JP7189926B2 - 積層体及び積層体の製造方法 - Google Patents
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特許文献1は、同軸コネクタの端子と超電導素子の電極とを比較的低い温度で接合し得る同軸コネクタ及びその製造方法並びにその同軸コネクタを用いた超伝導装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
その解決手段として、同軸ケーブルに接続される同軸コネクタであって、中心導体である端子の表面に、Inと共晶反応を生じる金属材料より成る表面被覆層が形成されている。同軸コネクタの端子の表面に、Inと共晶反応を生じる金属材料より成る表面被覆層が形成されているため、同軸コネクタの端子と超伝導素子の電極超伝導とをIn系はんだより成るはんだ層により比較的低い温度で接合することができる。このため、前記超伝導フィルタの超伝導体膜の内部から酸素が放出されるのを抑制することができ、臨界温度T C の低下を抑制することができる。
特許文献2は、放熱部品を製造するプロセスの一部に650℃以上の温度に加熱するプロセスが含まれる場に、製造後の放熱部品に十分な強度と放熱性能を持たせることができる銅合金板の提供を課題とする。
その解決手段として、Ni:0.2~0.95質量%及びFe:0.05~0.8質量%と、P:0.03~0.2質量%を含有し、Ni及びFeの合計含有量を[Ni+Fe]とし、Pの含有量を[P]としたとき、[Ni+Fe]が0.25~1.0質量%、かつ[Ni+Fe]/[P]が2~10であり、残部がCu及び不可避不純物からなる銅合金板を提供する。この銅合金板は、0.2%耐力が100MPa以上で優れた曲げ加工性を有し、850℃で30分加熱後水冷し、次いで500℃で2時間加熱する時効処理をした後の0.2%耐力が120MPa以上、導電率が40%IACS以上である。
以下に実施例と比較例を列挙し、本発明について更に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
得られたインジウム亜鉛合金接合材料を2つ銅製の均熱板筐体の間の接合位置に配置し、300℃の温度且つ0.3MPaの圧力の条件下で2時間の接合工程を行い、実施例1~実施例6及び比較例1~比較例4の積層体を得た。
JEOL社製の電界放出走査型電子顕微鏡を用い、実施例3、実施例5、比較例3、比較例4に対し接合層の画像分析及びエネルギー分散型X線分光(EDS)成分分析を行った。結果を表2、表3、図5~図8に示す。
図5は、実施例3の接合層の電子顕微鏡写真である。図6は、実施例5の接合層の電子顕微鏡写真である。図5、図6から分かるように、実施例の接合層は均質構造であり、即ち接合層の内部には単一の金属間化合物のみを含む。
図7は、比較例3の接合層の電子顕微鏡写真である。図8は、比較例4の接合層の電子顕微鏡写真である。図7、図8から分かるように、比較例の接合層は不均質構造であり、即ち単一の金属間化合物を形成できない。
示差走査熱量計(DSC)を用いて、得られた接合材料の融点を測定し、インストロン社製の5トン静的材料試験機を用いて、接合後のせん断応力を測定し、ASTM E8標準の方法で試験した。結果を表4に示す。
接合後のせん断応力の強度について、表4から分かるように、インジウムに0.2重量%の亜鉛を加える(実施例1)とせん断応力の強度を大幅に高めることができ、インジウムに0.5重量%の亜鉛を加えた(実施例2)とき、せん断応力の強度は更に高まる。亜鉛含有量が1重量%(実施例3)~3.9重量%(実施例5)のとき、せん断応力の強度はやや下がるが、接合材料が純粋なインジウムのときのせん断応力に比べやはり高い。亜鉛含有量が4.8重量%(実施例6)のとき、せん断応力の強度は再度増加する。しかし、亜鉛含有量を継続して増加させた場合(比較例2)、接合材料の融点は200℃以上に達し、このときの接合材料は短時間の低温接合工程に用いるのは適さない。
また、接合材料が純粋なスズである(比較例3)のときの融点は高すぎ、接合材料と均熱板筐体は完全に反応して単一の金属間化合物を形成することができず、このためせん断応力の強度が非常に低い。このほか、インジウムに48重量%のスズを加える(比較例4)ことにより接合材料の融点を大幅に下げることができるが、やはり単一の金属間化合物を形成することができず、このためせん断応力の強度は非常に低い。
接合条件を表5に示された数値に設定し、実施例2の接合材料の組成で実施例7~実施例10の積層体を製造し、せん断応力の強度の分析を行った。
筐体材料及び接合時間を表6のように設定し、実施例2の接合材料の組成で実施例11~実施例16の積層体を製造し、せん断応力の強度の分析を行った。
1a:一時的な積層体
10:第1の層
12:第2の層
14:接合層
16:接合材料
16a:溶融層
Claims (10)
- 第1の層と、
第2の層と、
前記第1の層と前記第2の層との間に設けられた、接合層と
を含み、
前記第1の層と前記第2の層が50重量%以上の銅を含み、
前記接合層が、インジウム及び亜鉛と前記第1の層及び前記第2の層とで形成された金属間化合物を含み、
前記接合層の亜鉛含有量が0.50重量%~3.61重量%である、
積層体。 - 前記接合層がM 2 (In-xZn) 1 で表される金属化合物を含み、そのうちMが銅、xが0.50重量%~3.61重量%である、
請求項1に記載の積層体。 - 前記接合層が均質構造である、
請求項1又は2に記載の積層体。 - 前記接合層の厚さが80μm以下である、
請求項1~3のいずれか1項に記載の積層体。 - 前記接合層の融点が300℃~700℃である、
請求項1~4のいずれか1項に記載の積層体。 - 放熱部品である、
請求項1~5のいずれか1項に記載の積層体。 - 前記第1の層と前記接合層と前記第2の層の厚さの合計が0.4mm以下である、
請求項1~6のいずれか1項に記載の積層体。 - インジウムと亜鉛とを含み、亜鉛含有量が0.1重量%以上4.8重量%以下である、接合材料を提供することと、
前記接合材料を第1の層と第2の層との間に設けることと、
接合温度が200℃~500℃の接合工程を行うことと
を含み、
前記接合工程において、接合圧力が0.1MPa~1MPaであり、接合時間が1時間~3時間である、
積層体の製造方法。 - 前記接合工程を行った後、前記接合材料と前記第1の層及び前記第2の層とが接合層を形成する、
請求項8に記載の積層体の製造方法。 - 前記接合層がM 2 (In-xZn) 1 で表される金属化合物を含み、そのうちMが銅、xが0.50重量%~3.61重量%である、
請求項9に記載の積層体の製造方法。
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