JP7091783B2 - 磁気抵抗効果デバイス - Google Patents
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Description
図1は、磁気抵抗効果素子近傍の構成を模式的に示す断面図である。
図1(a)に示すヨーク(磁性部材)102は、基部102Aの磁気抵抗効果素子101側に突出部102Bを備える構成である。符号106はコイルであり、磁気抵抗効果素子101は、第1強磁性層101A、第2強磁性層101B、スペーサ層101Cを含んでなる。電極配線107及び電極配線108は、磁気抵抗効果素子101の上端及び下端に接続され、電極配線107及び電極配線108の少なくとも一方を介して、磁気抵抗効果素子101に電流又は電圧が印加される。また、電極配線107及び電極配線108の少なくとも一方は、磁気抵抗効果素子101から出力される信号を伝える。
ここで、「第1強磁性層側に接続された第1電極配線」とは、第1強磁性層に直接接続された場合と他の層を介して間接的に接続された場合の両方含む。
ここで、「第2強磁性層側に接続された第2電極配線」とは、第2強磁性層に直接接続された場合と他の層を介して間接的に接続された場合の両方含む。
図2は、第一実施形態にかかる磁気抵抗効果デバイスの構成例を模式的に示す断面模式図であり、要部の拡大図も図示している。図3は、図2に示した磁気抵抗効果デバイスの磁気抵抗効果素子近傍の断面模式図である。但し、図3では、図2に示した構造を一部省略している。
図2に示す磁気抵抗効果デバイス100は少なくとも、磁気抵抗効果素子101(MR素子)と、磁場印加手段20(第1磁場印加手段22、第2磁場印加手段24)と、第1電極配線7と、第2電極配線8と、を備える。なお、電極配線7、8は要部拡大図にのみ図示している。
磁気抵抗効果デバイス100は、磁場印加手段20から発生する磁場(静磁場)が、磁気抵抗効果素子101に印加されるように構成されている。
なお、高周波電流が流れる高周波信号線路をさらに備え、この高周波信号線路から発生する磁場(高周波磁場)も、磁気抵抗効果素子101に印加されるように構成されてもよい。
以下、図の説明において、磁気抵抗効果素子101の積層方向をz方向、z方向と垂直な平面の面内方向のうち任意の方向をx方向、x方向及びz方向のいずれとも直交する方向をy方向とする。
磁気抵抗効果素子101は、第1強磁性層101Aと第2強磁性層101Bとの間にスペーサ層(非磁性層等)101Cが配置されるように、積層されてなる。第1強磁性層101Aと第2強磁性層101Bとは、一方が磁化固定層として機能し、他方が磁化自由層として機能する。例えば、第1強磁性層101Aが磁化自由層として機能し、第2強磁性層101Bが磁化固定層として機能する。この場合、磁化固定層の磁化の向きに対して磁化自由層の磁化の向きが相対的に変化する。第1強磁性層101Aと第2強磁性層101Bとは、保磁力が互いに異なっており、磁化固定層として機能する層の保磁力の方が磁化自由層として機能する層の保磁力よりも大きい。第1強磁性層101A、第2強磁性層101Bの厚さは、1~10nm程度とすることが好ましい。
図2に示す磁場印加手段20は、第1磁場印加手段22と第2磁場印加手段24と支持部113を備える。第1磁場印加手段22は、磁気抵抗効果素子101の第1強磁性層101A側に配されており、第2磁場印加手段24は、磁気抵抗効果素子101の第2強磁性層101B側に配されている。第1磁場印加手段22は、第1磁性部材102とコイル106とを備える。第2磁場印加手段24は第2磁性部材104を備える。コイル106は突出部102Bの周囲に巻回されている。コイル106は磁束を誘起し、誘起された磁束は突出部102Bに集中し、対向する第2磁性部材104に向かう磁場を形成する。図2では、コイル106は、突出部102Bの周囲に渦巻き状に巻回されたスパイラルコイルである。図2では、コイル106はz方向に1層としたが、2層以上に積層してもよい。
図2に示す磁場印加手段20では、第2磁性部材104とコイル106を備えるが、いずれか一方を、又は、両方を備えなくてもよい。また、図2に示す磁場印加機構20では、支持部113を備えるが、支持部113を備えなくてもよい。
また、図2に示すに示す第1磁場印加手段22では、第1磁性部材102は、基部102Aの素子側端面102Aaから突出する突出部102Bを備えているが、突出部102Bを備えなくてもよい。
また、第1磁場印加手段22(第1磁性部材102)と同様に、第2磁性部材104が磁気抵抗効果素子101側に突出する突出部を備えていてもよいし、さらに第2磁場印加手段24が第2磁性部材104(例えば突出部)に巻回されたコイルを備えていても良い。
また、第1磁場印加手段22として、第1磁性部材102をコイルに替えた構成としてもよい。
また、第2磁場印加手段24として、第2磁性部材104をコイルに替えた構成としてもよい。
支持部113は、第1磁性部材102と第2磁性部材104とを繋ぐ部分であり、磁場の流れを安定化させるための部分である。突出部102Bは、その表面から磁束線が流れ出る又はその表面に磁束線が流れ込む部分である。また突出部102Bから流れ出る磁束線又は流れ込む磁束線は、第1磁性部材102及び第2磁性部材104から磁化自由層に印加される磁束線の主を担う。ここで「主を担う」とは、磁場の強度(磁束密度)の観点で主を担うことを意味する。
突出部102Bは、一つに限られず複数あってもよい。図2に示す例においては、素子側端面102Aaは、基部102Aの第2磁性部材104側の面である。素子側端面102Aaの形状は問わない。
第1磁性部材102は、磁気抵抗効果素子101に対して静磁場を印加するための、第1磁場印加手段として機能する部材であり、磁気抵抗効果素子101の第1強磁性層101A側に配されている。
図2に示す例では、第1磁性部材102は、水平断面(積層方向Lに対して直交する断面)の面積が一定である基部102Aと、基部102Aの磁気抵抗効果素子101側に配設され、基部102Aの水平断面積よりも小さな水平断面積を有する素子側部分102Bとからなる。
また、素子側部分の形状は基部の水平断面積よりも小さな水平断面積を有するものであり、その限りにおいて特に限定はされない。素子側部分の形状が、基部の最も磁気抵抗効果素子側に配置する面から階段状に突出する形状の場合(本明細書において、かかる形状の素子側部分を「突出部」という。)、その代表的な形状としては例えば、円柱状、楕円柱状、角柱状、半月柱状のものが挙げられる。
突出部102Bは、複数の突出部分が突出方向に積み重ねられてなる多段構造(例えば、異なる直径の円柱群が、直径が大きい順に基部102A側から積み重ねられてなる多段構造)を有してもよい。
突出部は、突出方向に直交する面の断面積が連続的に変化するものでもよいし、そのような断面積が連続的に変化する部分と、図2に示すような、突出方向に直交する面の断面積が一定の突出部分とからなるものでもよい。
高周波信号線路を第1電極配線7及び第2電極配線8とは別に設けてもよい。積層方向Lからの平面視において、高周波信号線路は、磁気抵抗効果素子101の一部または全部と重なっていてもよいし、重なっていなくてもよい。高周波信号線路の本数が限定されることはなく、1本であってもよいし、複数本であってもよい。複数本である場合、高周波信号線路は、それぞれから発生する高周波磁場が磁気抵抗効果素子101の位置で強め合うように、配置されることが好ましい。
磁気抵抗効果素子101の積層方向Lの両端すなわち、第1強磁性層101A、第2強磁性層101Bにそれぞれ、第1電極配線7、第2電極配線8が直接接続されている。第1電極配線7及び第2電極配線8は他の層を介して間接的に第1強磁性層101A、あるいは、第2強磁性層101Bに接続されてもよい。
第1電極配線7および第2電極配線8の少なくとも一方を介して、磁気抵抗効果素子101に電流又は電圧が印加される。また、第1電極配線7および第2電極配線8の少なくとも一方は、磁気抵抗効果素子101から出力される信号を伝える。例えば、磁気抵抗効果素子101には、第1電極配線7および第2電極配線8を介して直流電流又は直流電圧が印加される。また、例えば、第1電極配線7が磁気抵抗効果素子101から出力される信号(高周波電圧または高周波電流)を伝える構成を採用することで、第1電極配線7が低抵抗化されたことによる高周波特性の劣化が防止される。一方、第1電極配線7が磁気抵抗効果素子101に入力される信号(高周波電圧または高周波電流)を伝える構成を採用することで、第1電極配線7が低抵抗化されたことによる高周波特性の劣化が防止される。
第1電極配線7は、積層方向Lから平面視して、磁気抵抗効果素子101と重なる位置に配置された重畳部分(第1の重畳部分)7Aと、磁気抵抗効果素子101と重ならない位置に配置された非重畳部分(第1の非重畳部分)7Bとからなる。
非重畳部分7Bには、重畳部分7Aの厚みdよりも厚い厚みD0を有する肉厚部7b1が備えられている。図3に示す例では、非重畳部分7Bは、肉厚部7b1と、重畳部分7Aと同じ厚みの部分7b2とからなる。
ここで、積層方向Lにおいて、第2強磁性層101Bから第1強磁性層101Aへ向かう向きLuを上側、その逆向きLdを下側としたときに、肉厚部7b1は、重畳部分7Aの磁気抵抗効果素子101側の面S1より下側の厚みD1が重畳部分7Aの磁気抵抗効果素子101側の面の反対側の面S2より上側の厚みD2よりも厚い。
肉厚部7b1は一つでも複数でもよい。また、肉厚部7b1の厚みは同じ厚みであっても厚みが変動しても構わない。
第1電極配線7に肉厚部7b1があることで、第1電極配線7の低抵抗化が可能となる。さらには、肉厚部7b1は、重畳部分7Aの磁気抵抗効果素子101側の面S1より下側の厚みD1が重畳部分7Aの磁気抵抗効果素子101側の面の反対側の面S2より上側の厚みD2よりも厚くされるので、第1磁場印加手段22を磁気抵抗効果素子101に近接させることができる。すなわち、磁気抵抗効果素子への大きな強度の磁場印加と第1電極配線7の低抵抗化を可能にしている。
なお、第1電極配線7の下側への延在部分(厚みD1部分)は、第2電極配線8の下側の面を超えないものとすることが好ましい。第2磁場印加手段24が磁気抵抗効果素子101に近接するのを妨げることを回避するためである。
図4に示す磁気抵抗効果デバイス100’の第1電極配線7’では、第1の重畳部分7Aを挟んで両側に、第1の非重畳部分7B、7B’を有する。また、第1の非重畳部分7B、7B’のそれぞれにおいて、第1の重畳部分7Aよりも厚い肉厚部7b1、7b1’を有する。さらに、肉厚部7b1’は肉厚部7b1と同様に、下側の厚みが上側の厚みよりも厚い。
図5は、第二実施形態にかかる磁気抵抗効果デバイス200の構成例の磁気抵抗効果素子近傍の断面模式図である。図5に示す例では、磁場印加手段20(第1磁場印加手段22、第2磁場印加手段24)として特に磁性部材を例に挙げずに説明する。
磁気抵抗効果デバイス200は、第一実施形態に係る磁気抵抗効果デバイス100で示した構成に加えてまず、積層方向Lから平面視して第1磁場印加手段22と重ならない領域において、第1電極配線17と電気的に接続されると共に、外部と電気的に接続できるように厚さが第1電極配線17よりも厚い第1パッド部120を備える点が異なる。図4に示す例では、第1パッド部120は積層方向Lに延在している。
第1パッド部120の機能に基づくと、第1パッド部120の平面視のサイズは限定するものではないが、例えば、平面視が円形状である場合、その直径を例示すると、50μm~150μm程度であり、また、その厚み(積層方向Lの厚さ)は限定するものではないが、例示すると、2μm~50μm程度である。
厚さが漸次変わって肉厚部17b1と部分17b2とを連結する連結部17b3を有する構成の場合には、連結部17b3を備えず厚さが急峻に変わる場合に比べて、高周波信号の伝達のロスが低減するという効果を奏する。
一方、連結する部分17b3は有さずにその部分を最も厚い部分とした構成とした場合には、低抵抗範囲が広くなるという効果を奏する。
図6は、第三実施形態にかかる磁気抵抗効果デバイス300の構成例の磁気抵抗効果素子近傍の断面模式図である。図6に示す例では、磁場印加手段20(第1磁場印加手段22、第2磁場印加手段24)として特に磁性部材を例に挙げずに説明する。
磁気抵抗効果デバイス300は、第一実施形態に係る磁気抵抗効果デバイス100で示した構成に対して、第2電極配線18が第1電極配線と同様に、非重畳部分18Bに肉厚部18b1を備える点が異なる。
すなわち、第2電極配線18は、積層方向Lから平面視して、磁気抵抗効果素子101と重なる位置に配置された重畳部分(第2の重畳部分)18Aと、磁気抵抗効果素子101と重ならない位置に配置された非重畳部分(第2の非重畳部分)18Bとからなる。
非重畳部分18Bには、重畳部分18Aの厚みdよりも厚い厚みD0を有する肉厚部18b1が備えられている。図5に示す例では、非重畳部分18Bは、肉厚部18b1と、重畳部分18Aと同じ厚みの部分18b2とからなる。
肉厚部18b1は、重畳部分18Aの磁気抵抗効果素子101側の面S3より上側の厚みD1が重畳部分18Aの磁気抵抗効果素子101側の面の反対側の面S4より下側の厚みD2よりも厚い。
肉厚部18b1は一つでも複数でもよい。また、肉厚部18b1の厚みは同じ厚みであっても厚みが変動しても構わない。
第2電極配線18に肉厚部18b1があることで、第2電極配線18の低抵抗化が可能となる。さらには、肉厚部18b1は、肉厚部18b1は、重畳部分18Aの磁気抵抗効果素子101側の面S3より上側の厚みD1が重畳部分18Aの磁気抵抗効果素子101側の面の反対側の面S2より下側の厚みD2よりも厚くされるので、第2磁場印加手段24を磁気抵抗効果素子101に近接させることができる。すなわち、磁気抵抗効果素子への大きな強度の磁場印加と第2電極配線18の低抵抗化を可能にしている。
なお、第2電極配線18の上側への延在部分(厚みD1部分)は、第1電極配線7の上側の面を超えないものとすることが好ましい。第1磁場印加手段22が磁気抵抗効果素子101に近接するのを妨げることを回避するためである。
図7は、第四実施形態にかかる磁気抵抗効果デバイス400の構成例の磁気抵抗効果素子近傍の断面模式図である。
磁気抵抗効果デバイス400は、第一実施形態に係る磁気抵抗効果デバイス100で示した構成に加えて、積層方向Lから平面視して第1磁性部材102と重ならない領域において、第1電極配線7と電気的に接続されると共に、外部と電気的に接続できるように厚さが第1電極配線7よりも厚い第1パッド部120、及び、第2電極配線18と電気的に接続されると共に、外部と電気的に接続できるように厚さが第2電極配線18よりも厚い第2パッド部130を備える点が異なる。第1パッド部120は、図4に示したものと同様である。図6に示す例では、第1パッド部120及び第2パッド部130は積層方向Lに延在している。
第2パッド部130の形状や材料も、第1パッド部120と同様なものを適用できる。
第三実施形態、第四実施形態において、第2電極配線18は、第二実施形態の第1電極配線17と同様に、互いに厚みが異なる肉厚部18b1と部分18b2との間で厚みが漸次近づいて連結される構成であってもよい。
図8は、上記磁気抵抗効果デバイス100を適用した、高周波デバイス250の回路の一例を示している。磁気抵抗効果デバイス100を、他の実施形態に係る磁気抵抗効果デバイス200、300、400に置き換えてもよい。なお、上述した磁気抵抗効果素子、電極配線、高周波信号線路、第1磁性部材、第2磁性部材、支持部、コイルとともに、他の回路素子等が組み込まれた高周波デバイス250を総称して、磁気抵抗効果デバイスと呼ぶことがある。高周波デバイス250は、磁気抵抗効果素子101と、磁場印加手段20と、高周波信号線路103と、直流印加端子119とを備える。高周波デバイス250は、第1のポート150から信号が入力され、第2のポート121から信号を出力する。
磁気抵抗効果素子101、磁場印加手段20には、一例として、上述の第一実施形態にかかる磁気抵抗効果デバイス100の構成を満たすものが用いられる。本適用例1では、第2強磁性層101Bが磁化固定層として機能し、第1強磁性層101Aが磁化自由層として機能する例で説明する。後述する適用例2~5についても同様である。
第1のポート150は、高周波デバイス250の入力端子である。第1のポート150は、高周波信号線路103の一端に対応する。第1のポート150に交流信号源(図示略)を接続することで、高周波デバイス250に交流信号(高周波信号)を印加することができる。高周波デバイス250に印加される高周波信号は、例えば、100MHz以上の周波数を有する信号である。
図8における高周波信号線路103は、一端が第1のポート150に接続されている。
また、高周波デバイス250は、高周波信号線路103の他端が基準電位端子123を介して基準電位に接続されて用いられる。図8では、基準電位としてグラウンドGに接続している。グラウンドGは、高周波デバイス250の外部に付設されるものとすることができる。第1のポート150に入力される高周波信号とグラウンドGとの電位差に応じて、高周波信号線路103内に高周波電流が流れる。高周波信号線路103内に高周波電流が流れると、高周波信号線路103から高周波磁場が発生する。磁気抵抗効果素子101の第1強磁性層101Aには、この高周波磁場が印加される。
出力信号線路122は、磁気抵抗効果素子101から出力された信号を伝播する。出力信号線路122及び上部電極109は、図3に示した第1電極配線7に対応する。磁気抵抗効果素子101から出力される信号は、磁化自由層として機能する第1強磁性層101Aの強磁性共鳴を利用して選択された周波数の信号である。図8における出力信号線路122は、一端が上部電極109を介して磁気抵抗効果素子101に接続され、他端が第2のポート121に接続されている。すなわち、図8における出力信号線路122は、磁気抵抗効果素子101と第2のポート121とを繋ぐ。
直流印加端子119は、電源127に接続され、磁気抵抗効果素子101の積層方向に直流電流又は直流電圧を印加する。本明細書において直流電流とは、時間によって方向が変化しない電流であり、時間によって大きさが変化する電流を含む。また、直流電圧とは、時間によって方向が変化しない電圧であり、時間によって大きさが変化する電圧も含む。電源127は、直流電流源であってもよいし、直流電圧源であってもよい。
高周波デバイス250に第1のポート150から高周波信号が入力されると、高周波信号に対応する高周波電流が高周波信号線路103内を流れる。高周波信号線路103内を流れる高周波電流により発生する高周波磁場が、磁気抵抗効果素子101の第1強磁性層101Aに印加される。
また、上記適用例では、高周波デバイス250を高周波フィルタとして用いる場合を提示したが、高周波デバイス250はアイソレータ、フェイズシフタ、増幅器(アンプ)等の高周波デバイスにも適用することができる。
出力される周波数帯域が変化する際に、特定の周波数における位相は変化するため、フェイズシフタとして機能する。
図8で示した高周波デバイス250は、高周波信号線路103からの高周波磁場を第1強磁性層101Aに印加することで駆動するタイプのものであったが、高周波デバイスは、このタイプに限られない。図9は、高周波信号線路に流れる高周波電流を磁気抵抗効果素子101に印加することによって、駆動するタイプの高周波デバイス260の回路の一例を示している。上述した図8に示す高周波デバイス250と同様の構成については、同様の符号を付す。後述する適用例3~5についても同様である。
例えば、図10に示すように、第1のポート150と基準電位端子123に接続された高周波信号線路160が、磁気抵抗効果素子101に接続された下部電極110又は上部電極109を兼ねてもよい。図9は、高周波信号線路160が、磁気抵抗効果素子101に接続された上部電極109を兼ねる高周波デバイス270の模式図である。高周波信号線路160及び上部電極109は、図4に示した第1電極配線7’に対応する。高周波信号線路122及び下部電極110は、図4に示した第2電極配線8に対応する。この場合、高周波信号線路160内を流れる高周波電流により高周波信号線路160から発生し磁気抵抗効果素子101(第1強磁性層101A)に印加される高周波磁場を利用して、第1強磁性層101Aの磁化を振動させることができる。また、高周波信号線路160から印加され、磁気抵抗効果素子101の積層方向Lに流れる高周波電流により生じるスピントランスファートルクを利用して第1強磁性層101Aの磁化を振動させてもよい。また、高周波信号線路160の上部電極に相当する部分を流れる高周波電流の流れる向きと直交する方向に生じるスピン流によるスピンオービットトルクを利用して、第1強磁性層101Aの磁化を振動させてもよい。つまり、これら高周波磁場、スピントランスファートルクおよびスピンオービットトルクのうち少なくとも1つを利用して、第1強磁性層101Aの磁化を振動させることができる。
以上では、本発明の磁気抵抗効果デバイスをフィルタとして用いる場合について例示したが、本発明の磁気抵抗効果デバイスは、磁気抵抗効果素子に直流電流を印加することにより、磁化自由層の磁化に振動が発生するスピントルク発振効果を利用した、発振器にも適用可能である。図11は、本発明の磁気抵抗効果デバイスを発振器として適用した、高周波デバイス280の回路の構成例を示す図である。適用例1~3と同じ箇所については、同じ符号で示している。
また、本発明の磁気抵抗効果デバイスは、磁気抵抗効果素子に高周波電流(交流電流)を印加した際に直流電圧が発生するスピントルクダイオード効果を用いた整流器や検波器にも適用可能である。図12は、本発明の磁気抵抗効果デバイスを整流器として適用した、高周波デバイス290の回路の構成例を示す図である。適用例1~3と同じ箇所については、同じ符号で示している。
7A、17A 重畳部分
7b1、17b1、17b3、18b 肉厚部
8、18 第2電極配線
8A、18A 非重畳部分
20 磁場印加手段
100、200、300、400 磁気抵抗効果デバイス
101 磁気抵抗効果素子
101A 第1強磁性層
101B 第2強磁性層
101C スペーサ層
102 第1磁性部材
102A 基部
102B 突出部
104 第2磁性部材
120 第1パッド部
130 第2パッド部
S1 重畳部分の磁気抵抗効果素子側の面
S2 重畳部分の面S1と反対側の面
S3 重畳部分の磁気抵抗効果素子側の面
S4 重畳部分の面S3と反対側の面
Claims (5)
- 第1強磁性層と第2強磁性層との間にスペーサ層が配置されるように、積層してなる磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子の前記第1強磁性層側に配され、前記磁気抵抗効果素子に磁場を印加する第1磁場印加手段と、
前記磁気抵抗効果素子の前記第1強磁性層側に接続された第1電極配線と、を備え、
前記第1電極配線は、積層方向から平面視して、前記磁気抵抗効果素子と重なる位置に配置される第1の重畳部分と、前記磁気抵抗効果素子と重ならない位置に配置される第1の非重畳部分とからなり、
前記積層方向から平面視して前記第1磁場印加手段と重なる範囲における前記第1の非重畳部分において、前記第1の重畳部分の厚みよりも厚い肉厚部を有し、
前記積層方向において、前記第2強磁性層から第1強磁性層へ向かう向きを上側、その逆向きを下側としたときに、前記肉厚部は、前記第1の重畳部分の前記磁気抵抗効果素子側の面より下側の厚みが前記第1の重畳部分の前記磁気抵抗効果素子側の面の反対側の面より上側の厚みよりも厚い、
磁気抵抗効果デバイス。 - 第1強磁性層と第2強磁性層との間にスペーサ層が配置されるように、積層してなる磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子の前記第1強磁性層側に配され、前記磁気抵抗効果素子に磁場を印加する第1磁場印加手段と、
前記磁気抵抗効果素子の前記第1強磁性層側に接続された第1電極配線と、を備え、
前記第1電極配線は、積層方向から平面視して、前記磁気抵抗効果素子と重なる位置に配置される第1の重畳部分と、前記磁気抵抗効果素子と重ならない位置に配置される第1の非重畳部分とからなり、
前記第1の非重畳部分において、前記第1の重畳部分の厚みよりも厚い肉厚部を有し、
前記積層方向において、前記第2強磁性層から第1強磁性層へ向かう向きを上側、その逆向きを下側としたときに、前記肉厚部は、前記第1の重畳部分の前記磁気抵抗効果素子側の面より下側の厚みが前記第1の重畳部分の前記磁気抵抗効果素子側の面の反対側の面より上側の厚みよりも厚く、
前記積層方向から平面視して前記第1磁場印加手段と重ならない領域において、
前記第1電極配線と電気的に接続されると共に、外部と電気的に接続できるように厚さが前記第1電極配線よりも厚い第1パッド部を備える、
磁気抵抗効果デバイス。 - 第1強磁性層と第2強磁性層との間にスペーサ層が配置されるように、積層してなる磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子の前記第1強磁性層側に配され、前記磁気抵抗効果素子に磁場を印加する第1磁場印加手段と、
前記磁気抵抗効果素子の前記第1強磁性層側に接続された第1電極配線と、を備え、
前記第1電極配線は、積層方向から平面視して、前記磁気抵抗効果素子と重なる位置に配置される第1の重畳部分と、前記磁気抵抗効果素子と重ならない位置に配置される第1の非重畳部分とからなり、
前記第1の非重畳部分において、前記第1の重畳部分の厚みよりも厚い肉厚部を有し、
前記積層方向において、前記第2強磁性層から第1強磁性層へ向かう向きを上側、その逆向きを下側としたときに、前記肉厚部は、前記第1の重畳部分の前記磁気抵抗効果素子側の面より下側の厚みが前記第1の重畳部分の前記磁気抵抗効果素子側の面の反対側の面より上側の厚みよりも厚く、
前記磁気抵抗効果素子の前記第2強磁性層側に配され、前記磁気抵抗効果素子に磁場を印加する第2磁場印加手段と、
前記磁気抵抗効果素子の前記第2強磁性層側に接続された第2電極配線と、を備え、
前記第2電極配線は、積層方向から平面視して、前記磁気抵抗効果素子と重なる位置に配置される第2の重畳部分と、前記磁気抵抗効果素子と重ならない位置に配置される第2の非重畳部分とからなり、
前記第2の非重畳部分において、前記第2の重畳部分の厚みよりも厚い肉厚部を有し、
前記第2の非重畳部分における前記肉厚部は、前記第2の重畳部分の前記磁気抵抗効果素子側の面より上側の厚みが前記第2の重畳部分の前記磁気抵抗効果素子側の面の反対側の面より下側の厚みよりも厚い、
磁気抵抗効果デバイス。 - 前記積層方向から平面視して前記第2磁場印加手段と重ならない領域において、
前記第2電極配線と電気的に接続されると共に、外部と電気的に接続できるように厚さが前記第2電極配線よりも厚い第2パッド部を備える、
請求項3に記載の磁気抵抗効果デバイス。 - 前記第1電極配線は、互いに厚みが異なる部分間で厚みが漸次近づいて連結されている、請求項1~4のいずれか一項に記載の磁気抵抗効果デバイス。
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