CN220821540U - 一种射频装置和毫米波芯片 - Google Patents

Abstract

一种射频装置和毫米波芯片，所述射频装置包括：封装有集成电路裸片的半导体封装，所述半导体封装的表面上设有用于发射或接收信号的辐射结构，且所述辐射结构上连接有至少一个第一焊球；位于所述半导体封装表面且围绕所述辐射结构布置的一组第二焊球；所述半导体封装通过所述辐射结构实现与所述第二焊球围设的第一波导通道进行信号传输，或通过与所述辐射结构连接的第一焊球进行信号的传输。

Description

一种射频装置和毫米波芯片

技术领域

本文涉及信号传输技术，尤指一种射频装置和毫米波芯片。

背景技术

在芯片的封装设计中，常见的封装形式为球栅阵列封装(Ball Grid Array，BGA)，该封装形式是通过焊球与电路板的走线相连，从而实现芯片的信号传输至电路板上的元器件上。除此之外，为了应对一些特殊的应用和需求，也存在一些新的封装结构，例如用过采用辐射耦合的方式来实现芯片与电路板上的元器件之间的信号传输。目前针对这两种应用，需要针对性的分别设计不同的封装结构以适配不同的应用场景，增加封装的复杂度。

实用新型内容

为了解决上述任一技术问题，本申请实施例提供了一种射频装置和毫米波芯片。

为了达到本申请实施例目的，本申请实施例提供了一种射频装置，包括：

封装有集成电路裸片的半导体封装，所述半导体封装的表面上设有用于发射或接收信号的辐射结构，且所述辐射结构上连接有至少一个第一焊球；

位于所述半导体封装表面且围绕所述辐射结构布置的一组第二焊球；

所述半导体封装通过所述辐射结构实现与所述第二焊球围设的第一波导通道进行信号传输，或通过与所述辐射结构连接的第一焊球进行信号的传输。

在一个示例性实施例中，所述射频装置还包括电路板，所述电路板上布置有第一天线结构或第二天线结构，其中所述半导体封装连接到所述电路板上，且通过所述第一焊球连接所述第一天线结构实现信号传输，或者，通过所述第一波导通道实现与所述第二天线结构的信号传输。

在一个示例性实施例中，所述电路板具有第一面和第二面，所述半导体封装位于第一面，所述第一天线结构位于第一面，所述第二天线结构位于第二面。

在一个示例性实施例中，所述辐射结构位于所述半导体封装中邻近所述电路板的一侧。

在一个示例性实施例中，所述电路板设置有与所述第一焊球匹配的导电结构以及用于第一天线结构的信号传输的电路板传输通道，其中所述电路板传输通道的一端与所述导电结构电连接，另一端与所述第一天线结构电连接；

其中，所述导电结构和所述电路板传输通道实现所述第一焊球与所述第一天线结构之间的信号传输。

在一个示例性实施例中，所述电路板设置有与所述第一波导通道匹配的波导腔，其中所述波导腔与所述第二天线结构相连。

在一个示例性实施例中，所述第二焊球的部署位置为接地区。

在一个示例性实施例中，所述辐射结构为所述第一焊球的焊盘。

在一个示例性实施例中，所述半导体封装设置有裸片传输通道，其中所述裸片传输通道的一端与所述辐射结构电连接，另一端与所述集成电路裸片电连接。

一种毫米波芯片，设置有上文所述的射频装置。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：

能够同时支持半导体封装通过焊球和波导通道进行传输，适用于部署在电路板的第一面和第二面的天线，实现封装结构的复用，降低芯片封装的复杂度。

附图说明

附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。

图1为相关技术中天线结构、半导体封装结构设置在电路板同一面的示意图；

图2为相关技术中天线结构、半导体封装结构分布在电路板两对的两面的示意图；

图3为本申请实施例提供的射频装置100的结构示意图；

图4为连接有第一天线结构A1的射频装置100的第一结构示意图；

图5为本申请实施例提供的连接有第一天线结构A1的射频装置100的第二结构示意图；

图6为本申请实施例提供的连接有第一天线结构A1的射频装置100的第三结构示意图；

图7为本申请实施例提供的连接有第二天线结构A2的射频装置100的第一结构示意图；

图8为本申请实施例提供的连接有第二天线结构A2的射频装置100的第二结构示意图；

图9为本申请实施例提供的连接有第二天线结构A2的射频装置100的第三结构示意图；

图10为图3所示射频装置100中半导体封装20的第一结构示意图；

图11为图3所示射频装置100中半导体封装20的第二结构示意图；

图12为图3所示射频装置100中半导体封装20中邻近电路板30一侧的部分结构示意图。

具体实施方式

本申请描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本申请所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。

本申请包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本申请已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的发明方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它发明方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的发明方案。因此，应当理解，在本申请中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。

此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法和/或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法和/或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本申请实施例的精神和范围内。

以毫米波芯片为例，电路板上可以部署天线(Antenna)，部署在电路板上的芯片可以通过芯片与电路板之间的信号传输通道进行信号的传输。

在本申请实施例中，芯片可以包括集成电路裸片和用于封装该集成电路裸片的半导体封装。其中，电路板具有第一面和第二面，其中芯片可以位于第一面，天线可以位于第一面或第二面。

基于上述部署结构，相关技术中提供如下两种封装结构：

图1为相关技术中天线结构、半导体封装结构设置在电路板同一面的示意图。如图1所示，以集成电路裸片10输出射频信号至天线为例，集成电路裸片10输出的射频信号通过半导体封装20的信号传输通道，到达信号对应的焊球，其中该焊球直接和电路板上与天线相连的走线相连，以使得信号通过电路板上的走线传输到天线。

图2为相关技术中天线结构、半导体封装结构分布在电路板两对的两面的示意图。如图2所示，以集成电路裸片10输出射频信号至天线为例，与图1所示，集成电路裸片10输出的射频信号在通过半导体封装20的信号传输通道后，到达半导体封装20表面的辐射结构21，辐射结构21周围布置有一圈的焊球形成一波导通道，电路板30设置有波导腔；辐射结构21经由焊球围成的波导通道、电路板30上的波导腔实现与天线之间的信号传输。

通过对图1和图2所示的封装结构进行对比可知，二者的半导体封装20的结构存在明显差异，因此针对不同形式的电路板天线的时候需要配备不同的半导体封装。

本申请实施例提供一种射频装置100，该射频装置100能够同时适用于部署在电路板30的第一面和第二面的天线，实现封装结构的复用，降低芯片封装的复杂度。

图3为本申请实施例提供的射频装置100的结构示意图。如图3所示，所述射频装置100包括集成电路裸片10以及封装有集成电路裸片10的半导体封装20；其中：

集成电路裸片10用于产生发射信号以及对接收的信号进行处理。

以该集成电路裸片10应用在毫米波芯片为例，该集成电路裸片10用于产生用于探测环境空间的发射信号，并对接收的回波信号进行处理，以获取环境空间的检测结果。

半导体封装20表面上设有用于发射或接收信号的辐射结构21，其中所述辐射结构21上连接有至少一个第一焊球Q1，以及，位于所述半导体封装20表面且围绕所述辐射结构21布置的一组第二焊球Q2；

本申请提供的半导体封装结构，能够同时支持半导体封装20通过焊球和波导通道进行传输，适用于部署在电路板30的第一面和第二面的天线，实现封装结构的复用，降低芯片封装的复杂度。

当本申请提供的半导体封装结构与天线结构布置在电路板同一面的时候，半导体封装20通过各焊球安装到电路板30上，其中所述半导体封装20通过与所述辐射结构21连接的第一焊球Q1与电路板上的天线进行信号的传输。

当本申请提供的半导体封装结构与天线结构布置在电路板相反的两面上的时候，所述半导体封装20通过所述辐射结构21实现与所述第二焊球Q2围设的第一波导通道D1进行信号传输。具体的，集成电路裸片10将信号传输给辐射结构21，辐射信号21将信号传输到第一波导通道D1内，然后再通过电路板上的波导腔输出至天线结构。需要说明的，在该情况下，辐射结构21上增设第一焊球Q1后，其作为一个整体通过其边缘辐射进行信号的传输，第一焊球Q1的增加相当于在辐射结构21上增加了一个负载，改变了辐射结构21的阻抗匹配，进一步的可以通过调整辐射结构21的尺寸来调整阻抗匹配，以满足信号传输要求。

将图1所示结构和图3所示结构进行对比可知，二者存在如下区别：

1.半导体封装20表面上设置的焊球的部署位置和作用均不同

图1中焊球都是直接设置在半导体封装20表面上，用于传输信号；本申请中的一部分焊球设置在半导体封装20表面上的辐射结构上，用于传输信号，另一部分焊球直接设置在半导体封装20表面上，且围绕辐射结构21一圈布置，用于构成半导体封装20的第一波导通道D1。

2.半导体封装20表面上有无辐射结构21

图1所示结构中表面上无辐射结构21，图3所示结构中表面上有辐射结构21；

3.半导体封装20的信号传输通道存在差异

以集成电路裸片10输出射频信号为例，图1所示结构中信号通过焊球输出至电路板30，图3所示结构中信号依次通过辐射结构21和第一焊球Q1输出至电路板30。

将图2所示结构和图3所示结构进行对比可知，二者存在如下区别：

a.辐射结构21是否连接有焊球

图2所示结构中辐射结构21不连接焊球，图3所示结构中辐射结构21连接第一焊球Q1；

b.半导体封装20的波导通道的结构不同

图2所示结构中的波导通道为内部未设置元件的波导通道，图3所示结构中的波导通道为内部设置有第一焊球Q1的波导通道。

虽然半导体封装20的波导通道的结构不同，但是半导体封装20和电路板30之间的信号均是通过波导通道传输。

基于上述分析说明可知，图3所示的结构与图1和图2所示的结构存在明显差异，因此图3所示结构并非图1和图2所示结构的简单叠加。

下面对集成有电路板30的射频装置100进行说明。

图4为连接有第一天线结构A1的射频装置100的第一结构示意图。如图4所示，所述射频装置100还包括：

电路板30，所述电路板30上布置有第一天线结构A1，其中所述半导体封装20连接到所述电路板30上，且通过所述第一焊球Q1连接所述第一天线结构A1实现信号传输。

在图4所示结构中，所述电路板30具有第一面31和第二面32，所述半导体封装20和所述第一天线结构A1均位于第一面，以使得所述第一天线结构A1通过第一焊球Q1连接半导体封装20，实现第一天线结构A1与半导体封装20之间的信号传输。

进一步的，由于第一天线结构A1和所述半导体封装20均位于第一面31，因此,第一焊球Q1以及辐射结构21部署在所述半导体封装20邻近所述电路板30的一侧，方便信号传输。

进一步的，在图4所示结构中，所述电路板30设置有与所述第一焊球Q1匹配的导电结构33以及用于第一天线结构A1的信号传输的电路板传输通道34，其中所述电路板传输通道34的一端与所述导电结构33电连接，另一端与所述第一天线结构A1电连接；

其中，利用导电结构33和电路板传输通道34实现所述第一焊球Q1与所述第一天线结构A1之间的信号传输。

具体的，所述导电结构33与所述第一焊球Q1电连接，以便实现信号在第一焊球Q1与电路板30之间的信号传输。进一步的，通过设置电路板信号传输通道34，实现第一天线结构A1与导电结构33之间的电连接，从而达到利用导电结构33和电路板传输通道34实现所述第一焊球Q1与所述第一天线结构A1之间的信号传输。

所述辐射结构21和所述导电结构33之间设置有第一焊球Q1，即，第一焊球Q1的一侧通过辐射结构21与半导体封装20电连接，第一焊球Q1的另一侧通过导电结构33与电路板30之间电连接。另外，电路板上设置有电路板传输通道34，实现导电结构33与第一天线结构A1电连接。

另外，每个第二焊球Q2的一侧直接与半导体封装20电连接，另一侧直接与电路板30电连接。其中一组第二焊球Q2既可以构成第一波导通道D1，也可以作为第一焊球Q1对应的信号隔离结构，降低第一焊球Q1传输信号过程中信号的泄露对外部结构的影响。

进一步的，基于焊球在电路结构中的焊接关系可知，每个焊球的两侧均设置有焊盘。在本申请实施例中，由于第一焊球Q1的一侧通过辐射结构21与半导体封装20电连接，第一焊球Q1的另一侧通过导电结构33与电路板30之间电连接，可以将辐射结构21和导电结构33中的至少一个作为第一焊球Q1的焊盘。

对于集成电路裸片10输出的信号，在半导体封装20中信号传输至辐射结构21，再通过第一焊球Q1输出至导电结构33，最后通过电路板传输通道34输出至第一天线结构A1，实现射频信号的发射操作。

对于第一天线结构A1输出的信号，通过电路板传输通道34输出至导电结构33，再经过第一焊球Q1输出至辐射结构21，并通过半导体封装20内部的信号走线输出至集成电路裸片，实现射频信号的接收操作。

进一步的，所述半导体封装20设置有裸片传输通道22，其中所述裸片传输通道22的一端与所述辐射结构21电连接，另一端与所述集成电路裸片10电连接。

通过设置裸片传输通道22可以方便集成电路裸片10与辐射结构21之间的信号传输，降低信号走线的设计难度，提高信号传输效率。

图5为本申请实施例提供的连接有第一天线结构A1的射频装置100的第二结构示意图。如图5所示，图5所示结构与图4所示结构相似，区别在于，图5所示结构中半导体封装20中辐射结构21连接的第一焊球Q1的个数为2个。

与图4所示结构中仅部署一个第一焊球Q1相比，可以提高辐射结构21与电路板之间信号的传输效率。

图6为本申请实施例提供的连接有第一天线结构A1的射频装置100的第三结构示意图。如图6所示，图6所示结构与图4所示结构相似，区别在于，所述半导体封装20具有两个裸片传输通道22，每个裸片传输通道22具有各自对应的辐射结构21，每个辐射结构21具有各自的第一焊球Q1，每个第一焊球Q1有各自对应的导电结构33和电路板传输通道34。

与图4所示结构中电路板30的第一天线结构A1与半导体封装20之间仅能通过一条信号传输信号相比，图6所示结构能够实现两条信号传输，提高了信号传输效率。

需要说明的是，在实际应用中，第一焊球Q1可以不通过导电结构33与电路板30直接连接。

图7为本申请实施例提供的连接有第二天线结构A2的射频装置100的第一结构示意图。

如图7所示，所述射频装置100还包括：

电路板30，所述电路板30上布置有第二天线结构A2以及与第一波导通道D1对应的波导腔，其中所述半导体封装20连接到所述电路板30上，所述半导体封装20通过所述第一波导通道D1、波导腔K实现与所述第二天线结构A2的信号传输。

在图7所示结构中，所述电路板30具有第一面31和第二面32，所述半导体封装20位于第一面31，所述第二天线结构A2均位于第二面32，以使得所述第二天线结构A2通过第一波导通道D1连接半导体封装20，实现第二天线结构A2与半导体封装20之间的信号传输。

在图7所示结构中，第二天线结构A2具有用于信号传输的第二波导通道D2(又可称为天线结构的馈电通道)以及用于信号辐射的天线辐射部A22。

进一步的，由于第二天线结构A2和所述半导体封装20位于电路板的不同面，因此，第一焊球Q1以及辐射结构21部署在所述半导体封装20邻近所述电路板30的一侧，方便控制信号传输距离。

其中，所述波导腔K至少能够支持第一焊球Q1传输的信号通过该波导腔K，以便信号能够在所述第一波导通道D1和所述第二波导通道D2之间传输。

进一步的，所述波导腔K使得所述第一波导通道D1和所述第二波导通道D2之间连通，使得第一波导通道D1和第二波导通道D2相当于一条波导通道，使得辐射结构21经第一焊球Q1输出的信号能够通过波导通道传输至第二天线结构A2的天线辐射部A22；以及，第二天线结构A2的天线辐射部A22输出的信号通过第二波导通道D2、波导腔K以及第一波导通道D1传输至第一焊球Q1，并通过辐射结构21输出至半导体封装20。

进一步的，所述辐射结构21和所述波导腔K之间设置有第一焊球Q1，即，第一焊球Q1的一侧通过辐射结构21与半导体封装20电连接，第一焊球Q1的另一侧通过波导腔K与电路板30之间电连接。

另外，每个第二焊球Q2的一侧直接与半导体封装20电连接，另一侧直接与电路板30电连接。其中一组第二焊球Q2既可以构成第一波导通道D1，也可以作为第一焊球Q1对应的信号隔离结构，降低第一焊球Q1传输信号过程中信号的泄露对外部结构的影响。

进一步的，基于焊球在电路结构中的焊接关系可知，每个焊球的两侧均设置有焊盘。在本申请实施例中，由于第一焊球Q1的一侧通过辐射结构21与半导体封装20电连接，因此可以将辐射结构21作为第一焊球Q1的焊盘。

对于集成电路裸片10输出的信号，在半导体封装20中信号传输至辐射结构21，再通过通过第一波导通道D1以辐射方式输出至波导腔K，最后通过第二天线结构A2中的第二波导通道D2输出至第二天线结构A2的天线辐射部A22，实现射频信号的发射操作。

对于第二天线结构A2的天线辐射部A22输出的信号，通第二天线结构A2的过第二波导通道D2输出至波导腔K，再经过第一波导通道D1通过辐射方式直接输出至辐射结构21，最后过半导体封装20内部的信号走线输出至集成电路裸片10，实现射频信号的接收操作。

进一步的，所述半导体封装20设置有裸片传输通道22，其中所述裸片传输通道22的一端与所述辐射结构21电连接，另一端与所述集成电路裸片10电连接。

通过设置裸片传输通道22可以方便集成电路裸片10与辐射结构21之间的信号传输，降低信号走线的设计难度，提高信号传输效率。

图8为本申请实施例提供的连接有第二天线结构A2的射频装置100的第二结构示意图。如图8所示，图5所示结构与图7所示结构相似，区别在于，图5所示结构中半导体封装20中辐射结构21连接的第一焊球Q1的个数为2个。

与图7所示结构中仅部署一个第一焊球Q1相比，可以提高辐射结构21与电路板30之间信号的传输效率。

图9为本申请实施例提供的连接有第二天线结构A2的射频装置100的第三结构示意图。如图9所示，图9所示结构与图4所示结构相似，区别在于，所述半导体封装20具有两个裸片传输通道22，每个裸片传输通道22具有各自对应的辐射结构21，每个辐射结构21具有各自的第一波导通道D1，每个第一波导通道D1有各自对应的波导腔K。

与图7所示结构中电路板30的第二天线结构A2与半导体封装20之间仅能通过一条信号传输信号相比，图9所示结构能够实现两条信号传输，提高了信号传输效率。

图10为图3所示射频装置100中半导体封装20的第一结构示意图。如图10所示，所述半导体封装20设置有裸片传输通道22，其中所述裸片传输通道22的一端与所述辐射结构21电连接，另一端与所述集成电路裸片10电连接。

通过设置裸片传输通道22可以方便集成电路裸片10与辐射结构21之间的信号传输，降低信号走线的设计难度，提高信号传输效率。

进一步的，该裸片传输通道22的至少部分通道设置在半导体封装20的内部，降低半导体封装20表面的走线数量，方便封装设计。

该裸片传输通道22包括位于集成电路裸片10与半导体封装20之间的焊球和半导体封装20内部的封装通道，其中该封装通道一端连接于成电路裸片10与半导体封装20之间的焊球，另一端连接于辐射结构21。

对于集成电路裸片10输出的信号，信号通过焊球输出至封装通道，利用封装通道传输至辐射结构21，实现集成电路裸片10输出信号至辐射结构21的目的。

对于辐射结构21输出的信号，信号通过封装通道输出至焊，利用焊球传输至集成电路裸片10，实现辐射结构21输出信号至集成电路裸片10的目的。

图11为图3所示射频装置100中半导体封装20的第二结构示意图。如图11所示，所述半导体封装20具有两个裸片传输通道22，每个裸片传输通道22具有各自对应的辐射结构21，每个辐射结构21具有各自的第一波导通道D1和第一焊球Q1组成的。

图12为图3所示射频装置100中半导体封装20中邻近电路板30一侧的部分结构示意图。如图12所示，所述第一焊球Q1设置在辐射结构21上，第二焊球Q2围绕所述辐射结构2置。其中所述辐射结构21远离第一焊球的一侧连接裸片传输通道22的一端，以实现辐射结构21与裸片传输通道22之间的电连接。

在图12所示结构中，以辐射结构21的形状为矩形为例进行说明，在实际应用中，不限于此，可以为其他任意规则形状(如，圆形或正方形)或者不规则形状。

在图12所示结构中，以第一焊球Q1的个数为4个为例，在实际应用中，不限于此，可以为一个或多个。

进一步的，第二焊球Q2既可以构成第一波导通道D1，也可以作为第一焊球Q1对应的信号隔离结构，降低第一焊球Q1传输信号过程中信号的泄露对外部结构的影响，因此将所述第二焊球Q2的部署位置设置在接地区，可以有效将第二焊球Q2拦截的信号导入接地区，提高信号隔离效果。

本申请实施例还提供一种毫米波雷达，设置有上文所述的射频装置100。

其中，该毫米波雷达通过该射频装置100发射射频信号，并通过该射频装置接收发射信号对应的回波信号，实现对环境空间的检测。

本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统、装置中的功能模块/单元可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。在硬件实施方式中，在以上描述中提及的功能模块/单元之间的划分不一定对应于物理组件的划分；例如，一个物理组件可以具有多个功能，或者一个功能或步骤可以由若干物理组件合作执行。某些组件或所有组件可以被实施为由处理器，如数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。

Claims (10)

1.一种射频装置，其特征在于，包括：

封装有集成电路裸片的半导体封装，所述半导体封装的表面上设有用于发射或接收信号的辐射结构，且所述辐射结构上连接有至少一个第一焊球；

位于所述半导体封装表面且围绕所述辐射结构布置的一组第二焊球；

所述半导体封装通过所述辐射结构实现与所述第二焊球围设的第一波导通道进行信号传输，或通过与所述辐射结构连接的第一焊球进行信号的传输。

2.根据权利要求1所述的射频装置，其特征在于，所述射频装置还包括：

电路板，所述电路板上布置有第一天线结构或第二天线结构，其中所述半导体封装连接到所述电路板上，且通过所述第一焊球连接所述第一天线结构实现信号传输，或者，通过所述第一波导通道实现与所述第二天线结构的信号传输。

3.根据权利要求2所述的射频装置，其特征在于，所述电路板具有第一面和第二面，所述半导体封装位于第一面，所述第一天线结构位于第一面，所述第二天线结构位于第二面。

4.根据权利要求3所述的射频装置，其特征在于，所述辐射结构位于所述半导体封装中邻近所述电路板的一侧。

5.根据权利要求4所述的射频装置，其特征在于，所述电路板设置有与所述第一焊球匹配的导电结构以及用于第一天线结构的信号传输的电路板传输通道，其中所述电路板传输通道的一端与所述导电结构电连接，另一端与所述第一天线结构电连接；

其中，所述导电结构和所述电路板传输通道实现所述第一焊球与所述第一天线结构之间的信号传输。

6.根据权利要求4所述的射频装置，其特征在于，所述电路板设置有与所述第一波导通道对应的波导腔，其中所述波导腔与所述第二天线结构相连。

7.根据权利要求1至6任一所述的射频装置，其特征在于，所述第二焊球的部署位置为接地区。

8.根据权利要求1至6任一所述的射频装置，其特征在于，所述辐射结构为所述第一焊球的焊盘。

9.根据权利要求8所述的射频装置，其特征在于，所述半导体封装设置有裸片传输通道，其中所述裸片传输通道的一端与所述辐射结构电连接，另一端与所述集成电路裸片电连接。

10.一种毫米波芯片，其特征在于，设置有如权利要求1至9任一所述的射频装置。