JP7201139B1 - 銀含有ペースト - Google Patents

銀含有ペースト Download PDF

Info

Publication number
JP7201139B1
JP7201139B1 JP2022560161A JP2022560161A JP7201139B1 JP 7201139 B1 JP7201139 B1 JP 7201139B1 JP 2022560161 A JP2022560161 A JP 2022560161A JP 2022560161 A JP2022560161 A JP 2022560161A JP 7201139 B1 JP7201139 B1 JP 7201139B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silver
containing paste
less
meth
molecule
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022560161A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2022239806A1 (ja
JPWO2022239806A5 (ja
Inventor
直輝 渡部
真 高本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Publication of JPWO2022239806A1 publication Critical patent/JPWO2022239806A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7201139B1 publication Critical patent/JP7201139B1/ja
Publication of JPWO2022239806A5 publication Critical patent/JPWO2022239806A5/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02Non-macromolecular additives
    • C09J11/04Non-macromolecular additives inorganic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02Non-macromolecular additives
    • C09J11/06Non-macromolecular additives organic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52Mounting semiconductor bodies in containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/49513Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad having bonding material between chip and die pad
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals
    • C08K2003/0806Silver
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

本発明の銀含有ペーストは、銀含有粒子と、シアナミド誘導体と、溶剤と、(A)分子内に2以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、および(B)分子内に2以上の重合性二重結合を含む(メタ)アクリル化合物のうち、少なくとも一方または両方からなる多官能化合物と、を含む。

Description

本発明は、銀含有ペーストに関する。
半導体装置の放熱性を高めることを意図して、金属粒子を含む熱硬化性樹脂組成物を用いて半導体装置を製造する技術が知られている。樹脂よりも大きな熱伝導率を有する金属粒子を熱硬化性樹脂組成物に含めることで、その硬化物の熱伝導性を大きくすることができる。
特許文献1には、表面被覆された所定の焼結性銀含有粒子と、揮発性分散媒と、特定の2種の樹脂粉末とからなるペースト状銀含有粒子組成物が開示されている。当該文献には、ペースト状銀含有粒子組成物を、所定の雰囲気下で100℃以上250℃以下の温度で焼結させることが記載されている。さらに、当該ペースト状銀含有粒子組成物は、保存安定性が良好であり、金属製部材への接着強さに優れた接合体が得られると記載されている。
特許文献2には、熱処理によりシンタリングを起こして粒子連結構造を形成する金属粒子と、40℃以上250℃以下の分解開始温度を有する樹脂と、を含む、ペースト状接着剤組成物が開示されている。当該文献には、ペースト状接着剤組成物の焼結体は金属密着性に優れると記載されている。
特開2019-189936号公報 特開2018-98272号公報
しかしながら、発明者が検討した結果、上記文献記載の銀含有ペーストは、半導体チップと、例えばリードフレームなどの金属表面とを接合する場合、リードフレームおよびチップ間の密着力という点で改善の余地を有していた。
本発明者らはこのような知見に基づきさらに鋭意研究したところ、金属粒子同士の焼結を補助する特性を有する樹脂を適切に選択し、さらに密着助剤を添加することにより、リードフレームおよびチップ間の密着性が改善されることを見出し、本発明を完成するに至った。
本発明によれば、
銀含有粒子と、
シアナミド誘導体と、
溶剤と、
(A)分子内に2以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、および(B)分子内に2以上の重合性二重結合を含む(メタ)アクリル化合物のうち、少なくとも一方または両方からなる多官能化合物と、を含む、銀含有ペーストが提供される。
本発明によれば、リードフレームおよびチップ間の密着力に優れた銀含有ペーストが提供される。
<銀含有ペースト>
本実施形態に係る銀含有ペーストの概要について説明する。
本実施形態に係る銀含有ペーストは、銀含有粒子と、シアナミド誘導体と、溶剤と、(A)分子内に2以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、および(B)分子内に2以上の重合性二重結合を含む(メタ)アクリル化合物のうち、少なくとも一方または両方からなる多官能化合物と、を含む。
本実施形態においては、シアナミド誘導体を含むことで、リードフレームおよびチップ間の密着力を向上させている。詳細なメカニズムは定かではないが、これはシアナミド誘導体の極性によるものと考えられる。
シアナミド誘導体は分子内に窒素原子の孤立電子対を二つ以上有し、さらにシアノ基においても窒素原子を有する。この窒素原子を有することによってシアナミド誘導体は強い極性を有するため、リードフレームやチップとの密着助剤としてはたらく。このようなシアナミド誘導体が銀含有粒子の表面に付着することによって、銀含有粒子とリードフレームおよびチップの親和性が向上し、結果として焼結時のリードフレームおよびチップの密着力が向上したものと考えられる。
このとき、本実施形態における銀含有ペーストに使用する多官能化合物を(A)分子内に2以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、および(B)分子内に2以上の重合性二重結合を含む(メタ)アクリル化合物のうち、少なくとも一方または両方からなる多官能化合物とすることで、シアナミド誘導体が多官能化合物に導入されやすくなり、シアナミド誘導体による銀含有粒子とリードフレームおよびチップの密着力が向上する効果を好適なものとすることができる。
以下、本実施形態に係る銀含有ペーストの各成分について説明する。
[銀含有粒子]
本実施形態に係る銀含有ペーストは、銀含有粒子を含む。
本実施形態に係る銀含有粒子は、熱処理により焼結(シンタリング)を起こして粒子連結構造(シンタリング構造)を形成するシンタリング銀含有粒子である。
特に、銀含有ペースト中に銀含有粒子が含まれること、特に、粒径が比較的小さくて比表面積が比較的大きい銀含有粒子が含まれることで、比較的低温(180℃程度)での熱処理でもシンタリング構造が形成されやすい。好ましい粒径については後述する。
本実施形態に係る銀含有粒子が熱処理により焼結を起こす温度の上限値としては260℃以下が好ましく、より好ましくは250℃以下であり、さらに好ましくは240℃以下である。焼結を起こす温度の上限値が上記上限値以下であることによって、本実施形態における銀含有ペーストを使用した電子装置において、リードフレームおよびチップ間の密着性がより好適なものとなる。
また、焼結を起こす温度の下限値としては160℃以上が好ましく、より好ましくは165℃以上であり、さらに好ましくは170℃以上である。焼結を起こす温度の下限値が上記下限値以上であることによって、本実施形態における銀含有ペーストを使用した電子装置において、高温信頼性がより好適なものとなる。
銀含有粒子の形状は特に限定されない。好ましい形状は球状であるが、球状ではない形状、例えば楕円体状、扁平状、板状、フレーク状、針状、鱗片状、凝集状、および多面体形状などでもよい。銀含有粒子は、これらの形状の銀含有粒子を少なくとも1種含むことができる。
本実施形態においては、球状、フレーク状、鱗片状、凝集状、および多面体形状の銀含有粒子から選択される2種以上を含むことが好ましい。これにより、銀含有粒子同士の接触率がさらに向上することから、当該銀含有ペーストの焼結後においてネットワークが容易に形成され本実施形態における銀含有ペーストを使用した電子装置において、放熱性がより好適なものとなる。
なお、本実施形態において、「球状」とは、完全な真球に限られず、表面に若干の凹凸がある形状等も包含する。
銀含有粒子は、その表面がカルボン酸、炭素数4~30の飽和脂肪酸、または一価の炭素数4~30の不飽和脂肪酸、長鎖アルキルニトリル等処理されていてもよい。
銀含有粒子は、(i)実質的に銀のみからなる銀粒子(銀粉)であってもよいし、(ii)銀と銀以外の成分からなる粒子であってもよい。また、金属含有粒子として(i)および(ii)が併用されてもよい。
本実施形態において、銀と銀以外の成分からなる粒子としては樹脂粒子の表面が銀でコートされた銀被覆樹脂粒子を含むこともできる。銀被覆樹脂粒子においては、樹脂粒子の表面の少なくとも一部の領域を銀層が覆っていればよい。もちろん、樹脂粒子の表面の全面を銀が覆っていてもよい。このような銀被覆樹脂粒子としては、例えば、銀メッキシリコーン樹脂などが挙げられる。
銀被覆樹脂粒子における「樹脂」としては、例えば、シリコーン樹脂、(メタ)アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリスチレン樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂などを挙げることができる。もちろん、これら以外の樹脂であってもよい。また、樹脂は1種のみであってもよいし、2種以上の樹脂が併用されてもよい。
シリコーン樹脂は、メチルクロロシラン、トリメチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン等のオルガノクロロシランを重合させることにより得られるオルガノポリシロキサンにより構成される粒子でもよい。また、オルガノポリシロキサンをさらに三次元架橋した構造を基本骨格としたシリコーン樹脂でもよい。
(メタ)アクリル樹脂は、主成分(50重量%以上、好ましくは70重量%以上、より好ましくは90重量%以上)として(メタ)アクリル酸エステルを含むモノマーを重合させて得られた樹脂であってもよい。(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2-エチルへキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロへキシル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-プロピル(メタ)アクリレート、クロロ-2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、メトキシエチル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレートおよびイソボロノル(メタ)アクリレートからなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物を挙げることができる。また、アクリル系樹脂のモノマー成分には、少量の他のモノマーが含まれていてもよい。
シリコーン樹脂や(メタ)アクリル樹脂中に各種官能基を導入してもよい。導入できる官能基は特に限定されない。例えば、エポキシ基、アミノ基、メトキシ基、フェニル基、カルボキシル基、水酸基、アルキル基、ビニル基、メルカプト基等が挙げられる。
銀被覆樹脂粒子における樹脂粒子の部分は、各種の添加成分、例えば低応力改質剤などを含んでもよい。低応力改質剤としては、ブタジエンスチレンゴム、ブタジエンアクリロニトリルゴム、ポリウレタンゴム、ポリイソプレンゴム、アクリルゴム、フッ素ゴム、液状オルガノポリシロキサン、液状ポリブタジエン等の液状合成ゴム等が挙げられる。
銀含有粒子のメジアン径D50は、例えば0.001~1000μm、好ましくは0.01~100μm、より好ましくは0.1~20μmである。D50を適切な値とすることで、熱伝導性、焼結性、ヒートサイクルに対する耐性などのバランスを取りやすい。また、D50を適切な値とすることで、塗布/接着の作業性の向上などを図れることもある。
銀含有粒子の粒度分布(横軸:粒子径、縦軸:頻度)は、単峰性であっても多峰性であってもよい。
(i)実質的に銀のみからなる粒子のメジアン径D50は、例えば0.8μm以上、好ましくは1.0μm以上、より好ましくは1.2μm以上である。これにより、シンタリング構造を強固なものとすることができ、本実施形態における銀含有ペーストを使用した電子装置において、リードフレームおよびチップ間の密着性がより好適なものとすることができる。
また、(i)実質的に銀のみからなる粒子のメジアン径D50は、例えば10.0μm以下、好ましくは8.0μm以下、より好ましくは6.0μm以下である。これにより、シンタリングのしやすさの一層の向上、シンタリングの均一性の向上などを図ることができる。
(ii)銀と銀以外の成分からなる粒子のメジアン径D50は、例えば0.5μm以上、好ましくは1.5μm以上、より好ましくは2.0μm以上である。これにより、貯蔵弾性率を適切な値にしやすい。
また、(ii)銀と銀以外の成分からなる粒子のメジアン径D50は、例えば20μm以下、好ましくは15μm以下、より好ましくは10μm以下である。これにより、シンタリングのしやすさの一層の向上、シンタリングの均一性の向上などを図ることができる。
銀含有粒子のメジアン径D50は、例えば、シスメックス株式会社製フロー式粒子像分析装置FPIA(登録商標)-3000を用い、粒子画像計測を行うことで求めることができる。より具体的には、この装置を用い、湿式で体積基準のメジアン径を計測することで、銀含有粒子の粒子径を決定することができる。
銀含有ペースト中の銀含有粒子の含有量は、後述する溶剤を除いた固形分100質量%に対して、好ましくは80.0質量%以上99.0質量%以下、より好ましくは82.5質量%以上97.5質量%以下、さらに好ましくは85.0質量%以上95質量%以下である。
本実施形態の銀含有ペーストにおける銀含有粒子の含有量が当該範囲であることにより、シンタリング構造を強固なものとすることができ、本実施形態における銀含有ペーストを使用した電子装置において、リードフレームおよびチップ間の密着性がより好適なものとすることができる
銀含有粒子のうち、実質的に銀のみからなる粒子は、例えば、DOWAハイテック社、福田金属箔粉工業社などより入手することができる。また、銀被覆樹脂粒子は、例えば、三菱マテリアル社、積水化学工業社、株式会社山王などより入手することができる。
本実施形態において、銀含有粒子の比表面積は0.10m/g以上が好ましく、好ましくは0.15m/g以上、さらに好ましくは0.20m/g以上とすることができる。上限値は特に限定されないが、入手の観点から2.0m/g以下とすることができる。銀含有粒子の比表面積は、銀含有粒子を2種類以上含む場合、その平均値である。銀含有粒子の比表面積は、自動比表面積測定装置を用いて測定されたBET比表面積とする。
本実施形態の銀含有粒子の比表面積が当該範囲であることにより、シンタリング構造を強固なものとすることができ、本実施形態における銀含有ペーストを使用した電子装置において、リードフレームおよびチップ間の密着性がより好適なものとすることができる。
本実施形態においては、本発明の効果の観点から、比表面積の異なる銀含有粒子を2種以上用いることがより好ましい。
さらに、銀含有粒子のタップ密度は、好ましくは4.0g/cm以上、より好ましくは4.5g/cm以上、さらに好ましくは5.0g/cm以上、特に好ましくは5.5g/cm以上とすることができる。上限値は特に限定されないが、8.0g/cm以下とすることができる。
タップ密度は、ISO 3953-1985(E)の「金属粉-タップ密度の測定方法」に従って測定される。
当該タップ密度であることにより、ペースト粘度を適切な値にしやすい。
[シアナミド誘導体]
本実施形態に係る銀含有ペーストは、さらに、シアナミド誘導体を含む。
シアナミド誘導体により、前述のように銀含有粒子とリードフレームおよびチップの親和性が向上し、結果として焼結時のリードフレームおよびチップの密着力が向上する。
通常、シアナミド誘導体は後述する多官能化合物に添加した場合、硬化促進剤として作用する。一方、本実施形態におけるシアナミド誘導体はリードフレームとチップ間の密着性を向上させる密着助剤としての機能を有しており、シアナミド誘導体以外の硬化促進剤をさらに加えることで、本実施形態に係る銀含有ペーストの機械的特性およびリードフレームとチップ間の密着性の両立を図ることができる。
シアナミド誘導体としては、例えばジシアンジアミド;グアニジン;スルファミン酸グアニジン、燐酸グアニジン等のグアニジン塩;メラミン;ジシアンジアミジン及びジグアニドなどが挙げられる。これらは単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。またこれらの内、焼結時のリードフレームおよびチップの密着力の観点から、ジシアンジアミド、グアニジン、グアニジン塩、メラミンおよびジシアンジアミジンから選択される1種または2種以上を含むことが好ましく、ジシアンジアミドがより好ましい。
上記シアナミド誘導体の含有量の上限値としては、後述する本実施形態に係る多官能化合物の含有量を100質量部としたときに、好ましくは3質量部以下であり、より好ましくは2.7質量部以下、さらに好ましくは2.5質量部以下である。シアナミド誘導体の含有量を上記上限値以下とすることによって、銀含有ペーストの放熱性をより好適なものとすることができる。
上記シアナミド誘導体の含有量の下限値としては、後述する本実施形態に係る多官能化合物の含有量を100質量部としたときに、好ましくは0.01質量部以上であり、より好ましくは0.05質量部以上、さらに好ましくは0.1質量部以上である。シアナミド誘導体の含有量を上記下限値以上とすることによって、焼結時のリードフレームおよびチップの密着力をより好適なものとすることができる。
[溶剤]
本実施形態に係る銀含有ペーストは、さらに、溶剤を含む。
溶剤により、例えば、銀含有ペーストの流動性の調整、基材上に接着層を形成する際の作業性の向上などを図ることができる。
溶剤としては、たとえばエチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール、ペンチルアルコール、ヘキシルアルコール、ヘプチルアルコール、オクチルアルコール、ノニルアルコール、デシルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、メチルメトキシブタノール、α-ターピネオール、β-ターピネオール、へキシレングリコール、ベンジルアルコール、2-フェニルエチルアルコール、イソパルミチルアルコール、イソステアリルアルコール、ラウリルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、エチルヘキシルグリコール、ブチルプロピレントリグリコールもしくはグリセリン等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール(4-ヒドロキシ-4-メチル-2-ペンタノン)、2-オクタノン、イソホロン(3,5,5-トリメチル-2-シクロヘキセン-1-オン)もしくはジイソブチルケトン(2,6-ジメチル-4-ヘプタノン)等のケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、ジエチルフタレート、ジブチルフタレート、アセトキシエタン、酪酸メチル、ヘキサン酸メチル、オクタン酸メチル、デカン酸メチル、メチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、1,2-ジアセトキシエタン、リン酸トリブチル、リン酸トリクレジルもしくはリン酸トリペンチル等のエステル類;テトラヒドロフラン、ジプロピルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、エトキシエチルエーテル、1,2-ビス(2-ジエトキシ)エタンもしくは1,2-ビス(2-メトキシエトキシ)エタン等のエーテル類;酢酸2-(2ブトキシエトキシ)エタン等のエステルエーテル類;2-(2-メトキシエトキシ)エタノール等のエーテルアルコール類;トルエン、キシレン、n-パラフィン、イソパラフィン、ドデシルベンゼン、テレピン油、ケロシンもしくは軽油等の炭化水素類;アセトニトリルもしくはプロピオニトリル等のニトリル類;アセトアミドもしくはN,N-ジメチルホルムアミド等のアミド類;低分子量の揮発性シリコンオイル、または揮発性有機変成シリコンオイルが挙げられる。
これらは1種のみの溶剤を用いてもよいし、2種以上の溶剤を併用してもよい。
上記溶剤の沸点は好ましくは150℃以上であり、より好ましくは170℃以上、さらに好ましくは200℃以上である。沸点の上限値は焼結により消失すれば特に限定されず、本実施形態においては300℃以下とすることができる。
溶剤の沸点を上記範囲内とすることにより、基材上に銀含有ペーストを接着する際の作業性をより好適なものとすることができる。
上記溶剤は、本実施形態の銀含有ペースト100質量%中に、好ましくは1質量%以上10質量%以下、さらに好ましくは2質量%以上8質量%以下含むことができる。溶剤の含有量を上記範囲内とすることにより、基材上に銀含有ペーストを接着する際の作業性をより好適なものとすることができる。
[多官能化合物]
本実施形態に係る銀含有ペーストは、多官能化合物を含む。
本実施形態に係る多官能化合物としては、(A)分子内に2以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、および(B)分子内に2以上の重合性二重結合を含む(メタ)アクリル化合物のうち、少なくとも一方または両方からなる多官能化合物である。多官能化合物を用いることにより、樹脂の凝集効果によって銀含有粒子同士のシンタリング構造が形成されやすくなる。
本実施形態に係るエポキシ化合物としては、例えば、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールナフトール型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、ビフェニルアラルキル型エポキシ化合物、フェノキシ化合物、ナフタレン骨格型エポキシ化合物、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、ジアリルビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールA型ジグリシジルエーテル型エポキシ化合物、ビスフェノールF型ジグリシジルエーテル型エポキシ化合物、ビスフェノールS型ジグリシジルエーテル型エポキシ化合物、o-アリルビスフェノールA型ジグリシジルエーテル、3,3',5,5'-テトラメチル4,4'-ジヒドロキシビフェニルジグリシジルエーテル型エポキシ化合物、1,1,2,2-テトラキス(ヒドロキシフェニル)エタン型エポキシ化合物、4,4'-ジヒドロキシビフェニルジグリシジルエーテル型エポキシ化合物、臭素型クレゾールノボラック型エポキシ化合物、ビスフェノールD型ジグリシジルエーテル型エポキシ化合物、1,6-ナフタレンジオールのグリシジルエーテル、アミノフェノール類のトリグリシジルエーテルなどのエポキシ化合物が挙げられる。これらは単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。また、これらの中でも、ビスフェノールA型エポキシ化合物およびビスフェノールF型エポキシ化合物から選択される1種またはその両方を含むことが好ましく、ビスフェノールF型エポキシ化合物を含むことがより好ましい。エポキシ化合物を上記の種類から選択することによって、シンタリングのしやすさの一層の向上、シンタリングの均一性の向上などを図ることができる。
また、エポキシ化合物は25℃にて固形状のもの、液状のもののどちらも使用することができる。
本実施形態に係る(メタ)アクリル化合物としては、例えば、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート等の2官能(メタ)アクリレート;トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート等の3官能以上の多官能(メタ)アクリレート;2官能以上のエポキシ(メタ)アクリレート;2官能以上のウレタン(メタ)アクリレート;2官能以上のポリエステル(メタ)アクリレートが挙げられる。これらは単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。また、これらの中でも、2官能(メタ)アクリレートおよび3官能以上の多官能(メタ)アクリレートから選択される一方またはその両方を含むことが好ましく、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート等の2官能(メタ)アクリレートを含むことがより好ましく、エチレングリコールジ(メタ)アクリレートを含むことがさらに好ましい。(メタ)アクリル化合物を上記の種類から選択することによって、シンタリングのしやすさの一層の向上、シンタリングの均一性の向上などを図ることができる。
本実施形態において、多官能化合物の含有量の下限値は、特に限定されないが、例えば、銀含有ペーストの固形分全量に対して1質量%以上含ませてもよく、3質量%以上含ませてもよく、5質量%以上含ませてもよい。これにより、硬化物としての適度な機械的特性を発揮することができる。
また、多官能化合物の含有量の上限値は、特に限定されないが、例えば、銀含有ペーストの固形分全量に対して20質量%以下含ませてもよく、15質量%以下含ませてもよく、10質量%以下含ませてもよい。
本実施形態において、多官能化合物の硬化物のガラス転移温度(Tg)の下限値は、特に限定されないが、例えば、60℃以上としてもよく、65℃以上としてもよく、70℃以上としてもよい。かかるガラス転移温度(Tg)の上限値は、特に限定されないが、例えば、300℃以下としてもよく、290℃以下としてもよく、280℃以下としてもよい。これにより、耐熱性が得られる。
本実施形態において、ガラス転移温度を測定する方法としては、例えば、熱機械分析装置(TMA SS7100、SII Nanotechnology社製)等が用いられる。
[その他の成分]
本実施形態に係る銀含有ペーストには、必要に応じて硬化剤、硬化促進剤、可塑剤、開始剤、酸化防止剤、分散剤、シリカ、アルミナ等の無機充填材、シリコーン樹脂やブタジエンゴム等の他のエラストマー、カップリング剤、開始剤、消泡剤、レベリング剤、微細シリカ(チキソ調整剤)等の成分を添加することもできる。これらの成分の含有量は、銀含有ペーストを適用する用途に合わせて適宜設定することができる。
(硬化剤)
本実施形態に係る銀含有ペーストにおいて、たとえば硬化剤を含むことができる。硬化剤としては、多官能化合物(例えば、エポキシ化合物)の重合反応を促進させるものであればとくに限定されない。これにより、上記多官能化合物の重合反応を促進させて、銀含有ペーストを用いて得られる機械的特性の向上に寄与することができる。
本実施形態の硬化剤は、多官能化合物の硬化剤として公知のものの中から適宜選択して使用することができる。具体的には、例えば、フェノール樹脂系硬化剤、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤、メルカプタン系硬化剤等を挙げることができる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記フェノール樹脂系硬化剤としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、アミノトリアジンノボラック樹脂、ノボラック樹脂、トリスフェニルメタン型のフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂;テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂;フェニレン骨格及び/又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン骨格及び/又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂;ビスフェノールA、ビスフェノールF等のビスフェノール骨格を有するビスフェノール樹脂;レゾール型フェノール樹脂等を用いることができる。これらは単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。また、この中でもビスフェノールA、ビスフェノールF等のビスフェノール骨格を有するビスフェノール樹脂を含むことが好ましく、ビスフェノールF骨格を有するビスフェノール樹脂がより好ましい。硬化剤を上記の種類から選択することによって、銀含有ペーストを用いて得られる機械的特性を向上させ、リードフレームおよびチップ間の密着性を改善することができる。
上記アミン系硬化剤としては、たとえば3級アミノ基を有する化合物を含むことができる。3級アミノ基を有する化合物は、例えば、ベンジルジメチルアミン(BDMA)等の3級アミン類、2-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール(EMI24)等のイミダゾール類、ピラゾール、3,5-ジメチルピラゾール、ピラゾリン等のピラゾール類、トリアゾール、1,2,3-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール、1,2,3-ベンゾトリアゾール等のトリアゾール類、イミダゾリン、2-メチル-2-イミダゾリン、2-フェニルイミダゾリン等のイミダゾリン類が挙げられ、これらから選択される一種または二種以上を含むことができる。
本実施形態に係る銀含有ペースト中に含まれる硬化剤の含有量の上限値は、特に限定されないが、例えば、多官能化合物100重量部に対して、25重量部以下が好ましく、5重量部以下がより好ましく、3重量部以下がさらに好ましく、1重量部以下がとくに好ましい。かかる硬化剤の含有量の下限値は、特に限定されないが、例えば、0重量部以上が好ましく、銀含有ペーストの機械的特性を向上させる観点からは、0.1重量部以上がより好ましい。
(硬化促進剤)
本実施形態に係る銀含有ペーストにおいて、硬化促進剤を含むことができる。ここで、硬化促進剤としては、前述したシアナミド誘導体以外の硬化促進剤を含んでもよい。本実施形態に係る硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、ポリアミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、トリフェニルホスフィンまたはテトラフェニルホスフィンの塩類などが挙げられる。これらの中でも、本実施形態に係る硬化促進剤としては、ポリアミン系硬化促進剤およびイミダゾール系硬化促進剤から選択される少なくとも一種を含むことが好ましく、イミダゾール系硬化促進剤を含むことがより好ましい。
本実施形態に係る銀含有ペースト中に含まれる硬化促進剤の含有量の上限値は、特に限定されないが、例えば、多官能化合物100重量部に対して、5重量部以下が好ましく、4重量部以下がより好ましく、3重量部以下がさらに好ましく、2重量部以下がさらに好ましい。また、硬化促進剤の含有量の下限値は、特に限定されないが、例えば、0重量部以上が好ましく、銀含有ペーストの機械的特性を向上させる観点からは、0.1重量部以上が好ましく、0.3重量部以上がより好ましく、0.5質量部以上がさらに好ましい。
(可塑剤)
本実施形態に係る銀含有ペーストにおいて、可塑剤を含むことができる。本実施形態に係る可塑剤としては、特に限定されないが、例えば、芳香族カルボン酸エステル、脂肪族モノカルボン酸エステル、脂肪族ジカルボン酸エステル、脂肪族トリカルボン酸エステル、リン酸トリエステルおよび石油樹脂等、ポリアルキレングリコール系可塑剤、エポキシ系可塑剤、ヒマシ油系可塑剤、ネオペンチルグリコールジベンゾエート、ジエチレングリコールジベンゾエート、トリエチレングリコールジ-2-エチルブチレート、ポリオキシエチレンジアセテート、ポリオキシエチレンジ(2-エチルヘキサノエート)、ポリオキシプロピレンモノラウレート、ポリオキシプロピレンモノステアレート、ポリオキシエチレンジベンゾエート、ポリオキシプロピレンジベンゾエートなどのポリオールエステル、オレイン酸ブチルなどの脂肪族カルボン酸エステル、アセチルクエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリブチル、クエン酸エトキシカルボニルメチルジブチル、クエン酸ジ-2-エチルヘキシル、アセチルリシノール酸メチルまたはアセチルリシノール酸ブチルなどのオキシ酸エステル、大豆油、大豆油脂肪酸、大豆油脂肪酸エステル、エポキシ化大豆油、菜種油、菜種油脂肪酸、菜種油脂肪酸エステル、エポキシ化菜種油、亜麻仁油、亜麻仁油脂肪酸、亜麻仁油脂肪酸エステル、エポキシ化亜麻仁油、ヤシ油またはヤシ油脂肪酸などの植物油系化合物、ペンタエリスリトール、ソルビトール、ポリアクリル酸エステル、シリコーンオイルまたはパラフィン類、オレフィンオキサイド、ブチルグリシジルエーテル、ヘキシルグリシジルエーテル、2-エチルヘキシルグリシジルエーテル、アルキルグリシジルエーテル、アルキルフェノールモノグリシジルエーテル、クレシルグリシジルエーテル、p-n-ブチル-フェニルグリシジルエーテル、p-tert-ブチル-フェニルグリシジルエーテル、ノニルフェニルグリシジルエーテル、ヤシ脂肪酸グリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、グリシドール、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、1,6-ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、アルカン酸グリシジルエステル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、及びプロピレングリコールジグリシジルエーテルなどを挙げられる。
可塑剤の含有量は、当該銀含有ペーストの総質量中、5質量%以下が好ましく、2質量%以下がより好ましい。可塑剤の含有量が上記上限値以下であれば、銀含有ペーストの接着性をより好適なものとすることができる。また、可塑剤の含有量の下限値は特に限定されないが、例えば、0質量%以上である。
(カップリング剤)
本実施形態に係る銀含有ペーストにおいて、カップリング剤を含むことができる。本実施形態に係るカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、n-プロピルトリメトキシシラン、n-プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシランのようなアルコキシシラン;メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシランのようなクロロシラン;ヘキサメチルジシラザン;メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、グリシドキシプロピルトリメトキシシランのようなアルコキシシラン;ビニルトリクロロシラン、ビニルメチルジクロロシランのようなクロロシラン;ジビニルテトラメチルジシラザンが挙げられる。
本実施形態に係る銀含有ペースト中に含まれるカップリング剤の含有量は、当該銀含有ペーストにおける多官能化合物の質量を100質量部としたとき、5質量部以下が好ましく、4質量部以下がより好ましく、3質量部以下がさらに好ましい。カップリング剤の含有量が上記上限値以下であれば、銀含有ペーストの接着性をより好適なものとすることができる。
(開始剤)
本実施形態に係る銀含有ペーストにおいて、開始剤を含むことができる。開始剤としては、例えばラジカル重合開始剤などが挙げられる。これにより、たとえば加熱により重合する化合物がラジカル重合性二重結合を分子内に有する化合物を含む場合において、当該化合物が重合することを促進させることができる。ラジカル重合開始剤は、たとえばオクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、1,1,3,3-テトラメチルブチルパーオキシ2-エチルヘキサノエート、シュウ酸パーオキサイド、2,5-ジメチル-2,5-ジ(2-エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン、1-シクロヘキシル-1-メチルエチルパーオキシ2-エチルヘキサノエート、tert-ヘキシルパーオキシ2-エチルヘキサノエート、tert-ブチルパーオキシ2-エチルヘキサノエート、m-トルイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、tert-ブチルヒドロパーオキサイド、ジ-tert-ブチルパーオキサイド、クメンヒドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、tert-ブチルパーベンゾエート、パラクロロベンゾイルパーオキサイド、およびシクロヘキサノンパーオキサイドから選択される一種または二種以上を含むことができる。
本実施形態に係る銀含有ペースト中に含まれる開始剤の含有量は、該銀含有ペーストにおける多官能化合物の質量を100質量部としたとき、10質量部以下が好ましく、より好ましくは7質量部以下、さらに好ましくは5質量部以下である。開始剤の含有量が上記上限値以下であれば、銀含有ペーストの機械的特性をより好適なものとすることができる。また、本実施形態に係る銀含有ペースト中に含まれる開始剤の含有量の下限値は特に限定されないが、該銀含有ペーストにおける多官能化合物の質量を100質量部としたとき、好ましくは0.5質量部以上、より好ましくは1質量部以上、さらに好ましくは2質量部以上である。
<銀含有ペーストの性状および物性>
次に、本実施形態に係る銀含有ペーストの性状および物性について説明する。
本実施形態に係る銀含有ペーストは、好ましくは、20℃でペースト状である。すなわち、本実施形態に係る銀含有ペーストは、好ましくは、20℃で、糊のようにして基板等に接着することができる。このことにより、本実施形態に係る銀含有ペーストを、半導体素子の接着剤などとして好ましく用いることができる。
もちろん、適用されるプロセスなどによっては、本実施形態に係る銀含有ペーストは、比較的低粘度のワニス状などであってもよい。
本実施形態に係る銀含有ペーストを用いて、以下<測定方法>に従って測定したダイシェア強度の下限値が、260℃において好ましくは1.5N/mm以上であり、より好ましくは1.9N/mm以上、さらに好ましくは2.2N/mm以上である。このことにより、本実施形態に係る銀含有ペーストを用いた際のリードフレームとの固着強度が増し、リードフレームおよびチップ間の密着性を改善することができる。
<測定方法>
銀含有ペーストを銅基板上に塗布して塗膜を形成し、その塗膜の上に表面金めっきの7×7mmのシリコンチップを載せる。その後、30℃から200℃まで60分間かけて昇温し、続けて200℃で120分間熱処理する。以上により銀含有ペーストを硬化させ、また、シリコンチップを基板に接合する。
その後、上記測定サンプルを60℃・湿度60%の恒温恒湿槽にて48時間処理し、ダイシェアテスターを用いて、260℃にてダイシェア強度(N/mm)を測定する。
また、上記ダイシェア強度の上限値は特に限定されないが、例えば260℃において100N/mm以下である。
本実施形態において、ダイシェア強度を測定する方法としては、例えばダイシェアテスター(DAGE-4000型、ノードソン・アドバンスド・テクノロジー株式会社製)等を用いることができる。
本実施形態の好ましい様態において、本実施形態に係る銀含有ペーストは、BF型粘度計を用いて、温度:25℃、せん断速度:0.5rpmで測定した際の0.5rpm粘度η0.5の下限値が、20Pa・s以上であることが好ましく、より好ましくは25Pa・s以上であり、さらに好ましくは30Pa・s以上である。このことにより、銀含有ペーストを接着した際に基板上に広がることを防ぎ、別系統のチップとの短絡を防止することができる。
また、上記η0.5の上限値は特に限定されないが、例えば300Pa・s以下である。
本実施形態の好ましい様態において、本実施形態に係る銀含有ペーストは、BF型粘度計を用いて、温度:25℃、せん断速度:5rpmで測定した際の5rpm粘度ηの下限値が、5Pa・s以上であることが好ましく、より好ましくは5.5Pa・s以上であり、さらに好ましくは6Pa・s以上である。このことにより、銀含有ペーストを接着した際に基板上に広がることを防ぎ、別系統のチップとの短絡を防止することができる。
また、上記ηの上限値は特に限定されないが、例えば40Pa・s以下であり、35Pa・s以下であってもよく、30Pa・s以下であってもよい。
本実施形態の好ましい様態において、本実施形態に係る銀含有ペーストは、以下式(1)で表される上記ηおよび上記η0.5の粘度比の下限値が、好ましくは2以上であり、より好ましくは2.5以上であり、さらに好ましくは3以上である。
粘度比=η0.5/η (1)
粘度比が上記下限値以上であることにより、基材上に銀含有ペーストを接着する際の作業性をより好適なものとすることができる。
また、上記粘度比の上限値は特に限定されないが、例えば10以下である。
本実施形態の好ましい様態において、本実施形態に係る銀含有ペーストは、動的粘弾性測定装置を用い、周波数:1Hz、温度:25℃で測定した貯蔵弾性率の下限値が、好ましくは2000MPa以上であり、より好ましくは2500MPa以上であり、さらに好ましくは3000MPa以上であり、さらに好ましくは4000MPa以上である。貯蔵弾性率が上記下限値以上であることにより、銀含有ペーストによるリードフレームとチップの接続の安定性をより好適なものとすることができる。
また、上記貯蔵弾性率の上限値は、好ましくは20000MPa以下であり、より好ましくは17500MPa以下であり、さらに好ましくは15000MPa以下、さらに好ましくは10000MPa以下、さらに好ましくは8000MPa以下である。貯蔵弾性率が上記上限値以下であることにより、本実施形態に係る銀含有ペーストを用いた際のリードフレームとの固着強度が増し、リードフレームおよびチップ間の密着性を改善することができる。
なお、貯蔵弾性率の測定に用いる動的粘弾性測定装置としては、公知の装置を用いることができる。公知の装置としては、例えば、SII Nanotechnology社製 動的粘弾性測定装置 DMS6100、THERMO SCIENTIFIC社製 動的粘弾性測定装置 HAAKE MARSなどが挙げられる。
本実施形態の好ましい様態において、本実施形態に係る銀含有ペーストは、レーザーフラッシュ法によって測定した熱伝導率の下限値が、好ましくは10W/mK以上であり、より好ましくは12W/mK以上であり、さらに好ましくは14W/mK以上である。熱伝導率が上記下限値以上であることにより、本実施形態における銀含有ペーストを使用した電子装置において、高温信頼性がより好適なものとなる。
また、上記熱伝導率の上限値は特に限定されないが、例えば200W/mK以下である。
なお、熱伝導率の測定に用いるレーザーフラッシュ法熱定数測定装置としては、公知の装置を用いることができる。公知の装置としては、例えば、NETZCH社製 レーザーフラッシュ法熱定数測定装置 LFA447などが挙げられる。
<銀含有ペーストの用途>
本実施形態に係る銀含有ペーストは、様々な用途に用いることができる。例えば、ダイアタッチ材や導電ペースト等が挙げられる。ダイアタッチ材としては、例えば、電子装置に用いられてもよいし、より好ましくは半導体装置に用いられてもよい。導電ペーストとしては、代表的な用途例としては、プリント回路基板のジャンパー回路やスルーホール導体、アディティブ回路、タッチパネルの導体回路、抵抗端子、太陽電池の電極、タンタルコンデンサの電極、フィルムコンデンサの電極、チップ型セラミック電子部品の外部電極や内部電極等の形成、電磁波シールドとしての使用等が挙げられる。また、はんだの代替として、半導体素子や電子部品を基板に実装するための導電性接着剤としての使用のほか、太陽電池の高温焼成した銀電極の表面をはんだで被覆するタイプのグリッド電極の、はんだ部分の代替として使用することもできる。
本実施形態に係る銀含有ペーストは、硬化させることで硬化物とすることができる。本実施形態の硬化物は、様々な用途に利用できる。例えば、電子装置に使用される。すなわち、本実施形態に係る電子装置は、本実施形態の銀含有ペーストの硬化体と、当該硬化体が接着された電子部品と、を備えている。
本実施形態の硬化物は、硬化物中に銀粒子が含まれるため、電極や配線が形成されている様々な電子機器の部品に適用することができる。また、プリント配線基板のスルーホールやビアホールに充填する用途としても好ましく用いることができる。
もちろん、ここで挙げた用途は、実施形態の一例であり、これ以外の用途であっても、銀含有ペーストの組成を調整しつつ、適用を行うことができるのは言うまでもない。
<銀含有ペーストの製造方法>
次に、本実施形態に係る銀含有ペーストの製造方法について説明する。
本実施形態の銀含有ペーストは、上述した各成分を混練混合することで製造することができる。この混合は、たとえばニーダー、三本ロール、ライカイ機等の混練装置や、各種撹拌装置等を用いて行えばよい。
また、本実施形態に係る銀含有ペーストの硬化体の製造方法は、銀粒子と樹脂とを混合することにより、本実施形態に係る銀含有ペーストを準備する工程と、当該銀含有ペーストを熱処理することにより、銀粒子の焼結を起こして粒子連結構造を形成する工程と、を有している。
本実施形態において、樹脂とし焼結を補助する特性を有するものが選択されているので、硬化工程において、焼結温度を低くできたり、焼結時間を短くできる等、製造プロセス特性を高めることが可能になる。つまり、硬化工程において、低温または短時間の焼結条件を採用したとしても、銀含有ペーストに対して低抵抗と密着性の両立を実現することが可能になる。
本実施形態に係る銀含有ペーストは、260℃以下、160℃以上の熱処理により焼結を起こすことが好ましい。本実施形態において、焼結温度の上限値は特に限定されないが、例えば、260℃以下が好ましく、250℃以下がさらに好ましく、240℃以下がとくに好ましい。また、当該焼結温度の下限値は、特に限定されないが、例えば、160℃以上が好ましく、165℃以上がさらに好ましく、170℃以上がとくに好ましい。
また、本実施形態において、焼結時間の下限値は特に限定されないが、例えば、15分以上が好ましく、18分以上がより好ましく、20分以上がさらに好ましい。当該焼結時間の上限値としては特に限定されないが、例えば、60分以下が好ましく、55分以下がより好ましく、50分以下がとくに好ましい。
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することができる。また、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれる。
[ワニスの調製]
各実施例1~4および比較例1~3について、ワニスを調製した。この調製は、表1に示す配合に従い各成分を均一に混合することにより行った。なお、表1に示す成分の詳細は以下のとおりである。また、表1中における各成分は、配合部数で示されている。表中の「-」は測定不能を示す。
(エポキシ化合物)
エポキシ化合物1:ビスフェノールF型液状エポキシ化合物、RE-303S、日本化薬株式会社製
(アクリル化合物)
アクリル化合物1:エチレングリコールジメタクリレート、ライトエステルEG、共栄社化学株式会社製
(硬化剤)
硬化剤1:ビスフェノールF骨格を有するビスフェノール樹脂、DIC-BPF(室温25℃で固体)、DIC株式会社製
(シアナミド誘導体)
シアナミド誘導体1:ジシアンジアミド、EH-3636AS、ADEKA株式会社製
(硬化促進剤)
硬化促進剤1:ポリアミン系硬化促進剤、EH-5057P、ADEKA株式会社製
硬化促進剤2:イミダゾール系硬化促進剤、2PHZ-PW、四国化成株式会社製
(開始剤)
開始剤1:ジクミルパーオキサイド、パーカドックスBC、化薬ヌーリオン株式会社製
[銀含有ペーストの調製]
次に、各実施例1~4および比較例1~3において調整したワニスを用いて、銀含有ペーストを調製した。各実施例1~4および比較例1~3において調整したワニス13.0質量部、銀含有粒子として銀粉(鱗片形状銀、D50:6.0μm、福田金属箔粉工業社製、焼結温度:200℃、タップ密度:5.5g/cm、比表面積:0.2m/g)65質量部、銀メッキシリコーン樹脂粒子(三菱マテリアル社製、耐熱・表面処理10μm品、球形状、D50:10μm、焼結温度:210℃、タップ密度:5.5g/cm)20質量部、溶剤としてブチルプロピレントリグリコール(BFTG、日本乳化剤株式会社製、沸点:274℃)2.0質量部の合計100質量部を混合し、各実施例1~4および比較例1~3における銀含有ペーストとした。
[評価]
各実施例および各比較例について、以下の手法を用いて評価を行った。結果を表1に示す。
(熱伝導率)
厚さ約1mm、辺の長さ10mmの四角形の型に各実施例1~4および比較例1~3における銀含有ペーストを塗布し、30℃から200℃まで60分間かけて昇温し、続けて200℃で120分間加熱することで硬化物試験片を作成した。硬化物試験片を作成したのち、NETZCH社製レーザーフラッシュ法熱定数測定装置LFA447を用いて熱拡散率を測定し比熱と比重から熱伝導率を算出した。
(体積抵抗率)
各実施例1~4および比較例1~3における銀含有ペーストを、基板上に、厚さ0.1mm×幅4mm×長さ50mmに塗布し、30℃から200℃まで60分間かけて昇温し、続けて200℃で120分間加熱した。次いで、測定端子を基板上下端に当て抵抗値を測定した。測定長さは40mmとした。その後、測定された抵抗値を体積抵抗率に換算した。
(貯蔵弾性率)
各実施例1~4および比較例1~3における銀含有ペーストを約0.1mm×約10mm×約4mmの型に塗布し、30℃から200℃まで60分間かけて昇温し、続けて200℃で120分間加熱することで評価用の短冊状サンプルを得た。このサンプルを用いて25℃における貯蔵弾性率(E')を、DMA(動的粘弾性測定、SII Nanotechnology社製 DMS6100、引張モード)により昇温速度5℃/min、周波数1Hzの条件で測定した。
(粘度)
各実施例1~4および比較例1~3における銀含有ペーストについて、BF型粘度計(BROOKFIELD ENGINEERING社製、型式DV3T)を用いて、室温25℃における粘度を、銀含有ペーストの作製直後に測定した。このときの測定順序としては、せん断速度0.5rpm、次いでせん断速度5rpmの順で測定を行った。粘度の単位はPa・sである。
(密着性)
密着性の指標として、以下の方法でダイシェア強度を測定した。
各実施例1~4および比較例1~3における銀含有ペーストを銅基板上に塗布してその上に表面金めっきの7mm×7mm×0.35mmのシリコンチップをペースト厚みが15μmになるよう搭載した。その後、30℃から200℃まで60分間かけて昇温し、続けて200℃で120分間熱処理した。以上により銀含有ペーストを硬化させ、また、シリコンチップを基板に接合した。
その後、上記測定サンプルを60℃・湿度60%の恒温恒湿槽にて48時間処理し、ダイシェアテスター(ノードソン・アドバンスド・テクノロジー株式会社製、DAGE-4000型)を用いて、試験速度:500μm/秒の条件で、260℃にてダイシェア強度(N/mm)を測定した。
Figure 0007201139000001
実施例1~4では銅板とのダイシェア強度が比較例1~3と比較して特異的に高くなっていることから、実施例1~4の銀含有ペーストはリードフレームおよびチップ間の密着力に優れた銀含有ペーストであった。
この出願は、2021年5月14日に出願された日本出願特願2021-082513号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

Claims (11)

  1. 銀含有粒子と、
    シアナミド誘導体と、
    溶剤と、
    (A)分子内に2以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、および(B)分子内に2以上の重合性二重結合を含む(メタ)アクリル化合物のうち、少なくとも一方または両方からなる多官能化合物と、
    を含み、
    以下<測定方法>に従って測定したダイシェア強度が1.5N/mm以上100N/mm以下である、銀含有ペースト。
    <測定方法>
    銀含有ペーストを銅基板上に塗布して塗膜を形成し、その塗膜の上に表面金めっきの7×7mmのシリコンチップを載せる。その後、30℃から200℃まで60分間かけて昇温し、続けて200℃で120分間熱処理する。以上により銀含有ペーストを硬化させ、また、シリコンチップを基板に接合し、これを測定サンプルとする。
    その後、上記測定サンプルを60℃・湿度60%の恒温恒湿槽にて48時間処理し、ダイシェアテスター(ノードソン・アドバンスド・テクノロジー株式会社製、DAGE-4000型)を用いて、260℃にてダイシェア強度(N/mm2)を測定する。
  2. 銀含有粒子と、
    シアナミド誘導体と、
    溶剤と、
    (A)分子内に2以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、および(B)分子内に2以上の重合性二重結合を含む(メタ)アクリル化合物のうち、少なくとも一方または両方からなる多官能化合物と、
    を含む銀含有ペーストであって
    当該銀含有ペーストを、BF型粘度計を用いて、温度:25℃、せん断速度:5rpmで撹拌しながら測定した際の5rpm粘度ηが5Pa・s以上40Pa・s以下である、銀含有ペースト。
  3. 銀含有粒子と、
    シアナミド誘導体と、
    溶剤と、
    (A)分子内に2以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、および(B)分子内に2以上の重合性二重結合を含む(メタ)アクリル化合物のうち、少なくとも一方または両方からなる多官能化合物と、
    を含む銀含有ペーストであって
    当該銀含有ペーストにおいて、以下式(1)で表される、BF型粘度計を用いて、温度:25℃、せん断速度:0.5rpmで撹拌しながら測定した際の0.5rpm粘度η0.5と、BF型粘度計を用いて、温度:25℃、せん断速度:5rpmで撹拌しながら測定した際の5rpm粘度ηの粘度比が2以上10以下である、銀含有ペースト。
    粘度比=η0.5/η (1)
  4. 銀含有粒子と、
    シアナミド誘導体と、
    溶剤と、
    (A)分子内に2以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、および(B)分子内に2以上の重合性二重結合を含む(メタ)アクリル化合物のうち、少なくとも一方または両方からなる多官能化合物と、
    を含み、
    動的粘弾性測定装置を用い、周波数:1Hz、温度:25℃で測定した貯蔵弾性率が2000MPa以上20000MPa以下である、銀含有ペースト。
  5. 請求項1~4のいずれか1項に記載の銀含有ペーストであって、
    前記シアナミド誘導体は、ジシアンジアミド、グアニジン、グアニジン塩、メラミンおよびジシアンジアミジンから選択される1種または2種以上を含む、銀含有ペースト。
  6. 請求項1~4のいずれか1項に記載の銀含有ペーストであって、
    前記シアナミド誘導体の含有量が前記多官能化合物の含有量を100質量部としたときに0.01質量部以上3質量部以下である、銀含有ペースト。
  7. 請求項1~4のいずれか1項に記載の銀含有ペーストであって、
    前記(A)分子内に2以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物がビスフェノールA型エポキシ化合物およびビスフェノールF型エポキシ化合物から選択される1種またはその両方を含む、銀含有ペースト。
  8. 請求項1~4のいずれか1項に記載の銀含有ペーストであって、
    さらに硬化剤を含み、
    前記硬化剤が、ビスフェノール樹脂を含む、銀含有ペースト。
  9. 請求項1~4のいずれか1項に記載の銀含有ペーストであって、
    前記銀含有粒子が、160℃以上260℃以下の温度で焼結を起こす銀含有粒子である、銀含有ペースト。
  10. 請求項1~4のいずれか1項に記載の銀含有ペーストであって、
    当該銀含有ペーストを、BF型粘度計を用いて、温度:25℃、せん断速度:0.5rpmで撹拌しながら測定した際の0.5rpm粘度η0.5が20Pa・s以上300Pa・s以下である、銀含有ペースト。
  11. 請求項1~4のいずれか1項に記載の銀含有ペーストであって、
    レーザーフラッシュ法によって測定した熱伝導率が10W/mK以上200W/mK以下である、銀含有ペースト。
JP2022560161A 2021-05-14 2022-05-11 銀含有ペースト Active JP7201139B1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021082513 2021-05-14
JP2021082513 2021-05-14
PCT/JP2022/019958 WO2022239806A1 (ja) 2021-05-14 2022-05-11 銀含有ペースト

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2022239806A1 JPWO2022239806A1 (ja) 2022-11-17
JP7201139B1 true JP7201139B1 (ja) 2023-01-10
JPWO2022239806A5 JPWO2022239806A5 (ja) 2023-04-19

Family

ID=84029671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022560161A Active JP7201139B1 (ja) 2021-05-14 2022-05-11 銀含有ペースト

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7201139B1 (ja)
KR (1) KR20230165351A (ja)
CN (1) CN117321757A (ja)
TW (1) TW202302802A (ja)
WO (1) WO2022239806A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009133897A1 (ja) * 2008-04-30 2009-11-05 日立化成工業株式会社 接続材料及び半導体装置
JP2016129101A (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 日立化成株式会社 複合粒子及びその製造方法、導電性ペースト、焼結体、並びに半導体装置
JP2016219600A (ja) * 2015-05-20 2016-12-22 京セラ株式会社 半導体用ダイアタッチペースト及び半導体装置
WO2018034234A1 (ja) * 2016-08-19 2018-02-22 住友ベークライト株式会社 ダイアタッチペーストおよび半導体装置
JP2019056104A (ja) * 2017-09-20 2019-04-11 矢崎総業株式会社 導電性組成物及びそれを用いた配線板

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6950175B2 (ja) 2016-12-08 2021-10-13 住友ベークライト株式会社 ペースト状接着剤組成物および電子装置
JP6502606B1 (ja) 2018-04-19 2019-04-17 ニホンハンダ株式会社 ペースト状銀粒子組成物、接合方法および電子装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009133897A1 (ja) * 2008-04-30 2009-11-05 日立化成工業株式会社 接続材料及び半導体装置
JP2016129101A (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 日立化成株式会社 複合粒子及びその製造方法、導電性ペースト、焼結体、並びに半導体装置
JP2016219600A (ja) * 2015-05-20 2016-12-22 京セラ株式会社 半導体用ダイアタッチペースト及び半導体装置
WO2018034234A1 (ja) * 2016-08-19 2018-02-22 住友ベークライト株式会社 ダイアタッチペーストおよび半導体装置
JP2019056104A (ja) * 2017-09-20 2019-04-11 矢崎総業株式会社 導電性組成物及びそれを用いた配線板

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022239806A1 (ja) 2022-11-17
JPWO2022239806A1 (ja) 2022-11-17
TW202302802A (zh) 2023-01-16
CN117321757A (zh) 2023-12-29
KR20230165351A (ko) 2023-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6260722B2 (ja) ペースト状接着剤組成物、半導体装置、半導体装置の製造方法、および放熱板の接着方法
JP6747000B2 (ja) ペースト状接着剤組成物、半導体装置、半導体装置の製造方法および放熱板の接着方法
JP4935592B2 (ja) 熱硬化型導電性ペースト
JP6164256B2 (ja) 熱伝導性組成物、半導体装置、半導体装置の製造方法、および放熱板の接着方法
JP2022069401A (ja) ペースト状組成物、高熱伝導性材料、および半導体装置
JP6950175B2 (ja) ペースト状接着剤組成物および電子装置
JP7201139B1 (ja) 銀含有ペースト
JP6772801B2 (ja) ペースト状接着剤組成物および電子装置
JP2022018051A (ja) ペースト状樹脂組成物、高熱伝導性材料、および半導体装置
JP6933281B2 (ja) ペースト状接着剤組成物、半導体装置、半導体装置の製造方法および放熱板の接着方法
JP6973589B2 (ja) ペースト状接着剤組成物および電子装置
WO2023276690A1 (ja) 導電性樹脂組成物、高熱伝導性材料および半導体装置
JP3608908B2 (ja) 半導体用樹脂ペースト
JP7392876B2 (ja) 銀含有ペーストおよび接合体
JP2501258B2 (ja) 絶縁樹脂ペ―スト
WO2021153405A1 (ja) ペースト状樹脂組成物、高熱伝導性材料、および半導体装置
JP2022049009A (ja) ペースト状重合性組成物、高熱伝導性材料
TW202328380A (zh) 糊狀樹脂組成物、高導熱性材料及半導體裝置
JP2022083624A (ja) 銀含有ペースト、接合体の製造方法
CN117757398A (zh) 一种填缝银胶及其制备方法和应用
JP2018170381A (ja) ペースト状接着剤組成物および電子装置
JP2000143776A (ja) 導電性ペースト

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220930

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220930

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20220930

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221101

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221108

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221122

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221205

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7201139

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151