JP7134778B2 - 処理システム - Google Patents
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Description
まず、第1の実施形態に係る処理システムについて説明する。図1は、処理システム1の一例を示すブロック図である。図1に示すように、処理システム1は、触媒層形成装置2、判断装置3、エッチング装置4及び搬送装置6を備える。また、判断装置3は、XRF(X-ray Fluorescence)分析装置11、レーザー顕微鏡12及びコントローラ13を備える。判断装置3では、XRF分析装置11、レーザー顕微鏡12及びコントローラ13によって、1つ以上(1つ又は複数)の処理装置が構成される。コントローラ13は、CPU(Central Processing Unit)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)又はFPGA(Field Programmable Gate Array)等を含むプロセッサ又は集積回路(制御回路)、及び、メモリ等の記憶媒体を備える。判断装置3では、コントローラ13を含む1つ以上の処理装置は、記憶媒体に記憶されるプログラム等を実行することにより、後述する処理を行う。
以下、前述の実施形態に関連する検証について、説明する。検証では、3つの構造体20A~20Cを検証対象とした。構造体20A~20Cでは、前述の厚さT、析出量A及び密度ρを互いに対して異なる状態に、触媒層22を形成した。なお、検証では、厚さT、析出量A及び密度ρのそれぞれについて、所定の範囲の下限値及び上限値を、表1と同様に設定した。そして、表1のように所定の範囲が設定される実施例と同様にして、マスク層23及び触媒層22を形成した。また、検証では、表1のように所定の範囲が設定される実施例と同様にして、X線強度I及び厚さTの検出、及び、析出量A及び密度ρの算出を行った。したがって、析出量A及び密度ρとしては、X線のスポット内が触媒層22のみになる場合での換算値を、算出した。
なお、前述の実施形態等では、触媒層22がエッチングに適した状態であるか否かの判断に、析出量A、密度ρ及び厚さTが判断パラメータとして用いられるが、これに限るものではない。例えば、析出量Aが判断パラメータとして用いられれば、密度ρ及び厚さTの少なくとも一方は、触媒層22に関する判断に用いられなくてもよい。同様に、密度ρが判断パラメータとして用いられれば、析出量A及び厚さTの少なくとも一方は、触媒層22に関する判断に用いられなくてもよい。ただし、いずれの場合も、XRF分析装置11によって検出されるX線強度Iから算出されるパラメータである析出量A及び密度ρの少なくとも一方は、触媒層22に関する判断に、判断パラメータとして用いられる。このため、レーザー顕微鏡12によって検出される検出パラメータである厚さTが判断パラメータとして用いられる場合、厚さTに加えて、X線強度Iから算出されるパラメータである析出量A及び密度ρ等のいずれかが、判断パラメータとして用いられる。また、いずれの場合も、全ての判断パラメータのそれぞれが所定の範囲内にある場合のみ、触媒層22がエッチングに適した状態に形成されていると、判断される。
以下、付記を記載する。
(付記項1)
基板の表面上に形成される貴金属の触媒層にX線を照射することにより生じる特性X線のX線強度を検出し、
検出した前記X線強度及び前記X線強度を用いて算出したパラメータのいずれかを、第1の判断パラメータとして取得し、
前記第1の判断パラメータに少なくとも基づいて、前記触媒層が前記基板の前記表面のエッチングに適した状態に形成されているか否かを判断する、
1つ以上の処理装置を具備する、処理システム。
(付記項2)
1つ以上の前記処理装置は、
検出した前記X線強度から、前記触媒層における単位面積当たりの前記貴金属の析出量を算出し、
算出した前記析出量を前記第1の判断パラメータとして取得する、
付記項1の処理システム。
(付記項3)
1つ以上の前記処理装置は、前記第1の判断パラメータが所定の範囲内であるか否かに基づいて、前記触媒層が前記エッチングに適した状態に形成されているか否かを判断する、付記項1又は2の処理システム。
(付記項4)
1つ以上の前記処理装置は、
レーザー顕微鏡又は走査型電子顕微鏡を用いて、前記触媒層に関連する検出パラメータを検出し、
前記X線強度、及び、前記レーザー顕微鏡又は前記走査型電子顕微鏡による前記検出パラメータの両方を用いて算出したパラメータを、前記第1の判断パラメータとして取得する、
付記項1乃至3のいずれか1項の処理システム。
(付記項5)
1つ以上の前記処理装置は、
前記レーザー顕微鏡を用いて、前記触媒層の厚さを前記検出パラメータとして検出し、
前記X線強度及び検出した前記触媒層の前記厚さの両方を用いて、前記触媒層の密度を算出し、
算出した前記触媒層の前記密度を前記第1の判断パラメータとして取得する、
付記項4の処理システム。
(付記項6)
1つ以上の前記処理装置は、
レーザー顕微鏡又は走査型電子顕微鏡を用いて、前記触媒層に関連する検出パラメータを検出し、
前記レーザー顕微鏡又は前記走査型電子顕微鏡による前記検出パラメータ、又は、前記検出パラメータを用いて算出したパラメータを第2の判断パラメータとして取得し、 前記第1の判断パラメータに加えて前記第2の判断パラメータに基づいて、前記触媒層が前記エッチングに適した状態に形成されているか否かを判断する、
付記項1乃至3のいずれか1項の処理システム。
(付記項7)
1つ以上の前記処理装置は、前記第2の判断パラメータが所定の範囲内であるか否かに基づいて、前記触媒層が前記エッチングに適した状態に形成されているか否かを判断する、付記項6の処理システム。
(付記項8)
1つ以上の前記処理装置は、
前記レーザー顕微鏡を用いて、前記触媒層の厚さを前記検出パラメータとして検出し、
検出した前記触媒層の前記厚さを前記第2の判断パラメータとして取得する、
付記項6又は7の処理システム。
(付記項9)
1つ以上の前記処理装置は、前記X線強度、及び、前記レーザー顕微鏡又は前記走査型電子顕微鏡による前記検出パラメータの両方を用いて算出したパラメータを、前記第2の判断パラメータとして取得する、付記項6又は7の処理システム。
(付記項10)
1つ以上の前記処理装置は、
前記レーザー顕微鏡を用いて、前記触媒層の厚さを前記検出パラメータとして検出し、
前記X線強度及び検出した前記触媒層の前記厚さの両方を用いて、前記触媒層の密度を算出し、
算出した前記触媒層の前記密度を前記第2の判断パラメータとして取得する、
付記項9の処理システム。
(付記項11)
1つ以上の前記処理装置は、前記触媒層が前記エッチングに適した状態に形成されていないと判断した場合は、前記触媒層が適した状態でないことの告知、及び、前記基板への前記貴金属の前記触媒層の形成における条件の変更の、少なくとも一方を実行する、付記項1乃至10のいずれか一項の処理システム。
(付記項12)
基板の表面上に形成される貴金属の触媒層に関する判断方法であって、
前記触媒層にX線を照射することにより生じる特性X線のX線強度を検出することと、 検出した前記X線強度又は前記X線強度を用いて算出したパラメータを、判断パラメータとして取得することと、
前記判断パラメータに少なくとも基づいて、前記触媒層が前記基板の前記表面のエッチングに適した状態に形成されているか否かを判断することと、
を具備する、判断方法。
(付記項13)
前記基板の前記表面上に前記貴金属の前記触媒層を形成することと、
付記項12の判断方法によって、形成された前記触媒層が前記エッチングに適した状態であるか否かを判断することと、
前記触媒層が前記エッチングに適した状態に形成されていると判断した場合において、前記触媒層の前記貴金属を触媒として作用させ、前記基板の前記表面をエッチングすることと、
を具備する物品の製造方法。
Claims (7)
- 基板の表面上に形成される貴金属の触媒層にX線を照射することにより生じる特性X線のX線強度を検出し、
レーザー顕微鏡又は走査型電子顕微鏡を用いて、前記触媒層に関連する検出パラメータを検出し、
検出した前記X線強度及び前記X線強度を用いて算出したパラメータのいずれかを、第1の判断パラメータとして取得し、
前記レーザー顕微鏡又は前記走査型電子顕微鏡による前記検出パラメータ、又は、前記検出パラメータを用いて算出したパラメータを第2の判断パラメータとして取得し、
前記第1の判断パラメータが第1の所定の範囲内であり、かつ、前記第2の判断パラメータが第2の所定の範囲内であることに基づいて、前記触媒層が前記基板の前記表面のエッチングに適した状態に形成されていると判断し、前記第1の判断パラメータが前記第1の所定の範囲内でない場合、及び、前記第2の判断パラメータが前記第2の所定の範囲内でない場合のそれぞれにおいて、前記触媒層が前記基板の前記表面のエッチングに適した状態に形成されていないと判断する、
1つ以上の処理装置を具備する、処理システム。 - 1つ以上の前記処理装置は、
検出した前記X線強度から、前記触媒層における単位面積当たりの前記貴金属の析出量を算出し、
算出した前記析出量を前記第1の判断パラメータとして取得する、
請求項1の処理システム。 - 1つ以上の前記処理装置は、
前記レーザー顕微鏡を用いて、前記触媒層の厚さを前記検出パラメータとして検出し、
検出した前記触媒層の前記厚さを前記第2の判断パラメータとして取得する、
請求項1又は2の処理システム。 - 1つ以上の前記処理装置は、前記X線強度、及び、前記レーザー顕微鏡又は前記走査型電子顕微鏡による前記検出パラメータの両方を用いて算出したパラメータを、前記第2の判断パラメータとして取得する、請求項1又は2の処理システム。
- 1つ以上の前記処理装置は、
前記レーザー顕微鏡を用いて、前記触媒層の厚さを前記検出パラメータとして検出し、
前記X線強度及び検出した前記触媒層の前記厚さの両方を用いて、前記触媒層の密度を算出し、
算出した前記触媒層の前記密度を前記第2の判断パラメータとして取得する、
請求項4の処理システム。 - 1つ以上の前記処理装置は、前記触媒層が前記エッチングに適した状態に形成されていないと判断した場合は、前記触媒層が適した状態でないことの告知、及び、前記基板への前記貴金属の前記触媒層の形成における条件の変更の、少なくとも一方を実行する、請求項1乃至5のいずれか一項の処理システム。
- 基板の表面上に形成される貴金属の触媒層にX線を照射することにより生じる特性X線のX線強度を検出し、
レーザー顕微鏡を用いて、前記触媒層の厚さを検出し、
検出した前記X線強度及び前記X線強度を用いて算出したパラメータのいずれかを、第1の判断パラメータとして取得し、
検出した前記X線強度から、前記触媒層における単位面積当たりの前記貴金属の析出量を算出し、
算出した前記析出量及び前記レーザー顕微鏡が検出した前記触媒層の前記厚さの両方を用いて、前記触媒層の密度を算出し、
算出した前記触媒層の前記密度が所定の範囲内であることに少なくとも基づいて、前記触媒層が前記基板の前記表面のエッチングに適した状態に形成されていると判断し、前記触媒層の前記密度が前記所定の範囲内でない場合において、前記触媒層が前記基板の前記表面のエッチングに適した状態に形成されていないと判断する、
1つ以上の処理装置を具備する、処理システム。
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