JP7171945B2 - メモリデバイスにおけるデータ消去の方法および装置 - Google Patents
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Description
101 周辺回路
102 メモリアレイ
110 行デコーダ回路
120 ページバッファ回路
130 データI/O回路
140 電圧ジェネレータ
150、155 制御回路
160 メモリプレーン
201 CMOSダイ
202 アレイダイ
203、204 基板
205 P型ウェル
206 コア領域
207 ステアケース領域
234、274 ボンディング領域
270 ワード線接続構造
271 コンタクト構造
273 金属線
280 メモリセルストリング
281 チャネル構造
282 ブロック絶縁層
283 電荷蓄積層
285 半導体層
286 絶縁層
289 共通ソース層
290 積層
295 ゲート層
Claims (18)
- メモリデバイスにおけるデータ消去のための方法であって、
メモリセルストリング内の直列に接続されたメモリセルをリセットするための消去動作の間に、前記メモリセルストリングのボディ部分から第1の消去キャリアを提供するために、メモリセルストリングにP型ウェル信号およびワード線信号を印加するステップと、
前記消去動作の間に、前記メモリセルストリングのドレイン側のPN接合部から第2の消去キャリアを提供するために、前記メモリセルストリングにビット線信号および第1のセレクトゲート信号を印加するステップと
を備える、方法。 - 前記メモリセルストリングにP型ウェル信号およびワード線信号を印加するステップが、
前記メモリセルストリングのメモリセルのゲート端子に前記ワード線信号を印加するステップと、
前記メモリセルストリングの前記ボディ部分に対応するP型ウェルに、正の電圧である前記P型ウェル信号を印加するステップであって、前記正の電圧が前記第1の消去キャリアを第1の方向に流す、ステップとを備え、
前記ワード線信号が、グランド電圧レベルまたは所定のしきい値より低い電圧レベルを有し、前記所定のしきい値より低い前記電圧レベルが、前記正の電圧のレベルより低い、請求項1に記載の方法。 - 前記メモリセルストリングに前記ビット線信号および前記第1のセレクトゲート信号を印加するステップが、
第1のセレクトトランジスタのドレイン端子に対して前記第1のセレクトトランジスタの前記ゲート端子を負にバイアスするために、前記メモリセルストリングの第1のセレクトトランジスタのドレイン端子に前記ビット線信号を印加するとともに、前記第1のセレクトトランジスタのゲート端子に前記第1のセレクトゲート信号を印加するステップを備え、前記負にバイアスすることが、前記PN接合部のバンド間トンネリングによって、前記メモリセルストリングの前記ドレイン側のPN接合部に前記第2の消去キャリアの生成を引き起こす、請求項2に記載の方法。 - 前記第1のセレクトトランジスタが、前記メモリセルストリングの前記ドレイン端子に最も近いセレクトトランジスタであり、前記方法がさらに、
第2のセレクトトランジスタのドレイン端子に対して前記第2のセレクトトランジスタの前記ゲート端子を負にバイアスするために、前記第1のセレクトトランジスタの隣に配置された前記メモリセルストリングの第2のセレクトトランジスタのゲート端子に第2のセレクトゲート信号を印加するステップを備える、請求項3に記載の方法。 - 前記ビット線信号が消去電圧レベルを有し、前記第1のセレクトゲート信号が前記消去電圧レベルより低い第1の電圧レベルを有し、前記第2のセレクトゲート信号が前記第1の電圧レベルより低い第2の電圧レベルを有する、請求項4に記載の方法。
- 第3のセレクトトランジスタのソース/ドレイン端子に対して、前記ソース側の第3のセレクトトランジスタのゲート端子を負にバイアスするために、前記メモリセルストリングのソース側の第3のセレクトトランジスタのドレイン端子にビット線信号を印加するとともに、前記第3のセレクトトランジスタのゲート端子に第3のセレクトゲート信号を印加するステップをさらに備え、前記負にバイアスすることが、PN接合部のバンド間トンネリングによって、前記メモリセルストリングの前記ソース側のPN接合部に追加の消去キャリアの生成を引き起こす、請求項2に記載の方法。
- 第3のセレクトトランジスタは、前記メモリセルストリングの前記ソース側に最も近いセレクトトランジスタであり、前記方法はさらに、
第4のセレクトトランジスタのドレイン端子に対して前記第4のセレクトトランジスタの前記ゲート端子を負にバイアスするために、前記第3のセレクトトランジスタの隣に配置された前記メモリセルストリングの第4のセレクトトランジスタのゲート端子に第4のセレクトゲート信号を印加するステップを備える、請求項6に記載の方法。 - 前記第3のセレクトゲート信号が第1の電圧レベルを有し、前記第1の電圧レベルが前記メモリセルストリングの前記P型ウェルに印加された前記正の電圧レベルより低く、前記第4のセレクトゲート信号が前記第1の電圧レベルより低い第2の電圧レベルを有する、請求項7に記載の方法。
- 前記第1の消去キャリアおよび前記第2の消去キャリアは、同一の消去サイクルで提供される、請求項1に記載の方法。
- 半導体メモリデバイスであって、
メモリセルストリング内に直列に接続されたメモリセルを有する少なくともメモリセルストリングを含むメモリセルアレイと、
制御回路、および前記制御回路にそれぞれ結合している電圧ジェネレータ、行デコーダ、およびページバッファ回路を備え、前記電圧ジェネレータが、前記行デコーダおよび前記ページバッファ回路に結合され、前記制御回路が、
前記メモリセルストリング内の直列に接続されたメモリセルをリセットするための消去動作の間に、前記メモリセルストリングのボディ部分から第1の消去キャリアを提供するように、前記電圧ジェネレータを制御して前記メモリセルストリングにP型ウェル信号を印加するとともに、前記行デコーダを制御して前記メモリセルストリングにワード線信号を印加することと、
前記消去動作の間に、前記メモリセルストリングのドレイン側のPN接合部から第2の消去キャリアを提供するために、前記ページバッファ回路を制御して前記メモリセルストリングにビット線信号を印加するとともに、前記行デコーダを制御して第1のセレクトゲート信号を印加することと
を行うように構成される、半導体メモリデバイス。 - 前記制御回路が、
前記行デコーダに、前記メモリセルストリングのメモリセルのゲート端子に前記ワード線信号を印加させ、前記電圧ジェネレータに、前記メモリセルストリングの前記ボディ部分に対応するP型ウェルに、正の電圧である前記P型ウェル信号を印加させるように構成され、前記正の電圧が前記第1の消去キャリアを第1の方向に流し、
前記ワード線信号が、グランド電圧レベルまたは所定のしきい値より低い電圧レベルを有し、前記所定のしきい値より低い前記電圧レベルが、前記正の電圧のレベルより低い、請求項10に記載の半導体メモリデバイス。 - 前記制御回路が、
第1のセレクトトランジスタのドレイン端子に対して前記第1のセレクトトランジスタの前記ゲート端子を負にバイアスするために、前記ページバッファ回路に、前記メモリセルストリングの第1のセレクトトランジスタのドレイン端子に前記ビット線信号を印加させるとともに、前記行デコーダに、前記第1のセレクトトランジスタのゲート端子に前記第1のセレクトゲート信号を印加させるように構成され、前記負にバイアスすることが、前記PN接合部のバンド間トンネリングによって、前記メモリセルストリングの前記ドレイン側のPN接合部に前記第2の消去キャリアの生成を引き起こす、請求項11に記載の半導体メモリデバイス。 - 前記第1のセレクトトランジスタが、前記メモリセルストリングの前記ドレイン端子に最も近いセレクトトランジスタであり、前記制御回路が、第2のセレクトトランジスタのドレイン端子に対して前記第2のセレクトトランジスタの前記ゲート端子を負にバイアスするために、前記行デコーダに、前記第1のセレクトトランジスタの隣に配置された前記メモリセルストリングの第2のセレクトトランジスタのゲート端子に第2のセレクトゲート信号を印加させるように構成される、請求項12に記載の半導体メモリデバイス。
- 前記ビット線信号が消去電圧レベルを有し、前記第1のセレクトゲート信号が前記消去電圧レベルより低い第1の電圧レベルを有し、前記第2のセレクトゲート信号が前記第1の電圧レベルより低い第2の電圧レベルを有する、請求項13に記載の半導体メモリデバイス。
- 前記制御回路は、
第3のセレクトトランジスタのソース/ドレイン端子に対して、前記ソース側の第3のセレクトトランジスタのゲート端子を負にバイアスするために、前記ページバッファ回路に、前記メモリセルストリングのソース側の第3のセレクトトランジスタのドレイン端子にビット線信号を印加させるとともに、前記行デコーダに、前記第3のセレクトトランジスタのゲート端子に第3のセレクトゲート信号を印加させるように構成され、前記負にバイアスすることが、PN接合部のバンド間トンネリングによって、前記メモリセルストリングの前記ソース側のPN接合部に追加の消去キャリアの生成を引き起こす、請求項11に記載の半導体メモリデバイス。 - 第3のセレクトトランジスタは、前記メモリセルストリングの前記ソース側に最も近いセレクトトランジスタであり、前記制御回路が、第4のセレクトトランジスタのドレイン端子に対して前記第4のセレクトトランジスタの前記ゲート端子を負にバイアスするために、前記行デコーダに、前記第3のセレクトトランジスタの隣に配置された前記メモリセルストリングの第4のセレクトトランジスタのゲート端子に第4のセレクトゲート信号を印加させるように構成される、請求項15に記載の半導体メモリデバイス。
- 前記第3のセレクトゲート信号が第1の電圧レベルを有し、前記第1の電圧レベルが前記メモリセルストリングの前記P型ウェルに印加された前記正の電圧レベルより低く、前記第4のセレクトゲート信号が前記第1の電圧レベルより低い第2の電圧レベルを有する、請求項16に記載の半導体メモリデバイス。
- 前記制御回路が、周辺回路に、同一の消去サイクルでの消去動作のために前記第1の消去キャリアおよび前記第2の消去キャリアを提供させるように構成される、請求項10に記載の半導体メモリデバイス。
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