JP7101194B2 - 単結晶、efg装置用金型、efg装置、単結晶の製造方法、および単結晶部材の製造方法 - Google Patents
単結晶、efg装置用金型、efg装置、単結晶の製造方法、および単結晶部材の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7101194B2 JP7101194B2 JP2019558284A JP2019558284A JP7101194B2 JP 7101194 B2 JP7101194 B2 JP 7101194B2 JP 2019558284 A JP2019558284 A JP 2019558284A JP 2019558284 A JP2019558284 A JP 2019558284A JP 7101194 B2 JP7101194 B2 JP 7101194B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- single crystal
- mold
- angle
- efg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F7/00—Compounds of aluminium
- C01F7/02—Aluminium oxide; Aluminium hydroxide; Aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/34—Edge-defined film-fed crystal-growth using dies or slits
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/20—Aluminium oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
- C30B29/64—Flat crystals, e.g. plates, strips or discs
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/20—Particle morphology extending in two dimensions, e.g. plate-like
- C01P2004/24—Nanoplates, i.e. plate-like particles with a thickness from 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
Description
図1Aおよび図1Bは単結晶1の概略図であり、図1Aは平面図、図1Bは断面図である。本開示の単結晶1の材質は、サファイア(単結晶アルミナ)、シリコン等である。サファイアは強度、熱伝導性、透光性にすぐれた絶縁材料であり、透光性窓、熱交換部材等に使用される。シリコンは最も一般的な半導体であり、集積回路、太陽電池等に使用される。単結晶1の厚みは0.5mm~15mm程度である。
EFG(edge defined film fed growth)法、およびEFG装置10は、融液2から単結晶1を育成するための方法、および装置である。
実施例1として、θ=70°のモリブデン製金型11、実施例2としてθ1=10°、θ2=80°、θ3=70°のモリブデン製金型11を備えたEFG装置10を用いて、幅110mm、厚み2mmの板状サファイア単結晶を育成した。比較例として、θ=45°のモリブデン製金型(不図示)を備えたEFG装置を用いて、幅110mm、厚み2mmの板状サファイア単結晶を育成した。主面1a近傍に形成された筋状の気泡1bの深さは、実施例1が0.5mm、実施例2が0.3mm、比較例が0.7mmであった。
本開示のEFG装置用金型、EFG装置および単結晶の製造方法によれば、表面領域以外の内部領域において不純物の少ない、高品質な単結晶を提供できる。
本開示の単結晶部材の製造方法によれば、高品質な単結晶部材を得るための加工時間と加工コストを少なくすることができる。
1a :主面
1b :気泡
1c :表面領域
1d :内部領域
2 :融液
3 :種結晶
10 :EFG装置
11 :金型
11a :外面
11b :上面
11c :スリット
12 :坩堝
13 :加熱手段
14 :引上げ軸
Claims (15)
- 対向する二つの主面を有する板状体であり、
二つの前記主面から深さ0.3mm以内の領域に、前記主面に平行な複数の筋状に配列した気泡を有する、単結晶。 - 前記気泡は、前記主面から前記主面間の距離である厚みの1/4以内の領域に配列している、請求項1に記載の単結晶。
- 材質がサファイアである、請求項1または2に記載の単結晶。
- 二つの外面と、前記外面の間に配置された、融液を供給する少なくとも一つのスリットと、前記スリットの内面と前記外面とを接続する二つの上面とを備え、
前記上面は、前記スリットの前記内面に接続する第1領域と、前記外面に接続する第2領域とを有し、前記第1領域と前記外面に垂直な仮想面とのなす角度θ1が、前記第2領域と前記外面に垂直な仮想面とのなす角度θ2よりも小さく、前記第1領域内において、角度θ1が一定である、EFG装置用金型。 - 二つの外面と、前記外面の間に配置された、融液を供給する少なくとも一つのスリットと、前記スリットの内面と前記外面とを接続する二つの上面とを備え、
前記上面は、前記スリットの前記内面に接続する第1領域と、前記外面に接続する第2領域とを有し、前記第1領域と前記外面に垂直な仮想面とのなす角度θ1が、前記第2領域と前記外面に垂直な仮想面とのなす角度θ2よりも小さく、前記第2領域内において、角度θ2が一定である、EFG装置用金型。 - 角度θ1が0°以上30°以下である、請求項4または5に記載のEFG装置用金型。
- 角度θ2が60°以上85°以下である、請求項4から6のいずれかに記載のEFG装置用金型。
- 二つの外面と、前記外面の間に配置された、融液を供給する少なくとも一つのスリットと、前記スリットの内面と前記外面とを接続する二つの上面とを備え、
前記上面は、前記スリットの前記内面に接続する第1領域と、前記外面に接続する第2領域とを有し、前記第1領域と前記外面に垂直な仮想面とのなす角度θ1が、前記第2領域と前記外面に垂直な仮想面とのなす角度θ2よりも小さく、
前記第1領域と前記第2領域との間に、前記仮想面とのなす角度がθ3である第3領域を有し、角度θ3がθ2よりも大きい、EFG装置用金型。 - 角度θ3が70°以上90°以下である、請求項8に記載のEFG装置用金型。
- 前記第3領域内において、角度θ3が一定である、請求項8または9に記載のEFG装置用金型。
- 前記第3領域の厚みが、前記第2領域の厚みよりも小さい、請求項8から10のいずれかに記載のEFG装置用金型。
- サファイア育成用である、請求項4から11のいずれかに記載のEFG装置用金型。
- 請求項4から12のいずれかに記載のEFG用金型を備えたEFG装置。
- 請求項13に記載のEFG装置を用いて単結晶を育成する工程を有する単結晶の製造方法。
- 請求項1から3のいずれかに記載の単結晶の気泡を有する表面領域の少なくとも一部を除去する工程を有する、単結晶部材の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017235044 | 2017-12-07 | ||
JP2017235044 | 2017-12-07 | ||
PCT/JP2018/044971 WO2019112016A1 (ja) | 2017-12-07 | 2018-12-06 | 単結晶、efg装置用金型、efg装置、単結晶の製造方法、および単結晶部材の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019112016A1 JPWO2019112016A1 (ja) | 2020-11-26 |
JP7101194B2 true JP7101194B2 (ja) | 2022-07-14 |
Family
ID=66751509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019558284A Active JP7101194B2 (ja) | 2017-12-07 | 2018-12-06 | 単結晶、efg装置用金型、efg装置、単結晶の製造方法、および単結晶部材の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210017667A1 (ja) |
JP (1) | JP7101194B2 (ja) |
WO (1) | WO2019112016A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090136731A1 (en) | 2007-10-23 | 2009-05-28 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Scintillator crystals and methods of forming |
JP2010504274A (ja) | 2006-09-22 | 2010-02-12 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド | C−面サファイアに関する方法及び装置 |
JP2017105710A (ja) | 2015-10-05 | 2017-06-15 | 並木精密宝石株式会社 | サファイア単結晶育成用ダイ及びダイパック、サファイア単結晶育成装置、サファイア単結晶の育成方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5265782A (en) * | 1975-11-28 | 1977-05-31 | Agency Of Ind Science & Technol | Equipment for producing belt=shaped crystal |
FR2769639B1 (fr) * | 1997-10-10 | 1999-11-12 | Commissariat Energie Atomique | Filiere pour le tirage de cristaux a partir d'un bain fondu |
JP5543672B2 (ja) * | 2011-09-08 | 2014-07-09 | 株式会社タムラ製作所 | 結晶積層構造体 |
-
2018
- 2018-12-06 JP JP2019558284A patent/JP7101194B2/ja active Active
- 2018-12-06 US US16/769,745 patent/US20210017667A1/en active Pending
- 2018-12-06 WO PCT/JP2018/044971 patent/WO2019112016A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010504274A (ja) | 2006-09-22 | 2010-02-12 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド | C−面サファイアに関する方法及び装置 |
US20090136731A1 (en) | 2007-10-23 | 2009-05-28 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Scintillator crystals and methods of forming |
JP2017105710A (ja) | 2015-10-05 | 2017-06-15 | 並木精密宝石株式会社 | サファイア単結晶育成用ダイ及びダイパック、サファイア単結晶育成装置、サファイア単結晶の育成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2019112016A1 (ja) | 2020-11-26 |
WO2019112016A1 (ja) | 2019-06-13 |
US20210017667A1 (en) | 2021-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10727129B2 (en) | Method of making a peeled substrate using laser irradiation | |
JP6770721B2 (ja) | シリカガラスルツボ、シリカガラスルツボの製造方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置 | |
TWI468560B (zh) | 用於製造矽塊的方法 | |
JP2019521944A (ja) | ガラスリボン縁部を冷却する方法及び装置 | |
JP2015120612A (ja) | 大型サファイアマルチ基板 | |
KR101347696B1 (ko) | 종형 열처리용 보트 및 이것을 이용한 반도체 웨이퍼의 열처리 방법 | |
JP7329541B2 (ja) | 残留応力および転位のないaiii-bv結晶を製造する装置 | |
JP7101194B2 (ja) | 単結晶、efg装置用金型、efg装置、単結晶の製造方法、および単結晶部材の製造方法 | |
JP6615875B2 (ja) | 融液上に成長した結晶シートの厚さを制御する装置、方法およびシステム | |
JP2003327495A (ja) | 晶癖面サファイヤ板材及びその製造方法 | |
US11383328B2 (en) | Method for manufacturing peeled substrate | |
JP6105447B2 (ja) | 結晶の製造方法 | |
TWI620836B (zh) | 用以由熔體形成晶片的裝置及方法 | |
EP3604630B1 (en) | Tubular sapphire member, heat exchanger, semiconductor manufacturing device and method for manufacturing tubular sapphire member | |
WO2011122195A1 (ja) | 薄板ガラスおよびその製造方法 | |
JP2010120821A (ja) | 結晶成長装置及び結晶成長方法 | |
JP2018530500A (ja) | 融液から結晶シートを形成するための装置 | |
TWI743657B (zh) | 砷化鎵單晶基板 | |
US10971358B2 (en) | Method of making a peeled magnesium oxide substrate using laser irradiation | |
TWI555887B (zh) | 用於生產結晶半導體晶錠之坩堝及其製造方法 | |
JP6240333B2 (ja) | 熱遮蔽体及びそれを含むシリコン単結晶インゴット製造装置 | |
CN104867812A (zh) | 多晶硅薄膜和半导体器件的制备方法、显示基板及装置 | |
JP7109197B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット | |
WO2016208603A1 (ja) | 大型サファイア基板 | |
JP2009132616A (ja) | シリコン単結晶の引き上げを行う方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210512 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220614 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220704 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7101194 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |