JP7245178B2 - 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法 - Google Patents
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Description
1.第1の実施の形態(照度に応じて電源電位を2段階に制御する例)
2.第2の実施の形態(計数値が上限値に達すると計数を停止する例)
3.第3の実施の形態(電源電位を制御し、計数値が上限値に達すると計数を停止する例)
4.移動体への応用例
[撮像装置の構成例]
図1は、本技術の第1の実施の形態における撮像装置100の一構成例を示すブロック図である。この撮像装置100は、画像データを撮像するものであり、撮像レンズ110、固体撮像素子200、記録部120および撮像制御部130を備える。撮像装置100としては、例えば、スマートフォン、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、車載カメラやIoT(Internet of Things)カメラが想定される。
図2は、本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子200の積層構造の一例を示す図である。この固体撮像素子200は、受光チップ201と、その受光チップ201に積層されたロジックチップ202とを備える。これらのチップ間には、信号を伝送するための信号線が設けられる。
図3は、本技術の第1の実施の形態における受光チップ201の一構成例を示す平面図である。この受光チップ201には、受光部210が設けられ、受光部210には、二次元格子状に複数の受光回路220が設けられる。受光回路220の詳細については後述する。
図4は、本技術の第1の実施の形態におけるロジックチップ202の一構成例を示すブロック図である。このロジックチップ202には、垂直制御部230、ロジックアレイ部260、水平制御部240および信号処理部250が配置される。また、ロジックアレイ部260には、受光回路220ごとに、論理回路270が配列される。これらの論理回路270のそれぞれは、対応する受光回路220と信号線を介して接続されている。受光回路220と、その回路に対応する論理回路270とからなる回路は、画像データにおける1画素の画素信号を生成する画素回路として機能する。
図5は、本技術の第1の実施の形態における画素回路300の一構成例を示す回路図である。この画素回路300は、受光回路220と論理回路270とを備える。受光回路220は、スイッチ221および222と、抵抗223と、フォトダイオード224とを備える。また、論理回路270は、インバータ271、トランジスタ272、電源制御部273、フォトンカウンタ274およびスイッチ275を備える。
図7は、本技術の第1の実施の形態における撮像装置の動作の一例を示すタイミングチャートである。垂直同期信号VSYNCの立ち上がりのタイミングT0から、その次の立上りのタイミングT3までの期間は、垂直同期信号VSYNCの周期に該当する。この周期内において露光期間が設定される。
P=C×VE×dV
上式において、Cは、カソード容量であり、単位は、例えば、ファラッド(F)である。VEは、電源電位であり、dVは、フォトダイオード224のアノード-カソード間の電位差である。
4/5×0.3=0.24
上述の第1の実施の形態では、電源制御部273は、照度に応じて電位VE1およびVE2のいずれかに電源電位を制御していたが、電位VE1では高すぎる場合や電位VE2では低すぎる場合がある。このため、電源電位をより細かく制御することが望ましい。この第1の実施の形態の変形例の画素回路300は、照度に応じて3段階に電源電位を制御する点において第1の実施の形態と異なる。
図13は、本技術の第2の実施の形態におけるロジックチップ202の一構成例を示すブロック図である。このロジックチップ202には、垂直制御部230、ロジックアレイ部260、水平制御部240、信号処理部250および計時回路290が配置される。また、ロジックアレイ部260には、受光回路220ごとに、論理回路270が配列される。これらの論理回路270のそれぞれは、対応する受光回路220と信号線を介して接続されている。受光回路220と、その回路に対応する論理回路270とからなる回路は、画像データにおける1画素の画素信号を生成する画素回路として機能する。
図14は、本技術の第2の実施の形態における画素回路300の一構成例を示す回路図である。この画素回路300は、受光回路220と論理回路270とを備える。受光回路220は、抵抗226-1およびフォトダイオード227を備える。また、論理回路270は、インバータ271と、フォトンカウンタ274と、計数制御部275と、スイッチ276、277および280と、時刻情報保持部279とを備える。
EST=L1×(Te/Tc) ・・・式1
上式において、ESTは、露光期間が経過するまでフォトンカウンタ274が停止せずに計数したと仮定したときの計数値であり、この値は、露光期間内の露光量を示す。信号処理部250は、ESTを推定値としてスイッチ276に出力する。
図21は、本技術の第2の実施の形態における画素回路300の動作の一例を示すフローチャートである。この動作は、例えば、画像データを撮像するための所定のアプリケーションが実行されたときに開始される。
露光開始時刻を経過した場合に(ステップS901:Yes)、画素回路300は、計数値CNTを計数(すなわち、フォトンカウント)する計数処理を実行する(ステップS910)。露光開始時刻前の場合(ステップS901:No)、または、ステップS910の後に画素回路300は、ステップS901以降を繰り返す。
上述の第2の実施の形態では、受光チップ201において画素毎に抵抗226-1およびフォトダイオード227を配置していたが、画素数が増大するほど、受光チップ201の回路規模が大きくなるという問題がある。この第2の実施の形態の変形例の固体撮像素子200は、受光チップ201内に、フォトダイオード227のみを配置する点において第2の実施の形態と異なる。
上述の第2の実施の形態では、全画素に同一の電源電位を供給していたが、消費電力をさらに低減することが困難である。例えば、全画素の電源電位を低下させれば消費電力を低減することはできるが、電源電位の低下により全画素の感度が低下して、特に照度の低い光が入射する画素において明るさが不足するおそれがある。この第3の実施の形態の固体撮像素子200は、画素のそれぞれの電源電位を照度に応じて制御する点において第2の実施の形態と異なる。
EST=L2×(Te/Tc) ・・・式2
P=C×VE×dV
上式において、Cは、カソード容量であり、単位は、例えば、ファラッド(F)である。VEは、電源電位であり、dVは、フォトダイオード227のアノード-カソード間の電位差である。
4/5×0.3=0.24
上述の第3の実施の形態では、電源制御部273は、照度に応じて電位VE1およびVE2のいずれかに電源電位を制御していたが、電位VE1では高すぎる場合や電位VE2では低すぎる場合がある。このため、電源電位をより細かく制御することが望ましい。この第3の実施の形態の変形例の画素回路300は、照度に応じて3段階に電源電位を制御する点において第3の実施の形態と異なる。
EST=L3×(Te/Tc)
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
(1)入射光を光電変換して光電流を出力するフォトダイオードと、
前記光電流が出力されるたびに前記フォトダイオードの一端の電位を電源電位より低い値に降下させる抵抗と、
前記一端の電位が降下した頻度に基づいて前記入射光の照度を測定する測定部と、
前記測定された照度が高いほど低い値に前記電源電位を制御する電源制御部と
を具備する固体撮像素子。
(2)前記電源制御部は、前記照度と所定の閾値との比較結果に基づいて前記電源電位を制御する
前記(1)記載の固体撮像素子。
(3)前記電源制御部は、前記照度と互いに異なる複数の閾値との比較結果に基づいて前記電源電位を制御する
前記(1)記載の固体撮像素子。
(4)前記フォトダイオード、前記抵抗、前記測定部および前記電源制御部は、二次元格子状に配列された複数の画素回路のそれぞれに配置される
前記(1)から(3)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(5)前記測定部は、所定の露光期間内において前記一端の電位が降下した回数を計数して当該計数値を前記照度の測定値として前記電源制御部に供給する
前記(1)から(4)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(6)互いに異なる複数の電位のいずれかを切替信号に従って選択して前記電源電位として供給する選択部をさらに具備し、
前記電源制御部は、前記切替信号を前記選択部に供給する
前記(1)から(5)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(7)入射光を集光する撮像レンズと、
前記入射光を光電変換して光電流を出力するフォトダイオードと、
前記光電流が出力されるたびに前記フォトダイオードの一端の電位を電源電位より低い値に降下させる抵抗と、
前記一端の電位が降下した頻度に基づいて前記入射光の照度を測定する測定部と、
前記測定された照度が高いほど低い値に前記電源電位を制御する電源制御部と
を具備する固体撮像素子。
(8)入射光を光電変換した光電流がフォトダイオードから出力されるたびに前記フォトダイオードの一端の電位が電源電位より低い値に降下した頻度に基づいて前記入射光の照度を測定する測定手順と、
前記測定された照度が高いほど低い値に前記電源電位を制御する電源制御手順と
を具備する固体撮像素子の制御方法。
(9)所定の露光期間内に光子が入射した回数を計数して計数値を出力する計数部と、
前記所定の露光期間が経過する前に前記計数値が所定の制限値に達した場合には前記計数部を停止させる計数制御部と、
前記計数部を停止させるまでの時間に基づいて前記所定の露光期間内の光子の入射回数を推定して推定値として出力する推定部と
を具備する固体撮像素子。
(10)前記推定部は、前記計数部を停止させるまでの時間と前記所定の露光期間の長さと前記所定の制限値とから前記推定値を求める
前記(9)記載の固体撮像素子。
(11)1つの光子の入射の有無を検出するフォトダイオードと、
前記光子の入射が検出されるたびに前記フォトダイオードの一端の電位を初期状態へ戻すための抵抗と、
前記計数値が前記所定の制限値に達した場合には前記推定値を出力値として出力し、前記計数値が前記所定の制限値に達していない場合には前記計数値を前記出力値として出力するスイッチと、
前記出力値に応じて前記電源電位を制御する電源制御部と
をさらに具備し、
前記計数部は、前記一端の電位が前記光子の入射の有無の検出により変動した回数を計数し、
前記計数制御部および前記推定部は、前記電源電位に応じて前記所定の制限値を制御する
前記(9)または(10)に記載の固体撮像素子。
(12)前記フォトダイオードは、アバランシェフォトダイオードである
前記(11)記載の固体撮像素子。
(13)前記電源制御部は、前記出力値と所定の閾値との比較結果に基づいて前記電源電位を制御する
前記(11)記載の固体撮像素子。
(14)前記電源制御部は、前記出力値と互いに異なる複数の閾値との比較結果に基づいて前記電源電位を制御する
前記(11)記載の固体撮像素子。
(15)前記フォトダイオードおよび前記抵抗は、受光チップに配置され、
前記計数部、前記計数制御部、前記推定部、前記スイッチおよび前記電源制御部は、前記受光チップに積層されたロジックチップに配置される
前記(11)から(13)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(16)前記フォトダイオードは、受光チップに配置され、
前記抵抗、前記計数部、前記計数制御部、前記推定部、前記スイッチおよび前記電源制御部は、前記受光チップに積層されたロジックチップに配置される
前記(11)から(13)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(17)前記計数部および前記計数制御部は、二次元格子状に配列された複数の画素回路のそれぞれに配置される
前記(9)から(16)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(18)所定の露光期間内に光子が入射した回数を計数して計数値を出力する計数部と、
前記所定の露光期間が経過する前に前記計数値が所定の制限値に達した場合には前記計数部を停止させる計数制御部と、
前記計数部を停止させるまでの時間に基づいて前記所定の露光期間内の光子の入射回数を推定して推定値として出力する推定部と、
前記推定値から生成された画像データを記録する記録部と
を具備する撮像装置。
(19)所定の露光期間内に光子が入射した回数を計数して計数値を出力する計数手順と、
前記所定の露光期間が経過する前に前記計数値が所定の制限値に達した場合には前記計数部を停止させる計数制御手順と、
前記計数部を停止させるまでの時間に基づいて前記所定の露光期間内の光子の入射回数を推定して推定値として出力する推定手順と
を具備する固体撮像素子の制御方法。
110 撮像レンズ
120 記録部
130 撮像制御部
200 固体撮像素子
201 受光チップ
202 ロジックチップ
210 受光部
220 受光回路
221、222、223、226、275、276、277、280 スイッチ
223、226-1 抵抗
224、227 フォトダイオード
225 マルチプレクサ
230 垂直制御部
240 水平制御部
250 信号処理部
260 ロジックアレイ部
270 論理回路
271 インバータ
272 トランジスタ
273 電源制御部
274 フォトンカウンタ
275 計数制御部
279 時刻情報保持部
290 計時回路
300 画素回路
12031 撮像部
Claims (8)
- 入射光を光電変換して光電流を出力するフォトダイオードと、
前記フォトダイオードの一端と電源電位との間に挿入された抵抗と、
前記一端の電位が降下した頻度に基づいて前記入射光の照度を測定する測定部と、
前記測定された照度が高いほど低い値に前記電源電位を制御する電源制御部と
を具備し、
前記フォトダイオードの他端は、前記電源電位より低い電位の接地端子に接続されている
固体撮像素子。 - 前記電源制御部は、前記照度と所定の閾値との比較結果に基づいて前記電源電位を制御する
請求項1記載の固体撮像素子。 - 前記電源制御部は、前記照度と互いに異なる複数の閾値との比較結果に基づいて前記電源電位を制御する
請求項1記載の固体撮像素子。 - 前記フォトダイオード、前記抵抗、前記測定部および前記電源制御部は、二次元格子状に配列された複数の画素回路のそれぞれに配置される
請求項1記載の固体撮像素子。 - 前記測定部は、所定の露光期間内において前記一端の電位が降下した回数を計数して計数値を前記照度の測定値として前記電源制御部に供給する
請求項1記載の固体撮像素子。 - 互いに異なる複数の電位のいずれかを切替信号に従って選択して前記電源電位として供給する選択部をさらに具備し、
前記電源制御部は、前記切替信号を前記選択部に供給する
請求項1記載の固体撮像素子。 - 入射光を集光する撮像レンズと、
前記入射光を光電変換して光電流を出力するフォトダイオードと、
前記フォトダイオードのカソードと電源電位との間に挿入された抵抗と、
前記カソードの電位が降下した頻度に基づいて前記入射光の照度を測定する測定部と、
前記測定された照度が高いほど低い値に前記電源電位を制御する電源制御部と
を具備し、
前記フォトダイオードのアノードは、前記電源電位より低い電位の接地端子に接続されている
固体撮像素子。 - 入射光を光電変換した光電流を出力するフォトダイオードの一端と電源電位との間に挿入された抵抗によって前記一端の電位が降下した頻度に基づいて前記入射光の照度を測定する測定手順と、
前記測定された照度が高いほど低い値に前記電源電位を制御する電源制御手順と
を具備し、
前記フォトダイオードの他端は、前記電源電位より低い電位の接地端子に接続されている
固体撮像素子の制御方法。
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