JP7174746B2 - タッチディスプレイ装置 - Google Patents
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Description
本発明はタッチディスプレイ装置に関するもので、特にテストパターンの損傷を防止することができるタッチディスプレイ装置に関するものである。
タッチスクリーンは、ディスプレイ装置などの画面に現れた指示内容を人の手又は物体で選択して使用者の命令を入力することができるようにした入力装置である。すなわち、タッチスクリーンは、人の手又は物体が直接接触した接触位置を電気的信号に変換し、接触位置で選択された指示内容が入力信号として受け入れられる。このようなタッチスクリーンはキーボード及びマウスのようにディスプレイ装置に連結されて動作する別途の入力装置を代替することができるから、その利用範囲が徐々に拡張している趨勢である。
最近、タッチスクリーンが液晶ディスプレイパネル又は有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルのようなディスプレイパネル上に配置されるタッチディスプレイ装置に対する研究が活発に行われている。しかし、タッチスクリーンに含まれるタッチ電極などの製造工程の際、タッチ電極より先に形成されたテストパターンが損傷する問題点がある。
本発明は前記問題点を解決するためのものであり、本発明はテストパターンの損傷を防止することができるタッチディスプレイ装置を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明によるタッチディスプレイ装置は、発光素子とタッチ電極との間に配置される多数の絶縁膜の少なくとも一つと同じ素材からなるテストカバー層が基板の縁部に形成されるテストパターン上に配置される。
本発明によるタッチディスプレイ装置は、発光素子に含まれた発光スタック及びカソード電極のそれぞれの特性をモニタリングするのに用いられるテストパターンを覆うように形成されるテストカバー層を備えることにより、タッチセンサーの製造工程の際にテストパターンが分離されることを防止することができる。
特に、本発明によるタッチディスプレイ装置は、テストパターンの中でストリップ工程で除去することができないテストパターンをテストカバー層で保護することにより、テストパターンが分離される不良を防止することができ、信頼性が向上する。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
図１は本発明によるタッチディスプレイ装置を示す斜視図である。
図１に示したタッチディスプレイ装置は、タッチ期間に図２に示したタッチ電極１５２ｅ、１５４ｅを介して使用者のタッチによる相互キャパシタンス（ｍｕｔｕａｌ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）（Ｃｍ；タッチセンサー）の変化量を感知してタッチ有無及びタッチ位置をセンシングする。そして、図１に示したタッチディスプレイ装置は、発光素子１２０を含む単位画素を介して映像を表示する。
このために、タッチディスプレイ装置は、基板１１１上にマトリックス状に配列された多数のサブ画素ＳＰからなる単位画素と、多数のサブ画素ＳＰ上に配置された封止ユニット１４０と、封止ユニット１４０上に配置されたタッチセンサーＣｍとを備える。
単位画素は、一列に配置された赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のサブ画素ＳＰから構成されるか、図１に示したように、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）及び白色（Ｗ）のサブ画素ＳＰから構成される。
多数のサブ画素ＳＰのそれぞれは、画素駆動回路と、画素駆動回路と接続される発光素子１２０とを備える。
画素駆動回路は、スイッチングトランジスタＴ１、駆動トランジスタＴ２及びストレージキャパシタＣｓｔを備える。一方、本発明では画素駆動回路が２個のトランジスタＴと１個のキャパシタＣとを備える構造を例として説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、３個以上のトランジスタＴと１個以上のキャパシタＣとを備える３Ｔ１Ｃ構造又は３Ｔ２Ｃ構造の画素駆動回路を用いることもできる。
スイッチングトランジスタＴ１は、スキャンラインＳＬにスキャンパルスが供給されれば、ターンオンされ、データラインＤＬに供給されたデータ信号をストレージキャパシタＣｓｔ及び駆動トランジスタＴ２のゲート電極に供給する。
駆動トランジスタＴ２は、その駆動トランジスタＴ２のゲート電極に供給されるデータ信号に応じて、高電圧ＶＤＤ供給ラインから発光素子１２０に供給される電流Ｉを制御することにより発光素子１２０の発光量を調節するようになる。そして、スイッチングトランジスタＴ１がターンオフされても、ストレージキャパシタＣｓｔに充電された電圧によって駆動トランジスタＴ２は次のフレームのデータ信号が供給されるまで一定の電流を供給して発光素子１２０が発光を維持するようにする。
このような駆動トランジスタＴ２、１３０は、図３に示したように、バッファー層１１２上に配置される半導体層１３４と、ゲート絶縁膜１０２を挟んで半導体層１３４と重畳するゲート電極１３２と、層間絶縁膜１１４上に形成されて半導体層１３４と接触するソース及びドレイン電極１３６、１３８とを備える。ここで、半導体層１３４は、非晶質半導体物質、多結晶半導体物質及び酸化物半導体物質の少なくとも１種から形成される。
発光素子１２０は、アノード電極１２２と、アノード電極１２２上に形成される発光スタック１２４と、発光スタック１２４上に形成されたカソード電極１２６とを備える。
アノード電極１２２は画素平坦化層１１８を貫通する画素コンタクトホール１１６を通して露出された駆動トランジスタＴ２、１３０のドレイン電極１３８と電気的に接続される。
少なくとも一つの発光スタック１２４はバンク１２８によって設けられた発光領域のアノード電極１２２上に形成される。少なくとも一つの発光スタック１２４は、アノード電極１２２上に正孔関連層、有機発光層、電子関連層の順に又は逆順に積層されて形成される。その他にも、発光スタック１２４は電荷生成層を挟んで対向する第１及び第２発光スタックを備えることもできる。この場合、第１及び第２発光スタックのいずれか一つの有機発光層は青色光を生成し、第１及び第２発光スタックの残りの一つの有機発光層は黄色－緑色光を生成することにより、第１及び第２発光スタックを介して白色光が生成される。この発光スタック１２４で生成された白色光は、発光スタック１２４の上部に位置するカラーフィルターに入射するので、カラー映像を具現することができる。その他にも、別途のカラーフィルターなしに各発光スタック１２４で各サブ画素に相応するカラー光を生成してカラー映像を具現することもできる。すなわち、赤色（Ｒ）サブ画素の発光スタック１２４は赤色光を、緑色（Ｇ）サブ画素の発光スタック１２４は緑色光を、青色（Ｂ）サブ画素の発光スタック１２４は青色光を生成することもできる。
カソード電極１２６は発光スタック１２４を挟んでアノード電極１２２と対向するように形成される。このカソード電極１２６は低電圧ＶＳＳ供給ラインと接続される。
封止ユニット１４０は外部の水分や酸素に脆弱な発光素子１２０であり、外部の水分や酸素が浸透することを遮断する。このために、封止ユニット１４０は、多数の無機封止層１４２、１４６と、多数の無機封止層１４２、１４６の間に配置される有機封止層１４４とを備え、無機封止層１４６が最上層に配置されるようにする。ここで、封止ユニット１４０は少なくとも２層の無機封止層１４２、１４６と少なくとも１層の有機封止層１４４とを備える。本発明では、第１及び第２無機封止層１４２、１４６の間に有機封止層１４４が配置される封止ユニット１４０の構造を例として説明する。
第１無機封止層１４２は、発光素子１２０に最も近接するようにカソード電極１２６が形成された基板１１１上に形成される。このような第１無機封止層１４２は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のような低温蒸着可能な無機絶縁素材から形成される。これにより、第１無機封止層１４２が低温雰囲気で蒸着されるので、第１無機封止層１４２の蒸着工程の際、高温雰囲気に脆弱な発光スタック１２４が損傷することを防止することができる。
有機封止層１４４は有機発光ディスプレイ装置の撓みによる各層間の応力を緩和させる緩衝の役割を果たし、平坦化性能を強化する。この有機封止層１４４は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリエチレン又はシリコンオキシカーボン（ＳｉＯＣ）のような有機絶縁素材から形成される。
このような有機封止層１４４がインクジェット方式で形成される場合、液状の有機封止層１４４が基板１１１の縁端に拡散することを防止するように、少なくとも一つのダム１８０が配置される。少なくとも一つのダム１８０により、基板１１１の最外殻に配置されるタッチパッド１７０及びディスプレイパッド１７８が配置されるパッド領域に有機封止層１４４が拡散することを防止することができる。このために、少なくとも一つのダム１８０は、図２に示したように、発光素子１２０が配置されるアクティブ領域を完全に取り囲むように形成されるか、アクティブ領域とパッド領域との間のみに形成されることもできる。タッチパッド１７０及びディスプレイパッド１７８が配置されるパッド領域が基板１１１の一側に配置される場合、少なくとも一つのダム１８０は基板１１１の一側のみに配置される。そして、タッチパッド１７０及びディスプレイパッド１７８が配置されるパッド領域が基板１１１の両側に配置される場合、少なくとも一つのダム１８０は基板１１１の両側に配置される。このような少なくとも一つのダム１８０は単層又は多層の構造を有するように形成される。少なくとも一つのダム１８０は画素平坦化層１１８、バンク１２８及びスペーサーの少なくとも一つと同じ素材から同時に形成される。
第２無機封止層１４６は、有機封止層１４４が形成された基板１１１上に有機封止層１４４及び第１無機封止層１４２のそれぞれの上面及び側面を覆うように形成される。これにより、第２無機封止層１４６は外部の水分や酸素が第１無機封止層１４２及び有機封止層１４４に浸透することを最小化するか遮断する。このような第２無機封止層１４６は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のような無機絶縁素材から形成される。
このような封止ユニット１４０上には、タッチ絶縁膜１５６、そのタッチ絶縁膜１５６を挟んで交差するように配置されるタッチセンシングライン１５４及びタッチ駆動ライン１５２を含むタッチセンサーＣｍが配置される。このタッチセンサーはタッチ駆動ライン１５２に供給されるタッチ駆動パルスによって電荷を充電し、充電された電荷をタッチセンシングライン１５４に放電する。
タッチ駆動ライン１５２は、多数の第１タッチ電極１５２ｅと、多数の第１タッチ電極１５２ｅの間を電気的に連結する第１ブリッジ１５２ｂとを備える。
多数の第１タッチ電極１５２ｅはタッチ絶縁膜１５６上に第１方向であるＸ方向に一定の間隔で離隔される。このような多数の第１タッチ電極１５２ｅのそれぞれは第１ブリッジ１５２ｂを介して隣接した第１タッチ電極１５２ｅと電気的に連結される。
第１ブリッジ１５２ｂはタッチ絶縁膜１５６を貫通するタッチコンタクトホール１５８を通して露出されて第１タッチ電極１５２ｅと電気的に接続される。
タッチセンシングライン１５４は、多数の第２タッチ電極１５４ｅと、多数の第２タッチ電極１５４ｅの間を電気的に連結する第２ブリッジ１５４ｂとを備える。
多数の第２タッチ電極１５４ｅはタッチ絶縁膜１５６上に第２方向であるＹ方向に一定の間隔で離隔される。このような多数の第２タッチ電極１５４ｅのそれぞれは第２ブリッジ１５４ｂを介して隣接した第２タッチ電極１５４ｅと電気的に連結される。
第２ブリッジ１５４ｂは第２タッチ電極１５４ｅと同一平面であるタッチ絶縁膜１５６上に配置され、別途のコンタクトホールなしに第２タッチ電極１５４ｅと電気的に接続される。
一方、タッチ駆動ライン１５２及びタッチセンシングライン１５４のそれぞれと封止ユニット１４０との間にはタッチバッファー膜（図示せず）が配置されることもできる。タッチバッファー膜によってタッチ駆動ライン１５２及びタッチセンシングライン１５４のそれぞれとカソード電極１２６との間の離隔距離が増加するので、タッチ駆動ライン１５２及びタッチセンシングライン１５４のそれぞれとカソード電極１２６との間の寄生キャパシタの容量値を減少させることができる。
このような第１及び第２タッチ電極１５２ｅ、１５４ｅと第１及び第２ブリッジ１５２ｂ、１５４ｂは、図４に示したように、各サブ画素ＳＰの発光領域と重畳せずにバンク１２８と重畳するメッシュ状に形成される。これにより、第１及び第２タッチ電極１５２ｅ、１５４ｅと第１及び第２ブリッジ１５２ｂ、１５４ｂによって開口率及び透過率が低下することを防止することができる。
第１及び第２タッチ電極１５２ｅ、１５４ｅと第１及び第２ブリッジ１５２ｂ、１５４ｂは透明導電膜より伝導性が良くて低抵抗電極に形成される。第１及び第２タッチ電極１５２ｅ、１５４ｅと第１及び第２ブリッジ１５２ｂ、１５４ｂはルーティングライン１６０とともに、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏのような耐食性及び耐酸性に強くて伝導性の良いタッチ金属層を用いて単層又は多層の構造を有するように形成される。例えば、第１及び第２タッチ電極１５２ｅ、１５４ｅ、第１及び第２ブリッジ１５２ｂ、１５４ｂ及びルーティングライン１６０は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、ＭｏＴｉ／Ｃｕ／ＭｏＴｉ又はＴｉ／Ａｌ／Ｍｏのように積層された３層構造を有するように形成される。これにより、第１及び第２タッチ電極１５２ｅ、１５４ｅと第１及び第２ブリッジ１５２ｂ、１５４ｂとルーティングライン１６０のそれぞれの自体抵抗とキャパシタンスが減少し、ＲＣ遅延が減少してタッチ感度を向上させることができる。
このような本発明のタッチ駆動ライン１５２及びタッチセンシングライン１５４のそれぞれはルーティングライン１６０及びタッチパッド１７０を介してタッチ駆動部（図示せず）と連結される。
タッチパッド１７０はタッチ駆動部が実装された信号伝送フィルム（図示せず）と接続される。このようなタッチパッド１７０は第１及び第２タッチパッド電極１７２、１７４からなる。
第１タッチパッド電極１７２は、封止ユニット１４０の下部に配置される基板１１１、バッファー層１１２及び層間絶縁膜１１４の少なくとも一つ上に配置される。このような第１タッチパッド電極１７２は、駆動薄膜トランジスタＴ２、１３０のゲート電極１３２、ソース及びドレイン電極１３６、１３８の少なくとも一つと同じ素材から同一平面上に単層又は多層の構造を有するように形成される。例えば、第１タッチパッド電極１７２はソース及びドレイン電極１３６、１３８と同じ素材から層間絶縁膜１１４上に配置されるので、ソース及びドレイン電極１３６、１３８と同じマスク工程によって形成される。
第２タッチパッド電極１７４は、画素保護膜１０８及びタッチ絶縁膜１５６を貫通するパッドコンタクトホール１７６を通して露出された第１タッチパッド電極１７２と電気的に接続される。この第２タッチパッド電極１７４はルーティングライン１６０と同じマスク工程で形成されるので、ルーティングライン１６０と同じ素材から同一平面上に形成される。
このような第２タッチパッド電極１７４はルーティングライン１６０から延設され、異方性導電フィルム（図示せず）を介してタッチ駆動部の実装された信号伝送フィルム（図示せず）と接続される。
一方、タッチパッド１７０が配置されたノンアクティブ（ベゼル）領域にはディスプレイパッド１７８も一緒に配置される。例えば、図２に示したように、ディスプレイパッド１７８はタッチパッド１７０の間に配置されるか、タッチパッド１７０はディスプレイパッド１７８の間に配置されることもできる。その他にも、タッチパッド１７０はディスプレイパネルの一側に配置され、ディスプレイパッド１７８はディスプレイパネルの他側に配置されることもできる。一方、タッチパッド１７０及びディスプレイパッド１７８の配置は図２の構造に限定されず、ディスプレイ装置の設計事項によって多様に変更可能である。
ディスプレイパッド１７８はタッチパッド１７０と違う積層構造を有するように形成されるか、図３に示したタッチパッド１７０と同じ積層構造を有するように形成される。
ルーティングライン１６０は、タッチ駆動部で生成されたタッチ駆動パルスをタッチパッド１７０を介してタッチ駆動ライン１５２に伝送し、タッチセンシングライン１５４からのタッチ信号をタッチパッド１７０を介してタッチ駆動部に伝送する。これにより、ルーティングライン１６０は第１及び第２タッチ電極１５２ｅ、１５４ｅのそれぞれとタッチパッド１７０との間に形成され、第１及び第２タッチ電極１５２ｅ、１５４ｅのそれぞれとタッチパッド１７０を電気的に連結する。ここで、ルーティングライン１６０は、図２に示したように、第１タッチ電極１５２ｅからアクティブ領域の左側及び右側の少なくとも一側に延びてタッチパッド１７０と接続され、ルーティングライン１６０は第２タッチ電極１５４ｅからアクティブ領域の上側及び下側の少なくとも一側に延びてタッチパッド１７０と接続される。このようなルーティングライン１６０の配置はディスプレイ装置の設計事項によって多様に変更可能である。ルーティングライン１６０は、少なくとも一つのダム１８０の上部において、少なくとも一つのダム１８０と交差するように配置される。
また、ルーティングライン１６０は第１及び第２ブリッジ１５２ｂ、１５４ｂの少なくとも一つとともに形成され、単層又は多層の構造を有するように形成される。多層構造のルーティングライン１６０は互いに異なる層上に配置される上部ライン及び下部ラインを備え、上部ライン及び下部ラインはコンタクトホールを介して電気的に連結される。例えば、ルーティングライン１６０は、第１ブリッジ１５２ｂと同じ素材から同一平面上に配置される下部ラインと、第２ブリッジ１５４ｂと同じ素材から同一平面上に配置される上部ラインとを備え、上部ライン及び下部ラインはタッチ絶縁膜１５６を貫通するコンタクトホールを介して電気的に連結される。
ダム１８０の外側と基板１１１の末端との間のベゼル領域には、図２に示したように、ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ、以下“テストパターン１９０”という）が形成される。テストパターン１９０は基板１１１の上下左右又は角のベゼル領域に形成される。
多数のテストパターン１９０は、タッチディスプレイ装置の製造工程のそれぞれの進行結果が正常に得られたかを確認するために、各工程の結果物の厚さ、抵抗、濃度、汚染の程度、臨界値及び素子の電気的特性などを測定するのに用いられる。すなわち、多数のテストパターン１９０は基板１１１上に形成された各薄膜層と同じ製造工程で一緒に形成された後、多数のテストパターン１９０のそれぞれを検査又はモニタリングして該当工程の信頼性、安全性及び工程マージンなどを評価する。
多数のテストパターン１９０は、ｐ型ドーパントがドーピングされた正孔輸送層（ｐＨＴＬ）、ドーパントがドーピングされなかった正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、正孔遮断層（ＨＢＬ）、電子遮断層（ＥＢＬ）など、発光スタック１２４に含まれる薄膜層、多層構造のキャッピング層（ＣＰＬ）及び多層構造のカソード電極１２６のそれぞれと同じ製造工程でベゼル領域に形成される。
このような多数のテストパターン１９０のうち、封止ユニット１４０上に配置されるタッチ導電層（例えば、タッチ電極１５２ｅ、１５４ｅ、ブリッジ１５２ｂ、１５４ｂ、ルーティングライン１６０、第２タッチパッド電極１７４）の製造工程の際に一部のテストパターン１９０が分離される。よって、本発明では、分離不良が発生し得るテストパターン１９０を、図５ａ～図７ｂに示したように、テストカバー層１９２で保護することにより、タッチ導電層の製造工程の際にテストパターン１９０が分離されて損傷することを防止することができる。
具体的に、多数のテストパターン１９０は、図５ａ～図７ｂに示したように、第１及び第２テストパターン１９０ａ、１９０ｂに区分される。例えば、第１テストパターン１９０ａはカソード電極１２６に含まれる多層の中で最上部に配置されるカソード導電層と同じ製造工程で形成される。第２テストパターン１９０ｂは、ｐ型ドーパントがドーピングされた正孔輸送層（ｐＨＴＬ）、ドーパントがドーピングされなかった正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、正孔遮断層（ＨＢＬ）、電子遮断層（ＥＢＬ）、多層構造のキャッピング層の少なくとも一つと同じ製造工程で形成される。
このうち、カソード電極１２６の厚さ、抵抗及び電気的特性などを測定するのに用いられる第１テストパターン１９０ａは、その第１テストパターン１９０ａの下部に配置される下部薄膜層との接着力が弱くてタッチ導電層の蒸着工程の際に分離される。しかし、第１テストパターン１９０ａはストリップ工程で除去されないため、異物不良（例えば、ショート不良）が発生することになる。
第２テストパターン１９０ｂのうち、下部キャッピング層、正孔遮断層（ＨＢＬ）及び電子輸送層（ＥＴＬ）のそれぞれの厚さ、抵抗及び電気的特性などを測定するのに用いられる第２テストパターン１９０ｂは、その第２テストパターン１９０ｂの下部に配置される下部薄膜層との接着力が弱くてタッチ導電層の蒸着工程の際に分離されるが、ストリップ工程で除去されるので、異物不良が発生しない。
第２テストパターン１９０ｂのうち、上部キャッピング層、ｐ型ドーパントがドーピングされた正孔輸送層（ｐＨＴＬ）、ドーパントがドーピングされなかった正孔輸送層（ＨＴＬ）及び電子遮断層（ＥＢＬ）のそれぞれの厚さ、抵抗及び電気的特性などを測定するのに用いられる第２テストパターン１９０ｂは、その第２テストパターン１９０ｂの下部に配置される下部薄膜層との接着力が強くてタッチ導電層の蒸着工程の際に分離不良が発生しない。
テストカバー層１９２は、タッチ導電層の製造工程の際にテストパターン１９０が損傷することを防止することができるように、タッチ導電層の製造工程の前にテストパターン１９０を覆うように形成される。このために、テストカバー層１９２は、発光素子１２０及びタッチ導電層の間に配置される多数の絶縁膜の少なくとも一つと同じ素材から単層又は多層の構造を有するように形成される。テストカバー層１９２は、封止ユニット１４０に含まれた第１及び第２無機封止層１４２、１４６の少なくとも一つと同じ素材から一緒に形成されるか、有機封止層１４４と同じ素材から有機封止層１４４と一緒に形成されるか、第１及び第２無機封止層１４２、１４６と有機封止層１４４のそれぞれと同じ素材から一緒に形成される。例えば、テストカバー層１９２は、図５ｂ、図６ｂ及び図７ｂに示したように、第１及び第２無機封止層１４２、１４６のそれぞれと同じ素材から、第１及び第２無機封止層１４２、１４６のそれぞれとともに形成される第１及び第２テストカバー層１９２ａ、１９２ｂから形成される。
このような本発明のテストカバー層１９２及びテストパターン１９０は、図５ａ及び図５ｂの実施例１、図６ａ及び図６ｂの実施例２、又は図７ａ及び図７ｂの実施例３の構造を有するように形成される。
図５ａ及び図５ｂに示した第１テストパターン１９０ａはダム１８０に隣接して配置される。このような第１テストパターン１９０ａは、最外殻ダムの外側面上に形成される第１及び第２無機封止層１４２、１４６から延びたテストカバー層１９２によって保護される。ここで、第１及び第２無機封止層１４２、１４６とテストカバー層１９２ａ、１９２ｂは第１及び第２開口部を備える蒸着マスクを用いて一緒に形成される。第１開口部は第１及び第２無機封止層１４２、１４６の形成領域に対応し、第２開口部は第１開口部と連結され、テストカバー層１９２ａ、１９２ｂの形成領域に対応する。
これにより、第１テストパターン１９０ａはテストカバー層１９２と重畳することにより、タッチ導電層の製造工程の際に第１テストパターン１９０ａが分離される不良を防止することができる。また、第２テストパターン１９０ｂはテストカバー層１９２と重畳しないが、その第２テストパターン１９０ｂの下部薄膜層との接着力が強いかストリップ工程で除去できるので、タッチ導電層の製造工程の際に分離不良を防止することができる。
図６ａ及び図６ｂに示した第１テストパターン１９０ａはダム１８０から遠く配置される。このような第１テストパターン１９０ａは、最外殻ダムの外側面上に形成される第１及び第２無機封止層１４２、１４６から離隔したテストカバー層１９２によって保護される。ここで、第１及び第２無機封止層１４２、１４６とテストカバー層１９２ａ、１９２ｂは第１及び第２開口部を備える蒸着マスクを用いて一緒に形成される。第１開口部は第１及び第２無機封止層１４２、１４６の形成領域に対応し、第２開口部は第１開口部から離隔し、テストカバー層１９２ａ、１９２ｂの形成領域に対応する。
これにより、第１テストパターン１９０ａはテストカバー層１９２と重畳することにより、タッチ導電層の製造工程の際に第１テストパターン１９０ａが分離される不良を防止することができる。また、第２テストパターン１９０ｂはテストカバー層１９２と重畳しないが、その第２テストパターン１９０ｂの下部薄膜層との接着力が強いかストリップ工程で除去できるので、タッチ導電層の製造工程の際に分離不良を防止することができる。
図７ａ及び図７ｂに示した第１テストパターン１９０ａはダム１８０に近く又は遠く配置される。このような第１テストパターン１９０ａ及び第２テストパターン１９０ｂはテストカバー層１９２によって保護される。ここで、テストカバー層１９２は基板１１１の末端であるトリミングライン（Ｔｒｉｍｍｉｎｇ Ｌｉｎｅ）に隣接して配置されるか、基板１１１の末端であるトリミングライン（Ｔｒｉｍｍｉｎｇ Ｌｉｎｅ）まで形成されることもできる。これにより、第１及び第２テストパターン１９０ａ、１９０ｂはテストカバー層１９２と重畳することにより、タッチ導電層の製造工程の際に第１及び第２テストパターン１９０ａ、１９０ｂが分離される不良を防止することができる。
一方、本発明では発光素子と同じ工程で形成されるテストパターンを例として説明したが、その他にも薄膜トランジスタと同じ工程で形成されるテストパターンにも適用可能である。
また、本発明では相互キャパシタンス（ｍｕｔｕａｌ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）のタッチセンサー構造を例として説明したが、これに限定されるものではなく、自己容量（Ｓｅｌｆ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）のタッチセンサー構造にも適用可能である。すなわち、多数のタッチ電極のそれぞれはそのタッチ電極自体に形成された静電容量を含むので、使用者のタッチによる静電容量の変化を感知する自己容量（Ｓｅｌｆ－Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）方式のタッチセンサーとして用いられる。多数のタッチ電極のそれぞれはルーティングラインのそれぞれと一対一で接続される。多数のタッチ電極のそれぞれは多数のルーティングラインのいずれか一つと電気的に接続され、残りのルーティングラインとは接続されない。例えば、第ｍ（ここで、ｍは自然数）タッチ電極は第ｍルーティングラインと接続され、第ｍルーティングラインを除いた残りのルーティングラインとは接続されない。第ｍ＋１タッチ電極は第ｍ＋１ルーティングラインと電気的に接続され、第ｍ＋１ルーティングラインを除いた残りのルーティングラインと接続されない。ここで、ルーティングラインは多数のタッチ電極を横切るように配置されるか、タッチ電極の間に配置されることもできる。ルーティングラインはタッチ絶縁膜を挟んでタッチ電極と違う層上に配置されるので、タッチ絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介してタッチ電極と電気的に接続される。その他にも、ルーティングラインはタッチ電極と同じ層上に配置され、別途のコンタクトホールなしにタッチ電極と直接接続されることもできる。
本発明の多様な実施例によるタッチディスプレイ装置は次のように説明することができる。
本発明によるタッチディスプレイ装置は、基板上に配置される発光素子と、前記発光素子上に配置される多数のタッチ電極と、前記基板の縁部に形成されるテストパターンと、前記発光素子と前記タッチ電極との間に配置される多数の絶縁膜の少なくとも一つと同じ素材からなり、前記テストパターン上に配置されるテストカバー層とを備える。
本発明によるタッチディスプレイ装置の多数の絶縁膜は前記発光素子と前記タッチ電極との間に配置される封止ユニットであり、前記封止ユニットは、前記発光素子上に配置される第１及び第２無機封止層と、前記第１及び第２無機封止層の間に配置される有機封止層とを含む。
本発明によるタッチディスプレイ装置のテストカバー層は、前記第１及び第２無機封止層と前記有機封止層の少なくとも一つと同じ素材からなる。
本発明によるタッチディスプレイ装置の前記テストカバー層は前記第１及び第２無機封止層の少なくとも一つから延びるか、あるいは前記テストカバー層は前記第１及び第２無機封止層と有機封止層の少なくとも一つから離隔される。
本発明によるタッチディスプレイ装置のテストパターンは、前記テストカバー層と重畳する第１テストパターンと、前記テストカバー層と重畳するか重畳しない第２テストパターンとを備える。ここで、第１テストパターンは前記発光素子のカソード電極と同じ素材からなり、前記第２テストパターンは前記発光素子の発光スタックに含まれた少なくとも一つと同じ素材からなる。
本発明によるタッチディスプレイ装置は前記有機封止層と境界を成すダムをさらに備え、前記第１及び第２テストパターンは前記ダムと前記基板の末端との間に配置される。
以上の説明は本発明を例示的に説明したものに過ぎなく、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様な変形が可能であろう。したがって、本発明の明細書に開示された実施例は本発明を限定するものではない。本発明の範囲は下記の特許請求範囲によって解釈されなければならなく、それと均等な範囲内にある全ての技術も本発明の範囲に含まれるものに解釈さなければならないであろう。
１２０ 発光素子
１４０ 封止ユニット
１４２、１４６ 無機封止層
１４４ 有機封止層
１５２ タッチ駆動ライン
１５４ タッチセンシングライン
１６０ ルーティングライン
１７０ タッチパッド
１８０ ダム
１９０ テストパターン
１９２ テストカバー層
１４０ 封止ユニット
１４２、１４６ 無機封止層
１４４ 有機封止層
１５２ タッチ駆動ライン
１５４ タッチセンシングライン
１６０ ルーティングライン
１７０ タッチパッド
１８０ ダム
１９０ テストパターン
１９２ テストカバー層
Claims (13)
- 基板上に配置される発光素子と、
前記発光素子上に配置される多数のタッチ電極と、
前記基板の縁部に形成されるテストパターンと、
前記発光素子と前記タッチ電極との間に配置される多数の絶縁膜の少なくとも一つと同じ素材からなり、前記テストパターン上に配置されるテストカバー層と
を備え、
前記テストカバー層は、前記多数の絶縁膜の少なくとも一つから離隔されている、
タッチディスプレイ装置。 - 前記多数の絶縁膜は前記発光素子と前記タッチ電極との間に配置される封止ユニットであり、
前記封止ユニットは、
前記発光素子上に配置される第１及び第２無機封止層と、
前記第１及び第２無機封止層の間に配置される有機封止層と
を含む、請求項１に記載のタッチディスプレイ装置。 - 前記テストカバー層は、
前記第１及び第２無機封止層と前記有機封止層の少なくとも一つと同じ素材からなる、
請求項２に記載のタッチディスプレイ装置。 - 前記テストカバー層は前記第１及び第２無機封止層の少なくとも一つから延びる、請求項２に記載のタッチディスプレイ装置。
- 前記テストカバー層は前記第１及び第２無機封止層と有機封止層の少なくとも一つから離隔される、請求項２に記載のタッチディスプレイ装置。
- 前記テストパターンは、
前記テストカバー層と重畳する第１テストパターンと、
前記テストカバー層と重畳するか重畳しない第２テストパターンとを備える、
請求項２に記載のタッチディスプレイ装置。 - 前記第１テストパターンは前記発光素子のカソード電極と同じ素材からなり、
前記第２テストパターンは前記発光素子の発光スタックに含まれた少なくとも一つと同じ素材からなる、
請求項６に記載のタッチディスプレイ装置。 - 前記有機封止層と境界を成すダムをさらに備え、
前記第１及び第２テストパターンは前記ダムと前記基板の末端との間に配置される、
請求項６に記載のタッチディスプレイ装置。 - 前記テストカバー層は前記ダムより第１及び第２テストパターンの少なくとも一方に延びる、請求項８に記載のタッチディスプレイ装置。
- 前記多数のタッチ電極と電気的に連結されるタッチパッドをさらに備える、請求項２に記載のタッチディスプレイ装置。
- 前記封止ユニット上に配置されるタッチ絶縁膜をさらに備え、
前記タッチパッドは、
前記基板上に配置される第１タッチパッド電極と、
前記タッチ絶縁膜上に配置され、前記第１タッチパッド電極と連結される第２タッチパッド電極と
を含む、請求項１０に記載のタッチディスプレイ装置。 - 前記第１及び第２無機封止層の少なくとも一つの第１側面は前記有機封止層の第２側面より突出する、請求項２に記載のタッチディスプレイ装置。
- 前記第１及び第２無機封止層は前記有機封止層より前記タッチパッド側に延びる、請求項１０に記載のタッチディスプレイ装置。
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