JP7114281B2 - カテーテル温度の変化率からの組織厚さの推定 - Google Patents

カテーテル温度の変化率からの組織厚さの推定 Download PDF

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Description

(関連出願の相互参照)
本出願は、参照により本明細書に組み込まれている、2017年3月14日に出願の米国仮特許出願第62/470,983号の利益を主張する。
(発明の分野)
本発明は、一般に、生物組織の測定、詳細には組織厚さを測定することに関する。
心筋の一部分の生検の取得又はアブレーションなどの組織上で行われる医療的手順の間に、組織の厚さを知ることが有用となることがある。多くの場合、これは、MRI(磁気共鳴画像法)又はCT(コンピュータ断層撮影)の画像などから予め取得した画像から推測することができる。アブレーションの場合、このデータは、アブレーションを行う専門家に利用可能ではないことがある。この像が利用可能である場合でさえも、厚さを十分な精度にし得ないか、又は像を取得してから厚さが変化した可能性がある。
本発明の一実施形態は、装置であって、
挿入されて組織に接触するように構成されている遠位端部を有するプローブと、
遠位端部に取り付けられた電極と、
遠位端部に組み込まれており、温度信号を出力するよう構成されている温度センサと、
組織を加熱するために、電極を介して組織に、高周波(RF)電気エネルギーのパルスを印加するよう構成されているRF信号発生器と、
パルスの終了後に、温度信号に基づいて、遠位端部の温度変化率を計算し、温度変化率に応じて組織の厚さを推定するよう構成されている、処理回路と、
を含む、装置を提供する。
通常、組織の厚さの推定は、厚さが増加する程、温度変化率が向上することを前提としている。
開示されている一実施形態では、厚さの推定は、組織厚さと温度変化率との間の数学的関係を前提とすることを含み、この数学的関係は、遠位端部の熱特性に依存するパラメータを含む。
さらに開示されている一実施形態では、温度変化率は、遠位端部によって組織に印加される力、発生器によって印加される電力レベル、パルスの時間の長さ、及び組織を灌注する流体の灌注速度の関数である。通常、温度変化率は、力、電力レベル及びパルスの時間の長さに正比例し、灌注速度に反比例することを前提として決定される正規化された温度変化率を含む。
さらに開示されている一実施形態では、パルスの印加は、第1のプリセット期間にプリセットRF電力レベルを印加することを含み、温度変化率の計算は、パルスの終了時に始まる、第2のプリセット期間の温度信号を記録することを含む。
代替的な一実施形態では、回路は、組織の推定厚さに応じて、組織のアブレーションのためにRF信号発生器によって供給されることになる電力レベル、及びアブレーションの時間を設定するよう構成されている。
本発明の一実施形態によれば、
プローブの遠位端部を挿入して組織に接触させることと、
遠位端部に電極を取り付けることと、
遠位端部に、温度信号を出力するよう構成されている、温度センサを組み込むことと、
組織を加熱するよう、電極を介して組織に高周波(RF)電気エネルギーのパルスを印加するためのRF信号発生器を構成することと、
パルスの終了後に、温度信号に基づいて、遠位端部の温度変化率を計算し、温度変化率に応じて組織の厚さを推定することと
を含む方法が、さらに提供される。
以下の本開示の実施形態の詳細な説明を図面と併せ読むことで本開示のより完全な理解が得られるであろう。
本発明の実施形態による、装置を用いた侵襲性医療手順の概略図である。 本発明の実施形態による、装置を用いたプローブの遠位端部の概略図である。 本発明の実施形態による、組織厚さ対傾きの概略グラフである。 本発明の実施形態による、手順を行う際に、専門家が従う工程のフロー図である。
概要
本発明の実施形態は、通常、アブレーション手順を含む検討において、検討される組織の厚さの独立した尺度を提供する。アブレーション手順については、本方法は、アブレーションが、実際に行われている間、又はアブレーションが行われていない間に、適用することができる。この尺度は、熱エネルギーパルスが、組織に接触しているカテーテルの遠位端部から組織に注入された場合、遠位端部の温度変化率が、組織の厚さに応じて変化するという、本発明者による発見を利用している。すなわち、組織が厚い場合、変化率は大きく、組織が薄い場合、変化率は小さい。
したがって、組織をアブレーションするための高周波数エネルギーを使用する典型的な手順では、カテーテル遠位端部は、挿入されてアブレーションされる組織に接触し、遠位端部及び組織は、所与の量で灌注される。灌注の間、高周波数パルスは、組織に短時間、印加され、遠位端部における多重センサから計算されるカテーテル遠位端部の温度、通常、平均温度がモニタリングされる。次に、測定された遠位端部の温度変化率から、組織の厚さが推定される。この推定は、通常、正規化された遠位端部の温度変化率と組織の厚さとの間の関係を使用することを含む。この関係は、組織に近接してカテーテルを挿入する前に、決定することができる。
一旦、組織厚さが推定されると、組織のアブレーションを首尾よく実現するため、アブレーションのために使用される電力、及び該電力が印加される時間の推定に、厚さの値を使用することができる。
詳細な説明
図1は、本発明の実施形態による、装置12を用いた侵襲性医療手順の概略図であり、図2は、本発明の実施形態による、その装置で使用されるプローブ20の遠位端部22の概略図である。この手順は、医療専門家14によって行われ、これ以降の説明において、この手順は、ヒト患者18の心臓の心筋16の組織15の一部のアブレーションを含むことが前提とされている。
検討を行うために、専門家14はプローブ20を、患者の内腔に予め位置決めされているシース21に挿入する。シース21は、プローブの遠位端部22が患者の心臓に入るように位置決めされる。遠位端部22は、遠位端部の位置及び向きを追跡することを可能にする位置センサ24、遠位端部が心筋に接触したときに遠位端部によって印加される力を測定する力センサ26、及び遠位端部のそれぞれの位置の温度を測定する1つ又は複数の温度センサ28を備える。遠位端部22はまた、心筋をアブレーションするため、心筋16に高周波アブレーション電力を送り込むために使用される、電極30を備える。電極30はまた、以下に明記されているとおり、心筋から電極電位を取得するのに使用され得る。
装置12は、装置の操作コンソール48内に位置するシステムプロセッサ46により制御される。コンソール48は制御装置49を備え、この制御装置49は専門家14により使用されて、プロセッサと通信する。プロセッサ46用のソフトウェアは、例えば、ネットワークを介して電子形態でプロセッサにダウンロードすることができる。代替的に又は追加的に、ソフトウェアは、光学的、磁気的又は電子的記憶媒体などの非一時的有形媒体上で提供され得る。遠位端部22の追跡は、通常、スクリーン61上に表示される患者18の心臓の三次元画面60上に表示される。
システムプロセッサ46は、通常、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、次いでアナログ-デジタル(A/D)信号変換集積回路47として構成されている、リアルタイムノイズ低減回路45を備える。このプロセッサは、信号をA/D回路47から別のプロセッサに伝えることができ、及び/又は、本明細書において開示されている少なくとも1つのアルゴリズムを実行するようにプログラムすることができ、このアルゴリズムは、本明細書において以下に記載されているステップを含む。このプロセッサは、アルゴリズムを実行するために、回路45及び回路47、並びに以下でより詳細に記載されているモジュールの機能を使用する。
装置12を操作するために、プロセッサ46のアルゴリズムは、この装置を操作するためのプロセッサにより使用されるいくつかのモジュールを有するモジュールバンク50と通信する。したがって、バンク50は、電極30からの信号を取得及び解析する心電計(ECG)モジュール56、及び位置センサ24からの信号を受信及び解析し、かつ信号解析を使用して遠位端部22の位置及び向きを生成する、追跡モジュール58を備える。一部の実施形態では、センサ24は、コイル横切る磁界に応答して、センサの信号を提供するコイルを1つ又は複数、備える。これらの実施形態では、センサ24から信号を受信及び解析することに加えて、追跡モジュール58はまた、センサ24を横切る磁界を放射する放射器32、34及び36を制御する。放射器が心筋16に近接して配置されており、心筋に近接する領域内に交番磁界を放射するように構成されている。Biosense Webster(33 Technology Drive、Irvine、CA 92618、米国)によって製造されているCarto(登録商標)システムは、このような磁気追跡システムを使用する。
バンク50はまた、力モジュール60、電源モジュール62、灌流モジュール64及び温度モジュール66を備える。これらモジュールの機能を、以下に説明する。バンク50におけるモジュール、及びプロセッサ46は、本明細書において処理回路51と呼ばれる。
力モジュール60は、力センサ26からの信号を受信し、その信号から、遠位端部22によって組織15に及ぼす接触力の大きさCF(本明細書ではグラムで測定されることが前提とされている)を生じる。一部の実施形態では、力センサ26は、力センサ26がモジュール60に提供する信号によって、モジュールが、遠位端部により組織15に及ぼす力の方向を評価することを可能にするように構成されている。
電源モジュール62は、電極30に伝達され、組織15をアブレーションするために電極によって印加される、高周波電力を生成する、高周波(RF)信号発生器63を備える。以下により詳細に説明されているとおり、プロセッサ46及びモジュール62は、電極によって送り込まれる電力レベルP(本明細書ではワットで測定されることが前提である)及びこの電力が送り込まれている間の時間tの長さ(秒で測定される)を調節することが可能である。
灌注モジュール64は、遠位端部22に供給される灌注流体、通常、正常食塩溶液の流量V(本明細書ではmL/分で測定されることが前提とされている)を制御する。灌注流体は、遠位端部にある灌注孔80から放出される。
温度モジュール66は、1つ又は複数の温度センサ28から信号を受信し、それぞれのセンサによって記録される温度を判別する。通常、複数センサ28の場合、モジュールは遠位端部22の平均温度Tを決定する。さらに、複数センサの場合、モジュールは遠位端部の温度分布のマップを作製することができる。
本発明者は、組織15への熱エネルギーパルスの注入時に、組織の全体の厚さDが、1つ又は複数のセンサ28によって測定される温度変化率
Figure 0007114281000001
に影響を及ぼすことを見いだした。特に、遠位端部を流れる流体の所与の灌注量Vに関すると、及び遠位端部により組織に印加された所与の接触力CFに関すると、温度変化率
Figure 0007114281000002
は、Dの値が大きい場合、大きく、Dの値が小さい場合、小さく、すなわち、温度変化率は、厚さDが増加するにつれて増加する。熱エネルギーパルスは、組織に短時間、高周波エネルギーパルスを印加することにより、組織に注入することができる。本発明者は、温度変化率
Figure 0007114281000003
と組織の全体の厚さDとの間の、上記の関係は、組織によって保持される熱エネルギーによるものであると考えている。すなわち、大きいDを有する組織は、小さいDを有する組織よりも高い熱エネルギーを保持する。
上記の関係は、以下の式(1)によって表すことができる:
Figure 0007114281000004
(式中、Dは、組織の厚さであり、
ΔTは、時間Δtにおける遠位端部の温度変化であり、
fは関数である)。
一実施形態では、関数fは、式(2)で与えられているとおりである:
Figure 0007114281000005
(式中、
nは指数であり、
A、Bは、カテーテルの遠位端部の熱特性に依存する値を有する定数パラメータであり、
sは、温度-時間グラフの正規化した傾き、すなわち、
Figure 0007114281000006
である)。
温度-時間グラフの正規化されていない傾き
Figure 0007114281000007
は、遠位端部により組織に印加される接触力CF、印加される高周波パルス電力のレベルP、高周波電力パルスの印加時間tの長さ及び灌注量Vに依存する。
正規化されていない傾き
Figure 0007114281000008
は、CFを正規化されている接触力CFNORMに、Pを正規化されているパルス電力PNORMに、tを正規化されているパルス長さtNORMに、及びVを正規化されている灌注量VNORMに正規化することにより、正規化されている傾き
Figure 0007114281000009
に変換される。正規化は、正規化されていない傾きと接触力CF、Pと印加されるパルス電力P、パルス長さtと灌注量Vとの間のそれぞれの関係を前提としている。実施形態では、CF、P及びtの関係は、それぞれ、正比例関係を含むと考えられ、Vの関係は、反比例を含むと考えられる。しかし、温度-時間グラフの傾きを正規化する際に使用することができる他の関係が、当業者に明白であり、このような関係はすべて、本発明の範囲内に含まれると考えられる。
実施形態では、式(2)中の指数nは、1又は2として設定される。他の実施形態では、nの値は、1及び2とは異なるよう設定されてもよく、非整数値であってもよい。
A及びBの値、並びに上で言及されている正規化されている値、並びに傾き
Figure 0007114281000010
を正規化するための関係のパラメータの値は、モデル68として、及び/又はプロセッサ46によって評価されるメモリ72に含まれるルックアップテーブル70に格納することができる。
図3は、本発明の実施形態による、n=1の場合の式(2)から決定された、D体sの概略的なグラフである。グラフに例示されているとおり、傾きs、
Figure 0007114281000011
すなわち正規化した温度変化率は、組織厚さDに関して、単調に増加する。このグラフは、やはり例示されているとおり、傾きsが増加するにつれて、漸近線D=Aに指数関数的に接近し、Bの正規化されている温度変化率の場合、厚さDは、0.63Aに等しい。
明確及び簡単にするため、特に明記している場合を除き、以下の説明は、組織厚さと温度変化率との間の関係は、式(2)によって与えられているとおりであり、n=1であることを前提とする。当業者は、nの他の値、及び式(1)の形態の他の関係に関して、必要な変更を加えて、本説明を修正することができよう。
実際のアブレーション手順を行う前に、専門家14は、組織厚さD及び傾き
Figure 0007114281000012
の測定値を使用する組織のアブレーションによって、式(2)におけるA及びBの値、並びに傾き
Figure 0007114281000013
を正規化するために使用される関係の値を決定することができる。通常、このような決定は、灌注量Vの値、高周波数パルス電力P、パルスの時間tの長さ及び接触力CFの範囲を使用することを含む。P、V及びtの値は、使用される組織の温度が約40℃~60℃の範囲内に維持されるよう、通常、選択され、その結果、温度のいかなる変化も組織に対して害にならない。
一実施形態では、Vの値は、10~20mL/分の範囲内に設定され、Pの値は、20~30Wの範囲内に設定され、パルス長さtは、1~3sの範囲内に設定され、接触力CFは、5~25グラムの範囲内にあり、正規化されている値は、VNORM=15mL/分、PNORM=25W、tNORM=2s及びCFNORM=15グラムに設定される。しかし、使用される組織の温度が、約40℃~60℃の間に留まっているとすると、V、P及びtは、これらの範囲外の値を有していてもよく、正規化した値は、ここで提示されているものとは異なっていてもよく、このような代替値は、過度な実験なしに、当業者により決定することができる。
選択されたカテーテルに対するA及びBを決定するために、カテーテルの遠位端部を、既知の厚さDの組織に接触させて、この遠位端部が、組織に正規化された接触力CFNORMを及ぼすよう構成される一方、遠位端部及び組織は、正規化された灌注量VNORMで灌注される。正規化された電力PNORM及びパルス長さtNORMを有する高周波数パルスを組織に印加し、遠位端部の温度Tは、経時的に変化すると記録される。遠位端部の温度及び時間の記録から、正規化した傾き
Figure 0007114281000014
の推定を行う。一実施形態では、
Figure 0007114281000015
の値は、5sとなるΔtの値に対する、温度の変化ΔTから計算され、この場合、記録の最初の5sにわたる値Δtが採用される。
上記の決定は、選択されたカテーテルに対して、組織厚さDの様々な値に対して繰り返され、
Figure 0007114281000016
の個々のそれぞれの値を得て、A及びBを得る。
選択されたカテーテルそれぞれについて、専門家14は、数学モデル68として、A、Bの個々の値を格納するためのプロセッサ46を使用することができる(図1)。モデル68は、上記のとおり、プロセッサが、正規化した値VNORM、PNORM、tNORM及びCFNORMに対する個々の正規化関係に対する値と一緒に、V、P、t及びCFの実験値から、A及びBの値を決定することが可能となる、費用関数などの数学的関数である。代替的に、又は追加的に、専門家14は、選択したカテーテルのそれぞれに対して、A及びBの個々の値、並びにルックアップテーブル70に個々の関係に関する値を格納するためのプロセッサを構成することができる。
図4は、本発明の実施形態による、上で言及したアブレーション手順を行う際の、専門家14が従うステップのフロー図、及びプロセッサ46のアルゴリズムである。通常、アブレーション手順の開始前に行われる準備ステップ100では、組織厚さDと正規化した傾きsとの間の関係、すなわち遠位端部22の正規化した温度変化率
Figure 0007114281000017
を数式にする。上記のとおり、簡潔及び明確にするため、本明細書における関係は、式(2)に対応し、n=1であると見なす。この関係を数式にすることに加え、ステップ100において、A及びBのこのような場合では、上記のとおり、関係のパラメータの値及び関係を正規化するためのパラメータは、ルックアップテーブル70、及び/又は数学的モデル68として格納される。通常、このフロー図のアブレーション手順に使用される遠位端部22と類似した遠位端部を有するカテーテルを使用して、評価を行う、並びに/又はルックアップテーブル70及び数学的モデル68を生成させる。
最初の手順ステップ102では、専門家14は、心筋16の組織15の選択された部分に接触するよう遠位端部22を挿入し、力モジュール60及びプロセッサ46は、力センサ26によって感知された接触力CFを記録する。組織15に一旦接触すると、専門家は、遠位端部への灌注量Vを設定する。通常、Vの値は、10~20mL/分の範囲内に設定されるが、Vは、この範囲外の値を有することがある。さらに、遠位端部及び組織が灌注されている間、プロセッサは、電極30を使用して、遠位端部と接触している組織に高周波電力パルスを印加する。一実施形態では、プロセッサは、30ワットの電力P及び1秒の期間tを有するようパルスを設定する。プロセッサは、V、P及びtの値を記録する。
傾き測定ステップ104では、パルスが、一旦組織15に印加されると、プロセッサは、1つ又は複数の温度センサ28の温度、及び記録時間の読み取りを開始する。温度及び時間から、プロセッサは、傾き
Figure 0007114281000018
の値を評価する。傾きから、プロセッサは、正規化した温度変化率
Figure 0007114281000019
すなわち遠位端部22の対応する温度-時間のグラフの正規化した傾きを計算する。
組織厚さステップ106では、プロセッサは、ステップ104において見いだされた正規化した傾きをステップ100において数式にした関係に、この関係のパラメータA、Bの適切な値と一緒に適用し、組織15の厚さDを評価する。n=1である式(2)に対応する関係に関しては、A及びBの値は、ルックアップテーブル70及び/又は数学的モデル68から見いだされる。
アブレーションステップ108では、プロセッサは、評価した組織厚さDを使用して、電力が印加される高周波電力P及び継続時間tを推定し、組織15をアブレーションする。この推定は、通常、下記のアブレーションインインデックスを使用する。
当分野において公知のとおり、アブレーションインデックスは、アブレーションが進行するにつれて変化する値を有する関数であり、既知のタイプの組織のアブレーションによって生じる損傷のサイズを推定する。このインデックスによってもたらされる推定値は、アブレーションの間及びアブレーションの時間の間に測定される接触力CF及び電力Pの値に依存する。アブレーションインデックスは、2016 Heart Rhythm Congressで公開された、Hussein et al.による「Ablation Index-guided Pulmonary Vein Isolation for Atrial Fibrillation may Improve Clinical Outcomes in Comparison to Contact Force-guided Ablation」と題する記事に、及びBar-Tal et al.による米国特許出願第2017/0014181号に記載されており、両方の文書は、参照により本明細書に組み込まれる。
以下の式(3)は、アブレーションインデックスを表す。
Figure 0007114281000020
ここで、Cは、アブレーションされる組織のタイプに応じた値を有する定数である。一実施形態では、Cは、約0.002の値を有し、
αは、通常、0.6~0.8の範囲内の値を有する指数であり、
βは、通常、1.4~1.8の範囲内の値を有する指数であり、
δは、約0.35の値を有する指数であり、
Dは、時間tの間にアブレーションすることによって達成される損傷の深さの推定値であり、瞬間的接触力CF(τ)及び瞬間的電力P(τ)を用い、ここでは、τは時間変数を表す)。
接触力及び電力が、一定であると仮定して、時間tを要するアブレーション手順の間の個々の値
Figure 0007114281000021
を有する場合、式(3)は、式(4)として書き直すことができる。
Figure 0007114281000022
式(4)の左側の値、すなわち組織厚さDは、ステップ106から分かる。したがって、プロセッサ46は、式(4)の右側を使用して、専門家14に、力CFの測定値及びCの推定値を使用してアブレーションのための電力P及び時間tの値を推奨することができる。
ステップ108では、専門家14は、組織15をアブレーションするために、推奨された電力P及び時間tの値の1つを選択し、これらの値の範囲内で組織15のアブレーションを行う結論を下す。
フロー図のステップの上記の説明は、アブレーション手順の間に印可される電力の値を決定する際に、専門家14がアブレーションインデックスを使用すると見なしたものである。アブレーションインデックスは、アブレーション手順の間に使用されるアブレーションの電力及び時間などのパラメータの値を決定する際に、専門家への支援として働く。しかし、専門家は、やはり組織厚さステップ106の説明を使用して、アブレーションされる組織の厚さを推定ながらも、このようなパラメータの値を決める際にアブレーションインデックスを使用しなくてもよく、このような例の場合、必要に応じて、フロー図の説明を適合させてもよいことが理解されよう。したがって、本発明の範囲は、アブレーションインデックスが使用されない例を含むことが理解されよう。
上記の説明は、カテーテル遠位端部の温度変化率、すなわち温度-時間グラフの傾きが正規化されることをやはり前提としている。とはいえ、当業者は、カテーテル遠位端部の温度変化率が正規化されていない場合を受け入れるよう、本説明を適合させることができよう。
したがって、上記に述べた実施形態は、例として引用したものであり、また本発明は、上記に詳細に示し説明したものに限定されないことが認識されよう。むしろ、本発明の範囲は、本明細書の上に記載されている様々な特徴の組合せと部分組合せの両方、並びに前述の説明を一読すると、当業者が想起すると思われる、先行技術に開示されていないそれらの変形及び改変を含む。
〔実施の態様〕
(1) 装置であって、
挿入されて組織に接触するように構成されている遠位端部を有するプローブと、
前記遠位端部に取り付けられた電極と、
前記遠位端部に組み込まれており、温度信号を出力するよう構成されている温度センサと、
前記組織を加熱するために、前記電極を介して前記組織に、高周波(RF)電気エネルギーのパルスを印加するよう構成されているRF信号発生器と、
前記パルスの終了後に、前記温度信号に基づいて、前記遠位端部の温度変化率を計算し、前記温度変化率に応じて前記組織の厚さを推定するよう構成されている、処理回路と、
を含む、装置。
(2) 前記組織の厚さの推定は、前記厚さが増加する程、前記温度変化率が増加することを前提とすることを含む、実施態様1に記載の装置。
(3) 前記厚さの推定が、前記組織厚さと前記温度変化率との間の数学的関係を前提とすることを含み、前記数学的関係が、前記遠位端部の熱特性に依存するパラメータを含む、実施態様1に記載の装置。
(4) 前記温度変化率が、前記遠位端部によって前記組織に印加される力、前記発生器によって印加される電力レベル、前記パルスの時間の長さ、及び前記組織を灌注する流体の灌注速度の関数である、実施態様1に記載の装置。
(5) 前記温度変化率が、前記力、前記電力レベル及び前記パルスの時間の長さに正比例し、前記灌注速度に反比例することを前提として決定される正規化された温度変化率を含む、実施態様4に記載の装置。
(6) 前記パルスの印加が、第1のプリセット期間にプリセットRF電力レベルを印加することを含み、前記温度変化率の計算が、前記パルスの終了時に始まる、第2のプリセット期間の温度信号を記録することを含む、実施態様1に記載の装置。
(7) 前記回路が、前記組織の前記推定厚さに応じて、前記組織のアブレーションのために前記RF信号発生器によって供給されることになる電力レベル、及び、前記アブレーションの時間、を設定するよう構成されている、実施態様1に記載の装置。
(8) プローブの遠位端部を挿入して組織に接触させることと、
前記遠位端部に電極を取り付けることと、
前記遠位端部に、温度信号を出力するよう構成されている、温度センサを組み込むことと、
前記組織を加熱するよう、前記電極を介して前記組織に高周波(RF)電気エネルギーのパルスを印加するためのRF信号発生器を構成することと、
前記パルスの終了後に、前記温度信号に基づいて、前記遠位端部の温度変化率を計算し、前記温度変化率に応じて前記組織の厚さを推定することと
を含む方法。
(9) 前記組織の厚さの推定は、前記厚さが増加する程、前記温度変化率が増加することを前提とすることを含む、実施態様8に記載の方法。
(10) 前記厚さの推定が、前記組織厚さと前記温度変化率との間の数学的関係を前提とすることを含み、前記数学的関係が、前記遠位端部の熱特性に依存するパラメータを含む、実施態様8に記載の方法。
(11) 前記温度変化率が、前記遠位端部によって前記組織に印加される力、前記発生器によって印加される電力レベル、前記パルスの時間の長さ、及び前記組織を灌注する流体の灌注速度の関数である、実施態様8に記載の方法。
(12) 前記温度変化率が、前記力、前記電力レベル及び前記パルスの時間の長さに正比例し、前記灌注速度に反比例することを前提として決定される正規化された温度変化率を含む、実施態様11に記載の方法。
(13) 前記パルスの印加が、第1のプリセット期間にプリセットRF電力レベルを印加することを含み、前記温度変化率の計算が、前記パルスの終了時に始まる、第2のプリセット期間の前記温度信号を記録することを含む、実施態様8に記載の方法。
(14) 前記回路が、前記組織の推定厚さに応じて、前記組織のアブレーションのために前記RF信号発生器によって供給されることになる電力レベル、及び、アブレーションの時間、を設定するよう構成されている、実施態様8に記載の方法。

Claims (4)

  1. 装置であって、
    挿入されて組織に接触するように構成されている遠位端部を有するプローブと、
    前記遠位端部に取り付けられた電極と、
    前記遠位端部に組み込まれており、温度信号を出力するよう構成されている温度センサと、
    前記組織を加熱するために、前記電極を介して前記組織に、高周波(RF)電気エネルギーのパルスを印加するよう構成されているRF信号発生器と、
    前記パルスの終了後に、前記温度信号に基づいて、前記遠位端部の温度変化率を計算し、前記温度変化率に応じて前記組織の厚さを推定するよう構成されている、処理回路と、
    を含み、
    前記遠位端部の前記温度変化率を計算するのに用いられる前記温度信号が、前記パルスの印加中の温度上昇の際に測定した温度信号であり、
    前記組織の厚さは、前記遠位端部の前記温度変化率が、前記組織が厚い場合には大きく、前記組織が薄い場合には小さいという関係を利用して求められ、
    前記温度変化率は、前記遠位端部によって前記組織に印加される力、前記RF信号発生器によって印加される電力レベル、前記パルスの時間の長さ、及び前記組織を灌注する流体の灌注速度の関数である、装置。
  2. 前記温度変化率が、前記力、前記電力レベル及び前記パルスの時間の長さに正比例し、前記灌注速度に反比例することを前提として決定される正規化された温度変化率を含む、請求項1に記載の装置。
  3. 前記パルスの印加が、第1のプリセット期間にプリセットRF電力レベルを印加することを含み、前記温度変化率の計算が、前記パルスの終了時に始まる、第2のプリセット期間の温度信号を記録することを含む、請求項1に記載の装置。
  4. 前記処理回路が、前記組織のされた前記厚さに応じて、前記組織のアブレーションのために前記RF信号発生器によって供給されることになる電力レベル、及び、前記アブレーションの時間、を設定するよう構成されている、請求項1に記載の装置。
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