JP7258532B2 - 被加工物ユニット - Google Patents

被加工物ユニット Download PDF

Info

Publication number
JP7258532B2
JP7258532B2 JP2018232028A JP2018232028A JP7258532B2 JP 7258532 B2 JP7258532 B2 JP 7258532B2 JP 2018232028 A JP2018232028 A JP 2018232028A JP 2018232028 A JP2018232028 A JP 2018232028A JP 7258532 B2 JP7258532 B2 JP 7258532B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tape
temperature
workpiece
wafer
color
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018232028A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020096056A (ja
Inventor
良信 齋藤
政幸 松原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2018232028A priority Critical patent/JP7258532B2/ja
Priority to KR1020190150156A priority patent/KR20200071659A/ko
Priority to SG10201911706XA priority patent/SG10201911706XA/en
Priority to CN201911247801.7A priority patent/CN111312648A/zh
Priority to TW108144945A priority patent/TWI831889B/zh
Priority to DE102019219321.8A priority patent/DE102019219321A1/de
Priority to US16/710,319 priority patent/US11437267B2/en
Publication of JP2020096056A publication Critical patent/JP2020096056A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7258532B2 publication Critical patent/JP7258532B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0147—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on thermo-optic effects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

本発明は、被加工物と、被加工物に貼着されたテープと、テープの外周縁が貼着され中央に開口を有した環状フレームと、を有した被加工物ユニットに関する。
一般に、半導体ウエーハ等の板状の被加工物と、被加工物に貼着されたテープと、テープの外周縁が貼着され中央に開口を有した環状フレームとを有した被加工物ユニットが知られている。この種の被加工物ユニットは、被加工物の分割予定ライン上に配設されたＴＥＧ（Test Element Group）や、被加工物とテープとの間に貼着されたＤＡＦ（Die Attach Film）といった延性物を備えることがある。テープをエキスパンド（拡張）して延性物と共に被加工物を分割する場合、被加工物ユニットを冷却（外的刺激を付与）することにより、該延性物の延性を低下させて効率良く分割する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００６－０４９５９１号公報
しかしながら、冷却が十分であるか否かは外観で判別できないため、冷却が不十分な状態でエキスパンドした場合には、延性物が延びて分割されないという問題がある。しかも、一度テープをエキスパンドしてしまうとテープが延びるため、延びたテープでは充分にエキスパンドできず、再度被加工物ユニットを冷却しても延性物を分割することができない。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、外的刺激を伴う加工が施されたか否かを外観から判別できる被加工物ユニットを提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、表面に分割予定ラインが形成された被加工物と、被加工物に貼着されたテープと、該テープの外周縁が貼着され中央に開口を有した環状フレームと、を有し、該環状フレームの該開口に該テープを介して被加工物が配置された被加工物ユニットであって、該テープが、冷却された状態で拡張されることで該分割予定ラインに沿って該被加工物を分割するエキスパンドテープであり、温度変化で可逆的に変色するものである。
この構成によれば、テープは外的刺激によって変色するため、外的刺激を伴う加工がされたか否かを外観から容易に判別することができる。従って、加工済みでない被加工物を次工程に投入してしまうことで生じる不具合を防止できる。
また、該テープは、第１の温度で第１の色に変色し、該第１の温度と異なる第２の温度で該第１の色とは異なる第２の色に変色する構成としてもよい。
また、分割される該被加工物は、内部に該分割予定ラインに沿って改質層が形成されてもよい。
本発明にかかる被加工物ユニットは、テープが外的刺激によって変色するため、外的刺激を伴う加工がされたか否かを外観から容易に判別することができる。
図１は、本実施形態に係る被加工物ユニットの構成例を示す斜視図である。 図２は、被加工物ユニットの部分断面図である。 図３は、被加工物ユニットのウエーハの分割予定ラインに沿って改質層を形成する工程を示す図である。 図４は、冷却下でウエーハを分割する前の状態を示す図である。 図５は、冷却下でウエーハを分割した後の状態を示す図である。 図６は、テープが十分に冷却された被加工物ユニットを示す下面図である。 図７は、テープの冷却が不十分な被加工物ユニットを示す下面図である。
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
図１は、本実施形態に係る被加工物ユニットの構成例を示す斜視図である。図２は、被加工物ユニットの部分断面図である。被加工物ユニット１は、図１に示すように、被加工物としてのウエーハ２と、ウエーハ２に貼着されたテープ６と、テープ６の外縁６１が貼着され中央に開口７Ａを有した環状フレーム７とを備えて構成される。環状フレーム７は、ウエーハ２よりも大径の開口７Ａを備え、この開口７Ａ内にウエーハ２がテープ６を介して保持される。
ウエーハ２は、シリコンを母材とする円板状の半導体ウエーハや、サファイア、ＳｉＣ（炭化ケイ素）などを母材とする光デバイスウエーハである。ウエーハ２は、表面２Ａに形成された格子状の分割予定ライン（切削予定ライン）３によって区画された複数の領域にデバイス４が形成されている。また、分割予定ライン３には、延性物であるＴＥＧ（Test Element Group）８が形成されている。ＴＥＧ８は、延性を有する金属等で形成され、デバイス４の設計、製造上の問題を見つけ出すためのテストパターンである。ＴＥＧ８は、ウエーハ２の分割予定ライン３の予め定められた所定位置に配置されている。本実施形態では、被加工物として円板状のウエーハを例示したが、ウエーハだけでなく、矩形板状に形成されたパッケージ基板、セラミクス基板、ガラス基板などを用いてもよい。
テープ６は、図２に示すように、伸縮性を有する合成樹脂で構成された基材６Ａと、基材６Ａの上面側に積層して配置される粘着層（糊層）６Ｂと、基材６Ａの下面側に積層して配置される変色層（変色部）６Ｃとを有する、例えばエキスパンドテープである。このテープ６は、粘着層６Ｂを上面にしてウエーハ２の裏面２Ｂに貼着される。本実施形態の変色層６Ｃは、冷却に伴う温度変化（外的刺激）によって、例えば、所定の第１の温度（例えば、０℃）以下になると無色から第１の色に変色する第１示温インクと、この第１の温度よりも低い（異なる）所定の第２の温度（例えば、－１００℃）以下になると無色から第１の色と異なる第２の色に変色する第２示温インクとを含んで形成される。第１示温インクと第２示温インクとはそれぞれ変色層６Ｃの全面に分散されている。第１示温インク及び第２示温インクの変色はそれぞれ可逆であり、テープ６（被加工物ユニット１）の温度によって変色可能である。この構成によれば、作業員は、変色層６Ｃが第１の色または第２の色（第１の色と混合した色も含む）のいずれに変色しているかを観察することによって、被加工物ユニット１のおおよその冷却温度を外観から容易に判別することができる。なお、本実施形態では、第１示温インク及び第２示温インクは、それぞれ所定温度以下への温度変化によって無色から有色に変色する構成としたが、変色後の色彩が予めわかっていれば、有色から異なる有色に変色してもよい。
次に、変色層６Ｃが設けられたテープ６を介してウエーハ２が環状フレーム７に支持された被加工物ユニット１の加工手順を説明する。本実施形態では、被加工物ユニット１を冷却した状態でテープ６の拡張（クールエキスパンド加工）によりウエーハ２をデバイスチップに分割する。図３は、被加工物ユニットのウエーハの分割予定ラインに沿って改質層を形成する工程を示す図である。図４は、冷却下でウエーハを分割する前の状態を示す図である。図５は、冷却下でウエーハを分割した後の状態を示す図である。図６は、テープが十分に冷却された被加工物ユニットを示す下面図である。図７は、テープの冷却が不十分な被加工物ユニットを示す下面図である。
まず、図３に示すレーザ加工装置２０によって、ウエーハ２の内部に分割予定ライン３に沿って改質層９を形成する。改質層９とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった変質領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。レーザ加工装置２０は、レーザ光線２１Ａをウエーハ２に向けて照射する照射ヘッド２１と、この照射ヘッド２１とＸ方向に横並びに配置された撮像部２２とを備える。照射ヘッド２１は、ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザ光線を発振する発振器（不図示）と、発振されたレーザ光線を集光する集光器（不図示）とを備え、ウエーハ２に向けて照射されるレーザ光線２１Ａの集光位置（フォーカス位置）をＺ方向（鉛直方向）に調整する。撮像部２２は、照射ヘッド２１に対するウエーハ２の配置状況及びウエーハ２への加工状況などを撮像するカメラである。
被加工物ユニット１は、チャックテーブル（不図示）に保持される。このチャックテーブルは、上記したＸ方向に移動可能に構成される。また、チャックテーブルは、鉛直方向と平行な軸心回りに回転可能に構成されている。本実施形態では、被加工物ユニット１を保持するチャックテーブルがＸ方向に移動する構成としたが、被加工物ユニット１に対して、レーザ加工装置２０がＸ方向に相対的に移動すれば、レーザ加工装置２０がＸ方向に移動する構成としてもよい。
ウエーハ２の内部に改質層９を形成する場合、レーザ加工装置２０は、撮像部２２によりウエーハ２の表面２Ａを撮像し、分割予定ライン３の位置を割り出した後、集光器によって集光されるレーザ光線２１Ａの集光位置をウエーハ２の内部に位置付ける。そして、チャックテーブルをＸ１方向に加工送りしつつ、ウエーハ２の分割予定ライン３に沿ってレーザ光線２１Ａを照射する。これにより、ウエーハ２の内部に分割予定ライン３に沿って改質層９が形成される。ここで、１つの分割予定ライン３に対して、ウエーハ２の厚み方向に複数段（例えば３段）の改質層９を形成してもよい。すべての分割予定ライン３に沿って改質層９が形成されると、該改質層９を形成する工程を終了する。
続いて、図４に示す拡張装置３０を用いて、テープ６を拡張することにより分割予定ライン３に沿ってウエーハ２を分割する。本実施形態の拡張装置３０は、冷却チャンバ５０内に配置されており、被加工物ユニット１を冷却した状態でテープ６の拡張（クールエキスパンド加工）を実行する。冷却チャンバ５０は冷気供給口（不図示）を備え、該冷気供給口から冷気を供給して冷却チャンバ５０内を所望する温度に冷却することが可能となっている。
拡張装置３０は、フレーム保持テーブル３１と、昇降ユニット３２と、テープ拡張ドラム３３と、撮像部３４とを備える。フレーム保持テーブル３１は環状に形成されており、環状フレーム７を載置する載置面３１Ａと、環状フレーム７を保持するクランプ３１Ｂとが設けられている。昇降ユニット３２は、フレーム保持テーブル３１の下方に配置されて該フレーム保持テーブル３１を昇降する。昇降ユニット３２は、複数のエアシリンダ３２Ａを備えて構成され、各エアシリンダ３２Ａのピストンロッド３２Ｂがフレーム保持テーブル３１の下面に連結されている。昇降ユニット３２は、ピストンロッド３２Ｂを伸縮することにより、フレーム保持テーブル３１の載置面３１Ａをテープ拡張ドラム３３の上端３３Ａと略同一高さとなる基準位置と、該上端３３Ａより所定量下方の拡張位置との間を上下方向に移動させる。
テープ拡張ドラム３３は、上記した環状のフレーム保持テーブル３１の内側に配置された筒状体であり、被加工物ユニット１のウエーハ２よりも大きく、環状フレーム７の開口７Ａよりも小さい内径及び外径を備えている。このため、テープ拡張ドラム３３の上端３３Ａは、被加工物ユニット１におけるウエーハ２と環状フレーム７との間のテープ６に接触する。撮像部３４は、例えば、テープ拡張ドラム３３内に配置されて、被加工物ユニット１の下面側から主としてテープ６を撮像するカメラである。撮像された画像は、カラーモニタ等の表示装置（不図示）に表示され、作業員がテープ６の色を確認できるようになっている。
ウエーハ２を分割する場合、図６に示すように、被加工物ユニット１を拡張装置３０のフレーム保持テーブル３１に保持する。具体的には、フレーム保持テーブル３１の載置面３１Ａに環状フレーム７を載置するとともに、この環状フレーム７をクランプ３１Ｂで保持する。この際、フレーム保持テーブル３１の載置面３１Ａは、テープ拡張ドラム３３の上端３３Ａと略同一高さとなる基準位置に位置付けられるように、昇降ユニット３２のピストンロッド３２Ｂを伸長する。
次に、冷気供給口から冷気を供給して冷却チャンバ５０内を所望する温度に冷却する。これにより、冷却チャンバ５０内の被加工物ユニット１（テープ６）は、所望する温度に冷却される。本実施形態では、被加工物ユニット１のテープ６は、温度変化（外的刺激）により所定の第１の温度に達すると第１の色に変色する第１示温インクと、第１の温度よりも低い所定の第２の温度に達すると第２の色に変色する第２示温インクとを含んで形成される。ここで、ウエーハ２の分割予定ライン３上に設けられたＴＥＧ８のような延性物は、所定の基準温度（例えば－８０℃）より低い温度に冷却すると延性が低下することにより効率良く分割できることが判明している。この基準温度は、延性物の種類、材質、または大きさ等によって変動するため、事前の実験等によって設定される。本実施形態では、第２の温度（例えば－１００℃）は、基準温度（－８０℃）よりも低い温度に設定され、第１の温度（例えば、０℃）は、基準温度よりも高い温度に設定されている。
このため、作業員は、テープ６の変色の有無、及び、変色された領域の大きさを観察することによって、被加工物ユニット１（ＴＥＧ８）が基準温度以下に冷却されているか否かを外観から容易に判別することができる。具体的には、図６に示すように、第２の色に変色した領域６５の外縁６５Ａがウエーハ２の外周部よりも外側に達していれば（図６ではテープ６の外縁６１まで達している）、作業員は、少なくともＴＥＧ８（図１）が配置されているウエーハ２は第２の温度以下に冷却されていると判別することができる。これにより、図５に示すように、昇降ユニット３２のピストンロッド３２Ｂを収縮させて、フレーム保持テーブル３１の載置面３１Ａを拡張位置に低下させる。従って、フレーム保持テーブル３１の載置面３１Ａに固定されている環状フレーム７も下降するため、環状フレーム７に装着されたテープ６は、テープ拡張ドラム３３の上端３３Ａに当接して拡張される。この結果、テープ６に貼着されているウエーハ２に対して放射状に引張力が作用するため、ウエーハ２は分割予定ライン３に形成された改質層９（図４）に沿ってデバイスチップ１１に分割される。この際、分割予定ライン３上のＴＥＧ８は、第２の温度以下に冷却されて延性が低下しているため、ウエーハ２と共にＴＥＧ８を確実に破断することができる。
一方、図７に示すように、第１の色に変色した領域６６がウエーハ２の内側に存在する場合には、作業員は、ウエーハ２の全体が第２の温度以下に冷却されていないため、一部のＴＥＧ８についても十分に冷却されておらず、分割不良が生じるおそれがあると判断できる。このため、冷却が十分でない場合には、少なくとも第２の色に変色した領域６５の外縁６５Ａがウエーハ２の外周部よりも外側に達するまで冷却を継続することにより、分割不良の発生を未然に防ぐことができる。
以上、本発明の実施形態によれば、被加工物ユニット１のテープ６は、温度変化（外的刺激）により所定の第１の温度に達すると第１の色に可逆的に変色し、第１の温度よりも低い所定の第２の温度に達すると第２の色に可逆的に変色するため、外的刺激を伴う加工が施されたか否かを外観から容易に判別することができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本実施形態では、被加工物ユニット１は、延性物として、ウエーハ２が分割予定ライン３上にＴＥＧ８を備えた構成としたが、これに限るものではなく、延性物としてウエーハ２とテープ６との間に貼着されたＤＡＦ（Die Attach Film）を備えた構成としてもよい。このＤＡＦはダイボンディング用の接着シートであり、ウエーハ２よりも大きく形成されている。このため、例えば、第２の色に変色した領域６５の外縁６５ＡがＤＡＦの外周部よりも外側に達していれば、作業員は、少なくともＤＡＦは第２の温度以下に冷却されていると判別することができる。一方、第１の色に変色した領域６６がＤＡＦの内側に存在する場合には、作業員は、ＤＡＦの全体が第２の温度以下に冷却されていないため、ＤＡＦの破断不良が生じるおそれがあると判断できる。
また、本実施形態では、テープ６は、延性物としてのＴＥＧ８の延性を低下させる基準温度よりも高い第１の温度で変色する第１示温インクと、第１の温度及び基準温度よりも低い第２の温度で変色する第２示温インクとを備えた構成としたが、該第２の温度で変色する単一の示温インクを備えた構成としてもよい。この構成によれば、冷却対象とする領域が第２の温度以下に冷却されたか否かを判断することができる。
１ 被加工物ユニット
２ ウエーハ（被加工物）
３ 分割予定ライン
６ テープ
６Ｃ 変色層
７ 環状フレーム
７Ａ 開口
８ ＴＥＧ（延性物）
９ 改質層
１１ デバイスチップ
２０ レーザ加工装置
３０ 拡張装置
３１ フレーム保持テーブル
３２ 昇降ユニット
３３ テープ拡張ドラム
３４ 撮像部
５０ 冷却チャンバ

Claims (3)

  1. 表面に分割予定ラインが形成された被加工物と、被加工物に貼着されたテープと、該テープの外周縁が貼着され中央に開口を有した環状フレームと、を有し、該環状フレームの該開口に該テープを介して被加工物が配置された被加工物ユニットであって、
    該テープが、冷却された状態で拡張されることで該分割予定ラインに沿って該被加工物を分割するエキスパンドテープであり、温度変化で可逆的に変色する被加工物ユニット。
  2. 該テープは、第１の温度で第１の色に変色し、該第１の温度と異なる第２の温度で該第１の色とは異なる第２の色に変色する、請求項１に記載の被加工物ユニット。
  3. 分割される該被加工物は、内部に該分割予定ラインに沿って改質層が形成されている、請求項１又は請求項２に記載の被加工物ユニット。
JP2018232028A 2018-12-11 2018-12-11 被加工物ユニット Active JP7258532B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018232028A JP7258532B2 (ja) 2018-12-11 2018-12-11 被加工物ユニット
KR1020190150156A KR20200071659A (ko) 2018-12-11 2019-11-21 피가공물 유닛
SG10201911706XA SG10201911706XA (en) 2018-12-11 2019-12-05 Workpiece unit
TW108144945A TWI831889B (zh) 2018-12-11 2019-12-09 被加工物單元
CN201911247801.7A CN111312648A (zh) 2018-12-11 2019-12-09 被加工物单元
DE102019219321.8A DE102019219321A1 (de) 2018-12-11 2019-12-11 Werkstückeinheit
US16/710,319 US11437267B2 (en) 2018-12-11 2019-12-11 Workpiece unit including adhesive tape with color change layer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018232028A JP7258532B2 (ja) 2018-12-11 2018-12-11 被加工物ユニット

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020096056A JP2020096056A (ja) 2020-06-18
JP7258532B2 true JP7258532B2 (ja) 2023-04-17

Family

ID=70859183

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018232028A Active JP7258532B2 (ja) 2018-12-11 2018-12-11 被加工物ユニット

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11437267B2 (ja)
JP (1) JP7258532B2 (ja)
KR (1) KR20200071659A (ja)
CN (1) CN111312648A (ja)
DE (1) DE102019219321A1 (ja)
SG (1) SG10201911706XA (ja)
TW (1) TWI831889B (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004193576A (ja) 2002-11-28 2004-07-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハの保護用粘着テープ及びこれを用いた半導体ウエハの製造方法
JP5235150B2 (ja) 2009-03-03 2013-07-10 日本車輌製造株式会社 鉄道車両

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2726350B2 (ja) * 1992-02-24 1998-03-11 リンテック株式会社 ウェハ貼着用粘着シート
JP3939410B2 (ja) * 1997-11-18 2007-07-04 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 硬質基板の加工面温度等の測定方法およびその測定装置並びにその測定用硬質基板
KR19990053079A (ko) * 1997-12-23 1999-07-15 윤종용 인식 마크가 형성된 반도체 웨이퍼 및 그 인식 마크를 이용한 웨이퍼 절삭 방법
JP4226836B2 (ja) * 2002-04-02 2009-02-18 株式会社リコー 可逆性多色表示媒体及びその多色表示方法
JP2005002269A (ja) * 2003-06-13 2005-01-06 Three M Innovative Properties Co 粘着テープ
JP2006049591A (ja) 2004-08-05 2006-02-16 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハに貼着された接着フィルムの破断方法および破断装置
JP2015024582A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 株式会社パイロットコーポレーション 可逆熱変色積層体への粘着層の配設方法および可逆熱変色性貼着体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004193576A (ja) 2002-11-28 2004-07-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハの保護用粘着テープ及びこれを用いた半導体ウエハの製造方法
JP5235150B2 (ja) 2009-03-03 2013-07-10 日本車輌製造株式会社 鉄道車両

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020096056A (ja) 2020-06-18
KR20200071659A (ko) 2020-06-19
CN111312648A (zh) 2020-06-19
US11437267B2 (en) 2022-09-06
TWI831889B (zh) 2024-02-11
US20200185254A1 (en) 2020-06-11
SG10201911706XA (en) 2020-07-29
TW202022069A (zh) 2020-06-16
DE102019219321A1 (de) 2020-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8815644B2 (en) Wafer processing method
US9379016B2 (en) Wafer processing method
US9130031B2 (en) Wafer processing method
KR20150118530A (ko) 칩 간격 유지 방법
JP5378780B2 (ja) テープ拡張方法およびテープ拡張装置
KR102102485B1 (ko) 웨이퍼 가공 방법
TWI757277B (zh) 晶圓的加工方法
JP4835830B2 (ja) エキスパンド方法、装置及びダイシング装置
US9698301B2 (en) Wafer processing method
KR20160053783A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2011061043A (ja) 加工方法および半導体デバイスの製造方法
KR20160108183A (ko) 디바이스 칩의 제조 방법
TW201822268A (zh) 被加工物的分割方法及雷射加工裝置
JP7258532B2 (ja) 被加工物ユニット
TW201916139A (zh) 晶圓加工方法
JP6576172B2 (ja) チャックテーブル
JP2011056576A (ja) 板状物の加工方法
TWI830954B (zh) 晶圓的加工方法
JP2015092525A (ja) ウエーハの加工方法
TWI801719B (zh) 元件晶片之形成方法
JP2011171382A (ja) 分割方法
JP7344695B2 (ja) チップの製造方法
TW201916136A (zh) 晶圓加工方法
US11569129B2 (en) Workpiece processing method
TW202221778A (zh) 擴展裝置及擴展方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190124

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20190124

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211008

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20221021

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221101

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221223

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230322

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230405

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7258532

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150