JP7226036B2 - データ記録装置 - Google Patents

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本開示は、入力された信号に応じたデータを記録するデータ記録装置に関する。
例えば、DDR(すなわち、Double Data Rate)メモリ等の一部のメモリは、多数の端子を備えている。そこで、DDRメモリ等の記録部にデータを記録するデータ記録装置では、例えば特許文献1に記載のような多層ビルドアップ基板に、当該記録部を実装することが提案されている。
特許第4423210号公報
しかしながら、発明者の詳細な検討の結果、多層ビルドアップ基板は多層貫通基板に比べて高価であり、データ記録装置の全体を多層ビルドアップ基板で構成するのは装置のコストアップにつながるという課題が見出された。すなわち、多層貫通基板は、複数層を備え、配線のためのビアが、基板を構成する前記複数層の全ての層(例えば、多層貫通基板が6つの層を備える場合において第1層から第6層)を貫通して接続している。これに対し、多層ビルドアップ基板は、複数層を備え、インナービアを有する基板であるため高価になり、装置のコストアップにつながるのである。なお、インナービアとは、基板を構成する前記複数層における一部の所望の層(例えば、第2層と第3層)だけを接続するビアである。
本開示の1つの局面は、データ記録装置における多層ビルドアップ基板の使用部分を抑制して、当該データ記録装置の製造コストを低減することにある。
本開示の1つの態様によるデータ記録装置は、入力部(31,32)と、処理部(37)と、記録部(38,39)とを備える。入力部は、信号が入力されるように構成されている。処理部は、前記入力部に入力された信号から、記録用のデータを生成するように構成されている。記録部は、前記処理部により生成されたデータを記録するように構成されている。
また、前記入力部及び前記処理部及び前記記録部は、共通の多層ビルドアップ基板(40)における同一層に実装されることによってモジュール化され、前記多層ビルドアップ基板は多層貫通基板(11)に実装されている。
このような構成によれば、入力部及び処理部及び記録部は、共通の多層ビルドアップ基板における同一層に実装されることによってモジュール化されている。このため、ノイズ減からの影響を回避することができ、記録部がDDRメモリ等を備えたものであっても、入力された信号から記録用のデータを生成して記録部に記録する一連の処理が、正確に実行できる。また、多層ビルドアップ基板はモジュール化されて多層貫通基板に実装されているので、前記一連の処理との関係性が低い回路は多層貫通基板に実装しておき、多層ビルドアップ基板における所望の部と接続することができる。
このため、本開示のデータ記録装置は、多層ビルドアップ基板の使用部分を抑制して製造コストを低減することができる。
実施形態のデータ記録装置の構成を表す平面図である。 その実施形態のデータ記録装置の構成を表す側面図である。
以下、図面を参照しながら、本開示の実施形態を説明する。
[1.実施形態]
[1-1.データ記録装置の全体構成]
図1,図2に示すように、実施形態のデータ記録装置1は、映像記録モジュール3と、RFコネクタ5と、無線通信モジュール7と、eMMC(すなわち、embedded Multi Media Card)9とを備える。映像記録モジュール3と、RFコネクタ5と、無線通信モジュール7と、eMMC9とは、多層貫通基板11にそれぞれ実装されている。すなわち、本実施形態のデータ記録装置1は、RF(すなわち、Radio Frequency)機能を備えている。なお、映像記録モジュール3は、ボールグリッドアレイ3Aを介して多層貫通基板11に実装されている。
RFコネクタ5には、GPS(すなわち、Global Positioning System)用の人工衛星からの送信電波、LTE(すなわち、Long Term Evolution)アンテナの受信信電波等の少なくともいずれかの電波信号が入力される。なお、LTEとは、携帯電話の通信規格である。eMMCとは、補助記憶媒体としての組み込み用マルチメディアカードである。
[1-2.映像記録モジュールの構成]
映像記録モジュール3は、カメラコネクタ31と、カメラコネクタ32と、フィルタ回路33と、フィルタ回路34と、受信IC35と、受信IC36と、SoC(すなわち、System on Chip)37と、DDRメモリ38と、DDRメモリ39とを備える。カメラコネクタ31,32と、フィルタ回路33,34と、受信IC35,36と、SoC37と、DDRメモリ38,39とは、多層ビルドアップ基板40の表層に実装されることによってモジュール化されている。なお、SoCとは、ソフトウェア処理によって画像処理を行う電子部品である。また、多層ビルドアップ基板40の表層とは、当該多層ビルドアップ基板を構成する層のうち、当該多層ビルドアップ基板40の実装面表面側から当該多層ビルドアップ基板40を見た場合に最も手前側に来る層で、第1層ともいう。
このため、図示省略した第1のカメラモジュールから送られてカメラコネクタ31に入力された信号は、フィルタ回路33によりノイズを除去された後、デシリアライザとしての受信IC35によって元の信号に復元され、SoC37に入力される。同様に、図示省略した第2のカメラモジュールから送られてカメラコネクタ32に入力された信号は、フィルタ回路34によりノイズを除去された後、デシリアライザとしての受信IC36によって元の信号に復元され、SoC37に入力される。SoC37は、受信IC35,36によって処理可能な状態に復元された信号から、記録用のデータを生成し、DDRメモリ38,39に入力する。DDRメモリ38,39は、SoC37により生成されたデータを記録する。なお、DDRメモリ38,39は、映像のリングバッファストリーミングのワーク領域として機能する。
また、カメラコネクタ31,32と、フィルタ回路33,34と、受信IC35,36と、SoC37と、DDRメモリ38,39と、における多層ビルドアップ基板40の表層から露出した部分は、カバー41によって覆われている。カバー41は、例えば金属等、電磁波遮断性及び放熱性を有する材料によって、多層ビルドアップ基板40側が開口した直方体状に構成されている。なお、図2では、カバー41における手前側側面を図示省略している。
厳密には、カメラコネクタ31,32は、一部が、多層ビルドアップ基板40の板面外周に当該多層ビルドアップ基板40から突出している。カバー41は、前記開口した側の端面が多層ビルドアップ基板40の表層及びカメラコネクタ31,32の外周面に当接している。すなわち、カバー41は、カメラコネクタ31,32の前記一部を除いた部分、並びに、フィルタ回路33,34及び受信IC35,36及びSoC37及びDDRメモリ38,39の全部における、多層ビルドアップ基板40の表層から露出した部分を覆っている。
また、カバー41における前記開口した側とは反対側の部分は、天井部41A,41Bと連接部41Cとを備えている。天井部41Aは、多層ビルドアップ基板40の表層と平行な平面状に構成され、カメラコネクタ31,32を覆う。天井部41Bは、天井部41Aよりも多層ビルドアップ基板40の表層との間隔が狭く、かつ、多層ビルドアップ基板40の表層と平行な平面状に構成されている。天井部41Bは、フィルタ回路33,34の一部、並びに、受信IC35,36及びSoC37及びDDRメモリ38,39との全部を覆う。連接部41Cは、天井部41Aと天井部41Bとを連接する斜面状に構成され、フィルタ回路33,34における前記一部以外の部分を覆う。
また、天井部41Bは、熱伝導部材42を介してSoC37と熱的に接続されている。熱伝導部材42としては、シリコーン等を含むシート状の部材、又は、伝熱ゲル等のグリース状の部材、又は、ヒートパイプ等、種々の構成を適用可能である。
[1-3.効果]
以上詳述した実施形態及びその変形例によれば、以下の効果を奏する。
(1A)カメラコネクタ31,32及びSoC37及びDDRメモリ38,39は、共通の多層ビルドアップ基板40における表層に実装されることによってモジュール化されている。このため、ノイズ減からの影響を回避することができ、カメラコネクタ31,32に入力された信号から記録用のデータを生成してDDRメモリ38,39に記録する一連の処理が、正確に実行できる。すなわち、カメラコネクタ31,32及びSoC37及びDDRメモリ38,39が共通の多層ビルドアップ基板40における同一層に実装されることにより、それらを接続する信号伝達経路を短く(例えば、最短距離に)設計することができ、処理性能が向上する。また、このため、数Gbpsという高速伝送ラインの配線を引き回す必要が低減し、その伝送ラインからの放射ノイズによって、無線通信モジュール7におけるGPS信号やLTE信号の受信感度が劣化するのも抑制できる。すなわち、多層貫通基板11に直接実装された回路の動作の正確性を向上させることができる。
(1B)また、多層ビルドアップ基板40は映像記録モジュール3としてモジュール化されて多層貫通基板11に実装されている。このため、前記一連の処理との関係性が低い無線通信モジュール7等の回路は多層貫通基板11に実装しておき、多層ビルドアップ基板40における所望の部と接続することができる。
このため、本実施形態のデータ記録装置1は、多層ビルドアップ基板40の使用部分を抑制して製造コストを低減することができる。すなわち、多層貫通基板11は、配線のためのビアが全て第1層から第6層まで全部貫通しているのに対し、多層ビルドアップ基板40は、必要な層だけを接続するインナービアを有するため高価になるが、本実施形態では後者の使用部分を低減することができる。
(1C)また、本実施形態のデータ記録装置1における映像記録モジュール3は、カメラコネクタ31,32及びSoC37及びDDRメモリ38,39を備え、映像を処理して記録するモジュールである。このため、DDRメモリ38,39は、100を超える数のI/O端子を備える場合もあり、多層ビルドアップ基板40を用いてモジュール化する必要性が高い。また、データの伝送経路をできるだけ短くし、かつ、ノイズ源からの影響を回避して、記録される映像の品質を確保する必要性も高い。従って、本実施形態では、映像記録モジュール3を、多層ビルドアップ基板40を用いてモジュール化した効果が一層顕著に表れる。
(1D)しかも、カメラコネクタ31,32及びSoC37及びDDRメモリ38,39は、多層ビルドアップ基板40の第1層に実装されているので、信号の伝達経路にビアが介在するのを抑制することができる。従って、本実施形態では、DDRメモリ38,39に記録される映像の品質を一層良好に確保することができる。また、前記信号の伝達経路を一層短くして当該伝達経路からの放射ノイズの発生も抑制することができる。よって、多層貫通基板11に直接実装された回路の動作の正確性を向上させることができる。
(1E)また、カメラコネクタ31,32の一部、並びに、SoC37及びDDRメモリ38,39の全部は、電磁波遮断性を有するカバー41に覆われている。このため、カメラコネクタ31,32からSoC37を経てDDRメモリ38,39に到る信号の伝送経路から発生する電磁波が、無線通信モジュール7等のように多層貫通基板11に直接実装された回路にノイズとして作用するのを一層良好に抑制することができる。しかも、カバー41は放熱性を有し、かつ、SoC37と熱伝導部材42を介して熱的に接続されている。このため、SoC37の温度上昇を抑制して、当該SoC37の動作を一層正確にすることができる。特に、本実施形態における映像記録モジュール3は、複数のカメラコネクタ31,32を備えているので、SoC37は画像処理、ストレージへのファイル書き込み、通信等の処理を複数並行して実行し、処理負荷が高い。このため、SoC37は発熱しやすいが、その熱は熱伝導部材42及びカバー41を介して良好に放熱される。
(1F)また、本実施形態における映像記録モジュール3は、複数のカメラコネクタ31,32を備えているので、SoC37の画像処理に必要なワーク領域、又は、一時的に映像をバッファリングするRAMとして、大きな容量が必要となり、SoC37に外付けしたDDRメモリ38,39が必要となる場合が多い。DDRメモリ38,39は、ボールグリッドアレイを使用し、かつ、狭ピッチのパッケージであるため、多層貫通基板11に比べて高価な多層ビルドアップ基板40を使用する必要が生じる可能性がある。これに対し、本実施形態では、前述のように多層ビルドアップ基板40の使用量を低減することができるので、その低減によるコストダウンの効果が、カメラコネクタを1つだけ備えた単一チャンネルのデータ記録装置に比べて顕著になる。
[1-4.特許請求の範囲との対応関係]
なお、前記実施形態において、カメラコネクタ31,32が入力部に対応する。SoC37が処理部に対応する。DDRメモリ38,39が記録部に対応する。
[2.他の実施形態]
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されることなく、種々変形して実施することができる。
(2A)前記実施形態のデータ記録装置1は、2つのカメラコネクタ31,32を備えているが、これに限定されるものではない、本開示は、カメラコネクタを1つだけ備えた単一チャンネルのデータ記録装置にも適用可能である。その場合も、前記(1A)~(1E)の効果は生じる。また、本開示は、カメラコネクタを3つ以上備えたデータ記録装置にも適用可能である。
(2B)前記実施形態では、カメラコネクタ31,32及びSoC37及びDDRメモリ38,39は、多層ビルドアップ基板40の第1層に実装されたが、これに限定されるものではない。カメラコネクタ31,32及びSoC37及びDDRメモリ38,39は、多層ビルドアップ基板40の第2層又は第3層又は第4層に実装されてもよい。その場合も、前記(1A)~(1C),(1E),(1F)の効果は生じる。また、カメラコネクタ31,32及びSoC37及びDDRメモリ38,39が、多層ビルドアップ基板40における各層のうち、グランド層とグランド層とで挟まれた同一層に実装された場合、ノイズ源からの影響を一層良好に回避できる場合がある。
(2C)前記実施形態に開示された各部の形状及び回路の種類は、当該形状及び種類に限定されるものではない。例えば、多層貫通基板11又は多層ビルドアップ基板40は円板状であってもよく、三角板状であってもよく、その他の形状であってもよい。また、SoC37は他の処理回路に代えられてもよい。それらの場合も、前述の(1A)~(1F)の効果は生じる。
(2D)更に、本開示は、カメラモジュールから入力された信号を処理して記録するデータ記録装置に限定されるものではなく、その他の信号を処理して記録するデータ記録装置にも適用可能である。
(2E)前記実施形態における1つの構成要素が有する複数の機能を、複数の構成要素によって実現したり、1つの構成要素が有する1つの機能を、複数の構成要素によって実現したりしてもよい。また、複数の構成要素が有する複数の機能を、1つの構成要素によって実現したり、複数の構成要素によって実現される1つの機能を、1つの構成要素によって実現したりしてもよい。また、前記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、前記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の実施形態の構成に対して付加又は置換してもよい。
1…データ記録装置 3…映像記録モジュール
5…RFコネクタ 7…無線通信モジュール
11…多層貫通基板 31,32…カメラコネクタ
37…SoC 38,39…DDRメモリ
40…多層ビルドアップ基板 41…カバー
42…熱伝導部材

Claims (5)

  1. 信号が入力されるように構成された入力部(31,32)と、
    前記入力部に入力された信号から、記録用のデータを生成するように構成された処理部(37)と、
    前記処理部により生成されたデータを記録するように構成された記録部(38,39)と、
    を備え、
    前記入力部及び前記処理部及び前記記録部は、共通の多層ビルドアップ基板(40)における同一層に実装されることによってモジュール化され、
    前記多層ビルドアップ基板は多層貫通基板(11)に実装されたデータ記録装置。
  2. 請求項1に記載のデータ記録装置であって、
    前記入力部はコネクタを備え、前記処理部はSoCを備え、前記記録部はDDRメモリを備えたデータ記録装置。
  3. 請求項1又は2に記載のデータ記録装置であって、
    前記入力部及び前記処理部及び前記記録部は、前記多層ビルドアップ基板における第1層に実装されることによってモジュール化されているデータ記録装置。
  4. 請求項1~3のいずれか1項に記載のデータ記録装置であって、
    前記入力部及び前記処理部及び前記記録部及び前記多層ビルドアップ基板におけるそれぞれの少なくとも一部を覆い、電磁波遮断性及び放熱性を有するカバー(41)と、
    前記カバーと前記処理部とを接続するように構成された熱伝導部材(42)と、
    更に備えたデータ記録装置。
  5. 請求項1~4のいずれか1項に記載のデータ記録装置であって、
    前記入力部は、カメラモジュールから送られる信号が入力されるように構成されたコネクタであり、1つの前記処理部に対して複数設けられたデータ記録装置。
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