JP2020178043A - Processing liquid preparation device, substrate processing device, processing liquid preparation method, and substrate processing method - Google Patents

Processing liquid preparation device, substrate processing device, processing liquid preparation method, and substrate processing method Download PDF

Info

Publication number
JP2020178043A
JP2020178043A JP2019079402A JP2019079402A JP2020178043A JP 2020178043 A JP2020178043 A JP 2020178043A JP 2019079402 A JP2019079402 A JP 2019079402A JP 2019079402 A JP2019079402 A JP 2019079402A JP 2020178043 A JP2020178043 A JP 2020178043A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphoric acid
acid solution
storage unit
unit
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019079402A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7267079B2 (en
Inventor
友明 相原
Tomoaki Aihara
友明 相原
毅 冨田
Takeshi Tomita
毅 冨田
次郎 奥田
Jiro Okuda
次郎 奥田
井上 智貴
Tomoki Inoue
智貴 井上
喬 太田
Takashi Ota
喬 太田
励 武明
Rei Takeaki
励 武明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2019079402A priority Critical patent/JP7267079B2/en
Publication of JP2020178043A publication Critical patent/JP2020178043A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7267079B2 publication Critical patent/JP7267079B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

To perform calibration with other phosphoric acid solution with high accuracy.SOLUTION: A processing liquid preparation device (100) includes a reservoir unit (102), a measurement unit (114), and a storage unit (106). The reservoir unit (102) stores a phosphoric acid solution. The measurement unit (114) measures a value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the reservoir unit (102). The storage unit (106) stores the value measured by the measurement unit (114). The storage unit (106) stores a reference value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution measured by the measurement unit (114) when the phosphoric acid solution in the reservoir unit (102) is in a boundary state between a sudden boiling state in which the phosphoric acid solution suddenly boils and a non-sudden boiling state in which the phosphoric acid solution does not suddenly boil.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、処理液調製装置、基板処理装置、処理液調製方法および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a treatment liquid preparation apparatus, a substrate treatment apparatus, a treatment liquid preparation method, and a substrate treatment method.

基板を処理する基板処理装置が知られている。例えば、基板処理装置は半導体基板またはガラス基板の製造に用いられる。絶縁層としてシリコン窒化層をエッチングために基板を燐酸処理することがある(例えば、特許文献1参照)。特許文献1には、シリカ濃度とともに燐酸濃度を測定することで、エッチング液として所定の濃度でシリカを含有する燐酸溶液を用いることが記載されている。 A substrate processing apparatus for processing a substrate is known. For example, a substrate processing apparatus is used for manufacturing a semiconductor substrate or a glass substrate. The substrate may be treated with phosphoric acid to etch the silicon nitride layer as the insulating layer (see, for example, Patent Document 1). Patent Document 1 describes that a phosphoric acid solution containing silica at a predetermined concentration is used as an etching solution by measuring the phosphoric acid concentration together with the silica concentration.

特開2015−195306号公報JP-A-2015-195306

特許文献1では、1つの浴槽で燐酸液を生成させているが、複数の貯留槽で同じ処理特性の燐酸液を生成することが要望されている。例えば、複数の貯留槽で同じ処理特性の燐酸液を生成することにより、大量の基板を連続して安定的に処理できる。しかしながら、実際には、計測機器の計測結果に基づいて燐酸液の濃度を較正しようとしても、燐酸濃度計の機器間差があるため、複数の貯留槽に貯留する燐酸液を互いに等しい濃度(比重)に設定することは困難であった。 In Patent Document 1, a phosphoric acid solution is produced in one bathtub, but there is a demand for producing a phosphoric acid solution having the same processing characteristics in a plurality of storage tanks. For example, by producing a phosphoric acid solution having the same processing characteristics in a plurality of storage tanks, a large amount of substrates can be continuously and stably processed. However, in reality, even if an attempt is made to calibrate the concentration of the phosphoric acid solution based on the measurement results of the measuring instruments, the phosphoric acid solutions stored in a plurality of storage tanks have the same concentration (specific gravity) due to the difference between the devices of the phosphoric acid concentration meter. ) Was difficult to set.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、他の燐酸液との較正を高精度に可能にする処理液調製装置、基板処理装置、処理液調製方法および基板処理方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a treatment liquid preparation device, a substrate treatment device, a treatment liquid preparation method, and a substrate treatment method that enable highly accurate calibration with other phosphoric acid solutions. To provide.

本発明の一局面によれば、処理液調製装置は、貯留部と、計測部と、記憶部とを備える。前記貯留部は、燐酸液を貯留する。前記計測部は、前記貯留部の前記燐酸液の比重を示す値を計測する。前記記憶部は、前記計測部の計測した値を記憶する。前記記憶部は、前記貯留部の前記燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに前記計測部によって計測された前記燐酸液の比重を示す基準値を記憶する。 According to one aspect of the present invention, the treatment liquid preparation device includes a storage unit, a measurement unit, and a storage unit. The storage section stores the phosphoric acid solution. The measuring unit measures a value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the storage unit. The storage unit stores the value measured by the measurement unit. The storage unit is a reference indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution measured by the measuring unit when it is in a boundary state between a sudden boiling state in which the phosphoric acid solution suddenly boils and a non-sudden state in which the phosphoric acid solution does not suddenly boil. Remember the value.

ある実施形態において、前記貯留部は、前記基準値と比べて前記燐酸液の比重を示す値が大きくなるように前記燐酸液を調製する。 In a certain embodiment, the storage unit prepares the phosphoric acid solution so that the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution becomes larger than the reference value.

ある実施形態において、前記処理液調製装置、前記貯留部の前記燐酸液を撮像する撮像部をさらに備える。 In a certain embodiment, the treatment liquid preparation device and an imaging unit for imaging the phosphoric acid solution in the storage unit are further provided.

ある実施形態において、前記貯留部は、第1燐酸液を貯留する第1貯留部と、第2燐酸液を貯留する第2貯留部とを含む。前記記憶部は、前記第1燐酸液が突沸する突沸状態と前記第1燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに第1計測部によって計測された前記第1燐酸液の比重を示す第1基準値を記憶する。前記記憶部は、前記第2燐酸液が突沸する突沸状態と前記第2燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに第2計測部によって計測された前記第2燐酸液の比重を示す第2基準値を記憶する。 In certain embodiments, the reservoir includes a first reservoir that stores a first phosphoric acid solution and a second reservoir that stores a second phosphoric acid solution. The storage unit has a specific gravity of the first phosphoric acid solution measured by the first measuring unit when it is in a boundary state between a sudden boiling state in which the first phosphoric acid solution suddenly boils and a non-sudden state in which the first phosphoric acid solution does not suddenly boil. The first reference value indicating is stored. The storage unit has a specific gravity of the second phosphoric acid solution measured by the second measuring unit when it is in a boundary state between a sudden boiling state in which the second phosphoric acid solution suddenly boils and a non-sudden state in which the second phosphoric acid solution does not suddenly boil. The second reference value indicating is stored.

ある実施形態において、前記第1燐酸液は、前記第1基準値に基づいて調製され、前記第2燐酸液は、前記第2基準値に基づいて調製される。 In certain embodiments, the first phosphoric acid solution is prepared based on the first reference value, and the second phosphoric acid solution is prepared based on the second reference value.

ある実施形態において、前記第2貯留部は、前記第2貯留部において調製した燐酸液を前記第1貯留部に供給する。 In certain embodiments, the second reservoir supplies the phosphoric acid solution prepared in the second reservoir to the first reservoir.

本発明の別の局面によれば、基板処理装置は、上記に記載の処理液調製装置と、前記処理液調製装置において調製された燐酸液を用いて基板を処理する基板処理部とを備える。 According to another aspect of the present invention, the substrate processing apparatus includes the processing liquid preparation apparatus described above and a substrate processing unit that processes a substrate using the phosphoric acid solution prepared in the processing liquid preparation apparatus.

ある実施形態において、前記基板処理部は、前記基板を保持して回転する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に前記燐酸液を供給するノズルとを有する。 In a certain embodiment, the substrate processing unit has a substrate holding unit that holds and rotates the substrate, and a nozzle that supplies the phosphoric acid solution to the substrate held by the substrate holding unit.

ある実施形態において、前記貯留部における前記燐酸液の比重を示す値は、前記ノズルに供給される燐酸液の状態に基づいて設定される。 In a certain embodiment, the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the storage portion is set based on the state of the phosphoric acid solution supplied to the nozzle.

ある実施形態において、前記基板処理部は、前記基板を複数積載可能な基板積載部と、前記処理液調製装置において調製された燐酸液を貯留する処理槽とを有する。 In a certain embodiment, the substrate processing unit includes a substrate loading unit capable of loading a plurality of the substrates, and a processing tank for storing the phosphoric acid solution prepared in the processing liquid preparation device.

ある実施形態において、前記基板処理部は、前記基板を複数積載可能な基板積載部を有し、前記基板積載部は、前記処理液調製装置の前記貯留部の前記燐酸液に浸漬する。 In a certain embodiment, the substrate processing unit has a substrate loading unit capable of loading a plurality of the substrates, and the substrate loading unit is immersed in the phosphoric acid solution in the storage unit of the processing liquid preparation device.

本発明のさらに別の局面によれば、処理液調製方法は、貯留された燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記燐酸液を設定する工程と、前記境界状態に設定された前記燐酸液の比重を示す基準値を計測する工程と、前記基準値を記憶する工程とを包含する。 According to still another aspect of the present invention, the treatment liquid preparation method includes a step of setting the phosphoric acid solution at a boundary state between a sudden boiling state in which the stored phosphoric acid solution suddenly boils and a non-sudden state in which the phosphoric acid solution does not suddenly boil. Includes a step of measuring a reference value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution set in the boundary state, and a step of storing the reference value.

ある実施形態において、前記処理液調製方法は、前記基準値と比べて前記燐酸液の比重を示す値が大きくなるように前記燐酸液を調製する工程をさらに包含する。 In a certain embodiment, the treatment liquid preparation method further includes a step of preparing the phosphoric acid solution so that the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution becomes larger than the reference value.

ある実施形態において、前記境界状態に前記燐酸液を設定する工程は、前記燐酸液を撮像する工程を含む。 In certain embodiments, the step of setting the phosphoric acid solution in the boundary state includes a step of imaging the phosphoric acid solution.

ある実施形態において、前記境界状態に前記燐酸液を設定する工程は、第1燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記第1燐酸液を設定する工程と、第2燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記第2燐酸液を設定する工程とを含む。前記基準値を計測する工程は、前記境界状態に設定された前記第1燐酸液の比重を示す第1基準値を計測する工程と、前記境界状態に設定された前記第2燐酸液の比重を示す第2基準値を計測する工程とを含む。前記基準値を記憶する工程は、前記第1基準値を記憶する工程と、前記第2基準値を記憶する工程とを含む。 In a certain embodiment, the steps of setting the phosphoric acid solution in the boundary state include a step of setting the first phosphoric acid solution in a boundary state with a non-bumping state in which the first phosphoric acid solution does not suddenly boil, and a step of setting the first phosphoric acid solution in a bumping state. This includes a step of setting the second phosphoric acid solution at a boundary state with a non-sudden state. The step of measuring the reference value is a step of measuring a first reference value indicating the specific gravity of the first phosphoric acid solution set in the boundary state and a step of measuring the specific gravity of the second phosphoric acid solution set in the boundary state. It includes a step of measuring the second reference value shown. The step of storing the reference value includes a step of storing the first reference value and a step of storing the second reference value.

ある実施形態において、前記処理液調製方法は、前記第1基準値に基づいて前記第1燐酸液を調製する工程と、前記第2基準値に基づいて前記第2燐酸液を調製する工程とをさらに包含する。 In a certain embodiment, the treatment liquid preparation method includes a step of preparing the first phosphoric acid solution based on the first reference value and a step of preparing the second phosphoric acid solution based on the second reference value. Further include.

ある実施形態において、前記処理液調製方法は、前記第2燐酸液を前記第1燐酸液と混合する工程をさらに包含する。 In certain embodiments, the treatment solution preparation method further comprises the step of mixing the second phosphoric acid solution with the first phosphoric acid solution.

本発明のさらに別の局面によれば、上記に記載の処理液調製方法にしたがって燐酸液を調製する工程と、前記処理液調製方法において調製された燐酸液を用いて基板を処理する工程とを包含する。 According to yet another aspect of the present invention, there are a step of preparing a phosphoric acid solution according to the treatment liquid preparation method described above and a step of treating a substrate using the phosphoric acid solution prepared in the treatment liquid preparation method. Include.

ある実施形態において、前記基板を処理する工程は、前記基板を保持して回転する工程と、前記回転する基板に前記燐酸液を供給する工程とを含む。 In certain embodiments, the step of processing the substrate includes a step of holding and rotating the substrate and a step of supplying the phosphoric acid solution to the rotating substrate.

ある実施形態では、前記燐酸液を供給する工程において、前記貯留される燐酸液の比重を示す値は、ノズルに供給される燐酸液の状態に基づいて設定される。 In one embodiment, in the step of supplying the phosphoric acid solution, a value indicating the specific gravity of the stored phosphoric acid solution is set based on the state of the phosphoric acid solution supplied to the nozzle.

ある実施形態において、前記基板を処理する工程は、前記燐酸液を処理槽に供給し、前記処理槽の前記燐酸液に前記基板を浸漬する工程を含む。 In certain embodiments, the step of treating the substrate comprises supplying the phosphoric acid solution to the treatment tank and immersing the substrate in the phosphoric acid solution of the treatment tank.

ある実施形態において、前記基板を処理する工程は、前記燐酸液を調製した貯留槽に前記基板を浸漬する。 In certain embodiments, the step of processing the substrate is to immerse the substrate in a storage tank in which the phosphoric acid solution is prepared.

本発明によれば、他の燐酸液との較正を高精度にできる。 According to the present invention, calibration with other phosphoric acid solutions can be performed with high accuracy.

本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置の模式図である。It is a schematic diagram of the substrate processing apparatus provided with the processing liquid preparation apparatus of this embodiment. (a)〜(d)は本実施形態の処理液調製装置における貯留槽への水の供給と、燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を示す模式図である。(A) to (d) are schematic views showing the supply of water to the storage tank in the treatment liquid preparation apparatus of the present embodiment, the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution, and the state of the phosphoric acid solution. (a)〜(d)は本実施形態の処理液調製装置における第1貯留槽および第2貯留槽への水の供給と、燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を示す模式図である。(A) to (d) are schematic views showing the supply of water to the first storage tank and the second storage tank in the treatment liquid preparation apparatus of the present embodiment, the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution, and the state of the phosphoric acid solution. is there. (a)〜(c)は本実施形態の処理液調製装置における第1貯留槽および第2貯留槽への水の供給と、燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を示す模式図である。(A) to (c) are schematic views showing the supply of water to the first storage tank and the second storage tank in the treatment liquid preparation apparatus of the present embodiment, the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution, and the state of the phosphoric acid solution. is there. (a)〜(c)は本実施形態の基板処理装置における燐酸液の調製を説明するための模式図である。(A) to (c) are schematic views for demonstrating the preparation of a phosphoric acid solution in the substrate processing apparatus of this embodiment. 本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置のフローを説明するためのフロー図である。It is a flow diagram for demonstrating the flow of the substrate processing apparatus provided with the processing liquid preparation apparatus of this embodiment. 本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置の模式図である。It is a schematic diagram of the substrate processing apparatus provided with the processing liquid preparation apparatus of this embodiment. 本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置の模式図である。It is a schematic diagram of the substrate processing apparatus provided with the processing liquid preparation apparatus of this embodiment. 本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置の模式図である。It is a schematic diagram of the substrate processing apparatus provided with the processing liquid preparation apparatus of this embodiment. 本実施形態の基板処理装置を備えた基板処理システムの模式図である。It is a schematic diagram of the substrate processing system provided with the substrate processing apparatus of this embodiment. 本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置のフローを説明するためのフロー図である。It is a flow diagram for demonstrating the flow of the substrate processing apparatus provided with the processing liquid preparation apparatus of this embodiment. 本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置の模式図である。It is a schematic diagram of the substrate processing apparatus provided with the processing liquid preparation apparatus of this embodiment. (a)〜(f)は本実施形態の処理液調製装置を備えた基板処理装置における燐酸液の流れの変化を説明するための模式図である。(A) to (f) are schematic diagrams for explaining the change of the flow of the phosphoric acid solution in the substrate processing apparatus provided with the processing solution preparation apparatus of this embodiment.

以下、図面を参照して、本発明による処理液調製装置および処理液調製方法の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。 Hereinafter, embodiments of the treatment liquid preparation apparatus and the treatment liquid preparation method according to the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are designated by the same reference numerals and the description is not repeated.

図1を参照して、本発明による処理液調製装置100を備えた基板処理装置200の実施形態を説明する。図1は、本実施形態の基板処理装置200の模式図である。基板処理装置200は、基板Wを処理する。基板処理装置200は、基板Wに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも1つを行うように基板Wを処理する。 An embodiment of the substrate processing apparatus 200 provided with the processing liquid preparing apparatus 100 according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic view of the substrate processing apparatus 200 of the present embodiment. The substrate processing apparatus 200 processes the substrate W. The substrate processing apparatus 200 processes the substrate W so as to perform at least one of etching, surface treatment, character imparting, treatment film formation, removal of at least a part of the film, and cleaning of the substrate W.

基板Wは、薄い板状である。典型的には、基板Wは、薄い略円板状である。基板Wは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ(Field Emission Display:FED)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板などを含む。 The substrate W has a thin plate shape. Typically, the substrate W has a thin substantially disc shape. The substrate W includes, for example, a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display device, a substrate for a plasma display, a substrate for a field emission display (FED), a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for an optical magnetic disk, and a photomask. Includes substrates, ceramic substrates, solar cell substrates, and the like.

基板処理装置200は、燐酸液を含む処理液で基板Wを処理する。典型的には、燐酸処理により、基板Wの絶縁層として機能するシリコン窒化層がエッチングされる。ここでは、基板処理装置200は、基板Wを燐酸液で1枚ごとに処理する。 The substrate processing apparatus 200 treats the substrate W with a processing liquid containing a phosphoric acid solution. Typically, the phosphoric acid treatment etches a silicon nitride layer that functions as an insulating layer of the substrate W. Here, the substrate processing apparatus 200 processes the substrate W with a phosphoric acid solution one by one.

基板処理装置200は、処理液調製装置100と、基板処理部210とを備える。処理液調製装置100は、処理液を調製する。処理液は、燐酸液を含む。処理液調製装置100は、燐酸液の温度および比重を所定の状態に調製する。処理液調製装置100は、調製した処理液を基板処理部210に供給する。 The substrate processing apparatus 200 includes a processing liquid preparation apparatus 100 and a substrate processing unit 210. The treatment liquid preparation device 100 prepares the treatment liquid. The treatment liquid contains a phosphoric acid liquid. The treatment liquid preparation device 100 adjusts the temperature and specific gravity of the phosphoric acid liquid to a predetermined state. The treatment liquid preparation device 100 supplies the prepared treatment liquid to the substrate processing unit 210.

基板処理部210は、処理液調製装置100から供給された処理液で基板Wを処理する。ここでは、基板処理部210は、枚葉処理装置である。基板処理部210は、基板Wを1枚ずつ燐酸液で処理する。なお、基板処理部210が基板Wを処理する場合、燐酸液に気体が含まれていると、基板Wを均一に処理できないことがある。このため、処理液調製装置100から基板処理部210に供給される燐酸液には気体が含まれていないことが好ましい。 The substrate processing unit 210 processes the substrate W with the processing liquid supplied from the processing liquid preparation device 100. Here, the substrate processing unit 210 is a single-wafer processing apparatus. The substrate processing unit 210 treats the substrates W one by one with a phosphoric acid solution. When the substrate processing unit 210 processes the substrate W, if the phosphoric acid solution contains a gas, the substrate W may not be uniformly processed. Therefore, it is preferable that the phosphoric acid liquid supplied from the treatment liquid preparation device 100 to the substrate processing unit 210 does not contain gas.

基板処理部210は、チャンバー212と、基板保持部214と、ノズル216と、カップ218とを含む。チャンバー212は基板Wを収容する。チャンバー212には基板Wが1枚ずつ収容される。基板Wは、チャンバー212内に収容され、チャンバー212内で処理される。 The substrate processing unit 210 includes a chamber 212, a substrate holding unit 214, a nozzle 216, and a cup 218. The chamber 212 houses the substrate W. One substrate W is housed in the chamber 212. The substrate W is housed in the chamber 212 and processed in the chamber 212.

基板保持部214は、基板Wを保持する。また、基板保持部214は、基板Wを保持した状態で基板Wとともに回転する。例えば、基板保持部214は、基板Wの端部を挟持する挟持式であってもよい。 The substrate holding portion 214 holds the substrate W. Further, the substrate holding portion 214 rotates together with the substrate W while holding the substrate W. For example, the substrate holding portion 214 may be a sandwiching type that sandwiches an end portion of the substrate W.

あるいは、基板保持部214は、基板Wを裏面から保持する任意の機構を有してもよい。例えば、基板保持部214は、バキューム式であってもよい。この場合、基板保持部214は、非デバイス形成面である基板Wの裏面(下面)の中央部を上面に吸着させることにより基板Wを水平に保持する。あるいは、基板保持部214は、複数のチャックピンを基板Wの周端面に接触させる挟持式とバキューム式とを組み合わせてもよい。 Alternatively, the substrate holding portion 214 may have an arbitrary mechanism for holding the substrate W from the back surface. For example, the substrate holding portion 214 may be of a vacuum type. In this case, the substrate holding portion 214 holds the substrate W horizontally by adsorbing the central portion of the back surface (lower surface) of the substrate W, which is a non-device forming surface, to the upper surface. Alternatively, the substrate holding portion 214 may be a combination of a holding type and a vacuum type in which a plurality of chuck pins are brought into contact with the peripheral end surface of the substrate W.

ノズル216は、チャンバー212内に収容される。ノズル216は、基板保持部214に保持されている基板Wに向けて燐酸液を吐出する。 The nozzle 216 is housed in the chamber 212. The nozzle 216 discharges the phosphoric acid solution toward the substrate W held by the substrate holding portion 214.

カップ218は、基板Wに供給された燐酸液を回収する。詳細は後述するが、カップ218によって回収された処理液は、処理液調製装置100に戻る。 The cup 218 collects the phosphoric acid solution supplied to the substrate W. The details will be described later, but the treatment liquid recovered by the cup 218 returns to the treatment liquid preparation device 100.

処理液調製装置100は、燐酸液を貯留する貯留部102を備える。貯留部102において、燐酸液は調製される。燐酸液は、燐酸および水を含有する。貯留部102は、燐酸液を所定の温度および比重に調製する。 The treatment liquid preparation device 100 includes a storage unit 102 for storing a phosphoric acid liquid. In the reservoir 102, the phosphoric acid solution is prepared. The phosphoric acid solution contains phosphoric acid and water. The storage unit 102 prepares the phosphoric acid solution at a predetermined temperature and specific gravity.

ここでは、貯留部102は、第1貯留部110と、第2貯留部120とを含む。第1貯留部110には、処理液として燐酸液が貯留されている。第2貯留部120には、処理液として燐酸液が貯留されている。なお、第1貯留部110の燐酸液と第2貯留部120の燐酸液とは、第1貯留部110および第2貯留部120の調製が完了するまで混合されない。ただし、第1貯留部110および第2貯留部120の調製が完了した後、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液は互いに混合されてもよい。なお、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液が混合される際、第1貯留部110の燐酸液の比重は、第2貯留部120の燐酸液の比重とほぼ等しいことが好ましい。また、第1貯留部110の燐酸液の温度は、第2貯留部120の燐酸液の温度とほぼ等しいことが好ましい。 Here, the storage unit 102 includes a first storage unit 110 and a second storage unit 120. A phosphoric acid solution is stored as a treatment liquid in the first storage unit 110. A phosphoric acid solution is stored as a treatment liquid in the second storage unit 120. The phosphoric acid solution of the first storage unit 110 and the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 are not mixed until the preparation of the first storage unit 110 and the second storage unit 120 is completed. However, after the preparation of the first storage unit 110 and the second storage unit 120 is completed, the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 and the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 may be mixed with each other. When the phosphoric acid solution of the first reservoir 110 and the phosphoric acid solution of the second reservoir 120 are mixed, the specific gravity of the phosphoric acid solution of the first reservoir 110 is substantially equal to the specific gravity of the phosphoric acid solution of the second reservoir 120. Is preferable. Further, it is preferable that the temperature of the phosphoric acid solution in the first reservoir 110 is substantially equal to the temperature of the phosphoric acid solution in the second reservoir 120.

ここでは、第1貯留部110は、基板処理部210に燐酸液を供給する。第2貯留部120は、第1貯留部110に燐酸液を補充する。また、ここでは、第2貯留部120は、基板処理部210において用いられた処理液を回収する。 Here, the first storage unit 110 supplies the phosphoric acid solution to the substrate processing unit 210. The second storage unit 120 replenishes the first storage unit 110 with a phosphoric acid solution. Further, here, the second storage unit 120 collects the processing liquid used in the substrate processing unit 210.

なお、本明細書において、第1貯留部110において調製される燐酸液を第1燐酸液と記載することがある。また、第2貯留部120において調製される燐酸液を第2燐酸液と記載することがある。 In addition, in this specification, a phosphoric acid solution prepared in a 1st storage part 110 may be described as a 1st phosphoric acid solution. Further, the phosphoric acid solution prepared in the second storage unit 120 may be referred to as a second phosphoric acid solution.

第1貯留部110は、第1貯留槽112と、第1配管113と、第1計測部114とを含む。第1貯留槽112は、処理液として燐酸液を貯留する。 The first storage unit 110 includes a first storage tank 112, a first pipe 113, and a first measurement unit 114. The first storage tank 112 stores a phosphoric acid solution as a treatment solution.

第1配管113は、第1貯留槽112と基板処理部210とを連絡する。また、第1配管113は、途中で第1貯留槽112に戻る循環配管113aを有する。 The first pipe 113 connects the first storage tank 112 and the substrate processing unit 210. Further, the first pipe 113 has a circulation pipe 113a that returns to the first storage tank 112 on the way.

第1計測部114は、第1貯留槽112に取り付けられる。第1計測部114は、第1貯留槽112の貯留された燐酸液の比重を示す値を計測する。第1計測部114は、第1貯留槽112の背圧を計測する。 The first measurement unit 114 is attached to the first storage tank 112. The first measuring unit 114 measures a value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution stored in the first storage tank 112. The first measuring unit 114 measures the back pressure of the first storage tank 112.

例えば、第1計測部114の先端は、第1貯留槽112の燐酸液面から所定の深さの位置に配置されている。第1計測部114では、第1計測部114の先端にガスを供給して第1貯留槽112の燐酸液内に気泡を形成する。これにより、第1貯留槽112に貯留される燐酸液の液圧は、第1貯留槽112の液面から所定の深さの位置に配置された第1計測部114の先端部におけるガス圧として検出される。ガスとして、典型的には、窒素ガスが用いられる。ガス圧と燐酸液との関係を予め測定しておき、ガス圧と燐酸液との関係を示すルックアップテーブルを事前に作成しておくことにより、ガスによる気泡の形成されるガス圧に応じて燐酸液の比重を計測できる。 For example, the tip of the first measuring unit 114 is arranged at a predetermined depth from the phosphoric acid liquid surface of the first storage tank 112. The first measuring unit 114 supplies gas to the tip of the first measuring unit 114 to form bubbles in the phosphoric acid solution of the first storage tank 112. As a result, the hydraulic pressure of the phosphoric acid solution stored in the first storage tank 112 is set as the gas pressure at the tip of the first measuring unit 114 arranged at a predetermined depth from the liquid level of the first storage tank 112. Detected. As the gas, nitrogen gas is typically used. By measuring the relationship between the gas pressure and the phosphoric acid solution in advance and creating a look-up table showing the relationship between the gas pressure and the phosphoric acid solution in advance, it is possible to respond to the gas pressure at which bubbles are formed by the gas. The specific gravity of the phosphoric acid solution can be measured.

なお、第1計測部114は、必ずしも燐酸液の比重自体の値を計測しなくてもよい。例えば、第1計測部114は、燐酸液の比重と比例して変化する値を計測してもよい。ただし、本明細書において、便宜上、燐酸液の比重を示す値を計測することを燐酸液の比重を計測すると記載することがある。 The first measuring unit 114 does not necessarily have to measure the value of the specific gravity itself of the phosphoric acid solution. For example, the first measuring unit 114 may measure a value that changes in proportion to the specific gravity of the phosphoric acid solution. However, in the present specification, for convenience, measuring a value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution may be described as measuring the specific gravity of the phosphoric acid solution.

第1貯留部110は、ポンプ115a、ヒータ115b、フィルタ115c、バルブ115d、バルブ115eをさらに含む。ポンプ115a、ヒータ115b、フィルタ115c、バルブ115dは、第1配管113に配置されている。バルブ115eは、循環配管113aに配置されている。 The first storage unit 110 further includes a pump 115a, a heater 115b, a filter 115c, a valve 115d, and a valve 115e. The pump 115a, the heater 115b, the filter 115c, and the valve 115d are arranged in the first pipe 113. The valve 115e is arranged in the circulation pipe 113a.

ポンプ115aは、燐酸液を一旦吸い込んだ後、吸い込んだ燐酸液を下流に向けて押し出す。ポンプ115aにより、燐酸液は、第1配管113内に押し出される。ヒータ115bは、第1燐酸液を加熱する。ヒータ115bが燐酸液を加熱することにより、第1燐酸液の温度は130℃以上に設定できる。第1燐酸液の温度は、130℃以上200℃以下に設定されてもよく、150℃以上180℃以下に設定されてもよい。 The pump 115a sucks in the phosphoric acid solution once, and then pushes out the sucked phosphoric acid solution toward the downstream side. The phosphoric acid solution is pushed out into the first pipe 113 by the pump 115a. The heater 115b heats the first phosphoric acid solution. The temperature of the first phosphoric acid solution can be set to 130 ° C. or higher by heating the phosphoric acid solution by the heater 115b. The temperature of the first phosphoric acid solution may be set to 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, or 150 ° C. or higher and 180 ° C. or lower.

フィルタ115cは、第1燐酸液の浮遊物を濾過する。バルブ115dは、第1燐酸液の流れを制御する。バルブ115dが開くことにより、燐酸液は、基板処理部210に向かって流れる。バルブ115dが閉じることにより、燐酸液は、処理液調製装置100から基板処理部210に向かって流れなくなる。 The filter 115c filters the suspended matter of the first phosphoric acid solution. The valve 115d controls the flow of the first phosphoric acid solution. When the valve 115d is opened, the phosphoric acid liquid flows toward the substrate processing unit 210. When the valve 115d is closed, the phosphoric acid liquid does not flow from the treatment liquid preparation device 100 toward the substrate processing unit 210.

また、バルブ115eは、燐酸液の流れを制御する。バルブ115dが開くことにより、燐酸液は、第1貯留槽112に向かって流れるため、燐酸液を循環できる。バルブ115eが閉じることにより、燐酸液の循環が停止される。 The valve 115e also controls the flow of the phosphoric acid solution. When the valve 115d is opened, the phosphoric acid solution flows toward the first storage tank 112, so that the phosphoric acid solution can be circulated. When the valve 115e is closed, the circulation of the phosphoric acid solution is stopped.

例えば、バルブ115dが閉じた状態でバルブ115eが開いていることにより、第1貯留部110の燐酸液は、循環配管113aを介して循環する。このとき、ヒータ115bが循環する燐酸液を加熱することにより、第1貯留部110の燐酸液を所定の温度に設定できる。 For example, when the valve 115e is opened with the valve 115d closed, the phosphoric acid solution in the first storage unit 110 circulates through the circulation pipe 113a. At this time, the phosphoric acid solution in the first storage unit 110 can be set to a predetermined temperature by heating the phosphoric acid solution in which the heater 115b circulates.

また、バルブ115dおよびバルブ115eが開いていることにより、第1貯留部110の燐酸液は、循環配管113aを介して循環するとともに第1配管113を介して基板処理部210に供給される。このため、基板処理部210は、所定温度の燐酸液で基板Wを処理できる。 Further, when the valve 115d and the valve 115e are open, the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 circulates through the circulation pipe 113a and is supplied to the substrate processing unit 210 via the first pipe 113. Therefore, the substrate processing unit 210 can process the substrate W with a phosphoric acid solution having a predetermined temperature.

また、第1貯留部110は、第1水供給部116aと、第1燐酸供給部116bと、第1ガス供給部116cとをさらに含む。第1水供給部116aは、第1貯留槽112に水を供給する。例えば、燐酸液が循環する場合、燐酸液がヒータ115bによって水の沸点を超えた高温に加熱されると、燐酸液からは沸点の低い水が優先的に蒸発する。このため、燐酸液が循環する際に、燐酸液の温度および比重を一定に維持するために、第1水供給部116aは、一定量の水を継続的に供給してもよい。 Further, the first storage unit 110 further includes a first water supply unit 116a, a first phosphoric acid supply unit 116b, and a first gas supply unit 116c. The first water supply unit 116a supplies water to the first storage tank 112. For example, when the phosphoric acid solution circulates, when the phosphoric acid solution is heated to a high temperature exceeding the boiling point of water by the heater 115b, water having a low boiling point evaporates preferentially from the phosphoric acid solution. Therefore, in order to keep the temperature and specific gravity of the phosphoric acid solution constant when the phosphoric acid solution circulates, the first water supply unit 116a may continuously supply a constant amount of water.

燐酸の比重は水の比重よりも高いため、燐酸液中の燐酸成分が多いと、燐酸液の比重が増加する。反対に、燐酸液中の水成分が多いと、燐酸液の比重が減少する。 Since the specific gravity of phosphoric acid is higher than the specific gravity of water, if the phosphoric acid component in the phosphoric acid solution is large, the specific gravity of the phosphoric acid solution increases. On the contrary, when the amount of water component in the phosphoric acid solution is large, the specific gravity of the phosphoric acid solution decreases.

また、燐酸の沸点は水の沸点よりも高いため、燐酸液中の燐酸成分が多いと、燐酸液は沸騰しにくくなる。反対に、燐酸液中の水成分が多いと、燐酸液は沸騰しやすくなる。このため、燐酸液の温度が一定であっても、燐酸液の成分に応じて燐酸液の状態は変化する。例えば、燐酸液中の水成分が多いと、燐酸液は突沸しやすい。したがって、第1水供給部116aから供給される水の量を制御することにより、燐酸液の突沸状態および非突沸状態を制御できる。 Further, since the boiling point of phosphoric acid is higher than the boiling point of water, if the phosphoric acid component in the phosphoric acid solution is large, the phosphoric acid solution is less likely to boil. On the contrary, when the amount of water component in the phosphoric acid solution is large, the phosphoric acid solution tends to boil. Therefore, even if the temperature of the phosphoric acid solution is constant, the state of the phosphoric acid solution changes according to the components of the phosphoric acid solution. For example, if the phosphoric acid solution contains a large amount of water, the phosphoric acid solution tends to boil. Therefore, by controlling the amount of water supplied from the first water supply unit 116a, the buoyant state and the non-buoyant state of the phosphoric acid solution can be controlled.

第1燐酸供給部116bは、第1貯留槽112に燐酸液を供給する。典型的には第1貯留槽112に第1燐酸液を貯留する際に、第1燐酸供給部116bは、第1貯留槽112に燐酸液を供給する。 The first phosphoric acid supply unit 116b supplies the phosphoric acid solution to the first storage tank 112. Typically, when the first phosphoric acid solution is stored in the first storage tank 112, the first phosphoric acid supply unit 116b supplies the phosphoric acid solution to the first storage tank 112.

第1ガス供給部116cは、第1貯留槽112にガスを供給する。例えば、第1ガス供給部116cは、第1貯留槽112に窒素ガスを供給する。 The first gas supply unit 116c supplies gas to the first storage tank 112. For example, the first gas supply unit 116c supplies nitrogen gas to the first storage tank 112.

例えば、第1貯留槽112内の燐酸液の比重は、第1計測部114の計測結果に基づいて、第1水供給部116aから供給される水の量および/または第1燐酸供給部116bから供給される燐酸の量を制御することで制御される。 For example, the specific gravity of the phosphoric acid solution in the first storage tank 112 is determined from the amount of water supplied from the first water supply unit 116a and / or from the first phosphoric acid supply unit 116b based on the measurement result of the first measurement unit 114. It is controlled by controlling the amount of phosphoric acid supplied.

第1貯留槽112は、本体槽112aと、循環槽112bとを有する。循環槽112bは、本体槽112aに隣接して配置されている。本体槽112aは、循環槽112bから溢れる燐酸液が流れ込むように配置される。本体槽112aの容積は、循環槽112bの容積よりも大きい。 The first storage tank 112 has a main body tank 112a and a circulation tank 112b. The circulation tank 112b is arranged adjacent to the main body tank 112a. The main body tank 112a is arranged so that the phosphoric acid liquid overflowing from the circulation tank 112b flows into the main body tank 112a. The volume of the main body tank 112a is larger than the volume of the circulation tank 112b.

循環槽112bには、循環配管113aの先端が位置している。循環配管113aを通過した燐酸液は、第1貯留槽112の循環槽112bに戻り、循環槽112bから溢れて本体槽112aに達し、再び、第1配管113を通過する。また、循環槽112bには、第1計測部114が取り付けられる。 The tip of the circulation pipe 113a is located in the circulation tank 112b. The phosphoric acid solution that has passed through the circulation pipe 113a returns to the circulation tank 112b of the first storage tank 112, overflows from the circulation tank 112b, reaches the main body tank 112a, and passes through the first pipe 113 again. Further, the first measuring unit 114 is attached to the circulation tank 112b.

第1貯留部110は、液面センサ114aをさらに備えてもよい。液面センサ114aは、第1貯留槽112内の燐酸液の液面の高さを検知する。 The first storage unit 110 may further include a liquid level sensor 114a. The liquid level sensor 114a detects the height of the liquid level of the phosphoric acid liquid in the first storage tank 112.

第2貯留部120は、第1貯留部110に対応する構成を有している。第2貯留部120は、第2貯留槽122と、第2配管123と、第2計測部124と、ポンプ125aと、ヒータ125bと、フィルタ125cと、バルブ125dと、バルブ125eと、第2水供給部126aと、第2燐酸供給部126bと、第2ガス供給部126cとを含む。冗長な説明を避けるために第2貯留部120についての重複する記載を省略する。 The second storage unit 120 has a configuration corresponding to the first storage unit 110. The second storage unit 120 includes a second storage tank 122, a second pipe 123, a second measurement unit 124, a pump 125a, a heater 125b, a filter 125c, a valve 125d, a valve 125e, and a second water. The supply unit 126a, the second phosphoric acid supply unit 126b, and the second gas supply unit 126c are included. Duplicate description of the second storage unit 120 is omitted in order to avoid redundant description.

第2貯留部120の第2配管123は、第2貯留槽122と第1貯留槽112とを連絡する。また、バルブ125dは、第2貯留槽122から第1貯留槽112に向かう燐酸液の流れを制御する。バルブ125dが開くことにより、燐酸液は、第1貯留槽112に向かって流れる。バルブ125dが閉じることにより、燐酸液は、第2貯留部120から第1貯留部110に向かって流れなくなる。 The second pipe 123 of the second storage unit 120 connects the second storage tank 122 and the first storage tank 112. Further, the valve 125d controls the flow of the phosphoric acid solution from the second storage tank 122 to the first storage tank 112. When the valve 125d is opened, the phosphoric acid solution flows toward the first storage tank 112. When the valve 125d is closed, the phosphoric acid solution does not flow from the second storage unit 120 toward the first storage unit 110.

また、バルブ125eが開くことにより、燐酸液は、第2貯留槽122に向かって流れるため、燐酸液を循環できる。バルブ125eが閉じることにより、燐酸液の循環が停止される。 Further, when the valve 125e is opened, the phosphoric acid solution flows toward the second storage tank 122, so that the phosphoric acid solution can be circulated. When the valve 125e is closed, the circulation of the phosphoric acid solution is stopped.

例えば、バルブ125dが閉じた状態でバルブ125eが開いていることにより、第2貯留部120の燐酸液は、循環配管123aを介して循環する。このとき、ヒータ125bが循環する燐酸液を加熱することにより、第2貯留部120の燐酸液を所定の温度に設定できる。 For example, when the valve 125e is opened with the valve 125d closed, the phosphoric acid solution in the second storage unit 120 circulates through the circulation pipe 123a. At this time, the phosphoric acid solution in the second storage unit 120 can be set to a predetermined temperature by heating the phosphoric acid solution in which the heater 125b circulates.

また、バルブ125dおよびバルブ125eが開いていることにより、第2貯留部120の燐酸液は、循環配管123aを介して循環するとともに第2配管123を介して第1貯留部110に供給される。このため、第2貯留部120は、第1貯留部110の燐酸液を補充できる。 Further, when the valve 125d and the valve 125e are open, the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 circulates through the circulation pipe 123a and is supplied to the first storage unit 110 via the second pipe 123. Therefore, the second storage unit 120 can replenish the phosphoric acid solution of the first storage unit 110.

また、第2配管123は、途中で第2貯留槽122に戻る循環配管123aを有する。さらに、第2貯留部120は、基板処理部210と第2貯留槽122とを連絡する戻り配管123bを有する。戻り配管123bには、基板処理部210においてカップ126によって回収された処理液が流れる。戻り配管123bを通過する処理液は、第2貯留槽122の本体槽122aに戻る。 Further, the second pipe 123 has a circulation pipe 123a that returns to the second storage tank 122 on the way. Further, the second storage unit 120 has a return pipe 123b that connects the substrate processing unit 210 and the second storage tank 122. The processing liquid collected by the cup 126 in the substrate processing unit 210 flows through the return pipe 123b. The processing liquid passing through the return pipe 123b returns to the main body tank 122a of the second storage tank 122.

処理液調製装置100は、制御部104と、記憶部106とをさらに備える。制御部104は、プロセッサを含む。プロセッサは、例えば、中央処理演算機(Central Processing Unit:CPU)を有する。または、プロセッサは汎用演算機を有してもよい。例えば、制御部104は、第1貯留部110の第1計測部114、液面センサ114a、ポンプ115a、ヒータ115b、フィルタ115c、バルブ115d、バルブ115e、第1水供給部116a、第1燐酸供給部116bおよび第1ガス供給部116cを制御する。また、制御部104は、第2貯留部120の第2計測部124、液面センサ124a、ポンプ125a、ヒータ125b、フィルタ125c、バルブ125d、バルブ125e、第2水供給部126a、第2燐酸供給部126bおよび第2ガス供給部126cを制御する。 The treatment liquid preparation device 100 further includes a control unit 104 and a storage unit 106. The control unit 104 includes a processor. The processor has, for example, a central processing unit (CPU). Alternatively, the processor may have a general-purpose arithmetic unit. For example, the control unit 104 includes a first measurement unit 114 of the first storage unit 110, a liquid level sensor 114a, a pump 115a, a heater 115b, a filter 115c, a valve 115d, a valve 115e, a first water supply unit 116a, and a first phosphoric acid supply. The unit 116b and the first gas supply unit 116c are controlled. Further, the control unit 104 includes a second measurement unit 124 of the second storage unit 120, a liquid level sensor 124a, a pump 125a, a heater 125b, a filter 125c, a valve 125d, a valve 125e, a second water supply unit 126a, and a second phosphoric acid supply. The unit 126b and the second gas supply unit 126c are controlled.

記憶部106は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。記憶部106は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび/またはハードディスクドライブである。記憶部106はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部104は、記憶部106の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、処理液調製方法を実行する。 The storage unit 106 stores data and computer programs. The storage unit 106 includes a main storage device and an auxiliary storage device. The main storage device is, for example, a semiconductor memory. Auxiliary storage devices are, for example, semiconductor memories and / or hard disk drives. The storage unit 106 may include removable media. The control unit 104 executes the computer program stored in the storage unit 106 to execute the processing liquid preparation method.

なお、記憶部106には、予め手順の定められたコンピュータプログラムが記憶されており、処理液調製装置100は、コンピュータプログラムに定められた手順に従って動作する。 A computer program for which a procedure has been determined in advance is stored in the storage unit 106, and the processing liquid preparation device 100 operates according to the procedure specified in the computer program.

なお、基板処理部210は、配管213と、バルブ213aと、配管215と、バルブ215aとをさらに備える。配管213は、第1貯留部110の第1配管113と、チャンバー212とを接続する。バルブ213aは、配管213に配置される。バルブ213aは、配管213内の燐酸液の流れを制御する。バルブ213aが開くことにより、燐酸液は、チャンバー212に向かってノズル216を介して基板Wに吐出される。バルブ213aが閉じることにより、燐酸液は、チャンバー212に向かって流れなくなる。 The substrate processing unit 210 further includes a pipe 213, a valve 213a, a pipe 215, and a valve 215a. The pipe 213 connects the first pipe 113 of the first storage unit 110 and the chamber 212. The valve 213a is arranged in the pipe 213. The valve 213a controls the flow of the phosphoric acid solution in the pipe 213. When the valve 213a is opened, the phosphoric acid liquid is discharged to the substrate W through the nozzle 216 toward the chamber 212. When the valve 213a is closed, the phosphoric acid solution does not flow toward the chamber 212.

配管215は、チャンバー212と、第2貯留部120の戻り配管123bとを接続する。バルブ215aは、配管215に配置される。バルブ215aは、配管215内の燐酸液の流れを制御する。バルブ215aが開くことにより、燐酸液は、チャンバー212から第2貯留部120に向かって流れる。バルブ215aが閉じることにより、燐酸液は、第2貯留部120に向かって流れなくなる。 The pipe 215 connects the chamber 212 and the return pipe 123b of the second storage unit 120. The valve 215a is arranged in the pipe 215. The valve 215a controls the flow of the phosphoric acid solution in the pipe 215. When the valve 215a is opened, the phosphoric acid solution flows from the chamber 212 toward the second storage portion 120. When the valve 215a is closed, the phosphoric acid solution does not flow toward the second reservoir 120.

また、基板処理部210は、制御部204と、記憶部206とをさらに備える。制御部204は、プロセッサを含む。プロセッサは、例えば、中央処理演算機(Central Processing Unit:CPU)を有する。または、プロセッサは汎用演算機を有してもよい。例えば、制御部204は、バルブ213a、基板保持部214、バルブ215aおよびノズル216を制御する。 Further, the substrate processing unit 210 further includes a control unit 204 and a storage unit 206. The control unit 204 includes a processor. The processor has, for example, a central processing unit (CPU). Alternatively, the processor may have a general-purpose arithmetic unit. For example, the control unit 204 controls the valve 213a, the substrate holding unit 214, the valve 215a, and the nozzle 216.

記憶部206は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。記憶部206は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび/またはハードディスクドライブである。記憶部206はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部104は、記憶部206の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理方法を実行する。 The storage unit 206 stores data and computer programs. The storage unit 206 includes a main storage device and an auxiliary storage device. The main storage device is, for example, a semiconductor memory. Auxiliary storage devices are, for example, semiconductor memories and / or hard disk drives. The storage unit 206 may include removable media. The control unit 104 executes the computer program stored in the storage unit 206 to execute the board processing method.

記憶部206には、予め手順の定められたコンピュータプログラムが記憶されており、基板処理部210は、コンピュータプログラムに定められた手順に従って動作する。 A computer program for which a procedure has been determined in advance is stored in the storage unit 206, and the substrate processing unit 210 operates according to the procedure determined for the computer program.

なお、制御部104と、記憶部106と、制御部204と、記憶部206とは、一体的に構成されてもよい。例えば、制御部104と、記憶部106と、制御部204と、記憶部206とは、一体的に構成されて装置制御部201として基板処理装置200を制御してもよい。 The control unit 104, the storage unit 106, the control unit 204, and the storage unit 206 may be integrally configured. For example, the control unit 104, the storage unit 106, the control unit 204, and the storage unit 206 may be integrally configured to control the substrate processing device 200 as the device control unit 201.

本実施形態の処理液調製装置100において、記憶部106は、第1貯留部110の第1燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態であるときの第1計測部114の計測値を記憶する。第1燐酸液が境界状態であるときの計測部の計測値は、第1燐酸液固有の基準状態として利用可能である。このため、第1計測部114の計測値を利用することで、第1燐酸液を他の燐酸液と同じ状態に較正できる。例えば、第1計測部114の計測値を利用することで、第1貯留部110の第1燐酸液を第2貯留部120の第2燐酸液と同じ状態に調製できる。 In the treatment liquid preparation device 100 of the present embodiment, the storage unit 106 determines the measured value of the first measuring unit 114 when the first phosphoric acid liquid of the first storage unit 110 is in the boundary state between the bumped state and the non-bulging state. Remember. The measured value of the measuring unit when the first phosphoric acid solution is in the boundary state can be used as a reference state peculiar to the first phosphoric acid solution. Therefore, by using the measured value of the first measuring unit 114, the first phosphoric acid solution can be calibrated to the same state as other phosphoric acid solutions. For example, by using the measured value of the first measuring unit 114, the first phosphoric acid solution of the first storage unit 110 can be prepared in the same state as the second phosphoric acid solution of the second storage unit 120.

また、記憶部106は、第2貯留部120の第2燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態であるときの第2計測部124の計測値を記憶する。第2燐酸液が境界状態であるときの計測部の計測値は、第2燐酸液固有の基準状態として利用可能である。このため、第2計測部124の計測値を利用することで、第2燐酸液を第1燐酸液と同じ状態に調製できる。 Further, the storage unit 106 stores the measured value of the second measuring unit 124 when the second phosphoric acid liquid of the second storage unit 120 is in the boundary state between the suddenly boiled state and the non-bulging state. The measured value of the measuring unit when the second phosphoric acid solution is in the boundary state can be used as a reference state peculiar to the second phosphoric acid solution. Therefore, the second phosphoric acid solution can be prepared in the same state as the first phosphoric acid solution by using the measured value of the second measuring unit 124.

上述したように、第1貯留部110および第2貯留部120の燐酸液は、ヒータ115bおよびヒータ125bによって加熱される。燐酸液の温度が一定である場合、燐酸液中の燐酸および水の比率に応じて、燐酸液の処理特性は異なる。燐酸液中の水成分が多いほど、燐酸液の比重が低くなる。また、燐酸液の温度が一定条件下にあれば、燐酸液中の水成分が多いほど、基板Wのエッチングレートを向上できる。また、燐酸液中の燐酸成分が多いほど、燐酸液の比重が高くなるとともに、燐酸液の温度を容易に上昇できる。なお、燐酸液の成分(または比重)が一定であれば、燐酸液の温度が高いほど基板Wのエッチングレートを向上できる。 As described above, the phosphoric acid liquids of the first storage unit 110 and the second storage unit 120 are heated by the heater 115b and the heater 125b. When the temperature of the phosphoric acid solution is constant, the treatment characteristics of the phosphoric acid solution differ depending on the ratio of phosphoric acid and water in the phosphoric acid solution. The more water components in the phosphoric acid solution, the lower the specific gravity of the phosphoric acid solution. Further, if the temperature of the phosphoric acid solution is under a certain condition, the etching rate of the substrate W can be improved as the amount of water components in the phosphoric acid solution increases. Further, the larger the phosphoric acid component in the phosphoric acid solution, the higher the specific gravity of the phosphoric acid solution and the easier the temperature of the phosphoric acid solution can be raised. If the component (or specific gravity) of the phosphoric acid solution is constant, the higher the temperature of the phosphoric acid solution, the better the etching rate of the substrate W.

次に、図1および図2を参照して、本実施形態の処理液調製装置100における第1貯留槽112への水の供給と、第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を説明する。図2(a)〜図2(d)は、本実施形態の処理液調製装置100における第1貯留槽112への水の供給と、第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を示す模式図である。 Next, with reference to FIGS. 1 and 2, a value indicating the supply of water to the first storage tank 112 in the treatment liquid preparation device 100 of the present embodiment, the specific gravity of the phosphoric acid liquid in the first storage unit 110, and phosphoric acid. The state of the liquid will be described. 2 (a) to 2 (d) show the supply of water to the first storage tank 112 in the treatment liquid preparation device 100 of the present embodiment, the specific gravity of the phosphoric acid liquid in the first storage unit 110, and the phosphoric acid. It is a schematic diagram which shows the state of a liquid.

なお、図2(a)〜図2(d)では、燐酸液の温度は一定に維持している。例えば、燐酸液の温度は、130℃以上180℃以下である。また、燐酸液の状態は、第1配管113の一部において観察できる。燐酸液の状態は、第1配管113の一部で目視にて確認してもよい。 In FIGS. 2 (a) and 2 (d), the temperature of the phosphoric acid solution is kept constant. For example, the temperature of the phosphoric acid solution is 130 ° C. or higher and 180 ° C. or lower. Further, the state of the phosphoric acid solution can be observed in a part of the first pipe 113. The state of the phosphoric acid solution may be visually confirmed in a part of the first pipe 113.

図2(a)に示すように、第1水供給部116aから第1貯留槽112に比較的多くの水が供給されると、燐酸液の水成分が比較的多くなる。この場合、第1計測部114は、第1燐酸液の比重として比較的低い値を計測する。ここでは、計測値は33.9である。このとき、第1燐酸液は沸騰しており、部分的に気化している。 As shown in FIG. 2A, when a relatively large amount of water is supplied from the first water supply unit 116a to the first storage tank 112, the water component of the phosphoric acid solution becomes relatively large. In this case, the first measuring unit 114 measures a relatively low value as the specific gravity of the first phosphoric acid solution. Here, the measured value is 33.9. At this time, the first phosphoric acid solution is boiling and is partially vaporized.

図2(b)に示すように、第1水供給部116aから第1貯留槽112に供給される水の量を若干減少させると、燐酸液の水成分がやや少なくなる。この場合、第1計測部114は、第1燐酸液の比重としてやや高い値を計測する。ここでは、計測値は34.0である。このときも、第1燐酸液は沸騰しており、部分的に気化している。 As shown in FIG. 2B, when the amount of water supplied from the first water supply unit 116a to the first storage tank 112 is slightly reduced, the water component of the phosphoric acid solution is slightly reduced. In this case, the first measuring unit 114 measures a slightly higher value as the specific gravity of the first phosphoric acid solution. Here, the measured value is 34.0. Also at this time, the first phosphoric acid solution is boiling and is partially vaporized.

図2(c)に示すように、第1水供給部116aから第1貯留槽112に供給される水の量をさらに減少させると、燐酸液の水成分がさらに少なくなる。この場合、第1計測部114は、第1燐酸液の比重としてさらに高い値を計測する。ここでは、計測値は34.1である。このときも、第1燐酸液は沸騰しており、部分的に気化している。 As shown in FIG. 2C, when the amount of water supplied from the first water supply unit 116a to the first storage tank 112 is further reduced, the water component of the phosphoric acid solution is further reduced. In this case, the first measuring unit 114 measures a higher value as the specific gravity of the first phosphoric acid solution. Here, the measured value is 34.1. Also at this time, the first phosphoric acid solution is boiling and is partially vaporized.

図2(d)に示すように、第1水供給部116aから第1貯留槽112に供給される水の量をさらに減少させると、燐酸液の水成分がさらに少なくなる。この場合、第1計測部114は、第1貯留部110の燐酸液の比重はさらに高い値を計測する。ここでは、計測値は34.2である。このとき、第1燐酸液は沸騰せずに透明なままである。 As shown in FIG. 2D, when the amount of water supplied from the first water supply unit 116a to the first storage tank 112 is further reduced, the water component of the phosphoric acid solution is further reduced. In this case, the first measuring unit 114 measures the specific gravity of the phosphoric acid solution in the first storage unit 110 to be even higher. Here, the measured value is 34.2. At this time, the first phosphoric acid solution does not boil and remains transparent.

図2(a)〜図2(d)を参照した説明から理解されるように、燐酸液の温度が一定であっても、燐酸液の成分の変化とともに燐酸液の比重とともに燐酸液の状態が変化する。詳細には、燐酸液の水分が少ないほど、燐酸液の比重が増加し、燐酸液は沸騰しにくい。 As can be understood from the explanation with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (d), even if the temperature of the phosphoric acid solution is constant, the state of the phosphoric acid solution changes with the change in the components of the phosphoric acid solution and the specific gravity of the phosphoric acid solution. Change. Specifically, the smaller the water content of the phosphoric acid solution, the higher the specific gravity of the phosphoric acid solution, and the less likely the phosphoric acid solution to boil.

図1を参照して説明したように、処理液調製装置100では、第1計測部114は第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値を計測し、第2計測部124は第2貯留部120の燐酸液の比重を示す値を計測する。ただし、第1計測部114および第2計測部124には機器ごとに差があるため、仮に、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液の比重が等しい場合でも、第1計測部114の計測結果が第2計測部124の計測結果と等しくならないことがある。反対に、第1計測部114の計測結果が第2計測部124の計測結果と等しくても、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液の比重が等しくないことがある。この場合、第1計測部114の計測値および第2計測部124の計測値が互いに整合するように第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液を調製しても、第1燐酸液の比重は第2燐酸液の比重とは異なることになる。このように、比重の異なる2つの燐酸液を混合すると、燐酸液の比重は当初の予定した比重とは異なることになり、処理液の処理特性が変化してしまう。 As described with reference to FIG. 1, in the treatment liquid preparation device 100, the first measuring unit 114 measures a value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution of the first storage unit 110, and the second measuring unit 124 measures the second storage. A value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution of part 120 is measured. However, since there are differences between the first measuring unit 114 and the second measuring unit 124 for each device, even if the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 and the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 have the same specific gravity, the first measurement unit 114 and the second measurement unit 124 have the same specific gravity. The measurement result of the 1 measurement unit 114 may not be equal to the measurement result of the second measurement unit 124. On the contrary, even if the measurement result of the first measurement unit 114 is equal to the measurement result of the second measurement unit 124, the specific gravities of the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 and the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 may not be equal. .. In this case, even if the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 and the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 are prepared so that the measured values of the first measuring unit 114 and the measured values of the second measuring unit 124 match each other, the first The specific gravity of the 1 phosphoric acid solution is different from the specific gravity of the second phosphoric acid solution. When two phosphoric acid solutions having different specific gravities are mixed in this way, the specific gravity of the phosphoric acid solution will be different from the originally planned specific gravity, and the treatment characteristics of the treatment solution will change.

次に、図1〜図3を参照して、本実施形態にしたがって処理液を調製する前の処理液調製装置100の制御を説明する。図3(a)〜図3(d)は、第1貯留槽112および第2貯留槽122への水の供給と、第1貯留部110および第2貯留部120の燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を示す模式図である。 Next, with reference to FIGS. 1 to 3, control of the treatment liquid preparation device 100 before preparing the treatment liquid according to the present embodiment will be described. 3 (a) to 3 (d) show the supply of water to the first storage tank 112 and the second storage tank 122 and the specific gravity of the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 and the second storage unit 120. It is a schematic diagram which shows the state of a phosphoric acid solution.

図3(a)に示すように、第1計測部114の計測値が第2計測部124の計測値がいずれも同じ値(33.9)になるように第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を制御する。この場合、第1配管113を流れる燐酸液および第2配管123を流れる燐酸液はいずれも激しく突沸している。配管のうちの側方には気泡が形成されており、配管の中央のみに燐酸液が流れる。このとき、第1燐酸液および第2燐酸液は、いずれも図2(a)に示した状態に相当する。 As shown in FIG. 3A, the first water supply unit 116a and the second water supply unit 116a and the second so that the measurement value of the first measurement unit 114 is the same value (33.9) as the measurement value of the second measurement unit 124. The amount of water from the water supply unit 126a is controlled. In this case, both the phosphoric acid liquid flowing through the first pipe 113 and the phosphoric acid liquid flowing through the second pipe 123 are violently boiling. Bubbles are formed on the sides of the pipe, and the phosphoric acid solution flows only in the center of the pipe. At this time, both the first phosphoric acid solution and the second phosphoric acid solution correspond to the state shown in FIG. 2 (a).

図3(b)に示すように、第1計測部114の計測値および第2計測部124の計測値がいずれも同じ値(34.0)になるように第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量が減少するように制御する。この場合、第1配管113を流れる燐酸液および第2配管123を流れる燐酸液はいずれも突沸している。ただし、第1配管113を流れる燐酸液の突沸は比較的激しいのに対して、第2配管123を流れる燐酸液の突沸は比較的弱い。このとき、第1燐酸液は、図2(b)に示した状態に相当し、第2燐酸液は、図2(c)に示した状態に相当する。 As shown in FIG. 3B, the first water supply unit 116a and the second water supply unit 116a and the second water supply unit 116a and the second are so that the measurement value of the first measurement unit 114 and the measurement value of the second measurement unit 124 are both the same value (34.0). The amount of water from the water supply unit 126a is controlled to decrease. In this case, both the phosphoric acid liquid flowing through the first pipe 113 and the phosphoric acid liquid flowing through the second pipe 123 are suddenly boiling. However, while the phosphoric acid solution flowing through the first pipe 113 is relatively violent, the phosphoric acid solution flowing through the second pipe 123 is relatively weak. At this time, the first phosphoric acid solution corresponds to the state shown in FIG. 2 (b), and the second phosphoric acid solution corresponds to the state shown in FIG. 2 (c).

図3(c)に示すように、第1計測部114の計測値および第2計測部124の計測値がいずれも同じ値(34.1)になるように第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量が減少するように制御する。この場合、第1配管113を流れる燐酸液は依然として突沸した状態であるのに対して第2配管123を流れる燐酸液は突沸していない。このとき、第1燐酸液は、図2(c)に示した状態に相当し、第2燐酸液は、図2(d)に示した状態に相当する。 As shown in FIG. 3C, the first water supply unit 116a and the second water supply unit 116a and the second water supply unit 116a so that the measurement value of the first measurement unit 114 and the measurement value of the second measurement unit 124 are both the same value (34.1). The amount of water from the water supply unit 126a is controlled to decrease. In this case, the phosphoric acid solution flowing through the first pipe 113 is still in a sudden boiling state, whereas the phosphoric acid liquid flowing through the second pipe 123 is not suddenly boiling. At this time, the first phosphoric acid solution corresponds to the state shown in FIG. 2C, and the second phosphoric acid solution corresponds to the state shown in FIG. 2D.

図3(d)に示すように、第1計測部114の計測値および第2計測部124の計測値がいずれも同じ値(34.2)になるように第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量が減少するように制御する。この場合、第1配管113を流れる燐酸液および第2配管123を流れる燐酸液はいずれも突沸しない。このとき、第1燐酸液および第2燐酸液は、いずれも図2(d)に示した状態に相当する。 As shown in FIG. 3D, the first water supply unit 116a and the second water supply unit 116a and the second water supply unit 116a so that the measurement value of the first measurement unit 114 and the measurement value of the second measurement unit 124 are both the same value (34.2). The amount of water from the water supply unit 126a is controlled to decrease. In this case, neither the phosphoric acid liquid flowing through the first pipe 113 nor the phosphoric acid liquid flowing through the second pipe 123 suddenly boils. At this time, both the first phosphoric acid solution and the second phosphoric acid solution correspond to the state shown in FIG. 2 (d).

図3(a)〜図3(d)を参照して説明したように、第1計測部114の計測値および第2計測部124の計測値が等しくなるように第1貯留槽112および第2貯留槽122を制御しても、第1燐酸液および第2燐酸液は異なる状態になる。これは、第1計測部114と第2計測部124との間の機器間差によるものである。このため、第1計測部114の計測結果と第2計測部124nの計測結果とが整合するように第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を制御しても、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液の比重を揃えることはできない。 As described with reference to FIGS. 3 (a) to 3 (d), the first storage tank 112 and the second storage tank 112 and the second storage tank 112 so that the measured values of the first measuring unit 114 and the measured values of the second measuring unit 124 are equal to each other. Even if the storage tank 122 is controlled, the first phosphoric acid solution and the second phosphoric acid solution are in different states. This is due to the difference between the devices between the first measuring unit 114 and the second measuring unit 124. Therefore, even if the amount of water from the first water supply unit 116a and the second water supply unit 126a is controlled so that the measurement result of the first measurement unit 114 and the measurement result of the second measurement unit 124n match. The specific gravities of the phosphoric acid solution of the first reservoir 110 and the phosphoric acid solution of the second reservoir 120 cannot be made the same.

本実施形態の処理液調製装置100では、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液を共通の状態に設定した状態で、第1計測部114が第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値を計測するとともに、第2計測部124が第2貯留部120の燐酸液の比重を示す値を計測する。これらの比重は、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液を共通の状態を示すものであるため、第1計測部114と第2計測部124との間の機器間差の影響を受けない。その後、これらの計測結果を基準として、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液を調製することが好ましい。 In the treatment liquid preparation device 100 of the present embodiment, the first measuring unit 114 is set to the first storage unit 110 in a state where the phosphoric acid liquid of the first storage unit 110 and the phosphoric acid liquid of the second storage unit 120 are set to a common state. The value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution is measured, and the second measuring unit 124 measures the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution of the second storage unit 120. Since these specific gravities indicate a common state between the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 and the phosphoric acid solution of the second storage unit 120, the equipment between the first measurement unit 114 and the second measurement unit 124 Not affected by the difference. After that, it is preferable to prepare a phosphoric acid solution of the first reservoir 110 and a phosphoric acid solution of the second reservoir 120 based on these measurement results.

次に、図1〜図4を参照して、本実施形態の処理液調製方法を説明する。図4(a)〜図4(c)は、本実施形態の処理液調製装置100における第1貯留槽112および第2貯留槽122への水の供給、第1貯留部110および第2貯留部120の燐酸液の比重を示す値および燐酸液の状態を示す模式図である。本実施形態では、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液をいずれも突沸状態と非突沸状態との境界状態に設定した状態で、第1計測部114は第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値を計測し、第2計測部124は第2貯留部120の燐酸液の比重を示す値を計測する。典型的には、この状態において、第1計測部114の計測値は、第2計測部124の計測値とは異なる。 Next, the treatment liquid preparation method of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 4. 4 (a) to 4 (c) show the supply of water to the first storage tank 112 and the second storage tank 122, the first storage unit 110 and the second storage unit in the treatment liquid preparation device 100 of the present embodiment. It is a schematic diagram which shows the value which shows the specific gravity of 120 phosphoric acid liquids, and the state of a phosphoric acid liquid. In the present embodiment, the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 and the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 are both set to the boundary state between the bumped state and the non-bulging state, and the first measuring unit 114 is the first storage. The value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution of the unit 110 is measured, and the second measuring unit 124 measures the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution of the second storage unit 120. Typically, in this state, the measured value of the first measuring unit 114 is different from the measured value of the second measuring unit 124.

図4(a)に示すように、第1貯留部110の燐酸液の状態が第2貯留部120の燐酸液の状態とほぼ等しくなるように、第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を制御する。ここでは、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液のいずれもが、突沸状態と非突沸状態との境界のうちの突沸状態になるように第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を制御する。このとき、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液は、図2(c)に示したように、若干突沸している。 As shown in FIG. 4A, the first water supply unit 116a and the second water supply unit 116a and the second water supply unit so that the state of the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 is substantially equal to the state of the phosphoric acid solution of the second storage unit 120. Control the amount of water from 126a. Here, the first water supply unit 116a and the first water supply unit 116a and the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 are set so that both the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 and the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 are in the bumping state at the boundary between the bumping state and the non-bulging state. The amount of water from the second water supply unit 126a is controlled. At this time, the phosphoric acid solution of the first reservoir 110 and the phosphoric acid solution of the second reservoir 120 are slightly bumped as shown in FIG. 2C.

例えば、図4(a)において、第1計測部114によって計測された第1貯留部110の計測値は34.1であり、第2計測部124によって計測された第1貯留部110の計測値は34.0である。 For example, in FIG. 4A, the measured value of the first storage unit 110 measured by the first measuring unit 114 is 34.1, and the measured value of the first storage unit 110 measured by the second measuring unit 124. Is 34.0.

また、図4(b)に示すように、第1貯留部110の燐酸液の状態が第2貯留部120の燐酸液の状態とほぼ等しくなるように、第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を制御する。ここでは、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液のいずれもが、突沸状態と非突沸状態との境界のうちの非突沸状態になるように第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を制御する。このとき、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液は、図2(d)に示したように、突沸していない。 Further, as shown in FIG. 4B, the first water supply unit 116a and the second water so that the state of the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 is substantially equal to the state of the phosphoric acid solution of the second storage unit 120. The amount of water from the supply unit 126a is controlled. Here, the first water supply unit 116a is set so that both the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 and the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 are in the non-burst state at the boundary between the bumped state and the non-bulging state. And the amount of water from the second water supply unit 126a is controlled. At this time, the phosphoric acid solution of the first reservoir 110 and the phosphoric acid solution of the second reservoir 120 are not suddenly boiled as shown in FIG. 2 (d).

例えば、図4(b)において、第1計測部114によって計測された第1燐酸液の比重を示す値は34.2であり、第2計測部124によって計測された第2燐酸液の比重を示す値は34.1である。 For example, in FIG. 4B, the value indicating the specific gravity of the first phosphoric acid solution measured by the first measuring unit 114 is 34.2, and the specific gravity of the second phosphoric acid solution measured by the second measuring unit 124 is calculated. The value shown is 34.1.

なお、第1貯留部110の燐酸液の調製条件では、第1計測部114の計測値が34.1と34.2との間である場合、第1貯留部110の燐酸液は、突沸状態と非突沸状態との境界状態となる。このとき、第1燐酸液の状態は、第2燐酸液の状態と等しい。したがって、記憶部106(図1)は、第1計測部114の計測値から、第1貯留部110の基準値として34.2を記憶する。また、記憶部106(図1)は、第2計測部124の計測値から、第2貯留部120の基準値として34.1を記憶する。 Under the conditions for preparing the phosphoric acid solution of the first storage unit 110, when the measured value of the first measurement unit 114 is between 34.1 and 34.2, the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 is in a bumped state. It becomes a boundary state between and the non-sudden state. At this time, the state of the first phosphoric acid solution is equal to the state of the second phosphoric acid solution. Therefore, the storage unit 106 (FIG. 1) stores 34.2 as a reference value of the first storage unit 110 from the measured value of the first measurement unit 114. Further, the storage unit 106 (FIG. 1) stores 34.1 as a reference value of the second storage unit 120 from the measurement value of the second measurement unit 124.

なお、実際に基板処理部210で用いる燐酸液の比重は、基準値に対応する比重よりも高いことが好ましい。これにより、基板処理部210の温度が多少低くても、燐酸液が気化して処理液に泡が発生することを抑制できる。 The specific gravity of the phosphoric acid solution actually used in the substrate processing unit 210 is preferably higher than the specific gravity corresponding to the reference value. As a result, even if the temperature of the substrate processing unit 210 is slightly low, it is possible to prevent the phosphoric acid solution from vaporizing and generating bubbles in the processing solution.

図4(c)に示すように、第1計測部114の計測値および第2計測部124の計測値は、いずれも基準値から所定値だけ比重が増加するように、第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量が減少するように制御する。ここでは、所定値は0.3である。このため、第1計測部114の計測値は34.5であり、第2計測部124の計測値は34.4である。以上のように、基板処理に用いる燐酸液の計測値は、燐酸液の較正の基準となる基準値とは異なってもよい。 As shown in FIG. 4 (c), the measured value of the first measuring unit 114 and the measured value of the second measuring unit 124 are both the first water supply unit 116a so that the specific gravity increases by a predetermined value from the reference value. And the amount of water from the second water supply unit 126a is controlled to decrease. Here, the predetermined value is 0.3. Therefore, the measured value of the first measuring unit 114 is 34.5, and the measured value of the second measuring unit 124 is 34.4. As described above, the measured value of the phosphoric acid solution used for the substrate treatment may be different from the reference value which is the reference value for the calibration of the phosphoric acid solution.

なお、第1貯留部110の燐酸液に供給する際の第1計測部114の計測値は、基板処理部210を流れる燐酸液を観察して決定することが好ましい。 The measured value of the first measuring unit 114 when supplying the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 is preferably determined by observing the phosphoric acid solution flowing through the substrate processing unit 210.

以下、図5を参照して本実施形態の基板処理装置200における燐酸液の調製について説明する。図5(a)〜図5(c)は、基板処理装置200の模式図である。なお、図5(a)〜図5(c)は、図1の基板処理装置200の一部を示す模式図である。ここでは、基板処理部210を流れる燐酸液の状態を確認する。例えば、基板処理部210におけるノズル216を通過する直前の燐酸液の状態を確認する。 Hereinafter, the preparation of the phosphoric acid solution in the substrate processing apparatus 200 of the present embodiment will be described with reference to FIG. 5 (a) to 5 (c) are schematic views of the substrate processing apparatus 200. 5 (a) to 5 (c) are schematic views showing a part of the substrate processing apparatus 200 of FIG. Here, the state of the phosphoric acid liquid flowing through the substrate processing unit 210 is confirmed. For example, the state of the phosphoric acid solution immediately before passing through the nozzle 216 in the substrate processing unit 210 is confirmed.

図5(a)に示すように、第1計測部114の計測値が第1基準値(34.2)である場合、第1燐酸液は非突沸状態である。ここでは、第1貯留部110の燐酸液は突沸していないのに対して、基板処理部210の燐酸液は突沸している。第1貯留部110の燐酸液は、図2(d)に示した状態に相当し、基板処理部210の燐酸液は、図2(b)に示した状態に相当する。この場合、第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値がさらに増加するように第1水供給部116aからの水の量を減少する。 As shown in FIG. 5A, when the measured value of the first measuring unit 114 is the first reference value (34.2), the first phosphoric acid solution is in a non-buoyant state. Here, the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 is not suddenly boiled, whereas the phosphoric acid solution of the substrate processing unit 210 is suddenly boiled. The phosphoric acid solution of the first storage unit 110 corresponds to the state shown in FIG. 2D, and the phosphoric acid solution of the substrate processing unit 210 corresponds to the state shown in FIG. 2B. In this case, the amount of water from the first water supply unit 116a is reduced so that the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the first storage unit 110 is further increased.

図5(b)に示すように、第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値がさらに増加して、第1計測部114の計測値が34.4である場合、第1貯留部110の燐酸液は突沸していないのに対して基板処理部210の燐酸液の突沸の程度は減少したが、基板処理部210の燐酸液は突沸状態のままである。第1貯留部110の燐酸液は、図2(d)に示した状態に相当し、基板処理部210の燐酸液は、図2(c)に示した状態に相当する。この場合、第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値がさらに増加するように第1水供給部116aからの水の量を減少する。 As shown in FIG. 5B, when the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 is further increased and the measured value of the first measurement unit 114 is 34.4, the first storage unit 110 Although the phosphoric acid solution of the substrate treatment unit 210 was not suddenly boiled, the degree of the phosphoric acid solution of the substrate processing unit 210 was reduced, but the phosphoric acid solution of the substrate processing unit 210 remained in the sudden boiling state. The phosphoric acid solution of the first storage unit 110 corresponds to the state shown in FIG. 2 (d), and the phosphoric acid solution of the substrate processing unit 210 corresponds to the state shown in FIG. 2 (c). In this case, the amount of water from the first water supply unit 116a is reduced so that the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the first storage unit 110 is further increased.

図5(c)に示すように、第1計測部114の計測値が第1基準値(34.5)である場合、第1貯留部110の第1燐酸液は非突沸状態であるとともに基板処理部210の燐酸液は非突沸状態になる。第1貯留部110の燐酸液は、図2(d)に示した状態に相当し、基板処理部210の燐酸液は、図2(d)に示した状態に相当する。このように、第1貯留部110の第1燐酸液は、基板処理部210の燐酸液が非突沸状態になるように調製されることが好ましい。 As shown in FIG. 5C, when the measured value of the first measuring unit 114 is the first reference value (34.5), the first phosphoric acid solution of the first storage unit 110 is in a non-buoyant state and is in a substrate. The phosphoric acid solution of the processing unit 210 is in a non-buoyant state. The phosphoric acid solution of the first storage unit 110 corresponds to the state shown in FIG. 2D, and the phosphoric acid solution of the substrate processing unit 210 corresponds to the state shown in FIG. 2D. As described above, the first phosphoric acid solution of the first storage unit 110 is preferably prepared so that the phosphoric acid solution of the substrate processing unit 210 is in a non-buoyant state.

ただし、第1貯留部110の第1燐酸液の比重を示す値が高いほど、基板Wのエッチングレートが低下する。このため、第1貯留部110の第1燐酸液の比重を示す値は、基板処理部210の燐酸液が突沸しない範囲内で比較的低いことが好ましい。 However, the higher the value indicating the specific gravity of the first phosphoric acid solution in the first storage unit 110, the lower the etching rate of the substrate W. Therefore, the value indicating the specific gravity of the first phosphoric acid solution in the first storage section 110 is preferably relatively low within the range in which the phosphoric acid solution in the substrate processing section 210 does not suddenly boil.

なお、図5(a)〜図5(c)を参照した上述の説明では、基板処理部210の燐酸液としてノズル216を通過する直前の燐酸液の状態を観察したが、本実施形態はこれに限定されない。基板処理部210の燐酸液として配管213中の燐酸液の状態を観察してもよい。 In the above description with reference to FIGS. 5 (a) to 5 (c), the state of the phosphoric acid solution immediately before passing through the nozzle 216 as the phosphoric acid solution of the substrate processing unit 210 was observed, but this embodiment has this. Not limited to. The state of the phosphoric acid solution in the pipe 213 may be observed as the phosphoric acid solution of the substrate processing unit 210.

以下、図1〜図6を参照して、本実施形態の処理液調製装置100のフローを説明する。図6は、処理液調製装置100のフローを説明するためのフロー図である。 Hereinafter, the flow of the treatment liquid preparation device 100 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 6. FIG. 6 is a flow chart for explaining the flow of the treatment liquid preparation device 100.

ステップS102において、第1貯留部110の燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態になるように設定する。また、第2貯留部120の燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態になるように設定する。 In step S102, the phosphoric acid solution in the first storage unit 110 is set to be in a boundary state between the suddenly boiled state and the non-struck state. Further, the phosphoric acid solution in the second storage unit 120 is set to be in a boundary state between the suddenly boiled state and the non-struck state.

例えば、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液は、図4(a)に示したように、突沸状態と非突沸状態との境界のうちの突沸状態になるように第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を制御した後で、第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を減少させて、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液は、図4(b)に示したように、突沸状態と非突沸状態との境界のうちの非突沸状態になるように制御してもよい。あるいは、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液は、図4(b)に示したように、突沸状態と非突沸状態との境界のうちの非突沸状態になるように第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を制御した後で、第1水供給部116aおよび第2水供給部126aからの水の量を増加させて、図4(a)に示したように、突沸状態と非突沸状態との境界のうちの突沸状態になるように制御してもよい。 For example, as shown in FIG. 4A, the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 and the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 are in a bumpy state at the boundary between the bumpy state and the non-burst state. After controlling the amount of water from the first water supply unit 116a and the second water supply unit 126a, the amount of water from the first water supply unit 116a and the second water supply unit 126a is reduced to reduce the first storage. As shown in FIG. 4B, even if the phosphoric acid solution of the portion 110 and the phosphoric acid solution of the second storage portion 120 are controlled to be in the non-burst state at the boundary between the sudden boiling state and the non-burst state. Good. Alternatively, as shown in FIG. 4B, the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 and the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 are in the non-burst state at the boundary between the sudden boiling state and the non-burst state. After controlling the amount of water from the first water supply unit 116a and the second water supply unit 126a, the amount of water from the first water supply unit 116a and the second water supply unit 126a is increased in FIG. As shown in (a), it may be controlled so that the bumping state is within the boundary between the bumping state and the non-burst state.

ステップS104において、第1貯留部110の燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態であるときに、第1計測部114が境界状態の燐酸液の比重を示す値を第1基準値として計測する。同様に、第2貯留部120の燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態であるときに、第2計測部124が境界状態の燐酸液の比重を示す値を第2基準値として計測する。 In step S104, when the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 is in the boundary state between the suddenly boiled state and the non-bulging state, the first measuring unit 114 sets a value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the boundary state as the first reference value. measure. Similarly, when the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 is in the boundary state between the bumped state and the non-buried state, the second measuring unit 124 measures the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the boundary state as the second reference value. To do.

ステップS106において、記憶部106は、第1計測部114によって計測された比重を記憶する。また、記憶部106は、第2計測部124によって計測された比重を記憶する。 In step S106, the storage unit 106 stores the specific gravity measured by the first measurement unit 114. Further, the storage unit 106 stores the specific gravity measured by the second measurement unit 124.

ステップS108において、第1貯留部110は、第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値が第1基準値から所定値だけずれるように調製する。典型的には、第1貯留部110は、第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値が基準値から増大するように第1燐酸液を調製する。 In step S108, the first storage unit 110 is prepared so that the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the first storage unit 110 deviates from the first reference value by a predetermined value. Typically, the first reservoir 110 prepares the first phosphoric acid solution so that the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution of the first reservoir 110 increases from the reference value.

なお、調製後の計測値と基準値との差分が小さい場合、追加して供給される水の量が少ないため、燐酸液は高い温度を保つことができる。ただし、比重の計測値が基準値から所定値だけ増大するように燐酸液を調製するため、原則として、燐酸液には突沸は生じないが、意図せぬ要因による突沸の可能性をさらに低減させるために、差分はある程度大きいことが好ましい。 When the difference between the measured value after preparation and the reference value is small, the amount of water additionally supplied is small, so that the phosphoric acid solution can maintain a high temperature. However, since the phosphoric acid solution is prepared so that the measured value of specific gravity increases by a predetermined value from the reference value, in principle, the phosphoric acid solution does not cause bumping, but the possibility of bumping due to unintended factors is further reduced. Therefore, it is preferable that the difference is large to some extent.

また、第2貯留部120は、燐酸液の比重を示す値が第2基準値から所定値だけずれるように調製する。典型的には、第2貯留部120は、第2貯留部120の燐酸液の比重を示す値が基準値から増大するように燐酸液を調製する。 Further, the second storage unit 120 is prepared so that the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution deviates from the second reference value by a predetermined value. Typically, the second reservoir 120 prepares the phosphoric acid solution so that the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution of the second reservoir 120 increases from the reference value.

以上のように、本実施形態によれば、第1貯留部110の燐酸液の比重を第2貯留部120の燐酸液の比重と揃えることができ、第1貯留部110の燐酸液を第2貯留部120の燐酸液と同様に較正できる。このため、第2貯留部120の燐酸液を第1貯留部110の燐酸液と混合させても、第1貯留部110の燐酸液の処理特性は変動せず、基板処理部210は、連続して安定的に基板Wを処理できる。 As described above, according to the present embodiment, the specific gravity of the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 can be made to be the same as the specific gravity of the phosphoric acid solution of the second storage unit 120, and the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 is the second. It can be calibrated in the same manner as the phosphoric acid solution in the reservoir 120. Therefore, even if the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 is mixed with the phosphoric acid solution of the first storage unit 110, the processing characteristics of the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 do not change, and the substrate processing unit 210 is continuous. The substrate W can be processed stably.

なお、図1に示した処理液調製装置100では、第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液の状態は、目視にて確認したが、本実施形態はこれに限定されない。第1貯留部110の燐酸液および第2貯留部120の燐酸液の少なくとも一方の状態は撮像機器で確認されてもよい。 In the treatment liquid preparation device 100 shown in FIG. 1, the states of the phosphoric acid liquid in the first storage unit 110 and the phosphoric acid liquid in the second storage unit 120 were visually confirmed, but the present embodiment is not limited to this. .. The state of at least one of the phosphoric acid solution of the first reservoir 110 and the phosphoric acid solution of the second reservoir 120 may be confirmed by an imaging device.

次に、図7を参照して、本実施形態の処理液調製装置100を備える基板処理装置200を説明する。図7は、基板処理装置200の模式図である。なお、図7に示した基板処理装置200は、処理液調製装置100が第1撮像部118および第2撮像部128をさらに備えることを除いて、図1を参照して上述した基板処理装置200と同様の構成を有している。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。 Next, the substrate processing apparatus 200 including the processing liquid preparation apparatus 100 of this embodiment will be described with reference to FIG. 7. FIG. 7 is a schematic view of the substrate processing apparatus 200. The substrate processing apparatus 200 shown in FIG. 7 is the substrate processing apparatus 200 described above with reference to FIG. 1, except that the processing liquid preparation apparatus 100 further includes a first imaging unit 118 and a second imaging unit 128. It has the same configuration as. Therefore, duplicate descriptions are omitted for the purpose of avoiding redundancy.

基板処理装置200は、処理液調製装置100と、基板処理部210とを備える。処理液調製装置100は、貯留部102を備える。貯留部102は、第1貯留部110および第2貯留部120を含む。第1貯留部110は、第1貯留槽112、第1配管113に加えて第1撮像部118をさらに含む。第1撮像部118は、第1配管113の少なくとも一部を撮像する。第1撮像部118は、第1配管113の透明部分を撮像することが好ましい。 The substrate processing apparatus 200 includes a processing liquid preparation apparatus 100 and a substrate processing unit 210. The treatment liquid preparation device 100 includes a storage unit 102. The storage unit 102 includes a first storage unit 110 and a second storage unit 120. The first storage unit 110 further includes a first imaging unit 118 in addition to the first storage tank 112 and the first pipe 113. The first imaging unit 118 images at least a part of the first pipe 113. It is preferable that the first imaging unit 118 images the transparent portion of the first pipe 113.

第2貯留部120は、第2貯留槽122、第2配管123に加えて第2撮像部128をさらに含む。第2撮像部128は、第2配管123の少なくとも一部を撮像する。第2撮像部128は、第2配管123の透明部分を撮像することが好ましい。 The second storage unit 120 further includes a second imaging unit 128 in addition to the second storage tank 122 and the second pipe 123. The second imaging unit 128 images at least a part of the second pipe 123. It is preferable that the second imaging unit 128 images the transparent portion of the second pipe 123.

制御部104は、第1撮像部118および第2撮像部128を制御する。例えば、制御部104は、第1撮像部118の撮像結果および第2撮像部128の撮像結果を解析する。一例では、第1水供給部116aから流れる水の量を変更しながら、第1撮像部118の撮像結果に基づいて、第1燐酸液が、図2(c)に示した状態である場合と第1燐酸液が図2(d)に示した状態である場合であることを特定する。このように、第1貯留部110の燐酸液を突沸状態と非突沸状態との境界状態に設定した状態で、第1計測部114は第1貯留部110の燐酸液の比重を示す値を計測し、記憶部106は、第1計測部114の計測結果を記憶してもよい。 The control unit 104 controls the first imaging unit 118 and the second imaging unit 128. For example, the control unit 104 analyzes the imaging result of the first imaging unit 118 and the imaging result of the second imaging unit 128. In one example, the first phosphoric acid solution is in the state shown in FIG. 2C based on the imaging result of the first imaging unit 118 while changing the amount of water flowing from the first water supply unit 116a. It is specified that the first phosphoric acid solution is in the state shown in FIG. 2 (d). In this way, with the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 set to the boundary state between the suddenly boiled state and the non-bulging state, the first measuring unit 114 measures a value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution of the first storage unit 110. However, the storage unit 106 may store the measurement result of the first measurement unit 114.

また、第2水供給部126aから流れる水の量を変更しながら、第2撮像部128の撮像結果に基づいて、第2燐酸液が、図2(c)に示した状態である場合と第2燐酸液が図2(d)に示した状態である場合であることを特定する。このように、第2貯留部120の燐酸液を突沸状態と非突沸状態との境界状態に調製した状態で、第2計測部124は第2貯留部120の燐酸液の比重を示す値を計測し、記憶部106は、第2計測部124の計測結果を記憶してもよい。 Further, while changing the amount of water flowing from the second water supply unit 126a, the second phosphoric acid solution is in the state shown in FIG. 2C based on the imaging result of the second imaging unit 128. 2 It is specified that the phosphoric acid solution is in the state shown in FIG. 2 (d). In this way, the second measuring unit 124 measures a value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 in a state where the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 is prepared at the boundary state between the bumped state and the non-bulging state. However, the storage unit 106 may store the measurement result of the second measurement unit 124.

なお、図1および図7に示した基板処理装置200では、図面が過度に複雑になることを避けるために、処理液調製装置100は、1つの基板処理部210に処理液を供給したが、本実施形態はこれに限定されない。処理液調製装置100は、複数の基板処理部210に処理液を供給してもよい。この場合、処理液調製装置100から基板処理部210に供給される燐酸液の比重および温度は、複数の基板処理部210のうちの処理液調製装置100から最も遠い(すなわち、処理液調製装置100からの配管距離の長い)処理部において燐酸液に気泡が発生しないように設定されることが好ましい。 In the substrate processing apparatus 200 shown in FIGS. 1 and 7, the processing liquid preparation apparatus 100 supplied the processing liquid to one substrate processing unit 210 in order to avoid the drawings from becoming excessively complicated. The present embodiment is not limited to this. The treatment liquid preparation device 100 may supply the treatment liquid to a plurality of substrate processing units 210. In this case, the specific gravity and temperature of the phosphoric acid solution supplied from the treatment liquid preparation device 100 to the substrate processing unit 210 are the farthest from the treatment liquid preparation device 100 among the plurality of substrate processing units 210 (that is, the treatment liquid preparation device 100). It is preferable that the phosphoric acid solution is set so that no bubbles are generated in the processing portion (where the piping distance from the pipe is long).

なお、図1および図7に示した基板処理装置200では、処理液調製装置100は、枚葉型の基板処理部210に処理液を供給したが、本実施形態はこれに限定されない。処理液調製装置100は、バッチ型の基板処理部に処理液を供給してよい。 In the substrate processing apparatus 200 shown in FIGS. 1 and 7, the processing liquid preparing apparatus 100 supplies the processing liquid to the single-wafer type substrate processing unit 210, but the present embodiment is not limited to this. The treatment liquid preparation device 100 may supply the treatment liquid to the batch type substrate processing unit.

次に、図8を参照して、本実施形態の処理液調製装置100を備える基板処理装置200を説明する。図8は、基板処理装置200の模式図である。なお、図8の基板処理装置200は、基板処理部220がバッチ型である点を除いて、図1を参照して上述した基板処理装置200と同様の構成を有しており、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。 Next, the substrate processing apparatus 200 including the processing liquid preparation apparatus 100 of the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a schematic view of the substrate processing apparatus 200. The substrate processing apparatus 200 of FIG. 8 has the same configuration as the substrate processing apparatus 200 described above with reference to FIG. 1 except that the substrate processing unit 220 is a batch type, and avoids redundancy. Duplicate description is omitted for the purpose.

基板処理装置200は、処理液調製装置100と、基板処理部220とを備える。処理液調製装置100は、基板処理部220のための処理液を調製し、基板処理部220に処理液を供給する。基板処理部220は、基板Wを処理する。基板処理部220は、バッチ式である。 The substrate processing apparatus 200 includes a processing liquid preparation apparatus 100 and a substrate processing unit 220. The treatment liquid preparation device 100 prepares a treatment liquid for the substrate processing unit 220 and supplies the treatment liquid to the substrate processing unit 220. The substrate processing unit 220 processes the substrate W. The substrate processing unit 220 is a batch type.

基板処理部220は、処理槽222と、基板積載部224とを備える。処理槽222には、処理液調製装置100から燐酸液が供給され、処理槽222は、燐酸液を貯留する。基板積載部224は、基板Wを積載する。典型的には、基板積載部224は、複数の基板Wを積載する。基板積載部224は、基板Wを積載した状態で処理槽222に浸漬する。これにより、基板Wは、処理液で処理される。 The substrate processing unit 220 includes a processing tank 222 and a substrate loading unit 224. A phosphoric acid solution is supplied to the treatment tank 222 from the treatment liquid preparation device 100, and the treatment tank 222 stores the phosphoric acid liquid. The board loading unit 224 loads the board W. Typically, the substrate loading unit 224 loads a plurality of substrates W. The substrate loading unit 224 is immersed in the processing tank 222 with the substrate W loaded. As a result, the substrate W is treated with the treatment liquid.

以上のように、本実施形態の処理液調製装置100は、バッチ型の基板処理部220に処理液を供給する。処理液調製装置100は、バッチ処理にも好適に用いられる。 As described above, the processing liquid preparation device 100 of the present embodiment supplies the processing liquid to the batch type substrate processing unit 220. The treatment liquid preparation device 100 is also suitably used for batch processing.

なお、図8に示した基板処理装置200では、処理液調製装置100は、バッチ型の基板処理部220の処理槽222に処理液を供給したが、本実施形態はこれに限定されない。処理液調製装置100において基板が処理されてもよい。 In the substrate processing apparatus 200 shown in FIG. 8, the processing liquid preparing apparatus 100 supplies the processing liquid to the processing tank 222 of the batch type substrate processing unit 220, but the present embodiment is not limited to this. The substrate may be processed in the processing liquid preparation device 100.

以下、図9を参照して、本実施形態の処理液調製装置100を備えた基板処理装置200を説明する。図9は、本実施形態の基板処理装置200の模式図である。なお、図9に示した基板処理装置200は、処理液調製装置100が基板Wを処理するための貯留槽として用いられるとともに、第2貯留部120の燐酸液が第1貯留部110の燐酸液と混合されない点を除いて、図8を参照して上述した基板処理装置200と同様の構成を有しており、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。 Hereinafter, the substrate processing apparatus 200 provided with the processing liquid preparation apparatus 100 of the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a schematic view of the substrate processing apparatus 200 of this embodiment. The substrate processing apparatus 200 shown in FIG. 9 is used as a storage tank for the treatment liquid preparation apparatus 100 to process the substrate W, and the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 is the phosphoric acid solution of the first storage unit 110. It has the same configuration as the substrate processing apparatus 200 described above with reference to FIG. 8 except that it is not mixed with, and duplicate description is omitted for the purpose of avoiding redundancy.

基板処理装置200は、処理液調製装置100と、基板積載部230とを備える。処理液調製装置100は、第1貯留部110と、第2貯留部120とを含む。第1貯留部110は、調製した燐酸液を生成する。また、第2貯留部120は、調製した燐酸液を生成する。なお、本実施形態の基板処理装置200では、第2貯留部120の燐酸液が第1貯留部110の燐酸液と混合されない。 The substrate processing device 200 includes a processing liquid preparation device 100 and a substrate loading unit 230. The treatment liquid preparation device 100 includes a first storage unit 110 and a second storage unit 120. The first storage unit 110 produces the prepared phosphoric acid solution. In addition, the second reservoir 120 produces the prepared phosphoric acid solution. In the substrate processing apparatus 200 of the present embodiment, the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 is not mixed with the phosphoric acid solution of the first storage unit 110.

基板積載部230は、基板Wを積載する。典型的には、基板積載部230は、複数の基板Wを積載する。基板積載部230は、基板Wを積載して処理液調製装置100の燐酸液に浸漬する。 The board loading unit 230 loads the board W. Typically, the substrate loading unit 230 loads a plurality of substrates W. The substrate loading unit 230 loads the substrate W and immerses it in the phosphoric acid solution of the processing liquid preparation device 100.

基板積載部230は、第1積載部232と、第2積載部234とを含む。第1積載部232は、基板Wを保持した状態で、第1貯留部110の第1貯留槽112に浸漬する。第2積載部234は、基板Wを保持した状態で、第2貯留部120の第2貯留槽122に浸漬する。 The board loading unit 230 includes a first loading unit 232 and a second loading unit 234. The first loading unit 232 is immersed in the first storage tank 112 of the first storage unit 110 while holding the substrate W. The second loading unit 234 is immersed in the second storage tank 122 of the second storage unit 120 while holding the substrate W.

典型的には、第1積載部232が第1貯留部110の第1貯留槽112に浸漬する前に、第1貯留部110の燐酸液は所定の温度および比重に設定される。同様に、第2積載部234が第2貯留部120の第2貯留槽122に浸漬する前に、第2貯留部120の燐酸液は所定の温度および比重に設定される。この場合でも、第2貯留部120の燐酸液は、第1貯留部110の燐酸液と同様に境界状態の計測値を基準として調製することにより、第2貯留部120の燐酸液による基板Wの処理を第1貯留部110の燐酸液による基板Wの処理と揃えることができる。 Typically, the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 is set to a predetermined temperature and specific gravity before the first loading unit 232 is immersed in the first storage tank 112 of the first storage unit 110. Similarly, before the second loading unit 234 is immersed in the second storage tank 122 of the second storage unit 120, the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 is set to a predetermined temperature and specific gravity. Even in this case, the phosphoric acid solution of the second reservoir 120 is prepared based on the measured value of the boundary state in the same manner as the phosphoric acid solution of the first reservoir 110, so that the phosphoric acid solution of the second reservoir 120 is used for the substrate W. The treatment can be aligned with the treatment of the substrate W with the phosphoric acid solution of the first storage unit 110.

以上のように、本実施形態の処理液調製装置100は、基板Wを処理するための貯留槽として用いてもよい。処理液調製装置100は、バッチ処理装置の貯留槽としても好適に用いられる。 As described above, the treatment liquid preparation device 100 of the present embodiment may be used as a storage tank for processing the substrate W. The treatment liquid preparation device 100 is also suitably used as a storage tank for the batch processing device.

なお、図1〜図9を参照した上述の説明では、基板処理装置200は複数の貯留部を含んだが、本実施形態はこれに限定されない。基板処理装置200に含まれる貯留部は1つであってもよい。 In the above description with reference to FIGS. 1 to 9, the substrate processing apparatus 200 includes a plurality of storage units, but the present embodiment is not limited to this. The substrate processing apparatus 200 may include only one storage unit.

以下、図10を参照して、本実施形態の基板処理装置200を備えた基板処理システム300を説明する。図10は、基板処理システム300の模式図である。図10に示すように、基板処理システム300は、基板処理装置200Aと、基板処理装置200Bとを備える。基板処理装置200Aおよび基板処理装置200Bは、処理液調製装置100Aおよび処理液調製装置100Bにそれぞれ含まれる処理槽が1つである点を除いて図1を参照して上述した基板処理装置200と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。 Hereinafter, the substrate processing system 300 including the substrate processing apparatus 200 of the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a schematic view of the substrate processing system 300. As shown in FIG. 10, the substrate processing system 300 includes a substrate processing apparatus 200A and a substrate processing apparatus 200B. The substrate processing apparatus 200A and the substrate processing apparatus 200B are the same as the substrate processing apparatus 200 described above with reference to FIG. 1 except that the treatment liquid preparation apparatus 100A and the treatment liquid preparation apparatus 100B each include one processing tank. It has a similar configuration, and duplicate descriptions are omitted to avoid redundancy.

典型的には、基板処理装置200Aおよび基板処理装置200Bは互いに離れた場所に配置される。例えば、基板処理装置200Aおよび基板処理装置200Bは同じ国の異なる場所に配置されてもよい。あるいは、基板処理装置200Aおよび基板処理装置200Bは異なる国に配置されてもよい。 Typically, the substrate processing apparatus 200A and the substrate processing apparatus 200B are arranged at a distance from each other. For example, the substrate processing apparatus 200A and the substrate processing apparatus 200B may be arranged at different locations in the same country. Alternatively, the substrate processing apparatus 200A and the substrate processing apparatus 200B may be located in different countries.

基板処理装置200Aは、処理液調製装置100Aと、基板処理部210Aとを備える。ここでは、処理液調製装置100Aは、第1貯留部110を有する。第1貯留部110において第1燐酸液は調製される。 The substrate processing apparatus 200A includes a processing liquid preparation apparatus 100A and a substrate processing unit 210A. Here, the treatment liquid preparation device 100A has a first storage unit 110. The first phosphoric acid solution is prepared in the first reservoir 110.

基板処理装置200Bは、処理液調製装置100Bと、基板処理部210Bとを備える。ここでは、処理液調製装置100Aは、第2貯留部120を有する。第2貯留部120において第2燐酸液は調製される。 The substrate processing apparatus 200B includes a processing liquid preparation apparatus 100B and a substrate processing unit 210B. Here, the treatment liquid preparation device 100A has a second storage unit 120. The second phosphoric acid solution is prepared in the second reservoir 120.

基板処理システム300は、さらに、基板処理装置200Aおよび基板処理装置200Bと通信可能な情報処理装置310を備えてもよい。情報処理装置310は、例えば、サーバーである。例えば、基板処理装置200Aは、情報処理装置310を介して基板処理装置200Bと情報を通信可能である。 The substrate processing system 300 may further include an information processing device 310 capable of communicating with the substrate processing apparatus 200A and the substrate processing apparatus 200B. The information processing device 310 is, for example, a server. For example, the board processing device 200A can communicate information with the board processing device 200B via the information processing device 310.

例えば、基板処理装置200Aは、第1燐酸液の境界状態における燐酸液の比重を示す第1基準値を計測した後、基板処理装置200Aは、情報処理装置310に第1基準値を示す情報を送信する。情報処理装置310は、基板処理装置200Aから第1基準値を示す情報を受信して記憶する。また、必要に応じて、情報処理装置310は、基板処理装置200Aの第1基準値を基板処理装置200Bに送信する。その後、基板処理装置200Bでも第2燐酸液の境界状態における燐酸液の比重を示す第2基準値を計測する。その後、基板処理装置200Bの燐酸液は、基板処理装置200Aの燐酸液と同様に基準値を基準として較正する。これにより、基板処理装置200Bの第2燐酸液を基板処理装置200Aの第1燐酸液と同様に較正できる。 For example, the substrate processing apparatus 200A measures the first reference value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the boundary state of the first phosphoric acid solution, and then the substrate processing apparatus 200A provides the information processing apparatus 310 with information indicating the first reference value. Send. The information processing device 310 receives and stores information indicating the first reference value from the substrate processing device 200A. Further, if necessary, the information processing apparatus 310 transmits the first reference value of the substrate processing apparatus 200A to the substrate processing apparatus 200B. After that, the substrate processing apparatus 200B also measures a second reference value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the boundary state of the second phosphoric acid solution. After that, the phosphoric acid solution of the substrate processing apparatus 200B is calibrated with reference to the reference value in the same manner as the phosphoric acid solution of the substrate processing apparatus 200A. Thereby, the second phosphoric acid solution of the substrate processing apparatus 200B can be calibrated in the same manner as the first phosphoric acid solution of the substrate processing apparatus 200A.

なお、図10を参照した上述の説明では、基板処理システム300は、基板処理装置200A、200Bを備えたが、基板処理装置200Aおよび基板処理装置200Bは同時刻に存在しなくてもよい。例えば、基板処理装置200Aは、1カ月前の燐酸液の境界状態の第1基準値を記憶しており、基板処理装置200Bは、基板処理装置200Aの第1基準値と自ら計測した第2基準値とを利用して、基板処理装置200Aの計測から1カ月後に、基板処理装置200Aの第1燐酸液と同様に第2燐酸液を較正してもよい。 In the above description with reference to FIG. 10, the substrate processing system 300 includes the substrate processing devices 200A and 200B, but the substrate processing device 200A and the substrate processing device 200B do not have to exist at the same time. For example, the substrate processing apparatus 200A stores the first reference value of the boundary state of the phosphoric acid solution one month ago, and the substrate processing apparatus 200B stores the first reference value of the substrate processing apparatus 200A and the second reference value measured by itself. The value and the value may be used to calibrate the second phosphoric acid solution in the same manner as the first phosphoric acid solution of the substrate processing apparatus 200A one month after the measurement of the substrate processing apparatus 200A.

このように、基板処理装置200Aおよび基板処理装置200Bが同じ時刻に存在しなくても、基板処理装置200Bの処理液調製装置100Bは、処理液調製装置100Bの燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態であるときの第2基準値と第1基準値とを利用することで、処理液調製装置100Bの第2燐酸液を処理液調製装置100Aの燐酸液と同じ条件に揃えることができる。 As described above, even if the substrate processing apparatus 200A and the substrate processing apparatus 200B do not exist at the same time, in the processing liquid preparation apparatus 100B of the substrate processing apparatus 200B, the phosphoric acid solution of the processing liquid preparation apparatus 100B is in a bumped state and a non-bulked state. By using the second reference value and the first reference value in the boundary state with, the second phosphoric acid solution of the treatment liquid preparation device 100B can be made to have the same conditions as the phosphoric acid solution of the treatment liquid preparation device 100A. it can.

以下、図11を参照して、処理液調製装置100Aのフローを説明するためのフロー図である。なお、図11では、図10の処理液調製装置100Aのフローを示すが、基板処理装置200Bに含まれる処理液調製装置100Bも同様のフローで動作してもよい。 Hereinafter, it is a flow chart for demonstrating the flow of the treatment liquid preparation apparatus 100A with reference to FIG. Although FIG. 11 shows the flow of the processing liquid preparation device 100A of FIG. 10, the processing liquid preparation device 100B included in the substrate processing device 200B may also operate in the same flow.

ステップS202において、第1貯留部110の燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態にする。 In step S202, the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 is brought into a boundary state between the suddenly boiled state and the non-bulked state.

ステップS204において、第1貯留部110の燐酸液が突沸状態と非突沸状態との境界状態であるときに、第1計測部114は、第1貯留部110の燐酸液の境界状態の比重を示す値(第1基準値)を計測する。 In step S204, when the phosphoric acid solution of the first storage unit 110 is in the boundary state between the sudden and non-bulging state, the first measuring unit 114 indicates the specific gravity of the boundary state of the phosphoric acid solution of the first storage unit 110. Measure the value (first reference value).

ステップS206において、記憶部106は、第1計測部114の計測値(第1基準値)を記憶する。 In step S206, the storage unit 106 stores the measured value (first reference value) of the first measuring unit 114.

以上のように、本実施形態によれば、記憶部106は、第1貯留部110の燐酸液の境界状態における第1計測部114の計測値(第1基準値)を記憶する。このため、第2貯留部120の燐酸液の比重を第1貯留部110の燐酸液の比重と揃えることができ、第1貯留部110の燐酸液に対して第2貯留部120の燐酸液を較正できる。 As described above, according to the present embodiment, the storage unit 106 stores the measured value (first reference value) of the first measuring unit 114 in the boundary state of the phosphoric acid solution of the first storage unit 110. Therefore, the specific gravity of the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 can be made to be the same as the specific gravity of the phosphoric acid solution of the first storage unit 110, and the phosphoric acid solution of the second storage unit 120 can be mixed with the phosphoric acid solution of the first storage unit 110. Can be calibrated.

以下、図12を参照して、本実施形態の処理液調製装置100を備えた基板処理装置200を説明する。図12は、本実施形態の処理液調製装置100を備えた基板処理装置200の模式図である。なお、図12に示した基板処理装置200は、処理液調製装置100が第1貯留部110および第2貯留部120に加えて第3貯留部130および新液供給部140をさらに備える点を除いて、図1を参照して上述した基板処理装置200と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する記載を省略する。 Hereinafter, the substrate processing apparatus 200 provided with the processing liquid preparation apparatus 100 of the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a schematic view of a substrate processing apparatus 200 provided with the processing liquid preparation apparatus 100 of the present embodiment. Note that the substrate processing apparatus 200 shown in FIG. 12 is provided except that the processing liquid preparation apparatus 100 further includes a third storage unit 130 and a new liquid supply unit 140 in addition to the first storage unit 110 and the second storage unit 120. Therefore, it has the same configuration as the substrate processing apparatus 200 described above with reference to FIG. 1, and duplicated description is omitted in order to avoid redundancy.

基板処理装置200は、処理液調製装置100と、基板処理部210とを備える。処理液調製装置100の貯留部102は、第1貯留部110および第2貯留部120に加えて第3貯留部130をさらに備える。また、処理液調製装置100は、新液供給部140をさらに備える。 The substrate processing apparatus 200 includes a processing liquid preparation apparatus 100 and a substrate processing unit 210. The storage unit 102 of the treatment liquid preparation device 100 further includes a third storage unit 130 in addition to the first storage unit 110 and the second storage unit 120. Further, the treatment liquid preparation device 100 further includes a new liquid supply unit 140.

上述したように、第2貯留部120は、第2燐酸液を調製し、第1貯留部110に第2燐酸液を補充する。同様に、第3貯留部130は、第3燐酸液を調製し、第1貯留部110に第3燐酸液を補充する。ただし、第3貯留部130が第3燐酸液を補充するタイミングは、第2貯留部120が第2燐酸液を補充するタイミングとは異なる。 As described above, the second storage unit 120 prepares the second phosphoric acid solution, and the first storage unit 110 is replenished with the second phosphoric acid solution. Similarly, the third storage unit 130 prepares a third phosphoric acid solution, and the first storage unit 110 is replenished with the third phosphoric acid solution. However, the timing at which the third storage unit 130 replenishes the third phosphoric acid solution is different from the timing at which the second storage unit 120 replenishes the second phosphoric acid solution.

新液供給部140は、第2貯留部120および第3貯留部130に燐酸液を供給する。なお、第2貯留部120が第1貯留部110に第2燐酸液を補充しない期間に、新液供給部140は、第2貯留部120に燐酸液を供給する。また、第3貯留部130が第1貯留部110に第3燐酸液を補充しない期間に、新液供給部140は、第3貯留部130に燐酸液を供給する。なお、ここでは、新液供給部140では、燐酸液は所定の温度および比重に調製されない。 The new liquid supply unit 140 supplies the phosphoric acid solution to the second storage unit 120 and the third storage unit 130. While the second storage unit 120 does not replenish the first storage unit 110 with the second phosphoric acid solution, the new liquid supply unit 140 supplies the phosphoric acid solution to the second storage unit 120. Further, during the period in which the third storage unit 130 does not replenish the first storage unit 110 with the third phosphoric acid solution, the new liquid supply unit 140 supplies the phosphoric acid solution to the third storage unit 130. Here, in the new liquid supply unit 140, the phosphoric acid liquid is not prepared at a predetermined temperature and specific gravity.

第3貯留部130は、第1貯留部110および/または第2貯留部120に対応する構成を有している。第3貯留部130は、第3貯留槽132と、第3配管133と、第3計測部134と、ポンプ135aと、ヒータ135bと、フィルタ135cと、バルブ135dと、バルブ135eと、第3水供給部136aと、第3燐酸供給部136bと、第3ガス供給部136cとを含む。冗長な説明を避けるために第3貯留部130についての重複する記載を省略する。 The third storage unit 130 has a configuration corresponding to the first storage unit 110 and / or the second storage unit 120. The third storage unit 130 includes a third storage tank 132, a third pipe 133, a third measurement unit 134, a pump 135a, a heater 135b, a filter 135c, a valve 135d, a valve 135e, and a third water. It includes a supply unit 136a, a third phosphoric acid supply unit 136b, and a third gas supply unit 136c. Duplicate description of the third storage unit 130 is omitted in order to avoid redundant explanation.

第3貯留部130の第3配管133は、第3貯留槽132と第1貯留槽112とを連絡する。また、バルブ135dは、第3貯留槽132から第1貯留槽112に向かう燐酸液の流れを制御する。バルブ135dが開くことにより、燐酸液は、第1貯留槽112に向かって流れる。バルブ135dが閉じることにより、燐酸液は、第3貯留部130から第1貯留部110に向かって流れなくなる。 The third pipe 133 of the third storage unit 130 connects the third storage tank 132 and the first storage tank 112. Further, the valve 135d controls the flow of the phosphoric acid solution from the third storage tank 132 to the first storage tank 112. When the valve 135d is opened, the phosphoric acid solution flows toward the first storage tank 112. When the valve 135d is closed, the phosphoric acid solution does not flow from the third storage unit 130 toward the first storage unit 110.

また、バルブ135eが開くことにより、燐酸液は、第3貯留槽132に向かって流れるため、燐酸液を循環できる。バルブ135eが閉じることにより、燐酸液の循環が停止される。 Further, when the valve 135e is opened, the phosphoric acid solution flows toward the third storage tank 132, so that the phosphoric acid solution can be circulated. When the valve 135e is closed, the circulation of the phosphoric acid solution is stopped.

例えば、バルブ135dが閉じた状態でバルブ135eが開いていることにより、第3貯留部130の燐酸液は、循環配管133aを介して循環する。このとき、ヒータ135bが循環する燐酸液を加熱することにより、第3貯留部130の燐酸液を所定の温度に設定できる。 For example, when the valve 135e is opened with the valve 135d closed, the phosphoric acid solution in the third storage unit 130 circulates through the circulation pipe 133a. At this time, the phosphoric acid solution in the third storage unit 130 can be set to a predetermined temperature by heating the phosphoric acid solution in which the heater 135b circulates.

また、バルブ135dおよびバルブ135eが開いていることにより、第3貯留部130の燐酸液は、循環配管133aを介して循環するとともに第3配管133を介して第1貯留部110に供給される。このため、第3貯留部130は、第1貯留部110の燐酸液を補充できる。 Further, when the valve 135d and the valve 135e are open, the phosphoric acid solution in the third storage unit 130 circulates through the circulation pipe 133a and is supplied to the first storage unit 110 via the third storage unit 133. Therefore, the third storage unit 130 can replenish the phosphoric acid solution of the first storage unit 110.

さらに、第3貯留部130は、基板処理部210と第3貯留槽132とを連絡する戻り配管133bを有する。戻り配管133bには、基板処理部210においてカップ136によって回収された処理液が流れる。戻り配管133bを通過する処理液は、第3貯留槽132の本体槽132aに戻る。 Further, the third storage unit 130 has a return pipe 133b that connects the substrate processing unit 210 and the third storage tank 132. The processing liquid collected by the cup 136 in the substrate processing unit 210 flows through the return pipe 133b. The processing liquid passing through the return pipe 133b returns to the main body tank 132a of the third storage tank 132.

また、基板処理部210の配管215には、バルブ215aとともにバルブ215bが設けられる。配管215は、チャンバー212と、第2貯留部120の戻り配管123bと、第3貯留部130の戻り配管133bとを接続する。バルブ215bは、配管215内の燐酸液の流れを制御する。バルブ215bが開くことにより、燐酸液は、チャンバー212から第3貯留部130に向かって流れる。バルブ215aが閉じることにより、燐酸液は、第3貯留部130に向かって流れなくなる。 Further, the pipe 215 of the substrate processing unit 210 is provided with a valve 215b together with the valve 215a. The pipe 215 connects the chamber 212, the return pipe 123b of the second storage unit 120, and the return pipe 133b of the third storage unit 130. The valve 215b controls the flow of the phosphoric acid solution in the pipe 215. When the valve 215b is opened, the phosphoric acid solution flows from the chamber 212 toward the third storage portion 130. When the valve 215a is closed, the phosphoric acid solution does not flow toward the third reservoir 130.

新液供給部140は、貯留槽142と、配管143と、燐酸供給部146とを有する。燐酸供給部146は、燐酸液を供給する。貯留槽142には、燐酸が貯留される。 The new liquid supply unit 140 includes a storage tank 142, a pipe 143, and a phosphoric acid supply unit 146. The phosphoric acid supply unit 146 supplies a phosphoric acid solution. Phosphoric acid is stored in the storage tank 142.

配管143は、貯留槽142と、第2貯留槽122および第3貯留槽132とを連絡する。配管143には、バルブ143aおよびバルブ143bが設けられる。バルブ143aは、配管143内の燐酸液の流れを制御する。バルブ143aが開くことにより、燐酸液は、貯留槽142から第2貯留槽122に向かって流れる。バルブ143aが閉じることにより、燐酸液は、第2貯留槽122に向かって流れなくなる。 The pipe 143 connects the storage tank 142 with the second storage tank 122 and the third storage tank 132. The pipe 143 is provided with a valve 143a and a valve 143b. The valve 143a controls the flow of the phosphoric acid solution in the pipe 143. When the valve 143a is opened, the phosphoric acid solution flows from the storage tank 142 toward the second storage tank 122. When the valve 143a is closed, the phosphoric acid solution does not flow toward the second storage tank 122.

バルブ143bは、配管143内の燐酸液の流れを制御する。バルブ143bが開くことにより、燐酸液は、貯留槽142から第3貯留槽132に向かって流れる。バルブ143bが閉じることにより、燐酸液は、第3貯留槽132に向かって流れなくなる。 The valve 143b controls the flow of the phosphoric acid solution in the pipe 143. When the valve 143b is opened, the phosphoric acid solution flows from the storage tank 142 toward the third storage tank 132. When the valve 143b is closed, the phosphoric acid solution does not flow toward the third storage tank 132.

本実施形態の基板処理装置200によれば、第2貯留部120および第3貯留部130は、交互に第1貯留部110に燐酸液を供給する。このため、第1貯留部110は、連続して基板処理部210に燐酸液を供給できる。また、第2貯留部120および第3貯留部130は、基板処理部210からの処理液を交互に回収する。このため、第2貯留部120および第3貯留部130は、基板処理部210からの処理液を所定の温度および比重に調製して有効に活用できる。さらに、第2貯留部120および第3貯留部130は、新液供給部140からの燐酸液を交互に供給されて、所定の温度および比重に効率的に調製できる。 According to the substrate processing apparatus 200 of the present embodiment, the second storage unit 120 and the third storage unit 130 alternately supply the phosphoric acid solution to the first storage unit 110. Therefore, the first storage unit 110 can continuously supply the phosphoric acid solution to the substrate processing unit 210. Further, the second storage unit 120 and the third storage unit 130 alternately collect the processing liquid from the substrate processing unit 210. Therefore, the second storage unit 120 and the third storage unit 130 can effectively utilize the treatment liquid from the substrate processing unit 210 by preparing it at a predetermined temperature and specific gravity. Further, the second storage unit 120 and the third storage unit 130 can be efficiently adjusted to a predetermined temperature and specific gravity by alternately supplying the phosphoric acid liquid from the new liquid supply unit 140.

以下、図13を参照して、図12に示した基板処理装置200における燐酸液の流れの変化を説明する。図13(a)〜図13(f)は、図12に示した基板処理装置200における燐酸液の流れの変化を説明するための模式図である。なお、図13(a)〜図13(f)では、図面が過度に複雑になることを避けるために、処理液調製装置100の第1貯留部110、第2貯留部120、第3貯留部130、新液供給部140および基板処理部210を模式的に示すともに、燐酸液の流れる配管のみを示していることに留意されたい。 Hereinafter, changes in the flow of the phosphoric acid solution in the substrate processing apparatus 200 shown in FIG. 12 will be described with reference to FIG. 13 (a) to 13 (f) are schematic views for explaining changes in the flow of the phosphoric acid solution in the substrate processing apparatus 200 shown in FIG. In addition, in FIGS. 13A to 13F, in order to avoid the drawing from becoming excessively complicated, the first storage part 110, the second storage part 120, and the third storage part of the treatment liquid preparation apparatus 100 are taken. It should be noted that 130, the new liquid supply unit 140 and the substrate processing unit 210 are schematically shown, and only the piping through which the phosphoric acid liquid flows is shown.

さらに、図13(a)〜図13(f)では、第1貯留部110、第2貯留部120および第3貯留部130内の燐酸液の量の変化を矢印で示している。上向きの矢印は、燐酸液の量が増加することを示し、下向きの矢印は、燐酸液の量が減少することを示す。 Further, in FIGS. 13 (a) to 13 (f), changes in the amount of phosphoric acid solution in the first storage unit 110, the second storage unit 120, and the third storage unit 130 are indicated by arrows. An upward arrow indicates an increase in the amount of phosphate solution, and a downward arrow indicates a decrease in the amount of phosphate solution.

図13(a)に示すように、第1貯留部110は基板処理部210に燐酸液を供給することを開始する。第1貯留部110は、基板処理部210に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第1貯留部110の燐酸液の温度は一定に維持される。 As shown in FIG. 13A, the first storage unit 110 starts supplying the phosphoric acid solution to the substrate processing unit 210. The first storage unit 110 supplies the phosphoric acid solution to the substrate processing unit 210 and circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the first storage unit 110 is maintained constant.

第2貯留部120は、燐酸液を循環することで、第2貯留部120の燐酸液の温度は一定に維持される。 The temperature of the phosphoric acid solution in the second storage section 120 is maintained constant by circulating the phosphoric acid solution in the second storage section 120.

第3貯留部130は、燐酸液を循環することで、第3貯留部130の燐酸液の温度は一定に維持される。また、第3貯留部130は、基板処理部210において使用された処理液を回収する。基板処理部210において使用された処理液は、配管を通って第3貯留部130に到達する。処理液は、第3貯留部130において循環されて、所定の温度に維持される。 By circulating the phosphoric acid solution in the third storage unit 130, the temperature of the phosphoric acid solution in the third storage unit 130 is maintained constant. In addition, the third storage unit 130 collects the processing liquid used in the substrate processing unit 210. The processing liquid used in the substrate processing unit 210 reaches the third storage unit 130 through the pipe. The treatment liquid is circulated in the third storage unit 130 and maintained at a predetermined temperature.

第1貯留部110、第2貯留部120および第3貯留部130の燐酸液は同じ温度に設定される。なお、第1貯留部110、第2貯留部120および第3貯留部130の燐酸液は、第1貯留部110が基板処理部210に燐酸液を供給することを開始する前に行われた境界状態の基準値を基準として調製される。上述したように、第1貯留部110の第1計測部114、第2貯留部120の第2計測部124および第3貯留部130の第3計測部134の計測結果は異なっていてもよい。なお、図13(a)〜図13(f)にわたって、第1貯留部110、第2貯留部120および第3貯留部130の燐酸液は、第1貯留部110が基板処理部210に燐酸液を供給することを開始する前に行われた境界状態の計測結果を基準に調製される。 The phosphoric acid solutions of the first storage unit 110, the second storage unit 120, and the third storage unit 130 are set to the same temperature. The phosphoric acid solution of the first storage unit 110, the second storage unit 120, and the third storage unit 130 is a boundary made before the first storage unit 110 starts supplying the phosphoric acid solution to the substrate processing unit 210. It is prepared based on the reference value of the state. As described above, the measurement results of the first measurement unit 114 of the first storage unit 110, the second measurement unit 124 of the second storage unit 120, and the third measurement unit 134 of the third storage unit 130 may be different. From FIGS. 13 (a) to 13 (f), the phosphoric acid solution of the first storage unit 110, the second storage unit 120, and the third storage unit 130 is the phosphoric acid liquid of the first storage unit 110 to the substrate processing unit 210. It is prepared based on the measurement result of the boundary state performed before starting to supply.

図13(b)に示すように、第1貯留部110は基板処理部210に燐酸液を供給し続ける。第1貯留部110は、基板処理部210に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第1貯留部110の燐酸液の温度は一定に維持される。 As shown in FIG. 13B, the first storage unit 110 continues to supply the phosphoric acid solution to the substrate processing unit 210. The first storage unit 110 supplies the phosphoric acid solution to the substrate processing unit 210 and circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the first storage unit 110 is maintained constant.

第2貯留部120は、第1貯留部110に燐酸液を供給する。また、第2貯留部120は、第1貯留部110に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第2貯留部120の燐酸液の温度は一定に維持される。 The second storage unit 120 supplies the phosphoric acid solution to the first storage unit 110. Further, the second storage unit 120 supplies the phosphoric acid solution to the first storage unit 110 and circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the second storage unit 120 is maintained constant.

第3貯留部130は、基板処理部210において使用された処理液を回収し続ける。また、第3貯留部130は、燐酸液を循環することで、第3貯留部130の燐酸液の温度は一定に維持される。 The third storage unit 130 continues to collect the processing liquid used in the substrate processing unit 210. Further, the temperature of the phosphoric acid solution in the third storage unit 130 is maintained constant by circulating the phosphoric acid solution in the third storage unit 130.

図13(c)に示すように、第1貯留部110は基板処理部210に燐酸液を供給し続ける。第1貯留部110は、基板処理部210に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第1貯留部110の燐酸液の温度は一定に維持される。 As shown in FIG. 13C, the first storage unit 110 continues to supply the phosphoric acid solution to the substrate processing unit 210. The first storage unit 110 supplies the phosphoric acid solution to the substrate processing unit 210 and circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the first storage unit 110 is maintained constant.

第2貯留部120は、燐酸液を循環することで、第2貯留部120の燐酸液の温度は一定に維持される。また、第2貯留部120は、基板処理部210において使用された処理液を回収する。基板処理部210において使用された処理液は、配管を通って第2貯留部120に到達する。処理液は、第2貯留部120において循環されて、所定の温度に維持される。 The temperature of the phosphoric acid solution in the second storage section 120 is maintained constant by circulating the phosphoric acid solution in the second storage section 120. In addition, the second storage unit 120 collects the processing liquid used in the substrate processing unit 210. The processing liquid used in the substrate processing unit 210 reaches the second storage unit 120 through the pipe. The treatment liquid is circulated in the second storage unit 120 and maintained at a predetermined temperature.

第3貯留部130は、燐酸液を循環することで、第3貯留部130の燐酸液の温度は一定に維持される。また、第3貯留部130には、新液供給部140から新たな燐酸液が供給される。 By circulating the phosphoric acid solution in the third storage unit 130, the temperature of the phosphoric acid solution in the third storage unit 130 is maintained constant. Further, a new phosphoric acid liquid is supplied to the third storage unit 130 from the new liquid supply unit 140.

図13(d)に示すように、第1貯留部110は基板処理部210に燐酸液を供給し続ける。第1貯留部110は、基板処理部210に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第1貯留部110の燐酸液の温度は一定に維持される。 As shown in FIG. 13D, the first storage unit 110 continues to supply the phosphoric acid solution to the substrate processing unit 210. The first storage unit 110 supplies the phosphoric acid solution to the substrate processing unit 210 and circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the first storage unit 110 is maintained constant.

第2貯留部120は、基板処理部210において使用された処理液を回収し続ける。また、第2貯留部120は、燐酸液を循環することで、第2貯留部120の燐酸液の温度は一定に維持される。 The second storage unit 120 continues to collect the processing liquid used in the substrate processing unit 210. Further, the second storage unit 120 circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the second storage unit 120 is maintained constant.

第3貯留部130は、第1貯留部110に燐酸液を供給する。また、第3貯留部130は、第1貯留部110に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第3貯留部130の燐酸液の温度は一定に維持される。 The third storage unit 130 supplies the phosphoric acid solution to the first storage unit 110. Further, the third storage unit 130 supplies the phosphoric acid solution to the first storage unit 110 and circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the third storage unit 130 is maintained constant.

図13(e)に示すように、第1貯留部110は基板処理部210に燐酸液を供給し続ける。第1貯留部110は、基板処理部210に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第1貯留部110の燐酸液の温度は一定に維持される。 As shown in FIG. 13 (e), the first storage unit 110 continues to supply the phosphoric acid solution to the substrate processing unit 210. The first storage unit 110 supplies the phosphoric acid solution to the substrate processing unit 210 and circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the first storage unit 110 is maintained constant.

第2貯留部120は、燐酸液を循環することで、第2貯留部120の燐酸液の温度は一定に維持される。また、第2貯留部120には、新液供給部140から新たな燐酸液が供給される。 The temperature of the phosphoric acid solution in the second storage section 120 is maintained constant by circulating the phosphoric acid solution in the second storage section 120. Further, a new phosphoric acid liquid is supplied to the second storage unit 120 from the new liquid supply unit 140.

第3貯留部130は、燐酸液を循環することで、第3貯留部130の燐酸液の温度は一定に維持される。また、第3貯留部130は、基板処理部210において使用された処理液を回収する。基板処理部210において使用された処理液は、配管を通って第3貯留部130に到達する。処理液は、第3貯留部130において循環されて、所定の温度に維持される。 By circulating the phosphoric acid solution in the third storage unit 130, the temperature of the phosphoric acid solution in the third storage unit 130 is maintained constant. In addition, the third storage unit 130 collects the processing liquid used in the substrate processing unit 210. The processing liquid used in the substrate processing unit 210 reaches the third storage unit 130 through the pipe. The treatment liquid is circulated in the third storage unit 130 and maintained at a predetermined temperature.

図13(f)に示すように、第1貯留部110は基板処理部210に燐酸液を供給し続ける。第1貯留部110は、基板処理部210に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第1貯留部110の燐酸液の温度は一定に維持される。 As shown in FIG. 13 (f), the first storage unit 110 continues to supply the phosphoric acid solution to the substrate processing unit 210. The first storage unit 110 supplies the phosphoric acid solution to the substrate processing unit 210 and circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the first storage unit 110 is maintained constant.

第2貯留部120は、第1貯留部110に燐酸液を供給する。また、第2貯留部120は、第1貯留部110に燐酸液を供給するとともに燐酸液を循環することで、第2貯留部120の燐酸液の温度は一定に維持される。 The second storage unit 120 supplies the phosphoric acid solution to the first storage unit 110. Further, the second storage unit 120 supplies the phosphoric acid solution to the first storage unit 110 and circulates the phosphoric acid solution, so that the temperature of the phosphoric acid solution in the second storage unit 120 is maintained constant.

第3貯留部130は、基板処理部210において使用された処理液を回収し続ける。また、第3貯留部130は、燐酸液を循環することで、第3貯留部130の燐酸液の温度は一定に維持される。 The third storage unit 130 continues to collect the processing liquid used in the substrate processing unit 210. Further, the temperature of the phosphoric acid solution in the third storage unit 130 is maintained constant by circulating the phosphoric acid solution in the third storage unit 130.

その後、さらに、図13(c)〜図13(f)のように燐酸液の流れを切り替えることにより、所定の比重の燐酸液を基板処理部210に連続的に供給できる。以上のように、本実施形態によれば、第2貯留部120および第3貯留部130は、交互に基板処理部210において使用された処理液を回収するとともに、第1貯留部110に燐酸液を供給する。 After that, by further switching the flow of the phosphoric acid solution as shown in FIGS. 13 (c) to 13 (f), the phosphoric acid solution having a predetermined specific gravity can be continuously supplied to the substrate processing unit 210. As described above, according to the present embodiment, the second storage unit 120 and the third storage unit 130 alternately collect the treatment liquid used in the substrate processing unit 210, and the phosphoric acid liquid is stored in the first storage unit 110. To supply.

以上、図面を参照して本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be implemented in various aspects without departing from the gist thereof. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining the plurality of components disclosed in the above embodiments. For example, some components may be removed from all the components shown in the embodiments. In addition, components across different embodiments may be combined as appropriate. In order to make the drawings easier to understand, each component is schematically shown, and the thickness, length, number, spacing, etc. of each component shown are actual for the convenience of drawing creation. May be different. Further, the material, shape, dimensions, etc. of each component shown in the above-described embodiment are merely examples, and are not particularly limited, and various changes can be made without substantially deviating from the effects of the present invention. is there.

本発明は、処理液調製装置および処理液調製方法に好適に用いられる。 The present invention is suitably used for a treatment liquid preparation apparatus and a treatment liquid preparation method.

100 処理液調製装置
102 貯留部
104 制御部
106 記憶部
110 第1貯留部
120 第2貯留部
200 基板処理装置
210 基板処理部
W 基板
100 Processing liquid preparation device 102 Storage unit 104 Control unit 106 Storage unit 110 1st storage unit 120 2nd storage unit 200 Board processing device 210 Board processing unit W Substrate

Claims (22)

燐酸液を貯留する貯留部と、
前記貯留部の前記燐酸液の比重を示す値を計測する計測部と、
前記計測部の計測した値を記憶する記憶部と
を備え、
前記記憶部は、前記貯留部の前記燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに前記計測部によって計測された前記燐酸液の比重を示す基準値を記憶する、処理液調製装置。
A storage unit that stores phosphoric acid solution,
A measuring unit that measures a value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the storage unit,
It is provided with a storage unit that stores the value measured by the measurement unit.
The storage unit is a reference indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution measured by the measuring unit when it is in a boundary state between a sudden boiling state in which the phosphoric acid solution suddenly boils and a non-sudden state in which the phosphoric acid solution does not suddenly boil. A treatment liquid preparation device that stores values.
前記貯留部は、前記基準値と比べて前記燐酸液の比重を示す値が大きくなるように前記燐酸液を調製する、請求項1に記載の処理液調製装置。 The treatment liquid preparation apparatus according to claim 1, wherein the storage unit prepares the phosphoric acid solution so that the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution becomes larger than the reference value. 前記貯留部の前記燐酸液を撮像する撮像部をさらに備える、請求項1または2に記載の処理液調製装置。 The processing liquid preparation apparatus according to claim 1 or 2, further comprising an imaging unit that images the phosphoric acid solution in the storage unit. 前記貯留部は、第1燐酸液を貯留する第1貯留部と、第2燐酸液を貯留する第2貯留部とを含み、
前記記憶部は、前記第1燐酸液が突沸する突沸状態と前記第1燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに第1計測部によって計測された前記第1燐酸液の比重を示す第1基準値を記憶し、
前記記憶部は、前記第2燐酸液が突沸する突沸状態と前記第2燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態であるときに第2計測部によって計測された前記第2燐酸液の比重を示す第2基準値を記憶する、請求項1から3のいずれかに記載の処理液調製装置。
The storage unit includes a first storage unit for storing the first phosphoric acid solution and a second storage unit for storing the second phosphoric acid solution.
The storage unit has a specific gravity of the first phosphoric acid solution measured by the first measuring unit when it is in a boundary state between a sudden boiling state in which the first phosphoric acid solution suddenly boils and a non-sudden state in which the first phosphoric acid solution does not suddenly boil. Memorize the first reference value indicating
The storage unit has a specific gravity of the second phosphoric acid solution measured by the second measuring unit when it is in a boundary state between a sudden boiling state in which the second phosphoric acid solution suddenly boils and a non-sudden state in which the second phosphoric acid solution does not suddenly boil. The treatment liquid preparation apparatus according to any one of claims 1 to 3, which stores a second reference value indicating.
前記第1燐酸液は、前記第1基準値に基づいて調製され、
前記第2燐酸液は、前記第2基準値に基づいて調製される、請求項4に記載の処理液調製装置。
The first phosphoric acid solution was prepared based on the first reference value.
The treatment liquid preparation apparatus according to claim 4, wherein the second phosphoric acid solution is prepared based on the second reference value.
前記第2貯留部は、前記第2貯留部において調製した燐酸液を前記第1貯留部に供給する、請求項5に記載の処理液調製装置。 The treatment liquid preparation apparatus according to claim 5, wherein the second storage unit supplies the phosphoric acid solution prepared in the second storage unit to the first storage unit. 請求項1から6のいずれかに記載の処理液調製装置と、
前記処理液調製装置において調製された燐酸液を用いて基板を処理する基板処理部と
を備える、基板処理装置。
The treatment liquid preparation device according to any one of claims 1 to 6.
A substrate processing apparatus including a substrate processing unit that processes a substrate using a phosphoric acid solution prepared in the processing liquid preparing apparatus.
前記基板処理部は、
前記基板を保持して回転する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板に前記燐酸液を供給するノズルと
を有する、請求項7に記載の基板処理装置。
The substrate processing unit
A substrate holding portion that holds and rotates the substrate,
The substrate processing apparatus according to claim 7, further comprising a nozzle for supplying the phosphoric acid solution to the substrate held by the substrate holding portion.
前記貯留部における前記燐酸液の比重を示す値は、前記ノズルに供給される燐酸液の状態に基づいて設定される、請求項8に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution in the storage portion is set based on the state of the phosphoric acid solution supplied to the nozzle. 前記基板処理部は、
前記基板を複数積載可能な基板積載部と、
前記処理液調製装置において調製された燐酸液を貯留する処理槽と
を有する、請求項7に記載の基板処理装置。
The substrate processing unit
A board loading unit capable of loading a plurality of the boards and
The substrate processing apparatus according to claim 7, further comprising a processing tank for storing the phosphoric acid solution prepared in the processing liquid preparing apparatus.
前記基板処理部は、前記基板を複数積載可能な基板積載部を有し、
前記基板積載部は、前記処理液調製装置の前記貯留部の前記燐酸液に浸漬する、請求項7に記載の基板処理装置。
The substrate processing unit has a substrate loading unit capable of loading a plurality of the substrates.
The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the substrate loading portion is immersed in the phosphoric acid solution in the storage portion of the processing liquid preparing apparatus.
貯留された燐酸液が突沸する突沸状態と前記燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記燐酸液を設定する工程と、
前記境界状態に設定された前記燐酸液の比重を示す基準値を計測する工程と、
前記基準値を記憶する工程と
を包含する、処理液調製方法。
A step of setting the phosphoric acid solution at a boundary state between a sudden boiling state in which the stored phosphoric acid solution suddenly boils and a non-sudden boiling state in which the phosphoric acid solution does not suddenly boil.
A step of measuring a reference value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution set in the boundary state, and
A method for preparing a treatment liquid, which comprises a step of storing the reference value.
前記基準値と比べて前記燐酸液の比重を示す値が大きくなるように前記燐酸液を調製する工程をさらに包含する、請求項12に記載の処理液調製方法。 The treatment liquid preparation method according to claim 12, further comprising the step of preparing the phosphoric acid solution so that the value indicating the specific gravity of the phosphoric acid solution becomes larger than the reference value. 前記境界状態に前記燐酸液を設定する工程は、前記燐酸液を撮像する工程を含む、請求項12または13に記載の処理液調製方法。 The treatment liquid preparation method according to claim 12 or 13, wherein the step of setting the phosphoric acid solution in the boundary state includes a step of imaging the phosphoric acid solution. 前記境界状態に前記燐酸液を設定する工程は、第1燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記第1燐酸液を設定する工程と、第2燐酸液が突沸しない非突沸状態との境界状態に前記第2燐酸液を設定する工程とを含み、
前記基準値を計測する工程は、前記境界状態に設定された前記第1燐酸液の比重を示す第1基準値を計測する工程と、前記境界状態に設定された前記第2燐酸液の比重を示す第2基準値を計測する工程とを含み、
前記基準値を記憶する工程は、前記第1基準値を記憶する工程と、前記第2基準値を記憶する工程とを含む、請求項12から14のいずれかに記載の処理液調製方法。
The steps of setting the phosphoric acid solution in the boundary state include a step of setting the first phosphoric acid solution in a boundary state with a non-burst state in which the first phosphoric acid solution does not suddenly boil, and a non-burst state in which the second phosphoric acid solution does not suddenly boil. Including the step of setting the second phosphoric acid solution in the boundary state of
The step of measuring the reference value is a step of measuring a first reference value indicating the specific gravity of the first phosphoric acid solution set in the boundary state and a step of measuring the specific gravity of the second phosphoric acid solution set in the boundary state. Including the process of measuring the second reference value shown
The treatment liquid preparation method according to any one of claims 12 to 14, wherein the step of storing the reference value includes a step of storing the first reference value and a step of storing the second reference value.
前記第1基準値に基づいて前記第1燐酸液を調製する工程と、
前記第2基準値に基づいて前記第2燐酸液を調製する工程と
をさらに包含する、請求項15に記載の処理液調製方法。
The step of preparing the first phosphoric acid solution based on the first reference value, and
The treatment liquid preparation method according to claim 15, further comprising the step of preparing the second phosphoric acid solution based on the second reference value.
前記第2燐酸液を前記第1燐酸液と混合する工程をさらに包含する、請求項16に記載の処理液調製方法。 The treatment liquid preparation method according to claim 16, further comprising the step of mixing the second phosphoric acid solution with the first phosphoric acid solution. 請求項13または16に記載の処理液調製方法にしたがって燐酸液を調製する工程と、
前記処理液調製方法において調製された燐酸液を用いて基板を処理する工程と
を包含する、基板処理方法。
A step of preparing a phosphoric acid solution according to the treatment solution preparation method according to claim 13 or 16.
A substrate processing method including a step of processing a substrate using a phosphoric acid solution prepared in the treatment liquid preparation method.
前記基板を処理する工程は、
前記基板を保持して回転する工程と、
前記回転する基板に前記燐酸液を供給する工程と
を含む、請求項18に記載の基板処理方法。
The step of processing the substrate is
The process of holding and rotating the substrate and
The substrate processing method according to claim 18, further comprising a step of supplying the phosphoric acid solution to the rotating substrate.
前記燐酸液を供給する工程において、前記貯留される燐酸液の比重を示す値は、ノズルに供給される燐酸液の状態に基づいて設定される、請求項19に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 19, wherein in the step of supplying the phosphoric acid solution, a value indicating the specific gravity of the stored phosphoric acid solution is set based on the state of the phosphoric acid solution supplied to the nozzle. 前記基板を処理する工程は、前記燐酸液を処理槽に供給し、前記処理槽の前記燐酸液に前記基板を浸漬する工程を含む、請求項18に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 18, wherein the step of processing the substrate includes a step of supplying the phosphoric acid solution to the processing tank and immersing the substrate in the phosphoric acid solution of the processing tank. 前記基板を処理する工程は、前記燐酸液を調製した貯留槽に前記基板を浸漬する、請求項18に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 18, wherein the step of processing the substrate is a step of immersing the substrate in a storage tank in which the phosphoric acid solution is prepared.
JP2019079402A 2019-04-18 2019-04-18 Processing liquid preparation apparatus, substrate processing apparatus, processing liquid preparation method, and substrate processing method Active JP7267079B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019079402A JP7267079B2 (en) 2019-04-18 2019-04-18 Processing liquid preparation apparatus, substrate processing apparatus, processing liquid preparation method, and substrate processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019079402A JP7267079B2 (en) 2019-04-18 2019-04-18 Processing liquid preparation apparatus, substrate processing apparatus, processing liquid preparation method, and substrate processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020178043A true JP2020178043A (en) 2020-10-29
JP7267079B2 JP7267079B2 (en) 2023-05-01

Family

ID=72936633

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019079402A Active JP7267079B2 (en) 2019-04-18 2019-04-18 Processing liquid preparation apparatus, substrate processing apparatus, processing liquid preparation method, and substrate processing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7267079B2 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11154665A (en) * 1997-11-20 1999-06-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method of treating surface of substrate
JP2004221540A (en) * 2002-12-26 2004-08-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus
JP2019050349A (en) * 2017-09-11 2019-03-28 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and storage medium

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11154665A (en) * 1997-11-20 1999-06-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method of treating surface of substrate
JP2004221540A (en) * 2002-12-26 2004-08-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus
JP2019050349A (en) * 2017-09-11 2019-03-28 東京エレクトロン株式会社 Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
JP7267079B2 (en) 2023-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI490936B (en) A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a recording medium on which a computer program for carrying out the substrate processing method is recorded
KR102253286B1 (en) Wet etching apparatus
US10559480B2 (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
WO2013164942A1 (en) Etching method, etching device and storage medium
US10685855B2 (en) Substrate treating device and substrate treating method
TWI647007B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPH0296334A (en) Method of circulation of high temperature etching solution
JP6857526B2 (en) Substrate processing equipment and substrate processing method
JP2015070080A (en) Etching method, etching device and storage medium
JP2007049022A (en) Method and apparatus for processing substrate
JP6177664B2 (en) Etching method, etching apparatus and storage medium
JP6843173B2 (en) Substrate processing equipment and substrate processing method
KR100241081B1 (en) Substrate treating method and apparatus
TWI719258B (en) Substrate treating device and substrate treating method
JP2020178043A (en) Processing liquid preparation device, substrate processing device, processing liquid preparation method, and substrate processing method
US20170037499A1 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
KR101168109B1 (en) Heating unit, substrate processing apparatus and method for heating fluid
US20220139733A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3813716B2 (en) Substrate surface treatment method
TW202141614A (en) Processing liquid temperature control method, substrate processing method, processing liquid temperature control apparatus, and substrate processing system
JP2019197814A (en) Substrate processing apparatus
JP2007207786A (en) Substrate treatment method and substrate treatment system
WO2023223908A1 (en) Substrate treatment device and substrate treatment method
KR102516920B1 (en) Substrate processing method and substrate processing device
JPH06140380A (en) Etching equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211223

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221025

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20221020

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230328

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230419

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7267079

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150