＦの内側にキセノンランプ５２ａを挿入して、プリフォームＰＦの内面に殺菌処理を施すように構成されている。
すなわち、本実施形態では、殺菌処理機構５０が、プリフォームＰＦの軸方向に沿ってキセノンランプ５２ａ及びプリフォームＰＦの少なくとも何れか一方を移動させる移動手段を有し、これにより、キセノンランプ殺菌処理器５２による殺菌処理時に、プリフォームＰＦの内側にキセノンランプ５２ａを挿入するように構成されている。
なお、キセノンランプ殺菌処理器５２の具体的態様は、上記のプリフォーム挿入型に限定されず、プリフォームＰＦの外側に１つまたは複数のキセノンランプ５２ａを配置して、プリフォームＰＦの内面（または、内面および外面）に殺菌処理を施すように構成されていてもよく、また、キセノンランプ５２ａをプリフォームＰＦ内に挿入するとともに、プリフォームＰＦの外側にキセノンランプ５２ａを配置して、プリフォームＰＦの内面および外面に殺菌処理を施すように構成されていてもよい（言い替えると、プリフォームの内面を殺菌するキセノンランプ殺菌処理器５２－１と、プリフォームの外面を殺菌するキセノンランプ殺菌処理器５２－２とを設けてもよい）。
また、キセノンランプ殺菌処理器５２の変形例として、図８に示すように、キセノンランプ５２ａによって照射される光を反射させる反射部材５２ｂを設けてもよい。図８の例を具体的に説明すると、キセノンランプ殺菌処理器５２は、プリフォームＰＦの内側にその一部が挿入されるキセノンランプ５２ａと、当該キセノンランプ５２ａから照射された光を反射させてプリフォームＰＦの首部ＰＦＮの外面に誘導する反射部材５２ｂとを有している。
反射部材５２ｂは、キセノンランプ５２ａから照射された光を反射させる凹状かつ湾曲面状の反射面をその内面に有しており、主に、キセノンランプ５２ａのうちプリフォームＰＦの外側に位置する部分から照射された光を首部ＰＦＮの外面に誘導するように形成されている。
なお、図８に示す例では、反射部材５２ｂが、キセノンランプ５２ａを挿入させる挿入孔を有し、キセノンランプ５２ａが、反射部材５２ｂの挿入孔に挿入された状態で反射部材５２ｂに固定されているが、キセノンランプ５２ａと反射部材５２ｂとを固定しなくてもよい。
第１殺菌流体噴出器５３は、ブロー成形ターレット２３よりも上流側（更に具体的には、加熱部２２よりも上流側）において、キセノンランプ殺菌処理器５２の下流側に設置され、プリフォームＰＦの内面に過酸化水素等の殺菌剤を加熱して気化させガス化した殺菌流体を噴出して殺菌処理を施すものである。
第２殺菌流体噴出器５４は、ブロー成形ターレット２３よりも上流側（更に具体的には、加熱部２２よりも上流側）において、第１殺菌流体噴出器５３の下流側に設置され、プリフォームＰＦの外面に過酸化水素等の殺菌剤を加熱して気化させガス化した殺菌流体を噴出して殺菌処理を施すものである。
なお、第２殺菌流体噴出器５４の配置を入れ替えてもよく、すなわち、第２殺菌流体噴出器５４の下流側に第１殺菌流体噴出器５３を設置してもよい。
なお、第２殺菌流体噴出器５４の配置を入れ替えてもよく、すなわち、第２殺菌流体噴出器５４の下流側に第１殺菌流体噴出器５３を設置してもよい。
第３殺菌流体噴出器５５は、容器搬送路６０（すなわち、ブロー成形ターレット２３よりも下流側かつ充填部３３の上流側）に設置され、容器の内面に過酸化水素等の殺菌流体を噴出して殺菌処理を施すものである。
容器洗浄器５７は、容器搬送路６０（すなわち、ブロー成形ターレット２３よりも下流側かつ充填部３３の上流側）において、第３殺菌流体噴出器５５の下流側に設置されている。容器洗浄器５７は、容器の少なくとも内面（本実施形態では、内面および外面）に常温の無菌水又は無菌の加熱エアーを噴出して、容器の少なくとも内面（本実施形態では、内面および外面）に洗浄処理を施すものである。
容器搬送路６０には、図１に示すように、ブロー成形ターレット２３および充填ユニット３０の充填部３３の間に設置され、容器を搬送する容器搬送機が設置されている。本実施形態では、容器搬送機は、搬送部２４を構成するターレットと、ターレット４１と、搬送部３２を構成するターレットとから構成されている。
容器搬送機は、容器搬送路６０において容器に温水による殺菌処理（すなわち、容器の内面や外面に５０℃～９０℃等の高温の温水を噴出することによる温水殺菌処理）を施すことなく、容器を搬送するように構成され、言い換えると、容器搬送路６０には、容器に温水による殺菌処理を施す温水殺菌器が設置されていない。
容器搬送機は、容器搬送路６０において容器に温水による殺菌処理（すなわち、容器の内面や外面に５０℃～９０℃等の高温の温水を噴出することによる温水殺菌処理）を施すことなく、容器を搬送するように構成され、言い換えると、容器搬送路６０には、容器に温水による殺菌処理を施す温水殺菌器が設置されていない。
次に、ＮＳモード選択時における殺菌処理フローを図２に基づいて以下に説明する。
まず、容器成形ユニット２０の入口部２１から投入されたプリフォームＰＦには、除塵器５１によって、プリフォームＰＦの少なくとも内面に付着した塵埃を除去する処理が施される。
次に、プリフォームＰＦには、キセノンランプ殺菌処理器５２によって、キセノンランプ５２ａの光照射による殺菌処理が施される。この時、図３に示すように、キセノンランプ殺菌処理器５２は、プリフォームＰＦ内にキセノンランプ５２ａを挿入し、プリフォームＰＦの内面に殺菌処理が施される。
なお、キセノンランプ５２ａの光照射による殺菌処理は、キセノンランプ５２ａをプリフォームＰＦの内側に挿入した状態で、キセノンランプ５２ａを１回あるいは複数回パルス発光させることで行われるのが好ましい。
また、キセノンランプ５２ａの光照射による殺菌処理は、図３に示すように、プリフォームＰＦの開口部からプリフォームＰＦの軸方向Ａに１ｍｍ～２．５ｍｍの範囲Ｂにおいて、プリフォームＰＦの内周面とキセノンランプ５２ａの外周面との間の距離Ｃを１ｍｍ以上に設定した状態で、キセノンランプ５２ａを発光させることで行われるのが好ましい。
すなわち、プリフォームＰＦの開口径に応じて、プリフォームＰＦの内周面とキセノンランプ５２ａの外周面との間の距離が１ｍｍ以上となるように、キセノンランプ５２ａの外径を設定するのが好ましい。
これにより、プリフォームＰＦの内側に対してキセノンランプ５２ａを円滑に挿入することができる。
また、キセノンランプ５２ａの光照射による殺菌処理は、プリフォームＰＦの中心軸線Ａ上における、プリフォームＰＦの内底面とキセノンランプ５２ａの底面表面との間の距離Ｄを、プリフォームＰＦの全長すなわち開口からプリフォームＰＦの内面の最底面までの長さに応じて、１ｍｍ～１００ｍｍの範囲に設定した状態で、キセノンランプ５２ａを発光させることで行われるのが好ましい。
具体的には、２Ｌ用のプリフォームＰＦの場合、開口からの長さ１２７ｍｍであり、その場合、底からの長さが１００ｍｍ以下であれば良好な殺菌が得られ、５００ｍＬ用のプリフォームＰＦの場合、開口からの長さ９０ｍｍであり、その場合、底からの長さが５０ｍｍ以下であれば良好な殺菌が得られる。
なお、本実施形態では、プリフォームＰＦの中心軸線Ａとキセノンランプ５２ａの中心軸とが一致するように、プリフォームＰＦ内にキセノンランプ５２ａを挿入するが、プリフォームＰＦの中心軸線Ａとキセノンランプ５２ａの中心軸とが多少ずれていても何ら構わない。
また、キセノンランプ５２ａの光照射による殺菌処理は、プリフォームＰＦの内面（の全ての箇所）における積算照度が１０ｍＪ／ｃｍ２～１０００ｍＪ／ｃｍ２になるように、キセノンランプ５２ａを発光させることで行われるのが好ましい。
また、キセノンランプ５２ａの光照射による殺菌処理は、キセノンランプ５２ａをプリフォームＰＦの内側に挿入した状態で０．１秒～５秒発光させることで行われるのが好ましい。
また、キセノンランプ５２ａのプリフォームＰＦへの挿入時（挿入した時）に、プリフォームＰＦの中心軸線Ａを中心としてキセノンランプ５２ａ及びプリフォームＰＦの少なくとも何れか一方を回転させる回転手段を殺菌処理機構５０に設け、キセノンランプ５２ａのプリフォームＰＦへの挿入時に、キセノンランプ５２ａ及びプリフォームＰＦの少なくとも何れか一方を回転させるのが好ましい。これにより、プリフォームＰＦの内面に対するキセノンランプ５２ａの光照射の均一性を確保することができる。
なお、キセノンランプ５２ａの光照射による殺菌処理は、キセノンランプ５２ａをプリフォームＰＦの内側に挿入した状態で、キセノンランプ５２ａを１回あるいは複数回パルス発光させることで行われるのが好ましい。
また、キセノンランプ５２ａの光照射による殺菌処理は、図３に示すように、プリフォームＰＦの開口部からプリフォームＰＦの軸方向Ａに１ｍｍ～２．５ｍｍの範囲Ｂにおいて、プリフォームＰＦの内周面とキセノンランプ５２ａの外周面との間の距離Ｃを１ｍｍ以上に設定した状態で、キセノンランプ５２ａを発光させることで行われるのが好ましい。
すなわち、プリフォームＰＦの開口径に応じて、プリフォームＰＦの内周面とキセノンランプ５２ａの外周面との間の距離が１ｍｍ以上となるように、キセノンランプ５２ａの外径を設定するのが好ましい。
これにより、プリフォームＰＦの内側に対してキセノンランプ５２ａを円滑に挿入することができる。
また、キセノンランプ５２ａの光照射による殺菌処理は、プリフォームＰＦの中心軸線Ａ上における、プリフォームＰＦの内底面とキセノンランプ５２ａの底面表面との間の距離Ｄを、プリフォームＰＦの全長すなわち開口からプリフォームＰＦの内面の最底面までの長さに応じて、１ｍｍ～１００ｍｍの範囲に設定した状態で、キセノンランプ５２ａを発光させることで行われるのが好ましい。
具体的には、２Ｌ用のプリフォームＰＦの場合、開口からの長さ１２７ｍｍであり、その場合、底からの長さが１００ｍｍ以下であれば良好な殺菌が得られ、５００ｍＬ用のプリフォームＰＦの場合、開口からの長さ９０ｍｍであり、その場合、底からの長さが５０ｍｍ以下であれば良好な殺菌が得られる。
なお、本実施形態では、プリフォームＰＦの中心軸線Ａとキセノンランプ５２ａの中心軸とが一致するように、プリフォームＰＦ内にキセノンランプ５２ａを挿入するが、プリフォームＰＦの中心軸線Ａとキセノンランプ５２ａの中心軸とが多少ずれていても何ら構わない。
また、キセノンランプ５２ａの光照射による殺菌処理は、プリフォームＰＦの内面（の全ての箇所）における積算照度が１０ｍＪ／ｃｍ２～１０００ｍＪ／ｃｍ２になるように、キセノンランプ５２ａを発光させることで行われるのが好ましい。
また、キセノンランプ５２ａの光照射による殺菌処理は、キセノンランプ５２ａをプリフォームＰＦの内側に挿入した状態で０．１秒～５秒発光させることで行われるのが好ましい。
また、キセノンランプ５２ａのプリフォームＰＦへの挿入時（挿入した時）に、プリフォームＰＦの中心軸線Ａを中心としてキセノンランプ５２ａ及びプリフォームＰＦの少なくとも何れか一方を回転させる回転手段を殺菌処理機構５０に設け、キセノンランプ５２ａのプリフォームＰＦへの挿入時に、キセノンランプ５２ａ及びプリフォームＰＦの少なくとも何れか一方を回転させるのが好ましい。これにより、プリフォームＰＦの内面に対するキセノンランプ５２ａの光照射の均一性を確保することができる。
ここで、キセノンランプ殺菌処理器５２に対しては、その表面（特に内面）の付着菌数を一定値以下（芽胞菌：１０ＣＦＵ未満、カビ：１０ＣＦＵ未満、酵母菌：１０ＣＦＵ未満に抑えたプリフォームＰＦを導入することが望ましい。
また、キセノンランプ殺菌処理器５２の上流側においてプリフォームＰＦの表面の付着菌数を一定値（１０ＣＦＵ未満）以下に抑えるための手段としては、上述した除塵器５１による処理や、除塵器５１による処理に加えて（または代えて）プリフォームＰＦに対して施される蒸気（や過熱水蒸気）や常温水や温水等による洗浄やエアパージ等が挙げられる。また、これら手段を組み合わせてもよい。また、上記手段を施すタイミングや場所については、キセノンランプ殺菌処理器５２の上流側であれば如何なるものでもよく、例えば、容器成形ユニット２０の上流側（外側）であってもよい。
このように、キセノンランプ殺菌処理器５２に導入されるプリフォームＰＦの表面（特に内面）の付着菌数を一定値（１０ＣＦＵ未満）以下に抑えることにより、後工程での殺菌処理のレベルを低く設定することができ、また、成形される容器の最終的な付着菌数を低く抑えることができる。
また、キセノンランプ殺菌処理器５２の上流側においてプリフォームＰＦの表面の付着菌数を一定値（１０ＣＦＵ未満）以下に抑えるための手段としては、上述した除塵器５１による処理や、除塵器５１による処理に加えて（または代えて）プリフォームＰＦに対して施される蒸気（や過熱水蒸気）や常温水や温水等による洗浄やエアパージ等が挙げられる。また、これら手段を組み合わせてもよい。また、上記手段を施すタイミングや場所については、キセノンランプ殺菌処理器５２の上流側であれば如何なるものでもよく、例えば、容器成形ユニット２０の上流側（外側）であってもよい。
このように、キセノンランプ殺菌処理器５２に導入されるプリフォームＰＦの表面（特に内面）の付着菌数を一定値（１０ＣＦＵ未満）以下に抑えることにより、後工程での殺菌処理のレベルを低く設定することができ、また、成形される容器の最終的な付着菌数を低く抑えることができる。
次に、プリフォームＰＦには、第２殺菌流体噴出器５４によって、プリフォームＰＦの外面に過酸化水素等の殺菌流体が噴出されて殺菌処理が施される。
次に、プリフォームＰＦに対して加熱部２２による加熱処理およびブロー成形ターレット２３によるブロー成形処理が施された後の容器は、容器搬送路６０に設置された容器搬送機によって、温水による殺菌処理を施されることなく、充填ユニット３０の充填部３３に搬送される。
次に、低酸性モード選択時における殺菌処理フローを図２に基づいて以下に説明する。
まず、容器成形ユニット２０の入口部２１から投入されたプリフォームＰＦには、除塵器５１によって、プリフォームＰＦの少なくとも内面に付着した塵埃を除去する処理が施される。
次に、プリフォームＰＦには、キセノンランプ殺菌処理器５２によって、キセノンランプ５２ａの光照射による殺菌処理が施される。この時、図３に示すように、キセノンランプ殺菌処理器５２は、プリフォームＰＦ内にキセノンランプ５２ａを挿入し、プリフォームＰＦの内面に殺菌処理を施す。
なお、キセノンランプ５２ａの光照射に関する諸条件は、上述したＮＳモード時の条件と同様である。
なお、キセノンランプ５２ａの光照射に関する諸条件は、上述したＮＳモード時の条件と同様である。
次に、プリフォームＰＦには、第１殺菌流体噴出器５３によって、プリフォームＰＦの内面に過酸化水素等の殺菌流体が噴出されて殺菌処理が施される。
次に、プリフォームＰＦには、第２殺菌流体噴出器５４によって、プリフォームＰＦの外面に過酸化水素等の殺菌流体が噴出されて殺菌処理が施される。
次に、プリフォームＰＦに対して加熱部２２による加熱処理およびブロー成形ターレット２３によるブロー成形処理が施された後の容器には、第３殺菌流体噴出器５５によって、容器の内面に過酸化水素等の殺菌流体が噴出されて殺菌処理が施される。
次に、プリフォームＰＦには、容器洗浄器５７によって、容器の少なくとも内面に常温の無菌水が噴出されて洗浄処理が施される。
次に、容器洗浄器５７によって洗浄処理が施された容器は、充填ユニット３０の充填部３３に搬送される。
なお、本実施形態では、低酸性モード選択時において、容器（またはプリフォームＰＦ）の内面に関するキセノンランプ殺菌処理器５２および第１殺菌流体噴出器５３による殺菌効果（殺菌能力）は、容器（またはプリフォームＰＦ）の内面に関する第３殺菌流体噴出器５５による殺菌効果（殺菌能力）よりも高く設定されている。
［実験例Ａ］
次に、殺菌処理機構５０による殺菌効果を確認するために行った実験例Ａについて、図４に基づいて説明する。
次に、殺菌処理機構５０による殺菌効果を確認するために行った実験例Ａについて、図４に基づいて説明する。
まず、実験例Ａでは、プリフォームＰＦに対して、除塵器５１、キセノンランプ殺菌処理器５２、加熱部２２、第２殺菌流体噴出器５４による各種処理を施した時の殺菌効果を確認した。
具体的な実験条件については、以下の通りである。
殺菌対象のプリフォーム（容器）：容量５００ｍｌのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）ボトル用のプリフォーム、プリフォーム口部内面の内径：約２０ｍｍ、プリフォーム天面から内底面の距離：約９０ｍｍ。
除塵器５１：加熱部２２の上流側において、各プリフォームＰＦの内面に対して、コンプレッサ－エア流量：５０ＮＬ／ｍｉｎで１秒、圧力：０．１５ＭＰａの条件で、除塵エアーを吹き付けた。除塵器５１による処理有り、無しの両方のパターンで実験を行った。
キセノンランプ殺菌処理器５２：加熱部２２の上流側かつ除塵器５１の下流側において、キセノンランプ５２ａの先端を、プリフォームＰＦの内径が一定範囲のうちの最奥部（プリフォームＰＦの内底面とキセノンランプ５２ａの底面表面との間の距離は１０ｍｍに設定、プリフォームＰＦの内周面とキセノンランプ５２ａの外周面との間の距離は５ｍｍに設定）まで挿入し、そこで発光させて、プリフォームＰＦの内周面とキセノンランプ５２ａの外周面との間の距離は５ｍｍでプリフォームＰＦの内周面の積算照度を４０００ｍＪ／ｃｍ２とし、プリフォームＰＦの内底面とキセノンランプ５２ａの底面表面との間の距離は１０ｍｍでプリフォームＰＦの内底面の積算照度１０００ｍＪ／ｃｍ２を基準にプリフォームＰＦの内底面の各積算照度を所定の設定値になるように照射した。照度計は紫外線強度計：ＵＭ－１０（コニカミノルタ社製）にセンサーＵＭ－２５０を用いた。
加熱部２２：プリフォームＰＦの口部内面をスピンドルによって把持した状態で、加熱部２２内でプリフォームＰＦを搬送し、プリフォームＰＦの表面温度が１００～１３０℃になるまでプリフォームＰＦを加熱した。
第２殺菌流体噴出器５４：３５％過酸化水素を１３０℃加熱板に５００ｍｌ／ｈ滴下し、ホットエアー１００Ｎｌ／ｍｉｎと混合させた過酸化水素ガスをプリフォームＰＦの外面に向けて１１０～１５０℃で噴射させた。具体的には、プリフォームＰＦの口部内面をスピンドルによって把持し、中心軸Ａを中心としてプリフォームＰＦを１回転させながら、過酸化水素ガスをプリフォームＰＦの外面に吹き付けた。プリフォームＰＦの外面への過酸化水素ガスの吹き付けは、キセノンランプ殺菌処理器５２の下流側であって、加熱部２２の上流側において行った。
除塵器５１：加熱部２２の上流側において、各プリフォームＰＦの内面に対して、コンプレッサ－エア流量：５０ＮＬ／ｍｉｎで１秒、圧力：０．１５ＭＰａの条件で、除塵エアーを吹き付けた。除塵器５１による処理有り、無しの両方のパターンで実験を行った。
キセノンランプ殺菌処理器５２：加熱部２２の上流側かつ除塵器５１の下流側において、キセノンランプ５２ａの先端を、プリフォームＰＦの内径が一定範囲のうちの最奥部（プリフォームＰＦの内底面とキセノンランプ５２ａの底面表面との間の距離は１０ｍｍに設定、プリフォームＰＦの内周面とキセノンランプ５２ａの外周面との間の距離は５ｍｍに設定）まで挿入し、そこで発光させて、プリフォームＰＦの内周面とキセノンランプ５２ａの外周面との間の距離は５ｍｍでプリフォームＰＦの内周面の積算照度を４０００ｍＪ／ｃｍ２とし、プリフォームＰＦの内底面とキセノンランプ５２ａの底面表面との間の距離は１０ｍｍでプリフォームＰＦの内底面の積算照度１０００ｍＪ／ｃｍ２を基準にプリフォームＰＦの内底面の各積算照度を所定の設定値になるように照射した。照度計は紫外線強度計：ＵＭ－１０（コニカミノルタ社製）にセンサーＵＭ－２５０を用いた。
加熱部２２：プリフォームＰＦの口部内面をスピンドルによって把持した状態で、加熱部２２内でプリフォームＰＦを搬送し、プリフォームＰＦの表面温度が１００～１３０℃になるまでプリフォームＰＦを加熱した。
第２殺菌流体噴出器５４：３５％過酸化水素を１３０℃加熱板に５００ｍｌ／ｈ滴下し、ホットエアー１００Ｎｌ／ｍｉｎと混合させた過酸化水素ガスをプリフォームＰＦの外面に向けて１１０～１５０℃で噴射させた。具体的には、プリフォームＰＦの口部内面をスピンドルによって把持し、中心軸Ａを中心としてプリフォームＰＦを１回転させながら、過酸化水素ガスをプリフォームＰＦの外面に吹き付けた。プリフォームＰＦの外面への過酸化水素ガスの吹き付けは、キセノンランプ殺菌処理器５２の下流側であって、加熱部２２の上流側において行った。
また、殺菌価の計測方法（殺菌サンプル作製→殺菌処理→サンプル生残菌数測定→殺菌効果計測）については、以下の通りである。
供試菌：芽胞菌 Ｂａｃｉｌｌｕｓ ａｔｒｏｐｈａｅｕｓ ＡＴＣＣ９３７２ 芽胞
カビ Ａｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓ ｎｉｇｅｒ ＡＴＣＣ６２７５ 分生子
酵母 Ｓａｃｃｈａｒｏｍｙｃｅｓ ｃｅｒｅｖｉｓｉａｅ ＮＢＲＣ０２１７ 胞子
方法：供試菌懸濁液は菌懸濁液０．１ｍｌあたり樹脂粉末１ｍｇを混合したものを用いた。プリフォームＰＦの内面に供試菌懸濁液を０．１ｍｌ噴霧して、１０６ｃｆｕ（コロニー形成単位）／プリフォームとなるように懸濁液を付着させた後、一昼夜クリーンルーム内で乾燥させ、供試プリフォームとして用いた。プリフォームＰＦは上記所定の条件で各機器５１、５２、２２、５４を通過させた後、ブロー成形ターレット２３によってブロー成形を行い、殺菌処理済みボトルをサンプリングし、直ちに無菌キャップを密封した。密封したサンプルボトルはクリーンベンチ内でボトル内面に滅菌済み処理水を入れ、生残菌を回収し、メンブランフィルターによる菌計測を芽胞菌は標準寒天培地を用いて、カビ・酵母はポテトデキストロース寒天培地を用いて、３０℃で１週間培養することにより計測した。初期菌数は殺菌前のプリフォームＰＦから同様な方法により菌数を計測した。計測した値（ｎ＝３）から殺菌価＝Ｌｏｇ（初期菌数／生残菌数）にて殺菌条件毎に殺菌効果を求めた。判定基準は×：全ての殺菌価が０、△：いずれかの殺菌価が１以上、○：全ての殺菌価が２以上、△以上を有効とする。なお、本内面の菌計測を実施する前提として、ボトル口部を含む外面に対して、拭き取り検査にて菌の付着有無を確認したところ、ボトル外面から菌の検出（ｎ＝１００）はなかった。
供試菌：芽胞菌 Ｂａｃｉｌｌｕｓ ａｔｒｏｐｈａｅｕｓ ＡＴＣＣ９３７２ 芽胞
カビ Ａｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓ ｎｉｇｅｒ ＡＴＣＣ６２７５ 分生子
酵母 Ｓａｃｃｈａｒｏｍｙｃｅｓ ｃｅｒｅｖｉｓｉａｅ ＮＢＲＣ０２１７ 胞子
方法：供試菌懸濁液は菌懸濁液０．１ｍｌあたり樹脂粉末１ｍｇを混合したものを用いた。プリフォームＰＦの内面に供試菌懸濁液を０．１ｍｌ噴霧して、１０６ｃｆｕ（コロニー形成単位）／プリフォームとなるように懸濁液を付着させた後、一昼夜クリーンルーム内で乾燥させ、供試プリフォームとして用いた。プリフォームＰＦは上記所定の条件で各機器５１、５２、２２、５４を通過させた後、ブロー成形ターレット２３によってブロー成形を行い、殺菌処理済みボトルをサンプリングし、直ちに無菌キャップを密封した。密封したサンプルボトルはクリーンベンチ内でボトル内面に滅菌済み処理水を入れ、生残菌を回収し、メンブランフィルターによる菌計測を芽胞菌は標準寒天培地を用いて、カビ・酵母はポテトデキストロース寒天培地を用いて、３０℃で１週間培養することにより計測した。初期菌数は殺菌前のプリフォームＰＦから同様な方法により菌数を計測した。計測した値（ｎ＝３）から殺菌価＝Ｌｏｇ（初期菌数／生残菌数）にて殺菌条件毎に殺菌効果を求めた。判定基準は×：全ての殺菌価が０、△：いずれかの殺菌価が１以上、○：全ての殺菌価が２以上、△以上を有効とする。なお、本内面の菌計測を実施する前提として、ボトル口部を含む外面に対して、拭き取り検査にて菌の付着有無を確認したところ、ボトル外面から菌の検出（ｎ＝１００）はなかった。
実験例Ａによる実験結果を図４に示す。
図４に示す実験結果から、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理の前に、除塵器５１による除塵処理をプリフォームＰＦに施すことにより、プリフォームＰＦ（容器）の内面において、芽胞菌、カビ、酵母菌のいずれにおいても殺菌効果が向上することが分かった。
図４に示す実験結果から、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理の前に、除塵器５１による除塵処理をプリフォームＰＦに施すことにより、プリフォームＰＦ（容器）の内面において、芽胞菌、カビ、酵母菌のいずれにおいても殺菌効果が向上することが分かった。
［実験例Ｂ］
次に、殺菌処理機構５０による殺菌効果を確認するために行った実験例Ｂについて、図５に基づいて説明する。
次に、殺菌処理機構５０による殺菌効果を確認するために行った実験例Ｂについて、図５に基づいて説明する。
まず、実験例Ｂでは、プリフォームＰＦに対して、キセノンランプ殺菌処理器５２、第２殺菌流体噴出器５４、加熱部２２による各種処理を施した時の殺菌効果を確認した。なお、実験例Ｂでは、除塵器５１による除塵処理は施していない。
具体的な実験条件については、以下の通りである。
殺菌対象のプリフォーム（容器）：容量２０００ｍｌのＰＥＴボトル用のプリフォーム、プリフォーム口部内面の内径：約２０ｍｍ、プリフォーム天面から内底面の距離：約１３０ｍｍ。
キセノンランプ殺菌処理器５２：加熱部２２の上流側かつ除塵器５１の下流側において、キセノンランプ５２ａの先端をプリフォームＰＦに挿入し、そこで発光させて、各積算照度を所定の設定値になるように照射した。照度計は紫外線強度計：ＵＭ－１０（コニカミノルタ社製）にセンサーＵＭ－２５０を用いた。プリフォームＰＦの内周面とキセノンランプ５２ａの外周面との間の距離Ｃは１ｍｍ、５ｍｍであり、プリフォームＰＦの内底面とキセノンランプ５２ａの底面表面との間の距離Ｄは１０ｍｍ、５０ｍｍ、１００ｍｍである。なお、プリフォームＰＦの内面（内周面および内定面を含む内面）の積算照度は、距離Ｃが５ｍｍの場合に４,０００ｍＪ／ｃｍ２、距離Ｄが１００ｍｍの場合に１０ｍＪ／ｃｍ２である。
第２殺菌流体噴出器５４：３５％過酸化水素を１３０℃加熱板に５００ｍｌ／ｈ滴下し、ホットエアー１００Ｎｌ／ｍｉｎと混合させた過酸化水素ガスをプリフォームＰＦの外面に向けて１３０～１７０℃で噴射させた。具体的には、プリフォームＰＦの口部内面をスピンドルによって把持し、中心軸Ａを中心としてプリフォームＰＦを１回転させながら、過酸化水素ガスをプリフォームＰＦの外面に吹き付けた。プリフォームＰＦの外面への過酸化水素ガスの吹き付けは、キセノンランプ殺菌処理器５２の下流側かつ加熱部２２の上流側において行った。
加熱部２２：プリフォームＰＦの口部内面をスピンドルによって把持した状態で、加熱部２２内でプリフォームＰＦを搬送し、プリフォームＰＦの表面温度が１００～１３０℃になるまでプリフォームＰＦを加熱した。
キセノンランプ殺菌処理器５２：加熱部２２の上流側かつ除塵器５１の下流側において、キセノンランプ５２ａの先端をプリフォームＰＦに挿入し、そこで発光させて、各積算照度を所定の設定値になるように照射した。照度計は紫外線強度計：ＵＭ－１０（コニカミノルタ社製）にセンサーＵＭ－２５０を用いた。プリフォームＰＦの内周面とキセノンランプ５２ａの外周面との間の距離Ｃは１ｍｍ、５ｍｍであり、プリフォームＰＦの内底面とキセノンランプ５２ａの底面表面との間の距離Ｄは１０ｍｍ、５０ｍｍ、１００ｍｍである。なお、プリフォームＰＦの内面（内周面および内定面を含む内面）の積算照度は、距離Ｃが５ｍｍの場合に４,０００ｍＪ／ｃｍ２、距離Ｄが１００ｍｍの場合に１０ｍＪ／ｃｍ２である。
第２殺菌流体噴出器５４：３５％過酸化水素を１３０℃加熱板に５００ｍｌ／ｈ滴下し、ホットエアー１００Ｎｌ／ｍｉｎと混合させた過酸化水素ガスをプリフォームＰＦの外面に向けて１３０～１７０℃で噴射させた。具体的には、プリフォームＰＦの口部内面をスピンドルによって把持し、中心軸Ａを中心としてプリフォームＰＦを１回転させながら、過酸化水素ガスをプリフォームＰＦの外面に吹き付けた。プリフォームＰＦの外面への過酸化水素ガスの吹き付けは、キセノンランプ殺菌処理器５２の下流側かつ加熱部２２の上流側において行った。
加熱部２２：プリフォームＰＦの口部内面をスピンドルによって把持した状態で、加熱部２２内でプリフォームＰＦを搬送し、プリフォームＰＦの表面温度が１００～１３０℃になるまでプリフォームＰＦを加熱した。
また、殺菌価の計測方法（殺菌サンプル作製→殺菌処理→サンプル生残菌数測定→殺菌効果計測）については、以下の通りである。
供試菌：芽胞菌 Ｂａｃｉｌｌｕｓ ａｔｒｏｐｈａｅｕｓ ＡＴＣＣ９３７２ 芽胞
カビ Ａｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓ ｎｉｇｅｒ ＡＴＣＣ６２７５ 分生子
酵母 Ｓａｃｃｈａｒｏｍｙｃｅｓ ｃｅｒｅｖｉｓｉａｅ ＮＢＲＣ０２１７ 胞子
方法：プリフォームＰＦの内面に供試菌懸濁液を０．１ｍｌ噴霧して、１０６ｃｆｕ（コロニー形成単位）／プリフォームとなるように懸濁液を付着させた後、一昼夜クリーンルーム内で乾燥させ、供試プリフォームとして用いた。プリフォームＰＦは上記所定の条件で各機器５２、５４、２２を通過させた後、ブロー成形ターレット２３によってブロー成形を行い、殺菌処理済みボトルをサンプリングし、直ちに無菌キャップを密封した。密封したサンプルボトルはクリーンベンチ内でボトル内面に滅菌済み処理水を入れ、生残菌を回収し、メンブランフィルターによる菌計測を芽胞菌は標準寒天培地を用いて、カビ・酵母はポテトデキストロース寒天培地を用いて、３０℃で１週間培養することにより計測した。初期菌数は殺菌前のプリフォームＰＦから同様な方法により菌数を計測した。計測した値（ｎ＝３）から殺菌価＝Ｌｏｇ（初期菌数／生残菌数）にて殺菌条件毎に殺菌効果を求めた。判定基準は×：全ての殺菌価が０、△：いずれかの殺菌価が１以上、○：全ての殺菌価が２以上、△以上を有効とする。なお、本内面の菌計測を実施する前提として、ボトル口部を含む外面に対して、拭き取り検査にて菌の付着有無を確認したところ、ボトル外面から菌の検出（ｎ＝１００）はなかった。
供試菌：芽胞菌 Ｂａｃｉｌｌｕｓ ａｔｒｏｐｈａｅｕｓ ＡＴＣＣ９３７２ 芽胞
カビ Ａｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓ ｎｉｇｅｒ ＡＴＣＣ６２７５ 分生子
酵母 Ｓａｃｃｈａｒｏｍｙｃｅｓ ｃｅｒｅｖｉｓｉａｅ ＮＢＲＣ０２１７ 胞子
方法：プリフォームＰＦの内面に供試菌懸濁液を０．１ｍｌ噴霧して、１０６ｃｆｕ（コロニー形成単位）／プリフォームとなるように懸濁液を付着させた後、一昼夜クリーンルーム内で乾燥させ、供試プリフォームとして用いた。プリフォームＰＦは上記所定の条件で各機器５２、５４、２２を通過させた後、ブロー成形ターレット２３によってブロー成形を行い、殺菌処理済みボトルをサンプリングし、直ちに無菌キャップを密封した。密封したサンプルボトルはクリーンベンチ内でボトル内面に滅菌済み処理水を入れ、生残菌を回収し、メンブランフィルターによる菌計測を芽胞菌は標準寒天培地を用いて、カビ・酵母はポテトデキストロース寒天培地を用いて、３０℃で１週間培養することにより計測した。初期菌数は殺菌前のプリフォームＰＦから同様な方法により菌数を計測した。計測した値（ｎ＝３）から殺菌価＝Ｌｏｇ（初期菌数／生残菌数）にて殺菌条件毎に殺菌効果を求めた。判定基準は×：全ての殺菌価が０、△：いずれかの殺菌価が１以上、○：全ての殺菌価が２以上、△以上を有効とする。なお、本内面の菌計測を実施する前提として、ボトル口部を含む外面に対して、拭き取り検査にて菌の付着有無を確認したところ、ボトル外面から菌の検出（ｎ＝１００）はなかった。
実験例Ｂによる実験結果を図５に示す。
図５に示す実験結果から、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理によって、距離Ｃが５ｍｍ以下、Ｄが１００ｍｍ以下の場合（すなわち、プリフォームＰＦの内面の積算照度が１０ｍＪ／ｃｍ２以上の場合）に、プリフォームＰＦ（容器）の内面において、芽胞菌、カビ、酵母菌のいずれにおいても、殺菌効果が得られることが分かった。
図５に示す実験結果から、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理によって、距離Ｃが５ｍｍ以下、Ｄが１００ｍｍ以下の場合（すなわち、プリフォームＰＦの内面の積算照度が１０ｍＪ／ｃｍ２以上の場合）に、プリフォームＰＦ（容器）の内面において、芽胞菌、カビ、酵母菌のいずれにおいても、殺菌効果が得られることが分かった。
［実験例Ｃ］
次に、殺菌処理機構５０による殺菌効果を確認するために行った実験例Ｃについて、図６に基づいて説明する。
次に、殺菌処理機構５０による殺菌効果を確認するために行った実験例Ｃについて、図６に基づいて説明する。
まず、実験例Ｃでは、プリフォームＰＦに対して、（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器、キセノンランプ殺菌処理器５２、第１殺菌流体噴出器５３、第２殺菌流体噴出器５４、加熱部２２による各種処理を施した時の殺菌効果を確認した。
具体的な実験条件については、以下の通りである。
殺菌対象のプリフォーム（容器）：容量５００ｍｌのＰＥＴボトル用のプリフォーム、プリフォーム口部内面の内径：約２０ｍｍ、プリフォーム天面から内底面の距離：約９０ｍｍ。
（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器：キセノンランプ殺菌処理器５２の上流側において、温水をプリフォームＰＦの内面に噴射することで所定温度を１秒保持した。その後、無菌エアーを吹き付けて水滴を除去した。プリフォームＰＦの温度はプリフォームＰＦ高さ中央の側面内面部にＫ熱電対を直接接着させ、レコーダーと接続させることで測定した。プリフォーム口部内周面温度：５５℃、６５℃、７５℃、保持（噴射）時間：１秒、噴射媒体：温水。（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器による処理有り、無しの両方のパターンで実験を行った。
キセノンランプ殺菌処理器５２：（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器の下流側において、キセノンランプ５２ａの先端を、プリフォームＰＦの内径が一定範囲のうちの最奥部（プリフォームＰＦの内底面とキセノンランプ５２ａの底面表面との間の距離は１０ｍｍに設定、プリフォームＰＦの内周面とキセノンランプ５２ａの外周面との間の距離は５ｍｍに設定）まで挿入し、そこで発光させて、プリフォームＰＦの内周面とキセノンランプ５２ａの外周面との間の距離は５ｍｍでプリフォームＰＦの内周面の積算照度を４０００ｍＪ／ｃｍ２とし、プリフォームＰＦの内底面とキセノンランプ５２ａの底面表面との間の距離は１０ｍｍでプリフォームＰＦの内底面の積算照度１０００ｍＪ／ｃｍ２を基準にプリフォームＰＦの内底面の各積算照度が所定の設定値になるように照射した。照度計は紫外線強度計：ＵＭ－１０（コニカミノルタ社製）にセンサーＵＭ－２５０を用いた。
第１殺菌流体噴出器５３：キセノンランプ殺菌処理器５２の下流側かつ加熱部２２の上流側において、プリフォームＰＦ口部内面に向けて、プリフォームＰＦ天面と対向する同じ高さでプリフォームＰＦ内径を超えない噴射ノズル径で過酸化水素ガスを所定量噴射した。過酸化水素内面噴霧量は、０．１ｍｇ／ＰＦ（プリフォーム）、０．５ｍｇ／ＰＦ、１．０ｍｇ／ＰＦである。プリフォームＰＦの口部をグリッパによって把持しながら、過酸化水素ガスをプリフォームＰＦの内面に吹き付けた。第１殺菌流体噴出器５３による処理有り、無しの両方のパターンで実験を行った。
第２殺菌流体噴出器５４：３５％過酸化水素を１３０℃加熱板に５００ｍｌ／ｈ滴下し、ホットエアー１００Ｎｌ／ｍｉｎと混合させた過酸化水素ガスをプリフォームＰＦの外面に向けて１３０～１７０℃で噴射させた。具体的には、プリフォームＰＦの口部内面をスピンドルによって把持し、中心軸Ａを中心としてプリフォームＰＦを１回転させながら、過酸化水素ガスをプリフォームＰＦの外面に吹き付けた。プリフォームＰＦの外面への過酸化水素ガスの吹き付けは、第１殺菌流体噴出器５３の下流側かつ加熱部２２の上流側において行った。
加熱部２２：第２殺菌流体噴出器５４の下流側において、プリフォームＰＦの口部内面をスピンドルによって把持した状態で、加熱部２２内でプリフォームＰＦを搬送し、プリフォームＰＦの表面温度が１００～１３０℃になるまでプリフォームＰＦを加熱した。
（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器：キセノンランプ殺菌処理器５２の上流側において、温水をプリフォームＰＦの内面に噴射することで所定温度を１秒保持した。その後、無菌エアーを吹き付けて水滴を除去した。プリフォームＰＦの温度はプリフォームＰＦ高さ中央の側面内面部にＫ熱電対を直接接着させ、レコーダーと接続させることで測定した。プリフォーム口部内周面温度：５５℃、６５℃、７５℃、保持（噴射）時間：１秒、噴射媒体：温水。（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器による処理有り、無しの両方のパターンで実験を行った。
キセノンランプ殺菌処理器５２：（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器の下流側において、キセノンランプ５２ａの先端を、プリフォームＰＦの内径が一定範囲のうちの最奥部（プリフォームＰＦの内底面とキセノンランプ５２ａの底面表面との間の距離は１０ｍｍに設定、プリフォームＰＦの内周面とキセノンランプ５２ａの外周面との間の距離は５ｍｍに設定）まで挿入し、そこで発光させて、プリフォームＰＦの内周面とキセノンランプ５２ａの外周面との間の距離は５ｍｍでプリフォームＰＦの内周面の積算照度を４０００ｍＪ／ｃｍ２とし、プリフォームＰＦの内底面とキセノンランプ５２ａの底面表面との間の距離は１０ｍｍでプリフォームＰＦの内底面の積算照度１０００ｍＪ／ｃｍ２を基準にプリフォームＰＦの内底面の各積算照度が所定の設定値になるように照射した。照度計は紫外線強度計：ＵＭ－１０（コニカミノルタ社製）にセンサーＵＭ－２５０を用いた。
第１殺菌流体噴出器５３：キセノンランプ殺菌処理器５２の下流側かつ加熱部２２の上流側において、プリフォームＰＦ口部内面に向けて、プリフォームＰＦ天面と対向する同じ高さでプリフォームＰＦ内径を超えない噴射ノズル径で過酸化水素ガスを所定量噴射した。過酸化水素内面噴霧量は、０．１ｍｇ／ＰＦ（プリフォーム）、０．５ｍｇ／ＰＦ、１．０ｍｇ／ＰＦである。プリフォームＰＦの口部をグリッパによって把持しながら、過酸化水素ガスをプリフォームＰＦの内面に吹き付けた。第１殺菌流体噴出器５３による処理有り、無しの両方のパターンで実験を行った。
第２殺菌流体噴出器５４：３５％過酸化水素を１３０℃加熱板に５００ｍｌ／ｈ滴下し、ホットエアー１００Ｎｌ／ｍｉｎと混合させた過酸化水素ガスをプリフォームＰＦの外面に向けて１３０～１７０℃で噴射させた。具体的には、プリフォームＰＦの口部内面をスピンドルによって把持し、中心軸Ａを中心としてプリフォームＰＦを１回転させながら、過酸化水素ガスをプリフォームＰＦの外面に吹き付けた。プリフォームＰＦの外面への過酸化水素ガスの吹き付けは、第１殺菌流体噴出器５３の下流側かつ加熱部２２の上流側において行った。
加熱部２２：第２殺菌流体噴出器５４の下流側において、プリフォームＰＦの口部内面をスピンドルによって把持した状態で、加熱部２２内でプリフォームＰＦを搬送し、プリフォームＰＦの表面温度が１００～１３０℃になるまでプリフォームＰＦを加熱した。
また、殺菌価の計測方法（殺菌サンプル作製→殺菌処理→サンプル生残菌数測定→殺菌効果計測）については、以下の通りである。
供試菌：芽胞菌 Ｂａｃｉｌｌｕｓ ａｔｒｏｐｈａｅｕｓ ＡＴＣＣ９３７２ 芽胞
カビ Ａｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓ ｎｉｇｅｒ ＡＴＣＣ６２７５ 分生子
酵母 Ｓａｃｃｈａｒｏｍｙｃｅｓ ｃｅｒｅｖｉｓｉａｅ ＮＢＲＣ０２１７ 胞子
方法：プリフォームＰＦの内面に供試菌懸濁液を０．１ｍｌ噴霧して、１０６ｃｆｕ（コロニー形成単位）／プリフォームとなるように懸濁液を付着させた後、一昼夜クリーンルーム内で乾燥させ、供試プリフォームとして用いた。プリフォームＰＦは上記所定の条件で各機器を通過させた後、ブロー成形ターレット２３によってブロー成形を行い、殺菌処理済みボトルをサンプリングし、直ちに無菌キャップを密封した。密封したサンプルボトルはクリーンベンチ内でボトル内面に滅菌済み処理水を入れ、生残菌を回収し、メンブランフィルターによる菌計測を芽胞菌は標準寒天培地を用いて、カビ・酵母はポテトデキストロース寒天培地を用いて、３０℃で１週間培養することにより計測した。初期菌数は殺菌前のプリフォームＰＦから同様な方法により菌数を計測した。計測した値（ｎ＝３）から殺菌価＝Ｌｏｇ（初期菌数／生残菌数）にて殺菌条件毎に殺菌効果を求めた。判定基準は×：全ての殺菌価が０、△：いずれかの殺菌価が１以上、○：全ての殺菌価が２以上、△以上を有効とする。なお、本内面の菌計測を実施する前提として、ボトル口部を含む外面に対して、拭き取り検査にて菌の付着有無を確認したところ、ボトル外面から菌の検出（ｎ＝１００）はなかった。
供試菌：芽胞菌 Ｂａｃｉｌｌｕｓ ａｔｒｏｐｈａｅｕｓ ＡＴＣＣ９３７２ 芽胞
カビ Ａｓｐｅｒｇｉｌｌｕｓ ｎｉｇｅｒ ＡＴＣＣ６２７５ 分生子
酵母 Ｓａｃｃｈａｒｏｍｙｃｅｓ ｃｅｒｅｖｉｓｉａｅ ＮＢＲＣ０２１７ 胞子
方法：プリフォームＰＦの内面に供試菌懸濁液を０．１ｍｌ噴霧して、１０６ｃｆｕ（コロニー形成単位）／プリフォームとなるように懸濁液を付着させた後、一昼夜クリーンルーム内で乾燥させ、供試プリフォームとして用いた。プリフォームＰＦは上記所定の条件で各機器を通過させた後、ブロー成形ターレット２３によってブロー成形を行い、殺菌処理済みボトルをサンプリングし、直ちに無菌キャップを密封した。密封したサンプルボトルはクリーンベンチ内でボトル内面に滅菌済み処理水を入れ、生残菌を回収し、メンブランフィルターによる菌計測を芽胞菌は標準寒天培地を用いて、カビ・酵母はポテトデキストロース寒天培地を用いて、３０℃で１週間培養することにより計測した。初期菌数は殺菌前のプリフォームＰＦから同様な方法により菌数を計測した。計測した値（ｎ＝３）から殺菌価＝Ｌｏｇ（初期菌数／生残菌数）にて殺菌条件毎に殺菌効果を求めた。判定基準は×：全ての殺菌価が０、△：いずれかの殺菌価が１以上、○：全ての殺菌価が２以上、△以上を有効とする。なお、本内面の菌計測を実施する前提として、ボトル口部を含む外面に対して、拭き取り検査にて菌の付着有無を確認したところ、ボトル外面から菌の検出（ｎ＝１００）はなかった。
実験例Ｃによる実験結果のうち、（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器による処理無しのパターンの実験結果を図６に示す。
図６に示す実験結果から、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理、および、第１殺菌流体噴出器５３による処理を併せて施すことにより、プリフォームＰＦ（容器）の内面において、芽胞菌、カビ、酵母菌のいずれにおいても、より高い殺菌効果が得られることが分かった。
また、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理、および、第１殺菌流体噴出器５３による処理を併せて施すことにより、同レベルの殺菌効果を得るにあたって、より低いプリフォームＰＦの内面の積算照度、および、より低い過酸化水素の噴霧量で済むため、キセノンランプ殺菌処理器５２による照射負荷、および、容器成形後の過酸化水素等の殺菌剤の残量を低減できることが分かった。
また、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理、および、第１殺菌流体噴出器５３による処理を併せて施すことで、プリフォームＰＦの内面の積算照度が１０ｍＪ／ｃｍ２以上の場合に、充分な殺菌効果が得られることが分かった。
また、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理、および、第１殺菌流体噴出器５３による処理を併せて施すことで、プリフォームＰＦに対する過酸化水素の噴霧量が０．１ｍｇ／ＰＦ（プリフォーム）以上の場合に、充分な殺菌効果が得られることが分かった。
図６に示す実験結果から、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理、および、第１殺菌流体噴出器５３による処理を併せて施すことにより、プリフォームＰＦ（容器）の内面において、芽胞菌、カビ、酵母菌のいずれにおいても、より高い殺菌効果が得られることが分かった。
また、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理、および、第１殺菌流体噴出器５３による処理を併せて施すことにより、同レベルの殺菌効果を得るにあたって、より低いプリフォームＰＦの内面の積算照度、および、より低い過酸化水素の噴霧量で済むため、キセノンランプ殺菌処理器５２による照射負荷、および、容器成形後の過酸化水素等の殺菌剤の残量を低減できることが分かった。
また、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理、および、第１殺菌流体噴出器５３による処理を併せて施すことで、プリフォームＰＦの内面の積算照度が１０ｍＪ／ｃｍ２以上の場合に、充分な殺菌効果が得られることが分かった。
また、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理、および、第１殺菌流体噴出器５３による処理を併せて施すことで、プリフォームＰＦに対する過酸化水素の噴霧量が０．１ｍｇ／ＰＦ（プリフォーム）以上の場合に、充分な殺菌効果が得られることが分かった。
また、実験例Ｃにおいて、（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器による処理有りで、第１殺菌流体噴出器５３による処理無しのパターンの実験結果を図７に示す。
図７に示す実験結果から、（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器による処理、および、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理を併せて施すことにより、プリフォームＰＦ（容器）の内面において、芽胞菌、カビ、酵母菌のいずれにおいても、より高い殺菌効果が得られることが分かった。
また、（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器による処理、および、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理を併せて施すことにより、同レベルの殺菌効果を得るにあたって、より低いプリフォームＰＦの内面の積算照度で済むため、キセノンランプ殺菌処理器５２による照射負荷を低減できることが分かった。
また、（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器による処理、および、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理を併せて施し、（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器による処理を６５℃以上の温水（媒体）で施すことにより、充分な殺菌効果が得られることが分かった。
また、（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器による処理、および、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理を併せて施し、プリフォームＰＦの内面の積算照度が１０ｍＪ／ｃｍ２以上の場合に、充分な殺菌効果が得られることが分かった。
図７に示す実験結果から、（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器による処理、および、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理を併せて施すことにより、プリフォームＰＦ（容器）の内面において、芽胞菌、カビ、酵母菌のいずれにおいても、より高い殺菌効果が得られることが分かった。
また、（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器による処理、および、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理を併せて施すことにより、同レベルの殺菌効果を得るにあたって、より低いプリフォームＰＦの内面の積算照度で済むため、キセノンランプ殺菌処理器５２による照射負荷を低減できることが分かった。
また、（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器による処理、および、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理を併せて施し、（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器による処理を６５℃以上の温水（媒体）で施すことにより、充分な殺菌効果が得られることが分かった。
また、（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器による処理、および、キセノンランプ殺菌処理器５２による処理を併せて施し、プリフォームＰＦの内面の積算照度が１０ｍＪ／ｃｍ２以上の場合に、充分な殺菌効果が得られることが分かった。
以上の実験例Ｃの結果からすると、（除塵器５１を兼ねた）温水殺菌器、キセノンランプ殺菌処理器５２、第１殺菌流体噴出器５３の全ての処理を行えば、より高い殺菌効果を得ることが期待できる。
以上、本発明の実施形態を詳述したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明を逸脱することなく種々の設計変更を行なうことが可能である。
例えば、上述した実施形態では、充填システム１０が、ＮＳモードと低酸性モードの２つのモードを選択可能に構成されているものとして説明したが、低酸性モードを選択できないように充填システム１０を構成してもよく、すなわち、低酸性モード専用の各機器（第１殺菌流体噴出器５３、第３殺菌流体噴出器５５、容器洗浄器５７）については設けなくともよい。
また、上記の２つのモード（ＮＳモード、低酸性モード）以外のモードを選択できるように、すなわち、稼働させる機器５１～５７の組み合わせを変えた（稼働させる機器５１～５７を任意に選択した）他のモードを選択できるように、充填システム１０を構成してもよく、例えば、除塵器５１とキセノンランプ殺菌処理器５２と第２殺菌流体噴出器５４のみを稼働させる他のモード（除塵モード）を選択できるように、充填システム１０を構成してもよい。
また、上述した実施形態では、殺菌流体が過酸化水素であるものとして説明したが、殺菌流体の具体的態様は、殺菌剤の成分を有したものであれば、如何なるものでもよい。
また、上述した実施形態では、第１殺菌流体噴出器５３や第２殺菌流体噴出器５４が、加熱部２２よりも上流側に設置されているものとして説明したが、第１殺菌流体噴出器５３や第２殺菌流体噴出器５４の具体的配置は上記に限定されず、例えば、キセノンランプ殺菌処理器５２や第１殺菌流体噴出器５３や第２殺菌流体噴出器５４を加熱部２２内に設置してもよい。
また、殺菌処理機構５０の構成として、ブロー成形ターレット２３よりも上流側または容器搬送路６０に、容器に電子線（ＥＢ）を照射する照射器や、容器に紫外線（ＵＶ）を照射する照射器等（その他の殺菌処理器５８）を設けてもよい。
また、キセノンランプ殺菌処理器５２や第１殺菌流体噴出器５３や第２殺菌流体噴出器５４を、図９や図１０に示すように、加熱部２２とブロー成形ターレット２３との間の転送部２７に設置してもよい。図９や図１０に示す例では、転送部２７が複数の転送ターレット２７ａから成り、殺菌流体噴出器５３、５４は、隣接する複数（２つ）の転送ターレット２７ａによって転送途中のプリフォームＰＦに対して処理を施すように設置され、また、キセノンランプ殺菌処理器５２は、殺菌流体噴出器５３、５４を設置した転送ターレット２７ａの下流側に隣接する転送ターレット２７ａによって搬送途中のプリフォームＰＦに対して処理を施すように設置されている。
また、別形態としては、殺菌流体噴出器５４を使用せずに、殺菌流体噴出器５３と、キセノンランプ殺菌処理器５２として、プリフォームの内面を殺菌するキセノンランプ殺菌処理器５２－１と、プリフォームの外面を殺菌するものとして、キセノンランプ殺菌処理器５２－２又はその他の殺菌処理器５８を配置することもできる。
また、さらに別形態としては、殺菌流体噴出器５３を使用せずに、キセノンランプ殺菌処理器５２－１と、殺菌流体噴出器５４又はその他の殺菌処理器５８のいずれか一方と、を配置することもできる。
上記のキセノンランプ殺菌処理器５２、殺菌流体噴出器５３、５４の配置、殺菌流体噴出器５３と、キセノンランプ殺菌処理器５２－１、キセノンランプ殺菌処理器５２－２又はその他の殺菌処理器５８の配置、キセノンランプ殺菌処理器５２－１、殺菌流体噴出器５４又はその他の殺菌処理器５８の配置は、複数のターレット２７－ａにおいて順不同に配置することができ、ＮＳモード及び低酸性モードの各モードに応じて各殺菌処理を行うことができる。
以上のように、プリフォームの内外面の殺菌処理を転送部２７内の複数のターレット２７－ａにおいて配置すれば、プリフォーム殺菌処理を、殺菌処理機構５０内でコンパクトにまとめることが可能である。
また、上述した実施形態では、キセノンランプ殺菌処理器５２の上流工程として、除塵器５１による除塵処理をプリフォームＰＦに施すものとして説明した。しかしながら、当該除塵処理に代えてまたは当該除塵処理に加えて、プリフォームＰＦの少なくとも内面に対して蒸気噴出器によって蒸気（または過熱水蒸気）を吹き付けてもよい。
なお、キセノンランプ殺菌処理器５２の上流工程として、プリフォームＰＦの少なくとも内面に温水または過熱水蒸気を噴出した場合、当該温水または過熱水蒸気の熱によってカビや酵母菌の殺菌効果を得ることができるため、後工程（第１殺菌流体噴出器５３、第２殺菌流体噴出器５４、第３殺菌流体噴出器５５）での殺菌処理のレベルを低く設定することができる（殺菌剤の濃度を低く抑えることができる、温水の温度を低く抑えることができる）。
また、上述した実施形態では、ＮＳモードが水や緑茶やニアウォーター等の充填用のモードであり、低酸性モードがミルク入り低酸性飲料等の低酸性飲料や麦茶等の充填用のモードであるものとして説明したが、各モードが対象とする内容液の種類は上記に限定されず、例えば、ＮＳモードを選択した時に、低酸性飲料を容器に充填してもよい。
また、上述した実施形態では、充填ユニット３０の各部（充填部３３やキャッピング部３４等）を纏めて、１つの無菌ボックスで覆うものとして説明したが、充填部３３やキャッピング部３４を別の無菌ボックスで覆うように構成してもよい。
また、上記の２つのモード（ＮＳモード、低酸性モード）以外のモードを選択できるように、すなわち、稼働させる機器５１～５７の組み合わせを変えた（稼働させる機器５１～５７を任意に選択した）他のモードを選択できるように、充填システム１０を構成してもよく、例えば、除塵器５１とキセノンランプ殺菌処理器５２と第２殺菌流体噴出器５４のみを稼働させる他のモード（除塵モード）を選択できるように、充填システム１０を構成してもよい。
また、上述した実施形態では、殺菌流体が過酸化水素であるものとして説明したが、殺菌流体の具体的態様は、殺菌剤の成分を有したものであれば、如何なるものでもよい。
また、上述した実施形態では、第１殺菌流体噴出器５３や第２殺菌流体噴出器５４が、加熱部２２よりも上流側に設置されているものとして説明したが、第１殺菌流体噴出器５３や第２殺菌流体噴出器５４の具体的配置は上記に限定されず、例えば、キセノンランプ殺菌処理器５２や第１殺菌流体噴出器５３や第２殺菌流体噴出器５４を加熱部２２内に設置してもよい。
また、殺菌処理機構５０の構成として、ブロー成形ターレット２３よりも上流側または容器搬送路６０に、容器に電子線（ＥＢ）を照射する照射器や、容器に紫外線（ＵＶ）を照射する照射器等（その他の殺菌処理器５８）を設けてもよい。
また、キセノンランプ殺菌処理器５２や第１殺菌流体噴出器５３や第２殺菌流体噴出器５４を、図９や図１０に示すように、加熱部２２とブロー成形ターレット２３との間の転送部２７に設置してもよい。図９や図１０に示す例では、転送部２７が複数の転送ターレット２７ａから成り、殺菌流体噴出器５３、５４は、隣接する複数（２つ）の転送ターレット２７ａによって転送途中のプリフォームＰＦに対して処理を施すように設置され、また、キセノンランプ殺菌処理器５２は、殺菌流体噴出器５３、５４を設置した転送ターレット２７ａの下流側に隣接する転送ターレット２７ａによって搬送途中のプリフォームＰＦに対して処理を施すように設置されている。
また、別形態としては、殺菌流体噴出器５４を使用せずに、殺菌流体噴出器５３と、キセノンランプ殺菌処理器５２として、プリフォームの内面を殺菌するキセノンランプ殺菌処理器５２－１と、プリフォームの外面を殺菌するものとして、キセノンランプ殺菌処理器５２－２又はその他の殺菌処理器５８を配置することもできる。
また、さらに別形態としては、殺菌流体噴出器５３を使用せずに、キセノンランプ殺菌処理器５２－１と、殺菌流体噴出器５４又はその他の殺菌処理器５８のいずれか一方と、を配置することもできる。
上記のキセノンランプ殺菌処理器５２、殺菌流体噴出器５３、５４の配置、殺菌流体噴出器５３と、キセノンランプ殺菌処理器５２－１、キセノンランプ殺菌処理器５２－２又はその他の殺菌処理器５８の配置、キセノンランプ殺菌処理器５２－１、殺菌流体噴出器５４又はその他の殺菌処理器５８の配置は、複数のターレット２７－ａにおいて順不同に配置することができ、ＮＳモード及び低酸性モードの各モードに応じて各殺菌処理を行うことができる。
以上のように、プリフォームの内外面の殺菌処理を転送部２７内の複数のターレット２７－ａにおいて配置すれば、プリフォーム殺菌処理を、殺菌処理機構５０内でコンパクトにまとめることが可能である。
また、上述した実施形態では、キセノンランプ殺菌処理器５２の上流工程として、除塵器５１による除塵処理をプリフォームＰＦに施すものとして説明した。しかしながら、当該除塵処理に代えてまたは当該除塵処理に加えて、プリフォームＰＦの少なくとも内面に対して蒸気噴出器によって蒸気（または過熱水蒸気）を吹き付けてもよい。
なお、キセノンランプ殺菌処理器５２の上流工程として、プリフォームＰＦの少なくとも内面に温水または過熱水蒸気を噴出した場合、当該温水または過熱水蒸気の熱によってカビや酵母菌の殺菌効果を得ることができるため、後工程（第１殺菌流体噴出器５３、第２殺菌流体噴出器５４、第３殺菌流体噴出器５５）での殺菌処理のレベルを低く設定することができる（殺菌剤の濃度を低く抑えることができる、温水の温度を低く抑えることができる）。
また、上述した実施形態では、ＮＳモードが水や緑茶やニアウォーター等の充填用のモードであり、低酸性モードがミルク入り低酸性飲料等の低酸性飲料や麦茶等の充填用のモードであるものとして説明したが、各モードが対象とする内容液の種類は上記に限定されず、例えば、ＮＳモードを選択した時に、低酸性飲料を容器に充填してもよい。
また、上述した実施形態では、充填ユニット３０の各部（充填部３３やキャッピング部３４等）を纏めて、１つの無菌ボックスで覆うものとして説明したが、充填部３３やキャッピング部３４を別の無菌ボックスで覆うように構成してもよい。
１０ ・・・ 充填システム
２０ ・・・ 容器成形ユニット
２１ ・・・ 入口部
２２ ・・・ 加熱部
２３ ・・・ ブロー成形ターレット
２４ ・・・ 搬送部
２５ ・・・ 出口部
２６ ・・・ ボックス
２７ ・・・ 転送部
３０ ・・・ 充填ユニット
３１ ・・・ 入口部
３２ ・・・ 搬送部
３３ ・・・ 充填部
３４ ・・・ キャッピング部
３５ ・・・ 出口部
３６ ・・・ ボックス
４０ ・・・ 容器転送ユニット
４１ ・・・ ターレット（搬送機）
４２ ・・・ 入口部
４３ ・・・ 出口部
４４ ・・・ ボックス
５０ ・・・ 殺菌処理機構
５１ ・・・ 除塵器
５２ ・・・ キセノンランプ殺菌処理器
５２ａ ・・・ キセノンランプ
５２ｂ ・・・ 反射部材
５３ ・・・ 第１殺菌流体噴出器
５４ ・・・ 第２殺菌流体噴出器（殺菌流体噴出器）
５５ ・・・ 第３殺菌流体噴出器
５７ ・・・ 容器洗浄器
５８ ・・・ その他の殺菌処理器
６０ ・・・ 容器搬送路
ＰＦ ・・・ プリフォーム
ＰＦＮ ・・・ プリフォームの首部
２０ ・・・ 容器成形ユニット
２１ ・・・ 入口部
２２ ・・・ 加熱部
２３ ・・・ ブロー成形ターレット
２４ ・・・ 搬送部
２５ ・・・ 出口部
２６ ・・・ ボックス
２７ ・・・ 転送部
３０ ・・・ 充填ユニット
３１ ・・・ 入口部
３２ ・・・ 搬送部
３３ ・・・ 充填部
３４ ・・・ キャッピング部
３５ ・・・ 出口部
３６ ・・・ ボックス
４０ ・・・ 容器転送ユニット
４１ ・・・ ターレット（搬送機）
４２ ・・・ 入口部
４３ ・・・ 出口部
４４ ・・・ ボックス
５０ ・・・ 殺菌処理機構
５１ ・・・ 除塵器
５２ ・・・ キセノンランプ殺菌処理器
５２ａ ・・・ キセノンランプ
５２ｂ ・・・ 反射部材
５３ ・・・ 第１殺菌流体噴出器
５４ ・・・ 第２殺菌流体噴出器（殺菌流体噴出器）
５５ ・・・ 第３殺菌流体噴出器
５７ ・・・ 容器洗浄器
５８ ・・・ その他の殺菌処理器
６０ ・・・ 容器搬送路
ＰＦ ・・・ プリフォーム
ＰＦＮ ・・・ プリフォームの首部
Claims (11)
- 殺菌済みの容器に内容液を充填する充填システムであって、
ブロー成形ターレットを有した容器成形ユニットと、前記容器成形ユニットの下流側に配置され容器に内容液を充填する充填部を有した充填ユニットと、前記ブロー成形ターレットおよび前記充填部の間の容器搬送路に設置された容器搬送機と、殺菌処理機構とを備え、
前記殺菌処理機構は、前記ブロー成形ターレットよりも上流側においてプリフォームにキセノンランプの光照射による殺菌処理を施すキセノンランプ殺菌処理器を備えるとともに、前記プリフォームを加熱する加熱部と前記ブロー成形ターレットとの間に設けられた転送部に配置され、
前記キセノンランプ殺菌処理器は、前記キセノンランプを前記プリフォームの内側に挿入して、プリフォームに殺菌処理を施すように構成され、
前記容器搬送機は、前記容器搬送路において容器に温水による殺菌処理を施すことなく、容器を搬送するように構成されていることを特徴とする充填システム。 - 前記殺菌処理機構は、除塵器を有することを特徴とする請求項１に記載の充填システム。
- 前記殺菌処理機構は、前記キセノンランプの前記プリフォームへの挿入時に前記キセノンランプ及び前記プリフォームの少なくとも何れか一方を相対的に前記プリフォームの軸方向に移動させる移動手段を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の充填システム。
- 前記殺菌処理機構は、前記キセノンランプの前記プリフォームへの挿入時に前記キセノンランプ及び前記プリフォームの少なくとも何れか一方を回転させる回転手段を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の充填システム。
- 前記殺菌処理機構は、前記ブロー成形ターレットよりも上流側においてプリフォームの外面に殺菌流体を噴出する殺菌流体噴出器を備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の充填システム。
- 前記キセノンランプ殺菌処理器は、その一部が前記プリフォームの内側に挿入される前記キセノンランプと、前記キセノンランプから照射された光を反射させて前記プリフォームの首部の外面に誘導する反射部材とを有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の充填システム。
- 殺菌済みの容器に内容液を充填する充填方法であって、
ブロー成形ターレットよりも上流側であって、プリフォームを加熱する加熱部とブロー成形ターレットとの間に設けられた転送部においてプリフォームにキセノンランプの光照射による殺菌処理を施し、
前記キセノンランプの光照射による殺菌処理は、前記キセノンランプを前記プリフォームの内側に挿入して施し、
前記ブロー成形ターレットおよび充填部の間に設置された容器搬送路において、容器に温水による殺菌処理を施すことなく、容器を搬送することを特徴とする充填方法。 - 前記キセノンランプの光照射による殺菌処理は、前記キセノンランプを前記プリフォームの内側に挿入した状態で、前記キセノンランプを１回あるいは複数回パルス発光させることで行われることを特徴とする請求項７に記載の充填方法。
- 前記キセノンランプの光照射による殺菌処理は、前記プリフォームの中心軸線上における、前記プリフォームの内底面と前記キセノンランプの底面表面との間の距離を１ｍｍ～１００ｍｍの範囲に設定した状態で、前記キセノンランプを発光させることで行われることを特徴とする請求項７又は８に記載の充填方法。
- 前記キセノンランプの光照射による殺菌処理は、前記キセノンランプを前記プリフォームの内側に挿入した状態で０．１秒～５秒発光させることで行われることを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれかに記載の充填方法。
- 前記キセノンランプの前記プリフォームへの挿入時に前記キセノンランプ及び前記プリフォームの少なくとも何れか一方を回転させることを特徴とする請求項７乃至請求項１０のいずれかに記載の充填方法。
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