JP7170729B2 - セラミック焼結体 - Google Patents
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Description
以下、本開示の実施形態に係るセラミック焼結体について詳細に説明する。
昨今、さらに室温における電気抵抗が高く、しかも表面が黒色系の色調を呈することのできるセラミック焼結体が求められている。本実施形態のセラミック焼結体は、酸化アルミニウム(Al2O3)を主成分とし、チタンの酸化物を含むセラミック焼結体である。そして、カソードルミネッセンス法を用いた測定における、波長700~800nmにおける第1ピークの強度をA、波長400~450nmにおける第2ピークの強度をBとしたとき、比率B/Aが0.77以下である(図6参照)。このような構成によれば、室温(5~35℃)における電気抵抗が高く、しかも表面が黒色系の色調を呈することができる。以下、本実施形態のセラミック焼結体の構成について具体的に説明する。
ここで、第1ピークの強度は、例えば、11300~12000であり、第2ピークの強度は、例えば、8700~9200である。
<条件>
・測定温度:室温(20℃)
・検出器:CCD
・回折格子の単位長さ当りの溝本数:100gr/mm
・ブレーズ波長:450nm
・スリット幅:1000μm
・倍率:3000倍
・照射電流:18
ΔE*ab=〔(ΔL*)2+(Δa*)2+(Δb*)2〕1/2 (1)
(ΔL*は、測定対象面の第1測定対象点の明度指数L1*と第2測定対象点の明度指数L2*との差、Δa*は測定対象面の第1測定対象点のクロマティクネス指数a1*と第2測定対象点の明度指数a2*との差、Δb*は測定対象面の第1測定対象点のクロマティクネス指数b1*と第2測定対象点の明度指数b2*との差である。)
次に、本実施形態のセラミック焼結体の製造方法の一例を説明する。
次に、本実施形態のセラミック焼結体を備える電子管の一例として、光電子増倍管を例に挙げて、図面を用いて説明する。但し、以下で参照する図は、説明の便宜上、実施形態を説明する上で必要な構成のみを簡略化して示したものである。したがって、本開示の電子管は、参照する図に示されていない任意の構成を備え得る。また、図中の構成の寸法は、実際の構成の寸法および寸法比率などを忠実に表したものではない。これらの点は、後述する車載光学機器においても同様である。
図1に示す本開示の実施形態に係る光電子増倍管10は、入射した光を電子に変換しつつ、その電子を所定の増幅割合で増幅させて、電気信号として取り出すための装置であり、入射光の有無や光量を計測するために用いられる。
次に、本実施形態のセラミック焼結体を備える車載光学機器の一例として、ランプ装置およびヘッドアップディスプレイを例に挙げて、図面を用いて順に説明する。
以下の説明では、ランプ装置が車両の右前方に搭載される構成を例にとって説明するが、本開示のランプ装置は、その機能を奏する限り、車両の右前方に搭載される構成に限定されない。
図4に示すように、本開示の実施形態に係るヘッドアップディスプレイ30は、画像を投影する側から順に、車載プロジェクターモジュール31と、反射ミラー32と、マイクロレンズアレイ33と、凸レンズ34と、コンバイナー35と、を備えている。
本実施形態のセラミック焼結体は、半導体製造装置にも用いることができる。図5に示すように、本開示の実施形態に係る半導体製造装置40は、原料ガスを供給して基板41の表面に半導体結晶を成長させる装置である。半導体製造装置40は、基台42と、基台42の法線方向と軸方向が一致するように基台42上に載置されたチューブ43と、チューブ43の下端側でチューブ43と接続されたフランジ44と、基台42とフランジ44との間に配置され、基台42とフランジ44とを気密に封止する、Oリング等の封止部材45と、封止部材45を上方から押圧するようにフランジ44を基台42に向かって押圧する押圧部材46と、チューブ43の外周側から内部空間47に配置された基板41を加熱するヒータ48と、内部空間47を外部空間から断熱してヒータ48により加熱された基板41を保温する断熱材49と、チューブ43の内部空間47に原料ガスG1を導入するガス導入管50と、内部空間47から反応後の反応ガスG2を排出するガス排出管51と、を備えている。
<条件>
・測定温度:室温(20℃)
・検出器:CCD
・回折格子の単位長さ当りの溝本数:100gr/mm
・ブレーズ波長:450nm
・スリット幅:1000μm
・倍率:3000倍
・照射電流:18
また、比率B/Aを算出し、表1に示した。
試料No.1:1010Ω・m
試料No.2:1010Ω・m
試料No.3:1011Ω・m
試料No.4:1011Ω・m
試料No.5:1011Ω・m
11 容器
12 入射窓
13 光電面
14 電子増倍部
15 アノード
16 電極体
17 セラミック絶縁部材
20 ランプ装置
21 透光カバー
22 ハウジング
23 灯室
24 前照灯
25 第1センサモジュール
251 第1基板
252 第1可視光カメラ
253 第1LiDARセンサ
253a 発光部
253b 受光部
254 第1遮光部材
255 制御部
256 通信部
257 給電部
258 第1アクチュエータ
26 第2センサモジュール
261 第2基板
262 第2可視光カメラ
263 第2LiDARセンサ
264 ミリ波レーダ
265 第2遮光部材
266 第2アクチュエータ
27 信号処理部
271 第1駆動信号
272 第2駆動信号
30 ヘッドアップディスプレイ
31 車載プロジェクターモジュール
32 反射ミラー
33 マイクロレンズアレイ
34 凸レンズ
35 コンバイナー
36 レンズ保持部材
40 半導体製造装置
41 基板
42 基台
43 チューブ
44 フランジ
44a 赤外線遮断部
45 封止部材
46 押圧部材
47 内部空間
48 ヒータ
49 断熱材
50 ガス導入管
51 ガス排出管
52 流路
53 赤外線
Claims (13)
- 酸化アルミニウムを主成分とし、チタンの酸化物、珪素の酸化物、マグネシウムの酸化物およびカルシウムの酸化物を含むセラミック焼結体であって、カソードルミネッセンス法を用いた測定における、波長700~800nmにおける第1ピークの強度をA、波長400~450nmにおける第2ピークの強度をBとしたとき、比率B/Aが0.77以下であり、波長200nm~2500nmにわたる反射率の最大値Rmaxが24%以下であり、前記珪素、前記マグネシウムおよび前記カルシウムの含有量の合計が酸化物に換算して3質量%以上であり、前記珪素の酸化物の含有量が前記マグネシウムの酸化物および前記カルシウムの酸化物の含有量の合計よりも多いセラミック焼結体。
- スキューネスRskの平均値が0.04以上0.45以下である部分を有する請求項1に記載のセラミック焼結体。
- クルトシスRkuの平均値が4.1以上6.5以下である部分を有する請求項1または2に記載のセラミック焼結体。
- 表面が黒色系の色調を呈する請求項1~3のいずれかに記載のセラミック焼結体。
- 前記カソードルミネッセンス法による測定対象面のCIE1976L*a*b*色空間における色差Δ*Eabが4.5以下である請求項1~4のいずれかに記載のセラミック焼結体。
- 前記カソードルミネッセンス法による測定対象面のCIE1976L*a*b*色空間における明度指数L*の変動係数が0.02以下(但し、0を除く)である請求項1~5のいずれかに記載のセラミック焼結体。
- 前記カソードルミネッセンス法による測定対象面は開気孔を有し、該開気孔の円相当径の歪度が0.1以上である請求項1~6のいずれかに記載のセラミック焼結体。
- 電子管用である請求項1~7のいずれかに記載のセラミック焼結体。
- 車載光学機器用である請求項1~7のいずれかに記載のセラミック焼結体。
- 請求項1~7のいずれかに記載のセラミック焼結体を具備する光学品の保持部材。
- 請求項1~7のいずれかに記載のセラミック焼結体を具備する筐体。
- 請求項1~7のいずれかに記載のセラミック焼結体を具備する基板。
- 請求項1~7のいずれかに記載のセラミック焼結体を具備する遮光部材。
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