JP7166147B2 - Plasma processing equipment - Google Patents

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Description

本開示は、プラズマ処理装置に関する。 The present disclosure relates to plasma processing apparatuses.

特許文献１には、基板が載置される載置台の周囲に、プラズマ処理を行う処理領域と排気系に繋がる排気領域とに仕切るように、導電性材料からなり接地電位とされた複数の仕切り部材を設けたプラズマ処理装置が開示されている。 Patent Document 1 discloses a plurality of partitions made of a conductive material and grounded so as to divide a mounting table on which a substrate is placed into a processing area where plasma processing is performed and an exhaust area connected to an exhaust system. A plasma processing apparatus having a member is disclosed.

特開２０１５－２１６２６０号公報JP 2015-216260 A

本開示は、不安定な放電を抑制する技術を提供する。 The present disclosure provides technology for suppressing unstable discharge.

本開示の一態様によるプラズマ処理装置は、処理室と、高周波電源と、複数の板状部材とを有する。処理室は、基板が載置される載置台が内部に設けられ、基板に対するプラズマ処理が実施される。高周波電源は、載置台にバイアス用の高周波電力を印加する。複数の板状部材は、導電性材料からなり、接地電位に接続され、処理室の内面に配置される。 A plasma processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a processing chamber, a high frequency power supply, and a plurality of plate members. The processing chamber is internally provided with a mounting table on which the substrate is mounted, and plasma processing is performed on the substrate. The high-frequency power supply applies high-frequency power for bias to the mounting table. A plurality of plate members are made of a conductive material, connected to a ground potential, and arranged on the inner surface of the processing chamber.

本開示によれば、不安定な放電を抑制できる。 According to the present disclosure, unstable discharge can be suppressed.

図１は、実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成の一例を示す垂直断面図である。FIG. 1 is a vertical sectional view showing an example of a schematic configuration of a plasma processing apparatus according to an embodiment. 図２は、実施形態に係る処理室内の構成の一例を示す水平断面図である。FIG. 2 is a horizontal cross-sectional view showing an example of the internal configuration of the processing chamber according to the embodiment. 図３Ａは、実施形態に係るフィンの構成の一例を示す斜視図である。FIG. 3A is a perspective view showing an example of the configuration of fins according to the embodiment; 図３Ｂは、実施形態に係るフィンの他の構成の一例を示す斜視図である。FIG. 3B is a perspective view showing an example of another configuration of the fins according to the embodiment; 図４Ａは、実施形態に係る排気網部の構成の一例を示す斜視図である。FIG. 4A is a perspective view showing an example of the configuration of the exhaust network portion according to the embodiment; 図４Ｂは、実施形態に係る排気網部の構成の一例を示す断面図である。FIG. 4B is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the exhaust network portion according to the embodiment; 図５は、処理室内の電気的な状態の一例を模式的に示した図である。FIG. 5 is a diagram schematically showing an example of an electrical state inside the processing chamber. 図６Ａは、フィンの配置の他の一例を示す図である。FIG. 6A is a diagram showing another example of the arrangement of fins. 図６Ｂは、フィンの配置の他の一例を示す図である。FIG. 6B is a diagram showing another example of the arrangement of fins. 図６Ｃは、フィンの配置の他の一例を示す図である。FIG. 6C is a diagram showing another example of the arrangement of fins. 図７Ａは、フィンの配置の他の一例を示す図である。FIG. 7A is a diagram showing another example of the arrangement of fins. 図７Ｂは、フィンの配置の他の一例を示す図である。FIG. 7B is a diagram showing another example of the arrangement of fins. 図７Ｃは、フィンの配置の他の一例を示す図である。FIG. 7C is a diagram showing another example of arrangement of fins. 図８Ａは、第１の開口バッフル板のみを設けた場合の作用効果を説明するための図である。FIG. 8A is a diagram for explaining the effect when only the first opening baffle plate is provided. 図８Ｂは、第２の開口バッフル板のみを設けた場合の作用効果を説明するための図である。FIG. 8B is a diagram for explaining the effect of providing only the second opening baffle plate. 図８Ｃは、実施形態に係る排気網部を設けた場合の作用効果を説明するための図である。FIG. 8C is a diagram for explaining a function and effect when the exhaust network portion according to the embodiment is provided; 図９は、フィンの配置の他の一例を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing another example of the arrangement of fins.

以下、図面を参照して本願の開示するプラズマ処理装置の実施形態について詳細に説明する。なお、本実施形態により、開示するプラズマ処理装置が限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the plasma processing apparatus disclosed in the present application will be described in detail with reference to the drawings. Note that the present embodiment does not limit the disclosed plasma processing apparatus.

ところで、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造工程では、ガラス基板などの基板に対しプラズマエッチングや成膜処理等のプラズマ処理を行う工程が存在する。プラズマ処理には、プラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ成膜装置等の種々のプラズマ処理装置が用いられる。 By the way, in the manufacturing process of a flat panel display (FPD), there is a process of subjecting a substrate such as a glass substrate to plasma processing such as plasma etching and film formation processing. Various plasma processing apparatuses such as a plasma etching apparatus and a plasma CVD film forming apparatus are used for plasma processing.

プラズマ処理装置では、プラズマ中のイオンを効果的に引き込むために、基板を載置する載置台に高周波バイアスを印加する。大型の基板の場合、プラズマ処理装置では、載置台に高パワーの高周波バイアスを印加する。しかし、載置台に高パワーの高周波電力を印加した場合、排気系などにおいて、不安定な放電が発生する場合がある。そこで、不安定な放電を抑制することが期待されている。 In a plasma processing apparatus, a high-frequency bias is applied to a mounting table on which a substrate is mounted in order to effectively attract ions in plasma. In the case of a large substrate, the plasma processing apparatus applies a high-power high-frequency bias to the mounting table. However, when high-power high-frequency power is applied to the mounting table, unstable discharge may occur in an exhaust system or the like. Therefore, suppression of unstable discharge is expected.

［プラズマ処理装置の構成］
最初に、実施形態に係るプラズマ処理装置１０の構成について説明する。図１は、実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成の一例を示す垂直断面図である。本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、誘導結合プラズマを生成して、例えば、ＦＰＤ用ガラス基板のような矩形の基板に対しエッチング処理やアッシング処理等の誘導結合プラズマ処理を行う誘導結合型のプラズマ処理装置として構成される。 [Configuration of plasma processing apparatus]
First, the configuration of the plasma processing apparatus 10 according to the embodiment will be described. FIG. 1 is a vertical sectional view showing an example of a schematic configuration of a plasma processing apparatus according to an embodiment. The plasma processing apparatus 10 according to the present embodiment is an inductively coupled type plasma processing apparatus that generates inductively coupled plasma and performs inductively coupled plasma processing such as etching and ashing on a rectangular substrate such as a glass substrate for FPD. It is configured as a plasma processing apparatus.

プラズマ処理装置１０は、導電性材料、例えば、内壁面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなる角筒形状の気密な本体容器１を有する。本体容器１は、分解可能に組み立てられており、接地線１ａにより接地されている。本体容器１は、誘電体壁２により上下にアンテナ室３および処理室４に区画されている。誘電体壁２は、処理室４の天井壁を構成している。誘電体壁２は、Ａｌ2Ｏ3等のセラミックス、石英等で構成されている。 The plasma processing apparatus 10 has an airtight main container 1 in the shape of a rectangular tube made of a conductive material, for example, aluminum with an anodized inner wall surface. The main container 1 is assembled so as to be disassembled, and is grounded by a ground wire 1a. The main container 1 is partitioned vertically into an antenna chamber 3 and a processing chamber 4 by a dielectric wall 2 . The dielectric wall 2 constitutes the ceiling wall of the processing chamber 4 . The dielectric wall 2 is made of ceramics such as Al 2 O 3 or quartz.

本体容器１におけるアンテナ室３の側壁３ａと処理室４の側壁４ａとの間には内側に突出する支持棚５が設けられている。支持棚５の上には、誘電体壁２が載置される。 A supporting shelf 5 projecting inward is provided between the side wall 3 a of the antenna chamber 3 and the side wall 4 a of the processing chamber 4 in the main container 1 . A dielectric wall 2 is placed on the support shelf 5 .

誘電体壁２の下側部分には、処理ガス供給用のシャワー筐体１１が嵌め込まれている。シャワー筐体１１は、十字状に設けられており、誘電体壁２を下から支持する構造、例えば、梁構造となっている。なお、上記誘電体壁２を支持するシャワー筐体１１は、複数本のサスペンダ（図示せず）により本体容器１の天井に吊された状態となっている。支持棚５およびシャワー筐体１１は、誘電体部材で被覆されていてもよい。 A shower housing 11 for supplying processing gas is fitted in the lower portion of the dielectric wall 2 . The shower housing 11 is provided in a cross shape and has a structure for supporting the dielectric wall 2 from below, for example, a beam structure. The shower housing 11 supporting the dielectric wall 2 is suspended from the ceiling of the main container 1 by a plurality of suspenders (not shown). The support shelf 5 and shower housing 11 may be covered with a dielectric member.

シャワー筐体１１は、導電性材料、望ましくは金属、例えば汚染物が発生しないように内面または外面が陽極酸化処理されたアルミニウムで構成されている。シャワー筐体１１には、水平に伸びるガス流路１２が形成されている。ガス流路１２には、下方に向かって延びる複数のガス吐出孔１２ａが連通している。一方、誘電体壁２の上面中央には、ガス流路１２に連通するようにガス供給管２０ａが設けられている。ガス供給管２０ａは、本体容器１の天井から外側へ貫通し、処理ガス供給源およびバルブシステム等を含む処理ガス供給系２０に接続されている。したがって、プラズマ処理において、処理ガス供給系２０から供給された処理ガスは、ガス供給管２０ａを介してシャワー筐体１１のガス流路１２に供給され、シャワー筐体１１の下面に形成されたガス吐出孔１２ａから処理室４内へ吐出される。 The shower enclosure 11 is constructed of an electrically conductive material, preferably a metal, such as aluminum anodized on the inside or outside so as not to generate contaminants. A horizontally extending gas flow path 12 is formed in the shower housing 11 . A plurality of gas discharge holes 12 a extending downward communicate with the gas flow path 12 . On the other hand, a gas supply pipe 20 a is provided in the center of the upper surface of the dielectric wall 2 so as to communicate with the gas flow path 12 . The gas supply pipe 20a penetrates from the ceiling of the main container 1 to the outside and is connected to a processing gas supply system 20 including a processing gas supply source, a valve system, and the like. Therefore, in the plasma processing, the processing gas supplied from the processing gas supply system 20 is supplied to the gas flow path 12 of the shower housing 11 through the gas supply pipe 20a, and the gas flow path 12 formed on the lower surface of the shower housing 11 It is discharged into the processing chamber 4 from the discharge hole 12a.

アンテナ室３内には、高周波（ＲＦ）アンテナ１３が配設されている。高周波アンテナ１３は、銅やアルミニウム等の良導電性の金属からなるアンテナ線１３ａを環状や渦巻状等の従来用いられる任意の形状に配置して構成される。高周波アンテナ１３は、複数のアンテナ部を有する多重アンテナであってもよい。 A radio frequency (RF) antenna 13 is arranged in the antenna room 3 . The high-frequency antenna 13 is configured by arranging an antenna wire 13a made of a highly conductive metal such as copper or aluminum in an arbitrary conventional shape such as a ring shape or a spiral shape. The high frequency antenna 13 may be a multiple antenna having a plurality of antenna units.

アンテナ線１３ａの端子２２には、アンテナ室３の上方へ延びる給電部材１６が接続されている。給電部材１６の上端には、給電線１９より高周波電源１５が接続されている。また、給電線１９には、整合器１４が設けられている。さらに、高周波アンテナ１３は、絶縁部材からなるスペーサ１７により誘電体壁２から離間している。プラズマ処理の際、高周波アンテナ１３には、高周波電源１５から、例えば、周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電力が供給される。これにより、処理室４内には、誘導電界が形成され、誘導電界によりシャワー筐体１１から供給された処理ガスがプラズマ化されて、誘導結合プラズマが生成される。 A power supply member 16 extending upward from the antenna chamber 3 is connected to a terminal 22 of the antenna wire 13a. A high-frequency power source 15 is connected to the upper end of the power supply member 16 via a power supply line 19 . A matching device 14 is provided in the feeder line 19 . Furthermore, the high-frequency antenna 13 is separated from the dielectric wall 2 by a spacer 17 made of an insulating material. During plasma processing, the high-frequency antenna 13 is supplied with high-frequency power having a frequency of 13.56 MHz, for example, from the high-frequency power supply 15 . As a result, an induced electric field is formed in the processing chamber 4, and the induced electric field converts the processing gas supplied from the shower housing 11 into plasma, thereby generating inductively coupled plasma.

処理室４内の底壁４ｂ上には、誘電体壁２を挟んで高周波アンテナ１３と対向するように、矩形状の基板Ｇを載置するための載置面２３ｃを有する載置台２３が設けられている。載置台２３は、絶縁体部材２４を介して固定されている。絶縁体部材２４は、額縁状をなしている。載置台２３は、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムで構成された本体２３ａと、本体２３ａの外周を囲むように設けられた絶縁体枠２３ｂとを有している。載置台２３に載置された基板Ｇは、静電チャック（図示せず）により吸着保持される。 A mounting table 23 having a mounting surface 23c for mounting a rectangular substrate G is provided on the bottom wall 4b in the processing chamber 4 so as to face the high-frequency antenna 13 with the dielectric wall 2 interposed therebetween. It is The mounting table 23 is fixed via an insulator member 24 . The insulator member 24 has a frame shape. The mounting table 23 has a main body 23a made of a conductive material such as aluminum whose surface is anodized, and an insulating frame 23b surrounding the outer periphery of the main body 23a. The substrate G mounted on the mounting table 23 is attracted and held by an electrostatic chuck (not shown).

載置台２３は、基板Ｇの搬入出のためのリフターピン（図示せず）が、本体容器１の底壁４ｂ、絶縁体部材２４を介して挿通されている。リフターピンは、本体容器１外に設けられた昇降機構（図示せず）により昇降駆動して基板Ｇの搬入出を行うようになっている。なお、載置台２３は、昇降機構により昇降可能な構造としてもよい。 A lifter pin (not shown) for loading and unloading the substrate G is inserted through the mounting table 23 through the bottom wall 4 b of the main container 1 and the insulator member 24 . The lifter pins are driven up and down by an elevating mechanism (not shown) provided outside the main container 1 to load and unload the substrate G. As shown in FIG. Note that the mounting table 23 may have a structure that can be moved up and down by an elevating mechanism.

載置台２３の本体２３ａには、給電線２５により、整合器２６を介してバイアス用の高周波電源２７が接続されている。高周波電源２７は、プラズマ処理中に、高周波バイアス（バイアス用高周波電力）を載置台に印加する。高周波バイアスの周波数は、例えば６ＭＨｚである。処理室４内に生成されたプラズマ中のイオンは、バイアス用の高周波電力により、効果的に基板Ｇに引き込まれる。 A main body 23 a of the mounting table 23 is connected to a high-frequency power supply 27 for biasing through a matching box 26 via a feeder line 25 . The high-frequency power supply 27 applies a high-frequency bias (bias high-frequency power) to the mounting table during plasma processing. The frequency of the high frequency bias is, for example, 6 MHz. The ions in the plasma generated in the processing chamber 4 are effectively drawn into the substrate G by the high frequency power for bias.

また、載置台２３内には、基板Ｇの温度を制御するため、セラミックヒータ等の加熱手段や冷媒流路等からなる温度制御機構と、温度センサーとが設けられている（いずれも図示せず）。 Further, in order to control the temperature of the substrate G, the mounting table 23 is provided with a temperature control mechanism including a heating means such as a ceramic heater, a coolant flow path, and the like, and a temperature sensor (neither is shown). ).

さらに、載置台２３は、基板Ｇが載置された際に、基板Ｇの裏面側に冷却空間（図示せず）が形成される。冷却空間には、熱伝達用ガスとしてのＨｅガスを所定の圧力で供給するためのＨｅガス流路２８が接続されている。このように、基板Ｇの裏面側に熱伝達用ガスを供給することにより、真空下において基板Ｇの温度制御性を良好にすることができる。 Furthermore, the mounting table 23 forms a cooling space (not shown) on the back surface side of the substrate G when the substrate G is mounted. A He gas flow path 28 for supplying He gas as a heat transfer gas at a predetermined pressure is connected to the cooling space. By supplying the heat transfer gas to the back side of the substrate G in this way, it is possible to improve the temperature controllability of the substrate G under vacuum.

処理室４の底壁４ｂの底部中央には、開口部４ｃが形成されている。給電線２５、Ｈｅガス流路２８、および温度制御機構の配管や配線は、開口部４ｃを通して本体容器１外に導出される。 An opening 4 c is formed in the center of the bottom of the bottom wall 4 b of the processing chamber 4 . The power supply line 25, the He gas flow path 28, and the piping and wiring of the temperature control mechanism are led out of the main container 1 through the opening 4c.

処理室４の四つの側壁４ａのうち一つには、基板Ｇを搬入出するための搬入出口２９ａおよびそれを開閉するゲートバルブ２９が設けられている。 One of the four side walls 4a of the processing chamber 4 is provided with a loading/unloading port 29a for loading/unloading the substrate G and a gate valve 29 for opening and closing the port.

処理室４の底壁４ｂには、載置台２３の側部に排気口３０が設けられている。排気口３０は、載置台２３の載置面２３ｃよりも低い位置となるように、底壁４ｂに設けられている。排気口３０には、排気部４０が設けられている。排気部４０は、排気口３０に接続された排気配管３１と、排気配管３１の開度を調整することにより処理室４内の圧力を制御する自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）３２と、処理室４内を排気配管３１を介して排気するための真空ポンプ３３とを有している。そして、真空ポンプ３３により処理室４内が排気され、プラズマ処理中、自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）３２の開度を調整して処理室４内を所定の真空雰囲気に設定、維持される。 An exhaust port 30 is provided on the side of the mounting table 23 on the bottom wall 4 b of the processing chamber 4 . The exhaust port 30 is provided in the bottom wall 4 b so as to be positioned lower than the mounting surface 23 c of the mounting table 23 . An exhaust portion 40 is provided in the exhaust port 30 . The exhaust unit 40 includes an exhaust pipe 31 connected to the exhaust port 30, an automatic pressure control valve (APC) 32 that controls the pressure in the processing chamber 4 by adjusting the opening degree of the exhaust pipe 31, It has a vacuum pump 33 for evacuating the inside through an exhaust pipe 31 . The inside of the processing chamber 4 is evacuated by the vacuum pump 33, and the inside of the processing chamber 4 is set and maintained at a predetermined vacuum atmosphere by adjusting the opening of the automatic pressure control valve (APC) 32 during the plasma processing.

図２は、実施形態に係る処理室内の構成の一例を示す水平断面図である。図２には、処理室４内の載置台２３付近を上方から見た断面図が示されている。処理室４内には、中央に載置台２３が配置されている。載置台２３の載置面２３ｃは、矩形状の基板Ｇを載置するため、矩形状に形成されている。排気口３０は、処理室４の載置台２３の周囲に複数形成されている。本実施形態では、矩形状の載置台２３の各辺の両端付近に排気口３０がそれぞれ設けられている。なお、排気口３０の数や位置は、装置の大きさに応じて適宜設定される。例えば、排気口３０は、処理室４の各側壁４ａに沿って１個ずつ設けられてもよい。 FIG. 2 is a horizontal cross-sectional view showing an example of the internal configuration of the processing chamber according to the embodiment. FIG. 2 shows a cross-sectional view of the vicinity of the mounting table 23 in the processing chamber 4 as viewed from above. A mounting table 23 is arranged in the center of the processing chamber 4 . A mounting surface 23c of the mounting table 23 is formed in a rectangular shape so as to mount a rectangular substrate G thereon. A plurality of exhaust ports 30 are formed around the mounting table 23 of the processing chamber 4 . In this embodiment, exhaust ports 30 are provided near both ends of each side of the rectangular mounting table 23 . The number and positions of the exhaust ports 30 are appropriately set according to the size of the device. For example, one exhaust port 30 may be provided along each side wall 4 a of the processing chamber 4 .

処理室４の内壁（側壁４ａの内側部分）と載置台２３との間には、仕切り部材５０が設けられている。本実施形態では、載置台２３の各辺の側面側に、１つの仕切り部材５０で２つの排気口３０を覆うように、４枚の仕切り部材５０が設けられている。図１に示すように、処理室４は、仕切り部材５０により、基板Ｇに対してプラズマ処理を行う処理領域４１と、排気口３０に繋がる排気領域４２とに仕切られている。処理領域４１は、処理室４のうち仕切り部材５０よりも上の領域であり、基板Ｇをプラズマ処理するための誘導結合プラズマが形成される領域である。排気領域４２は、処理室４のうち仕切り部材５０よりも下の領域であり、処理領域４１からの処理ガスが導かれ、それを排気するための領域である。 A partition member 50 is provided between the inner wall of the processing chamber 4 (the inner portion of the side wall 4 a ) and the mounting table 23 . In this embodiment, four partition members 50 are provided on the side surface of each side of the mounting table 23 so that one partition member 50 covers two exhaust ports 30 . As shown in FIG. 1 , the processing chamber 4 is partitioned by a partition member 50 into a processing area 41 in which plasma processing is performed on the substrate G and an exhaust area 42 connected to the exhaust port 30 . The processing region 41 is a region above the partition member 50 in the processing chamber 4, and is a region where inductively coupled plasma for plasma processing the substrate G is formed. The exhaust area 42 is an area below the partition member 50 in the processing chamber 4, and is an area to which the processing gas from the processing area 41 is introduced and exhausted.

仕切り部材５０は、金属等の導電性材料からなり、開口部を有さない矩形の板材に形成されている。各仕切り部材５０は、上面が、載置台２３の載置面２３ｃよりも低い位置となるように載置台２３の各側面に配置されている。各仕切り部材５０は、接地線５０ａにより接地電位に接続されている。なお、仕切り部材５０を側壁４ａと電気的に接続させて、本体容器１を介して接地するようにしてもよい。 The partition member 50 is made of a conductive material such as metal, and is formed into a rectangular plate member having no opening. Each partition member 50 is arranged on each side surface of the mounting table 23 so that the upper surface thereof is positioned lower than the mounting surface 23 c of the mounting table 23 . Each partition member 50 is connected to a ground potential by a ground line 50a. Alternatively, the partition member 50 may be electrically connected to the side wall 4a and grounded via the main container 1. FIG.

隣接する仕切り部材５０どうしは、その間に、処理領域４１に供給されたガスを排気領域４２に導く間口６０が形成されるように離間して配置されている。本実施形態では、間口６０は、仕切り部材５０の形成面の四隅に存在している。処理室４の処理領域４１のガスは、各間口６０から排気領域４２に流れ、各排気口３０から排気される。 Adjacent partition members 50 are spaced apart from each other so as to form an opening 60 therebetween for guiding the gas supplied to the processing area 41 to the exhaust area 42 . In this embodiment, the frontages 60 are present at the four corners of the forming surface of the partition member 50 . Gas in the processing area 41 of the processing chamber 4 flows from each frontage 60 to the exhaust area 42 and is exhausted from each exhaust port 30 .

排気領域４２には、フィン６１が複数配置されている。図２では、仕切り部材５０に覆われた部分にフィン６１が複数並列に配置されている。フィン６１は、金属等の導電性材料からなり、矩形の板状部材として形成されている。各フィン６１は、排気口３０の上部以外の部分で、処理室４の底面（底壁４ｂ）と接続されており、長手方向が載置台２３の側面と並行な方向となるように配置されている。すなわち、各フィン６１は、排気領域４２において、排気口３０への排気の流れを形成するように配置されている。各フィン６１の間隔は、１０～２００ｍｍとすることが好ましい。各フィン６１は、不図示の接地部材により接地電位に接続されている。なお、各フィン６１の少なくとも一部を仕切り部材５０と電気的に接続させて、仕切り部材５０を介して接地するようにしてもよい。 A plurality of fins 61 are arranged in the exhaust area 42 . In FIG. 2 , a plurality of fins 61 are arranged in parallel in the portion covered with the partition member 50 . The fin 61 is made of a conductive material such as metal and formed as a rectangular plate member. Each fin 61 is connected to the bottom surface (bottom wall 4b) of the processing chamber 4 at a portion other than the upper portion of the exhaust port 30, and is arranged so that its longitudinal direction is parallel to the side surface of the mounting table 23. there is That is, each fin 61 is arranged in the exhaust region 42 so as to form a flow of exhaust gas to the exhaust port 30 . The interval between each fin 61 is preferably 10 to 200 mm. Each fin 61 is connected to ground potential by a ground member (not shown). At least part of each fin 61 may be electrically connected to the partition member 50 and grounded via the partition member 50 .

フィン６１は、仕切り部材５０と接続してもよい。図３Ａは、実施形態に係るフィンの構成の一例を示す斜視図である。図３Ａに示すように、各フィン６１は、処理室４の底面（底壁４ｂ）に立てた状態で固定されており、上部が仕切り部材５０と接続している。これにより、各フィン６１は、仕切り部材５０を介して接地できる。 Fins 61 may be connected to partition member 50 . FIG. 3A is a perspective view showing an example of the configuration of fins according to the embodiment; As shown in FIG. 3A, each fin 61 is fixed to the bottom surface (bottom wall 4b) of the processing chamber 4 in an upright state and connected to the partition member 50 at the top. Thereby, each fin 61 can be grounded via the partition member 50 .

また、フィン６１は、仕切り部材５０と隙間が形成されてもよい。図３Ｂは、実施形態に係るフィンの他の構成の一例を示す斜視図である。図３Ｂに示すように、各フィン６１は、処理室４の底面（底壁４ｂ）に立てた状態で固定されており、上部が仕切り部材５０と接続しておらず、隙間を有している。仕切り部材５０は、上面がプラズマに晒されるために、プラズマの条件によっては高温となる場合がある。一方、フィン６１は、仕切り部材５０に覆われてプラズマに晒されないため、仕切り部材５０ほど高温とはならない。フィン６１と仕切り部材５０とを接続せずに分離することにより、仕切り部材５０が高温になるような場合でも仕切り部材５０とフィン６１に熱膨張の違いにより歪が発生することを抑制できる。 Also, the fins 61 may be formed with a gap from the partition member 50 . FIG. 3B is a perspective view showing an example of another configuration of the fins according to the embodiment; As shown in FIG. 3B, each fin 61 is fixed to the bottom surface (bottom wall 4b) of the processing chamber 4 in an upright state, and the upper portion is not connected to the partition member 50 and has a gap. . Since the upper surface of the partition member 50 is exposed to plasma, the temperature of the partition member 50 may become high depending on plasma conditions. On the other hand, since the fins 61 are covered with the partition member 50 and are not exposed to the plasma, the temperature of the fins 61 is not as high as that of the partition member 50 . By separating the fins 61 and the partitioning member 50 without connecting them, it is possible to suppress the occurrence of distortion due to the difference in thermal expansion between the partitioning member 50 and the fins 61 even when the partitioning member 50 becomes hot.

図１に戻る。排気口３０には、それぞれ排気網部７０が設けられている。図４Ａは、実施形態に係る排気網部の構成の一例を示す斜視図である。図４Ｂは、実施形態に係る排気網部の構成の一例を示す断面図である。排気網部７０は、フレーム７１を有する。フレーム７１は、排気口３０に対応したサイズの開口を有し、排気口３０に取り付け可能とされている。フレーム７１の開口には、第１の開口バッフル板７２が設けられている。また、フレーム７１には、第１の開口バッフル板７２と重なるように、第２の開口バッフル板７３と第３の開口バッフル板７４とが間隔を空けて設けられている。すなわち、排気網部７０には、上下に三段の開口バッフル板が設けられている。第１の開口バッフル板７２、第２の開口バッフル板７３および第３の開口バッフル板７４は、金属等の導電性材料からなり、多数の開口を有している。例えば、第１の開口バッフル板７２、第２の開口バッフル板７３および第３の開口バッフル板７４は、多数のスリットが形成された部材や、メッシュ部材、多数のパンチング孔を有する部材により形成されている。 Return to FIG. An exhaust network portion 70 is provided in each of the exhaust ports 30 . FIG. 4A is a perspective view showing an example of the configuration of the exhaust network portion according to the embodiment; FIG. 4B is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the exhaust network portion according to the embodiment; The exhaust network part 70 has a frame 71 . The frame 71 has an opening of a size corresponding to the exhaust port 30 and can be attached to the exhaust port 30 . A first opening baffle plate 72 is provided in the opening of the frame 71 . A second opening baffle plate 73 and a third opening baffle plate 74 are provided on the frame 71 so as to overlap with the first opening baffle plate 72 . That is, the exhaust net portion 70 is provided with three upper and lower opening baffle plates. The first opening baffle plate 72, the second opening baffle plate 73 and the third opening baffle plate 74 are made of a conductive material such as metal and have a large number of openings. For example, the first opening baffle plate 72, the second opening baffle plate 73, and the third opening baffle plate 74 are formed of a member having a large number of slits, a mesh member, or a member having a large number of punched holes. ing.

第１の開口バッフル板７２は、フレーム７１の開口に取り付けられており、不図示の接地部材により接地されている。一方、第２の開口バッフル板７３および第３の開口バッフル板７４は、絶縁性の絶縁部材７５を介して、第１の開口バッフル板７２と重なるようにフレーム７１に取り付けられている。第２の開口バッフル板７３および第３の開口バッフル板７４は、電気的にフローティング状態となっている。これら三段の開口バッフル板は、たがいに安定放電可能な間隔で配置されている。第１の開口バッフル板７２と第２の開口バッフル板７３の間隔および第１の開口バッフル板７２と第２の開口バッフル板７３の間隔の好ましい範囲は、１～２０ｍｍである。 The first opening baffle plate 72 is attached to the opening of the frame 71 and grounded by a grounding member (not shown). On the other hand, the second opening baffle plate 73 and the third opening baffle plate 74 are attached to the frame 71 via insulating members 75 having insulating properties so as to overlap the first opening baffle plate 72 . The second opening baffle plate 73 and the third opening baffle plate 74 are in an electrically floating state. These three-stage open baffle plates are arranged at intervals that enable stable discharge. A preferable range of the distance between the first opening baffle plate 72 and the second opening baffle plate 73 and the distance between the first opening baffle plate 72 and the second opening baffle plate 73 is 1 to 20 mm.

図１に戻る。実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）からなる制御部１００、ユーザーインターフェース１０１、記憶部１０２を有している。制御部１００は、プラズマ処理装置１０の各構成部、例えばバルブ、高周波電源、真空ポンプ等に指令を送り、これらを制御するようになっている。また、ユーザーインターフェース１０１は、オペレータによるプラズマ処理装置１０を管理するためのコマンド入力等の入力操作を行うキーボードや、プラズマ処理装置１０の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を有する。ユーザーインターフェース１０１は、制御部１００に接続されている。記憶部１０２は、プラズマ処理装置１０で実行される各種処理を制御部１００の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じてプラズマ処理装置１０の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわち処理レシピが格納されている。記憶部１０２は、制御部１００に接続されている。処理レシピは、記憶部１０２の中の記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、コンピュータに内蔵されたハードディスクや半導体メモリであってもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース１０１からの指示等にて任意の処理レシピを記憶部１０２から呼び出して制御部１００に実行させることで、制御部１００の制御下で、プラズマ処理装置１０での所望の処理が行われる。 Return to FIG. The plasma processing apparatus 10 according to the embodiment has a control section 100 made up of a microprocessor (computer), a user interface 101 and a storage section 102 . The control unit 100 sends instructions to each component of the plasma processing apparatus 10, such as a valve, a high-frequency power source, a vacuum pump, etc., to control them. The user interface 101 also has a keyboard for inputting commands such as commands for managing the plasma processing apparatus 10 by the operator, a display for visualizing and displaying the operating status of the plasma processing apparatus 10, and the like. A user interface 101 is connected to the control unit 100 . The storage unit 102 stores a control program for realizing various types of processing executed in the plasma processing apparatus 10 under the control of the control unit 100, and a control program for causing each constituent unit of the plasma processing apparatus 10 to execute processing according to processing conditions. programs, ie, processing recipes, are stored. Storage unit 102 is connected to control unit 100 . A processing recipe is stored in a storage medium in the storage unit 102 . The storage medium may be a hard disk or semiconductor memory built into a computer, or may be a portable medium such as a CDROM, DVD, or flash memory. Alternatively, the recipe may be appropriately transmitted from another device, for example, via a dedicated line. Then, if necessary, an arbitrary processing recipe is called from the storage unit 102 by an instruction from the user interface 101 or the like, and is executed by the control unit 100. The desired processing is performed.

次に、以上のように構成されるプラズマ処理装置１０を用いて基板Ｇに対してプラズマ処理、例えばプラズマエッチングやプラズマアッシングを施す際の処理動作について説明する。 Next, a processing operation when plasma processing, for example, plasma etching or plasma ashing is performed on the substrate G using the plasma processing apparatus 10 configured as described above will be described.

まず、プラズマ処理装置１０は、ゲートバルブ２９を開にした状態とする。基板Ｇは、搬送機構（図示せず）により搬入出口２９ａから処理室４内に搬入され、載置台２３の載置面２３ｃに載置される。プラズマ処理装置１０は、静電チャック（図示せず）により基板Ｇを載置台２３上に固定する。次に、プラズマ処理装置１０は、処理ガス供給系２０からシャワー筐体１１のガス吐出孔１２ａを介して処理ガスを処理室４内に供給する。また、プラズマ処理装置１０は、自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）３２により圧力を制御しつつ排気口３０から排気配管３１を介して真空ポンプ３３により処理室４内を真空排気することにより、処理室内を例えば０．６６～２６．６Ｐａ程度の圧力雰囲気に維持する。 First, the plasma processing apparatus 10 is in a state where the gate valve 29 is opened. The substrate G is loaded into the processing chamber 4 through the loading/unloading port 29 a by a transport mechanism (not shown) and placed on the mounting surface 23 c of the mounting table 23 . The plasma processing apparatus 10 fixes the substrate G on the mounting table 23 with an electrostatic chuck (not shown). Next, the plasma processing apparatus 10 supplies the processing gas into the processing chamber 4 from the processing gas supply system 20 through the gas discharge holes 12 a of the shower housing 11 . Further, the plasma processing apparatus 10 evacuates the inside of the processing chamber 4 from the exhaust port 30 through the exhaust pipe 31 by the vacuum pump 33 while controlling the pressure by the automatic pressure control valve (APC) 32 . For example, a pressure atmosphere of about 0.66 to 26.6 Pa is maintained.

また、このとき、プラズマ処理装置１０は、基板Ｇの温度上昇や温度変化を回避するために、Ｈｅガス流路２８を介して、基板Ｇの裏面側の冷却空間に熱伝達用ガスとしてのＨｅガスを供給する。 At this time, in order to avoid temperature rise and temperature change of the substrate G, the plasma processing apparatus 10 supplies He as a heat transfer gas to the cooling space on the back side of the substrate G through the He gas flow path 28 . Supply gas.

次いで、プラズマ処理装置１０は、高周波電源１５から、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波を高周波アンテナ１３に印加し、これにより誘電体壁２を介して処理室４内に均一な誘導電界を形成する。このようにして形成された誘導電界により、処理室４内で処理ガスがプラズマ化し、高密度の誘導結合プラズマが生成される。このプラズマにより、基板Ｇに対してプラズマ処理、例えば基板Ｇの所定の膜に対しプラズマエッチングやプラズマアッシングが行われる。このとき同時に、プラズマ処理装置１０は、高周波電源２７から高周波バイアスとして、例えば周波数が６ＭＨｚの高周波電力を載置台２３に印加して、処理室４内に生成されたプラズマ中のイオンが効果的に基板Ｇに引き込まれるようにする。 Next, the plasma processing apparatus 10 applies a high frequency of, for example, 13.56 MHz to the high frequency antenna 13 from the high frequency power supply 15 , thereby forming a uniform induced electric field in the processing chamber 4 via the dielectric wall 2 . The induced electric field thus formed converts the processing gas into plasma in the processing chamber 4, generating high-density inductively coupled plasma. By this plasma, the substrate G is subjected to plasma processing, for example, a predetermined film of the substrate G is subjected to plasma etching or plasma ashing. At the same time, the plasma processing apparatus 10 applies high-frequency power with a frequency of 6 MHz, for example, from the high-frequency power source 27 to the mounting table 23 as a high-frequency bias, so that the ions in the plasma generated in the processing chamber 4 are effectively It is made to be drawn into the substrate G.

処理ガスは、処理室４内の処理領域４１でプラズマ化してプラズマ処理に供された後、真空ポンプ３３により吸引されることにより、隣接する仕切り部材５０の間に形成された間口６０から排気領域４２に至り、排気口３０から排気配管３１を経て排気される。 The processing gas is turned into plasma in the processing region 41 in the processing chamber 4 and is subjected to plasma processing, and then sucked by the vacuum pump 33 to pass through the opening 60 formed between the adjacent partition members 50 to the exhaust region. 42 , the air is exhausted from the exhaust port 30 through the exhaust pipe 31 .

ここで、プラズマ処理装置１０は、基板Ｇが大型化するほど、載置台２３に高パワーの高周波電力を印加する必要がある。しかし、プラズマ処理装置１０は、載置台２３に高パワーの高周波電力を印加すると、アーキングを生じたりして電気的に不安定になる。例えば、プラズマ処理装置１０は、基板Ｇのサイズが第８世代のサイズ（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）以上のサイズとなると、より高パワーの高周波電力を載置台２３に印加する必要がある。しかし、プラズマ処理装置１０は、処理可能な基板Ｇのサイズが大きくなるほど、基板Ｇを載置する載置台２３の面積に対して、対向電極として機能する処理室４の内壁（側壁４ａの内側部分）の面積の比率が低下する。この結果、プラズマ処理装置１０は、処理可能な基板Ｇのサイズが大きくなるほど、対向電極に対するリターン電流密度が増加し、アーキングを生じやすくなる等、電気的に不安定になる。 Here, the plasma processing apparatus 10 needs to apply high-power high-frequency power to the mounting table 23 as the size of the substrate G increases. However, when high-power high-frequency power is applied to the mounting table 23, the plasma processing apparatus 10 becomes electrically unstable due to arcing or the like. For example, the plasma processing apparatus 10 needs to apply higher high-frequency power to the mounting table 23 when the size of the substrate G is equal to or larger than the size of the eighth generation (2160 mm×2460 mm). However, in the plasma processing apparatus 10, the larger the size of the substrate G that can be processed, the larger the area of the mounting table 23 on which the substrate G is mounted. ) is decreased. As a result, the larger the size of the substrate G that can be processed in the plasma processing apparatus 10, the greater the return current density to the counter electrode, and the more likely arcing occurs, resulting in electrical instability.

そこで、実施形態に係るプラズマ処理装置１０では、処理室４の内壁と載置台２３との間の位置に、接地電位とした複数のフィン６１や仕切り部材５０を設けている。図５は、処理室内の電気的な状態の一例を模式的に示した図である。フィン６１および仕切り部材５０は、接地電位としたことにより、高周波バイアスが印加される載置台２３に対する対向電極として機能する。すなわち、プラズマ処理装置１０は、フィン６１および仕切り部材５０を配置することにより、対向電極の面積を拡大している。例えば、載置台２３の面積に対して対向電極の面積が、アーキングの発生が抑制される所定倍（例えば、３倍）以上となるようにフィン６１を配置して、対向電極の面積を拡大する。これにより、プラズマ処理装置１０は、基板Ｇの大型化に伴って載置台２３を大型化した場合でも、電気的安定性を確保でき、不安定な放電を抑制できる。 Therefore, in the plasma processing apparatus 10 according to the embodiment, a plurality of fins 61 and a partition member 50 with ground potential are provided between the inner wall of the processing chamber 4 and the mounting table 23 . FIG. 5 is a diagram schematically showing an example of an electrical state inside the processing chamber. The fin 61 and the partition member 50 function as a counter electrode to the mounting table 23 to which the high frequency bias is applied by setting the potential to the ground. That is, the plasma processing apparatus 10 expands the area of the counter electrode by arranging the fins 61 and the partition member 50 . For example, the fins 61 are arranged so that the area of the counter electrode is at least a predetermined factor (for example, three times) that suppresses the occurrence of arcing with respect to the area of the mounting table 23, thereby increasing the area of the counter electrode. . As a result, the plasma processing apparatus 10 can ensure electrical stability and suppress unstable discharge even when the mounting table 23 is increased in size as the substrate G is increased in size.

また、フィン６１は、排気口３０への排気の流れの上流側に並列に配置されている。これにより、プラズマ化したガスが排気口３０へ流れた際に、ガスがフィン６１に接触して失活する。これにより、プラズマ化したガスが排気口３０に流れて排気部４０の内部で不安定な放電が発生することを抑制できる。 Further, the fins 61 are arranged in parallel on the upstream side of the exhaust flow to the exhaust port 30 . As a result, when the plasmatized gas flows to the exhaust port 30, the gas comes into contact with the fins 61 and is deactivated. As a result, it is possible to suppress the plasmatized gas from flowing into the exhaust port 30 and causing unstable discharge inside the exhaust section 40 .

なお、図２の例では、フィン６１を仕切り部材５０に覆われた部分のみに配置した場合を例に説明したが、フィン６１の配置はこれに限定されるものではない。フィン６１は、対向電極の拡大に寄与させる場合、処理室４の内面に配置されていれば、何れの位置に設けてもよい。例えば、フィン６１は、側壁４ａに設けられていてもよい。なお、フィン６１は、付着したデポなどの副生成物が載置台２３の載置面２３ｃに落ちることを抑制するため、載置台２３の載置面２３ｃよりも低い位置に配置することが好ましい。 In the example of FIG. 2, the case where the fins 61 are arranged only in the portion covered by the partition member 50 has been described as an example, but the arrangement of the fins 61 is not limited to this. The fins 61 may be provided at any position as long as they are arranged on the inner surface of the processing chamber 4 when contributing to the enlargement of the counter electrode. For example, the fins 61 may be provided on the sidewall 4a. The fins 61 are preferably arranged at a position lower than the mounting surface 23c of the mounting table 23 in order to prevent by-products such as deposited deposits from falling onto the mounting surface 23c of the mounting table 23. FIG.

また、フィン６１は、排気口３０へ流れるプラズマ化したガスを失活させる場合、排気口３０への排気の流れに対して排気口３０よりも上流側に少なくとも配置されていればよい。また、フィン６１は、間口６０に対応する部分に配置されてもよい。図６Ａは、フィンの配置の他の一例を示す図である。図６Ａの場合、フィン６１は、載置台２３の周囲を囲むように並列に配置してもよい。これにより、対向電極の面積をより拡大できる。また、フィン６１は、間口６０から排気口３０の間に対応する部分に少なくとも配置してもよい。また、フィン６１は、排気領域４２において排気口３０に対応する領域よりも排気口３０以外の領域（底壁４ｂに排気口３０を設けていない領域）に多く配置してもよい。図６Ｂは、フィンの配置の他の一例を示す図である。図６Ｂの場合、フィン６１の数は、排気口３０よりも排気口３０の間の部分に多く配置している。排気口３０の上方に対応する部分のフィン６１の数を減らすことにより、排気口３０への排気の流れをスムーズにすることができる。また、フィン６１は、排気口３０までの排気の流れの上流側にのみ配置してもよい。図６Ｃは、フィンの配置の他の一例を示す図である。図６Ｃの場合、フィン６１は、排気口３０と間口６０の間に配置されている。 Further, when deactivating the plasmatized gas flowing to the exhaust port 30 , the fins 61 need only be arranged at least upstream of the exhaust port 30 with respect to the flow of the exhaust to the exhaust port 30 . Also, the fins 61 may be arranged at a portion corresponding to the frontage 60 . FIG. 6A is a diagram showing another example of the arrangement of fins. In the case of FIG. 6A, the fins 61 may be arranged in parallel so as to surround the mounting table 23 . Thereby, the area of the counter electrode can be further expanded. Further, the fins 61 may be arranged at least in a portion corresponding between the frontage 60 and the exhaust port 30 . Further, more fins 61 may be arranged in areas other than the exhaust ports 30 (areas in which the bottom wall 4 b is not provided with the exhaust ports 30 ) than in areas corresponding to the exhaust ports 30 in the exhaust region 42 . FIG. 6B is a diagram showing another example of the arrangement of fins. In the case of FIG. 6B , more fins 61 are arranged between the exhaust ports 30 than the exhaust ports 30 . By reducing the number of fins 61 in the portion corresponding to the upper portion of the exhaust port 30, the flow of exhaust gas to the exhaust port 30 can be smoothed. Further, the fins 61 may be arranged only on the upstream side of the exhaust flow to the exhaust port 30 . FIG. 6C is a diagram showing another example of the arrangement of fins. In the case of FIG. 6C, the fins 61 are arranged between the exhaust port 30 and the frontage 60 .

また、フィン６１は、プラズマに晒されてもよい。図７Ａ～図７Ｃは、フィンの配置の他の一例を示す図である。図７Ａ～図７Ｃの場合、仕切り部材５０は、載置台２３の各辺の排気口３０に対応する部分に設けられている。各辺の排気口３０の間の部分は、仕切り部材５０で覆われておらず、フィン６１ａが複数並列に設けられている。フィン６１ａは、仕切り部材５０で覆われていないため、プラズマに晒される。仕切り部材５０に覆われた排気領域４２の一方側（四隅の反対側）は、封止板８０により封止されている。これにより、排気口３０には、フィン６１ａ側から排気が流れない。一方、排気領域４２の四隅側には、封止されておらず、フィン６１ｂが複数並列に設けられている。処理室４の処理領域４１のガスは、間口６０からフィン６１ｂの間を介して排気領域４２に流れ、各排気口３０から排気される。この場合、フィン６１ａが載置台２３に対する対向電極として直接機能するので、対向電極の拡大の効果を高めることができる。 The fins 61 may also be exposed to plasma. 7A to 7C are diagrams showing another example of the arrangement of fins. In the case of FIGS. 7A to 7C, the partition members 50 are provided at portions corresponding to the exhaust ports 30 on each side of the mounting table 23 . A portion between the exhaust ports 30 on each side is not covered with the partition member 50, and a plurality of fins 61a are provided in parallel. Since the fins 61a are not covered with the partition member 50, they are exposed to plasma. One side (opposite to the four corners) of the exhaust area 42 covered with the partition member 50 is sealed with a sealing plate 80 . As a result, the exhaust air does not flow into the exhaust port 30 from the fin 61a side. On the other hand, the four corners of the exhaust area 42 are not sealed, and a plurality of fins 61b are provided in parallel. The gas in the processing area 41 of the processing chamber 4 flows from the frontage 60 to the exhaust area 42 through the space between the fins 61 b and is exhausted from each exhaust port 30 . In this case, since the fins 61a directly function as counter electrodes with respect to the mounting table 23, the effect of enlarging the counter electrodes can be enhanced.

ところで、実施形態に係るプラズマ処理装置１０では、複数のフィン６１を設けても、処理条件によっては、真空ポンプ３３で吸引することによりプラズマが排気口３０近傍に引き寄せられて排気部４０の内部に侵入する場合がある。そして、プラズマ処理装置１０では、侵入したプラズマにより、例えば、自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）３２近傍で放電による発光（アーキング）が生じ、その表面の陽極酸化皮膜などが消耗してしまう場合がある。 By the way, in the plasma processing apparatus 10 according to the embodiment, even if a plurality of fins 61 are provided, the plasma may be drawn near the exhaust port 30 by being sucked by the vacuum pump 33 depending on the processing conditions, and may enter the exhaust section 40 . may intrude. In the plasma processing apparatus 10, the intruding plasma may cause, for example, light emission (arcing) due to discharge near the automatic pressure control valve (APC) 32, and the anodic oxide film on the surface thereof may be consumed.

これに対して、例えば、排気口３０に、接地された第１の開口バッフル板７２のみを設ける。図８Ａは、第１の開口バッフル板のみを設けた場合の作用効果を説明するための図である。この場合、プラズマは、第１の開口バッフル板７２で失活するため、排気部４０へのプラズマの侵入が抑制され、自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）３２近傍での放電による発光（アーキング）を抑制することができる。しかし、処理室４で接地電位に偏りが生じ、その上方領域に不安定なグロー放電が発生して、放電が動き回るちらつきが発生し、処理室４内のプラズマが不安定になってしまう。 On the other hand, for example, only the grounded first opening baffle plate 72 is provided at the exhaust port 30 . FIG. 8A is a diagram for explaining the effect when only the first opening baffle plate is provided. In this case, since the plasma is deactivated by the first opening baffle plate 72, the invasion of the plasma into the exhaust section 40 is suppressed, and light emission (arcing) due to discharge near the automatic pressure control valve (APC) 32 is suppressed. can do. However, the ground potential is biased in the processing chamber 4, and an unstable glow discharge occurs in the region above it, flickering that the discharge moves about occurs, and the plasma in the processing chamber 4 becomes unstable.

また、例えば、排気口３０に、フローティング状態の第２の開口バッフル板７３のみを設ける。図８Ｂは、第２の開口バッフル板のみを設けた場合の作用効果を説明するための図である。この場合、第２の開口バッフル板７３は、プラズマ電位であるから、その上方領域に不安定なグロー放電が発生することはない。しかし、フローティング状態の第２の開口バッフル板７３では、プラズマは失活しないので、排気部４０へのプラズマの侵入を有効に防止できず、自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）３２の近傍での放電による発光（アーキング）を十分に抑制することができない。 Further, for example, only the second opening baffle plate 73 in a floating state is provided in the exhaust port 30 . FIG. 8B is a diagram for explaining the effect of providing only the second opening baffle plate. In this case, since the second open baffle plate 73 is at the plasma potential, no unstable glow discharge is generated in the region above it. However, since the plasma is not deactivated in the second open baffle plate 73 in the floating state, it is not possible to effectively prevent the plasma from entering the exhaust section 40 . Light emission (arcing) cannot be sufficiently suppressed.

そこで、実施形態に係るプラズマ処理装置１０では、排気口３０に、上下に三段の開口バッフル板を重ねた排気網部７０を設けている。図８Ｃは、実施形態に係る排気網部を設けた場合の作用効果を説明するための図である。実施形態に係るプラズマ処理装置１０では、下段側の接地された第１の開口バッフル板７２を設けて、その上段側（排気経路の上流側）にフローティング状態の第２の開口バッフル板７３および第３の開口バッフル板７４を重ねて設けている。つまり、フローティング状態の第２の開口バッフル板７３および第３の開口バッフル板７４はプラズマ電位となり、接地された第１のバッフル板との間で電位差を生じる。このため、これらの開口バッフル間の間隔を適切に調整することによりこれらの間に安定的な放電が形成されプラズマが保持される。そして、第２の開口バッフル板７３および第３の開口バッフル板７４を透過したイオンや電子は、プラズマによりトラップされる。これにより、第３の開口バッフル板７４から第１の開口バッフル板７２の間でちらつきのない安定的なグロー放電が形成されるものと推測される。また、排気口３０に引き寄せられたプラズマは、下段側の第１の開口バッフル板７２で失活するため、自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）３２の近傍での放電による発光（アーキング）を抑制することができる。さらに、上段側の第２の開口バッフル板７３および第３の開口バッフル板７４はプラズマ電位であるから処理室４の接地電位の偏りが緩和される。そして、これらによって処理室４内に安定的なプラズマを生成することができる。また、フローティング状態の第２の開口バッフル板７３および第３の開口バッフル板７４を重ねて設けることで、流れ込んできたプラズマが水平方向に拡散する。このため、排気網部７０の面内でのプラズマの局所集中が緩和されるので、不安定なグロー放電が抑制され、処理室４内に安定的なプラズマを生成することができる。 Therefore, in the plasma processing apparatus 10 according to the embodiment, the exhaust port 30 is provided with an exhaust net portion 70 in which three-tiered open baffle plates are stacked one above the other. FIG. 8C is a diagram for explaining a function and effect when the exhaust network portion according to the embodiment is provided; In the plasma processing apparatus 10 according to the embodiment, a grounded first opening baffle plate 72 is provided on the lower side, and a second opening baffle plate 73 in a floating state and a second opening baffle plate 73 are provided on the upper side (upstream side of the exhaust path). 3 opening baffle plates 74 are stacked. In other words, the floating second baffle plate 73 and the third baffle plate 74 are brought to the plasma potential, creating a potential difference with the grounded first baffle plate. Therefore, by appropriately adjusting the spacing between these open baffles, a stable discharge is formed between them and the plasma is maintained. Ions and electrons transmitted through the second baffle plate 73 and the third baffle plate 74 are trapped by the plasma. As a result, it is presumed that a stable glow discharge without flickering is formed between the third open baffle plate 74 and the first open baffle plate 72 . In addition, since the plasma attracted to the exhaust port 30 is deactivated by the first opening baffle plate 72 on the lower side, light emission (arcing) due to discharge in the vicinity of the automatic pressure control valve (APC) 32 can be suppressed. can be done. Furthermore, since the second opening baffle plate 73 and the third opening baffle plate 74 on the upper side are at the plasma potential, the bias of the ground potential in the processing chamber 4 is alleviated. Stable plasma can be generated in the processing chamber 4 by these. In addition, by stacking the second open baffle plate 73 and the third open baffle plate 74 in a floating state, the flowing plasma is diffused in the horizontal direction. As a result, local concentration of plasma within the plane of the exhaust net portion 70 is alleviated, so unstable glow discharge is suppressed, and stable plasma can be generated in the processing chamber 4 .

以上のように、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０は、処理室４と、高周波電源１５と、複数のフィン６１とを有する。処理室４は、基板Ｇが載置される載置台２３が内部に設けられ、基板Ｇに対するプラズマ処理が実施される。高周波電源１５は、載置台２３にバイアス用の高周波電力を印加する。複数のフィン６１は、導電性材料からなり、接地電位に接続され、処理室４の内面に配置されている。これにより、プラズマ処理装置１０は、不安定な放電を抑制できる。 As described above, the plasma processing apparatus 10 according to this embodiment has the processing chamber 4 , the high frequency power supply 15 and the plurality of fins 61 . The processing chamber 4 is internally provided with a mounting table 23 on which the substrate G is mounted, and the substrate G is subjected to plasma processing. The high-frequency power supply 15 applies high-frequency power for bias to the mounting table 23 . A plurality of fins 61 are made of a conductive material, connected to a ground potential, and arranged on the inner surface of the processing chamber 4 . Thereby, the plasma processing apparatus 10 can suppress unstable discharge.

また、プラズマ処理装置１０は、排気口３０と、仕切り部材５０と、をさらに有する。排気口３０は、載置台２３の周囲の、載置台２３の基板Ｇが載置される載置面２３ｃよりも低い位置に設けられ、処理室４内を排気する。仕切り部材５０は、導電性材料からなり、接地電位に接続され、排気口３０を覆うように配置され、処理室４を、基板Ｇに対してプラズマ処理を行う処理領域４１と、排気口３０に繋がる排気領域４２とに仕切る。フィン６１は、排気領域４２内の、排気口３０への排気の流れに対して排気口３０よりも上流側に少なくとも配置されている。これにより、プラズマ処理装置１０は、排気口３０へ流れるプラズマ化したガスをフィン６１で失活させることができるため、不安定な放電を抑制できる。 Moreover, the plasma processing apparatus 10 further has an exhaust port 30 and a partition member 50 . The exhaust port 30 is provided around the mounting table 23 at a position lower than the mounting surface 23 c of the mounting table 23 on which the substrate G is mounted, and exhausts the inside of the processing chamber 4 . The partition member 50 is made of a conductive material, is connected to a ground potential, and is arranged so as to cover the exhaust port 30 . It is partitioned into a connected exhaust area 42 . The fins 61 are arranged at least upstream of the exhaust port 30 with respect to the exhaust flow to the exhaust port 30 within the exhaust region 42 . As a result, the plasma processing apparatus 10 can deactivate the plasmatized gas flowing to the exhaust port 30 with the fins 61, thereby suppressing unstable discharge.

また、仕切り部材５０は、載置台２３の周囲に、隣接する仕切り部材５０との間に間口６０が形成されるように離間して複数配置される。フィン６１は、仕切り部材５０により覆われた部分に少なくとも配置されている。これにより、プラズマ処理装置１０は、フィン６１がプラズマに晒されることを抑制できる。また、プラズマ処理装置１０は、仕切り部材５０により覆われた部分に配置されたフィン６１により排気口３０への排気の流れを形成すると共にプラズマ化したガスを失活させることができる。 A plurality of partition members 50 are arranged around the mounting table 23 so as to be separated from each other so that a frontage 60 is formed between adjacent partition members 50 . The fins 61 are arranged at least in the portion covered by the partition member 50 . Thereby, the plasma processing apparatus 10 can prevent the fins 61 from being exposed to plasma. Further, the plasma processing apparatus 10 can form the flow of the exhaust gas to the exhaust port 30 and deactivate the plasmatized gas by the fins 61 arranged in the portion covered by the partition member 50 .

また、仕切り部材５０は、載置台２３の周囲に、隣接する仕切り部材５０との間に間口６０が形成されるように離間して複数配置される。フィン６１は、排気口３０から間口６０の部分に少なくとも配置されている。これにより、プラズマ処理装置１０は、フィン６１がプラズマに晒されることを抑制できる。また、プラズマ処理装置１０は、排気口３０から間口６０の部分に配置されたフィン６１により排気口３０への排気の流れを形成すると共にプラズマ化したガスを失活させることができる。 A plurality of partition members 50 are arranged around the mounting table 23 so as to be separated from each other so that a frontage 60 is formed between adjacent partition members 50 . The fins 61 are arranged at least in a portion extending from the exhaust port 30 to the frontage 60 . Thereby, the plasma processing apparatus 10 can prevent the fins 61 from being exposed to plasma. Further, the plasma processing apparatus 10 can form the flow of the exhaust gas to the exhaust port 30 and deactivate the plasmatized gas by the fins 61 arranged in the portion between the exhaust port 30 and the frontage 60 .

また、フィン６１は、載置台２３の周囲を囲むように配置されている。これにより、プラズマ処理装置１０は、対向電極の面積を大きくすることができ、電気的安定性を確保できる。 Further, the fins 61 are arranged so as to surround the mounting table 23 . Thereby, the plasma processing apparatus 10 can increase the area of the counter electrode and ensure electrical stability.

また、仕切り部材５０は、排気口３０よりも排気口３０以外に多く配置されている。これにより、プラズマ処理装置１０は、排気口３０への排気の流れをスムーズにすることができる。 In addition, more partition members 50 are arranged outside the exhaust port 30 than the exhaust port 30 . Thereby, the plasma processing apparatus 10 can smoothen the flow of the exhaust gas to the exhaust port 30 .

また、フィン６１と仕切り部材５０は、接続されている。これにより、プラズマ処理装置１０は、仕切り部材５０を介してフィン６１を接地させることができる。 Also, the fins 61 and the partition member 50 are connected. Thereby, the plasma processing apparatus 10 can ground the fins 61 via the partition member 50 .

また、フィン６１と仕切り部材５０の間には、隙間が形成される。これにより、プラズマ処理装置１０は、仕切り部材５０とフィン６１に熱膨張の違いにより歪が発生することを抑制できる。 A gap is formed between the fin 61 and the partition member 50 . Thereby, the plasma processing apparatus 10 can suppress the occurrence of distortion due to the difference in thermal expansion between the partition member 50 and the fins 61 .

また、フィン６１は、長手方向が載置台２３の側面と並行な方向に複数配置されている。これにより、プラズマ処理装置１０は、排気の流れを遮ることなくフィン６１を設置できる。 A plurality of fins 61 are arranged in a direction parallel to the side surface of the mounting table 23 in the longitudinal direction. Thereby, the plasma processing apparatus 10 can install the fins 61 without interrupting the flow of the exhaust gas.

また、フィン６１は、処理室４の底面と接続されている。これにより、プラズマ処理装置１０は、フィン６１を垂直方向に配置でき、多数のフィン６１を少ない配置スペースで配置できるため、少ない配置スペースで対向電極の面積を大きくすることができる。 The fins 61 are also connected to the bottom surface of the processing chamber 4 . Thereby, the plasma processing apparatus 10 can arrange the fins 61 in the vertical direction, and many fins 61 can be arranged in a small arrangement space, so that the area of the counter electrode can be increased in a small arrangement space.

また、フィン６１の端部には、載置台２３の側面と交差する交差方向に封止板８０が設けられる。これにより、プラズマ処理装置１０は、封止板８０により排気の流れを調整できる。 A sealing plate 80 is provided at the end of the fin 61 in a crossing direction crossing the side surface of the mounting table 23 . Thereby, the plasma processing apparatus 10 can adjust the flow of the exhaust gas with the sealing plate 80 .

また、排気口３０には、排気経路の下流から上流に向かって、導電性材料からなり、複数の開口を有する第１の開口バッフル板７２、第２の開口バッフル板７３および第３の開口バッフル板７４が設けられている。第１の開口バッフル板７２は、接地されている。第２の開口バッフル板７３および第３の開口バッフル板７４は、電気的にフローティング状態とされている。これにより、プラズマ処理装置１０は、第３の開口バッフル板７４から第１の開口バッフル板７２の間でちらつきのない安定的なグロー放電を発生させることができ、処理室４内に安定的なプラズマを生成することができる。 Further, in the exhaust port 30, a first opening baffle plate 72, a second opening baffle plate 73, and a third opening baffle made of a conductive material and having a plurality of openings are arranged from downstream to upstream in the exhaust path. A plate 74 is provided. The first opening baffle plate 72 is grounded. The second opening baffle plate 73 and the third opening baffle plate 74 are electrically floating. Thereby, the plasma processing apparatus 10 can generate a stable glow discharge without flickering between the third opening baffle plate 74 and the first opening baffle plate 72 , and a stable glow discharge can be generated in the processing chamber 4 . Plasma can be generated.

以上、実施形態について説明してきたが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は、多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 Although the embodiments have been described above, the embodiments disclosed this time should be considered as examples and not restrictive in all respects. Indeed, the above-described embodiments may be embodied in many different forms. Also, the above-described embodiments may be omitted, substituted, or modified in various ways without departing from the scope and spirit of the claims.

例えば、上記実施形態では、フィン６１を処理室４の底面（底壁４ｂ）に立てた状態で配置する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。フィン６１は、載置台２３の側面および処理室４の側面（側壁４ａ）から垂直に複数並列に設けてもよい。この場合、フィン６１は、載置台２３の側面および処理室４の側面から交互に、互い違いとなるように配置してもよい。各フィン６１の先端側は、平面視した場合に、重なってもよい。また、フィン６１は、少なくとも排気口３０付近では、排気口３０に近い下側ほど、載置台２３の側面および処理室４の側面からの高さを小さくすることが好ましい。図９は、フィンの配置の他の一例を示す図である。４つのフィン６１は、載置台２３の側面および処理室４の側面から交互に、互い違いとなるように配置されている。上側の２つのフィン６１の先端側は、上方から平面視した場合に、重なっている。また、４つのフィン６１は、排気口３０に近い下側ほど、載置台２３の側面および処理室４の側面からの高さが小さくなっている。これにより、各フィン６１の間の排気を排気口３０にスムーズに流すことができる。このように、フィン６１を設けることにより、プラズマが排気口３０に引き寄せられることを抑制することができる。 For example, in the above embodiment, the case where the fins 61 are arranged in an upright state on the bottom surface (bottom wall 4b) of the processing chamber 4 has been described as an example, but the present invention is not limited to this. A plurality of fins 61 may be provided vertically in parallel from the side surface of the mounting table 23 and the side surface (side wall 4a) of the processing chamber 4 . In this case, the fins 61 may be arranged alternately from the side surface of the mounting table 23 and the side surface of the processing chamber 4 . The tip sides of the respective fins 61 may overlap when viewed from above. In addition, at least near the exhaust port 30 , it is preferable that the height of the fin 61 from the side surface of the mounting table 23 and the side surface of the processing chamber 4 becomes smaller toward the lower side closer to the exhaust port 30 . FIG. 9 is a diagram showing another example of the arrangement of fins. The four fins 61 are arranged alternately from the side surface of the mounting table 23 and the side surface of the processing chamber 4 . The tip sides of the upper two fins 61 overlap when viewed from above. Further, the height of the four fins 61 from the side surface of the mounting table 23 and the side surface of the processing chamber 4 decreases toward the lower side closer to the exhaust port 30 . As a result, the exhaust between the fins 61 can smoothly flow to the exhaust port 30 . By providing the fins 61 in this way, it is possible to suppress the plasma from being attracted to the exhaust port 30 .

また、上記実施形態では、フィン６１を載置台２３と並列に配置した場合について示したが、これに限定されるものではない。フィン６１は、載置台２３と並列にならなくてもよい。例えば、フィン６１は、間口６０と排気口３０の位置によっては載置台２３と並列にならなくてもよい。 Also, in the above embodiment, the case where the fins 61 are arranged in parallel with the mounting table 23 has been described, but the present invention is not limited to this. The fins 61 do not have to be parallel to the mounting table 23 . For example, the fins 61 may not be parallel to the mounting table 23 depending on the positions of the frontage 60 and the exhaust port 30 .

また、上記実施形態では、誘導結合型のプラズマ処理装置１０として処理室の上部に誘電体窓（誘電体壁２）を介して高周波アンテナが設けられた場合について示したが、誘電体窓ではなく金属窓を介して高周波アンテナが設けられた場合についても適用できる。この場合、処理ガスの供給は、梁構造等の十字状のシャワー筐体からではなく金属窓にガスシャワーを設けて供給してもよい。 Further, in the above-described embodiment, the inductively coupled plasma processing apparatus 10 is provided with a high-frequency antenna above the processing chamber via a dielectric window (dielectric wall 2). It can also be applied when a high-frequency antenna is provided through a metal window. In this case, the processing gas may be supplied not from a cross-shaped shower housing such as a beam structure but by providing a gas shower on a metal window.

さらにまた、上記実施形態では、間口６０を処理室の四隅に形成した例について示したが、これに限るものではない。 Furthermore, in the above embodiment, an example in which the frontages 60 are formed at the four corners of the processing chamber has been described, but the present invention is not limited to this.

さらにまた、上記実施形態では、排気網部７０を、排気機構の穴部分に適用した例について示したが、ビューポートや基板搬入出口など、プラズマ処理装置１０の処理容器に設けられた開口であれば適用することができる。 Furthermore, in the above-described embodiment, an example in which the exhaust network portion 70 is applied to the hole portion of the exhaust mechanism has been described, but any opening provided in the processing chamber of the plasma processing apparatus 10, such as a view port or a substrate loading/unloading port, may be used. can be applied.

さらにまた、上記実施形態は、プラズマエッチングやプラズマアッシングを行う装置として説明したが、ＣＶＤ成膜等の他のプラズマ処理装置１０に適用することができる。さらに、上記実施形態では、基板としてＦＰＤ用の矩形基板を用いた例を示したが、他の矩形基板を処理する場合にも適用可能であるし、矩形に限らず例えば半導体ウエハ等の円形の基板にも適用可能である。 Furthermore, the above embodiment has been described as an apparatus for performing plasma etching or plasma ashing, but can be applied to other plasma processing apparatuses 10 such as those for CVD film formation. Furthermore, in the above-described embodiment, an example of using a rectangular substrate for FPD as a substrate has been shown, but it is also applicable to the case of processing other rectangular substrates. It can also be applied to substrates.

１ 本体容器
２ 誘電体壁（誘電体部材）
３ アンテナ室
４ 処理室
１３ 高周波アンテナ
１４ 整合器
１５ 高周波電源
１６ 給電部材
１９ 給電線
２０ 処理ガス供給系
２３ 載置台
２３ｃ 載置面
２７ 高周波電源
３０ 排気口
３１ 排気配管
３２ 自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）
３３ 真空ポンプ
４０ 排気部
４１ 処理領域
４２ 排気領域
５０ 仕切り部材
６０ 間口
６１、６１ａ、６１ｂ フィン
７０ 排気網部
７２ 第１の開口バッフル板
７３ 第２の開口バッフル板
７４ 第３の開口バッフル板
１００ 制御部
Ｇ 基板 1 main container 2 dielectric wall (dielectric member)
3 Antenna Chamber 4 Processing Chamber 13 High-Frequency Antenna 14 Matching Box 15 High-Frequency Power Supply 16 Feeding Member 19 Feeding Line 20 Processing Gas Supply System 23 Mounting Table 23c Mounting Surface 27 High-Frequency Power Supply 30 Exhaust Port 31 Exhaust Piping 32 Automatic Pressure Control Valve (APC)
33 vacuum pump 40 exhaust section 41 processing area 42 exhaust area 50 partition member 60 frontage 61, 61a, 61b fins 70 exhaust net section 72 first opening baffle plate 73 second opening baffle plate 74 third opening baffle plate 100 control Part G Substrate

Claims (11)

基板が載置される載置台が内部に設けられ、基板に対するプラズマ処理が実施される処理室と、
前記載置台にバイアス用の高周波電力を印加する高周波電源と、
前記載置台の周囲の、前記載置台の前記基板が載置される載置面よりも低い位置に設けられ、前記処理室内を排気する排気口と、
導電性材料からなり、接地電位に接続され、前記排気口を覆うように配置され、前記処理室を、前記基板に対してプラズマ処理を行う処理領域と、前記排気口に繋がる排気領域とに仕切る仕切り部材と、
導電性材料からなり、接地電位に接続され、前記処理室の内面に配置された複数の板状部材と、
を有し、
前記複数の板状部材は、長手方向を前記載置台の側面と並行な方向として間隔を開けて並列に配置されたことを特徴とするプラズマ処理装置。 a processing chamber in which a mounting table on which the substrate is mounted is provided and in which the substrate is subjected to plasma processing;
a high-frequency power source that applies bias high-frequency power to the mounting table;
an exhaust port provided around the mounting table at a position lower than a mounting surface of the mounting table on which the substrate is mounted, for exhausting the inside of the processing chamber;
It is made of a conductive material, is connected to a ground potential, is arranged so as to cover the exhaust port, and divides the processing chamber into a processing region in which plasma processing is performed on the substrate and an exhaust region connected to the exhaust port. a partition member;
a plurality of plate-shaped members made of a conductive material, connected to a ground potential, and arranged on the inner surface of the processing chamber;
has
The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the plurality of plate-like members are arranged in parallel with a space therebetween with the longitudinal direction parallel to the side surface of the mounting table . 前記板状部材は、前記排気領域内の、前記排気口への排気の流れに対して前記排気口よりも上流側に少なくとも配置された
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。 2. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein said plate member is arranged at least upstream of said exhaust port with respect to a flow of exhaust gas to said exhaust port within said exhaust region. . 前記仕切り部材は、前記載置台の周囲に、隣接する前記仕切り部材との間に間口が形成されるように離間して複数配置され、
前記板状部材は、前記仕切り部材により覆われた部分に少なくとも配置された
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。 A plurality of partition members are arranged around the mounting table so as to form a frontage between adjacent partition members,
3. The plasma processing apparatus according to claim 1 , wherein the plate member is arranged at least in a portion covered by the partition member. 前記仕切り部材は、前記載置台の周囲に、隣接する前記仕切り部材との間に間口が形成されるように離間して複数配置され、
前記板状部材は、前記排気口から前記間口の部分に少なくとも配置された
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。 A plurality of partition members are arranged around the mounting table so as to form a frontage between adjacent partition members,
3. The plasma processing apparatus according to claim 1 , wherein the plate-like member is arranged at least in a portion extending from the exhaust port to the frontage. 前記板状部材は、前記載置台の周囲を囲むように配置された
ことを特徴とする請求項１～４の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。 5. The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the plate member is arranged so as to surround the mounting table. 前記板状部材は、前記排気口よりも前記排気口以外に多く配置された
ことを特徴とする請求項１～５の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。 6. The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein more plate-like members are arranged outside the exhaust port than in the exhaust port. 前記板状部材と前記仕切り部材は、接続されている
ことを特徴とする請求項１～６の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。 The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the plate member and the partition member are connected. 前記板状部材と前記仕切り部材の間には、隙間が形成される
ことを特徴とする請求項１～６の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。 The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein a gap is formed between the plate member and the partition member. 前記板状部材は、前記処理室の底面と接続されている
ことを特徴とする請求項１～８の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。 The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 8 , wherein the plate member is connected to the bottom surface of the processing chamber. 前記板状部材の端部には、前記載置台の側面と交差する交差方向に封止板が設けられる
ことを特徴とする請求項１～９の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。 10. The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 9 , wherein a sealing plate is provided at an end portion of said plate-like member in a crossing direction crossing a side surface of said mounting table. 前記排気口には、排気経路の下流から上流に向かって、導電性材料からなり、複数の開口を有する第１の開口バッフル板、第２の開口バッフル板および第３の開口バッフル板が設けられ、
前記第１の開口バッフル板は、接地され、
前記第２の開口バッフル板および前記第３の開口バッフル板は、電気的にフローティング状態とされた
ことを特徴とする請求項１～１０の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。 The exhaust port is provided with a first opening baffle plate, a second opening baffle plate, and a third opening baffle plate made of a conductive material and having a plurality of openings from downstream to upstream of the exhaust path. ,
the first open baffle plate is grounded;
The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 10 , wherein said second opening baffle plate and said third opening baffle plate are in an electrically floating state.
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