JP7226081B2 - 固体電解コンデンサの製造方法、及び、固体電解コンデンサ - Google Patents
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Description
本発明は、固体電解コンデンサの製造方法、及び、固体電解コンデンサに関する。
固体電解コンデンサは、アルミニウム等の弁作用金属からなる基体の表面に多孔質部を有する弁作用金属基体と、該多孔質部の表面に形成された誘電体層と、該誘電体層上に設けられた固体電解質層と、該固体電解質層上に設けられた導電体層（集電体層ともいう）とを備えている。
例えば、特許文献１には、弁金属多孔質箔の表面に誘電体被膜を形成し、この誘電体被膜上に固体電解質層、この固体電解質層上に集電体層を形成したコンデンサ素子を積層した後、外周部の一端面に積層した弁金属多孔質箔を表出させ、他端面にコンデンサ素子の集電体層の一部又は陰極部を表出させた外装を設け、この外装の両端面に外部電極を設けた固体電解コンデンサにおいて、上記弁金属多孔質箔の表出面に亜鉛層を形成し、この亜鉛層の上にニッケル層を形成した固体電解コンデンサが開示されている。
特許文献１には、コンデンサ素子にエポキシ樹脂等を用いて外装をモールド樹脂成形法により形成した後、外装の一端には陽極部となるアルミニウム箔が、外装の他端には陰極部となる銅箔がそれぞれ表出するように物理的又は化学的に研磨除去を行うことが記載されている。
しかし、特許文献１に記載されている方法を用いて複数の固体電解コンデンサを製造する場合には、コンデンサ素子を１個ずつ樹脂で封止し、その後、それぞれの端面を研磨する必要がある。したがって、製造工程が複雑となり、製造コストが高くなってしまう。また、コンデンサ素子と封止樹脂との密着性が不充分な場合があった。
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、封止樹脂との密着性が高い固体電解コンデンサを提供することを目的とする。
本発明の固体電解コンデンサは、素子積層体と、絶縁基板と、上記素子積層体の周囲を封止する封止樹脂とを備える直方体状の樹脂成形体と、上記樹脂成形体の第１の端面に設けられる第１の外部電極と、上記樹脂成形体の第２の端面に設けられる第２の外部電極と、を備える固体電解コンデンサであって、上記素子積層体においては、第１層と第２層とが積層され、上記第１層は、表面に誘電体層が形成された弁作用金属基体、及び、上記誘電体層上に設けられた固体電解質層を備え、上記第２層は、金属箔からなり、上記素子積層体の積層方向のいずれか一方の主面に、上記絶縁基板が配置されており、上記樹脂成形体の上記第１の端面には、上記金属箔及び第１の封止部が露出し、上記樹脂成形体の上記第２の端面には、上記弁作用金属基体及び第２の封止部が露出し、上記第１の外部電極は、上記金属箔に接続され、上記第２の外部電極は、上記弁作用金属基体に接続され、上記弁作用金属基体の上記第２の端面側の端部には、第２の切り欠きが設けられており、上記金属箔の上記第１の端面側の端部には、第３の切り欠きが設けられており、さらに、上記絶縁基板には、上記第１の端面側の端部に配置され上記第３の切り欠きと連通する第５の切り欠き、及び、上記第２の端面側の端部に配置され上記第２の切り欠きと連通する第６の切り欠き、の少なくとも一方が設けられており、上記第２の切り欠き、上記第３の切り欠き、及び、上記絶縁基板に設けられた切り欠きは、上記封止樹脂で封止されている。
本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、以下の工程を備える。
（Ａ）第１のシートを準備する工程；
（Ｂ）第２のシートを準備する工程；
（Ｃ）絶縁基板を準備する工程；
（Ｄ）積層シートを作製する工程；
（Ｅ）積層ブロック体を作製する工程；
（Ｆ）上記積層ブロック体を切断することにより、複数個の樹脂成形体を作製する工程；
（Ｇ）第１の外部電極及び第２の外部電極を形成する工程。
（Ａ）第１のシートを準備する工程；
（Ｂ）第２のシートを準備する工程；
（Ｃ）絶縁基板を準備する工程；
（Ｄ）積層シートを作製する工程；
（Ｅ）積層ブロック体を作製する工程；
（Ｆ）上記積層ブロック体を切断することにより、複数個の樹脂成形体を作製する工程；
（Ｇ）第１の外部電極及び第２の外部電極を形成する工程。
本発明によれば、封止樹脂との密着性が高い固体電解コンデンサを提供することができる。
以下、本発明の固体電解コンデンサ、及び、固体電解コンデンサの製造方法について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
［固体電解コンデンサ］
本発明の固体電解コンデンサは、素子積層体と、絶縁基板と、上記素子積層体の周囲を封止する封止樹脂とを備える直方体状の樹脂成形体と、上記樹脂成形体の第１の端面に設けられる第１の外部電極と、上記樹脂成形体の第２の端面に設けられる第２の外部電極と、を備える固体電解コンデンサであって、上記素子積層体においては、第１層と第２層とが積層され、上記第１層は、表面に誘電体層が形成された弁作用金属基体、及び、上記誘電体層上に設けられた固体電解質層を備え、上記第２層は、金属箔からなり、上記素子積層体の積層方向のいずれか一方の主面に、上記絶縁基板が配置されており、上記樹脂成形体の上記第１の端面には、上記金属箔及び第１の封止部が露出し、上記樹脂成形体の上記第２の端面には、上記弁作用金属基体及び第２の封止部が露出し、上記第１の外部電極は、上記金属箔に接続され、上記第２の外部電極は、上記弁作用金属基体に接続され、上記弁作用金属基体の上記第２の端面側の端部には、第２の切り欠きが設けられており、上記金属箔の上記第１の端面側の端部には、第３の切り欠きが設けられており、さらに、上記絶縁基板には、上記第１の端面側の端部に配置され上記第３の切り欠きと連通する第５の切り欠き、及び、上記第２の端面側の端部に配置され上記第２の切り欠きと連通する第６の切り欠き、の少なくとも一方が設けられており、上記第２の切り欠き、上記第３の切り欠き、及び、上記絶縁基板に設けられた切り欠きは、上記封止樹脂で封止されている。
本発明の固体電解コンデンサは、素子積層体と、絶縁基板と、上記素子積層体の周囲を封止する封止樹脂とを備える直方体状の樹脂成形体と、上記樹脂成形体の第１の端面に設けられる第１の外部電極と、上記樹脂成形体の第２の端面に設けられる第２の外部電極と、を備える固体電解コンデンサであって、上記素子積層体においては、第１層と第２層とが積層され、上記第１層は、表面に誘電体層が形成された弁作用金属基体、及び、上記誘電体層上に設けられた固体電解質層を備え、上記第２層は、金属箔からなり、上記素子積層体の積層方向のいずれか一方の主面に、上記絶縁基板が配置されており、上記樹脂成形体の上記第１の端面には、上記金属箔及び第１の封止部が露出し、上記樹脂成形体の上記第２の端面には、上記弁作用金属基体及び第２の封止部が露出し、上記第１の外部電極は、上記金属箔に接続され、上記第２の外部電極は、上記弁作用金属基体に接続され、上記弁作用金属基体の上記第２の端面側の端部には、第２の切り欠きが設けられており、上記金属箔の上記第１の端面側の端部には、第３の切り欠きが設けられており、さらに、上記絶縁基板には、上記第１の端面側の端部に配置され上記第３の切り欠きと連通する第５の切り欠き、及び、上記第２の端面側の端部に配置され上記第２の切り欠きと連通する第６の切り欠き、の少なくとも一方が設けられており、上記第２の切り欠き、上記第３の切り欠き、及び、上記絶縁基板に設けられた切り欠きは、上記封止樹脂で封止されている。
本発明の固体電解コンデンサの一例について、図１（ａ）、図１（ｂ）及び図２を参照しながら説明する。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の固体電解コンデンサの一例を模式的に示す斜視図であり、図２は、本発明の固体電解コンデンサの一例を模式的に示す断面図である。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、固体電解コンデンサ１は、素子積層体１００と、素子積層体１００の底面に設けられた絶縁基板３０と、素子積層体の周囲を封止する封止樹脂１４０とを備える直方体状の樹脂成形体１５０と、樹脂成形体１５０の第１の端面Ｅ１０１に設けられた第１の外部電極１６１と、第２の端面Ｅ１０２に設けられた第２の外部電極１６２からなる。
図２に示すように、素子積層体１００は、弁作用金属基体１１、誘電体層１２及び固体電解質層１３を備える第１層１１０と、金属箔２１を備える第２層１２０とからなる。
樹脂成形体１５０の第１の端面Ｅ１０１には、金属箔２１及び封止樹脂１４０の一部である第１の封止部１４１が露出しており、第２の端面Ｅ１０２には、弁作用金属基体１１及び封止樹脂１４０の一部である第２の封止部１４２が露出している。従って、樹脂成形体１５０の両端面は、金属箔２１及び弁作用金属基体１１が露出している部分を除いて、封止樹脂１４０で封止されている。
なお、樹脂成形体１５０の第２の端面Ｅ１０２には誘電体層１２も露出しているが、以下の説明においては、単に「弁作用金属基体１１及び第２の封止部１４２が露出する」と記載する。
また、素子積層体１００の底面は、絶縁基板３０により封止されている。
素子積層体１００の上面は、封止樹脂１４０の一部である第３の封止部１４３により封止されており、側面は、封止樹脂１４０の一部である第４の封止部１４４により封止されている。従って、素子積層体１００の周囲は封止樹脂１４０により封止されている。
絶縁基板３０と、絶縁基板３０上に設けられた素子積層体１００と、素子積層体１００の周囲を封止する封止樹脂１４０とをまとめて樹脂成形体１５０という。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明の固体電解コンデンサの一例を模式的に示す斜視図であり、図２は、本発明の固体電解コンデンサの一例を模式的に示す断面図である。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、固体電解コンデンサ１は、素子積層体１００と、素子積層体１００の底面に設けられた絶縁基板３０と、素子積層体の周囲を封止する封止樹脂１４０とを備える直方体状の樹脂成形体１５０と、樹脂成形体１５０の第１の端面Ｅ１０１に設けられた第１の外部電極１６１と、第２の端面Ｅ１０２に設けられた第２の外部電極１６２からなる。
図２に示すように、素子積層体１００は、弁作用金属基体１１、誘電体層１２及び固体電解質層１３を備える第１層１１０と、金属箔２１を備える第２層１２０とからなる。
樹脂成形体１５０の第１の端面Ｅ１０１には、金属箔２１及び封止樹脂１４０の一部である第１の封止部１４１が露出しており、第２の端面Ｅ１０２には、弁作用金属基体１１及び封止樹脂１４０の一部である第２の封止部１４２が露出している。従って、樹脂成形体１５０の両端面は、金属箔２１及び弁作用金属基体１１が露出している部分を除いて、封止樹脂１４０で封止されている。
なお、樹脂成形体１５０の第２の端面Ｅ１０２には誘電体層１２も露出しているが、以下の説明においては、単に「弁作用金属基体１１及び第２の封止部１４２が露出する」と記載する。
また、素子積層体１００の底面は、絶縁基板３０により封止されている。
素子積層体１００の上面は、封止樹脂１４０の一部である第３の封止部１４３により封止されており、側面は、封止樹脂１４０の一部である第４の封止部１４４により封止されている。従って、素子積層体１００の周囲は封止樹脂１４０により封止されている。
絶縁基板３０と、絶縁基板３０上に設けられた素子積層体１００と、素子積層体１００の周囲を封止する封止樹脂１４０とをまとめて樹脂成形体１５０という。
樹脂成形体１５０の第１の端面Ｅ１０１側の金属箔２１の端部には、第３の切り欠きＮ３が設けられている。樹脂成形体１５０の第１の端面Ｅ１０１側の絶縁基板３０の端部には、第５の切り欠きＮ５が設けられており、第３の切り欠きＮ３と第５の切り欠きＮ５は連通している。また、第３の切り欠きＮ３と第５の切り欠きＮ５はいずれも、第１の封止部１４１により封止されている。
また、樹脂成形体１５０の第２の端面Ｅ１０２側の弁作用金属基体１１の端部には、第２の切り欠きＮ２が設けられている。樹脂成形体１５０の第２の端面Ｅ１０２側の絶縁基板３０の端部には、第６の切り欠きＮ６が設けられており、第２の切り欠きＮ２と第６の切り欠きＮ６は連通している。また、第２の切り欠きＮ２と第６の切り欠きＮ６はいずれも、第２の封止部１４２により封止されている。
また、樹脂成形体１５０の第２の端面Ｅ１０２側の弁作用金属基体１１の端部には、第２の切り欠きＮ２が設けられている。樹脂成形体１５０の第２の端面Ｅ１０２側の絶縁基板３０の端部には、第６の切り欠きＮ６が設けられており、第２の切り欠きＮ２と第６の切り欠きＮ６は連通している。また、第２の切り欠きＮ２と第６の切り欠きＮ６はいずれも、第２の封止部１４２により封止されている。
連通とは、封止されていない状態において、互いの領域が、流体が流通できるように繋がっていることを意味する。従って、互いに連通している切り欠きには、封止樹脂が一体的に形成されることになる。図２に示す固体電解コンデンサ１では、第３の切り欠きＮ３と第５の切り欠きＮ５に、第１の封止部１４１が一体的に形成されている。また、第２の切り欠きＮ２と第６の切り欠きＮ６に、第２の封止部１４２が一体的に形成されている。
「一体的に形成されている」とは、両者の境界に界面が存在しないことを意味する。
「一体的に形成されている」とは、両者の境界に界面が存在しないことを意味する。
絶縁基板３０の第５の切り欠きＮ５に第１の封止部１４１が形成されることで、絶縁基板３０と第１の封止部１４１とが互いに噛み合い、絶縁基板３０と封止樹脂の密着性が向上する。
絶縁基板３０の第６の切り欠きＮ６に第２の封止部１４２が形成されることで、絶縁基板３０と第２の封止部１４２とが互いに噛み合い、絶縁基板３０と封止樹脂の密着性が向上する。
絶縁基板３０の第６の切り欠きＮ６に第２の封止部１４２が形成されることで、絶縁基板３０と第２の封止部１４２とが互いに噛み合い、絶縁基板３０と封止樹脂の密着性が向上する。
また、絶縁基板３０の第５の切り欠きＮ５と金属箔２１の第３の切り欠きＮ３とが連通していると、積層ブロックを作製する際に、積層体から発生するガスを第５の切り欠きＮ５を通じて外部に排出することができる。
絶縁基板３０の第６の切り欠きＮ６と弁作用金属基体１１の第２の切り欠きＮ２とが連通していると、積層ブロックを作製する際に、積層体から発生するガスを第６の切り欠きＮ６を通じて外部に排出することができる。
絶縁基板３０の第６の切り欠きＮ６と弁作用金属基体１１の第２の切り欠きＮ２とが連通していると、積層ブロックを作製する際に、積層体から発生するガスを第６の切り欠きＮ６を通じて外部に排出することができる。
なお、本発明の固体電解コンデンサにおいて、連通する切り欠きは、積層方向から素子積層体を見た際に、互いの切り欠きの少なくとも一部が重なっていればよく、完全に重なっている必要はない。
［樹脂成形体］
樹脂成形体は素子積層体と、絶縁基板と、素子積層体の周囲を封止する封止樹脂とを備える。
樹脂成形体の形状は、立方体状である。
樹脂成形体は素子積層体と、絶縁基板と、素子積層体の周囲を封止する封止樹脂とを備える。
樹脂成形体の形状は、立方体状である。
［素子積層体］
素子積層体は、第１層と第２層とが積層されてなる。
素子積層体の第１層は、表面に誘電体層が形成された弁作用金属基体、及び、上記誘電体層上に設けられた固体電解質層を備え、第２層は、金属箔からなる。
素子積層体の第１の端面には金属箔及び第１の封止部が露出し、第２の端面には弁作用金属基体及び第２の封止部が露出する。また、第１の外部電極は、第１の端面に露出する金属箔に接続され、第２の外部電極は、第２の端面に露出する弁作用金属基体に接続される。
素子積層体は、第１層と第２層とが積層されてなる。
素子積層体の第１層は、表面に誘電体層が形成された弁作用金属基体、及び、上記誘電体層上に設けられた固体電解質層を備え、第２層は、金属箔からなる。
素子積層体の第１の端面には金属箔及び第１の封止部が露出し、第２の端面には弁作用金属基体及び第２の封止部が露出する。また、第１の外部電極は、第１の端面に露出する金属箔に接続され、第２の外部電極は、第２の端面に露出する弁作用金属基体に接続される。
［第１層］
弁作用金属基体は、いわゆる弁作用を示す弁作用金属からなる。弁作用金属としては、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジルコニウム等の金属単体、又は、これらの金属を含む合金等が挙げられる。これらの中では、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。
弁作用金属基体は、いわゆる弁作用を示す弁作用金属からなる。弁作用金属としては、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジルコニウム等の金属単体、又は、これらの金属を含む合金等が挙げられる。これらの中では、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。
弁作用金属基体の形状は、平板状であることが好ましく、箔状であることがより好ましい。
弁作用金属基体の第２の端面側の端部には、第２の切り欠きが設けられている。
第２の切り欠きが設けられている箇所は、第２の封止部により封止されている。
第２の切り欠きが設けられていない箇所は、第２の封止部により封止されておらず、樹脂成形体の第２の端面に露出しており、第２の外部電極と接続される。
第２の切り欠きが設けられている箇所は、第２の封止部により封止されている。
第２の切り欠きが設けられていない箇所は、第２の封止部により封止されておらず、樹脂成形体の第２の端面に露出しており、第２の外部電極と接続される。
弁作用金属基体の表面には、多孔質部が設けられていることが好ましい。
弁作用金属基体の表面に多孔質部が設けられていると、弁作用金属基体の比表面積を大きくして、固体電解コンデンサの静電容量を高めることができる。
多孔質部としては、弁作用金属基体の表面に形成されたエッチング層、弁作用金属基体の表面に印刷、焼結により形成された多孔質層が挙げられる。弁作用金属がアルミニウム又はアルミニウム合金の場合はエッチング層が好ましく、チタン又はチタン合金の場合は多孔質層であることが好ましい。
弁作用金属基体の表面に多孔質部が設けられていると、弁作用金属基体の比表面積を大きくして、固体電解コンデンサの静電容量を高めることができる。
多孔質部としては、弁作用金属基体の表面に形成されたエッチング層、弁作用金属基体の表面に印刷、焼結により形成された多孔質層が挙げられる。弁作用金属がアルミニウム又はアルミニウム合金の場合はエッチング層が好ましく、チタン又はチタン合金の場合は多孔質層であることが好ましい。
弁作用金属基体の厚みは特に限定されないが、多孔質部を除く部分の厚みは、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。また、多孔質部の厚み（片面の厚み）は、５μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましい。
多孔質部の表面に形成される誘電体層は、多孔質部の表面状態を反映して多孔質になっており、微細な凹凸状の表面形状を有している。誘電体層は、上記弁作用金属の酸化皮膜からなることが好ましい。
また、製造効率を高める観点から、誘電体層が表面に形成された弁作用金属基体として、予め化成処理が施された化成箔を用いてもよい。
固体電解質層を構成する材料としては、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類等の導電性高分子等が挙げられる。これらの中では、ポリチオフェン類が好ましく、ＰＥＤＯＴと呼ばれるポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）が特に好ましい。また、上記導電性高分子は、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等のドーパントを含んでいてもよい。
固体電解質層上には、導電体層が設けられていてもよい。
導電体層は、カーボン層のみから構成されることが好ましいが、銀層のみから構成されてもよいし、下地であるカーボン層と、その上の銀層の２層から構成されてもよい。カーボン層及び銀層は、例えば、カーボンペースト及び銀ペーストをそれぞれ塗布することにより設けることができる。
導電体層は、カーボン層のみから構成されることが好ましいが、銀層のみから構成されてもよいし、下地であるカーボン層と、その上の銀層の２層から構成されてもよい。カーボン層及び銀層は、例えば、カーボンペースト及び銀ペーストをそれぞれ塗布することにより設けることができる。
固体電解質層上、又は、導電体層上には、導電性接着剤層が設けられていてもよい。
導電性接着剤層を構成する材料としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の絶縁性樹脂と、カーボンや銀等の導電性粒子との混合物が挙げられる。
導電性接着剤層を構成する材料としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の絶縁性樹脂と、カーボンや銀等の導電性粒子との混合物が挙げられる。
［第２層］
第２層は、金属箔からなる。
金属箔は、アルミニウム、銅、銀及びこれらの金属を主成分とする合金からなる群より選択される少なくとも一種の金属からなることが好ましい。
金属箔が上記の金属からなると、金属箔の抵抗値を低減させることができ、ＥＳＲを低減させることができる。
第２層は、金属箔からなる。
金属箔は、アルミニウム、銅、銀及びこれらの金属を主成分とする合金からなる群より選択される少なくとも一種の金属からなることが好ましい。
金属箔が上記の金属からなると、金属箔の抵抗値を低減させることができ、ＥＳＲを低減させることができる。
また、金属箔として、表面にスパッタや蒸着等の成膜方法によりカーボンコートやチタンコートがされた金属箔を用いてもよい。
金属箔の厚みは特に限定されないが、ＥＳＲを低減させる観点からは、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。
金属箔の第１の端面側の端部には、第３の切り欠きが設けられている。
第３の切り欠きが設けられている箇所は、第１の封止部により封止されている。
第３の切り欠きが設けられていない箇所は、第１の封止部により封止されておらず、樹脂成形体の第１の端面に露出しており、第１の外部電極と接続される。
第３の切り欠きが設けられている箇所は、第１の封止部により封止されている。
第３の切り欠きが設けられていない箇所は、第１の封止部により封止されておらず、樹脂成形体の第１の端面に露出しており、第１の外部電極と接続される。
金属箔の表面には、粗化面が形成されていることが好ましい。
金属箔の表面に粗化面が形成されていると、金属箔と導電性接着剤層との密着性、又は、金属箔と他の導電体層との密着性が改善されるため、ＥＳＲを低減させることができる。
粗化面の形成方法は、特に限定されず、エッチング等により粗化面を形成してもよい。特にアルミニウムを用いる場合は、粗面化処理（エッチング処理）が施されたものにカーボンコートやチタンコートを行うことが低抵抗化の上で好ましい。
金属箔の表面に粗化面が形成されていると、金属箔と導電性接着剤層との密着性、又は、金属箔と他の導電体層との密着性が改善されるため、ＥＳＲを低減させることができる。
粗化面の形成方法は、特に限定されず、エッチング等により粗化面を形成してもよい。特にアルミニウムを用いる場合は、粗面化処理（エッチング処理）が施されたものにカーボンコートやチタンコートを行うことが低抵抗化の上で好ましい。
また、金属箔の表面には、アンカーコート剤からなるコート層が形成されていてもよい。
金属箔の表面にアンカーコート剤からなるコート層が形成されていると、金属箔と固体電解質層との密着性、又は、金属箔と他の導電体層との密着性が改善されるため、ＥＳＲを低減させることができる。
金属箔の表面にアンカーコート剤からなるコート層が形成されていると、金属箔と固体電解質層との密着性、又は、金属箔と他の導電体層との密着性が改善されるため、ＥＳＲを低減させることができる。
［絶縁基板］
絶縁基板は、絶縁性材料からなる。
絶縁性材料としては、例えばガラエポ樹脂等が挙げられる。
絶縁基板は、絶縁性材料からなる。
絶縁性材料としては、例えばガラエポ樹脂等が挙げられる。
絶縁基板には、第１の端面側の端部に配置される第５の切り欠き、及び、第２の端面側の端部に配置される第６の切り欠きの少なくとも一方が設けられている。
第５の切り欠きは第３の切り欠きと連通し、第６の切り欠きは第２の切り欠きと連通する。
第５の切り欠きの上面視面積は、第３の切り欠きの上面視面積よりも小さいことが好ましい。
第６の切り欠きの上面視面積は、第２の切り欠きの上面視面積よりも小さいことが好ましい。
第５の切り欠きは第３の切り欠きと連通し、第６の切り欠きは第２の切り欠きと連通する。
第５の切り欠きの上面視面積は、第３の切り欠きの上面視面積よりも小さいことが好ましい。
第６の切り欠きの上面視面積は、第２の切り欠きの上面視面積よりも小さいことが好ましい。
絶縁基板には、第７の貫通穴が設けられていてもよい。
第７の貫通穴は、第５の切り欠き及び第６の切り欠きとは異なる構成である。
第７の貫通穴は、封止樹脂で封止されていることが好ましい。
第７の貫通穴が封止樹脂で封止されていると、絶縁基板と封止樹脂との密着性が高まる。
第７の貫通穴は、第５の切り欠き及び第６の切り欠きとは異なる構成である。
第７の貫通穴は、封止樹脂で封止されていることが好ましい。
第７の貫通穴が封止樹脂で封止されていると、絶縁基板と封止樹脂との密着性が高まる。
［封止樹脂］
封止樹脂は、素子積層体の周囲を封止している。
封止樹脂は、素子積層体の周囲を封止している。
素子積層体の面のうち、金属箔が露出している面は、樹脂成形体の第１の端面である。
樹脂成形体の第１の端面には、金属箔に設けられた第２の切り欠きが封止樹脂によって封止された第１の封止部が露出している。
素子積層体の面のうち、弁作用金属基体が露出している面は、樹脂成形体の第２の端面である。
樹脂成形体の第２の端面には、弁作用金属基体に設けられた第３の切り欠きが封止樹脂によって封止された第２の封止部が露出している。
素子積層体の面のうち、絶縁基板が配置される面と反対側の面は、封止樹脂によって封止されており、第３の封止部が形成されている。
素子積層体の面のうち、上記以外の面も封止樹脂によって封止されており、第４の封止部が形成されている。
樹脂成形体の第１の端面には、金属箔に設けられた第２の切り欠きが封止樹脂によって封止された第１の封止部が露出している。
素子積層体の面のうち、弁作用金属基体が露出している面は、樹脂成形体の第２の端面である。
樹脂成形体の第２の端面には、弁作用金属基体に設けられた第３の切り欠きが封止樹脂によって封止された第２の封止部が露出している。
素子積層体の面のうち、絶縁基板が配置される面と反対側の面は、封止樹脂によって封止されており、第３の封止部が形成されている。
素子積層体の面のうち、上記以外の面も封止樹脂によって封止されており、第４の封止部が形成されている。
封止樹脂は、少なくとも樹脂を含み、好ましくは樹脂及びフィラーを含む。
封止樹脂に含まれる樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、封止樹脂に含まれるフィラーとしては、例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子、金属粒子等が挙げられる。
封止樹脂に含まれる樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、封止樹脂に含まれるフィラーとしては、例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子、金属粒子等が挙げられる。
また、封止樹脂が樹脂及びフィラーを含む場合、封止樹脂の充填性を確保する観点から、フィラーの最大径は、金属箔の最小厚みよりも小さいことが好ましい。
封止樹脂に含まれるフィラー径の最大径は、例えば、３０μｍ以上、４０μｍ以下の範囲にあることが好ましい。
封止樹脂の配色は特に限定されないが、絶縁基板と異なる配色とすることが好ましい。
封止樹脂と絶縁基板の配色が異なっていると、封止樹脂と絶縁基板とを視覚的に分離することが可能となり、封止樹脂及び絶縁基板の状態を確認しやすい。
封止樹脂と絶縁基板の配色が異なっていると、封止樹脂と絶縁基板とを視覚的に分離することが可能となり、封止樹脂及び絶縁基板の状態を確認しやすい。
［第１の外部電極］
第１の外部電極は、樹脂成形体の第１の端面に設けられ、かつ、金属箔に接続されている。従って、第１の外部電極は、陰極となる。
第１の外部電極は、樹脂成形体の第１の端面に設けられ、かつ、金属箔に接続されている。従って、第１の外部電極は、陰極となる。
［第２の外部電極］
第２の外部電極は、樹脂成形体の第２の端面に設けられ、かつ、弁作用金属基体に接続されている。従って、第２の外部電極は、陽極となる。
第２の外部電極は、樹脂成形体の第２の端面に設けられ、かつ、弁作用金属基体に接続されている。従って、第２の外部電極は、陽極となる。
第１の外部電極及び第２の外部電極は、例えば、めっきやスパッタ、浸漬塗布、印刷等により形成することができる。めっきの場合は、めっき層としてはＺｎ・Ａｇ・Ｎｉ層、Ａｇ・Ｎｉ層、Ｎｉ層、Ｚｎ・Ｎｉ・Ａｕ層、Ｎｉ・Ａｕ層、Ｚｎ・Ｎｉ・Ｃｕ層、Ｎｉ・Ｃｕ層等を使用することができる。これらのめっき層の上に、例えば、Ｃｕめっき層、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層の順に（あるいは一部を除いて）めっき層をさらに形成することが好ましい。
本発明の固体電解コンデンサは、以下に説明する本発明の固体電解コンデンサの製造方法により作製される。
本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、以下の工程を備える。
（Ａ）第１のシートを準備する工程；
（Ｂ）第２のシートを準備する工程；
（Ｃ）絶縁基板を準備する工程；
（Ｄ）積層シートを作製する工程；
（Ｅ）積層ブロック体を作製する工程；
（Ｆ）上記積層ブロック体を切断することにより、複数個の樹脂成形体を作製する工程；
（Ｇ）第１の外部電極及び第２の外部電極を形成する工程。
（Ａ）第１のシートを準備する工程；
（Ｂ）第２のシートを準備する工程；
（Ｃ）絶縁基板を準備する工程；
（Ｄ）積層シートを作製する工程；
（Ｅ）積層ブロック体を作製する工程；
（Ｆ）上記積層ブロック体を切断することにより、複数個の樹脂成形体を作製する工程；
（Ｇ）第１の外部電極及び第２の外部電極を形成する工程。
［（Ａ）工程］
（Ａ）工程では、第１のシートを準備する。
第１のシートは、表面に誘電体層が形成された弁作用金属基体、及び、誘電体層上に設けられた固体電解質層を備える。
さらに、第１のシートは、複数個の素子領域を有する。各素子領域は、長さ方向において相対する第１の端部及び第２の端部と、幅方向において相対する第１の側部及び第２の側部とによって区画される。
（Ａ）工程では、第１のシートを準備する。
第１のシートは、表面に誘電体層が形成された弁作用金属基体、及び、誘電体層上に設けられた固体電解質層を備える。
さらに、第１のシートは、複数個の素子領域を有する。各素子領域は、長さ方向において相対する第１の端部及び第２の端部と、幅方向において相対する第１の側部及び第２の側部とによって区画される。
工程（Ａ）で準備される第１シートの一例を、図３（ａ）及び図３（ｂ）を参照しながら説明する。
図３（ａ）は、第１のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）の一部を拡大した斜視図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す第１のシート１０は、複数の素子領域Ｒ１１（以下、第１の素子領域という）と、複数の素子領域Ｒ１２（以下、第２の素子領域という）と、を有している。
図３（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ１１は、長さ方向（Ｌ方向）において相対する第１の端部Ｅ１１及び第２の端部Ｅ１２と、上記長さ方向と直交する幅方向（Ｗ方向）において相対する第１の側部Ｓ１１及び第２の側部Ｓ１２とによって区画されている。第１の素子領域Ｒ１１は、長さ方向（Ｌ方向）の寸法が幅方向（Ｗ方向）の寸法よりも大きい。そして、第１の素子領域Ｒ１１の第１の端部Ｅ１１を長さ方向に跨ぐように、第１の貫通穴Ｈ１が１個形成されているとともに、第１の素子領域Ｒ１１の第２の端部Ｅ１２を長さ方向に跨ぐように、第２の貫通穴Ｈ２が複数個（図３（ｂ）では３個）形成されている。第１の貫通穴Ｈ１は、第１の素子領域Ｒ１１の幅以上の幅を有する１個の長穴からなり、第２の貫通穴Ｈ２は、第１の素子領域Ｒ１１の幅よりも小さい幅を有する複数個の略丸穴からなる。
一方、第２の素子領域Ｒ１２は、第１の素子領域Ｒ１１と同じ形状を有しているが、第１の素子領域Ｒ１１とは第１の端部Ｅ１１及び第２の端部Ｅ１２の向きが反対である。
図３（ａ）に示すように、第１のシート１０においては、第１の素子領域Ｒ１１と第２の素子領域Ｒ１２とが長さ方向に交互に配置されている。図３（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ１１は、隣接する第２の素子領域Ｒ１２と第１の端部Ｅ１１及び第１の貫通穴Ｈ１を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域Ｒ１２と第２の端部Ｅ１２及び第２の貫通穴Ｈ２を共有している。
図３（ａ）は、第１のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）の一部を拡大した斜視図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す第１のシート１０は、複数の素子領域Ｒ１１（以下、第１の素子領域という）と、複数の素子領域Ｒ１２（以下、第２の素子領域という）と、を有している。
図３（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ１１は、長さ方向（Ｌ方向）において相対する第１の端部Ｅ１１及び第２の端部Ｅ１２と、上記長さ方向と直交する幅方向（Ｗ方向）において相対する第１の側部Ｓ１１及び第２の側部Ｓ１２とによって区画されている。第１の素子領域Ｒ１１は、長さ方向（Ｌ方向）の寸法が幅方向（Ｗ方向）の寸法よりも大きい。そして、第１の素子領域Ｒ１１の第１の端部Ｅ１１を長さ方向に跨ぐように、第１の貫通穴Ｈ１が１個形成されているとともに、第１の素子領域Ｒ１１の第２の端部Ｅ１２を長さ方向に跨ぐように、第２の貫通穴Ｈ２が複数個（図３（ｂ）では３個）形成されている。第１の貫通穴Ｈ１は、第１の素子領域Ｒ１１の幅以上の幅を有する１個の長穴からなり、第２の貫通穴Ｈ２は、第１の素子領域Ｒ１１の幅よりも小さい幅を有する複数個の略丸穴からなる。
一方、第２の素子領域Ｒ１２は、第１の素子領域Ｒ１１と同じ形状を有しているが、第１の素子領域Ｒ１１とは第１の端部Ｅ１１及び第２の端部Ｅ１２の向きが反対である。
図３（ａ）に示すように、第１のシート１０においては、第１の素子領域Ｒ１１と第２の素子領域Ｒ１２とが長さ方向に交互に配置されている。図３（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ１１は、隣接する第２の素子領域Ｒ１２と第１の端部Ｅ１１及び第１の貫通穴Ｈ１を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域Ｒ１２と第２の端部Ｅ１２及び第２の貫通穴Ｈ２を共有している。
第１の貫通穴及び第２の貫通穴は、例えば、レーザ加工、エッチング加工、パンチング加工等によって形成される。
さらに、図３（ａ）に示すように、第１のシート１０においては、第１の素子領域Ｒ１１と第２の素子領域Ｒ１２とが幅方向に交互に配置されている。図３（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ１１は、隣接する第２の素子領域Ｒ１２と第１の側部Ｓ１１を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域Ｒ１２と第２の側部Ｓ１２を共有している。
図３（ｂ）に示すように、第１のシート１０は、多孔質部（図示せず）を表面に有する弁作用金属基体１１と、多孔質部の表面に形成された誘電体層１２と、誘電体層１２上の各素子領域の内部にそれぞれ設けられた固体電解質層１３とを備えている。第１のシート１０では、各素子領域の端部及び側部が、絶縁材料からなるマスク層１４によって被覆されており、マスク層１４によって囲まれた領域に固体電解質層１３が設けられている。なお、以降の図においてマスク層１４は省略している。
図３（ｂ）に示す第１のシート１０では、弁作用金属基体１１が多孔質部を両面に有し、それぞれの多孔質部の表面に誘電体層１２が形成されるとともに、誘電体層１２上に固体電解質層１３が設けられている。しかし、第１のシート１０の一方の面に第２のシート２０が積層されない場合、第２のシート２０（金属箔２１）が積層されない側の弁作用金属基体１１の表面には、固体電解質層１３が設けられる必要はない。この場合、第２のシート（金属箔）が積層されない側の弁作用金属基体の表面には、誘電体層が形成されなくてもよいし、多孔質部が形成されなくてもよい。また、第１のシート１０としては、弁作用金属基体１１が多孔質部を片面のみに有し、多孔質部の表面に誘電体層１２が形成されたものを用いてもよい。
なお、第１の貫通穴Ｈ１及び第２の貫通穴Ｈ２は、マスク層１４を形成する前に形成してもよいし、固体電解質層１３を形成した後に形成してもよい。
固体電解質層１３の表面には、導電体層を形成することが好ましい。
導電体層は、カーボン層のみから構成されることが好ましいが、銀層のみから構成されてもよいし、下地であるカーボン層と、その上の銀層の２層から構成されてもよい。カーボン層及び銀層は、例えば、カーボンペースト及び銀ペーストをそれぞれ塗布することにより設けることができる。
導電体層は、カーボン層のみから構成されることが好ましいが、銀層のみから構成されてもよいし、下地であるカーボン層と、その上の銀層の２層から構成されてもよい。カーボン層及び銀層は、例えば、カーボンペースト及び銀ペーストをそれぞれ塗布することにより設けることができる。
第１のシート全体のサイズは、素子領域のサイズ、形状、数、配置、生産能力等によって決定されるものであり、特に限定されない。第１のシートの素子領域の形状は特に限定されないが、矩形であることが好ましい。この場合、第１の端部及び第２の端部は、第１の側部及び第２の側部より短くてもよいし、長くてもよい。
第１のシートは、製造効率の観点から、複数個の素子領域を有する。特に、第１のシートが第１の素子領域及び第２の素子領域を有し、第１の素子領域と第２の素子領域とが長さ方向に交互に配置されていることが好ましく、第１の素子領域と第２の素子領域とが幅方向にも交互に配置されていることがより好ましい。第１の素子領域と第２の素子領域とが交互に配置される場合、第１の貫通穴が第１のシートの幅方向に偏在しないため、シートの強度が低下しにくくなる。
第１のシートにおいて、第１の素子領域と第２の素子領域とが長さ方向に交互に配置されている場合、第１の素子領域は、隣接する第２の素子領域と第１の端部及び第１の貫通穴を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域と第２の端部及び第２の貫通穴を共有することが好ましい。この場合、素子領域を分割するための切断回数、及び、廃棄すべき部分を減らすことができる。
しかし、第１のシートが第１の素子領域及び第２の素子領域を有する場合、第１の素子領域と第２の素子領域とが長さ方向に交互に配置されていなくてもよいし、幅方向に交互に配置されていなくてもよい。また、第１の素子領域と第２の素子領域とが長さ方向に交互に配置されている場合、第１の素子領域は、隣接する第２の素子領域と第１の端部及び第１の貫通穴を共有しなくてもよいし、隣接する他の第２の素子領域と第２の端部及び第２の貫通穴を共有しなくてもよい。さらに、第１の素子領域と第２の素子領域とが幅方向に交互に配置されている場合、第１の素子領域は、隣接する第２の素子領域と第１の側部を共有しなくてもよいし、隣接する他の第２の素子領域と第２の側部を共有しなくてもよい。
第１の貫通穴は、素子領域の幅以上の幅を有する限り、その形状は特に限定されない。
第２の貫通穴は、素子領域の幅よりも小さい幅を有する限り、その形状、個数及び配置等は特に限定されないが、それぞれの素子領域において、幅方向に２個以上形成されていることが好ましい。第２の貫通穴が２個以上形成されている場合、これらの貫通穴は等間隔に形成されていることが好ましい。
なお、第２の貫通穴の１個あたりの幅が小さすぎると、後述する工程において封止部を充填することが困難となり、一方、素子領域の幅に対する第２の貫通穴の幅の合計の割合が大きすぎると、固体電解コンデンサの端面に露出する弁作用金属基体の割合が小さくなるためＥＳＲが増大しやすくなる。
なお、第２の貫通穴の１個あたりの幅が小さすぎると、後述する工程において封止部を充填することが困難となり、一方、素子領域の幅に対する第２の貫通穴の幅の合計の割合が大きすぎると、固体電解コンデンサの端面に露出する弁作用金属基体の割合が小さくなるためＥＳＲが増大しやすくなる。
［（Ｂ）工程］
（Ｂ）工程では、第２のシートを準備する。
第２のシートは金属箔からなる。
第２のシートは、複数個の素子領域を有し、各素子領域は、長さ方向において相対する第１の端部及び第２の端部と、幅方向において相対する第１の側部及び第２の側部とによって区画される。
さらに、第２のシートには、各素子領域の上記第１の端部を跨ぐように、該素子領域の幅よりも小さい幅を有する１個以上の第３の貫通穴が形成されているとともに、各素子領域の第２の端部を跨ぐように、該素子領域の幅以上の幅を有する第４の貫通穴が形成されている。
（Ｂ）工程では、第２のシートを準備する。
第２のシートは金属箔からなる。
第２のシートは、複数個の素子領域を有し、各素子領域は、長さ方向において相対する第１の端部及び第２の端部と、幅方向において相対する第１の側部及び第２の側部とによって区画される。
さらに、第２のシートには、各素子領域の上記第１の端部を跨ぐように、該素子領域の幅よりも小さい幅を有する１個以上の第３の貫通穴が形成されているとともに、各素子領域の第２の端部を跨ぐように、該素子領域の幅以上の幅を有する第４の貫通穴が形成されている。
図４（ａ）は、第２のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す第２のシート２０は、複数の素子領域Ｒ２１（以下、第１の素子領域という）と、複数の素子領域Ｒ２２（以下、第２の素子領域という）と、を有している。
図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す第２のシート２０は、複数の素子領域Ｒ２１（以下、第１の素子領域という）と、複数の素子領域Ｒ２２（以下、第２の素子領域という）と、を有している。
図４（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ２１は、長さ方向（Ｌ方向）において相対する第１の端部Ｅ２１及び第２の端部Ｅ２２と、上記長さ方向と直交する幅方向（Ｗ方向）において相対する第１の側部Ｓ２１及び第２の側部Ｓ２２とによって区画されている。そして、第１の素子領域Ｒ２１の第１の端部Ｅ２１を長さ方向に跨ぐように、第３の貫通穴Ｈ３が複数個（図４（ｂ）では３個）形成されているとともに、第１の素子領域Ｒ２１の第２の端部Ｅ２２を長さ方向に跨ぐように、第４の貫通穴Ｈ４が１個形成されている。第３の貫通穴Ｈ３は、第１の素子領域Ｒ２１の幅よりも小さい幅を有する複数個の略丸穴からなり、第４の貫通穴Ｈ４は、第１の素子領域Ｒ２１の幅以上の幅を有する１個の長穴からなる。
一方、第２の素子領域Ｒ２２は、第１の素子領域Ｒ２１と同じ形状を有しているが、第１の素子領域Ｒ２１とは第１の端部Ｅ２１及び第２の端部Ｅ２２の向きが反対である。
図４（ａ）に示すように、第２のシート２０においては、第１の素子領域Ｒ２１と第２の素子領域Ｒ２２とが長さ方向に交互に配置されている。図４（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ２１は、隣接する第２の素子領域Ｒ２２と第１の端部Ｅ２１及び第３の貫通穴Ｈ３を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域Ｒ２２と第２の端部Ｅ２２及び第４の貫通穴Ｈ４を共有している。
さらに、図４（ａ）に示すように、第２のシート２０においては、第１の素子領域Ｒ２１と第２の素子領域Ｒ２２とが幅方向に交互に配置されている。図４（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ２１は、隣接する第２の素子領域Ｒ２２と第１の側部Ｓ２１を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域Ｒ２２と第２の側部Ｓ２２を共有している。
第２のシートは、好ましくは、以下のように作製される。
まず、金属箔を準備する。
まず、金属箔を準備する。
金属箔は、アルミニウム、銅、銀及びこれらの金属を主成分とする合金からなる群より選択される少なくとも一種の金属からなることが好ましい。
金属箔が上記の金属からなると、金属箔の抵抗値を低減させることができ、ＥＳＲを低減させることができる。
金属箔が上記の金属からなると、金属箔の抵抗値を低減させることができ、ＥＳＲを低減させることができる。
また、金属箔として、表面にスパッタや蒸着等の成膜方法によりカーボンコートやチタンコートがされた金属箔を用いてもよい。
金属箔の厚みは特に限定されないが、ＥＳＲを低減させる観点からは、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。
金属箔の表面には、粗化面が形成されていることが好ましい。
金属箔の表面に粗化面が形成されていると、金属箔と導電性接着剤層との密着性、及び、金属箔と絶縁性接着剤層との密着性が改善されるため、ＥＳＲを低減させることができる。
粗化面の形成方法は、特に限定されず、エッチング等により粗化面を形成してもよい。特にアルミニウムを用いる場合は、粗面化処理（エッチング処理）が施されたものにカーボンコートやチタンコートを行うことが低抵抗化の上で好ましい。
金属箔の表面に粗化面が形成されていると、金属箔と導電性接着剤層との密着性、及び、金属箔と絶縁性接着剤層との密着性が改善されるため、ＥＳＲを低減させることができる。
粗化面の形成方法は、特に限定されず、エッチング等により粗化面を形成してもよい。特にアルミニウムを用いる場合は、粗面化処理（エッチング処理）が施されたものにカーボンコートやチタンコートを行うことが低抵抗化の上で好ましい。
また、金属箔の表面には、アンカーコート剤からなるコート層が形成されていてもよい。
金属箔の表面にアンカーコート剤からなるコート層が形成されていると、金属箔と固体電解質層との密着性、又は、金属箔と他の導電体層との密着性が改善されるため、ＥＳＲを低減させることができる。
金属箔の表面にアンカーコート剤からなるコート層が形成されていると、金属箔と固体電解質層との密着性、又は、金属箔と他の導電体層との密着性が改善されるため、ＥＳＲを低減させることができる。
続いて、各素子領域の第１の端部Ｅ２１を跨ぐように第３の貫通穴Ｈ３を形成するとともに、各素子領域の第２の端部Ｅ２２を跨ぐように第４の貫通穴Ｈ４を形成する。
第３の貫通穴及び第４の貫通穴は、例えば、レーザ加工、エッチング加工、パンチング加工等によって形成される。
第３の貫通穴及び第４の貫通穴は、例えば、レーザ加工、エッチング加工、パンチング加工等によって形成される。
第２のシート全体のサイズは特に限定されないが、第１のシート全体のサイズと同じであることが好ましい。第２のシートの素子領域の形状、数及び配置は、対向する第１のシートの素子領域の形状、数及び配置と同じであることが好ましい。
第２のシートは、製造効率の観点から、複数個の素子領域を有する。特に、第２のシートが第１の素子領域及び第２の素子領域を有し、第１の素子領域と第２の素子領域とが長さ方向に交互に配置されていることが好ましく、第１の素子領域と第２の素子領域とが幅方向にも交互に配置されていることがより好ましい。第１の素子領域と第２の素子領域とが交互に配置される場合、第４の貫通穴が第２のシートの幅方向に偏在しないため、シートの強度が低下しにくくなる。
第２のシートにおいて、第１の素子領域と第２の素子領域とが長さ方向に交互に配置されている場合、第１の素子領域は、隣接する第２の素子領域と第１の端部及び第３の貫通穴を共有するとともに、隣接する他の第２の素子領域と第２の端部及び第４の貫通穴を共有することが好ましい。この場合、素子領域を分割するための切断回数、及び、廃棄すべき部分を減らすことができる。
しかし、第２のシートが第１の素子領域及び第２の素子領域を有する場合、第１の素子領域と第２の素子領域とが長さ方向に交互に配置されていなくてもよいし、幅方向に交互に配置されていなくてもよい。また、第１の素子領域と第２の素子領域とが長さ方向に交互に配置されている場合、第１の素子領域は、隣接する第２の素子領域と第１の端部及び第３の貫通穴を共有しなくてもよいし、隣接する他の第２の素子領域と第２の端部及び第４の貫通穴を共有しなくてもよい。さらに、第１の素子領域と第２の素子領域とが幅方向に交互に配置されている場合、第１の素子領域は、隣接する第２の素子領域と第１の側部を共有しなくてもよいし、隣接する他の第２の素子領域と第２の側部を共有しなくてもよい。
第３の貫通穴は、素子領域の幅よりも小さい幅を有する限り、その形状、個数及び配置等は特に限定されないが、それぞれの素子領域において、幅方向に２個以上形成されていることが好ましい。第３の貫通穴が２個以上形成されている場合、これらの貫通穴は等間隔に形成されていることが好ましい。
なお、第３の貫通穴の１個あたりの幅が小さすぎると、後述する工程において封止樹脂を充填することが困難となり、一方、素子領域の幅に対する第３の貫通穴の幅の合計の割合が大きすぎると、固体電解コンデンサの端面に露出する金属箔の割合が小さくなるためＥＳＲが増大しやすくなる。
なお、第３の貫通穴の１個あたりの幅が小さすぎると、後述する工程において封止樹脂を充填することが困難となり、一方、素子領域の幅に対する第３の貫通穴の幅の合計の割合が大きすぎると、固体電解コンデンサの端面に露出する金属箔の割合が小さくなるためＥＳＲが増大しやすくなる。
第４の貫通穴は、素子領域の幅以上の幅を有する限り、その形状は特に限定されない。
［（Ｃ）工程］
（Ｃ）工程では、絶縁基板を準備する。
絶縁基板を構成する材料としては、ガラエポ樹脂等の絶縁性材料が挙げられる。
絶縁基板は、複数個の素子領域を有し、各素子領域は、長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面と、幅方向において相対する第１の側部及び第２の側部とによって区画される。
さらに、絶縁基板には、各素子領域の第１の端部を跨ぐように、該素子領域の幅よりも小さい幅を有する１個以上の第５の貫通穴、及び、各素子領域の第２の端部を跨ぐように、該素子領域の幅よりも小さい幅を有する１個以上の第６の貫通穴、の少なくとも一方が形成されている。
（Ｃ）工程では、絶縁基板を準備する。
絶縁基板を構成する材料としては、ガラエポ樹脂等の絶縁性材料が挙げられる。
絶縁基板は、複数個の素子領域を有し、各素子領域は、長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面と、幅方向において相対する第１の側部及び第２の側部とによって区画される。
さらに、絶縁基板には、各素子領域の第１の端部を跨ぐように、該素子領域の幅よりも小さい幅を有する１個以上の第５の貫通穴、及び、各素子領域の第２の端部を跨ぐように、該素子領域の幅よりも小さい幅を有する１個以上の第６の貫通穴、の少なくとも一方が形成されている。
図５（ａ）は、絶縁基板の一例を模式的に示す斜視図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す絶縁基板３０は、複数の素子領域Ｒ３１（以下、第１の素子領域という）と、複数の素子領域Ｒ３２（以下、第２の素子領域という）と、を有している。
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す絶縁基板３０は、複数の素子領域Ｒ３１（以下、第１の素子領域という）と、複数の素子領域Ｒ３２（以下、第２の素子領域という）と、を有している。
図５（ｂ）に示すように、第１の素子領域Ｒ３１は、長さ方向（Ｌ方向）において相対する第１の端部Ｅ３１及び第２の端部Ｅ３２と、上記長さ方向と直交する幅方向（Ｗ方向）において相対する第１の側部Ｓ３１及び第２の側部Ｓ３２とによって区画されている。そして、第１の素子領域Ｒ３１の第１の端部Ｅ３１を長さ方向に跨ぐように、第５の貫通穴Ｈ５が複数個（図５（ｂ）では３個）形成されているとともに、第１の素子領域Ｒ３１の第２の端部Ｅ３２を長さ方向に跨ぐように、第６の貫通穴Ｈ６が複数個（図５（ｂ）では３個）形成されている。第５の貫通穴Ｈ５は、第１の素子領域Ｒ３１の幅よりも小さい幅を有する複数個の略丸穴からなり、第６の貫通穴Ｈ６は、第１の素子領域Ｒ３１の幅よりも小さい幅を有する複数個の略丸穴からなる。
ただし、（Ｃ）工程において準備される絶縁基板には、各素子領域の第１の端部を跨ぐように、該素子領域の幅よりも小さい幅を有する１個以上の第５の貫通穴、及び、各素子領域の第２の端部を跨ぐように、該素子領域の幅よりも小さい幅を有する１個以上の第６の貫通穴、の少なくとも一方が形成されていればよい。従って、図５（ｂ）に示す絶縁基板の第５の貫通穴、又は、第６の貫通穴のいずれか一方が、素子領域の幅以上の幅を有する長穴であってもよい。
第５の貫通穴及び第６の貫通穴は、例えば、レーザ加工、エッチング加工、パンチング加工等によって形成される。
第５の貫通穴の上面視面積は、第３の貫通穴の上面視面積よりも小さいことが好ましい。
第６の貫通穴の上面視面積は、第２の貫通穴の上面視面積よりも小さいことが好ましい。
絶縁基板に設けられた貫通穴（第５の貫通穴、第６の貫通穴）の上面視面積が、第１のシート及び第２のシートに設けられた貫通穴（第３の貫通穴、第２の貫通穴）の上面視面積よりも小さいと、後述する（Ｅ）工程における封止樹脂の外部への漏れを抑制することができる。
第５の貫通穴及び第６の貫通穴は、例えば、レーザ加工、エッチング加工、パンチング加工等によって形成される。
第５の貫通穴の上面視面積は、第３の貫通穴の上面視面積よりも小さいことが好ましい。
第６の貫通穴の上面視面積は、第２の貫通穴の上面視面積よりも小さいことが好ましい。
絶縁基板に設けられた貫通穴（第５の貫通穴、第６の貫通穴）の上面視面積が、第１のシート及び第２のシートに設けられた貫通穴（第３の貫通穴、第２の貫通穴）の上面視面積よりも小さいと、後述する（Ｅ）工程における封止樹脂の外部への漏れを抑制することができる。
（Ｃ）工程においては、絶縁基板に、第５の貫通穴及び第６の貫通穴とは異なる第７の貫通穴を形成してもよい。第７の貫通穴は、絶縁基板の素子領域の第１の端部及び第２の端部をいずれも跨がない貫通穴である。
第７の貫通穴は、後述する（Ｆ）工程及び（Ｇ）工程において切断されることなく、絶縁基板に残る。
第７の貫通穴は、後述する（Ｆ）工程及び（Ｇ）工程において切断されることなく、絶縁基板に残る。
［（Ｄ）工程］
（Ｄ）工程では、第１のシート、第２のシート及び絶縁基板を積層して、積層シートを作製する。
絶縁基板は、積層シートの最上面又は最底面に位置するように配置する。
このとき、各素子領域の第１の端部同士及び第２の端部同士がそれぞれ対向するように、かつ、第１の貫通穴と第３の貫通穴と第５の貫通穴、及び、第２の貫通穴と第４の貫通穴と第６の貫通穴がそれぞれ積層方向に連通されるように、第１のシート、第２のシート及び絶縁基板を積層する。上述したように、第１のシート、第２のシート及び絶縁基板を積層することで、第２の貫通穴と第６の貫通穴とが連通し、第３の貫通穴と第５の貫通穴とが連通する。
（Ｄ）工程では、第１のシート、第２のシート及び絶縁基板を積層して、積層シートを作製する。
絶縁基板は、積層シートの最上面又は最底面に位置するように配置する。
このとき、各素子領域の第１の端部同士及び第２の端部同士がそれぞれ対向するように、かつ、第１の貫通穴と第３の貫通穴と第５の貫通穴、及び、第２の貫通穴と第４の貫通穴と第６の貫通穴がそれぞれ積層方向に連通されるように、第１のシート、第２のシート及び絶縁基板を積層する。上述したように、第１のシート、第２のシート及び絶縁基板を積層することで、第２の貫通穴と第６の貫通穴とが連通し、第３の貫通穴と第５の貫通穴とが連通する。
第１のシートと第２のシートとを積層する際には、固体電解質層上に設けられた導電体層を介して弁作用金属基体と金属箔とを接続してもよい。この場合、導電体層上にさらに導電性接着剤層を設けてもよい。
また、固体電解質層、導電体層又は導電性接着剤層が設けられていない部分については、絶縁性接着剤層を介して弁作用金属基体と金属箔とを接続することが好ましい。
図６（ａ）は、絶縁性接着剤層が設けられた第１のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
図６（ａ）及び図６（ｂ）では、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す第１のシート１０のマスク層１４上に、絶縁性接着剤層１５が設けられている。
図６（ａ）及び図６（ｂ）では、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す第１のシート１０のマスク層１４上に、絶縁性接着剤層１５が設けられている。
絶縁性接着剤層は、例えば、絶縁性樹脂等の絶縁材料をマスク層上に塗布し、加熱等によって固化又は硬化させることによって形成される。絶縁材料の塗布は、スクリーン印刷、ディスペンサ、インクジェット印刷等により行うことが好ましい。
第１のシートと第２のシートとを積層する際には、固体電解質層上に設けられた導電体層を介して弁作用金属基体と金属箔とを接続することが好ましい。
図７（ａ）は、導電体層が設けられた第１のシートの一例を模式的に示す斜視図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）の一部を拡大した斜視図である。
図７（ａ）及び図７（ｂ）では、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す第１のシート１０の固体電解質層１３上に、導電体層１６が設けられている。
図７（ａ）及び図７（ｂ）では、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す第１のシート１０の固体電解質層１３上に、導電体層１６が設けられている。
導電体層は、カーボン層のみから構成されることが好ましいが、銀層のみから構成されてもよいし、下地であるカーボン層と、その上の銀層の２層から構成されてもよい。カーボン層及び銀層は、例えば、カーボンペースト及び銀ペーストをそれぞれ塗布することにより設けることができる。
図８（ａ）は、積層シートの一例を模式的に示す斜視図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）の一部を分解して拡大した斜視図である。
図８（ａ）に示すように、第１のシート１０と第２のシート２０とが交互になるように、かつ、底面に絶縁基板３０が配置されるように、第１のシート１０、第２のシート２０及び絶縁基板３０を積層することで、図８（ｂ）に示すような、第１の主面Ｍ４１及び第２の主面Ｍ４２を有する積層シート４０を得る。積層シート４０の第２の主面Ｍ４２には、絶縁基板３０が配置されている。
図８（ａ）に示すように、第１のシート１０と第２のシート２０とが交互になるように、かつ、底面に絶縁基板３０が配置されるように、第１のシート１０、第２のシート２０及び絶縁基板３０を積層することで、図８（ｂ）に示すような、第１の主面Ｍ４１及び第２の主面Ｍ４２を有する積層シート４０を得る。積層シート４０の第２の主面Ｍ４２には、絶縁基板３０が配置されている。
図９は、積層シートを構成する第１のシート、第２のシート及び絶縁基板の位置関係を示す分解斜視図である。
図９に示すように、積層シート４０では、第２の貫通穴Ｈ２及び第６の貫通穴Ｈ６が重なるように、かつ、第３の貫通穴Ｈ３及び第５の貫通穴Ｈ５が重なるように、第１のシート１０、第２のシート２０及び絶縁基板３０が配置されている。２点鎖線で示すように、第２の貫通穴Ｈ２と第６の貫通穴Ｈ６、第３の貫通穴Ｈ３と第５の貫通穴Ｈ５は、積層シートの積層方向から見た際に、互いに重なる位置に配置されている。上記のように配置されることで、第２の貫通穴Ｈ２と第６の貫通穴Ｈ６、及び、第３の貫通穴Ｈ３と第５の貫通穴Ｈ５は連通する。
図９に示すように、積層シート４０では、第２の貫通穴Ｈ２及び第６の貫通穴Ｈ６が重なるように、かつ、第３の貫通穴Ｈ３及び第５の貫通穴Ｈ５が重なるように、第１のシート１０、第２のシート２０及び絶縁基板３０が配置されている。２点鎖線で示すように、第２の貫通穴Ｈ２と第６の貫通穴Ｈ６、第３の貫通穴Ｈ３と第５の貫通穴Ｈ５は、積層シートの積層方向から見た際に、互いに重なる位置に配置されている。上記のように配置されることで、第２の貫通穴Ｈ２と第６の貫通穴Ｈ６、及び、第３の貫通穴Ｈ３と第５の貫通穴Ｈ５は連通する。
［（Ｅ）工程］
（Ｅ）工程では、積層シートの積層方向において絶縁基板と相対する主面側から、第１のシート、第２のシート及び絶縁基板に設けられた貫通穴にそれぞれ封止樹脂を充填して、積層ブロック体を作製する。
（Ｅ）工程では、積層シートの積層方向において絶縁基板と相対する主面側から、第１のシート、第２のシート及び絶縁基板に設けられた貫通穴にそれぞれ封止樹脂を充填して、積層ブロック体を作製する。
図１０は、積層ブロック体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１１は、図１０に示す積層ブロックを構成する第１のシート、第２のシート及び絶縁基板を示す分解斜視図である。
図８（ｂ）に示した積層シート４０の絶縁基板３０と相対する主面である第１の主面Ｍ４１側から封止樹脂が充填されることにより、図１０に示す積層ブロック体５０が得られる。積層ブロック体５０には、積層シートの上面を被覆する第３の封止部１４３が設けられている。
積層ブロック体５０では、絶縁基板３０と相対する主面側から封止樹脂が充填されることにより、図１１に示すように、第１の貫通穴Ｈ１、第３の貫通穴Ｈ３及び第５の貫通穴Ｈ５を充填する第１の封止部１４１、並びに、第２の貫通穴Ｈ２、第４の貫通穴Ｈ４及び第６の貫通穴Ｈ６を充填する第２の封止部１４２が形成される。
図８（ｂ）に示した積層シート４０の絶縁基板３０と相対する主面である第１の主面Ｍ４１側から封止樹脂が充填されることにより、図１０に示す積層ブロック体５０が得られる。積層ブロック体５０には、積層シートの上面を被覆する第３の封止部１４３が設けられている。
積層ブロック体５０では、絶縁基板３０と相対する主面側から封止樹脂が充填されることにより、図１１に示すように、第１の貫通穴Ｈ１、第３の貫通穴Ｈ３及び第５の貫通穴Ｈ５を充填する第１の封止部１４１、並びに、第２の貫通穴Ｈ２、第４の貫通穴Ｈ４及び第６の貫通穴Ｈ６を充填する第２の封止部１４２が形成される。
封止樹脂は、少なくとも樹脂を含み、好ましくは樹脂及びフィラーを含む。
封止樹脂に含まれる樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、封止樹脂に含まれるフィラーとしては、例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子、金属粒子等が挙げられる。
封止樹脂に含まれる樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、封止樹脂に含まれるフィラーとしては、例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子、金属粒子等が挙げられる。
封止樹脂が樹脂及びフィラーを含む場合、封止樹脂の充填性を確保する観点から、フィラーの最大径は、第１の貫通穴、第２の貫通穴、第３の貫通穴、第４の貫通穴、第５の貫通穴及び第６の貫通穴の最小径よりも小さいことが好ましい。
なお、貫通穴の径とは、断面形状が円形の場合には直径、円形以外の場合には断面の中心を通る最大長さをいう。
なお、貫通穴の径とは、断面形状が円形の場合には直径、円形以外の場合には断面の中心を通る最大長さをいう。
また、封止樹脂が樹脂及びフィラーを含む場合、封止樹脂の充填性を確保する観点から、フィラーの最大径は、金属箔の最小厚みよりも小さいことが好ましい。
封止樹脂に含まれるフィラー径の最大径は、例えば、３０μｍ以上、４０μｍ以下の範囲にあることが好ましい。
［（Ｆ）工程］
（Ｆ）工程では、積層ブロック体を、貫通穴に封止樹脂が充填された封止部を両側に分離するように、各素子領域の第１の端部及び第２の端部の位置で切断する。
積層ブロック体を、各素子領域の第１の端部及び第２の端部の位置で切断するとともに、各素子領域の第１の側部及び第２の側部の位置で切断することにより、複数個の樹脂成形体を作製する。
このとき、第２の貫通穴、第３の貫通穴、第５の貫通穴及び第６の貫通穴も分断されることとなり、各貫通穴が分断されることにより、それぞれ、第２の切り欠き、第３の切り欠き、第５の切り欠き及び第６の切り欠きが形成される。
ただし、この段階ですでに、各切り欠きは封止樹脂によって封止されている。
（Ｆ）工程では、積層ブロック体を、貫通穴に封止樹脂が充填された封止部を両側に分離するように、各素子領域の第１の端部及び第２の端部の位置で切断する。
積層ブロック体を、各素子領域の第１の端部及び第２の端部の位置で切断するとともに、各素子領域の第１の側部及び第２の側部の位置で切断することにより、複数個の樹脂成形体を作製する。
このとき、第２の貫通穴、第３の貫通穴、第５の貫通穴及び第６の貫通穴も分断されることとなり、各貫通穴が分断されることにより、それぞれ、第２の切り欠き、第３の切り欠き、第５の切り欠き及び第６の切り欠きが形成される。
ただし、この段階ですでに、各切り欠きは封止樹脂によって封止されている。
図１２（ａ）は、切断する前の弁作用金属基体の一例を模式的に示す平面図であり、図１２（ｂ）は、切断した後の弁作用金属基体を模式的に示す平面図である。
図１２（ａ）に示すように、積層ブロック体に含まれる第１のシートを構成する弁作用金属基体１１には、各素子領域の第１の端部Ｅ１１を跨ぐ第１の貫通穴Ｈ１を充填する第１の封止部１４１、及び、各素子領域の第２の端部Ｅ１２を跨ぐ第２の貫通穴Ｈ２を充填する第２の封止部１４２が形成されている。
図１２（ａ）に示すように、積層ブロック体に含まれる第１のシートを構成する弁作用金属基体１１には、各素子領域の第１の端部Ｅ１１を跨ぐ第１の貫通穴Ｈ１を充填する第１の封止部１４１、及び、各素子領域の第２の端部Ｅ１２を跨ぐ第２の貫通穴Ｈ２を充填する第２の封止部１４２が形成されている。
従って、各素子領域の第１の端部Ｅ１１及び第２の端部Ｅ１２の位置で、第１の封止部１４１及び第２の封止部１４２を両側に分離するように弁作用金属基体１１をダイシング等で切断すると、図１２（ｂ）に示すように、第１の端部Ｅ１１側の切断面である第１の端面Ｅ１０１には、第１の封止部１４１が露出し、弁作用金属基体１１が露出しない。一方、第２の端部Ｅ１２側の切断面である第２の端面Ｅ１０２には、弁作用金属基体１１及び第２の封止部１４２が露出する。
このとき、第２の貫通穴Ｈ２が分断されることにより、第２の端面Ｅ１０２に第２の切り欠きＮ２が形成される。
このとき、第２の貫通穴Ｈ２が分断されることにより、第２の端面Ｅ１０２に第２の切り欠きＮ２が形成される。
また、各素子領域の第１の側部Ｓ１１及び第２の側部Ｓ１２の位置で弁作用金属基体１１をダイシング等で切断すると、図１２（ｂ）に示すように、どちらの切断面にも弁作用金属基体１１が露出する。
図１３（ａ）は、切断する前の金属箔の一例を模式的に示す平面図であり、図１３（ｂ）は、切断した後の金属箔を模式的に示す平面図である。
図１３（ａ）に示すように、積層ブロック体に含まれる第２のシートを構成する金属箔２１には、各素子領域の第１の端部Ｅ２１を跨ぐ第３の貫通穴Ｈ３を充填する第１の封止部１４１、及び、各素子領域の第２の端部Ｅ２２を跨ぐ第４の貫通穴Ｈ４を充填する第２の封止部１４２が形成されている。
図１３（ａ）に示すように、積層ブロック体に含まれる第２のシートを構成する金属箔２１には、各素子領域の第１の端部Ｅ２１を跨ぐ第３の貫通穴Ｈ３を充填する第１の封止部１４１、及び、各素子領域の第２の端部Ｅ２２を跨ぐ第４の貫通穴Ｈ４を充填する第２の封止部１４２が形成されている。
従って、各素子領域の第１の端部Ｅ２１及び第２の端部Ｅ２２の位置で、第１の封止部１４１及び第２の封止部１４２を両側に分離するように金属箔２１をダイシング等で切断すると、図１３（ｂ）に示すように、第１の端部Ｅ２１側の切断面である第１の端面Ｅ１０１には、金属箔２１及び第１の封止部１４１が露出する。一方、第２の端部Ｅ２２側の切断面である第２の端面Ｅ１０２には、第２の封止部１４２が露出し、金属箔２１が露出しない。
このとき、第３の貫通穴Ｈ３が分断されることにより、第１の端面Ｅ１０１に第３の切り欠きＮ３が形成される。
このとき、第３の貫通穴Ｈ３が分断されることにより、第１の端面Ｅ１０１に第３の切り欠きＮ３が形成される。
また、各素子領域の第１の側部Ｓ２１及び第２の側部Ｓ２２の位置で金属箔２１を切断すると、図１３（ｂ）に示すように、どちらの切断面にも金属箔２１が露出する。
図１４（ａ）は、切断する前の絶縁基板の一例を模式的に示す平面図であり、図１４（ｂ）は、切断した後の絶縁基板を模式的に示す平面図である。
図１４（ａ）に示すように、積層ブロック体に含まれる絶縁基板３０には、各素子領域の第１の端部Ｅ３１を跨ぐ第５の貫通穴Ｈ５を充填する第１の封止部１４１、及び、各素子領域の第２の端部Ｅ３２を跨ぐ第６の貫通穴Ｈ６を充填する第２の封止部１４２が形成されている。
図１４（ａ）に示すように、積層ブロック体に含まれる絶縁基板３０には、各素子領域の第１の端部Ｅ３１を跨ぐ第５の貫通穴Ｈ５を充填する第１の封止部１４１、及び、各素子領域の第２の端部Ｅ３２を跨ぐ第６の貫通穴Ｈ６を充填する第２の封止部１４２が形成されている。
従って、各素子領域の第１の端部Ｅ３１及び第２の端部Ｅ３２の位置で、第１の封止部１４１及び第２の封止部１４２を両側に分離するように絶縁基板３０をダイシング等で切断すると、図１４（ｂ）に示すように、第１の端部Ｅ３１側の切断面である第１の端面Ｅ１０１には、絶縁基板３０及び第１の封止部１４１が露出する。一方、第２の端部Ｅ３２側の切断面である第２の端面Ｅ１０２には、絶縁基板３０及び第２の封止部１４２が露出する。
このとき、第５の貫通穴Ｈ５が分断されることにより、第１の端面Ｅ１０１に第５の切り欠きＮ５が形成される。また、第６の貫通穴Ｈ６が分断されることにより、第２の端面Ｅ１０２に第６の切り欠きＮ６が形成される。
このとき、第５の貫通穴Ｈ５が分断されることにより、第１の端面Ｅ１０１に第５の切り欠きＮ５が形成される。また、第６の貫通穴Ｈ６が分断されることにより、第２の端面Ｅ１０２に第６の切り欠きＮ６が形成される。
また、各素子領域の第１の側部Ｓ３１及び第２の側部Ｓ３２の位置で絶縁基板３０を切断すると、図１４（ｂ）に示すように、どちらの切断面にも絶縁基板３０が露出する。
以上のように、積層ブロック体を、各素子領域の第１の端部及び第２の端部の位置で切断することにより、得られる樹脂成形体の第１の端面には金属箔及び第１の封止部を露出させることができ、第２の端面には弁作用金属基体及び第２の封止部を露出させることができる。
また、積層ブロック体を、各素子領域の第１の側部及び第２の側部の位置で切断することにより得られる切断面には、金属箔及び弁作用金属基体の両方が露出するため、樹脂成形体のそれぞれの側面を構成する第４の封止部を形成することが好ましい。
樹脂成形体は、好ましくは、以下のように作製される。
まず、積層ブロック体を、各素子領域の第１の側部及び第２の側部に沿って切断する。積層ブロック体の切断には、例えば、ダイサーを用いたダイシング等の方法が適用される。
図１５（ａ）は、切断された後の積層ブロック体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）の一部を分解して拡大した斜視図である。
例えば、図１０に示す積層ブロック体５０を、各素子領域の第１の側部及び第２の側部に沿って切断することによって、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、第１の側部及び第２の側部に沿った隙間Ｇが形成された積層ブロック体５０ａを作製する。積層ブロック体５０ａにおいては、図１５（ｂ）に示すように、切断によって現れた切断側面には、金属箔２１、絶縁性接着剤層１５及び弁作用金属基体１１が露出する。金属箔２１、弁作用金属基体１１と同様に絶縁基板３０も切断側面に露出するが、説明は省略する。なお、図示していないが、金属箔２１及び弁作用金属基体１１の露出部の厚み（Ｔ方向の厚み）は、露出していない内部の金属箔２１及び弁作用金属基体１１の厚みに比べて大きく、厚み方向の上下にテーパー状に拡がっている。
例えば、図１０に示す積層ブロック体５０を、各素子領域の第１の側部及び第２の側部に沿って切断することによって、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、第１の側部及び第２の側部に沿った隙間Ｇが形成された積層ブロック体５０ａを作製する。積層ブロック体５０ａにおいては、図１５（ｂ）に示すように、切断によって現れた切断側面には、金属箔２１、絶縁性接着剤層１５及び弁作用金属基体１１が露出する。金属箔２１、弁作用金属基体１１と同様に絶縁基板３０も切断側面に露出するが、説明は省略する。なお、図示していないが、金属箔２１及び弁作用金属基体１１の露出部の厚み（Ｔ方向の厚み）は、露出していない内部の金属箔２１及び弁作用金属基体１１の厚みに比べて大きく、厚み方向の上下にテーパー状に拡がっている。
次に、積層ブロック体に形成された隙間に封止樹脂を充填する。これにより、上記隙間を充填する第４の封止部が形成される。封止樹脂としては、例えば、第１の封止部及び第２の封止部を形成するための封止樹脂を用いることができる。
図１６は、第４の封止部が形成された積層ブロック体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１７は、図１６の一部を分解して拡大した斜視図である。
図１５（ａ）に示す積層ブロック体５０ａの隙間Ｇに封止樹脂を充填することにより、図１６及び図１７に示すように、隙間Ｇを充填する第４の封止部１４４が形成された積層ブロック体５０ｂを作製する。図１７に示すように、第４の封止部は、積層ブロック体５０ｂを構成する弁作用金属１１、金属箔２１及び絶縁基板３０の側面を覆う。
図１５（ａ）に示す積層ブロック体５０ａの隙間Ｇに封止樹脂を充填することにより、図１６及び図１７に示すように、隙間Ｇを充填する第４の封止部１４４が形成された積層ブロック体５０ｂを作製する。図１７に示すように、第４の封止部は、積層ブロック体５０ｂを構成する弁作用金属１１、金属箔２１及び絶縁基板３０の側面を覆う。
その後、積層ブロック体を、各素子領域の第１の端部及び第２の端部の位置で、第１の封止部１４１及び第２の封止部１４２を両側に分離するように切断するとともに、各素子領域の第１の側部及び第２の側部の位置で、第４の封止部１４４を両側に分離するように切断する。これにより、第１の側部及び第２の側部が封止部により絶縁化された樹脂成形体に個片化することができる。積層ブロック体の切断には、例えば、ダイサーを用いたダイシングやカット刃、レーザー加工、スクライブ等の方法が適用される。
図１８は、個片化された樹脂成形体の一例を模式的に示す斜視図であり、図１９は、図１８の一部を分解して拡大した斜視図である。
図１６に示す積層ブロック体５０ｂを、各素子領域の第１の端部及び第２の端部の位置で切断するとともに、各素子領域の第１の側部及び第２の側部の位置で切断することにより、図１８に示すように、底面を絶縁基板３０に、上面を第３の封止部１４３に挟まれた素子積層体１００が得られる。この際、図１８に示すように、第１の側部及び第２の側部の位置で切断することによって現れた切断側面が第４の封止部１４４で構成されるように、積層ブロック体５０ｂが切断される。
第１の端部及び第２の端部の位置で切断することにより、図１７で示した第２の貫通穴Ｈ２、第３の貫通穴Ｈ３、第５の貫通穴Ｈ５及び第６の貫通穴Ｈ６がそれぞれ、第２の切り欠きＮ２、第３の切り欠きＮ３、第５の切り欠きＮ５及び第６の切り欠きＮ６となる。
第２の切り欠きＮ２と第６の切り欠きＮ６は連通しており、第３の切り欠きＮ３と第５の切り欠きＮ５は連通している。
絶縁基板３０上に設けられた封止樹脂１４０は、第１の封止部１４１、第２の封止部１４２、第３の封止部１４３及び第４の封止部１４４からなり、素子積層体１００の周囲を封止している。また、絶縁基板３０に設けられた第５の切り欠きＮ５及び第６の切り欠きＮ６によって、絶縁基板３０と封止樹脂１４０との接着性が高まる。
図１６に示す積層ブロック体５０ｂを、各素子領域の第１の端部及び第２の端部の位置で切断するとともに、各素子領域の第１の側部及び第２の側部の位置で切断することにより、図１８に示すように、底面を絶縁基板３０に、上面を第３の封止部１４３に挟まれた素子積層体１００が得られる。この際、図１８に示すように、第１の側部及び第２の側部の位置で切断することによって現れた切断側面が第４の封止部１４４で構成されるように、積層ブロック体５０ｂが切断される。
第１の端部及び第２の端部の位置で切断することにより、図１７で示した第２の貫通穴Ｈ２、第３の貫通穴Ｈ３、第５の貫通穴Ｈ５及び第６の貫通穴Ｈ６がそれぞれ、第２の切り欠きＮ２、第３の切り欠きＮ３、第５の切り欠きＮ５及び第６の切り欠きＮ６となる。
第２の切り欠きＮ２と第６の切り欠きＮ６は連通しており、第３の切り欠きＮ３と第５の切り欠きＮ５は連通している。
絶縁基板３０上に設けられた封止樹脂１４０は、第１の封止部１４１、第２の封止部１４２、第３の封止部１４３及び第４の封止部１４４からなり、素子積層体１００の周囲を封止している。また、絶縁基板３０に設けられた第５の切り欠きＮ５及び第６の切り欠きＮ６によって、絶縁基板３０と封止樹脂１４０との接着性が高まる。
［（Ｇ）工程］
（Ｇ）工程では、樹脂成形体の長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面のうち、第１の端面に第１の外部電極を形成し、第２の端面に第２の外部電極を形成する。
得られた樹脂成形体に対して、第１の端面に第１の外部電極を形成し、第２の端面に第２の外部電極を形成する。以上により、本発明の固体電解コンデンサが得られる。
第１の外部電極は金属箔と接続されているため、陰極となる。
第２の外部電極は弁作用金属基体と接続されているため、陽極となる。
（Ｇ）工程では、樹脂成形体の長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面のうち、第１の端面に第１の外部電極を形成し、第２の端面に第２の外部電極を形成する。
得られた樹脂成形体に対して、第１の端面に第１の外部電極を形成し、第２の端面に第２の外部電極を形成する。以上により、本発明の固体電解コンデンサが得られる。
第１の外部電極は金属箔と接続されているため、陰極となる。
第２の外部電極は弁作用金属基体と接続されているため、陽極となる。
なお、本発明の固体電解コンデンサの製造方法において、積層シート又は積層ブロック体を切断する方法、及び、樹脂成形体に第１の外部電極及び第２の外部電極を形成する方法は、特に限定されるものではない。
１ 固体電解コンデンサ
１０ 第１のシート
１１ 弁作用金属基体
１２ 誘電体層
１３ 固体電解質層
１４ マスク層
１５ 絶縁性接着剤層
１６ 導電体層
２０ 第２のシート
２１ 金属箔
３０ 絶縁基板
４０ 積層シート
５０，５０ａ，５０ｂ 積層ブロック体
１００ 素子積層体
１１０ 第１層
１２０ 第２層
１４０ 封止樹脂
１４１ 第１の封止部
１４２ 第２の封止部
１４３ 第３の封止部
１４４ 第４の封止部
１５０ 樹脂成形体
１６１ 第１の外部電極
１６２ 第２の外部電極
Ｒ１１ 第１のシートの第１の素子領域
Ｒ１２ 第１のシートの第２の素子領域
Ｒ２１ 第２のシートの第１の素子領域
Ｒ２２ 第２のシートの第２の素子領域
Ｒ３１ 絶縁基板の第１の素子領域
Ｒ３２ 絶縁基板の第２の素子領域
Ｅ１１ 第１のシートの素子領域の第１の端部
Ｅ１２ 第１のシートの素子領域の第２の端部
Ｅ２１ 第２のシートの素子領域の第１の端部
Ｅ２２ 第２のシートの素子領域の第２の端部
Ｅ３１ 絶縁基板の素子領域の第１の端部
Ｅ３２ 絶縁基板の素子領域の第２の端部
Ｅ１０１ 樹脂成形体の第１の端面
Ｅ１０２ 樹脂成形体の第２の端面
Ｓ１１ 第１のシートの素子領域の第１の側部
Ｓ１２ 第１のシートの素子領域の第２の側部
Ｓ２１ 第２のシートの素子領域の第１の側部
Ｓ２２ 第２のシートの素子領域の第２の側部
Ｓ３１ 絶縁基板の素子領域の第１の側部
Ｓ３２ 絶縁基板の素子領域の第２の側部
Ｍ４１ 積層シートの第１の主面
Ｍ４２ 積層シートの第２の主面
Ｎ２ 第２の切り欠き
Ｎ３ 第３の切り欠き
Ｎ５ 第５の切り欠き
Ｎ６ 第６の切り欠き
Ｈ１ 第１の貫通穴
Ｈ２ 第２の貫通穴
Ｈ３ 第３の貫通穴
Ｈ４ 第４の貫通穴
Ｈ５ 第５の貫通穴
Ｈ６ 第６の貫通穴
Ｇ 積層ブロック体の隙間
１０ 第１のシート
１１ 弁作用金属基体
１２ 誘電体層
１３ 固体電解質層
１４ マスク層
１５ 絶縁性接着剤層
１６ 導電体層
２０ 第２のシート
２１ 金属箔
３０ 絶縁基板
４０ 積層シート
５０，５０ａ，５０ｂ 積層ブロック体
１００ 素子積層体
１１０ 第１層
１２０ 第２層
１４０ 封止樹脂
１４１ 第１の封止部
１４２ 第２の封止部
１４３ 第３の封止部
１４４ 第４の封止部
１５０ 樹脂成形体
１６１ 第１の外部電極
１６２ 第２の外部電極
Ｒ１１ 第１のシートの第１の素子領域
Ｒ１２ 第１のシートの第２の素子領域
Ｒ２１ 第２のシートの第１の素子領域
Ｒ２２ 第２のシートの第２の素子領域
Ｒ３１ 絶縁基板の第１の素子領域
Ｒ３２ 絶縁基板の第２の素子領域
Ｅ１１ 第１のシートの素子領域の第１の端部
Ｅ１２ 第１のシートの素子領域の第２の端部
Ｅ２１ 第２のシートの素子領域の第１の端部
Ｅ２２ 第２のシートの素子領域の第２の端部
Ｅ３１ 絶縁基板の素子領域の第１の端部
Ｅ３２ 絶縁基板の素子領域の第２の端部
Ｅ１０１ 樹脂成形体の第１の端面
Ｅ１０２ 樹脂成形体の第２の端面
Ｓ１１ 第１のシートの素子領域の第１の側部
Ｓ１２ 第１のシートの素子領域の第２の側部
Ｓ２１ 第２のシートの素子領域の第１の側部
Ｓ２２ 第２のシートの素子領域の第２の側部
Ｓ３１ 絶縁基板の素子領域の第１の側部
Ｓ３２ 絶縁基板の素子領域の第２の側部
Ｍ４１ 積層シートの第１の主面
Ｍ４２ 積層シートの第２の主面
Ｎ２ 第２の切り欠き
Ｎ３ 第３の切り欠き
Ｎ５ 第５の切り欠き
Ｎ６ 第６の切り欠き
Ｈ１ 第１の貫通穴
Ｈ２ 第２の貫通穴
Ｈ３ 第３の貫通穴
Ｈ４ 第４の貫通穴
Ｈ５ 第５の貫通穴
Ｈ６ 第６の貫通穴
Ｇ 積層ブロック体の隙間
Claims (10)
- 素子積層体と、絶縁基板と、前記素子積層体の周囲を封止する封止樹脂とを備える直方体状の樹脂成形体と、
前記樹脂成形体の第１の端面に設けられる第１の外部電極と、
前記樹脂成形体の第２の端面に設けられる第２の外部電極と、を備える固体電解コンデンサであって、
前記素子積層体においては、第１層と第２層とが積層され、
前記第１層は、表面に誘電体層が形成された弁作用金属基体、及び、前記誘電体層上に設けられた固体電解質層を備え、
前記第２層は、金属箔からなり、
前記素子積層体の積層方向のいずれか一方の主面に、前記絶縁基板が配置されており、
前記樹脂成形体の前記第１の端面には、前記金属箔及び第１の封止部が露出し、
前記樹脂成形体の前記第２の端面には、前記弁作用金属基体及び第２の封止部が露出し、
前記第１の外部電極は、前記金属箔に接続され、
前記第２の外部電極は、前記弁作用金属基体に接続され、
前記弁作用金属基体の前記第２の端面側の端部には、第２の切り欠きが設けられており、
前記金属箔の前記第１の端面側の端部には、第３の切り欠きが設けられており、
さらに、前記絶縁基板には、前記第１の端面側の端部に配置され前記第３の切り欠きと連通する第５の切り欠き、及び、前記第２の端面側の端部に配置され前記第２の切り欠きと連通する第６の切り欠き、の少なくとも一方が設けられており、
前記第２の切り欠き、前記第３の切り欠き、及び、前記絶縁基板に設けられた切り欠きは、前記封止樹脂で封止されている、固体電解コンデンサ。 - 前記絶縁基板には、前記第５の切り欠きが設けられており、
前記第５の切り欠きの上面視面積は、前記第３の切り欠きの上面視面積よりも小さい、請求項１に記載の固体電解コンデンサ。 - 前記絶縁基板には、前記第６の切り欠きが設けられており、
前記第６の切り欠きの上面視面積は、前記第２の切り欠きの上面視面積よりも小さい、請求項１又は２に記載の固体電解コンデンサ。 - 前記絶縁基板にはさらに第７の貫通穴が設けられており、
前記第７の貫通穴は、前記封止樹脂で封止されている請求項１～３のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。 - 前記絶縁基板と前記封止樹脂の配色が異なる請求項１～４のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサ。
- 以下の工程を備える固体電解コンデンサの製造方法：
（Ａ）第１のシートを準備する工程；
前記第１のシートは、表面に誘電体層が形成された弁作用金属基体、及び、前記誘電体層上に設けられた固体電解質層を備え、
さらに、前記第１のシートは、複数個の素子領域を有し、各素子領域は、長さ方向において相対する第１の端部及び第２の端部と、幅方向において相対する第１の側部及び第２の側部とによって区画され、
さらに、前記第１のシートには、各素子領域の前記第１の端部を跨ぐように、該素子領域の幅以上の幅を有する第１の貫通穴が形成されているとともに、各素子領域の前記第２の端部を跨ぐように、該素子領域の幅よりも小さい幅を有する１個以上の第２の貫通穴が形成されており、
（Ｂ）第２のシートを準備する工程；
前記第２のシートは、金属箔からなり、
さらに、前記第２のシートは、複数個の素子領域を有し、各素子領域は、長さ方向において相対する第１の端部及び第２の端部と、幅方向において相対する第１の側部及び第２の側部とによって区画され、
さらに、前記第２のシートには、各素子領域の前記第１の端部を跨ぐように、該素子領域の幅よりも小さい幅を有する１個以上の第３の貫通穴が形成されているとともに、各素子領域の前記第２の端部を跨ぐように、該素子領域の幅以上の幅を有する第４の貫通穴が形成されており、
（Ｃ）絶縁基板を準備する工程；
前記絶縁基板は、絶縁性材料からなり、
さらに、前記絶縁基板は、複数個の素子領域を有し、各素子領域は、長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面と、幅方向において相対する第１の側部及び第２の側部とによって区画され、
さらに、前記絶縁基板には、各素子領域の前記第１の端部を跨ぐように設けられかつ該素子領域の幅よりも小さい第５の貫通穴、及び、各素子領域の前記第２の端部を跨ぐように設けられかつ該素子領域の幅よりも小さい第６の貫通穴、の少なくとも一方が形成されており、
（Ｄ）積層シートを作製する工程；
（Ｄ）工程では、各素子領域の前記第１の端部同士及び前記第２の端部同士がそれぞれ対向するように、かつ、底面又は上面に前記絶縁基板が配置されるように、前記第１のシート、前記第２のシート及び前記絶縁基板が積層され、
さらに、前記積層シートにおいては、各素子領域の前記第１の端部を跨ぐように設けられた貫通穴同士、及び、各素子領域の前記第２の端部を跨ぐように設けられた貫通穴同士がそれぞれ積層方向に連通されており、
（Ｅ）積層ブロック体を作製する工程；
（Ｅ）工程では、前記積層シートの前記積層方向において前記絶縁基板と相対する主面側から、前記第１のシート、前記第２のシート及び前記絶縁基板に設けられた貫通穴に封止樹脂が充填され、
（Ｆ）前記積層ブロック体を切断することにより、複数個の樹脂成形体を作製する工程；
（Ｆ）工程では、前記積層ブロック体は、前記貫通穴に前記封止樹脂が充填された封止部を両側に分離するように、各素子領域の前記第１の端部及び前記第２の端部の位置で切断されるとともに、
前記積層ブロック体は、各素子領域の第１の側部及び第２の側部に沿って切断された後、前記切断により形成される隙間に封止樹脂が充填され、さらに、前記隙間に前記封止樹脂が充填された封止部を両側に分離するように切断され、
（Ｇ）第１の外部電極及び第２の外部電極を形成する工程。 - 前記絶縁基板には、前記第５の貫通穴が設けられており、
前記第５の貫通穴の上面視面積は、前記第３の貫通穴の上面視面積よりも小さい請求項６に記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - 前記絶縁基板には、前記第６の貫通穴が設けられており、
前記第６の貫通穴の上面視面積は、前記第２の貫通穴の上面視面積よりも小さい請求項６又は７に記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - 前記（Ｃ）工程において、前記絶縁基板に、前記第５の貫通穴及び前記第６の貫通穴のほかに、前記第１のシート及び／又は前記第２のシートに設けられた貫通穴と連通する第７の貫通穴を形成する請求項６～８のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 前記絶縁基板と前記封止樹脂の配色が異なる請求項６～９のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
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|---|---|---|---|---|
| JP2015043350A (ja) | 2011-12-20 | 2015-03-05 | ルビコン・カーリット株式会社 | デバイスおよびデバイスを製造する方法 |
| JP2017098297A (ja) | 2015-11-18 | 2017-06-01 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
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