JP7177781B2 - 少なくとも3枚の基板を接合するための方法 - Google Patents

少なくとも3枚の基板を接合するための方法 Download PDF

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Description

マイクロオプティクスでは、数年来、ミリメートル寸法またはマイクロメートル寸法の複数の光学素子を互いに積層することに大いに苦心している。種々異なる複数の光学素子の積層によって、ミリメートル寸法もしくはマイクロメートル寸法の極めて複雑な光学系を形成することが可能となる。これによって、この極めて複雑な光学系をスマートフォン、タブレットおよび別の電子機器に収納することができる。常時進展している小型化によって、光学系も相応に小型にされなければならない。益々急速に進展している小型化に即応するために、このような製品の大量生産が可能となる一方で、個々の光学素子が互いにアライメントされる精度をも改善するプロセスが提供されなければならない。
先行技術では、光学素子が基板、特にウェーハに製作される。1枚のウェーハには、数百ないし数千のこのような光学素子が位置している。これらの光学素子は、非常に高い精度で基板に製作されている。互いに積層された複数の、特に種々異なる光学素子から成る極めて複雑な光学系を得るためには、複数のこのような基板が、一般的に種々異なる光学素子に互いに結合される。この結合工程は接合と呼ばれる。結合に先だって、互いに結合すべき両基板を極めて高い精度で互いにアライメントしなければならないことは不可欠である。こうして得られた高いアライメント精度は、両基板相互の接近の間も維持されなければならない。
先行技術における最大の問題は、基板スタックが、n+1番目の基板が常にn番目の基板に対してアライメントされる、今日の方法によって形成される点にある。n+1番目の基板をn番目の基板に対して関連づけることによって、アライメントの誤差が基板スタックを越えて伝播してしまう。このことを以下の例において説明する:第2の基板が第1の基板に対して相対的に、たとえ少ないとしても、誤差を伴ってアライメントされ、接合されたとすると、第1の基板に対する第3の基板の誤差は、一般的にさらに大きくなってしまう。このような積層列の場合には、積層体における基板枚数が増加するにつれて、積層体における基板の枚数が過度に少ないという理由で誤差が統計的に相殺されることを当てにすることもできない。さらに、2枚の基板の間のアライメントにおける各誤差が、極めて複雑な光学系全体の光路に直接影響を与えてしまう。のちの使用において、光先(Lichtfront)が極めて複雑な光学系を通過する場合には、2つの光学素子の位置決めにおける相応の誤差が光先を取り返しがつかなくなるほどに妨害し、ひいては、全ての光学的な結像を損なわせてしまう。
本発明の課題は、先行技術の欠点を取り除くことができ、基板同士の接合時のアライメント誤差を最小限に抑えることができ、極めて複雑な光学系を少ない偏差で製造することができる方法および基板ホルダを提供することである。
この課題は、独立請求項の対象によって解決される。
本発明の有利な改良形態は従属請求項に記載してある。本発明の範囲には、明細書、特許請求の範囲および/または図面に記載した少なくとも2つの特徴の組合せも含まれる。記載した数値範囲では、記載した限界の範囲内にある数値も限界値として開示可能と見なし、任意に組み合わせて請求可能であるものとする。個々のまたは複数の方法ステップが、種々異なる機器またはモジュールにおいて実施可能である限り、このような方法ステップを固有の方法としてそれぞれ別個に開示する。
以下、方向Xおよび方向Yは、基板平面内で互いに直交する方向に該当する。Z方向は、基板平面もしくは方向Xおよび方向Yに対して垂直に配置されており、これによって、直交座標系が得られる。
以下、本明細書では、本発明に係る方法を、光学素子、特にレンズを備えた基板のアライメントにおいて例示的に説明する。この分野における当業者には明らかであるように、本発明に係る方法は、光学素子を備えた基板のアライメントに限定されるものではなく、基板スタック内の任意の基板のアライメントに適しており、また、使用することができる。方法は、例えば、特にTSV(英語:though-silicon-vias)を備えた複数の基板のアライメントにさらに使用することができる。特に基板同士の間にTSV接続を備えた基板スタックは、電子的な構成部材の進展している3Dテクノロジに基づき益々重要になる。このようなTSV基板は、特にメモリを製造するために肝要である。
本発明によれば、光学的なレンズを備えた少なくとも3枚の基板を接合し、これによって、レンズを上下に重ね合わせて配置して、基板スタックを製造するための方法であって、この基板スタックが、一番下側の基板と、中間の基板と、上側の基板とを少なくとも有しており、
- 中間の基板を一番下側の基板に対してアライメントして、中間の基板を一番下側の基板に接合するステップと、
- その後、上側の基板をアライメントして、この上側の基板を中間の基板に接合するステップと
を有する、方法において、
上側の基板を一番下側の基板に対してアライメントすることを特徴とする、方法が提案されている。
好適な実施の形態では、上下に重なり合って配置されたレンズの光軸が、ほぼ整合してアライメントされていることが提案されている。特に光軸同士の間の間隔は、1μm未満、好適には500nm未満、より好適には50nm未満、最も好適には10nm未満、特に最も好適には5nm未満である。これによって、有利には、光学素子の最適な配置が可能となることを達成することができる。以下、「整合して」を「共線的」とも呼ぶ。共線性は、数学的に厳密に規定されている必要はない。現実的には、完全な共線性は決して達成されない。特に共線性とは、光軸同士の間の角度が、5°未満、好ましくは1.0°未満、より好適には0.5°未満、最も好適には0.1°未満、特に最も好適には0.05°未満であることを意味している。
別の好適な実施の形態によれば、上側の基板を一番下側の基板のアライメントマークに対してアライメントすることが提案されている。アライメントマークは、一番下側の基板の上面および/または下面に配置することができる。
別の好適な実施の形態によれば、後続の各基板を一番下側の基板に対してアライメントすることが提案されている。これによって、有利には、後続の基板におけるアライメント誤差を十分に最小限に抑えることが可能となる。
別の好適な実施の形態によれば、各基板が、複数の光学的なレンズを有していることが提案されている。これによって、有利には、互いに積層された複数のレンズを形成することが可能となる。
別の好適な実施の形態によれば、各基板が、複数のTSVを有していることが提案されている。これによって、有利には、TSVを介して互いに接続された機能的なユニットを有する互いに積層された複数の基板を形成することが可能となる。
別の好適な実施の形態によれば、少なくとも3枚の基板、好適には少なくとも5枚の基板、一層好適には少なくとも10枚の基板、さらに一層好適には少なくとも15枚の基板を互いに接合することが提案されている。これによって、有利には、複雑な光学系が製造可能となる。
別の好適な実施の形態によれば、本発明に係る方法が、
- 一番下側の基板を下側の基板ホルダに配置して固定ことと、
- 一番下側の基板に設けられたアライメントマークを光学機器の視野内で検出することと、
- 中間の基板を上側の基板ホルダに配置して固定することと、
- 中間の基板に設けられたアライメントマークを光学機器によって検出することと、
- 中間の基板を一番下側の基板に対してアライメントすることと、
- 中間の基板を一番下側の基板に接合して、接合された基板を下側の基板ホルダに残しておくことと、
- 上側の基板を上側の基板ホルダに配置して固定することと、
- 上側の基板に設けられたアライメントマークを光学機器によって検出することと、
- 上側の基板を一番下側の基板に対してアライメントすることと、
- 上側の基板を中間の基板に接合して、基板スタックを製造することと
を含んでいる。
別の好適な実施の形態によれば、アライメントマークの検出を、一番下側の基板の下方に配置された光学機器によって、下側の基板ホルダに設けられた切欠きを通じて行うことが提案されている。光学機器が切欠き内に位置決めされるように、基板ホルダを光学機器よりも上方に持ち上げることが必要となり得る。
別の好適な実施の形態によれば、切欠きが、下側の基板ホルダに設けられた貫通した孔として形成されていることが提案されている。この貫通した孔内には、光学機器を、有利には特に効率よく配置することができる。
別の好適な実施の形態によれば、切欠きが、下側の基板ホルダに設けられた長孔として形成されていることが提案されている。この長孔において、下側の基板ホルダを下側の光学機器にわたって、有利には特に効率よく運動させることができる。
別の好適な実施の形態によれば、下側の基板ホルダは、下側の光学機器が切欠きの範囲内に配置されているように移動可能であることが提案されている。
別の好適な実施の形態によれば、下側の基板ホルダを、X方向およびY方向における偏差が最小であるように、Z位置決めユニットによってZ方向に精密に移動させることが提案されている。これによって、接合のために、下側の基板ホルダを、有利には最も高い精度で移動させることができる。
別の好適な実施の形態によれば、Z方向への運動時のX方向および/またはY方向における下側の基板ホルダの偏差を後位置調整ユニットによって補正することが提案されている。これによって、接合のために、下側の基板ホルダを、有利には最も高い精度で移動させることができる。
別の実施の形態によれば、下側の基板ホルダを完全にプロセス領域外に移動させ、これによって、のちのプロセスステップで再びその出発位置にもたらすことが提案されている。この事例では、光学機器よりも上方への基板ホルダの持上げが特に必要となり得る。その後、下側の試料ホルダが接合ステップに先だって再びその位置に移動させられる。このためには、x方向、y方向およびz方向での極めて正確な位置決めが必要となる。
本発明の別の対象は、光学機器を収容するための切欠きと、基板を固定するための固定要素、好ましくは真空開口とを有している基板ホルダに関する。
本発明の基本思想および要部は、新たに到来した基板を一番下側の基板のアライメントマークに対してアライメントすることにある。この場合、基板スタックが形成される基板ホルダのz方向への運動のためのモータが高精度で機能することが特に重要である。
本発明の利点は、基板スタックひいては極めて複雑な複数の光学系を最小限の誤差で互いにアライメントしかつ接合することができる点にある。これによって、不良品が減少させられ、極めて複雑な個々の光学系の画像形成特性が大幅に改善される。
z位置決めユニットは、x方向および/またはy方向に無視できる程度の遊びしか有していてはならず、またはz方向に運動させられる基板ホルダが後で位置調整されることを確保する補正システムが使用されなければならない。この補正システムは、特に、1つには、XモータとYモータとの間の制御ループであってもよく、もう1つには、検出器であってもよい。この検出器は、z位置決めの間、基板ホルダのX位置および/またはY位置を連続的に測定し、相応の変化量を、後で位置調整を行う調整要素、特にモータ、より好適には圧電素子に伝送する。特に検出器は、基板ホルダの下面に設けられたアライメントマークを測定する光学機器であり、または基板ホルダの側壁の相対的な位置変化量を測定するレーザ干渉計である。このような光学的な測定システムは当業者に最も信頼されている。
基板ホルダ
基板ホルダは複数の固定部を有している。これらの固定部は、基板を固持するために働く。固定部は、
1.機械的な固定部、特に
a.クランプ
2.真空固定部、特に
a.個々に制御可能な真空路を備えた真空固定部
b.互いに接続された真空路を備えた真空固定部
3.電気的な固定部、特に
a.静電的な固定部
4.磁気的な固定部
5.付着性の固定部、特に
a.ゲルパック固定部
b.付着性の、特に制御可能な表面を備えた固定部
であってもよい。
固定部は、特に電子的に制御可能である。真空固定部は好適な固定部形態である。真空固定部は、好ましくは、基板ホルダの表面に進出する複数の真空路から成っている。これらの真空路は、好ましくは個々に制御可能である。技術的にむしろ実現可能な使用事例では、幾つかの真空路が1つにまとめられて、個々に制御可能に排気することができ、またはフラッシングすることができる複数の真空路セグメントが形成されている。しかしながら、各真空セグメントは別の真空セグメントから独立している。これによって、個々に制御可能な真空セグメントの構造の可能性が得られる。真空セグメントは、好ましくは環状に構成されている。これによって、基板ホルダに対する基板の、的確で半径方向対称的な、特に内側から外側に向かって実施される固定および/または解放が可能となる。
基板ホルダの例示的な本発明による実施の形態では、切欠きが、周が完全に閉じられた孔である。
基板ホルダの別の本発明による実施の形態では、切欠きが、基板ホルダの縁部に向かって開放していて、特に簡単なフライス削り工程によって製作される。
基板ホルダは、固定手段のほかに、基板に機械的にアクティブに影響を与える、特に基板を伸長させる、より好適には基板を局所的に伸長させるための手段を有することもできる。このような手段によって、好ましくは、基板の水平なかつ/または鉛直な伸長に局所的に影響を与えることが可能となり、これによって、局所的な伸長量および/または応力を変化させることができ、特に最小限に抑えることができる。このような手段は、国際公開第2012083978号に詳細に記載されている。
基板ホルダとして、独占的ではないにせよ、一例として、国際公開第2012083978号、国際公開第2017162272号、国際公開第2013023708号、国際公開第2014191033号、国際公開第2015113641号、国際公開第2012079597号に基づく基板ホルダが使用されてもよい。
設備
本発明による実施の形態では、アライメント設備は、1つの下側の基板ホルダと、1つの上側の基板ホルダと、それぞれ2つの光学機器を備えた2つの検出ユニットと、好ましくは1つの位置誤差補正装置(英語:position error correction, PEC)とから成っている。この位置誤差補正装置が試料ホルダの位置検出を実施する精度は、1μmよりも良く、好ましくは500nmよりも良く、より好適には100nmよりも良く、最も好適には50nmよりも良く、特に最も好適には10nmよりも良い。位置誤差補正装置は、両基板ホルダのうちの一方の基板ホルダ、特に下側の基板ホルダが、プロセス領域から完全に進出していて、後続のプロセスステップでプロセス領域内に再び移動させられなければならない場合に特に重要となる。位置誤差補正装置の使用は、アライメントマークを再度測定することなしに、基板ホルダの極めて正確な再度の位置決めを保証している。
下側の基板ホルダは、特に切欠きを有している。この切欠きを通じて、下側の光学機器を接合インタフェースに接近させることができるかもしくは一番下側の基板の下面に設けられた下側のアライメントマークに接近させることができる。下側の基板ホルダは、好ましくはx方向および/またはy方向および/またはz方向に移動させることができる。別の明細書、特に図面には、特に複数の実施の形態が記載されていると共に示されている。これらの実施の形態では、一方の基板ホルダ、特に下側の基板ホルダが、x方向およびy方向での最初の位置決め後、z方向にのみ移動させられる。しかしながら、基板ホルダをプロセス領域から完全に進出させ、これによって、その後の時点でプロセス領域内に再び移動させることも可能である。特にプロセス領域内への基板ホルダの再度の各進入時には、光学機器によって、基板ホルダ上の基板の再度の較正を行うことができる。しかしながら、好ましくは、基板ホルダが位置誤差補正装置によってその当初の位置にのみもたらされる。プロセス領域全体から進出させられなければならない基板ホルダでは、この基板ホルダを、その切欠き内に潜り込まされた光学機器よりも上方に持ち上げなければならないことが必要となり得る。
上側の基板ホルダは、特に切欠きを有している。この切欠きを通じて、上側の光学機器を接合インタフェースに接近させることができるかもしくは上側の基板の上面に設けられた上側のアライメントマークに接近させることができる。しかしながら、好ましくは、上側の基板ホルダは、切欠きを有していないように構成される。
上側の基板ホルダは、好ましくはx方向および/またはy方向および/またはz方向に移動させることができる。しかしながら、好ましくは、上側の基板ホルダは一方向にだけ移動させることができ、これによって、別の両方向に対するモータを省略することができる。これによって、特に一方向への上側の基板ホルダの極めて正確なガイドが可能となる。
このようなアライメント設備は、米国特許第6214692号明細書、国際公開第2014202106号および国際公開第2015082020号に詳細に記載されている。
プロセス
以下、本明細書では、光学機器の方向に向けられている全ての表面を外面と呼ぶ。以下、本明細書では、接合インタフェースの方向に向けられている全ての表面を内面と呼ぶ。
以下の全てのプロセスでは、複数の実施の形態を例示的に説明すると共に図示する。これらの実施の形態では、下側の基板ホルダが、x方向および/またはy方向での初期の位置決め後、上側の基板ホルダに対して相対的にz方向のみへの相対運動を実施する。この好適な方法形態の代わりに、基板ホルダは、完全にプロセス領域外に移動させられ、プロセス領域内に高精度で再び戻されてもよい。接合すべき次の基板に対する基板スタックの正確な位置調整を保証するために、可能性として、特に基板ホルダ上の基板スタックの第1の基板の再度の較正が開示される。一般的には、下側の基板ホルダの運動による下側の基板もしくは基板スタックの各x運動および/または各y運動後、光軸に対する第1の基板のアライメントマークの再度の位置決めが実施されなければならない。これは、特に第1の基板のアライメントマークが下面に位置していて、したがって、光学機器に対して直接アクセス可能に位置している場合に極めて簡単に行われる。すでにスタックが形成されているという理由で第1の基板のアライメントマークが後続の基板によって覆われている場合には、第1の基板または第1の基板に積層された後続の基板が、検出器と光学機器とが機能する波長範囲内で透過性でなければならない。このような較正は、特に基板スタックが種々異なる空間間、機械間、会社間および国間ですら海上輸送されなければならない場合に必要となる。
本発明による全てのプロセスの基本思想は、互いに積層される複数の基板を第1の、好適には一番下側の基板のアライメントマークに対して較正することにある。したがって、n+1番目の基板が、n番目の基板に対してではなく、常に第1の基板に対して較正される。
較正プロセス
本来のアライメント工程に先だって、本発明によれば、検出ユニットの較正が有利である。この較正の目的は、特にそれぞれ互いに対向する2つの検出機器の光軸の交点を較正基板のアライメントマーキングの中心に置くことにある。この較正は、検出ユニットの全ての光学機器に対して、好ましくは別個に行われる。較正によって、1つの検出ユニットの互いに対向する(上側および下側の)光学機器が、1つの共通の焦点領域、つまり、共通のまたは少なくとも大部分で重畳する被写界深度と、共通のまたは少なくとも大部分で重畳する視野とを有していることが確保される。したがって、以下、本明細書では、合焦とは、合焦すべき対象物、特にアライメントマークを可能な限り良好に結像するために、適正な被写界深度および/または視野が存在していることを常に意味している。
好適な実施の形態では、互いに対向する両光学機器の光軸が互いに共線的である(整合している)。このためには、光学機器が、好ましくはゴニオメータへの配置によって、特に回転自由度を有している。
光学機器の光軸のある1つの交点またはその交点は、本発明によれば、特にアライメントすべき基板同士の対応し合うアライメントマーキングが、X方向、Y方向およびZ方向での検出位置において、この交点に少なくとも合焦可能である、かつ/または配置可能であるかもしくは配置されているように配置される。一般的には、アライメントマーキングの位置は基板ペアごとに変えることができる。この手段によって、本発明によれば、移動距離がさらに最小限に抑えられる。一般性のため、以下の事実を述べる。2つの光軸が互いに共線的である、つまり、整合しているという技術的にほとんど実現することができない事例は、数限りない交点が存在しており、アライメントマークの測定が行われるz位置が光学機器の被写界深度内に位置している限り、z位置を自由に選択することができることを意味している。
光軸の交点は、好適には、光学機器の焦点平面に位置している。分解能と被写界深度とは、互いに矛盾する2つのパラメータである。分解能が大きければ、被写界深度は小さくなり、逆に、分解能が小さければ、被写界深度は大きくなる。つまり、高い分解能を有する光学機器が使用される場合、この光学機器は、相応に少ない被写界深度を有している。これによって、上側の基板のアライメントマークと下側の基板のアライメントマークとを同時に極めて小さな被写界深度の範囲内にとどめなければならず、これによって、一層鮮明に結像することができる。本発明によれば、光軸の交点が、対応し合う光学機器の被写界深度内に配置される。光学機器の分解能は、100μmよりも良く、好ましくは10μmよりも良く、より好適には1μmよりも良く、最も好適には500nmよりも良く、特に最も好適には200nmよりも良い。
本発明によれば、基板同士の接触面および/またはアライメントマーキングが、各検出ユニットの検出位置で被写界深度の範囲内に配置されているように、光学機器が較正されると有利である。これによって、本発明によれば、再合焦を省略することができる。
前述した較正プロセスは、国際公開第2014202106号から一層詳細に読み取ることができる。これに関連して、同号の開示内容は本発明の開示に取り込まれる。
以下の両方法では、光学機器に対するアライメントマークの心合せについて繰返し言及する。一般的には、アライメントマークは少なくとも光学機器の視野内および被写界深度内に位置していなければならないと考えられている。アライメントマークは、一般的には、光学機器を介したアライメントマークの検出を行う検出器の中心に位置している必要はない。別の意味では、前述した心合せは、特に互いに異なる基板の2つのアライメントマークを互いにアライメントするために常に用いられる。しかしながら、本明細書では、測定の可能な限り最適な状況を提供するために、特に第1の基板のアライメントマークが可能な限り良好に光学機器の中心に位置することになる状態を説明することにより、心合せという用語を例示的により狭義に使用する。
第1の方法
例示的な第1の本発明に係る方法では、一番下側の第1の基板の、外方に向けられたアライメントマークに対する複数の基板相互のアライメントが行われる。正確なプロセス順序は以下の通りである。
第1の本発明に係る方法の本発明による第1の方法ステップ100では、アライメントマークを備えた一番下側の第1の基板が、下側の基板ホルダに固定される。第1の基板は、アライメントマークが下側の基板ホルダの切欠きを通じて可視となる、特に測定可能となるように、基板ホルダに固定される。アライメントマークは外側のアライメントマークである。アライメントマークは、特に下方に向けられている。下側の基板ホルダの特別な実施の形態は、光学機器よりも上方への基板ホルダの持上げを要求しており、これによって、下側の光学機器を切欠き内に潜り込ませることができる。持上げは、特に基板ホルダがプロセス領域から完全に進出していて、したがって、x方向およびy方向での最初の位置決め後、もはやz方向のみにしか運動させられない場合にも必要となる。基板ホルダの特に好適な本発明による実施の形態では、光学機器に対するアクセス経路が設けられている。このアクセス経路に沿って、光学機器と下側の基板ホルダとの間の非接触式の相対運動を行うことができる。いま、下側の基板ホルダは、アライメントマークが下側の光学機器の左側もしくは右側の視野(英語:field-of-view)内に位置するまで粗位置決めされる。
第1の本発明に係る方法の本発明による第2のプロセスステップ101では、両アライメントマークが光学機器の被写界深度(英語:depth-of-field)内に位置するまで、下側の基板ホルダがz方向に移動させられる。この場合には、第1の基板の外面を光学機器の焦点平面に対して平行に位置決めするために、ウェッジエラー補償(Keilfehlerausgleich)を実施することも必要となり得る。両アライメントマークが被写界深度内に位置すると、アライメントマークが十分鮮明に結像され、これによって、測定される。
その後、第1の本発明によるプロセスの本発明による選択的な第3のプロセスステップ102では、左下の光学機器が左側のアライメントマークを心合せし、右下の光学機器が右下のアライメントマークを心合せするまで、左側の検出ユニットおよび/または右側の検出ユニットがx方向および/またはy方向に移動させられる。この心合せは、厳密に云うと選択的なステップであり、実施される必要はない。アライメントマークの位置は、プロセスステップ101の状態でも測定することができ、記憶することができる。これに相応して、第1の基板に積層すべき基板のアライメントマークが、光学機器の中心から離れて位置することにもなる。しかしながら、この分野における当業者は、互いにアライメントすべき2枚の基板のアライメントマークが光学機器の被写界深度内および視野内に位置している限り、アライメントマークをハードウェアとソフトウェアとによって常に適正に測定することができ、互いに関連させることができることを認識している。しかしながら、好ましくは、相応の心合せが実施される。
第1の本発明によるプロセスの本発明による第4のプロセスステップ103では、下側の基板ホルダが、好ましくは降下させられる。この下側の基板ホルダは、高い精度でz方向に運動可能でなければならない。極めて正確な運動を実現するための相応の方法は、本明細書の別の部分に述べてある。しかしながら、下側の基板ホルダをプロセス領域外に移動させ、のちのプロセスステップで再び戻すことも可能である。これは、使用されるアライメント設備に極めて大幅に関連している。この事例では、特に下側の基板ホルダのx位置決めおよび/またはy位置決めが極めて精密でなければならない。プロセス領域外への移動は、衝突を回避するために、特に光学機器よりも上方への基板ホルダの持上げによって行うことができる。
第1の本発明によるプロセスの本発明による第5のプロセスステップ104では、上側の基板ホルダがプロセス領域に移動させられる。上側の基板ホルダは、好適には、x方向およびy方向にだけ運動することができるように構成されている。しかしながら、z方向での、特に極めて正確な位置決めを可能にする付加的なモータユニットも可能である。上側の基板ホルダに上側の第2の基板が固定された後、上側の基板ホルダは、上側の外側のアライメントマークが上側の光学機器によって心合せされるまで移動させられる。別の意味では、この心合せによって、アライメントマークを介した下側の基板に対する上側の基板のアライメントも実現される。これは、上下の基板のアライメントマークに基づいた下側の基板に対する上側の基板のアライメントに相当している。検出ユニットはもはや運動させられてはならない。
第1の本発明によるプロセスの本発明による第6のプロセスステップ105では、第1の基板と第2の基板との間の接合工程が行われる。この場合、両基板相互の相対的な接近が行われる。この相対的な接近は、本発明によれば、好ましくは、上側の基板ホルダへの下側の基板ホルダの接近によって行われる。しかしながら、両基板のうちの一方の基板または両基板を別の装置(記載せず)によって、特に対称的に外向きに反らし、両基板もしくは両基板表面を、特に中心で接触させることも可能である。好ましくは、常に上側の基板が外向きに反らされる。なぜならば、上側の基板は常に単一の基板であるのに対して、プロセスが引き続き経過すると、下側の基板ホルダには基板スタックが形成されるからである。基板スタックを反り返らせることは、より複雑であり得る。反り返らせるための基板ホルダは、特に国際公開第2017162272号および国際公開第2014191033号に記載されていると共に開示されている。
第1の本発明によるプロセスの本発明による第7のプロセスステップ106では、2枚の基板から成る基板スタックが存在している。この基板スタックは、両基板の外面にアライメントマークを有している。特にこの状態では、両基板が、直接接合、特にプリボンディングもしくはフュージョン接合によってまたは仮接合によって互いに解離不能に、好ましくは解離しにくく結合されている。仮接合では、特に接着剤がすでに、好ましくは熱によって、より好適には照射によって、好ましくはUV照射によって硬化させられている。続く計量ステップによって、万が一、両基板相互のアライメントが最適でなく、解離しにくい結合、特にプリボンディングが行われているにすぎないことが確認された場合には、両基板を再び互いに分離して、両基板を新たな処理に供給するために、好ましくは、国際公開第2013091714号に基づく方法が使用されてもよい。特に下側の基板の外側のアライメントマークは、基板スタックを通じて見ると、上側の基板の外側のアライメントマークに対して整合している。形成された基板スタックは、z方向に再度降下させられる。この事例でも、形成された基板スタックを降下させず、やはりプロセス領域外に移動させ、これによって、のちのプロセスステップで再び戻すことが可能である。プロセス領域外への移動は、衝突を回避するために、特に光学機器よりも上方への基板ホルダの持上げによって行うことができる。別の実施の形態では、後続のプロセスステップを別の設備で実施するために、こうして形成された基板スタックを別の設備、会社または別の国にすら海上輸送することさえ必要となり得る。
この点から、第1の本発明によるプロセスを、上側の基板ホルダに固定される任意の後続の基板でもって継続することができ、プロセスステップ104以降のプロセスステップを繰り返すことができる。この場合に生じ得る最大の誤差は、一番下側の基板と、接合すべき一番上側の基板との間の、誤差を伴うアライメントに関係している。基板スタックにわたるアライメントの誤差の伝播は生じない。
第1の本発明によるプロセスの本発明による第9のプロセスステップ108では、下側の基板ホルダをプロセス領域から遠ざけることによって取り外すことができ、その後、アンローディングすることができる最終的な基板スタックが得られる。
第2の方法
例示的な第2の本発明に係る方法では、一番下側の第1の基板の、内方に向けられたアライメントマークに対する複数の基板相互のアライメントが行われる。プロセス順序は以下の通りである。
第2の本発明に係る方法の本発明による第1のプロセスステップ200では、アライメントマークを備えた一番下側の第1の基板が、下側の基板ホルダに固定される。このプロセスステップ200では、アライメントマークが上側の光学機器によって測定される。アライメントマークは、特に上方に向けられている。特別な実施の形態では、アライメントマークを、下側に設けられた光学機器によって測定することもできる。しかしながら、これは、基板が、下側の光学機器により検知することができる電磁放射線に対して透過性でなければならないことを前提としている。特にシリコン基板は赤外線透過性である。以下、本明細書では、第2の本発明によるプロセスが、測定すべきアライメントマークに直に向けられた上側の光学機器のみに基づき説明してある。いま、下側の基板ホルダは、アライメントマークが上側の光学機器の左側もしくは右側の視野(英語:field-of-view)内に位置するまで粗位置決めされる。
第2の本発明によるプロセスの本発明による第2のプロセスステップ201では、両アライメントマークが被写界深度(英語:depth-of-field)内に位置するまで、下側の基板ホルダがz方向に移動させられる。この場合には、下側の基板の外面を光学機器の焦点平面に対して平行に位置決めするために、ウェッジエラー補償を実施することも必要となり得る。両アライメントマークが被写界深度内に位置すると、アライメントマークが十分鮮明に結像され、これによって、測定される。
その後、第2の本発明によるプロセスの本発明による選択的な第3のプロセスステップ202では、左上の光学機器が左側のアライメントマークを合焦し、右上の光学機器が右下のアライメントマークを合焦するまで、左側の検出ユニットおよび/または右側の検出ユニットがx方向および/またはy方向に移動させられる。合焦に関する考えは、第1のプロセスのプロセスステップ102における記載と同一であり、ここでは、省略する。
第2の本発明によるプロセスの本発明による第4のプロセスステップ203では、下側の基板ホルダが降下させられる。この下側の基板ホルダは、高い精度でz方向に運動可能でなければならない。極めて正確な運動を実現するための相応の方法は、本明細書の別の部分に述べてある。しかしながら、下側の基板ホルダをプロセス領域外に移動させ、のちのプロセスステップで再び戻すことも可能である。これは、使用されるアライメント設備に極めて大幅に関連している。この事例では、特に下側の基板ホルダのx位置決めおよび/またはy位置決めが極めて精密でなければならない。プロセス領域外への移動は、衝突を回避するために、特に光学機器よりも上方への基板ホルダの持上げによって行うことができる。後続の全てのプロセスステップは、プロセスステップ104~107と同一である。
第2の本発明によるプロセスの本発明による第5のプロセスステップ204では、上側の基板ホルダがプロセス領域に移動させられる。上側の基板ホルダは、好適には、x方向およびy方向にだけ運動することができるように構成されている。しかしながら、z方向での、特に極めて正確な位置決めを可能にする付加的なモータユニットも可能である。上側の基板ホルダに上側の基板が固定された後、上側の基板ホルダは、上側のアライメントマークが上側の光学機器によって心合せされるまで移動させられる。別の意味では、この心合せによって、アライメントマークを介した下側の基板に対する上側の基板のアライメントも実現される。これは、上下の基板のアライメントマークに基づいた下側の基板に対する上側の基板のアライメントに相当している。検出ユニットはもはや運動させられてはならない。
第2の本発明によるプロセスの本発明による第6のプロセスステップ205では、第1の基板と第2の基板との間の接合工程が行われる。この場合、両基板相互の相対的な接近が行われる。この相対的な接近は、本発明によれば、好ましくは、上側の基板ホルダへの下側の基板ホルダの接近によって行われる。しかしながら、両基板のうちの一方の基板または両基板を別の装置(記載せず)によって、特に対称的に外向きに反らし、両基板もしくは両基板表面を、特に中心で接触させることも可能である。好ましくは、常に上側の基板が外向きに反らされる。なぜならば、上側の基板は常に単一の基板であるのに対して、プロセスが引き続き経過すると、下側の基板ホルダには基板スタックが形成されるからである。基板スタックを反らせることは、より複雑であり得る。
第2の本発明によるプロセスの本発明による第7のプロセスステップ206では、2枚の基板から成る基板スタックが存在している。この基板スタックはその上側の基板にしかアライメントマークを有していない。形成された基板スタックは、z方向に再度降下させられる。この事例でも、形成された基板スタックを降下させず、やはりプロセス領域外に移動させ、これによって、のちのプロセスステップで再び戻すことが可能である。プロセス領域外への移動は、衝突を回避するために、特に光学機器よりも上方への基板ホルダの持上げによって行うことができる。別の実施の形態では、後続のプロセスステップを別の設備で実施するために、こうして形成された基板スタックを別の設備、会社または別の国にすら海上輸送することさえ必要となり得る。
この点から、第2の本発明によるプロセスを、上側の基板ホルダに固定される任意の後続の基板でもって継続することができ、プロセスステップ204以降のプロセスステップを繰り返すことができる。この場合に生じ得る最大の誤差は、一番下側の基板と、接合すべき一番上側の基板との間の、誤差を伴うアライメントに関係している。基板スタックにわたるアライメントの誤差の伝播は生じない。
その後、第2の本発明によるプロセスの本発明による第9のプロセスステップ208では、下側の基板ホルダをプロセス領域から遠ざけることによって取り外すことができ、その後、アンローディングすることができる最終的な基板スタックが得られる。
本発明の更なる利点、特徴および詳細は、以下の好適な実施例の説明ならびに図面から明らかである。
2つの光学機器の光軸相互の位置の3種類の可能性を示す図である。 2つの光学機器の光軸相互の位置の別の3つの可能性を示す図である。 第1の本発明に係る方法の第1のステップを示す図である。 第1の本発明に係る方法の第2のステップを示す図である。 第1の本発明に係る方法の選択的な第3のステップを示す図である。 第1の本発明に係る方法の第4のステップを示す図である。 第1の本発明に係る方法の第5のステップを示す図である。 第1の本発明に係る方法の第6のステップを示す図である。 第1の本発明に係る方法の第7のステップを示す図である。 第1の本発明に係る方法の第8のステップを示す図である。 第1の本発明に係る方法の第9のステップを示す図である。 第2の本発明に係る方法の第1のステップを示す図である。 第2の本発明に係る方法の第2のステップを示す図である。 第2の本発明に係る方法の選択的な第3のステップを示す図である。 第2の本発明に係る方法の第4のステップを示す図である。 第2の本発明に係る方法の第5のステップを示す図である。 第2の本発明に係る方法の第6のステップを示す図である。 第2の本発明に係る方法の第7のステップを示す図である。 第2の本発明に係る方法の第8のステップを示す図である。 第2の本発明に係る方法の第9のステップを示す図である。 第1の本発明に係る基板ホルダの、寸法通りではない概略的な上面図である。 第2の本発明に係る基板ホルダの、寸法通りではない概略的な上面図である。 第1のフローチャートである。 第2のフローチャートである。 先行技術に係る方法により製造された基板スタックを示す図である。 本発明に係る方法により製造された基板スタックを示す図である。
図中、同一の構成部材または同一の機能を備えた構成部材には、同一の符号が付してある。
米国特許第6214692号明細書には、以下の方法を実施するための例示的な装置が開示されている。したがって、同明細書の開示は本明細書に含まれる。
左側の検出ユニット8lは、左下の光学機器7ulと左上の光学機器7olとを有している。右側の検出ユニット8rは、右下の光学機器7urと右上の光学機器7orとを有している。
図1aには、左側の光学機器7ul,7olの光軸10ol,10ul相互の位置の3種類の可能性が示してある。第1の事例(左側)では、光軸10ul,10olの交点は存在していない。第2の事例(真ん中)では、光軸10ul,10olが、基板に設けられた左側のアライメントマーク5l内で交差している。これは、最も頻繁に生じる事例である。第3の事例(右側)では、両光軸10ul,10olが共線的であり(整合しており)、左側のアライメントマーク5lを中心で突き抜けている。これは、最適な事例である。本発明に係る方法に先だって、少なくとも真ん中(第2)の事例が実現されるように、光学機器7ol,7ulが較正される。可能であれば、右側(第3)の事例が実現されることが望ましい。
図1bには、右側の光学機器7ur,7orの光軸10or,10ur相互の位置の3種類の可能性が示してある。第1の事例(左側)では、交点は存在していない。第2の事例(真ん中)では、光軸10or,10urが右側のアライメントマーク5r内で交差している。これは、最も頻繁に生じる事例である。第3の事例(右側)では、両光軸10or,10urが共線的であり、右側のアライメントマーク5rを中心で突き抜けている。これは、最適な事例である。本発明に係る方法に先だって、少なくとも真ん中の事例が実現されるように、光学機器7or,7urが較正される。可能であれば、右側の事例が実現されることが望ましい。
図2aには、例示的な第1の本発明に係る方法の第1のプロセスステップ100が示してある。
下側の基板4uは、左下のアライメントマーク5ulと右下のアライメントマーク5urとを有していて、左下の光学機器7ulおよび右下の光学機器7urがアライメントマーク5ul,5urを、下側の基板ホルダ1uに設けられた切欠き3を通じて認めることができると共に測定することができるように、下側の基板ホルダ1uに固定される(図2aの上図参照)。一般的に、アライメントマーク5ul,5urは、この時点ではまだ光学機器7ul,7urの被写界深度t内に位置していない。これによって、アライメントマーク5ul,5urが相応にぼやけて見える。しかしながら、アライメントマーク5ul,5urは、好ましくは少なくともすでに光学機器7ul,7urの視野6ul,6ur内には位置していることが望ましい(下図参照)。このことは、機械的な事前位置調整によって達成することができる(矢印により示した)。アライメントマーク5ul,5urがまだ視野6ul,6ur内に位置していない場合には、少なくともアライメントマーク5ul,5urが下側の光学機器7ul,7urに対して可視となるまで、検出ユニット8l,8rがx方向および/またはy方向に移動させられなければならない。アライメントマーク5ul,5urに対する検出ユニット8l,8rの正確なアライメントは、図2cで初めて行われる。光学機器7ul,7urは個別に運動させられてはならない。なぜならば、さもないと、先だって実施された較正が失われていってしまうからである。
図2bには、方法の第2のプロセスステップ101が示してある。下側の基板4uの両アライメントマーク5ul,5urが被写界深度t内に位置するまで、下側の基板ホルダ1uがZ方向に移動させられる(矢印により示した)。このプロセスステップでは、必要な場合、ウェッジエラー補償が実施されてもよい。ウェッジエラーは、両アライメントマーク5ul,5urのうちの一方のアライメントマークが、被写界深度tの範囲外に位置しているという理由でぼやけて結像されるのに対して、アライメントマーク5ul,5urのうちの第2のアライメントマークが、まだ被写界深度tの範囲内に位置しているという理由で鮮明に結像されることによって認識することができる。しかしながら、好ましくは、ウェッジエラーはより精密な測定装置、特に干渉計によって認識され、下側の基板ホルダ1uの傾動によって相応に補正される。
図2cには、選択的な第3のプロセスステップ102が示してある。この第3のプロセスステップ102では、アライメントマーク5ul,5urが下側の光学機器7ul,7urによって心合せされるかもしくはアライメントマーク5ul,5urが光学機器7ul,7ur内で心合せされた状態になるまで、検出ユニット8l,8rがX方向および/またはY方向に移動させられる(矢印により示した)。この場合には、アライメントマーク5ul,5urが、光学機器7ul,7ol;7ur,7orの光軸の交点に可能な限り正確に、好ましくは厳密に合致している。引き続き、光学機器7ul,7ur,7ol,7orを備えた検出ユニット8l,8rが固定され、本発明によるプロセスの間、もはや運動させられない。下側の基板ホルダ1uの並進位置および/または回転位置が記憶される。
図2dには、第4のプロセスステップ103が示してある。下側の基板1uが負のz方向に移動させられ(矢印により示した)、これによって、上側の基板ホルダ1o(図示せず)のためのプロセス領域が開放される。この場合には、下側の基板ホルダ1uを可能な限り精密に移動させることが必要となる。「可能な限り精密に」とは、z方向への運動に伴って、x方向および/またはy方向における下側の基板ホルダ1uの偏差が最小でなければならないことを意味している。代替的な本発明による実施の形態では、基板ホルダ1uがプロセス領域外に移動させられてもよい。この場合には、基板ホルダ1uが、図2fに示したプロセスステップ105に先だって、プロセス領域内に再び移動させられなければならない。
図2eには、第5のプロセスステップ104が示してある。上側の基板ホルダ1oは、ローディングされて固定された上側の基板4o(下図参照)の上面に設けられた上側のアライメントマーク5ol,5orが、上側の光学機器7ol,7orの視野6ol,6or内に位置して、適正に心合せされる(上図参照)ように、上側の基板4oを位置決めする(矢印により示した)。上側の基板ホルダ1oは、好ましくは、x方向およびy方向への運動しか可能でなく、z方向への運動は不可能であるように構成されている。したがって、上側の基板ホルダ1oへの上側の基板4oのローディングによって、上側のアライメントマーク5ol,5orは、好ましくはすでに被写界深度t内に位置している。しかしながら、小さな高さ誤差を補償するために、上側の基板ホルダ1oを極めて良好に、少なくとも短い距離にわたってz方向に移動させることができる装置も可能である。
図2dに示したプロセスステップ103と、図2eに示したプロセスステップ104とは、特に同時に行われる。
図2fには、第6のプロセスステップ105が示してある。このプロセスステップでは、両基板4u,4oの固定工程および/または接合工程が行われる。一般的には、両基板4u,4oが相対的に接近させられる。図示の特別な本発明による実施の形態では、下側の基板ホルダ1uが下側の基板4uをZ方向で上側の基板4oに接触させる(矢印により示した)。極めて重要な態様は、下側の基板4uの上側の基板表面4usと上側の基板4oの下側の基板表面4osとの間の接触の時点で、x方向および/またはy方向における下側の基板ホルダ1uの、理想的なx位置および/またはy位置に対する偏差が最小であるという点にある。別の本発明による実施の形態では、このプロセスステップにおいて、上側の基板ホルダ1oを下側の基板ホルダ1uに接近させることも可能である。この場合には、類似の考えが、z方向での高精度の位置決めについても云える。全く特別な本発明による実施の形態では、両基板ホルダ1u,1oが互いに接近させられてもよい。
図2gには、第7のプロセスステップ106が示してある。この第7のプロセスステップ106では、下側の基板ホルダ1uが、接合された両方の第1の基板4u,4oから成る形成された基板スタック9と共に負のz方向に移動させられ(矢印により示した)、これによって、上側の基板ホルダ1oのためのプロセス領域が開放される。基板ホルダ1uがプロセス領域から進出し、次の接合工程よりも前の時点で戻されることも可能である。なお、プロセスステップ104~106は複数回実施されてもよい。
図2hには、第8のプロセスステップ107が示してある。この第8のプロセスステップ107では、上面にアライメントマーク5ol’,5or’を備えた第3の基板4o’が、上側の基板ホルダによって固定され、基板スタック9の上方に配置される。図2eもしくはステップ104に類似して、上側の基板ホルダ1oは、ローディングされて固定された後続の上側の基板4o(下図参照)の上面に設けられた上側のアライメントマーク5ol’,5or’が、上側の光学機器7ol,7orの視野6ol,6or内に位置して、適正に心合せされる(上図参照)ように、後続の上側の基板4o’を位置決めする(矢印により示した)。上側の基板ホルダ1oは、好ましくは、x方向およびy方向への運動しか可能でなく、z方向への運動は不可能であるように構成されている。したがって、上側の基板ホルダ1oへの上側の基板4o’のローディングによって、上側のアライメントマーク5ol’,5or’は、好ましくはすでに被写界深度t内に位置している。しかしながら、小さな高さ誤差を補償するために、上側の基板ホルダ1oを極めて良好に、少なくとも短い距離にわたってz方向に移動させることができる装置も可能である。
これには、図2fもしくはステップ105に類似の接合工程と、図2gもしくはステップ106に類似のプロセス領域の開放とが続く。
その後、後続の基板をステップ107,105,106に類似してアライメントし、接合することができる。本発明によれば、接合すべきn+1番目の基板が、n番目の基板に対してアライメントされるのではなく、第1の基板に対してアライメントされるので、アライメント誤差を最小限に抑えることができる。
図3aには、例示的な第2の本発明に係る方法の第1の方法ステップ200が示してある。左下のアライメントマーク5ul’と右下のアライメントマーク5ur’とが、下側の基板4uの上面に配置されている(下図参照)。一般的に、アライメントマーク5ul’,5ur’は、この時点ではまだ光学機器7ol,7orの被写界深度t内に位置していない。これによって、アライメントマーク5ul’,5ur’が相応にぼやけて見える(上図参照)。しかしながら、アライメントマーク5ul’,5ur’は、好ましくは少なくともすでに視野6ol,6or内には位置していることが望ましい。このことは、機械的な事前位置調整によって常に達成することができる。アライメントマーク5ul’,5ur’がまだ視野6ol,6or内に位置していない場合には、アライメントマーク5ul’,5ur’が上側の光学機器7ol,7orに対して可視となるまで、検出ユニット8l,8rがx方向および/またはy方向に移動させられなければならない。第1のプロセスと異なり、好ましくは上側の光学機器7ol,7orだけが使用される。それにもかかわらず、検出ユニット8l,8r全体が運動させられる。基板4uが搬送されている場合には、アライメントマーク5ul’,5ur’を検知するために、下側の光学機器7ul,7urが使用されてもよい。この事例では、上面の全てのアライメントマーク5ul’,5ur’,5ol,5orの観察と、下面のアライメントマーク5ul’,5ur’の観察とが可能となる。しかしながら、本発明によるプロセスでは、何も変更されなくてもよい。なぜならば、この事例でも、それぞれ第1の基板に対する各基板の較正が行われるからである。したがって、後続の図面には、確かに下側の光学機器7ul,7orがまだ示してはあるものの、詳細な説明は省略する。
図3bには、第2の本発明に係る方法の第2の方法ステップ201が示してある。下側の基板4uの両アライメントマーク5ul’,5ur’が被写界深度t内に位置するまで、下側の基板ホルダ1uがZ方向に移動させられる。このプロセスステップでは、必要な場合、ウェッジエラー補償が実施されてもよい。ウェッジエラーは、両アライメントマーク5ul’,5ur’のうちの一方のアライメントマークが、被写界深度tの範囲外に位置しているという理由でぼやけて結像されるのに対して、アライメントマーク5ul’,5ur’のうちの第2のアライメントマークが、まだ被写界深度tの範囲内に位置しているという理由で鮮明に結像されることによって認識することができる。しかしながら、好ましくは、ウェッジエラーはより精密な測定装置、特に干渉計によって認識され、下側の基板ホルダ1uの傾動によって相応に補正される。
図3cには、選択的な第3のプロセスステップ202が示してある。この第3のプロセスステップ202では、アライメントマーク5ul’,5ur’が上側の光学機器7ol,7orによって心合せされるまで、検出ユニット8l,8rがZ方向に移動させられる。引き続き、検出ユニット8l,8rが固定され、本発明によるプロセスの間、もはや運動させられない。下側の基板ホルダ1uの並進位置および/または回転位置が記憶される。
図3dには、第4のプロセスステップ203が示してある。下側の基板1uが負のz方向に移動させられ、これによって、上側の基板ホルダ1oのためのプロセス領域が開放される。この場合には、下側の基板ホルダ1uを可能な限り精密に移動させることが必要となる。「可能な限り精密に」とは、z方向への運動に伴って、x方向および/またはy方向における下側の基板ホルダ1uの偏差が最小でなければならないことを意味している。代替的な本発明による実施の形態では、基板ホルダ1uがプロセス領域外に移動させられてもよい。この場合には、基板ホルダ1uが、図3fに示したプロセスステップ205に先だって、プロセス領域内に再び移動させられなければならない。
図3eには、第5のプロセスステップ204が示してある。上側の基板ホルダ1oは、上側のアライメントマーク5ol,5orが、上側の光学機器7ol,7orの視野6ol,6or内に位置して、適正に心合せされるように、ローディングされて固定された上側の基板4oを位置決めする。上側の基板ホルダ1oは、好ましくは、x方向およびy方向への運動しか可能でなく、z方向への運動は不可能であるように構成されている。したがって、上側の基板ホルダ1oへの上側の基板4oのローディングによって、上側のアライメントマーク5ol,5orは、好ましくはすでに被写界深度t内に位置している。しかしながら、小さな高さ誤差を補償するために、上側の基板ホルダ4oを極めて良好に、少なくとも短い距離にわたってz方向に移動させることができる装置も可能である。
図3dに示したプロセスステップ203と、図3fに示した続くプロセスステップ204とは、特に同時に行われる。
図3fには、第6のプロセスステップ205が示してある。このプロセスステップでは、両基板4u,4oの固定工程または接合工程が行われる。一般的には、両基板4u,4oが相対的に接近させられる。図示の特別な本発明による実施の形態では、下側の基板ホルダ1uが下側の基板4uを上側の基板4oに接触させる。極めて重要な本発明による態様は、基板表面4usと基板表面4osとの間の接触の時点で、x方向および/またはy方向における下側の基板ホルダ1uの、理想的なx位置および/またはy位置に対する偏差が最小であるという点にある。別の本発明による実施の形態では、このプロセスステップにおいて、上側の基板ホルダ1oを下側の基板ホルダ1uに接近させることも可能である。この場合には、類似の考えが、z方向での高精度の位置決めについても云える。全く特別な本発明による実施の形態では、両基板ホルダ1u,1oが互いに接近させられてもよい。
図3gには、第7のプロセスステップ206が示してある。この第7のプロセスステップ206では、両方の第1の基板4u,4oから接合により形成された基板スタック9’’が負のz方向に移動させられ、これによって、上側の基板ホルダ1oのためのプロセス領域が開放される。基板ホルダ1uがプロセス領域から進出し、次の接合工程よりも前の時点で戻されることも可能である。なお、プロセスステップ204~206は複数回実施されてもよい。
図3hには、第8のプロセスステップ207が示してある。この第8のプロセスステップ207では、上面にアライメントマーク5ol’,5or’を備えた第3の基板4o’が、上側の基板ホルダによって固定され、基板スタック9’’の上方に配置される。図3eもしくはステップ204に類似して、上側の基板ホルダ1oは、ローディングされて固定された後続の上側の基板4o’(下図参照)の上面に設けられた上側のアライメントマーク5ol’,5or’が、上側の光学機器7ol,7orの視野6ol,6or内に位置して、適正に心合せされる(上図参照)ように、上側の基板4o’を位置決めする(矢印により示した)。上側の基板ホルダ1oは、好ましくは、x方向およびy方向への運動しか可能でなく、z方向への運動は不可能であるように構成されている。したがって、上側の基板ホルダ1oへの上側の基板4o’のローディングによって、上側のアライメントマーク5ol’,5or’は、好ましくはすでに被写界深度t内に位置している。しかしながら、小さな高さ誤差を補償するために、上側の基板ホルダ1oを極めて良好に、少なくとも短い距離にわたってz方向に移動させることができる装置も可能である。
図3iには、第8のプロセスステップ207が示してある。この第8のプロセスステップ207では、完成した基板スタック9’’が下側の基板ホルダ1uからアンローディングされる。
その他の点では、第2のプロセスには、第1のプロセスに対して実施されたプロセスが適用される。
図4aには、第1の本発明に係る基板ホルダ1の、寸法通りではない概略的な上面図が示してある。この基板ホルダ1は基板ホルダプレートから成っている。この基板ホルダプレートには、基板4(部分的にしか図示していない)を固定するための、特に複数の固定要素2が設けられている。これらの固定要素2は、好ましくは真空固定部、特に真空通路の一部としての真空開口である。基板ホルダプレートには、複数の、特に少なくとも2つの切欠き3が加工されている。これらの切欠き3は、好適には、基板ホルダ1の各縁部1sから等しい間隔を置いて配置されている。切欠き3は、好ましくは貫通した孔である。この孔は、この実施の形態では円形に形成されている。しかしながら、切欠き3は、任意のあらゆる形状、特に方形を有していてもよい。また、複雑にフライス削りされた幾何学形状を有する切欠き3も可能である。
図4bには、第2の本発明に係る基板ホルダ1’の概略的な上面図が示してある。この基板ホルダ1’は基板ホルダプレートを備えている。この基板ホルダプレートには、基板4(部分的にしか図示していない)を固定するための、特に複数の固定要素2’が設けられている。これらの固定要素2’は、好ましくは真空固定部、特に真空通路の一部としての真空開口である。基板ホルダプレートには、複数の、特に少なくとも2つの切欠き3’が加工されている。これらの切欠き3’は、好ましくは、基板ホルダ1’の縁部1s’から形成されて内部に延びる、特にフライス削り工程により形成された細長い切欠き3’である。この切欠き3’の本発明による構成によって、有利には、下側の光学機器7ul,7urよりも上方への基板ホルダ1’の持上げが不要となる。
前述した基板ホルダ1,1’は、本発明による設備の下側および/または上側で使用することができる。
図5aには、第1の本発明に係る方法のフローチャートが示してある。プロセスステップ100~103が1回しか実施されないのに対して、プロセスステップ104~106は全部でn回実施されてもよい。プロセスステップ107は、明示のため、固有の図2hに示してあり、プロセスステップ104に等しいが、このプロセスステップ104では、第3の基板4o’が、すでに形成された基板スタック9に接合されることは除く。
図5bには、第2の本発明に係る方法のフローチャートが示してある。プロセスステップ200~203が1回しか実施されないのに対して、プロセスステップ204~206は全部でn回実施されてもよい。プロセスステップ207は、明示のため、固有の図3hに示してあり、プロセスステップ204に等しいが、このプロセスステップ204では、第3の基板4o’が、すでに形成された基板スタック9’’に接合されることは除く。
図6aには、先行技術が示してあり、しかも、アライメント誤差が増大しつつ互いに積層された4枚の基板4,4’,4’’,4’’’から成る基板スタック9’が一部抜粋して示してある。基板4,4’,4’’,4’’’は、一例としてモノリシックなレンズウェーハである。光学素子13,13’,13’’,13’’’、特にレンズの光軸12,12’,12’’,12’’’は共線的でない。連続する2つの光学素子13,13’,13’’,13’’’の2つの光軸の間の間隔が増大していることを特に認めることができる。
図6bには、アライメント誤差が不変のまま互いに積層された4枚の基板4,4’,4’’,4’’’から成る、本発明に係る方法により製造された基板スタック9’が一部抜粋して示してある。基板4,4’,4’’,4’’’は、一例としてモノリシックなレンズウェーハである。光学素子13,13’,13’’,13’’’、特にレンズの光軸12は共線的でない。しかしながら、n番目の基板4’,4’’,4’’’の光軸と第1の基板4の光軸との間の間隔がほぼ等しいことを認めることができる。なぜならば、本発明により、n番目の基板4’,4’’,4’’’が第1の基板4に対してアライメントされるからである。最適な状態は、全ての光学素子13,13’,13’’,13’’’の光軸12,12’,12’’,12’’’が共線的であるように基板4,4’,4’’,4’’’が積層されると共にアライメントされる状態である。
1,1’,1u,1o 基板ホルダ
1s,1s’ 縁部
2,2’ 固定部
3,3’ 切欠き
4o,4o’,4u,4,4’,4’’,4’’’ 基板
5ul,5ur,5ol,5or,5ul’,5ur’ アライメントマーク
6ul,6ur,6ol,6or 視野
7ul,7ur,7ol,7or 光学機器
8l,8r 検出ユニット
9,9’,9’’,9’’’ 基板スタック
10ul,10ol,10ur,10or 光軸
12,12’,12’’,12’’’ 光軸
13,13’,13’’,13’’’ 光学素子
t 被写界深度

Claims (18)

  1. 少なくとも3枚の基板(4o,4u,4,4’,4’’,4’’’,4o’)を接合して、基板スタック(9,9’,9’’)を製造するための方法であって、該基板スタック(9,9’,9’’)が、一番下側の基板(4u,4)と、中間の基板(4o,4’)と、上側の基板(4o’,4’’)とを少なくとも有しており、
    前記中間の基板(4o,4’)を前記一番下側の基板(4u,4)に対してアライメントして、前記中間の基板(4o,4’)を前記一番下側の基板(4u,4)を向く基板表面(4os)において、前記一番下側の基板(4u,4)の前記中間の基板(4o,4’)を向く基板表面(4us)にフュージョン接合するステップと、
    その後、前記上側の基板(4o’,4’’)をアライメントして、該上側の基板(4o’,4’’)を前記中間の基板(4o,4’)を向く基板表面において、前記中間の基板(4o,4)の前記上側の基板(4o’,4’’)を向く基板表面にフュージョン接合するステップと
    を有する、方法において、
    前記上側の基板(4o’,4’’)を前記一番下側の基板(4u,4)の下面に設けられたアライメントマーク(5ul,5ur,5ul’,5ur’)に対してアライメントすることを特徴とする、方法。
  2. 各基板(4o,4u,4,4’,4’’,4’’’,4o’)が、複数の光学的なレンズ(13,13’,13’’,13’’’)を有している、請求項1記載の方法。
  3. 後続の各基板(4’’’)を前記一番下側の基板(4u,4)に対してアライメントする、請求項1または2記載の方法。
  4. 上下に重なり合って配置された前記レンズ(13,13’,13’’,13’’’)の光軸(12,12’,12’’,12’’’)が、整合してアライメントされている、請求項2記載の方法。
  5. 少なくとも4枚の基板(4o,4u,4,4’,4’’,4’’’,4o’)を互いに接合する、請求項1からまでのいずれか1項記載の方法。
  6. 少なくとも5枚の基板(4o,4u,4,4’,4’’,4’’’,4o’)を互いに接合する、請求項1からまでのいずれか1項記載の方法。
  7. 少なくとも10枚の基板(4o,4u,4,4’,4’’,4’’’,4o’)を互いに接合する、請求項1からまでのいずれか1項記載の方法。
  8. 少なくとも15枚の基板(4o,4u,4,4’,4’’,4’’’,4o’)を互いに接合する、請求項1からまでのいずれか1項記載の方法。
  9. 前記一番下側の基板(4u,4)を下側の基板ホルダ(1u,1,1’)に配置して固定することと、
    前記一番下側の基板(4u,4)に設けられたアライメントマーク(5ul,5ur,5ul’,5ur’)を光学機器(7ul,7ur,7ol,7or)の視野(6ul,6ur,6ol,6or)内で検出することと、
    前記中間の基板(4o,4’)を上側の基板ホルダ(1o,1,1’)に配置して固定することと、
    前記一番下側の基板(4u,4)に設けられたアライメントマーク(5ul,5ur,5ul’,5ur’)を前記光学機器(7ul,7ur,7ol,7or)によって検出することと、
    前記中間の基板(4o,4’)を前記一番下側の基板(4u,4)に対してアライメントすることと、
    前記中間の基板(4o,4’)を前記一番下側の基板(4u,4)に接合して、接合された前記基板(4o,4’,4u,4)を前記下側の基板ホルダ(1u,1,1’)に残しておくことと、
    前記上側の基板(4o’,4’’)を前記上側の基板ホルダ(1o,1,1’)に配置して固定することと、
    前記上側の基板に設けられたアライメントマークを前記光学機器(7ul,7ur,7ol,7or)によって検出することと、
    前記上側の基板(4o’,4’’)を前記一番下側の基板(4u,4)に対してアライメントすることと、
    前記上側の基板(4o’,4’’)を前記中間の基板(4o,4’)に接合して、前記基板スタック(9’)を製造することと
    を含む、請求項1からまでのいずれか1項記載の方法。
  10. 前記アライメントマーク(5ul,5ur,5ul’,5ur’)の前記検出を、前記一番下側の基板(4u,4)の下方に配置された光学機器(7ul,7ur)によって、前記下側の基板ホルダ(1u,1,1’)に設けられた切欠き(3,3’)を通じて行う、請求項記載の方法。
  11. 前記切欠き(3,3’)が、前記下側の基板ホルダ(1u,1,1’)に設けられた貫通した孔として形成されている、請求項10記載の方法。
  12. 前記切欠き(3,3’)が、前記下側の基板ホルダ(1u,1,1’)に設けられた長孔として形成されている、請求項10記載の方法。
  13. 前記下側の基板ホルダ(1u,1,1’)は、下側の前記光学機器(7ul,7ur)が前記切欠き(3,3’)の範囲内に配置されているように移動可能である、請求項10記載の方法。
  14. 前記下側の基板ホルダ(1u,1,1’)を、X方向およびY方向における偏差が最小であるように、Z位置決めユニットによってZ方向に精密に移動させる、請求項から13までのいずれか1項記載の方法。
  15. Z方向への運動時のX方向および/またはY方向における前記下側の基板ホルダ(1u,1,1’)の偏差を後位置調整ユニットによって補正する、請求項から14までのいずれか1項記載の方法。
  16. 光軸(10ul,10ur,10ol,10or)が前記基板(4o,4u,4,4’,4’’,4’’’,4o’)におけるアライメントマーク(51)において交差又は整合するように較正されて互いに上下に対向して設けられた複数の光学機器(7ul,7ol,7ur,7or)のうち、下側の光学機器(7ul,7ur)において前記一番下側の基板(4u,4)におけるアライメントマーク(5ul,5ur)を前記光軸(10ul,10ur)に対して心合わせし、上側の光学機器(7ol,7or)において前記上側の基板(4o’,4’’)におけるアライメントマーク(5ol,5or)を前記光軸(10ol,10or)に対して心合わせして、前記上側の基板(4o’,4’’)を前記一番下側の基板(4u,4)に対してアライメントする、請求項1から15までのいずれか1項記載の方法。
  17. 請求項1から16までのいずれか1項記載の方法に用いられる基板ホルダ(1u,1,1’)であって、光学機器(7ul,7ur)を収容するための切欠き(3,3’)と、基板(4u,4)を固定するための固定要素(2,2’)とを有している基板ホルダ(1u,1,1’)。
  18. 前記固定要素(2,2’)は、真空開口である、請求項17記載の基板ホルダ(1u,1,1’)。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017105697A1 (de) * 2017-03-16 2018-09-20 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Ausrichtung zweier optischer Teilsysteme
JP7391733B2 (ja) * 2020-03-17 2023-12-05 キオクシア株式会社 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
US11362038B2 (en) * 2020-05-28 2022-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photolithography alignment process for bonded wafers
DE102020126211A1 (de) 2020-05-28 2021-12-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Photolithographie-Ausrichtungsprozess für gebondete Wafer
JP2023533426A (ja) * 2020-06-29 2023-08-03 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 基板ホルダーならびに基板を固定および接合する方法
JP2023537456A (ja) * 2020-06-30 2023-09-01 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 基板をアライメントするための装置および方法
KR102560903B1 (ko) * 2021-08-31 2023-07-31 인하대학교 산학협력단 레이저 광원을 이용한 웨이퍼 칩의 미세 정렬 방법
JP2023183276A (ja) * 2022-06-15 2023-12-27 キオクシア株式会社 接合装置、接合方法、及び半導体装置の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003085723A1 (en) 2002-04-04 2003-10-16 Toray Engineering Co., Ltd. Alignment method and mounting method using the alignment method
WO2011087003A1 (ja) 2010-01-15 2011-07-21 東レエンジニアリング株式会社 3次元実装方法および装置
JP2014042055A (ja) 2013-10-18 2014-03-06 Nikon Corp 基板重ね合わせ装置、基板保持装置および半導体装置の製造方法
JP2014160744A (ja) 2013-02-19 2014-09-04 Ulvac Japan Ltd アラインメント装置、及びアラインメント方法
JP2014167472A (ja) 2008-05-15 2014-09-11 Nikon Corp 基板重ね合わせ装置および位置検出装置
JP2017032797A (ja) 2015-07-31 2017-02-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 積層レンズ構造体およびその製造方法、並びに電子機器

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT405775B (de) 1998-01-13 1999-11-25 Thallner Erich Verfahren und vorrichtung zum ausgerichteten zusammenführen von scheibenförmigen halbleitersubstraten
KR20070046375A (ko) * 2005-10-31 2007-05-03 주성엔지니어링(주) 기판과 마스크 정렬 장치 및 정렬 방법
WO2011019881A1 (en) * 2009-08-14 2011-02-17 Budraa Nasser K Systems and methods for bonding using microwave energy
JP4831842B2 (ja) * 2009-10-28 2011-12-07 三菱重工業株式会社 接合装置制御装置および多層接合方法
EP2632673B1 (de) 2010-10-26 2014-06-18 EV Group GmbH Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines linsenwafers
EP2652780A1 (de) 2010-12-14 2013-10-23 Ev Group E. Thallner GmbH Aufnahmeeinrichtung zur aufnahme und halterung eines wafers
CN106887399B (zh) 2010-12-20 2020-02-21 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于保持晶片的容纳装置
US8512491B2 (en) * 2010-12-21 2013-08-20 Tessera, Inc. Dual wafer spin coating
SG2014009369A (en) 2011-08-12 2014-09-26 Ev Group E Thallner Gmbh Apparatus and method for bonding substrates
SG2014013007A (en) 2011-12-22 2014-06-27 Ev Group E Thallner Gmbh Flexible substrate mount, device and method for detaching a first substrate
CN104335340B (zh) * 2012-05-17 2017-11-03 赫普塔冈微光有限公司 晶片堆叠的组装
US9343348B2 (en) * 2012-06-12 2016-05-17 Erich Thallner Substrate-product substrate combination and device and method for producing a substrate-product substrate combination
JP6218934B2 (ja) 2013-05-29 2017-10-25 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 基板をボンディングする装置および方法
JP6258479B2 (ja) 2013-06-17 2018-01-10 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 複数の基板を位置合わせする装置及び方法
US9646860B2 (en) 2013-08-09 2017-05-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Alignment systems and wafer bonding systems and methods
CN105247670B (zh) 2013-12-06 2018-06-12 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于对齐衬底的装置和方法
CN110707027B (zh) 2014-02-03 2023-10-31 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于结合基体的方法及装置
KR20230052997A (ko) 2016-03-22 2023-04-20 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기판을 결합하기 위한 방법 및 장치
JP6851838B2 (ja) * 2017-01-26 2021-03-31 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 積層レンズ構造体、カメラモジュール、および、電子機器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003085723A1 (en) 2002-04-04 2003-10-16 Toray Engineering Co., Ltd. Alignment method and mounting method using the alignment method
JP2014167472A (ja) 2008-05-15 2014-09-11 Nikon Corp 基板重ね合わせ装置および位置検出装置
WO2011087003A1 (ja) 2010-01-15 2011-07-21 東レエンジニアリング株式会社 3次元実装方法および装置
JP2014160744A (ja) 2013-02-19 2014-09-04 Ulvac Japan Ltd アラインメント装置、及びアラインメント方法
JP2014042055A (ja) 2013-10-18 2014-03-06 Nikon Corp 基板重ね合わせ装置、基板保持装置および半導体装置の製造方法
JP2017032797A (ja) 2015-07-31 2017-02-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 積層レンズ構造体およびその製造方法、並びに電子機器

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