JP7172005B2 - 窒化ガリウムデバイスに対する過電圧保護及び短絡回路耐性 - Google Patents
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Description
第1及び第2のトランジスタが駆動回路とモノリシックに統合され得る。第2のモードにおいて、ドライバは、第1のトランジスタを少なくとも部分的にオンにするために、第1のトランジスタからシンク電流を導通させるため及びカスコード構成の第1のトランジスタのゲートソース制御電圧に影響を与えるために、飽和モードにおいて第2のトランジスタを動作させるように制御電圧信号を提供する。或る例において、駆動回路は、過電圧状況に応答して、第2のトランジスタのアナログ又はデジタル制御を実装し、第2のトランジスタは、第1のトランジスタに関連する過電圧の量に従って制御される。説明される例は、過電圧及び短絡回路耐性能力を提供しつつ、高効率システムに対するGaN又は他のトランジスタスイッチの使用を促進するように、ハーフブリッジ又は他のハイサイド/ローサイド電力変換構成で用いられ得る。
Claims (18)
- デバイスであって、
第1の電流端子と第2の電流端子と制御端子とを有するパワースイッチと、
前記パワースイッチの制御端子に結合されるドライバ回路であって、
前記第1の電流端子の過電圧状態を検出し、
前記過電圧状態のないことに応答して前記第2の電流端子を第1の電圧にバイアスし、
前記過電圧状態に応答して前記第2の電流端子を前記第1の電圧よりも小さい第2の電圧にバイアスし、
前記第1の電流端子の過電流状態を検出し、
前記過電流状態に応答して前記第2の電流端子を前記第2の電圧よりも小さい第3の電圧にバイアスする、
ように構成される、前記ドライバ回路と、
を含む、ドライバ。 - 請求項1に記載のデバイスであって、
前記パワースイッチが、前記第1の電流端子としてのドレインと、前記第2の電流端子としてのソースと、前記制御端子としてのゲートとを有するガリウム窒化物(GaN)トランジスタを含む、デバイス。 - 請求項1に記載のデバイスであって、
前記ドライバ回路が、ドライバ入力信号に基づいて前記制御端子に送るための制御信号を生成するように更に構成され、前記制御信号が、前記過電圧状態から独立している、デバイス。 - 請求項1に記載のデバイスであって、
前記ドライバ回路が、ドライバ入力信号に基づいて前記制御端子に送るための制御信号を生成するように更に構成され、前記制御信号が、前記過電圧状態と前記過電流状態とから独立している、デバイス。 - 請求項1に記載のデバイスであって、
前記ドライバ回路が、
前記パワースイッチの第1の電流端子に結合される第1の電圧分圧器端子と、電圧供給端子に結合される第2の電圧分圧器端子と、前記第1及び第2の電圧分圧端子の間の第3の電圧分圧器端子とを有する電圧分圧器と、
基準電圧端子に結合される非反転入力と、前記第3の電圧分圧器端子に結合される反転入力と、前記過電圧状態に応答して過電圧信号を生成するように構成される出力とを有する比較器と、
を含む、過電圧感知回路を含む、デバイス。 - デバイスであって、
第1の電流端子と第2の電流端子と制御端子とを有するパワースイッチと、
前記パワースイッチの第2の電流端子に結合される第1の電流端子と、グラウンド端子に結合される第2の電流端子と、制御端子とを有するトランジスタと、
前記パワースイッチの制御端子と前記トランジスタの制御端子とに結合されるドライバ回路であって、
前記パワースイッチの第1の電流端子の過電圧状態を検出し、
前記過電圧状態のないことに応答して前記パワースッチの第2の電流端子を第1の電圧にバイアスし、
前記過電圧状態に応答して前記パワースイッチの第2の電流端子を前記第1の電圧よりも小さい第2の電圧にバイアスし、
前記過電圧状態のないことに応答して前記トランジスタを線形モードで動作させ、前記過電圧状態に応答して前記トランジスタを飽和モードで動作させる、
ように構成される、前記ドライバ回路と、
を含む、ドライバ。 - 請求項6に記載のデバイスであって、
前記パワースイッチが、前記第1の電流端子としてのドレインと、前記第2の電流端子としてのソースと、前記制御端子としてのゲートとを有する第1のガリウム窒化物(GaN)トランジスタを含み、
前記トランジスタが、前記第1の電流端子としてのドレインと、前記第2の電流端子としてのソースと、前記制御端子としてのゲートとを有する第2のGaNトランジスタを含む、デバイス。 - 請求項7に記載のデバイスであって、
前記第1のGaNトランジスタと前記第2のGaNトランジスタとがハーフブリッジ構成に配置される、デバイス。 - 請求項6に記載のデバイスであって、
前記トランジスタが、前記第1の電流端子としてのドレインと、前記第2の電流端子としてのソースと、前記制御端子としてのゲートとを有する電界効果トランジスタ(FET)である、デバイス。 - デバイスであって、
第1の電流端子と第2の電流端子と制御端子とを有するパワースイッチと、
前記パワースイッチの第2の電流端子に結合される第1の電流端子と、グラウンド端子に結合される第2の電流端子と、制御端子とを有するトランジスタと、
前記パワースイッチの制御端子と前記トランジスタの制御端子とに結合されるドライバ回路であって、
前記第1の電流端子の過電圧状態を検出し、
前記過電圧状態のないことに応答して第1の電流を流すように前記第2の電流端子をバイアスし、
前記過電圧状態に応答して前記第1の電流よりも大きい第2の電流を流すように前記第2の電流端子をバイアスし、
前記過電圧状態のないことに応答して前記トランジスタを線形モードで動作させ、前記過電圧状態に応答して前記トランジスタを飽和モードで動作させる、
ように構成される、前記ドライバ回路と、
を含む、ドライバ。 - 請求項10に記載のデバイスであって、
前記パワースイッチが、前記第1の電流端子としてのドレインと、前記第2の電流端子としてのソースと、前記制御端子としてのゲートとを有するガリウム窒化物(GaN)トランジスタを含む、デバイス。 - 請求項10に記載のデバイスであって、
前記ドライバ回路が、ドライバ入力信号に基づいて前記制御端子に送るための制御信号を生成するように更に構成され、前記制御信号が前記過電圧状態から独立している、デバイス。 - 請求項10に記載のデバイスであって、
前記パワースイッチが、前記第1の電流端子としてのドレインと、前記第2の電流端子としてのソースと、前記制御端子としてのゲートとを有する第1のガリウム窒化物(GaN)トランジスタを含む、デバイス。 - 請求項10に記載のデバイスであって、
前記トランジスタが、前記第1の電流端子としてのドレインと、前記第2の電流端子としてのソースと、前記制御端子としてのゲートとを有する電界効果トランジスタ(FET)である、デバイス。 - ハーフブリッジ回路であって、
第1のドレインと第1のソースと第1のゲートとを有する第1のガリウム窒化物(GaN)スイッチと、
前記第1のソースに結合される第2のドレインと、第2のソースと、第2のゲートとを有する第2のGaNスイッチと、
前記第1及び第2のGaNスイッチに結合されるドライバ回路であって、
前記第1のドレインの過電圧状態を検出し、
前記過電圧状態のないことに応答して前記第1のソースを第1の電圧にバイアスし、
前記過電圧に応答して前記第1のソースを前記第1の電圧よりも低い第2の電圧にバイアスする、
ように構成される、ドライバ回路と、
を含む、ハーフブリッジ回路。 - 請求項15に記載のハーフブリッジ回路であって、
前記ドライバ回路が、ドライバ入力信号に基づいて前記第1のゲートに送るための制御信号を生成するように更に構成され、前記制御信号が前記過電圧状態から独立している、ハーフブリッジ回路。 - 請求項15に記載のハーフブリッジ回路であって、
前記ドライバ回路が前記第2のゲートに結合され、
前記ドライバ回路が、前記過電圧状態のないことに応答して前記第2のGaNスイッチを線形モードで動作させ、前記過電圧状態に応答して応答して前記第2のGaNスイッチを飽和モードで動作させるように更に構成される、ハーフブリッジ回路。 - 請求項15に記載のハーフブリッジ回路であって、
第3のドレインと、第3のソースと、前記ドライバ回路に結合される第3のゲートとを有する電界効果トランジスタ(FET)を更に含み、
前記ドライバ回路が、前記過電圧状態のないことに応答して前記FETを線形モードで動作させ、前記過電圧状態に応答して応答して前記FETを飽和モードで動作させるように更に構成される、ハーフブリッジ回路。
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---|---|---|---|---|
CN107408884B (zh) * | 2015-03-31 | 2020-03-17 | 古河电气工业株式会社 | 电力转换装置及电力转换装置的控制方法 |
US10090675B1 (en) | 2016-06-25 | 2018-10-02 | Active-Semi, Inc. | Fast settlement of supplement converter for power loss protection system |
US10985644B1 (en) | 2016-06-25 | 2021-04-20 | Active-Semi, Inc. | Optimized gate driver for low voltage power loss protection system |
US9721742B1 (en) | 2016-06-25 | 2017-08-01 | Active-Semi, Inc. | Power integrated circuit with autonomous limit checking of ADC channel measurements |
US10826480B1 (en) * | 2016-07-01 | 2020-11-03 | Active-Semi, Inc. | Gate driver to decrease EMI with shorter dead-time |
US10033298B1 (en) * | 2017-01-20 | 2018-07-24 | General Electric Company | Automatic short circuit protection switching device systems and methods |
US10110216B1 (en) * | 2017-06-30 | 2018-10-23 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Over voltage protection of a transistor device |
US20190020272A1 (en) * | 2017-07-12 | 2019-01-17 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Integrated dc-dc boost converter with gallium nitride power transistor |
CN109033620B (zh) * | 2018-07-24 | 2023-08-25 | 刘查理 | 一种硅衬底GaN半导体共源共栅器件的设计方法 |
US11303116B2 (en) * | 2018-08-29 | 2022-04-12 | Allegro Microsystems, Llc | Methods and apparatus for electrical overstress protection |
US11227986B2 (en) * | 2018-11-30 | 2022-01-18 | Texas Instruments Incorporated | Thermo-electric controlled switching circuit |
JP7146688B2 (ja) * | 2019-04-23 | 2022-10-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 駆動装置、及び、電力供給システム |
US11575254B2 (en) * | 2019-11-19 | 2023-02-07 | Stmicroelectronics International N.V. | Overvoltage protection circuit for a PMOS based switch |
EP3855624A1 (en) * | 2020-01-22 | 2021-07-28 | Infineon Technologies AG | Overvoltage protection circuit and device |
US11721969B2 (en) | 2020-05-20 | 2023-08-08 | Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd. | Electronic device and over current protection circuit |
JP7378372B2 (ja) * | 2020-09-18 | 2023-11-13 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US11600611B2 (en) | 2020-11-12 | 2023-03-07 | Semiconductor Components Industries, Llc | Electronic device including high electron mobility transistors and a resistor and a method of using the same |
US11705716B2 (en) * | 2021-11-22 | 2023-07-18 | Google Llc | Input power control and protection |
WO2024009133A1 (en) * | 2022-07-07 | 2024-01-11 | Power Integrations, Inc. | Short circuit protection of power switches |
FR3143895A1 (fr) * | 2022-12-19 | 2024-06-21 | Thales | Protection surtension non inductive pour une génération électrique AC sans distorsion et disponible |
CN115940902A (zh) * | 2022-12-31 | 2023-04-07 | 广州慧智微电子股份有限公司 | 一种开关电路 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006074937A (ja) | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Toshiba Corp | ゲート駆動装置 |
JP2007068131A (ja) | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Takeshi Suzuki | 電流振幅制限回路および過電流防止回路 |
JP2016082609A (ja) | 2014-10-10 | 2016-05-16 | 新電元工業株式会社 | 制御回路 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100282287B1 (ko) | 1993-06-07 | 2001-02-15 | 클라크 3세 존 엠. | 과전압에 대한 보호 |
JP3383571B2 (ja) * | 1998-03-12 | 2003-03-04 | 株式会社東芝 | 半導体素子の駆動回路およびそれを用いた電力変換装置 |
US7521913B2 (en) * | 2004-09-10 | 2009-04-21 | Primarion Corporation | Active transient response circuits, system and method for digital multiphase pulse width modulated regulators |
RU2275670C1 (ru) | 2004-08-23 | 2006-04-27 | Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева" | Блок защиты от перенапряжения в цепях электропитания |
US6987378B1 (en) * | 2004-12-02 | 2006-01-17 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Over-voltage protection circuit and method therefor |
US20110251757A1 (en) * | 2005-10-31 | 2011-10-13 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Electronic Circuit Arrangement with one or more semiconductor main relays and use thereof |
US20070114983A1 (en) * | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Micrel, Inc. | Switching regulator with hysteretic mode control using zero-ESR output capacitors |
JP5130906B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2013-01-30 | サンケン電気株式会社 | スイッチ装置 |
JP2010166359A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Toshiba Corp | 電流制限回路 |
US7968921B2 (en) | 2009-03-27 | 2011-06-28 | National Semiconductor Corporation | Asymmetric field-effect transistor having asymmetric channel zone and differently configured source/drain extensions |
JP4893819B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2012-03-07 | サンケン電気株式会社 | 双方向スイッチ |
JP5464196B2 (ja) * | 2011-11-18 | 2014-04-09 | 株式会社デンソー | パワー半導体素子の駆動回路 |
US8723226B2 (en) | 2011-11-22 | 2014-05-13 | Texas Instruments Incorporated | Manufacturable enhancement-mode group III-N HEMT with a reverse polarization cap |
US8593211B2 (en) | 2012-03-16 | 2013-11-26 | Texas Instruments Incorporated | System and apparatus for driver circuit for protection of gates of GaN FETs |
JP5863183B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2016-02-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US9310819B2 (en) * | 2012-09-07 | 2016-04-12 | Infineon Technologies Americas Corp. | Power converter including integrated driver providing overcurrent protection |
US9184098B2 (en) * | 2012-09-24 | 2015-11-10 | Analog Devices, Inc. | Bidirectional heterojunction compound semiconductor protection devices and methods of forming the same |
US9035318B2 (en) | 2013-05-03 | 2015-05-19 | Texas Instruments Incorporated | Avalanche energy handling capable III-nitride transistors |
US20140374766A1 (en) | 2013-06-20 | 2014-12-25 | Texas Instruments Incorporated | Bi-directional gallium nitride switch with self-managed substrate bias |
JP6211829B2 (ja) * | 2013-06-25 | 2017-10-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US9293912B2 (en) * | 2013-09-11 | 2016-03-22 | Analog Devices, Inc. | High voltage tolerant supply clamp |
US20150091539A1 (en) * | 2013-10-02 | 2015-04-02 | Infineon Technologies Autria AG | Half-bridge gate driver control |
US9035687B2 (en) * | 2013-10-09 | 2015-05-19 | Infineon Technologies Ag | Gate clamping |
EP3080845B1 (en) * | 2013-11-15 | 2021-12-22 | Texas Instruments Incorporated | Method and circuitry for controlling a depletion-mode transistor |
CN108988836B (zh) | 2013-12-16 | 2023-02-28 | 台达电子企业管理(上海)有限公司 | 控制方法及功率电路的封装结构 |
CN105873446B (zh) * | 2013-12-19 | 2020-04-28 | 日清奥利友集团株式会社 | 油脂 |
CN105098718B (zh) | 2014-04-18 | 2018-09-18 | 新加坡商华科全球股份有限公司 | 电源供应装置与过电压保护方法 |
US9429971B2 (en) * | 2014-08-06 | 2016-08-30 | Texas Instruments Incorporated | Short-circuit protection for voltage regulators |
US10355475B2 (en) | 2014-08-15 | 2019-07-16 | Navitas Semiconductor, Inc. | GaN overvoltage protection circuit |
-
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-
2021
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006074937A (ja) | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Toshiba Corp | ゲート駆動装置 |
JP2007068131A (ja) | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Takeshi Suzuki | 電流振幅制限回路および過電流防止回路 |
JP2016082609A (ja) | 2014-10-10 | 2016-05-16 | 新電元工業株式会社 | 制御回路 |
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