JP7259302B2 - コアレス基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、コアレス基板の製造方法に関する。

パッケージ基板の薄化、高密度化の要求に伴い、コアレス工法への関心が高まっている。コアレス工法では、金属板等の剛性機能の優れたコア基板を有さないコアレス基板を得ることができる。コアレス基板を製造する技術として、特許文献１に記載のものがある。同文献には、半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法が、第１の絶縁樹脂層と、ケイ素化合物を含む剥型層と、特定の厚さの極薄銅箔と、をこの順で含む回路形成用指示基板を形成する工程、極薄銅箔上に特定の方法で第１の配線導体を形成する工程、第１の配線導体と接するように第２の絶縁樹脂層を配置し、第２の絶縁樹脂層を加熱加圧して積層する工程、第２の絶縁樹脂層に、第１の配線導体に達する非貫通孔を形成し、その内壁を特定の方法によって接続させて第２の配線導体を形成する工程、第１の配線導体および第２の配線導体が形成された回路形成基板から第１の絶縁樹脂層を剥離する工程、ならびに、剥型層および／または極薄銅箔を除去する工程を含むことが記載されている。同文献によれば、かかる製造方法により、生産効率がよく、設計の自由度が高い半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法および半導体素子実装基板の製造方法を提供することができるとされている。

国際公開第２０１８／００３７０３号

しかしながら、上記特許文献１に記載の技術について本発明者が検討したところ、コアレス基板においてたとえばショート不良の発生が懸念されるなど、絶縁特性の確保という点で改善の余地があった。

本発明によれば、
絶縁基板の少なくとも一方の面に接して、第一の金属箔が設けられた犠牲基板を準備する工程と、
前記第一の金属箔上に、第一の導体パターンを形成する工程と、
前記第一の導体パターンが設けられた前記犠牲基板上に、第二の金属箔が設けられた第一の絶縁層を、前記第二の金属箔を外側にして形成する工程と、
前記第二の金属箔をパターニングして第二の導体パターンを形成する工程と、
前記犠牲基板と前記第一の金属箔との間で剥離する工程と、
前記剥離する工程の後、前記第一の絶縁層上の前記第一の金属箔を除去する工程と、
を含み、
前記犠牲基板において、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に従って測定される前記第一の金属箔の前記第一の絶縁層側の表面の最大山高さＲ_pが０．２０μｍ以上０．５５μｍ以下である、コアレス基板の製造方法が提供される。

なお、これらの各構成の任意の組み合わせや、本発明の表現を方法、装置などの間で変換したものもまた本発明の態様として有効である。
たとえば、本発明によれば、上記本発明におけるコアレス基板の製造方法により得られるコアレス基板が提供される。
また、本発明によれば、上記本発明におけるコアレス基板の製造方法によりコアレス基板を製造する工程と、前記コアレス基板を使用してプリント配線基板を作製する工程と、を含む、プリント配線基板の製造方法、ならびに、かかる製造方法により得られるプリント配線基板が提供される。

本発明によれば、絶縁特性に優れるコアレス基板を提供することができる。

本実施形態におけるコアレス基板の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 本実施形態におけるコアレス基板の製造工程の一例を模式的に示す断面図である。 本実施形態におけるコアレス基板の製造工程の一例を説明するための断面図である。 本実施形態における犠牲基板の構成の一例を模式的に示す断面図である。

以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは必ずしも一致していない。また、数値範囲の「Ｘ～Ｙ」は、断りがなければ、「Ｘ以上Ｙ以下」を表す。

図１（ａ）～図１（ｅ）は、本実施形態におけるコアレス基板の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
本実施形態におけるコアレス基板１００（図１（ｅ））の製造方法は、絶縁基板１０１の少なくとも一方の面に接して、第一の金属箔１０３が設けられた犠牲基板を準備する工程；第一の金属箔１０３上に、第一の導体パターン１０５を形成する工程；第一の導体パターン１０５が設けられた犠牲基板上に、第二の金属箔１０９が設けられた第一の絶縁層１０７を、第二の金属箔１０９を外側にして形成する工程；第二の金属箔１０９をパターニングして第二の導体パターン１１３を形成する工程；犠牲基板と第一の金属箔１０３との間で剥離する工程；ならびに、剥離する工程の後、第一の絶縁層１０７上の第一の金属箔１０３を除去する工程を含む。そして、犠牲基板において、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に従って測定される第一の金属箔１０３の第一の絶縁層１０７側の表面の最大山高さＲ_pが０．２０μｍ以上０．５５μｍ以下である。
以下、各工程をさらに具体的に説明する。

（犠牲基板の準備）
はじめに、犠牲基板を準備する。図１（ａ）においては、絶縁基板１０１の両面に接して第一の金属箔１０３が設けられた構成を例示したが、犠牲基板は、絶縁基板１０１の少なくとも一方の面に接して第一の金属箔１０３が設けられたものであればよい。また、第一の金属箔１０３は、さらに具体的には、後述する剥離工程において少なくとも一部が犠牲基板から剥離可能に絶縁基板１０１上に設けられている。

第一の金属箔１０３は、図４を参照して後述するように、複数の金属箔の積層体であってもよく、このとき、絶縁基板と第一の金属箔１０３とを直接接合する工程を含んでもよい。さらに具体的には、犠牲基板を準備する工程は、絶縁基板１０１上に、キャリア箔および金属箔がこの順に形成された積層体を準備する工程を含んでもよい。こうすれば、金属箔とキャリア箔とを剥離することにより、犠牲基板と第一の金属箔１０３との間でこれらを容易に剥離することができる。

絶縁基板１０１として、たとえば樹脂基板が挙げられる。樹脂基板の材料の具体例としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはこれらに繊維基材または無機充填材が含浸されたプリプレグを用いた樹脂基板が挙げられる。

本実施形態においては、犠牲基板における第一の金属箔１０３の外表面、すなわち、コアレス基板１００における第一の金属箔１０３の第一の絶縁層１０７側の表面の粗さについて、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に従って測定される粗さ曲線の最大山高さＲ_pは、樹脂との密着性向上の観点から、０．２０μｍ以上であり、好ましくは０．２５μｍ以上、より好ましくは０．３０μｍ以上、さらに好ましくは０．３５μｍ以上である。
また、コアレス基板におけるショート不良等の絶縁不良の発生を抑制する観点から、第一の金属箔１０３の上記表面のＲ_pは、０．５５μｍ以下であり、好ましくは０．５０μｍ以下、より好ましくは０．４５μｍ以下である。

また、第一の金属箔１０３の第一の絶縁層１０７側の表面において、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に従って測定される粗さ曲線の最大高さＲ_zは、樹脂との密着性向上の観点から、０．４０μｍ以上であり、好ましくは０．５０μｍ以上、より好ましくは０．６０μｍ以上、さらに好ましくは０．７０μｍ以上である。
また、コアレス基板におけるショート不良等の絶縁不良の発生を抑制する観点から、第一の金属箔１０３の上記表面のＲ_zは、１．２μｍ以下であり、好ましくは１．１μｍ以下、より好ましくは１．０μｍ以下である。

ここで、金属箔表面のＲ_pおよびＲ_zは、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に従って、小型表面粗さ測定機（接触式、たとえばＳＪ－２１０、ミツトヨ社製）を用いて、基準長さ＝２．５ｍｍ、評価長さ＝１６ｍｍ、Ｎ＝８、測定速度＝０．５ｍｍ／ｓの条件で測定される。

第一の金属箔１０３は、コアレス基板におけるショート不良等の絶縁不良の発生を抑制する観点から、好ましくは無粗化箔であり、より好ましくは無粗化銅箔である。同様の観点から、第一の金属箔１０３が複数の金属箔の積層体であるとき、絶縁基板１０１に対して最も外側に位置する金属箔は、好ましくは無粗化箔であり、より好ましくは無粗化銅箔である。

また、第一の金属箔１０３の材料の具体例として、銅、ニッケルおよび錫からなる群から選択される１種または２種以上が挙げられる。

第一の金属箔１０３の厚さは、第一の導体パターン１０５を安定的に形成する観点から、たとえば０．５μｍ以上であり、好ましくは１．０μｍ以上、より好ましくは１．５μｍ以上である。一方、ハンドリング性を向上する観点から、キャリア箔１２３の厚さは、たとえば１０μｍ以上であり、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは１８μｍ以上である。
また、第一の金属箔１０３の厚さの上限値については、後工程での除去を容易にする観点から、たとえば２０μｍ以下であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは７μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以下である。

（第一の導体パターンの形成）
犠牲基板を準備した後、犠牲基板の第一の金属箔１０３上に第一の導体パターン１０５を形成する。本実施形態において、第一の導体パターン１０５等の各導体パターンの形成は、より狭幅ピッチでの回路形成を可能とする観点から、好ましくはモディファイドセミアディテイブ（ＭＳＡＰ）法によりおこなわれる。たとえば、第一の金属箔１０３の上部を覆う所定のレジストパターンを形成した後、第一の金属箔１０３をシード層として、電解銅めっき等の電解めっき処理により金属膜を選択的に成長させて、第一の導体パターン１０５を得、レジストを除去する。
第一の導体パターン１０５の材料の具体例として、銅、ニッケルおよび錫からなる群から選択される１種または２種以上が挙げられ、好ましくは銅である。

（第一の絶縁層の形成）
第一の導体パターン１０５を形成した後、図１（ｂ）に示したように、第一の導体パターン１０５上に、第一の導体パターン１０５を覆うように第一の絶縁層１０７を形成する。第一の絶縁層１０７は、たとえば犠牲基板の上部の全面に形成してもよい。
ここで、第一の絶縁層１０７の表面には第二の金属箔１０９が設けられており、第二の金属箔１０９が積層構造における外側に配置されるように第一の絶縁層１０７を形成する。
第一の絶縁層１０７の強度を向上する観点から、第一の絶縁層１０７として、好ましくは樹脂に繊維基材または無機充填材が含浸されたプリプレグを用いることができる。プリプレグを構成する樹脂の具体例として、ベンゾオキサジン樹脂、シアネート樹脂およびエポキシ樹脂、フェノール樹脂からなる群から選択される１または２以上の熱硬化性樹脂が挙げられ、好ましくはベンゾオキサジン樹脂を含む。

第一の絶縁層１０７の厚さは、基板剛性を向上する観点から、たとえば５μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以上である。また、コアレス基板全体の薄型化の観点から、第一の絶縁層１０７の観点から、たとえば９０μｍ以下であり、好ましくは５０μｍ以下である。

また、第二の金属箔１０９の材料の具体例として、銅、ニッケルおよび錫からなる群から選択される１種または２種以上が挙げられ、好ましくは銅である。

第二の金属箔１０９の厚さは、第二の導体パターン１１３を安定的に形成する観点から、たとえば０．５μｍ以上であり、好ましくは１．０μｍ以上、より好ましくは１．５μｍ以上である。また、第二の金属箔１０９の厚さは、たとえば１０μｍ以下であり、好ましくは７μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下である。

（第二の導体パターンの形成）
第二の金属箔１０９を形成した後、たとえばＭＳＡＰ法により第二の金属箔１０９をシード層として金属膜を選択的に成長させて回路である第二の導体パターン１１３を形成するとともに、第一の導体パターン１０５と第二の導体パターン１１３とを接続するビア配線１１１を形成する（図１（ｃ））。具体的には、第一の絶縁層１０７の所定の位置に第一の導体パターン１０５に接続するビアを形成し、デスミア後、無電解めっき等によりビアの内壁および第二の金属箔１０９の上面を覆う金属めっき層を形成する。その後、第二の金属箔１０９の上部の所定の位置にレジストパターンを選択的に形成し、電解銅めっき等の電解めっき処理によりレジストの非形成領域にビア配線１１１および第二の導体パターン１１３を構成する金属膜を成長させる。その後、レジスト膜を剥離後、第二の金属箔１０９をエッチング除去する。なお、第二の金属箔１０９の除去工程は、第一の金属箔１０３と同時でもよいし、別個でもよい。

なお、第二の導体パターン１１３を形成した後、後述する剥離工程の前に、さらに積層工程を設けてもよい。たとえば、第一の絶縁層１０７上に、第二の導体パターン１１３を覆う絶縁膜を形成してもよい。また、後述するように、第二の導体パターン１１３に接続する第三の導体パターンを形成してもよい。

（剥離）
第二の導体パターン１１３の形成後、絶縁基板１０１を除去する。図１（ｄ）に示したように、犠牲基板から第一の金属箔１０３との間でこれらを剥離することにより、積層体から絶縁基板１０１を除去する。たとえば、第一の金属箔１０３がキャリア箔と金属箔との積層体であるとき、絶縁基板１０１上のキャリア箔と金属箔との間でこれらを剥離する。

（第一の金属箔の除去）
その後、図１（ｅ）に示したように、第一の絶縁層１０７下に残存している第一の金属箔１０３を除去する。第一の金属箔１０３を除去する工程は、金属残渣低減の観点から、好ましくは第一の金属箔１０３をエッチングする工程を含み、より好ましくは第一の金属箔１０３をフラッシュエッチングする工程を含む。フラッシュエッチングは、たとえば、硫酸および過酸化水素を含むエッチング液を用いたエッチングとすることができる。第一の金属箔１０３のエッチングにおいて、第一の絶縁層１０７の上部に残存する第二の金属箔１０９もまたエッチング除去してもよい。

以上の工程により、コアレス基板１００が得られる。本実施形態における製造方法においては、犠牲基板の外表面における第一の金属箔１０３のＲ_pが特定の範囲にあるため、コアレス基板におけるショート不良等の絶縁不良の発生を効果的に抑制することができる。

図２（ａ）～図２（ｅ）は、本実施形態におけるコアレス基板の製造方法の他の一例を模式的に示す図である。図２（ａ）～図２（ｅ）に示した製造方法の基本工程は図１（ａ）を参照して前述した工程と同様であるが、第二の導体パターン１１３が設けられた第一の絶縁層１０７上に、第三の金属箔１１７が設けられた第二の絶縁層１１５を、第三の金属箔１１７を外側にして形成する工程と、第三の金属箔１１７をパターニングして第三の導体パターン１２１を形成する工程と、をさらに含む点が異なる。
コアレス基板１１０の製造方法においても、まず、図１（ａ）および図１（ｂ）を参照して前述した手順で第二の導体パターン１１３の形成までの各工程をおこなう（図２（ａ）～図２（ｃ））。

（第二の絶縁層の形成）
次に、図２（ｃ）に示したように、第二の導体パターン１１３上に、第二の導体パターン１１３を覆うように第二の絶縁層１１５を形成する。第二の絶縁層１１５は、たとえば犠牲基板の上部の全面に形成してもよい。
ここで、第二の絶縁層１１５の表面には第三の金属箔１１７が設けられており、第三の金属箔１１７が積層構造における外側に配置されるように第二の絶縁層１１５を形成する。
第二の絶縁層１１５の強度を向上する観点から、第二の絶縁層１１５として、好ましくは樹脂に繊維基材または無機充填材が含浸されたプリプレグを用いることができる。プリプレグを構成する樹脂の具体例として、ベンゾオキサジン樹脂、シアネート樹脂およびエポキシ樹脂、フェノール樹脂からなる群から選択される１または２以上の熱硬化性樹脂が挙げられ、後工程において犠牲基板から剥離する際のコアレス基板の劣化を抑制する観点から、好ましくはベンゾオキサジン樹脂を含む。
また、コアレス基板１１０の強度を向上する観点から、第二の絶縁層１１５の材料は、第一の絶縁層１０７の材料と同種のものでもよい。

第二の絶縁層１１５の厚さは、基板剛性を向上する観点から、たとえば５μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以上である。また、コアレス基板全体の薄型化の観点から、第二の絶縁層１１５の観点から、たとえば９０μｍ以下であり、好ましくは５０μｍ以下である。

また、第三の金属箔１１７の材料の具体例として、銅、ニッケルおよび錫からなる群から選択される１種または２種以上が挙げられ、好ましくは銅である。

第三の金属箔１１７の厚さは、第三の導体パターン１２１を安定的に形成する観点から、たとえば０．５μｍ以上であり、好ましくは１．０μｍ以上、より好ましくは１．５μｍ以上である。また、後工程、たとえば第一の金属箔１０３の除去工程で安定的に第二の絶縁層１１５上から除去する観点から、第三の金属箔１１７の厚さは、たとえば１０μｍ以下であり、好ましくは７μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下である。

（第三の導体パターンの形成）
第三の金属箔１１７を形成した後、第二の導体パターン１１３の形成方法に準じて、たとえばＭＳＡＰ法により第三の金属箔１１７をシード層として金属膜を選択的に成長させて回路である第三の導体パターン１２１を形成するとともに、第三の金属箔１１７と第三の導体パターン１２１とを接続するビア配線１１９を形成する（図２（ｄ））。具体的には、第二の絶縁層１１５の所定の位置に第二の導体パターン１１３により形成された回路に接続するビアを形成し、デスミア後、無電解めっき等によりビアの内壁および第三の金属箔１１７の上面を覆う金属めっき層を形成する。その後、第三の金属箔１１７の上部の所定の位置にレジストパターンを選択的に形成し、電解銅めっき等の電解めっき処理によりレジストの非形成領域にビア配線１１９および第三の導体パターン１２１を構成する金属膜を成長させる。その後、レジスト膜を剥離後、第三の金属箔１１７をエッチング除去する。なお、第三の金属箔１１７の除去工程は、第一の金属箔１０３と同時でもよいし、別個でもよい。

（剥離）
第三の導体パターン１２１の形成後、図１（ｄ）を参照して前述のように、犠牲基板を除去する（図２（ｄ））。
なお、第三の導体パターン１２１の形成後、剥離工程に先立ち、第二の絶縁層１１５の上層をさらに形成してもよい。たとえば、第二の絶縁層１１５上に、第三の導体パターン１２１を覆う絶縁層を形成してもよい。

（第一の金属箔の除去）
剥離後、図２（ｄ）においても、図１（ｅ）を参照して前述のように、第一の絶縁層１０７下に残存している第一の金属箔１０３を除去する。このとき、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、第一の金属箔１０３とともに第二の絶縁層１１５の上部に残存する第三の金属箔１１７もまた除去されてもよい。なお、図３（ｂ）において、第三の導体パターン１２１の下に残存する第三の金属箔１１７については不図示とした。

以上の工程により、コアレス基板１１０が得られる。コアレス基板１１０においても、犠牲基板の外表面における第一の金属箔１０３のＲ_pが特定の範囲にあるため、コアレス基板におけるショート不良の発生等の絶縁不良を効果的に抑制し、絶縁特性に優れるものとすることができる。たとえば、図３（ａ）および図３（ｃ）は、それぞれ、第一の金属箔１０３の除去前後のコアレス基板の構成を模式的に示す断面図である。図３（ａ）および図３（ｃ）に示したように、本実施形態においては、第一の金属箔１０３のＲ_pが特定の範囲にあるため、第一の金属箔１０３の一部が第一の絶縁層１０７内に埋設された状態で残存することが好適に抑制される。
一方、図３（ｂ）および図３（ｄ）は、第一の金属箔１０３に替えて、金属箔１０３ａを用いた際の第一の金属箔１０３ａの除去前後のコアレス基板の構成を拡大して模式的に示す断面図である。金属箔１０３ａにおいては、Ｒ_pが上記特定の範囲になく、具体的には第一の絶縁層１０７側の表面の粗さ度合いが大きすぎる。このため、フラッシュエッチング等により第一の金属箔１０３ａを除去した際に、金属箔１０３ａの一部が第一の絶縁層１０７に埋め込まれた状態で残存してしまい、ショート不良が発生する可能性がある。これに対し、図３（ａ）および図３（ｃ）に示した構成では、第一の金属箔１０３のＲ_pが特定の範囲にあるため、このようなショート不良を抑制することが可能となり、たとえば上層のさらなる狭幅ピッチ化が可能となる。

また、今後、基板薄化に伴い、回路厚みについてもさらに薄型化が求められる場合にも、本実施形態においては、第一の金属箔１０３のＲ_pが小さく、特定の範囲にあるため、第一の金属箔１０３の除去工程においてフラッシュエッチング量が多くなりすぎず、回路厚みへの影響を低減することが可能となる。

また、本実施形態により、回路埋め込み基板（Embedded Trace Substrate：ＥＴＳ）が得られるため、下層側の回路をより狭幅ピッチ化することができる。具体的には、図２（ｅ）に示したように、ＥＴＳ工法の場合、絶縁基板１０１側に形成された第一の導体パターン１０５においては、回路が第一の絶縁層１０７内に埋め込まれた構造（図２（ｅ）下部の点線領域）となり、第一の金属箔１０３の除去工程においても第一の導体パターン１０５から構成される回路は除去されない。このため、上層側の第三の導体パターン１２１（図２（ｅ）上部の点線領域）と比較して第一の導体パターン１０５をさらに狭幅ピッチの回路として形成することができる。

以上の製造方法においては、犠牲基板が、第一の金属箔１０３、絶縁基板１０１および第一の金属箔１０３がこの順に積層された構成である場合を例に説明したが、犠牲基板の積層構造はこれに限られない。
たとえば、第一の金属箔１０３は複数の金属箔の積層体であってもよく、剥離性向上の観点から、第一の金属箔１０３は好ましくは複数の銅箔の積層体である。図４は、絶縁基板の他の構成の一例を模式的に示す断面図である。図４に示した絶縁基板１２０の基本構成は図１（ａ）等における絶縁基板の構成と同様であるが、第一の金属箔１０３がキャリア箔１２３と銅箔１２５との積層体であり、かかる積層体が、キャリア箔１２３の側で絶縁基板１０１に接して設けられている点が異なる。

キャリア箔１２３の厚さは、ハンドリング性向上の観点から、たとえば５μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上である。また、キャリア箔１２３の厚さは、たとえば２０μｍ以下としてもよい。

銅箔１２５の厚さは、安定的な回路形成の観点から、たとえば０．５μｍ以上であり、好ましくは１．０μｍ以上、より好ましくは１．５μｍ以上である。また、銅箔除去性を向上する観点から、銅箔１２５の厚さは、たとえば１０μｍ以下であり、好ましくは７μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下である。
また、銅箔１２５は、たとえばキャリア箔１２３よりも薄箔とすることができる。

以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することができる。
以下、参考形態の例を付記する。
１． 絶縁基板の少なくとも一方の面に接して、第一の金属箔が設けられた犠牲基板を準備する工程と、
前記第一の金属箔上に、第一の導体パターンを形成する工程と、
前記第一の導体パターンが設けられた前記犠牲基板上に、第二の金属箔が設けられた第一の絶縁層を、前記第二の金属箔を外側にして形成する工程と、
前記第二の金属箔をパターニングして第二の導体パターンを形成する工程と、
前記犠牲基板と前記第一の金属箔との間で剥離する工程と、
前記剥離する工程の後、前記第一の絶縁層上の前記第一の金属箔を除去する工程と、
を含み、
前記犠牲基板において、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に従って測定される前記第一の金属箔の前記第一の絶縁層側の表面の最大山高さＲ _p が０．２０μｍ以上０．５５μｍ以下である、コアレス基板の製造方法。
２． 犠牲基板を準備する前記工程が、前記絶縁基板と前記第一の金属箔とを直接接合する工程を含む、１．に記載のコアレス基板の製造方法。
３． 前記第一の金属箔が、無粗化箔である、１．または２．に記載のコアレス基板の製造方法。
４． 前記第一の金属箔が、無粗化銅箔である、１．乃至３．いずれか１つに記載のコアレス基板の製造方法。
５． 前記第一の金属箔が、複数の銅箔の積層体である、１．乃至４．いずれか１つに記載のコアレス基板の製造方法。
６． 第一の金属箔を除去する前記工程が、前記第一の金属箔をエッチングする工程を含む、１．乃至５．いずれか１つに記載のコアレス基板の製造方法。
７． 前記第二の導体パターンが設けられた前記第一の絶縁層上に、第三の金属箔が設けられた第二の絶縁層を、前記第三の金属箔を外側にして形成する工程と、
前記第三の金属箔をパターニングして第三の導体パターンを形成する工程と、
をさらに含む、１．乃至６．いずれか１つに記載のコアレス基板の製造方法。

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
まず、以下の例で用いた原料成分について説明する。

（銅箔）
以下のピーラブル銅箔を準備した。ここで、各ピーラブル銅箔の銅箔外表面の粗度は、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に従って、小型表面粗さ測定機（接触式、ＳＪ－２１０、ミツトヨ社製）を用いて、基準長さ＝２．５ｍｍ、評価長さ＝１６ｍｍ、Ｎ＝８、測定速度＝０．５ｍｍ／ｓの条件で測定した。
ピーラブル銅箔１：キャリア銅箔付き無粗化銅箔、キャリア箔の厚さ１８μｍ、銅箔の厚さ３μｍ、銅箔外表面のＲ_p＝０．４２、Ｒ_z＝０．８５
ピーラブル銅箔２：キャリア銅箔付き低粗化銅箔、キャリア箔の厚さ１８μｍ、銅箔の厚さ３μｍ、銅箔外表面のＲ_p＝０．４２、Ｒ_z＝０．９６
ピーラブル銅箔３：キャリア銅箔付き粗化銅箔、キャリア箔の厚さ１８μｍ、銅箔の厚さ３μｍ、銅箔外表面のＲ_p＝０．６３、Ｒ_z＝１．３０

（その他）
ビスマレイミド化合物１：多官能型マレイミド（ＢＭＩ－２３００、大和化成工業社製）
ベンゾオキサジン化合物１：ジアミノジフェルメタン型ベンゾオキサジン（Ｐ－ｄ型ベンゾオキサジン、四国化成工業社製）
エポキシ樹脂１：２官能ナフタレン型エポキシ樹脂（ＨＰ－４０３２Ｄ、ＤＩＣ社製）
（メタ）アクリル酸エステル重合体１：「ＰＭＳ－１４－１７」（Ｍｗ：１０×１０⁴、エポキシ変性アクリル樹脂、Ｔｇ＝－１０℃、エポキシ価＝０．１２ｅｑ／ｋｇ、ナガセケムテックス社製）
シランカップリング剤１：アミノフェニルトリメトキシシラン（ＫＢＭ－５７３、信越
化学工業社製）
無機充填材１：平均粒子径１．１μｍ、フェニルアミノシラン処理のシリカスラリー（ＳＣ４０５０、アドマテック社製）
硬化促進剤１：２－フェニルイミダゾール（四国化成社製、２ＰＺ－ＰＷ）

（実施例１）
（プリプレグの作製）
１．樹脂ワニスの調製
まず、以下に示す固形分割合で各成分を溶解または分散させ、メチルエチルケトンで不揮発分７０質量％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニスを調製した。

成分 固形分割合（質量部）
ビスマレイミド化合物１ ３７
ベンゾオキサジン化合物１ １９
エポキシ樹脂１ １９
（メタ）アクリル酸エステル重合体１ ２５
シランカップリング剤１ ２
無機充填材１ ２４０
効果促進剤１ １．０

２．プリプレグの製造
ガラス織布（クロスタイプ＃２１１６、Ｅガラス、坪量１０４ｇ／ｍ²）に上述の方法で得られた樹脂ワニスを塗布装置で含浸させ、１４０℃の熱風乾燥装置で１０分間乾燥して、厚さ１００μｍのプリプレグを得た。

（犠牲基板の作製）
上述の方法で得られたプリプレグの両面にピーラブル銅箔１を配置した。このとき、ピーラブル銅箔１中の、上記粗さ特性を有する銅箔の表面が、積層体の両外表面に位置するように、各ピーラブル銅箔１を配置した。そして、積層体を２２０℃／６０ｍｉｎの条件で真空プレスし、犠牲基板を得た。

（コアレス基板の作製）
図１（ａ）～図１（ｅ）を参照して前述した方法を用いてコアレス基板を作製した。
上述の方法で得られた犠牲基板を、基板表面洗浄のため５％塩酸で処理した後、犠牲基板の両面にドライフィルムレジスト（ＤＦＲ、ＵＦＧシリーズ：旭化成社製）をラミネートした。ラミネートの条件は、０．５ｍ／ｍｉｎ：９０℃とした。
大日本スクリーンＬＩ－９０００を用いて１００ｍＪにて露光し、５％炭酸ナトリウムを用いて現像し、電解銅めっきにより、１２μｍの銅膜を成長させて第一の導体パターン１０５を形成した。そして、剥離液（三菱ガス化学社製、Ｒ１００）を用いてドライフィルムレジストを剥離し、メック社製、ＣＬ８１００を用いて銅膜表面をＣＺ処理した。

次に、第一の導体パターン１０５が形成された犠牲基板表面のピーラブル銅箔１（第一の金属箔１０３）を覆うように、上述の方法で得られたプリプレグを犠牲基板の両面に配置してプレスし、第一の絶縁層１０７および第二の金属箔１０９を形成した。ピーラブル銅箔のキャリア箔を剥離し、基板表面洗浄のため５％塩酸で処理した後、第二の金属箔１０９上に、ＤＦＲ（ＵＦＧシリーズ：旭化成社製）をラミネートした。ラミネートの条件は、０．５ｍ／ｍｉｎ：９０℃とした。
大日本スクリーンＬＩ－９０００を用いて１００ｍＪにて露光し、５％炭酸ナトリウムを用いて現像し、電解銅めっきにより、１２μｍの銅膜を成長させてビア配線１１１および第二の導体パターン１１３を形成した。そして、剥離液（三菱ガス化学社製、Ｒ１００）を用いてドライフィルムレジストを剥離した。

その後、ピーラブル銅箔１のキャリア銅箔と銅箔とを剥離することにより、犠牲基板から上層から剥離し、上層の剥離面をフラッシュエッチング（エッチング剤：三菱ガス化学社製、ＣＰＥ８００）により、銅を３μｍエッチングする条件にてフラッシュエッチング実施し、第一の金属箔１０３を除去した。
以上の工程により、コアレス基板を得た。

（実施例２）
犠牲基板の作製において、プリプレグの両面に設けるピーラブル銅箔として、ピーラブル銅箔１にかえてピーラブル銅箔２を用いた他は、実施例１の方法に準じてコアレス基板を得た。

（比較例１）
犠牲基板の作製において、プリプレグの両面に設けるピーラブル銅箔として、ピーラブル銅箔１にかえてピーラブル銅箔３を用いた他は、実施例１の方法に準じてコアレス基板を得た。

（絶縁試験）
各例における上述のコアレス基板の作製において、ＥＴＳ回路として、Ｌ／Ｓ＝１５μｍ／１５μｍの櫛歯回路を形成し、試験サンプルとした。得られた試験サンプルを用いて、温度１３０℃、湿度８５％、印加電圧５Ｖの条件で絶縁性試験を実施した。試験において、抵抗値１０⁶Ω以下を故障とし、以下の基準で評価した。評価結果を表１に示す。
◎：５００時間以上故障なし
○：２００～５００時間未満で故障あり（実質上問題なし）
×：２００時間未満で故障あり

表１より、各実施例においては、犠牲基板の作製時にプリプレグ上に積層した銅箔の第一の絶縁膜側の表面のＲ_pが比較例のものよりも小さく、優れた絶縁特性を示した。

１００ コアレス基板
１０１ 絶縁基板
１０３ 第一の金属箔
１０３ａ 金属箔
１０５ 第一の導体パターン
１０７ 第一の絶縁層
１０９ 第二の金属箔
１１０ コアレス基板
１１１ ビア配線
１１３ 第二の導体パターン
１１５ 第二の絶縁層
１１７ 第三の金属箔
１１９ ビア配線
１２０ 犠牲基板
１２１ 第三の導体パターン
１２３ キャリア箔
１２５ 銅箔

Claims (6)

1. 絶縁基板の少なくとも一方の面に接して、第一の金属箔が設けられた犠牲基板を準備する工程と、
   前記第一の金属箔上に、第一の導体パターンを形成する工程と、
   前記第一の導体パターンが設けられた前記犠牲基板上に、第二の金属箔が設けられた第一の絶縁層を、前記第二の金属箔を外側にして形成する工程と、
   前記第二の金属箔をパターニングして第二の導体パターンを形成する工程と、
   前記犠牲基板と前記第一の金属箔との間で剥離する工程と、
   前記剥離する工程の後、前記第一の絶縁層上の前記第一の金属箔を除去する工程と、
   を含み、
   前記第一の金属箔が、無粗化箔であり、
   前記犠牲基板において、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に従って測定される前記第一の金属箔の前記第一の絶縁層側の表面の最大山高さＲ_pが０．２０μｍ以上０．５５μｍ以下である、コアレス基板の製造方法。
2. 犠牲基板を準備する前記工程が、前記絶縁基板と前記第一の金属箔とを直接接合する工程を含む、請求項１に記載のコアレス基板の製造方法。
3. 前記第一の金属箔が、無粗化銅箔である、請求項１または２に記載のコアレス基板の製造方法。
4. 前記第一の金属箔が、複数の銅箔の積層体である、請求項１乃至３いずれか１項に記載のコアレス基板の製造方法。
5. 第一の金属箔を除去する前記工程が、前記第一の金属箔をエッチングする工程を含む、請求項１乃至４いずれか１項に記載のコアレス基板の製造方法。
6. 前記第二の導体パターンが設けられた前記第一の絶縁層上に、第三の金属箔が設けられた第二の絶縁層を、前記第三の金属箔を外側にして形成する工程と、
   前記第三の金属箔をパターニングして第三の導体パターンを形成する工程と、
   をさらに含む、請求項１乃至５いずれか１項に記載のコアレス基板の製造方法。

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