JP7189364B2 - ガス判定装置、ガス判定方法及びガス判定システム - Google Patents
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Description
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、ガスの種類を判定することができるガス判定装置、ガス判定方法及びガス判定システムを提供することにある。
上記制御部は、上記ゲート電極に印加する電圧を制御する。
上記取得部は、第1の電圧が印加された上記ゲート電極に、上記第1の電圧と上記第1の電圧とは異なる第2の電圧との範囲で電圧が変化する掃引電圧を印加したときの上記ソース電極と上記ドレイン電極の間に流れる第1の電流の変化を取得し、上記第2の電圧が印加された上記ゲート電極に、上記第1の電圧と上記第2の電圧との範囲で電圧が変化する掃引電圧を印加したときの上記ソース電極と上記ドレイン電極の間に流れる第2の電流の変化を取得する。
上記判定部は、上記掃引電圧に対する上記第1の電流の変化の測定結果と、上記掃引電圧に対する上記第2の電流の変化の測定結果に基づいて、上記グラフェン層に吸着されたガスの種類又は濃度を判定する。
上記グラフェン層にガスを供給し、
上記ゲート電極に第1の電圧を所定時間印加し、
上記ゲート電極に、上記第1の電圧と、上記第1の電圧とは異なる第2の電圧との範囲で電圧が変化する掃引電圧を印加したときの上記ソース電極と上記ドレイン電極の間に流れる第1の電流の変化を測定し、
上記ゲート電極に前記第2の電圧を所定時間印加し、
上記ゲート電極に上記掃引電圧を印加したときの上記ソース電極と上記ドレイン電極の間に流れる第2の電流の変化を測定し、
上記掃引電圧に対する上記第1の電流の変化の測定結果と、上記掃引電圧に対する上記第2の電流の変化の測定結果に基づいて、上記ガスの種類又は濃度を判定する。
上記第1の電圧は負の電圧であり、上記第2の電圧は正の電圧であってもよい。
上記第1の電圧及び上記第2の電圧は、絶対値が等しい電圧であってもよい。
上記センサを加熱した状態で上記ゲート電極への電圧印加を行ってもよい。
上記センサは、ゲート電極と、上記ゲート電極上に形成された絶縁膜と、上記絶縁膜上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、上記絶縁膜上に形成され上記ソース電極と上記ドレイン電極との間を接続するグラフェン層と、を有する電界効果トランジスタ構造を備える。
上記情報処理装置は、上記センサの電極に印加する電圧を制御する制御部と、上記ソース電極と上記ドレイン電極との間に流れる電流の測定結果に基づいて上記グラフェン層に吸着するガスを判定する判定部と、を備える。
上記判定部は、上記グラフェン層にガスを供給した上記センサの上記ゲート電極に第1の電圧を所定時間印加した後、上記ゲート電極に、上記第1の電圧と、上記第1の電圧とは異なる第2の電圧との範囲で電圧が変化する掃引電圧を印加したときの上記ソース電極と上記ドレイン電極の間に流れる第1の電流の変化の測定結果と、上記ゲート電極に上記第2の電圧を所定時間印加した後、上記ゲート電極に上記掃引電圧を印加したときの上記ソース電極と上記ドレイン電極の間に流れる第2の電流の変化の測定結果に基づいて、上記ガスの種類又は濃度を判定する。
[ガス判定システムの概要]
図1はガス判定システムの構成を示す模式図である。図2は、ガス判定システムの一部を構成するセンサ10の構成を示す模式図である。
センサ装置2は、収容室20と、センサ10と、UV(紫外線)光源23と、加熱部26と、を備える。
加熱部26は、例えばヒータであり、センサ10を加熱する。
ゲート電極13は、高ドープの導電性シリコンからなる。ゲート電極13は、例えば表面がシリコン酸化膜で絶縁処理されたSi基板(図示略)の表面全域を被覆するように形成される。
絶縁膜14は、ゲート電極13上に形成される。絶縁膜14は、例えばSiO2から構成される。
グラフェン層15は、絶縁膜14上に、例えば平面視で矩形にパターン形成され、絶縁膜14を介してゲート電極13と対向配置される。グラフェン層15は、ゲート電極13の表面の領域内に、絶縁膜14を挟んでゲート電極13と重なるように配置される。グラフェン層15は、図2において左右方向に長手の矩形状に形成される。本実施形態では、グラフェン層は単層で構成される。グラフェン層15は、ソース電極11とドレイン電極12との間を接続し、ソース電極11及びドレイン電極12に挟まれた領域で、ガスを吸着する。
ソース電極11及びドレイン電極12は、グラフェン層15と電気的に接続される。ソース電極11及びドレイン電極12は、絶縁膜14上に、グラフェン層15の長手方向の両端部を被覆するように積層される。ソース電極11及びドレイン電極12は例えばCr膜とAu膜の積層構造で構成される。ソース電極11及びドレイン電極12は、グラフェン層15を介して図2において左右方向に対向配置される。
なお、ゲート電極13と接続されるゲート取り出し電極は、前記絶縁膜14に形成されたコンタクト孔を介して、絶縁膜14の上に形成される。ゲート電極13自体を金属板にすれば、シリコン基板およびその上の絶縁膜は、省略でき、ゲート電極をその裏面より引き出すことができる。
図2に示すように、取得部41は、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流の変化情報を取得する。以下、ソース電極とドレイン電極との間を流れる電流をドレイン電流と称する場合がある。
図1に戻って、判定部42は、取得部41で取得される電流変化情報を用いて、ガスの種類を判定する。具体的には、情報処理装置4は、予め異なる種類の複数のガス毎の電流変化情報を取得し、記憶部6に記憶しておく。判定部42は記憶部6に記憶されている電流変化情報を参照して、センサ10で検知したガスの種類を識別し判定する。また、判定部42により、ガス濃度を判定することもできる。詳細については、後述する。
出力部43は、取得部41で取得される電流変化情報、判定部42により判定されたガスの種類や濃度といった判定結果を表示装置5へ出力する。
図2に示すように、制御部44は、センサ10のゲート電極13に印加する電圧を制御する。
記憶部6は、ガス判定システム1で検出された異なる種類の複数の既知のガス毎の電流変化情報を予め取得し、参照データとして記憶する。記憶部6は、情報処理装置4が通信可能なクラウドサーバ上にあってもよいし、情報処理装置4が備えていてもよい。
センサ10はグラフェン層15をチャネルとした電界効果トランジスタである。
図3(A)、(B)は、ゲート電極13に印加する電圧によって状態変化するグラフェン層15及びグラフェン層15に吸着するガスの一例としてのCO2の電荷状態を説明するグラフェン層15付近の部分拡大模式図である。
図3(B)は、ゲート電極13に第2の電圧としての第2のチューニング電圧VT2を所定時間印加したときを示す。本実施形態では、第2のチューニング電圧は所定時間において一定の電圧であり、40Vである。第2のチューニング電圧VT2の値は40Vに限定されることはなく、第2のチューニング電圧VT2を印加することによって、グラフェン層15に正電荷が供給され、グラフェン層15が伝導帯を有するような電圧値であればよい。
尚、本実施形態では、第1及び第2のチューニング電圧を一定電圧とし、図10に示すように矩形波状に電圧が変化する例をあげたが、これに限定されない。例えば、電圧の立ち上がりや立下りがなまる、電圧値が若干勾配して変化するなど、所定時間内で電圧値が若干変動してもよく、印加によりグラフェン層15が価電子帯又は伝導帯を有するような電圧値であればよい。
これに対して、本実施形態では、第1のチューニング電圧、第2のチューニング電圧をゲート電極に印加することで、グラフェン層の近傍に来たガス分子は、図3上、矢印で示された電界によってグラフェン層表面に導かれ、ガス吸着が加速される。
更に、本実施形態では、図3に示すように、第1のチューニング電圧及び第2のチューニング電圧をそれぞれ印加することにより、グラフェン層表面近傍の電界の向きを異ならせ、グラフェン層へのガス分子の結合状態を変化させることができる。
また、グラフェン層15が価電子帯と伝導帯の間を切り替わるのを確認するために、第1のチューニング電圧VT1及び第2のチューニング電圧VT2は、負側、正側の両側で電圧を振ることが好ましい。更に、負側、正側の電圧の絶対値が同じとなるように電圧を振ることがより好ましい。
また、第1のチューニング電圧VT1及び第2のチューニング電圧VT2それぞれの印加時間は数秒~数分である。
ゲート電極13に印加される電圧は、制御部44によって制御される。
掃引電圧は、第1のチューニング電圧と、第1のチューニング電圧とは異なる第2のチューニング電圧との範囲で電圧が増減して変化する。本実施形態では、1分程度で-40Vから40Vにリニアに電圧が変化する掃引電圧を用いており、掃引電圧は正負両側に変化する電圧となっている。
図5に示す実線の曲線51は、第1の電流Id1の変化特性を示す。得られる曲線51において、第1の電流Id1が最小値となるときの点を第1の電荷中性点31と称する。第1の電流Id1が最小値となるときのゲート電圧値を第1のゲート電圧と称する。
上述したように、第1のチューニング電圧VT1をゲート電極13に印加することにより、グラフェン層15は価電子帯を有する。これにより、ガスはグラフェン層15に十分引き付けられ、ガスはドナーとなる。
図5に示す線長が長い破線の曲線52は、第2の電流Id2の変化特性を示す。得られる曲線52において、第2の電流Id2が最小値となるときの点を第2の電荷中性点32と称する。第2の電流Id2が最小値となるときのゲート電圧値を第2のゲート電圧と称する。
図5において、VCNPは電荷中性点(Charge neutrality point)をとるときのゲート電圧値を示し、ΔVCNPは第1のゲート電圧と第2のゲート電圧との差分を示す。
例えば、本実施形態では、複数の既知のガスのバンドデータを予め取得して記憶部6に格納しておく。そして、記憶部6に格納されているデータを参照することにより、未知のガスで求めたバンドデータからガスの種類を判定することができる。
このように、-40V及び40Vの2値のチューニング電圧印加後の掃引電圧に対応するドレイン電流の変化特性をデータとして取得することにより、ガスの種類の判定が可能となる。
図7は、ガスの濃度を振って、第1のチューニング電圧印加後に掃引電圧を印加して得られる第1の電荷中性点31における第1のゲート電圧と、第2のチューニング電圧印加後に掃引電圧を印加して得られる第2の電荷中性点32における第2のゲート電圧を測定した結果を示す図である。図中、棒グラフは中心点30におけるゲート電圧値を示す。縦方向に延びる直線は、第1のゲート電圧から第2のゲート電圧までのバンドを示す。
図7(A)はガスとしてアセトンを用いた場合、図7(B)はアンモニアを用いた場合を示し、1~200ppmの範囲で濃度を振った結果を示す。
例えば、本実施形態では、濃度の異なる既知のガスのバンドのデータを予め取得し記憶部6に格納しておく。そして、記憶部6のデータを参照することにより、未知のガスで求めたバンドのデータからガスの濃度を判定することができる。
図8~図10を用いて、ガス判定システム1におけるガス判定方法について説明する。
図8は、ガス判定システム1におけるガス判定のための概略手順を説明するフロー図である。
図9は、情報処理装置44におけるガス判定方法を説明するフロー図である。
図10は、ゲート電極に印加する第1のチューニング電圧VT1、第2のチューニング電圧VT2、掃引電圧の信号波形を示す図である。図10に示すように、第1のチューニング電圧VT1及び第2のチューニング電圧VT2は、時間に対してステップ関数となっている。
収容室20内を減圧雰囲気にすることで、吸着ガスが脱離するため、大気圧雰囲気と比較して、ガス供給前におけるセンサ10の電荷中性点(CNP)が0付近に近づく。電荷中性点が0にならない場合、加熱部26によりセンサ10を加熱して脱ガス処理を行ってもよい。
UV照射を行うことによりガスが効率よくグラフェン層に吸着される。これは、UV照射することにより、グラフェン層の表面からO2、H2O等が除去される(クリーニング効果)とともに、グラフェン層の表面上でのガス分子の吸着と光励起脱着との間の動的平衡が導かれてグラフェン層のガスの有効利用な吸着サイトが増加するため、及び、吸着分子の状態変化(イオン化など)により吸着が加速されるため、と考えられる。
UV照射及び加熱を行うことにより、第1のチューニング電圧VT1印加後に掃引電圧を印加して得られる、掃引電圧に対する第1の電流Id1の変化を示す曲線51と、第2のチューニング電圧VT2印加後に掃引電圧を印加して得られる、掃引電圧に対する第2の電流Id2の変化を示す曲線52とがより明確に識別可能となる。詳細については後述する。
ソース電極11とドレイン電極12との間に印加する電圧は、出力の線形領域を用いる。ソース電極11とドレイン電極12との間に印加する電圧は高すぎても低すぎてもノイズが発生するため、ノイズの発生が抑制される5~10mVとすることが好ましい。
これにより、グラフェン層15は価電子帯を有し、ガスはグラフェン層15に十分に引き付けられ、ガスはドナーとして機能する。
第1のチューニング電圧VT1の印加時間は、絶縁膜14の厚み等によって適宜設定される。本実施形態においては、好ましくは5s(秒)以上、更に好ましくは30s以上、そして、好ましくは120s以下、更に好ましくは60s以下であり、グラフェン層15が価電子帯を有するのに十分な時間であればよい。また、印加時間は、センサ10の加熱温度等によって適宜好ましい値を設定することができる。
掃引電圧に対する第1の電流Id1の測定結果は取得部41により取得される。
これにより、グラフェン層15は伝導帯を有し、ガスはグラフェン層15に十分に引き付けられ、ガスはアクセプタとして機能する。第2のチューニング電圧印加後のグラフェン層15とガスとの結合状態は、第1のチューニング電圧印加後のグラフェン層15とガスとの結合状態と異なっている。
第2のチューニング電圧VT2の印加時間は、絶縁膜14の厚み等によって適宜設定される。本実施形態においては、好ましくは5s(秒)以上、更に好ましくは30s以上、そして、好ましくは120s以下、更に好ましくは60s以下であり、グラフェン層15が伝導帯を有するのに十分な時間であればよい。また、印加時間は、センサ10の加熱温度等によって適宜好ましい値を設定することができる。
掃引電圧に対する第2の電流Id2の測定結果は取得部41により取得される。
本実施形態では、S42の第1の電流Id1の測定後に、第1の電流Id1が最小値となる第1のゲート電圧Vg1を決定するステップを設けているが、このステップを、S46の第2の電流Id2が最小値となる第2のゲート電圧Vg2を決定するステップのときに行ってもよい。
図11(B)はUV光照射、加熱なしでガス判定を行った場合の掃引電圧に対するソース電極とドレイン電極との間に流れる電流の変化特性を示す実験結果である。
図11(C)はUV光照射、加熱ありでガス判定を行った場合の掃引電圧に対するソース電極とドレイン電極との間に流れる電流の変化特性を示す実験結果である。
そして、図11(C)に示すように、UV照射及び加熱をすることにより、更に第1のゲート電圧と第2のゲート電圧の横軸方向における差分を大きくとることができ、第1のゲート電圧から第2のゲート電圧までの範囲を示すバンドをより明瞭なものとすることができる。これにより、ガスの種類の判定精度をより向上させることができる。
グラフェン層15の両端部は、ゲート電極13上の絶縁膜14とソース電極11の第1の領域111との間、および、絶縁膜14とドレイン電極12の第1の領域121との間にそれぞれ埋め込まれるように配置される。ソース電極11の第1の領域111とドレイン電極12の第1の領域121との間の対向距離Lは、例えば、200nmである。この場合、厚みの小さい第1の領域111,121でグラフェン層15の両端部を被覆するようにソース電極11およびドレイン電極12をそれぞれ形成することによって、ソース電極11とドレイン電極12との間の寸法管理が容易となり、これにより両電極11,12間に位置するグラフェン層15の寸法精度を向上させることができる。
4…情報処理装置(ガス判定装置)
10…センサ
11…ソース電極
12…ドレイン電極
13…ゲート電極
14…絶縁膜
15…グラフェン層
42…判定部
44…制御部
Claims (14)
- 第1の電極と、
前記第1の電極上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第2の電極及び第3の電極と、
前記絶縁膜上に形成され前記第2の電極と前記第3の電極との間を電気的に接続するグラフェン層と
を有するセンサと、
前記第1の電極に印加する電圧を制御する制御部と、
第1の電圧が印加された前記第1の電極に、所定の範囲で電圧が変化する掃引電圧を印加したときの前記第2の電極と前記第3の電極の間における第1の電流の変化を取得し、前記第1の電圧とは異なる第2の電圧が印加された前記第1の電極に、所定の範囲で電圧が変化する掃引電圧を印加したときの前記第2の電極と前記第3の電極の間における第2の電流の変化を取得する取得部と、
前記掃引電圧に対する前記第1の電流の変化の測定結果と、前記掃引電圧に対する前記第2の電流の変化の測定結果に基づいて、前記グラフェン層に吸着されたガスの種類又は濃度を判定する判定部と
を具備するガス判定装置。 - 請求項1に記載のガス判定装置であって、
前記判定部は、
前記第1の電流の変化において電流値が最小となるときの前記第1の電極に印加された電圧値である第1の印加電圧を決定し、
前記第2の電流の変化において電流値が最小となるときの前記第1の電極に印加された電圧値である第2の印加電圧を決定し、
前記第1の印加電圧及び前記第2の印加電圧に基づいて、前記ガスを判定する
ガス判定装置。 - 請求項1又は請求項2に記載のガス判定装置であって、
前記制御部は、前記第1の電圧及び前記第2の電圧として、それぞれ、所定時間において一定の電圧を前記第1の電極に印加する
ガス判定装置。 - 請求項1~請求項3のいずれか1つに記載のガス判定装置であって、
前記制御部は、前記第1の電圧として負の電圧を前記第1の電極に印加し、前記第2の電圧として正の電圧を前記第1の電極に印加する
ガス判定装置。 - 請求項4に記載のガス判定装置であって、
前記制御部は、前記第1の電圧及び前記第2の電圧として、絶対値が等しい電圧を前記第1の電極に印加する
ガス判定装置。 - 請求項1~請求項5のいずれか1項に記載のガス判定装置であって、
前記取得部で取得された電流変化情報および前記判定部で判定されたガスの種類又は濃度に関する情報を表示装置へ出力する出力部をさらに具備する
ガス判定装置。 - 第1の電極と、前記第1の電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された第2の電極及び第3の電極と、前記絶縁膜上に形成され前記第2の電極と前記第3の電極との間を電気的に接続するグラフェン層とを有するセンサを用いたガス判定方法であって、
前記グラフェン層にガスを供給し、
前記第1の電極に第1の電圧を所定時間印加し、
前記第1の電極に、所定の範囲で電圧が変化する掃引電圧を印加したときの前記第2の電極と前記第3の電極の間における第1の電流の変化を測定し、
前記第1の電極に前記第1の電圧とは異なる第2の電圧を所定時間印加し、
前記第1の電極に所定の範囲で電圧が変化する掃引電圧を印加したときの前記第2の電極と前記第3の電極の間における第2の電流の変化を測定し、
前記掃引電圧に対する前記第1の電流の変化の測定結果と、前記掃引電圧に対する前記第2の電流の変化の測定結果に基づいて、前記ガスの種類又は濃度を判定する
ガス判定方法。 - 請求項7に記載のガス判定方法であって、
前記ガスの種類又は濃度を判定する判定ステップでは、
前記第1の電流の変化において電流値が最小となるときの前記第1の電極に印加された電圧値である第1の印加電圧を決定し、
前記第2の電流の変化において電流値が最小となるときの前記第1の電極に印加された電圧値である第2の印加電圧を決定し、
前記第1の印加電圧及び前記第2の印加電圧に基づいて、前記ガスを判定する
ガス判定方法。 - 請求項7又は請求項8に記載のガス判定方法であって、
前記第1の電圧及び前記第2の電圧は、それぞれ、所定時間において一定の電圧である
ガス判定方法。 - 請求項7~請求項9のいずれか1項に記載のガス判定方法であって、
前記第1の電圧は負の電圧であり、前記第2の電圧は正の電圧である
ガス判定方法。 - 請求項10に記載のガス判定方法であって、
前記第1の電圧及び前記第2の電圧は、絶対値が等しい電圧である
ガス判定方法。 - 請求項7~請求項11のいずれか1項に記載のガス判定方法であって、
前記グラフェン層に前記ガスを供給した後であって、前記第1の電圧の印加前に、前記グラフェン層に紫外線を一定時間照射することを更に有する
ガス判定方法。 - 請求項7~請求項12のいずれか1項に記載のガス判定方法であって、
前記センサを加熱した状態で前記第1の電極への電圧印加を行う
ガス判定方法。 - 第1の電極と、前記第1の電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された第2の電極及び第3の電極と、前記絶縁膜上に形成され前記第2の電極と前記第3の電極との間を電気的に接続するグラフェン層とを有するセンサと、
前記センサの電極に印加する電圧を制御する制御部と、前記第2の電極と前記第3の電極との間における電流の測定結果に基づいて前記グラフェン層に吸着するガスを判定する判定部と、を備える情報処理装置と
を具備するガス判定システムであって、
前記判定部は、前記グラフェン層にガスを供給した前記センサの前記第1の電極に第1の電圧を所定時間印加した後、前記第1の電極に、所定の範囲で電圧が変化する掃引電圧を印加したときの前記第2の電極と前記第3の電極の間における第1の電流の変化の測定結果と、前記第1の電極に前記第1の電圧とは異なる第2の電圧を所定時間印加した後、前記第1の電極に所定の範囲で電圧が変化する掃引電圧を印加したときの前記第2の電極と前記第3の電極の間における第2の電流の変化の測定結果に基づいて、前記ガスの種類又は濃度を判定する
ガス判定システム。
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