JP7159949B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
10 :半導体基板
10A :素子部
10B :終端部
12 :ドリフト領域
14 :ボディ領域
16 :ボディコンタクト領域
18 :ガードリング領域
22 :層間絶縁膜
22a :第1貫通孔
22b :第2貫通孔
24 :ソース電極
26 :保護膜
26a :保護膜部分
32 :金属プラグ
34 :金属膜
Claims (2)
- 半導体装置であって、
機能構造が設けられている素子部と終端耐圧構造が設けられている終端部に区画されている半導体基板と、
前記素子部と前記終端部の各々の前記半導体基板上に設けられている層間絶縁膜と、
前記終端部の前記層間絶縁膜上に設けられている絶縁性の保護膜と、
前記終端部の前記層間絶縁膜を貫通する複数の貫通孔の各々の貫通孔内の一部に設けられている金属膜と、を備えており、
複数の前記貫通孔は、前記素子部から離れる方向に沿って間隔を置いて配置されており、
前記保護膜の一部が、複数の前記貫通孔の各々の前記貫通孔内に侵入するように設けられている、半導体装置。 - 前記終端耐圧構造が複数のガードリング領域であり、
複数の前記ガードリング領域は、前記素子部から離れる方向に沿って間隔を置いて配置されており、
複数の前記ガードリング領域の各々は、平面視したときに、前記素子部の周囲を一巡するように配置されており、
複数の前記貫通孔の各々は、複数の前記ガードリング領域のうちの対応する前記ガードリング領域上に配置されている、請求項1に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
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| JP2019071312A JP7159949B2 (ja) | 2019-04-03 | 2019-04-03 | 半導体装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2019071312A JP7159949B2 (ja) | 2019-04-03 | 2019-04-03 | 半導体装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020170788A JP2020170788A (ja) | 2020-10-15 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP2014175640A (ja) | 2013-03-13 | 2014-09-22 | Renesas Electronics Corp | 縦型複合パワーmosfet |
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Patent Citations (1)
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| JP2020170788A (ja) | 2020-10-15 |
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