JP7267053B2 - 光センサ及びこの光センサを備える電子機器 - Google Patents

Description

本開示は、光センサ及びこの光センサを備える電子機器に関する。

特許文献１には、例えばスマートフォンに搭載される光検出装置が開示されている。光検出装置は、スマートフォンを正面からみた場合、スマートフォンのハウジングにおいてハウジングの外縁とハウジングに設けられた表示パネルとの間の部分に設けられた光学窓からフォトダイオードが受光可能なように搭載されている。また、光検出装置のフォトダイオードは、縦方向に４個、横方向に４個の略正方形となるように配置されている。

特開２０１８－２５４０８号公報

ところで、電子機器によっては、上記のようにフォトダイオードが配列された光検出装置の配置が難しい場合がある。例えば、スマートフォンでは、光学窓がハウジングの外縁寄りに設けられると、フォトダイオードが光学窓から受光可能なように光検出装置を配置することが難しい。なお、上記課題は、スマートフォンに限られず、光センサが搭載されるとともに光学窓が形成される電子機器に共通する。

本発明の目的は、光学窓が電子機器の外縁付近に配置されたとしてもフォトダイオードが光学窓から好適に受光できる光センサ及びこの光センサを備える電子機器を提供することにある。

上記課題を解決する光センサは、複数のフォトダイオードを有するチップを備える光センサであって、前記複数のフォトダイオードは、前記フォトダイオードの受光方向からみて、前記チップにおける中央よりも第１方向の一方側に偏るように配置されるとともに、前記第１方向を短手方向としかつ前記第１方向と直交する第２方向を長手方向とした細長状に配列されている。

この構成によれば、複数のフォトダイオードがチップの第１方向に偏るように配置されることによって、第１方向において、チップのうちの第１方向の一方側の側面と複数のフォトダイオードとの間の距離が小さくなる。さらに、複数のフォトダイオードが第１方向を短手方向としかつ第２方向を長手方向とした細長状に配列されているため、複数のフォトダイオードの全てがチップのうちの第１方向の一方側の側面の近くに配置されることになる。これにより、電子機器の外縁近くに光学窓が形成されたとしても、フォトダイオードが光学窓から好適に受光可能なように光センサを配置できる。

上記光センサ及びこの光センサを備える電子機器によれば、光学窓が電子機器の外縁付近に配置されたとしてもフォトダイオードが光学窓から好適に受光できる。

一実施形態の光センサの電気的構成を模式的に示すブロック図。 光センサの第１ダイオード群のフォトダイオードにおける受光感度と波長との関係を示すグラフ。 光センサの第２ダイオード群のフォトダイオードにおける受光感度と波長との関係を示すグラフ。 光センサの斜視図。 光センサの内部構成を模式的に示す平面図。 光センサの底面図。 光センサの断面図。 光センサのチップの回路素子のレイアウトを模式的に示す平面図。 複数のフォトダイオードのレイアウト図。 第１ダイオード群のフォトダイオードに接続される変換部の回路構成を模式的に示す回路図。 第２ダイオード群のフォトダイオードに接続される変換部の回路構成を模式的に示す回路図。 第２ダイオード群のフォトダイオードに接続される変換部の回路構成を模式的に示す回路図。 （ａ）は光センサが搭載された電子機器の一例であるスマートフォンの斜視図、（ｂ）はスマートフォンの光学窓及びその周辺の拡大図。 （ａ）は変更例の複数のフォトダイオードのレイアウト図、（ｂ）は（ａ）をさらに変更した複数のフォトダイオードの一部のレイアウト図。 変更例の複数のフォトダイオードのレイアウト図。 変更例の複数のフォトダイオードのレイアウト図。 変更例の光センサの底面図。

以下、光センサの一実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであって、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。

本明細書において、「部材Ａが部材Ｂと接続された状態」とは、部材Ａと部材Ｂとが物理的に直接的に接続される場合、並びに、部材Ａ及び部材Ｂが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合を含む。

（実施形態）
図１に示すように、光センサ１は、受光部１０、変換部２０、ロジック部３０、電圧生成部４０、及び複数（本実施形態では８個）の外部端子２を有する。光センサ１は、受光部１０、変換部２０、ロジック部３０、及び電圧生成部４０が１つの半導体基板に形成された半導体集積回路である。光センサ１の一例は、外部光の照度を検出する照度センサである。複数の外部端子２は、電源端子ＶＣＣ、グランド端子ＧＮＤ、通信バス（例えばＩ^２Ｃバス）のインターフェース用の端子、及びインタラプト出力端子を含む。

受光部１０は、外部光を検出するための複数（本実施形態では１６個）のフォトダイオード１０Ａと、赤外透過フィルタ１０Ｂとを有する。赤外透過フィルタ１０Ｂは、外部光のうちの可視光を吸収し、外部光のうちの赤外線を透過するフィルタである。複数のフォトダイオード１０Ａは、第１受光特性を有する第１フォトダイオード群１１と、第１受光特性とは異なる第２受光特性を有する第２フォトダイオード群１２とを含む。

第１受光特性の一例を図２に示し、第２受光特性の一例を図３に示す。図２及び図３において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は受光感度である。図３の受光感度は、４００ｎｍ～１１００ｎｍの範囲の波長域における最大の感度を１として正規化して示されている。図２の受光感度は、図３の４００ｎｍ～１１００ｎｍの範囲の波長域における最大の感度を１として正規化して示されている。

図２の第１受光特性に示すように、第１フォトダイオード群１１の受光感度は、波長が４００ｎｍから波長が長くなるにつれて徐々に高くなり、波長が８５０ｎｍにおいて最大となる。そして、第１フォトダイオード群１１の受光感度は、波長が８５０ｎｍから波長が長くなるにつれて低下する。図３の第２受光特性に示すように、第２フォトダイオード群１２の受光感度は、波長が４００ｎｍから波長が長くなるにつれて急激に高くなり、波長が６００ｎｍにおいて最大となる。そして、第２フォトダイオード群１２の受光感度は、波長が６００ｎｍから波長が長くなるにつれて低下する。図２及び図３に示すように、第２受光特性の感度ピーク（６００ｎｍ）における受光感度は、第１受光特性の感度ピーク（８５０ｎｍ）における受光感度よりも高い。

第１フォトダイオード群１１及び第２フォトダイオード群１２はそれぞれ、受光面が赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われたフォトダイオードと、受光面が赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われていないフォトダイオードとを含む。

図１に示すように、変換部２０は、受光部１０からのアナログ信号（光電流）をデジタル信号（出力信号）に変換してロジック部３０に出力する。変換部２０は、例えば積分型のアナログ／デジタル変換回路であり、複数の入力チャンネルを有する。本実施形態では、変換部２０は、４チャンネルのアナログ／デジタル変換回路である。変換部２０は、各チャンネルのアナログ信号をそれぞれデジタル信号に変換する。なお、便宜上、各チャンネルをそれぞれ１つのアナログ／デジタル変換回路として説明する。本実施形態の変換部２０は、４個のアナログ／デジタル変換回路（図中、「ＡＤＣ」と表記）２１～２４を有する。アナログ／デジタル変換回路２１は、第１フォトダイオード群１１のうちの赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われていないフォトダイオードの光電流をデジタル信号に変換する。アナログ／デジタル変換回路２２は、第１フォトダイオード群１１のうちの赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われたフォトダイオードの光電流をデジタル信号に変換する。アナログ／デジタル変換回路２３は、第２フォトダイオード群１２のうちの赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われていないフォトダイオードの光電流をデジタル信号に変換する。アナログ／デジタル変換回路２４は、第２フォトダイオード群１２のうちの赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われたフォトダイオードの光電流をデジタル信号に変換する。

ロジック部３０は、変換部２０を制御する機能及び光センサ１の外部と通信する機能を有する。ロジック部３０は、トランジスタ、キャパシタ、レジスタ等の各種回路素子を含む。ロジック部３０は、複数の外部端子２のうちの一部の外部端子２と電気的に接続されている。一部の外部端子２を介して、ロジック部３０からの信号出力、受光部１０、変換部２０、及びロジック部３０への電源入力等が行われる。

電圧生成部４０は、複数の外部端子２のうちの電源端子（ＶＣＣ）に接続されている。電圧生成部４０は、電源端子に印加された電圧を昇圧又は降圧して所定の電源電圧を生成し、電源電圧を受光部１０、変換部２０、及びロジック部３０に供給する。

次に、図４～図７を参照して、光センサ１の構造について説明する。
図４に示すように、光センサ１は、チップ３と、放熱板４と、複数（本実施形態では８個）の外部端子２と、チップ３、放熱板４、及び複数の外部端子２を封止する封止樹脂５とを備える。なお、外部端子２の個数は任意に変更可能である。

図５に示すように、チップ３は、チップ３の各側面を構成する第１側面３ａ～第４側面３ｄを有する矩形板状に形成されている。チップ３は、光センサ１の平面視（以下、単に「平面視」と称する）において矩形である。本実施形態のチップ３では、その長辺方向を第１方向Ｘとし、短辺方向を第２方向Ｙとする。ここで、本実施形態の平面視は、フォトダイオード１０Ａ（図１参照）の受光方向からみる方向と一致する。

チップ３において、第１側面３ａは第３側面３ｃと平行となり、第２側面３ｂは第４側面３ｄと平行となる。第１側面３ａは第２側面３ｂ及び第４側面３ｄの一端同士を結ぶ側面であり、第３側面３ｃは、第２側面３ｂ及び第４側面３ｄの他端同士を結ぶ側面である。第１側面３ａ及び第３側面３ｃは第１方向Ｘに沿う側面であり、第２側面３ｂ及び第４側面３ｄは第２方向Ｙに沿う側面である。本実施形態では、第１側面３ａはチップ３における第２方向Ｙの一方側の側面であり、第２側面３ｂはチップ３における第２方向Ｙの他方側の側面である。また、第２側面３ｂはチップ３における第１方向Ｘの一方側の側面であり、第４側面３ｄはチップ３における第１方向Ｘの他方側の側面である。チップ３のサイズの一例では、チップ３の長辺方向の長さ（第１側面３ａ及び第３側面３ｃの第１方向Ｘの長さ）は１．２ｍｍであり、チップ３の短辺方向の長さ（第２側面３ｂ及び第４側面３ｄの第２方向Ｙの長さ）は０．８ｍｍである。

なお、チップ３の平面視における形状は、任意に変更可能である。一例では、チップ３の平面視における形状は、正方形であってもよい。この場合、チップ３の第１側面３ａ及び第３側面３ｃに沿う方向を第１方向Ｘと規定する。また、チップ３は、平面視において、第１方向Ｘを短手方向とし、第２方向Ｙを長手方向とする矩形であってもよい。この場合、第１側面３ａ及び第３側面３ｃのそれぞれの長さが第２側面３ｂ及び第４側面３ｄのそれぞれの長さよりも短くなる。

チップ３は、図７に示す半導体基板５０を有する。半導体基板５０には、図１に示す受光部１０、変換部２０、ロジック部３０、及び電圧生成部４０が形成されている。
チップ３の表面部３Ｘには、複数（本実施形態では、９個）の電極パッド６１～６９が形成されている。本実施形態では、５個の電極パッド６１～６５がチップ３の第１側面３ａ側の端部に設けられ、４個の電極パッド６６～６９がチップ３の第３側面３ｃ側の端部に設けられている。

封止樹脂５は、例えば透明なエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂からなる。封止樹脂５は、封止樹脂５の各側面を構成する第１側面５ａ～第４側面５ｄを有する矩形状に形成されている。封止樹脂５は、平面視において第１方向Ｘが短辺方向となり、第２方向Ｙが長辺方向となる矩形である。このように、本実施形態では、封止樹脂５の長辺方向とチップ３の短辺方向とが平行となり、封止樹脂５の短辺方向とチップ３の長辺方向とが平行となる。

封止樹脂５において、第１側面５ａは第３側面５ｃと平行となり、第２側面５ｂは第４側面５ｄと平行となる。第１側面５ａは第２側面５ｂ及び第４側面５ｄの一端同士を結ぶ側面であり、第３側面５ｃは、第２側面５ｂ及び第４側面５ｄの他端同士を結ぶ側面である。第１側面５ａ及び第３側面５ｃは第１方向Ｘに沿う側面であり、第２側面５ｂ及び第４側面５ｄは第２方向Ｙに沿う側面である。本実施形態では、第１側面５ａは封止樹脂５における第２方向Ｙの一方側の側面であり、第２側面５ｂは封止樹脂５における第２方向Ｙの他方側の側面である。また、第２側面５ｂは封止樹脂５における第１方向Ｘの一方側の側面であり、第４側面５ｄは封止樹脂５における第１方向Ｘの他方側の側面である。図５に示すとおり、第２方向において封止樹脂５の第１側面５ａはチップ３の第１側面３ａ側に形成され、封止樹脂５の第３側面５ｃはチップ３の第３側面３ｃ側に形成されている。第１方向Ｘにおいて封止樹脂５の第２側面５ｂはチップ３の第２側面３ｂ側に形成され、封止樹脂５の第４側面５ｄはチップ３の第４側面３ｄ側に形成されている。一例では、封止樹脂５の短辺方向の長さ（第１側面５ａ及び第３側面５ｃの第１方向Ｘの長さ）は２．０ｍｍであり、封止樹脂５の長辺方向の長さ（第２側面５ｂ及び第４側面５ｄの第２方向Ｙの長さ）は２．１ｍｍである。なお、封止樹脂５の平面視における形状は、封止樹脂５の製造誤差によって、正方形となる場合がある。

チップ３は、封止樹脂５の第１方向Ｘの中央よりも封止樹脂５の第１方向Ｘの両側面５ｂ，５ｄのうち一方側に配置された一側面である第２側面５ｂの近くに配置されている。言い換えると、チップ３は、第１方向Ｘにおいて、封止樹脂５に対して偏って配置されている。本実施形態では、チップ３は、第１方向Ｘにおいて、封止樹脂５の第４側面５ｄよりも第２側面５ｂ側に偏るように配置されている。チップ３の第１方向Ｘの中央において第２方向Ｙに沿って延びる中心線Ｌ１１は、封止樹脂５の第１方向Ｘの中央において第２方向Ｙに沿って延びる中心線Ｌ２１よりも封止樹脂５の第２側面５ｂ側に位置しているとも言える。また、第１方向Ｘにおいて、チップ３の第２側面３ｂと封止樹脂５の第２側面５ｂとの間の距離Ｗ１は、チップ３の第４側面３ｄと封止樹脂５の第４側面５ｄとの間の距離Ｗ２よりも小さい。

平面視において、チップ３は、第２方向Ｙにおいて、封止樹脂５の中央に位置するように配置されている。言い換えると、チップ３の第２方向Ｙの中央において第１方向Ｘに沿って延びる中心線Ｌ１２の位置は、封止樹脂５の第２方向Ｙの中央におい第１方向Ｘに沿って延びる中心線Ｌ２２の位置と同じになる。第２方向Ｙにおいて、チップ３の第１側面３ａと封止樹脂５の第１側面５ａとの間の距離Ｗ３は、チップ３の第３側面３ｃと封止樹脂５の第３側面５ｃとの間の距離Ｗ４と等しい。ここで、距離Ｗ３が距離Ｗ４と等しいとは、距離Ｗ３と距離Ｗ４との差が距離Ｗ３の５％以内となる関係である。

なお、第２方向Ｙにおけるチップ３の位置は、任意に変更可能である。第２方向Ｙにおいて、チップ３は、封止樹脂５の第１側面５ａ寄りに配置されてもよいし、封止樹脂５の第３側面５ｃ寄りに配置されてもよい。

複数の外部端子２は、例えば銅、アルミニウム等の導電材料によって構成されている。複数の外部端子２は、第２方向Ｙにおいてチップ３の両側に配置されている。本実施形態では、チップ３に対して第２方向Ｙの一方側、すなわち封止樹脂５の第１側面５ａ側に４個の外部端子２が配置され、チップ３に対して第２方向Ｙの他方側、すなわち封止樹脂５の第３側面５ｃ側に４個の外部端子２が配置されている。４個の外部端子２は、第１方向Ｘにおいて間隔をあけて配置されている。チップ３に対して第２方向Ｙの一方側に配置された４個の外部端子２のうちの２個の外部端子２は、導電ワイヤ６Ａ，６Ｂによってチップ３の電極パッド６１，６２と接続されている。チップ３に対して第２方向Ｙの他方側に配置された４個の外部端子２のうちの３個の外部端子２は、導電ワイヤ６Ｃ，６Ｄ，６Ｅによってチップ３の電極パッド６６，６７，６９と接続されている。導電ワイヤ６Ａ～６Ｅは、例えばアルミニウム、金、銅等からなる。導電ワイヤ６Ａ～６Ｅは、例えばワイヤボンディングによって形成されている。

放熱板４は、例えば銅、アルミニウム等の放熱性に優れた材料によって構成されている。放熱板４は、例えば外部端子２の材料と同じ材料が用いられる。放熱板４の表面４Ａ（図４参照）には、チップ３の半導体基板５０（図７参照）が半田等の接合部材によって取り付けられている。

図６に示すように、８個の外部端子２及び放熱板４は、封止樹脂５から露出する露出面２Ａ，４Ｂを有する。放熱板４の露出面４Ｂには、光センサ１の向きをユーザに認識させるための切欠部４Ｃが形成されている。露出面４Ｂの面積は、破線で示す放熱板４における封止樹脂５から露出しない部分の面積よりも小さい。図６に示すように、放熱板４においてチップ３が載せられる部分（破線部分）は、露出面４Ｂが構成される放熱板４の基部４Ｘから第２方向Ｙの両側に向けて延びている。また、図６に示されるとおり、本実施形態の光センサ１は、面実装タイプである。

図６及び図７に示すように、放熱板４の基部４Ｘは、第１側面４ａ～第４側面４ｄを有する矩形板状である。放熱板４の基部４Ｘは、光センサ１の底面視において、第１方向Ｘを長辺方向とし、第２方向Ｙを短辺方向とする矩形である。なお、図７では、便宜上、断面のハッチングを省略して示している。

放熱板４の基部４Ｘにおいて、第１側面４ａは第３側面４ｃと平行となり、第２側面４ｂは第４側面４ｄと平行となる。第１側面４ａは、第２側面４ｂ及び第４側面４ｄの一端同士を結ぶ側面であり、第３側面４ｃの一端は、第４側面４ｄの他端に接続されている。第１側面４ａ及び第３側面４ｃは第１方向Ｘに沿う側面であり、第２側面４ｂ及び第４側面４ｄは第２方向Ｙに沿う側面である。本実施形態では、第１側面４ａは放熱板４の基部４Ｘにおける第２方向Ｙの一方側の側面であり、第２側面４ｂは放熱板４の基部４Ｘにおける第２方向Ｙの他方側の側面である。また、第２側面４ｂは放熱板４の基部４Ｘにおける第１方向Ｘの一方側の側面であり、第４側面４ｄは放熱板４の基部４Ｘにおける第１方向Ｘの他方側の側面である。このため、放熱板４の基部４Ｘの第１側面４ａはチップ３の第１側面３ａ側（封止樹脂５の第１側面５ａ側）に形成され、放熱板４の基部４Ｘの第３側面４ｃはチップ３の第３側面３ｃ側（封止樹脂５の第３側面５ｃ側）に形成されている。放熱板４の基部４Ｘの第２側面４ｂはチップ３の第２側面３ｂ側（封止樹脂５の第２側面５ｂ側）に形成され、放熱板４の基部４Ｘの第４側面４ｄはチップ３の第４側面３ｄ側（封止樹脂５の第４側面５ｄ側）に形成されている。

また放熱板４の基部４Ｘは、切欠部４Ｃを構成する第５側面４ｅを有する。第５側面４ｅの一端は第３側面４ｃの他端に接続され、第５側面４ｅの他端は第２側面４ｂの他端に接続されている。切欠部４Ｃは、チップ３の第１方向Ｘの中央において第２方向Ｙに沿って延びる中心線Ｌ１１よりもチップ３の第２側面３ｂ側に形成されている。切欠部４Ｃは、チップ３の第２方向Ｙの中央において第１方向Ｘに沿って延びる中心線Ｌ１２よりもチップ３の第３側面３ｃ側に形成されている。なお、切欠部４Ｃの位置は、任意に変更可能である。一例では、切欠部４Ｃ（第５側面４ｅ）は、放熱板４の基部４Ｘの第１側面４ａの一端と第４側面４ｄの他端とに接続されてもよい。

第１方向Ｘにおける放熱板４の大きさは、チップ３の第１方向Ｘの大きさよりも大きい。第２方向Ｙにおける放熱板４の大きさは、チップ３の第２方向Ｙの大きさと等しい。ここで、第２方向Ｙにおける放熱板４の大きさがチップ３の第２方向Ｙの大きさと等しいとは、第２方向Ｙにおける放熱板４の大きさとチップ３の第２方向Ｙの大きさと差が、第２方向Ｙにおける放熱板４の大きさの５％以内となる関係である。また第２方向Ｙにおける放熱板４の基部４Ｘの大きさは、チップ３の第２方向Ｙの大きさよりも小さい。本実施形態では、第２方向Ｙにおける放熱板４の基部４Ｘの大きさが第２方向Ｙにおける放熱板４の大きさよりも小さいが、これに限られず、第２方向Ｙにおける放熱板４の基部４Ｘの大きさが第２方向Ｙにおける放熱板４の大きさ以上であってもよい。

チップ３は、放熱板４の第１方向Ｘの中央よりも放熱板４の基部４Ｘの第１方向Ｘの両側面４ｂ，４ｄのうち一方側に配置された一側面である第２側面４ｂの近くに配置されている。言い換えると、チップ３は、第１方向Ｘにおいて、放熱板４に対して偏って配置されている。チップ３は、第１方向Ｘにおいて、放熱板４の基部４Ｘの第４側面４ｄよりも第２側面４ｂ側に偏るように配置されている。本実施形態では、チップ３は、第１方向Ｘにおいて、放熱板４の基部４Ｘの第２側面４ｂ側の端部に配置されている。チップ３の第１方向Ｘの中央において第２方向Ｙに沿って延びる中心線Ｌ１１は、放熱板４の第１方向Ｘの中央において第２方向Ｙに沿って延びる中心線Ｌ３１よりも放熱板４の基部４Ｘの第２側面４ｂ側に位置しているとも言える。本実施形態では、放熱板４の第１方向Ｘの中央において第２方向Ｙに沿って延びる中心線Ｌ３１の位置は、封止樹脂５の第１方向Ｘの中央において第２方向Ｙに沿って延びる中心線Ｌ２１の位置と同じになる。また、第１方向Ｘにおいて、チップ３の第２側面３ｂと放熱板４の基部４Ｘの第２側面４ｂとの間の距離Ｗ５は、チップ３の第４側面３ｄと放熱板４の基部４Ｘの第４側面４ｄとの間の距離Ｗ６よりも小さい。

チップ３は、第２方向Ｙにおいて、放熱板４の中央に位置するように配置されている。言い換えると、チップ３の第２方向Ｙの中央において第１方向Ｘに沿って延びる中心線Ｌ１２の第２方向Ｙの位置は、放熱板４の第２方向Ｙの中央において第１方向Ｘに沿って延びる中心線Ｌ３２の第２方向Ｙの位置と等しい。ここで、中心線Ｌ１２の第２方向Ｙの位置が中心線Ｌ３２の第２方向Ｙの位置と等しいとは、第２方向Ｙにおける中心線Ｌ１２と中心線Ｌ３２との間の距離がチップ３の第２方向Ｙの寸法の５％以内の関係である。

図７に示すように、フォトダイオード１０Ａは、ｐ型の半導体基板５０の表面５０Ａに形成されたｎ型領域５１を有する。ｐ型の半導体基板５０は、グランドに接続されている。ｎ型領域５１は、半導体基板５０の表面５０Ａからｎ型不純物をドーピングすることによって形成されている。これにより、半導体基板５０には、光電流が発生するフォトダイオード１０Ａが形成される。フォトダイオード１０Ａは、ｐ型の半導体基板５０とｎ型領域５１とのｐｎ接合面５２を含む。

なお、半導体基板５０には、変換部２０、ロジック部３０等も形成されるため、例えばロジック部３０を構成するトランジスタの不純物領域が形成されてもよい。この場合、ｎ型領域５１は、トランジスタを構成するソース領域、ドレイン領域、素子分離用の埋め込み層（Ｌ／Ｉ、Ｂ／Ｌ）等の不純物領域と同じ工程で形成されてもよい。

半導体基板５０の表面５０Ａには、層間絶縁膜５３が形成されている。層間絶縁膜５３は、半導体基板５０の表面５０Ａの全体を覆うように形成されている。層間絶縁膜５３は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）等の絶縁材料からなる。層間絶縁膜５３は、単層であってもよいし、複数層であってもよい。

層間絶縁膜５３の表面５３Ａの一部には、赤外透過フィルタ１０Ｂが形成されている。赤外透過フィルタ１０Ｂは、図７に示す２つのフォトダイオード１０Ａのうちの１つのフォトダイオードの受光面１４を覆っている。フォトダイオードの受光面１４は、半導体基板５０の表面５０Ａに形成されている。赤外透過フィルタ１０Ｂは、例えば２種類以上のカラーフィルタが重ね合わせられることによって構成されている。具体的には、赤外透過フィルタ１０Ｂは、黄色フィルタ、赤色フィルタ、緑色フィルタ、及び青色フィルタのうちの２種類以上のフィルタが重ね合わせられることによって構成されている。

次に、図７及び図８を参照して、チップ３内の受光部１０等のレイアウトについて説明する。以下の説明において、第１方向Ｘにおけるチップ３の中央は、第１方向Ｘにおいてチップ３における中心線Ｌ１１の位置である。

図８に示すように、受光部１０、変換部２０、及びロジック部３０は、第１方向Ｘに配列されている。受光部１０、変換部２０、及びロジック部３０は、第１方向Ｘにおけるチップ３の第２側面３ｂから第４側面３ｄに向けて、受光部１０、変換部２０、及びロジック部３０の順に配置されている。

複数のフォトダイオード１０Ａ（受光部１０）は、第１方向Ｘにおけるチップ３の中央よりも、チップ３の第１方向Ｘの両側面３ｂ，３ｄのうちの一方側の側面である第２側面３ｂの近くに配置されている。言い換えれば、複数のフォトダイオード１０Ａ（受光部１０）は、チップ３における中央よりも第１方向Ｘの一方側に偏るように配置されている。本実施形態では、受光部１０は、第１方向Ｘにおいて、チップ３における中央よりもチップ３の第２側面３ｂ側に配置されている。受光部１０は、第１方向Ｘにおいて、チップ３の第２側面３ｂ側の端部に配置されている。

変換部２０は、第１方向Ｘにおいて受光部１０とロジック部３０との間に配置されている。アナログ／デジタル変換回路２１～２４は、第２方向Ｙに配列されている。本実施形態では、第２方向Ｙにおいて、アナログ／デジタル変換回路２１とアナログ／デジタル変換回路２２とは隣り合うように配置され、アナログ／デジタル変換回路２３とアナログ／デジタル変換回路２４とは隣り合うように配置されている。本実施形態では、変換部２０は、第１方向Ｘにおいて、ロジック部３０よりも受光部１０寄りに配置されている。言い換えれば、アナログ／デジタル変換回路２１～２４は、ロジック部３０よりも受光部１０寄りに配置されている。また、変換部２０は、第１方向Ｘにおいて、チップ３における中央よりもチップ３の第２側面３ｂ側に配置されている。言い換えれば、アナログ／デジタル変換回路２１～２４は、第１方向Ｘにおいて、チップ３における中央よりもチップ３の第２側面３ｂ側に配置されている。このように、受光部１０及び変換部２０は、第１方向Ｘにおいて、チップ３における中央よりもチップ３の第２側面３ｂ側に配置されている。

ロジック部３０は、第１方向Ｘにおいて、チップ３における中央よりもチップ３の第４側面３ｄ側に配置されている。本実施形態では、第１方向Ｘにおいてロジック部３０における中央、すなわちロジック部３０の第１方向Ｘの中央において第２方向Ｙに延びる中心線ＬＣ１は、第１方向Ｘにおいてチップ３の中央とチップ３の第４側面３ｄとの中央よりもチップ３の第２側面３ｂ側に位置している。なお、第１方向Ｘにおいてチップ３の中央とチップ３の第４側面３ｄとの中央は、チップ３の中心線Ｌ１１とチップ３の第４側面３ｄとの間の第１方向Ｘの中央において第２方向Ｙに延びる中心線Ｌ１３の位置である。

第２方向Ｙにおける受光部１０の中央、すなわち受光部１０の第２方向Ｙの中央において第１方向Ｘに延びる中心線ＬＡの第２方向Ｙの位置は、チップ３の第２方向Ｙの中央において第１方向Ｘに延びる中心線Ｌ１２の第２方向Ｙの位置と等しい。ここで、中心線ＬＡの第２方向Ｙの位置が中心線Ｌ１２の第２方向Ｙの位置と等しいとは、第２方向Ｙにおける中心線ＬＡと中心線Ｌ１２との間の距離がチップ３の第２方向Ｙの寸法の５％以内の関係である。

第２方向Ｙにおける変換部２０の中央、すなわち変換部２０の第２方向Ｙの中央において第１方向Ｘに延びる中心線ＬＢ２の第２方向Ｙの位置は、チップ３の第２方向Ｙの中央において第１方向Ｘに延びる中心線Ｌ１２の第２方向Ｙの位置と等しい。ここで、中心線ＬＢ２の第２方向Ｙの位置が中心線Ｌ１２の第２方向Ｙの位置と等しいとは、第２方向Ｙにおける中心線ＬＢ２と中心線Ｌ１２との間の距離がチップ３の第２方向Ｙの寸法の５％以内の関係である。

第２方向Ｙにおけるロジック部３０の中央、すなわちロジック部３０の第２方向Ｙの中央において第１方向Ｘに延びる中心線ＬＣ２の第２方向Ｙの位置は、チップ３の第２方向Ｙの中央において第１方向Ｘに延びる中心線Ｌ１２の第２方向Ｙの位置と等しい。ここで、中心線ＬＣ２の第２方向Ｙの位置が中心線Ｌ１２の第２方向Ｙの位置と等しいとは、第２方向Ｙにおける中心線ＬＣ２と中心線Ｌ１２との間の距離がチップ３の第２方向Ｙの寸法の５％以内の関係である。

図９に示すように、本実施形態では、受光部１０のフォトダイオード１０Ａは、１６個のフォトダイオードＰＤ１～ＰＤ１６を含む。フォトダイオード１０Ａは、第２方向Ｙに並べられた８個のフォトダイオードが、第１方向Ｘに２列並べられている。図９では、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ８が１列目のフォトダイオードを構成し、フォトダイオードＰＤ９～ＰＤ１６が２列目のフォトダイオードを構成している。このように、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ１６は、平面視において、第１方向Ｘを短手方向としかつ第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙを長手方向とした細長状に配列されている。

第１方向Ｘにおいて、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ８は、フォトダイオードＰＤ９～ＰＤ１６よりもチップ３の第２側面３ｂ側に配置されている。第２方向Ｙにおけるチップ３の第３側面３ｃから第１側面３ａに向けてフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３，ＰＤ４，ＰＤ５，ＰＤ６，ＰＤ７，ＰＤ８の順に配列されている。第２方向Ｙにおけるチップ３の第３側面３ｃから第１側面３ａに向けてフォトダイオードＰＤ９，ＰＤ１０，ＰＤ１１，ＰＤ１２，ＰＤ１３，ＰＤ１４，ＰＤ１５，ＰＤ１６の順に配列されている。

赤外透過フィルタ１０Ｂは、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ８のうちのフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ３，ＰＤ５，ＰＤ７を覆っている。また、赤外透過フィルタ１０Ｂは、フォトダイオードＰＤ９～ＰＤ１６のうちのフォトダイオードＰＤ１０，ＰＤ１２，ＰＤ１４，ＰＤ１６を覆っている。このように、第１方向Ｘにおいて、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ１６は、赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われたフォトダイオードと、赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われていないフォトダイオードとが隣り合うように配置されている。また第２方向Ｙにおいて、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ８及びフォトダイオードＰＤ９～ＰＤ１６はそれぞれ、赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われたフォトダイオードと、赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われていないフォトダイオードとが交互に配置されている。このように、赤外透過フィルタ１０Ｂは、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ１６に対して千鳥状に配置されている。

フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ１６は、第１フォトダイオード群１１と第２フォトダイオード群１２とに区分される。第１フォトダイオード群１１は、フォトダイオードＰＤ４，ＰＤ５，ＰＤ１２，ＰＤ１３から構成されている。第２フォトダイオード群１２は、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ３，ＰＤ６～ＰＤ８，ＰＤ９～ＰＤ１１，ＰＤ１４～ＰＤ１６から構成されている。図９に示すとおり、第２フォトダイオード群１２は、第２方向Ｙにおいて、第１フォトダイオード群１１の両側に配置されている。フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ３，ＰＤ９～ＰＤ１１からなる第２フォトダイオード群１２は、第１フォトダイオード群１１に対してチップ３の第３側面３ｃ側に配置されている。フォトダイオードＰＤ６～ＰＤ８，ＰＤ１４～ＰＤ１６からなる第２フォトダイオード群１２は、第１フォトダイオード群１１に対してチップ３の第１側面３ａ側に配置されている。図９に示すとおり、本実施形態では、第２方向Ｙにおいて第１フォトダイオード群１１の一方側（例えば第１フォトダイオード群１１に対してチップ３の第３側面３ｃ側）に配置された第２フォトダイオード群１２のフォトダイオードの個数は、第１フォトダイオード群１１のフォトダイオードの個数よりも多い。また、第２方向Ｙにおいて第１フォトダイオード群１１の他方側（例えば第１フォトダイオード群１１に対してチップ３の第１側面３ａ側）に配置された第２フォトダイオード群１２のフォトダイオードの個数は、第１フォトダイオード群１１のフォトダイオードの個数よりも多い。また、第２方向Ｙにおいて第１フォトダイオード群１１の一方側に配置された第２フォトダイオード群１２のフォトダイオードの個数は、第２方向Ｙにおいて第１フォトダイオード群１１の他方側に配置された第２フォトダイオード群１２のフォトダイオードの個数と等しい。

図８に示すように、本実施形態では、複数のフォトダイオード１０Ａが配列される領域、すなわち受光部１０が形成される領域Ｒ１は、平面視において第２方向Ｙが長辺方向となり、第１方向Ｘが短辺方向となる矩形である。アナログ／デジタル変換回路２１～２４が配置される領域、すなわち変換部２０が形成される領域Ｒ２は、平面視において第２方向Ｙが長辺方向となり、第１方向Ｘが短辺方向となる矩形である。ロジック部３０が形成される領域Ｒ３は、第２方向Ｙが長辺方向となり、第１方向Ｘが短辺方向となる矩形である。

なお、平面視における領域Ｒ２，Ｒ３の形状は任意に変更可能である。例えば、平面視における領域Ｒ２の形状は、正方形であってもよい。平面視における領域Ｒ３の形状は、正方形、又は第１方向Ｘが長辺方向となり、第２方向Ｙが短辺方向となる矩形であってもよい。

第２方向Ｙにおいて、領域Ｒ１の大きさは、領域Ｒ２の大きさ及び領域Ｒ３の大きさよりも大きい。第１方向Ｘにおいて、領域Ｒ１の大きさは、領域Ｒ２の大きさ及び領域Ｒ３の大きさよりも小さい。第１方向Ｘにおいて、領域Ｒ２の大きさは、領域Ｒ３の大きさよりも小さい。なお、第１方向Ｘにおける領域Ｒ２の大きさは、第１方向Ｘにおける領域Ｒ３の大きさ以上であってもよい。

領域Ｒ１は、第１方向Ｘにおけるチップ３の中央とチップ３の第２側面３ｂとの第１方向Ｘの中央において第２方向Ｙに延びる直線Ｌ１４よりもチップ３の第２側面３ｂ側に形成されている。すなわち、複数のフォトダイオード１０Ａは、第１方向Ｘにおいて直線Ｌ１４よりもチップ３の第２側面３ｂ側に配置されている。また、領域Ｒ２は、第１方向Ｘにおいて直線Ｌ１４よりもチップ３の第４側面３ｄ側に形成されている。

複数の電極パッド６１～６９は、第２方向Ｙからみて、チップ３における複数のフォトダイオード１０Ａに重ならない領域に形成されている。詳述すると、複数の電極パッド６１～６９は、第１方向Ｘにおいて受光部１０よりもチップ３の第４側面３ｄ側に配置されている。複数の電極パッド６１～６９は、第２方向Ｙにおいて、ロジック部３０の両側に配置されている。本実施形態では、電極パッド６１～６５は、第２方向Ｙにおいてロジック部３０よりもチップ３の第１側面３ａ側に配置されている。電極パッド６６～６９は、第２方向Ｙにおいてロジック部３０よりもチップ３の第３側面３ｃ側に配置されている。

本実施形態では、電極パッド６１は、第１方向Ｘにおいて、チップ３における中央よりもチップ３の第２側面３ｂ側に配置されている。詳細には、電極パッド６１は、第２方向Ｙからみて、変換部２０と重なる位置に配置されている。本実施形態では、電極パッド６１は、第１方向Ｘにおける変換部２０の中央、すなわち変換部２０の第１方向Ｘの中央において第２方向Ｙに延びる中心線ＬＢ１よりもチップ３の第４側面３ｄ側に配置されている。第１方向Ｘからみて、電極パッド６１は、複数のフォトダイオード１０Ａが配列される領域Ｒ１と重なる位置に配置されている。

電極パッド６２～６５は、第１方向Ｘにおいて、チップ３における中央よりもチップ３の第４側面３ｄ側に配置されている。詳細には、電極パッド６２～６５は、第２方向Ｙからみて、ロジック部３０と重なる位置に配置されている。第１方向Ｘにおけるチップ３の第２側面３ｂから第４側面３ｄに向かう方向において、電極パッド６２，６３，６４，６５の順に配置されている。第１方向Ｘからみて、電極パッド６２～６５は互いに重なる位置に配置されている。第２方向Ｙにおいて、電極パッド６２，６５の位置と電極パッド６３，６４の位置とは異なる。第２方向Ｙにおいて、電極パッド６２，６５は、チップ３の第１側面３ａよりもロジック部３０寄りに配置されている。第２方向Ｙにおいて、電極パッド６３，６４は、ロジック部３０よりもチップ３の第１側面３ａ寄りに配置されている。電極パッド６１，６２，６５は、第１方向Ｘからみて、複数のフォトダイオード１０Ａが配列された領域Ｒ１と重なるように配置されている。電極パッド６３，６４は、第１方向Ｘからみて、領域Ｒ１よりもチップ３の第１側面３ａ寄りに配置されている。

電極パッド６６～６９は、第１方向Ｘにおいて、チップ３における中央よりもチップ３の第４側面３ｄ側に配置されている。詳細には、電極パッド６６～６９は、第２方向Ｙからみて、ロジック部３０と重なる位置に配置されている。第１方向Ｘにおけるチップ３の第２側面３ｂから第４側面３ｄに向かう方向において、電極パッド６６，６７，６８，６９の順に配置されている。第１方向Ｘからみて、電極パッド６６～６９は互いに重なる位置に配置されている。第２方向Ｙにおいて、電極パッド６６，６７，６９の位置と電極パッド６８の位置とは異なる。第２方向Ｙにおいて、電極パッド６６，６７，６９は、チップ３の第３側面３ｃよりもロジック部３０寄りに配置されている。第２方向Ｙにおいて、電極パッド６８は、ロジック部３０よりもチップ３の第３側面３ｃ寄りに配置されている。電極パッド６６，６７，６９は、第１方向Ｘからみて、複数のフォトダイオード１０Ａが配置された領域Ｒ１と重なるように配置されている。電極パッド６８は、第１方向Ｘからみて、領域Ｒ１よりもチップ３の第３側面３ｃ寄りに配置されている。

次に、図１０～図１２を参照して、受光部１０及び変換部２０の回路構成及び動作の概要を説明する。
変換部２０は、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ１６にて発生する光電流の合算値を出力する出力回路である。上述したように、変換部２０は、４個のアナログ／デジタル変換回路２１～２４を有する。４個のアナログ／デジタル変換回路２１～２４と、第１フォトダイオード群１１及び第２フォトダイオード群１２との接続対応関係は以下のとおりである。すなわち、第１フォトダイオード群１１に対してアナログ／デジタル変換回路２１，２２が接続され、第２フォトダイオード群１２に対してアナログ／デジタル変換回路２３，２４が接続されている。

図１０に示すアナログ／デジタル変換回路２１，２２は、増幅器７１、コンデンサ７４、及び基準電圧印加部７５を有する。増幅器７１の一例はオペアンプである。コンデンサ７４は、増幅器７１の第１入力端子７１ａと出力端子７１ｃとの間に接続されている。アナログ／デジタル変換回路２１は、増幅器７１とコンデンサ７４とを含む積分器を有する。基準電圧印加部７５は、増幅器７１の第２入力端子７１ｂに対して第１基準電圧を印加する。第１基準電圧の一例は、０．６Ｖである。

図１０に示すように、アナログ／デジタル変換回路２１は、第１フォトダイオード群１１における赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われていないフォトダイオードであるフォトダイオードＰＤ４，ＰＤ１３に接続されている。フォトダイオードＰＤ４，ＰＤ１３のカソードは、アナログ／デジタル変換回路２１の増幅器７１の第１入力端子７１ａに接続されている。フォトダイオードＰＤ４，ＰＤ１３のアノードは、グランドに接続されている。アナログ／デジタル変換回路２２は、第１フォトダイオード群１１において赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われたフォトダイオードであるフォトダイオードＰＤ５，ＰＤ１２に接続されている。フォトダイオードＰＤ５，ＰＤ１２のカソードは、アナログ／デジタル変換回路２２の増幅器７１の第１入力端子７１ａに接続されている。フォトダイオードＰＤ５，ＰＤ１２のアノードは、グランドに接続されている。アナログ／デジタル変換回路２１には、フォトダイオードＰＤ４，ＰＤ１３の合計の光電流が入力される。アナログ／デジタル変換回路２２には、フォトダイオードＰＤ５，ＰＤ１２の合計の光電流が入力される。

図１１及び図１２に示すアナログ／デジタル変換回路２３，２４はそれぞれ、増幅器７１、基準電圧印加部７２、及びコンデンサ７４を有する。アナログ／デジタル変換回路２３，２４の増幅器７１、及びコンデンサ７４の接続構成は、アナログ／デジタル変換回路２１，２２と同様である。基準電圧印加部７２は、増幅器７１の第２入力端子７１ｂに接続されている。基準電圧印加部７２は、増幅器７１の第２入力端子７１ｂに対して第２基準電圧を印加する。第２基準電圧の一例は、１．２Ｖである。

図１１に示すように、アナログ／デジタル変換回路２３は、第２フォトダイオード群１２における赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われていないフォトダイオードであるフォトダイオードＰＤ２，ＰＤ６，ＰＤ８，ＰＤ９，ＰＤ１１，ＰＤ１５に接続されている。フォトダイオードＰＤ２，ＰＤ６，ＰＤ８，ＰＤ９，ＰＤ１１，ＰＤ１５のアノードは、アナログ／デジタル変換回路２３の増幅器７１の第１入力端子７１ａに接続されている。フォトダイオードＰＤ２，ＰＤ６，ＰＤ８，ＰＤ９，ＰＤ１１，ＰＤ１５のカソードは、電圧生成部４０（図１参照）の電源配線４１に接続されている。

図１２に示すように、アナログ／デジタル変換回路２４は、第２フォトダイオード群１２における赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われたフォトダイオードであるフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ３，ＰＤ７，ＰＤ１０，ＰＤ１４，ＰＤ１６に接続されている。フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ３，ＰＤ７，ＰＤ１０，ＰＤ１４，ＰＤ１６のアノードは、アナログ／デジタル変換回路２４の増幅器７１の第１入力端子７１ａに接続されている。フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ３，ＰＤ７，ＰＤ１０，ＰＤ１４，ＰＤ１６のカソードは、電圧生成部４０（図１参照）の電源配線４１に接続されている。

アナログ／デジタル変換回路２１では、受光によってフォトダイオードＰＤ４，ＰＤ１３にて発生した光電流により蓄積されるコンデンサ７４の電荷に基づいて、増幅器７１及びコンデンサ７４からなる積分器の出力である積分信号が上昇する。アナログ／デジタル変換回路２１は、積分信号に基づいて、フォトダイオードＰＤ４，ＰＤ１３の受光量に比例した電圧をデジタル値（出力信号）に変換してロジック部３０（図１参照）に出力する。アナログ／デジタル変換回路２２は、アナログ／デジタル変換回路２１と同様に、フォトダイオードＰＤ５，ＰＤ１２の光電流に基づく出力信号をロジック部３０に出力する。

アナログ／デジタル変換回路２３は、受光によってフォトダイオードＰＤ２，ＰＤ６，ＰＤ８，ＰＤ９，ＰＤ１１，ＰＤ１５にて発生した光電流に基づいて、増幅器７１及びコンデンサ７４からなる積分器の出力である積分信号が下降する。アナログ／デジタル変換回路２３は、積分信号に基づいて、フォトダイオードＰＤ２，ＰＤ６，ＰＤ８，ＰＤ９，ＰＤ１１，ＰＤ１５の受光量に比例した電圧をデジタル値（出力信号）に変換してロジック部３０に出力する。アナログ／デジタル変換回路２４は、アナログ／デジタル変換回路２３と同様に、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ３，ＰＤ７，ＰＤ１０，ＰＤ１４，ＰＤ１６の光電流に基づく出力信号をロジック部３０に出力する。ロジック部３０は、アナログ／デジタル変換回路２１～２４の出力信号を光センサ１の外部の機器に出力する。

（光センサを搭載する電子機器）
本実施形態の光センサ１は、スマートフォン、携帯電話、タブレットＰＣ、ラップトップ型パソコン、デジタルカメラ、カーナビゲーション装置、テレビ等の電子機器に搭載することができる。図１３（ａ）は、上記電子機器の一例であるスマートフォン１００の外観を示す斜視図である。

スマートフォン１００は、扁平な直方体形状のハウジング１０１の内部に電子部品を収容して構成されている。ハウジング１０１は表側及び裏側に長方形状の一対の主面を有しており、その一対の主面が４つの側面で結合されている。ハウジング１０１の一つの主面には、液晶パネルや有機ＥＬパネル等で構成された表示パネル１０２の表示面が露出している。表示パネル１０２の表示面は、タッチパネルを構成しており、使用者に対する入力インターフェースを提供している。

ハウジング１０１の一つの側面には、マイクロフォン１０３が設けられている。マイクロフォン１０３は、電話機能のための送話口を提供するとともに、録音用のマイクロフォンとして用いることもできる。表示パネル１０２の一対の短辺においてマイクロフォン１０３が位置する側とは反対側の短辺の近傍には、スピーカ１０４が配置されている。スピーカ１０４は、電話機能のための受話口を提供するとともに、音楽データ等を再生するための音響化ユニットとしても用いられる。スピーカ１０４の隣には、光学窓１０５が配置されている。ハウジング１０１内において光学窓１０５に対向する位置には、光センサ１が配置されている。

また、本実施形態では、スマートフォン１００が光センサ１から出力される出力信号に基づいて照度の演算を行う。照度の演算は、既知の方法によって演算される。一例では、可視光領域に感度ピークを有する第２フォトダイオード群１２と、赤外線領域に感度ピークを有する第１フォトダイオード群１１とのそれぞれの受光によって発生する光電流が測定され、２種類のフォトダイオードにおける各測定値の比較演算に基づいて照度が演算される。なお、光センサ１のロジック部３０が照度の演算を行ってもよい。

本実施形態の作用について説明する。
チップ３は、封止樹脂５に対して第１方向Ｘにおける封止樹脂５の第２側面５ｂ側に偏るように配置されている。このため、第１方向Ｘにおいて封止樹脂５の第２側面５ｂとチップ３の第２側面３ｂとの間の距離Ｗ１（図５参照）を小さくできる。さらに、チップ３の受光部１０は、第１方向Ｘにおけるチップ３の第２側面３ｂ側の端部に偏るように配置されている。封止樹脂５の第２側面５ｂ側及びチップ３の第２側面３ｂ側は、第１方向Ｘにおいて同じ側となるため、受光部１０は、封止樹脂５の第２側面５ｂ側に一層偏るように配置されることとなる。加えて、複数のフォトダイオード１０Ａは、第１方向Ｘを短手方向とし、第２方向Ｙを長手方向とする細長状に配列されているため、第１方向Ｘにおけるチップ３の第２側面３ｂから複数のフォトダイオード１０Ａが形成される領域Ｒ１のうちのチップ３の第４側面３ｄ側の辺までの距離Ｗ７（図８参照）を小さくできる。すなわち、複数のフォトダイオード１０Ａが上記細長状に配列されることによって、複数のフォトダイオード１０Ａが形成される領域Ｒ１が第１方向Ｘにおけるチップ３の第２側面３ｂ側の端部に形成されることになる。

このように、距離Ｗ１及び距離Ｗ７を小さくすることによって、複数のフォトダイオード１０Ａが形成される領域Ｒ１を、第１方向Ｘにおける封止樹脂５の両側面５ｂ，５ｄのうちの一方側の側面である第２側面５ｂの近くに配置できる。

ところで、スマートフォン１００を正面からみた場合のスマートフォン１００の全体の面積に対する表示パネル１０２の占有率の増加に伴い、光学窓１０５の配置可能なスペースが縮小している。言い換えれば、スマートフォン１００のハウジング１０１の端縁１０１ａと表示パネル１０２の外縁との間の距離ＸＤが小さくなっている。このため、光学窓１０５がハウジング１０１の端縁１０１ａ寄りに設けられるため、複数のフォトダイオード１０Ａが光学窓１０５から受光可能なように光センサを配置することが難しい。

このような実情に鑑み、本実施形態では、光センサ１をスマートフォン１００に搭載する場合、上述したように、光センサ１における上記距離Ｗ１及び距離Ｗ７の合計である距離Ｗ８が小さくなるため、図１３（ｂ）に示すように、ハウジング１０１の端縁１０１ａに接近するように光センサ１を配置できる。このため、ハウジング１０１の端縁１０１ａと表示パネル１０２との間の距離ＸＤが小さく、光学窓１０５がハウジング１０１の端縁１０１ａ付近に設けられたとしても、光学窓１０５と対向する位置に受光部１０が配置されるように光センサ１をハウジング１０１内に配置できる。

本実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）平面視において、複数のフォトダイオード１０Ａは、チップ３における中央よりも、チップ３の第１方向Ｘの両側面３ｂ，３ｄのうちの一方側の側面である第２側面３ｂの近くに配置される。加えて、複数のフォトダイオード１０Ａは、第１方向Ｘを短手方向としかつ第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙを長手方向とした細長状に配列されている。この構成によれば、第１方向Ｘにおける複数のフォトダイオード１０Ａとチップ３の第２側面３ｂとの間の距離Ｗ７が小さくなる。これにより、光センサ１に対する複数のフォトダイオード１０Ａの位置を封止樹脂５における第１方向Ｘに偏った位置とすることができる。したがって、光学窓１０５がスマートフォン１００の端縁１０１ａ付近に配置されたとしても複数のフォトダイオード１０Ａが光学窓１０５から好適に受光できる。

（２）平面視において、受光部１０、変換部２０、及びロジック部３０は、チップ３の第１方向Ｘに配列されている。平面視において、変換部２０は、第１方向Ｘにおいて受光部１０とロジック部３０との間に配置されている。この構成によれば、複数のフォトダイオード１０Ａと変換部２０とが隣り合い、変換部２０とロジック部３０とが隣り合うため、受光部１０、変換部２０、及びロジック部３０は、受光部１０、変換部２０、及びロジック部３０の電気的接続構成と同様の配列となる。このため、複数のフォトダイオード１０Ａと変換部２０とを接続する配線パターン、及び変換部２０とロジック部３０とを接続する配線パターンが短くなることにより、配線パターンに起因するノイズの発生を低減できる。したがって、光センサ１は、精度よく照度を検出できる。

（３）平面視において、アナログ／デジタル変換回路２１～２４は、第２方向Ｙに配列されている。この構成によれば、アナログ／デジタル変換回路２１～２４の少なくとも１つが第１方向Ｘに配列される構成と比較して、第１方向Ｘにおいてチップ３を小型化できる。

（４）平面視において、変換部２０は、第１方向Ｘにおいてロジック部３０よりも受光部１０寄りに配置されている。この構成によれば、第１方向Ｘにおいて変換部２０とロジック部３０との間にスペースが形成されるため、クロック発振回路等の回路素子を上記スペースに形成できる。また、複数のフォトダイオード１０Ａと変換部２０とを接続する配線パターンをさらに短くできる。

（５）第１方向Ｘにおいて、複数のフォトダイオード１０Ａが配列される領域Ｒ１の大きさは、変換部２０が形成される領域Ｒ２の大きさ及びロジック部３０が形成される領域Ｒ３の大きさのそれぞれよりも大きい。この構成によれば、第１方向Ｘにおいて領域Ｒ１の大きさが領域Ｒ２，Ｒ３の大きさ以下の場合と比較して、領域Ｒ１における配列可能なフォトダイオードの個数が多くなる。したがって、光センサ１による照度の検出精度を高めることができる。

（６）チップ３の複数の電極パッド６１～６９は、第２方向Ｙからみて、複数のフォトダイオード１０Ａに重ならない領域に形成されている。この構成によれば、複数のフォトダイオード１０Ａが配列される領域Ｒ１を第１方向Ｘにおいて大きくすることができる。したがって、領域Ｒ１における配列可能なフォトダイオードの個数を増やすことができる。

（７）複数の電極パッド６１～６９は、第１方向Ｘからみて、複数のフォトダイオード１０Ａが配列された領域Ｒ１と重なるように配置されている。言い換えれば、領域Ｒ１は、第２方向Ｙにおいて、複数の電極パッド６１～６９と重なる位置まで延びている。したがって、領域Ｒ１における配列可能なフォトダイオードの個数を増やすことができる。

（８）複数の電極パッド６１～６９は、第２方向Ｙからみて、ロジック部３０又は変換部２０と重なるように配置されている。この構成によれば、チップ３を第１方向Ｘにおいて小型化できる。

（９）複数の電極パッド６１～６９は、第２方向Ｙにおいて、ロジック部３０の両側に配置されている。この構成によれば、複数の電極パッド６１～６９の配置スペースを確保でき、チップ３を第１方向Ｘにおいて大型化することを抑制できる。

（１０）複数の電極パッド６１～６９は、第２方向Ｙにおいて、変換部２０の一方側のみに配置されている。この構成によれば、チップ３のうちの変換部２０に対して第２方向Ｙの他方側（チップ３の第３側面３ｃ側）のスペースに例えば電圧生成部４０等の回路を形成できる。

（１１）複数のフォトダイオード１０Ａは、第１方向Ｘにおいて２列で配列されている。この構成によれば、フォトダイオード１０Ａが受光する方向によって光センサ１が出力する出力信号にばらつきが生じることを抑制できる最低限の列数で受光部１０を構成できる。したがって、複数のフォトダイオード１０Ａが配列される領域Ｒ１の第１方向Ｘの大きさを小さくできる。

（１２）複数のフォトダイオード１０Ａにおける赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われたフォトダイオードと、赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われたフォトダイオードとは、第１方向Ｘにおいて隣り合い、かつ、第２方向Ｙにおいて交互に配置されている。この構成によれば、フォトダイオード１０Ａが受光する方向によって光センサ１が出力する出力信号にばらつきが生じることを抑制できる。

（１３）複数のフォトダイオード１０Ａは、第１受光特性を有する第１フォトダイオード群１１と、第２受光特性を有する第２フォトダイオード群１２とを有する。この構成によれば、受光特性の異なるダイオード群の出力信号に基づいて照度を検出できるため、光センサ１が照度を高精度に検出できる。

（１４）第１フォトダイオード群１１は赤外線領域の波長に感度ピークを有し、第２フォトダイオード群１２は可視光領域の波長に感度ピークを有する。この構成によれば、人間の視感度特性に応じた照度を検出できる。

（１５）第２方向Ｙにおいて第１フォトダイオード群１１の両側には、第２フォトダイオード群１２が配置されている。この構成によれば、同じ光強度の光を第２方向Ｙの一方側から受光する場合と第２方向Ｙの他方側から受光する場合とで光センサ１が出力する出力信号のばらつきを抑制できる。

（１６）第２方向Ｙにおいて第１フォトダイオード群１１の一方側に配置された第２フォトダイオード群１２のフォトダイオードの個数は、第１フォトダイオード群１１のフォトダイオードの個数よりも多い。この構成によれば、可視光領域の受光情報をより多く取得できるため、光センサ１が照度を高精度に検出できる。

（１７）第２方向Ｙにおいて第１フォトダイオード群１１の一方側に配置された第２フォトダイオード群１２のフォトダイオードの個数は、第２方向Ｙにおいて第１フォトダイオード群１１の他方側に配置された第２フォトダイオード群１２のフォトダイオードの個数と等しい。この構成によれば、同じ光強度の光を第２方向Ｙの一方側から受光する場合と第２方向Ｙの他方側から受光する場合とで光センサ１が出力する出力信号のばらつきを抑制できる。

（１８）チップ３は、封止樹脂５に対して第１方向Ｘの一方側（第１方向Ｘにおける封止樹脂５の両側面５ｂ，５ｄのうちの一方側の側面である第２側面５ｂ側）に偏るように配置されている。この構成によれば、チップ３の受光部１０を封止樹脂５の第１方向Ｘの一方側に配置することができ、封止樹脂５の第２側面５ｂとチップ３の第２側面３ｂとの間の距離Ｗ１を小さくできる。加えて、上記（１）において記載した受光部１０の構成を併せることによって、距離Ｗ１と距離Ｗ７との合計の距離Ｗ８（図１３（ｂ）参照）を小さくできるため、第１方向Ｘにおいて複数のフォトダイオード１０Ａを封止樹脂５の第２側面５ｂの近くに配置できる。したがって、光学窓１０５がスマートフォン１００の端縁１０１ａ付近に配置されたとしても複数のフォトダイオード１０Ａが光学窓１０５からより好適に受光できる。

（１９）複数の外部端子２は、第２方向Ｙにおいてチップ３の両側に配置されている。この構成によれば、複数の外部端子２において隣り合う外部端子２間の距離を確保できるとともに、第１方向Ｘにおいて光センサ１を小型化できる。

（２０）平面視において、放熱板４の面積は、チップ３の面積よりも大きい。この構成によれば、チップ３が発熱した場合、チップ３から放熱板４に好適に放熱できる。さらに、放熱板４は、封止樹脂５から露出することによって、チップ３が発熱した場合、チップ３から光センサ１の外部に好適に放熱できる。

（変更例）
上記実施形態は本開示に関する光センサが取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する光センサは上記実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、又は上記実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変更例において、上記実施形態の形態と共通する部分については、上記実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

・上記実施形態では、平面視における封止樹脂の形状は、第１方向Ｘが短辺方向となり、第２方向Ｙが長辺方向となる矩形であるが、これに限られず、平面視における封止樹脂５の形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における封止樹脂の形状は、第１方向Ｘが長辺方向となり、第２方向Ｙが短辺方向となる矩形である。

・上記実施形態において、受光部１０の第２方向Ｙに沿う１列あたりのフォトダイオードの個数は任意に変更可能である。１列あたりのフォトダイオードの個数は３個以上であればよい。一例では、第２方向Ｙに沿う１列あたりのフォトダイオードの個数は１０個である。

・上記実施形態では、複数のフォトダイオード１０Ａが配列された領域Ｒ１の形状は、平面視において矩形状であったが、これに限られない。例えば、領域Ｒ１の形状が矩形状以外となる複数のフォトダイオード１０Ａの構成として、１列あたりのフォトダイオードが互いに異なるように構成されてもよい。一例では、図１４（ａ）に示すように、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ８，ＰＤ９～ＰＤ１６の列にフォトダイオードＰＤ１７，ＰＤ１８を追加してもよい。また図１４（ｂ）に示すように、フォトダイオードＰＤ１７は、第２方向Ｙからみて、フォトダイオードＰＤ１とフォトダイオードＰＤ９と重なるように配置されてもよい。フォトダイオードＰＤ１８についても図１４（ｂ）のフォトダイオードＰＤ１７と同様に、第２方向Ｙからみて、フォトダイオードＰＤ８とフォトダイオードＰＤ１６と重なるように配置されてもよい。図１４（ａ）では、フォトダイオードＰＤ１７，ＰＤ１８は、赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われていないが、これに限られず、フォトダイオードＰＤ１７，ＰＤ１８の少なくとも一方が赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われていてもよい。また図１４（ａ）の複数のフォトダイオード１０ＡにおいてフォトダイオードＰＤ１７，ＰＤ１８の一方を省略してもよい。

・上記実施形態において、複数のフォトダイオード１０Ａに対する赤外透過フィルタ１０Ｂの配置態様は任意に変更可能である。一例では、図１５に示すように、赤外透過フィルタ１０Ｂは、フォトダイオードＰＤ２，ＰＤ４，ＰＤ６，ＰＤ８，ＰＤ９，ＰＤ１１，ＰＤ１３，ＰＤ１５を覆い、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ３，ＰＤ５，ＰＤ７，ＰＤ１０，ＰＤ１２，ＰＤ１４を覆わないように配置されてもよい。

・上記実施形態において、１列あたりのフォトダイオードの個数を１０個とした場合、赤外透過フィルタ１０Ｂの配置態様を次のように変更してもよい。
図１６に示すように、複数のフォトダイオード１０Ａは、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ２０を含む。フォトダイオード１０Ａは、第２方向Ｙに並べられた１０個のフォトダイオードが、第１方向Ｘに２列並べられている。図１６では、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ１０が１列目のフォトダイオードを構成し、フォトダイオードＰＤ１１～ＰＤ２０が２列目のフォトダイオードを構成している。第１方向Ｘにおいて、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ１０は、フォトダイオードＰＤ１１～ＰＤ２０よりもチップ３の第２側面３ｂ側に配置されている。第２方向Ｙにおけるチップ３の第３側面３ｃから第１側面３ａに向けてフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３，ＰＤ４，ＰＤ５，ＰＤ６，ＰＤ７，ＰＤ８，ＰＤ９，ＰＤ１０の順に配列されている。第２方向Ｙにおけるチップ３の第３側面３ｃから第１側面３ａに向けてフォトダイオードＰＤ１１，ＰＤ１２，ＰＤ１３，ＰＤ１４，ＰＤ１５，ＰＤ１６，ＰＤ１７，ＰＤ１８，ＰＤ１９，ＰＤ２０の順に配列されている。

フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ２０は、第１フォトダイオード群１１と第２フォトダイオード群１２とに区分される。第１フォトダイオード群１１は、フォトダイオードＰＤ５，ＰＤ６，ＰＤ１５，ＰＤ１６から構成されている。第２フォトダイオード群１２は、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ４，ＰＤ７～ＰＤ１０，ＰＤ１１～ＰＤ１４，ＰＤ１７～ＰＤ２０から構成されている。図１６に示すとおり、平面視において、第２フォトダイオード群１２は、第２方向Ｙにおいて、第１フォトダイオード群１１の両側に配置されている。フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ４，ＰＤ１１～ＰＤ１４からなる第２フォトダイオード群１２は、第１フォトダイオード群１１に対してチップ３の第３側面３ｃ側に配置されている。フォトダイオードＰＤ７～ＰＤ１０，ＰＤ１７～ＰＤ２０からなる第２フォトダイオード群１２は、第１フォトダイオード群１１に対してチップ３の第１側面３ａ側に配置されている。

赤外透過フィルタ１０Ｂは、フォトダイオードＰＤ１～ＰＤ１０のうちのフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ５，ＰＤ７，ＰＤ８を覆っている。また、赤外透過フィルタ１０Ｂは、フォトダイオードＰＤ１１～ＰＤ２０のうちのフォトダイオードＰＤ１３，ＰＤ１４，ＰＤ１６，ＰＤ１９，ＰＤ２０を覆っている。このように、第１フォトダイオード群１１では、第１方向Ｘにおいて、赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われたフォトダイオードと、赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われていないフォトダイオードとが隣り合うように配置されている。また第２方向Ｙにおいて、赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われたフォトダイオードと、赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われていないフォトダイオードとが交互に配置されている。第２フォトダイオード群１２では、第１方向Ｘにおいて、赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われたフォトダイオードと、赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われていないフォトダイオードとが隣り合うように配置されている。また第２方向Ｙにおいて、赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われた２個のフォトダイオードと、赤外透過フィルタ１０Ｂに覆われていない２個のフォトダイオードとが交互に配置されている。

・上記実施形態において、第２方向Ｙにおける受光部１０、変換部２０、及びロジック部３０の位置はそれぞれ、任意に変更可能である。受光部１０の第２方向Ｙの中央において第１方向Ｘに延びる中心線ＬＡの第２方向Ｙの位置が変換部２０の第２方向Ｙの中央において第１方向Ｘに延びる中心線ＬＢ２の第２方向Ｙの位置と異なってもよい。中心線ＬＡの第２方向Ｙの位置がロジック部３０の第２方向Ｙの中央において第１方向Ｘに延びる中心線ＬＣ２の第２方向Ｙの位置と異なってもよい。中心線ＬＢ２の第２方向Ｙの位置が中心線ＬＣ２の第２方向Ｙの位置と異なってもよい。

・上記実施形態において、第２方向Ｙにおける封止樹脂５に対するチップ３の位置は任意に変更可能である。チップ３の第２方向Ｙの中央において第１方向Ｘに延びる中心線Ｌ１２が封止樹脂５の第２方向Ｙの中央において第１方向Ｘに延びる中心線Ｌ２２よりも封止樹脂５の第１側面５ａ側又は第３側面５ｃ側に位置するようにチップ３が配置されてもよい。

・上記実施形態において、電極パッド６１は、第１方向Ｘにおいて変換部２０よりもチップ３の第４側面３ｄ側に配置されてもよい。一例では、電極パッド６１は、第２方向Ｙからみて、変換部２０と重ならず、かつロジック部３０と重なる位置に配置されている。

・上記実施形態において、複数の電極パッド６１～６９の少なくとも１つは、チップ３においてロジック部３０とチップ３の第４側面３ｄとの間の領域に配置されてもよい。
・上記実施形態において、放熱板４の形状は任意に変更可能である。一例では、図１７に示すように、平面視における放熱板４の第１方向Ｘの大きさがチップ３の第１方向Ｘの大きさと等しくなるように構成されてもよい。ここで、放熱板４の第１方向Ｘの大きさがチップ３の第１方向Ｘの大きさと等しいとは、放熱板４の第１方向Ｘの大きさとチップ３の第１方向Ｘの大きさとの差が放熱板４の第１方向Ｘの大きさの５％以内の関係である。この場合、放熱板４は、封止樹脂５の中央よりも第１方向Ｘの一方側、すなわち第１方向Ｘにおいて封止樹脂５の中央よりも封止樹脂５の第２側面５ｂ側に偏って配置されている。
＜付記＞
［付記１］
複数のフォトダイオードを有するチップを備える光センサであって、
前記複数のフォトダイオードは、前記フォトダイオードの受光方向からみて、前記チップにおける中央よりも第１方向の一方側に偏るように配置されるとともに、前記第１方向を短手方向としかつ前記第１方向と直交する第２方向を長手方向とした細長状に配列されている
光センサ。
［付記２］
前記チップは、前記第１方向を長手方向とし、前記第２方向を短手方向とする矩形板状に形成されており、
前記チップは、前記第１方向の両側面のうちの前記一方側に配置された一側面を有し、
前記複数のフォトダイオードは、前記チップにおける中央よりも前記一側面の近くに配置されている
付記１に記載の光センサ。
［付記３］
前記チップは、
前記フォトダイオードが受光することにより流れる光電流を出力信号に変換する変換部と、
前記変換部を制御するロジック部と、
をさらに有し、
前記複数のフォトダイオード、前記変換部、及び前記ロジック部は、前記第１方向に配列され、
前記変換部は、前記第１方向において前記複数のフォトダイオードと前記ロジック部との間に配置されている
付記１又は２に記載の光センサ。
［付記４］
前記変換部は、複数のアナログ／デジタル変換回路を有し、
前記複数のアナログ／デジタル変換回路は、前記第２方向に配列されている
請求項３に記載の光センサ。
［付記５］
前記変換部は、前記第１方向において前記ロジック部よりも前記複数のフォトダイオード寄りに配置されている
付記３又は４に記載の光センサ。
［付記６］
前記第２方向において、前記複数のフォトダイオードが配置される領域の大きさは、前記変換部が形成される領域の大きさ及び前記ロジック部が形成される領域の大きさのそれぞれよりも大きい
付記３～５のいずれか１つに記載の光センサ。
［付記７］
前記チップは、複数の電極パッドをさらに備え、
前記複数の電極パッドは、前記第２方向からみて、前記チップにおける前記複数のフォトダイオードに重ならない領域に形成されている
付記３～６のいずれか１つに記載の光センサ。
［付記８］
前記第１方向からみて、前記複数の電極パッドの少なくとも１つは、前記複数のフォトダイオードが配列された領域と重なるように配置されている
付記７に記載の光センサ。
［付記９］
前記複数の電極パッドは、前記第２方向からみて、前記ロジック部又は前記変換部と重なるように配置されている
付記７又は８に記載の光センサ。
［付記１０］
前記複数の電極パッドは、前記第２方向において、前記ロジック部の両側に配置されている
付記９に記載の光センサ。
［付記１１］
前記複数の電極パッドは、前記第２方向において、前記変換部の一方側のみに配置されている
付記９又は１０に記載の光センサ。
［付記１２］
前記複数のフォトダイオードは、前記第１方向において２列で配列されている
付記１～１１のいずれか１つに記載の光センサ。
［付記１３］
前記複数のフォトダイオードは、前記第２方向において１列あたり３個以上配置されている
付記１２に記載の光センサ。
［付記１４］
前記光センサは、前記複数のフォトダイオードのうちの一部のフォトダイオードのそれぞれの受光面を覆う赤外透過フィルタを有し、
前記赤外透過フィルタに覆われたフォトダイオードと、前記赤外透過フィルタに覆われていないフォトダイオードとは、前記第１方向において隣り合い、かつ、前記第２方向において交互に配置されている
付記１３に記載の光センサ。
［付記１５］
前記複数のフォトダイオードは、第１受光特性を有する第１フォトダイオード群と、前記第１受光特性とは異なる第２受光特性を有する第２フォトダイオード群とを有する
付記１～１４のいずれか１つに記載の光センサ。
［付記１６］
前記第１受光特性は、赤外線領域に感度ピークを有し、
前記第２受光特性は、可視光領域に感度ピークを有する
付記１５に記載の光センサ。
［付記１７］
前記第２方向において、前記第１フォトダイオード群の両側に前記第２フォトダイオード群が配置されている
付記１６に記載の光センサ。
［付記１８］
前記第１フォトダイオード群の前記第２方向の一方側に配置された前記第２フォトダイオード群のフォトダイオードの個数は、前記第１フォトダイオード群のフォトダイオードの個数よりも多い
付記１７に記載の光センサ。
［付記１９］
前記第１フォトダイオード群の前記第２方向の一方側に配置された前記第２フォトダイオード群の個数は、前記第１フォトダイオード群の前記第２方向の他方側に配置された前記第２フォトダイオード群の個数と等しい
付記１８に記載の光センサ。
［付記２０］
前記光センサは、
前記チップを封止する封止樹脂と、
前記チップと電気的に接続され、前記封止樹脂から露出する複数の外部端子と、
をさらに備え、
前記チップは、前記封止樹脂に対して前記第１方向の一方側に偏るように配置されている
付記１～１９のいずれか１つに記載の光センサ。
［付記２１］
前記複数の外部端子は、前記第２方向において前記チップの両側に配置され、
前記複数の外部端子と前記チップとは、導電ワイヤによって接続されている
付記２０に記載の光センサ。
［付記２２］
前記光センサは、前記チップが取り付けられる放熱板をさらに備え、
前記放熱板の面積は、前記チップの面積よりも大きい
付記１～２１のいずれか１つに記載の光センサ。
［付記２３］
前記チップは、前記放熱板に対して前記第１方向の一方側に偏るように配置されている
付記２２に記載の光センサ。
［付記２４］
付記１～２３のいずれか１つに記載の光センサと、
前記光センサを収容するハウジングと、
を備える電子機器。

１…光センサ
２…外部端子
３…チップ
３ｂ…第２側面（第１方向の両側面、一側面）
３ｄ…第４側面（第１方向の両側面）
４…放熱板
５…封止樹脂
６Ａ～６Ｅ…導電ワイヤ
１０…受光部
１０Ａ…複数のフォトダイオード
１０Ｂ…赤外透過フィルタ
ＰＤ１～ＰＤ２０…フォトダイオード
１１…第１フォトダイオード群
１２…第２フォトダイオード群
１４…受光面
２０…変換部
２１～２４…アナログ／デジタル変換回路
３０…ロジック部
６１～６９…電極パッド
１００…スマートフォン（電子機器）
１０１…ハウジング
Ｒ１…複数のフォトダイオードが配置される領域
Ｒ２…変換部が形成される領域
Ｒ３…ロジック部が形成される領域
Ｘ…第１方向
Ｙ…第１方向

Claims (23)

1. 複数のフォトダイオードを有するチップを備える光センサであって、
   前記チップは、
   前記フォトダイオードが受光することにより流れる光電流を出力信号に変換する変換部と、
   前記変換部からの前記出力信号を前記光センサの外部に出力するロジック部と、
   を有し、
   前記複数のフォトダイオードは、前記フォトダイオードの受光方向からみて、前記チップにおける中央よりも第１方向の一方側に偏るように配置されるとともに、前記第１方向を短手方向としかつ前記第１方向と直交する第２方向を長手方向とした細長状に配列されており、
   前記複数のフォトダイオード、前記変換部、及び前記ロジック部は、前記チップにおいて前記第１方向に配列され、
   前記変換部は、前記第１方向において前記複数のフォトダイオードと前記ロジック部との間に配置されている
   光センサ。
2. 前記チップは、前記第１方向を長手方向とし、前記第２方向を短手方向とする矩形板状に形成されており、
   前記チップは、前記第１方向の両側面のうちの前記一方側に配置された一側面を有し、
   前記複数のフォトダイオードは、前記チップにおける中央よりも前記一側面の近くに配置されている
   請求項１に記載の光センサ。
3. 前記変換部は、複数のアナログ／デジタル変換回路を有し、
   前記複数のアナログ／デジタル変換回路は、前記第２方向に配列されている
   請求項１又は２に記載の光センサ。
4. 前記変換部は、前記第１方向において前記ロジック部よりも前記複数のフォトダイオード寄りに配置されている
   請求項１～３のいずれか一項に記載の光センサ。
5. 前記第２方向において、前記複数のフォトダイオードが配置される領域の大きさは、前記変換部が形成される領域の大きさ及び前記ロジック部が形成される領域の大きさのそれぞれよりも大きい
   請求項１～４のいずれか一項に記載の光センサ。
6. 前記チップは、複数の電極パッドをさらに備え、
   前記複数の電極パッドは、前記第２方向からみて、前記チップにおける前記複数のフォトダイオードに重ならない領域に形成されている
   請求項１～５のいずれか一項に記載の光センサ。
7. 前記第１方向からみて、前記複数の電極パッドの少なくとも１つは、前記複数のフォトダイオードが配列された領域と重なるように配置されている
   請求項６に記載の光センサ。
8. 前記複数の電極パッドは、前記第２方向からみて、前記ロジック部又は前記変換部と重なるように配置されている
   請求項６又は７に記載の光センサ。
9. 前記複数の電極パッドは、前記第２方向において、前記ロジック部の両側に配置されている
   請求項８に記載の光センサ。
10. 前記複数の電極パッドは、前記第２方向において、前記変換部の一方側のみに配置されている
    請求項８又は９に記載の光センサ。
11. 前記複数のフォトダイオードは、前記第１方向において２列で配列されている
    請求項１～１０のいずれか一項に記載の光センサ。
12. 前記複数のフォトダイオードは、前記第２方向において１列あたり３個以上配置されている
    請求項１１に記載の光センサ。
13. 前記光センサは、前記複数のフォトダイオードのうちの一部のフォトダイオードのそれぞれの受光面を覆う赤外透過フィルタを有し、
    前記赤外透過フィルタに覆われたフォトダイオードと、前記赤外透過フィルタに覆われていないフォトダイオードとは、前記第１方向において隣り合い、かつ、前記第２方向において交互に配置されている
    請求項１２に記載の光センサ。
14. 前記複数のフォトダイオードは、第１受光特性を有する第１フォトダイオード群と、前記第１受光特性とは異なる第２受光特性を有する第２フォトダイオード群とを有する
    請求項１～１３のいずれか一項に記載の光センサ。
15. 前記第１受光特性は、赤外線領域に感度ピークを有し、
    前記第２受光特性は、可視光領域に感度ピークを有する
    請求項１４に記載の光センサ。
16. 前記第２方向において、前記第１フォトダイオード群の両側に前記第２フォトダイオード群が配置されている
    請求項１５に記載の光センサ。
17. 前記第１フォトダイオード群の前記第２方向の一方側に配置された前記第２フォトダイオード群のフォトダイオードの個数は、前記第１フォトダイオード群のフォトダイオードの個数よりも多い
    請求項１６に記載の光センサ。
18. 前記第１フォトダイオード群の前記第２方向の一方側に配置された前記第２フォトダイオード群の個数は、前記第１フォトダイオード群の前記第２方向の他方側に配置された前記第２フォトダイオード群の個数と等しい
    請求項１７に記載の光センサ。
19. 前記光センサは、
    前記チップを封止する封止樹脂と、
    前記チップと電気的に接続され、前記封止樹脂から露出する複数の外部端子と、
    をさらに備え、
    前記チップは、前記封止樹脂に対して前記第１方向の一方側に偏るように配置されている
    請求項１～１８のいずれか一項に記載の光センサ。
20. 前記複数の外部端子は、前記第２方向において前記チップの両側に配置され、
    前記複数の外部端子と前記チップとは、導電ワイヤによって接続されている
    請求項１９に記載の光センサ。
21. 前記光センサは、前記チップが取り付けられる放熱板をさらに備え、
    前記放熱板の面積は、前記チップの面積よりも大きい
    請求項１～２０のいずれか一項に記載の光センサ。
22. 前記チップは、前記放熱板に対して前記第１方向の一方側に偏るように配置されている
    請求項２１に記載の光センサ。
23. 請求項１～２２のいずれか一項に記載の光センサと、
    前記光センサを収容するハウジングと、
    を備える電子機器。

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