JP7220827B1 - 液晶ポリエステル、液晶ポリエステルの製造方法、液晶ポリエステル組成物、フィルム、フィルムの製造方法、及び、回路基板 - Google Patents

液晶ポリエステル、液晶ポリエステルの製造方法、液晶ポリエステル組成物、フィルム、フィルムの製造方法、及び、回路基板 Download PDF

Info

Publication number
JP7220827B1
JP7220827B1 JP2022122145A JP2022122145A JP7220827B1 JP 7220827 B1 JP7220827 B1 JP 7220827B1 JP 2022122145 A JP2022122145 A JP 2022122145A JP 2022122145 A JP2022122145 A JP 2022122145A JP 7220827 B1 JP7220827 B1 JP 7220827B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystalline
crystalline polyester
group
phenolic hydroxyl
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022122145A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023138235A (ja
Inventor
新治 大友
昌平 莇
桃波 土佐
希望 増井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of JP7220827B1 publication Critical patent/JP7220827B1/ja
Priority to US18/181,288 priority Critical patent/US12077705B2/en
Priority to KR1020230031042A priority patent/KR20230135519A/ko
Priority to TW112109117A priority patent/TWI839153B/zh
Priority to CN202310240477.6A priority patent/CN116199865B/zh
Publication of JP2023138235A publication Critical patent/JP2023138235A/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G63/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain of the macromolecule
    • C08G63/02Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds
    • C08G63/06Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds derived from hydroxycarboxylic acids
    • C08G63/065Polyesters derived from hydroxycarboxylic acids or from polycarboxylic acids and polyhydroxy compounds derived from hydroxycarboxylic acids the hydroxy and carboxylic ester groups being bound to aromatic rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00Liquid crystal materials
    • C09K19/04Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/38Polymers
    • C09K19/3804Polymers with mesogenic groups in the main chain
    • C09K19/3809Polyesters; Polyester derivatives, e.g. polyamides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18Manufacture of films or sheets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00Liquid crystal materials
    • C09K19/04Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/38Polymers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2367/00Characterised by the use of polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Derivatives of such polymers
    • C08J2367/04Polyesters derived from hydroxy carboxylic acids, e.g. lactones
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2219/00Aspects relating to the form of the liquid crystal [LC] material, or by the technical area in which LC material are used
    • C09K2219/03Aspects relating to the form of the liquid crystal [LC] material, or by the technical area in which LC material are used in the form of films, e.g. films after polymerisation of LC precursor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2219/00Aspects relating to the form of the liquid crystal [LC] material, or by the technical area in which LC material are used
    • C09K2219/13Aspects relating to the form of the liquid crystal [LC] material, or by the technical area in which LC material are used used in the technical field of thermotropic switches

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

【課題】耐熱性の高い液晶ポリエステルの提供。【解決手段】一般式(A1)で表される繰返し単位(A1)、及び、一般式(A2)で表される繰返し単位(A2)を有し、繰返し単位(A2)/繰返し単位(A1)が、1.2以上であり、1H-NMRにより算出される、フェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比[フェノール性水酸基/(フェノール性水酸基+アシル基)]が、0.3以下である、液晶ポリエステル。式中、Ar11は、フェニレン基を表す。Ar12は、ナフチレン基を表す。(A1)-O-Ar11-CO-(A2)-O-Ar12-CO-【選択図】なし

Description

本発明は、液晶ポリエステル、液晶ポリエステルの製造方法、液晶ポリエステル組成物、フィルム、フィルムの製造方法、及び、回路基板に関する。
液晶ポリエステルは、化学的安定性、耐熱性及び寸法精度が高いことが知られており、電気、電子、機械、光学機器、自動車、航空機、及び医療分野等の様々な分野で利用されている。
これらの分野の中でも、特に液晶ポリエステルは、優れた高周波特性を有し、かつ、低吸水性であることから、電子部品用の材料として注目されている。
液晶ポリエステルは、他の熱可塑性樹脂と比較して分子構造が剛直で、双極子性が小さく、電場を加えても運動しにくいことから、高周波での誘電正接が優れている。
また、液晶ポリエステルは、耐熱性が高いことから、比誘電率、及び、誘電正接が熱的にも安定している。また、液晶ポリエステルは、低吸水性であるため、比誘電率、及び、誘電正接の吸水による変化がほぼない。また、液晶ポリエステルは、流動性が高いことから、薄く小型の成形体を作製するのに優れている。
例えば、特許文献1には、2種以上の芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰返し単位を含んでなる液晶性芳香族ポリエステルであって、該ポリエステルが、次の(1)~(3)のいずれかの組成を含んでなることを特徴とする絶縁材料用液晶性芳香族ポリエステルが開示されている。
(1)下記(a)および(b)からなり、(a)および(b)の合計モル数に対する(a)の含有割合が30~90モル%の範囲で構成されてなる組成
(2)下記(a)および(c)からなり、(a)および(c)の合計モル数に対する(a)の含有割合が5~65モル%の範囲で構成されてなる組成
(3)下記(a)、(b)および(c)からなり、(a)、(b)および(c)の合計モル数に対する(a)の含有割合が30~90モル%の範囲で構成されてなる組成
(a)p-ヒドロキシ安息香酸に由来する繰返し単位
(b)m-ヒドロキシ安息香酸に由来する繰返し単位
(c)1種以上のヒドロキシナフトエ酸に由来する繰返し単位
特許文献1に記載の絶縁材料用液晶性芳香族ポリエステルは、高周波領域における誘電正接が小さいと開示されている。
特開2004-250620号公報
特許文献1に記載されたような従来の液晶ポリエステルにおいては、耐熱性について改善の余地がある。
例えば、従来の液晶ポリエステルを用いて、溶融成形を行う場合、耐熱性が十分でなく、該液晶ポリエステルが分解されてしまい、ガスが発生してしまう場合がある。また、従来の液晶ポリエステルを用いて、溶融成形によりフィルムを製造する場合、加熱時に、該液晶ポリエステルが分解して発生するガスが、フィルムの巻取りロールに付着して固化することで、フィルム中の異物となる場合がある。
本発明は、上記のような問題点を解消するためになされたものであり、耐熱性がより高められた液晶ポリエステルを提供することを目的とする。
また本発明は、前記液晶ポリエステルの製造方法、前記液晶ポリエステルを含有する液晶ポリエステル組成物、前記液晶ポリエステルを含むフィルム、前記フィルムの製造方法、及び、前記フィルムを含む回路基板を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決すべく、鋭意検討した結果、少なくとも2種の特定の繰返し単位を、特定の割合で有する液晶ポリエステルにおいて、該液晶ポリエステルにおけるH-NMRにより算出される、フェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比を特定の数値範囲内となるように制御した結果、加熱時のガス発生量が少なく、耐熱性が向上することを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は以下の態様を有する。
[1]芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰返し単位を含み、前記芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰返し単位は、下記一般式(A1)で表される繰返し単位(A1)、及び、下記一般式(A2)で表される繰返し単位(A2)を含み、前記繰返し単位(A1)の数と前記繰返し単位(A2)の数との比[繰返し単位(A2)/繰返し単位(A1)]が、1.2以上であり、
H-NMRにより算出される、フェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比[フェノール性水酸基/(フェノール性水酸基+アシル基)]が、0.3以下である、液晶ポリエステル。
(A1)-O-Ar11-CO-
(A2)-O-Ar12-CO-
[式中、Ar11は、フェニレン基を表す。Ar11におけるフェニレン基が有する水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基で置換されていてもよい。Ar12は、ナフチレン基を表す。Ar12におけるナフチレン基が有する水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基で置換されていてもよい。]
[2]前記芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰返し単位を、前記液晶ポリエステルを構成する全繰返し単位の合計数を100%として、50%以上含む、[1]に記載の液晶ポリエステル。
[3]前記一般式(A1)中のAr11は、1,4-フェニレン基であり、前記一般式(A2)中のAr12は、2,6-ナフチレン基である、[1]又は[2]に記載の液晶ポリエステル。
[4]重量平均分子量が、100000~800000である、[1]~[3]のいずれか一項に記載の液晶ポリエステル。
[5][1]~[4]のいずれか一項に記載の液晶ポリエステルの製造方法であって、芳香族ヒドロキシカルボン酸と、脂肪酸無水物とをアシル化反応させて、アシル化物を得る工程(i)、及び、前記アシル化物と、芳香族ヒドロキシカルボン酸とをエステル交換反応させて、液晶ポリエステルを得る工程(ii)を含み、前記工程(i)における前記脂肪酸無水物の使用量が、前記芳香族ヒドロキシカルボン酸の有するフェノール性水酸基1当量に対して、前記脂肪酸無水物が1.10当量超である、液晶ポリエステルの製造方法。
[6]前記工程(i)又は工程(ii)は、下記式(N-1)で表される複素環状有機塩基化合物の存在下で反応を行う、[5]に記載の液晶ポリエステルの製造方法。
Figure 0007220827000001
[R~Rは、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、ヒドロキシメチル基、シアノ基、アルキル基の炭素数が1~4であるシアノアルキル基、アルコキシ基の炭素数が1~4であるシアノアルコキシ基、カルボキシ基、アミノ基、炭素数1~4のアミノアルキル基、炭素数1~4のアミノアルコキシ基、フェニル基、ベンジル基、フェニルプロピル基、又は、ホルミル基である。]
[7][1]~[4]のいずれか一項に記載の液晶ポリエステルと、溶媒とを含有する、液晶ポリエステル組成物。
[8][1]~[4]のいずれか一項に記載の液晶ポリエステルを含む、フィルム。
[9][1]~[4]のいずれか一項に記載の液晶ポリエステルを溶融成形してフィルムを製造する工程を有する、フィルムの製造方法。
[10]前記溶融成形してフィルムを製造する工程は、インフレーション法、又はTダイ法を用いる、[9]に記載のフィルムの製造方法。
[11][8]に記載のフィルムを含む、回路基板。
本発明によれば、耐熱性がより高められた液晶ポリエステルを提供することができる。
また、本発明によれば、前記液晶ポリエステルの製造方法、前記液晶ポリエステルを含有する液晶ポリエステル組成物、前記液晶ポリエステルを含むフィルム、前記フィルムの製造方法、及び、前記フィルムを含む回路基板を提供することができる。
本実施形態のフィルムを示す模式図である。
(液晶ポリエステル)
本実施形態の液晶ポリエステルは、H-NMRにより算出される、フェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比[フェノール性水酸基/(フェノール性水酸基+アシル基)]が、0.3以下である。
本実施形態の液晶ポリエステルは、原料モノマーである芳香族化合物に由来する繰返し単位を有する。該芳香族化合物は、芳香環に水酸基(フェノール性水酸基)を有する。
また、本実施形態の液晶ポリエステルは、フェノール性水酸基の水素原子がアシル基に置換された芳香族化合物に由来する繰返し単位を有する。
本実施形態の液晶ポリエステルは、典型的には、主鎖末端にフェノール性水酸基、及び、アシル基を有する。
本明細書において、「由来」とは、原料モノマーが重合するために化学構造が変化し、その他の構造変化を生じないことを意味する。
フェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比[フェノール性水酸基/(フェノール性水酸基+アシル基)]は、0.3以下であり、0.28以下が好ましく、0.26以下がより好ましく、0.24以下がさらに好ましい。
フェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比が、0.3以下であることで、耐熱性が向上する。また、該モル比が、上記の好ましい値以下であることで、耐熱性がより向上する。
フェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比の下限値は、特に限定されず、0.01以上が好ましく、0.03以上がより好ましく、0.05以上がさらに好ましい。
例えば、フェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比は、0.01以上0.3以下が好ましく、0.03以上0.28以下がより好ましく、0.05以上0.26以下がさらに好ましく、0.05以上0.24以下が特に好ましい。
また、フェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比は、0.05以上0.15以下であってもよい。
本実施形態の液晶ポリエステルにおけるフェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比は、H-NMR測定によって算出される。具体的な算出方法は、以下の通りである。
(i)H-NMRスペクトルから、液晶ポリエステルのアシル基由来の水素原子に帰属されるピーク面積Aを求める。なお、「アシル基由来の水素原子」とは、具体的には、「アシル基における、アシル基のカルボニル基の炭素原子に隣接する炭素原子に結合している水素原子」(α水素)を意味する。
(ii)ピーク面積Aを、アシル基を有する繰返し単位当たりの水素原子数で割ることにより、アシル基の相対物質量(IntAc)を算出することができる。
(iii)(i)と同一のH-NMRスペクトルから、液晶ポリエステルのフェノール性水酸基が結合している炭素原子に隣接する炭素原子が有する水素原子に帰属されるピーク面積Bを求める。
(iv)ピーク面積Bを、フェノール性水酸基を有する繰返し単位あたりの水素原子数で割ることにより、フェノール性水酸基の相対物質量(IntOH)を算出することができる。
(v)(ii)で求めた(IntAc)と、(iv)で求めた(IntOH)とを用いて、(IntOH)/[(IntOH)+(IntAc)]により、算出することができる。
H-NMR測定における測定溶媒としては、H-NMR測定が可能であり、液晶ポリエステルを溶解し得る溶媒であればよく、重水素化ペンタフルオロフェノール及び重水素化1,1,2,2-テトラクロロエタンが好適である。
測定溶媒として重水素化ペンタフルオロフェノール及び重水素化1,1,2,2-テトラクロロエタンを用いた場合のH-NMRの測定装置及び測定条件としては、以下のものが挙げられる。
NMR装置:Bruker社製AVANCE III
磁場強度:14.1T
プローブ:TCIクライオプローブ
測定用試料溶液は、試料10mgに重水素化ペンタフルオロフェノール0.5mLを添加し、100℃で2時間溶解させ、さらに重水素化1,1,2,2-テトラクロロエタン0.3mLを加えて混合し調製する。NMR測定は下記条件で行う。
測定法: H―1D (プレサチュレーション法)
測定温度:30℃
積算回数:64回
待ち時間:4秒
本実施形態の液晶ポリエステルの流動開始温度は、250℃以上であることが好ましく、270℃以上であることがより好ましく、280℃以上であることがさらに好ましい。
また、本実施形態の液晶ポリエステルの流動開始温度は、400℃以下であることが好ましく、360℃以下であることがより好ましく、320℃以下であることがさらに好ましい。
例えば、本実施形態の液晶ポリエステルの流動開始温度は、250℃以上400℃以下であることが好ましく、270℃以上360℃以下であることがより好ましく、280℃以上320℃以下であることがさらに好ましい。
本明細書において、流動開始温度は、フロー温度または流動温度とも呼ばれ、液晶ポリエステルの分子量の目安となる温度である(小出直之編、「液晶ポリマー-合成・成形・応用-」、株式会社シーエムシー、1987年6月5日、p.95参照)。
流動開始温度の測定方法として、具体的には、毛細管レオメーターを用いて、液晶ポリエステルを9.8MPa(100kg/cm)の荷重下4℃/分の速度で昇温しながら溶融させ、内径1mmおよび長さ10mmのノズルから押し出すときに、4800Pa・s(48000ポイズ)の粘度を示す温度である。
本実施形態の液晶ポリエステルは、芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰返し単位を含む。
本実施形態の液晶ポリエステルにおける芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰返し単位の数は、液晶ポリエステルを構成する全繰返し単位の合計数を100%として、50%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることがさらに好ましく、100%であってもよい。
本実施形態の液晶ポリエステルにおける芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰返し単位の含有量が、上記の好ましい値以上であれば、本実施形態の液晶ポリエステルの耐熱性がより向上する。
上記「芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰返し単位」とは、芳香族ヒドロキシカルボン酸から誘導される繰返し単位のみではなく、芳香族ヒドロキシカルボン酸と、脂肪酸無水物とをアシル化して得られるアシル化物から誘導される繰返し単位も含まれる。
本明細書において、繰返し単位の数は、例えば、特開2000-19168号公報に記載の分析方法によって求めることができる。
具体的には、液晶ポリエステルを超臨界状態である炭素数1~3の低級アルコールと反応させて、前記液晶ポリエステルをその繰返し単位を誘導するモノマーまで解重合し、解重合生成物として得られる各繰返し単位を誘導するモノマーを液体クロマトグラフィーによって定量することで、各繰返し単位の数を算出することができる。
芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰返し単位は、下記一般式(A1)で表される繰返し単位(A1)(以下、「繰返し単位(A1)」ともいう)、及び、下記一般式(A2)で表される繰返し単位(A2)(以下、「繰返し単位(A2)」ともいう)を含む。
(A1)-O-Ar11-CO-
(A2)-O-Ar12-CO-
[式中、Ar11は、フェニレン基を表す。Ar11におけるフェニレン基が有する水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基で置換されていてもよい。Ar12は、ナフチレン基を表す。Ar12におけるナフチレン基が有する水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基で置換されていてもよい。]
上記一般式(A1)中、Ar11は、フェニレン基であり、1,4-フェニレン基であることが好ましい。すなわち、繰返し単位(A1)は、p-ヒドロキシ安息香酸、及び、p-ヒドロキシ安息香酸のフェノール性水酸基がアシル化された化合物に由来する繰返し単位であることが好ましい。
上記一般式(A1)中、Ar11におけるフェニレン基が有する水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基で置換されていてもよい。
該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
該アルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、n-ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基、n-デシル基等が挙げられ、その炭素数は、1~10が好ましい。
該アリール基としては、フェニル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基等が挙げられ、その炭素数は、6~20が好ましい。
Ar11におけるフェニレン基は、置換されていないことが好ましい。
上記一般式(A2)中、Ar12は、ナフチレン基であり、電気特性の観点から、2,6-ナフチレン基であることが好ましい。すなわち、繰返し単位(A2)は、6-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸、及び、6-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸のフェノール性水酸基がアシル化された化合物に由来する繰返し単位であることが好ましい。
上記一般式(A2)中、Ar12におけるナフチレン基が有する水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基で置換されていてもよい。該ハロゲン原子、アルキル基、及び、アリール基として、具体的には、上述したAr11の置換基におけるハロゲン原子、アルキル基、及び、アリール基と同様の原子及び置換基が挙げられる。
本実施形態の液晶ポリエステルは、繰返し単位(A1)及び繰返し単位(A2)のみからなることが好ましい。
本実施形態の液晶ポリエステルにおける繰返し単位(A1)の数は、液晶ポリエステルを構成する全繰返し単位の合計数を100%として、10%以上が好ましく、15%以上がより好ましく、20%以上がさらに好ましい。
また、繰返し単位(A1)の数は、液晶ポリエステルを構成する全繰返し単位の合計数を100%として、45%以下が好ましく、42%以下がより好ましく、42%未満であることがさらに好ましく、40%以下が特に好ましく、33%以下が最も好ましい。
本実施形態の液晶ポリエステルにおける繰返し単位(A1)の数が、上記の好ましい範囲内であると、本実施形態の液晶ポリエステルの耐熱性がより向上する。
例えば、本実施形態の液晶ポリエステルにおける繰返し単位(A1)の数は、液晶ポリエステルを構成する全繰返し単位の合計数を100%として、10%以上45%以下が好ましく、15%以上42%以下がより好ましく、15%以上42%未満がさらに好ましく、20%以上40%以下が特に好ましく、20%以上33%以下が最も好ましい。
本実施形態の液晶ポリエステルにおける繰返し単位(A2)の数は、液晶ポリエステルを構成する全繰返し単位の合計数を100%として、40%以上が好ましく、50%以上がより好ましく、50%超がさらに好ましく、52%以上がさらに好ましく、55%以上がさらに好ましく、58%以上が特に好ましく、60%以上が最も好ましい。
また、繰返し単位(A2)の数は、液晶ポリエステルを構成する全繰返し単位の合計数を100%として、90%以下が好ましく、85%以下がより好ましく、80%以下がさらに好ましい。
本実施形態の液晶ポリエステルにおける繰返し単位(A2)の数が、上記の好ましい範囲内であると、本実施形態の液晶ポリエステルの耐熱性がより向上する。
例えば、本実施形態の液晶ポリエステルにおける繰返し単位(A2)の数は、液晶ポリエステルを構成する全繰返し単位の合計数を100%として、40%以上90%以下が好ましく、50%以上85%以下がより好ましく、50%超85%以下がさらに好ましく、52%以上85%以下がさらに好ましく、55%以上85%以下がさらに好ましく、58%以上80%以下が特に好ましく、60%以上80%以下が最も好ましい。
本実施形態の液晶ポリエステルにおける繰返し単位(A1)の数と繰返し単位(A2)の数との比[繰返し単位(A2)/繰返し単位(A1)]は、1.2以上であり、1.3以上であることが好ましく、1.4以上であることがより好ましい。
また、繰返し単位(A1)の数と繰返し単位(A2)の数との比[繰返し単位(A2)/繰返し単位(A1)]は、5以下であることが好ましく、4以下であることがより好ましく、3.5以下であることがさらに好ましい。
繰返し単位(A1)の数と繰返し単位(A2)の数との比[繰返し単位(A2)/繰返し単位(A1)]が、上記の好ましい範囲内であると、本実施形態の液晶ポリエステルの耐熱性がより向上する。
例えば、本実施形態の液晶ポリエステルにおける繰返し単位(A1)の数と繰返し単位(A2)の数との比[繰返し単位(A2)/繰返し単位(A1)]は、1.2以上5以下であることが好ましく、1.3以上4以下であることがより好ましく、1.4以上3.5以下であることがさらに好ましい。
本実施形態の液晶ポリエステルの重量平均分子量(Mw)は、100000以上であることが好ましく、110000以上であることがより好ましく、600000以上であることがさらに好ましい。
一方で、本実施形態の液晶ポリエステルの重量平均分子量(Mw)は、800000以下であることが好ましく、750000以下であることがより好ましく、700000以下であることがさらに好ましい。
本実施形態の液晶ポリエステルの重量平均分子量が、上記の好ましい範囲内であると、本実施形態の液晶ポリエステルの耐熱性がより向上する。
例えば、本実施形態の液晶ポリエステルの重量平均分子量は、100000~800000であることが好ましく、110000~750000であることがより好ましく、600000~700000であることがさらに好ましい。
本実施形態の液晶ポリエステルの数平均分子量(Mn)は、10000以上であることが好ましく、30000以上であることがより好ましく、150000以上であることがさらに好ましい。
一方で、本実施形態の液晶ポリエステルの数平均分子量(Mn)は、800000以下であることが好ましく、750000以下であることがより好ましく、700000以下であることがさらに好ましい。
本実施形態の液晶ポリエステルの数平均分子量が、上記の好ましい範囲内であると、本実施形態の液晶ポリエステルの耐熱性がより向上する。
例えば、本実施形態の液晶ポリエステルの数平均分子量(Mn)は、10000~300000であることが好ましく、30000~250000であることがより好ましく、150000~200000であることがさらに好ましい。
本実施形態の液晶ポリエステルの分散度(Mw/Mn)は、2.0~6.0であることが好ましく、3.0~5.0であることがより好ましく、3.5~4.0であることがさらに好ましい。
本明細書において、重量平均分子量及び数平均分子量は、例えば、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)分析により求めることができ、標準ポリスチレンの分子量を測定して得られた検量線に基づいて、標準ポリスチレン換算で求められた値を意味する。
本実施形態の液晶ポリエステルは、典型的には、6-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸に由来する繰返し単位と、p-ヒドロキシ安息香酸に由来する繰返し単位とを有し、6-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸に由来する繰返し単位及び/又はp-ヒドロキシ安息香酸に由来する繰返し単位の主鎖末端のフェノール性水酸基の一部が、アシル基(好ましくはアセチル基)に置換されているものである。
本実施形態の液晶ポリエステルは、2種以上の液晶ポリエステルが混合された液晶ポリエステル樹脂混合物であってもよく、例えば、流動開始温度が互いに異なる液晶ポリエステル樹脂の混合物であってもよい。
本実施形態の液晶ポリエステルは、H-NMRにより算出される、フェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比[フェノール性水酸基/(フェノール性水酸基+アシル基)]が、0.3以下であり、フェノール性水酸基よりも熱的に安定であろうアシル基が、フェノール性水酸基に対して比較的多い。そのため、例えば、該液晶ポリエステルを加熱した際に、主鎖末端が破壊され、破壊された部分がガスになってしまうという事態が生じにくいと推測される。
したがって、本実施形態の液晶ポリエステルは耐熱性が高められていると推測される。
(液晶ポリエステルの製造方法)
本実施形態の液晶ポリエステルの製造方法は、芳香族ヒドロキシカルボン酸と、脂肪酸無水物とをアシル化反応させて、アシル化物を得る工程(i)、及び、前記アシル化物と、芳香族ヒドロキシカルボン酸とをエステル交換反応させて、液晶ポリエステルを得る工程(ii)を含む。
[工程(i)]
工程(i)は、芳香族ヒドロキシカルボン酸と、脂肪酸無水物とをアシル化反応させて、アシル化物を得る工程である。
例えば、芳香族ヒドロキシカルボン酸がp-ヒドロキシ安息香酸であり、脂肪酸無水物が無水酢酸である場合、p-ヒドロキシ安息香酸のフェノール性水酸基の水素原子が、無水酢酸のアセチル基に置換され、アシル化物が生じる。
また、p-ヒドロキシ安息香酸のフェノール性水酸基の水素イオン(H)と、無水酢酸のアセチルオキシ基から生じる陰イオン(CHCOO)とから、酢酸が副生する。
工程(i)における芳香族ヒドロキシカルボン酸としては、下記式(A01)で表される芳香族ヒドロキシカルボン酸(以下、「芳香族ヒドロキシカルボン酸(A01)」ともいう)、及び、下記式(A02)で表される芳香族ヒドロキシカルボン酸(以下、「芳香族ヒドロキシカルボン酸(A02)」ともいう)等が挙げられる。
(A01)HO-Ar11-COOH
(A02)HO-Ar12-COOH
[式中、Ar11は、フェニレン基を表す。Ar11におけるフェニレン基が有する水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基で置換されていてもよい。Ar12は、ナフチレン基を表す。Ar12におけるナフチレン基が有する水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基で置換されていてもよい。]
上記式(A01)中、Ar11は、上記式(A1)中のAr11と同一である。
上記式(A02)中、Ar12は、上記式(A2)中のAr12と同一である。
芳香族ヒドロキシカルボン酸(A01)として、具体的には、p-ヒドロキシ安息香酸、m-ヒドロキシ安息香酸等が挙げられ、p-ヒドロキシ安息香酸であることが好ましい。
芳香族ヒドロキシカルボン酸(A02)として、具体的には、2―ヒドロキシ-6-ナフトエ酸、2―ヒドロキシ-3-ナフトエ酸、1―ヒドロキシ-4-ナフトエ酸等が挙げられ、2―ヒドロキシ-6-ナフトエ酸であることが好ましい。
工程(i)における脂肪酸無水物としては、炭素数9以下の脂肪酸無水物が挙げられ、具体的には、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水ブタン酸、無水2-メチルプロピオン酸、無水ペンタン酸、無水2,2-ジメチルプロピオン酸、無水2-エチルヘキサン酸、無水モノクロル酢酸、無水ジクロル酢酸、無水トリクロル酢酸、無水モノブロモ酢酸、無水ジブロモ酢酸、無水トリブロモ酢酸、無水モノフルオロ酢酸、無水ジフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、無水ペンタン-1,5-ジカルボン酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、無水β-ブロモプロピオン酸等が挙げられる。
その中でも、無水酢酸が好ましい。
工程(i)における芳香族ヒドロキシカルボン酸は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
工程(i)における脂肪酸無水物の使用量は、芳香族ヒドロキシカルボン酸の有するフェノール性水酸基1当量に対して、脂肪酸無水物が1当量超であることが好ましく、1.01当量以上であることがより好ましく、1.05当量以上であることがさらに好ましく、1.10当量超であることが特に好ましい。
工程(i)における脂肪酸無水物の使用量は、芳香族ヒドロキシカルボン酸の有するフェノール性水酸基1当量に対して、脂肪酸無水物が1.35当量以下であることが好ましく、1.30当量以下であることが好ましく、1.25当量以下であることがより好ましく、1.20当量以下であることがさらに好ましい。
工程(i)における脂肪酸無水物の使用量が、上記の好ましい範囲内であると、液晶ポリエステルにおけるH-NMRにより算出される、フェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比[フェノール性水酸基/(フェノール性水酸基+アシル基)]を、0.3以下に容易に制御することができる。
例えば、工程(i)における脂肪酸無水物の使用量は、芳香族ヒドロキシカルボン酸の有するフェノール性水酸基1当量に対して、脂肪酸無水物が1当量超1.35当量以下であることが好ましく、1.01当量以上1.30当量以下であることがより好ましく、1.05当量以上1.25当量以下であることがさらに好ましく、1.10当量超1.20当量以下であることが特に好ましい。
また、工程(i)における脂肪酸無水物の使用量は、芳香族ヒドロキシカルボン酸の有するフェノール性水酸基1当量に対して、脂肪酸無水物が1.01当量以上1.20当量以下であってもよい。
従来の液晶ポリエステルの製造法では、脂肪酸無水物1当量に対してフェノール性水酸基が過剰になるよう、脂肪酸無水物を使用するのが通常であったところ、本実施形態では、フェノール性水酸基1当量に対して脂肪酸無水物が1当量超になるよう脂肪酸無水物を過剰に使用する点で、従来法と異なる。
工程(i)は、下記式(N-1)で表される複素環状有機塩基化合物(以下、「(N)成分ともいう」)の存在下で行ってもよい。
Figure 0007220827000002
[R~Rは、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、ヒドロキシメチル基、シアノ基、アルキル基の炭素数が1~4であるシアノアルキル基、アルコキシ基の炭素数が1~4であるシアノアルコキシ基、カルボキシ基、アミノ基、炭素数1~4のアミノアルキル基、炭素数1~4のアミノアルコキシ基、フェニル基、ベンジル基、フェニルプロピル基、又は、ホルミル基である。]
~Rにおける炭素数1~4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、tert-ブチル基等が挙げられる。
~Rにおけるシアノアルキル基としては、シアノメチル基、シアノエチル基、シアノプロピル基等が挙げられる。
~Rにおけるシアノアルコキシ基としては、例えば、シアノメトキシ基、シアノエトキシ基、シアノブトキシ基が挙げられる。
~Rにおけるアミノアルキル基としては、例えば、アミノメチル基、アミノエチル基、アミノプロピル基が挙げられる。
炭素数1~4のアミノアルコキシ基としては、例えば、アミノメトキシ基、アミノエトキシ基、アミノブトキシ基が挙げられる。
(N)成分として、具体的には、イミダゾ-ル、1-メチルイミダゾ-ル、2-メチルイミダゾ-ル、4-メチルイミダゾ-ル、1-エチルイミダゾ-ル、2-エチルイミダゾ-ル、4-エチルイミダゾ-ル、1,2-ジメチルイミダゾ-ル、1,4-ジメチルイミダゾ-ル、2,4-ジメチルイミダゾ-ル、1-メチル-2-エチルイミダゾ-ル、1-メチル-4エチルイミダゾ-ル、1-エチル-2-メチルイミダゾ-ル、1-エチル-2-エチルイミダゾ-ル、1-エチル-2-フェニルイミダゾ-ル、2-エチル-4-メチルイミダゾ-ル、2-フェニルイミダゾ-ル、1-ベンジル-2-メチルイミダゾ-ル、2-フェニル-4-メチルイミダゾ-ル、1-シアノエチル-2-メチルイミダゾ-ル、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾ-ル、4-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾ-ル、1-アミノエチル-2-メチルイミダゾ-ル、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾ-ル、1-アミノエチル-2-メチルイミダゾ-ル、1-アミノエチル-2-エチルイミダゾ-ル、4-ホルミルイミダゾ-ル、2-メチル-4-ホルミルイミダゾ-ル、4-メチル-5-ホルミルイミダゾ-ル、2-エチル-4-メチル-5-ホルミルイミダゾ-ル、2-フェニル-4-メチル-4-ホルミルイミダゾ-ル等が挙げられる。その中でも入手の容易性および取り扱い性の観点から、1-メチルイミダゾ-ル、2-メチルイミダゾ-ルが好ましい。
本実施形態における工程(i)における(N)成分の使用量は、工程(i)で用いられる芳香族ヒドロキシカルボン酸100質量部に対して、15質量ppm以上であることが好ましく、20質量ppm以上であることがより好ましく、25質量ppm以上であることが好ましい。
工程(i)における(N)成分の使用量は、工程(i)で用いられる芳香族ヒドロキシカルボン酸100質量部に対して、150質量ppm以下であることが好ましく、120質量ppm以下であることがより好ましく、100質量ppm以下であることが好ましい。
本実施形態における工程(i)における(N)成分の使用量が、上記の好ましい範囲内であると、液晶ポリエステルにおけるH-NMRにより算出される、フェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比[フェノール性水酸基/(フェノール性水酸基+アシル基)]を、0.3以下に容易に制御することができる。
例えば、本実施形態における工程(i)における(N)成分の使用量は、工程(i)で用いられる芳香族ヒドロキシカルボン酸100質量部に対して、15質量ppm以上150質量ppm以下であることが好ましく、20質量ppm以上120質量ppm以下であることがより好ましく、25質量ppm以上100質量ppm以下であることが好ましい。
(N)成分を工程(i)における反応系へ添加する方法は、特に限定されず、反応、物性に影響を与えない溶剤に混合してから該反応系へ添加してもよい。該溶剤としては、例えば、酢酸が挙げられる。
工程(i)におけるアシル化反応は、130℃~150℃の温度範囲で30分~20時間行うことが好ましく、135℃~145℃で30分~3時間行うことがより好ましい。
[工程(ii)]
工程(ii)は、上述した工程(i)によって得られるアシル化物と、芳香族ヒドロキシカルボン酸とをエステル交換反応させて、液晶ポリエステルを得る工程である。
該芳香族ヒドロキシカルボン酸としては、上述した工程(i)における芳香族ヒドロキシカルボン酸と同一のもの、すなわち、未反応の芳香族ヒドロキシカルボン酸が挙げられる。
工程(ii)は、(N)成分の存在下で反応を行ってもよい。
本実施形態における工程(ii)における(N)成分の使用量は、工程(ii)で用いられる芳香族ヒドロキシカルボン酸100質量部に対して、15質量ppm以上であることが好ましく、20質量ppm以上であることがより好ましく、25質量ppm以上であることが好ましい。
一方で、工程(ii)における(N)成分の使用量は、工程(ii)で用いられる芳香族ヒドロキシカルボン酸100質量部に対して、150質量ppm以下であることが好ましく、120質量ppm以下であることがより好ましく、100質量ppm以下であることが好ましい。
本実施形態における工程(ii)における(N)成分の使用量が、上記の好ましい範囲内であると、液晶ポリエステルにおけるH-NMRにより算出される、フェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比[フェノール性水酸基/(フェノール性水酸基+アシル基)]を0.3以下に容易に制御することができる。
例えば、本実施形態における工程(ii)における(N)成分の使用量は、工程(ii)で用いられる芳香族ヒドロキシカルボン酸100質量部に対して、15質量ppm以上150質量ppm以下であることが好ましく、20質量ppm以上120質量ppm以下であることがより好ましく、25質量ppm以上100質量ppm以下であることが好ましい。
(N)成分を工程(ii)における反応系へ添加する方法は、特に限定されず、反応、物性に影響を与えない溶剤に混合してから該反応系へ添加してもよい。該溶剤としては、例えば、酢酸が挙げられる。
工程(ii)におけるエステル交換反応は、120~150℃から250~350℃までを、0.1~5℃/分かけて昇温した後に、昇温した温度を保持したまま、2~5時間反応させることが好ましく、130~150℃から270~330℃までを、0.1~5℃/分の割合で昇温した後に、昇温した温度を保持したまま、2~5時間反応させることがより好ましい。
エステル交換反応を行う際には、平衡反応であるエステル交換反応について、液晶ポリエステルの生成側に平衡を偏らせるために、副生する脂肪酸(例えば、酢酸)および未反応の脂肪酸無水物(例えば、無水酢酸)を、蒸発させて系外に留去させることが好ましい。このとき、留出する脂肪酸の一部を還流させて反応器に戻すことにより、脂肪酸と同伴して蒸発または昇華する原料モノマー等を凝縮または逆昇華させて反応器に戻すこともできる。
工程(i)及び(ii)は、反応器として、回分装置を用いてバッチ式で行ってもよいし、連続装置を用いて連続式で行ってもよい。
本実施形態の液晶ポリエステルの製造方法は、上述した工程(i)及び(ii)の後に、この工程で得られた液晶ポリエステルを高分子量化するための工程を行ってもよい。例えば、工程(ii)で得られた液晶ポリエステルを冷却した後で粉砕することによって粉体状の液晶ポリエステルを作製し、さらに、この粉体状の液晶ポリエステルを加熱することにより、液晶ポリエステルの高分子量化が可能である。
また、冷却および粉砕で得た粉体状液晶ポリエステルを造粒することによってペレット状の液晶ポリエステルを作製し、その後でこのペレット状の液晶ポリエステルを加熱することにより、液晶ポリエステルの高分子量化を行ってもよい。これらの方法を用いた高分子量化は、当該技術分野では、固相重合と称されている。
固相重合反応は、15~30℃から150~250℃までを、30分~5時間かけて昇温し、次いで、昇温した温度から200~300℃までを、5~10時間かけて昇温した後に、昇温した温度を保持したまま、5~15時間反応させることが好ましい。
以上説明した本実施形態の液晶ポリエステルの製造方法によれば、上述した実施形態の液晶ポリエステルを容易に製造することができる。
(液晶ポリエステル組成物)
本実施形態の液晶ポリエステル組成物は、上述した液晶ポリエステルと、溶媒とを含有してもよい。
<溶媒>
本実施形態の液晶ポリエステル組成物における溶媒として、具体的には、グリセリン、ネオペンチルグリコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキシレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の脂肪族多価アルコール;ジクロロメタン、クロロホルム、1,1-ジクロロエタン、1,2-ジクロロエタン、1,1,2,2-テトラクロロエタン、1-クロロブタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素;p-クロロフェノール、ペンタクロロフェノール、ペンタフルオロフェノール等のハロゲン化フェノール;ジエチルエーテル、ジ-(2-クロロエチル)エーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等のエーテル;アセトン、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン;酢酸エチル、乳酸ブチル等のエステル;γ-ブチロラクトン等のラクトンエステル;エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート;トリエチルアミン等のアミン;ピリジン等の含窒素複素環芳香族化合物;アセトニトリル、スクシノニトリル等のニトリル;N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等のアミド、テトラメチル尿素等の尿素化合物;ニトロメタン、ニトロベンゼン等のニトロ化合物;ジメチルスルホキシド、スルホラン等の硫黄化合物;及びヘキサメチルリン酸アミド、トリn-ブチルリン酸等のリン化合物が挙げられ、それらの2種以上を用いてもよい。
溶媒は、非プロトン性溶媒であってもよい。
非プロトン性溶媒としては、前記ハロゲン化炭化水素、前記エーテル、前記ケトン、前記エステル、前記ラクトンエステル、前記カーボネート、前記アミン、前記含窒素複素環芳香族化合物、前記ニトリル、前記アミド、前記尿素化合物、前記ニトロ化合物、前記硫黄化合物、及び前記リン化合物などが挙げられ、それらの2種以上を用いてもよい。
本実施形態の液晶ポリエステル組成物における溶媒としては、液晶ポリエステルフィルムの製膜時に揮発可能な物質であることが好ましい。
本実施形態の液晶ポリエステル組成物は、上述した液晶ポリエステル、及び、溶媒以外に、必要に応じて、充填材や、添加剤、液晶ポリエステル粉末に該当しないその他の樹脂等の他の成分を含んでもよい。
充填材として、具体的には、シリカ、アルミナ、酸化チタン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム等の無機充填材;及び硬化エポキシ樹脂、架橋ベンゾグアナミン樹脂、架橋アクリル樹脂等の有機充填材が挙げられる。
添加剤として、具体的には、レベリング剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、難燃剤及び着色剤等が挙げられる。
液晶ポリエステル以外のその他の樹脂の例としては、ポリプロピレン、ポリアミド、液晶ポリエステル以外のポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンエーテル及びその変性物、ポリエーテルイミド等の液晶ポリエステル以外の熱可塑性樹脂;グリシジルメタクリレートとポリエチレンとの共重合体等のエラストマー;及びフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。その他の好ましい樹脂として、フッ素樹脂が挙げられる。「フッ素樹脂」とは、分子中にフッ素原子を含む樹脂を意味し、フッ素原子を含む繰返し単位を有するポリマーが挙げられる。
本実施形態の液晶ポリエステル組成物の固形分濃度は、液晶ポリエステル組成物の流動性や該液晶ポリエステル組成物を用いて製造する成形体(具体的には、フィルム等)の厚み等に応じて適宜調整される。
(液晶ポリエステル組成物の製造方法)
本実施形態の液晶ポリエステル組成物は、上述した液晶ポリエステルと、溶媒と、必要に応じて用いられる他の成分とを、一括で又は適当な順序で混合して得ることができる。
(フィルム)
図1に本実施形態のフィルム10の模式図を示す。
フィルム10は、上述した液晶ポリエステルを含む。
本実施形態のフィルムは、上述した液晶ポリエステルを含むため、耐熱性が高い。
(フィルムの製造方法)
本実施形態のフィルムの製造方法は、上述した液晶ポリエステルを溶融成形してフィルムを製造する工程を有する。
具体的には、上述した液晶ポリエステルを加熱して軟化させ、所望の形状に成形することができる。
溶融成形法としては、射出成形法、Tダイ法やインフレーション法などの押出成形法、圧縮成形法、ブロー成形法、真空成形法およびプレス成形が挙げられる。
溶融成形法としては、上記の中でも、インフレーション法又はTダイ法が好ましい。
本実施形態のフィルムの製造方法は、上述した液晶ポリエステルを用いているため、製膜時にガスの発生が抑えられている。したがって、該ガスが、フィルムの巻取りロールに付着して固化して、フィルム中の異物となる等の問題が発生しにくい。
(回路基板)
本実施形態の回路基板は、上述したフィルムを含む。
上述したフィルムは、上述した液晶ポリエステルを含むため、耐熱性が高い。また、液晶ポリエステルは他の熱可塑性樹脂に比べて低比誘電率、及び、低誘電正接である。
特に上述したフィルムが繰返し単位(A1)、及び、繰返し単位(A2)からなる群から選択される1種以上の繰返し単位を有する液晶ポリエステルを含む場合、より耐熱性及び電気特性が高い。
したがって、上述したフィルムは、回路基板の絶縁フィルムとして好適に用いられる。
具体的には、上述したフィルムは、高周波、高速型回路基板用等の絶縁フィルムとして好適に用いられる。
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
[液晶ポリエステルの流動開始温度]
まず、フローテスター(島津製作所社製、「CFT-500EX型」)を用いて、液晶ポリエステル約2gを、内径1mm及び長さ10mmのノズルを有するダイを取り付けたシリンダーに充填した。
次に、9.8MPa(100kg/cm)の荷重下、4℃/minの速度で昇温しながら、液晶ポリエステルを溶融させ、ノズルから押し出し、4800Pa・s(48000ポイズ)の粘度を示す温度を測定し、当該温度を液晶ポリエステルの流動開始温度とした。
[液晶ポリエステルの分子量の測定]
ゲル浸透クロマトグラフ―多角度光散乱光度計(示差屈折率計(島津製作所製:RID-20A)、多角度光散乱検出器(Wyatt Technology製EOS)、カラム(昭和電工製:Shodex K-G、K-806M(2本)、K-802(1本)(φ8.0mm×30cm))、溶媒(ペンタフルオロフェノール/クロロホルム(重量比 35/65)))を用いて、液晶ポリエステルの数平均分子量及び重量平均分子量を測定した。
測定用試料溶液は、試料(各例の液晶ポリエステル)2mgをペンタフルオロフェノール1.4gに添加し、80℃で2時間溶解させ、室温まで冷却後、クロロホルム2.6gを添加、さらに溶媒(ペンタフルオロフェノール/クロロホルム(重量比 35/65))で2倍希釈した後、孔径0.45μmのフィルターを用いてろ過し、調製した。
[フェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比[フェノール性水酸基/(フェノール性水酸基+アシル基)]の測定]
(i)以下に示す測定条件で得たH-NMRスペクトルから、液晶ポリエステルのアシル基(具体的には、アセチル基)由来の水素原子に帰属されるピーク面積Aを求めた。
(ii)ピーク面積Aを、アシル基を有する繰返し単位当たりの水素原子数で割ることにより、アシル基の相対物質量(IntAc)を算出した。
(iii)(i)と同一のH-NMRスペクトルから、液晶ポリエステルのフェノール性水酸基が結合している炭素原子に隣接する炭素原子が有する水素原子(芳香族水素原子)に帰属されるピーク面積Bを求めた。
(iv)ピーク面積Bを、フェノール性水酸基を有する繰返し単位当たりの水素原子数で割ることにより、フェノール性水酸基の相対物質量(IntOH)を算出した。
(v)(ii)で求めた(IntAc)と、(iv)で求めた(IntOH)とを用いて、(IntOH)/[(IntOH)+(IntAc)]により、フェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比を算出した。
<測定条件>
NMR装置:Bruker社製AVANCE III
磁場強度:14.1T
プローブ:TCIクライオプローブ
測定用試料溶液は、試料10mgに重水素化ペンタフルオロフェノール0.5mLを添加し、100℃で2時間溶解させ、さらに重水素化1,1,2,2-テトラクロロエタン0.3mLを加えて混合し調製した。NMR測定は下記条件で行った。
測定法: H―1D (プレサチュレーション法)
測定温度:30℃
積算回数:64回
待ち時間:4秒
より具体的な測定方法は以下に示す通りである。
得られたHスペクトルについて、8.8ppm付近の2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸由来のシグナルの化学シフトを8.85ppmに補正し、ベースライン補正を施したうえで、各領域に検出されるシグナルの積分値(ピーク面積)を各繰返し単位当たりのプロトン数で除して、アセチル基と水酸基とのモル比を得た。
・アセチル基の相対モル数(IntAc)
2.66~2.45ppmの領域には、以下の化学式(A1a)及び(A2a)に示すように、アセチル基由来の水素原子(HA)のピークが検出される。この領域に検出されるピークを積分して得た値を足し合わせ、アセチル基の水素原子(HA)の数である3で除して、アセチル基の相対モル数(IntAc)を得た。
Figure 0007220827000003
Figure 0007220827000004
・フェノール性水酸基の相対モル数(IntOH-1)
7.15~6.95ppmの領域には、以下の化学式(A1b)に示すように、フェノール性水酸基が結合している炭素原子に隣接する炭素原子が有する水素原子(HB)のピークが検出される。この領域に検出されるピークを積分して得た値を足し合わせ、水素原子(HB)の数である2で除して、p-ヒドロキシ安息香酸由来の繰返し単位が有するフェノール性水酸基の相対モル数(IntOH-1)を得た。
Figure 0007220827000005
・フェノール性水酸基の相対モル数(IntOH-2)
また、7.25~7.35ppmの領域には、以下の化学式(A2b)に示すように、フェノール性水酸基が結合している炭素原子に隣接する炭素原子が有する水素原子(HB)及び(HB)のピークが検出される。この領域に検出されるピークを積分し、さらに、水素原子(HB)及び(HB)の合計数である2で除して、2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸由来の繰返し単位が有するフェノール性水酸基の相対モル数(IntOH-2)を得た。
Figure 0007220827000006
各例の液晶ポリエステルのフェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比は、下記式(1)により求めた。
フェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比
=(IntOH-1)+(IntOH-2)/{(IntAc)+(IntOH-1)+(IntOH-2)}・・・(1)
[実施例1の液晶ポリエステルの製造方法]
撹拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に、2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸 1511.1g(8.03モル)、p-ヒドロキシ安息香酸 410.2g(2.97モル)、無水酢酸 1291.4g(12.65モル)および1-メチルイミダゾール 0.058gを添加し、室温で5分間撹拌した後、撹拌しながら昇温した。内温が140℃となったところで、140℃を保持したまま1時間撹拌した。
次に、留出する副生酢酸、未反応の無水酢酸を留去しながら、140℃から275℃まで3時間かけて昇温した。275℃で3時間30分保温して内容物を取り出した。取り出した内容物を室温に冷却し、粉砕機で粉砕後、25℃から200℃まで1時間かけて昇温した後、200℃から250℃まで8時間20分かけて昇温し、次いで250℃で10時間保温し、固相重合を行った。
得られた固相重合物を室温まで冷却して、粉末状の実施例1の液晶ポリエステルを得た。
実施例1の液晶ポリエステルの流動開始温度は299℃であった。
実施例1の液晶ポリエステルを偏光顕微鏡で観察した結果、溶融時に光学異方性を示した。
[実施例2の液晶ポリエステルの製造方法]
撹拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に、2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸 1449.0g(7.7モル)、p-ヒドロキシ安息香酸 455.8g(3.3モル)、無水酢酸 1291.4g(12.65モル)および1-メチルイミダゾール 0.171gを添加し、室温で5分間撹拌した後、撹拌しながら昇温した。内温が140℃となったところで、140℃を保持したまま1時間撹拌した。
次に、留出する副生酢酸、未反応の無水酢酸を留去しながら、140℃から275℃まで3時間かけて昇温した。275℃で3時間30分保温して内容物を取り出した。取り出した内容物を室温に冷却し、粉砕機で粉砕後、25℃から200℃まで1時間かけて昇温した後、200℃から253℃まで8時間50分かけて昇温し、次いで253℃で10時間保温し、固相重合を行った。
得られた固相重合物を室温まで冷却して、粉末状の実施例2の液晶ポリエステルを得た。
実施例2の液晶ポリエステルの流動開始温度は300℃であった。
実施例2の液晶ポリエステルを偏光顕微鏡で観察した結果、溶融時に光学異方性を示した。
[実施例3の液晶ポリエステルの製造方法]
撹拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に、2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸 1552.5g(8.25モル)、p-ヒドロキシ安息香酸 379.8g(2.75モル)、無水酢酸 1291.4g(12.65モル)および1-メチルイミダゾール 0.097gを添加し、室温で5分間撹拌した後、撹拌しながら昇温した。内温が140℃となったところで、140℃を保持したまま1時間撹拌した。
次に、留出する副生酢酸、未反応の無水酢酸を留去しながら、140℃から275℃まで3時間かけて昇温した。275℃で3時間30分保温して内容物を取り出した。取り出した内容物を室温に冷却し、粉砕機で粉砕後、25℃から200℃まで1時間かけて昇温した後、200℃から250℃まで8時間20分かけて昇温し、次いで250℃で10時間保温し、固相重合を行った。
得られた固相重合物を室温まで冷却して、粉末状の実施例3の液晶ポリエステルを得た。
実施例3の液晶ポリエステルの流動開始温度は303℃であった。
実施例3の液晶ポリエステルを偏光顕微鏡で観察した結果、溶融時に光学異方性を示した。
[実施例4の液晶ポリエステルの製造方法]
撹拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に、2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸 1242.0g(6.6モル)、p-ヒドロキシ安息香酸 607.7g(4.4モル)、無水酢酸 1291.4g(12.65モル)および1-メチルイミダゾール 0.129gを添加し、室温で5分間撹拌した後、撹拌しながら昇温した。内温が140℃となったところで、140℃を保持したまま1時間撹拌した。
次に、留出する副生酢酸、未反応の無水酢酸を留去しながら、140℃から320℃まで3時間かけて昇温した。所定のトルクとなったところで反応を終了して内容物を取り出した。取り出した内容物を室温に冷却し、粉砕機で粉砕後、25℃から200℃まで1時間かけて昇温した後、200℃から250℃まで8時間20分かけて昇温し、次いで250℃で10時間保温し、固相重合を行った。
得られた固相重合物を室温まで冷却して、粉末状の実施例4の液晶ポリエステルを得た。
実施例4の液晶ポリエステルの流動開始温度は291℃であった。
実施例4の液晶ポリエステルを偏光顕微鏡で観察した結果、溶融時に光学異方性を示した。
[比較例1の液晶ポリエステルの製造方法]
撹拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に、2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸 1449.0g(7.7モル)、p-ヒドロキシ安息香酸 455.8g(3.3モル)、無水酢酸 1235.5g(12.1モル)を添加し、室温で5分間撹拌した後、撹拌しながら昇温した。内温が140℃となったところで、140℃を保持したまま1時間撹拌した。
次に、留出する副生酢酸、未反応の無水酢酸を留去しながら、140℃から320℃まで3時間かけて昇温した。所定のトルクとなったところで反応を終了して内容物を取り出した。取り出した内容物を室温に冷却し、粉砕機で粉砕後、25℃から200℃まで1時間かけて昇温した後、200℃から250℃まで8時間20分かけて昇温し、次いで250℃で10時間保温し、固相重合を行った。
得られた固相重合物を室温まで冷却して、粉末状の比較例1の液晶ポリエステルを得た。
比較例1の液晶ポリエステルの流動開始温度は302℃であった。
比較例1の液晶ポリエステルを偏光顕微鏡で観察した結果、溶融時に光学異方性を示した。
[比較例2の液晶ポリエステルの製造方法]
撹拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に、2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸 1449.0g(7.7モル)、p-ヒドロキシ安息香酸 455.8g(3.3モル)、無水酢酸 1235.5g(12.1モル)を添加し、室温で5分間撹拌した後、撹拌しながら昇温した。内温が140℃となったところで、140℃を保持したまま1時間撹拌した。
次に、留出する副生酢酸、未反応の無水酢酸を留去しながら、140℃から275℃まで3時間かけて昇温した。275℃で3時間30分保温して内容物を取り出した。取り出した内容物を室温に冷却し、粉砕機で粉砕後、25℃から200℃まで1時間かけて昇温した後、200℃から255℃まで9時間10分かけて昇温し、次いで255℃で10時間保温し、固相重合を行った。
得られた固相重合物を室温まで冷却して、粉末状の比較例2の液晶ポリエステルを得た。
比較例2の液晶ポリエステルの流動開始温度は292℃であった。
比較例2の液晶ポリエステルを偏光顕微鏡で観察した結果、溶融時に光学異方性を示した。
上述した各例の液晶ポリエステルの原料モノマーの使用量(mol%)、無水酢酸比、1-メチルイミダゾールの使用量を表1に示す。
また、上述した方法により測定した各例の液晶ポリエステルのフェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比[フェノール性水酸基/(フェノール性水酸基+アシル基)]、及び、各例の液晶ポリエステルの分子量も表1に示す。
原料モノマーの使用量については、2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸、及び、p-ヒドロキシ安息香酸の配合割合(mol%)を示す。
無水酢酸比は、2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸、及び、p-ヒドロキシ安息香酸のフェノール性水酸基1当量に対する無水酢酸の当量の比である。
1-メチルイミダゾールの使用量については、2-ヒドロキシ-6-ナフトエ酸、及び、p-ヒドロキシ安息香酸の合計100質量部に対する、1-メチルイミダゾールの使用量(質量ppm)である。
Figure 0007220827000007
<耐熱性の評価>
[重量減少温度の測定]
熱重量測定装置(株式会社島津製作所製、DTG―50)を用い、空気雰囲気下、開始温度30℃、終了温度800℃、昇温速度10℃/分、という条件下において熱重量分析を実施し、100℃における各例の液晶ポリエステルの重量%を100%とし、温度上昇により各例の液晶ポリエステルの重量%が99.9%に達した時の温度をそれぞれ0.1%重量減少温度、サンプル重量%が99.0%に達した時の温度をそれぞれ1%重量減少温度とした。
その結果を表2に示す。
Figure 0007220827000008
表2に示すように、実施例の液晶ポリエステルは、比較例の液晶ポリエステルに比べて、重量減少温度が高いことが確認された。すなわち、実施例の液晶ポリエステルは、比較例の液晶ポリエステルに比べて、昇温におけるガス発生量が少ないことが分かった。
以上より、本実施形態の液晶ポリエステルは、耐熱性が高められていることが確認された。

Claims (9)

  1. 芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰返し単位を、液晶ポリエステルを構成する全繰返し単位の合計数を100%として、80%以上含み、
    前記芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰返し単位は、下記一般式(A1)で表される繰返し単位(A1)、及び、下記一般式(A2)で表される繰返し単位(A2)を含み、
    前記繰返し単位(A1)の数と前記繰返し単位(A2)の数との比[繰返し単位(A2)/繰返し単位(A1)]が、1.2以上であり、
    H-NMRにより算出される、フェノール性水酸基と、アシル基との合計量に対するフェノール性水酸基のモル比[フェノール性水酸基/(フェノール性水酸基+アシル基)]が、0.3以下である、液晶ポリエステル。
    (A1)-O-Ar11-CO-
    (A2)-O-Ar12-CO-
    [式中、Ar11は、フェニレン基を表す。Ar11におけるフェニレン基が有する水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基で置換されていてもよい。Ar12は、ナフチレン基を表す。Ar12におけるナフチレン基が有する水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基で置換されていてもよい。]
  2. 前記一般式(A1)中のAr11は、1,4-フェニレン基であり、前記一般式(A2)中のAr12は、2,6-ナフチレン基である、請求項1に記載の液晶ポリエステル。
  3. 重量平均分子量が、100000~800000である、請求項1に記載の液晶ポリエステル。
  4. 分散度が、2.0~6.0である、請求項1に記載の液晶ポリエステル。
  5. 請求項1に記載の液晶ポリエステルと、溶媒とを含有する、液晶ポリエステル組成物。
  6. 請求項1に記載の液晶ポリエステルを含む、フィルム。
  7. 請求項1に記載の液晶ポリエステルを溶融成形してフィルムを製造する工程を有する、フィルムの製造方法。
  8. 前記溶融成形してフィルムを製造する工程は、インフレーション法、又はTダイ法を用いる、請求項に記載のフィルムの製造方法。
  9. 請求項に記載のフィルムを含む、回路基板。
JP2022122145A 2022-03-16 2022-07-29 液晶ポリエステル、液晶ポリエステルの製造方法、液晶ポリエステル組成物、フィルム、フィルムの製造方法、及び、回路基板 Active JP7220827B1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18/181,288 US12077705B2 (en) 2022-03-16 2023-03-09 Liquid crystal polyester and film comprising the same
KR1020230031042A KR20230135519A (ko) 2022-03-16 2023-03-09 액정 폴리에스테르, 액정 폴리에스테르의 제조 방법, 액정 폴리에스테르 조성물, 필름, 필름의 제조 방법 및 회로 기판
TW112109117A TWI839153B (zh) 2022-03-16 2023-03-13 液晶聚酯、液晶聚酯之製造方法、液晶聚酯組成物、薄膜、薄膜之製造方法及電路基板
CN202310240477.6A CN116199865B (zh) 2022-03-16 2023-03-14 液晶聚酯、液晶聚酯的制造方法、液晶聚酯组合物、膜、膜的制造方法及电路基板

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022041382 2022-03-16
JP2022041382 2022-03-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP7220827B1 true JP7220827B1 (ja) 2023-02-10
JP2023138235A JP2023138235A (ja) 2023-10-02

Family

ID=85174612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022122145A Active JP7220827B1 (ja) 2022-03-16 2022-07-29 液晶ポリエステル、液晶ポリエステルの製造方法、液晶ポリエステル組成物、フィルム、フィルムの製造方法、及び、回路基板

Country Status (5)

Country Link
US (1) US12077705B2 (ja)
JP (1) JP7220827B1 (ja)
KR (1) KR20230135519A (ja)
CN (1) CN116199865B (ja)
TW (1) TWI839153B (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006001990A (ja) 2004-06-16 2006-01-05 Sumitomo Chemical Co Ltd 芳香族液晶ポリエステルフィルムおよび積層体
JP2008019428A (ja) 2006-06-15 2008-01-31 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶ポリマー組成物およびその用途
JP2010174207A (ja) 2009-02-02 2010-08-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶ポリエステルの製造方法
JP2012214737A (ja) 2011-03-29 2012-11-08 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶ポリエステルの製造方法
CN104017194A (zh) 2014-05-13 2014-09-03 华东理工大学 双釜串联工艺规模化制备热致性液晶聚合物的方法
CN112225884A (zh) 2020-09-08 2021-01-15 惠生(泰州)新材料科技有限公司 一种分子结构可调控的连续化制备液晶聚合物的方法及系统

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06157733A (ja) 1992-11-20 1994-06-07 Mitsubishi Kasei Corp 液晶性ポリエステル
US6046300A (en) 1997-12-26 2000-04-04 Toray Industries, Inc. Liquid-crystalline resin and thermoplastic resin composition
JP4034019B2 (ja) 1999-11-18 2008-01-16 ポリプラスチックス株式会社 液晶性ポリエステルの製造方法
JP3969171B2 (ja) 2001-11-12 2007-09-05 住友化学株式会社 液晶性ポリエステルおよびその製造方法
KR100976103B1 (ko) * 2002-12-18 2010-08-16 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 방향족 액정 폴리에스테르 및 그 필름
JP4363057B2 (ja) 2003-02-21 2009-11-11 住友化学株式会社 絶縁材料用液晶性芳香族ポリエステルおよびその樹脂組成物
TWI359159B (en) * 2003-11-05 2012-03-01 Sumitomo Chemical Co Aromatic liquid-crystalline polyester
JP4946066B2 (ja) 2005-01-20 2012-06-06 住友化学株式会社 芳香族液晶ポリエステル及びそれから得られるフィルム
CN101089042A (zh) 2006-06-15 2007-12-19 住友化学株式会社 液晶聚合物组合物及其应用
WO2012090407A1 (ja) * 2010-12-27 2012-07-05 東レ株式会社 全芳香族液晶ポリエステルおよびその製造方法
JP6297892B2 (ja) 2014-04-02 2018-03-20 ポリプラスチックス株式会社 熱硬化性液晶ポリエステル組成物及びその硬化物
JP6789429B1 (ja) * 2019-08-09 2020-11-25 住友化学株式会社 液晶ポリエステル樹脂ペレット、及び液晶ポリエステル樹脂成形体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006001990A (ja) 2004-06-16 2006-01-05 Sumitomo Chemical Co Ltd 芳香族液晶ポリエステルフィルムおよび積層体
JP2008019428A (ja) 2006-06-15 2008-01-31 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶ポリマー組成物およびその用途
JP2010174207A (ja) 2009-02-02 2010-08-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶ポリエステルの製造方法
JP2012214737A (ja) 2011-03-29 2012-11-08 Sumitomo Chemical Co Ltd 液晶ポリエステルの製造方法
CN104017194A (zh) 2014-05-13 2014-09-03 华东理工大学 双釜串联工艺规模化制备热致性液晶聚合物的方法
CN112225884A (zh) 2020-09-08 2021-01-15 惠生(泰州)新材料科技有限公司 一种分子结构可调控的连续化制备液晶聚合物的方法及系统

Also Published As

Publication number Publication date
TW202402869A (zh) 2024-01-16
US20230295512A1 (en) 2023-09-21
CN116199865B (zh) 2024-03-19
TWI839153B (zh) 2024-04-11
US12077705B2 (en) 2024-09-03
JP2023138235A (ja) 2023-10-02
KR20230135519A (ko) 2023-09-25
CN116199865A (zh) 2023-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101783477B1 (ko) 전방향족 액정 폴리에스테르 수지 컴파운드, 상기 수지 컴파운드의 제조방법, 광픽업용 부품, 및 상기 부품의 제조방법
US8071711B2 (en) Polyester for producing fiber, and fiber and non-woven fabric using the same
US20220089899A1 (en) Liquid crystal polyester powder, liquid crystal polyester composition, film producing method, and laminate producing method
WO2016027446A1 (ja) 全芳香族液晶ポリエステル樹脂
US11879041B2 (en) Film and laminate
JP5682922B2 (ja) 液晶ポリエステル液状組成物
JP2020164738A (ja) 液晶ポリエステル成形体及びコネクター
JP7220827B1 (ja) 液晶ポリエステル、液晶ポリエステルの製造方法、液晶ポリエステル組成物、フィルム、フィルムの製造方法、及び、回路基板
JP7220828B1 (ja) 液晶ポリエステル、液晶ポリエステルの製造方法、液晶ポリエステル組成物、フィルム、フィルムの製造方法、及び、回路基板
KR20130012509A (ko) 전방향족 액정 폴리에스테르 수지, 전방향족 액정 폴리에스테르 수지 컴파운드 및 상기 수지 컴파운드를 포함하는 물품
KR101911085B1 (ko) 액정 폴리에스테르 액상 조성물의 열처리 방법
KR20100080085A (ko) 점도 안정성이 향상된 전방향족 액정 폴리에스테르 수지, 및 이의 제조방법과 상기 수지를 포함하는 수지 컴파운드
WO2024166655A1 (ja) 樹脂組成物、成形品及びフィルム
CN115397882B (zh) 液晶聚酯以及液晶聚酯膜
TW202342639A (zh) 液晶聚酯組成物、液晶聚酯組成物之製造方法、薄膜及薄膜之製造方法
JP2012012465A (ja) 液晶ポリエステル液状組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220808

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20220808

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220906

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221107

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230104

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230131

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7220827

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150