JP7118794B2 - 表示装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Description
第1走査線と、第2走査線と、信号線と、容量配線と、画素電極、前記画素電極と静電容量結合している補助電極、第1スイッチ、第2スイッチ、及び第3スイッチを有する画素と、を有する第1基板と、前記画素の一部を構成する共通電極を有する第2基板と、前記画素電極と前記共通電極との間の表示機能層と、を備え、前記第1スイッチは前記信号線と前記画素電極と前記第1走査線に電気的に接続され、前記第2スイッチは前記補助電極と前記第1走査線と前記容量配線に電気的に接続され、前記第3スイッチは前記信号線と前記第2走査線と前記補助電極に電気的に接続され、前記補助電極は、前記第1スイッチ、前記第2スイッチ、及び前記第3スイッチのそれぞれと対向している。
第1走査線と、第2走査線と、信号線と、容量配線と、画素電極、前記画素電極と静電容量結合している補助電極、前記補助電極に対向する第1スイッチ、前記補助電極に対向する第2スイッチ、及び前記補助電極に対向する第3スイッチを有する画素と、前記画素の一部を構成する共通電極と、表示機能層と、を備える表示装置の駆動方法において、前記第1スイッチ及び前記第2スイッチのそれぞれのオンオフを切り替えるために前記第1走査線に第1制御信号を与え、前記第3スイッチのオンオフを切り替えるために前記第2走査線に第2制御信号を与え、前記信号線に画像信号を与え、前記容量配線に補助信号を与え、第1駆動期間に、前記第1スイッチ及び前記第2スイッチをそれぞれオンし、前記第3スイッチをオフし、前記画像信号を前記信号線及び前記第1スイッチを介して前記画素電極に与え、前記容量配線及び前記第2スイッチを介して前記補助電極に前記補助信号を与え、前記第1駆動期間に続く第2駆動期間に、前記第1スイッチ及び前記第2スイッチをそれぞれオフし、前記第3スイッチをオンし、前記画像信号を前記信号線及び前記第3スイッチを介して前記補助電極に与え、前記共通電極にコモン電圧を与え、前記画素電極と前記共通電極との間に印加される電圧を前記表示機能層にかける。
以下に、本発明の一実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
図1に示すように、第1方向X及び第2方向Yは互いに交差する方向であり、第3方向Zは第1方向X及び第2方向Yと交差する方向である。第1方向Xは、行方向に相当し、第2方向Yは、列方向に相当している。一例では、第1方向X、第2方向Y、及び第3方向Zは、互いに直交しているが、互いに90度以外の角度で交差していてもよい。本明細書において、第3方向Zを示す矢印の先端に向かう方向を上方(あるいは、単に上)と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を下方(あるいは、単に下)と称する。
また、これに限らず複数の第1接続配線CW1は第1走査線Ga及び第2走査配線Gbと同一の材料で形成されても良く、さらには後述する容量配線Csと同一の材料で形成されても良い。
また、走査線駆動回路GD1,GD2、及び信号線駆動回路SD1,SD2,SD3は例えばドライバICであり、ドライバICの走査線駆動回路GD1,GD2,及び信号線駆動回路SD1,SD2,SD3は表示パネルPNLに実装される例に限らず、配線基板F1もしくは配線基板F2に実装される構造であっても良い。
光源ユニットLUは、表示領域DAの外側の非表示領域NDAに位置している。光源ユニットLUは、発光素子LS、配線基板F3などを備えている。発光素子LSは、配線基板F3に接続され、延出部EXの上に位置している。発光素子LSは、端部20Eと対向する発光部(発光面)EMを有している。発光部EMから出射された照明光は、後述するように、端部20Eに入射し、表示パネルPNLを伝播する。
図3に示すように、表示装置DSPは、図中に破線で示すコントローラCNTを備えている。コントローラCNTは、タイミングコントローラTC、走査線駆動回路GD1,GD2、信号線駆動回路SD1,SD2,SD3、Vcom回路VC、補助回路AC、光源ドライバLSDなどを含んでいる。
タイミングコントローラTCは、外部から入力された画像データや同期信号などに基づいて各種信号を生成する。一例では、タイミングコントローラTCは、画像データに基づき、所定の信号処理を行って生成した画像信号(例えば、映像信号)を信号線駆動回路SD1,SD2,SD3に出力する。また、タイミングコントローラTCは、同期信号に基づいて生成した制御信号を、走査線駆動回路GD1,GD2、信号線駆動回路SD1,SD2,SD3、Vcom回路VC、補助回路AC、光源ドライバLSDにそれぞれ出力する。タイミングコントローラTCの詳細については後述する。
なお、n本の容量配線Cs(Cs1~Csn)は、表示領域DAにて、それぞれ第1方向Xに延在し、第2方向Yに間隔を置いて並んでいる。
また、走査線駆動回路GD1,GD2はドライバICの例に限らず、第1基板SUB1上に形成されたゲート内蔵回路であっても良く、信号線駆動回路SDに接続されるセレクタ回路も第1基板SUB1上に形成された内蔵回路であっても良い。
また、光源ユニットLUは、上述のように第1色、第2色、第3色の発光素子LSを備えたカラー表示用に限らず、白色の発光素子のみを備え、モノクロ表示に用いるものであっても良い。
図4に示すように、画素PXは、画素電極PE、補助電極AE、第1スイッチSW1、第2スイッチSW2、第3スイッチSW3、及び共通電極CEを有している。
第1スイッチSW1は、第1ゲート電極GE1、第1電極E1、及び第2電極E2を有している。第1ゲート電極GE1は、第1走査線Gajに電気的に接続されている。第1電極E1は、信号線Siに接続されている。第2電極E2は、画素電極PEに電気的に接続されている。第1スイッチSW1のオンオフは、第1走査線Gajを介して与えられる第1制御信号Cajに基づいて切り替えられる。第1スイッチSW1がオンした状態、すなわち第1スイッチSW1を構成するTFTが導通状態に切り替わった状態にて、駆動部DRが信号線Siに画像信号Vsigを出力すると、画像信号Vsigは、信号線Si及び第1スイッチSW1を介して画素電極PEに与えられる。
第2方向Yに並んだ各列の複数の画素PXは、複数の信号線Sのうち、対応する一の信号線Sに共通して接続されている。例えば、i列目の複数の画素PXは、信号線Siに共通して接続されている。
図5に示すように、容量配線Csjは、平面視にて、第2走査線Gbjより第1走査線Gajの近傍に位置し、補助電極AEに距離を置いて位置している。第2方向Yにおいて、第1走査線Gajは、容量配線Csjと第2走査線Gbjとの間に位置している。本実施形態において、第2走査線Gbj-1、容量配線Csj、及び第1走査線Gajは、第2方向Yに間隔を置いて設けられている。また、第2走査線Gbj、容量配線Csj+1、及び第1走査線Gaj+1は、第2方向Yに間隔を置いて設けられている。
図6に示すように、第1基板SUB1は、透明基板10、絶縁層11,12,13,14,15,16、信号線S、補助電極AE、画素電極PE、及び配向膜AF1を備えている。透明基板10は、絶縁性を有する透明基板としてガラス基板を利用することができる。但し、透明基板10にガラス基板以外の基板を利用してもよい。例えば、透明基板10は樹脂基板であってもよい。
遮光層BMを設けることで表示装置の透明度は若干低下する可能性があるが、遮光層BMを設けることで表示のコントラストが向上する。ただし、遮光層BMについては、表示装置の透明度を向上させるために第2基板SUB2に遮光層BMを形成しない構造であっても良い。
図7に示すように、第1基板SUB1は、第1走査線Ga、第2走査線Gb、及び容量配線Csをさらに備えている。第1走査線Gaj,Gaj+1、及び第2走査線Gbj-1,Gbjは、絶縁層13の上に位置し、絶縁層14で覆われている。容量配線Csjは、絶縁層15の上に位置し、絶縁層16で覆われている。容量配線Cs及び補助電極AEは、絶縁層15と絶縁層16との間に位置し、互いに距離を置いて設けられている。
図8に示すように、第1基板SUB1は、遮光層SH3及び第3スイッチSW3をさらに備えている。遮光層SH3は、絶縁層11の上に位置し、絶縁層12で覆われている。遮光層SH3は、金属材料で形成されているが、黒色樹脂などの遮光材料で形成されていてもよい。
遮光層BMは、複数の第4遮光部BM4をさらに有している。各々の第4遮光部BM4は、第1遮光部BM1及び第2遮光部BM2とともに第3スイッチSW3と対向し、第1遮光部BM1及び第2遮光部BM2と一体に形成されている。
図9に示すように、第1基板SUB1は、遮光層SH1,SH2、第1スイッチSW1、第2スイッチSW2、及び接続電極ELをさらに備えている。遮光層SH1,SH2は、絶縁層11の上に位置し、絶縁層12で覆われている。遮光層SH1,SH2は、遮光層SH3と同一の材料で形成されている。遮光層SH1、SH2、及びSH3は、物理的に独立して位置し、電気的にフローティング状態にある。但し、遮光層SH1及びSH2は物理的に連続して形成されていてもよい。
遮光層BM,SH1,SH2,SH3は、第1半導体層SMC1、第2半導体層SMC2、及び第3半導体層SMC3を遮光しているため、第1半導体層SMC1、第2半導体層SMC2、及び第3半導体層SMC3に生じ得るリーク電流を小さくすることができる。
図10Aに示すように、液晶層30は、液晶性ポリマー31及び液晶性分子32を含んでいる。液晶性ポリマー31は、例えば、液晶性モノマーが配向膜AF1及びAF2の配向規制力によって所定の方向に配向した状態で高分子化されることによって得られる。液晶性分子32は、液晶性モノマー内に分散されており、液晶性モノマーが高分子化された際に、液晶性モノマーの配向方向に依存して所定の方向に配向される。なお、配向膜AF1及びAF2は、第1方向X及び第2方向Yによって規定されるX-Y平面に沿って液晶性モノマー及び液晶性分子32を配向させる水平配向膜であってもよいし、第3方向Zに沿って液晶性モノマー及び液晶性分子32を配向させる垂直配向膜であってもよい。
図10Bに示すように、上記の通り、液晶性ポリマー31の電界に対する応答性は、液晶性分子32の電界に対する応答性より低い。このため、液晶層30に上記の第2透明電圧及び後述する第1透明電圧の各々より高い電圧(後述の散乱電圧)が印加された状態では、液晶性ポリマー31の配向方向がほとんど変化しないのに対して、液晶性分子32の配向方向は電界に応じて変化する。つまり、図示したように、光軸Ax1は第3方向Zとほとんど平行であるのに対して、光軸Ax2は第3方向Zに対して傾斜している。このため、光軸Ax1及びAx2は、互いに交差する。したがって、第1方向X、第2方向Y、及び、第3方向Zを含むあらゆる方向において、液晶性ポリマー31と液晶性分子32との間に大きな屈折率差が生ずる。これにより、液晶層30に入射した光L1乃至L3は、液晶層30内で散乱される。図10Bに示した状態を『散乱状態』と称する。
上記駆動部DRは、液晶層30を透明状態及び散乱状態の少なくとも一方に切替える。
図11Aに示すように、発光素子LSから出射された照明光L11は、端部20Eから表示パネルPNLに入射し、透明基板20、液晶層30、透明基板10などを伝播する。液晶層30が透明状態である場合、照明光L11は、液晶層30でほとんど散乱されないため、透明基板10の下面10B及び透明基板20の上面20Tからほとんど漏れ出すことはない。
図11Bに示すように、発光素子LSから出射された照明光L21は、端部20Eから表示パネルPNLに入射し、透明基板20、液晶層30、透明基板10などを伝播する。図示した例では、画素電極PEαと共通電極CEとの間の液晶層30(画素電極PEαと共通電極CEとの間に印加される電圧が印加される液晶層)は透明状態であるため、照明光L21は、液晶層30のうち画素電極PEαと対向する領域でほとんど散乱されない。一方、画素電極PEβと共通電極CEとの間の液晶層30(画素電極PEβと共通電極CEとの間に印加される電圧が印加される液晶層)は散乱状態であるため、照明光L21は、液晶層30のうち画素電極PEβと対向する領域で散乱される。照明光L21のうち、一部の散乱光L211は上面20Tから外部に放出され、また、一部の散乱光L212は下面10Bから外部に放出される。
また、透明電圧VA(第1透明電圧VA1及び第2透明電圧VA2)は、図12に示した例と異なっていてもよい。例えば、上記第1透明電圧VA1は、散乱度が10%以上50%以下の範囲となる電圧であってもよい。また、上記第2透明電圧VA2は、散乱度が10%未満の範囲となる電圧であってもよい。
又は、駆動部DRは、1フレーム期間毎に、液晶層30に印加する電圧を正極性と負極性とで反転する1ライン反転駆動を行ってもよい。
又は、駆動部DRは、1フレーム期間毎に、液晶層30に印加する電圧を正極性と負極性とで反転するフレーム反転駆動を行ってもよい。
高耐圧の信号線駆動回路SDを使用できるなど、駆動部DR(信号線駆動回路SD、Vcom回路VCなど)が電圧耐久性に優れている場合、信号線駆動回路SDは0~+16Vの画像信号Vsigを出力し、Vcom回路VCはコモン電圧Vcomの電圧値を0~+16Vの範囲で切り替える。これにより、図12に示した電圧VLC(-16V~+16V)を液晶層30に与えることができる。
また、例えば、既存の信号線駆動回路SDでは電圧耐久性が不足する恐れがある。そのため、駆動部DRは電圧耐久性に優れている方が望ましい。
またさらに、高耐圧の信号線駆動回路SDを用意する場合、製造コストの高騰を招く恐れがある。そのため、駆動部DRに関する製造コストを低減できた方が望ましい。
また、本実施形態では、画像信号Vsigの電圧値及びコモン電圧Vcomの値を抑えることができるため、駆動部DRの耐圧を低く抑えることが可能である。
またさらに、高耐圧の信号線駆動回路SDを用意する場合と比較し、駆動部DRに関する製造コストを低減することができる。
コンデンサCOによるカップリング作用により、電位Ppは、変動し、16Vに設定される。
何れの場合でも、共通電極CEと画素電極PEとの間に、16Vの電圧が印加される。そして、液晶層30に、散乱度が100%となる散乱電圧VBが印加される。
図15に示すように、画像信号Vsig及び画素電極PEの電位Ppに関しては、階調の最小値(min)に相当する波形を示している。この図の例において、コモン電圧Vcom(補助信号AS)と、画像信号Vsigとは、1サブフレーム期間Psf毎に極性反転している。コモン電圧Vcom(補助信号AS)において、下限値は0Vであり、上限値は8Vである。画像信号Vsigの電圧値は4Vに固定している。
何れの場合でも、共通電極CEと画素電極PEとの間に、8Vの電圧が印加される。そして、液晶層30に、散乱度が0~10%となる第1透明電圧VA1が印加される。したがって、画像信号Vsigを階調の最小値とした場合であっても、表示パネルPNLに入射する外部光は僅かに散乱され、表示パネルPNLの背景の視認性が低下し得る場合がある。
このため、後述するが、画素電極PEと共通電極CEとの間の電圧を例えば階調の下限値よりも小さくする透明走査(後述するリセット期間における走査)を画像表示のシーケンスに取り入れることで、表示パネルPNLの背景の視認性を向上させることができる。
図16Aに示すように、図14及び図15の例と同じく、コモン電圧Vcomは、1サブフレーム期間Psf毎に0Vと8Vとに交互に切替っている。透明走査においては、サブフレーム期間Psf毎に、画像信号Vsigは、コモン電圧Vcomと一致している(Vsig=Vcom=0V又はVsig=Vcom=0V)。
図16Bに示すように、この例では、透明走査において、コモン電圧Vcom及び画像信号Vsigの極性反転が停止されている。さらに、コモン電圧Vcom及び画像信号Vsigが4Vで一致している。なお、コモン電圧Vcom及び画像信号Vsigは、0Vなど、4V以外の電圧で一致してもよい。
画素PX(j,i)に注目すると、駆動部DRによって出力された画像信号Vsigは信号線Si及び画素PX(j,i)の第1スイッチSW1を介して画素電極PE(j,i)に与えられ、駆動部DRによって出力された補助信号ASjは容量配線Csj及び画素PX(j,i)の第2スイッチSW2を介して補助電極AE(j,i)に与えられる。つまり、画素電極PE(j,i)の電位Pp(j,i)は+8Vになり、補助電極AE(j,i)の電位Pa(j,i)は0Vになる。
その後、駆動部DRは第1制御信号Cajの電圧をLレベルにシフトする。これにより、j行目の全ての画素PXの第1スイッチSW1、第2スイッチSW2、及び第3スイッチSW3はオフとなる。
画素PX(j,i)に注目すると、駆動部DRによって出力された画像信号Vsigは信号線Si及び画素PX(j,i)の第3スイッチSW3を介して補助電極AE(j,i)に与えられる。つまり、補助電極AE(j,i)の電位Pa(j,i)は0Vから+8Vに変化する。すると、画素電極PE(j,i)と補助電極AE(j,i)との間のカップリング作用により、画素電極PE(j,i)の電位Pp(j,i)は+8Vから+16Vに遷移する。
その後、駆動部DRは第2制御信号Cbjの電圧をLレベルにシフトする。すると、j行目の全ての画素PXの第1スイッチSW1、第2スイッチSW2、及び第3スイッチSW3はオフとなる。なお、図示した例のように、水平走査期間Hjの先頭、第1駆動期間Pd1と第2駆動期間Pd2との間、及び水平走査期間Hjの後尾にマージン期間があってもよい。
水平走査期間Hjを含むサブフレーム期間Psfにおいて、駆動部DRはコモン電圧Vcom及び補助信号ASjに+8Vの電圧を与える。水平走査期間Hjにおいて、駆動部DRは0Vの画像信号Vsigなどを出力する。
図20に示すように、タイミングコントローラTCは、タイミング生成部50、フレームメモリ51、ラインメモリ52R、52G、52B、データ変換部53、光源制御部54、アドレス検出部である検出部55などを備えている。
図21に示すように、ユーザは、背景のうちF山を表示装置DSP越しにみているものとする。この場合、表示領域DAに「Mount F」の文字列の画像CRを単に表示した場合、画像CRが背景のF山に重なり、ユーザは画像CRを視認(識別)し難くなる恐れがある。そこで、本実施形態では、画像CRが背景のF山に重なる場合においても、ユーザが画像CRを視認し易くなる技術を提供するものである。又は、背景の影響をユーザが受け難くなる技術を提供するものである。
この例では、表示領域DAは、書換え領域RAより端部En1側の非書換え領域NRA1と、書換え領域RAより端部En2側の非書換え領域NRA2と、を有している。上記のように、書換え領域RAの画素には散乱電圧VB又は第1透明電圧VA1が与えられ、非書換え領域NRA1,NRA2の画素には第2透明電圧VA2が与えられる。
また、上記散乱電圧VBが印加された場合に液晶層30を透過する光の散乱度は、上記第1透明電圧VA1が印加された場合に液晶層30を透過する光の散乱度より高い。上記第1透明電圧VA1が印加された場合に液晶層30を透過する光の散乱度は、上記第2透明電圧VA2が印加された場合に液晶層30を透過する光の散乱度より高い。
一方、第3液晶層30Cを通る光の平行度は、第1液晶層30A及び第2液晶層30Bのそれぞれを通る光の平行度より高い。第3液晶層30Cは第2透明状態となる。このため、表示パネルPNL越しに背景をみた場合、非書換え領域NRAにおける背景の視認性が最も良好となる。
また、第2液晶層30Bも第1透明状態となる。但し、第2液晶層30Bを透過する光の散乱度は、第3液晶層30Cを透過する光の散乱度より高い。表示パネルPNL越しに背景をみた場合、非対象領域NOAにおいては背景をぼかすことができ、非対象領域NOAにおける背景の視認性を低下させることができるため、ユーザは画像CRを視認し易くなる。
図24に示すように、1フレームの開始時に、垂直同期信号Vsyncが立ち下がる。すなわち、この例では、垂直同期信号Vsyncが立ち下がってから、再び立ち下がるまでの時間がフレーム期間(1フレーム期間)Pfに相当する。例えば60Hzで表示装置DSPを駆動する場合、フレーム期間Pfは約16.7msである。
リセット期間Prにおいて各信号線S1~Smに与える画像信号Vsigは、各画素PXに書き込まれる電圧が第2透明電圧VA2となる値であれば、コモン電圧Vcomと同じである必要はない。透明駆動におけるコモン電圧Vcomと画像信号Vsigについては、図16A及び図16Bを用いて説明した種々の態様を適用し得る。
このような動作により、各画素PXの画素電極PEと共通電極CEとの間に、赤色のサブフレームデータに応じた電圧が書き込まれる。
図21乃至図24に示すように、上記駆動部DRは、リセット期間Prに、第1液晶層30A、第2液晶層30B、及び第3液晶層30Cにそれぞれ第2透明電圧VA2を印加し、光源ユニットLUを液晶層30に光を照射しない消灯状態に切替える。上記駆動部DRは、第1サブフレーム期間PsfR、第2サブフレーム期間PsfG、及び第3サブフレーム期間PsfBの全ての期間に、第2液晶層30Bに第1透明電圧VA1を印加し、第3液晶層30Cに第2透明電圧VA2が印加されている状態に保持する。上記駆動部DRは、第1サブフレーム期間PsfR、第2サブフレーム期間PsfG、及び第3サブフレーム期間PsfBの一以上のサブフレーム期間に、第1液晶層30Aに散乱電圧VBを印加する。
図21乃至図24に示すように、散乱電圧VBは、正極性の散乱電圧と、負極性の散乱電圧と、を有している(図14)。正極性の散乱電圧とは、例えば8~16Vであり、負極性の散乱電圧とは例えば-16~-8Vである。対象領域OAに画像CRを表示する際、上記駆動部DRは、1フレーム期間Pf毎に、正極性の散乱電圧VBと負極性の散乱電圧VBとを第1液晶層30Aに交互に印加する。この際、上記駆動部DRは、1フレーム期間Pf毎に、正極性の第1透明電圧VA1と負極性の第1透明電圧VA1とを第2液晶層30Bに交互に印加する。この際、上記駆動部DRは、各フレーム期間Pfに、第2透明電圧VA2を第3液晶層30Cに印加する。
また、本実施形態では、電圧耐久性に優れた表示装置DSP及び表示装置DSPの駆動方法を得ることができる。さらに、本実施形態では、駆動部DRの製造コストの高騰を抑制することが可能な表示装置DSP及び表示装置DSPの駆動方法を得ることができる。
次に、上記実施形態の変形例1に係る表示装置DSP及び表示装置DSPの駆動方法について説明する。図25は、上記実施形態の変形例1に係る表示装置DSPの主要な構成要素を示す図である。
本変形例1であっても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。本変形例1の構成であれば、信号線駆動回路SDに透明走査のための電圧(例えばコモン電圧Vcom)を供給するための回路等を設ける必要が無い。
次に、上記実施形態の変形例2に係る表示装置DSPについて説明する。図27は、上記実施形態の変形例2に係る表示装置DSPの第1基板SUB1の一部を示す平面図であり、上記画素PXを示す図である。本変形例2と上記実施形態とを比較した場合、(1)容量配線Csが延在する方向、(2)スイッチSW1,SW2,SW3(TFT)のチャネル幅、(3)コンデンサCOの容量サイズ、及び(4)スイッチSW1,SW2,SW3の配置に関して、上記実施形態と相違している。
図27に示すように、変形例2において、容量配線Csは、第2方向Yに延在し、信号線Sと対向している。容量配線Csは、第3電極E3と電気的に接続するため、第1方向Xに突出した突出部Csbを有している。例えば、容量配線Csj-1は、信号線Siと対向し、信号線Siに沿って延在している。容量配線Csjは、信号線Si+1と対向し、信号線Si+1に沿って延在している。容量配線Csjの突出部Csjbは、接続電極ELと対向し、接続電極ELを介して第3電極E3に電気的に接続されている。
なお、変形例2では、上記実施形態と比較し信号線Sの負荷が増大することになるが、走査線Gの負荷の増大を招く場合より優位である。また、信号線Sの負荷が増大する場合であっても、信号線Sの電気抵抗値が小さくなるように、材料などを調整して信号線Sを形成することにより、信号線Sの負荷の悪影響を及び難くすることができる。
変形例2のスイッチSW1,SW2,SW3(TFT)のチャネル幅は、上記実施形態のスイッチSW1,SW2,SW3(TFT)のチャネル幅と比較して小さい。スイッチSW1,SW2,SW3(TFT)のチャネル領域の面積を小さくすることができる。そのため、上記実施形態と比較し、変形例2のスイッチSW1,SW2,SW3(TFT)は、信号(電圧)の書込みにかかる時間を短くすることができる。また、本変形例2では、スイッチSW1,SW2,SW3の小型化を図ることができるため、画素PXの開口面積の向上に寄与することができる。
補助電極AEのサイズは画素電極PEのサイズより小さい。補助電極AEは画素電極PEよりも内側に形成されている。本変形例2において、補助電極AEは、第1スイッチSW1と対向しておらず、第2スイッチSW2のうち第4電極E4の一部と対向し、第3スイッチSW3のうち第6電極E6と対向している。そのため、補助電極AEの形状は、四角形ではなく、四角形を部分的に変形した形状である。例えば、第1スイッチSW1と対向する領域において、補助電極AEは、四角形の一部を部分的に凹ませて形成されている。補助電極AEを第6電極E6に対向させるため、補助電極AEは、四角形の一部を部分的に突出させて形成されている。また、補助電極AEの主要部は四角形に限らず、多角形や円形などの非矩形状であってもよく、補助電極AEの主要部が多角形や非矩形状であってもその一部分を突出させて第2スイッチSW2及び第3スイッチSW3に接続させることも可能である。
スイッチSW1,SW2,SW3は、画素PXの四隅にばらばらに配置されている。本変形例2において、第1スイッチSW1は、画素PXの左上隅に配置されている。第2スイッチSW2は、画素PXの右上隅に配置されている。第3スイッチSW3は、画素PXの左下隅に配置されている。なお、図5に示す本実施形態のように、第1スイッチと第2スイッチが左上隅に隣り合っている場合は画素PX内にて透過率の高い領域と低い領域とができてしまい、表示装置全体として見た際に第1スイッチと第2スイッチとが隣り合う領域が視認者にドットパターンとして見えてしまうことや、散乱状態の見栄えを損ねる可能性があり得る。本変形例2にあるようにスイッチSW1,SW2,SW3を画素PXの四隅にばらばらに配置することにより、スイッチによる非透過領域の塊を分散させることで視認者に見えにくくするとともに散乱状態の見栄えを損ねる可能性を無くすことができる。
本変形例2においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
次に、上記実施形態の変形例3に係る表示装置DSPについて説明する。図32は、上記実施形態の変形例3に係る表示装置DSPの第1基板SUB1の一部を示す平面図であり、上記画素PXを示す図である。本変形例3と上記変形例2とを比較した場合、(2)スイッチSW1,SW2,SW3(TFT)のチャネル幅、(3)コンデンサCOの容量サイズ、及び(4)スイッチSW1,SW2,SW3の配置に関して、上記変形例2と同様である。しかしながら、(1)容量配線Csが延在する方向、及び(5)スイッチSW1,SW2,SW3の向きに関して、上記変形例2と相違している。
図32に示すように、変形例3において、容量配線Csは、上記実施形態(図5)と同様、第1方向Xに延在している。
第1スイッチSW1において、第1半導体層SMC1は第2方向Yに延在し、第1ゲート電極GE1は第1方向Xに延在し第1半導体層SMC1と交差している。信号線Sは、第1半導体層SMC1と電気的に接続するため、第1方向Xに突出した突出部Sbを有している。例えば、信号線Siの突出部Sibは、第1電極E1であり、第1半導体層SMC1と対向し、第1半導体層SMC1に電気的に接続されている。
補助電極AEは、第1スイッチSW1と対向しておらず、第2スイッチSW2のうち第4電極E4と対向し、第3スイッチSW3のうち第6電極E6と対向している。本変形例3においても、補助電極AEの形状は、四角形ではなく、四角形を部分的に変形した形状である。例えば、補助電極AEを第4電極E4に対向させるため、補助電極AEは、四角形の一部を部分的に第1方向Xに突出させて形成されている。さらに、補助電極AEを第6電極E6に対向させるため、補助電極AEは、四角形の一部を部分的に第1方向Xに突出させて形成されている。
本変形例3においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
次に、上記実施形態の変形例4に係る表示装置DSPについて説明する。図37は、上記実施形態の変形例4に係る表示装置DSPの第1基板SUB1の一部を示す平面図であり、上記画素PXを示す図である。本変形例4と上記変形例3とを比較した場合、(1)容量配線Csが延在する方向、(2)スイッチSW1,SW2,SW3(TFT)のチャネル幅、(3)コンデンサCOの容量サイズ、及び(4)スイッチSW1,SW2,SW3の配置に関して、上記変形例3と同様である。しかしながら、(5)第3スイッチSW3の向きに関して、上記変形例3と相違している。
図37に示すように、第3スイッチSW3において、第3半導体層SMC3は第1方向Xに延在し、第3ゲート電極GE3は第2方向Yに延在し第3半導体層SMC3と交差している。なお、本変形例4では、第3半導体層SMC3と、隣の画素PXの第1半導体層SMC1との絶縁距離は、十分に確保されている。そのため、第1半導体層SMC1の形状は、上記変形例3の第1半導体層SMC1の形状と相違している。
本変形例4においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1]第1走査線と、
第2走査線と、
信号線と、
容量配線と、
画素電極、前記画素電極と静電容量結合している補助電極、第1スイッチ、第2スイッチ、及び第3スイッチを有する画素と、を備え、
前記第1スイッチは前記信号線と前記画素電極と前記第1走査線に電気的に接続され、
前記第2スイッチは前記補助電極と前記第1走査線と前記容量配線に電気的に接続され、
前記第3スイッチは前記信号線と前記第2走査線と前記補助電極に電気的に接続される、
表示装置。
[2]前記第1スイッチ及び前記第2スイッチのそれぞれのオンオフを切り替えるために前記第1走査線に第1制御信号を与え、前記第3スイッチのオンオフを切り替えるために前記第2走査線に第2制御信号を与え、前記信号線に画像信号を与え、前記容量配線に補助信号を与える駆動部と、をさらに備え、
前記駆動部は、
第1駆動期間に、前記第1スイッチ及び前記第2スイッチをそれぞれオンし、前記第3スイッチをオフし、前記画像信号を前記信号線及び前記第1スイッチを介して前記画素電極に与え、前記容量配線及び前記第2スイッチを介して前記補助電極に前記補助信号を与え、
前記第1駆動期間に続く第2駆動期間に、前記第1スイッチ及び前記第2スイッチをそれぞれオフし、前記第3スイッチをオンし、前記画像信号を前記信号線及び前記第3スイッチを介して前記補助電極に与える、
[1]に記載の表示装置。
[3]前記駆動部は、前記第2駆動期間に、
前記画像信号の電圧値が前記補助信号の電圧値と異なる場合、前記画素電極の電位を変動させ、
前記画像信号の電圧値が前記補助信号の電圧値と同一である場合、前記画素電極の電位を変動させない、
[2]に記載の表示装置。
[4]前記補助電極は、前記第1スイッチ、前記第2スイッチ、及び前記第3スイッチのそれぞれと対向している、
[1]乃至[3]の何れか1に記載の表示装置。
[5]前記補助電極は、前記画素電極と、前記第1スイッチ、前記第2スイッチ、及び前記第3スイッチを含むスイッチ群と、の間に位置している、
[1]乃至[4]の何れか1に記載の表示装置。
[6]前記第1走査線、前記第2走査線、及び前記容量配線は、第1方向に延在し、
前記信号線は、前記第1方向に交差する第2方向に延在し、
前記第1スイッチ、前記第2スイッチ、及び前記第3スイッチは、平面視にて、前記第1走査線と前記第2走査線との間に位置し、前記補助電極と対向し、
前記容量配線は、平面視にて、前記第2走査線より前記第1走査線の近傍に位置し、前記補助電極に距離を置いて位置している、
[1]に記載の表示装置。
[7]絶縁層と、
前記絶縁層の上に位置する他の絶縁層と、をさらに備え、
前記容量配線及び前記補助電極は、前記絶縁層と前記他の絶縁層との間に位置している、
[6]に記載の表示装置。
[8]前記画素の一部を構成する共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極との間に印加される電圧がかかる表示機能層と、をさらに備え、
前記駆動部は、前記共通電極にコモン電圧を与える、
[2]に記載の表示装置。
[9]前記第1走査線、前記第2走査線、前記信号線、前記容量配線、前記画素電極、前記補助電極、前記第1スイッチ、前記第2スイッチ、前記第3スイッチ、を有する第1基板と、
前記共通電極を有する第2基板と、をさらに備え、
前記表示機能層は、リバース型高分子分散液晶を利用した液晶層である、
[8]に記載の表示装置。
[10]1フレーム期間は連続する複数のサブフレーム期間を有し、
前記駆動部は、1サブフレーム期間毎に、前記画素電極に正極性の前記画像信号と負極性の前記画像信号とを交互に与え、前記コモン電圧の極性を前記画像信号の極性と異なる極性に設定する、
[9]に記載の表示装置。
[11]前記補助信号の電圧値は、前記コモン電圧の値と同一である、
[8]乃至[10]の何れか1に記載の表示装置。
[12]前記第1スイッチは、薄膜トランジスタで形成され、前記第1走査線に電気的に接続された第1ゲート電極と、前記第1ゲート電極と対向した第1チャネル領域、前記信号線に電気的に接続され前記第1チャネル領域より低抵抗である第1低抵抗領域、及び前記画素電極に電気的に接続され前記第1チャネル領域より低抵抗である第2低抵抗領域を有する第1半導体層であって、前記第1チャネル領域は前記第1低抵抗領域と前記第2低抵抗領域との間に位置している前記第1半導体層と、を備え、
前記第2スイッチは、薄膜トランジスタで形成され、前記第1走査線に電気的に接続された第2ゲート電極と、前記第2ゲート電極と対向した第2チャネル領域、前記容量配線に電気的に接続され前記第2チャネル領域より低抵抗である第3低抵抗領域、及び前記補助電極に電気的に接続され前記第2チャネル領域より低抵抗である第4低抵抗領域を有する第2半導体層であって、前記第2チャネル領域は前記第3低抵抗領域と前記第4低抵抗領域との間に位置している前記第2半導体層と、を備え、
前記第3スイッチは、薄膜トランジスタで形成され、前記第2走査線に電気的に接続された第3ゲート電極と、前記第3ゲート電極と対向した第3チャネル領域、前記信号線に電気的に接続され前記第3チャネル領域より低抵抗である第5低抵抗領域、及び前記補助電極に電気的に接続され前記第3チャネル領域より低抵抗である第6低抵抗領域を有する第3半導体層であって、前記第3チャネル領域は前記第5低抵抗領域と前記第6低抵抗領域との間に位置している前記第3半導体層と、を備える、
[1]に記載の表示装置。
[13]第1方向に延在した複数の第1走査線と、
前記第1方向に延在した複数の第2走査線と、
前記第1方向に交差する第2方向に延在した複数の信号線と、
前記第1方向に延在した複数の容量配線と、
前記第1方向及び前記第2方向にマトリクス状に設けられた複数の画素であって、各々の前記画素は、画素電極、前記画素電極と静電容量結合している補助電極、第1スイッチ、第2スイッチ、及び第3スイッチを有する、前記複数の画素と、
前記第1スイッチ及び前記第2スイッチのそれぞれのオンオフを切り替えるために前記複数の第1走査線に第1制御信号を順に与え、前記第3スイッチのオンオフを切り替えるために前記複数の第2走査線に第2制御信号を順に与え、前記複数の信号線に画像信号を与え、前記複数の容量配線に補助信号を与える駆動部と、を備え、
前記第1方向に並んだ各行の複数の画素は、前記複数の第1走査線、前記複数の第2走査線、及び前記複数の容量配線のうち、対応する一の第1走査線、対応する一の第2走査線、及び対応する一の容量配線に共通して接続され、
前記第2方向に並んだ各列の複数の画素は、前記複数の信号線のうち、対応する一の信号線に共通して接続され、
前記駆動部は、
1水平走査期間の第1駆動期間に、一行の全ての画素の前記第1スイッチ及び前記第2スイッチをオンし前記第3スイッチをオフし、前記画像信号を前記複数の信号線及び前記複数の第1スイッチを介して前記一行の全ての画素の前記画素電極に与え、前記対応する一の容量配線及び前記複数の第2スイッチを介して前記一行の全ての画素の補助電極に前記補助信号を与え、
前記1水平走査期間のうち前記第1駆動期間に続く第2駆動期間に、前記一行の全ての画素の前記第1スイッチ及び前記第2スイッチをオフし前記第3スイッチをオンし、前記画像信号を前記複数の信号線及び前記複数の第3スイッチを介して前記一行の全ての画素の補助電極に与える、
表示装置。
[14]第1走査線と、第2走査線と、信号線と、容量配線と、画素電極、前記画素電極と静電容量結合している補助電極、第1スイッチ、第2スイッチ、及び第3スイッチを有する画素と、を備える表示装置の駆動方法において、
前記第1スイッチ及び前記第2スイッチのそれぞれのオンオフを切り替えるために前記第1走査線に第1制御信号を与え、
前記第3スイッチのオンオフを切り替えるために前記第2走査線に第2制御信号を与え、
前記信号線に画像信号を与え、
前記容量配線に補助信号を与え、
第1駆動期間に、前記第1スイッチ及び前記第2スイッチをそれぞれオンし、前記第3スイッチをオフし、前記画像信号を前記信号線及び前記第1スイッチを介して前記画素電極に与え、前記容量配線及び前記第2スイッチを介して前記補助電極に前記補助信号を与え、
前記第1駆動期間に続く第2駆動期間に、前記第1スイッチ及び前記第2スイッチをそれぞれオフし、前記第3スイッチをオンし、前記画像信号を前記信号線及び前記第3スイッチを介して前記補助電極に与える、
表示装置の駆動方法。
[15]前記第2駆動期間に、
前記画像信号の電圧値が前記補助信号の電圧値と異なる場合、前記画素電極の電位を変動させ、
前記画像信号の電圧値が前記補助信号の電圧値と同一である場合、前記画素電極の電位を変動させない、
[14]に記載の表示装置の駆動方法。
[16]前記画素の一部を構成する共通電極と、表示機能層と、をさらに備える前記表示装置の駆動方法において、
前記共通電極にコモン電圧を与え、前記画素電極と前記共通電極との間に印加される電圧を前記表示機能層にかける、
[14]に記載の表示装置の駆動方法。
[17]1フレーム期間は連続する複数のサブフレーム期間を有し、
1サブフレーム期間毎に、
前記画素電極に正極性の前記画像信号と負極性の前記画像信号とを交互に与え、
前記コモン電圧の極性を前記画像信号の極性と異なる極性に設定する、
[16]に記載の表示装置の駆動方法。
[18]前記補助信号の電圧値は、前記コモン電圧の値と同一である、
[16]又は[17]に記載の表示装置の駆動方法。
11,12,13,14,15,16…絶縁層、CH1,CH2,CH3,CH4,CH5,CH6…コンタクトホール、CN1,CN2,CN3…コンタクトホール、
PX…画素、Ga…第1走査線、Gb…第2走査線、Cs…容量配線、S…信号線、
PE…画素電極、AE…補助電極、SW1,SW2,SW3…スイッチ、
GE1,GE2,GE3…ゲート電極、E1,E2,E3,E4,E5,E6…電極、
SMC1,SMC2,SMC3…半導体層、RC1,RC2,RC3…チャネル領域、
R1,R2,R3,R4,R5,R6…低抵抗領域、CO…コンデンサ、
SUB2…第2基板、20…透明基板、CE…共通電極、BM…遮光層、30…液晶層、
LU…光源ユニット、LS…発光素子、DR…駆動部、GD…走査線駆動回路、
SD…信号線駆動回路、Pf…フレーム期間、Psf…サブフレーム期間、
H…水平走査期間、Pd1,Pd2…駆動期間、Vsig…画像信号、
Vcom…コモン電圧、AS…補助信号、Ca,Cb…制御信号、VB…散乱電圧、
VA1…第1透明電圧、VA2…第2透明電圧、Pp,Pa…電位、
DA…表示領域、NDA…非表示領域、X…第1方向、Y…第2方向、Z…第3方向。
Claims (16)
- 第1走査線と、
第2走査線と、
信号線と、
容量配線と、
画素電極、前記画素電極と静電容量結合している補助電極、第1スイッチ、第2スイッチ、及び第3スイッチを有する画素と、
を有する第1基板と、
前記画素の一部を構成する共通電極を有する第2基板と、
前記画素電極と前記共通電極との間の表示機能層と、を備え、
前記第1スイッチは前記信号線と前記画素電極と前記第1走査線に電気的に接続され、
前記第2スイッチは前記補助電極と前記第1走査線と前記容量配線に電気的に接続され、
前記第3スイッチは前記信号線と前記第2走査線と前記補助電極に電気的に接続され、
前記補助電極は、前記第1スイッチ、前記第2スイッチ、及び前記第3スイッチのそれぞれと対向している、
表示装置。 - 前記第1スイッチ及び前記第2スイッチのそれぞれのオンオフを切り替えるために前記第1走査線に第1制御信号を与え、前記第3スイッチのオンオフを切り替えるために前記第2走査線に第2制御信号を与え、前記信号線に画像信号を与え、前記容量配線に補助信号を与える駆動部と、をさらに備え、
前記駆動部は、
第1駆動期間に、前記第1スイッチ及び前記第2スイッチをそれぞれオンし、前記第3スイッチをオフし、前記画像信号を前記信号線及び前記第1スイッチを介して前記画素電極に与え、前記容量配線及び前記第2スイッチを介して前記補助電極に前記補助信号を与え、
前記第1駆動期間に続く第2駆動期間に、前記第1スイッチ及び前記第2スイッチをそれぞれオフし、前記第3スイッチをオンし、前記画像信号を前記信号線及び前記第3スイッチを介して前記補助電極に与える、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記駆動部は、前記第2駆動期間に、
前記画像信号の電圧値が前記補助信号の電圧値と異なる場合、前記画素電極の電位を変動させ、
前記画像信号の電圧値が前記補助信号の電圧値と同一である場合、前記画素電極の電位を変動させない、
請求項2に記載の表示装置。 - 前記補助電極は、前記画素電極と、前記第1スイッチ、前記第2スイッチ、及び前記第3スイッチを含むスイッチ群と、の間に位置している、
請求項1乃至3の何れか1項に記載の表示装置。 - 前記第1走査線、前記第2走査線、及び前記容量配線は、第1方向に延在し、
前記信号線は、前記第1方向に交差する第2方向に延在し、
前記第1スイッチ、前記第2スイッチ、及び前記第3スイッチは、平面視にて、前記第1走査線と前記第2走査線との間に位置し、前記補助電極と対向し、
前記容量配線は、平面視にて、前記第2走査線より前記第1走査線の近傍に位置し、前記補助電極に距離を置いて位置している、
請求項1に記載の表示装置。 - 前記第1基板は、
絶縁層と、
前記絶縁層の上に位置する他の絶縁層と、をさらに備え、
前記容量配線及び前記補助電極は、前記絶縁層と前記他の絶縁層との間に位置している、
請求項5に記載の表示装置。 - 前記第1基板は、前記画素を含む複数の画素をさらに有し、
前記共通電極は、前記複数の画素で共用され、
前記駆動部は、前記共通電極にコモン電圧を与える、
請求項2に記載の表示装置。 - 前記表示機能層は、リバース型高分子分散液晶を利用した液晶層である、
請求項7に記載の表示装置。 - 1フレーム期間は連続する複数のサブフレーム期間を有し、
前記駆動部は、1サブフレーム期間毎に、前記画素電極に正極性の前記画像信号と負極性の前記画像信号とを交互に与え、前記コモン電圧の極性を前記画像信号の極性と異なる極性に設定する、
請求項8に記載の表示装置。 - 前記補助信号の電圧値は、前記コモン電圧の値と同一である、
請求項7乃至9の何れか1項に記載の表示装置。 - 前記第1スイッチは、薄膜トランジスタで形成され、前記第1走査線に電気的に接続された第1ゲート電極と、前記第1ゲート電極と対向した第1チャネル領域、前記信号線に電気的に接続され前記第1チャネル領域より低抵抗である第1低抵抗領域、及び前記画素電極に電気的に接続され前記第1チャネル領域より低抵抗である第2低抵抗領域を有する第1半導体層であって、前記第1チャネル領域は前記第1低抵抗領域と前記第2低抵抗領域との間に位置している前記第1半導体層と、を備え、
前記第2スイッチは、薄膜トランジスタで形成され、前記第1走査線に電気的に接続された第2ゲート電極と、前記第2ゲート電極と対向した第2チャネル領域、前記容量配線に電気的に接続され前記第2チャネル領域より低抵抗である第3低抵抗領域、及び前記補助電極に電気的に接続され前記第2チャネル領域より低抵抗である第4低抵抗領域を有する第2半導体層であって、前記第2チャネル領域は前記第3低抵抗領域と前記第4低抵抗領域との間に位置している前記第2半導体層と、を備え、
前記第3スイッチは、薄膜トランジスタで形成され、前記第2走査線に電気的に接続された第3ゲート電極と、前記第3ゲート電極と対向した第3チャネル領域、前記信号線に電気的に接続され前記第3チャネル領域より低抵抗である第5低抵抗領域、及び前記補助電極に電気的に接続され前記第3チャネル領域より低抵抗である第6低抵抗領域を有する第3半導体層であって、前記第3チャネル領域は前記第5低抵抗領域と前記第6低抵抗領域との間に位置している前記第3半導体層と、を備える、
請求項1に記載の表示装置。 - 第1方向に延在した複数の第1走査線と、
前記第1方向に延在した複数の第2走査線と、
前記第1方向に交差する第2方向に延在した複数の信号線と、
前記第1方向に延在した複数の容量配線と、
前記第1方向及び前記第2方向にマトリクス状に設けられた複数の画素と、
を有する第1基板と、
共通電極を有する第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間のリバース型高分子分散液晶と、を備え、
各々の前記画素は、画素電極、前記画素電極と静電容量結合している補助電極、第1スイッチ、第2スイッチ、及び第3スイッチを有し、
前記第1スイッチ及び前記第2スイッチのそれぞれのオンオフを切り替えるために前記複数の第1走査線に第1制御信号を順に与え、前記第3スイッチのオンオフを切り替えるために前記複数の第2走査線に第2制御信号を順に与え、前記複数の信号線に画像信号を与え、前記複数の容量配線に補助信号を与える駆動部をさらに備え、
前記第1方向に並んだ各行の複数の画素は、前記複数の第1走査線、前記複数の第2走査線、及び前記複数の容量配線のうち、対応する一の第1走査線、対応する一の第2走査線、及び対応する一の容量配線に共通して接続され、
前記第2方向に並んだ各列の複数の画素は、前記複数の信号線のうち、対応する一の信号線に共通して接続され、
前記補助電極は、前記第1スイッチ、前記第2スイッチ、及び前記第3スイッチのそれぞれと対向し、
前記駆動部は、
前記共通電極にコモン電圧を与え、前記画素電極と前記共通電極との間に印加される電圧を前記リバース型高分子分散液晶にかけ、
1水平走査期間の第1駆動期間に、一行の全ての画素の前記第1スイッチ及び前記第2スイッチをオンし前記第3スイッチをオフし、前記画像信号を前記複数の信号線及び前記複数の第1スイッチを介して前記一行の全ての画素の前記画素電極に与え、前記対応する一の容量配線及び前記複数の第2スイッチを介して前記一行の全ての画素の補助電極に前記補助信号を与え、
前記1水平走査期間のうち前記第1駆動期間に続く第2駆動期間に、前記一行の全ての画素の前記第1スイッチ及び前記第2スイッチをオフし前記第3スイッチをオンし、前記画像信号を前記複数の信号線及び前記複数の第3スイッチを介して前記一行の全ての画素の補助電極に与える、
表示装置。 - 第1走査線と、第2走査線と、信号線と、容量配線と、画素電極、前記画素電極と静電容量結合している補助電極、前記補助電極に対向する第1スイッチ、前記補助電極に対向する第2スイッチ、及び前記補助電極に対向する第3スイッチを有する画素と、前記画素の一部を構成する共通電極と、表示機能層と、を備える表示装置の駆動方法において、
前記第1スイッチ及び前記第2スイッチのそれぞれのオンオフを切り替えるために前記第1走査線に第1制御信号を与え、
前記第3スイッチのオンオフを切り替えるために前記第2走査線に第2制御信号を与え、
前記信号線に画像信号を与え、
前記容量配線に補助信号を与え、
第1駆動期間に、前記第1スイッチ及び前記第2スイッチをそれぞれオンし、前記第3スイッチをオフし、前記画像信号を前記信号線及び前記第1スイッチを介して前記画素電極に与え、前記容量配線及び前記第2スイッチを介して前記補助電極に前記補助信号を与え、
前記第1駆動期間に続く第2駆動期間に、前記第1スイッチ及び前記第2スイッチをそれぞれオフし、前記第3スイッチをオンし、前記画像信号を前記信号線及び前記第3スイッチを介して前記補助電極に与え、
前記共通電極にコモン電圧を与え、前記画素電極と前記共通電極との間に印加される電圧を前記表示機能層にかける、
表示装置の駆動方法。 - 前記第2駆動期間に、
前記画像信号の電圧値が前記補助信号の電圧値と異なる場合、前記画素電極の電位を変動させ、
前記画像信号の電圧値が前記補助信号の電圧値と同一である場合、前記画素電極の電位を変動させない、
請求項13に記載の表示装置の駆動方法。 - 1フレーム期間は連続する複数のサブフレーム期間を有し、
1サブフレーム期間毎に、
前記画素電極に正極性の前記画像信号と負極性の前記画像信号とを交互に与え、
前記コモン電圧の極性を前記画像信号の極性と異なる極性に設定する、
請求項13に記載の表示装置の駆動方法。 - 前記補助信号の電圧値は、前記コモン電圧の値と同一である、
請求項15に記載の表示装置の駆動方法。
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