JP7127334B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、プラズマ処理装置に関する。
従来、密閉容器の内部を減圧してプラズマを発生し、当該密閉容器内に配置されたワークをプラズマ処理する技術が多く利用された。しかしながら、近年では、大気圧下で安定的にプラズマ放電させる技術が確立されてきており、開放空間でのプラズマ処理が実用化されている。これにより、減圧に耐える強固な密閉容器が不要となり、安価なプラズマ処理装置が実現されている。
このような大気圧プラズマ処理を行うプラズマ処理装置の一例は特許文献1に開示される。特許文献1のプラズマ処理装置は、棒状のHOT電極を有する。HOT電極には、電源が接続される。HOT電極の外面は、誘電体で覆われる。
HOT電極は、管状の被処理物の内部に配置される。これにより、被処理物の内面は、HOT電極の外面と対向する。HOT電極と被処理物との間の放電空間に処理ガスが供給されている状態で、電源によりHOT電極に電圧が印加される。これにより、放電空間で放電が発生し、被処理物の内面をプラズマ処理する。
特開2007-115616号公報
しかしながら、上記特許文献1では、被処理物の内面の径が小さいと、HOT電極を被処理物の内部に挿入できず、被処理物の内面をプラズマ処理することができない。
上記状況に鑑み、本発明は、ワークにおける処理対象である貫通孔の径が小さくてもプラズマ処理を行うことが可能となるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
本発明の例示的なプラズマ処理装置は、ワークの軸方向に延びる貫通孔をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、電極部と、ガス流生成部と、を備え、前記電極部は、前記ワークの前記貫通孔端面の周囲に位置する周囲領域と軸方向に対向し、前記ガス流生成部は、前記周囲領域と前記電極部との間の隙間から前記貫通孔へ向けて流れるガス流を生成する構成としている。
本発明の例示的なプラズマ処理装置によれば、ワークにおける処理対象である貫通孔の径が小さくてもプラズマ処理を行うことが可能となる。
図1は、第1実施形態に係るプラズマ処理装置の全体構成を概略的に示す図である。 図2は、第1実施形態に係る保持部、電極部および絶縁部に関する構成を示す縦断面図である。 図3は、第1実施形態に係るワークを上方から視た平面図である。 図4は、第2実施形態に係る電極部および絶縁部に関する構成を示す縦断面図である。 図5は、第2実施形態に係るワークを上方から視た平面図である。 図6は、第3実施形態に係る電極部および絶縁部に関する構成を示す縦断面図である。 図7は、第4実施形態に係る電極部および絶縁部に関する構成を示す縦断面図である。 図8は、第5実施形態に係る保持部、電極部および絶縁部に関する構成を示す縦断面図である。 図9は、第6実施形態に係る保持部、電極部および絶縁部に関する構成を示す縦断面図である。
以下に本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下において、中心軸Cの延びる方向を「軸方向」と称し、軸方向のX1側を「上側」、軸方向のX2側を「下側」とする。また、中心軸周りの方向を「周方向」、中心軸の径方向を「径方向」と称する。
<第1実施形態>
まず、本発明の第1実施形態に係るプラズマ処理装置の全体構成について図1を用いて説明する。図1は、本実施形態に係るプラズマ処理装置10の全体構成を概略的に示す図である。
図1に示すプラズマ処理装置10は、大気圧下でプラズマを発生させ、被処理物である金属製のワーク1に対してプラズマ処理を行う装置である。より具体的には、ワーク1に設けられた貫通孔(図1で不図示)に対してプラズマ処理を行う。プラズマ処理装置10は、保持部2と、電極部3と、絶縁部4と、高圧電源部5と、タイマー6と、イジェクタ7と、空気供給部8と、流量計9と、を備える。
保持部2は、ワーク1を保持する。ワーク1が保持部2に保持された状態で、電極部3はワーク1と軸方向に対向する。絶縁部4は、電極部3の下側に配置される。絶縁部4は、ワーク1と隙間を介して軸方向に対向する。
高電圧電源部5は、高周波である高電圧を電極部3に印加する。すなわち、電極部3には、交流電圧が印加される。一方、保持部2にグランド電位が印加されることで、金属製のワーク1には保持部2を介してグランド電位が印加される。絶縁部4とワーク1との間の隙間には処理ガスが導かれるので、当該隙間において放電が発生して、プラズマが発生する。
高電圧電源部5が印加する電圧の周波数は、例えば、1kHz~100kHzである。高電圧電源部5が印加する電圧の波形は、パルス波形が望ましいが、その他にも正弦波、矩形波等でもよく、大気圧プラズマ放電で用いられる公知の波形を用いればよい。また、高電圧電源部5が印加する電圧は、例えば5kVpp~20kVppであり、絶縁部4とワーク1との間のギャップ等によって適宜設定される。
タイマー6は、高電圧電源部5により電極部3に電圧を印加する時間を計測する。すなわち、タイマー6によって、ワーク1に対してプラズマ処理を行う処理時間を制御できる。
イジェクタ7は、保持部2の排気口に接続される負圧発生器である。イジェクタ7は、空気供給部8から供給される空気の高速な気流を生成することで、ベンチュリー効果により、当該気流と直交する方向に負圧を生成する。イジェクタ7により負圧が生成されることで、保持部2の内部空間におけるガスが排気される。すなわち、イジェクタ7は、排気部として機能する。なお、イジェクタ7の代わりに例えば真空ポンプまたはダイアフラムポンプ等を採用してもよい。保持部2の内部空間におけるガスが排気されることで、発生したプラズマはワーク1の貫通孔内部に引き込まれ、貫通孔の内壁面をプラズマ処理することができる。
流量計9は、保持部2の排気口とイジェクタ7との間の流路中に配置される。流量計9は、上記流路を流れるガス流の流量を計測する。
次に、上記で説明したプラズマ処理装置10における保持部2、電極部3および絶縁部4のより具体的な構成について述べる。図2は、第1実施形態に係る保持部2、電極部3および絶縁部4に関する構成を示す縦断面図である。
保持部2は、中心軸Cを中心とした円柱状の外形を有し、凹部2A、開口部2B、および内部空間2Cを有する。凹部2Aは、保持部2の上端面から下側へ凹み、中心軸Cを中心とした円柱状である。開口部2Bは、凹部2Aの下側に連接され、中心軸Cを中心とした円柱状である。開口部2Bの径は、凹部2Aの径よりも小さい。凹部2Aと開口部2Bとが連接される位置に円環状の段差2Eが設けられる。
内部空間2Cは、開口部2Bの下側に連接され、中心軸Cを中心とした円柱状である。内部空間2Cの径は、開口部2Bの径よりも大きい。また、保持部2は、側面に開口した排気口2Dを有する。排気口2Dは、内部空間2Cと連通する。
保持部2は、金属製であり、グランド電位を印加される。ワーク1は、金属製であり、円柱状を有する。ワーク1の下部が凹部2Aに収容され、ワーク1の下端面が段差2Eと接触される。これにより、ワーク1は保持部2に載置されて保持される。ワーク1と保持部2とが接触することで、ワーク1と保持部2が導通され、ワーク1には保持部2を介してグランド電位が印加される。
ワーク1が保持部2に保持された状態で、ワーク1は、中心軸Cを中心として軸方向に延びる円柱状の貫通孔1Aを有する。貫通孔1Aは、ワーク1の上端から下端にかけて貫通する。貫通孔1Aは、上端に貫通孔端面1Aaを有し、下端に貫通孔下端面1Abを有する。貫通孔下端面1Abは、開口部2Bを介して内部空間2Cと連通する。
電極部3は、中心軸Cを中心として軸方向に延びる円柱状を有する。電極部3は、ワーク1の上側に配置される。ここで、図3は、ワーク1を上方から視た平面図である。ワーク1の上端面1Bは、貫通孔端面1Aaを含む。
貫通孔端面1Aaの周囲には周囲領域R1が配置される。周囲領域R1の内縁R1aは、貫通孔端面1Aaの縁と一致する。周囲領域R1の外縁R1bは、電極部3の下端面3Aを軸方向に上端面1Bへ投影した位置に配置される。すなわち、周囲領域R1は、内縁R1aと外縁R1bとに径方向に挟まれる円環状領域となる。
下端面3Aは、周囲領域R1と軸方向に対向する。すなわち、電極部3は、周囲領域R1と軸方向に対向する。
絶縁部4は、電極部3の下側に配置され、下端面3Aを下方から覆う。絶縁部4は、円盤状の層である。絶縁部4の径は、電極部3の径と同じである。これにより、絶縁部4は、周囲領域R1と軸方向に対向する。絶縁部4は、周囲領域R1から隙間S1を介して離れて配置される。隙間S1は、周囲領域R1の円環状領域で軸方向に厚みを有した円筒状となる。
絶縁部4は、アルミナ、ジルコニアなどのセラミック材料、または快削性セラミックなどが好適に使用される。
電極部3には、高電圧電源部5により高周波の高電圧が印加される。一方、ワーク1には、先述したように保持部2を介してグランド電位が印加される。貫通孔端面1Aaの外部は、外気側となる。ワーク1と絶縁部4との間で誘電体バリア放電が行われ、隙間S1に供給される処理ガスである外気がプラズマ化される。
なお、必要であれば、図示しないガス供給手段により隙間S1に外部から所望のガスを供給してもよい。例えば金属製ワークに付着した切削油などの残渣を除去する場合には窒素に対して酸素を微量に添加したガスであることが望ましいが、本発明ではガス種を限定しない。
排気口2Dに接続されたイジェクタ7(図1)により内部空間2Cにおけるガスが排気口2Dから外部へ排気されると、内部空間2C内部は負圧となる。これにより、隙間S1におけるガスは、貫通孔端面1Aaから貫通孔1A内部へ引き込まれ、開口部2Bおよび内部空間2Cを介して排気口2Dから外部へ排気される。すなわち、イジェクタ7は、周囲領域R1と電極部3と間の隙間S1から貫通孔1Aへ向けて流れるガス流を生成するガス流生成部として機能する。
従って、隙間S1で発生したプラズマの活性種を貫通孔1A内へ導き、貫通孔1Aの内壁面をプラズマ処理することができる。貫通孔1Aの内壁面の近傍に位置する隙間S1においてプラズマを生成するので、活性種の失活を抑制し、内壁面の処理速度を向上させることができる。特に、貫通孔1Aの径が小さくても、貫通孔1A内へプラズマを引き込むことで貫通孔1Aの内壁面を処理することが可能となる。
例えば、ワーク1に対して貫通孔1Aを形成した場合に、貫通孔1Aの内壁面に残留した切削油をプラズマ処理により除去することができる。これにより、貫通孔1Aの濡れ性を向上させ、貫通孔1Aに対して接着剤により部材を固定する際の接着強度を向上できる。なお、貫通孔に対するプラズマ処理は上記のような残留する切削油の除去用途に限らず、例えば、適切な材料ガスを導入して貫通孔の内壁面に薄膜を形成することに用いてもよい。
また、隙間S1から排気口2Dまでを流れるガス流を発生させることにより、隙間S1で処理ガスをプラズマ化することで発生するガス(例えば窒素酸化物、オゾン等)の外気側への漏洩を抑制することができる。なお、排気口2Dからイジェクタ7までの経路中に、例えばオゾンを除去するオゾンフィルターを配置することも可能である。
また、内部空間2Cが負圧となるので、外気との差圧が生じ、ワーク1が保持部2に吸着される。従って、貫通孔1A内を流れるガス流によるワーク1のばたつきを抑制することができる。
また、排気口2Dとイジェクタ7との間の流路上に流量計9を配置するので、排気口2Dから外部へ排気されるガス流の流量を測定することができる。これにより、ワーク1の保持部2への差圧による固定状態の異常を検知することが可能となる。
以上、第1実施形態について述べたが、例えば下記のような種々の変形を行うことが可能である。例えば、上述した電極部3は周方向の全周にわたって配置されるが、全周の一部のみにわたって配置されてもよい。すなわち、電極部3は、上面視で扇型であってもよい。この場合、貫通孔1Aaの周囲に位置する周囲領域は、円環状の一部となる。
また、高電圧電源部5により電極部3に印加する電圧の波形制御によりアーク放電を抑制できる場合などであれば、絶縁部4を用いない構成も可能である。すなわち、絶縁部4は必須ではない。
このように、本実施形態のプラズマ処理装置10は、ワーク1の軸方向に延びる貫通孔1Aをプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、電極部3と、ガス流生成部(イジェクタ)7と、を備える。電極部3は、ワーク1の貫通孔端面1Aaの周囲に位置する周囲領域R1と軸方向に対向し、ガス流生成部7は、周囲領域R1と電極部3との間の隙間S1から貫通孔1Aへ向けて流れるガス流を生成する。
これにより、ワーク1と電極部3との間に電圧を発生させることで、ワーク1における周囲領域R1と電極部3との間の隙間S1にプラズマを発生させることができる。ガス流生成部7により、プラズマの活性種をワーク1の貫通孔1A内へ送り込み、貫通孔1Aの内壁面を処理することができる。貫通孔1Aの内壁面の近傍に位置する隙間S1においてプラズマを生成するので、活性種の失活を抑制し、処理速度を向上させることができる。さらに、貫通孔1Aの径が小さくても、内壁面の処理を行える。
また、プラズマ処理装置10は、ワーク1を保持する保持部2をさらに備え、ワーク1に対して電極部3の位置する側を軸方向一方側とし、その反対側を軸方向他方側とすると、保持部2の内部空間2Cは、貫通孔1Aの軸方向他方側端面(貫通孔下端面)1Abと連通し、ガス流生成部7は、内部空間2Cにおけるガスを排気する排気部を有する。
これにより、保持部2の内部空間2Cにおけるガスが排気されることで、内部空間2Cでは負圧となり、隙間S1から貫通孔1Aを通して内部空間2Cへ流れるガス流が生成される。従って、隙間S1で生成されたプラズマを貫通孔1A内へ引き込むことができる。さらに、差圧が生じることによって、ワーク1を保持部2に吸着させ、貫通孔1Aを流れるガスによるワーク1のばたつきを抑制することができる。
また、保持部2は、接地される金属部を有し、ワーク1は、前記金属部に接触可能である。
これにより、金属製のワーク1を保持部2に設置することで、金属部を介してワーク1にグランド電位を印加することができる。
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について述べる。図4は、本実施形態に係る電極部31および絶縁部41に関する構成を示す縦断面図である。なお、本実施形態において、図4に示すワーク1は、第1実施形態と同様に図示しない保持部2により保持される。本実施形態において、図示しないイジェクタ7により排気を行う構成も第1実施形態と同様である。
電極部31は、中心軸Cを中心として軸方向に延びる円柱状であり、下端面31Aを有する。本実施形態では、下端面31Aは、上側へ凹んだ凹部31Aaを中心部に有する。これに対応して、絶縁部41は、凹部31Aaに沿って上側へ突出して形成される凸部41Aを中心部に有する。下端面31Aは、凹部31Aaの周囲に円環状の円環面31Abを有する。
ここで、図5は、ワーク1を上方から視た平面図である。ワーク1の上端面1Bには、貫通孔端面1Aaが含まれる。周囲領域R1は、貫通孔端面1Aaの周囲に位置する。周囲領域R1の内縁R1aは、貫通孔端面1Aaの縁と一致する。周囲領域R1の外縁R1bは、電極部31の下端面31Aの外縁を軸方向に上端面1Bへ投影した位置に配置される。
凹部31Aaの外縁を軸方向に上端面1Bへ投影した位置に境界B1が配置される。境界B1は、内縁R1aと外縁R1bとの間に配置される。第1領域R11は、境界B1と外縁R1bとに径方向に挟まれて形成され、円環状である。第2領域R12は、貫通孔端面1Aaと、内縁R1aと境界B1とに径方向に挟まれて形成される円環状領域とからなる領域であり、円状の領域である。
上端面1Bと凹部31Aaとの間の軸方向距離L2は、上端面1Bと円環面31Abとの間の軸方向距離L1よりも長い。すなわち、第2領域R12と下端面31Aとの間の軸方向距離L2は、第1領域R11と下端面31Aとの間の軸方向距離L1よりも長い。従って、貫通孔端面1Aaの縁と軸方向に対向する電極部3の箇所を上側へ離す。これにより、貫通孔端面1Aaの縁において電界集中が生じてアーク放電等が発生することを抑制し、ワーク1を保護することができる。
換言すると、本実施形態では、周囲領域R1の外縁R1bは、電極部31のワーク1側端面(下端面)31Aの外縁を軸方向に投影した位置に配置され、貫通孔端面1Aaの縁と周囲領域R1の外縁R1bとの間に境界B1が位置し、境界B1と周囲領域R1の外縁R1bとの間の領域を第1領域R11とし、貫通孔端面1Aaと、貫通孔端面1Aaの縁と境界B1との間の領域と、を含む領域を第2領域R12とすると、第2領域R12と電極部31のワーク1側端面31Aとの間の軸方向距離L2は、第1領域R11と電極部31のワーク1側端面31Aとの間の軸方向距離L1よりも長い。
これにより、貫通孔1Aの縁にて電界集中してアーク放電等が発生することを抑制することができる。
<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態について述べる。図6は、本実施形態に係る電極部32および絶縁部42に関する構成を示す縦断面図である。なお、本実施形態において、図6に示すワーク1は、第1実施形態と同様に図示しない保持部2により保持される。本実施形態において、図示しないイジェクタ7により排気を行う構成も第1実施形態と同様である。
電極部32は、中心軸Cを中心として軸方向に延び、下端面32Aを有する。電極部32は、軸方向に貫通する中空部321を内部に有する。中空部321は、中心軸Cを中心として軸方向に延びる円柱状である。すなわち、電極部32は、円筒状を有する。中空部321の下端面321Aは、下端面32Aに含まれる。絶縁部42は、下端面321Aを含む下端面32A全体を下方から覆う。
中空部321の下端面321Aを、ワーク1の上端面1Bに対して軸方向に投影した場合に、貫通孔端面1Aaは、軸方向から視て、投影した下端面321Aにより囲まれる。これにより、貫通孔端面1Aaの縁の上方には電極部32の箇所が存在しなくなるので、貫通孔端面1Aaの縁において電界集中が生じてアーク放電等が発生することを抑制し、ワーク1を保護することができる。
換言すると、本実施形態では、電極部32は、軸方向に貫通する中空部321を有し、電極部32のワーク1側端面(下端面)32Aにおける中空部端面(下端面)321Aを、電極部32と対向するワーク面(上端面1B)に軸方向に投影した場合に、貫通孔端面1Aaは、軸方向から視て、投影した中空部端面321Aにより囲まれる。
これにより、貫通孔1Aの縁と軸方向に対向する電極部32の箇所は存在しないので、縁において電界集中してアーク放電等が発生することを抑制することができる。
<第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態について述べる。図7は、本実施形態に係る電極部33および絶縁部43に関する構成を示す縦断面図である。なお、本実施形態において、図7に示すワーク1は、例えば、図示しない金属製の保持部により保持され、当該保持部との導通によって接地される。
電極部33は、中心軸Cを中心として軸方向に延び、ガス流路331を内部に有する。ガス流路331は、中心軸Cを中心として軸方向に延びる円柱状であり、軸方向に貫通する。すなわち、電極部33は、円筒状を有する。ガス流路331は、中空部に相当する。ガス流路331の下端面331Aは、電極部33の下端面33Aに含まれる。
第3実施形態と同様に、ガス流路331の下端面331Aは、ワーク1の上端面1Bに軸方向に投影した場合に、貫通孔端面1Aaを囲むことが望ましい。
絶縁部43は、電極部33の下端面33Aを下方から覆い、噴出口431を中心部に有する。噴出口431は、絶縁部43を軸方向に貫通し、ガス流路331の下端面331Aに連接される。噴出口431の径は、ガス流路331の径よりも小さい。
ガス送り込み部15は、所定のキャリアガスをガス流路331の上端からガス流路331内へ送り込む。キャリアガスの種類は、窒素または空気など、特に限定されない。送り込まれたキャリアガスは、ガス流路331内を下方へ流れ、噴出口431から外部へ噴出する。噴出したキャリアガスは、貫通孔端面1Aaから貫通孔1A内へ流れ込む。このようなキャリアガスの流れをガス流F1として示す。
貫通孔1Aaの周囲に位置する周囲領域と電極部33の下端面33Aとの間の隙間S2においては、誘電体バリア放電によってプラズマが生成される。キャリアガスによるガス流F1によって、隙間S2におけるガスは貫通孔端面1Aaから貫通孔1A内へ巻き込まれる。巻き込まれるガスをガス流F2として示す。これにより、発生したプラズマの活性種を貫通孔1Aへ引き込むことができ、貫通孔1Aの内壁面を処理することができる。すなわち、ガス送り込み部15は、周囲領域と電極部33との間の隙間S2から貫通孔1Aへ向けて流れるガス流F2を生成するガス流生成部として機能する。
また、噴出口431は、ワーク1の上端面1Bに軸方向に投影した場合に、軸方向から視て、貫通孔端面1Aaにより囲まれる。これにより、噴出口431から噴出されたキャリアガスは効率良く貫通孔1A内へ送り込まれる。従って、隙間S2において発生したプラズマの活性種を効率良く貫通孔1A内へ巻き込むことができる。これにより、貫通孔1Aの内壁面の処理速度を向上させることができる。
なお、絶縁部を設けない場合は、電極部のガス流路に形成される噴出口が先述した貫通孔1Aとの関係を有することが望ましい。
換言すると、本実施形態では、電極部33は、ガス流路331を有し、ガス流生成部は、ガス流路331を介して貫通孔1Aに対して所定のガスを送り込むガス送り込み部15を有する。
これにより、ガス送り込み部15によって貫通孔1Aに送り込まれたガスにより、隙間S2におけるガスが貫通孔1Aへ巻き込まれる。これにより、発生したプラズマの活性種を貫通孔1Aへ引き込むことができる。
また、ガス送り込み部15によって送り込まれるガスを貫通孔1Aへ噴出する噴出口431は、電極部33と対向するワーク面(上端面)1Bに軸方向に投影した場合に、軸方向から視て貫通孔1Aに囲まれる。
これにより、ガス送り込み部15によって噴出口431から噴出されるガスを効率良く貫通孔1Aへ送り込むことができ、プラズマの活性種を効率良く貫通孔1Aへ引き込むことが可能となる。
また、噴出口431は、電極部33のワーク側に配置される絶縁部43に設けられる。これにより、隙間S2において誘電体バリア放電によって生成したプラズマの活性種を効率良く貫通孔1Aへ引き込むことができる。
<第5実施形態>
次に、本発明の第5実施形態について述べる。図8は、本実施形態に係る保持部2、電極部33および絶縁部43に関する構成を示す縦断面図である。
本実施形態は、第4実施形態と第1実施形態の組み合わせとなる。すなわち、ガス送り込み部15によってキャリアガスを電極部33のガス流路331へ送り込みつつ、ワーク1を保持する保持部2の内部空間2Cにおけるガスを排気口2Dから外部へ排気する。これにより、隙間S2において発生したプラズマは、貫通孔1Aへ流れ込むキャリアガスによる巻き込みと、内部空間2Cが負圧となることによる差圧により、より効率良く貫通孔1Aへ引き込まれる。従って、貫通孔1Aの内壁面の処理を高速化することができる。
<第6実施形態>
次に、本発明の第6実施形態について述べる。図9は、本実施形態に係る保持部21、電極部34および絶縁部44に関する構成を示す縦断面図である。本実施形態では、ワーク11の貫通孔11Cに対してプラズマ処理を行う。
ワーク11は、略円柱状の基体111と、基体111の上側に位置する円柱状の突部112と、基体111の外周面下端部から径方向外側に突出して環状に形成される鍔部113と、を有する。
また、ワーク11は、凹部11A、凹部11B、および軸方向に貫通する貫通孔11Cを有する。中心軸Cを中心とする円柱状の凹部11Aの下端位置は、鍔部113の下端位置と一致する。中心軸Cを中心とする円柱状の凹部11Bは、凹部11Aの上側に凹部11Aと連続して配置される。中心軸Cを中心とする円柱状の貫通孔11Cは、凹部11Bの上側に凹部11Bと連続して配置される。すなわち、凹部11A、凹部11B、および貫通孔11Cは、互いに連通する。凹部11Bの側壁面は、接触内壁面11B1となる。凹部11Aと凹部11Bが連接される位置には、円環状面11Dが形成される。
保持部21は、ワークホルダ211と、ハウジング212と、を有する。ワークホルダ211は、金属製であり、ハウジング212により下側から保持される。ワークホルダ211には、グランド電位が印加される。ワークホルダ211は、軸方向に貫通する開口部211Aを有する。ワークホルダ211は、上方に軸方向視で円環状の載置面211Bを有するとともに、載置面211Bの径方向内側縁から上側へ突出する円環突部211Cを有する。円環突部211Cの外周面は、軸方向に延びる接触外壁面211C1となる。
ワークホルダ211とハウジング212とが組み合わさることで、保持部21の内部に内部空間21Aが形成される。内部空間21Aは、開口部211Aと連通する。また、ハウジング212の側面には、排気口21Bが形成される。
ワーク11の円環状面11Dがワークホルダ211の載置面211Bに接触することで、ワーク11はワークホルダ211に載置される。このとき、接触内壁面11B1と接触外壁面211C1とが接触することで、ワーク11の軸方向に直交する平面上の移動が阻止される。また、金属製のワーク11がワークホルダ211と導通するので、ワーク11は接地される。
電極部34および絶縁部44の構成は、第1実施形態と同様である。電極部34は、貫通孔11Cの貫通孔端面11Caの周囲に位置する周囲領域と軸方向に対向する。
高電圧電源部5により電極部34に高周波の高電圧が印加され、ワーク11が接地されるので、上記周囲領域と電極部34との間の隙間S3において誘電体バリア放電によりプラズマが発生する。
内部空間21Aにおけるガスを排気口21Bから外部へ排気することで、内部空間21Aは負圧となる。これにより、隙間S3におけるガスは、貫通孔端面11Caから貫通孔11C内へ引き込まれ、凹部11B、開口部211A、および内部空間21Aを介して排気口21Bから排気される。従って、発生したプラズマの活性種を貫通孔11Cに引き込むことで、貫通孔11Cの内壁面を処理することができる。このような本実施形態によっても、第1実施形態と同様な効果を奏することできる。
<その他>
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の趣旨の範囲内であれば、実施形態は種々の変形が可能である。
例えば、被処理物であるワークは、貫通孔のサイズに対して薄肉であるパイプであってもよい。
本発明は、例えば、ワークの貫通孔に付着した切削油のプラズマ処理に利用することができる。
1・・・ワーク、1A・・・貫通孔、1B・・・上端面、1Aa・・・貫通孔端面、2・・・保持部、2C・・・内部空間、2D・・・排気口、3・・・電極部、4・・・絶縁部、5・・・高電圧電源部、6・・・タイマー、7・・・イジェクタ、8・・・空気供給部、9・・・流量計、10・・・プラズマ処理装置、11・・・ワーク、11C・・・貫通孔、15・・・ガス送り込み部、21・・・保持部、21A・・・内部空間、21B・・・排気口、211・・・ワークホルダ、212・・・ハウジング、31~34・・・電極部、41~44・・・絶縁部、321・・・中空部、331・・・ガス流路、431・・・噴出口、R1・・・周囲領域、R1a・・・内縁、R1b・・・外縁、R11・・・第1領域、R12・・・第2領域、B1・・・境界、S1~S3・・・隙間、F1、F2・・・ガス流、C・・・中心軸

Claims (8)

  1. ワークの軸方向に延びる貫通孔をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
    電極部と、ガス流生成部と、を備え、
    前記電極部は、前記ワークの前記貫通孔端面の周囲に位置する周囲領域と軸方向に対向し、
    前記ガス流生成部は、前記周囲領域と前記電極部との間の隙間から前記貫通孔へ向けて流れるガス流を生成する、
    プラズマ処理装置。
  2. 前記周囲領域の外縁は、前記電極部の前記ワーク側端面の外縁を軸方向に投影した位置に配置され、
    前記貫通孔端面の縁と前記周囲領域の外縁との間に境界が位置し、
    前記境界と前記周囲領域の外縁との間の領域を第1領域とし、
    前記貫通孔端面と、前記貫通孔端面の縁と前記境界との間の領域と、を含む領域を第2領域とすると、
    前記第2領域と前記電極部の前記ワーク側端面との間の軸方向距離は、前記第1領域と前記電極部の前記ワーク側端面との間の軸方向距離よりも長い、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  3. 前記電極部は、軸方向に貫通する中空部を有し、
    前記電極部の前記ワーク側端面における前記中空部端面を、前記電極部と対向するワーク面に軸方向に投影した場合に、
    前記貫通孔端面は、軸方向から視て、投影した前記中空部端面により囲まれる、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記ワークを保持する保持部をさらに備え、
    前記ワークに対して前記電極部の位置する側を軸方向一方側とし、その反対側を軸方向他方側とすると、
    前記保持部の内部空間は、前記貫通孔の軸方向他方側端面と連通し、
    前記ガス流生成部は、前記内部空間におけるガスを排気する排気部を有する、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
  5. 前記保持部は、接地される金属部を有し、
    前記ワークは、前記金属部に接触可能である、請求項4に記載のプラズマ処理装置。
  6. 前記電極部は、ガス流路を有し、
    前記ガス流生成部は、前記ガス流路を介して前記貫通孔に対して所定のガスを送り込むガス送り込み部を有する、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
  7. 前記ガス送り込み部によって送り込まれるガスを前記貫通孔へ噴出する噴出口は、前記電極部と対向するワーク面に軸方向に投影した場合に、軸方向から視て前記貫通孔に囲まれる、請求項6に記載のプラズマ処理装置。
  8. 前記噴出口は、前記電極部の前記ワーク側に配置される絶縁部に設けられる、請求項7に記載のプラズマ処理装置。
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