JP7096387B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7096387B2 JP7096387B2 JP2021036802A JP2021036802A JP7096387B2 JP 7096387 B2 JP7096387 B2 JP 7096387B2 JP 2021036802 A JP2021036802 A JP 2021036802A JP 2021036802 A JP2021036802 A JP 2021036802A JP 7096387 B2 JP7096387 B2 JP 7096387B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- modulation
- group
- sublayers
- width
- segments
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 33
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- ZQXQADNTSSMHJI-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+) oxygen(2-) tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[Ta+5].[Hf+4] ZQXQADNTSSMHJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQHQLIAOAVMAOW-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+) oxygen(2-) zirconium(4+) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Zr+4].[Hf+4] KQHQLIAOAVMAOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUVFGOLWQIXGBP-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Hf+4] KUVFGOLWQIXGBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
10 半導体基板
10B 半導体基板の裏面
10F 半導体基板の表面
11 光電変換素子
15 配線層
17 高誘電率(高κ)膜
19 バッファ層
20 変調層
20-1 第1のグループ
20-2 第2のグループ
20-3 第3のグループ
20-4 第4のグループ
20S 変調セグメント
20S1、20S2、20S3、20S4、20S5 変調セグメント
20W 変調幅
20H 高さ
21、21’、21” 第1の副層
21H 高さ
21X、21X’、21X” 第1の幅
21Y 第2の幅
22 第2の副層
22H 高さ
22X 第3の幅
22Y 第4の幅
30 集光構造
40 カラーフィルタ層
40S、40SR、40SG カラーフィルタセグメント
A-A’ 線
d 第1の副層の中心と変調セグメントの中心との間の距離
X、Y、Z 座標軸
Claims (11)
- 複数の光電変換素子、および
前記複数の光電変換素子の上に配置され、複数の変調セグメントを有する変調層を含み、
前記変調層は、異なる屈折率を有する複数の第1の副層および複数の第2の副層を含み、前記変調層の上面図より、前記複数の変調セグメントは、第1のグループ、および前記第1のグループに隣接した第2のグループを形成し、前記第1のグループの前記複数の第1の副層および前記複数の第2の副層の配置は、前記第2のグループの前記複数の第1の副層および前記複数の第2の副層の配置と異なり、前記複数の第1の副層の各々は、前記複数の変調セグメントの1つを占有し、前記複数の第2の副層の各々は、前記複数の別の変調セグメントを占有し、前記複数の第1の副層は斜めに配置され、前記複数の第2の副層は斜めに配置される固体撮像素子。 - 複数の光電変換素子、および
前記複数の光電変換素子の上に配置され、複数の変調セグメントを有する変調層を含み、
前記変調層は、異なる屈折率を有する複数の第1の副層および複数の第2の副層を含み、前記変調層の上面図より、前記複数の変調セグメントは、第1のグループ、および前記第1のグループに隣接した第2のグループを形成し、前記第1のグループの前記複数の第1の副層および前記複数の第2の副層の配置は、前記第2のグループの前記複数の第1の副層および前記複数の第2の副層の配置と異なり、前記複数の変調セグメントのそれぞれは、前記複数の第1の副層のうちの1つ、および前記複数の第2の副層のうちの1つを含み、前記複数の第1の副層および前記複数の第2の副層のうちの1つの形状は、三角形である固体撮像素子。 - 複数の光電変換素子、および
前記複数の光電変換素子の上に配置され、複数の変調セグメントを有する変調層を含み、
前記変調層は、異なる屈折率を有する複数の第1の副層および複数の第2の副層を含み、前記変調層の上面図より、前記複数の変調セグメントは、第1のグループ、および前記第1のグループに隣接した第2のグループを形成し、前記第1のグループの前記複数の第1の副層および前記複数の第2の副層の配置は、前記第2のグループの前記複数の第1の副層および前記複数の第2の副層の配置と異なり、前記複数の変調セグメントの各々は、前記複数の第1の副層のうちの1つと前記複数の第2の副層のうちの1つを含み、前記複数の第1の副層の各々は、第1の方向において第1の幅および前記第1の方向と異なる第2の方向において第2の幅を有し、前記複数の第2の副層の各々は、前記第1の方向において第3の幅および第2の方向において第4の幅を有し、且つ前記複数の変調セグメントの各々は、前記第1の方向および前記第2の方向の両方において変調幅を有し、
前記変調層の上面図より、前記第1の方向の変調幅に対する、前記複数の変調セグメントのうちの1つに含まれる前記第1の副層の前記第1の幅の比率は、0.25より大きく、1より小さく、前記第2の方向の前記変調幅に対する、前記複数の変調セグメントのうちの他の1つに含まれる前記第1の副層の前記第2の幅の比率は、0.25より大きく、1より小さい固体撮像素子。 - 複数の光電変換素子、および
前記複数の光電変換素子の上に配置され、複数の変調セグメントを有する変調層を含み、
前記変調層は、異なる屈折率を有する複数の第1の副層および複数の第2の副層を含み、前記変調層の上面図より、前記複数の変調セグメントは、第1のグループ、および前記第1のグループに隣接した第2のグループを形成し、前記第1のグループの前記複数の第1の副層および前記複数の第2の副層の配置は、前記第2のグループの前記複数の第1の副層および前記複数の第2の副層の配置と異なり、前記複数の第1の副層の各々は、第1の方向において第1の幅および前記第1の方向と異なる第2の方向において第2の幅を有し、前記複数の第2の副層の各々は、前記第1の方向において第3の幅および第2の方向において第4の幅を有し、且つ前記複数の変調セグメントの各々は、前記第1の方向および前記第2の方向の両方において変調幅を有し、
前記変調層の上面図より、前記複数の変調セグメントのうちの1つに含まれる前記第1の副層の前記第1の幅の前記第1方向の前記変調幅に対する比率と、前記第2の幅の前記第2方向の前記変調幅に対する比率は、0.25より大きく、1より小さい固体撮像素子。 - 前記変調層の上面図より、前記複数の第1の副層のうちの1つの中心と前記変調セグメントのうちの対応する1つの中心との間の距離は、前記変調幅と前記第1の幅との間の差の0~0.5倍の間、または前記変調幅と前記第2の幅との間の差の0~0.5倍の間にある請求項4に記載の固体撮像素子。
- 前記変調層の上面図より、前記第2のグループは、第1の方向において前記第1のグループに隣接し、前記複数の変調セグメントは、第2の方向において第1のグループに隣接した第3のグループ、および第2のグループに隣接した第4のグループもさらに形成し、前記第2の方向は前記第1の方向と異なり、前記第3のグループの前記複数の第1の副層および前記複数の第2の副層の配置は、前記第1のグループの前記複数の第1の副層および前記複数の第2の副層の配置と異なる請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の固体撮像素子。
- 前記変調層の上面図より、前記第2のグループは、第1の方向において前記第1のグループに隣接し、前記複数の変調セグメントは、第2の方向において第1のグループに隣接した第3のグループ、および第2のグループに隣接した第4のグループもさらに形成し、前記第2の方向は前記第1の方向と異なり、前記第4のグループの前記複数の第1の副層および前記複数の第2の副層の配置は、前記第2のグループの前記複数の第1の副層および前記複数の第2の副層の配置と異なる請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の固体撮像素子。
- 前記第1のグループおよび前記第2のグループのそれぞれは、前記複数の変調セグメントのn×mを含み、mおよびnは2以上の正の整数である請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の固体撮像素子。
- 前記変調層の断面図において、前記複数の変調セグメントのそれぞれの高さに対する前記複数の第1の副層のうちの1つの高さの比率、または前記複数の変調セグメントのそれぞれの高さに対する前記複数の第2の副層のうちの1つの高さの比率は、0.5~1の間である請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の固体撮像素子。
- 前記複数の光電変換素子と前記変調層との間に配置されたカラーフィルタ層をさらに含む請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の固体撮像素子。
- 前記変調層上に配置された複数の集光構造をさらに含む請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の固体撮像素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17/039,707 US11710754B2 (en) | 2020-09-30 | 2020-09-30 | Solid-state image sensor including modulation layer decreasing petal flares |
US17/039,707 | 2020-09-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022058101A JP2022058101A (ja) | 2022-04-11 |
JP7096387B2 true JP7096387B2 (ja) | 2022-07-05 |
Family
ID=80821448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021036802A Active JP7096387B2 (ja) | 2020-09-30 | 2021-03-09 | 固体撮像素子 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11710754B2 (ja) |
JP (1) | JP7096387B2 (ja) |
KR (1) | KR102492595B1 (ja) |
CN (1) | CN114335035A (ja) |
TW (1) | TWI775378B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20230268364A1 (en) | 2022-02-24 | 2023-08-24 | Visera Technologies Company Limited | Solid-state image sensor |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018505617A (ja) | 2015-01-29 | 2018-02-22 | ウィリアム マーシュ ライス ユニバーシティWilliam Marsh Rice University | 一つ以上の減衰層を有するイメージセンサを使用したレンズ無しイメージングシステム |
WO2019189099A1 (ja) | 2018-03-26 | 2019-10-03 | ソニー株式会社 | 撮像素子、撮像装置、並びに、情報処理方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2850950B2 (ja) * | 1996-01-19 | 1999-01-27 | 日本電気株式会社 | 導波型光デバイス |
JP5710526B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2015-04-30 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法 |
US9224782B2 (en) | 2013-04-19 | 2015-12-29 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging systems with reference pixels for image flare mitigation |
-
2020
- 2020-09-30 US US17/039,707 patent/US11710754B2/en active Active
- 2020-12-23 KR KR1020200181818A patent/KR102492595B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-03-09 JP JP2021036802A patent/JP7096387B2/ja active Active
- 2021-04-07 TW TW110112546A patent/TWI775378B/zh active
- 2021-05-12 CN CN202110517567.6A patent/CN114335035A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018505617A (ja) | 2015-01-29 | 2018-02-22 | ウィリアム マーシュ ライス ユニバーシティWilliam Marsh Rice University | 一つ以上の減衰層を有するイメージセンサを使用したレンズ無しイメージングシステム |
WO2019189099A1 (ja) | 2018-03-26 | 2019-10-03 | ソニー株式会社 | 撮像素子、撮像装置、並びに、情報処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114335035A (zh) | 2022-04-12 |
US11710754B2 (en) | 2023-07-25 |
JP2022058101A (ja) | 2022-04-11 |
TW202215081A (zh) | 2022-04-16 |
US20220102412A1 (en) | 2022-03-31 |
KR102492595B1 (ko) | 2023-01-30 |
KR20220044072A (ko) | 2022-04-06 |
TWI775378B (zh) | 2022-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103035659B (zh) | 固态摄像装置、制造固态摄像装置的方法以及电子设备 | |
JP4939206B2 (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
TWI691065B (zh) | 影像感測裝置、影像感測系統及其形成方法 | |
JP6195596B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2021145121A (ja) | 固体撮像素子 | |
US20040080005A1 (en) | Image sensor having combination color filter and concave-shaped micro-lenses | |
JP2004047682A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP7096387B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
US20050281942A1 (en) | Method for forming microlens of image sensor | |
JP2022077951A (ja) | 固体撮像素子 | |
US7449359B2 (en) | Fabricating method of CMOS image sensor | |
JP2007147738A (ja) | カラーフィルタ、その製造方法、これを用いた固体撮像素子、およびその製造方法 | |
TWI773209B (zh) | 固態成像裝置 | |
JP2021180299A (ja) | 固体撮像素子 | |
US20040082096A1 (en) | Method for forming an image sensor having concave-shaped micro-lenses | |
JP7185753B1 (ja) | 固体撮像素子 | |
TWI837516B (zh) | 固態影像感測器 | |
JP7250856B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
KR20070044626A (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210309 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220614 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220623 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7096387 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |