JP7083732B2 - 炭化タンタル被覆炭素材料及び半導体単結晶製造装置用部材 - Google Patents
炭化タンタル被覆炭素材料及び半導体単結晶製造装置用部材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7083732B2 JP7083732B2 JP2018191578A JP2018191578A JP7083732B2 JP 7083732 B2 JP7083732 B2 JP 7083732B2 JP 2018191578 A JP2018191578 A JP 2018191578A JP 2018191578 A JP2018191578 A JP 2018191578A JP 7083732 B2 JP7083732 B2 JP 7083732B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tantalum carbide
- single crystal
- coating film
- coated
- carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
まず、等方性黒鉛を、円錐台筒形状(ガイド部材9)、有底円筒形状(ルツボ12)、円盤形状(サセプタ21)、及び円筒形状(内壁部材18)に加工し、それらを炭素基材4とした。これらの炭素基材4表面の算術平均粗さRaは、0.5μmとした。
炭素基材4表面の算術平均粗さRaを1.0μmとした以外は、実施例1と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製し、その評価を行なった。その結果を表1に示す。
炭素基材表面の算術平均粗さRaを2.0μmとした以外は、実施例1と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製し、その評価を行なった。その結果を表1に示す。
炭素基材4表面の算術平均粗さRaを3.0μmとした以外は、実施例1と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製し、その評価を行なった。その結果を表1に示す。
炭素基材4表面の算術平均粗さRaを4.0μmとした以外は、実施例1と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製し、その評価を行なった。その結果を表1に示す。
まず、実施例3と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製した。これらのルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18の炭化タンタル被覆膜表面を荒らして、その算術平均粗さRaを3.8μmとした。評価は実施例1と同様に行なった。その結果を表1に示す。
まず、実施例3と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製した。これらのルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18の炭化タンタル被覆膜表面を荒らして、その算術平均粗さRaを3.4μmとした。評価は実施例1と同様に行なった。その結果を表1に示す。
まず、実施例3と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製した。これらのルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18の炭化タンタル被覆膜表面を荒らして、その算術平均粗さRaを2.8μmとした。評価は実施例1と同様に行なった。その結果を表1に示す。
まず、実施例3と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製した。これらのルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18の炭化タンタル被覆膜表面を荒らして、その算術平均粗さRaを2.2μmとした。評価は実施例1と同様に行なった。その結果を表1に示す。
まず、実施例3と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製した。その後、2500℃でアニール処理を行なった。評価は実施例1と同様に行なった。その結果を表1に示す。
炭化タンタル被覆膜の成膜温度を950℃とした以外は、実施例3と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製した。その後、2500℃でアニール処理を行なった。評価は実施例1と同様に行なった。その結果を表1に示す。
炭化タンタル被覆膜の成膜回数を2回にした以外は、実施例3と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製し、その評価を行なった。その結果を表1に示す。
基材の回転対称軸を自転軸として基材を自転できる構成とし、自転軸の延長線上に原料供給部を配置した。そして、CH4流量を0.2SLMかつ成膜温度を1200℃にして基材を自転させながら成膜した。それ以外は、実施例1と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製し、その評価を行なった。その結果を表1に示す。
基材の回転対称軸を自転軸として自転させるようにした基材を2組用意した。それぞれの基材の自転軸が公転半径180mmの公転軌道上に互いの自転軸が公転軸に対して対称の位置になるように配置し、公転軸の延長線上に原料供給部を配置した。そして、CH4流量を0.75SLMにして各基材を自転させつつ公転させながら成膜した。それ以外は、実施例1と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製し、その評価を行なった。その結果を表1に示す。
基材の回転対称軸を自転軸として自転させるようにした基材を2組用意した。それぞれの基材の自転軸が公転半径180mmの公転軌道上に互いの自転軸が公転軸に対して対称の位置になるように配置し、公転軸の延長線上に原料供給部を配置した。そして、CH4流量を1.0SLMにして各基材を自転させつつ公転させながら成膜した。それ以外は、実施例1と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製し、その評価を行なった。その結果を表1に示す。
基材の回転対称軸を自転軸として自転させるようにした基材を2組用意した。それぞれの基材の自転軸が公転半径180mmの公転軌道上に互いの自転軸が公転軸に対して対称の位置になるように配置した。そして、CH4流量を1.25SLMにして各基材を自転させつつ公転させながら成膜した。それ以外は、実施例1と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製し、その評価を行なった。その結果を表1に示す。
基材の回転対称軸を自転軸として自転させるようにした基材を3組用意した。それぞれの基材の自転軸が公転半径180mmの公転軌道上に等間隔に(すなわち公転軸に対して120°間隔に)配置し、公転軸の延長線上に原料供給部を配置した。そして、CH4流量を2.0SLMかつ成膜温度を850℃にして各基材を自転させつつ公転させながら成膜した。それ以外は、実施例1と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製し、その評価を行なった。その結果を表1に示す。
基材の回転対称軸を自転軸として自転させるようにした基材を2組用意した。それぞれの基材の自転軸が公転半径180mmの公転軌道上に互いの自転軸が公転軸に対して対称の位置になるように配置し、原料供給部が公転軸に対して20°の角度をなしかつ原料供給部の噴出口が公転軸の延長線上に開口するように配置した。そして、CH4流量を0.1SLMにして各基材を自転させつつ公転させながら成膜した。それ以外は、実施例1と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製し、その評価を行なった。その結果を表1に示す。
基材の回転対称軸を自転軸として自転させるようにした基材を3組用意した。それぞれの基材の自転軸が公転半径180mmの公転軌道上に等間隔に(すなわち公転軸に対して120°間隔に)配置し、原料供給部が公転軸に対して20°の角度をなしかつ原料供給部の噴出口が公転軸の延長線上から180mm離れた位置に開口するように配置した。CH4流量を4.0 SLMにして各基材を自転させつつ公転させながら成膜した。それ以外は、実施例1と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製し、その評価を行なった。その結果を表1に示す。
炭素基材4表面の算術平均粗さRaを4.5μmとした以外は、実施例1と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製し、その評価を行なった。その結果を表1に示す。
まず、比較例1と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製した。これらのルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、内壁部材18の炭化タンタル被覆膜表面を研磨して、その算術平均粗さRaを1.8μmとした。評価は実施例1と同様に行ない、その結果を表1に示す。
CH4ガスの流量を5SLMとした以外は、実施例3と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製し、その評価を行なった。その結果を表1に示す。
炭化タンタル被覆膜の成膜温度を950℃とした以外は、実施例3と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製し、その評価を行なった。その結果を表1に示す。
炭化タンタル被覆膜の成膜温度を750℃とした以外は、実施例3と同様の方法でルツボ12、ガイド部材9、サセプタ21、及び内壁部材18を作製し、その評価を行なった。その結果を表1に示す。
以上の結果から、炭化タンタル被覆炭素材料の製品寿命を向上させるためには、アニール処理の温度を2500℃にするとよいことが分かった。
2 反応室
3 ヒータ
4 炭素基材
5 支持手段
6 原料供給部
7 排気部
8 減圧加熱炉
9 ガイド部材
10 ガイド部材内側表面
11 ガイド部材外側表面
12 ルツボ
13 ルツボ内側表面
14 ルツボ外側表面
15 SiC原料
16 SiC種結晶
17 外熱型減圧CVD装置
18 内壁部材
19 内壁部材内側表面
20 内壁部材外側表面
21 サセプタ
22 サセプタ内側表面
23 サセプタ外側表面
24 SiC単結晶基板
Claims (9)
- 炭素基材表面の少なくとも一部を、炭化タンタルを主成分とした炭化タンタル被覆膜で被覆した炭化タンタル被覆炭素材料であって、
炭化タンタル被覆膜は、面外方向について(200)面に対応するX線回折線の強度が、他の結晶面に対応するX線回折線の強度よりも大きく、その強度比は全結晶面に対応するX線回折線の強度の和に対して60%以上であり、
前記炭化タンタル被覆膜表面の算術平均粗さRaが3.5μm以下であることを特徴とする炭化タンタル被覆炭素材料。 - 前記炭素基材表面の算術平均粗さRaが4.0μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の炭化タンタル被覆炭素材料。
- 前記炭化タンタル被覆膜中に含まれるタンタル原子数は、炭素原子数よりも多く、炭素原子数の1.2倍以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化タンタル被覆炭素材料。
- 前記炭化タンタル被覆膜は、塩素原子を0.01atm%以上1.00atm%以下の原子濃度で含有することを特徴とする請求項1に記載の炭化タンタル被覆炭素材料。
- 炭素基材表面の少なくとも一部を、炭化タンタルを主成分とした炭化タンタル被覆膜で被覆した炭化タンタル被覆炭素材料から構成される半導体単結晶製造装置用部材であって、
前記炭化タンタル被覆膜は、面外方向について(200)面に対応するX線回折線の強度が、他の結晶面に対応するX線回折線の強度よりも大きく、その強度比は全結晶面に対応するX線回折線の強度の和に対して60%以上であり、
前記炭化タンタル被覆膜表面の算術平均粗さRaが3.5μm以下であることを特徴とする半導体単結晶製造装置用部材。 - 前記半導体単結晶製造装置用部材は、SiC単結晶の製造装置に用いられることを特徴とする請求項5に記載の半導体単結晶製造装置用部材。
- 前記半導体単結晶製造装置用部材は、SiC単結晶を昇華再結晶法により製造するための装置に用いられるルツボ又はガイド部材であることを特徴とする請求項6に記載の半導体単結晶製造装置用部材。
- 前記半導体単結晶製造装置用部材は、SiC単結晶を化学気相堆積法によりエピタキシャル成長させて製造するための装置に用いられるサセプタ又は内壁部材であることを特徴とする請求項6に記載の半導体単結晶製造装置用部材。
- 前記半導体単結晶製造装置用部材は、前記炭化タンタル被覆膜表面にタンタル原子濃度の低い箇所を2箇所以上有していることを特徴とする請求項6から8の何れかに記載の半導体単結晶製造装置用部材。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180147098A KR102675266B1 (ko) | 2017-12-04 | 2018-11-26 | 탄화탄탈 피복 탄소 재료 및 그 제조 방법, 반도체 단결정 제조 장치용 부재 |
TW107142853A TWI801457B (zh) | 2017-12-04 | 2018-11-30 | 以碳化鉭被覆之碳材料及其製造方法、半導體單晶製造裝置用構件 |
DE102018009473.2A DE102018009473A1 (de) | 2017-12-04 | 2018-12-03 | Tantalkarbidbeschichtetes Kohlenstoffmaterial, Verfahren zu dessen Herstellung und Teil für eine Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinkristallen |
US16/208,482 US20190169768A1 (en) | 2017-12-04 | 2018-12-03 | Tantalum carbide coated carbon material, manufacturing method thereof, and member for apparatus for manufacturing semiconductor single crystal |
CN201811468226.9A CN109896515B (zh) | 2017-12-04 | 2018-12-03 | 覆碳化钽的碳材料和其制造方法、半导体单晶制造装置用构件 |
US17/149,733 US11555255B2 (en) | 2017-12-04 | 2021-01-15 | Tantalum carbide coated carbon material, manufacturing method thereof, and member for apparatus for manufacturing semiconductor single crystal |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017232383 | 2017-12-04 | ||
JP2017232383 | 2017-12-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019099453A JP2019099453A (ja) | 2019-06-24 |
JP7083732B2 true JP7083732B2 (ja) | 2022-06-13 |
Family
ID=66975843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018191578A Active JP7083732B2 (ja) | 2017-12-04 | 2018-10-10 | 炭化タンタル被覆炭素材料及び半導体単結晶製造装置用部材 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7083732B2 (ja) |
TW (1) | TWI801457B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11130152B2 (en) * | 2019-11-28 | 2021-09-28 | National Chung-Shan Institute Of Science And Technology | Method for the formation of tantalum carbides on graphite substrate |
JP7514933B2 (ja) * | 2020-07-07 | 2024-07-11 | 信越化学工業株式会社 | 炭化物被覆炭素材料 |
JP7341107B2 (ja) | 2020-09-01 | 2023-09-08 | 信越化学工業株式会社 | 耐熱コート部材包装体および耐熱コート部材の包装方法 |
KR20220077314A (ko) * | 2020-12-01 | 2022-06-09 | 주식회사 티씨케이 | 탄화탄탈 복합재 |
JP7514217B2 (ja) | 2021-02-05 | 2024-07-10 | 信越化学工業株式会社 | 加熱用炭化タンタル被覆炭素材料、加熱用炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法、炭化ケイ素エピタキシャルウェハ成長装置及び窒化ガリウムエピタキシャルウェハ製造成長装置 |
JP2024104001A (ja) * | 2023-01-23 | 2024-08-02 | 信越化学工業株式会社 | 炭化タンタル被覆炭素材料 |
CN117535640B (zh) * | 2023-11-22 | 2024-09-06 | 湖州幄肯中欣新能源科技有限公司 | 一种异形件 |
CN118307345B (zh) * | 2024-05-31 | 2024-08-16 | 湖南德智新材料有限公司 | 复合材料及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004084057A (ja) | 2002-06-28 | 2004-03-18 | Ibiden Co Ltd | 炭素複合材料 |
JP2008308701A (ja) | 2005-02-14 | 2008-12-25 | Toyo Tanso Kk | 炭化タンタル被覆炭素材料およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63134663A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-07 | Tokai Carbon Co Ltd | カ−ボン基材面への被膜形成方法 |
-
2018
- 2018-10-10 JP JP2018191578A patent/JP7083732B2/ja active Active
- 2018-11-30 TW TW107142853A patent/TWI801457B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004084057A (ja) | 2002-06-28 | 2004-03-18 | Ibiden Co Ltd | 炭素複合材料 |
JP2008308701A (ja) | 2005-02-14 | 2008-12-25 | Toyo Tanso Kk | 炭化タンタル被覆炭素材料およびその製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Applied Surface Science,2010年,Vol.257,pp.656-661 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201930659A (zh) | 2019-08-01 |
TWI801457B (zh) | 2023-05-11 |
JP2019099453A (ja) | 2019-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7083732B2 (ja) | 炭化タンタル被覆炭素材料及び半導体単結晶製造装置用部材 | |
KR102675266B1 (ko) | 탄화탄탈 피복 탄소 재료 및 그 제조 방법, 반도체 단결정 제조 장치용 부재 | |
TW552325B (en) | Method and apparatus for growing silicon carbide crystals | |
JP5666899B2 (ja) | 炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法 | |
US8197596B2 (en) | Crystal growth method and reactor design | |
CN111424319B (zh) | 一种大尺寸公斤级碳化硅单晶的制备方法 | |
JP6854297B2 (ja) | 炭化タンタルコーティング炭素材料 | |
KR101458183B1 (ko) | 탄화규소 단결정 성장 장치 및 방법 | |
JPH04231459A (ja) | 窒化硼素製るつぼ及びそれを製造するための方法 | |
WO1999014405A1 (fr) | Procede et appareil permettant de produire un cristal unique de carbure de silicium | |
WO2019044392A1 (ja) | 気相成長方法 | |
JP2011011926A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JPH10324599A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP7242987B2 (ja) | SiC単結晶製造装置 | |
JP6785545B2 (ja) | 炭化珪素単結晶製造用の黒鉛坩堝 | |
JP4702712B2 (ja) | 管状SiC成形体およびその製造方法 | |
JP2011091196A (ja) | 単結晶体の製造方法 | |
CN112166210B (zh) | 碳化硅单晶制造装置及碳化硅单晶的制造方法 | |
JP2019206751A (ja) | 化学気相成長装置および被膜形成方法 | |
CN220812699U (zh) | 碳化硅晶体生长装置 | |
JP2013216514A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP2023108810A (ja) | 炭化ケイ素単結晶成長の熱場調整方法 | |
JPS5855120B2 (ja) | マグネシアスピネルの気相エピタキシヤル成長方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201023 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210824 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211019 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220308 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220418 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20220418 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20220426 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20220510 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220531 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220601 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7083732 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |