KR20210032661A - 터치 전극 제조용 마스크 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 터치 전극의 선폭 균일도를 개선하고, 이에 따라 유기 발광 표시 패널의 위치별 터치 신호 편차를 개선할 수 있는 터치 전극 제조용 마스크에 관한 것으로, 유기 발광 표시 패널에 터치 전극들을 패터닝 하기 위한 마스크에서 배선 폭은 표시 영역의 최외곽에서 가장 큰 배선 폭을 갖고, 상기 표시 영역의 최외곽에서 표시 영역의 중앙 부분으로 갈수록 배선 폭이 감소하는 것을 특징으로 한다.

Description

터치 전극 제조용 마스크{MASK FOR FABRICATING TOUCH ELECTRODE}
본 발명은 터치 전극 제조용 마스크에 관한 것으로, 특히 유기 발광 표시 패널의 봉지층위에 형성되는 터치 전극을 제조하기 위한 마스크에 관한 것이다.
터치 스크린은 표시장치 등의 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치이다. 즉, 터치 스크린은 사람의 손 또는 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적 신호로 변환하며, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여진다. 이와 같은 터치 스크린은 키보드 및 마우스와 같이 표시장치에 연결되어 동작하는 별도의 입력장치를 대체할 수 있기 때문에 그 이용범위가 점차 확장되고 있는 추세이다.
최근, 터치 스크린은 액정 표시 패널 또는 유기 전계 발광 표시 패널과 같은 표시 패널 상에 배치되어, 터치 스크린이 일체화된 표시 장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
특히, 유기 전계 발광 표시 패널일 경우, 외부의 수분이나 산소에 취약한 발광 소자를 보호하기 위하여, 발광소자 및 발광소자를 구동하기 위한 화소 구동 회로를 포함한 기판상에 봉지층(인켑슐층)을 형성한다.
그리고, 상기 봉지층 상의 표시 영역에 X축 방향 및 Y 방향으로 다수의 터치 전극들을 형성하고, 비표시 영역에 상기 다수의 터치 전극들에 신호를 공급하고 상기 다수의 터치 전극들로부터 신호를 수신하기 위한 라우팅 라인들이 형성된다.
그런데, 상기 봉지층은 적어도 1층의 무기 봉지층과, 적어도 1층의 유기 봉지층을 구비한다.
상기 유기 봉지층은 상대적으로 두껍게 형성되므로, 인로 인해 유기 발광 표시 패널의 모서리 부분(표시 영역의 외곽부)에는 큰 단차를 갖게 된다.
따라서, 상기 표시 영역의 상기 봉지층 상에 다수의 터치 전극들을 형성하기 위해, 상기 봉지층 상에 터치 전극 형성용 물질을 증착하고 상기 터치 전극 형성용 물질 상에 감광막(Photo resist)을 도포할 경우, 상기 유기 발광 표시 패널의 표시 영역의 외곽부의 단차로 인하여, 상기 감광막이 상기 유기 발광 표시 패널의 표시 영역 중심 부근에서 표시 영역의 외곽부로 갈수록 상기 감광막의 두께가 감소하게 된다. 이로 인하여 상기 유기 발광 표시 패널의 상기 유기 봉지층 상에 형성되는 터치 전극의 배선 폭이 상기 유기 발광 표시 패널의 표시 영역에서 표시 영역의 외곽부로 갈수록 상대적으로 얇게 형성되므로, 유기 발광 표시 패널의 위치별로 터치 신호 편차가 발생하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 상기 유기 발광 표시 패널의 표시 영역에서 표시 영역의 외곽부로 갈수록 감광막의 두께가 감소함을 감안하여 마스크에서 설계적 보상을 진행하여 터치 전극의 선폭 균일도를 개선하고, 이에 따라 유기 발광 표시 패널의 위치별 터치 신호 편차를 개선할 수 있는 터치 전극 제조용 마스크를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 터치 전극 제조용 마스크는, 유기 발광 표시 패널에 터치 전극들을 패터닝 하기 위한 마스크에서 배선 폭은 표시 영역의 최외곽에서 가장 큰 배선 폭을 갖고, 상기 표시 영역의 최외곽에서 표시 영역의 중앙 부분으로 갈수록 배선 폭이 감소하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 유기 발광 표시 패널의 봉지부로 인한 상기 유기 발광 표시 패널의 표시 영역의 외곽부의 단차, 적용 영역, 선폭 편차를 실측하고, 마스크 제조 시의 유닛 겝을 확인하여 상기 적용 영역을 N개의 스텝으로 구분하고, 표시 영역의 중앙 부분의 배선 폭을 기준으로, 중앙 부분에서 표시 영역의 최외곽으로 갈수록 각 스텝마다 유닛 겝만큼 증가되도록 배선 폭을 설계한 것이다.
상기 N개의 스텝은, (상기 선폭 편차)/(상기 유닛 겝)에 의해 산출되는 것을 특징으로 한다.
상기 각 스텝의 폭은, (상기 적용 영역)/(스텝 수)에 의해 산출되는 것을 특징으로 한다.
표시 영역의 중앙 부분의 배선 폭(Ref)을 기준으로, 상기 표시 영역의 중앙 부분에서 상기 표시 영역의 최외곽 방향으로 첫번째 스텝 영역의 배선 폭은 중앙 부분의 배선 폭(Ref)을 기준으로 유닛 겝(unit Gap)만큼 증가되는 배선 폭(Ref + Unit Gap)을 갖고, 상기 표시 영역의 중앙 부분에서 상기 표시 영역의 최외곽 방향으로 두번째 스텝 영역의 배선 폭은 중앙 부분의 배선 폭(Ref)을 기준으로 유닛 겝의 2배만큼 증가되는 배선 폭(Ref + Unit Gap * 2)을 가지며, 상기 표시 영역의 중앙 부분에서 상기 표시 영역의 최외곽 방향으로 (N-1)번째 스텝 영역은 Ref + Unit Gap * (N-1)의 배선 폭을 갖고, 상기 표시 영역의 최외곽의 N번째 스텝 영역은 Ref + Unit Gap * N의 배선 폭을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 터치 전극 제조용 마스크에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.
유기 발광 표시 패널의 표시 영역의 외곽부의 단차로 인한 상기 유기 발광 표시 패널의 터치 전극의 배선 폭이 상기 유기 발광 표시 패널의 표시 영역에서 표시 영역의 외곽부로 갈수록 상대적으로 얇게 형성됨을 보상하기 위하여, 표시 영역의 최외곽에서 중앙 부분으로 여러 스텝으로 구분하고, 표시 영역의 최외곽에서 가장 큰 배선 폭을 갖고 중앙 부분으로 갈수록 배선 폭이 감소하도록 마스크를 제조하므로, 유기 발광 표시 패널의 위치별로 터치 신호 편차가 발생됨을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 패널을 나타내는 사시도
도 2는 도 1에 도시된 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 패널을 나타내는 평면도
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ' 선상의 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 패널을 나타내는 단면도
도 4는 본 발명에 따른 터치 전극 제조용 마스크의 배선 폭 보상을 설명하기 위한 평면도
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 패널을 나타내는 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 패널을 나타내는 평면도이며, 도 3은 도 2의 "Ⅰ-Ⅰ" 선상의 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 패널은, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 터치 기간 동안 터치 전극들(152e, 154e)을 통해 사용자의 터치에 의한 정전 용량(capacitance) 방식으로 정전 용량의의 변화량 감지하여 터치 유무 및 터치 위치를 센싱한다. 상기 정전 용량 방식은 상호 정전 용량(mutual capacitance) 방식 또는 자기 정전 용량(self capacitance) 방식을 포함한다.
그리고, 본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 패널은 발광 소자(120)를 포함하는 단위 화소를 통해 영상을 표시한다. 단위 화소는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 화소(PXL)로 구성되거나, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 및 백색(W) 서브 화소(PXL)로 구성될 수 있다.
이를 위해, 본 발명에 따른 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 패널은, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(111) 상에 매트릭스 형태로 배열된 다수의 서브 화소들(PXL)과, 다수의 서브 화소들(PXL) 상에 배치된 봉지부(140)와, 봉지부(140) 상에 배치된 다수의 터치 전극들(152, 154)을 구비한다.
다수의 서브 화소들(PXL) 각각은 발광 소자(130)와 상기 발광 소자(130)를 구동하는 화소 구동 회로를 구비한다.
화소 구동 회로는 스위칭 트랜지터(T1), 구동 트랜지스터(T2) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다.
상기 스위칭 트랜지스터(T1)는 스캔 라인(SL)에 스캔 펄스가 공급되면 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급된 데이터 신호를 스토리지 캐패시터(Cst) 및 구동 트랜지스터(T2)의 게이트 전극으로 공급한다.
상기 구동 트랜지스터(T2)는 게이트 전극에 공급되는 데이터 신호에 응답하여 고전압(VDD) 공급 라인으로부터 발광 소자(120)로 공급되는 전류를 제어함으로써 발광 소자(120)의 발광량을 조절하게 된다. 그리고, 상기 스위칭 트랜지스터(T1)가 턴-오프되더라도 상기 스토리지 캐패시터(Cst)에 충전된 전압에 의해 구동 트랜지스터(T2,130)는 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 일정한 전류를 공급하여 발광 소자(120)가 발광을 유지하게 한다.
이러한 구동 박막트랜지스터(T2,130)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(132)과, 액티브층(134)과, 소오스 전극 및 드레인 전극(136,138)을 구비한다.
상기 구동 박막트랜지스터(T2,130)의 게이트 전극(132)은 게이트 절연막(118)을 사이에 두고 상기 액티브층(134)과 중첩된다. 상기 구동 박막트랜지스터(T2,130)의 소오스 전극 및 드레인 전극(136,138)은 층간 절연막(114) 상에 형성되어 상기 액티브층(134)과 접촉한다. 상기 구동 박막트랜지스터(T2,130)의 액티브층(134)은 버퍼층(112) 상에 비정질 반도체 물질, 다결정 반도체 물질 및 산화물 반도체 물질 중 적어도 어느 하나로 형성된다.
여기서, 버퍼층(112)은 상기 액티브층(134)과 상기 기판(111) 사이에 배치되어 상기 기판(111)으로부터의 불순물이 상기 액티브층(134)으로 유입되는 것을 차단한다. 상기 층간 절연막(114)은 소오스 전극 및 드레인 전극(136,138)과, 상기 게이트 전극(132) 사이에 배치되어 이들을 전기적으로 절연한다.
상기 발광 소자(120)는 애노드 전극(122)과, 애노드 전극(122) 상에 형성되는 적어도 하나의 발광 스택(124)과, 발광 스택(124) 위에 형성된 캐소드 전극(126)을 구비한다.
애노드 전극(122)은 보호막(116)을 관통하는 화소 컨택홀을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(130)의 드레인 전극(138)과 전기적으로 접속된다. 여기서, 상기 보호막(116)은 소오스 전극 및 드레인 전극(136,138)과, 상기 발광 소자(120) 사이에 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질로 형성된다.
적어도 하나의 발광 스택(124)은 뱅크(128)에 의해 마련된 발광 영역의 상기 애노드 전극(122) 상에 형성된다. 적어도 하나의 발광 스택(124)은 상기 애노드 전극(122) 상에 정공 관련층, 유기 발광층, 전자 관련층 순으로 또는 역순으로 적층되어 형성된다. 이외에도 발광 스택(124)은 전하 생성층(Charge Generation Layer; CGL)을 사이에 두고 대향하는 제1 및 제2 발광 스택들을 구비할 수도 있다.
각 발광 스택(124)에서 각 서브 화소에 해당하는 컬러광을 생성하여 컬러 영상을 구현할 수도 있다. 즉, 적색(R) 서브 화소의 발광 스택(124)은 적색광을, 녹색(G) 서브 화소의 발광 스택(124)은 녹색광을, 청색(B) 서브 화소의 발광 스택(124)은 청색광을 생성할 수 있다.
상기 캐소드 전극(126)은 발광 스택(124)을 사이에 두고 상기 애노드 전극(122)과 대향하도록 형성되며 저전압(VSS) 공급 라인과 접속된다.
상기 봉지부(140)는 외부의 수분이나 산소에 취약한 상기 발광 소자(120)로 외부의 수분이나 산소가 침투되는 것을 차단한다. 이를 위해, 상기 봉지부(140)는 다수의 무기 봉지층들(142,146)과, 다수의 무기 봉지층들(142,146) 사이에 배치되는 유기 봉지층(144)을 구비하며, 무기 봉지층(146)이 최상층에 배치되도록 한다. 이 때, 상기 봉지부(140)는 적어도 2층의 무기 봉지층(142,146)과 적어도 1층의 유기 봉지층(144)을 구비한다. 본 발명에서는 제1 및 제2 무기 봉지층들(142,146) 사이에 유기 봉지층(144)이 배치되는 봉지부(140)의 구조를 예로 들어 설명하기로 한다.
상기 제1 무기 봉지층(142)는 발광 소자(120)와 가장 인접하도록 상기 캐소드 전극(126)이 형성된 기판(111) 상에 형성된다. 이러한 제1 무기 봉지층(142)은 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 저온 증착이 가능한 무기 절연 재질로 형성된다. 이에 따라, 제1 무기 봉지층(142)이 저온 분위기에서 증착되므로, 제1 무기 봉지층(142)의 증착 공정시 고온 분위기에 취약한 발광 스택(124)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
상기 유기 봉지층(144)은 유기 발광 표시 장치의 휘어짐에 따른 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충역할을 하며, 평탄화 성능을 강화한다. 상기 유기 봉지층(144)은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 또는 실리콘옥시카본(SiOC)과 같은 유기 절연 재질로 형성된다.
상기 제 2 무기 봉지층(146)은 상기 유기 봉지층(144)의 상부면 및 측면과, 유기 봉지층(144)에 의해 노출된 제1 무기 봉지층(142)의 상부면을 덮도록 형성된다. 이에 따라, 제2 무기 봉지층(146)은 외부의 수분이나 산소가 제1 무기 봉지층(142) 및 유기 봉지층(144)으로 침투하는 것을 최소화하거나 차단한다. 이러한 제2 무기 봉지층(146)은 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 무기 절연 재질로 형성된다.
상기 봉지부(140) 상에는 터치 절연막(158)을 사이에 두고, 터치 구동 라인들(152) 및 터치 센싱 라인들(154)이 배치된다. 이러한 터치 센싱 라인들(154)과 터치 구동 라인들(152)의 교차부에는 상호 정전 용량(mutual capacitance)(Cm)이 형성된다. 이에 따라, 상호 정전 용량(Cm)은 터치 구동 라인(152)에 공급되는 터치 구동 펄스에 의해 전하를 충전하고, 충전된 전하를 터치 센싱 라인(154)으로 방전함으로써 터치 센서의 역할을 하게 된다.
상기 터치 구동 라인들(152)은 Y축 방향으로 배치되고, 상기 터치 센싱 라인들(154)은 X축 방향으로 배치되거나, 상기 터치 구동 라인들(152)은 X축 방향으로 배치되고, 상기 터치 센싱 라인들(154)은 Y축 방향으로 배치될 수 있다.
각 터치 구동 라인(152)은 다수의 제1 터치 전극들(152e)과, 다수의 제1 터치 전극들(152e) 사이를 전기적으로 연결하는 제1 브릿지들(152b)을 구비한다.
상기 다수의 제1 터치 전극들(152e)은 제2 무기 봉지층(146) 상에서 제1 방향인 Y방향을 따라 일정한 간격으로 이격된다. 이러한 다수의 제1 터치 전극들(152e) 각각은 제1 브릿지(152b)를 통해 인접한 제1 터치 전극(152e)과 전기적으로 연결된다.
제1 브릿지(152b)는 제1 터치 전극(152e)과 동일 평면인 제2 무기 봉지층(146) 상에 배치되어 별도의 콘택 홀(Contact Hole) 없이, 양측의 제1 터치 전극(152e)과 전기적으로 연결된다.
각 터치 센싱 라인(154)은 다수의 제2 터치 전극들(154e)과, 다수의 제2 터치 전극들(154e) 사이를 전기적으로 연결하는 제2 브릿지들(154b)을 구비한다.
상기 다수의 제2 터치 전극들(154e)은 제2 무기 봉지층(146) 상에서 제2 방향인 X방향을 따라 일정한 간격으로 이격된다. 이러한 다수의 제2 터치 전극들(154e) 각각은 제2 브릿지(154b)를 통해 인접한 제2 터치 전극(154e)과 전기적으로 연결된다. 상기 제2 터치 전극(154e)은 제1 터치 전극(152e)과 마찬가지로 제1 및 제2 도전층이 적층된 구조로 형성될 수 있다.
제2 브릿지(154b)는 터치 절연막(158) 상에 형성되며 터치 절연막(158)을 관통하는 터치 콘택 홀(150)을 통해 노출된 양측의 제2 터치 전극(154e)과 전기적으로 접속된다. 상기 제2 브릿지(154b)는 제1 브릿지(152b)와 마찬가지로 뱅크(128)와 중첩되도록 배치되므로 제1 및 제2 브릿지(152b, 154b)에 의해 개구율이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
이러한 제1 및 제2 터치 전극(152e, 154e), 제1 브릿지(152b) 각각은 Al, Ti, Cu, Mo와 같은 내식성 및 내산성이 강하고 전도성이 좋은 불투명 도전층(161)을 이용하여 단층 또는 다층 구조로 형성된다. 제1 및 제2 터치 전극(152e, 154e), 제1 브릿지(152b) 각각은 불투명 도전층(161)과, 불투명 도전층(161)의 상부 또는 하부에 배치되는 투명 도전층(163)으로 이루어진다. 예를 들어, 불투명 도전층(161)은 Ti/Al/Ti 또는 Mo/Al/Mo가 적층된 3층 구조로 이루어지고, 투명 도전층(163)으로는 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)이 이용된다. 이 때, 불투명 도전층(161)은 도 3에 도시된 바와 같이 제2 무기 봉지층(146) 상에서 메쉬 형태로 형성된다.
이러한 터치 전극(152e, 154e) 및 브릿지(152b, 154b) 각각을 구비하는 터치 구동 라인(152) 및 터치 센싱 라인(154) 각각은 비 표시 영역(베젤 영역)에 배치되는 라우팅 라인(160) 및 터치 패드(170)를 통해 터치 구동부(도시하지 않음)와 연결된다.
이에 따라, 라우팅 라인(160)은 터치 구동부에서 생성된 터치 구동 펄스를 터치 패드(170)를 통해 터치 구동 라인(152)에 전송하고, 터치 센싱 라인(154)으로부터의 터치 신호를 터치 패드(170)에 전송한다.
상기 터치 전극들(152e, 154e) 및 브릿지들(152b, 154b)은 표시 영역의 봉지부(40)상에 형성되고, 상기 라우팅 라인(160)은 비표시 영역에 형성된다.
상기 제1 및 제2 터치 전극들(152e, 154e)은 사진 석판술(Photo lithographic)에 의해 제조 된다. 즉, 상기 봉지부(140) 상부에 상기 제1 및 제2 터치 전극(152e, 154e)을 형성하기 위한 물질과 감광막(도면에는 도시되지 않음)을 증착하고, 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정으로 상기 감광막을 패터닝 한 후, 패터닝된 감광막을 마스크로 이용하여 상기 제1 및 제2 터치 전극을 형성하기 위한 물질을 선택적으로 식각한다.
그런데, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 발광 소자(120) 상부에 상기 봉지부(140)이 형성되므로, 유기 발광 표시 패널의 표시 영역의 외곽부에는 큰 단차를 갖게 된다.
따라서, 상기 봉지부(140) 상에 다수의 메쉬 형태의 터치 전극들을 형성하기 위해, 상기 봉지부(140) 상에 감광막(Photo resist)을 도포할 경우, 상기 유기 발광 표시 패널의 표시 영역의 외곽부의 단차로 인하여, 상기 감광막이 상기 유기 발광 표시 패널의 표시 영역에서 표시 영역의 외곽부로 갈수록 상기 감광막의 두께가 감소하게 된다. 이로 인하여 상기 유기 발광 표시 패널의 상기 유기 봉지층 상에 터치 전극의 배선 폭이 상기 유기 발광 표시 패널의 표시 영역에서 표시 영역의 외곽부로 갈수록 상대적으로 얇게 형성되므로, 유기 발광 표시 패널의 위치별로 터치 신호 편차가 발생할 수 있다.
따라서, 상기 유기 발광 표시 패널의 표시 영역의 외곽부의 단차로 인한 메쉬 구조의 터치 전극의 배선 폭 편차를 보상하기 위하여, 터치 전극 제조용 마스크를 설계적으로 보상한다.
도 4는 본 발명에 따른 터치 전극 제조용 마스크의 배선 폭 보상을 설명하기 위한 평면도이다.
상기 도 1 내지 도 3에서 설명한 바와 같이, 상기 제1 및 제2 터치 전극들(152e, 154e) 및 제1 및 제2 브릿지들(152b, 154b)을 형성하기 위해서는 2개의 터치 전극 제조용 마스크가 요구된다.
즉, 상기 제1 및 제2 터치 전극들(152e, 154e) 및 제1 브릿지들(152b)을 형성하기 위한 제1 마스크와, 상기 제2 브릿지들(154b)을 형성하기 위한 제2 마스크가 요구된다.
상기 제1 마스크와 제2 마스크에 상기 도 4와 같은 설계적으로 보상된 마스크가 요구된다.
도 4를 참조하여 본 발명에 따른 터치 전극 제조용 마스크를 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 터치 전극 제조용 마스크도 표시 영역(AA)과 비표시 영역(NA)으로 구분된다.
상기 표시 영역(AA)은 상기 도 1 내지 도 3에서 설명한 바와 같은 상기 제1 및 제2 터치 전극들(152e, 154e) 및 제1 및 제2 브릿지들(152b, 154b)가 형성되는 영역이고, 상기 비표시 영역(NA)은 라우팅 라인(160) 및 터치 패드(170)가 형성될 영역이다.
반대로 표시 영역에 형성되는 상기 제1 및 제2 터치 전극들(152e, 154e) 및 제1 및 제2 브릿지들(152b, 154b)은, 상기 유기 발광 표시 패널의 표시 영역의 외곽부의 단차로 인하여 상기 유기 발광 표시 패널의 표시 영역에서 표시 영역의 외곽부로 갈수록 상대적으로 얇게 형성될 수 있으므로, 보상이 필요하다.
상기 제1 및 제2 터치 전극들(152e, 154e) 및 제1 및 제2 브릿지들(152b, 154b)을 설계적으로 보상하기 위하여, 표시 영역(AA)의 최외곽에서 중앙 부분으로 여러 스텝(Step)으로 구분하고, 표시 영역(AA)의 최외곽에서 가장 큰 배선 폭을 갖고 중앙 부분으로 갈수록 배선 폭이 감소하도록 마스크를 제조 한다.
즉, 유기 발광 표시 패널의 모델(사이즈) 별로 상기 봉지부(140)로 인한 상기 유기 발광 표시 패널의 표시 영역의 외곽부의 단차, 적용 영역(AR), 선폭 편차를 실측하고, 마스크 제조 시의 유닛 겝(Unit Gap; 마스크 공정 시 패터닝 할 수 있는 최소 배선 폭)을 확인하여 상기 적용 영역을 여러 스텝(step)으로 구분한다.
상기 적용 영역은 상기 유기 발광 표시 패널의 표시 영역의 외곽부의 단차로 인해 배선 폭이 보상되어야 하는 영역이다.
상기 선폭 편차는 상기 표시 영역(AA)의 최외곽의 배선 폭 보상 값과 상기 적용 영역의 마지막 스텝의 배선 폭 보상 값의 차이다.
예를들면, 상기 봉지부(140)로 인한 상기 유기 발광 표시 패널의 표시 영역의 외곽부의 단차가 "A"㎛ 일 경우, 적용 영역은 "B"mm로 실측되고, 선폭 편차는 "C"㎛로 실측되었다고 가정하고, 마스크 제조 시의 유닛 겝이 "D"5㎛로 확인되었다고 가정한다.
C/D에 의해 상기 적용 영역을 복수개(E개의 스텝(step)로 나눈다. 그리고, B/E에 의해 단계의 폭을 "F"로 산출한다.
그리고, 표시 영역(AA)의 중앙 부분(Ref)에서 표시 영역(AA)의 외곽부로 갈수록 마스크의 배선 폭을 증가시킨다.
예를들면, 도 4에 도시한 바와 같이, 표시 영역의 중앙 부분의 배선 폭(Ref)을 기준으로, 중앙 부분에서 표시 영역의 최외곽으로 N개의 스텝으로 구분된 경우, 상기 표시 영역의 중앙 부분에서 상기 표시 영역의 최외곽 방향으로 첫번째 스텝(a) 영역의 배선 폭은 중앙 부분의 배선 폭(Ref)을 기준으로 유닛 겝(unit Gap)만큼 증가되도록 마스크의 배선 폭을 설계한다 (Ref + Unit Gap).
상기 표시 영역의 중앙 부분에서 상기 표시 영역의 최외곽 방향으로 두번째 스텝(b) 영역의 배선 폭은 중앙 부분의 배선 폭(Ref)을 기준으로 유닛 겝(unit Gap)의 배수만큼 증가되도록 마스크의 배선 폭을 설계한다 (Ref + Unit Gap * 2).
상기 표시 영역의 중앙 부분에서 상기 표시 영역의 최외곽 방향으로 (N-1)번째 스텝(c) 영역의 배선 폭은 중앙 부분의 배선 폭(Ref)을 기준으로 유닛 겝(unit Gap)의 배수만큼 증가되도록 마스크의 배선 폭을 설계한다 (Ref + Unit Gap * (N-1).
그리고, 상기 표시 영역의 최외곽의 N번째 스텝(d) 영역의 배선 폭은 가장 큰 폭으로 설계한다(Ref + Unit Gap * N).
이와 같은 방법으로 유기 발광 표시 패널의 모델(사이즈) 별로 상기 봉지부(140)로 인한 상기 유기 발광 표시 패널의 표시 영역의 외곽부의 단차가 클수록, 적용 영역(AR) 및 선폭 편차가 크게 실측된다.
따라서, 유기 표시 패널의 모델(사이즈) 및 상기 봉지부(140)로 인한 상기 유기 발광 표시 패널의 표시 영역의 외곽부의 단차에 따라, 상기 적용 영역(AR)은 0.5mm내지 3.0mm이 실측 될 수 있고, 상기 선폭 편차는 0.1㎛ 내지 2.0㎛으로 실측될 수 있다.
또한, 마스크 제조 시의 유닛 겝은 0.01㎛ 내지 0.5㎛로 구현될 수 있다.
이와 같은 조건들에서, 상기에서 설명한 방법으로 스텝 수 및 스텝 폭을 산출하여, 표시 영역(AA)의 중앙 부분(Ref)에서 표시 영역(AA)의 외곽부로 갈수록 마스크의 배선 폭을 유닛 겝만큼 증가시켜 마스크의 배선 폭을 보상한다.
이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석해야 할 것이다.
AA: 표시 영역 NA: 비 표시 영역
AR: 적용 영역

Claims (5)

  1. 유기 발광 표시 패널에 터치 전극들을 패터닝 하기 위한 마스크에서, 배선 폭은 표시 영역의 최외곽에서 가장 큰 배선 폭을 갖고, 상기 표시 영역의 최외곽에서 표시 영역의 중앙 부분으로 갈수록 배선 폭이 감소하는 터치 전극 제조용 마스크.
  2. 제 1 항에 있어서,
    유기 발광 표시 패널의 봉지부로 인한 상기 유기 발광 표시 패널의 표시 영역의 외곽부의 단차, 적용 영역, 선폭 편차를 실측하고, 마스크 제조 시의 유닛 겝을 확인하여 상기 적용 영역을 N개의 스텝으로 구분하고,
    표시 영역의 중앙 부분의 배선 폭을 기준으로, 중앙 부분에서 표시 영역의 최외곽으로 갈수록 각 스텝마다 유닛 겝만큼 증가되도록 배선 폭을 설계한 터치 전극 제조용 마스크.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 N개의 스텝은 (상기 선폭 편차)/(상기 유닛 겝)에 의해 산출되는 터치 전극 제조용 마스크.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 각 스텝의 폭은 (상기 적용 영역)/(스텝 수)에 의해 산출되는 터치 전극 제조용 마스크.
  5. 제 2 항에 있어서,
    표시 영역의 중앙 부분의 배선 폭(Ref)을 기준으로, 상기 표시 영역의 중앙 부분에서 상기 표시 영역의 최외곽 방향으로 첫번째 스텝 영역의 배선 폭은 중앙 부분의 배선 폭(Ref)을 기준으로 유닛 겝(unit Gap)만큼 증가되는 배선 폭(Ref + Unit Gap)을 갖고,
    상기 표시 영역의 중앙 부분에서 상기 표시 영역의 최외곽 방향으로 두번째 스텝 영역은 Ref + Unit Gap * 2의 배선 폭을 갖으며,
    상기 표시 영역의 중앙 부분에서 상기 표시 영역의 최외곽 방향으로 (N-1)번째 스텝 영역은 Ref + Unit Gap * (N-1)의 배선 폭을 갖고,
    상기 표시 영역의 최외곽의 N번째 스텝 영역은 Ref + Unit Gap * N의 배선 폭을 갖는 터치 전극 제조용 마스크.
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