JP7119477B2 - 樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7119477B2 JP7119477B2 JP2018055542A JP2018055542A JP7119477B2 JP 7119477 B2 JP7119477 B2 JP 7119477B2 JP 2018055542 A JP2018055542 A JP 2018055542A JP 2018055542 A JP2018055542 A JP 2018055542A JP 7119477 B2 JP7119477 B2 JP 7119477B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- resin
- boron nitride
- mass
- inorganic filler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
[1]樹脂(A)、窒化ホウ素(B)及び窒化ホウ素以外の無機フィラー(C)を含む樹脂組成物であって、窒化ホウ素(B)の比表面積が、10m2/g以上であり、無機フィラー(C)の粒子の体積積算値が90%の粒子径D90が、20μm以下である、樹脂組成物。
[2]無機フィラー(C)が、金属酸化物である、[1]に記載の樹脂組成物。
[3]樹脂(A)、窒化ホウ素(B)及び窒化ホウ素以外の無機フィラー(C)を含む樹脂組成物であって、無機フィラー(C)が金属酸化物であり、無機フィラー(C)の粒子の体積積算値が90%の粒子径D90が、20μm以下である、樹脂組成物。
[4]窒化ホウ素(B)の比表面積が、10m2/g以上である、[3]に記載の樹脂組成物。
[5]樹脂(A)が、エポキシ樹脂である、[1]~[4]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[6]更に、硬化剤(D)を含む、[1]~[5]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[7]更に、硬化促進剤(E)を含む、[1]~[6]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[8]25℃、せん断速度10s-1における粘度が、5000Pa・s以下である、[1]~[7]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[9]硬化物の熱伝導率が、2W/m・K以上である、[1]~[8]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[10]25℃、せん断速度10s-1におけるせん断粘度η(Pa・s)と硬化物の熱伝導率λ(W/m・K)との関係において、下記式(1)を満たす、[1]~[9]のいずれかに記載の樹脂組成物。
λ≧0.65×ln(η)-0.5 ・・・ (1)
[11]コンプレッション成形又はトランスファー成形に用いる、[1]~[10]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[12][1]~[10]のいずれかに記載の樹脂組成物を用い、コンプレッション成形又はトランスファー成形により、半導体チップを封止する工程を含む、半導体装置の製造方法。
[13][1]~[11]のいずれかに記載の樹脂組成物を含む、半導体装置。
本発明の樹脂組成物は、樹脂(A)、窒化ホウ素(B)及び窒化ホウ素以外の無機フィラー(C)を含む樹脂組成物であって、窒化ホウ素(B)の比表面積が、10m2/g以上であり、無機フィラー(C)の粒子の体積積算値が90%の粒子径D90が、20μm以下である。
また、本発明の樹脂組成物は、樹脂(A)、窒化ホウ素(B)及び窒化ホウ素以外の無機フィラー(C)を含む樹脂組成物であって、無機フィラー(C)が金属酸化物であり、無機フィラー(C)の粒子の体積積算値が90%の粒子径D90が、20μm以下である、樹脂組成物である。
樹脂(A)としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ポリエステル樹脂、アリル樹脂、アルキド樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂(A)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの樹脂(A)の中でも、コンプレッション成形やトランスファー成形に適用しやすいことから、熱硬化性樹脂が好ましく、樹脂組成物の硬化物の熱伝導率が高く、樹脂組成物の硬化物の弾性率が低く、樹脂組成物の硬化物の反り量が小さいことから、エポキシ樹脂が好ましい。
本明細書において、エポキシ樹脂のエポキシ当量は、ISO 3001に準拠して求めた値とする。
本明細書において、樹脂(A)及び樹脂組成物の25℃でのせん断粘度は、ISO 3104に準拠し、せん断速度を10s-1の条件で、円錐-平板形回転粘度計を用いて測定した値とする。円錐-平板形回転粘度計は、ISO 3219で定義されるE型粘度計とする。
窒化ホウ素(B)は、樹脂組成物の硬化物の高い熱伝導率の達成に寄与し、後述する無機フィラー(C)と併用することにより、樹脂組成物を成形して半導体チップを封止した際、高い熱伝導率と低い線膨張率の両立に寄与する。
凝集BN粒子の全細孔容積は、水銀圧入法にて測定するものとする。
本明細書において、球状とは、アスペクト比(長径と短径の比)が1~2であることをいい、1~1.5であることが好ましい。
本明細書において、凝集BN粒子のアスペクト比は、走査型電子顕微鏡で撮影された画像から200個以上の凝集BN粒子を任意に選択し、それぞれの長径と短径の比を求めて算出した平均値とする。
本明細書において、窒化ホウ素(B)の比表面積は、吸着ガスを窒素とし、BET1点法にて測定するものとする。
D50は、体積積算値が50%の粒子径を意味し、詳細には、測定に供した粉体の体積を100%として累積曲線を描かせた際に累積体積が50%となるときの粒子径を意味する。
D90は、体積積算値が90%の粒子径を意味し、詳細には、測定に供した粉体の体積を100%として累積曲線を描かせた際に累積体積が90%となるときの粒子径を意味する。
本発明の樹脂組成物は、樹脂組成物の硬化物の熱伝導率を高くすることができ、樹脂組成物の硬化物の線膨張係数を小さくすることができることから、無機フィラー(C)を含む。
本明細書において、無機フィラー(C)には、窒化ホウ素が含まれないものとする。
無機フィラー(C)は、カップリング剤により予め表面処理されたものを用いてもよい。
本明細書において、無機フィラー(C)の体積抵抗率は、ISO 2951に準拠して測定するものとする。
本発明の樹脂組成物は、樹脂組成物の成形加工性に優れることから、樹脂(A)、窒化ホウ素(B)、無機フィラー(C)以外に、硬化剤(D)を含むことが好ましい。
樹脂(A)がエポキシ樹脂を含む場合、硬化剤(D)は、エポキシ樹脂のエポキシ基間の架橋反応に寄与する化合物が好ましい。
本明細書において、エポキシ樹脂中のエポキシ基と硬化剤(D)中の官能基との当量比は、エポキシ樹脂の質量%をエポキシ当量にて除した値を、硬化剤の質量%の半分を硬化剤当量にて除した値で除することにより算出される。
本発明の樹脂組成物は、硬化温度を下げ、硬化時間を短くすることができることから、樹脂(A)、窒化ホウ素(B)、無機フィラー(C)以外に、硬化剤(D)と共に硬化促進剤(E)を含むことが好ましい。
本発明の樹脂組成物は、樹脂組成物の機能性の更なる向上を目的として、本発明の効果を損なわない範囲において、樹脂(A)、窒化ホウ素(B)、無機フィラー(C)、硬化剤(D)、硬化促進剤(E)以外に、他の成分を含んでもよい。
本発明の樹脂組成物は、樹脂(A)、窒化ホウ素(B)、無機フィラー(C)、必要に応じて、硬化剤(D)、硬化促進剤(E)及び他の成分をミキサー等により混練することで得られる。
これらの各成分の配合順序は、特に限定されない。
混練して得た樹脂組成物に添加剤を加え、塊状の混練物を得た後、これを粉砕し、グラニュール化することや、グラニュール化されたものを錠剤成形することにより、タブレット化することもできる。
樹脂組成物の25℃、せん断速度10s-1におけるせん断粘度は、5000Pa・s以下が好ましく、10Pa・s~4000Pa・sがより好ましく、100Pa・s~3000Pa・sが更に好ましい。樹脂組成物の25℃におけるせん断粘度が10Pa・s以上であると、樹脂組成物の成形品のバリが少なく、成形品の品質に優れる。また、樹脂組成物の25℃におけるせん断粘度が5000Pa・s以下であると、樹脂組成物の流動性に優れ、樹脂組成物の成形加工性に優れる。
本明細書において、樹脂組成物の硬化物の熱伝導率は、ISO 22007-3(温度波熱分析法)に準拠して測定した熱拡散率と、ISO 2781に準拠して測定した比重と、ISO 19628に準拠して測定した比熱との積により算出した値とする。
λ≧0.65×ln(η)-0.5 ・・・ (1)
本発明の樹脂組成物を硬化・成形することにより、硬化物や成形品を得ることができる。硬化・成形する方法は、硬化物や成形品の生産性に優れることから、コンプレッション成形、トランスファー成形が好ましい。
本発明の樹脂組成物は、硬化物の熱伝導率が高く、硬化物の弾性率が低く、硬化物の反り量が小さいので、放熱基板、放熱シート、高熱伝導性半導体封止材料、高熱伝導性アンダーフィル材料、電気電子機器の筐体等に好適に用いることができ、発熱密度の高い半導体装置から高効率で放熱することができ、内包する半導体素子の保護機能に優れることから、高熱伝導性半導体封止材料に特に好適に用いることができる。
本発明の半導体装置は、本発明の樹脂組成物の硬化物を含む。
本発明の半導体装置の製造方法は、本発明の樹脂組成物を硬化・成形する工程を含む。硬化・成形する方法は、硬化物や成形品の生産性に優れることから、コンプレッション成形、トランスファー成形が好ましい。
樹脂(A-1):「630LSD」(商品名、三菱ケミカル株式会社製、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、エポキシ当量96g/当量)
窒化ホウ素(B-1):後述する製造例1により製造した窒化ホウ素(凝集BN粒子、比表面積26.7m2/g、D50:6.8μm、D90:15.3μm)
窒化ホウ素(B-2):「RBN」(商品名、日新リフラテック株式会社製、比表面積9.7m2/g、D50:2.7μm、D90:7.4μm、厚み方向の熱伝導率3W/m・K、面内方向の熱伝導率275W/m・K)
無機フィラー(C-1):「A13-SI-C1」(商品名、アドマテックス株式会社製、酸化アルミニウム、D50:5.2μm、D90:14.2μm)
無機フィラー(C-2):「AC5250-SI」(商品名、アドマテックス株式会社製、酸化アルミニウム、D50:3.3μm、D90:9.3μm)
無機フィラー(C-3):「AX-3」(商品名、マイクロン株式会社製、D50:9.5μm、D90:23.4μm)
硬化剤(D-1):「jERキュア YH306」(商品名、三菱ケミカル株式会社製、3,4-ジメチル-6-(2-メチル-1-プロペニル)-4-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸無水物)
硬化促進剤(E-1):「jERキュア EMI24」(商品名、三菱ケミカル株式会社製、2-エチル-4(5)-メチルイミダゾール)
実施例・比較例で用いた窒化ホウ素(B)・無機フィラー(C)のD50及びD90を、ISO 13320に準拠し、レーザ回折式粒度分布測定装置(機種名「Shimadzu SALD-2200」、株式会社島津製作所製)を用いて測定した。
実施例・比較例で得られた樹脂組成物を、厳密に0.143cm3秤量し、円錐-平板形回転粘度計(機種名「MCR102」、アントン・パール社製)を用い、以下の条件で25℃におけるせん断粘度を測定した。
コーン・プレート:直径25mm、仰角2°のアルミニウム製
ギャップ:0.104mm
せん断速度:10s-1
実施例・比較例で得られた樹脂組成物を、ガラス基板上に載せた離型フィルム上に塗布し、型枠を介して、更に離型フィルム及びガラス基板を挟み、130℃で圧力1MPaで2時間プレスして、硬化・成形させ、膜厚500μmの樹脂組成物の硬化膜を得た。
得られた硬化膜について、以下の装置を用い、熱拡散率、比重、比熱を測定し、この3点の測定値を乗じることで、熱伝導率を算出した。
熱拡散率:熱伝導率測定装置(機種名「アイフェイズ・モバイル1u」、株式会社アイフェイズ製)
比重:天秤(機種名「天秤XS-204」、メトラー・トレド株式会社製、固体比重測定キット使用)
比熱:熱分析装置(機種名「DSC320/6200」、セイコーインスツル株式会社製)
前記せん断粘度η(Pa・s)と前記熱伝導率λ(W/m・K)との関係について、樹脂組成物の粘度の低さと樹脂組成物の硬化物の熱伝導率の高さの両者の特性のバランスに優れるか判断するため、下記式(1)を満たすものを「A」、下記式(1)を満たさないものを「B」とし、評価した。
λ≧0.65×ln(η)-0.5 ・・・ (1)
窒化ホウ素(商品名「ABN」、日新リフラテック株式会社製)100質量部、バインダー(商品名「タキセラムM160L」、多木化学株式会社製、固形分濃度21質量%)115質量部及び界面活性剤(アンモニウムラウリルサルフェート、花王株式会社製)2.5質量部に、ジルコニア性のセラミックボールを入れ、ポットミル回転台で1時間撹拌し、スラリーを得た。
得られたスラリーから、ディスク回転数20000rpm~23000rpm、乾燥温度80℃の条件で、スプレードライヤ(機種名「FOC-20」、大河原化工機株式会社製)を用いて造粒した。
造粒した窒化ホウ素を、23℃で真空引きをした後、窒素ガスを導入して復圧し、そのまま窒素ガスを導入しながら2000℃まで83℃/時で昇温し、2000℃到達後、そのまま窒素ガスを導入しながら5時間保持した。その後、23℃まで冷却し、窒化ホウ素(B-1)を得た。
150mLの撹拌容器に、樹脂(A-1)5.40質量%、硬化剤(D-1)6.52質量%及び硬化促進剤(E-1)0.06質量%を添加し、自公転撹拌機(機種名「ARV-310」、株式会社シンキー製)を用いて、2000rpmの条件で、5分間撹拌した。次いで、更に窒化ホウ素(B-1)10.88質量%、無機フィラー(C-1)46.28質量%及び無機フィラー(C-2)30.86質量%を添加し、自公転撹拌機(機種名「ARV-310」、株式会社シンキー製)を用いて、2000rpm、圧力1.2kPaの条件で、減圧脱泡しながら2分間撹拌し、樹脂組成物を得た。
得られた樹脂組成物の評価結果を、表1に示す。
配合成分・配合量を表1のように変更した以外は、実施例1と同様に操作を行い、樹脂組成物を得た。
得られた樹脂組成物の評価結果を、表1に示す。
図1からも分かるように、実施例1~9で得られた樹脂組成物は、粘度の低さと硬化物の熱伝導率の高さの両者の特性のバランスに優れた。一方、無機フィラー(C)を含まない比較例1~3、8~10、13~15で得られた樹脂組成物は、粘度の低さと硬化物の熱伝導率の高さの両者の特性のバランスに劣った。また、窒化ホウ素(B)を含まない比較例4~7で得られた樹脂組成物は、粘度の低さと硬化物の熱伝導率の高さの両者の特性のバランスに劣った。更に、窒化ホウ素(B)及び無機フィラー(C)含まない比較例11~12で得られた樹脂組成物は、粘度の低さと硬化物の熱伝導率の高さの両者の特性のバランスに劣った。
Claims (13)
- 樹脂(A)、窒化ホウ素(B)及び窒化ホウ素以外の無機フィラー(C)を含む樹脂組成物であって、窒化ホウ素(B)の比表面積が、10m2/g以上であり、無機フィラー(C)の粒子の体積積算値が90%の粒子径D90が、20μm以下であり、樹脂を溶解する溶媒を含まない、樹脂組成物。
- 無機フィラー(C)が、金属酸化物である、請求項1に記載の樹脂組成物。
- 窒化ホウ素(B)の粒子の体積積算値が50%の粒子径D 50 が、1μm~200μmである、請求項1又は2に記載の樹脂組成物。
- 窒化ホウ素(B)の粒子の体積積算値が90%の粒子径D 90 が、5μm~500μmである、請求項1~3のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 樹脂(A)が、エポキシ樹脂である、請求項1~4のいずれか1項に記載の樹脂組成物 。
- 更に、硬化剤(D)を含む、請求項1~5のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 更に、硬化促進剤(E)を含む、請求項1~6のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 25℃、せん断速度10s-1における粘度が、5000Pa・s以下である、請求項1~7のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 硬化物の熱伝導率が、2W/m・K以上である、請求項1~8のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 25℃、せん断速度10s-1におけるせん断粘度η(Pa・s)と硬化物の熱伝導率λ(W/m・K)との関係において、下記式(1)を満たす、請求項1~9のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
λ≧0.65×ln(η)-0.5 ・・・ (1) - コンプレッション成形又はトランスファー成形に用いる、請求項1~10のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 請求項1~10のいずれか1項に記載の樹脂組成物を用い、コンプレッション成形又はトランスファー成形により、半導体チップを封止する工程を含む、半導体装置の製造方法。
- 請求項1~11のいずれか1項に記載の樹脂組成物を含む、半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018055542A JP7119477B2 (ja) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018055542A JP7119477B2 (ja) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019167435A JP2019167435A (ja) | 2019-10-03 |
JP7119477B2 true JP7119477B2 (ja) | 2022-08-17 |
Family
ID=68106248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018055542A Active JP7119477B2 (ja) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7119477B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006117810A (ja) | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Sony Corp | 樹脂組成物、及びそれを用いて成形された成形品 |
JP2011225856A (ja) | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Toray Ind Inc | 電子機器用接着剤組成物およびそれを用いた電子機器用接着剤シート |
JP2016001685A (ja) | 2014-06-12 | 2016-01-07 | 日東電工株式会社 | 電子デバイス装置の製造方法 |
JP2017197648A (ja) | 2016-04-27 | 2017-11-02 | デンカ株式会社 | 回路基板用樹脂組成物とそれを用いた金属ベース回路基板 |
-
2018
- 2018-03-23 JP JP2018055542A patent/JP7119477B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006117810A (ja) | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Sony Corp | 樹脂組成物、及びそれを用いて成形された成形品 |
JP2011225856A (ja) | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Toray Ind Inc | 電子機器用接着剤組成物およびそれを用いた電子機器用接着剤シート |
JP2016001685A (ja) | 2014-06-12 | 2016-01-07 | 日東電工株式会社 | 電子デバイス装置の製造方法 |
JP2017197648A (ja) | 2016-04-27 | 2017-11-02 | デンカ株式会社 | 回路基板用樹脂組成物とそれを用いた金属ベース回路基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019167435A (ja) | 2019-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10125289B2 (en) | Composition for interlayer filler of layered semiconductor device, layered semiconductor device, and process for producing layered semiconductor device | |
JP2018138634A (ja) | 樹脂組成物および該樹脂組成物を用いた半導体装置 | |
JP6331575B2 (ja) | 積層型半導体装置の層間充填材用の組成物、積層型半導体装置、および積層型半導体装置の製造方法 | |
JP2011184650A (ja) | 電子部品封止用樹脂組成物およびそれを用いた電子部品装置 | |
WO2012070289A1 (ja) | 熱伝導性シート及びパワーモジュール | |
TW201723073A (zh) | 液狀環氧樹脂組成物 | |
JP6558671B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
WO2016060088A1 (ja) | 半導体デバイス用層間充填剤組成物及び半導体デバイスの製造法 | |
TWI543312B (zh) | Method for manufacturing parts for laminated bodies and power semiconductor modules | |
JP2016040383A (ja) | 電子部品封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた電子部品装置 | |
JP2013222889A (ja) | 三次元積層型半導体装置用の層間充填剤組成物およびその塗布液 | |
JP2017130676A (ja) | 三次元集積回路積層体 | |
JP2015183093A (ja) | 積層型半導体装置用の層間充填材に好適な組成物、積層型半導体装置、および積層型半導体装置の製造方法 | |
JP2016009814A (ja) | 半導体封止用樹脂シート及び樹脂封止型半導体装置 | |
JP2018039992A (ja) | 樹脂組成物および該樹脂組成物を用いた三次元積層型半導体装置 | |
JP2019167436A (ja) | 樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2013145840A (ja) | 三次元集積回路の層間充填層形成用塗布液、及び三次元集積回路の製造方法 | |
JP2012216836A (ja) | 三次元集積回路積層体 | |
JP7119477B2 (ja) | 樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5970859B2 (ja) | 三次元集積回路用の層間充填材組成物、塗布液及び三次元集積回路の製造方法 | |
JP2013119588A (ja) | 電子部品封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた電子部品装置 | |
TW201936876A (zh) | 密封用樹脂組成物 | |
WO2018150779A1 (ja) | 樹脂組成物、樹脂シート及び半導体装置並びに半導体装置の製造方法 | |
JP2017101140A (ja) | 樹脂組成物および該樹脂組成物からなる層を有する半導体装置 | |
JP2019167434A (ja) | 樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211130 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220328 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20220328 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220718 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7119477 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |