JP7265446B2 - アミノシラン化合物、前記アミノシラン化合物を含むシリコン含有膜形成用の組成物 - Google Patents
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Description
項1 下式:
(a)トリクロロシランおよび第1のアミンを、溶媒に添加してアミノクロロシラン化合物を合成する合成工程;
(b)副生塩を濾過により除去する濾過工程;
(c)ろ液に第2のアミンを添加してアミノシラン化合物を合成する合成工程;および
(d)蒸留によりアミノシラン化合物を単離する蒸留工程
を含む、製造方法。
合成工程(a)における前記第1のアミンがターシャリーブチルアミンであり、前記アミノクロロシラン化合物が、下式(2):
(e)基板に、下式:
(f)未吸着のアミノシラン組成物および副生物をパージする工程;
(g)前記アミノシラン組成物が吸着した基板に反応ガスを注入することで、アミノシランが分解され原子層を形成する工程;および
(h)未反応の反応ガスと副生物をパージする工程
を含む、原子層堆積法である。
窒素置換後、温度計、冷却管、モーター攪拌機をセットした2000mLのフラスコにトリクロロシラン80.0g(0.6モル)とヘキサン660gを添加し冷媒にアセトンを用いて投げ込みクーラーで0℃に冷却した。0℃で保温、攪拌しながらジイソプロピルアミン122.8g(1.2モル)を毎分0.6mLの速度で5時間液中に滴下漏斗で滴下することで導入したところ白煙が生じると共に白色の塩が生じた。ジイソプロピルアミンの滴下後、16時間攪拌しながら保温した。その後、窒素置換したグローブボックス内で減圧濾過により副生物であるアミン塩酸塩が主である固形物を取り除きジイソプロピルアミノジクロロシランを含むヘキサン溶液を得て、続いて、内温30℃、150Torrで減圧蒸留することでヘキサン量を減らしたジイソプロピルアミノジクロロシランを含むヘキサン溶液を得た。
(実施例2)
真空装置内にシリコン基板を設置し、100~600℃に加熱した。実施例1で得られたターシャリーブチルアミノジイソプロピルアミノクロロシランおよびキャリアガスを含むアミノシラン組成物をアルゴンガスと同伴させながら0.05~100Torr、1~9秒で注入し、加熱したシリコン基板に吸着させた。次いで、装置内にアルゴンガスを50~170sccmの流量で15~60秒で導入することで未吸着のアミノシラン組成物および副生物をパージした。
その後、反応ガスとしてオゾンを100sccmの流量で0.05~100Torr、1~3秒で注入し、基板上に堆積したターシャリーブチルアミノジイソプロピルアミノクロロシラン由来の酸化シリコンの原子層を形成した。次いで、アルゴンガスを50~170sccmの流量で15~60秒で導入することで未反応のオゾンガスと副生物をパージした。
上記のサイクルを繰り返して、所望の膜厚の酸化シリコン膜を得た。
ターシャリーブチルアミノジイソプロピルアミノクロロシランに代えて、トリスジメチルアミノシラン(3DMAS)を用いたこと以外は実施例2と同様にして酸化シリコン膜を得て、ウェットエッチングレートを測定した。結果を表1に示す。
ターシャリーブチルアミノジイソプロピルアミノクロロシランに代えて、ターシャリーブチルアミノジイソプロピルアミノシランを用いたこと以外は実施例2と同様にして酸化シリコン膜を得て、ウェットエッチングレートを測定した。結果を表1に示す。
Claims (10)
- 前記シリコン含有膜が化学気相成長により形成される、請求項2記載の前駆体。
- 前記化学気相成長は原子層堆積である、請求項3記載の前駆体。
- 前記シリコン含有膜が化学気相成長により形成される、請求項5記載の組成物。
- 前記化学気相成長は、原子層堆積である請求項6記載の組成物。
- シリコン含有膜は酸化シリコン膜である、請求項9に記載のシリコン含有膜の製造方法。
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KLINGEBIEL, U. et al.,Preparation of new alkylaminofluorosilanes,Zeitschrift fuer Anorganische und Allgemeine Chemie,1977年,430,pp. 234-240 |
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