JP7188625B1 - 水電解セル - Google Patents

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Abstract

【課題】発生したガスの排出を促進して水電解効率を高める。【解決手段】プロトン伝導型の電解質膜、電解質膜の一方の面に積層されるアノード触媒層、及び、電解質膜の他方の面に積層されるカソード触媒層を有する水電解セルであって、アノード触媒層及びカソード触媒層のうち少なくとも一方は、その面内方向で、触媒の密度が高い部分と、高い部分より触媒の密度が低い部分と、を備える。【選択図】図3

Description

本開示は水電解に用いられる水電解セルに関する。
特許文献1には、電極触媒層中における固体高分子電解質等の分布状態が調整された電極を得るための製造方法が開示されている。ここでは触媒と電解質成分を混合したインクをシート体に塗布・乾燥する工程と、この工程を2回繰り返すことにより2つの層を作製する工程と、これを電解質膜に転写する工程と、を含むことが記載されている。
特許文献2には、触媒電極を製造するための方法に関し、触媒インクを支持体上に堆積させ、凝固させたのちに電解質膜と接合して電極を製造することが開示されている。
特許文献3には、固体電解質膜2の両面に白金族金属をメッキし、その両側に多孔質給電体3を配し、各多孔質給電体3の外側に電極板4を配した電解セル1からなる固体電解質型水電解装置で、白金族金属としてIr又はRuを用い、60~120℃で水電解を行うことが開示されている。
特開2004-360076号公報 特表2015-506414号公報 特開2000-26986号公報
水電解では発生したガスを速やかに水電解セルから排出することが重要である。従来技術では、水電解により発生する酸素ガスの気泡が、一定程度の大きさに成長するまで触媒活性点の表面に付着して留まり、留まっている間は水電解能が低下するため、水電解に使うことができる見かけの触媒活性点数が減少して水電解性能が低下する問題がある。
そこで、上記問題に鑑み、本開示は発生したガスの排出を促進して水電解効率を高めることを目的とする。
本願は、プロトン伝導型の電解質膜、電解質膜の一方の面に積層されるアノード触媒層、及び、電解質膜の他方の面に積層されるカソード触媒層を有する水電解セルであって、アノード触媒層及びカソード触媒層のうち少なくとも一方は、その面内方向で、触媒の密度が高い部分と、高い部分より触媒の密度が低い部分と、を備える、水電解セルを開示する。
アノード触媒層がその面内方向で、触媒の密度が高い部分と、高い部分より触媒の密度が低い部分と、を備えるように構成してもよい。
触媒の密度が高い部分は、触媒の密度が低い部分よりも、触媒の密度が1.1倍以上高いように構成してもよい。
アノード触媒層の触媒は、酸化イリジウムを含んでもよい。
カソード触媒層の触媒は、白金担持カーボン及びアイオノマを含んでもよい。
本開示によれば、触媒層において、水が流れる方向に触媒密度が高い部位と低い部位とを有し、高い密度部位で発生したガスの気泡は周囲よりも多く集まることで早く大きくなり、脱離が促進されるとともに、脱離した気泡は、低い密度部位の触媒表面にある気泡を取り込むことで触媒活性点の回復を促進して反応中の見かけの活性点数が多くなるため、水電解性能が向上する。
図1は水電解セル10を平面視した図である。 図2は水電解セル10の水電解部10aにおける層構成を説明する概念図である。 図3はアノード触媒層12を説明する平面図である。 図4はアノード触媒層12を説明する断面図である。 図5はアノード触媒層12を作製する過程を説明する図である。 図6はアノード触媒層12を作製する過程を説明する図である。 図7はアノード触媒層12を作製する過程を説明する図である。 図8は実施例、比較例の結果を説明する図である。
1.水電解セルの構成
図1、図2に1つの形態にかかる水電解セル10を説明する図を示した。水電解セル10は純水を水素と酸素とに分解するための単位要素であり、このような水分解セル10が複数積層されて水電解スタックを構成している。図1は水電解セル10を平面視した図、図2は図1のAーA断面の一部であり水電解セル10のうち水電解が行われる部位である水電解部10aにおける層構成を説明する図である。
水電解セル10は複数の層からなり、固体高分子電解質膜11を挟んで一方が酸素発生極(アノード)、他方が水素発生極(カソード)となる。アノードは固体高分子電解質膜11側からアノード触媒層12、アノードガス拡散層13、アノードセパレータ14がこの順に積層されている。一方、カソードは固体高分子電解質膜11側からカソード触媒層15、カソードガス拡散層16、カソードセパレータ17をこの順に備えている。ここで、水電解膜電極接合体は、固体高分子電解質膜11、固体高分子電解質膜11のアノード側に配置されたアノード触媒層12、及び、固体高分子電解質膜11のカソード側に配置されたカソード触媒層15の積層体を意味する。水電解膜電極接合体の厚さは0.4mm程度が典型的であり、水電解部10aにおける水電解セル10の厚さは1.3mm程度が典型的である。
各層は例えば次の通りである。
1.1.固体高分子電解質膜
固体高分子電解質膜11はプロトン伝導性を有する膜の1つの態様である。本形態で固体高分子電解質膜11を構成する材料(電解質)は固体高分子材料であり、例えばフッ素系樹脂や炭化水素系樹脂材料等により形成されたプロトン伝導性のイオン交換膜が挙げられる。これは湿潤状態で良好なプロトン伝導性(電気伝導性)を示す。より具体的にはパーフルオロ系電解質であるナフィオン(Nafion、登録商標)による膜が挙げられる。
固体高分子電解質膜11の厚さは特に限定されることはないが、100μm以下、好ましくは50μm以下、より好ましくは30μm以下である。
1.2.アノード触媒層
アノード触媒層(酸素極触媒層)12は、Pt、Ru、Ir等の貴金属触媒及びその酸化物を少なくとも1つ以上含む触媒を有する層である。触媒としてより具体的には、Pt、イリジウム酸化物、ルテニウム酸化物、イリジウムルテニウム酸化物、又は、これらの混合物が挙げられる。
イリジウム酸化物としては、酸化イリジウム(IrO、IrO)、イリジウムスズ酸化物、イリジウムジルコニウム酸化物等が挙げられる。
ルテニウム酸化物としては、酸化ルテニウム(RuO、Ru)、ルテニウムタンタル酸化物、ルテニウムジルコニウム酸化物、ルテニウムチタン酸化物、ルテニウムチタンセリウム酸化物等が挙げられる。
イリジウムルテニウム酸化物としては、イリジウムルテニウムコバルト酸化物、イリジウムルテニウムスズ酸化物、イリジウムルテニウム鉄酸化物、イリジウムルテニウムニッケル酸化物等が挙げられる。
ここでアノード触媒層12にはアイオノマを含んでもよい。アイオノマを含むことにより塗工性向上を図る他、その親水性により水分解の際に供給される水の透過を円滑に行うことができる。含まれるアイオノマとしては固体高分子電解質膜に用いる電解質であるパーフルオロ系電解質を含むアイオノマを挙げることができる。
さらに本形態でアノード触媒層12は、その層面方向において触媒の密度に高低の分布を有する。図3、図4に説明のための図を示した。図3はアノード触媒層12を平面視した図であり、アノード触媒層12の層面が表れている。図4は図3のB-B断面図であり、アノード触媒層12の厚さ方向の断面が表れている。
本形態のアノード触媒層12は、上記したように触媒が含まれているが、触媒の密度が高い部位(高密度部位)が層面方向に分布している。例えば、図3、図4に示した例では符号12aで示した部位である高密度部位12a(図3において点線で囲まれた部位、繰り返しを避けるため符号は一部の高密度部位のみに付している。)が、アノード触媒層12の層面方向に分布している。そして符号12bで示した部位は高密度部位12aよりも触媒の密度が低い部位(低密度部位12b)となっている。
また、高密度部位12aはアノード触媒層12の厚さ方向にはその全部に亘っていることが好ましい。
高密度部位12aにおける触媒の密度と低密度部位12bにおける触媒の密度との違いは高密度部位12aで低密度部位12bよりも高ければよいので、高密度部位12aにおける触媒の密度が低密度部位12bにおける触媒の密度に対して1.0倍より大きければよい。より高い効果を得る観点から1.1倍以上が好ましく1.2倍以上がさらに好ましい。一方、上限は特に限定されることはないが、水及びガスの流動性を確保する観点から2倍以下であることが好ましい。
高密度部位12aの層面方向への分布は特に限定されることはないが、図3の視点でアノード触媒層12の面積に対する高密度部位12aが占める面積が5%以上80%以下であることが好ましい。これより低いと高密度部位12aの効果が小さくなる虞がある。またこれより大きいと水及び発生した酸素ガスの流動性が阻害される虞がある。より好ましくは10%以上60%以下であり、さらに好ましくは15%以上40%以下である。
また高密度部位12aの配置は特に限定されることはないが、アノード触媒層12の全体に亘って配置されていることが好ましい。その中でも図3に表れているように流れ方向に隣り合う高密度部位12aで幅方向(流れ方向に直交する方向)にずれるように互い違い(千鳥配列)となるように配置されることが好ましい。
1つの高密度部位12aの形状は特に限定されることはなく、本形態のように平面視で円形であってもよく、三角形、四角形、その他の多角形、楕円形や扇形でもよく、不定形であってもよい。
また1つの高密度部位12aの大きさも特に限定されることはない。例えば平面視で円形であれば直径5mm~30mm程度とすることができ、円形以外であれば、19mm~710mm程度とすることができる。
1.3.カソード触媒層
カソード触媒層15に含まれる触媒は、公知の触媒を用いることができ、例えば白金、白金被覆チタン、白金担持カーボン、パラジウム担持カーボン、コバルトグリオキシム、ニッケルグリオキシム等を挙げることができる。
ここでカソード触媒層15にはアイオノマを含んでもよい。アイオノマを含むことにより塗工性向上を図ることができる。含まれるアイオノマとしては固体高分子電解質膜に用いる電解質であるパーフルオロ系電解質からなるアイオノマを挙げることができる。
なお、カソード触媒層15でもアノード触媒層12で説明した高密度部位12a及び低密度部位12bに相当する部位を設けてもよい。これによれば水素ガスの生成及びその排出において、下記と同様の効果を奏するものとなる。
1.4.アノードガス拡散層
アノードガス拡散層13は、公知のものを用いることができるが、ガス透過性及び導電性を有する部材によって構成されている。具体的には金属繊維(例えばチタン繊維)または金属粒子(チタン粒子)などの焼結体からなる多孔質導電性部材等を挙げることができる。
1.5.カソードガス拡散層
カソードガス拡散層16は、公知のものを用いることができるが、ガス透過性及び導電性を有する部材によって構成されている。具体的にはカーボンクロスやカーボンペーパー等の多孔質部材等を挙げることができる。
1.6.アノードセパレータ
アノードセパレータ14は、公知のものを用いることができるが、アノードガス拡散層13に純水を供給するとともに発生した酸素が流れる流路14aを備える部材である。
また、アノードセパレータ14には、図1からわかるように、水電解部10aから延長して外側となる位置で、溝14aの一端側となる部位には水入口孔Hin1、水入口孔Hin2が設けられ、溝14aの他端側となる部位には水及び酸素出口孔O/Hout、水及び水素出口孔H/Houtが設けられている。ここで溝14aは一端が水入口孔Hin1に通じ、他端が水及び酸素出口孔O/Houtに通じている。
1.7.カソードセパレータ
カソードセパレータ17は、公知のものを用いることができるが、分離した水素、及び、これに随伴した水が流れる流路17aを備える部材である。
また、カソードセパレータ17には、図1からわかるように、水電解部10aから延長して外側となる位置で、溝17aの一端側となる部位には水入口孔Hin1、水入口孔Hin2が設けられ、溝17aの他端側となる部位には水及び酸素出口孔O/Hout、水及び水素出口孔H/Houtが設けられている。ここで溝17aは一端が水入口孔Hin2に通じ、他端が水及び水素出口孔H/Houtに通じている。
1.8.水電解セルによる水素の生成及び効果等
以上説明した水電解セル10により次のように純水から水素及び酸素が生成される。従って、本開示の水電解セル及び水電解スタックは上記の他にも水素を生成するために必要な公知の部材や構成を備えることができる。
アノードセパレータ14の流路14aからアノード(酸素発生極)に供給された純水(HO)は、アノードとカソードとの間に通電することで、電位がかかったアノード触媒層12で酸素、電子及びプロトン(H)に分解される。このときプロトンは固体高分子電解質膜11を通りカソード触媒層15に移動する。一方、アノード触媒層12で分離された電子は外部回路を通りカソード触媒層15に達する。そして、カソード触媒層15にてプロトンが電子を受け取り水素(H)が発生する。発生した水素はカソードセパレータ17に達して流路17aから排出される。なお、アノード触媒層12で分離した酸素はアノードセパレータ14に達して流路14aから排出される。
上記水素及び酸素の生成において、アノード触媒層12に注目すると、アノードセパレータ14の流路14aからアノードガス拡散層13を介してアノード触媒層12に水が供給される。水は全体として図1に示した水入口孔Hin1から水及び酸素出口孔O/Houtに向けて流れるため、アノード触媒層12においても全体として水及び生成された酸素ガスは図3の直線矢印の方向に流れる。
そしてアノード触媒層12の触媒により上記分解が起こり、酸素ガスが発生するため酸素の気泡が生じる。ここで本形態では触媒の密度が高い高密度部位12aが設けられているため、高密度部位12aでは、水電解によって発生した酸素ガスがより多く集まり、それ以外の部位よりも早く気泡が触媒表面(触媒活性点)から脱離する。このように周囲よりも早く脱離した酸素の気泡は、水の流れに沿って低密度部位12bへ拡散し、低密度部位12bの触媒表面上に留まっている酸素の気泡に接触して触媒表面から酸素を除去すると考えられる。これにより高密度部位12aのみでなく低密度部位12bについても酸素の気泡の触媒からの離脱が促進されるため、触媒が高い頻度で酸素発生(水分解)を行うことができることから、長時間の水電解運転において、高い電解性能を維持できる。
従来の技術では、水の流れ方向に対して触媒の濃度が均一のため、発生した酸素ガスの触媒からの脱離を積極的に促進することができない。また、アノード触媒層の厚さ方向に触媒の密度に差がある場合や全体的に触媒を高密度にしてしまうと、高い密度部分の空隙は小さいために、原料である水の拡散、流動性が阻害される。
すなわち、本形態のアノード触媒層12によれば、水が流れる方向に触媒の密度の高低差があるため触媒の密度が低い部分で水の拡散を促進しつつ、触媒の密度が高い部位で発生した酸素ガスの上記作用によりアノード触媒層全体において触媒から気泡の離脱を促進することができる。
2.製造方法
以上のような水電解セル10の製造は例えば次のように行うことができる。
2.1.アノード触媒層の作製
アノード触媒層12では上記のように触媒の高密度部位12aと低密度部位12bとが混在しているが、このよう形態は例えば次のように作製することができる。
初めにアノード用の触媒、アイオノマ、イオン交換水及びアルコールを混合し触媒インク22を得る。
図5に示したように、触媒インク22を塗布するための固定台20に基材シート21(例えばテフロン(登録商標)シート)を載せる。固定台20には、複数の穴20a(高密度部位12aを形成する位置に対応する位置に設けられる。)が設けられており、直線矢印で示したように穴20aを通じてポンプで吸引することで、触媒層を塗布する基材シート21に凹部21aを形成する。
その後、図6に示したように表面が平坦になるように、アプリケーターを用いて触媒インク22を基材シート21上に塗布する。これにより塗布した触媒インク22には凹部21aの位置に凸部22aが形成される。
この状態で触媒インク22を乾燥させたのち、図7に示したようにこれを平滑な板23(ステンレス板等)で挟み、直線矢印で示したようにホットプレス(加熱加圧)することで乾燥した触媒インク22にできた凸部22aを平滑にする。これにより、凸部22aが大きく圧縮されることで触媒の密度が高まり、高密度部位12aとなる。そして図3、図4に示したように面内方向(水の流通方向)に触媒の密度が高い部分と低い部分とを有するアノード触媒層12となる。
2.2.カソード触媒層の作製
カソード触媒層15は例えば次のように作製する。
カソード用の触媒、アイオノマ、イオン交換水、及び、アルコールを秤量し、ビーカーで混合させる。この溶液を基材シート(例えばテフロン(登録商標)シート)上に塗布して乾燥させる。これによりカソード触媒層15を得る。
2.3.水電解膜電極接合体の作製
上記で作製したアノード触媒層12及びカソード触媒層15を、固体高分子電解質膜11の表裏になるように配置したのち基材シートを除外し、ホットプレス処理することで固体高分子電解質膜11、アノード触媒層12及びカソード触媒層15が接合された水電解膜電極接合体を得る。
2.4.水電解セルの作製
得られた水電解膜電極接合体の表裏に図1の層配置に倣ってさらにアノードガス拡散層13、カソードガス拡散層16、アノードセパレータ14、及び、カソードセパレータ17を積層してプレスすることで水電解セルを得る。
2.5.効果等
以上のような水電解セルの製造によれば、特にアノード触媒層12における高密度部位12aを容易に効率よく形成することができ、生産性の高い水電解セルとなる。
また、上記のように触媒インクを用いてアノード触媒層12を作製する代わりにドライ粉末を混合して熱で押し固める印刷方式やインクジェットなどによる塗工方法でも同様にアノード触媒層を作製することができる。
3.実施例
実施例ではアノード触媒層に上記した高密度部位を形成した水電解セルを作製し、これを比較例として作製した高密度部位を有しない従来の水電解セルと比較した。
3.1.実施例にかかる水電解セルの作製
3.1.1.アノード触媒層の作製
アノード用の触媒を48.0g(酸化イリジウム触媒(Umicore製))、プロトン電導性を有するアイオノマ9.6g(AGC製)、イオン交換水36.0g及びアルコール(1-プロパノール21.5gとエタノール33.2g)をビーカーに混合し、超音波ホモジナイザにて分散し触媒インクを得た。
図5に示したように、触媒インクを塗布するための固定台20に基材シート21(テフロン(登録商標)シート)を載せ、固定台20に設けられた複数の穴20aを通じてポンプで吸引することで、触媒層を塗布する基材シート21に凹部21aを形成した。
ここで穴20aは直径20mmの円形であり、複数の穴20aは図3のように千鳥配列とし、水が流れる方向で隣り合う穴20aの間隔a(図3参照)は15mm、隣り合う穴20aの中心間距離であるピッチp(図3参照)は35mmとした。また、水が流れる方向に対して垂直方向のピッチp(図3参照)も35mmとした。
その後、図6に示したように表面が平坦になるように、アプリケーターを用いて触媒インク22を基材シート21上に塗布した。これにより塗布した触媒インク22には凹部21aの位置に凸部22aが形成される。
この状態で触媒インク22を85℃で5分乾燥させたのち、図7に示したようにこれを平滑な板23(ステンレス板)で挟み、130℃で4分間ホットプレスすることで乾燥した触媒インク22にできた凸部22aを平滑にした。これにより、酸化イリジウム触媒とアイオノマが、重量比で1:0.2の割合で混合されたアノード触媒層を得た。
このアノード触媒層では、低密度部位の単位体積当たりの重量を1としたとき、高密度部位の単位体積当たりの重量が1.24となった。
3.1.2.カソード触媒層の作製
カソード用の触媒を6.1g(Pt担持カーボン(Pt担持量18%、キャタラー製)、プロトン電導性を有するアイオノマを6.0g(AGC製)、イオン交換水を88.4g、及び、アルコールを45.2g(エタノール)を秤量し、ビーカーで入れ、超音波ホモジナイザにて分散させた。この溶液を厚さ1.0mmの基材シート(テフロン(登録商標)シート)上に塗布し、85℃で5分間乾燥させた。これによりカーボンとアイオノマが重量比で1:1.2の割合で混合されたカソード触媒層を得た。
3.1.3.水電解膜電極接合体の作製
上記で作製したアノード触媒層及びカソード触媒層を、厚さ15μmの固体高分子電解質膜(日本ゴア製)の表裏になるように配置したのち基材シートを除外し、130℃、130kPaで4分間以上ホットプレス処理することで水電解膜電極接合体を得た。ここで、アイオノマの軟化点温度よりも高い温度でプレス処理することで、高密度かつ厚さが揃ったアノード触媒層となる。
なお、水電解膜電極接合体の層面の面積(平面視で表れる面積)は300cmである。
3.1.4.水電解セルの作製
得られた水電解膜電極接合体の表裏に図1の層配置に倣ってさらにアノードガス拡散層(Pt蒸着チタン繊維)、カソードガス拡散層(カーボン繊維)、アノードセパレータ、及び、カソードセパレータを積層してプレスすることで水電解セルを得た。
3.2.比較例にかかる水電解セルの作製
実施例のアノード触媒層を作製する際に用いた固定台の代わりに穴がない定盤を用いたこと以外は、実施例と同様にして水電解セルを作製した。これによりアノード触媒層面内方向の酸化イリジウム触媒の密度が一様である水電解セルを得た。
3.3.評価試験
作製した水電解セルに対して次のように評価を行った。
アノードセパレータ及びカソードセパレータの水入口孔から十分量の純水(<1μS/cm)を流通し、水電解セルの温度を60℃、電解電流密度が2.5A/cmとなるように印加電圧を調整して5時間の水電解を行った。そして5時間後の電解電圧Vと試験開始直後の電解電圧Vの割合(V/V×100%)を水電解活性維持率として計算した。
3.4.結果
図8に、作製した水電解セルのアノード触媒層の断面を示した。図8の上側の図が実施例にかかる水電解セルのアノード触媒層で高密度部位の断面、図8の下側が比較例にかかる水電解セルのアノード触媒層の断面である。この図からわかるように、同じ厚さ(7μm)であるが、実施例の高密度部位で密であることがわかる。なお、実施例にかかる水電解セルのアノード触媒層で高密度部位以外の部位(低密度部位)は比較例と同様の断面であった。
実施例にかかる水電解セルの水電解活性維持率は水電解活性維持率が100.6%であり、高い維持率を得ることができた。これに対して比較例にかかる水電解活性維持率は97.7%であり実施例の水電解セルに対して低かった。
10 水電解セル
11 固体高分子電解質膜
12 アノード触媒層(酸素発生極側触媒層)
13 アノードガス拡散層
14 アノードセパレータ
15 カソード触媒層(水素発生極側触媒層)
16 カソードガス拡散層
17 カソードセパレータ

Claims (5)

  1. プロトン伝導型の電解質膜、前記電解質膜の一方の面に積層されるアノード触媒層、及び、前記電解質膜の他方の面に積層されるカソード触媒層を有する水電解セルであって、
    前記アノード触媒層及び前記カソード触媒層のうち少なくとも一方は、その面内方向で、触媒の密度が高い部分である高密度部位と、前記高い部分より前記触媒の密度が低い部分である低密度部位と、を備え、
    前記高密度部位は、該高密度部位が具備された前記アノード触媒層及び前記カソード触媒層において、層の全体に亘って分布するように点在し、隣り合う前記高密度部位で互い違いになるように配置されている、
    水電解セル。
  2. 前記アノード触媒層がその面内方向で、前記高密度部位と、前記低密度部位と、を備える、請求項1に記載の水電解セル。
  3. 前記高密度部位は、前記低密度部位よりも、前記触媒の密度が1.1倍以上高い、請求項1又は2に記載の水電解セル。
  4. 前記アノード触媒層の前記触媒は、酸化イリジウムを含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の水電解セル。
  5. 前記カソード触媒層の前記触媒は、白金担持カーボン及びアイオノマを含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の水電解セル。
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