JP7156540B2 - コネクタセット及び電子回路装置 - Google Patents

Description

本発明は、電気信号、電圧、電流等の経路を接続するコネクタ、及びそのコネクタを備える電子回路装置に関する。

特許文献１には、多極の接続端子を有する第１コネクタと、これら接続端子に係合する相手方接続端子を有する第２コネクタとが正確に嵌合するように、第１コネクタの両端に第１補強金具が配設され、第１補強金具に嵌合する第２補強金具が第２コネクタの両端に配設された、コネクタが開示されている。第１補強金具及び第２補強金具は、金属材料からなり、平面視で不連続なＵ字状の開放形状を有する。

特開２０１６－８５９９４号公報

多極の接続端子を有するコネクタセットにおいて、接続端子で伝送される信号の高周波化が進んでいる。多極の接続端子を有するコネクタセットを高周波信号の伝送に用いる場合、高周波信号を伝送する接続端子の近傍に配置された接地端子やコネクタセットが搭載される基板などは、高周波信号を伝送する接続端子から輻射される電磁界によって、使用周波数帯域で共振を起こしやすく、また、放射ノイズが発生しやすい。このことにより、信号の伝送周波数帯域における安定した信号伝送が妨げられる。

特に、コネクタセットの小型化に伴って、嵌合の高さが低くなる（挿抜距離が短くなる）傾向があり、このようなコネクタセットでは、外部端子と、相手側コネクタが搭載される回路基板の電極との間に生じる寄生容量が大きく、この寄生容量に高周波信号の電界が印加されることによって、高周波特性が劣化する場合がある。

そこで、本発明の目的は、寄生容量を低減し、使用周波数帯域での不要な共振を防止して、高周波特性に優れたコネクタセット及びそのコネクタセットを備える電子回路装置を提供することにある。

本開示の一例としてのコネクタセットは、第１回路基板に搭載される第１コネクタと、前記第１コネクタに対して挿抜方向に挿抜可能に嵌合する、グランド導体を有する第２回路基板に搭載された第２コネクタと、を備え、前記第１コネクタは、第１内部端子と、当該第１内部端子を固定する第１絶縁部材と、前記第１内部端子と前記第１絶縁部材とを取り囲む取り囲み形状部を有する第１外部端子とを備え、前記第２コネクタは、第２内部端子と、当該第２内部端子を固定する第２絶縁部材と、前記第２内部端子と前記第２絶縁部材とを取り囲む取り囲み形状部を有する第２外部端子と、を備え、前記第２外部端子は前記第２回路基板の前記グランド導体に接続され、前記第１コネクタと前記第２コネクタとの嵌合状態で、前記第１内部端子と前記第２内部端子とは接触し、前記第１外部端子と前記第２外部端子とは嵌合し、前記挿抜方向に視て、前記第２外部端子の外周は前記第１外部端子の外周を覆い、前記第１外部端子は前記第２回路基板の前記グランド導体と重なり、前記第１外部端子は、当該第１外部端子の前記取り囲み形状部の一部で、前記第２回路基板の前記グランド導体に面する箇所に切り欠き部を有する、ことを特徴とする。

また、本開示の電子回路装置は、第１回路基板と、第２回路基板と、前記第１回路基板に搭載される第１コネクタと、前記第２回路基板に搭載されて前記第１コネクタに対して挿抜方向に挿抜可能に嵌合する第２コネクタと、を備え、前記第２回路基板は前記第２コネクタの搭載位置にグランド導体を有し、第１コネクタ及び第２コネクタは上記コネクタセットが備える第１コネクタ及び第２コネクタに相当する。

本発明によれば、第１コネクタと第２コネクタとを接続した状態で生じる寄生容量が低減され、使用周波数帯域での不要な共振が防止されて、高周波特性に優れたコネクタセット及びそのコネクタセットを備える電子回路装置が得られる。

図１は第１の実施形態に係るコネクタセット１０１の斜視図である。 図２はコネクタセット１０１の第１コネクタ１０及び第２コネクタ２０の平面図である。 図３は第１コネクタ１０の構成部品を示す分解斜視図である。 図４は第２コネクタ２０の構成部品を示す分解斜視図である。 図５は、コネクタセット１０１を介して第１回路基板３０と第２回路基板４０とが接続された状態での電子回路装置の断面図である。 図６は、第２回路基板４０に搭載された第２コネクタ２０の平面図である。 図７は第２の実施形態に係る第１コネクタ１０の部分斜視図である。 図８は第３の実施形態に係る第２コネクタ２０の平面図である。 図９は第３の実施形態に係る第２コネクタ２０の第２内部端子２４，２５，２６及びグランド端子２７，２８を示す斜視図である。 図１０は第４の実施形態に係るコネクタセット１０４の斜視図である。 図１１はコネクタセット１０４の第１コネクタ１０の構成部品を示す分解斜視図である。 図１２はコネクタセット１０４の第２コネクタ２０の構成部品を示す分解斜視図である。 図１３は、コネクタセット１０４の第１コネクタ１０及び第２コネクタ２０の嵌合状態での断面位置を示す斜視図である。 図１４は、図１３におけるＸ－Ｘラインでの部分断面図である。 図１５はコネクタセット１０４の第１コネクタの第１外部端子１３の斜視図である。 図１６は第５の実施形態に係る電子回路装置２０５が備えるコネクタセットを外した状態での平面図である。 図１７は第５の実施形態に係る電子回路装置２０５が備える第１回路基板３０の部分断面図である。 図１８は第５の実施形態に係る電子回路装置２０５の断面図である。

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係るコネクタセット１０１の斜視図である。図２は第１コネクタ１０及び第２コネクタ２０の平面図である。このコネクタセット１０１は第１コネクタ１０と第２コネクタ２０とで構成される。後に示すように、第１コネクタ１０は第１回路基板に搭載され、第２コネクタ２０は第２回路基板に搭載されて用いられる。図１において、第１コネクタ１０は、その上下面が裏返された状態で、第２コネクタ２０に挿抜される。

第１コネクタ１０は、第１内部端子１４，１５，１６と、これら第１内部端子１４，１５，１６を固定する第１絶縁部材１１と、第１内部端子１４，１５と第１絶縁部材１１とを取り囲む取り囲み形状部を有する第１外部端子１２，１３と、を備える。第１外部端子１２，１３の上記取り囲み形状部は平面視でそれぞれＯ字型である。

第２コネクタ２０は、第２内部端子２４，２５，２６と、これら第２内部端子２４，２５，２６を固定する第２絶縁部材２１と、第２内部端子２４，２５，２６と第２絶縁部材２１とを取り囲む取り囲み形状部を有する第２外部端子２２とを備える。第２外部端子２２の上記取り囲み形状部は、平面視で、２つのＣ字型部が向かい合った形状である。本明細書における「取り囲み形状部」は、全周を取り囲む形状部に限らず、部分的に取り囲む形状部をも含む。

図３は第１コネクタ１０の構成部品を示す分解斜視図である。また、図４は第２コネクタ２０の構成部品を示す分解斜視図である。

第１コネクタ１０の第１内部端子１４は接触部１４Ｃと実装部１４Ｔとで構成される。同様に、第１内部端子１５は接触部１５Ｃと実装部１５Ｔとで構成される。また、６つの第１内部端子１６はそれぞれ接触部１６Ｃと実装部１６Ｔとで構成される。

上記第１内部端子１４，１５，１６は板金加工によって形成され、第１絶縁部材１１に嵌め込まれる。つまり、第１内部端子１４，１５，１６は第１絶縁部材１１に保持される。例えば、第１内部端子１４，１５，１６は、第１絶縁部材１１にインサート成形を用いて形成されていてもよい。

第１外部端子１２，１３はそれぞれ板金加工によって形成された部品であり、第１絶縁部材１１に嵌め込まれる。例えば、第１外部端子１２，１３は、第１絶縁部材１１に、インサート成形を用いて形成されていてもよい。図３に示す向きで、第１外部端子１２には、その上面から下方へ凹む切り欠き部１２Ｎが形成されている。同様に、第１外部端子１３には、その上面から下方へ凹む切り欠き部１３Ｎが形成されている。

第２コネクタ２０の第２内部端子２４は接触部２４Ｃと実装部２４Ｔとで構成される。同様に、第２内部端子２５は接触部２５Ｃと実装部２５Ｔとで構成される。また、６つの第２内部端子２６はそれぞれ接触部２６Ｃと実装部２６Ｔとで構成される。４つのグランド端子２７は接触部２７Ｃと実装部２７Ｔとで構成される。さらに、２つのグランド端子２８は接触部２８Ｃと実装部２８Ｔとで構成される。

上記第２内部端子２４，２５，２６及びグランド端子２７，２８は板金加工によって形成され、第２絶縁部材２１に嵌め込まれる。つまり、第２内部端子２４，２５，２６及びグランド端子２７，２８は第２絶縁部材２１に保持される。例えば、第２内部端子２４，２５，２６及びグランド端子２７，２８は、第２絶縁部材２１に、インサート成形を用いて形成されていてもよい。

第２外部端子２２は板金加工によって形成された部品であり、第２絶縁部材２１に嵌め込まれる。例えば、第２外部端子２２は、第２絶縁部材２１に、インサート成形を用いて形成されていてもよい。

第１コネクタ１０の第１内部端子１４，１５及び第２コネクタ２０の第２内部端子２４，２５は例えばミリ波帯の信号を伝送する信号経路に接続する端子である。また、第１コネクタ１０の第１内部端子１６及び第２コネクタ２０の第２内部端子２６は、ミリ波帯より低周波帯の信号を伝送する信号経路又は直流電源に接続する端子である。

第１コネクタ１０の第１内部端子１４，１５及び第２コネクタ２０の第２内部端子２４，２５は例えばミリ波帯の信号経路を接続する端子である。また、第１コネクタ１０の第１内部端子１６及び第２コネクタ２０の第２内部端子２６は、ミリ波帯より低周波帯の高周波信号又は直流電源に接続する端子である。

図５は、コネクタセット１０１を介して第１回路基板３０と第２回路基板４０とが接続された状態での電子回路装置２０１の断面図である。また、図６は、第２回路基板４０に搭載された第２コネクタ２０の平面図である。図６に表れているように、第２回路基板４０の、第２コネクタ２０の搭載部には面状に拡がるグランド導体４０Ｇが形成されている。また、第２回路基板４０には第２内部端子２６が接続される信号線４０Ｌが形成されている。図６においては、グランド導体４０Ｇ及び信号線４０Ｌにハッチングを施している。第１コネクタ１０と第２コネクタ２０との嵌合状態では、平面視で（挿抜方向から見て）第１コネクタ１０の第１外部端子１２，１３とグランド導体４０Ｇとが重なる。第２コネクタ２０の第２内部端子２４及び第２コネクタ２０の第２内部端子２５は、グランド導体４０Ｇから分離された実装電極に接続される。この実装電極は層間接続導体を介してグランド導体４０Ｇ下の信号線路に導通する。

電子回路装置２０１は、第１回路基板３０と、第２回路基板４０と、第１回路基板３０に実装された第１コネクタ１０と、第２回路基板４０に実装されて第１コネクタ１０に対して挿抜方向に挿抜可能に嵌合する第２コネクタ２０と、を備える。第１回路基板３０の、第１コネクタ１０の搭載面には、所定範囲に拡がるグランド導体３０Ｇが形成されている。また、第２回路基板４０の、第２コネクタ２０の搭載面には所定範囲に拡がるグランド導体４０Ｇが形成されている。

図１、図２、図３に示した向きにおいて、第１コネクタ１０の第１外部端子１２，１３の下面は第１回路基板３０のグランド導体３０Ｇに接続される。また、図１、図２、図４に示した向きにおいて、第２コネクタ２０の第２外部端子２２の下面は第２回路基板４０のグランド導体４０Ｇに接続される。また、グランド端子２７，２８の実装部２７Ｔ，２８Ｔもグランド導体４０Ｇに接続される。

第１コネクタ１０に第２コネクタ２０が嵌合する状態で、第２コネクタ２０の第２内部端子２４の接触部２４Ｃは第１コネクタ１０の第１内部端子１４の接触部１４Ｃに嵌合する。同様に、第２コネクタ２０の第２内部端子２５の接触部２５Ｃは第１コネクタ１０の第１内部端子１５の接触部１５Ｃに嵌合する。また、第１コネクタ１０の６つの第１内部端子１６の接触部１６Ｃは第２コネクタ２０の６つの第２内部端子２６の接触部２６Ｃにそれぞれ嵌合する。

第２コネクタ２０のグランド端子２８の２つの接触部２８Ｃは第１コネクタ１０の第１外部端子１２，１３の外側面の係合部（陥凹部）にそれぞれ係合する。図４に示した４つのグランド端子２７の接触部２７Ｃも、第１コネクタ１０の第１外部端子１２，１３の外側面の係合部（陥凹部）にそれぞれ係合する。

図５に示す向きで、第１コネクタ１０の第１外部端子１２，１３の上面は第２回路基板４０のグランド導体４０Ｇに対向する。第２コネクタ２０の薄型化に伴い、第１コネクタ１０の第１外部端子１２，１３の上面と第２回路基板４０のグランド導体４０Ｇとの対向距離ｄは小さくなる。例えば、第１コネクタ１０と第２コネクタ２０との嵌合深さは０．６ｍｍ程度であり、上記対向距離ｄは０．１ｍｍ程度である。

第１外部端子１２、１３は、グランド導体４０Ｇと直接接続していない。第１外部端子１２、１３、とグランド導体４０Ｇとの間には、第２絶縁部材２１が設けられている。すなわち、第１外部端子１２、１３は、第２絶縁部材２１を介してグランド導体４０Ｇと対向している。

なお、上述の例に限定されず、第１外部端子１２、１３は、グランド導体４０Gと直接対向していてもよい。ただし、切り欠き部１２N、１３Nは、第２絶縁部材２１を介してグランド４０Gと対向している部分に形成されるのが好ましい。

また、切り欠き部１２Ｎ，１３Ｎは、第２コネクタ２０が実装されている第２回路基板４０の搭載面側が切り欠けられている。切り欠き部１２N,１３Nは、コネクタの厚み方向に垂直な平面方向においても凹むように形成されている。このように、切り欠き部１２N、１３Nは、厚み方向に垂直な平面方向においてもグランド導体と重なる面積を減らすように形成されている。

本実施形態においては、図３に示したように、第１外部端子１２，１３に切り欠き部１２Ｎ，１３Ｎが形成されているので、この切り欠き部１２Ｎ，１３Ｎが形成されていない構造に比べて、上記第１コネクタ１０の第１外部端子１２，１３の上面と第２回路基板４０のグランド導体４０Ｇとの対向面積は低減されている。そのため、この対向部分に生じる寄生容量が抑制される。その結果、この寄生容量を含む寄生共振回路の共振（第１寄生共振）の周波数が上昇し、使用周波数帯域での不要な共振が防止される。

上記切り欠き部１２Ｎ，１３Ｎは、その幅方向及び深さ方向に第２寄生共振の共振空間を構成する。幅方向の両端は短絡（固定）端であるので、この幅は、第１外部端子１２，１３、第１内部端子１４，１５及び第１絶縁部材１１による伝送路を伝搬する信号の波長の１／２以下である。また、深さ方向は、一方が開放端、他方が短絡（固定）端であるので、この深さは、第１外部端子１２，１３、第１内部端子１４，１５及び第１絶縁部材１１による伝送路を伝搬する信号の波長の１／４以下である。そのため、この切り欠き部１２Ｎ，１３Ｎで形成される空間の幅方向又は深さ方向で生じる寄生共振（第２寄生共振）の周波数は上記伝搬信号の周波数帯より高い。したがって、この第２寄生共振による悪影響は受けない。

また、本実施形態においては、第１コネクタ１０は、第１外部端子１２，１３の外周に抜け止め部１２Ｒ，１３Ｒ（図１参照）を有し、第２コネクタ２０は、第２外部端子２２の内周に、上記抜け止め部１２Ｒ，１３Ｒに係合する係合突起２２Ｐを有する。そして、この係合突起２２Ｐは、ばね性を有する。また、第２コネクタ２０は、グランド端子の接触部２７Ｃ，２８Ｃ（図２参照）を有し、第１コネクタ１０は、第１外部端子１２，１３の外周に、上記グランド端子の接触部２７Ｃ，２８Ｃが接する接触部１２Ｓ，１３Ｓ（図１参照）を有する。

上記抜け止め部１２Ｒ，１３Ｒと係合突起２２Ｐとの係合により機械的な嵌合が成され、第１コネクタ１０と第２コネクタ２０との嵌合後は両者が抜け難い状態に保たれる。また、グランド端子の接触部２７Ｃ，２８Ｃと第１外部端子１２，１３の接触部１２Ｓ，１３Ｓとの接触により、グランド端子の接触部２７Ｃ，２８Ｃと第１外部端子の接触部１２Ｓ，１３Ｓとが電気的に接続される。

このような機械的嵌合と電気的接触とを個別に実現する構造により、次のような効果を奏する。

（１）グランド端子２７，２８を、塑性変形し難い形状、板厚に設定でき、確実な電気的接続が可能となる。

（２）第２外部端子２２の係合突起２２Ｐを、嵌合（ロック）に必要な、ばね定数（締め付け力）が得られる形状、板厚にできる。

（３）第２外部端子２２の係合突起２２Ｐと第１外部端子１２，１３の抜け止め部１２Ｒ，１３Ｒとのそれぞれの形状で、両者が係合する位置へ誘い込む、誘い込み機能を持たせることができる。

（４）グランド端子２７，２８の実装部２７Ｔ，２８Ｔの近傍（はんだ付け部から近距離位置）に接触部２７Ｃ，２８Ｃを形成できる。このことにより、第２回路基板４０のグランド導体４０Ｇと第１外部端子１２，１３との距離が短くなって、上記寄生共振回路のインダクタンス成分が小さくなる。このことにより、共振周波数を、より高周波側へシフトさせることができる。

さらに、本実施形態では、図２に表れているように、第２外部端子２２は、第２コネクタ２０に第１コネクタ１０が嵌合した状態で、第１外部端子１２，１３の周回方向に沿った周回内に不連続部２２Ｄを有する。本実施形態では、２つの第１外部端子１２，１３の間に位置する箇所に第２外部端子２２の不連続部２２Ｄを有し、第２外部端子２２が平面視でＣ字状となっている。そのため、複数のグランド端子の接触部２７Ｃ，２８Ｃの、隣接する接触部間の距離のうち、不連続部２２Ｄにおける接触部２７Ｃ－２７Ｃ間の距離が大きい。これは、第２コネクタ２０の第２外部端子２２と第１コネクタ１０の第１絶縁部材１１との干渉を防止するためである。

このように、グランド端子の隣接間距離が大きな箇所では、第２回路基板４０のグランド導体４０Ｇの電位がグランド電位から変位する。言い換えると、このグランド端子の隣接間距離の大きな、グランド導体４０Ｇの箇所のインダクタンス成分が大きくなる。そのため、このインダクタンス成分の大きなグランド導体の箇所と、第１コネクタ１０の第１外部端子１２，１３との間の寄生容量と、上記大きなインダクタンス成分とで寄生共振回路の共振周波数が低下し、共振周波数が使用周波数帯に入るおそれがある。

これに対し、本実施形態では、第１外部端子１２，１３は、第１絶縁部材１１の２箇所をそれぞれ取り囲むように構成され、第１絶縁部材１１の２箇所をそれぞれ取り囲む２つの第１外部端子１２，１３の切り欠き部１２Ｎ，１３Ｎは２つの第１外部端子１２，１３同士の向かい合う箇所に形成されている。つまり、グランド端子の隣接間距離の大きな箇所（図２中のＤで示す箇所）へ対向する第１外部端子１２，１３の位置に、切り欠き部１２Ｎ，１３Ｎが形成されている。このことにより、インダクタンス成分の大きくなる箇所、すなわち、グランド間距離が長く、電圧降下が生じやすい箇所でキャパシタンス成分を小さくすることにより、寄生共振回路の共振周波数を効果的に上昇させることができる。

以上に示した例では、図４に示した第２外部端子２２とグランド端子２７，２８とが接触しない例を示したが、第２外部端子２２とグランド端子２７，２８とが接触するように構成してもよい。第２外部端子２２とグランド端子２７，２８とが接触する場合には、第２回路基板４０のグランド導体４０Ｇに多数のグランド電位の導体（グランド端子２７，２８及び第２外部端子２２）が接続される。このことにより、第２回路基板４０のグランド導体４０Ｇと第１コネクタ１０の第１外部端子１２，１３との間の寄生容量と共に寄生共振回路を構成するインダクタンスの成分を小さくでき、その共振周波数をより高めることができる。

なお、第２外部端子２２とグランド端子２７，２８とが電気的に接触せず独立している場合には、第２外部端子２２の係合突起２２Ｐのばね性の設計自由度が高い、という効果がある。

第１の実施形態においては、図５で、第１コネクタ１０の第１外部端子１２，１３の上面と第２回路基板４０のグランド導体４０Ｇとの対向部に寄生容量が生じることを示したが、同様に、第２コネクタ２０の第２外部端子２２の上面と第１回路基板３０のグランド導体３０Ｇとの対向部にも寄生容量が生じる。したがって、第２コネクタ２０の第２外部端子２２に切り欠き部を形成することで、この第２コネクタ２０の第２外部端子２２の上面と第１回路基板３０のグランド導体３０Ｇとの対向部に生じる寄生容量を小さくしてもよい。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１外部端子１２，１３それぞれに複数の切り欠き部を備えるコネクタセットについて示す。

図７は第２の実施形態に係る第１コネクタ１０の部分斜視図である。第１外部端子は４つの第１外部端子１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄで構成されている。これら第１外部端子１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄは第１絶縁部材１１に被せられている。そして、第１外部端子１３Ａと第１外部端子１３Ｂとの間に切り欠き部１３Ｎ１が形成されていて、第１外部端子１３Ｂと第１外部端子１３Ｃとの間に切り欠き部１３Ｎ２が形成されていて、第１外部端子１３Ｃと第１外部端子１３Ｄとの間に切り欠き部１３Ｎ３が形成されていて、第１外部端子１３Ｄと第１外部端子１３Ａとの間に切り欠き部１３Ｎ４が形成されている。

本実施形態では、各切り欠き部１３Ｎ１，１３Ｎ２，１３Ｎ３，１３Ｎ４は深さ方向の全体に亘って形成されている。つまり、４つの第１外部端子１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄはそれぞれ独立している。切り欠き部１３Ｎ１，１３Ｎ２，１３Ｎ３，１３Ｎ４の幅は、第１外部端子１３、第１内部端子１５及び第１絶縁部材１１による伝送路を伝搬する信号の波長の１／２以下である。切り欠き部１３Ｎ１，１３Ｎ２，１３Ｎ３，１３Ｎ４の深さは、第１外部端子１３、第１内部端子１５及び第１絶縁部材１１による伝送路を伝搬する信号の波長の１／４以下である。そのため、この切り欠き部１３Ｎ１，１３Ｎ２，１３Ｎ３，１３Ｎ４で形成される空間の幅方向又は深さ方向で生じる第２寄生共振の周波数は上記伝搬信号の周波数帯より高くすることができる。したがって、本実施形態の第１コネクタ１０は、この第２寄生共振による影響を抑制できる。また、切り欠き部１３Ｎ２，１３Ｎ３，１３Ｎ４の幅及び深さが、第１外部端子１３、第１内部端子１５及び第１絶縁部材１１による伝送路を伝搬する信号の波長の１／２以下であることで、本実施形態の第１コネクタ１０は、外部への不要輻射を抑制できる。

また、本実施形態では、各第１外部端子１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄの取り囲みの周に沿った切り欠き部のうち、取り囲みの周に沿って隣接する切り欠き部間の距離は、信号波長の１／２以下である。つまり、図７において両端矢じりの曲線で示す距離は信号波長の１／２以下である。このことにより、第１外部端子１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄそれぞれの、取り囲みの周に生じる共振である、第３寄生共振の共振周波数を、信号周波数帯より高くできる。したがって、本実施形態の第１コネクタ１０は、この寄生共振（第３寄生共振）による影響を抑制できる。

図７においては、第１コネクタ１０の一方端の構成について示したが、他方端についても同様に構成でき、同様の作用効果を奏する。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、グランド端子２７の接触部２７Ｃの形成箇所が第１の実施形態で示したものと異なるコネクタセットについて示す。

図８は第３の実施形態に係る第２コネクタ２０の平面図である。図９は第３の実施形態に係る第２コネクタ２０の第２内部端子２４，２５，２６及びグランド端子２７，２８を示す斜視図である。グランド端子２７の接触部２７Ｃは、平面視で、第２外部端子２２の一方のＣ字型部の内側に２つ、他方のＣ字型部の内側に２つ設けられる。グランド端子２７の接触部２７Ｃは、平面視で、第２外部端子２２のＣ字型部の端部付近には配置されず、第２コネクタ２０の短手方向において対向するように配置される。グランド端子２７の接触部２７Ｃは、破線Ｌで示すように、グランド端子２８の接触部２８Ｃと共に、平面視で第２内部端子２４又は第２内部端子２５を囲むように配置される。言い換えると、第２内部端子２４，２５は、平面視で、２つの接触部２７Ｃ及び１つの接触部２８Ｃを結ぶ３つの線分で取り囲まれる。

第３の実施形態に係る第１コネクタ１０は、第１外部端子１２，１３の接触部１２Ｓ，１３Ｓの形成箇所を除いて、第１の実施形態に係る第１コネクタ１０と同様に構成される（図１参照）。第１外部端子１２，１３の接触部１２Ｓ，１３Ｓは、第１コネクタ１０と第２コネクタ２０とが嵌合する状態でグランド端子２７の接触部２７Ｃ及びグランド端子２８の接触部２８Ｃに接するように形成される。

グランド端子２８は、第１コネクタ１０と第２コネクタ２０とが嵌合する状態で、実装面Ｓ１（一部が実装されている面）を第１外部端子１２，１３の外周に向けたまま、実装部２８Ｔから接触部２８Ｃまで延伸し、第１外部端子１２，１３に接する。これによって、実装面Ｓ１と対向する面（実装対向面Ｓ２）で第１外部端子１２，１３に接続される形状のグランド端子や、複数回、第１外部端子１２，１３に向ける面を実装面Ｓ１から実装対向面Ｓ２に変えながら実装面Ｓ１で第１外部端子１２，１３に接続される形状のグランド端子よりも、実装部２８Ｔから接触部２８Ｃまでの距離を短くできる。これにより第１外部端子１２，１３がグランドに接続されるまでの距離を短くすることができる。

上記寄生共振回路の共振（第１寄生共振）の周波数をより高周波側にシフトさせようとすると、切り欠き部１２Ｎ，１３Ｎの寸法をより大きくする必要がある。その結果、第１外部端子１２，１３における切り欠き部１２Ｎ，１３Ｎが形成された側面に、接触部１２Ｓ，１３Ｓを配置できなくなる。これに対応して、平面視で第２外部端子２２のＣ字型部の端部付近にグランド端子２７の接触部２７Ｃを配置できなくなる（図２，４参照）。

本実施形態では、グランド端子２７の接触部２７Ｃは、第２外部端子２２のＣ字型部の端部付近に配置されず、第２コネクタ２０の短手方向において対向するように配置される。このことにより、グランド端子２７の接触部２７Ｃ、及びそれらに対応する第１外部端子１２，１３の接触部１２Ｓ，１３Ｓが設けられた構造において、第１寄生共振の周波数をより高周波側にシフトさせることができる。

また、本実施形態では、グランド端子２７の接触部２７Ｃは、グランド端子２８の接触部２８Ｃと共に、第２内部端子２４又は第２内部端子２５を囲むように配置される。このことにより、本実施形態においても、第２内部端子２４，２５がグランド端子２７の接触部２７Ｃ及びグランド端子２８の接触部２８Ｃでシールドされるので、外部への不要輻射を抑制できる。

さらに、本実施形態では、グランド端子２７の接触部２７Ｃは、第２コネクタ２０の短手方向において対向するように配置され、第２コネクタ２０の短手方向に弾性変形する。このことにより、グランド端子２７の接触部２７Ｃが第２コネクタ２０の長手方向に弾性変形するためのスペースを確保する必要がなくなるので、第２コネクタ２０の長手方向の寸法を小さくできる。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、第１コネクタの第１外部端子に対する第２コネクタの第２外部端子の接続構造が、これまでに示した例とは異なるコネクタセットについて示す。

図１０は第４の実施形態に係るコネクタセット１０４の斜視図である。図１１はコネクタセット１０４の第１コネクタ１０の構成部品を示す分解斜視図であり、図１２はコネクタセット１０４の第２コネクタ２０の構成部品を示す分解斜視図である。

これまでに示したコネクタセットと同様に、コネクタセット１０４は第１コネクタ１０と第２コネクタ２０とで構成される。後に示すように、第１コネクタ１０は第１回路基板に搭載され、第２コネクタ２０は第２回路基板に搭載されて用いられる。図１０において、第１コネクタ１０は、その上下面が裏返された状態で、第２コネクタ２０に挿抜される。

図１１に表れているように、第１コネクタ１０は、第１外部端子１２，１３、第１内部端子１４，１５，１６及び第１絶縁部材１１で構成されている。この点においては、第１の実施形態で示したコネクタセット１０１と基本的な構成とは同じである。ただし、第１内部端子１４および第１内部端子１５は実装部の位置が上下異なる位置にある。また、第２内部端子２４および第２内部端子２５は実装部の位置が上下異なる位置にある。これにより、コネクタの内部端子につながる線路の引き回しを一方のみならず他方からも行うことができ、基板側配線のレイアウトの自由度が高い。

また、第１コネクタ１０と第２コネクタ２０とが嵌合した状態で、第１内部端子１４と第２内部端子２４とは接触し、第１内部端子１４及び第２内部端子２４は、第１外部端子１２内で切り欠き部１２Ｎよりも接触部１２Ｓ（接触部１３Ｓの反対側にある、接触部１３Ｓと同様の接触部）に近い位置に位置する。同様に、嵌合した状態で、第１内部端子１５と第２内部端子２５とは接触し、第１内部端子１５及び第２内部端子２５は、第１外部端子１３内で切り欠き部１３Ｎよりも接触部１３Ｓに近い位置に位置する。このようなコネクタセット１０４においては、第１外部端子１２、第１外部端子１３内で、接触部１２Ｓ及び接触部１３Ｓの形成される側面に、内部端子１４，２４及び内部端子１５，２５が近接するので、その側面におけるノイズ遮蔽が重要となる。

第１外部端子１２，１３はそれぞれ板金加工によって形成された部品であり、第１絶縁部材１１に嵌め込まれる。図１１に示す向きで、第１外部端子１２には、その上面から下方へ凹む切り欠き部１２Ｎが形成されている。同様に、第１外部端子１３には、その上面から下方へ凹む切り欠き部１３Ｎが形成されている。また、第１外部端子の側面には接触部１２Ｓ、１３Ｓが形成されている。図１１では接触部１３Ｓが表れている。また、第１外部端子１２，１３の底面（第１回路基板への搭載面）には第１外部端子実装部１２Ｔ，１３Ｔが形成されている。

図１２に表れているように、第２コネクタ２０は第２外部端子２２、第２内部端子２４，２５，２６、グランド端子２７，２８及び第２絶縁部材２１で構成される。２つのグランド端子２８は複数の接触部２８Ｃと実装部２８Ｔとで構成される。

上記第２内部端子２４，２５，２６及びグランド端子２７，２８は板金加工によって形成され、第２絶縁部材２１に嵌め込まれる。つまり、これらは第２絶縁部材２１に保持される。

第２外部端子２２は板金加工によって形成された部品であり、第２絶縁部材２１に嵌め込まれる。

図１３は、コネクタセット１０４の、第１コネクタ１０及び第２コネクタ２０の嵌合状態での、第１コネクタ１０側から視た斜視図である。但し、図示の都合上、第１回路基板及び第２回路基板は除いている。図１４は、図１３におけるＸ－Ｘラインでの部分断面図である。ただし、第１絶縁部材１１を除いて図示している。

第１コネクタ１０と第２コネクタ２０との嵌合状態で、図１４に表れているように、第２コネクタ２０のグランド端子２８の接触部２８Ｃは第１コネクタ１０の第１外部端子１３の側面及び下面（図１０、図１１に示す方向では上面）に弾性接触する。また、第２外部端子２２の接触部２２Ｃは第１コネクタ１０の第１外部端子１３の接触部１３Ｓに弾性接触する。つまり、図１４中に矢印線で示すように、［第２回路基板４０のグランド導体４０Ｇ］－［第２コネクタ２０のグランド端子２８の実装部２８Ｔ］－［接触部２８Ｃ］－［第１外部端子１３］－［第１外部端子実装部１３Ｔ］－［第１回路基板３０のグランド導体３０Ｇ］、の経路がグランド電流の第１の経路として構成される。また、［第２回路基板４０のグランド導体４０Ｇ］－［第２コネクタ２０の第２外部端子２２］－［第２外部端子２２の接触部２２Ｃ］－［第１外部端子１３］－［第１外部端子実装部１３Ｔ］－［第１回路基板３０のグランド導体３０Ｇ］、の経路がグランド電流の第２の経路として構成される。

また、第２外部端子２２の接触部２２Ｃが第１外部端子１３の接触部１３Ｓに接触することで、第２外部端子２２の接触部２２Ｃの電位がグランド電位から浮くことがなく（グランド電位に、より等しくなり）、この第２外部端子２２の接触部２２Ｃと第１回路基板３０のグランド導体３０Ｇとの間に生じる寄生容量Ｃｓが抑制される。本実施形態では第１外部端子１３と第２外部端子２２との接触を、接触させる部分を突出させることで実現している。これにより、不必要な部分を太くすることなく、外部端子の加工性が損なわれることを抑制できる。

図１５は第１コネクタ１０の第１外部端子１３の斜視図である。本実施形態では、第１外部端子１３の接触部１３Ｓは、コネクタの挿抜方向に視て、第１内部端子１５を挟んで切り欠き部１３Ｎに対向する位置にある。図１５中の矢印は切り欠き部１３Ｎと接触部１３Ｓとの間の電流経路を示す。このように、第１外部端子１３の接触部１３Ｓと切り欠き部１３Ｎとは、第１内部端子１５を挟んで対向する位置にあるので、第１外部端子１３の外周に沿って流れる概略２つの電流経路の経路長をほぼ等しくすることができる。図１５では、第１外部端子１３について図示したが、もう一つの第１外部端子１２についても同様である。このように、第１コネクタ１０の第１外部端子１２、１３は、第１外部端子１２、１３の外周に沿って流れる概略２つの電流経路の経路長をほぼ等しくすることができる。このことにより、第１コネクタ１０の第１外部端子１２、１３は、２つの電流経路の経路長を最短化でき、不要共振が生じるとしても、その周波数を高く設定できる。また、第１コネクタ１０の第１外部端子１２、１３は、２つの電流経路の経路長をほぼ等しくできるので、多くの不要共振が生じることがなく、不要共振による影響を受け難くできる。

本実施形態によれば次のような効果を奏する。

（１）図１４に示した第２外部端子２２の接触部２２Ｃが第１外部端子１３に接触することにより、大別して二つのグランド電流経路が構成されるので、第１回路基板３０のグランド導体と第２回路基板４０のグランド導体とを接続するグランド電流経路が多重化されて、このコネクタセット１０４と外部との間での不要結合及び不要輻射が抑制される。そのため、例えばノイズの輻射が小さくなる。

（２）第１外部端子１２，１３の切り欠き部１２Ｎ，１３Ｎの無い部分でも、第２外部端子２２の接触部２２Ｃと第１回路基板３０のグランド導体３０Ｇとの間に生じる寄生容量を抑えることができるので、この寄生容量を含む寄生共振回路の共振の周波数が上昇し、使用周波数帯域での不要な共振が防止される。

（３）図１５等に示したように、切り欠き部１３Ｎと接触部１３Ｓとの位置関係を定めることにより、不要共振の周波数を高く設定でき、生じる不要共振の数を少なくでき、不要共振による影響を受け難くできる。

《第５の実施形態》
第５の実施形態では回路基板に搭載された状態のコネクタセットの嵌合状態で、アイソレーションを高めた電子回路装置について例示する。

図１６は第５の実施形態に係る電子回路装置２０５が備えるコネクタセットを外した状態での平面図である。また、図１７は第５の実施形態に係る電子回路装置２０５が備える第１回路基板３０の部分断面図である。電子回路装置２０５が備えるコネクタセットは第１の実施形態で示したコネクタセット１０１と同じである。つまり、第１コネクタ１０及び第２コネクタ２０の構成は第１の実施形態で示したとおりである。

図１６において、第１コネクタ１０が搭載される第１回路基板３０には、破線で示す複数の層間接続導体３０Ｖが形成されている。また、第２コネクタ２０が搭載される第２回路基板４０には、破線で示す複数の層間接続導体４０Ｖが形成されている。

図１７に示すように、第１回路基板３０は、第１コネクタ１０の搭載面である第１面ＭＳ１に形成された第１グランド導体３０Ｇ１と、第１面に対向する第２面ＭＳ２に形成された第２グランド導体３０Ｇ２と、第１グランド導体３０Ｇ１と第２グランド導体３０Ｇ２とを層間接続する複数の層間接続導体３０Ｖと、を備える。これら層間接続導体３０Ｖの配列間隔は、シールドすべき周波数の波長の１／２より狭い。この構造により、配列された層間接続導体３０Ｖは電気壁として作用し、コネクタから漏れて第１回路基板３０内を伝搬しようとする電磁界が遮蔽される。

図１８は、コネクタセット１０１の第１内部端子１４，１５及び第２内部端子２４，２５を通る面での電子回路装置２０５の断面図である。第１回路基板３０には、グランド導体３０Ｇ１－３０Ｇ２間を接続する層間接続導体３０Ｖが形成されているが、層間接続導体３０Ｖは、挿抜方向に視て、第１コネクタ１０の切り欠き部１２Ｎ，１３Ｎに対向する位置に配列されている。ここで、「対向」とは、コネクタの挿抜方向に視て、層間接続導体３０Ｖが切り欠き部１２Ｎ，１３Ｎに完全に重なる状態のみを意味するものではなく、切り欠き部１２Ｎ，１３Ｎに層間接続導体３０Ｖが近接状態で対向する状態をも含む。例えば、切り欠き部１２Ｎ，１３Ｎから層間接続導体３０Ｖの径の３倍の幅内で近接する範囲で対向する状態、および第１外部端子１２、１３、第１内部端子１４、１５および第１絶縁部材１１による伝送路を伝搬する信号の波長の1／2以下である状態などを含む。

図１６に示した、第２回路基板４０に形成された層間接続導体４０Ｖは、第２コネクタ２０の搭載面である第１面に形成された第１グランド導体４０Ｇ１と、第２回路基板４０の第１面に対向する第２面に形成された第２グランド導体４０Ｇ２と、を層間接続する。層間接続導体４０Ｖは、コネクタの挿抜方向に視て、第２外部端子２２の不連続部２２Ｄに対向する位置に配列されている。この層間接続導体４０Ｖの配列状態は図１７に示した例と同様である。この構造により、配列された層間接続導体４０Ｖは電気壁として作用し、コネクタから漏れて第２回路基板４０内を伝搬する電磁界が遮蔽される。

第２回路基板４０についても、上記「対向」は、コネクタの挿抜方向に視て、層間接続導体４０Ｖが第２外部端子２２の不連続部２２Ｄに完全に重なる状態のみを意味するものではなく、第２外部端子２２の不連続部２２Ｄに層間接続導体４０Ｖが近接状態で対向する状態をも含む。例えば、第２外部端子２２の不連続部２２Ｄから層間接続導体４０Ｖの径の３倍の幅内で近接する範囲で対向する状態をも含む。

なお、図１７、図１８に示した例では、第１面ＭＳ１に形成された第１グランド導体３０Ｇ１と第２面ＭＳ２に形成された第２グランド導体３０Ｇ２とを有する第１回路基板３０について示したが、第１回路基板３０の内層にグランド導体が形成されて、この内層のグランド導体と第１面の第１グランド導体３０Ｇ１とを層間接続する層間接続導体３０Ｖを備えてもよい。このことは第２回路基板４０についても同様であり、第２回路基板４０の内層にグランド導体が形成されて、この内層のグランド導体と第１面の第１グランド導体４０Ｇ１とを層間接続する層間接続導体４０Ｖを備えてもよい。

このように、第１コネクタ１０が搭載される第１回路基板３０にグランド導体間を層間接続する層間接続導体を配列することにより、第１回路基板３０内を伝搬する電磁界が遮蔽される。同様に、第２コネクタ２０が搭載される第２回路基板４０にグランド導体間を層間接続する層間接続導体を配列することにより、第２回路基板４０内を伝搬する電磁界が遮蔽される。そのため、次に述べるように、コネクタセットに構成されている２つのミリ波等の信号（電磁波）の伝送経路間のアイソレーションがより確保される。

まず、コネクタセットの第１コネクタ１０の第１内部端子１４、第２コネクタ２０の第２内部端子２４、第１コネクタ１０の第１外部端子１２及び第２コネクタ２０の第２外部端子２２により第１の信号経路が構成され、コネクタセットの第１コネクタ１０の第１内部端子１５、第２コネクタ２０の第２内部端子２５、第１コネクタ１０の第１外部端子１３及び第２コネクタ２０の第２外部端子２２により第２の信号経路が構成される。この２つの信号経路を伝搬する信号（電磁波）が第１回路基板３０及び第２回路基板４０に漏れると、第１回路基板３０及び第２回路基板４０を経由して二つの信号（電磁波）が不要結合する。本実施形態では、第１回路基板３０内のグランド導体間及び第２回路基板４０内のグランド導体間に信号（電磁波）が漏洩し難いので、コネクタセットの上記第１信号経路と第２信号経路との間のアイソレーションがより確保される。

また、本実施形態によれば、層間接続導体３０Ｖが第１コネクタ１０の切り欠き部１２Ｎ，１３Ｎに対向する位置に配列されているので、第１コネクタ１０の切り欠き部１２Ｎ，１３Ｎの近傍に第１回路基板３０の層間接続導体３０Ｖによる電気壁が配置される。したがって、層間接続導体３０Ｖによる電気壁は第１コネクタ１０の切り欠き部１２Ｎ，１３Ｎのシールドとして作用する。つまり、第１コネクタ１０の切り欠き部１２Ｎ，１３Ｎの存在によるシールド作用の低下を補う。同様に、層間接続導体４０Ｖが第２コネクタ２０の第２外部端子２２の不連続部２２Ｄに対向する位置に配列されているので、第２コネクタ２０の第２外部端子２２の不連続部２２Ｄの近傍に第２回路基板４０の層間接続導体４０Ｖによる電気壁が配置される。したがって、層間接続導体４０Ｖによる電気壁は第２コネクタ２０の第２外部端子２２の不連続部２２Ｄのシールドとして作用する。つまり、層間接続導体４０Ｖによる電気壁は、第２コネクタ２０の第２外部端子２２の不連続部２２Ｄの存在によるシールド作用の低下を補う。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ｄ…対向距離
ＭＳ１…第１面
ＭＳ２…第２面
Ｓ１…実装面
Ｓ２…実装対向面
１０…第１コネクタ
１１…第１絶縁部材
１２，１３…第１外部端子
１２Ｎ，１３Ｎ…切り欠き部
１２Ｒ，１３Ｒ…抜け止め部
１２Ｓ，１３Ｓ…接触部
１２Ｔ，１３Ｔ…第１外部端子実装部
１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ…第１外部端子
１４，１５，１６…第１内部端子
１４Ｃ，１５Ｃ，１６Ｃ…接触部
１４Ｔ，１５Ｔ，１６Ｔ…実装部
２０…第２コネクタ
２１…第２絶縁部材
２２…第２外部端子
２２Ｃ…接触部
２２Ｄ…不連続部
２２Ｐ…係合突起
２４，２５，２６…第２内部端子
２４Ｃ，２５Ｃ，２６Ｃ，２７Ｃ，２８Ｃ…接触部
２４Ｔ，２５Ｔ，２６Ｔ，２７Ｔ，２８Ｔ…実装部
２７，２８…グランド端子
３０…第１回路基板
４０…第２回路基板
４０Ｌ…信号線
３０Ｇ，４０Ｇ…グランド導体
３０Ｇ１，４０Ｇ１…第１グランド導体
３０Ｇ２，４０Ｇ２…第２グランド導体
３０Ｖ…層間接続導体
１０１…コネクタセット
２０１…電子回路装置

Claims (15)

1. 第１回路基板に搭載される第１コネクタと、前記第１コネクタに対して挿抜方向に挿抜可能に嵌合する、グランド導体を有する第２回路基板に搭載された第２コネクタと、を備えるコネクタセットであって、
   前記第１コネクタは、第１内部端子と、当該第１内部端子を固定する第１絶縁部材と、前記第１内部端子と前記第１絶縁部材とを取り囲む取り囲み形状部を有する第１外部端子とを備え、
   前記第２コネクタは、第２内部端子と、当該第２内部端子を固定する第２絶縁部材と、前記第２内部端子と前記第２絶縁部材とを取り囲む取り囲み形状部を有する第２外部端子と、を備え、
   前記第２外部端子は前記第２回路基板の前記グランド導体に接続され、
   前記第１コネクタと前記第２コネクタとの嵌合状態で、前記第１内部端子と前記第２内部端子とは接触し、前記第１外部端子と前記第２外部端子とは嵌合し、前記挿抜方向に視て、前記第２外部端子の外周は前記第１外部端子の外周を覆い、前記第１外部端子は前記第２回路基板の前記グランド導体と重なり、
   前記第１外部端子は、当該第１外部端子の前記取り囲み形状部の一部で、前記第２回路基板の前記グランド導体に面する箇所に切り欠き部を有する、
   コネクタセット。
2. 前記切り欠き部の幅は、前記第１外部端子、前記第１内部端子及び前記第１絶縁部材による伝送路を伝搬する信号の波長の１／２以下である、
   請求項１に記載のコネクタセット。
3. 前記切り欠き部の深さは、前記第１外部端子、前記第１内部端子及び前記第１絶縁部材による伝送路を伝搬する信号の波長の１／４以下である、請求項１又は２に記載のコネクタセット。
4. 前記第２外部端子は、前記第１外部端子の周回方向に沿った周回内に不連続部を有し、
   前記第１外部端子の前記切り欠き部は、前記不連続部と重なる箇所に形成された、
   請求項１から３のいずれかに記載のコネクタセット。
5. 前記第１コネクタは、前記第１外部端子の外周に抜け止め部を有し、
   前記第２コネクタは、前記第２外部端子の内周に、前記第１外部端子の外周に接するグランド端子と、前記抜け止め部に係合する、ばね性のある係合突起部を有する、
   請求項１から４のいずれかに記載のコネクタセット。
6. 前記第１外部端子は、前記第２外部端子および前記グランド端子を介して、前記グランド導体に接続する、
   請求項５に記載のコネクタセット。
7. 前記第２コネクタは、一端に接触部を有する少なくとも３つのグランド端子を備え、
   前記第１内部端子及び前記第２内部端子の一部は、前記挿抜方向に視て、前記少なくとも３つのグランド端子の前記接触部を結ぶ３つの線分で取り囲まれる、
   請求項５に記載のコネクタセット。
8. 前記グランド端子は、一端に接触部、他端に実装部を有し、前記グランド端子の実装面を前記第１外部端子の外周に向けたまま前記実装部から前記グランド端子の接触部まで延伸した形状を有する、
   請求項５から７のいずれかに記載のコネクタセット。
9. 前記切り欠き部は複数存在し、前記第１外部端子は前記複数の切り欠き部で分離され、前記取り囲みの周に沿って隣接する切り欠き部間の距離は、前記第１外部端子、前記第１内部端子及び前記第１絶縁部材による伝送路を伝搬する信号の波長の１／２以下である、
   請求項１から８のいずれかに記載のコネクタセット。
10. 前記第２外部端子は、前記第１コネクタと前記第２コネクタとの嵌合状態で前記第１外部端子に接触する接触部を有する、
    請求項１から９のいずれかに記載のコネクタセット。
11. 前記第１外部端子は、前記第１コネクタと前記第２コネクタとの嵌合状態で前記第１外部端子に接触する接触部を有する、
    請求項１から９のいずれかに記載のコネクタセット。
12. 前記第１外部端子の前記接触部は、前記挿抜方向に視て、前記第１内部端子を挟んで前記切り欠き部に対向する位置にある、
    請求項１１に記載のコネクタセット。
13. 第１回路基板と、第２回路基板と、前記第１回路基板に搭載された第１コネクタと、前記第１コネクタに対して挿抜方向に挿抜可能に嵌合する、前記第２回路基板に搭載された第２コネクタと、を備える電子回路装置であって、
    前記第２回路基板はグランド導体を有し、
    前記第１コネクタは、第１内部端子と、当該第１内部端子を固定する第１絶縁部材と、前記第１内部端子と前記第１絶縁部材とを取り囲む取り囲み形状部を有する第１外部端子とを備え、
    前記第２コネクタは、第２内部端子と、当該第２内部端子を固定する第２絶縁部材と、前記第２内部端子と前記第２絶縁部材とを取り囲む取り囲み形状部を有する第２外部端子と、を備え、
    前記第２外部端子は前記第２回路基板の前記グランド導体に接続され、
    前記第１コネクタと前記第２コネクタとの嵌合状態で、前記第１内部端子と前記第２内部端子とは接触し、前記第１外部端子と前記第２外部端子とは嵌合し、前記挿抜方向に視て、前記第２外部端子の外周は前記第１外部端子の外周を覆い、前記第１外部端子は前記第２回路基板の前記グランド導体と重なり、
    前記第１外部端子は、当該第１外部端子の前記取り囲み形状部の一部で、前記グランド導体に面する箇所に切り欠き部を有する、
    電子回路装置。
14. 前記第１回路基板は、前記第１コネクタの搭載面である第１面に形成された第１グランド導体と、内層又は前記第１面に対向する第２面に形成された第２グランド導体と、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを層間接続する複数の層間接続導体と、を備え、
    前記層間接続導体は、前記挿抜方向に視て、前記第１外部端子の切り欠き部に対向する位置に配列されている、
    請求項１３に記載の電子回路装置。
15. 前記第２回路基板は、前記第２コネクタの搭載面である第１面に形成された第１グランド導体と、内層又は前記第２回路基板の前記第１面に対向する第２面に形成された第２グランド導体と、前記第２回路基板の第１グランド導体と前記第２回路基板の第２グランド導体とを層間接続する複数の層間接続導体と、を備え、
    前記第１コネクタと前記第２コネクタとの嵌合状態で、前記第２外部端子は、前記第１外部端子の周回方向に沿った周回内に不連続部を有し、
    前記層間接続導体は、前記挿抜方向に視て、前記不連続部に対向する位置に配列されている、
    請求項１３又は１４に記載の電子回路装置。

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