JP7203958B2 - 光照射装置、光照射方法、光照射装置の動作方法、及びプログラム - Google Patents

Description

本開示の技術は、光照射装置、光照射方法、光照射装置の動作方法、及びプログラムに関する。

特許文献１には、塗布された光硬化性樹脂を露光して硬化させる樹脂硬化方法が開示されている。特許文献１に記載の樹脂硬化方法は、光硬化性樹脂を露光する領域が光硬化性樹脂の硬化予定面積に比べて微小な面積となるように露光用の照射光をマスクで制限し、露光領域を光硬化性樹脂に対して相対的に移動させて光硬化性樹脂の硬化予定面積を１回走査する。

特許文献２には、中央部と周辺部との透過率が異なるフィルタを紫外線光源と光学素子との間に挿入し、照射光の強度分布を生成することで、樹脂層における中央部と周辺部との照度分布を均一化する方法が開示されている。

特許文献３には、液晶パネルを紫外線光源と光学素子との間に配置し、液晶パネルの透過時間と遮光時間とを制御することで照射時間の面内分布を生成し、樹脂層における中央部と周辺部との最終的な硬化時間を均一にする方法が開示されている。

特開２００３－２９１１５９号公報 特開平４－１６１３０５号公報 特開平７－１０８６２３号公報

本開示の技術に係る一つの実施形態は、光硬化樹脂の硬化特性が考慮されずに光硬化樹脂に光が照射される場合に比べ、光硬化樹脂の硬化速度に起因して光硬化樹脂で生じる歪みを低減することができる光照射装置、光照射方法、及びプログラムを提供する。

本開示の技術に係る第１の態様は、光硬化樹脂に対して光を照射する照射部と、光の強度を変更する変更部と、を含む光照射装置であって、照射部は、光硬化樹脂に対して光を照射することで光硬化樹脂からラジカルを発生させ、ラジカルの重合反応が停止する前に、光硬化樹脂に対して光を重ねて照射し、変更部は、光硬化樹脂が区分されることで得られた複数の区分領域の各々に対して照射部によって照射される光の強度を区分領域毎に変更する光照射装置である。これにより、光硬化樹脂の硬化特性が考慮されずに光硬化樹脂に光が照射される場合に比べ、光硬化樹脂の硬化速度に起因して光硬化樹脂で生じる歪みを低減することができる。

本開示の技術に係る第２の態様は、光硬化樹脂に対して光を照射する照射部と、光の強度を変更する変更部と、を含む光照射装置であって、照射部は、光硬化樹脂に対して光を照射することで光硬化樹脂からラジカルを発生させ、ラジカルの成長中に、光硬化樹脂に対して光を重ねて照射し、変更部は、光硬化樹脂が区分されることで得られた複数の区分領域の各々に対して照射部によって照射される光の強度を区分領域毎に変更する光照射装置である。これにより、光硬化樹脂の硬化特性が考慮されずに光硬化樹脂に光が照射される場合に比べ、光硬化樹脂の硬化速度に起因して光硬化樹脂で生じる歪みを低減することができる。

本開示の技術に係る第３の態様は、照射部は、光硬化樹脂に対して光を走査する第１の態様又は第２の態様に係る光照射装置である。これにより、光の走査ラインに沿って光硬化樹脂を硬化させることができる。

本開示の技術に係る第４の態様は、照射部は、ラジカルの寿命に達する前に光硬化樹脂に対して光を重ねて照射する第１の態様から第３の態様の何れか１つの態様に係る光照射装置である。これにより、ラジカルの寿命に達した後に光硬化樹脂に対して光を重ねて照射する場合に比べ、光硬化樹脂に光が照射されることで発生させたラジカルに対して、光硬化樹脂に重ねて照射される光の影響を与え難くすることができる。

本開示の技術に係る第５の態様は、照射部は光硬化樹脂の全領域に光を照射する光照射装置である。これにより、光硬化樹脂の硬化特性が考慮されずに光硬化樹脂に光が照射される場合に比べ、光硬化樹脂の硬化速度に起因して光硬化樹脂の全領域で生じる歪みを低減することができる。

本開示の技術に係る第６の態様は、光硬化樹脂に対して照射される光の強度の分布を示す分布情報を受け付ける受付部を更に含み、変更部は、受付部によって受け付けられた分布情報に従って光の強度を変更する第１の態様から第５の態様の何れか１つの態様に係る光照射装置である。これにより、内容が更新された分布情報に従って変更された強度で光を光硬化樹脂に照射することができる。

本開示の技術に係る第７の態様は、光学素子に付与されており、分布は、光学素子の光学的特性に従って定められている第６の態様に係る光照射装置である。これにより、光学素子の光学的特性とは無関係に分布が定められている場合に比べ、光硬化樹脂の硬化速度に起因して光硬化樹脂で生じる歪みを高精度に低減することができる。

本開示の技術に係る第８の態様は、光硬化樹脂は、光学素子が支持された支持部材と光学素子との間に介在しており、分布は、光学素子の光学的特性及び支持部材の光学的特性に従って定められている第７の態様に係る光照射装置である。これにより、光学素子の光学的特性及び支持部材の光学的特性とは無関係に分布が定められている場合に比べ、光硬化樹脂の硬化速度に起因して光硬化樹脂で生じる歪みを高精度に低減することができる。

本開示の技術に係る第９の態様は、光学素子は、レンズである第７の態様又は第８の態様に係る光照射装置である。これにより、レンズの光学的特性とは無関係に分布が定められている場合に比べ、光硬化樹脂の硬化速度に起因して光硬化樹脂で生じる歪みを高精度に低減することができる。

本開示の技術に係る第１０の態様は、光硬化樹脂は、紫外線硬化樹脂である第１の態様から第９の態様の何れか１つの態様に係る光照射装置である。これにより、紫外線硬化樹脂の硬化特性が考慮されずに紫外線硬化樹脂に光が照射される場合に比べ、紫外線硬化樹脂の硬化速度に起因して紫外線硬化樹脂で生じる歪みを低減することができる。

本開示の技術に係る第１１の態様は、光硬化樹脂に対して光を照射する照射ステップと、光の強度を変更する変更ステップと、を含む光照射方法であって、照射ステップは、光硬化樹脂に対して光を照射することで光硬化樹脂からラジカルを発生させ、ラジカルの重合反応が停止する前に、光硬化樹脂に対して光を重ねて照射し、変更ステップは、光硬化樹脂が区分されることで得られた複数の区分領域の各々に対して照射ステップによって照射される光の強度を区分領域毎に変更する光照射方法である。これにより、光硬化樹脂の硬化特性が考慮されずに光硬化樹脂に光が照射される場合に比べ、光硬化樹脂の硬化速度に起因して光硬化樹脂で生じる歪みを低減することができる。

本開示の技術に係る第１２の態様は、光硬化樹脂に対して光を照射する照射ステップと、光の強度を変更する変更ステップと、を含む光照射方法であって、照射ステップは、光硬化樹脂に対して光を照射することで光硬化樹脂からラジカルを発生させ、ラジカルの成長中に、光硬化樹脂に対して光を重ねて照射し、変更ステップは、光硬化樹脂が区分されることで得られた複数の区分領域の各々に対して照射ステップによって照射される光の強度を区分領域毎に変更する光照射方法である。これにより、光硬化樹脂の硬化特性が考慮されずに光硬化樹脂に光が照射される場合に比べ、光硬化樹脂の硬化速度に起因して光硬化樹脂で生じる歪みを低減することができる。

本開示の技術に係る第１３の態様は、コンピュータを、第１の態様から第１０の態様の何れか１つの態様に係る光照射装置に含まれる変更部として機能させるためのプログラムである。これにより、光硬化樹脂の硬化特性が考慮されずに光硬化樹脂に光が照射される場合に比べ、光硬化樹脂の硬化速度に起因して光硬化樹脂で生じる歪みを低減することができる。

本開示の技術に係る第１４の態様は、光源から出射された光を変調する光変調素子を備え、光源から出射された光を光変調素子を介して光硬化樹脂に照射する照射部と、光変調素子の制御を行うことで光硬化樹脂に向かう光の照射エネルギーを３段階以上の多段階で分布させる制御部と、を含む光照射装置である。

本開示の技術に係る第１５の態様は、光変調素子は、光源から出射された光の反射の向きを変更可能な複数の反射部材を備えた反射方向変更素子又は光源から出射された光の透過率を変更可能な複数の光透過率変更領域を有する透過率変更素子であり、照射部は、光源から出射された光を複数の反射部材又は複数の光透過率変更領域を介して光硬化樹脂に照射し、制御部は、反射部材による光の反射の向きを変更する制御又は光透過率変更領域の透過率を変更する制御を行う第１４の態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第１６の態様は、制御は、光硬化樹脂の特性に応じた照射エネルギーの分布とする制御である第１４の態様又は第１５の態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第１７の態様は、照射部は、変調された光を光硬化樹脂に投影する投影光学系を有し、制御は、投影光学系の特性に応じた照射エネルギーの分布とする制御である第１４の態様から第１６の態様の何れか１つの態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第１８の態様は、光硬化樹脂は、光学素子に付与されており、制御は、光学素子の光学的特性に応じた照射エネルギーの分布とする制御である第１４の態様から第１７の態様の何れか１つの態様に係る光照射装置である。これにより、光硬化樹脂の硬化特性が考慮されずに光硬化樹脂に光が照射される場合に比べ、光硬化樹脂の硬化速度に起因して光硬化樹脂の全領域で生じる歪みを低減することができる。

本開示の技術に係る第１９の態様は、光硬化樹脂は、光学素子を支持する支持部材と光学素子との間に介在しており、制御は、光学素子の光学的特性、及び支持部材の光学的特性に応じた分布とする制御である第１８の態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第２０の態様は、光学素子は、レンズである第１８の態様又は第１９の態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第２１の態様は、光硬化樹脂が均一の厚みである場合、制御は、光硬化樹脂に照射される光の照射エネルギーの分布を均一にする制御である第１４の態様から第２０の態様の何れか１つの態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第２２の態様は、複数の反射部材又は複数の光透過率変更領域は、平面状に配置されている第１５の態様、第１５の態様を引用する第１６の態様から第２１の態様の何れか１つの態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第２３の態様は、制御部は、光源及び光変調素子のうちの少なくとも一方の経時変化に応じて、照射エネルギーを変更する補正制御を行う第１４の態様から第２２の態様の何れか１つの態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第２４の態様は、反射部材で反射された光又は光透過率変更領域を透過した光の光量を検出する光検出部を備え、制御部は、光検出部の検出結果に応じて補正制御を行う第１５の態様を引用する第２３の態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第２５の態様は、光検出部は、反射部材から見た場合に、光硬化樹脂とは異なる方向に配置され、制御部は、光検出部が光量を検出する場合に、光源から出射された光を反射部材で光検出部に向けて反射させる制御を行う第２４の態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第２６の態様は、反射方向変更素子は、ＭＥＭＳである第１５の態様、第１５の態様を引用する第１６の態様から第２１の態様及び第２２の態様から第２５態様の何れか１つの態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第２７の態様は、ＭＥＭＳは、ＤＭＤである第２６の態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第２８の態様は、照射の１回当たりの照射時間は、光硬化樹脂のラジカル寿命未満の時間に設定されている第１４の態様から第２７の態様の何れか１つの態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第２９の態様は、制御部は、光変調素子を介した照射部からの光を光硬化樹脂に照射させることで光硬化樹脂からラジカルを発生させ、ラジカルの重合反応が停止する前に、光硬化樹脂に対して光を重ねて照射させる制御を行う第１４の態様から第２７の態様の何れか１つの態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第３０の態様は、制御部は、光変調素子を介した照射部からの光を光硬化樹脂に照射させることで光硬化樹脂からラジカルを発生させ、ラジカルの成長中に、光硬化樹脂に対して光を重ねて照射させる制御を行う第１４の態様から第２７の態様の何れか１つの態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第３１の態様は、制御部は、光変調素子を介した照射部からの光を光硬化樹脂に照射させることで光硬化樹脂からラジカルを発生させ、ラジカルの寿命に達する前に光硬化樹脂に対して光を重ねて照射する制御を行う第１４の態様から第３０の態様の何れか１つの態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第３２の態様は、照射部は、光硬化樹脂の全領域に対して光を面状に照射する第１４の態様から第３１の態様の何れか１つの態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第３３の態様は、光硬化樹脂に対する照射エネルギーの分布を示す分布情報を受け付ける受付部を更に含み、制御部は、受付部によって受け付けられた分布情報に従って照射エネルギーを変更する第１４の態様から第３２の態様の何れか１つの態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第３４の態様は、光は、ＵＶ光であり、光硬化樹脂は、紫外線硬化樹脂である第１４の態様から第３３の態様の何れか１つの態様に係る光照射装置である。

本開示の技術に係る第３５の態様は、光源から出射された光を変調する光変調素子を備えた光照射装置の動作方法であって、光源から出射された光を光変調素子を介して光硬化樹脂に照射する照射ステップと、光変調素子の制御を行うことで光硬化樹脂に向かう光の照射エネルギーを３段階以上の多段階で分布させる制御ステップと、を含む光照射装置の動作方法である。

本開示の技術に係る第３６の態様は、コンピュータを、第１４の態様から第３４の態様の何れか１つの態様に係る光照射装置に含まれる制御部として機能させるためのプログラムである。

本開示の技術に係る第３７の態様は、光硬化樹脂に対して光を照射する照射部と、光の強度を変更するプロセッサと、を含む光照射装置であって、照射部は、光硬化樹脂に対して光を照射することで光硬化樹脂からラジカルを発生させ、ラジカルの重合反応が停止する前に、光硬化樹脂に対して光を重ねて照射し、プロセッサは、光硬化樹脂が区分されることで得られた複数の区分領域の各々に対して照射部によって照射される光の強度を区分領域毎に変更する光照射装置である。

本開示の技術に係る第３８の態様は、光源から出射された光を変調する光変調素子を備え、光源から出射された光を光変調素子を介して光硬化樹脂に照射する照射部と、光変調素子の制御を行うことで光硬化樹脂に向かう光の照射エネルギーを３段階以上の多段階で分布させるプロセッサと、を含む光照射装置である。

第１の実施形態に係る光照射装置の構成の一例を示す概略構成図である。 第１の実施形態に係る光照射装置の電気系のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 第１の実施形態に係る光照射装置の機能の一例を示すブロック図である。 第１の実施形態に係る光照射装置によりレーザが照射される紫外線硬化樹脂及び矩形状平面の平面視構成の一例を示す概略平面図である。 第１の実施形態に係る光照射装置で用いられるレーザ強度テーブルの構成の一例を示す概略構成図である。 先発パルス信号と後発パルス信号との時間間隔がラジカル寿命よりも長い場合のパルス信号とラジカル濃度との関係性の一例を示す概念図である。 第１の実施形態に係る光照射装置に含まれる光源により照射されるレーザの照射用のパルス信号とラジカル濃度との関係性の一例を示す概念図である。 第１の実施形態に係るレーザ照射処理の流れの一例を示すフローチャートである。 紫外線硬化樹脂に対してレーザが拡散した状態で照射される態様の一例を示す概念図である。 液晶パネルを用いて紫外線硬化樹脂に対するレーザの強度分布を変更する形態例を示す概念図である。 紫外線硬化樹脂に対してＵＶ光を面照射する形態例を示す概念図である。 接合レンズ内の紫外線硬化樹脂に対してレーザが照射される態様の一例を示す概念図である。 第１の実施形態に係るレーザ照射プログラムが記憶された記憶媒体から、レーザ照射プログラムが光照射装置内のコンピュータにインストールされる態様の一例を示す概念図である。 第１の実施形態に係るパルス信号のデューティ比が変更される態様の一例を示すタイムチャートである。 第２の実施形態に係る光照射装置の構成の一例を示す概略構成図である。 図１４に示すマイクロミラーの鏡面が第１傾斜状態と第２傾斜状態とに選択的に変位する態様の一例を示す概念図である。 第２の実施形態に係る光照射装置の電気系のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 第２の実施形態に係る光照射装置の機能の一例を示すブロック図である。 第２の実施形態に係る光照射装置によりＵＶ光が照射される紫外線硬化樹脂及び矩形状平面の平面視構成の一例を示す概略平面図である。 パルス信号とラジカル濃度との関係性の一例を示す概念図である。 図１９Ａに示す例よりもパルス幅が広いパルス信号とラジカル濃度との関係性の一例を示す概念図である。 図１９Ｂに示す例よりもパルス幅が広いパルス信号とラジカル濃度との関係性の一例を示す概念図である。 第２の実施形態に係る光照射装置で用いられる照射エネルギー変更テーブルの構成の一例を示す概略構成図である。 各部の照度分布の一例を示す概念図である。 第２の実施形態に係るＵＶ光照射処理の流れの一例を示すフローチャートである。 第２の実施形態に係る補正制御の流れの一例を示すフローチャーある。 第２の実施形態に係るＵＶ光照射プログラムが記憶された記憶媒体から、ＵＶ光照射プログラムが光照射装置内のコンピュータにインストールされる態様の一例を示す概念図である。 第３の実施形態に係る光照射装置の構成の一例を示す概略構成図である。 紫外線硬化樹脂の他の一例を示す概略構成図である。

［第１の実施形態］
添付図面に従って本開示の技術に係る第１の実施形態について説明する。

先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。

ＣＰＵとは、“Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＲＯＭとは、“Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ”の略称を指す。ＰＬＤとは、“Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Ｆｉｅｌｄ－Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ”の略称を指す。ＡＦＥとは、“Ａｎａｌｏｇ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ”の略称を指す。ＤＳＰとは、“Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ”の略称を指す。ＳｏＣとは、“Ｓｙｓｔｅｍ－ｏｎ－ａ－ｃｈｉｐ”の略称を指す。

ＳＳＤとは、“Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ”の略称を指す。ＤＶＤ－ＲＯＭとは、“Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＵＳＢとは、“Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｓｅｒｉａｌ Ｂｕｓ”の略称を指す。ＨＤＤとは、“Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ”の略称を指す。ＥＬとは、“Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ”の略称を指す。Ｉ／Ｆとは、“Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ”の略称を指す。ＵＩとは、“Ｕｓｅｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ”の略称を指す。Ｉ／Ｏとは、“Ｉｎｐｕｔ Ｏｕｔｐｕｔ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ”の略称を指す。

ＵＶとは、“Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ”の略称を指す。３Ｄとは、“３ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｓ”の略称を指す。ＭＥＭＳとは、“Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ”の略称を指す。ＬＥＤとは、“Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ”の略称を指す。ＰＷＭとは、“Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ”の略称を指す。
また、以下の説明において、「平行」とは、完全な平行の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差を含めた意味合いでの平行を指す。また、以下の説明において、「鉛直」とは、完全な鉛直の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差を含めた意味合いでの鉛直を指す。また、以下の説明において、「水平」とは、完全な水平の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差を含めた意味合いでの水平を指す。また、以下の説明において、「直交」とは、完全な直交の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差を含めた意味合いでの直交を指す。また、以下の説明において、「一定」とは、完全な一定の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差を含めた意味合いでの一定を指す。また、以下の説明において、「同等」とは、完全な同等の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差を含めた意味合いでの同等を指す。また、以下の説明において、「同一」とは、完全な同一の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差を含めた意味合いでの同一を指す。また、以下の説明において、「一致」とは、完全な一致の他に、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差を含めた意味合いでの一致を指す。また、以下の説明において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。また、以下の説明において、「均一」とは、本開示の技術が属する技術分野で一般的に許容される誤差、例えば、±数（一桁）％、一例として±５％未満の誤差を指す。

一例として図１に示すように、光照射装置１０は、紫外線レーザ（以下、単に「レーザ」と称する）を紫外線硬化樹脂１２に照射する装置である。紫外線硬化樹脂１２は、紫外線に反応してラジカルを発生させる硬化剤を有する光硬化樹脂である。なお、レーザは、本開示の技術に係る「光」の一例である。

紫外線硬化樹脂１２は、本開示の技術に係る光硬化樹脂の一例であり、レンズ１６に付与されている。図１に示す例では、紫外線硬化樹脂１２は、レンズ１６の片面１６Ａに付与されている。ここで、「付与」の一例としては、塗布が挙げられる。レンズ１６は、本開示の技術に係る「光学素子」の一例であり、支持部材１４に収容されている。なお、支持部材１４の一例としては金型が挙げられる。支持部材１４は下型であり、図１に示す例では、上型が外された上体の支持部材１４が示されている。

支持部材１４には、収容面１４Ａが形成されており、レンズ１６の片面１６Ａ側が収容されている。収容面１４Ａは、レンズ１６の片面１６Ａの形状に対応する形状に形成されている。すなわち、図１に示す例では、レンズ１６が正レンズ（凸レンズ）であるので、収容面１４Ａは、片面１６Ａの凸状に対応する凹状に形成されている。紫外線硬化樹脂１２は、支持部材１４とレンズ１６との間に介在している。具体的には、紫外線硬化樹脂１２は、片面１６Ａと収容面１４Ａとの間に介在している。

紫外線硬化樹脂１２は片面１６Ａと収容面１４Ａとの間に介在しているので、紫外線硬化樹脂１２には収容面１４Ａの形状が写され、紫外線硬化樹脂１２が硬化することで、例えば、片面１６Ａに対して、紫外線硬化樹脂１２による非球面形状の光透過層が形成される。ここで、「光透過層」とは、可視光を透過させる層を指す。ここでは、光透過層の一例として可視光を透過させる層が例示されているが、本開示の技術はこれに限らず、ＵＶ光等の他波長域の光を透過させる層であってもよい。

光照射装置１０は、照射部１８を備えている。照射部１８は、紫外線硬化樹脂１２に対してレーザを照射する。照射部１８は、光源２０、光学系２２、及びスキャナミラー２４を備えている。光源２０は、レーザ装置であり、光学系２２に対してレーザを出射する。光源２０の一例としては、半導体レーザ装置が挙げられる。光学系２２は、例えば、複数のレンズを有する光学系であり、光源２０から入射されたレーザをスキャナミラー２４に導く。本開示の実施形態では、スキャナミラー２４の一例として、ガルバノミラーが採用されている。スキャナミラー２４は、第１ガルバノミラー２４Ａと第２ガルバノミラー２４Ｂと、を備えている。第１ガルバノミラー２４Ａは、光学系２２から導かれたレーザを第２ガルバノミラー２４Ｂに向けて反射し、Ｘ方向に向きを変えることでレーザを主走査する。また、第２ガルバノミラー２４Ｂは、第２ガルバノミラー２４Ｂで反射されたレーザをレンズ１６に向けて反射し、Ｙ方向に向きを変えることでレーザを副走査する。Ｘ方向とＹ方向は互いに交差する方向である。本開示の実施形態において、Ｘ方向とは、例えば、後述の行方向（図４参照）に相当する方向を指し、Ｙ方向とは、例えば、後述の列方向（図４参照）に相当する方向を指す。

このように、スキャナミラー２４は、光学系２２から導かれたレーザをレンズ１６に向けて反射することで、レーザを、レンズ１６を介して紫外線硬化樹脂１２に照射する。スキャナミラー２４の向きが変更されることによって、レーザは、一例として図１に示す破線矢印方向に走査する。ここで、「走査」とは、直線状に行われるレーザの照射を指す。なお、ここでは、「走査」の一例として、直線状に行われるレーザの照射を例示しているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、「走査」は、曲線状に行われるレーザの照射であってもよい。この場合、Ｘ方向とＹ方向との位相差を変えることで同心円状のパターンを径方向に移動させながらスキャンするようにしてもよい。なお、このスキャンは、一般的に、直線状のスキャンであるラスタースキャンに対して、ベクタースキャンと称される。

ここでは、スキャナミラー２４の一例として、ガルバノミラーを挙げて説明しているが、スキャナミラー２４として、ＭＥＭＳミラーを用いてもよい。ＭＥＭＳミラーの場合、単一のデバイスにより２軸（Ｘ方向及びＹ方向）のスキャンが可能である。また、スキャナミラー２４として、リゾナントミラーを用いてもよい。リゾナントミラーは、ガルバノミラーと同様に、単一のデバイスにより１軸のスキャンが行われるので、一対のデバイス
（例えば、Ｘ方向用スキャンのデバイスとＹ方向用スキャンのデバイス）により２軸のスキャンが行われることで面走査が実現される。なお、ＭＥＭＳミラーの一例であるＤＭＤについては、第２の実施形態で説明する。

なお、図１に示す例では、スキャナミラー２４で反射したレーザが、片面１６Ａと紫外線硬化樹脂１２との接触面で集光するように、光源２０、光学系２２、及びスキャナミラー２４が配置されている。

一例として図２に示すように、光照射装置１０は、コンピュータ３０、記憶装置３２、ＵＩ系デバイス３４、スキャナドライバ３６、光源ドライバ３８、外部Ｉ／Ｆ４０、及びＩ／Ｏ４２を備えている。

コンピュータ３０は、ＣＰＵ３０Ａ、ＲＯＭ３０Ｂ、及びＲＡＭ３０Ｃを備えている。ＣＰＵ３０Ａ、ＲＯＭ３０Ｂ、及びＲＡＭ３０Ｃは、バスライン４８を介して相互に接続されている。

ＲＯＭ３０Ｂには、各種プログラムが記憶されている。ＣＰＵ３０Ａは、ＲＯＭ３０Ｂから各種プログラムを読み出し、読み出した各種プログラムをＲＡＭ３０Ｃに展開する。ＣＰＵ３０Ａは、ＲＡＭ３０Ｃに展開した各種プログラムに従って光照射装置１０の全体を制御する。

Ｉ／Ｏ４２は、入出力ポート（図示省略）を備えており、入出力ポートを介して記憶装置３２、ＵＩ系デバイス３４、スキャナドライバ３６、光源ドライバ３８、及び外部Ｉ／Ｆ４０がＩ／Ｏ４２に接続されている。Ｉ／Ｏ４２は、バスライン４８に接続されており、ＣＰＵ３０Ａは、Ｉ／Ｏ４２を介して記憶装置３２、ＵＩ系デバイス３４、スキャナドライバ３６、光源ドライバ３８、及び外部Ｉ／Ｆ４０と各種情報の授受を行う。

記憶装置３２は、ＳＳＤ、ＨＤＤ、又はＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性の記憶装置である。ＣＰＵ３０Ａは、記憶装置３２に対して各種情報の読み書きを行う。

ＵＩ系デバイス３４は、ディスプレイ３４Ａ及び受付デバイス３４Ｂを備えている。ディスプレイ３４Ａは、ＣＰＵ３０Ａの制御下で、画像等を表示する。ディスプレイ３４Ａの一例としては、液晶ディスプレイが挙げられる。ディスプレイ３４Ａは、液晶ディスプレイではなく、有機ＥＬディスプレイ等の他のディスプレイであってもよい。受付デバイス３４Ｂは、タッチパネル及びハードキー等を備えており、ユーザから各種指示を受け付け、ＣＰＵ３０Ａは、受付デバイス３４Ｂによって受け付けられた各種指示に従って動作する。なお、ここでは、受付デバイス３４Ｂの一例として、タッチパネル及びハードキー等を例示しているが、本開示の技術はこれに限定されず、タッチパネル、ハードキー、キーボード、及びマウスのうちの少なくとも１つであってもよく、ユーザの指示を受け付けるデバイスであればよい。

スキャナドライバ３６は、ＡＳＩＣを有するデバイスであり、スキャナミラー２４に接続されている。スキャナドライバ３６は、ＣＰＵ３０Ａからの指示に従って、スキャナミラー２４を駆動させる。

光源ドライバ３８は、ＡＳＩＣを有するデバイスであり、光源２０に接続されている。光源ドライバ３８は、ＣＰＵ３０Ａからの指示に従って、光源２０を駆動させることで光源２０からレーザを出射させたり、レーザの出射を停止させたり、レーザの強度を変更したりする。具体的には、光源ドライバ３８は、ＣＰＵ３０Ａからの指示に従って、光源２０に対してレーザを出射させるタイミング、レーザの出射を停止させるタイミング、及びレーザの強度の変更等を制御する。

紫外線硬化樹脂１２に対するレーザの走査は、ＣＰＵ３０Ａからの指示に従って光源ドライバ３８によって光源２０が制御され、かつ、ＣＰＵ３０Ａからの指示に従ってスキャナドライバ３６によってスキャナミラー２４の向きが変更されることで実現される。

外部Ｉ／Ｆ４０は、ＦＰＧＡを有する通信デバイスである。外部Ｉ／Ｆ４０には、パーソナル・コンピュータ、ＵＳＢメモリ、外付けＳＳＤ、外付けＨＤＤ、ＥＥＰＲＯＭ、及びメモリカード等の外部装置（図示省略）が接続される。外部Ｉ／Ｆ４０は、ＣＰＵ３０Ａと外部装置との間の各種情報の授受を司る。

一例として図３に示すように、記憶装置３２には、レーザ強度テーブル３２Ａが記憶されている。レーザ強度テーブル３２Ａは、外部Ｉ／Ｆ４０によって受け付けられ、外部Ｉ／Ｆ４０によって受け付けられたレーザ強度テーブル３２ＡがＣＰＵ３０Ａによって記憶装置３２に記憶される。なお、レーザ強度テーブル３２Ａは、本開示の技術に係る「分布情報」の一例である。また、外部Ｉ／Ｆ４０は、本開示の技術に係る「受付部」の一例である。

ＲＯＭ３０Ｂには、レーザ照射プログラム３０Ｂ１が記憶されている。ＣＰＵ３０Ａは、ＲＯＭ３０Ｂからレーザ照射プログラム３０Ｂ１を読み出し、読み出したレーザ照射プログラム３０Ｂ１をＲＡＭ３０Ｃに展開する。ＣＰＵ３０Ａは、ＲＡＭ３０Ｃに展開したレーザ照射プログラム３０Ｂ１を実行することで、制御部３０Ａ１及び同期信号供給部３０Ａ２として動作する。ここで、制御部３０Ａ１は、本開示の技術に係る「変更部」の一例であり、レーザの強度を変更する。具体的には、制御部３０Ａ１は、レーザ強度テーブル３２Ａに従ってレーザの強度を変更する。

同期信号供給部３０Ａ２は、基準クロック（図示省略）に基づいて同期信号を生成し、生成した同期信号を制御部３０Ａ１に供給する。これにより、制御部３０Ａ１は、同期信号供給部３０Ａ２から同期信号が供給されることで、供給された同期信号に従ってスキャナドライバ３６の動作と光源ドライバ３８の動作とを同期させる。

制御部３０Ａ１は、スキャナドライバ３６に対してスキャナ制御信号を供給することでスキャナドライバ３６を制御し、光源ドライバ３８に対してパルス信号を供給することで光源ドライバ３８を制御する。スキャナドライバ３６に対するスキャナ制御信号の供給、及び光源ドライバ３８に対するパルス信号の供給は同期している。スキャナドライバ３６に対するスキャナ制御信号の供給と及び光源ドライバ３８に対するパルス信号の供給との同期は、制御部３０Ａ１に同期信号が供給されることによって実現される。

光源ドライバ３８は、制御部３０Ａ１から供給されたパルス信号に従って、光源２０を制御することでレーザの出力をオンオフさせる。パルス幅は、後述の区分領域の各々に対するレーザの照射時間以下である。また、光源ドライバ３８の制御下で、光源２０によって、後述する紫外線硬化樹脂１２の全領域（図４参照）に対するレーザの照射が複数回繰り返される。レーザの強度の変更は、後述の区分領域毎に、パルス信号のパルス幅が制御部３０Ａ１によって変更されることで実現される。具体的には、一例として図１４に示すように、後述の区分領域毎にパルス信号のデューティ比が制御部３０Ａ１によって変更されることで、各区分領域に対するレーザの強度が変更される。なお、以下では、説明の便宜上、パルス信号に従ってオンオフされるレーザの照射を、「パルス照射」とも称する。

スキャナ制御信号は、スキャナミラー２４の向きを示す信号であり、スキャナドライバ３６は、制御部３０Ａ１から供給されたスキャナ制御信号に従ってスキャナミラー２４の向きを変更する。光源２０から出射されたレーザは、光学系２２によってスキャナミラー２４に導かれるとスキャナミラー２４で反射され、スキャナミラー２４の向きが変更されることで紫外線硬化樹脂１２に対してレーザが走査される。

一例として図４に示すように、光照射装置１０では、片面１６Ａに対する平面視において、紫外線硬化樹脂１２の全領域に対して矩形状平面５０が制御部３０Ａ１によって設定される。矩形状平面５０とは、片面１６Ａに対する平面視で、紫外線硬化樹脂１２の全領域を取り囲む矩形状の平面を指す。紫外線硬化樹脂１２の全領域は、本開示の技術に係る「特定領域」及び「光硬化樹脂の全領域」の一例である。ここで、紫外線硬化樹脂１２の全領域とは、紫外線硬化樹脂１２の平面視での外面のうちの全領域を指す。すなわち、図４に示す例において、紫外線硬化樹脂１２の全領域とは、片面１６Ａに対する平面視で、紫外線硬化樹脂１２のうちの片面１６Ａ側に面している領域、換言すると、片面１６Ａに対して付与された紫外線硬化樹脂１２の面領域を指す。更に換言すると、紫外線硬化樹脂１２の全領域は、レンズ１６を介して第２ガルバノミラー２４Ｂ側に露出している面（露出面）とも言える。紫外線硬化樹脂１２の外面のうちの全領域（面状領域）に対してレーザが照射されることで、紫外線硬化樹脂１２の立体状全領域（全樹脂）、すなわち、紫外線硬化樹脂１２の立体視での全領域（全容積）に対して光が照射される。

スキャナミラー２４は、矩形状平面５０に対してレーザを走査する。矩形状平面５０は、レーザのビーム径に応じて第Ｎ行第Ｎ列で分割されており、分割されることで得られた各区分領域の位置は行番号及び列番号で特定される。つまり、矩形状平面５０内の位置が２次元座標で特定可能とされている場合、行番号は、２次元座標のうちのＸ座標に相当し、列番号は２次元座標のうちのＹ座標に相当する。なお、１つ分の区分領域は、例えば、レーザのビーム径に外接する矩形枠で囲まれた領域である。

紫外線硬化樹脂１２は、平面視において、矩形状平面５０の各区分領域によって区分けされており、矩形状平面５０の各区分領域によって区分けされることで得られた複数の区分領域の各位置は、矩形状平面５０の各区画領域と同様に、行番号及び列番号で特定される。なお、ここで、「複数の区分領域」は、本開示の技術に係る「複数の区分領域」の一例である。以下では、説明の便宜上、紫外線硬化樹脂１２が矩形状平面５０の各区分領域によって区分けされることで得られた複数の区分領域の各々を、単に「区分領域」又は「紫外線硬化樹脂１２の区分領域」とも称する。

レーザは、スキャナミラー２４の向きが変更されることによって、矩形状平面５０の始点から終点にかけて行毎に且つ列毎に走査される。換言すると、レーザは、行方向に主走査され、列方向に副走査される。主走査方向の走査経路は、第１列から第Ｎ列にかけての行方向に沿う直線上にあり、第１行から第Ｎ行にかけて１行毎にレーザの走査が行われる。

光源２０は、矩形状平面５０内の１つ分の区分領域に対して、光源ドライバ３８にパルス信号が供給される毎に、パルス信号に応じたレーザを照射する。すなわち、光源ドライバ３８に複数個のパルス信号が供給されることで、矩形状平面５０内の１つ分の区分領域に対してレーザが重ねて照射される。

なお、以下では、説明の便宜上、矩形状平面５０の１つ分の区分領域に対するレーザの照射用として光源ドライバ３８に供給される一対のパルス信号のうち、供給順序が先のパルス信号を先発パルス信号と称し、供給順序が後のパルス信号を後発パルス信号と称する。ここで、「一対のパルス信号」とは、矩形状平面５０内の１つ分の区分領域に対するレーザの照射用のパルス信号として光源ドライバ３８に供給されるパルス信号のうち、光源ドライバ３８に供給される順序が時間的に隣り合う２つのパルス信号を指す。また、以下では、説明の便宜上、供給されたパルス信号に従って光源ドライバ３８が光源２０を作動させることで実現されるレーザの照射を、「パルス信号に基づくレーザの照射」とも称する。

光照射装置１０では、照射部１８により、矩形状平面５０の始点から終点にかけて行毎に且つ列毎に、区分領域に対してパルス信号に従ってレーザが照射されることで、紫外線硬化樹脂１２の全領域に対してレーザが走査される。すなわち、紫外線硬化樹脂１２の外側に存在する始点から終点にかけて、紫外線硬化樹脂１２よりも広い領域として規定された矩形状平面５０に対してレーザが走査されることで、紫外線硬化樹脂１２の全領域に対してもレーザが走査される。換言すると、紫外線硬化樹脂１２の外側に存在する始点が属する列から、紫外線硬化樹脂１２の外側に存在する終点が属する列にかけてレーザが走査されることで、紫外線硬化樹脂１２の全領域に対してもレーザが走査される。なお、ここでは、矩形状平面５０が例示されているが、これに限らず、平面視で紫外線硬化樹脂１２よりも広く、かつ、紫外線硬化樹脂１２を取り囲む領域であれば、如何なる形状の領域であってもよい。

一例として図５に示すように、レーザ強度テーブル３２Ａは、紫外線硬化樹脂１２の全領域に対して照射されるレーザの強度の分布を示す分布情報である。レーザ強度テーブル３２Ａでは、行番号、列番号、及びレーザの強度が対応付けられている。レーザ強度テーブル３２Ａにおいて、行番号及び列番号は、矩形状平面５０の全区分領域の位置を特定する位置特定情報である。つまり、位置特定情報には、紫外線硬化樹脂１２の複数の区分領域の各々の位置を特定する情報も含まれている。位置特定情報の各々に対しては、レーザの強度を示す強度情報が対応付けられている。すなわち、レーザ強度テーブル３２Ａでは、矩形状平面５０の全区分領域の各々に対して照射されるレーザの強度が区分領域毎に規定されている。これは、レーザ強度テーブル３２Ａでは、紫外線硬化樹脂１２の複数の区分領域の各々に対して照射されるレーザの強度が区分領域毎に規定されていることを意味する。なぜならば、矩形状平面５０の全区分領域には、紫外線硬化樹脂１２の複数の区分領域も含まれているからである。

レーザ強度テーブル３２Ａでの強度情報により示されるレーザの強度の分布は、紫外線硬化樹脂１２の全領域に対してレーザが照射された場合に紫外線硬化樹脂１２の全領域が均一に硬化されるように、実機による試験及び／又はコンピュータシミュレーションにより、支持部材１４の光学的特性及びレンズ１６の光学的特性に従って予め導出されている。なお、ここで、支持部材１４の光学的特性の一例としては、収容面１４Ａ及び収容面１４Ａの周辺に対してレーザが走査された場合に生じる拡散反射（乱反射）が挙げられる。収容面１４Ａ及び収容面１４Ａの周辺は、例えば、支持部材１４のうちの矩形状平面５０によって囲まれる領域内を指す。また、レンズ１６の光学的特性の一例としては、屈折、反射、吸収、及び散乱等が挙げられる。

ところで、高分子のラジカル重合反応定数を測定する方法として、パルスレーザが断続的に照射されることによって硬化された樹脂の分子量を基に解析するパルスレーザ重合法が提案されている（参考文献：Ｄｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ ｏｆ Ｆｒｅｅ－Ｒａｄｉｃａｌ Ｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎ Ｒａｔｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓ ｏｆ Ｂｕｔｙｌ， ２－Ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ， ａｎｄ Ｄｏｄｅｃｙｌ Ａｃｒｙｌａｔｅｓ ｂｙ Ｐｕｌｓｅｄ－Ｌａｓｅｒ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ．（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ １９９６， ２９， ４２０６－５２１５））。そして、パルスレーザ重合法により各種ラジカル重合反応の解析が行われている。

紫外線硬化樹脂１２の全領域に対するレーザの照射法では、各位置特定情報により示される各位置に対してレーザがパルス照射される。すなわち、位置特定情報により示される位置に対して照射されるレーザの照射の時間間隔を一周期とした場合、紫外線硬化樹脂１２の全領域を対象として、各位置特定情報により示される各位置に対して、複数周期分のレーザの照射が行われる。換言すると、紫外線硬化樹脂１２の全領域を対象として、各位置特定情報により示される各位置に対して、レーザの照射が繰り返し行われる。これにより、紫外線硬化樹脂１２の全領域を対象として、紫外線硬化樹脂１２の複数の区分領域の各々に対してレーザが重ねて照射される。

紫外線硬化樹脂１２に対するレーザの照射により生成されたラジカルは、重合反応を繰り返しながら、ラジカル濃度に依存した確率でラジカル同士が結合することで停止反応し、やがて消滅する。ここで、レーザの照射強度が一定の場合、ラジカル濃度はラジカルの生成速度、重合速度、及び停止反応速度により一定の平均値と一定の分布とを有する定常状態となる。

しかし、紫外線硬化樹脂１２の全領域に対するレーザの照射による区分領域間でのラジカル濃度は、１つ分の区分領域に対してパルス信号に従ってレーザが照射される周期（以下、単に「周期」とも称する）によって異なる。例えば、光源ドライバ３８に対するパルス信号の供給間隔がラジカル寿命よりも長い場合、先発パルス信号に基づくレーザの照射によって生成されたラジカルの濃度は、図６に示すように、先発パルス信号に基づくレーザの照射が行われるまでの間に徐々に低下する。そして、紫外線硬化樹脂１２が後発パルス信号に基づくレーザの照射を受けた時点において、残存し重合反応を繰り返している１回目のラジカルは、新たに生成されたラジカルと結合することで消滅する。ここで、新たに生成されたラジカルとは、紫外線硬化樹脂１２が２回目のパルス信号に基づくレーザの照射を受けることで生成されたラジカルを指す。紫外線硬化樹脂１２に対する３回目以降のパルス信号に基づくレーザの照射によって生成されたラジカルについても同様のことが言える。このように、パルス信号の発生間隔がラジカル寿命よりも長い場合、紫外線硬化樹脂１２の各区分領域では非定常状態が繰り返される。非定常状態とは、パルス信号に基づくレーザの照射によって生成されるラジカルの濃度が定常状態に比べて大きく変化する状態を指す。

なお、ここで、「ラジカル寿命」とは、ラジカルの平均寿命を指す。ラジカルの平均寿命とは、例えば、数十ｍｓを指す。また、以下では、説明の便宜上、先発パルス信号によりレーザが紫外線硬化樹脂１２に対して照射されることで生成されたラジカルを「先発ラジカル」と称する。また、以下では、説明の便宜上、後発パルス信号によりレーザが紫外線硬化樹脂１２に対して照射されることで生成されたラジカルを「後発ラジカル」と称する。

上記のように、紫外線硬化樹脂１２の各区分領域において非定常状態が繰り返されると、後発パルス信号に基づくレーザが照射されている区分領域と、先発パルス信号に基づくレーザが照射されている区分領域とでは、重合反応が非連続的となり、区分領域間で均一な硬化速度が得られない。

そこで、光照射装置１０では、一例として図７に示すように、図６に示す例に比べ、１つの区分領域に対しての先発パルス信号と後発パルス信号との時間間隔が短くされている。具体的には、照射部１８（図１参照）が、紫外線硬化樹脂１２の全領域に対してレーザを照射することで紫外線硬化樹脂１２からラジカルを発生させ、ラジカルの重合反応が停止する前に、紫外線硬化樹脂１２の全領域に対してレーザを重ねて照射する。換言すると、照射部１８が、紫外線硬化樹脂１２の全領域に対してレーザを照射することで紫外線硬化樹脂１２からラジカルを発生させ、ラジカルの成長中に、紫外線硬化樹脂１２の全領域に対してレーザを重ねて照射する。「ラジカルの重合反応が停止する前」及び「ラジカルの成長中」とは、換言すると、「ラジカルの結合が完了する前」、「ラジカルの共有結合が完了する前」、又は「ラジカルが不活性化する前」等とも言える。

「ラジカルの重合反応が停止する前」及び「ラジカルの成長中」の一例としては、「ラジカル寿命に達する前」が挙げられる。すなわち、図７に示す例のように、先発パルス信号と後発パルス信号との時間間隔がラジカル寿命未満であれば、先発ラジカルの重合結合が完結する前の状態で、後発パルス信号によりレーザが紫外線硬化樹脂１２に照射されることで後発ラジカルが生成される。この場合、先発ラジカルの濃度は定常状態の平均値に相当する濃度であるので、先発パルス信号と後発パルス信号との時間間隔がラジカル寿命以上の場合に比べ、先発ラジカルは後発パルス信号に基づくレーザの照射の影響を受け難い。これは、先発ラジカルがラジカル寿命に達してから後発ラジカルが生成される場合に比べ、先発ラジカルが、後発ラジカルと結合する確率が低くなり、定常状態に近付くからである。この結果、先発ラジカルがラジカル寿命に達してから後発ラジカルが生成される場合に比べ、紫外線硬化樹脂１２の区分領域間の硬化の度合いの連続性が上がる。

次に、光照射装置１０の作用について図８を参照しながら説明する。図８には、レーザ照射処理の実行を開始する指示が受付デバイス３４Ｂによって受け付けられた場合にレーザ照射プログラム３０Ｂ１に従ってＣＰＵ３０Ａによって実行されるレーザ照射処理の流れの一例が示されている。

なお、以下では、矩形状平面５０の始点からレーザの走査が開始されるように照射部１８が位置決めされていることを前提として説明する。また、以下では、矩形状平面５０の始点（図４参照）からレーザの走査が開始されるように位置決めされた状態でのスキャナミラーの位置を「初期位置」と称する。また、以下では、矩形状平面５０の始点を、単に「始点」とも称し、矩形状平面５０の終点（図４参照）を、単に「終点」とも称する。

図８に示すレーザ照射処理では、先ず、ステップＳＴ００で、制御部３０Ａ１は、レーザ強度テーブル３２Ａから初期位置に対応する強度情報を取得する。そして、制御部３０Ａ１は、光源２０に対して、取得した強度情報により示される強度のレーザを初期位置に照射させ、その後、レーザ照射処理はステップＳＴ１０へ移行する。

本ステップＳＴ１００では、制御部３０Ａ１により、レーザ強度テーブル３２Ａから初期位置に対応する強度情報が取得され、取得された強度情報に応じてパルス信号のパルス幅が変更される。そして、パルス幅が変更されたパルス信号が制御部３０Ａ１から光源ドライバ３８に供給される。そして、光源２０は、光源ドライバ３８の制御下で、制御部３０Ａ１から光源ドライバ３８に供給されたパルス信号に応じたレーザを始点に照射する。

ステップＳＴ１０で、制御部３０Ａ１は、スキャナミラー２４の既定速度での駆動を開始させ、その後、レーザ照射処理はステップＳＴ１２へ移行する。ここで、既定速度は、始点から終点にかけてのレーザの走査が繰り返し行われる場合に１つ分の区分領域に対するレーザの照射用の先発パルス信号と後発パルス信号との時間間隔として予め定められた周期が実現される速度である。

ここで、「予め定められた周期」とは、紫外線硬化樹脂１２に対してレーザが照射されてからラジカルの重合反応が停止する前まで時間に相当する周期、換言すると、紫外線硬化樹脂１２に対してレーザが照射されてからラジカルが成長している間の時間を指す。紫外線硬化樹脂１２に対してレーザが照射されてからラジカルが成長している間の時間とは、すなわち、紫外線硬化樹脂１２に対してレーザが照射されてからラジカル寿命に達する前までの時間を指す。

なお、ここでは、予め定められた周期として、例えば、紫外線硬化樹脂１２に対してレーザが照射されてからラジカル寿命に達する前までの時間内においてレーザが走査されることで紫外線硬化樹脂１２の全領域を均一に硬化させる周期が採用されている。予め定められた周期は、実機による試験及び／又はコンピュータシミュレーション等により予め導出されている。

ステップＳＴ１２で、制御部３０Ａ１は、スキャナミラー２４の向きが変更されたことに伴って、矩形状平面５０内でのレーザの照射位置（以下、単に「照射位置」とも称する）が次の区分領域に対応する照射位置に変更されたか否かを判定する。ステップＳＴ１２において、照射位置が次の区分領域に対応する照射位置に変更されていない場合は、判定が否定されて、ステップＳＴ１２の判定が再び行われる。ステップＳＴ１２において、照射位置が次の区分領域に対応する照射位置に変更された場合は、判定が肯定されて、レーザ照射処理はステップＳＴ１４へ移行する。

ステップＳＴ１４で、制御部３０Ａ１は、レーザ強度テーブル３２Ａから更新後の照射位置に対応する強度情報を取得する。そして、制御部３０Ａ１は、光源２０に対して、取得した強度情報により示される強度のレーザを更新後の照射位置に照射させ、その後、レーザ照射処理はステップＳＴ１６へ移行する。

本ステップＳＴ１４では、制御部３０Ａ１により、レーザ強度テーブル３２Ａから更新後の照射位置に対応する強度情報が取得され、取得された強度情報に応じてパルス信号のパルス幅が変更される。そして、パルス幅が変更されたパルス信号が制御部３０Ａ１から光源ドライバ３８に供給される。そして、光源２０は、光源ドライバ３８の制御下で、制御部３０Ａ１から光源ドライバ３８に供給されたパルス信号に応じたレーザを更新後の照射位置に照射する。本ステップＳＴ１４の処理が実行されることで、照射部１８によって照射されるレーザの強度が紫外線硬化樹脂１２の区分領域毎に変更される。

ステップＳＴ１６で、制御部３０Ａ１は、レーザの照射位置が終点に到達したか否かを判定する。ステップＳＴ１６において、レーザの照射位置が終点に到達していない場合は、判定が否定されて、レーザ照射処理はステップＳＴ１２へ移行する。ステップＳＴ１６において、レーザの照射位置が終点に到達した場合は、判定が肯定されて、レーザ照射処理はステップＳＴ１８へ移行する。

ステップＳＴ１８で、制御部３０Ａ１は、光源ドライバ３８を介して光源２０に対してレーザの照射を停止させ、その後、レーザ照射処理はステップＳＴ２０へ移行する。

ステップＳＴ２０で、制御部３０Ａ１は、スキャナドライバ３６を制御することでスキャナミラー２４を初期位置に戻し、その後、レーザ照射処理はステップＳＴ２２へ移行する。

ステップＳＴ２２で、制御部３０Ａ１は、始点から終点までのレーザの走査を１回の走査とした場合の走査回数が既定回数に到達したか否かを判定する。既定回数とは、紫外線硬化樹脂１２の全領域を均一に硬化させる走査回数として、例えば、数百回から数千回の範囲内から予め選択された回数を指す。既定回数としては、例えば、実機による試験及び／又はコンピュータシミュレーション等により紫外線硬化樹脂１２の全領域を均一に硬化させる走査回数として予め導出された値が採用されている。

ステップＳＴ２２において、走査回数が既定回数に到達していない場合は、判定が否定されて、レーザ照射処理はステップＳＴ００へ移行する。ステップＳＴ２２において、走査回数が既定回数に到達した場合は、判定が肯定されて、レーザ照射処理はステップＳＴ２４へ移行する。

ステップＳＴ００～ステップＳＴ２２の処理が実行されることで、光照射装置１０では、照射部１８により、紫外線硬化樹脂１２の全領域に含まれる複数の区分領域の各々に対して、各区分領域のラジカルの重合反応が停止する前にレーザが重ねて照射される。

ステップＳＴ２４で、制御部３０Ａ１は、スキャナドライバ３６を制御することでスキャナミラーの駆動を停止させ、その後、レーザ照射処理が終了する。

以上説明したように、光照射装置１０では、照射部１８により、紫外線硬化樹脂１２の全領域に対してレーザが照射されることで紫外線硬化樹脂１２からラジカルを発生させる。また、照射部１８により、ラジカルの重合反応が停止する前、換言すると、ラジカルの成長中に、紫外線硬化樹脂１２の全領域に対してレーザが重ねて照射される。そして、紫外線硬化樹脂１２の区分領域の各々に対して照射部１８によって照射されるレーザの強度が制御部３０Ａ１によって区分領域毎に変更される。

これにより、区分領域毎に、先発パルス信号に基づくレーザの照射により生成された先発ラジカルの重合結合が完結する前の状態で、後発パルス信号によりレーザが紫外線硬化樹脂１２に照射されることで後発ラジカルが生成される。この場合、先発ラジカルの濃度は定常状態の平均値に相当する濃度であるので、先発パルス信号に基づくレーザの照射が行われてから、先発ラジカルの重合結合が完結した後に後発パルス信号に基づくレーザの照射が行われる場合に比べ、先発ラジカルは後発パルス信号に基づくレーザの照射の影響を受け難い。この結果、先発ラジカルがラジカル寿命に達してから後発ラジカルが生成される場合に比べ、紫外線硬化樹脂１２の区分領域間の硬化の度合いの連続性が上がる。従って、片面１６Ａに紫外線硬化樹脂１２が付与されたレンズ１６、すなわち、紫外線硬化樹脂１２及びレンズ１６を含む光学素子（例えば、非球面状レンズ）を製造するにあたって、先発ラジカルの重合結合が完結した後に後発パルス信号に基づくレーザの照射が行われる場合に比べ、紫外線硬化樹脂１２の硬化速度に起因して紫外線硬化樹脂１２で生じる歪みを低減することができる。

また、光照射装置１０では、照射部１８により、紫外線硬化樹脂１２に対してレーザが走査される。従って、レーザの走査ラインに沿って紫外線硬化樹脂１２を硬化させることができる。

また、光照射装置１０では、区分領域毎に先発ラジカルの寿命に達する前に後発パルス信号に基づくレーザの照射が行われる。従って、先発パルス信号と後発パルス信号との時間間隔がラジカル寿命以上の場合に比べ、先発ラジカルが後発パルス信号に基づくレーザの照射の影響を受け難くすることができる。

また、光照射装置１０では、照射部１８により、紫外線硬化樹脂１２の全領域に対してレーザが照射される。従って、片面１６Ａに紫外線硬化樹脂１２が付与されたレンズ１６、すなわち、紫外線硬化樹脂１２及びレンズ１６を含む光学素子を製造するにあたって、先発ラジカルの重合結合が完結した後に後発パルス信号に基づくレーザの照射が行われる場合に比べ、紫外線硬化樹脂１２の全領域の硬化速度に起因して生じる歪みを低減することができる。

また、光照射装置１０では、外部Ｉ／Ｆ４０によってレーザ強度テーブル３２Ａが受け付けられ、受け付けられたレーザ強度テーブル３２Ａが記憶装置３２に記憶される。これにより、記憶装置３２に記憶されるレーザ強度テーブル３２Ａの内容が更新される。そして、記憶装置３２に記憶されたレーザ強度テーブル３２Ａに従って制御部３０Ａ１によってレーザの強度が変更される。従って、内容が更新されたレーザ強度テーブル３２Ａから導き出された強度でレーザを紫外線硬化樹脂１２に照射することができる。

また、光照射装置１０では、レーザ強度テーブル３２Ａが、レンズ１６の光学的特性に従って定められている。従って、レーザ強度テーブル３２Ａがレンズ１６の光学的特性とは無関係に定められている場合に比べ、レンズ１６に付与された紫外線硬化樹脂１２の硬化速度に起因して紫外線硬化樹脂１２で生じる歪みを高精度に低減することができる。

更に、光照射装置１０では、レーザ強度テーブル３２Ａが、レンズ１６の光学的特性及び支持部材１４の光学的特性に従って定められている。従って、レーザ強度テーブル３２Ａがレンズ１６の光学的特性及び支持部材１４の光学的特性とは無関係に定められている場合に比べ、紫外線硬化樹脂１２の硬化速度に起因して紫外線硬化樹脂１２で生じる歪みを高精度に低下することができる。

なお、上記第１の実施形態では、レンズ１６を例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、レンズ１６に代えて、プリズム、ガルバノミラー、ＭＥＭＳミラー、ポリゴンミラー、リゾナントミラー、ダイクロイックミラー、又は全反射ミラー等の他の光学素子に対して付与された紫外線硬化樹脂にレーザが照射されるようにしてもよい。

また、上記第１の実施形態では、光照射装置１０のレーザがレンズ１６に付与された紫外線硬化樹脂１２に対して照射される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。本開示の技術は、紫外線硬化樹脂等の光硬化樹脂を用いて工作する３Ｄプリンタ等に対しても適用可能である。

また、上記第１の実施形態では、スキャナミラー２４の一例としてガルバノミラーを挙げたが、本開示の技術はこれに限定されない。ガルバノミラーに代えて、リゾナントミラー又はＭＥＭＳミラー等の可動式のミラーであればよい。

また、上記第１の実施形態では、制御部３０Ａ１がパルス信号のパルス幅を変更することでレーザの強度を変更する形態例を挙げて説明したが、制御部３０Ａ１は、電圧値又は電流値を制御することでレーザの強度を変更するようにすればよい。

また、上記第１の実施形態では、光源２０としてレーザ装置を例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、レーザ装置に代えて、ＬＥＤ、水銀ランプ、又はメタルハライドランプ等の他の光源であってもよい。

また、上記第１の実施形態では、紫外線硬化樹脂１２の全領域に対してレーザが照射される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、紫外線硬化樹脂１２（図４参照）の平面視での中央部又は外縁部等の一部領域に対してレーザが照射されるようにしてもよい。

また、上記第１の実施形態では、レーザ強度テーブル３２Ａを例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、レーザ強度テーブル３２Ａに代えて、位置特定情報を独立変数とし、強度情報を従属変数とした演算式を用いてレーザの強度が算出されるようにしてもよい。

また、上記第１の実施形態では、片面１６Ａと紫外線硬化樹脂１２との接触面でレーザが集光するように、光源２０、光学系２２、及びスキャナミラー２４が配置された光照射装置１０を例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図９に示すように、光照射装置１００を用いてもよい。光照射装置１００は、片面１６Ａと紫外線硬化樹脂１２との接触面でレーザが拡散した状態（結像点からずらしてぼかした状態）で照射されるように、光源２０、光学系２２、及びスキャナミラー２４が配置されている。なお、光学系２２の構成を変更したり、スキャナミラー２４から紫外線硬化樹脂１２までの距離を変更したりすることでも、片面１６Ａと紫外線硬化樹脂１２との接触面でレーザを拡散した状態で照射させることができる。

また、上記第１の実施形態では、区分領域毎にレーザの強度が変更される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図１０に示すように、液晶パネル７０を介して紫外線硬化樹脂１２に対してレーザが照射されるようにしてもよい。この場合、液晶パネル７０は、マトリクス状に配列された複数の画素を備えており、各画素は、制御部３０Ａ１からの指示に従って透過状態と遮光状態とが切り替えられる。例えば、制御部３０Ａ１が、レーザ強度テーブル３２Ａに従って液晶パネル７０の各画素の透過状態と遮光状態とを切り替えることで、上述したように区分領域の各々に対して照射されるレーザの強度を変更する。なお、液晶パネル７０は本開示の技術に係る「変更部」の一例である。また、液晶パネル７０の画素は本開示の技術に係る「光透過率変更領域」の一例である。

また、液晶パネル７０に変えて、透光性を有するシート（以下、「透光性シート」と称する）を適用することも可能である。この場合、透光性シートは帯状に形成されており、透光性シートの表面に対してインクジェトプリンタ等を用いて事前に透過領域と遮光領域とが形成されている。そして、レーザが透光性シートを介して紫外線硬化樹脂１２に照射された状態で透光性シートを移動させることによってレーザの強度が変更される。

また、上記第１の実施形態では、紫外線硬化樹脂１２に対してレーザを走査する形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図１１に示すように、光照射装置２００を用いて紫外線硬化樹脂１２に対してＵＶ光が面照射されるようにしてもよい。この場合、例えば、光照射装置２００は、光源２０Ａ及びコリメートレンズ２２Ｂを備えている。光源２０Ａは、コリメートレンズ２２Ｂに対してＵＶ光を出射する。
コリメートレンズ２２Ｂでは、光源２０ＡからのＵＶ光が平行光束とされ、平行光束とされたＵＶ光が紫外線硬化樹脂１２に面状に照射される。図１１に示す液晶パネル７０は本開示の技術に係る「透過率変更素子」の一例である。また、液晶パネル７０の画素７０Ａは本開示の技術に係る「光透過変更領域」の一例である。図１１に示す光照射装置２００では、液晶パネル７０がコリメートレンズ２２Ｂとレンズ１６との間に配置されていたが、液晶パネル７０は光源２０Ａとコリメートレンズ２２Ｂとの間に配置されていてもよい。また、本実施形態では、紫外線硬化樹脂１２に向かうＵＶ光の照射エネルギーが３段階以上の多段階で分布される。なお、図１１に示す光検出装置１２８、及びアクチュエータ３１６については後述する。

また、上記第１の実施形態では、レンズ１６として正レンズ（凸レンズ）を例示したが、レンズの種類は正レンズ（凸レンズ）に限らず、負レンズ（凹レンズ）であってもよいし、メニスカスレンズ（凹凸レンズ）であってもよいし、非球面レンズであってもよい。また、一例として図１２に示すように、接合レンズ１６０であってもよい。図１２に示す例では、接合レンズ１６０は、レンズ１６と負レンズ（凹レンズ）１６２とが接合された接合レンズであり、治具１６３によって負レンズ１６２が保持されており、負レンズ１６２上にレンズ１６が配置されている。図１２に示す例では、レンズ１６と負レンズ１６２との間には紫外線硬化樹脂１６２Ａが介在しており、紫外線硬化樹脂１６２Ａに対してレーザが照射されることでレンズ１６と負レンズ１６２とが接合される。この場合、接合レンズ１６０を構成するレンズ１６の光学的特性、接合レンズ１６０を構成する負レンズ１６２の光学的特性及び治具１６３の光学的特性のうちの少なくとも１つの光学的特性に従ってレーザ強度テーブル３２Ａの強度情報が定められるようにすればよい。また、接合レンズ１６０はレンズ１６と負レンズ１６２との２枚のレンズで形成されているが、３枚以上のレンズで形成された接合レンズであってもよい。複数枚のレンズを重ねて形成された接合レンズに含まれる複数のレンズの少なくとも１枚のレンズの片面に紫外線硬化樹脂が付与されていれば、接合レンズに含まれる紫外線硬化樹脂に対して光照射装置１０からレーザが照射されることで紫外線硬化樹脂を硬化させることができる。

また、図１２に示す例でも、図４に示す例と同様に、矩形状平面５０の始点から終点にかけてレーザが走査されるようにしてもよい。この場合、紫外線硬化樹脂１６２Ａから外側の領域にレーザが走査されている間に、紫外線硬化樹脂１６２Ａと負レンズ１６２との隙間１６５からレーザが負レンズ１６２に入射され、負レンズ１６２の光学的特性（例えば、屈折、反射、吸収、及び散乱等）及び治具１６３の内周面及び底面１６３Ａの各々の光学的特性（例えば、反射、散乱、及び吸収等）の影響を受ける。この結果、隙間１６５から負レンズ１６２に入射されたレーザは、負レンズ１６２側から紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射される。このように、レンズ１６側と負レンズ１６２側との両側から紫外線硬化樹脂１６２Ａの全領域、又は、指定された一部領域に対してレーザが照射されるようにしてもよい。なお、光照射装置１０の位置等を変更させることで、レーザを隙間１６５から積極的に負レンズ１６２に入射させるようにしてもよい。

また、上記第１の実施形態では、紫外線硬化樹脂を例示したが、本開示の技術はこれに限定されず、紫外線の波長域以外の波長域の光に反応して硬化する光硬化樹脂に対して、対応する波長域の光が照射されるようにしてもよい。

また、上記第１の実施形態では、パルス照射を例示したが、本開示の技術はこれに限定されず、連続波発振方式でレーザが照射されるようにしてもよい。連続波発振方式でレーザを照射する場合、レーザの強度を連続的に変更し、区分領域毎に異なる強度のレーザが照射されるようにすればよい。

また、上記第１の実施形態では、レーザ強度テーブル３２Ａを規定する場合に考慮される支持部材１４の光学的特性の一例として、収容面１４Ａ及び収容面１４Ａの周辺に対してレーザが走査された場合に生じる拡散反射を例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、レーザ強度テーブル３２Ａを規定する場合に考慮される支持部材１４の光学的特性は、収容面１４Ａ及び収容面１４Ａの周辺のうちの収容面１４Ａに対してレーザが走査された場合に生じる拡散反射であってもよい。

また、上記第１の実施形態では、ＲＯＭ３０Ｂにレーザ照射プログラム３０Ｂ１が記憶されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図１３に示すように、レーザ照射プログラム３０Ｂ１を記憶媒体６００に記憶させておいてもよい。この場合、記憶媒体６００に記憶されているレーザ照射プログラム３０Ｂ１は、コンピュータ３０にインストールされ、ＣＰＵ３０Ａは、レーザ照射プログラム３０Ｂ１に従って、上述したレーザ照射処理を実行する。なお、記憶媒体６００の一例としては、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭ、ＳＳＤ又はＵＳＢメモリなどの任意の可搬型の記憶媒体が挙げられる。

また、通信網（図示省略）を介してコンピュータ３０に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶部にレーザ照射プログラム３０Ｂ１を記憶させておき、上述の光照射装置１０の要求に応じてレーザ照射プログラム３０Ｂ１がコンピュータ３０にダウンロードされるようにしてもよい。この場合、ダウンロードされたレーザ照射プログラム３０Ｂ１はコンピュータ３０にインストールされ、コンピュータ３０のＣＰＵ３０Ａによって実行される。

また、上記第１の実施形態で示す例では、ＣＰＵ３０Ａは、単数のＣＰＵであるが、本開示の技術はこれに限定されず、複数のＣＰＵを採用してもよい。

また、上記第１の実施形態では、制御部３０Ａ１及び同期信号供給部３０Ａ２（以下、「上記実施形態で説明した各部」と称する）として、コンピュータ３０によるソフトウェア構成により実現される形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、上記実施形態で説明した各部は、例えば、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、及びＰＬＤのうちの少なくとも１つを含むデバイスによって実現されるようにしてもよい。また、上記実施形態で説明した各部は、ハードウェア構成及びソフトウェア構成の組み合わせによって実現されてもよい。

上記のレーザ照射処理を実行するハードウェア資源としては、次に示す各種のプロセッサを用いることができる。プロセッサとしては、例えば、上述したように、ソフトウェア、すなわち、プログラムを実行することで、レーザ照射処理を実行するハードウェア資源として機能する汎用的なプロセッサであるＣＰＵが挙げられる。また、プロセッサとしては、例えば、ＦＰＧＡ、ＰＬＤ、又はＡＳＩＣなどの特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路が挙げられる。何れのプロセッサにもメモリが内蔵又は接続されており、何れのプロセッサもメモリを使用することでレーザ照射処理を実行する。

レーザ照射処理を実行するハードウェア資源は、これらの各種のプロセッサのうちの１つで構成されてもよいし、同種又は異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡの組み合わせ、又はＣＰＵとＦＰＧＡとの組み合わせ）で構成されてもよい。また、レーザ照射処理を実行するハードウェア資源は１つのプロセッサであってもよい。

１つのプロセッサで構成する例としては、第１に、クライアント及びサーバなどのコンピュータに代表されるように、１つ以上のＣＰＵとソフトウェアの組み合わせで１つのプロセッサを構成し、このプロセッサが、上記実施形態で説明した各部の処理を実行するハードウェア資源として機能する形態がある。第２に、ＳｏＣなどに代表されるように、レーザ照射処理を実行する複数のハードウェア資源を含むシステム全体の機能を１つのＩＣチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、上記実施形態で説明した各部の処理は、ハードウェア資源として、上記各種のプロセッサの１つ以上を用いて実現される。

更に、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子などの回路素子を組み合わせた電気回路を用いることができる。

また、上記のレーザ照射処理はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。

［第２の実施形態］
次に、添付図面に従って本開示の技術に係る第２の実施形態について説明する。なお、第１の実施形態と同一構成には同一符号を付し、その説明は省略する。

先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。

ＭＥＭＳとは、“Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ（微小電気機械システム）”の略称を指す。ＤＭＤとは、“Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ（米国テキサス・インスツルメンツ (Ｔｅｘａｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ)によって開発されたＭＥＭＳデバイス）”の略称を指す。ＬＥＤとは、“Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ”の略称を指す。

一例として図１５Ａに示すように、本第２の実施形態に係る光照射装置１１０は、後述する光源１２０から出射されたＵＶ光（ここでは、一例としてレーザ光ではないＵＶ光）を走査せずに紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射する装置である。なお、図１５Ａに示す例において、紫外線硬化樹脂１６２Ａは、レンズ１６と負レンズ（凹レンズ）１６２とを接合するために、レンズ１６と負レンズ（凹レンズ）１６２との間に一定厚さで層状に介在している。

光照射装置１１０は、照射部１１８を備えている。照射部１１８は、光源１２０、照明光学系１２２、ＤＭＤ１２４、及び投影光学系１２６を備えている。また、光照射装置１１０は、光検出装置１２８を備えている。ＤＭＤ１２４は、本開示の技術に係る「反射方向変更素子」及び「ＭＥＭＳ」の一例である。

照射部１１８は、ＵＶ光を紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射する。具体的には、先ず、光源１２０から出射されたＵＶ光が照明光学系１２２によってＤＭＤ１２４に導かれ、ＤＭＤ１２４によってＵＶ光が変調される。そして、光源１２０から出射されたＵＶ光はＤＭＤ１２４を介して紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射される。ＤＭＤ１２４によって変調されたＵＶ光は、投影光学系１２６によって紫外線硬化樹脂１６２Ａに投影される。

照明光学系１２２は、コリメートレンズ１２２Ａを備えている。光源１２０は、コリメートレンズ１２２Ａに対してＵＶ光を出射し、コリメートレンズ１２２Ａは、光源１２０からのＵＶ光を平行光束とし、平行光束とされたＵＶ光がＤＭＤ１２４に対して面状に照射される。本実施形態の光源１２０には、一例としてＵＶ光を出射する紫外線ＬＥＤが用いられている。なお、光源１２０に水銀ランプ等のＵＶ光を出射する他の種類の光源を用いることもできる。

ＤＭＤ１２４は、光源１２０から出射されたＵＶ光の反射の向きを変更可能な複数のマイクロミラー１２４Ａを備えている。光源１２０から出射されたＵＶ光は、複数のマイクロミラー１２４Ａを介して紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射される。複数のマイクロミラー１２４Ａは、集積回路上に、平面状に配列されている。また、複数のマイクロミラー１２４Ａは、可動式であり、各マイクロミラー１２４Ａは、平面視で矩形状に形成されている。複数のマイクロミラー１２４Ａの枚数としては、例えば、数十万枚～数百万枚が挙げられる。

各マイクロミラー１２４Ａには、ＵＶ光を反射する面である鏡面１２４Ａ１がねじれ軸周りに第１の方向及び第２の方向へ傾動可能に設けられている。鏡面１２４Ａ１の下部には電極が設けられており、各マイクロミラー１２４Ａの鏡面１２４Ａ１は、電極が駆動されることで傾斜状態が変化する。具体的には、鏡面１２４Ａ１は、第１の方向に傾斜した状態（以下、「第１傾斜状態」とも称する）、及び第２の方向に傾斜した状態（以下、「第２傾斜状態」とも称する）に選択的に変位する。

なお、以下では、説明の便宜上、マイクロミラー１２４Ａについて鏡面１２４Ａ１を第１傾斜状態にすることを「オン」とも称し、マイクロミラー１２４Ａについて鏡面１２４Ａ１を第２傾斜状態にすることを「オフ」とも称する。また、以下では、説明の便宜上、鏡面１２４Ａ１が第１傾斜状態に維持される時間を「オン時間」とも称し、鏡面１２４Ａ１が第２傾斜状態に維持される時間を「オフ時間」とも称する。

投影光学系１２６及び光検出装置１２８は、マイクロミラー１２４Ａから見た場合に、互いに異なる方向に配置されている。換言すると、光検出装置１２８は、マイクロミラー１２４Ａから見た場合に、紫外線硬化樹脂１６２Ａとは異なる方向に配置されている。鏡面１２４Ａ１が第１傾斜状態の場合、鏡面１２４Ａ１は、光源１２０からのＵＶ光を投影光学系１２６側に反射し、鏡面１２４Ａ１が第２傾斜状態の場合、鏡面１２４Ａ１は、光源１２０からのＵＶ光を光検出装置１２８側に反射する。

ＤＭＤ１２４では、各マイクロミラー１２４Ａがオンされたり、オフされたりする。具体的には、一例として図１５Ｂに示すように、各マイクロミラー１２４Ａに対してＰＷＭ方式の制御（以下、「パルス幅変調」とも称する）が行われることで、オン時間とオフ時間との比率が変更される。これにより、マイクロミラー１２４Ａの各々によって、単位時間あたりのＵＶ光の照射エネルギーが階調制御される。照射エネルギーの一例としては、光量（例えば、ＵＶ光の単位時間あたりの照度と照射時間との積）が挙げられる。

投影光学系１２６は、ＤＭＤ１２４で反射されたＵＶ光の光径を予め設定された倍率で拡大することで、紫外線硬化樹脂１６２Ａの全領域に対して面状に照射する。

光検出装置１２８は、ＤＭＤ１２４で反射されたＵＶ光の光量を検出する。光検出装置１２８は、レンズを有する検出光学系１４０、及び受光したＵＶ光の光量を検出するフォトディテクタ１４２を備えている。鏡面１２４Ａ１が第２傾斜状態の場合、光源１２０から出射されたＵＶ光は鏡面１２４Ａ１で光検出装置１２８側に反射され、検出光学系１４０を介してフォトディテクタ１４２に入射する。フォトディテクタ１４２は、入射されたＵＶ光の光量を検出する。なお、フォトディテクタ１４２は、本開示の技術に係る「光検出部」の一例である。

一例として図１６に示すように、光照射装置１１０は、コンピュータ３０、記憶装置３２、ＵＩ系デバイス３４、ＤＭＤドライバ１３６、光源ドライバ１３８、外部Ｉ／Ｆ４０、外部Ｉ／Ｆ１４４、及びＩ／Ｏ４２を備えている。

Ｉ／Ｏ４２は、入出力ポート（図示省略）を備えており、入出力ポートを介して記憶装置３２、ＵＩ系デバイス３４、ＤＭＤドライバ１３６、光源ドライバ１３８、外部Ｉ／Ｆ４０、及び外部Ｉ／Ｆ１４４がＩ／Ｏ４２に接続されている。Ｉ／Ｏ４２は、バスライン４８に接続されており、ＣＰＵ３０Ａは、Ｉ／Ｏ４２を介して記憶装置３２、ＵＩ系デバイス３４、ＤＭＤドライバ１３６、光源ドライバ１３８、外部Ｉ／Ｆ４０、及び外部Ｉ／Ｆ１４４と各種情報の授受を行う。

ＤＭＤドライバ１３６は、ＡＳＩＣを有するデバイスであり、ＤＭＤ１２４に接続されている。ＤＭＤドライバ１３６は、ＣＰＵ３０Ａからの指示に従って、ＤＭＤ１２４の各マイクロミラー１２４Ａ（詳しくは後述する）を駆動する。

光源ドライバ１３８は、ＣＰＵ３０Ａからの指示に従って、光源１２０を駆動させることで光源１２０からＵＶ光を出射させたり、ＵＶ光の出射を停止させたり、ＵＶ光の強度を変更したりする。具体的には、光源ドライバ１３８は、ＣＰＵ３０Ａからの指示に従って、光源１２０に対してＵＶ光を出射させるタイミング、ＵＶ光の出射を停止させるタイミング、及びＵＶ光の強度の変更等を制御する。

紫外線硬化樹脂１６２Ａに対するＵＶ光の照射は、ＣＰＵ３０Ａからの指示に従って光源ドライバ１３８によって光源１２０が制御され、かつ、ＣＰＵ３０Ａからの指示に従ってＤＭＤ１２４の各マイクロミラー１２４Ａの向きが変更されることで実現される。

外部Ｉ／Ｆ１４４は、ＦＰＧＡを有する通信デバイスである。外部Ｉ／Ｆ１４４には、光検出装置１２８が接続される。外部Ｉ／Ｆ１４４は、ＣＰＵ３０Ａと光検出装置１２８との間の各種情報の授受を司る。

一例として図１７に示すように、記憶装置３２には、照射エネルギー変更テーブル１３２Ａが記憶されている。照射エネルギー変更テーブル１３２Ａは、外部Ｉ／Ｆ４０によって受け付けられ、外部Ｉ／Ｆ４０によって受け付けられた照射エネルギー変更テーブル１３２ＡがＣＰＵ３０Ａによって記憶装置３２に記憶される。

ＲＯＭ３０Ｂには、ＵＶ光照射プログラム１３０Ｂ１が記憶されている。ＣＰＵ３０Ａは、ＲＯＭ３０ＢからＵＶ光照射プログラム１３０Ｂ１を読み出し、読み出したＵＶ光照射プログラム１３０Ｂ１をＲＡＭ３０Ｃに展開する。ＣＰＵ３０Ａは、ＲＡＭ３０Ｃに展開したＵＶ光照射プログラム１３０Ｂ１を実行することで、制御部３０Ａ１及び同期信号供給部３０Ａ２として動作する。また、ＲＯＭ３０Ｂには、補正制御プログラム１３０Ｂ２が記憶されている。ＣＰＵ３０Ａは、ＲＯＭ３０Ｂから補正制御プログラム１３０Ｂ２を読み出し、読み出した補正制御プログラム１３０Ｂ２をＲＡＭ３０Ｃに展開する。ＣＰＵ３０Ａは、ＲＡＭ３０Ｃに展開した補正制御プログラム１３０Ｂ２を実行することで、制御部３０Ａ１として動作する。なお、以下では、説明の便宜上、「ＵＶ光照射プログラム１３０Ｂ１」と「補正制御プログラム１３０Ｂ２」とを区別して説明する必要がない場合、符号を付さずに単に「プログラム」と称する。

同期信号供給部１３０Ａ２は、基準クロック（図示省略）に基づいて同期信号を生成し、生成した同期信号を制御部３０Ａ１に供給する。これにより、制御部３０Ａ１は、同期信号供給部１３０Ａ２から同期信号が供給されることで、供給された同期信号に従ってＤＭＤドライバ１３６の動作と光源ドライバ１３８の動作とを同期させる。

制御部３０Ａ１は、ＤＭＤドライバ１３６に対してＤＭＤ制御信号を供給することでＤＭＤドライバ１３６を制御し、光源ドライバ１３８に対してパルス信号を供給することで光源ドライバ１３８を制御する。ＤＭＤドライバ１３６に対するＤＭＤ制御信号の供給、及び光源ドライバ１３８に対するパルス信号の供給は同期している。ＤＭＤドライバ１３６に対するＤＭＤ制御信号の供給と及び光源ドライバ１３８に対するパルス信号の供給との同期は、制御部３０Ａ１に同期信号が供給されることによって実現される。

光源ドライバ１３８は、制御部３０Ａ１から供給された信号に従って、光源１２０を制御することで、光源１２０に対してＵＶ光の出力をオンオフさせる。

ＤＭＤ制御信号は、ＤＭＤ１２４のマイクロミラー１２４Ａの向きを変更するパルス信号であり、ＤＭＤドライバ１３６は、制御部３０Ａ１から供給されたＤＭＤ制御信号に従ってＤＭＤ１２４のマイクロミラー１２４Ａの向きを変更する。光源２０から出射されたＵＶ光は、照明光学系１２２によってＤＭＤ１２４に導かれるとマイクロミラー１２４Ａで反射され、ＤＭＤ制御信号に従ってマイクロミラー１２４Ａの向きが変更されることで紫外線硬化樹脂１６２Ａ及び光検出装置１２８に対して選択的にＵＶ光が照射される。すなわち、マイクロミラー１２４Ａは、紫外線硬化樹脂１６２Ａを硬化させる場合に紫外線硬化樹脂１６２Ａに向けてＵＶ光を反射し、光検出装置１２８がＵＶ光の光量を検出する場合に光検出装置１２８に対してＵＶ光を反射する。

光検出装置１２８は、複数のマイクロミラー１２４ＡがＤＭＤ制御信号に従って予め設定された順番で一個ずつ第２傾斜状態とされることによってマイクロミラー１２４Ａで反射されたＵＶ光の光量をマイクロミラー１２４Ａ毎に検出する。

マイクロミラー１２４Ａ毎に光検出装置１２８によって検出された光を示すデータ（以下、「検出データ」とも称する）は区分領域に関連付けて記憶装置３２に記憶される。検出データは、一例として図１６に示す外部Ｉ／Ｆ１４４を介して制御部３０Ａ１に出力される。

制御部３０Ａ１は、光源１２０及び／又はＤＭＤ１２４等の経時変化（以下、単に「経時変化」とも称する）に応じて、照射エネルギーを変更する。照射エネルギーの変更は、例えば、光源１２０からのＵＶ光の出力レベルが変更されることによって実現される。ＵＶ光の出力レベルの変更は、例えば、光源１２０に対してバイアス電圧が印加される場合、バイアス電圧が変更されることによって実現される。なお、本開示の技術はこれに限定されず、照射エネルギーの変更は、ＵＶ光をＤＭＤ１２４で紫外線硬化樹脂１６２Ａに向けて反射させる時間の変更、すなわち、オン時間の変更によっても実現可能である。

経時変化は、光検出装置１２８から出力された検出データから特定可能である。そのため、制御部３０Ａ１は、光検出装置１２８の検出結果、すなわち、検出データに応じて補正制御を行う。このように、光照射装置１１０では、ＤＭＤ１２４の動作に対して、経時変化に応じたキャリブレーションが行われる。

ＤＭＤ制御信号の周期、すなわち、ＤＭＤ制御信号の１パルス毎の長さは、第１の実施形態と同様に、後述の区分領域の各々に対する紫外線硬化樹脂１６２Ａから発生するラジカルの寿命未満である。また、ＤＭＤドライバ１３６の制御下で、ＤＭＤ１２４の各マイクロミラー１２４Ａが複数回オンオフすることによって、一例として図１８に示す紫外線硬化樹脂１６２Ａの全領域に対してＵＶ光の照射が複数回繰り返される。ＵＶ光の照射エネルギーの変更は、後述の区分領域毎に、ＤＭＤ制御信号が制御部３０Ａ１によってパルス幅変調されることで実現される。

具体的には、一例として図１９Ａ～図１９Ｃに示すように、後述の区分領域毎にＤＭＤ制御信号のデューティ比が制御部３０Ａ１によって変更されることで、各区分領域に対するＵＶ光の照射エネルギーが３段階以上の多段階で変更され、これにより、紫外線硬化樹脂１６２Ａに向かうＵＶ光の照射エネルギーは３段階以上の多段階で分布される。なお、図１９Ａ～図１９Ｃに示す例では、ＤＭＤ制御信号の１パルス毎の長さ、すなわち、ＤＭＤ制御信号の周期は固定されている。

本第２の実施形態では、ＤＭＤ制御信号の周期が固定されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、ＤＭＤ１２４に含まれる全てのマイクロミラー１２４Ａについて、ＤＭＤ制御信号の周期が可変であってもよい。また、ＤＭＤ１２４に含まれる全てのマイクロミラー１２４Ａのうちの一部のマイクロミラー１２４Ａについて、ＤＭＤ制御信号の周期が可変であってもよい。ＤＭＤ１２４に含まれる全てのマイクロミラー１２４Ａのうち、選択された少なくとも１枚のマイクロミラー１２４Ａについて、ＤＭＤ制御信号の周期が可変であってもよい。

一例として図１８に示すように、光照射装置１１０では、第１の実施形態（図４参照）と同様に、レンズ１６の片面１６Ａに対する平面視において、紫外線硬化樹脂１６２Ａの全領域に対して矩形状平面５０が制御部３０Ａ１によって設定されている。

矩形状平面５０には、ＤＭＤ１２４の各マイクロミラー１２４Ａで反射されたＵＶ光が投影光学系１２６を介して面状に照射される。なお、１つ分の区分領域は、矩形状のマイクロミラー１２４Ａで反射されたＵＶ光が照射される矩形状の領域である。

本第２の実施形態に係る紫外線硬化樹脂１６２Ａも、第１の実施形態と同様に、平面視において、矩形状平面５０の各区分領域によって区分けされており、矩形状平面５０の各区分領域によって区分けされることで得られた複数の区分領域の各位置は、矩形状平面５０の各区画領域と同様に、行番号及び列番号で特定される。

一例として光照射装置１１０は、図２０に示すような照射エネルギー変更テーブル１３２Ａを備えている。照射エネルギー変更テーブル１３２Ａは、マイクロミラー１２４Ａ毎に、位置特定情報と上述したパルス幅変調で用いられるデューティ比とが対応付けられたテーブルである。ＤＭＤ１２４によって紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射されるＵＶ光の照射エネルギーの分布は、紫外線硬化樹脂１６２Ａの全領域に対してＵＶ光が照射された場合に紫外線硬化樹脂１６２Ａの全領域が均一の速度で硬化されるように、以下に説明する影響を考慮して、実機による試験及び／又はコンピュータシミュレーション等によって予め導出されている。

一例として図２１の上段の模式図で示すように、紫外線硬化樹脂１６２Ａにおける照度分布は、（１）～（４）に示す分布の重ね合わせによって決定される。（１）～（４）に示す分布の重ね合わせとは、例えば、（１）～（４）に示す分布の掛け合わせを指す。（１）に示す分布とは、照明光学系１２２のＵＶ光で照射されたＤＭＤ１２４における照度分布を指す。（２）に示す分布とは、ＤＭＤ１２４の階調分布（以下、「ＤＭＤ階調分布」とも称する）を指す。ここで、階調分布とは、例えば、ＤＭＤ１２４の反射率分布を指す。（３）に示す分布とは、投影光学系１２６によりレンズ１６に照射されるＵＶ光の照度分布を指す。（４）に示す分布とは、接合レンズ１６０に含まれるレンズ１６及び負レンズ１６２におけるＵＶ光の屈折、反射、散乱、及び／又は吸収等の影響による照度分布を指す。

ここで、図２１の上段の（１）に示すグラフ（以下、「上段（１）グラフ」とも称する）及び図２１の下段の（１）に示すグラグ（以下、「下段（１）グラフ」とも称する）において、横軸はＤＭＤ１２４の中心からの距離を表しており、縦軸はＤＭＤ１２４の照度（ｍＷ／ｃｍ^２）を表している。また、図２１の上段の（２）に示すグラフ（以下、「上段（２）グラフ」とも称する）及び図２１の下段の（２）に示すグラフ（以下、「下段（２）グラフ」とも称する）において、横軸はＤＭＤ１２４の中心からの距離を表しており、縦軸はＤＭＤ１２４の反射率（％）を表している。また、図２１の上段の（３）に示すグラフ（以下、「上段（３）グラフ」とも称する）及び図２１の下段の（３）に示すグラフ（以下、「下段（３）グラフ」とも称する）において、横軸は投影光学系１２６の中心からの距離を表しており、縦軸は投影光学系１２６の伝達関数（％）を表している。なお、ここでいう「伝達関数」とは、投影光学系１２６を通過したＵＶ光に対して作用する光の成分（例えば、強度（パワー）及び／又は輝度等のこと）の度合いを表している。

また、図２１の上段の（４）に示すグラフ（以下、「上段（４）グラフ」とも称する）及び図２１の下段の（４）に示すグラフ（以下、「下段（４）グラフ」とも称する）において、横軸はレンズ１６の中心からの距離を表しており、縦軸はレンズ１６及び負レンズ１６２の伝達関数（％）を表している。更に、図２１の上段の（５）に示すグラフ（以下、「上段（５）グラフ」とも称する）及び図２１の下段の（５）に示すグラフ（以下、「下段（５）グラフ」とも称する）において、横軸は紫外線硬化樹脂１６２Ａの中心からの距離を表しており、縦軸は紫外線硬化樹脂１６２Ａに対する照度（ｍＷ／ｃｍ^２）を表している。なお、上段（５）グラフ及び下段（５）グラフにより示される照度分布は、紫外線硬化樹脂１６２Ａに対するＵＶ光の照射エネルギーの分布に相当する。

なお、下段（５）グラフにより示される照度分布は、本開示の技術に係る「光硬化樹脂の特性に応じた照射エネルギーの分布」の一例である。また、上段（３）グラフ及び下段（３）グラフにより示される伝達関数は、本開示の技術に係る「投影光学系の特性に応じた照射エネルギーの分布」の一例である。また、上段（４）グラフ及び下段（４）グラフにより示される伝達関数は、「前記光学素子の光学的特性に応じた前記照射エネルギーの分布」の一例である。

光照射装置１１０では、光源１２０から出射されてＤＭＤ１２４に照射されるＵＶ光の照度分布には、ＤＭＤ１２４内で照度のムラがある。このムラは、一例として、光源１２０から出射されるＵＶ光のビームプロファイル、及び／又は投影光学系１２６の特性等に起因して生じる。なお、ＤＭＤ１２４に入射するＵＶ光の照度分布は、光検出装置（図２１では図示せず）により検出可能である。ＤＭＤ１２４内で照度のムラは、一例として上段（１）グラフに示すように、ＤＭＤ１２４の中心からＤＭＤ１２４の周辺に向けてＵＶ光の照度が低下するムラである。

ＤＭＤ１２４において、各マイクロミラー１２４Ａの鏡面１２４Ａ１に劣化が生じていない新品時においては、例えば、各マイクロミラー１２４Ａの反射率（例えば、鏡面１２４Ａ１の反射率）は同等であり、一例として上段（２）グラフに示す例では、反射率の分布にムラはない。

一例として上段（３）グラフに示すように、投影光学系１２６には、伝達関数にムラがある。投影光学系１２６の伝達関数は、ＤＭＤ１２４の反射率分布を均一に設定したときの投影光学系１２６から出射されるＵＶ光の投影箇所における照度分布が測定され、測定された照度分布が照明光学系１２２の照度分布で除されることで得られる。

また、上段（４）グラフには、レンズ１６及び負レンズ１６２による影響（例えば、屈折、反射、散乱、及び／又は吸収等）が示されており、伝達関数（％）にムラがある。なお、レンズ１６及び負レンズ１６２による影響は、実機による試験及び／又はコンピュータによる光線追跡シミュレーションにより求められる。

ＤＭＤ１２４に含まれる全てのマイクロミラー１２４Ａに対するパルス幅変調で用いられるＤＭＤ制御信号のパルス幅を同一にする場合、紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射されるＵＶ光は、上段（１）グラフ～上段（４）グラフに示す各特性を重ね合わせた影響を受け、一例として上段（５）グラフに示されるように、紫外線硬化樹脂１６２Ａにおいては、照度分布にムラが生じるため、厚みが一定とされた紫外線硬化樹脂１６２Ａ全体を均一の速度で硬化させることができなくなる。言い換えれば、光量の多い領域は、光量の少ない領域に比較して硬化速度が速くなる。

このため、光照射装置１１０では、制御部３０Ａ１が、均一な厚さとされた紫外線硬化樹脂１６２Ａに対するＵＶ光の照射エネルギーの分布を均一にするように、ＤＭＤ１２４の各マイクロミラー１２４Ａのパルス幅変調で用いられるデューティ比を区分領域毎に設定する。

区分領域毎に設定されるデューティ比は、一例として下段（２）グラフに示すＤＭＤ１２４の階調分布に従って制御部３０Ａ１によって決定される。一例として下段（２）グラフに示すＤＭＤ１２４の階調分布は、制御部３０Ａ１によって設定される。一例として下段（２）グラフに示すＤＭＤ１２４の階調分布は、一例として上段（５）グラフにより示される照度分布の逆数が示す分布の傾向と同一の分布の傾向を有する階調分布である。

これにより、一例として図２１の下段で示すように、下段（１）グラフにより示される照度分布と、下段（２）グラフにより示されるＤＭＤ階調分布と、下段（３）グラフにより示される照度分布と、下段（４）グラフにより示される照度分布の重ね合わせが行われることで、下段（５）グラフで示すように、紫外線硬化樹脂１６２Ａにおける照度分布を均一にすることができる。よって、紫外線硬化樹脂１６２Ａを均一の速度で硬化させることができ、紫外線硬化樹脂１６２Ａの硬化速度に起因して紫外線硬化樹脂１６２Ａで生じる歪みを低減することができる。

光照射装置１１０は、制御部３０Ａ１の制御下で、区分領域毎に紫外線硬化樹脂１６２Ａに対してＵＶ光を重ねて照射することで紫外線硬化樹脂１６２Ａからラジカルを発生させる。そして、紫外線硬化樹脂１６２Ａは、発生したラジカルの重合反応により硬化する。

ところで、マイクロミラー１２４Ａに対して行われるパルス幅変調によって実現されるＤＭＤ１２４の階調表現は、細かいほど照度分布を均一にすることができるが、階調数が増えると、ＤＭＤ制御信号の周期を規定するフレームレートが低くなる。フレームレートが低くなるほど、ＤＭＤ制御信号の周期は長くなる。紫外線硬化樹脂１６２Ａのラジカル寿命よりも、ＤＭＤ制御信号の周期、すなわち、ＵＶ光の照射時間が長くなると、紫外線硬化樹脂１６２Ａの硬化速度が不均一となる。硬化速度が不均一になると、紫外線硬化樹脂１６２Ａ全体が完全に硬化する前に紫外線硬化樹脂１６２Ａの硬さにムラが生じ、その結果、紫外線硬化樹脂１６２Ａに歪みが生じる。

そこで、上記第１実施形態と同様の理由で、制御部３０Ａ１は、ＤＭＤ制御信号の１フレーム長さ（例えば、図１９Ａ～図１９Ｃに示す１フレーム長さＡ）を紫外線硬化樹脂１６２Ａのラジカル寿命未満、すなわち、紫外線硬化樹脂１６２Ａに対するＵＶ光の照射の１回当たりの照射時間はラジカル寿命未満に設定している。なお、ここで、ラジカル寿命未満とは、ラジカルの寿命に達する前、ラジカルの重合反応が停止する前、又は、ラジカルの成長中を意味する。

次に、光照射装置１１０の作用について図２２を参照しながら説明する。図２２には、ＵＶ光照射処理の実行を開始する指示が受付デバイス３４Ｂによって受け付けられた場合にＵＶ光照射プログラム１３０Ｂ１に従ってＣＰＵ３０Ａによって実行されるＵＶ光照射処理の流れの一例が示されている。

図２２に示すＵＶ光照射処理では、先ず、ステップＳＴ１００で、制御部３０Ａ１が、記憶装置３２から照射エネルギー変更テーブル１３２Ａを読み出し、その後、ＵＶ光照射処理はステップＳＴ１０１へ移行する。

本ステップＳＴ１０１で、制御部３０Ａ１は、各マイクロミラー１２４Ａに対するパルス幅変調を伴うＵＶ光の照射を開始する。本ステップＳＴ１０１において、制御部３０Ａ１は、光源１２０からＵＶ光を出射させ、光源１２０から出射されたＵＶ光を投影光学系１２６へ向けて反射させるようにＤＭＤ１２４の各マイクロミラー１２４Ａを駆動させる。ここで、制御部３０Ａ１は、ステップＳＴ１００で取得した照射エネルギー変更テーブル１３２Ａに従って、各マイクロミラー１２４Ａに対してパルス幅変調を行う。すなわち、制御部３０Ａ１は、照射エネルギー変更テーブル１３２Ａから区分領域毎に特定されるデューティ比のＤＭＤ制御信号をＤＭＤドライバ１３６に供給することで、各マイクロミラー１２４Ａ毎のオン時間とオフ時間との比率を変更する。これにより、３階調以上の多階調のＵＶ光が投影光学系１２６を介して紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射される。

次のステップＳＴ１０２で、制御部３０Ａ１は、紫外線硬化樹脂１６２Ａに対するＵＶ光の照射回数が既定回数に達したか否かを判定する。ステップＳＴ１０２において、ＵＶ光の照射回数が既定回数に達していない場合は、判定が否定されて、ＵＶ光照射処理はステップＳＴ１０１へ移行する。ステップＳＴ１０２において、ＵＶ光の照射回数が既定回数に達した場合は、判定が肯定されて、ＵＶ光照射処理はステップＳＴ１０３へ移行する。

ステップＳＴ１０３で、制御部３０Ａ１は、光照射装置１１０によるＵＶ光の照射を停止し、その後、ＵＶ光照射処理が終了する。

ところで、光照射装置１１０では、経時変化が起こり得る。ここで、経時変化の一例としては、光源１２０の経時的な劣化、及びＤＭＤ１２４の経時的な劣化が挙げられる。光源１２０の経時的な劣化は、光源１２０から出射されるＵＶ光の光量の低下を齎し、ＤＭＤ１２４の経時的な劣化は、マイクロミラー１２４Ａの反射率の低下を齎す。マイクロミラー１２４Ａの反射率の低下量は、マイクロミラー１２４Ａ毎に異なる場合がある。光源１２０から出射されるＵＶ光の光量の低下、及びマイクロミラー１２４Ａの反射率の低下のうちの少なくとも一方が生じると、紫外線硬化樹脂１６２Ａが受けるＵＶ光の光量が減少するので、紫外線硬化樹脂１６２Ａの硬化に影響を及ぼす。

そのため、光照射装置１１０では、例えば、光源１２０を使用開始してから累積した照射時間である累積照射時間、及び／又は光照射装置１１０の使用時間等に応じて、光源１２０の経時的な劣化、又は、ＤＭＤ１２４の経時的な劣化に起因する経時劣化分の光量を補うよう補正制御が行われる。言い換えれば、投影光学系１２６に入射するＵＶ光の光量が、光源１２０及びＤＭＤ１２４が経時劣化する前と同一の光量となるように補正制御が行われる。ここでは、経時劣化する前と同一の光量が例示されているが、本開示の技術における補正制御はこれに限らず、同一の光量と見なせる既定範囲内の光量とする制御であってもよい。既定範囲とは、例えば、実機による試験及び／又はコンピュータシミュレーション等によって経時劣化分の光量を補う光量の範囲として予め導き出された範囲を指す。

光照射装置１０では、ＣＰＵ３０Ａによって、補正制御が行われる。図２３には、補正制御の流れの一例が示されている。なお、補正制御は、補正制御プログラム１３０Ｂ２に従ってＣＰＵ３０Ａによって行われる。

図２３に示すステップＳＴ２００で、制御部３０Ａ１は、ＵＶ光の累積照射時間が既定時間（例えば、数十時間）に到達したか否かを判定する。累積照射時間が既定時間に到達していない場合は、判定が否定されて、ステップＳＴ２００の判定が再び行われる。ステップＳＴ２００において、累積照射時間が既定時間に到達した場合は、判定が肯定されて、補正制御はステップＳＴ２０１へ移行する。

なお、本ステップＳＴ２００では、「累積照射時間」を挙げているが、これはあくまでも一例に過ぎず、ユーザが好みのタイミングでステップＳＴ２０１以降の処理が行われるようにしてもよい。

ステップＳＴ２０１で、制御部３０Ａ１は、光源１２０からＵＶ光を出射し、複数のマイクロミラー１２４Ａを予め設定された順番で一個ずつオフとし、マイクロミラー１２４Ａで反射されたＵＶ光の光量をマイクロミラー１２４Ａ毎に光検出装置１２８に対して検出させ、マイクロミラー１２４Ａ毎の検出データを記憶装置３２に対して記憶させる。

次のステップＳＴ２０２で、制御部３０Ａ１は、検出データにより示される光量と記憶装置３２に予め記憶されている基準の光量とが異なっているか否かを判定する。ステップＳＴ２０２において、検出データにより示される光量と記憶装置３２に予め記憶されている基準の光量とが異なっている場合は、判定が肯定されて、補正制御はステップＳＴ２０４へ移行する。ステップＳＴ２０２において、検出データにより示される光量と記憶装置３２に予め記憶されている基準の光量とが一致している場合は、判定が否定されて、補正制御はステップＳＴ２０３へ移行する。

ステップＳＴ２０３で、制御部３０Ａ１は、記憶装置３２に予め記憶されている基準の光量と検出データにより示される光量との相違度（例えば、差分及び／又は比率等）を演算し、演算して得た相違度を記憶装置３２に対して記憶させる。そして、制御部３０Ａ１は、記憶装置３２に記憶されている相違度に従って、ＵＶ光の光量が基準の光量となるようにマイクロミラー１２４Ａのオン時間とオフ時間との比率を変更し、その後、補正制御はステップＳＴ２０４へ移行する。なお、全てのマイクロミラー１２４Ａの反射率が低下するような場合には、光源１２０の光量を上げる補正制御をおこなってもよい。また、マイクロミラー１２４Ａのオン時間が１００％となっても基準の光量に届かない場合は、光源１２０の光量を上げる補正制御を行う。さらに、一例として、１０画素（１０個のマイクロミラー１２４Ａ）等の複数の画素を一まとめとして同様の検出から補正制御までを行ってもよい。これにより、画素を１個ずつ補正制御する場合に比較して、補正制御を速く行うことが可能となる。

ステップＳＴ２０４で、制御部３０Ａ１は、補正制御を終了する条件（以下、「補正制御終了条件」と称する）を満足したか否かを判定する。ここで、補正制御終了条件の一例としては、ＵＶ光照射処理が終了した、との条件が挙げられる。また、補正制御終了条件の他の例としては、受付デバイス３４ＢによってＵＶ光照射処理又は補正制御を終了する指示が受け付けられた、との条件が挙げられる。

ステップＳＴ２０４において、補正制御終了条件を満足していない場合は、判定が否定されて、補正制御はステップＳＴ２００へ移行する。ステップＳＴ２０４において、補正制御終了条件を満足した場合は、判定が肯定されて、補正制御が終了する。

以上説明したように、光照射装置１１０では、照射部１１８により、光源１２０から出射されたＵＶ光がＤＭＤ１２４を介して紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射される。そして、制御部３０Ａ１によって、ＤＭＤ１２４が制御されることで、紫外線硬化樹脂１６２Ａに向かうＵＶ光の照射エネルギーが３段階以上の多段階で分布する。従って、本構成によれば、紫外線硬化樹脂１６２Ａの硬化特性が考慮されずに紫外線硬化樹脂１６２ＡにＵＶ光が照射される場合に比べ、紫外線硬化樹脂１６２Ａの硬化速度に起因して紫外線硬化樹脂１６２Ａで生じる歪みを低減することができる。なお、ここでは、ＭＥＭＳの一例としてＤＭＤ１２４を挙げているが、これに限らず、ＭＥＭＳとして、ＤＭＤ１２４に相当する機能を有するデバイスであってもよく、この場合も、同様の効果が得られる。

また、光照射装置１１０では、制御部３０Ａ１によって、紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射されるＵＶ光の照射エネルギーが上段（５）グラフにより示される照度分布に応じた照射エネルギーの分布となるようにＵＶ光の照射エネルギーを３段階以上の多段階で分布させる制御が行われる。従って、本構成によれば、紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射されるＵＶ光の照射エネルギーが上段（１）グラフ、上段（２）グラフ、上段（３）グラフ、又は上段（４）グラフのみに応じた照射エネルギーの分布である場合に比べ、紫外線硬化樹脂１６２Ａの硬化速度に起因して紫外線硬化樹脂１６２Ａで生じる歪みを低減することができる。

また、光照射装置１１０では、制御部３０Ａ１によって、紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射されるＵＶ光の照射エネルギーが上段（３）グラフにより示される伝達関数に応じた照射エネルギーの分布となるようにＵＶ光の照射エネルギーを３段階以上の多段階で分布させる制御が行われる。従って、本構成によれば、紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射されるＵＶ光の照射エネルギーが投影光学系１２６の伝達関数が考慮されない照射エネルギーである場合に比べ、紫外線硬化樹脂１６２Ａの硬化速度に起因して紫外線硬化樹脂１６２Ａで生じる歪みを低減することができる。

また、光照射装置１１０では、制御部３０Ａ１によって、紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射されるＵＶ光の照射エネルギーが上段（４）グラフにより示される伝達関数に応じた照射エネルギーの分布となるようにＵＶ光の照射エネルギーを３段階以上の多段階で分布させる制御が行われる。従って、本構成によれば、紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射されるＵＶ光の照射エネルギーがレンズ１６及び負レンズ１６２の伝達関数が考慮されない照射エネルギーである場合に比べ、紫外線硬化樹脂１６２Ａの硬化速度に起因して紫外線硬化樹脂１６２Ａで生じる歪みを低減することができる。

また、光照射装置１１０では、紫外線硬化樹脂１６２Ａが均一の厚みであり、制御部３０Ａ１によって、紫外線硬化樹脂１６２Ａに対して照射されるＵＶ光の照射エネルギーの分布を均一にするようにパルス幅変調が行われる。従って、本構成によれば、均一な厚さとされた紫外線硬化樹脂１６２Ａに対して照射されるＵＶ光の照射エネルギーの分布が不均一である場合に比べ、均一な厚さとされた紫外線硬化樹脂１６２Ａを均一の速度で硬化させることができる。

また、光照射装置１１０では、複数のマイクロミラー１２４Ａが平面状に配置されている。従って、本構成によれば、マイクロミラー１２４Ａが平面状に配置されていない場合に比べ、紫外線硬化樹脂１６２Ａの硬化速度に起因して紫外線硬化樹脂１６２Ａで生じる歪みを低減することができる。

また、光照射装置１１０では、制御部３０Ａ１によって補正制御が行われることによって、経時変化に応じてマイクロミラー１２４Ａのオン時間とオフ時間との比率が変更され、経時変化に応じて照射エネルギーが変更される。従って、本構成によれば、経時変化に応じて照射エネルギーが変更されない場合に比べ、経時変化に伴って紫外線硬化樹脂１６２Ａが硬化されないという事態の発生を抑制することができる。

また、光照射装置１１０では、ＤＭＤ１２４で反射されたＵＶ光の光量が光検出装置１２８によって検出され、制御部３０Ａ１によって、光検出装置１２８の検出結果に応じて補正制御が行われる。従って、本構成によれば、光検出装置１２８の検出結果に関わらずＵＶ光の照射エネルギーが変更される場合に比べ、紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射されるＵＶ光の光量のうちの経時変化に伴って不足する光量を高精度に補うことができる。

また、光照射装置１１０では、鏡面１２４Ａ１が第２傾斜状態の場合に、光源１２０からのＵＶ光が鏡面１２４Ａ１で光検出装置１２８側に反射される。従って、本構成によれば、光照射装置１１０から光源１２０及びＤＭＤ１２４を取り外して光源１２０及びＤＭＤ１２４の経時変化を検査せずに、紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射されるＵＶ光の光量のうちの経時変化に伴って不足する光量を特定することができる。

また、光照射装置１１０では、フォトディテクタ１４２によってＵＶ光の光量が検出される。従って、本構成によれば、フォトディテクタ１４２によって検出された光量に従って、紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射されるＵＶ光の光量のうちの経時変化に伴って不足する光量を特定することができる。

また、光照射装置１１０では、紫外線硬化樹脂１６２Ａに対するＵＶ光の１回当たりの照射時間はラジカル寿命未満に設定されている。従って、本構成によれば、紫外線硬化樹脂１６２Ａに対するＵＶ光の１回当たりの照射時間がラジカル寿命以上の場合に比べ、前回のＵＶ光の照射によって紫外線硬化樹脂１６２Ａから発生したラジカルが今回のＵＶ光の照射によって紫外線硬化樹脂１６２Ａから発生したラジカルの影響を受け難くすることができる。この結果、紫外線硬化樹脂１６２Ａに対するＵＶ光の１回当たりの照射時間がラジカル寿命以上の場合に比べ、紫外線硬化樹脂１６２Ａの区分領域間の硬化の度合いの連続性が上がる。つまり、紫外線硬化樹脂１６２Ａに対するＵＶ光の１回当たりの照射時間がラジカル寿命以上の場合に比べ、紫外線硬化樹脂１２の効果速度に起因して紫外線硬化樹脂１２で生じる歪みを低減することができる。

また、光照射装置１１０では、区分領域毎に、光源１２０からＵＶ光がＤＭＤ１２４を介して紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射されることで紫外線硬化樹脂１６２Ａからラジカルを発生させ、ラジカルの重合反応が停止する前に、紫外線硬化樹脂１６２Ａに対してＵＶ光が重ねて照射される。ここで、ラジカルの重合反応が停止する前とは、換言すると、ラジカルの成長中、又は、ラジカルの寿命に達する前を意味する。従って、本構成によれば、ラジカルの重合反応が停止した後に紫外線硬化樹脂１６２Ａに対してＵＶ光が照射される場合に比べ、紫外線硬化樹脂１６２Ａの区分領域間の硬化の度合いの連続性を上げることができる。この結果、ラジカルの重合反応が停止した後に紫外線硬化樹脂１６２Ａに対してＵＶ光が照射される場合に比べ、紫外線硬化樹脂１６２Ａの硬化速度に起因して紫外線硬化樹脂１６２Ａで生じる歪みを低減することができる。

また、光照射装置１１０では、照射部１１８によって、紫外線硬化樹脂１６２Ａの全領域に対してＵＶ光を面状に照射される。従って、本構成によれば、ライン走査方式で紫外線硬化樹脂１６２Ａの全領域に対してＵＶ光が照射される場合に比べ、紫外線硬化樹脂１６２Ａの全領域に対するＵＶ光の照射に要する時間を短くすることができる。

なお、上記第２の実施形態では、紫外線硬化樹脂１６２Ａに対して照射されるＵＶ光の照射エネルギーの分布を示す分布情報の一例として照射エネルギー変更テーブル１３２Ａが記憶装置３２に記憶されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術にはこれに限定されない。例えば、照射エネルギー変更テーブル１３２Ａは、外部Ｉ／Ｆ４０によって受け付けられるようにしてもよい。すなわち、ＵＳＢメモリ、パーソナル・コンピュータ、及び／又はサーバ等の外部装置から外部Ｉ／Ｆ４０を介して照射エネルギー変更テーブル１３２Ａが光照射装置１１０に提供されるようにしてもよい。なお、外部Ｉ／Ｆ４０は、本開示の技術に係る「受付部」の一例である。

外部Ｉ／Ｆ４０によって受け付けられた照射エネルギー変更テーブル１３２Ａは、記憶装置３２に上書き保存される。そして、制御部３０Ａ１は、上記第２実施形態で説明したように、記憶装置３２に記憶されている照射エネルギー変更テーブル１３２Ａに従って、区分領域毎にＵＶ光の照射エネルギーを変更する。従って、本構成によれば、照射エネルギー変更テーブル１３２Ａが不変の場合に比べ、紫外線硬化樹脂１６２Ａ毎に適した照射エネルギーの分布でＵＶ光を紫外線硬化樹脂１６２Ａに対して照射することができる。

また、上記第２の実施形態では、光照射装置１１０では、接合レンズ１６０に含まれるレンズ１６及び負レンズ１６２の光学的特性に応じた照射エネルギー（上段（４）グラフにより示される伝達関数に応じた照射エネルギー）の分布となるようにＵＶ光の照射エネルギーを３段階以上の多段階で分布させる制御を例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、レンズ１６及び負レンズ１６２の光学的特性及び治具１６３の光学的特性に応じた照射エネルギーの分布となるようにＵＶ光の照射エネルギーを３段階以上の多段階で分布させる制御が制御部３０Ａ１によって行われるようにしてもよい。従って、本構成によれば、レンズ１６及び負レンズ１６２の光学的特性及び治具１６３の光学的特性が考慮されない照射エネルギーが適用される場合に比べ、紫外線硬化樹脂１６２Ａの硬化速度に起因して紫外線硬化樹脂１６２Ａで生じる歪みを低減することができる。

なお、上記第２の実施形態では、接合レンズ１６０を例示しているので、接合レンズ１６０に含まれるレンズ１６及び負レンズ１６２の光学的特性に応じた照射エネルギーの分布が採用されているが、接合レンズ１６０ではなく、単一のレンズである場合は、単一のレンズの光学的特性に応じた照射エネルギーの分布が採用されるようにすればよい。

また、上記第２の実施形態では、ＲＯＭ３０Ｂにプログラムが記憶されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、図２４に示すように、プログラムを記憶媒体６００に記憶させておいてもよい。この場合、記憶媒体６００に記憶されているプログラムは、コンピュータ３０にインストールされ、ＣＰＵ３０Ａは、プログラムに従って、上述したＵＶ光照射処理及び補正制御を実行する。なお、記憶媒体６００の一例としては、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭ、ＳＳＤ又はＵＳＢメモリなどの任意の可搬型の記憶媒体が挙げられる。

また、通信網（図示省略）を介してコンピュータ３０に接続される他のコンピュータ又はサーバ装置等の記憶部にプログラムを記憶させておき、上述の光照射装置１１０の要求に応じてプログラムがコンピュータ３０にダウンロードされるようにしてもよい。この場合、ダウンロードされたプログラムはコンピュータ３０にインストールされ、コンピュータ３０のＣＰＵ３０Ａによって実行される。

また、上記第２の実施形態で示す例では、ＣＰＵ３０Ａは、単数のＣＰＵであるが、本開示の技術はこれに限定されず、複数のＣＰＵを採用してもよい。

上記のＵＶ光照射処理及び／又は補正制御を実行するハードウェア資源としては、次に示す各種のプロセッサを用いることができる。プロセッサとしては、例えば、上述したように、ソフトウェア、すなわち、プログラムを実行することで、ＵＶ光照射処理及び／又は補正制御を実行するハードウェア資源として機能する汎用的なプロセッサであるＣＰＵが挙げられる。また、プロセッサとしては、例えば、ＦＰＧＡ、ＰＬＤ、又はＡＳＩＣなどの特定の処理を実行させるために専用に設計された回路構成を有するプロセッサである専用電気回路が挙げられる。何れのプロセッサにもメモリが内蔵又は接続されており、何れのプロセッサもメモリを使用することでレーザ照射処理を実行する。

ＵＶ光照射処理及び／又は補正制御を実行するハードウェア資源は、これらの各種のプロセッサのうちの１つで構成されてもよいし、同種又は異種の２つ以上のプロセッサの組み合わせ（例えば、複数のＦＰＧＡの組み合わせ、又はＣＰＵとＦＰＧＡとの組み合わせ）で構成されてもよい。また、ＵＶ光照射処理及び／又は補正制御を実行するハードウェア資源は１つのプロセッサであってもよい。

１つのプロセッサで構成する例としては、第１に、クライアント及びサーバなどのコンピュータに代表されるように、１つ以上のＣＰＵとソフトウェアの組み合わせで１つのプロセッサを構成し、このプロセッサが、上記第２の実施形態で説明した各部の処理を実行するハードウェア資源として機能する形態がある。第２に、ＳｏＣなどに代表されるように、ＵＶ光照射処理及び／又は補正制御を実行する複数のハードウェア資源を含むシステム全体の機能を１つのＩＣチップで実現するプロセッサを使用する形態がある。このように、上記第２の実施形態で説明した各部の処理は、ハードウェア資源として、上記各種のプロセッサの１つ以上を用いて実現される。

更に、これらの各種のプロセッサのハードウェア的な構造としては、より具体的には、半導体素子などの回路素子を組み合わせた電気回路を用いることができる。

また、上記のＵＶ光照射処理及び／又は補正制御はあくまでも一例である。従って、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよいことは言うまでもない。

また、上記第２の本実施形態において、光照射装置１１０には光検出装置１２８が含まれていたが、光検出装置１２８は必要に応じて設けられればよく、光照射装置１１０に光検出装置１２８が設けられていなくてもよい。また、照射部１１８を収容した第１の筐体と、光検出装置１２８を収容した第２の筐体とを設け、光検出装置１２８を照射部１１８に対して別体にしてもよい。上記第２の実施形態では、補正制御を行う例を説明したが、必要がなければ補正制御は行わなくてもよい（補正制御のプログラム自体が無くてもよい）。例えば、劣化した光源１２０及び／又はＤＭＤ１２４を新品に交換すれば、補正制御を行う必要はなくなる。

［第３の実施形態］
次に、添付図面に従って本開示の技術に係る第３の実施形態について説明する。なお、本第３の実施形態は第２の実施形態の変形例であり、第２の実施形態と同一構成には同一符号を付し、その説明は省略する。

一例として図２５に示すように、本第３の実施形態に係る光照射装置３００は、反射ミラー３０２及び偏心測定機３０４を備えている。投影光学系１２６から出射されたＵＶ光は反射ミラー３０２で反射され、偏心測定機３０４に入射される。偏心測定機３０４は、投影光学系１２６の光軸と交差（例えば、直交）する方向に光軸を有する。光照射装置３００では、投影光学系１２６から出射されたＵＶ光が反射ミラー３０２で斜め下方に反射する。反射ミラー３０２で反射したＵＶ光は接合レンズ１６０の光軸に対して斜め方向から紫外線硬化樹脂１６２Ａに照射される。

図２５の正面視態様において、治具１６３で支持される接合レンズ１６０の下方には、接合レンズ１６０と同軸的にレンズ３０６、及び光源３０８が配置されている。一方、図２５の正面視態様において、接合レンズ１６０の上方には、接合レンズ１６０と同軸的に対物レンズ３１０、及びＣＣＤ等の撮像素子３１２が配置されている。なお、治具１６３には、光源３０８から出射された光が通過する開口１６３Ｂが形成されている。

偏心測定機３０４は、光源３０８、レンズ３０６、対物レンズ３１０、及び撮像素子３１２、及び表示装置３１４等を含んで構成されている。接合レンズ１６０には、光源３０８から出射された光がレンズ３０６を介して接合レンズ１６０を透過し、対物レンズ３１０を介して撮像素子３１２に結像され、点像が撮像素子３１２によって撮像される。なお、光源３０８から照射される光は、光硬化樹脂に感度が無い波長の光である。表示装置３１４には、撮像素子３１２によって撮像されることで得られた点像を示す画像が表示される。

レンズ１６と負レンズ１６２とを紫外線硬化樹脂１６２Ａで接着して接合レンズ１６０を製造する場合、レンズ１６の光軸と負レンズ１６２の光軸とを、許容される光学的特性の誤差を含む予め設定された範囲内に合わせる必要がある。

このため、本第３の実施形態では、作業員等は、紫外線硬化樹脂１６２Ａの硬化終了前に、レンズ１６と負レンズ１６２との何れか一方を光軸と交差する方向に相対移動させて、レンズ１６の光軸と負レンズ１６２の光軸とを予め設定された範囲内に合わせる作業を行う。本第３の実施形態では、表示装置３１４に表示された画像が画面の既定範囲内に収まるように、作業員等は、表示装置３１４に表示された画像の位置を見ながらレンズ１６及び／又は負レンズ１６２等を移動させる。なお、画面の既定範囲とは、画面の全範囲のうち、上述した「予め設定された範囲」に対応する一部範囲を指す。

「硬化終了前」は、レンズ１６と負レンズ１６２とを光軸と交差する方向に相対移動可能な期間である。ここで、「硬化終了前」とは、紫外線硬化樹脂１６２Ａが完全に硬化する前を指す。言い換えれば、「硬化終了前」とは、紫外線硬化樹脂１６２Ａの硬化途中を指す。さらに言い換えれば、「硬化終了前」とは、レンズ１６と負レンズ１６２との接着完了前を指す。

これにより、レンズ１６の光軸と負レンズ１６２の光軸とが予め設定された範囲内に合わせられ、点像が予め設定された範囲内に入った接合レンズ１６０を得ることができる。なお、レンズ１６及び／又は負レンズ１６２等の移動は、作業員等が手作業で行ってもよく、アクチュエータ等を用いて行ってもよい。

［その他の実施形態］
上記第２の実施形態及び第３の実施形態に係る各光照射装置では、厚みが均一とされた紫外線硬化樹脂１６２Ａを均一の速度で硬化させる例を説明したが、一例として図２６に示すように、厚みが一定でない、言い換えれば、厚みが不均一の紫外線硬化樹脂１６２Ａ、すなわち、部分的に厚みが異なる紫外線硬化樹脂１６２Ａを均一の速度で硬化させることもできる。例えば、球面レンズであるレンズ１６に対して厚みが一定でない紫外線硬化樹脂１２を硬化させて一体化することで、非球面レンズを製造することができる。なお、紫外線硬化樹脂１２の厚みが厚い部位に対しては、厚みが薄い部位に比較してＵＶ光の光量を増加させることで、厚みが不均一の紫外線硬化樹脂１２であっても、均一の速度で硬化させることができる。紫外線硬化樹脂１２の厚みは、本開示の技術に係る「光硬化樹脂の特性」の一例である。また、このような紫外線硬化樹脂１２の厚みに応じたＵＶ光の照度分布は、本開示の技術に係る「光硬化樹脂の特性に応じた照射エネルギーの分布」の一例である。

なお、第１の実施形態に係る光照射装置１０においても、光源２０の特性の影響、光学系２２の特性の影響、並びに、レンズ１６におけるＵＶ光の屈折、反射、散乱、及び／又は吸収等の影響を受けたＵＶ光により、紫外線硬化樹脂１２の硬化速度が不均一とならないように、かつ、これらの影響を相殺するように、第２の実施形態と同様に、紫外線硬化樹脂１２に向けて照射されるＵＶ光の照射エネルギーが制御部３０Ａ１によって３段階以上の多段階に変更されるようにしてもよい。

また、一例として、図１１に示すように、光照射装置２００から出射されるＵＶ光を検出する光検出装置１２８を設けてもよい。この場合、例えば、支持部材１４の側方に光検出装置１２８が設置され、光照射装置２００を水平方向に移動するアクチュエータ３１６が設置される。

紫外線硬化樹脂１２にＵＶ光を照射する場合には、光照射装置２００を支持部材１４の上方に移動し、液晶パネル７０の画素７０Ａを透過したＵＶ光を光検出装置１２８で検出する場合には、光照射装置２００を光検出装置１２８の上方に移動する。

光検出装置１２８は、複数の画素７０Ａが液晶パネル制御信号に従って予め設定された順番で一個ずつ透過状態とされることによって、言い換えれば画素７０Ａの液晶シャッターが開状態とされることによって画素７０Ａを透過したＵＶ光の光量を画素７０Ａ毎に検出する。画素７０Ａ毎に光検出装置１２８によって得られた検出データは区分領域に関連付けて記憶装置３２に記憶される。

検出データは、光検出装置１２８によって外部Ｉ／Ｆ１４４を介して制御部３０Ａ１に出力される（図１６参照）。

制御部３０Ａ１は、光源１２０及び／又は液晶パネル７０等の経時変化（以下、単に「経時変化」とも称する）に応じて、照射エネルギーを変更する。照射エネルギーの変更は、例えば、光源１２０からのＵＶ光の出力レベルが変更されることによって実現され、また、ＵＶ光を画素７０Ａで紫外線硬化樹脂１６２Ａに向けて透過させる時間の変更、すなわち、画素７０Ａの液晶シャッターの開時間の変更によっても実現可能である。

経時変化は、光検出装置１２８から出力された検出データから特定可能である。そのため、制御部３０Ａ１は、光検出装置１２８の検出結果、すなわち、検出データに応じて補正制御を行う。このように、光照射装置２００では、液晶パネル７０の動作に対して、液晶パネル７０の経時変化に応じたキャリブレーションが行われる。

上記第２の実施形態及び第３の実施形態では、ＵＶ光を変調する光変調素子としてＤＭＤ等のＭＥＭＳを用いたが、ＤＭＤに代えて、複数の光透過率変更領域を有する反射型の液晶パネル等の、他の種類の光変調素子を用いることもよい。ここで、液晶パネルは、本開示の技術に係る「透過率変更素子」の一例である。このように、ＤＭＤに代えて、複数の光透過率変更領域を有する反射型の液晶パネル等の他の種類の光変調素子を用いた場合であっても、上記第２の実施形態及び第３の実施形態で説明した効果と同一の効果が得られる。

上記各実施形態では、レンズ１６に付与された紫外線硬化樹脂をＵＶ光の照射により硬化させたが、紫外線硬化樹脂は、レンズ１６等の光学素子以外の対象物に付与されているものであってもよく、単体であってもよい。

上記各実施形態では、紫外線硬化樹脂にＵＶ光を照射して硬化させる例を示したが、光硬化樹脂に可視光を照射して硬化させる場合に対しても本開示の技術は適用できる。

本開示の光照射装置は、光硬化樹脂に光を照射して３次元のオブジェクトを製造する光造形法を用いた３Ｄプリンタであってもよい。これにより、光硬化樹脂が硬化する際の歪みが抑制された高精度のオブジェクトを製造することができる。

以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。

本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。

本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

上記の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。

（付記１）
光硬化樹脂に対して光を照射する照射部と、
光の強度を変更する変更部と、を含む光照射装置であって、
照射部は、光硬化樹脂の全領域に対して光を照射することで光硬化樹脂からラジカルを発生させ、ラジカルの重合反応が停止する前に、全領域の外側から全領域に対して光を重ねて照射し、
変更部は、光硬化樹脂が区分されることで得られた複数の区分領域の各々に対して照射部によって照射される光の強度を区分領域毎に変更する
光照射装置。

（付記２）
光硬化樹脂に対して光を照射する照射部と、
光の強度を変更する変更部と、を含む光照射装置であって、
照射部は、光硬化樹脂の全領域に対して光を照射することで光硬化樹脂からラジカルを発生させ、ラジカルの成長中に、全領域の外側から全領域に対して光を重ねて照射し、
変更部は、光硬化樹脂が区分されることで得られた複数の区分領域の各々に対して照射部によって照射される光の強度を区分領域毎に変更する
光照射装置。

（付記３）
全領域を取り囲む領域に対して光が走査されることで、全領域に対してもレーザが走査される付記１又は付記２に記載の光照射装置。

（付記４）
全領域を取り囲む領域は、矩形状平面であり、矩形状平面の始点から終点にかけて光が走査されることで、全領域に対してもレーザが走査される付記３に記載の光照射装置。

１０，１００，１１０，２００，３００ 光照射装置
１２，１６２Ａ 紫外線硬化樹脂
１４ 支持部材
１４Ａ 収容面
１６Ａ 片面
１８ 照射部
２０，２０Ａ 光源
２２ 光学系
２２Ｂ コリメートレンズ
２４ ガルバノミラー
３０ コンピュータ
３０Ａ ＣＰＵ
３０Ａ１ 制御部
３０Ａ２ 同期信号供給部
３０Ｂ ＲＯＭ
３０Ｂ１ レーザ照射プログラム
３０Ｃ ＲＡＭ
３２ 記憶装置
３２Ａ レーザ強度プログラム
３４ ＵＩ系デバイス
３４Ａ ディスプレイ
３４Ｂ 受付デバイス
３６ スキャナドライバ
３８ 光源ドライバ
４０，１４４ 外部Ｉ／Ｆ
４２ Ｉ／Ｏ
４８ バスライン
５０ 矩形状平面
１２０ 光源
１２４ ＤＭＤ
１２４Ａ マイクロミラー
１２４Ａ１ 鏡面
１２６ 投影光学系
１２８ 光検出装置
１３０Ｂ１ ＵＶ光照射プログラム
１３０Ｂ２ 補正制御プログラム
１３２Ａ 照射エネルギー変更テーブル
１３６ ＤＭＤドライバ
１４２ フォトディテクタ
１６０ 接合レンズ
１６２ 負レンズ
１６３ 治具
１６３Ａ 底面
１６５ 隙間
６００ 記憶媒体

Claims (51)

1. 光硬化樹脂に対して光を照射する照射部と、
   前記光の強度を変更する変更部と、を含む光照射装置であって、
   前記照射部は、前記光硬化樹脂に対して前記光を照射することで前記光硬化樹脂からラジカルを発生させ、前記ラジカルの重合反応が停止する前に、前記光硬化樹脂に対して前記光を重ねて照射し、
   前記変更部は、前記光硬化樹脂が区分されることで得られた複数の区分領域の各々に対して前記照射部によって重ねて照射される前記光の強度を前記区分領域毎に変更する
   光照射装置。
2. 光硬化樹脂に対して光を照射する照射部と、
   前記光の強度を変更する変更部と、を含む光照射装置であって、
   前記照射部は、前記光硬化樹脂に対して前記光を照射することで前記光硬化樹脂からラジカルを発生させ、前記ラジカルの成長中に、前記光硬化樹脂に対して前記光を重ねて照射し、
   前記変更部は、前記光硬化樹脂が区分されることで得られた複数の区分領域の各々に対して前記照射部によって重ねて照射される前記光の強度を前記区分領域毎に変更する
   光照射装置。
3. 光硬化樹脂に対して光を照射する照射部と、
   前記光の強度を変更する変更部と、
   前記光硬化樹脂に対して照射される前記光の強度の分布を示す分布情報を受け付ける受付部と、を含む光照射装置であって、
   前記照射部は、前記光硬化樹脂に対して前記光を照射することで前記光硬化樹脂からラジカルを発生させ、前記ラジカルの重合反応が停止する前に、前記光硬化樹脂に対して前記光を重ねて照射し、
   前記変更部は、前記光硬化樹脂が区分されることで得られた複数の区分領域の各々に対して前記照射部によって照射される前記光の強度を前記区分領域毎に変更し、かつ、前記受付部によって受け付けられた前記分布情報に従って前記光の強度を変更し、
   前記光硬化樹脂は、光学素子に付与されており、
   前記光の強度の分布は、前記光学素子の光学的特性に従って定められている
   光照射装置。
4. 光硬化樹脂に対して光を照射する照射部と、
   前記光の強度を変更する変更部と、
   前記光硬化樹脂に対して照射される前記光の強度の分布を示す分布情報を受け付ける受付部と、を含む光照射装置であって、
   前記照射部は、前記光硬化樹脂に対して前記光を照射することで前記光硬化樹脂からラジカルを発生させ、前記ラジカルの成長中に、前記光硬化樹脂に対して前記光を重ねて照射し、
   前記変更部は、前記光硬化樹脂が区分されることで得られた複数の区分領域の各々に対して前記照射部によって照射される前記光の強度を前記区分領域毎に変更し、かつ、前記受付部によって受け付けられた前記分布情報に従って前記光の強度を変更し、
   前記光硬化樹脂は、光学素子に付与されており、
   前記光の強度の分布は、前記光学素子の光学的特性に従って定められている
   光照射装置。
5. 前記照射部は、前記光硬化樹脂に対して前記光を走査する請求項１から請求項４の何れか一項に記載の光照射装置。
6. 前記照射部は、前記ラジカルの寿命に達する前に前記光硬化樹脂に対して前記光を重ねて照射する請求項１から請求項５の何れか一項に記載の光照射装置。
7. 前記照射部は、前記光硬化樹脂の全領域に前記光を照射する請求項１から請求項６の何れか一項に記載の光照射装置。
8. 前記光硬化樹脂に対して照射される前記光の強度の分布を示す分布情報を受け付ける受付部を更に含み、
   前記変更部は、前記受付部によって受け付けられた前記分布情報に従って前記光の強度を変更する請求項１又は請求項２、請求項１又は請求項２を引用する請求項５から請求項７の何れか一項に記載の光照射装置。
9. 前記光硬化樹脂は、光学素子に付与されており、
   前記光の強度の分布は、前記光学素子の光学的特性に従って定められている請求項８に記載の光照射装置。
10. 前記光硬化樹脂は、前記光学素子が支持された支持部材と前記光学素子との間に介在しており、
    前記光の強度の分布は、前記光学素子の光学的特性及び前記支持部材の光学的特性に従って定められている請求項９に記載の光照射装置。
11. 前記光学素子は、レンズである請求項９又は請求項１０に記載の光照射装置。
12. 前記光硬化樹脂は、紫外線硬化樹脂である請求項１から請求項１１の何れか一項に記載の光照射装置。
13. 光硬化樹脂に対して光を照射する照射ステップと、
    前記光の強度を変更する変更ステップと、を含む光照射方法であって、
    前記照射ステップは、前記光硬化樹脂に対して前記光を照射することで前記光硬化樹脂からラジカルを発生させ、前記ラジカルの重合反応が停止する前に、前記光硬化樹脂に対して前記光を重ねて照射し、
    前記変更ステップは、前記光硬化樹脂が区分されることで得られた複数の区分領域の各々に対して前記照射ステップによって重ねて照射される前記光の強度を前記区分領域毎に変更する
    光照射方法。
14. 光硬化樹脂に対して光を照射する照射ステップと、
    前記光の強度を変更する変更ステップと、を含む光照射方法であって、
    前記照射ステップは、前記光硬化樹脂に対して前記光を照射することで前記光硬化樹脂からラジカルを発生させ、前記ラジカルの成長中に、前記光硬化樹脂に対して前記光を重ねて照射し、
    前記変更ステップは、前記光硬化樹脂が区分されることで得られた複数の区分領域の各々に対して前記照射ステップによって重ねて照射される前記光の強度を前記区分領域毎に変更する
    光照射方法。
15. コンピュータを、
    請求項１から請求項１２の何れか一項に記載の光照射装置に含まれる前記変更部として機能させるためのプログラム。
16. 光源から出射された光を変調する光変調素子を備え、前記光源から出射された前記光を前記光変調素子を介して光硬化樹脂に照射する照射部と、
    前記光変調素子の制御を行うことで前記光硬化樹脂の区分領域に向かう前記光の照射エネルギーを３段階以上の多段階で分布させる制御部と、
    を含む光照射装置。
17. 光源から出射された光を変調する光変調素子を備え、前記光源から出射された前記光を前記光変調素子を介して光硬化樹脂に照射する照射部と、
    前記光変調素子の制御を行うことで前記光硬化樹脂に向かう前記光の照射エネルギーを３段階以上の多段階で分布させる制御部と、を含み、
    前記照射部は、変調された前記光を前記光硬化樹脂に投影する投影光学系を有し、
    前記制御は、前記投影光学系の特性に応じた前記照射エネルギーの分布とする制御である光照射装置。
18. 光源から出射された光を変調する光変調素子を備え、前記光源から出射された前記光を前記光変調素子を介して光硬化樹脂に照射する照射部と、
    前記光変調素子の制御を行うことで前記光硬化樹脂に向かう前記光の照射エネルギーを３段階以上の多段階で分布させる制御部と、を含み、
    前記光硬化樹脂は、光学素子に付与されており、
    前記制御は、前記光学素子の光学的特性に応じた前記照射エネルギーの分布とする制御である光照射装置。
19. 前記光変調素子は、前記光源から出射された前記光の透過率を変更可能な複数の光透過率変更領域を有する透過率変更素子であり、
    前記照射部は、前記光源から出射された前記光を前記複数の光透過率変更領域を介して前記光硬化樹脂に照射し、
    前記制御部は、前記光透過率変更領域の前記透過率を変更する制御を行う請求項１６から請求項１８の何れか一項に記載の光照射装置。
20. 前記制御は、前記光硬化樹脂の特性に応じた前記照射エネルギーの分布とする制御である請求項１６から請求項１９の何れか一項に記載の光照射装置。
21. 前記照射部は、変調された前記光を前記光硬化樹脂に投影する投影光学系を有し、
    前記制御は、前記投影光学系の特性に応じた前記照射エネルギーの分布とする制御である請求項１６、請求項１６を引用する請求項１９又は請求項１６を引用する請求項２０に記載の光照射装置。
22. 前記光硬化樹脂は、光学素子に付与されており、
    前記制御は、前記光学素子の光学的特性に応じた前記照射エネルギーの分布とする制御である請求項１６、請求項１６を引用する請求項１９又は請求項１６を引用する請求項２０に記載の光照射装置。
23. 前記光硬化樹脂は、前記光学素子を支持する支持部材と前記光学素子との間に介在しており、
    前記制御は、前記光学素子の光学的特性、及び前記支持部材の光学的特性に応じた前記照射エネルギーの分布とする制御である請求項２２に記載の光照射装置。
24. 前記光学素子は、レンズである請求項２２又は請求項２３に記載の光照射装置。
25. 前記光硬化樹脂が均一の厚みである場合、
    前記制御は、前記光硬化樹脂に照射される前記光の照射エネルギーの分布を均一にする制御である請求項１６から請求項２４の何れか一項に記載の光照射装置。
26. 前記複数の光透過率変更領域は、平面状に配置されている請求項１９、請求項１９を引用する請求項２０から請求項２５の何れか一項に記載の光照射装置。
27. 前記制御部は、前記光源及び前記光変調素子のうちの少なくとも一方の経時変化に応じて、前記照射エネルギーを変更する補正制御を行う請求項１６から請求項２６の何れか一項に記載の光照射装置。
28. 前記光透過率変更領域を透過した前記光の光量を検出する光検出部を備え、
    前記制御部は、前記光検出部の検出結果に応じて前記補正制御を行う請求項１９を引用する請求項２７に記載の光照射装置。
29. 前記照射の１回当たりの照射時間は、前記光硬化樹脂のラジカル寿命未満の時間に設定されている請求項１６から請求項２８の何れか一項に記載の光照射装置。
30. 前記制御部は、前記光変調素子を介した前記照射部からの前記光を前記光硬化樹脂に照射させることで前記光硬化樹脂からラジカルを発生させ、前記ラジカルの重合反応が停止する前に、前記光硬化樹脂に対して前記光を重ねて照射させる制御を行う請求項１６から請求項２８の何れか一項に記載の光照射装置。
31. 前記制御部は、前記光変調素子を介した前記照射部からの前記光を前記光硬化樹脂に照射させることで前記光硬化樹脂からラジカルを発生させ、前記ラジカルの成長中に、前記光硬化樹脂に対して前記光を重ねて照射させる制御を行う請求項１６から請求項２８の何れか一項に記載の光照射装置。
32. 前記制御部は、前記光変調素子を介した前記照射部からの前記光を前記光硬化樹脂に照射させることで前記光硬化樹脂からラジカルを発生させ、前記ラジカルの寿命に達する前に前記光硬化樹脂に対して前記光を重ねて照射する制御を行う請求項１６から請求項３１の何れか一項に記載の光照射装置。
33. 前記照射部は、前記光硬化樹脂の全領域に対して前記光を面状に照射する請求項１６から請求項３１の何れか一項に記載の光照射装置。
34. 前記光硬化樹脂に対する照射エネルギーの分布を示す分布情報を受け付ける受付部を更に含み、
    前記制御部は、前記受付部によって受け付けられた前記分布情報に従って前記照射エネルギーを変更する請求項１６から請求項３３の何れか一項に記載の光照射装置。
35. 前記光は、ＵＶ光であり、
    前記光硬化樹脂は、紫外線硬化樹脂である請求項１６から請求項３４の何れか一項に記載の光照射装置。
36. 光源から出射された光を変調する光変調素子を備えた光照射装置の動作方法であって、
    前記光源から出射された前記光を前記光変調素子を介して光硬化樹脂に照射する照射ステップと、
    前記光変調素子の制御を行うことで前記光硬化樹脂の区分領域に向かう前記光の照射エネルギーを３段階以上の多段階で分布させる制御ステップと、
    を含む光照射装置の動作方法。
37. コンピュータを、
    請求項１６から請求項３５の何れか一項に記載の光照射装置に含まれる前記制御部として機能させるためのプログラム。
38. 前記変更部は、前記照射部を制御するパルス信号のパルス幅、電圧値、又は電流値を制御することにより前記光の強度を変更する請求項１又は２の光照射装置。
39. 前記光変調素子は、前記光源から出射された前記光の反射の向きを変更可能な複数の反射部材を備えた反射方向変更素子であり、
    前記照射部は、前記光源から出射された前記光を前記複数の反射部材を介して前記光硬化樹脂に照射し、
    前記制御部は、前記反射部材による前記光の反射の向きを変更する制御を行う請求項１６に記載の光照射装置。
40. 前記複数の反射部材は、平面状に配置されている請求項３９に記載の光照射装置。
41. 前記制御部は、前記光源及び前記光変調素子のうちの少なくとも一方の経時変化に応じて、前記照射エネルギーを変更する補正制御を行う請求項３９又は４０に記載の光照射装置。
42. 前記反射部材で反射された前記光の光量を検出する光検出部を備え、
    前記制御部は、前記光検出部の検出結果に応じて前記補正制御を行う請求項４１に記載の光照射装置。
43. 前記光検出部は、前記反射部材から見た場合に、前記光硬化樹脂とは異なる方向に配置され、
    前記制御部は、前記光検出部が前記光量を検出する場合に、前記光源から出射された前記光を前記反射部材で前記光検出部に向けて反射させる制御を行う請求項４２に記載の光照射装置。
44. 前記反射方向変更素子は、ＭＥＭＳである請求項３９から請求項４３の何れか一項に記載の光照射装置。
45. 前記ＭＥＭＳは、ＤＭＤである請求項４４に記載の光照射装置。
46. 光硬化樹脂に対して光を照射することで前記光硬化樹脂からラジカルを発生させ、
    前記ラジカルの重合反応が停止する前に、前記光硬化樹脂に対して前記光を重ねて照射し、
    前記光硬化樹脂が区分されることで得られた複数の区分領域の各々に対して重ねて照射される前記光の強度を前記区分領域毎に変更する
    光学素子の製造方法。
47. 光硬化樹脂に対して光を照射することで前記光硬化樹脂からラジカルを発生させ、前記ラジカルの成長中に、前記光硬化樹脂に対して前記光を重ねて照射し、
    前記光硬化樹脂が区分されることで得られた複数の区分領域の各々に対して重ねて照射される前記光の強度を前記区分領域毎に変更する
    光学素子の製造方法。
48. 光源から出射された光を光変調素子を介して光硬化樹脂に照射し、
    前記光変調素子の制御を行うことで前記光硬化樹脂の区分領域に向かう前記光の照射エネルギーを３段階以上の多段階で分布させる
    光学素子の製造方法。
49. 光源から出射された光を変調する光変調素子を備え、前記光源から出射された前記光を前記光変調素子を介して光硬化樹脂に照射する照射部と、
    前記光変調素子の制御を行うことで前記光硬化樹脂に向かう前記光の照射エネルギーを３段階以上の多段階で分布させる制御部と、
    を含み
    前記光変調素子は、前記光源から出射された前記光の反射の向きを変更可能な複数の反射部材を備えた反射方向変更素子であり、
    前記照射部は、前記光源から出射された前記光を前記複数の反射部材を介して前記光硬化樹脂に照射し、
    前記制御部は、前記反射部材による前記光の反射の向きを変更する制御を行う
    光照射装置。
50. 光硬化樹脂に対して光を照射する照射ステップと、
    前記光硬化樹脂に対して照射される前記光の強度の分布を示す分布情報を受け付ける受付ステップと、
    前記光の強度を変更する変更ステップと、を含む光照射方法であって、
    前記照射ステップは、前記光硬化樹脂に対して前記光を照射することで前記光硬化樹脂からラジカルを発生させ、前記ラジカルの重合反応が停止する前に、前記光硬化樹脂に対して前記光を重ねて照射し、
    前記変更ステップは、前記光硬化樹脂が区分されることで得られた複数の区分領域の各々に対して前記照射ステップによって照射される前記光の強度を前記区分領域毎に変更し、かつ、前記受付ステップによって受け付けられた前記分布情報に従って前記光の強度を変更し、
    前記光硬化樹脂は、光学素子に付与されており、
    前記光の強度の分布は、前記光学素子の光学的特性に従って定められている
    光照射方法。
51. 光硬化樹脂に対して光を照射する照射ステップと、
    前記光硬化樹脂に対して照射される前記光の強度の分布を示す分布情報を受け付ける受付ステップと、
    前記光の強度を変更する変更ステップと、を含む光照射方法であって、
    前記照射ステップは、前記光硬化樹脂に対して前記光を照射することで前記光硬化樹脂からラジカルを発生させ、前記ラジカルの成長中に、前記光硬化樹脂に対して前記光を重ねて照射し、
    前記変更ステップは、前記光硬化樹脂が区分されることで得られた複数の区分領域の各々に対して前記照射ステップによって照射される前記光の強度を前記区分領域毎に変更し、かつ、前記受付ステップによって受け付けられた前記分布情報に従って前記光の強度を変更し、
    前記光硬化樹脂は、光学素子に付与されており、
    前記光の強度の分布は、前記光学素子の光学的特性に従って定められている
    光照射方法。

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