JP7267079B2 - Processing liquid preparation apparatus, substrate processing apparatus, processing liquid preparation method, and substrate processing method - Google Patents

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Description

本発明は、処理液調製装置、基板処理装置、処理液調製方法および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a processing liquid preparation apparatus, a substrate processing apparatus, a processing liquid preparation method, and a substrate processing method.

基板を処理する基板処理装置が知られている。例えば、基板処理装置は半導体基板またはガラス基板の製造に用いられる。絶縁層としてシリコン窒化層をエッチングするために基板を燐酸処理することがある(例えば、特許文献1参照)。特許文献1には、シリカ濃度とともに燐酸濃度を測定することで、エッチング液として所定の濃度でシリカを含有する燐酸溶液を用いることが記載されている。 A substrate processing apparatus for processing substrates is known. For example, substrate processing apparatuses are used in the manufacture of semiconductor substrates or glass substrates. In some cases, the substrate is phosphated to etch the silicon nitride layer as an insulating layer (see, for example, US Pat. Patent Document 1 describes that a phosphoric acid solution containing silica at a predetermined concentration is used as an etchant by measuring the phosphoric acid concentration together with the silica concentration.

特開2015-195306号公報JP 2015-195306 A

特許文献1では、1つの浴槽で燐酸液を生成させているが、複数の貯留槽で同じ処理特性の燐酸液を生成することが要望されている。例えば、複数の貯留槽で同じ処理特性の燐酸液を生成することにより、大量の基板を連続して安定的に処理できる。しかしながら、実際には、計測機器の計測結果に基づいて燐酸液の濃度を較正しようとしても、燐酸濃度計の機器間差があるため、複数の貯留槽に貯留する燐酸液を互いに等しい濃度(比重)に設定することは困難であった。 In Patent Document 1, the phosphoric acid solution is produced in one bath, but it is desired to produce the phosphoric acid solution with the same processing characteristics in a plurality of storage tanks. For example, a large number of substrates can be continuously and stably processed by generating phosphoric acid solutions having the same processing characteristics in a plurality of storage tanks. However, in practice, even if you try to calibrate the concentration of the phosphoric acid solution based on the measurement results of the measuring equipment, there is a difference between the phosphoric acid concentration meters. ) was difficult to set.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、他の燐酸液との較正を高精度に可能にする処理液調製装置、基板処理装置、処理液調製方法および基板処理方法を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a processing liquid preparation apparatus, a substrate processing apparatus, a processing liquid preparation method, and a substrate processing method that enable calibration with other phosphoric acid solutions with high accuracy. to provide.

本発明の一局面によれば、処理液調製装置は、貯留部と、計測部と、記憶部とを備える。前記貯留部は、燐酸液を貯留する。前記計測部は、前記貯留部の前記燐酸液の比重を示す値を計測する。前記記憶部は、前記計測部の計測した値を記憶する。前記記憶部は、前記貯留部の前記燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに前記計測部によって計測された前記燐酸液の比重を示す基準値を記憶する。前記貯留部は、第1燐酸液を貯留する第1貯留部と、第2燐酸液を貯留する第2貯留部とを含む。前記記憶部は、前記第1燐酸液が突沸する突沸状態と前記第1燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに第1計測部によって計測された前記第1燐酸液の比重を示す第1基準値を記憶する。前記記憶部は、前記第2燐酸液が突沸する突沸状態と前記第2燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに第2計測部によって計測された前記第2燐酸液の比重を示す第2基準値を記憶する。 According to one aspect of the present invention, a treatment liquid preparation device includes a storage section, a measurement section, and a storage section. The reservoir stores a phosphoric acid solution. The measurement unit measures a value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the reservoir. The storage unit stores the values measured by the measurement unit. The storage section stores a reference indicating the specific gravity of the phosphoric acid liquid measured by the measuring section when the storage section is in a boundary state between a bumping state in which the phosphoric acid liquid bumps and a non-bumping state in which the phosphoric acid liquid does not bump. store the value. The storage section includes a first storage section that stores a first phosphoric acid solution and a second storage section that stores a second phosphoric acid liquid. The storage section stores the specific gravity of the first phosphoric acid liquid measured by the first measuring section when the first phosphoric acid liquid is in a boundary state between a bumping state in which the first phosphoric acid liquid is bumped and a non-bumping state in which the first phosphoric acid liquid is not bumped. A first reference value indicating the is stored. The storage section stores the specific gravity of the second phosphoric acid liquid measured by the second measuring section when the second phosphoric acid liquid is in a boundary state between a bumping state in which the second phosphoric acid liquid is bumped and a non-bumping state in which the second phosphoric acid liquid is not bumped. A second reference value indicating the is stored.

ある実施形態において、前記貯留部は、前記基準値と比べて前記燐酸液の比重を示す値が大きくなるように前記燐酸液を調製する。 In one embodiment, the storage part prepares the phosphoric acid solution so that the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution is larger than the reference value.

ある実施形態において、前記処理液調製装置、前記貯留部の前記燐酸液を撮像する撮像部をさらに備える。 In one embodiment, the processing liquid preparing apparatus further includes an imaging section that captures an image of the phosphoric acid liquid in the reservoir.

ある実施形態において、前記第1燐酸液は、前記第1基準値に基づいて調製され、前記第2燐酸液は、前記第2基準値に基づいて調製される。 In one embodiment, the first phosphoric acid solution is prepared based on the first reference value, and the second phosphoric acid solution is prepared based on the second reference value.

ある実施形態において、前記第2貯留部は、前記第2貯留部において調製した燐酸液を前記第1貯留部に供給する。 In one embodiment, the second reservoir supplies the phosphoric acid solution prepared in the second reservoir to the first reservoir.

本発明の別の局面によれば、基板処理装置は、上記に記載の処理液調製装置と、前記処理液調製装置において調製された燐酸液を用いて基板を処理する基板処理部とを備える。 According to another aspect of the present invention, a substrate processing apparatus includes the processing liquid preparation apparatus described above, and a substrate processing section that processes a substrate using the phosphoric acid liquid prepared in the processing liquid preparation apparatus.

ある実施形態において、前記基板処理部は、前記基板を保持して回転する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に前記燐酸液を供給するノズルとを有する。 In one embodiment, the substrate processing section has a substrate holding section that holds and rotates the substrate, and a nozzle that supplies the phosphoric acid solution to the substrate held by the substrate holding section.

ある実施形態において、前記基板処理部は、前記基板を複数積載可能な基板積載部と、前記処理液調製装置において調製された燐酸液を貯留する処理槽とを有する。 In one embodiment, the substrate processing section has a substrate loading section capable of loading a plurality of the substrates, and a processing tank for storing the phosphoric acid solution prepared in the processing liquid preparation apparatus.

ある実施形態において、前記基板処理部は、前記基板を複数積載可能な基板積載部を有し、前記基板積載部は、前記処理液調製装置の前記貯留部の前記燐酸液に浸漬する。
本発明のさらに別の局面によれば、基板処理装置は、処理液調製装置と、前記処理液調製装置において調製された燐酸液を用いて基板を処理する基板処理部とを備える。前記処理液調製装置は、貯留部と、計測部と、記憶部とを備える。前記貯留部は、燐酸液を貯留する。前記計測部は、前記貯留部の前記燐酸液の比重を示す値を計測する。前記記憶部は、前記計測部の計測した値を記憶する。前記記憶部は、前記貯留部の前記燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに前記計測部によって計測された前記燐酸液の比重を示す基準値を記憶する。前記基板処理部は、前記基板を保持して回転する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に前記燐酸液を供給するノズルとを有する。
ある実施形態において、前記貯留部における前記燐酸液の比重を示す値は、前記ノズルに供給される燐酸液の状態に基づいて設定される。
In one embodiment, the substrate processing section has a substrate loading section capable of loading a plurality of the substrates, and the substrate loading section is immersed in the phosphoric acid solution in the storage section of the processing liquid preparation apparatus.
According to still another aspect of the present invention, a substrate processing apparatus includes a processing liquid preparing apparatus, and a substrate processing section for processing a substrate using the phosphoric acid liquid prepared in the processing liquid preparing apparatus. The treatment liquid preparation device includes a storage section, a measurement section, and a storage section. The reservoir stores a phosphoric acid solution. The measurement unit measures a value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the reservoir. The storage unit stores the values measured by the measurement unit. The storage section stores a reference indicating the specific gravity of the phosphoric acid liquid measured by the measuring section when the storage section is in a boundary state between a bumping state in which the phosphoric acid liquid bumps and a non-bumping state in which the phosphoric acid liquid does not bump. store the value. The substrate processing section has a substrate holding section that holds and rotates the substrate, and a nozzle that supplies the phosphoric acid solution to the substrate held by the substrate holding section.
In one embodiment, the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the reservoir is set based on the state of the phosphoric acid solution supplied to the nozzle.

本発明のさらに別の局面によれば、処理液調製方法は、貯留された燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記燐酸液を設定する工程と、前記境界状態に設定された前記燐酸液の比重を示す基準値を計測する工程と、前記基準値を記憶する工程とを包含する。前記境界状態に前記燐酸液を設定する工程は、第1燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記第1燐酸液を設定する工程と、第2燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記第2燐酸液を設定する工程とを含む。前記基準値を計測する工程は、前記境界状態に設定された前記第1燐酸液の比重を示す第1基準値を計測する工程と、前記境界状態に設定された前記第2燐酸液の比重を示す第2基準値を計測する工程とを含む。前記基準値を記憶する工程は、前記第1基準値を記憶する工程と、前記第2基準値を記憶する工程とを含む。 According to still another aspect of the present invention, the method for preparing a treatment liquid includes the step of setting the phosphoric acid liquid to a boundary state between a bumping state in which the phosphoric acid liquid in the pool is bumping and a non-bumping state in which the phosphoric acid liquid is not bumped. , measuring a reference value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution set in the boundary state; and storing the reference value. The step of setting the phosphoric acid solution in the boundary state includes setting the first phosphoric acid solution in a boundary state with a non-bumping state in which the first phosphoric acid solution does not bubble, and a step of setting the first phosphoric acid solution in a non-bumping state in which the second phosphoric acid solution does not bump. and setting the second phosphoric acid solution to a boundary condition of The step of measuring the reference value includes the step of measuring a first reference value indicating the specific gravity of the first phosphoric acid solution set in the boundary state, and the step of measuring the specific gravity of the second phosphoric acid solution set in the boundary state. and measuring the indicated second reference value. Storing the reference value includes storing the first reference value and storing the second reference value.

ある実施形態において、前記処理液調製方法は、前記基準値と比べて前記燐酸液の比重を示す値が大きくなるように前記燐酸液を調製する工程をさらに包含する。 In one embodiment, the processing liquid preparation method further includes the step of preparing the phosphoric acid liquid such that the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid liquid is greater than the reference value.

ある実施形態において、前記境界状態に前記燐酸液を設定する工程は、前記燐酸液を撮像する工程を含む。 In one embodiment, setting the phosphoric acid solution to the boundary condition comprises imaging the phosphoric acid solution.

ある実施形態において、前記処理液調製方法は、前記第1基準値に基づいて前記第1燐酸液を調製する工程と、前記第2基準値に基づいて前記第2燐酸液を調製する工程とをさらに包含する。 In one embodiment, the treatment liquid preparation method comprises the steps of preparing the first phosphoric acid solution based on the first reference value and preparing the second phosphoric acid solution based on the second reference value. Including further.

ある実施形態において、前記処理液調製方法は、前記第2燐酸液を前記第1燐酸液と混合する工程をさらに包含する。 In one embodiment, the processing liquid preparation method further includes mixing the second phosphoric acid liquid with the first phosphoric acid liquid.

本発明のさらに別の局面によれば、基板処理方法は、上記に記載の処理液調製方法にしたがって燐酸液を調製する工程と、前記処理液調製方法において調製された燐酸液を用いて基板を処理する工程とを包含する。 According to still another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method comprising the steps of: preparing a phosphoric acid solution according to the above-described method of preparing a processing solution; and processing.

ある実施形態において、前記基板を処理する工程は、前記基板を保持して回転する工程と、前記回転する基板に前記燐酸液を供給する工程とを含む。 In one embodiment, the step of processing the substrate includes holding and rotating the substrate, and supplying the phosphoric acid solution to the rotating substrate.

ある実施形態において、前記基板を処理する工程は、前記燐酸液を処理槽に供給し、前記処理槽の前記燐酸液に前記基板を浸漬する工程を含む。 In one embodiment, the step of treating the substrate includes the step of supplying the phosphoric acid solution to a treatment tank and immersing the substrate in the phosphoric acid solution in the treatment tank.

ある実施形態において、前記基板を処理する工程は、前記燐酸液を調製した貯留槽に前記基板を浸漬する。
本発明のさらに別の局面によれば、基板処理方法は、処理液調製方法にしたがって燐酸液を調製する工程と、前記処理液調製方法において調製された燐酸液を用いて基板を処理する工程とを包含する。前記処理液調製方法は、貯留された燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記燐酸液を設定する工程と、前記境界状態に設定された前記燐酸液の比重を示す基準値を計測する工程と、前記基準値を記憶する工程とを包含する。前記基板を処理する工程は、前記基板を保持して回転する工程と、前記回転する基板に前記燐酸液を供給する工程とを含む。
ある実施形態では、前記燐酸液を供給する工程において、前記貯留される燐酸液の比重を示す値は、ノズルに供給される燐酸液の状態に基づいて設定される。
In one embodiment, the step of treating the substrate includes immersing the substrate in a reservoir in which the phosphoric acid solution is prepared.
According to still another aspect of the present invention, a substrate processing method comprises the steps of preparing a phosphoric acid solution according to a processing solution preparation method, and treating a substrate using the phosphoric acid solution prepared by the processing solution preparation method. encompasses The method for preparing the treatment liquid comprises: setting the phosphoric acid liquid to a boundary state between a bumping state in which the stored phosphoric acid liquid is bumped and a non-bumping state in which the phosphoric acid liquid is not bumped; It includes a step of measuring a reference value indicating the specific gravity of the liquid, and a step of storing the reference value. The step of processing the substrate includes holding and rotating the substrate, and supplying the phosphoric acid solution to the rotating substrate.
In one embodiment, in the step of supplying the phosphoric acid solution, the value indicating the specific gravity of the stored phosphoric acid solution is set based on the state of the phosphoric acid solution supplied to the nozzle.

本発明によれば、他の燐酸液との較正を高精度にできる。 According to the present invention, calibration with other phosphoric acid solutions can be performed with high accuracy.

本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置の模式図である。1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus provided with the processing liquid preparation apparatus of the present embodiment; FIG. (a)~(d)は本実施形態の処理液調製装置における貯留槽への水の供給と、燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を示す模式図である。4(a) to 4(d) are schematic diagrams showing the supply of water to a storage tank, the specific gravity of the phosphoric acid solution, and the state of the phosphoric acid solution in the processing solution preparing apparatus of the present embodiment. FIG. (a)~(d)は本実施形態の処理液調製装置における第1貯留槽および第2貯留槽への水の供給と、燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を示す模式図である。(a) to (d) are schematic diagrams showing the supply of water to the first and second storage tanks, the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution, and the state of the phosphoric acid solution in the processing solution preparation apparatus of the present embodiment. be. (a)~(c)は本実施形態の処理液調製装置における第1貯留槽および第2貯留槽への水の供給と、燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を示す模式図である。(a) to (c) are schematic diagrams showing the supply of water to the first reservoir and the second reservoir, the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution, and the state of the phosphoric acid solution in the processing solution preparation apparatus of the present embodiment. be. (a)~(c)は本実施形態の基板処理装置における燐酸液の調製を説明するための模式図である。(a) to (c) are schematic diagrams for explaining preparation of a phosphoric acid solution in the substrate processing apparatus of the present embodiment. 本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置のフローを説明するためのフロー図である。FIG. 2 is a flowchart for explaining the flow of a substrate processing apparatus provided with the processing liquid preparation apparatus of this embodiment; 本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置の模式図である。1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus provided with the processing liquid preparation apparatus of the present embodiment; FIG. 本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置の模式図である。1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus provided with the processing liquid preparation apparatus of the present embodiment; FIG. 本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置の模式図である。1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus provided with the processing liquid preparation apparatus of the present embodiment; FIG. 本実施形態の基板処理装置を備えた基板処理システムの模式図である。1 is a schematic diagram of a substrate processing system provided with the substrate processing apparatus of the present embodiment; FIG. 本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置のフローを説明するためのフロー図である。FIG. 2 is a flowchart for explaining the flow of a substrate processing apparatus provided with the processing liquid preparation apparatus of this embodiment; 本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置の模式図である。1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus provided with the processing liquid preparation apparatus of the present embodiment; FIG. (a)~(f)は本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置における燐酸液の流れの変化を説明するための模式図である。(a) to (f) are schematic diagrams for explaining changes in the flow of the phosphoric acid solution in the substrate processing apparatus provided with the processing solution preparing apparatus of the present embodiment.

以下、図面を参照して、本発明による処理液調製装置および処理液調製方法の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。 Hereinafter, embodiments of a processing liquid preparation apparatus and a processing liquid preparation method according to the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.

図1を参照して、本発明による処理液調製装置100を備えた基板処理装置200の実施形態を説明する。図1は、本実施形態の基板処理装置200の模式図である。基板処理装置200は、基板Wを処理する。基板処理装置200は、基板Wに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも1つを行うように基板Wを処理する。 An embodiment of a substrate processing apparatus 200 having a processing liquid preparation apparatus 100 according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus 200 of this embodiment. The substrate processing apparatus 200 processes substrates W. FIG. The substrate processing apparatus 200 processes the substrate W such that the substrate W is subjected to at least one of etching, surface treatment, characterization, treatment film formation, removal of at least a portion of the film, and cleaning.

基板Wは、薄い板状である。典型的には、基板Wは、薄い略円板状である。基板Wは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ(Field Emission Display:FED)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板などを含む。 The substrate W is a thin plate. Typically, the substrate W is thin and generally disk-shaped. The substrate W is, for example, a semiconductor wafer, a liquid crystal display device substrate, a plasma display substrate, a field emission display (FED) substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, or a photomask. substrates, ceramic substrates and substrates for solar cells.

基板処理装置200は、燐酸液を含む処理液で基板Wを処理する。典型的には、燐酸処理により、基板Wの絶縁層として機能するシリコン窒化層がエッチングされる。ここでは、基板処理装置200は、基板Wを燐酸液で1枚ごとに処理する。 The substrate processing apparatus 200 processes a substrate W with a processing liquid containing phosphoric acid. Typically, the phosphoric acid treatment etches the silicon nitride layer that serves as the insulating layer of the substrate W. FIG. Here, the substrate processing apparatus 200 processes the substrates W one by one with the phosphoric acid solution.

基板処理装置200は、処理液調製装置100と、基板処理部210とを備える。処理液調製装置100は、処理液を調製する。処理液は、燐酸液を含む。処理液調製装置100は、燐酸液の温度および比重を所定の状態に調製する。処理液調製装置100は、調製した処理液を基板処理部210に供給する。 The substrate processing apparatus 200 includes a processing liquid preparation apparatus 100 and a substrate processing section 210 . The processing liquid preparation apparatus 100 prepares a processing liquid. The processing liquid contains a phosphoric acid solution. The treatment liquid preparation apparatus 100 adjusts the temperature and specific gravity of the phosphoric acid liquid to predetermined states. The processing liquid preparing apparatus 100 supplies the prepared processing liquid to the substrate processing section 210 .

基板処理部210は、処理液調製装置100から供給された処理液で基板Wを処理する。ここでは、基板処理部210は、枚葉処理装置である。基板処理部210は、基板Wを1枚ずつ燐酸液で処理する。なお、基板処理部210が基板Wを処理する場合、燐酸液に気体が含まれていると、基板Wを均一に処理できないことがある。このため、処理液調製装置100から基板処理部210に供給される燐酸液には気体が含まれていないことが好ましい。 The substrate processing section 210 processes the substrate W with the processing liquid supplied from the processing liquid preparation apparatus 100 . Here, the substrate processing section 210 is a single wafer processing apparatus. The substrate processing section 210 processes the substrates W one by one with a phosphoric acid solution. When the substrate processing unit 210 processes the substrate W, if the phosphoric acid solution contains gas, the substrate W may not be uniformly processed. Therefore, it is preferable that the phosphoric acid liquid supplied from the processing liquid preparation apparatus 100 to the substrate processing section 210 does not contain gas.

基板処理部210は、チャンバー212と、基板保持部214と、ノズル216と、カップ218とを含む。チャンバー212は基板Wを収容する。チャンバー212には基板Wが1枚ずつ収容される。基板Wは、チャンバー212内に収容され、チャンバー212内で処理される。 Substrate processing portion 210 includes chamber 212 , substrate holder 214 , nozzle 216 , and cup 218 . Chamber 212 accommodates substrate W. FIG. The substrates W are accommodated one by one in the chamber 212 . A substrate W is accommodated within the chamber 212 and processed within the chamber 212 .

基板保持部214は、基板Wを保持する。また、基板保持部214は、基板Wを保持した状態で基板Wとともに回転する。例えば、基板保持部214は、基板Wの端部を挟持する挟持式であってもよい。 The substrate holding part 214 holds the substrate W. As shown in FIG. Further, the substrate holding part 214 rotates together with the substrate W while holding the substrate W. As shown in FIG. For example, the substrate holding part 214 may be of a clamping type that clamps the edge of the substrate W. As shown in FIG.

あるいは、基板保持部214は、基板Wを裏面から保持する任意の機構を有してもよい。例えば、基板保持部214は、バキューム式であってもよい。この場合、基板保持部214は、非デバイス形成面である基板Wの裏面(下面)の中央部を上面に吸着させることにより基板Wを水平に保持する。あるいは、基板保持部214は、複数のチャックピンを基板Wの周端面に接触させる挟持式とバキューム式とを組み合わせてもよい。 Alternatively, the substrate holder 214 may have any mechanism for holding the substrate W from the back surface. For example, substrate holder 214 may be of the vacuum type. In this case, the substrate holding part 214 horizontally holds the substrate W by causing the central portion of the back surface (lower surface) of the substrate W, which is the non-device forming surface, to be attracted to the upper surface. Alternatively, the substrate holding part 214 may be a combination of a clamping type in which a plurality of chuck pins are brought into contact with the peripheral edge surface of the substrate W and a vacuum type.

ノズル216は、チャンバー212内に収容される。ノズル216は、基板保持部214に保持されている基板Wに向けて燐酸液を吐出する。 Nozzle 216 is housed within chamber 212 . The nozzle 216 discharges the phosphoric acid solution toward the substrate W held by the substrate holding part 214 .

カップ218は、基板Wに供給された燐酸液を回収する。詳細は後述するが、カップ218によって回収された処理液は、処理液調製装置100に戻る。 The cup 218 collects the phosphoric acid solution supplied to the substrate W. FIG. Although the details will be described later, the treatment liquid collected by the cup 218 is returned to the treatment liquid preparation apparatus 100 .

処理液調製装置100は、燐酸液を貯留する貯留部102を備える。貯留部102において、燐酸液は調製される。燐酸液は、燐酸および水を含有する。貯留部102は、燐酸液を所定の温度および比重に調製する。 The treatment liquid preparation apparatus 100 includes a storage section 102 that stores the phosphoric acid liquid. In reservoir 102, a phosphoric acid solution is prepared. The phosphoric acid solution contains phosphoric acid and water. The reservoir 102 prepares the phosphoric acid solution to have a predetermined temperature and specific gravity.

ここでは、貯留部102は、第1貯留部110と、第2貯留部120とを含む。第1貯留部110には、処理液として燐酸液が貯留されている。第2貯留部120には、処理液として燐酸液が貯留されている。なお、第1貯留部110の燐酸液と第2貯留部120の燐酸液とは、第1貯留部110および第2貯留部120の調製が完了するまで混合されない。ただし、第1貯留部110および第2貯留部120の調製が完了した後、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液は互いに混合されてもよい。なお、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液が混合される際、第1貯留部110の燐酸液の比重は、第2貯留部120の燐酸液の比重とほぼ等しいことが好ましい。また、第1貯留部110の燐酸液の温度は、第2貯留部120の燐酸液の温度とほぼ等しいことが好ましい。 Here, reservoir 102 includes first reservoir 110 and second reservoir 120 . A phosphoric acid solution is stored in the first reservoir 110 as a treatment liquid. A phosphoric acid solution is stored in the second reservoir 120 as a treatment liquid. Note that the phosphoric acid solution in first reservoir 110 and the phosphoric acid solution in second reservoir 120 are not mixed until preparation of first reservoir 110 and second reservoir 120 is completed. However, after the preparation of the first reservoir 110 and the second reservoir 120 is completed, the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 and the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 may be mixed with each other. When the phosphoric acid solution in first reservoir 110 and the phosphoric acid solution in second reservoir 120 are mixed, the specific gravity of the phosphoric acid solution in first reservoir 110 is substantially equal to the specific gravity of the phosphoric acid solution in second reservoir 120. is preferred. Also, the temperature of the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 is preferably substantially equal to the temperature of the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 .

ここでは、第1貯留部110は、基板処理部210に燐酸液を供給する。第2貯留部120は、第1貯留部110に燐酸液を補充する。また、ここでは、第2貯留部120は、基板処理部210において用いられた処理液を回収する。 Here, the first storage part 110 supplies the phosphoric acid solution to the substrate processing part 210 . The second reservoir 120 replenishes the phosphoric acid solution to the first reservoir 110 . Also, here, the second storage section 120 collects the processing liquid used in the substrate processing section 210 .

なお、本明細書において、第1貯留部110において調製される燐酸液を第1燐酸液と記載することがある。また、第2貯留部120において調製される燐酸液を第2燐酸液と記載することがある。 In this specification, the phosphoric acid solution prepared in the first reservoir 110 may be referred to as the first phosphoric acid solution. Also, the phosphoric acid solution prepared in the second reservoir 120 may be referred to as a second phosphoric acid solution.

第1貯留部110は、第1貯留槽112と、第1配管113と、第1計測部114とを含む。第1貯留槽112は、処理液として燐酸液を貯留する。 First reservoir 110 includes first reservoir 112 , first pipe 113 , and first measuring section 114 . The first storage tank 112 stores a phosphoric acid solution as a processing liquid.

第1配管113は、第1貯留槽112と基板処理部210とを連絡する。また、第1配管113は、途中で第1貯留槽112に戻る循環配管113aを有する。 A first pipe 113 connects the first storage tank 112 and the substrate processing section 210 . Further, the first pipe 113 has a circulation pipe 113a returning to the first storage tank 112 on the way.

第1計測部114は、第1貯留槽112に取り付けられる。第1計測部114は、第1貯留槽112の貯留された燐酸液の比重を示す値を計測する。第1計測部114は、第1貯留槽112の背圧を計測する。 The first measurement unit 114 is attached to the first storage tank 112 . The first measuring unit 114 measures a value indicating the specific gravity of the phosphoric acid liquid stored in the first storage tank 112 . The first measurement unit 114 measures the back pressure of the first storage tank 112 .

例えば、第1計測部114の先端は、第1貯留槽112の燐酸液面から所定の深さの位置に配置されている。第1計測部114では、第1計測部114の先端にガスを供給して第1貯留槽112の燐酸液内に気泡を形成する。これにより、第1貯留槽112に貯留される燐酸液の液圧は、第1貯留槽112の液面から所定の深さの位置に配置された第1計測部114の先端部におけるガス圧として検出される。ガスとして、典型的には、窒素ガスが用いられる。ガス圧と燐酸液との関係を予め測定しておき、ガス圧と燐酸液との関係を示すルックアップテーブルを事前に作成しておくことにより、ガスによる気泡の形成されるガス圧に応じて燐酸液の比重を計測できる。 For example, the tip of the first measuring section 114 is arranged at a predetermined depth from the surface of the phosphoric acid liquid in the first storage tank 112 . In the first measurement unit 114 , gas is supplied to the tip of the first measurement unit 114 to form bubbles in the phosphoric acid liquid in the first storage tank 112 . As a result, the liquid pressure of the phosphoric acid liquid stored in the first storage tank 112 is the gas pressure at the tip of the first measurement unit 114 arranged at a predetermined depth from the liquid surface of the first storage tank 112. detected. Nitrogen gas is typically used as the gas. By measuring the relationship between the gas pressure and the phosphoric acid solution in advance and creating a look-up table showing the relationship between the gas pressure and the phosphoric acid solution in advance, it is possible to generate bubbles according to the gas pressure at which gas bubbles are formed. The specific gravity of the phosphoric acid solution can be measured.

なお、第1計測部114は、必ずしも燐酸液の比重自体の値を計測しなくてもよい。例えば、第1計測部114は、燐酸液の比重と比例して変化する値を計測してもよい。ただし、本明細書において、便宜上、燐酸液の比重を示す値を計測することを燐酸液の比重を計測すると記載することがある。 Note that the first measurement unit 114 does not necessarily have to measure the value of the specific gravity of the phosphoric acid solution itself. For example, the first measuring unit 114 may measure a value that changes in proportion to the specific gravity of the phosphoric acid solution. However, in this specification, for the sake of convenience, measuring the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution may be referred to as measuring the specific gravity of the phosphoric acid solution.

第1貯留部110は、ポンプ115a、ヒータ115b、フィルタ115c、バルブ115d、バルブ115eをさらに含む。ポンプ115a、ヒータ115b、フィルタ115c、バルブ115dは、第1配管113に配置されている。バルブ115eは、循環配管113aに配置されている。 The first reservoir 110 further includes a pump 115a, a heater 115b, a filter 115c, a valve 115d and a valve 115e. A pump 115 a , a heater 115 b , a filter 115 c and a valve 115 d are arranged in the first pipe 113 . The valve 115e is arranged in the circulation pipe 113a.

ポンプ115aは、燐酸液を一旦吸い込んだ後、吸い込んだ燐酸液を下流に向けて押し出す。ポンプ115aにより、燐酸液は、第1配管113内に押し出される。ヒータ115bは、第1燐酸液を加熱する。ヒータ115bが燐酸液を加熱することにより、第1燐酸液の温度は130℃以上に設定できる。第1燐酸液の温度は、130℃以上200℃以下に設定されてもよく、150℃以上180℃以下に設定されてもよい。 The pump 115a sucks the phosphoric acid solution once and then pushes the sucked phosphoric acid solution downstream. The phosphoric acid solution is pushed into the first pipe 113 by the pump 115a. The heater 115b heats the first phosphoric acid solution. The temperature of the first phosphoric acid solution can be set to 130° C. or higher by heating the phosphoric acid solution with the heater 115b. The temperature of the first phosphoric acid solution may be set at 130° C. or higher and 200° C. or lower, or may be set at 150° C. or higher and 180° C. or lower.

フィルタ115cは、第1燐酸液の浮遊物を濾過する。バルブ115dは、第1燐酸液の流れを制御する。バルブ115dが開くことにより、燐酸液は、基板処理部210に向かって流れる。バルブ115dが閉じることにより、燐酸液は、処理液調製装置100から基板処理部210に向かって流れなくなる。 The filter 115c filters suspended matter in the first phosphoric acid solution. Valve 115d controls the flow of the first phosphoric acid solution. The phosphoric acid solution flows toward the substrate processing section 210 by opening the valve 115d. By closing the valve 115 d , the phosphoric acid solution stops flowing from the processing liquid preparing apparatus 100 toward the substrate processing section 210 .

また、バルブ115eは、燐酸液の流れを制御する。バルブ115dが開くことにより、燐酸液は、第1貯留槽112に向かって流れるため、燐酸液を循環できる。バルブ115eが閉じることにより、燐酸液の循環が停止される。 Valve 115e also controls the flow of the phosphoric acid solution. By opening the valve 115d, the phosphoric acid solution flows toward the first storage tank 112, so that the phosphoric acid solution can be circulated. The circulation of the phosphoric acid solution is stopped by closing the valve 115e.

例えば、バルブ115dが閉じた状態でバルブ115eが開いていることにより、第1貯留部110の燐酸液は、循環配管113aを介して循環する。このとき、ヒータ115bが循環する燐酸液を加熱することにより、第1貯留部110の燐酸液を所定の温度に設定できる。 For example, by opening the valve 115e while the valve 115d is closed, the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 circulates through the circulation pipe 113a. At this time, the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 can be set to a predetermined temperature by heating the circulating phosphoric acid solution with the heater 115b.

また、バルブ115dおよびバルブ115eが開いていることにより、第1貯留部110の燐酸液は、循環配管113aを介して循環するとともに第1配管113を介して基板処理部210に供給される。このため、基板処理部210は、所定温度の燐酸液で基板Wを処理できる。 Since the valves 115 d and 115 e are open, the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 is circulated through the circulation pipe 113 a and supplied to the substrate processing section 210 through the first pipe 113 . Therefore, the substrate processing section 210 can process the substrate W with the phosphoric acid solution at a predetermined temperature.

また、第1貯留部110は、第1水供給部116aと、第1燐酸供給部116bと、第1ガス供給部116cとをさらに含む。第1水供給部116aは、第1貯留槽112に水を供給する。例えば、燐酸液が循環する場合、燐酸液がヒータ115bによって水の沸点を超えた高温に加熱されると、燐酸液からは沸点の低い水が優先的に蒸発する。このため、燐酸液が循環する際に、燐酸液の温度および比重を一定に維持するために、第1水供給部116aは、一定量の水を継続的に供給してもよい。 In addition, the first storage unit 110 further includes a first water supply unit 116a, a first phosphoric acid supply unit 116b, and a first gas supply unit 116c. The first water supply unit 116 a supplies water to the first storage tank 112 . For example, when the phosphoric acid liquid is circulated, if the phosphoric acid liquid is heated to a high temperature exceeding the boiling point of water by the heater 115b, water with a low boiling point evaporates preferentially from the phosphoric acid liquid. Therefore, when the phosphoric acid solution is circulated, the first water supply unit 116a may continuously supply a constant amount of water in order to keep the temperature and specific gravity of the phosphoric acid solution constant.

燐酸の比重は水の比重よりも高いため、燐酸液中の燐酸成分が多いと、燐酸液の比重が増加する。反対に、燐酸液中の水成分が多いと、燐酸液の比重が減少する。 Since the specific gravity of phosphoric acid is higher than that of water, if the phosphoric acid component in the phosphoric acid solution is large, the specific gravity of the phosphoric acid solution increases. Conversely, if the water content in the phosphoric acid solution is large, the specific gravity of the phosphoric acid solution will decrease.

また、燐酸の沸点は水の沸点よりも高いため、燐酸液中の燐酸成分が多いと、燐酸液は沸騰しにくくなる。反対に、燐酸液中の水成分が多いと、燐酸液は沸騰しやすくなる。このため、燐酸液の温度が一定であっても、燐酸液の成分に応じて燐酸液の状態は変化する。例えば、燐酸液中の水成分が多いと、燐酸液は突沸しやすい。したがって、第1水供給部116aから供給される水の量を制御することにより、燐酸液の突沸状態および非突沸状態を制御できる。 Further, since the boiling point of phosphoric acid is higher than that of water, if the phosphoric acid component in the phosphoric acid solution is large, the phosphoric acid solution will be difficult to boil. Conversely, if the water content in the phosphoric acid solution is large, the phosphoric acid solution tends to boil. Therefore, even if the temperature of the phosphoric acid solution is constant, the state of the phosphoric acid solution changes depending on the components of the phosphoric acid solution. For example, if the phosphoric acid solution contains a large amount of water, the phosphoric acid solution is prone to bumping. Therefore, by controlling the amount of water supplied from the first water supply unit 116a, the bumping state and the non-bumping state of the phosphoric acid liquid can be controlled.

第1燐酸供給部116bは、第1貯留槽112に燐酸液を供給する。典型的には第1貯留槽112に第1燐酸液を貯留する際に、第1燐酸供給部116bは、第1貯留槽112に燐酸液を供給する。 The first phosphoric acid supply unit 116b supplies phosphoric acid solution to the first storage tank 112 . Typically, when the first phosphoric acid solution is stored in the first storage tank 112 , the first phosphoric acid supply unit 116 b supplies the first phosphoric acid solution to the first storage tank 112 .

第1ガス供給部116cは、第1貯留槽112にガスを供給する。例えば、第1ガス供給部116cは、第1貯留槽112に窒素ガスを供給する。 The first gas supply unit 116 c supplies gas to the first storage tank 112 . For example, the first gas supply unit 116 c supplies nitrogen gas to the first storage tank 112 .

例えば、第1貯留槽112内の燐酸液の比重は、第1計測部114の計測結果に基づいて、第1水供給部116aから供給される水の量および/または第1燐酸供給部116bから供給される燐酸の量を制御することで制御される。 For example, the specific gravity of the phosphoric acid solution in the first storage tank 112 is based on the measurement result of the first measurement unit 114, and the amount of water supplied from the first water supply unit 116a and/or the amount of water supplied from the first phosphoric acid supply unit 116b It is controlled by controlling the amount of phosphoric acid supplied.

第1貯留槽112は、本体槽112aと、循環槽112bとを有する。循環槽112bは、本体槽112aに隣接して配置されている。本体槽112aは、循環槽112bから溢れる燐酸液が流れ込むように配置される。本体槽112aの容積は、循環槽112bの容積よりも大きい。 The first storage tank 112 has a main body tank 112a and a circulation tank 112b. The circulation bath 112b is arranged adjacent to the main bath 112a. The main bath 112a is arranged so that the phosphoric acid solution overflowing from the circulation bath 112b flows into it. The volume of the main body tank 112a is larger than the volume of the circulation tank 112b.

循環槽112bには、循環配管113aの先端が位置している。循環配管113aを通過した燐酸液は、第1貯留槽112の循環槽112bに戻り、循環槽112bから溢れて本体槽112aに達し、再び、第1配管113を通過する。また、循環槽112bには、第1計測部114が取り付けられる。 The tip of the circulation pipe 113a is located in the circulation tank 112b. After passing through the circulation pipe 113a, the phosphoric acid solution returns to the circulation tank 112b of the first storage tank 112, overflows the circulation tank 112b, reaches the main tank 112a, and passes through the first pipe 113 again. Moreover, the 1st measurement part 114 is attached to the circulation tank 112b.

第1貯留部110は、液面センサ114aをさらに備えてもよい。液面センサ114aは、第1貯留槽112内の燐酸液の液面の高さを検知する。 The first reservoir 110 may further include a liquid level sensor 114a. The liquid level sensor 114 a detects the height of the liquid level of the phosphoric acid solution in the first storage tank 112 .

第2貯留部120は、第1貯留部110に対応する構成を有している。第2貯留部120は、第2貯留槽122と、第2配管123と、第2計測部124と、ポンプ125aと、ヒータ125bと、フィルタ125cと、バルブ125dと、バルブ125eと、第2水供給部126aと、第2燐酸供給部126bと、第2ガス供給部126cとを含む。冗長な説明を避けるために第2貯留部120についての重複する記載を省略する。 The second reservoir 120 has a configuration corresponding to that of the first reservoir 110 . The second storage unit 120 includes a second storage tank 122, a second pipe 123, a second measurement unit 124, a pump 125a, a heater 125b, a filter 125c, a valve 125d, a valve 125e, and a second water It includes a supply 126a, a second phosphoric acid supply 126b, and a second gas supply 126c. Duplicate descriptions of the second reservoir 120 are omitted to avoid redundant description.

第2貯留部120の第2配管123は、第2貯留槽122と第1貯留槽112とを連絡する。また、バルブ125dは、第2貯留槽122から第1貯留槽112に向かう燐酸液の流れを制御する。バルブ125dが開くことにより、燐酸液は、第1貯留槽112に向かって流れる。バルブ125dが閉じることにより、燐酸液は、第2貯留部120から第1貯留部110に向かって流れなくなる。 A second pipe 123 of the second reservoir 120 connects the second reservoir 122 and the first reservoir 112 . Also, the valve 125 d controls the flow of the phosphoric acid solution from the second storage tank 122 toward the first storage tank 112 . The phosphoric acid solution flows toward the first storage tank 112 by opening the valve 125d. By closing the valve 125 d , the phosphoric acid solution stops flowing from the second reservoir 120 toward the first reservoir 110 .

また、バルブ125eが開くことにより、燐酸液は、第2貯留槽122に向かって流れるため、燐酸液を循環できる。バルブ125eが閉じることにより、燐酸液の循環が停止される。 Further, the phosphoric acid solution flows toward the second storage tank 122 by opening the valve 125e, so that the phosphoric acid solution can be circulated. The circulation of the phosphoric acid solution is stopped by closing the valve 125e.

例えば、バルブ125dが閉じた状態でバルブ125eが開いていることにより、第2貯留部120の燐酸液は、循環配管123aを介して循環する。このとき、ヒータ125bが循環する燐酸液を加熱することにより、第2貯留部120の燐酸液を所定の温度に設定できる。 For example, by opening the valve 125e while the valve 125d is closed, the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 circulates through the circulation pipe 123a. At this time, the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 can be set to a predetermined temperature by heating the circulating phosphoric acid solution with the heater 125b.

また、バルブ125dおよびバルブ125eが開いていることにより、第2貯留部120の燐酸液は、循環配管123aを介して循環するとともに第2配管123を介して第1貯留部110に供給される。このため、第2貯留部120は、第1貯留部110の燐酸液を補充できる。 Further, since the valves 125d and 125e are open, the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 is circulated through the circulation pipe 123a and supplied to the first reservoir 110 through the second pipe 123. FIG. Therefore, the second reservoir 120 can replenish the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 .

また、第2配管123は、途中で第2貯留槽122に戻る循環配管123aを有する。さらに、第2貯留部120は、基板処理部210と第2貯留槽122とを連絡する戻り配管123bを有する。戻り配管123bには、基板処理部210においてカップ126によって回収された処理液が流れる。戻り配管123bを通過する処理液は、第2貯留槽122の本体槽122aに戻る。 In addition, the second pipe 123 has a circulation pipe 123a that returns to the second storage tank 122 on the way. Furthermore, the second reservoir 120 has a return pipe 123 b that connects the substrate processing part 210 and the second reservoir 122 . The processing liquid collected by the cup 126 in the substrate processing section 210 flows through the return pipe 123b. The processing liquid passing through the return pipe 123 b returns to the main tank 122 a of the second storage tank 122 .

処理液調製装置100は、制御部104と、記憶部106とをさらに備える。制御部104は、プロセッサを含む。プロセッサは、例えば、中央処理演算機(Central Processing Unit:CPU)を有する。または、プロセッサは汎用演算機を有してもよい。例えば、制御部104は、第1貯留部110の第1計測部114、液面センサ114a、ポンプ115a、ヒータ115b、フィルタ115c、バルブ115d、バルブ115e、第1水供給部116a、第1燐酸供給部116bおよび第1ガス供給部116cを制御する。また、制御部104は、第2貯留部120の第2計測部124、液面センサ124a、ポンプ125a、ヒータ125b、フィルタ125c、バルブ125d、バルブ125e、第2水供給部126a、第2燐酸供給部126bおよび第2ガス供給部126cを制御する。 The treatment liquid preparation apparatus 100 further includes a control section 104 and a storage section 106 . Control unit 104 includes a processor. A processor has a central processing unit (Central Processing Unit: CPU), for example. Alternatively, the processor may comprise a general purpose computing machine. For example, the control unit 104 controls the first measurement unit 114 of the first storage unit 110, the liquid level sensor 114a, the pump 115a, the heater 115b, the filter 115c, the valve 115d, the valve 115e, the first water supply unit 116a, the first phosphoric acid supply It controls the section 116b and the first gas supply section 116c. In addition, the control unit 104 controls the second measurement unit 124 of the second storage unit 120, the liquid level sensor 124a, the pump 125a, the heater 125b, the filter 125c, the valve 125d, the valve 125e, the second water supply unit 126a, the second phosphoric acid supply unit. It controls the portion 126b and the second gas supply portion 126c.

記憶部106は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。記憶部106は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび/またはハードディスクドライブである。記憶部106はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部104は、記憶部106の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、処理液調製方法を実行する。 Storage unit 106 stores data and computer programs. Storage unit 106 includes a main storage device and an auxiliary storage device. The main storage device is, for example, a semiconductor memory. Auxiliary storage devices are, for example, semiconductor memories and/or hard disk drives. Storage unit 106 may include removable media. The control unit 104 executes the computer program stored in the storage unit 106 to execute the treatment liquid preparation method.

なお、記憶部106には、予め手順の定められたコンピュータプログラムが記憶されており、処理液調製装置100は、コンピュータプログラムに定められた手順に従って動作する。 A computer program having a predetermined procedure is stored in the storage unit 106, and the processing liquid preparation apparatus 100 operates according to the procedure determined by the computer program.

なお、基板処理部210は、配管213と、バルブ213aと、配管215と、バルブ215aとをさらに備える。配管213は、第1貯留部110の第1配管113と、チャンバー212とを接続する。バルブ213aは、配管213に配置される。バルブ213aは、配管213内の燐酸液の流れを制御する。バルブ213aが開くことにより、燐酸液は、チャンバー212に向かってノズル216を介して基板Wに吐出される。バルブ213aが閉じることにより、燐酸液は、チャンバー212に向かって流れなくなる。 The substrate processing section 210 further includes a pipe 213, a valve 213a, a pipe 215, and a valve 215a. A pipe 213 connects the first pipe 113 of the first reservoir 110 and the chamber 212 . A valve 213 a is arranged in the pipe 213 . A valve 213 a controls the flow of the phosphoric acid solution in the pipe 213 . The phosphoric acid solution is discharged onto the substrate W through the nozzle 216 toward the chamber 212 by opening the valve 213a. By closing valve 213 a , the phosphoric acid solution stops flowing toward chamber 212 .

配管215は、チャンバー212と、第2貯留部120の戻り配管123bとを接続する。バルブ215aは、配管215に配置される。バルブ215aは、配管215内の燐酸液の流れを制御する。バルブ215aが開くことにより、燐酸液は、チャンバー212から第2貯留部120に向かって流れる。バルブ215aが閉じることにより、燐酸液は、第2貯留部120に向かって流れなくなる。 A pipe 215 connects the chamber 212 and the return pipe 123 b of the second reservoir 120 . A valve 215 a is arranged in the pipe 215 . Valve 215 a controls the flow of phosphoric acid solution in line 215 . The phosphoric acid solution flows from the chamber 212 toward the second reservoir 120 by opening the valve 215a. Closing the valve 215 a stops the phosphoric acid from flowing toward the second reservoir 120 .

また、基板処理部210は、制御部204と、記憶部206とをさらに備える。制御部204は、プロセッサを含む。プロセッサは、例えば、中央処理演算機(Central Processing Unit:CPU)を有する。または、プロセッサは汎用演算機を有してもよい。例えば、制御部204は、バルブ213a、基板保持部214、バルブ215aおよびノズル216を制御する。 Further, the substrate processing section 210 further includes a control section 204 and a storage section 206 . Control unit 204 includes a processor. A processor has a central processing unit (Central Processing Unit: CPU), for example. Alternatively, the processor may comprise a general purpose computing machine. For example, the controller 204 controls the valve 213a, the substrate holder 214, the valve 215a and the nozzle 216. FIG.

記憶部206は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。記憶部206は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび/またはハードディスクドライブである。記憶部206はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部104は、記憶部206の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理方法を実行する。 Storage unit 206 stores data and computer programs. Storage unit 206 includes a main storage device and an auxiliary storage device. The main storage device is, for example, a semiconductor memory. Auxiliary storage devices are, for example, semiconductor memories and/or hard disk drives. Storage unit 206 may include removable media. The control unit 104 executes the computer program stored in the storage unit 206 to execute the substrate processing method.

記憶部206には、予め手順の定められたコンピュータプログラムが記憶されており、基板処理部210は、コンピュータプログラムに定められた手順に従って動作する。 A computer program having a predetermined procedure is stored in the storage unit 206, and the substrate processing unit 210 operates according to the procedure defined in the computer program.

なお、制御部104と、記憶部106と、制御部204と、記憶部206とは、一体的に構成されてもよい。例えば、制御部104と、記憶部106と、制御部204と、記憶部206とは、一体的に構成されて装置制御部201として基板処理装置200を制御してもよい。 Note that the control unit 104, the storage unit 106, the control unit 204, and the storage unit 206 may be configured integrally. For example, the control unit 104 , the storage unit 106 , the control unit 204 , and the storage unit 206 may be configured integrally to control the substrate processing apparatus 200 as the apparatus control unit 201 .

本実施形態の処理液調製装置100において、記憶部106は、第1貯留部110の第1燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態であるときの第1計測部114の計測値を記憶する。第1燐酸液が境界状態であるときの計測部の計測値は、第1燐酸液固有の基準状態として利用可能である。このため、第1計測部114の計測値を利用することで、第1燐酸液を他の燐酸液と同じ状態に較正できる。例えば、第1計測部114の計測値を利用することで、第1貯留部110の第1燐酸液を第2貯留部120の第2燐酸液と同じ状態に調製できる。 In the processing liquid preparation apparatus 100 of the present embodiment, the storage unit 106 stores the measurement value of the first measurement unit 114 when the first phosphoric acid solution in the first reservoir 110 is in the boundary state between the bumping state and the non-bumping state. Remember. The measured value of the measuring unit when the first phosphoric acid solution is in the boundary state can be used as a reference state unique to the first phosphoric acid solution. Therefore, by using the measured value of the first measuring unit 114, the first phosphoric acid solution can be calibrated to the same state as the other phosphoric acid solutions. For example, the first phosphoric acid solution in the first reservoir 110 can be prepared in the same state as the second phosphoric acid solution in the second reservoir 120 by using the measured value of the first measuring unit 114 .

また、記憶部106は、第2貯留部120の第2燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態であるときの第2計測部124の計測値を記憶する。第2燐酸液が境界状態であるときの計測部の計測値は、第2燐酸液固有の基準状態として利用可能である。このため、第2計測部124の計測値を利用することで、第2燐酸液を第1燐酸液と同じ状態に調製できる。 Further, the storage unit 106 stores the measured value of the second measurement unit 124 when the second phosphoric acid liquid in the second storage unit 120 is in the boundary state between the bumping state and the non-bumping state. The measurement value of the measuring unit when the second phosphoric acid solution is in the boundary state can be used as a reference state unique to the second phosphoric acid solution. Therefore, by using the measured value of the second measuring unit 124, the second phosphoric acid solution can be prepared in the same state as the first phosphoric acid solution.

上述したように、第1貯留部110および第2貯留部120の燐酸液は、ヒータ115bおよびヒータ125bによって加熱される。燐酸液の温度が一定である場合、燐酸液中の燐酸および水の比率に応じて、燐酸液の処理特性は異なる。燐酸液中の水成分が多いほど、燐酸液の比重が低くなる。また、燐酸液の温度が一定条件下にあれば、燐酸液中の水成分が多いほど、基板Wのエッチングレートを向上できる。また、燐酸液中の燐酸成分が多いほど、燐酸液の比重が高くなるとともに、燐酸液の温度を容易に上昇できる。なお、燐酸液の成分(または比重)が一定であれば、燐酸液の温度が高いほど基板Wのエッチングレートを向上できる。 As described above, the phosphoric acid solution in first reservoir 110 and second reservoir 120 is heated by heater 115b and heater 125b. Depending on the ratio of phosphoric acid and water in the phosphoric acid solution, the treatment characteristics of the phosphoric acid solution will differ if the temperature of the phosphoric acid solution is constant. The more the water component in the phosphoric acid solution, the lower the specific gravity of the phosphoric acid solution. Further, if the temperature of the phosphoric acid solution is kept constant, the more the water component in the phosphoric acid solution, the more the etching rate of the substrate W can be improved. Further, the more the phosphoric acid component in the phosphoric acid solution, the higher the specific gravity of the phosphoric acid solution and the easier it is to raise the temperature of the phosphoric acid solution. If the component (or specific gravity) of the phosphoric acid solution is constant, the higher the temperature of the phosphoric acid solution is, the more the etching rate of the substrate W can be improved.

次に、図1および図2を参照して、本実施形態の処理液調製装置100における第1貯留槽112への水の供給と、第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を説明する。図2(a)~図2(d)は、本実施形態の処理液調製装置100における第1貯留槽112への水の供給と、第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を示す模式図である。 Next, referring to FIGS. 1 and 2, in the processing liquid preparation apparatus 100 of the present embodiment, the value indicating the supply of water to the first storage tank 112, the specific gravity of the phosphoric acid solution in the first storage section 110, and the phosphoric acid Explain the state of the liquid. FIGS. 2(a) to 2(d) show the supply of water to the first storage tank 112 in the processing liquid preparation apparatus 100 of the present embodiment, and values indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the first storage section 110 and the phosphoric acid concentration. It is a schematic diagram which shows the state of a liquid.

なお、図2(a)~図2(d)では、燐酸液の温度は一定に維持している。例えば、燐酸液の温度は、130℃以上180℃以下である。また、燐酸液の状態は、第1配管113の一部において観察できる。燐酸液の状態は、第1配管113の一部で目視にて確認してもよい。 Note that the temperature of the phosphoric acid solution is kept constant in FIGS. 2(a) to 2(d). For example, the temperature of the phosphoric acid solution is 130° C. or higher and 180° C. or lower. Also, the state of the phosphoric acid solution can be observed in a portion of the first pipe 113 . The state of the phosphoric acid solution may be visually checked at a portion of the first pipe 113 .

図2(a)に示すように、第1水供給部116aから第1貯留槽112に比較的多くの水が供給されると、燐酸液の水成分が比較的多くなる。この場合、第1計測部114は、第1燐酸液の比重として比較的低い値を計測する。ここでは、計測値は33.9である。このとき、第1燐酸液は沸騰しており、部分的に気化している。 As shown in FIG. 2A, when a relatively large amount of water is supplied from the first water supply section 116a to the first storage tank 112, the water component of the phosphoric acid solution becomes relatively large. In this case, the first measuring unit 114 measures a relatively low value as the specific gravity of the first phosphoric acid solution. Here, the measured value is 33.9. At this time, the first phosphoric acid solution is boiling and partially vaporized.

図2(b)に示すように、第1水供給部116aから第1貯留槽112に供給される水の量を若干減少させると、燐酸液の水成分がやや少なくなる。この場合、第1計測部114は、第1燐酸液の比重としてやや高い値を計測する。ここでは、計測値は34.0である。このときも、第1燐酸液は沸騰しており、部分的に気化している。 As shown in FIG. 2B, when the amount of water supplied from the first water supply part 116a to the first storage tank 112 is slightly reduced, the water component of the phosphoric acid solution is slightly reduced. In this case, the first measuring unit 114 measures a slightly high value as the specific gravity of the first phosphoric acid solution. Here, the measured value is 34.0. At this time, the first phosphoric acid solution is still boiling and partially vaporized.

図2(c)に示すように、第1水供給部116aから第1貯留槽112に供給される水の量をさらに減少させると、燐酸液の水成分がさらに少なくなる。この場合、第1計測部114は、第1燐酸液の比重としてさらに高い値を計測する。ここでは、計測値は34.1である。このときも、第1燐酸液は沸騰しており、部分的に気化している。 As shown in FIG. 2(c), if the amount of water supplied from the first water supply part 116a to the first storage tank 112 is further reduced, the water component of the phosphoric acid solution is further reduced. In this case, the first measuring unit 114 measures a higher value as the specific gravity of the first phosphoric acid solution. Here, the measured value is 34.1. At this time, the first phosphoric acid solution is still boiling and partially vaporized.

図2(d)に示すように、第1水供給部116aから第1貯留槽112に供給される水の量をさらに減少させると、燐酸液の水成分がさらに少なくなる。この場合、第1計測部114は、第1貯留部110の燐酸液の比重はさらに高い値を計測する。ここでは、計測値は34.2である。このとき、第1燐酸液は沸騰せずに透明なままである。 As shown in FIG. 2(d), if the amount of water supplied from the first water supply part 116a to the first storage tank 112 is further reduced, the water component of the phosphoric acid solution is further reduced. In this case, the first measurement unit 114 measures a higher value for the specific gravity of the phosphoric acid solution in the first storage unit 110 . Here, the measured value is 34.2. At this time, the first phosphoric acid solution remains transparent without boiling.

図2(a)~図2(d)を参照した説明から理解されるように、燐酸液の温度が一定であっても、燐酸液の成分の変化とともに燐酸液の比重とともに燐酸液の状態が変化する。詳細には、燐酸液の水分が少ないほど、燐酸液の比重が増加し、燐酸液は沸騰しにくい。 As can be understood from the description with reference to FIGS. 2(a) to 2(d), even if the temperature of the phosphoric acid solution is constant, the specific gravity of the phosphoric acid solution and the state of the phosphoric acid solution change as the components of the phosphoric acid solution change. Change. Specifically, the lower the water content of the phosphoric acid solution, the higher the specific gravity of the phosphoric acid solution, and the harder the phosphoric acid solution is to boil.

図1を参照して説明したように、処理液調製装置100では、第1計測部114は第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値を計測し、第2計測部124は第2貯留部120の燐酸液の比重を示す値を計測する。ただし、第1計測部114および第2計測部124には機器ごとに差があるため、仮に、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液の比重が等しい場合でも、第1計測部114の計測結果が第2計測部124の計測結果と等しくならないことがある。反対に、第1計測部114の計測結果が第2計測部124の計測結果と等しくても、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液の比重が等しくないことがある。この場合、第1計測部114の計測値および第2計測部124の計測値が互いに整合するように第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液を調製しても、第1燐酸液の比重は第2燐酸液の比重とは異なることになる。このように、比重の異なる2つの燐酸液を混合すると、燐酸液の比重は当初の予定した比重とは異なることになり、処理液の処理特性が変化してしまう。 As described with reference to FIG. 1, in the treatment liquid preparation apparatus 100, the first measurement unit 114 measures a value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the first reservoir 110, and the second measurement unit 124 measures the value of the second reservoir. A value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the portion 120 is measured. However, since the first measuring unit 114 and the second measuring unit 124 differ from device to device, even if the phosphoric acid solution in the first storage unit 110 and the phosphoric acid solution in the second storage unit 120 have the same specific gravity, the The measurement result of the first measurement unit 114 may not be equal to the measurement result of the second measurement unit 124 . Conversely, even if the measurement result of the first measurement unit 114 is equal to the measurement result of the second measurement unit 124, the specific gravities of the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 and the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 may not be the same. . In this case, even if the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 and the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 are prepared so that the measured value of the first measuring unit 114 and the measured value of the second measuring unit 124 match each other, The specific gravity of one phosphoric acid solution will be different from the specific gravity of the second phosphoric acid solution. If two phosphoric acid solutions having different specific gravities are mixed in this way, the specific gravity of the phosphoric acid solution will be different from the originally planned specific gravity, and the treatment characteristics of the treatment solution will change.

次に、図1~図3を参照して、本実施形態にしたがって処理液を調製する前の処理液調製装置100の制御を説明する。図3(a)~図3(d)は、第1貯留槽112および第2貯留槽122への水の供給と、第1貯留部110および第2貯留部120の燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を示す模式図である。 Next, control of the processing liquid preparing apparatus 100 before preparing a processing liquid according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG. FIGS. 3(a) to 3(d) show values indicating the supply of water to the first reservoir 112 and the second reservoir 122 and the specific gravity of the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 and the second reservoir 120. and a schematic diagram showing the state of the phosphoric acid solution.

図3(a)に示すように、第1計測部114の計測値が第2計測部124の計測値がいずれも同じ値(33.9)になるように第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を制御する。この場合、第1配管113を流れる燐酸液および第2配管123を流れる燐酸液はいずれも激しく突沸している。配管のうちの側方には気泡が形成されており、配管の中央のみに燐酸液が流れる。このとき、第1燐酸液および第2燐酸液は、いずれも図2(a)に示した状態に相当する。 As shown in FIG. 3A, the first water supply unit 116a and the second water supply unit 116a and the second water supply unit 116a and the second water supply unit 116a are adjusted so that the measurement value of the first measurement unit 114 and the measurement value of the second measurement unit 124 are the same value (33.9). Controls the amount of water from the water supply 126a. In this case, both the phosphoric acid liquid flowing through the first pipe 113 and the phosphoric acid liquid flowing through the second pipe 123 are violently bumping. Bubbles are formed on the sides of the pipe, and the phosphoric acid solution flows only in the center of the pipe. At this time, both the first phosphoric acid solution and the second phosphoric acid solution correspond to the state shown in FIG. 2(a).

図3(b)に示すように、第1計測部114の計測値および第2計測部124の計測値がいずれも同じ値(34.0)になるように第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量が減少するように制御する。この場合、第1配管113を流れる燐酸液および第2配管123を流れる燐酸液はいずれも突沸している。ただし、第1配管113を流れる燐酸液の突沸は比較的激しいのに対して、第2配管123を流れる燐酸液の突沸は比較的弱い。このとき、第1燐酸液は、図2(b)に示した状態に相当し、第2燐酸液は、図2(c)に示した状態に相当する。 As shown in FIG. 3B, the first water supply unit 116a and the second water supply unit 116a and the second water supply unit 116a are adjusted so that the measurement value of the first measurement unit 114 and the measurement value of the second measurement unit 124 are both the same value (34.0). Control is performed so that the amount of water from the water supply unit 126a is reduced. In this case, both the phosphoric acid liquid flowing through the first pipe 113 and the phosphoric acid liquid flowing through the second pipe 123 are bumping. However, the bumping of the phosphoric acid liquid flowing through the first pipe 113 is relatively strong, whereas the bumping of the phosphoric acid liquid flowing through the second pipe 123 is relatively weak. At this time, the first phosphoric acid solution corresponds to the state shown in FIG. 2(b), and the second phosphoric acid solution corresponds to the state shown in FIG. 2(c).

図3(c)に示すように、第1計測部114の計測値および第2計測部124の計測値がいずれも同じ値(34.1)になるように第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量が減少するように制御する。この場合、第1配管113を流れる燐酸液は依然として突沸した状態であるのに対して第2配管123を流れる燐酸液は突沸していない。このとき、第1燐酸液は、図2(c)に示した状態に相当し、第2燐酸液は、図2(d)に示した状態に相当する。 As shown in FIG. 3(c), the first water supply section 116a and the second Control is performed so that the amount of water from the water supply unit 126a is reduced. In this case, the phosphoric acid liquid flowing through the first pipe 113 is still bumping, whereas the phosphoric acid liquid flowing through the second pipe 123 is not bumping. At this time, the first phosphoric acid solution corresponds to the state shown in FIG. 2(c), and the second phosphoric acid solution corresponds to the state shown in FIG. 2(d).

図3(d)に示すように、第1計測部114の計測値および第2計測部124の計測値がいずれも同じ値(34.2)になるように第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量が減少するように制御する。この場合、第1配管113を流れる燐酸液および第2配管123を流れる燐酸液はいずれも突沸しない。このとき、第1燐酸液および第2燐酸液は、いずれも図2(d)に示した状態に相当する。 As shown in FIG. 3(d), the first water supply unit 116a and the second water supply unit 116a and the second Control is performed so that the amount of water from the water supply unit 126a is reduced. In this case, neither the phosphoric acid liquid flowing through the first pipe 113 nor the phosphoric acid liquid flowing through the second pipe 123 bumps. At this time, both the first phosphoric acid solution and the second phosphoric acid solution correspond to the state shown in FIG. 2(d).

図3(a)~図3(d)を参照して説明したように、第1計測部114の計測値および第2計測部124の計測値が等しくなるように第1貯留槽112および第2貯留槽122を制御しても、第1燐酸液および第2燐酸液は異なる状態になる。これは、第1計測部114と第2計測部124との間の機器間差によるものである。このため、第1計測部114の計測結果と第2計測部124nの計測結果とが整合するように第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を制御しても、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液の比重を揃えることはできない。 As described with reference to FIGS. 3( a ) to 3 ( d ), the first storage tank 112 and the second storage tank 112 and the second storage tank 112 are adjusted so that the measurement value of the first measurement unit 114 and the measurement value of the second measurement unit 124 are equal. Even if the storage tank 122 is controlled, the first phosphoric acid solution and the second phosphoric acid solution are in different states. This is due to the inter-device difference between the first measurement unit 114 and the second measurement unit 124 . Therefore, even if the amount of water from the first water supply unit 116a and the second water supply unit 126a is controlled so that the measurement result of the first measurement unit 114 and the measurement result of the second measurement unit 124n match, The phosphoric acid solution in the first reservoir 110 and the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 cannot have the same specific gravity.

本実施形態の処理液調製装置100では、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液を共通の状態に設定した状態で、第1計測部114が第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値を計測するとともに、第2計測部124が第2貯留部120の燐酸液の比重を示す値を計測する。これらの比重は、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液を共通の状態を示すものであるため、第1計測部114と第2計測部124との間の機器間差の影響を受けない。その後、これらの計測結果を基準として、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液を調製することが好ましい。 In the processing liquid preparation apparatus 100 of the present embodiment, the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 and the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 are set to a common state, and the first measurement unit 114 measures the The value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution is measured, and the second measurement unit 124 measures the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 . Since these specific gravities indicate the common state of the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 and the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 , not affected by differences. After that, it is preferable to prepare the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 and the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 based on these measurement results.

次に、図1~図4を参照して、本実施形態の処理液調製方法を説明する。図4(a)~図4(c)は、本実施形態の処理液調製装置100における第1貯留槽112および第2貯留槽122への水の供給、第1貯留部110および第2貯留部120の燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を示す模式図である。本実施形態では、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液をいずれも突沸状態と非突沸状態との境界状態に設定した状態で、第1計測部114は第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値を計測し、第2計測部124は第2貯留部120の燐酸液の比重を示す値を計測する。典型的には、この状態において、第1計測部114の計測値は、第2計測部124の計測値とは異なる。 Next, referring to FIGS. 1 to 4, the processing liquid preparation method of this embodiment will be described. 4(a) to 4(c) show the supply of water to the first reservoir 112 and the second reservoir 122, the first reservoir 110 and the second reservoir in the treatment liquid preparation apparatus 100 of this embodiment. 12 is a schematic diagram showing a value indicating the specific gravity of a phosphoric acid solution of 120 and the state of the phosphoric acid solution. FIG. In this embodiment, the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 and the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 are both set to the boundary state between the bumping state and the non-bumping state. A value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the portion 110 is measured, and the second measuring portion 124 measures a value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the second storage portion 120 . Typically, in this state, the measured value of the first measuring section 114 is different from the measured value of the second measuring section 124 .

図4(a)に示すように、第1貯留部110の燐酸液の状態が第2貯留部120の燐酸液の状態とほぼ等しくなるように、第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を制御する。ここでは、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液のいずれもが、突沸状態と非突沸状態との境界のうちの突沸状態になるように第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を制御する。このとき、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液は、図2(c)に示したように、若干突沸している。 As shown in FIG. 4(a), the first water supply section 116a and the second water supply section 116a and the second water supply section are arranged so that the state of the phosphoric acid solution in the first storage section 110 is approximately equal to the state of the phosphoric acid liquid in the second storage section 120. As shown in FIG. Controls the amount of water from 126a. Here, the first water supply section 116a and the first water supply section 116a and the The amount of water from the second water supply section 126a is controlled. At this time, the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 and the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 are slightly bumped as shown in FIG. 2(c).

例えば、図4(a)において、第1計測部114によって計測された第1貯留部110の計測値は34.1であり、第2計測部124によって計測された第1貯留部110の計測値は34.0である。 For example, in FIG. 4A, the measured value of the first reservoir 110 measured by the first measuring unit 114 is 34.1, and the measured value of the first reservoir 110 measured by the second measuring unit 124 is 34.1. is 34.0.

また、図4(b)に示すように、第1貯留部110の燐酸液の状態が第2貯留部120の燐酸液の状態とほぼ等しくなるように、第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を制御する。ここでは、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液のいずれもが、突沸状態と非突沸状態との境界のうちの非突沸状態になるように第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を制御する。このとき、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液は、図2(d)に示したように、突沸していない。 Moreover, as shown in FIG. 4(b), the first water supply part 116a and the second water supply part 116a and the second water supply part 116a are adjusted so that the state of the phosphoric acid solution in the first storage part 110 becomes substantially equal to the state of the phosphoric acid solution in the second storage part 120. As shown in FIG. Controls the amount of water from supply 126a. Here, the first water supply part 116a is set so that both the phosphoric acid solution in the first storage part 110 and the phosphoric acid solution in the second storage part 120 are in the non-bumping state on the boundary between the bumping state and the non-bumping state. and the amount of water from the second water supply section 126a. At this time, the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 and the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 are not bumped as shown in FIG. 2(d).

例えば、図4(b)において、第1計測部114によって計測された第1燐酸液の比重を示す値は34.2であり、第2計測部124によって計測された第2燐酸液の比重を示す値は34.1である。 For example, in FIG. 4B, the value indicating the specific gravity of the first phosphoric acid solution measured by the first measuring unit 114 is 34.2, and the specific gravity of the second phosphoric acid solution measured by the second measuring unit 124 is 34.2. The value shown is 34.1.

なお、第1貯留部110の燐酸液の調製条件では、第1計測部114の計測値が34.1と34.2との間である場合、第1貯留部110の燐酸液は、突沸状態と非突沸状態との境界状態となる。このとき、第1燐酸液の状態は、第2燐酸液の状態と等しい。したがって、記憶部106(図1)は、第1計測部114の計測値から、第1貯留部110の基準値として34.2を記憶する。また、記憶部106(図1)は、第2計測部124の計測値から、第2貯留部120の基準値として34.1を記憶する。 According to the preparation conditions of the phosphoric acid liquid in the first storage section 110, when the measured value of the first measurement section 114 is between 34.1 and 34.2, the phosphoric acid liquid in the first storage section 110 is in a bumping state. and the non-bumping state. At this time, the state of the first phosphoric acid solution is the same as the state of the second phosphoric acid solution. Therefore, storage unit 106 (FIG. 1) stores 34.2 as the reference value for first storage unit 110 from the measurement value of first measurement unit 114 . Further, the storage unit 106 (FIG. 1) stores 34.1 as the reference value of the second storage unit 120 from the measured value of the second measurement unit 124 .

なお、実際に基板処理部210で用いる燐酸液の比重は、基準値に対応する比重よりも高いことが好ましい。これにより、基板処理部210の温度が多少低くても、燐酸液が気化して処理液に泡が発生することを抑制できる。 The specific gravity of the phosphoric acid solution actually used in the substrate processing section 210 is preferably higher than the specific gravity corresponding to the reference value. As a result, even if the temperature of the substrate processing section 210 is somewhat low, it is possible to prevent the phosphoric acid liquid from vaporizing and generating bubbles in the processing liquid.

図4(c)に示すように、第1計測部114の計測値および第2計測部124の計測値は、いずれも基準値から所定値だけ比重が増加するように、第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量が減少するように制御する。ここでは、所定値は0.3である。このため、第1計測部114の計測値は34.5であり、第2計測部124の計測値は34.4である。以上のように、基板処理に用いる燐酸液の計測値は、燐酸液の較正の基準となる基準値とは異なってもよい。 As shown in FIG. 4(c), both the measured value of the first measuring unit 114 and the measured value of the second measuring unit 124 are measured by the first water supply unit 116a so that the specific gravity is increased by a predetermined value from the reference value. and the amount of water from the second water supply unit 126a is controlled to decrease. Here, the predetermined value is 0.3. Therefore, the measured value of the first measuring unit 114 is 34.5, and the measured value of the second measuring unit 124 is 34.4. As described above, the measured value of the phosphoric acid solution used for substrate processing may differ from the reference value that serves as the standard for calibration of the phosphoric acid solution.

なお、第1貯留部110の燐酸液に供給する際の第1計測部114の計測値は、基板処理部210を流れる燐酸液を観察して決定することが好ましい。 The measurement value of the first measurement unit 114 when supplying the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 is preferably determined by observing the phosphoric acid solution flowing through the substrate processing unit 210 .

以下、図5を参照して本実施形態の基板処理装置200における燐酸液の調製について説明する。図5(a)~図5(c)は、基板処理装置200の模式図である。なお、図5(a)~図5(c)は、図1の基板処理装置200の一部を示す模式図である。ここでは、基板処理部210を流れる燐酸液の状態を確認する。例えば、基板処理部210におけるノズル216を通過する直前の燐酸液の状態を確認する。 Hereinafter, preparation of the phosphoric acid solution in the substrate processing apparatus 200 of this embodiment will be described with reference to FIG. 5A to 5C are schematic diagrams of the substrate processing apparatus 200. FIG. 5(a) to 5(c) are schematic diagrams showing a part of the substrate processing apparatus 200 of FIG. Here, the state of the phosphoric acid solution flowing through the substrate processing section 210 is checked. For example, the state of the phosphoric acid solution immediately before passing through the nozzle 216 in the substrate processing section 210 is checked.

図5(a)に示すように、第1計測部114の計測値が第1基準値(34.2)である場合、第1燐酸液は非突沸状態である。ここでは、第1貯留部110の燐酸液は突沸していないのに対して、基板処理部210の燐酸液は突沸している。第1貯留部110の燐酸液は、図2(d)に示した状態に相当し、基板処理部210の燐酸液は、図2(b)に示した状態に相当する。この場合、第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値がさらに増加するように第1水供給部116aからの水の量を減少する。 As shown in FIG. 5A, when the measured value of the first measuring unit 114 is the first reference value (34.2), the first phosphoric acid liquid is in a non-bumping state. Here, the phosphoric acid liquid in the first reservoir 110 is not bumping, whereas the phosphoric acid liquid in the substrate processing section 210 is bumping. The phosphoric acid solution in the first reservoir 110 corresponds to the state shown in FIG. 2(d), and the phosphoric acid solution in the substrate processing part 210 corresponds to the state shown in FIG. 2(b). In this case, the amount of water from the first water supply part 116a is decreased so that the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the first storage part 110 further increases.

図5(b)に示すように、第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値がさらに増加して、第1計測部114の計測値が34.4である場合、第1貯留部110の燐酸液は突沸していないのに対して基板処理部210の燐酸液の突沸の程度は減少したが、基板処理部210の燐酸液は突沸状態のままである。第1貯留部110の燐酸液は、図2(d)に示した状態に相当し、基板処理部210の燐酸液は、図2(c)に示した状態に相当する。この場合、第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値がさらに増加するように第1水供給部116aからの水の量を減少する。 As shown in FIG. 5B, when the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in first reservoir 110 further increases and the measured value of first measurement unit 114 is 34.4, first reservoir 110 Although the degree of bumping of the phosphoric acid liquid in the substrate processing section 210 has decreased, the phosphoric acid liquid in the substrate processing section 210 remains in a bumping state. The phosphoric acid solution in the first reservoir 110 corresponds to the state shown in FIG. 2(d), and the phosphoric acid solution in the substrate processing part 210 corresponds to the state shown in FIG. 2(c). In this case, the amount of water from the first water supply part 116a is decreased so that the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the first storage part 110 further increases.

図5(c)に示すように、第1計測部114の計測値が第1基準値(34.5)である場合、第1貯留部110の第1燐酸液は非突沸状態であるとともに基板処理部210の燐酸液は非突沸状態になる。第1貯留部110の燐酸液は、図2(d)に示した状態に相当し、基板処理部210の燐酸液は、図2(d)に示した状態に相当する。このように、第1貯留部110の第1燐酸液は、基板処理部210の燐酸液が非突沸状態になるように調製されることが好ましい。 As shown in FIG. 5C, when the measured value of the first measurement unit 114 is the first reference value (34.5), the first phosphoric acid liquid in the first reservoir 110 is in a non-bumping state and the substrate The phosphoric acid solution in the processing section 210 is in a non-bumping state. The phosphoric acid solution in the first reservoir 110 corresponds to the state shown in FIG. 2(d), and the phosphoric acid solution in the substrate processing part 210 corresponds to the state shown in FIG. 2(d). As such, the first phosphoric acid solution in the first reservoir 110 is preferably prepared so that the phosphoric acid solution in the substrate processing part 210 is in a non-bumping state.

ただし、第1貯留部110の第1燐酸液の比重を示す値が高いほど、基板Wのエッチングレートが低下する。このため、第1貯留部110の第1燐酸液の比重を示す値は、基板処理部210の燐酸液が突沸しない範囲内で比較的低いことが好ましい。 However, the etching rate of the substrate W decreases as the value indicating the specific gravity of the first phosphoric acid solution in the first reservoir 110 increases. For this reason, the value indicating the specific gravity of the first phosphoric acid solution in the first reservoir 110 is preferably relatively low within a range in which the phosphoric acid solution in the substrate processing part 210 does not boil.

なお、図5(a)~図5(c)を参照した上述の説明では、基板処理部210の燐酸液としてノズル216を通過する直前の燐酸液の状態を観察したが、本実施形態はこれに限定されない。基板処理部210の燐酸液として配管213中の燐酸液の状態を観察してもよい。 In the above description with reference to FIGS. 5A to 5C, the state of the phosphoric acid liquid immediately before passing through the nozzle 216 as the phosphoric acid liquid in the substrate processing section 210 was observed. is not limited to As the phosphoric acid solution in the substrate processing section 210, the state of the phosphoric acid solution in the pipe 213 may be observed.

以下、図1~図6を参照して、本実施形態の処理液調製装置100のフローを説明する。図6は、処理液調製装置100のフローを説明するためのフロー図である。 The flow of the processing liquid preparation apparatus 100 of this embodiment will be described below with reference to FIGS. 1 to 6. FIG. FIG. 6 is a flowchart for explaining the flow of the processing liquid preparation apparatus 100. As shown in FIG.

ステップS102において、第1貯留部110の燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態になるように設定する。また、第2貯留部120の燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態になるように設定する。 In step S102, the phosphoric acid liquid in the first reservoir 110 is set to be in a boundary state between a bumping state and a non-bumping state. Also, the phosphoric acid liquid in the second reservoir 120 is set to be in a boundary state between a bumping state and a non-bumping state.

例えば、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液は、図4(a)に示したように、突沸状態と非突沸状態との境界のうちの突沸状態になるように第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を制御した後で、第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を減少させて、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液は、図4(b)に示したように、突沸状態と非突沸状態との境界のうちの非突沸状態になるように制御してもよい。あるいは、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液は、図4(b)に示したように、突沸状態と非突沸状態との境界のうちの非突沸状態になるように第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を制御した後で、第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を増加させて、図4(a)に示したように、突沸状態と非突沸状態との境界のうちの突沸状態になるように制御してもよい。 For example, the phosphoric acid liquid in the first storage section 110 and the phosphoric acid liquid in the second storage section 120 are arranged to be in the bumping state between the bumping state and the non-bumping state, as shown in FIG. After controlling the amount of water from the first water supply unit 116a and the second water supply unit 126a, the amount of water from the first water supply unit 116a and the second water supply unit 126a is reduced to the first storage The phosphoric acid solution in the portion 110 and the phosphoric acid solution in the second storage portion 120 may be controlled to be in the non-bumping state within the boundary between the bumping state and the non-bumping state, as shown in FIG. 4(b). good. Alternatively, the phosphoric acid liquid in the first storage section 110 and the phosphoric acid liquid in the second storage section 120 may be in a non-bumping state on the boundary between the bumping state and the non-bumping state, as shown in FIG. 4(b). After controlling the amount of water from the first water supply unit 116a and the second water supply unit 126a, the amount of water from the first water supply unit 116a and the second water supply unit 126a is increased to As shown in (a), it may be controlled to be in the bumping state on the boundary between the bumping state and the non-bumping state.

ステップS104において、第1貯留部110の燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態であるときに、第1計測部114が境界状態の燐酸液の比重を示す値を第1基準値として計測する。同様に、第2貯留部120の燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態であるときに、第2計測部124が境界状態の燐酸液の比重を示す値を第2基準値として計測する。 In step S104, when the phosphoric acid liquid in the first reservoir 110 is in the boundary state between the bumping state and the non-bumping state, the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid liquid in the boundary state obtained by the first measurement unit 114 is taken as the first reference value. measure. Similarly, when the phosphoric acid liquid in the second reservoir 120 is in the boundary state between the bumping state and the non-bumping state, the second measuring section 124 measures the specific gravity of the phosphoric acid liquid in the boundary state as the second reference value. do.

ステップS106において、記憶部106は、第1計測部114によって計測された比重を記憶する。また、記憶部106は、第2計測部124によって計測された比重を記憶する。 In step S<b>106 , the storage unit 106 stores the specific gravity measured by the first measurement unit 114 . The storage unit 106 also stores the specific gravity measured by the second measurement unit 124 .

ステップS108において、第1貯留部110は、第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値が第1基準値から所定値だけずれるように調製する。典型的には、第1貯留部110は、第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値が基準値から増大するように第1燐酸液を調製する。 In step S108, the first reservoir 110 is adjusted such that the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 deviates from the first reference value by a predetermined value. Typically, first reservoir 110 prepares the first phosphoric acid solution so that the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in first reservoir 110 increases from the reference value.

なお、調製後の計測値と基準値との差分が小さい場合、追加して供給される水の量が少ないため、燐酸液は高い温度を保つことができる。ただし、比重の計測値が基準値から所定値だけ増大するように燐酸液を調製するため、原則として、燐酸液には突沸は生じないが、意図せぬ要因による突沸の可能性をさらに低減させるために、差分はある程度大きいことが好ましい。 When the difference between the measured value after preparation and the reference value is small, the amount of additionally supplied water is small, so the phosphoric acid solution can be kept at a high temperature. However, since the phosphoric acid solution is prepared so that the measured value of specific gravity increases by a predetermined value from the reference value, bumping does not occur in the phosphoric acid solution in principle, but the possibility of bumping due to unintended factors is further reduced. Therefore, it is preferable that the difference is large to some extent.

また、第2貯留部120は、燐酸液の比重を示す値が第2基準値から所定値だけずれるように調製する。典型的には、第2貯留部120は、第2貯留部120の燐酸液の比重を示す値が基準値から増大するように燐酸液を調製する。 Also, the second reservoir 120 is prepared so that the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution is shifted from the second reference value by a predetermined value. Typically, the second reservoir 120 prepares the phosphoric acid solution so that the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 increases from the reference value.

以上のように、本実施形態によれば、第1貯留部110の燐酸液の比重を第2貯留部120の燐酸液の比重と揃えることができ、第1貯留部110の燐酸液を第2貯留部120の燐酸液と同様に較正できる。このため、第2貯留部120の燐酸液を第1貯留部110の燐酸液と混合させても、第1貯留部110の燐酸液の処理特性は変動せず、基板処理部210は、連続して安定的に基板Wを処理できる。 As described above, according to the present embodiment, the specific gravity of the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 can be made the same as the specific gravity of the phosphoric acid solution in the second reservoir 120, and the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 can be made to have the same specific gravity as the second reservoir. The phosphoric acid solution in reservoir 120 can be calibrated as well. Therefore, even if the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 is mixed with the phosphoric acid solution in the first reservoir 110, the processing characteristics of the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 do not change, and the substrate processing part 210 can be continuously operated. Therefore, the substrate W can be stably processed.

なお、図1に示した処理液調製装置100では、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液の状態は、目視にて確認したが、本実施形態はこれに限定されない。第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液の少なくとも一方の状態は撮像機器で確認されてもよい。 In the processing liquid preparation apparatus 100 shown in FIG. 1, the states of the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 and the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 were visually confirmed, but the present embodiment is not limited to this. . The state of at least one of the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 and the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 may be checked with an imaging device.

次に、図7を参照して、本実施形態の処理液調製装置100を備える基板処理装置200を説明する。図7は、基板処理装置200の模式図である。なお、図7に示した基板処理装置200は、処理液調製装置100が第1撮像部118および第2撮像部128をさらに備えることを除いて、図1を参照して上述した基板処理装置200と同様の構成を有している。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。 Next, a substrate processing apparatus 200 including the processing liquid preparation apparatus 100 of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a schematic diagram of the substrate processing apparatus 200. As shown in FIG. The substrate processing apparatus 200 shown in FIG. 7 is similar to the substrate processing apparatus 200 described above with reference to FIG. It has the same configuration as Therefore, redundant descriptions are omitted for the purpose of avoiding redundancy.

基板処理装置200は、処理液調製装置100と、基板処理部210とを備える。処理液調製装置100は、貯留部102を備える。貯留部102は、第1貯留部110および第2貯留部120を含む。第1貯留部110は、第1貯留槽112、第1配管113に加えて第1撮像部118をさらに含む。第1撮像部118は、第1配管113の少なくとも一部を撮像する。第1撮像部118は、第1配管113の透明部分を撮像することが好ましい。 The substrate processing apparatus 200 includes a processing liquid preparation apparatus 100 and a substrate processing section 210 . The processing liquid preparation apparatus 100 includes a reservoir 102 . Reservoir 102 includes first reservoir 110 and second reservoir 120 . The first storage section 110 further includes a first imaging section 118 in addition to the first storage tank 112 and the first pipe 113 . The first imaging unit 118 images at least part of the first pipe 113 . The first imaging unit 118 preferably images the transparent portion of the first pipe 113 .

第2貯留部120は、第2貯留槽122、第2配管123に加えて第2撮像部128をさらに含む。第2撮像部128は、第2配管123の少なくとも一部を撮像する。第2撮像部128は、第2配管123の透明部分を撮像することが好ましい。 The second storage section 120 further includes a second imaging section 128 in addition to the second storage tank 122 and the second pipe 123 . The second imaging unit 128 images at least part of the second pipe 123 . It is preferable that the second imaging unit 128 images the transparent portion of the second pipe 123 .

制御部104は、第1撮像部118および第2撮像部128を制御する。例えば、制御部104は、第1撮像部118の撮像結果および第2撮像部128の撮像結果を解析する。一例では、第1水供給部116aから流れる水の量を変更しながら、第1撮像部118の撮像結果に基づいて、第1燐酸液が、図2(c)に示した状態である場合と第1燐酸液が図2(d)に示した状態である場合であることを特定する。このように、第1貯留部110の燐酸液を突沸状態と非突沸状態との境界状態に設定した状態で、第1計測部114は第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値を計測し、記憶部106は、第1計測部114の計測結果を記憶してもよい。 The control section 104 controls the first imaging section 118 and the second imaging section 128 . For example, the control unit 104 analyzes the imaging result of the first imaging unit 118 and the imaging result of the second imaging unit 128 . In one example, while changing the amount of water flowing from the first water supply unit 116a, the first phosphoric acid solution is in the state shown in FIG. It is specified that the first phosphoric acid solution is in the state shown in FIG. 2(d). In this way, the first measuring unit 114 measures the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid liquid in the first reservoir 110 while the phosphoric acid liquid in the first reservoir 110 is set to the boundary state between the bumping state and the non-bumping state. However, the storage unit 106 may store the measurement result of the first measurement unit 114 .

また、第2水供給部126aから流れる水の量を変更しながら、第2撮像部128の撮像結果に基づいて、第2燐酸液が、図2(c)に示した状態である場合と第2燐酸液が図2(d)に示した状態である場合であることを特定する。このように、第2貯留部120の燐酸液を突沸状態と非突沸状態との境界状態に調製した状態で、第2計測部124は第2貯留部120の燐酸液の比重を示す値を計測し、記憶部106は、第2計測部124の計測結果を記憶してもよい。 Further, while changing the amount of water flowing from the second water supply unit 126a, based on the imaging result of the second imaging unit 128, the second phosphoric acid solution is in the state shown in FIG. It is specified that the diphosphoric acid solution is in the state shown in FIG. 2(d). In this way, the second measurement unit 124 measures the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid liquid in the second storage section 120 in a state where the phosphoric acid liquid in the second storage section 120 is adjusted to the boundary state between the bumping state and the non-bumping state. However, the storage unit 106 may store the measurement result of the second measurement unit 124 .

なお、図1および図7に示した基板処理装置200では、図面が過度に複雑になることを避けるために、処理液調製装置100は、1つの基板処理部210に処理液を供給したが、本実施形態はこれに限定されない。処理液調製装置100は、複数の基板処理部210に処理液を供給してもよい。この場合、処理液調製装置100から基板処理部210に供給される燐酸液の比重および温度は、複数の基板処理部210のうちの処理液調製装置100から最も遠い(すなわち、処理液調製装置100からの配管距離の長い)処理部において燐酸液に気泡が発生しないように設定されることが好ましい。 In the substrate processing apparatus 200 shown in FIGS. 1 and 7, the processing liquid preparing apparatus 100 supplies the processing liquid to one substrate processing section 210 in order to avoid excessively complicated drawings. This embodiment is not limited to this. The processing liquid preparation apparatus 100 may supply the processing liquid to a plurality of substrate processing units 210 . In this case, the specific gravity and temperature of the phosphoric acid solution supplied from the processing liquid preparation apparatus 100 to the substrate processing section 210 are the farthest from the processing liquid preparation apparatus 100 among the plurality of substrate processing sections 210 (that is, the processing liquid preparation apparatus 100 It is preferable that the phosphoric acid solution be set so as not to generate air bubbles in the processing section (which has a long piping distance from the source).

なお、図1および図7に示した基板処理装置200では、処理液調製装置100は、枚葉型の基板処理部210に処理液を供給したが、本実施形態はこれに限定されない。処理液調製装置100は、バッチ型の基板処理部に処理液を供給してよい。 In the substrate processing apparatus 200 shown in FIGS. 1 and 7, the processing liquid preparing apparatus 100 supplies the processing liquid to the single-wafer type substrate processing section 210, but the present embodiment is not limited to this. The processing liquid preparation apparatus 100 may supply the processing liquid to a batch-type substrate processing section.

次に、図8を参照して、本実施形態の処理液調製装置100を備える基板処理装置200を説明する。図8は、基板処理装置200の模式図である。なお、図8の基板処理装置200は、基板処理部220がバッチ型である点を除いて、図1を参照して上述した基板処理装置200と同様の構成を有しており、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。 Next, a substrate processing apparatus 200 including the processing liquid preparation apparatus 100 of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a schematic diagram of the substrate processing apparatus 200. As shown in FIG. The substrate processing apparatus 200 of FIG. 8 has the same configuration as the substrate processing apparatus 200 described above with reference to FIG. 1, except that the substrate processing section 220 is of a batch type. Duplicate description is omitted for the purpose.

基板処理装置200は、処理液調製装置100と、基板処理部220とを備える。処理液調製装置100は、基板処理部220のための処理液を調製し、基板処理部220に処理液を供給する。基板処理部220は、基板Wを処理する。基板処理部220は、バッチ式である。 The substrate processing apparatus 200 includes a processing liquid preparation apparatus 100 and a substrate processing section 220 . The processing liquid preparation apparatus 100 prepares a processing liquid for the substrate processing section 220 and supplies the processing liquid to the substrate processing section 220 . The substrate processing section 220 processes the substrate W. FIG. The substrate processing section 220 is of a batch type.

基板処理部220は、処理槽222と、基板積載部224とを備える。処理槽222には、処理液調製装置100から燐酸液が供給され、処理槽222は、燐酸液を貯留する。基板積載部224は、基板Wを積載する。典型的には、基板積載部224は、複数の基板Wを積載する。基板積載部224は、基板Wを積載した状態で処理槽222に浸漬する。これにより、基板Wは、処理液で処理される。 The substrate processing section 220 includes a processing tank 222 and a substrate loading section 224 . A phosphoric acid solution is supplied from the processing liquid preparation apparatus 100 to the processing bath 222, and the processing bath 222 stores the phosphoric acid solution. The substrate stacking section 224 stacks the substrates W thereon. Typically, the substrate stacking section 224 stacks a plurality of substrates W thereon. The substrate loading unit 224 is immersed in the processing tank 222 with the substrate W loaded thereon. Thereby, the substrate W is processed with the processing liquid.

以上のように、本実施形態の処理液調製装置100は、バッチ型の基板処理部220に処理液を供給する。処理液調製装置100は、バッチ処理にも好適に用いられる。 As described above, the processing liquid preparation apparatus 100 of the present embodiment supplies the processing liquid to the batch-type substrate processing section 220 . The processing liquid preparation apparatus 100 is also suitable for batch processing.

なお、図8に示した基板処理装置200では、処理液調製装置100は、バッチ型の基板処理部220の処理槽222に処理液を供給したが、本実施形態はこれに限定されない。処理液調製装置100において基板が処理されてもよい。 In the substrate processing apparatus 200 shown in FIG. 8, the processing liquid preparing apparatus 100 supplies the processing liquid to the processing bath 222 of the batch type substrate processing section 220, but the present embodiment is not limited to this. A substrate may be processed in the processing liquid preparation apparatus 100 .

以下、図9を参照して、本実施形態の処理液調製装置100を備えた基板処理装置200を説明する。図9は、本実施形態の基板処理装置200の模式図である。なお、図9に示した基板処理装置200は、処理液調製装置100が基板Wを処理するための貯留槽として用いられるとともに、第2貯留部120の燐酸液が第1貯留部110の燐酸液と混合されない点を除いて、図8を参照して上述した基板処理装置200と同様の構成を有しており、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。 Hereinafter, a substrate processing apparatus 200 including the processing liquid preparation apparatus 100 of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a schematic diagram of the substrate processing apparatus 200 of this embodiment. The substrate processing apparatus 200 shown in FIG. 9 is used as a storage tank for processing the substrates W by the processing liquid preparation apparatus 100, and the phosphoric acid solution in the second storage part 120 is used as the phosphoric acid solution in the first storage part 110. It has the same configuration as the substrate processing apparatus 200 described above with reference to FIG. 8, except that it is not mixed with .

基板処理装置200は、処理液調製装置100と、基板積載部230とを備える。処理液調製装置100は、第1貯留部110と、第2貯留部120とを含む。第1貯留部110は、調製した燐酸液を生成する。また、第2貯留部120は、調製した燐酸液を生成する。なお、本実施形態の基板処理装置200では、第2貯留部120の燐酸液が第1貯留部110の燐酸液と混合されない。 The substrate processing apparatus 200 includes a processing liquid preparation apparatus 100 and a substrate loading section 230 . The treatment liquid preparation device 100 includes a first reservoir 110 and a second reservoir 120 . The first reservoir 110 produces the prepared phosphoric acid solution. The second reservoir 120 also produces the prepared phosphoric acid solution. In addition, in the substrate processing apparatus 200 of the present embodiment, the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 is not mixed with the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 .

基板積載部230は、基板Wを積載する。典型的には、基板積載部230は、複数の基板Wを積載する。基板積載部230は、基板Wを積載して処理液調製装置100の燐酸液に浸漬する。 The substrate stacking unit 230 stacks the substrates W thereon. Typically, the substrate stacking section 230 stacks a plurality of substrates W thereon. The substrate loading unit 230 loads the substrate W and immerses it in the phosphoric acid solution of the processing liquid preparation apparatus 100 .

基板積載部230は、第1積載部232と、第2積載部234とを含む。第1積載部232は、基板Wを保持した状態で、第1貯留部110の第1貯留槽112に浸漬する。第2積載部234は、基板Wを保持した状態で、第2貯留部120の第2貯留槽122に浸漬する。 The substrate stacking portion 230 includes a first stacking portion 232 and a second stacking portion 234 . The first loading unit 232 is immersed in the first storage tank 112 of the first storage unit 110 while holding the substrate W thereon. The second loading section 234 holds the substrate W and is immersed in the second storage tank 122 of the second storage section 120 .

典型的には、第1積載部232が第1貯留部110の第1貯留槽112に浸漬する前に、第1貯留部110の燐酸液は所定の温度および比重に設定される。同様に、第2積載部234が第2貯留部120の第2貯留槽122に浸漬する前に、第2貯留部120の燐酸液は所定の温度および比重に設定される。この場合でも、第2貯留部120の燐酸液は、第1貯留部110の燐酸液と同様に境界状態の計測値を基準として調製することにより、第2貯留部120の燐酸液による基板Wの処理を第1貯留部110の燐酸液による基板Wの処理と揃えることができる。 Typically, before first loading unit 232 is immersed in first storage tank 112 of first storage unit 110, the phosphoric acid solution in first storage unit 110 is set to a predetermined temperature and specific gravity. Similarly, before the second loading section 234 is immersed in the second storage tank 122 of the second storage section 120, the phosphoric acid liquid in the second storage section 120 is set to a predetermined temperature and specific gravity. Even in this case, the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 is prepared based on the measured value of the boundary state in the same manner as the phosphoric acid solution in the first reservoir 110, so that the substrate W is not affected by the phosphoric acid solution in the second reservoir 120. The processing can be aligned with the processing of the substrate W with the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 .

以上のように、本実施形態の処理液調製装置100は、基板Wを処理するための貯留槽として用いてもよい。処理液調製装置100は、バッチ処理装置の貯留槽としても好適に用いられる。 As described above, the processing liquid preparation apparatus 100 of this embodiment may be used as a storage tank for processing the substrate W. FIG. The processing liquid preparation apparatus 100 is also suitably used as a storage tank of a batch processing apparatus.

なお、図1~図9を参照した上述の説明では、基板処理装置200は複数の貯留部を含んだが、本実施形態はこれに限定されない。基板処理装置200に含まれる貯留部は1つであってもよい。 Although the substrate processing apparatus 200 includes a plurality of reservoirs in the above description with reference to FIGS. 1 to 9, the present embodiment is not limited to this. The number of reservoirs included in the substrate processing apparatus 200 may be one.

以下、図10を参照して、本実施形態の基板処理装置200を備えた基板処理システム300を説明する。図10は、基板処理システム300の模式図である。図10に示すように、基板処理システム300は、基板処理装置200Aと、基板処理装置200Bとを備える。基板処理装置200Aおよび基板処理装置200Bは、処理液調製装置100Aおよび処理液調製装置100Bにそれぞれ含まれる処理槽が1つである点を除いて図1を参照して上述した基板処理装置200と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。 Hereinafter, a substrate processing system 300 including the substrate processing apparatus 200 of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a schematic diagram of a substrate processing system 300. As shown in FIG. As shown in FIG. 10, the substrate processing system 300 includes a substrate processing apparatus 200A and a substrate processing apparatus 200B. Substrate processing apparatus 200A and substrate processing apparatus 200B are similar to substrate processing apparatus 200 described above with reference to FIG. It has a similar configuration, and redundant description is omitted to avoid redundancy.

典型的には、基板処理装置200Aおよび基板処理装置200Bは互いに離れた場所に配置される。例えば、基板処理装置200Aおよび基板処理装置200Bは同じ国の異なる場所に配置されてもよい。あるいは、基板処理装置200Aおよび基板処理装置200Bは異なる国に配置されてもよい。 Typically, the substrate processing apparatus 200A and the substrate processing apparatus 200B are arranged apart from each other. For example, substrate processing apparatus 200A and substrate processing apparatus 200B may be located at different locations in the same country. Alternatively, substrate processing apparatus 200A and substrate processing apparatus 200B may be located in different countries.

基板処理装置200Aは、処理液調製装置100Aと、基板処理部210Aとを備える。ここでは、処理液調製装置100Aは、第1貯留部110を有する。第1貯留部110において第1燐酸液は調製される。 The substrate processing apparatus 200A includes a processing liquid preparation apparatus 100A and a substrate processing section 210A. Here, the treatment liquid preparation apparatus 100A has a first reservoir 110. As shown in FIG. A first phosphoric acid solution is prepared in the first reservoir 110 .

基板処理装置200Bは、処理液調製装置100Bと、基板処理部210Bとを備える。ここでは、処理液調製装置100Aは、第2貯留部120を有する。第2貯留部120において第2燐酸液は調製される。 The substrate processing apparatus 200B includes a processing liquid preparation apparatus 100B and a substrate processing section 210B. Here, the treatment liquid preparation apparatus 100A has a second reservoir 120. As shown in FIG. A second phosphoric acid solution is prepared in the second reservoir 120 .

基板処理システム300は、さらに、基板処理装置200Aおよび基板処理装置200Bと通信可能な情報処理装置310を備えてもよい。情報処理装置310は、例えば、サーバーである。例えば、基板処理装置200Aは、情報処理装置310を介して基板処理装置200Bと情報を通信可能である。 The substrate processing system 300 may further include an information processing device 310 capable of communicating with the substrate processing apparatus 200A and the substrate processing apparatus 200B. The information processing device 310 is, for example, a server. For example, the substrate processing apparatus 200A can communicate information with the substrate processing apparatus 200B via the information processing apparatus 310 .

例えば、基板処理装置200Aは、第1燐酸液の境界状態における燐酸液の比重を示す第1基準値を計測した後、基板処理装置200Aは、情報処理装置310に第1基準値を示す情報を送信する。情報処理装置310は、基板処理装置200Aから第1基準値を示す情報を受信して記憶する。また、必要に応じて、情報処理装置310は、基板処理装置200Aの第1基準値を基板処理装置200Bに送信する。その後、基板処理装置200Bでも第2燐酸液の境界状態における燐酸液の比重を示す第2基準値を計測する。その後、基板処理装置200Bの燐酸液は、基板処理装置200Aの燐酸液と同様に基準値を基準として較正する。これにより、基板処理装置200Bの第2燐酸液を基板処理装置200Aの第1燐酸液と同様に較正できる。 For example, after the substrate processing apparatus 200A measures the first reference value indicating the specific gravity of the phosphoric acid liquid in the boundary state of the first phosphoric acid liquid, the substrate processing apparatus 200A transmits information indicating the first reference value to the information processing apparatus 310. Send. The information processing apparatus 310 receives and stores information indicating the first reference value from the substrate processing apparatus 200A. Moreover, the information processing apparatus 310 transmits the first reference value of the substrate processing apparatus 200A to the substrate processing apparatus 200B as necessary. After that, the substrate processing apparatus 200B also measures the second reference value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the boundary state of the second phosphoric acid solution. After that, the phosphoric acid solution of the substrate processing apparatus 200B is calibrated using the reference value as the standard value in the same manner as the phosphoric acid solution of the substrate processing apparatus 200A. As a result, the second phosphoric acid solution of the substrate processing apparatus 200B can be calibrated in the same manner as the first phosphoric acid solution of the substrate processing apparatus 200A.

なお、図10を参照した上述の説明では、基板処理システム300は、基板処理装置200A、200Bを備えたが、基板処理装置200Aおよび基板処理装置200Bは同時刻に存在しなくてもよい。例えば、基板処理装置200Aは、1カ月前の燐酸液の境界状態の第1基準値を記憶しており、基板処理装置200Bは、基板処理装置200Aの第1基準値と自ら計測した第2基準値とを利用して、基板処理装置200Aの計測から1カ月後に、基板処理装置200Aの第1燐酸液と同様に第2燐酸液を較正してもよい。 In the above description with reference to FIG. 10, substrate processing system 300 includes substrate processing apparatuses 200A and 200B, but substrate processing apparatus 200A and substrate processing apparatus 200B do not have to exist at the same time. For example, the substrate processing apparatus 200A stores the first reference value of the boundary state of the phosphoric acid liquid one month ago, and the substrate processing apparatus 200B stores the first reference value of the substrate processing apparatus 200A and the second reference value measured by itself. One month after the measurement of the substrate processing apparatus 200A, the second phosphoric acid liquid may be calibrated in the same manner as the first phosphoric acid liquid of the substrate processing apparatus 200A.

このように、基板処理装置200Aおよび基板処理装置200Bが同じ時刻に存在しなくても、基板処理装置200Bの処理液調製装置100Bは、処理液調製装置100Bの燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態であるときの第2基準値と第1基準値とを利用することで、処理液調製装置100Bの第2燐酸液を処理液調製装置100Aの燐酸液と同じ条件に揃えることができる。 As described above, even if the substrate processing apparatus 200A and the substrate processing apparatus 200B do not exist at the same time, the processing liquid preparation apparatus 100B of the substrate processing apparatus 200B can have the phosphoric acid liquid of the processing liquid preparation apparatus 100B in the bumping state and the non-bumping state. By using the second reference value and the first reference value in the boundary state between the second phosphoric acid solution in the processing liquid preparation apparatus 100B and the phosphoric acid solution in the treatment liquid preparation apparatus 100A, the conditions can be adjusted to the same level. can.

以下、図11を参照して、処理液調製装置100Aのフローを説明するためのフロー図である。なお、図11では、図10の処理液調製装置100Aのフローを示すが、基板処理装置200Bに含まれる処理液調製装置100Bも同様のフローで動作してもよい。 Hereinafter, with reference to FIG. 11, it is a flow diagram for explaining the flow of the processing liquid preparation apparatus 100A. Although FIG. 11 shows the flow of the processing liquid preparation apparatus 100A of FIG. 10, the processing liquid preparation apparatus 100B included in the substrate processing apparatus 200B may also operate according to the same flow.

ステップS202において、第1貯留部110の燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態にする。 In step S202, the phosphoric acid liquid in the first reservoir 110 is brought into a boundary state between a bumping state and a non-bumping state.

ステップS204において、第1貯留部110の燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態であるときに、第1計測部114は、第1貯留部110の燐酸液の境界状態の比重を示す値(第1基準値)を計測する。 In step S204, when the phosphoric acid liquid in the first reservoir 110 is in the boundary state between the bumping state and the non-bumping state, the first measurement unit 114 indicates the specific gravity of the phosphoric acid liquid in the first reservoir 110 in the boundary state. Measure the value (first reference value).

ステップS206において、記憶部106は、第1計測部114の計測値(第1基準値)を記憶する。 In step S<b>206 , the storage unit 106 stores the measured value (first reference value) of the first measurement unit 114 .

以上のように、本実施形態によれば、記憶部106は、第1貯留部110の燐酸液の境界状態における第1計測部114の計測値(第1基準値)を記憶する。このため、第2貯留部120の燐酸液の比重を第1貯留部110の燐酸液の比重と揃えることができ、第1貯留部110の燐酸液に対して第2貯留部120の燐酸液を較正できる。 As described above, according to the present embodiment, the storage unit 106 stores the measurement value (first reference value) of the first measurement unit 114 in the boundary state of the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 . Therefore, the specific gravity of the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 can be made the same as the specific gravity of the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 , and the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 can be mixed with the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 . can be calibrated.

以下、図12を参照して、本実施形態の処理液調製装置100を備えた基板処理装置200を説明する。図12は、本実施形態の処理液調製装置100を備えた基板処理装置200の模式図である。なお、図12に示した基板処理装置200は、処理液調製装置100が第1貯留部110および第2貯留部120に加えて第3貯留部130および新液供給部140をさらに備える点を除いて、図1を参照して上述した基板処理装置200と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。 Hereinafter, a substrate processing apparatus 200 including the processing liquid preparation apparatus 100 of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus 200 including the processing liquid preparation apparatus 100 of this embodiment. 12 except that the processing liquid preparation apparatus 100 further includes a third storage section 130 and a new liquid supply section 140 in addition to the first storage section 110 and the second storage section 120. It has the same configuration as the substrate processing apparatus 200 described above with reference to FIG. 1, and redundant description is omitted to avoid redundancy.

基板処理装置200は、処理液調製装置100と、基板処理部210とを備える。処理液調製装置100の貯留部102は、第1貯留部110および第2貯留部120に加えて第3貯留部130をさらに備える。また、処理液調製装置100は、新液供給部140をさらに備える。 The substrate processing apparatus 200 includes a processing liquid preparation apparatus 100 and a substrate processing section 210 . The reservoir 102 of the treatment liquid preparation apparatus 100 further includes a third reservoir 130 in addition to the first reservoir 110 and the second reservoir 120 . In addition, the treatment liquid preparation apparatus 100 further includes a new liquid supply section 140 .

上述したように、第2貯留部120は、第2燐酸液を調製し、第1貯留部110に第2燐酸液を補充する。同様に、第3貯留部130は、第3燐酸液を調製し、第1貯留部110に第3燐酸液を補充する。ただし、第3貯留部130が第3燐酸液を補充するタイミングは、第2貯留部120が第2燐酸液を補充するタイミングとは異なる。 As described above, the second reservoir 120 prepares the second phosphoric acid solution and replenishes the first reservoir 110 with the second phosphoric acid solution. Similarly, the third reservoir 130 prepares the third phosphoric acid solution and replenishes the first reservoir 110 with the third phosphoric acid solution. However, the timing at which the third reservoir 130 is replenished with the third phosphoric acid solution is different from the timing at which the second reservoir 120 is replenished with the second phosphoric acid solution.

新液供給部140は、第2貯留部120および第3貯留部130に燐酸液を供給する。なお、第2貯留部120が第1貯留部110に第2燐酸液を補充しない期間に、新液供給部140は、第2貯留部120に燐酸液を供給する。また、第3貯留部130が第1貯留部110に第3燐酸液を補充しない期間に、新液供給部140は、第3貯留部130に燐酸液を供給する。なお、ここでは、新液供給部140では、燐酸液は所定の温度および比重に調製されない。 New liquid supply unit 140 supplies the phosphoric acid liquid to second storage unit 120 and third storage unit 130 . Note that the new solution supply unit 140 supplies the phosphoric acid solution to the second storage unit 120 while the second storage unit 120 does not replenish the first storage unit 110 with the second phosphoric acid solution. Further, the new solution supply unit 140 supplies the phosphoric acid solution to the third storage unit 130 while the third storage unit 130 does not replenish the first storage unit 110 with the third phosphoric acid solution. Here, the phosphoric acid solution is not prepared at a predetermined temperature and specific gravity in the new solution supply unit 140 .

第3貯留部130は、第1貯留部110および/または第2貯留部120に対応する構成を有している。第3貯留部130は、第3貯留槽132と、第3配管133と、第3計測部134と、ポンプ135aと、ヒータ135bと、フィルタ135cと、バルブ135dと、バルブ135eと、第3水供給部136aと、第3燐酸供給部136bと、第3ガス供給部136cとを含む。冗長な説明を避けるために第3貯留部130についての重複する記載を省略する。 Third reservoir 130 has a configuration corresponding to first reservoir 110 and/or second reservoir 120 . The third storage unit 130 includes a third storage tank 132, a third pipe 133, a third measurement unit 134, a pump 135a, a heater 135b, a filter 135c, a valve 135d, a valve 135e, and a third water. It includes a supply section 136a, a third phosphoric acid supply section 136b, and a third gas supply section 136c. Redundant description of the third reservoir 130 is omitted to avoid redundant description.

第3貯留部130の第3配管133は、第3貯留槽132と第1貯留槽112とを連絡する。また、バルブ135dは、第3貯留槽132から第1貯留槽112に向かう燐酸液の流れを制御する。バルブ135dが開くことにより、燐酸液は、第1貯留槽112に向かって流れる。バルブ135dが閉じることにより、燐酸液は、第3貯留部130から第1貯留部110に向かって流れなくなる。 A third pipe 133 of the third reservoir 130 connects the third reservoir 132 and the first reservoir 112 . Also, the valve 135 d controls the flow of the phosphoric acid solution from the third storage tank 132 to the first storage tank 112 . The phosphoric acid solution flows toward the first storage tank 112 by opening the valve 135d. Closing the valve 135 d stops the phosphoric acid from flowing from the third reservoir 130 toward the first reservoir 110 .

また、バルブ135eが開くことにより、燐酸液は、第3貯留槽132に向かって流れるため、燐酸液を循環できる。バルブ135eが閉じることにより、燐酸液の循環が停止される。 Further, the phosphoric acid liquid flows toward the third storage tank 132 by opening the valve 135e, so that the phosphoric acid liquid can be circulated. The circulation of the phosphoric acid solution is stopped by closing the valve 135e.

例えば、バルブ135dが閉じた状態でバルブ135eが開いていることにより、第3貯留部130の燐酸液は、循環配管133aを介して循環する。このとき、ヒータ135bが循環する燐酸液を加熱することにより、第3貯留部130の燐酸液を所定の温度に設定できる。 For example, by opening the valve 135e while the valve 135d is closed, the phosphoric acid solution in the third reservoir 130 circulates through the circulation pipe 133a. At this time, the phosphoric acid solution in the third reservoir 130 can be set to a predetermined temperature by heating the circulating phosphoric acid solution with the heater 135b.

また、バルブ135dおよびバルブ135eが開いていることにより、第3貯留部130の燐酸液は、循環配管133aを介して循環するとともに第3配管133を介して第1貯留部110に供給される。このため、第3貯留部130は、第1貯留部110の燐酸液を補充できる。 Further, since the valves 135 d and 135 e are open, the phosphoric acid solution in the third reservoir 130 is circulated through the circulation pipe 133 a and supplied to the first reservoir 110 through the third pipe 133 . Therefore, the third reservoir 130 can replenish the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 .

さらに、第3貯留部130は、基板処理部210と第3貯留槽132とを連絡する戻り配管133bを有する。戻り配管133bには、基板処理部210においてカップ136によって回収された処理液が流れる。戻り配管133bを通過する処理液は、第3貯留槽132の本体槽132aに戻る。 Furthermore, the third reservoir 130 has a return pipe 133 b that connects the substrate processing part 210 and the third reservoir 132 . The processing liquid collected by the cup 136 in the substrate processing section 210 flows through the return pipe 133b. The processing liquid passing through the return pipe 133 b returns to the main tank 132 a of the third storage tank 132 .

また、基板処理部210の配管215には、バルブ215aとともにバルブ215bが設けられる。配管215は、チャンバー212と、第2貯留部120の戻り配管123bと、第3貯留部130の戻り配管133bとを接続する。バルブ215bは、配管215内の燐酸液の流れを制御する。バルブ215bが開くことにより、燐酸液は、チャンバー212から第3貯留部130に向かって流れる。バルブ215aが閉じることにより、燐酸液は、第3貯留部130に向かって流れなくなる。 Further, the piping 215 of the substrate processing section 210 is provided with a valve 215b as well as a valve 215a. A pipe 215 connects the chamber 212 , the return pipe 123 b of the second reservoir 120 and the return pipe 133 b of the third reservoir 130 . Valve 215 b controls the flow of phosphoric acid solution in line 215 . The phosphoric acid solution flows from the chamber 212 toward the third reservoir 130 by opening the valve 215b. Closing the valve 215 a stops the phosphoric acid from flowing toward the third reservoir 130 .

新液供給部140は、貯留槽142と、配管143と、燐酸供給部146とを有する。燐酸供給部146は、燐酸液を供給する。貯留槽142には、燐酸が貯留される。 The new liquid supply section 140 has a storage tank 142 , a pipe 143 and a phosphoric acid supply section 146 . The phosphoric acid supply unit 146 supplies a phosphoric acid solution. The storage tank 142 stores phosphoric acid.

配管143は、貯留槽142と、第2貯留槽122および第3貯留槽132とを連絡する。配管143には、バルブ143aおよびバルブ143bが設けられる。バルブ143aは、配管143内の燐酸液の流れを制御する。バルブ143aが開くことにより、燐酸液は、貯留槽142から第2貯留槽122に向かって流れる。バルブ143aが閉じることにより、燐酸液は、第2貯留槽122に向かって流れなくなる。 A pipe 143 connects the reservoir 142 with the second reservoir 122 and the third reservoir 132 . The pipe 143 is provided with a valve 143a and a valve 143b. A valve 143 a controls the flow of the phosphoric acid solution in the pipe 143 . The phosphoric acid solution flows from the storage tank 142 toward the second storage tank 122 by opening the valve 143a. By closing the valve 143 a , the phosphoric acid solution stops flowing toward the second storage tank 122 .

バルブ143bは、配管143内の燐酸液の流れを制御する。バルブ143bが開くことにより、燐酸液は、貯留槽142から第3貯留槽132に向かって流れる。バルブ143bが閉じることにより、燐酸液は、第3貯留槽132に向かって流れなくなる。 Valve 143b controls the flow of the phosphoric acid solution in pipe 143 . The phosphoric acid solution flows from the storage tank 142 toward the third storage tank 132 by opening the valve 143b. Closing the valve 143 b stops the phosphoric acid from flowing toward the third storage tank 132 .

本実施形態の基板処理装置200によれば、第2貯留部120および第3貯留部130は、交互に第1貯留部110に燐酸液を供給する。このため、第1貯留部110は、連続して基板処理部210に燐酸液を供給できる。また、第2貯留部120および第3貯留部130は、基板処理部210からの処理液を交互に回収する。このため、第2貯留部120および第3貯留部130は、基板処理部210からの処理液を所定の温度および比重に調製して有効に活用できる。さらに、第2貯留部120および第3貯留部130は、新液供給部140からの燐酸液を交互に供給されて、所定の温度および比重に効率的に調製できる。 According to the substrate processing apparatus 200 of the present embodiment, the second reservoir 120 and the third reservoir 130 alternately supply the phosphoric acid solution to the first reservoir 110 . Therefore, the first storage part 110 can continuously supply the phosphoric acid solution to the substrate processing part 210 . Also, the second storage section 120 and the third storage section 130 alternately collect the processing liquid from the substrate processing section 210 . Therefore, the second storage section 120 and the third storage section 130 can effectively utilize the processing liquid from the substrate processing section 210 by adjusting it to a predetermined temperature and specific gravity. Further, the second reservoir 120 and the third reservoir 130 are alternately supplied with the phosphoric acid solution from the new solution supply part 140, and can be efficiently adjusted to a predetermined temperature and specific gravity.

以下、図13を参照して、図12に示した基板処理装置200における燐酸液の流れの変化を説明する。図13(a)~図13(f)は、図12に示した基板処理装置200における燐酸液の流れの変化を説明するための模式図である。なお、図13(a)~図13(f)では、図面が過度に複雑になることを避けるために、処理液調製装置100の第1貯留部110、第2貯留部120、第3貯留部130、新液供給部140および基板処理部210を模式的に示すともに、燐酸液の流れる配管のみを示していることに留意されたい。 Hereinafter, changes in the flow of the phosphoric acid solution in the substrate processing apparatus 200 shown in FIG. 12 will be described with reference to FIG. FIGS. 13A to 13F are schematic diagrams for explaining changes in the flow of the phosphoric acid solution in the substrate processing apparatus 200 shown in FIG. 12. FIG. 13(a) to 13(f), the first reservoir 110, the second reservoir 120, and the third reservoir of the treatment liquid preparation apparatus 100 are shown in order to avoid excessively complicated drawings. 130, the new solution supply unit 140 and the substrate processing unit 210 are shown schematically, and only the piping through which the phosphoric acid solution flows is shown.

さらに、図13(a)~図13(f)では、第1貯留部110、第2貯留部120および第3貯留部130内の燐酸液の量の変化を矢印で示している。上向きの矢印は、燐酸液の量が増加することを示し、下向きの矢印は、燐酸液の量が減少することを示す。 Further, in FIGS. 13(a) to 13(f), arrows indicate changes in the amounts of the phosphoric acid solution in the first reservoir 110, the second reservoir 120 and the third reservoir . An upward arrow indicates an increasing amount of phosphoric acid solution and a downward arrow indicates a decreasing amount of phosphoric acid solution.

図13(a)に示すように、第1貯留部110は基板処理部210に燐酸液を供給することを開始する。第1貯留部110は、基板処理部210に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第1貯留部110の燐酸液の温度は一定に維持される。 As shown in FIG. 13A, the first reservoir 110 starts supplying the phosphoric acid solution to the substrate processing section 210 . The first storage part 110 supplies the phosphoric acid solution to the substrate processing part 210 and circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the first storage part 110 is kept constant.

第2貯留部120は、燐酸液を循環することで、第2貯留部120の燐酸液の温度は一定に維持される。 By circulating the phosphoric acid solution in the second reservoir 120, the temperature of the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 is kept constant.

第3貯留部130は、燐酸液を循環することで、第3貯留部130の燐酸液の温度は一定に維持される。また、第3貯留部130は、基板処理部210において使用された処理液を回収する。基板処理部210において使用された処理液は、配管を通って第3貯留部130に到達する。処理液は、第3貯留部130において循環されて、所定の温度に維持される。 By circulating the phosphoric acid solution in the third reservoir 130, the temperature of the phosphoric acid solution in the third reservoir 130 is kept constant. Also, the third reservoir 130 collects the processing liquid used in the substrate processing section 210 . The processing liquid used in the substrate processing section 210 reaches the third reservoir 130 through the pipe. The processing liquid is circulated in the third reservoir 130 and maintained at a predetermined temperature.

第1貯留部110、第2貯留部120および第3貯留部130の燐酸液は同じ温度に設定される。なお、第1貯留部110、第2貯留部120および第3貯留部130の燐酸液は、第1貯留部110が基板処理部210に燐酸液を供給することを開始する前に行われた境界状態の基準値を基準として調製される。上述したように、第1貯留部110の第1計測部114、第2貯留部120の第2計測部124および第3貯留部130の第3計測部134の計測結果は異なっていてもよい。なお、図13(a)~図13(f)にわたって、第1貯留部110、第2貯留部120および第3貯留部130の燐酸液は、第1貯留部110が基板処理部210に燐酸液を供給することを開始する前に行われた境界状態の計測結果を基準に調製される。 The phosphoric acid solutions in first reservoir 110, second reservoir 120 and third reservoir 130 are set to the same temperature. Note that the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 , the second reservoir 120 , and the third reservoir 130 is the boundary between the first reservoir 110 and the substrate processing part 210 before the phosphoric acid solution is supplied to the substrate processing part 210 . Prepared on the basis of the standard value of the state. As described above, the measurement results of the first measurement unit 114 of the first storage unit 110, the second measurement unit 124 of the second storage unit 120, and the third measurement unit 134 of the third storage unit 130 may be different. 13(a) to 13(f), the phosphoric acid solution in the first reservoir 110, the second reservoir 120 and the third reservoir 130 is different from the phosphoric acid solution in the substrate processing part 210 from the first reservoir 110. is adjusted based on boundary condition measurements made prior to the start of supplying

図13(b)に示すように、第1貯留部110は基板処理部210に燐酸液を供給し続ける。第1貯留部110は、基板処理部210に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第1貯留部110の燐酸液の温度は一定に維持される。 As shown in FIG. 13B, the first reservoir 110 continues to supply the substrate processing section 210 with the phosphoric acid solution. The first storage part 110 supplies the phosphoric acid solution to the substrate processing part 210 and circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the first storage part 110 is kept constant.

第2貯留部120は、第1貯留部110に燐酸液を供給する。また、第2貯留部120は、第1貯留部110に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第2貯留部120の燐酸液の温度は一定に維持される。 The second reservoir 120 supplies the phosphoric acid solution to the first reservoir 110 . In addition, the second reservoir 120 supplies the phosphoric acid solution to the first reservoir 110 and circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 is kept constant.

第3貯留部130は、基板処理部210において使用された処理液を回収し続ける。また、第3貯留部130は、燐酸液を循環することで、第3貯留部130の燐酸液の温度は一定に維持される。 The third reservoir 130 continues to collect the processing liquid used in the substrate processing section 210 . Further, the temperature of the phosphoric acid solution in the third storage part 130 is kept constant by circulating the phosphoric acid solution in the third storage part 130 .

図13(c)に示すように、第1貯留部110は基板処理部210に燐酸液を供給し続ける。第1貯留部110は、基板処理部210に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第1貯留部110の燐酸液の温度は一定に維持される。 As shown in FIG. 13C, the first reservoir 110 continues to supply the substrate processing section 210 with the phosphoric acid solution. The first storage part 110 supplies the phosphoric acid solution to the substrate processing part 210 and circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the first storage part 110 is kept constant.

第2貯留部120は、燐酸液を循環することで、第2貯留部120の燐酸液の温度は一定に維持される。また、第2貯留部120は、基板処理部210において使用された処理液を回収する。基板処理部210において使用された処理液は、配管を通って第2貯留部120に到達する。処理液は、第2貯留部120において循環されて、所定の温度に維持される。 By circulating the phosphoric acid solution in the second reservoir 120, the temperature of the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 is kept constant. The second reservoir 120 also collects the processing liquid used in the substrate processing section 210 . The processing liquid used in the substrate processing section 210 reaches the second reservoir 120 through the pipe. The processing liquid is circulated in the second reservoir 120 and maintained at a predetermined temperature.

第3貯留部130は、燐酸液を循環することで、第3貯留部130の燐酸液の温度は一定に維持される。また、第3貯留部130には、新液供給部140から新たな燐酸液が供給される。 By circulating the phosphoric acid solution in the third reservoir 130, the temperature of the phosphoric acid solution in the third reservoir 130 is kept constant. Further, new phosphoric acid solution is supplied from the new solution supply part 140 to the third storage part 130 .

図13(d)に示すように、第1貯留部110は基板処理部210に燐酸液を供給し続ける。第1貯留部110は、基板処理部210に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第1貯留部110の燐酸液の温度は一定に維持される。 As shown in FIG. 13D, the first reservoir 110 continues to supply the substrate processing section 210 with the phosphoric acid solution. The first storage part 110 supplies the phosphoric acid solution to the substrate processing part 210 and circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the first storage part 110 is kept constant.

第2貯留部120は、基板処理部210において使用された処理液を回収し続ける。また、第2貯留部120は、燐酸液を循環することで、第2貯留部120の燐酸液の温度は一定に維持される。 The second reservoir 120 continues to collect the processing liquid used in the substrate processing section 210 . Further, the temperature of the phosphoric acid solution in the second storage part 120 is kept constant by circulating the phosphoric acid solution in the second storage part 120 .

第3貯留部130は、第1貯留部110に燐酸液を供給する。また、第3貯留部130は、第1貯留部110に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第3貯留部130の燐酸液の温度は一定に維持される。 Third reservoir 130 supplies the phosphoric acid solution to first reservoir 110 . In addition, the third reservoir 130 supplies the phosphoric acid solution to the first reservoir 110 and circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the third reservoir 130 is kept constant.

図13(e)に示すように、第1貯留部110は基板処理部210に燐酸液を供給し続ける。第1貯留部110は、基板処理部210に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第1貯留部110の燐酸液の温度は一定に維持される。 As shown in FIG. 13E, the first reservoir 110 continues to supply the substrate processing section 210 with the phosphoric acid solution. The first storage part 110 supplies the phosphoric acid solution to the substrate processing part 210 and circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the first storage part 110 is kept constant.

第2貯留部120は、燐酸液を循環することで、第2貯留部120の燐酸液の温度は一定に維持される。また、第2貯留部120には、新液供給部140から新たな燐酸液が供給される。 By circulating the phosphoric acid solution in the second reservoir 120, the temperature of the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 is kept constant. Further, a new phosphoric acid solution is supplied from the new solution supply part 140 to the second storage part 120 .

第3貯留部130は、燐酸液を循環することで、第3貯留部130の燐酸液の温度は一定に維持される。また、第3貯留部130は、基板処理部210において使用された処理液を回収する。基板処理部210において使用された処理液は、配管を通って第3貯留部130に到達する。処理液は、第3貯留部130において循環されて、所定の温度に維持される。 By circulating the phosphoric acid solution in the third reservoir 130, the temperature of the phosphoric acid solution in the third reservoir 130 is kept constant. Also, the third reservoir 130 collects the processing liquid used in the substrate processing section 210 . The processing liquid used in the substrate processing section 210 reaches the third reservoir 130 through the pipe. The processing liquid is circulated in the third reservoir 130 and maintained at a predetermined temperature.

図13(f)に示すように、第1貯留部110は基板処理部210に燐酸液を供給し続ける。第1貯留部110は、基板処理部210に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第1貯留部110の燐酸液の温度は一定に維持される。 As shown in FIG. 13(f), the first reservoir 110 continues to supply the substrate processing section 210 with the phosphoric acid solution. The first storage part 110 supplies the phosphoric acid solution to the substrate processing part 210 and circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the first storage part 110 is kept constant.

第2貯留部120は、第1貯留部110に燐酸液を供給する。また、第2貯留部120は、第1貯留部110に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第2貯留部120の燐酸液の温度は一定に維持される。 The second reservoir 120 supplies the phosphoric acid solution to the first reservoir 110 . In addition, the second reservoir 120 supplies the phosphoric acid solution to the first reservoir 110 and circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the second reservoir 120 is kept constant.

第3貯留部130は、基板処理部210において使用された処理液を回収し続ける。また、第3貯留部130は、燐酸液を循環することで、第3貯留部130の燐酸液の温度は一定に維持される。 The third reservoir 130 continues to collect the processing liquid used in the substrate processing section 210 . Further, the temperature of the phosphoric acid solution in the third storage part 130 is kept constant by circulating the phosphoric acid solution in the third storage part 130 .

その後、さらに、図13(c)~図13(f)のように燐酸液の流れを切り替えることにより、所定の比重の燐酸液を基板処理部210に連続的に供給できる。以上のように、本実施形態によれば、第2貯留部120および第3貯留部130は、交互に基板処理部210において使用された処理液を回収するとともに、第1貯留部110に燐酸液を供給する。 After that, by switching the flow of the phosphoric acid liquid as shown in FIGS. As described above, according to the present embodiment, the second storage section 120 and the third storage section 130 alternately recover the processing liquid used in the substrate processing section 210 and store the phosphoric acid solution in the first storage section 110. supply.

以上、図面を参照して本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be implemented in various aspects without departing from the gist of the present invention. Further, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the above embodiments. For example, some components may be omitted from all components shown in the embodiments. Furthermore, components across different embodiments may be combined as appropriate. In order to make the drawings easier to understand, the drawings mainly show each component schematically. may be different. In addition, the material, shape, dimensions, etc. of each component shown in the above embodiment are examples and are not particularly limited, and various changes are possible without substantially departing from the effects of the present invention. be.

本発明は、処理液調製装置および処理液調製方法に好適に用いられる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is suitably used for a processing liquid preparation apparatus and a processing liquid preparation method.

100 処理液調製装置
102 貯留部
104 制御部
106 記憶部
110 第1貯留部
120 第2貯留部
200 基板処理装置
210 基板処理部
W 基板
REFERENCE SIGNS LIST 100 processing liquid preparation device 102 reservoir 104 control unit 106 storage unit 110 first reservoir 120 second reservoir 200 substrate processing apparatus 210 substrate processing unit W substrate

Claims (22)

燐酸液を貯留する貯留部と、
前記貯留部の前記燐酸液の比重を示す値を計測する計測部と、
前記計測部の計測した値を記憶する記憶部と
を備え、
前記記憶部は、前記貯留部の前記燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに前記計測部によって計測された前記燐酸液の比重を示す基準値を記憶し、
前記貯留部は、第1燐酸液を貯留する第1貯留部と、第2燐酸液を貯留する第2貯留部とを含み、
前記記憶部は、前記第1燐酸液が突沸する突沸状態と前記第1燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに第1計測部によって計測された前記第1燐酸液の比重を示す第1基準値を記憶し、
前記記憶部は、前記第2燐酸液が突沸する突沸状態と前記第2燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに第2計測部によって計測された前記第2燐酸液の比重を示す第2基準値を記憶する、処理液調製装置。
a reservoir for storing the phosphoric acid solution;
a measuring unit that measures a value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the reservoir;
A storage unit that stores the values measured by the measurement unit,
The storage section stores a reference indicating the specific gravity of the phosphoric acid liquid measured by the measuring section when the storage section is in a boundary state between a bumping state in which the phosphoric acid liquid bumps and a non-bumping state in which the phosphoric acid liquid does not bump. remember the value,
The reservoir includes a first reservoir for storing a first phosphoric acid solution and a second reservoir for storing a second phosphoric acid solution,
The storage section stores the specific gravity of the first phosphoric acid liquid measured by the first measuring section when the first phosphoric acid liquid is in a boundary state between a bumping state in which the first phosphoric acid liquid is bumped and a non-bumping state in which the first phosphoric acid liquid is not bumped. storing a first reference value indicating
The storage section stores the specific gravity of the second phosphoric acid liquid measured by the second measuring section when the second phosphoric acid liquid is in a boundary state between a bumping state in which the second phosphoric acid liquid is bumped and a non-bumping state in which the second phosphoric acid liquid is not bumped. A processing liquid preparation device that stores a second reference value indicating
前記貯留部は、前記基準値と比べて前記燐酸液の比重を示す値が大きくなるように前記燐酸液を調製する、請求項1に記載の処理液調製装置。 2. The processing liquid preparing apparatus according to claim 1, wherein said reservoir prepares said phosphoric acid liquid so that the value indicating the specific gravity of said phosphoric acid liquid is greater than said reference value. 前記貯留部の前記燐酸液を撮像する撮像部をさらに備える、請求項1または2に記載の処理液調製装置。 3. The processing liquid preparation apparatus according to claim 1, further comprising an imaging section that images the phosphoric acid liquid in the storage section. 前記第1燐酸液は、前記第1基準値に基づいて調製され、
前記第2燐酸液は、前記第2基準値に基づいて調製される、請求項1から3のいずれかに記載の処理液調製装置。
The first phosphoric acid solution is prepared based on the first reference value,
4. The processing liquid preparing apparatus according to claim 1 , wherein said second phosphoric acid liquid is prepared based on said second reference value.
前記第2貯留部は、前記第2貯留部において調製した燐酸液を前記第1貯留部に供給する、請求項に記載の処理液調製装置。 5. The processing liquid preparing apparatus according to claim 4 , wherein said second reservoir supplies the phosphoric acid solution prepared in said second reservoir to said first reservoir. 請求項1からのいずれかに記載の処理液調製装置と、
前記処理液調製装置において調製された燐酸液を用いて基板を処理する基板処理部と
を備える、基板処理装置。
a treatment liquid preparation apparatus according to any one of claims 1 to 5 ;
A substrate processing apparatus comprising a substrate processing section for processing a substrate using the phosphoric acid solution prepared in the processing liquid preparation apparatus.
前記基板処理部は、
前記基板を保持して回転する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板に前記燐酸液を供給するノズルと
を有する、請求項に記載の基板処理装置。
The substrate processing section
a substrate holder that holds and rotates the substrate;
7. The substrate processing apparatus according to claim 6 , further comprising a nozzle for supplying said phosphoric acid solution to said substrate held by said substrate holding part.
前記基板処理部は、
前記基板を複数積載可能な基板積載部と、
前記処理液調製装置において調製された燐酸液を貯留する処理槽と
を有する、請求項に記載の基板処理装置。
The substrate processing section
a substrate loading unit capable of loading a plurality of the substrates;
7. The substrate processing apparatus according to claim 6 , further comprising a processing tank for storing the phosphoric acid liquid prepared in said processing liquid preparation apparatus.
前記基板処理部は、前記基板を複数積載可能な基板積載部を有し、
前記基板積載部は、前記処理液調製装置の前記貯留部の前記燐酸液に浸漬する、請求項に記載の基板処理装置。
The substrate processing section has a substrate loading section capable of loading a plurality of the substrates,
7. The substrate processing apparatus according to claim 6 , wherein said substrate loading section is immersed in said phosphoric acid solution in said storage section of said processing liquid preparing apparatus.
処理液調製装置と、
前記処理液調製装置において調製された燐酸液を用いて基板を処理する基板処理部と
を備える、基板処理装置であって、
前記処理液調製装置は、
燐酸液を貯留する貯留部と、
前記貯留部の前記燐酸液の比重を示す値を計測する計測部と、
前記計測部の計測した値を記憶する記憶部と
を備え、
前記記憶部は、前記貯留部の前記燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに前記計測部によって計測された前記燐酸液の比重を示す基準値を記憶し、
前記基板処理部は、
前記基板を保持して回転する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板に前記燐酸液を供給するノズルと
を有する、基板処理装置。
a treatment liquid preparation device;
a substrate processing section that processes a substrate using the phosphoric acid solution prepared in the processing solution preparation apparatus;
A substrate processing apparatus comprising
The processing liquid preparation device includes:
a reservoir for storing the phosphoric acid solution;
a measuring unit that measures a value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the reservoir;
a storage unit that stores the values measured by the measurement unit;
with
The storage section stores a reference indicating the specific gravity of the phosphoric acid liquid measured by the measuring section when the storage section is in a boundary state between a bumping state in which the phosphoric acid liquid bumps and a non-bumping state in which the phosphoric acid liquid does not bump. remember the value,
The substrate processing section
a substrate holder that holds and rotates the substrate;
and a nozzle for supplying the phosphoric acid solution to the substrate held by the substrate holding part.
前記貯留部における前記燐酸液の比重を示す値は、前記ノズルに供給される燐酸液の状態に基づいて設定される、請求項10に記載の基板処理装置。 11. The substrate processing apparatus according to claim 10 , wherein the value indicating the specific gravity of said phosphoric acid solution in said reservoir is set based on the state of said phosphoric acid solution supplied to said nozzle. 貯留された燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記燐酸液を設定する工程と、
前記境界状態に設定された前記燐酸液の比重を示す基準値を計測する工程と、
前記基準値を記憶する工程と
を包含し、
前記境界状態に前記燐酸液を設定する工程は、第1燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記第1燐酸液を設定する工程と、第2燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記第2燐酸液を設定する工程とを含み、
前記基準値を計測する工程は、前記境界状態に設定された前記第1燐酸液の比重を示す第1基準値を計測する工程と、前記境界状態に設定された前記第2燐酸液の比重を示す第2基準値を計測する工程とを含み、
前記基準値を記憶する工程は、前記第1基準値を記憶する工程と、前記第2基準値を記憶する工程とを含む、処理液調製方法。
setting the phosphoric acid liquid to a boundary state between a bumping state in which the phosphoric acid liquid is bumped and a non-bumping state in which the phosphoric acid liquid is not bumped;
a step of measuring a reference value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution set in the boundary state;
and storing the reference value ;
The step of setting the phosphoric acid solution in the boundary state includes setting the first phosphoric acid solution in a boundary state with a non-bumping state in which the first phosphoric acid solution does not bubble, and a step of setting the first phosphoric acid solution in a non-bumping state in which the second phosphoric acid solution does not bump. setting the second phosphoric acid solution to a boundary state of
The step of measuring the reference value includes the step of measuring a first reference value indicating the specific gravity of the first phosphoric acid solution set in the boundary state, and the step of measuring the specific gravity of the second phosphoric acid solution set in the boundary state. and measuring a second reference value indicated,
The processing liquid preparing method, wherein the step of storing the reference value includes the step of storing the first reference value and the step of storing the second reference value.
前記基準値と比べて前記燐酸液の比重を示す値が大きくなるように前記燐酸液を調製する工程をさらに包含する、請求項12に記載の処理液調製方法。 13. The method of preparing a processing liquid according to claim 12, further comprising the step of preparing said phosphoric acid liquid such that the value indicating the specific gravity of said phosphoric acid liquid is greater than said reference value. 前記境界状態に前記燐酸液を設定する工程は、前記燐酸液を撮像する工程を含む、請求項12または13に記載の処理液調製方法。 14. The processing liquid preparation method according to claim 12, wherein the step of setting the phosphoric acid solution to the boundary state includes the step of imaging the phosphoric acid solution. 前記第1基準値に基づいて前記第1燐酸液を調製する工程と、
前記第2基準値に基づいて前記第2燐酸液を調製する工程と
をさらに包含する、請求項12から14のいずれかに記載の処理液調製方法。
preparing the first phosphoric acid solution based on the first reference value;
15. The processing liquid preparation method according to claim 12 , further comprising the step of preparing said second phosphoric acid liquid based on said second reference value.
前記第2燐酸液を前記第1燐酸液と混合する工程をさらに包含する、請求項15に記載の処理液調製方法。 16. The method of claim 15 , further comprising mixing said second phosphoric acid solution with said first phosphoric acid solution. 請求項12から16のいずれかに記載の処理液調製方法にしたがって燐酸液を調製する工程と、
前記処理液調製方法において調製された燐酸液を用いて基板を処理する工程と
を包含する、基板処理方法。
a step of preparing a phosphoric acid solution according to the method for preparing a treatment solution according to any one of claims 12 to 16 ;
and a step of treating a substrate with the phosphoric acid solution prepared in the treatment solution preparing method.
前記基板を処理する工程は、
前記基板を保持して回転する工程と、
前記回転する基板に前記燐酸液を供給する工程と
を含む、請求項17に記載の基板処理方法。
The step of treating the substrate includes:
holding and rotating the substrate;
and supplying the phosphoric acid solution to the rotating substrate.
前記基板を処理する工程は、前記燐酸液を処理槽に供給し、前記処理槽の前記燐酸液に前記基板を浸漬する工程を含む、請求項17に記載の基板処理方法。 18. The substrate processing method according to claim 17 , wherein said step of treating said substrate includes a step of supplying said phosphoric acid solution to a treating bath and immersing said substrate in said phosphoric acid solution in said treating bath. 前記基板を処理する工程は、前記燐酸液を調製した貯留槽に前記基板を浸漬する、請求項17に記載の基板処理方法。 18. The substrate processing method according to claim 17 , wherein the step of processing the substrate includes immersing the substrate in a reservoir in which the phosphoric acid solution is prepared. 処理液調製方法にしたがって燐酸液を調製する工程と、preparing a phosphoric acid solution according to a method for preparing a treatment solution;
前記処理液調製方法において調製された燐酸液を用いて基板を処理する工程とa step of treating a substrate using the phosphoric acid solution prepared in the method for preparing a treatment solution;
を包含し、encompasses
前記処理液調製方法は、The treatment liquid preparation method includes:
貯留された燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記燐酸液を設定する工程と、setting the phosphoric acid liquid to a boundary state between a bumping state in which the phosphoric acid liquid is bumped and a non-bumping state in which the phosphoric acid liquid is not bumped;
前記境界状態に設定された前記燐酸液の比重を示す基準値を計測する工程と、a step of measuring a reference value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution set in the boundary state;
前記基準値を記憶する工程とstoring the reference value;
を包含し、encompasses
前記基板を処理する工程は、The step of treating the substrate includes:
前記基板を保持して回転する工程と、holding and rotating the substrate;
前記回転する基板に前記燐酸液を供給する工程とsupplying the phosphoric acid solution to the rotating substrate;
を含む、基板処理方法。A method of processing a substrate, comprising:
前記燐酸液を供給する工程において、前記貯留される燐酸液の比重を示す値は、ノズルに供給される燐酸液の状態に基づいて設定される、請求項21に記載の基板処理方法。
22. The substrate processing method according to claim 21 , wherein in the step of supplying said phosphoric acid solution, the value indicating the specific gravity of said stored phosphoric acid solution is set based on the state of said phosphoric acid solution supplied to said nozzle.
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