JP7077997B2 - レジスト材料及びパターン形成方法 - Google Patents

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Description

本発明は、レジスト材料及びパターン形成方法に関する。
ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化が急速に進んでいる。特に、スマートフォンの普及によるロジックメモリー市場の拡大が微細化を牽引している。最先端の微細化技術としては、ＡｒＦ液浸リソグラフィーのダブルパターニングによる１０ｎｍノードのデバイスの量産が行われており、次世代には同じくダブルパターニングによる７ｎｍノードの量産準備が進行中である。次次世代の５ｎｍノードとしては、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィーが候補に挙がっている。
微細化が進行し、光の回折限界に近づくにつれて、光のコントラストが低下してくる。光のコントラストの低下によって、ポジ型レジスト膜においてはホールパターンやトレンチパターンの解像性や、フォーカスマージンの低下が生じる。光のコントラスト低下によるレジストパターンの解像性低下を防ぐために、レジスト膜の溶解コントラストを向上させる試みが行われている。
酸発生剤を添加し、光あるいは電子線（ＥＢ）の照射によって酸を発生させて脱保護反応を起こす化学増幅ポジ型レジスト材料、及び酸による極性変化反応又は架橋反応を起こす化学増幅ネガ型レジスト材料にとって、酸の未露光部分への拡散を制御してコントラストを向上させる目的でのクエンチャーの添加は、非常に効果的であった。そのため、多くのアミンクエンチャーが提案された（特許文献１～３）。
ＡｒＦレジスト材料用の(メタ)アクリレートポリマーに用いられる酸不安定基は、α位がフッ素で置換されたスルホン酸が発生する光酸発生剤を使うことによって脱保護反応が進行するが、α位がフッ素で置換されていないスルホン酸やカルボン酸が発生する酸発生剤では脱保護反応が進行しない。α位がフッ素で置換されたスルホン酸が発生するスルホニウム塩やヨードニウム塩に、α位がフッ素で置換されていないスルホン酸が発生するスルホニウム塩やヨードニウム塩を混合すると、α位がフッ素で置換されていないスルホン酸が発生するスルホニウム塩やヨードニウム塩は、α位がフッ素で置換されたスルホン酸とイオン交換を起こす。光によって発生したα位がフッ素で置換されたスルホン酸は、イオン交換によってスルホニウム塩やヨードニウム塩に逆戻りするために、α位がフッ素で置換されていないスルホン酸やカルボン酸のスルホニウム塩やヨードニウム塩はクエンチャーとして機能する。カルボン酸が発生するスルホニウム塩やヨードニウム塩をクエンチャーとして用いるレジスト組成物が提案されている（特許文献４）。
ヨウ素原子で置換された芳香族カルボン酸のスルホニウム塩をクエンチャーとして用いるレジスト組成物が提案されている（特許文献５）。ヨウ素は、ＥＵＶの吸収が大きいため露光時にクエンチャーの分解が起こりやすく、かつヨウ素の原子量が大きいため高い酸拡散制御能を有し、これらによって高感度かつ低酸拡散による寸法均一性向上が期待される。
ヨウ素原子で置換されたアニリンをクエンチャーとして含むレジスト材料が提案されている（特許文献６）。この場合、アニリンの塩基性が低いため、酸拡散を抑える効果が不十分である。
スルホニウム塩型及びヨードニウム塩型クエンチャーは、光酸発生剤と同様に光分解性である。つまり、露光部分は、クエンチャーの量が少なくなる。露光部分には酸が発生するので、クエンチャーの量が減ると相対的に酸の濃度が高くなり、これによってコントラストが向上する。しかしながら、露光部分の酸拡散を抑えることができないため、酸拡散制御が困難になる。
ヨウ素原子で置換された芳香族カルボン酸の２,５,８,９－テトラアザ－１－ホスファビシクロ[３.３.３]ウンデカン塩、ビグアニド塩又はホスファゼン塩をクエンチャーとして含むレジスト材料が提案されている（特許文献７）。ヨウ素原子による高い吸収による増感効果と、強塩基の２,５,８,９－テトラアザ－１－ホスファビシクロ[３.３.３]ウンデカン類、ビグアニド類又はホスファゼン類との塩によって、高感度かつ低酸拡散が期待されるが、更なる高感度、低酸拡散を発現する新規のコンセプトのレジスト材料開発が求められている。
特開２００１－１９４７７６号公報 特開２００２－２２６４７０号公報 特開２００２－３６３１４８号公報 国際公開第２００８／０６６０１１号 特開２０１７－２１９８３６号公報 特開２０１８－０９７３５６号公報 特開２０１８－０４９２６４号公報
短波長になればなるほど光のエネルギー密度が増加するため、露光によって発生するフォトン数が減少する。フォトンのバラツキが、ラインパターンのエッジラフネス（ＬＷＲ）やホールパターンの寸法均一性（ＣＤＵ）のバラツキを生む要因となっている。露光量を上げていくとフォトンの数が増加し、フォトンのバラツキが小さくなっていく。これによって、感度と解像性、ＬＷＲ、ＣＤＵのトレードオフの関係が存在している。特に、ＥＵＶリソグラフィー用レジスト材料においては、低感度である方がＬＷＲとＣＤＵが良好な傾向にある。
酸の拡散の増大によっても、解像性、ＬＷＲ、ＣＤＵが劣化する。酸拡散は像ぼけの原因であり、レジスト膜中の酸の拡散は不均一に進行するためである。酸拡散を小さくするためには、ポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）温度を下げたり、拡散しにくいバルキーな酸を適用したり、クエンチャーの添加量を増やしたりすることが効果的である。しかしながら、これらの酸拡散を小さくする方法では、いずれにおいても感度が低下する。フォトンのバラツキを小さくする方法、酸拡散のバラツキを小さくする方法のいずれにおいてもレジストの感度が低くなる。
本発明は、前記事情に鑑みなされたもので、増感効果が高く、酸拡散を抑える効果も有し、かつ現像後の膜減りを生じさせることがない添加剤を含み、解像性、ＬＷＲ、ＣＤＵが良好なレジスト材料、及びこれを用いるパターン形成方法を提供することを目的とする。
酸の発生効率を一段と高めることができ、かつ酸拡散を一段と抑えることができれば、感度と解像性、ＬＷＲ、ＣＤＵのトレードオフの関係を打破することが可能となる。
ヨウ素は原子量が大きいため、波長１３.５ｎｍのＥＵＶ及びＥＢの吸収が大きく、分子内に多くの電子軌道を有しているため露光により多くの二次電子が発生する。発生した二次電子が酸発生剤にエネルギー移動することによって、高い増感効果を得ることができる。
本発明者らは、前記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、ヨウ素化芳香族基を有するＮ－カルボニルスルホンアミドと、２,５,８,９－テトラアザ－１－ホスファビシクロ[３.３.３]ウンデカン類、ビグアニド類又はホスファゼン類との塩をレジスト材料に添加することによって、増感効果が高く、酸拡散を抑える効果も有し、高感度かつＬＷＲ及びＣＤＵが小さいフォトレジスト膜が得られることを見出し、本発明を完成させた。
したがって、本発明は、下記レジスト材料及びパターン形成方法を提供する。
１．ベースポリマーと、ヨウ素化芳香族基を有するＮ－カルボニルスルホンアミドの、２,５,８,９－テトラアザ－１－ホスファビシクロ[３.３.３]ウンデカン塩、ビグアニド塩又はホスファゼン塩から選ばれる塩とを含むレジスト材料。
２．前記塩が、下記式（Ａ）で表されるものである１のレジスト材料。
Figure 0007077997000001
 ［式中、Ｒ1は、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～６のアシロキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、アミノ基、－ＮＲ1A－Ｃ(＝Ｏ)－Ｒ1B又は－ＮＲ1A－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｒ1Bであり、Ｒ1Aは、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基であり、Ｒ1Bは、炭素数１～６のアルキル基又は炭素数２～８のアルケニル基である。
Ｒ2は、炭素数１～１０のアルキル基又は炭素数６～１０のアリール基であり、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数１～１２のアルコキシ基、炭素数２～１２のアルコキシカルボニル基、アシル基、炭素数２～１２のアシロキシ基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。
Ｘ1は、単結合又は炭素数１～２０の２価の連結基であり、該連結基は、エーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、スルトン基、ラクタム基、カーボネート基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を含んでいてもよい。
Ａ+は、下記式（Ａ）－１、（Ａ）－２又は（Ａ）－３で表されるカチオンである。
Figure 0007077997000002
 （式中、Ｒ11～Ｒ13は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２４のアルキル基、炭素数２～２４のアルケニル基、炭素数２～２４のアルキニル基又は炭素数６～２０のアリール基である。
Ｒ14～Ｒ21は、水素原子、炭素数１～２４のアルキル基、炭素数２～２４のアルケニル基、炭素数２～２４のアルキニル基又は炭素数６～２０のアリール基であり、これらの中にエステル結合、エーテル結合、スルフィド結合、スルホキシド基、カーボネート基、カーバメート基、スルホン基、ハロゲン原子、アミノ基、アミド結合、ヒドロキシ基、チオール基、又はニトロ基を含んでいてもよく、Ｒ14とＲ15と、Ｒ15とＲ16と、Ｒ16とＲ17と、Ｒ17とＲ18と、Ｒ18とＲ19と、Ｒ19とＲ20と、又はＲ20とＲ21とが、互いに結合して環を形成してもよく、該環の中にエーテル結合を含んでいてもよい。
Ｒ22～Ｒ29は、水素原子、炭素数１～２４のアルキル基、炭素数２～２４のアルケニル基、炭素数２～２４のアルキニル基又は炭素数６～２０のアリール基であり、これらの中にエステル結合、エーテル結合、スルフィド結合、スルホキシド基、カーボネート基、カーバメート基、スルホン基、ハロゲン原子、アミノ基、アミド結合、ヒドロキシ基、チオール基、又はニトロ基を含んでいてもよく、Ｒ22とＲ23と、Ｒ23とＲ24と、Ｒ24とＲ25と、Ｒ25とＲ26と、Ｒ26とＲ27と、又はＲ27とＲ28とが、互いに結合して環を形成してもよく、Ｒ23とＲ24と、Ｒ25とＲ26と、Ｒ27とＲ28と、又はＲ28とＲ29とが合わさって、下記式（Ａ）－３－１で表される基を形成してもよく、Ｒ22が水素原子である場合は、Ｒ23が下記式（Ａ）－３－２で表される基であってもよい。
Figure 0007077997000003
 （式中、Ｒ30～Ｒ39は、水素原子、炭素数１～２４のアルキル基、炭素数２～２４のアルケニル基、炭素数２～２４のアルキニル基又は炭素数６～２０のアリール基であり、Ｒ30とＲ31と、Ｒ31とＲ32と、Ｒ32とＲ33と、Ｒ33とＲ34と、Ｒ34とＲ35と、Ｒ36とＲ37と、又はＲ38とＲ39とが、互いに結合して環を形成してもよく、また、Ｒ30とＲ31と、Ｒ32とＲ33と、又はＲ34とＲ35とが合わさって、式（Ａ）－３－１で表される基を形成してもよい。））］
３．更に、スルホン酸、スルホンイミド、又はスルホンメチドを発生する酸発生剤を含む１又は２のレジスト材料。
４．更に、有機溶剤を含む１～３のいずれかのレジスト材料。
５．前記ベースポリマーが、下記式（ａ１）で表される繰り返し単位又は下記式（ａ２）で表される繰り返し単位を含むものである１～４のいずれかのレジスト材料。
Figure 0007077997000004
 （式中、ＲAは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。Ｒ41及びＲ42は、酸不安定基である。Ｙ1は、単結合、フェニレン基若しくはナフチレン基、又はエステル結合及びラクトン環から選ばれる少なくとも１種を含む炭素数１～１２の連結基である。Ｙ2は、単結合又はエステル結合である。）
６．更に、溶解阻止剤を含む５のレジスト材料。
７．化学増幅ポジ型レジスト材料である５又は６のレジスト材料。
８．前記ベースポリマーが、酸不安定基を含まないものである１～４のいずれかのレジスト材料。
９．更に、架橋剤を含む８のレジスト材料。
１０．化学増幅ネガ型レジスト材料である８又は９のレジスト材料。
１１．更に、界面活性剤を含む１～１０のいずれかのレジスト材料。
１２．前記ベースポリマーが、更に、下記式（ｆ１）～（ｆ３）で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも１種を含む１～１１のいずれかのレジスト材料。
Figure 0007077997000005
 （式中、ＲAは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。
Ｚ1は、単結合、フェニレン基、－Ｏ－Ｚ11－、－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｚ11－又は－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－Ｚ11－であり、Ｚ11は、炭素数１～６のアルカンジイル基、炭素数２～６のアルケンジイル基、又はフェニレン基であり、カルボニル基、エステル結合、エーテル結合又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。
Ｚ2は、単結合、－Ｚ21－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－、－Ｚ21－Ｏ－又は－Ｚ21－Ｏ－Ｃ(＝Ｏ)－であり、Ｚ21は、炭素数１～１２のアルカンジイル基であり、カルボニル基、エステル結合又はエーテル結合を含んでいてもよい。
Ｚ3は、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、－Ｏ－Ｚ31－、－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｚ31－又は－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－Ｚ31－であり、Ｚ31は、炭素数１～６のアルカンジイル基、炭素数２～６のアルケンジイル基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、又はトリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基であり、カルボニル基、エステル結合、エーテル結合又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。
Ｒ51～Ｒ58は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０の１価炭化水素基である。また、Ｒ53、Ｒ54及びＲ55のいずれか２つが又はＲ56、Ｒ57及びＲ58のいずれか２つが、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成していてもよい。
Ａは、水素原子又はトリフルオロメチル基である。
Ｍ-は、非求核性対向イオンである。）
１３．１～１２のいずれかのレジスト材料を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて露光したレジスト膜を現像する工程とを含むパターン形成方法。
１４．前記高エネルギー線が、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光又は波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー光である１３のパターン形成方法。
１５．前記高エネルギー線が、ＥＢ又は波長３～１５ｎｍのＥＵＶである１３のパターン形成方法。
ヨウ素化芳香族基を有するＮ－カルボニルスルホンアミドと、２,５,８,９－テトラアザ－１－ホスファビシクロ[３.３.３]ウンデカン類、ビグアニド類又はホスファゼン類との塩を含むフォトレジスト膜は、光吸収の大きいヨウ素原子を有しているため、露光中にこれから発生する二次電子による増感効果があり、更には強塩基でバルキーな２,５,８,９－テトラアザ－１－ホスファビシクロ[３.３.３]ウンデカン類、ビグアニド類又はホスファゼン類は、酸拡散を抑える効果が高く、溶解コントラストが高いために、アルカリ水溶液現像におけるポジ型レジスト膜、ネガ型レジスト膜及び有機溶剤現像におけるネガ型レジスト膜として優れた解像性と広いフォーカスマージンを有し、特に高感度かつＬＷＲやＣＤＵが小さいという特徴を有する。
［レジスト材料］
本発明のレジスト材料は、ベースポリマーと、ヨウ素化芳香族基を有するＮ－カルボニルスルホンアミドの２,５,８,９－テトラアザ－１－ホスファビシクロ[３.３.３]ウンデカン塩、ビグアニド塩又はホスファゼン塩から選ばれる塩（以下、ヨウ素化芳香族基含有Ｎ－カルボニルスルホンアミド塩ともいう。）とを含むものである。
前記ヨウ素化芳香族基含有Ｎ－カルボニルスルホンアミド塩は、酸発生剤から発生したスルホン酸、スルホンイミド又はスルホンメチド、特にフッ素化されたアルキル基を有するスルホン酸、ビススルホンイミド又はトリススルホンメチドとイオン交換を起こし、２,５,８,９－テトラアザ－１－ホスファビシクロ[３.３.３]ウンデカンカチオン、ビグアニドカチオン又はホスファゼンカチオンがフッ素化されたアルキル基を有するスルホン酸、ビススルホンイミド又はトリススルホンメチドと塩を形成し、ヨウ素化芳香族基含有Ｎ－カルボニルスルホンアミドが放出される。２,５,８,９－テトラアザ－１－ホスファビシクロ[３.３.３]ウンデカン類、ビグアニド類又はホスファゼン類は、酸の捕集能力と酸拡散を抑える効果が高い。すなわち、本発明のレジスト材料において、前記ヨウ素化芳香族基含有Ｎ－カルボニルスルホンアミド塩は、クエンチャーとして機能する。前記ヨウ素化芳香族基含有Ｎ－カルボニルスルホンアミド塩は感光性がなく、光によって前記ヨウ素化芳香族基含有Ｎ－カルボニルスルホンアミド塩が分解されることがないため、未露光部分でも十分な酸を捕捉する能力がある。よって、露光部から未露光部への酸の拡散を抑えることができる。
本発明のレジスト材料には、前記ヨウ素化芳香族基含有Ｎ－カルボニルスルホンアミド塩のほかに、他のアミン化合物、アンモニウム塩、スルホニウム塩又はヨードニウム塩をクエンチャーとして別途添加してもよい。このとき、クエンチャーとして添加するアンモニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩としては、カルボン酸、スルホン酸、スルホンアミド又はサッカリンのアンモニウム塩、スルホニウム塩又はヨードニウム塩が適当である。このときのカルボン酸はα位がフッ素化されていてもいなくてもよい。
前記ヨウ素化芳香族基含有Ｎ－カルボニルスルホンアミド塩から選ばれる塩による酸拡散抑制効果及びコントラスト向上効果は、アルカリ水溶液現像によるポジティブパターン形成、ネガティブパターン形成においても、有機溶剤現像におけるネガティブパターン形成のどちらにおいても有効である。
［ヨウ素化芳香族基含有Ｎ－カルボニルスルホンアミド塩］
本発明のレジスト材料に含まれるヨウ素化芳香族基含有Ｎ－カルボニルスルホンアミド塩は、ヨウ素化芳香族基含有Ｎ－カルボニルスルホンアミドの、２,５,８,９－テトラアザ－１－ホスファビシクロ[３.３.３]ウンデカン塩、ビグアニド塩又はホスファゼン塩であり、下記式（Ａ）で表されるものが好ましい。
Figure 0007077997000006
式（Ａ）中、Ｒ1は、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～６のアシロキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、アミノ基、－ＮＲ1A－Ｃ(＝Ｏ)－Ｒ1B又は－ＮＲ1A－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｒ1Bであり、Ｒ1Aは、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基であり、Ｒ1Bは、炭素数１～６のアルキル基又は炭素数２～８のアルケニル基である。
前記炭素数１～６のアルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロブチル基、ｎ－ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。また、炭素数１～６のアルコキシ基のアルキル部としては、前述したアルキル基の具体例と同様のものが、炭素数２～６のアシロキシ基のアルキル部としては、前述したアルキル基のうち炭素数１～５のものが挙げられる。前記炭素数２～８のアルケニル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、ビニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。
Ｒ1としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヒドロキシ基、アミノ基、炭素数１～３のアルキル基、炭素数１～３のアルコキシ基、炭素数２～４のアシロキシ基、－ＮＲ1A－Ｃ(＝Ｏ)－Ｒ1B、又は－ＮＲ1A－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｒ1Bが好ましい。
式（Ａ）中、Ｒ2は、炭素数１～１０のアルキル基又は炭素数６～１０のアリール基であり、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数１～１２のアルコキシ基、炭素数２～１２のアルコキシカルボニル基、アシル基、炭素数２～１２のアシロキシ基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。
前記炭素数１～１０のアルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、前述した炭素数１～６のアルキル基のほか、ｎ－へプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。前記炭素数６～１０のアリール基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等が挙げられる。前記炭素数１～１２のアルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、前述した炭素数１～１０のアルキル基のほか、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基等が挙げられる。前記炭素数１～１２のアルコキシ基のアルキル部としては、前述した炭素数１～１２のアルキル基の具体例と同様のものが挙げられ、炭素数２～１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２～１２のアシル基及び炭素数２～１２のアシロキシ基のアルキル部としては、前述した炭素数１～１２のアルキル基の具体例のうち、炭素数１～１１のものが挙げられる。
式（Ａ）中、Ｘ1は、単結合又は炭素数１～２０の２価の連結基であり、該連結基は、エーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、スルトン基、ラクタム基、カーボネート基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を含んでいてもよい。
式（Ａ）で表される塩のアニオンとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。
Figure 0007077997000007
Figure 0007077997000008
Figure 0007077997000009
Figure 0007077997000010
Figure 0007077997000011
式（Ａ）中、Ａ+は、下記式（Ａ）－１、（Ａ）－２又は（Ａ）－３で表されるカチオンである。
Figure 0007077997000012
式（Ａ）－１中、Ｒ11～Ｒ13は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２４のアルキル基、炭素数２～２４のアルケニル基、炭素数２～２４のアルキニル基又は炭素数６～２０のアリール基である。
式（Ａ）－２中、Ｒ14～Ｒ21は、水素原子、炭素数１～２４のアルキル基、炭素数２～２４のアルケニル基、炭素数２～２４のアルキニル基又は炭素数６～２０のアリール基であり、これらの中にエステル結合、エーテル結合、スルフィド結合、スルホキシド基、カーボネート基、カーバメート基、スルホン基、ハロゲン原子、アミノ基、アミド結合、ヒドロキシ基、チオール基、又はニトロ基を含んでいてもよく、Ｒ14とＲ15と、Ｒ15とＲ16と、Ｒ16とＲ17と、Ｒ17とＲ18と、Ｒ18とＲ19と、Ｒ19とＲ20と、又はＲ20とＲ21とが、互いに結合して環を形成してもよく、該環の中にエーテル結合を含んでいてもよい。
式（Ａ）－３中、Ｒ22～Ｒ29は、水素原子、炭素数１～２４のアルキル基、炭素数２～２４のアルケニル基、炭素数２～２４のアルキニル基又は炭素数６～２０のアリール基であり、これらの中にエステル結合、エーテル結合、スルフィド結合、スルホキシド基、カーボネート基、カーバメート基、スルホン基、ハロゲン原子、アミノ基、アミド結合、ヒドロキシ基、チオール基、又はニトロ基を含んでいてもよく、Ｒ22とＲ23と、Ｒ23とＲ24と、Ｒ24とＲ25と、Ｒ25とＲ26と、Ｒ26とＲ27と、又はＲ27とＲ28とが、互いに結合して環を形成してもよく、Ｒ23とＲ24と、Ｒ25とＲ26と、Ｒ27とＲ28と、又はＲ28とＲ29とが合わさって、下記式（Ａ）－３－１で表される基を形成してもよく、Ｒ22が水素原子である場合は、Ｒ23が下記式（Ａ）－３－２で表される基であってもよい。
Figure 0007077997000013
式（Ａ）－３－１及び（Ａ）－３－２中、Ｒ30～Ｒ39は、水素原子、炭素数１～２４のアルキル基、炭素数２～２４のアルケニル基、炭素数２～２４のアルキニル基又は炭素数６～２０のアリール基であり、Ｒ30とＲ31と、Ｒ31とＲ32と、Ｒ32とＲ33と、Ｒ33とＲ34と、Ｒ34とＲ35と、Ｒ36とＲ37と、又はＲ38とＲ39とが、互いに結合して環を形成してもよく、また、Ｒ30とＲ31と、Ｒ32とＲ33と、又はＲ34とＲ35とが合わさって、式（Ａ）－３－１で表される基を形成してもよい。
前記炭素数１～２４のアルキル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロブチル基、ｎ－ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ－へプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基等が挙げられる。前記炭素数２～２４のアルケニル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、ビニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。前記炭素数２～２４のアルキニル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基等が挙げられる。前記炭素数６～２０のアリール基としては、前述したものと同様のものが挙げられる。
式（Ａ）－１で表される２,５,８,９－テトラアザ－１－ホスファビシクロ[３.３.３]ウンデカンカチオンとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。
Figure 0007077997000014
式（Ａ）－２で表されるビグアニドカチオンとして、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。
Figure 0007077997000015
Figure 0007077997000016
Figure 0007077997000017
式（Ａ）－３で表されるホスファゼンカチオンとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。
Figure 0007077997000018
Figure 0007077997000019
Figure 0007077997000020
カチオン化した２,５,８,９－テトラアザ－１－ホスファビシクロ[３.３.３]ウンデカン類、ビグアニド類又はホスファゼン類において、プラス電荷は、複数の窒素原子に非局在化している。このため、スルホン酸アニオン、スルホンイミドアニオン、スルホンメチドアニオンをトラップして中和するポイントが至る所に存在し、これによって素早くアニオンをトラップすることができる。２,５,８,９－テトラアザ－１－ホスファビシクロ[３.３.３]ウンデカン類、ビグアニド類及びホスファゼン類は、塩基性度が高く、高いトラップ能を有している優れたクエンチャーである。
前記ヨウ素化芳香族基含有Ｎ－カルボニルスルホンアミド塩の合成方法としては、２,５,８,９－テトラアザ－１－ホスファビシクロ[３.３.３]ウンデカン類、ビグアニド類又はホスファゼン類と、ヨウ素化芳香族基含有Ｎ－カルボニルスルホンアミドとを混合する方法が挙げられる。
前記ヨウ素化芳香族基含有Ｎ－カルボニルスルホンアミド塩は、分子内にヨウ素原子を有しているため、ＥＵＶの吸収が大きい。ＥＵＶ露光によって二次電子が発生し、これが酸発生剤にエネルギー移動して増感する。これによって、高感度かつ低酸拡散を実現することができ、ＬＷＲ又はＣＤＵと感度との両方の性能を向上することが可能になる。
本発明のレジスト材料中、前記ヨウ素化芳香族基含有Ｎ－カルボニルスルホンアミド塩の含有量は、後述するベースポリマー１００質量部に対し、感度と酸拡散抑制効果の点から０.００１～５０質量部が好ましく、０.０１～２０質量部がより好ましい。
［ベースポリマー］
本発明のレジスト材料に含まれるベースポリマーは、化学増幅ポジ型レジスト材料の場合、酸不安定基を有する繰り返し単位を含む。前記酸不安定基を有する繰り返し単位としては、下記式（ａ１）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位ａ１ともいう。）、又は下記式（ａ２）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位ａ２ともいう。）が好ましい。
Figure 0007077997000021
式（ａ１）及び（ａ２）中、ＲAは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。Ｒ41及びＲ42は、酸不安定基である。Ｙ1は、単結合、フェニレン基若しくはナフチレン基、又はエステル結合及びラクトン環から選ばれる少なくとも１種を含む炭素数１～１２の連結基である。Ｙ2は、単結合又はエステル結合である。
繰り返し単位ａ１を与えるモノマーとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記式中、ＲA及びＲ41は、前記と同じである。
Figure 0007077997000022
繰り返し単位ａ２を与えるモノマーとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記式中、ＲA及びＲ42は、前記と同じである。
Figure 0007077997000023
式（ａ１）及び（ａ２）中、Ｒ41及びＲ42で表される酸不安定基としては、例えば、特開２０１３－８００３３号公報、特開２０１３－８３８２１号公報に記載のものが挙げられる。
典型的には、前記酸不安定基としては、下記式（ＡＬ－１）～（ＡＬ－３）で表されるものが挙げられる。
Figure 0007077997000024
 （式中、破線は、結合手である。）
式（ＡＬ－１）及び（ＡＬ－２）中、ＲL1及びＲL2は、それぞれ独立に、炭素数１～４０の１価炭化水素基であり、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、フッ素原子等のヘテロ原子を含んでいてもよい。前記１価炭化水素基としては、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、炭素数１～４０のアルキル基が好ましく、炭素数１～２０のアルキル基がより好ましい。式（ＡＬ－１）中、ａは、０～１０の整数であり、１～５の整数が好ましい。
式（ＡＬ－２）中、ＲL3及びＲL4は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～２０の１価炭化水素基であり、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、フッ素原子等のヘテロ原子を含んでいてもよい。前記１価炭化水素基としては、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、炭素数１～２０のアルキル基が好ましい。また、ＲL2、ＲL3及びＲL4のいずれか２つが、互いに結合してこれらが結合する炭素原子又は炭素原子と酸素原子と共に炭素数３～２０の環を形成してもよい。前記環としては、炭素数４～１６の環が好ましく、特に脂環が好ましい。
式（ＡＬ－３）中、ＲL5、ＲL6及びＲL7は、それぞれ独立に、炭素数１～２０の１価炭化水素基であり、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、フッ素原子等のヘテロ原子を含んでいてもよい。前記１価炭化水素基としては、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、炭素数１～２０のアルキル基が好ましい。また、ＲL5、ＲL6及びＲL7のいずれか２つが、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数３～２０の環を形成してもよい。前記環としては、炭素数４～１６の環が好ましく、特に脂環が好ましい。
前記ベースポリマーは、更に、密着性基としてフェノール性ヒドロキシ基を有する繰り返し単位ｂを含んでもよい。繰り返し単位ｂを与えるモノマーとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記式中、ＲAは、前記と同じである。
Figure 0007077997000025
前記ベースポリマーは、更に、他の密着性基として、フェノール性ヒドロキシ基以外のヒドロキシ基、ラクトン環、エーテル結合、エステル結合、カルボニル基、シアノ基又はカルボキシ基を含む繰り返し単位ｃを含んでもよい。繰り返し単位ｃを与えるモノマーとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記式中、ＲAは、前記と同じである。
Figure 0007077997000026
Figure 0007077997000027
Figure 0007077997000028
Figure 0007077997000029
Figure 0007077997000030
Figure 0007077997000031
Figure 0007077997000032
Figure 0007077997000033
前記ベースポリマーは、更に、インデン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、アセナフチレン、クロモン、クマリン、ノルボルナジエン又はこれらの誘導体に由来する繰り返し単位ｄを含んでもよい。繰り返し単位ｄを与えるモノマーとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。
Figure 0007077997000034
前記ベースポリマーは、更に、スチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、ビニルピレン、メチレンインダン、ビニルピリジン又はビニルカルバゾールに由来する繰り返し単位ｅを含んでもよい。
前記ベースポリマーは、更に、重合性不飽和結合を含むオニウム塩に由来する繰り返し単位ｆを含んでもよい。好ましい繰り返し単位ｆとしては、下記式（ｆ１）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位ｆ１ともいう。）、下記式（ｆ２）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位ｆ２ともいう。）、及び下記式（ｆ３）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位ｆ３ともいう。）が挙げられる。なお、繰り返し単位ｆ１～ｆ３は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
Figure 0007077997000035
式（ｆ１）～（ｆ３）中、ＲAは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。Ｚ1は、単結合、フェニレン基、－Ｏ－Ｚ11－、－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｚ11－又は－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－Ｚ11－であり、Ｚ11は、炭素数１～６のアルカンジイル基、炭素数２～６のアルケンジイル基、又はフェニレン基であり、カルボニル基、エステル結合、エーテル結合又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。Ｚ2は、単結合、－Ｚ21－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－、－Ｚ21－Ｏ－又は－Ｚ21－Ｏ－Ｃ(＝Ｏ)－であり、Ｚ21は、炭素数１～１２のアルカンジイル基であり、カルボニル基、エステル結合又はエーテル結合を含んでいてもよい。Ｚ3は、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、－Ｏ－Ｚ31－、－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｚ31－又は－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－Ｚ31－であり、Ｚ31は、炭素数１～６のアルカンジイル基、炭素数２～６のアルケンジイル基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、又はトリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基であり、カルボニル基、エステル結合、エーテル結合又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。式（ｆ２）中、Ａは、水素原子又はトリフルオロメチル基である。なお、前記アルカンジイル基及びアルケンジイル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。
式（ｆ１）～（ｆ３）中、Ｒ51～Ｒ58は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０の１価炭化水素基である。前記１価炭化水素基としては、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数６～１２のアリール基、炭素数７～２０のアラルキル基等が挙げられる。また、これらの基の水素原子の一部又は全部が、炭素数１～１０のアルキル基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、炭素数１～１０のアルコキシ基、炭素数２～１０のアルコキシカルボニル基、又は炭素数２～１０のアシロキシ基で置換されていてもよく、これらの基の炭素原子の一部が、カルボニル基、エーテル結合又はエステル結合で置換されていてもよい。また、Ｒ53、Ｒ54及びＲ55のいずれか２つが又はＲ56、Ｒ57及びＲ58のいずれか２つが、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成していてもよい。
式（ｆ１）中、Ｍ-は、非求核性対向イオンである。前記非求核性対向イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン等のハライドイオン；トリフレートイオン、１,１,１－トリフルオロエタンスルホネートイオン、ノナフルオロブタンスルホネートイオン等のフルオロアルキルスルホネートイオン；トシレートイオン、ベンゼンスルホネートイオン、４－フルオロベンゼンスルホネートイオン、１,２,３,４,５－ペンタフルオロベンゼンスルホネートイオン等のアリールスルホネートイオン；メシレートイオン、ブタンスルホネートイオン等のアルキルスルホネートイオン；ビス(トリフルオロメチルスルホニル)イミドイオン、ビス(パーフルオロエチルスルホニル)イミドイオン、ビス(パーフルオロブチルスルホニル)イミドイオン等のイミド酸イオン；トリス(トリフルオロメチルスルホニル)メチドイオン、トリス(パーフルオロエチルスルホニル)メチドイオン等のメチド酸イオンが挙げられる。
前記非求核性対向イオンとしては、更に、下記式（ｆ１－１）で表されるα位がフッ素で置換されたスルホン酸イオン、下記式（ｆ１－２）で表されるα及びβ位がフッ素で置換されたスルホン酸イオン等が挙げられる。
Figure 0007077997000036
式（ｆ１－１）中、Ｒ61は、水素原子、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、又は炭素数６～２０のアリール基であり、エーテル結合、エステル結合、カルボニル基、ラクトン環又はフッ素原子を含んでいてもよい。前記アルキル基及びアルケニル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。
式（ｆ１－２）中、Ｒ62は、水素原子、炭素数１～３０のアルキル基、炭素数２～２０のアシル基、炭素数２～２０のアルケニル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数６～２０のアリールオキシ基であり、エーテル結合、エステル結合、カルボニル基又はラクトン環を含んでいてもよい。前記アルキル基、アシル基、及びアルケニル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。
繰り返し単位ｆ１を与えるモノマーとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記式中、ＲA及びＭ-は、前記と同じである。
Figure 0007077997000037
繰り返し単位ｆ２を与えるモノマーとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記式中、ＲAは、前記と同じである。
Figure 0007077997000038
Figure 0007077997000039
Figure 0007077997000040
Figure 0007077997000041
Figure 0007077997000042
繰り返し単位ｆ３を与えるモノマーとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記式中、ＲAは、前記と同じである。
Figure 0007077997000043
Figure 0007077997000044
ポリマー主鎖に酸発生剤を結合させることによって酸拡散を小さくし、酸拡散のぼけによる解像性の低下を防止できる。また、酸発生剤が均一に分散することによってＬＷＲが改善される。なお、繰り返し単位ｆを含むベースポリマーを用いる場合、後述する添加型酸発生剤の配合を省略し得る。
ポジ型レジスト材料用のベースポリマーは、酸不安定基を含む繰り返し単位ａ１又はａ２を必須とする。この場合、繰り返し単位ａ１、ａ２、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ及びｆの含有比率は、０≦ａ１＜１.０、０≦ａ２＜１.０、０＜ａ１＋ａ２＜１.０、０≦ｂ≦０.９、０≦ｃ≦０.９、０≦ｄ≦０.８、０≦ｅ≦０.８、及び０≦ｆ≦０.５が好ましく、０≦ａ１≦０.９、０≦ａ２≦０.９、０.１≦ａ１＋ａ２≦０.９、０≦ｂ≦０.８、０≦ｃ≦０.８、０≦ｄ≦０.７、０≦ｅ≦０.７、及び０≦ｆ≦０.４がより好ましく、０≦ａ１≦０.８、０≦ａ２≦０.８、０.１≦ａ１＋ａ２≦０.８、０≦ｂ≦０.７５、０≦ｃ≦０.７５、０≦ｄ≦０.６、０≦ｅ≦０.６、及び０≦ｆ≦０.３が更に好ましい。なお、繰り返し単位ｆが繰り返し単位ｆ１～ｆ３から選ばれる少なくとも１種である場合、ｆ＝ｆ１＋ｆ２＋ｆ３である。また、ａ１＋ａ２＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１.０である。
一方、ネガ型レジスト材料用のベースポリマーは、酸不安定基は必ずしも必要ではない。このようなベースポリマーとしては、繰り返し単位ｂを含み、必要に応じて更に繰り返し単位ｃ、ｄ、ｅ及び／又はｆを含むものが挙げられる。これらの繰り返し単位の含有比率は、０＜ｂ≦１.０、０≦ｃ≦０.９、０≦ｄ≦０.８、０≦ｅ≦０.８、及び０≦ｆ≦０.５が好ましく、０.２≦ｂ≦１.０、０≦ｃ≦０.８、０≦ｄ≦０.７、０≦ｅ≦０.７、及び０≦ｆ≦０.４がより好ましく、０.３≦ｂ≦１.０、０≦ｃ≦０.７、０≦ｄ≦０.６、０≦ｅ≦０.６、及び０≦ｆ≦０.３が更に好ましい。なお、繰り返し単位ｆが繰り返し単位ｆ１～ｆ３から選ばれる少なくとも１種である場合、ｆ＝ｆ１＋ｆ２＋ｆ３である。また、ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１.０である。
前記ベースポリマーを合成するには、例えば、前述した繰り返し単位を与えるモノマーを、有機溶剤中、ラジカル重合開始剤を加え加熱し、重合を行えばよい。
重合時に使用する有機溶剤としては、トルエン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン等が挙げられる。重合開始剤としては、２,２'－アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、２,２'－アゾビス(２,４－ジメチルバレロニトリル)、ジメチル２,２－アゾビス(２－メチルプロピオネート)、ベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド等が挙げられる。重合時の温度は、好ましくは５０～８０℃である。反応時間は、好ましくは２～１００時間、より好ましくは５～２０時間である。
ヒドロキシ基を含むモノマーを共重合する場合、重合時にヒドロキシ基をエトキシエトキシ基等の酸によって脱保護しやすいアセタール基で置換しておいて重合後に弱酸と水によって脱保護を行ってもよいし、アセチル基、ホルミル基、ピバロイル基等で置換しておいて重合後にアルカリ加水分解を行ってもよい。
ヒドロキシスチレンやヒドロキシビニルナフタレンを共重合する場合は、ヒドロキシスチレンやヒドロキシビニルナフタレンのかわりにアセトキシスチレンやアセトキシビニルナフタレンを用い、重合後前記アルカリ加水分解によってアセトキシ基を脱保護してヒドロキシスチレンやヒドロキシビニルナフタレンにしてもよい。
アルカリ加水分解時の塩基としては、アンモニア水、トリエチルアミン等が使用できる。また、反応温度は、好ましくは－２０～１００℃、より好ましくは０～６０℃である。反応時間は、好ましくは０.２～１００時間、より好ましくは０.５～２０時間である。
前記ベースポリマーは、溶剤としてテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）が、好ましくは１,０００～５００,０００、より好ましくは２,０００～３０,０００である。Ｍｗが小さすぎるとレジスト材料が耐熱性に劣るものとなり、大きすぎるとアルカリ溶解性が低下し、パターン形成後に裾引き現象が生じやすくなる。
更に、前記ベースポリマーにおいて分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が広い場合は、低分子量や高分子量のポリマーが存在するために、露光後、パターン上に異物が見られたり、パターンの形状が悪化したりするおそれがある。パターンルールが微細化するに従って、ＭｗやＭｗ／Ｍｎの影響が大きくなりやすいことから、微細なパターン寸法に好適に用いられるレジスト材料を得るには、前記ベースポリマーのＭｗ／Ｍｎは、１.０～２.０、特に１.０～１.５と狭分散であることが好ましい。
前記ベースポリマーは、組成比率、Ｍｗ、Ｍｗ／Ｍｎが異なる２つ以上のポリマーを含んでもよい。
［酸発生剤］
本発明のレジスト材料は、強酸を発生する酸発生剤（以下、添加型酸発生剤ともいう。）を含んでもよい。ここでいう強酸とは、化学増幅ポジ型レジスト材料の場合はベースポリマーの酸不安定基の脱保護反応を起こすのに十分な酸性度を有している化合物、化学増幅ネガ型レジスト材料の場合は酸による極性変化反応又は架橋反応を起こすのに十分な酸性度を有している化合物を意味する。このような酸発生剤を含むことで、前述したヨウ素化芳香族基含有Ｎ－カルボニルスルホンアミド塩がクエンチャーとして機能し、本発明のレジスト材料が、化学増幅ポジ型レジスト材料又は化学増幅ネガ型レジスト材料として機能することができる。
前記酸発生剤としては、例えば、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（光酸発生剤）が挙げられる。光酸発生剤としては、高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいかなるものでも構わないが、スルホン酸、スルホンイミド、又はスルホンメチドを発生するものが好ましい。好適な光酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、Ｎ－スルホニルオキシイミド、オキシム－Ｏ－スルホネート型酸発生剤等がある。光酸発生剤の具体例としては、特開２００８－１１１１０３号公報の段落［０１２２］～［０１４２］に記載されているものが挙げられる。
また、光酸発生剤として、下記式（１－１）で表されるスルホニウム塩や、下記式（１－２）で表されるヨードニウム塩も好適に使用できる。
Figure 0007077997000045
式（１－１）及び（１－２）中、Ｒ101、Ｒ102、Ｒ103、Ｒ104及びＲ105は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０の１価炭化水素基である。また、Ｒ101、Ｒ102及びＲ103のうちのいずれか２つが、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよい。前記１価炭化水素基としては、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、式（ｆ１）～（ｆ３）中のＲ21～Ｒ28の説明において前述したものと同様のものが挙げられる。
式（１－１）で表されるスルホニウム塩のカチオンとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。
Figure 0007077997000046
Figure 0007077997000047
Figure 0007077997000048
Figure 0007077997000049
Figure 0007077997000050
Figure 0007077997000051
Figure 0007077997000052
Figure 0007077997000053
Figure 0007077997000054
Figure 0007077997000055
式（１－２）で表されるヨードニウム塩のカチオンとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。
Figure 0007077997000056
式（１－１）及び（１－２）中、Ｘ-は、下記式（１Ａ）～（１Ｄ）から選ばれるアニオンである。
Figure 0007077997000057
式（１Ａ）中、Ｒfaは、フッ素原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～４０の１価炭化水素基である。前記１価炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、後述するＲ107の説明において述べるものと同様のものが挙げられる。
式（１Ａ）で表されるアニオンとしては、下記式（１Ａ'）で表されるものが好ましい。
Figure 0007077997000058
式（１Ａ'）中、Ｒ106は、水素原子又はトリフルオロメチル基であり、好ましくはトリフルオロメチル基である。Ｒ107は、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～３８の１価炭化水素基を表す。前記ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等が好ましく、酸素原子がより好ましい。前記１価炭化水素基としては、微細パターン形成において高解像性を得る点から、特に炭素数６～３０であるものが好ましい。
前記１価炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２－エチルヘキシル基、ノニル基、ウンデシル基、トリデシル基、ペンタデシル基、ヘプタデシル基、イコサニル基等の直鎖状又は分岐状のアルキル基；シクロヘキシル基、１－アダマンチル基、２－アダマンチル基、１－アダマンチルメチル基、ノルボルニル基、ノルボルニルメチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、テトラシクロドデカニルメチル基、ジシクロヘキシルメチル基等の１価飽和環状脂肪族炭化水素基；アリル基、３－シクロヘキセニル基等の１価不飽和脂肪族炭化水素基；フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、ジフェニルメチル基等のアラルキル基等が挙げられる。また、ヘテロ原子を含む１価炭化水素基として、テトラヒドロフリル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、メチルチオメチル基、アセトアミドメチル基、トリフルオロエチル基、(２－メトキシエトキシ)メチル基、アセトキシメチル基、２－カルボキシ－１－シクロヘキシル基、２－オキソプロピル基、４－オキソ－１－アダマンチル基、３－オキソシクロヘキシル基等が挙げられる。また、これらの基の水素原子の一部が、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ハロゲン原子等のヘテロ原子含有基で置換されていてもよく、あるいはこれらの基の炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子含有基で置換されていてもよく、その結果、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、カーボネート基、ラクトン環、スルトン環、カルボン酸無水物、ハロアルキル基等を含んでいてもよい。
式（１Ａ'）で表されるアニオンを含むスルホニウム塩の合成に関しては、特開２００７－１４５７９７号公報、特開２００８－１０６０４５号公報、特開２００９－７３２７号公報、特開２００９－２５８６９５号公報等に詳しい。また、特開２０１０－２１５６０８号公報、特開２０１２－４１３２０号公報、特開２０１２－１０６９８６号公報、特開２０１２－１５３６４４号公報等に記載のスルホニウム塩も好適に用いられる。
式（１Ａ）で表されるアニオンとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。なお、下記式中、Ａｃはアセチル基である。
Figure 0007077997000059
Figure 0007077997000060
Figure 0007077997000061
Figure 0007077997000062
式（１Ｂ）中、Ｒfb1及びＲfb2は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～４０の１価炭化水素基を表す。前記１価炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、前記Ｒ107の説明において挙げたものと同様のものが挙げられる。Ｒfb1及びＲfb2として好ましくは、フッ素原子又は炭素数１～４の直鎖状フッ素化アルキル基である。また、Ｒfb1とＲfb2とは、互いに結合してこれらが結合する基（－ＣＦ2－ＳＯ2－Ｎ-－ＳＯ2－ＣＦ2－）と共に環を形成してもよく、この場合、Ｒfb1とＲfb2とが互いに結合して得られる基は、フッ素化エチレン基又はフッ素化プロピレン基であることが好ましい。
式（１Ｃ）中、Ｒfc1、Ｒfc2及びＲfc3は、それぞれ独立に、フッ素原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～４０の１価炭化水素基である。前記１価炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、前記Ｒ107の説明において挙げたものと同様のものが挙げられる。Ｒfc1、Ｒfc2及びＲfc3として好ましくは、フッ素原子又は炭素数１～４の直鎖状フッ素化アルキル基である。また、Ｒfc1とＲfc2とは、互いに結合してこれらが結合する基（－ＣＦ2－ＳＯ2－Ｃ-－ＳＯ2－ＣＦ2－）と共に環を形成してもよく、この場合、Ｒfc1とＲfc2とが互いに結合して得られる基は、フッ素化エチレン基又はフッ素化プロピレン基であることが好ましい。
式（１Ｄ）中、Ｒfdは、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～４０の１価炭化水素基である。前記１価炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、前記Ｒ107の説明において挙げたものと同様のものが挙げられる。
式（１Ｄ）で表されるアニオンを含むスルホニウム塩の合成に関しては、特開２０１０－２１５６０８号公報及び特開２０１４－１３３７２３号公報に詳しい。
式（１Ｄ）で表されるアニオンとしては、以下に示すものが挙げられるが、これらに限定されない。
Figure 0007077997000063
なお、式（１Ｄ）で表されるアニオンを含む光酸発生剤は、スルホ基のα位にフッ素は有していないが、β位に２つのトリフルオロメチル基を有していることに起因して、レジストポリマー中の酸不安定基を切断するには十分な酸性度を有している。そのため、光酸発生剤として使用することができる。
更に、光酸発生剤として、下記式（２）で表されるものも好適に使用できる。
Figure 0007077997000064
式（２）中、Ｒ201及びＲ202は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～３０の１価炭化水素基である。Ｒ203は、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～３０の２価炭化水素基である。また、Ｒ201、Ｒ202及びＲ203のうちのいずれか２つが、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよい。ＬAは、単結合、エーテル結合、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０の２価炭化水素基である。ＸA、ＸB、ＸC及びＸDは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はトリフルオロメチル基である。ただし、ＸA、ＸB、ＸC及びＸDのうち少なくとも１つは、フッ素原子又はトリフルオロメチル基である。ｋは、０～３の整数である。
前記１価炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、２－エチルヘキシル基等の直鎖状又は分岐状のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロペンチルブチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルブチル基、ノルボルニル基、オキサノルボルニル基、トリシクロ[５.２.１.０2,6]デカニル基、アダマンチル基等の１価飽和環状炭化水素基；フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等のアリール基等が挙げられる。また、これらの基の水素原子の一部が、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ハロゲン原子等のヘテロ原子含有基で置換されていてもよく、これらの基の炭素原子の一部が、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子含有基で置換されていてもよく、その結果、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、カーボネート基、ラクトン環、スルトン環、カルボン酸無水物、ハロアルキル基等を含んでいてもよい。
前記２価炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロパン－１,３－ジイル基、ブタン－１,４－ジイル基、ペンタン－１,５－ジイル基、ヘキサン－１,６－ジイル基、ヘプタン－１,７－ジイル基、オクタン－１,８－ジイル基、ノナン－１,９－ジイル基、デカン－１,１０－ジイル基、ウンデカン－１,１１－ジイル基、ドデカン－１,１２－ジイル基、トリデカン－１,１３－ジイル基、テトラデカン－１,１４－ジイル基、ペンタデカン－１,１５－ジイル基、ヘキサデカン－１,１６－ジイル基、ヘプタデカン－１,１７－ジイル基等の直鎖状又は分岐状のアルカンジイル基；シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、ノルボルナンジイル基、アダマンタンジイル基等の２価飽和環状炭化水素基；フェニレン基、ナフチレン基等の２価不飽和環状炭化水素基等が挙げられる。また、これらの基の水素原子の一部が、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等のアルキル基で置換されていてもよく、これらの基の水素原子の一部が、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ハロゲン原子等のヘテロ原子含有基で置換されていてもよく、又はこれらの基の炭素原子の一部が、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子含有基で置換されていてもよく、その結果、ヒドロキシ基、シアノ基、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、カーボネート基、ラクトン環、スルトン環、カルボン酸無水物、ハロアルキル基等を含んでいてもよい。前記ヘテロ原子としては、酸素原子が好ましい。
式（２）で表される光酸発生剤としては、下記式（２'）で表されるものが好ましい。
Figure 0007077997000065
式（２'）中、ＬAは、前記と同じ。ＲHFは、水素原子又はトリフルオロメチル基であり、好ましくはトリフルオロメチル基である。Ｒ301、Ｒ302及びＲ303は、それぞれ独立に、水素原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０の１価炭化水素基である。前記１価炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、前記Ｒ107の説明において挙げたものと同様のものが挙げられる。ｘ及びｙは、それぞれ独立に、０～５の整数であり、ｚは、０～４の整数である。
前記光酸発生剤のうち、式（１Ａ'）又は（１Ｄ）で表されるアニオンを含むものは、酸拡散が小さく、かつレジスト溶剤への溶解性にも優れており、特に好ましい。また、式（２'）で表されるアニオンを含むものは、酸拡散が極めて小さく、特に好ましい。
更に、前記光酸発生剤として、ヨウ素原子又は臭素原子で置換された芳香環を含むアニオンを有するスルホニウム塩又はヨードニウム塩を用いることもできる。このような塩としては、下記式（３－１）又は（３－２）で表されるものが挙げられる。
Figure 0007077997000066
式（３－１）及び（３－２）中、ＸBIは、ヨウ素原子又は臭素原子であり、ｓが２以上のとき、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ｌ1は、単結合、エーテル結合若しくはエステル結合、又はエーテル結合若しくはエステル結合を含んでいてもよい炭素数１～６のアルカンジイル基である。前記アルカンジイル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。
Ｒ401は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子若しくはアミノ基、若しくはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヒドロキシ基、アミノ基若しくは炭素数１～１０のアルコキシ基を含んでいてもよい、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数１～２０のアルコキシ基、炭素数２～１０のアルコキシカルボニル基、炭素数２～２０のアシロキシ基若しくは炭素数１～２０のアルキルスルホニルオキシ基、又は－ＮＲ401A－Ｃ(＝Ｏ)－Ｒ401B若しくは－ＮＲ401A－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｒ401Bである。Ｒ401Aは、水素原子、又はハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～６のアシル基若しくは炭素数２～６のアシロキシ基を含んでいてもよい炭素数１～６のアルキル基であり、Ｒ401Bは、炭素数１～１６のアルキル基、炭素数２～１６のアルケニル基、又は炭素数６～１２のアリール基であり、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～６のアシル基、又は炭素数２～６のアシロキシ基を含んでいてもよい。前記アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシロキシ基、アシル基及びアルケニル基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。ｔが２以上のとき、各Ｒ401は互いに同一であっても異なっていてもよい。
これらのうち、Ｒ401としては、ヒドロキシ基、－ＮＲ401A－Ｃ(＝Ｏ)－Ｒ401B、－ＮＲ401A－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｒ401B、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、メトキシ基等が好ましい。
Ｒ402は、ｒが１のときは単結合又は炭素数１～２０の２価の連結基であり、ｒが２又は３のときは炭素数１～２０の３価又は４価の連結基であり、該連結基は酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を含んでいてもよい。
Ｒｆ1～Ｒｆ4は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であるが、これらのうち少なくとも１つはフッ素原子又はトリフルオロメチル基である。また、Ｒｆ1とＲｆ2とが合わさって、カルボニル基を形成してもよい。特に、Ｒｆ3及びＲｆ4がともにフッ素原子であることが好ましい。
Ｒ403、Ｒ404、Ｒ405、Ｒ406及びＲ407は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０の１価炭化水素基である。また、Ｒ403、Ｒ404及びＲ405のいずれか２つが、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成してもよい。前記１価炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数２～１２のアルケニル基、炭素数２～１２のアルキニル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数７～１２のアラルキル基等が挙げられる。また、これらの基の水素原子の一部又は全部が、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、メルカプト基、スルトン基、スルホン基又はスルホニウム塩含有基で置換されていてもよく、これらの基の炭素原子の一部が、エーテル結合、エステル結合、カルボニル基、アミド結合、カーボネート基又はスルホン酸エステル結合で置換されていてもよい。
ｒは、１≦ｒ≦３を満たす整数である。ｓ及びｔは、１≦ｓ≦５、０≦ｔ≦３、及び１≦ｓ＋ｔ≦５を満たす整数である。ｓは、１≦ｓ≦３を満たす整数が好ましく、２又は３がより好ましい。ｔは、０≦ｔ≦２を満たす整数が好ましい。
式（３－１）で表されるスルホニウム塩のカチオンとしては、式（１－１）で表されるスルホニウム塩のカチオンとして前述したものと同様のものが挙げられる。また、式（３－２）で表されるヨードニウム塩のカチオンとしては、式（１－２）で表されるヨードニウム塩のカチオンとして前述したものと同様のものが挙げられる。
添加型酸発生剤は、１種単独で又は２種以上を混合して使用することができる。添加型酸発生剤を含む場合、その含有量は、ベースポリマー１００質量部に対し、０.１～５０質量部が好ましく、１～４０質量部がより好ましい。
［有機溶剤］
本発明のレジスト材料には、有機溶剤を配合してもよい。前記有機溶剤としては、前述した各成分及び後述する各成分が溶解可能なものであれば、特に限定されない。このような有機溶剤としては、特開２００８－１１１１０３号公報の段落［０１４４］～［０１４５］に記載の、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル－２－ｎ－ペンチルケトン等のケトン類、３－メトキシブタノール、３－メチル－３－メトキシブタノール、１－メトキシ－２－プロパノール、１－エトキシ－２－プロパノール、ジアセトンアルコール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ｔｅｒｔ－ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ－ブチル、プロピレングリコールモノｔｅｒｔ－ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ－ブチロラクトン等のラクトン類、及びこれらの混合溶剤が挙げられる。
本発明のレジスト材料中、前記有機溶剤の含有量は、ベースポリマー１００質量部に対し、１００～１０,０００質量部が好ましく、２００～８,０００質量部がより好ましい。
［その他の成分］
前述した成分に加えて、界面活性剤、溶解阻止剤、架橋剤等を目的に応じて適宜組み合わせて配合してポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料を構成することによって、露光部では前記ベースポリマーが触媒反応により現像液に対する溶解速度が加速されるので、極めて高感度のポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料とすることができる。この場合、レジスト膜の溶解コントラスト及び解像性が高く、露光余裕度があり、プロセス適応性に優れ、露光後のパターン形状が良好でありながら、特に酸拡散を抑制できることから粗密寸法差が小さく、これらのことから実用性が高く、超ＬＳＩ用レジスト材料として非常に有効なものとすることができる。
前記界面活性剤としては、特開２００８－１１１１０３号公報の段落［０１６５］～［０１６６］に記載されたものが挙げられる。界面活性剤を添加することによって、レジスト材料の塗布性を一層向上あるいは制御することができる。界面活性剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。本発明のレジスト材料において、前記界面活性剤の含有量は、ベースポリマー１００質量部に対し、０.０００１～１０質量部が好ましい。
ポジ型レジスト材料の場合は、溶解阻止剤を配合することによって、露光部と未露光部との溶解速度の差を一層大きくすることができ、解像度を一層向上させることができる。前記溶解阻止剤としては、分子量が好ましくは１００～１,０００、より好ましくは１５０～８００で、かつ分子内にフェノール性ヒドロキシ基を２つ以上含む化合物の該フェノール性ヒドロキシ基の水素原子を酸不安定基によって全体として０～１００モル％の割合で置換した化合物、又は分子内にカルボキシ基を含む化合物の該カルボキシ基の水素原子を酸不安定基によって全体として平均５０～１００モル％の割合で置換した化合物が挙げられる。具体的には、ビスフェノールＡ、トリスフェノール、フェノールフタレイン、クレゾールノボラック、ナフタレンカルボン酸、アダマンタンカルボン酸、コール酸のヒドロキシ基、カルボキシ基の水素原子を酸不安定基で置換した化合物等が挙げられ、例えば、特開２００８－１２２９３２号公報の段落［０１５５］～［０１７８］に記載されている。
本発明のレジスト材料がポジ型レジスト材料の場合、前記溶解阻止剤の含有量は、ベースポリマー１００質量部に対し、０～５０質量部が好ましく、５～４０質量部がより好ましい。前記溶解阻止剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
一方、ネガ型レジスト材料の場合は、架橋剤を添加することによって、露光部の溶解速度を低下させ、ネガティブパターンを得ることができる。前記架橋剤としては、メチロール基、アルコキシメチル基及びアシロキシメチル基から選ばれる少なくとも１つの基で置換された、エポキシ化合物、メラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物又はウレア化合物、イソシアネート化合物、アジド化合物、アルケニルエーテル基等の二重結合を含む化合物等が挙げられる。これらは、添加剤として用いてもよいが、ポリマー側鎖にペンダント基として導入してもよい。また、ヒドロキシ基を含む化合物も架橋剤として用いることができる。架橋剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
前記エポキシ化合物としては、トリス(２,３－エポキシプロピル)イソシアヌレート、トリメチロールメタントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、トリエチロールエタントリグリシジルエーテル等が挙げられる。
前記メラミン化合物としては、ヘキサメチロールメラミン、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサメチロールメラミンの１～６個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、ヘキサメトキシエチルメラミン、ヘキサアシロキシメチルメラミン、ヘキサメチロールメラミンのメチロール基の１～６個がアシロキシメチル化した化合物又はその混合物等が挙げられる。
グアナミン化合物としては、テトラメチロールグアナミン、テトラメトキシメチルグアナミン、テトラメチロールグアナミンの１～４個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、テトラメトキシエチルグアナミン、テトラアシロキシグアナミン、テトラメチロールグアナミンの１～４個のメチロール基がアシロキシメチル化した化合物又はその混合物等が挙げられる。
グリコールウリル化合物としては、テトラメチロールグリコールウリル、テトラメトキシグリコールウリル、テトラメトキシメチルグリコールウリル、テトラメチロールグリコールウリルのメチロール基の１～４個がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、テトラメチロールグリコールウリルのメチロール基の１～４個がアシロキシメチル化した化合物又はその混合物等が挙げられる。ウレア化合物としてはテトラメチロールウレア、テトラメトキシメチルウレア、テトラメチロールウレアの１～４個のメチロール基がメトキシメチル化した化合物又はその混合物、テトラメトキシエチルウレア等が挙げられる。
イソシアネート化合物としては、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、シクロヘキサンジイソシアネート等が挙げられる。
アジド化合物としては、１,１'－ビフェニル－４,４'－ビスアジド、４,４'－メチリデンビスアジド、４,４'－オキシビスアジド等が挙げられる。
アルケニルエーテル基を含む化合物としては、エチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、１,２－プロパンジオールジビニルエーテル、１,４－ブタンジオールジビニルエーテル、テトラメチレングリコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、１,４－シクロヘキサンジオールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ソルビトールテトラビニルエーテル、ソルビトールペンタビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル等が挙げられる。
本発明のレジスト材料がネガ型レジスト材料の場合、架橋剤の含有量は、ベースポリマー１００質量部に対し、０～５０質量部が好ましく、１～４０質量部がより好ましい。
本発明のレジスト材料には、前述したヨウ素化芳香族基含有Ｎ－カルボニルスルホンアミド塩以外のクエンチャー（以下、その他のクエンチャーという。）を配合してもよい。前記クエンチャーとしては、従来型の塩基性化合物が挙げられる。従来型の塩基性化合物としては、第１級、第２級、第３級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド類、イミド類、カーバメート類等が挙げられる。特に、特開２００８－１１１１０３号公報の段落［０１４６］～［０１６４］に記載の第１級、第２級、第３級のアミン化合物、特にはヒドロキシ基、エーテル結合、エステル結合、ラクトン環、シアノ基、スルホン酸エステル結合を有するアミン化合物あるいは特許第３７９０６４９号公報に記載のカーバメート基を有する化合物等が好ましい。このような塩基性化合物を添加することによって、例えば、レジスト膜中での酸の拡散速度を更に抑制したり、形状を補正したりすることができる。
また、その他のクエンチャーとして、特開２００８－１５８３３９号公報に記載されているα位がフッ素化されていないスルホン酸及びカルボン酸の、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、アンモニウム塩等のオニウム塩が挙げられる。α位がフッ素化されたスルホン酸、イミド酸又はメチド酸は、カルボン酸エステルの酸不安定基を脱保護させるために必要であるが、α位がフッ素化されていないオニウム塩との塩交換によってα位がフッ素化されていないスルホン酸又はカルボン酸が放出される。α位がフッ素化されていないスルホン酸及びカルボン酸は脱保護反応を起こさないために、クエンチャーとして機能する。
その他のクエンチャーとしては、更に、特開２００８－２３９９１８号公報に記載のポリマー型のクエンチャーが挙げられる。これは、コート後のレジスト表面に配向することによってパターン後のレジストの矩形性を高める。ポリマー型クエンチャーは、液浸露光用の保護膜を適用したときのパターンの膜減りやパターントップのラウンディングを防止する効果もある。
本発明のレジスト材料において、その他のクエンチャーの含有量は、ベースポリマー１００質量部に対し、０～５質量部が好ましく、０～４質量部がより好ましい。クエンチャーは、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
本発明のレジスト材料には、アセチレンアルコール類を配合することもできる。前記アセチレンアルコール類としては、特開２００８－１２２９３２号公報の段落［０１７９］～［０１８２］に記載されたものが挙げられる。本発明のレジスト材料において、アセチレンアルコール類の含有量は、ベースポリマー１００質量部に対し、０～５質量部が好ましい。
［パターン形成方法］
本発明のレジスト材料を種々の集積回路製造に用いる場合は、公知のリソグラフィー技術を適用することができる。例えば、パターン形成方法としては、前述したレジスト材料を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて露光したレジスト膜を現像する工程とを含む方法が挙げられる。
まず、本発明のレジスト材料を、集積回路製造用の基板（Ｓｉ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＴｉＮ、ＷＳｉ、ＢＰＳＧ、ＳＯＧ、有機反射防止膜等）あるいはマスク回路製造用の基板（Ｃｒ、ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＭｏＳｉ2、ＳｉＯ2等）上にスピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により塗布膜厚が０.１～２μｍとなるように塗布する。これをホットプレート上で、好ましくは６０～１５０℃、１０秒～３０分間、より好ましくは８０～１２０℃、３０秒～２０分間プリベークし、レジスト膜を形成する。
次いで、高エネルギー線を用いて、前記レジスト膜を露光する。前記高エネルギー線としては、紫外線、遠紫外線、ＥＢ、ＥＵＶ、Ｘ線、軟Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線等が挙げられる。前記高エネルギー線として紫外線、遠紫外線、ＥＵＶ、Ｘ線、軟Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線等を用いる場合は、目的のパターンを形成するためのマスクを用いて、露光量が好ましくは１～５００ｍＪ／ｃｍ2程度、より好ましくは１０～２００ｍＪ／ｃｍ2程度となるように照射する。高エネルギー線としてＥＢを用いる場合は、露光量が好ましくは０.１～５００μＣ／ｃｍ2程度、より好ましくは０.５～２００μＣ／ｃｍ2程度で目的のパターンを形成するためのマスクを用いて又は直接描画する。なお、本発明のレジスト材料は、特に高エネルギー線の中でもＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＢ、ＥＵＶ、Ｘ線、軟Ｘ線、γ線、シンクロトロン放射線による微細パターニングに最適である。
露光後、ホットプレート上又はオーブン中で、好ましくは３０～１５０℃、１０秒～３０分間、より好ましくは５０～１２０℃、３０秒～２０分間ＰＥＢを行ってもよいし、行わなくてもよい。
露光後又はＰＥＢ後、ポジ型レジスト材料の場合は、好ましくは０.１～１０質量％、より好ましくは２～５質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド（ＴＰＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）等のアルカリ水溶液の現像液を用い、３秒～３分間、好ましくは５秒～２分間、浸漬（dip）法、パドル（puddle）法、スプレー（spray）法等の常法により現像することにより、光を照射した部分は現像液に溶解し、露光されなかった部分は溶解せず、基板上に目的のポジ型のパターンが形成される。ネガ型レジスト材料の場合はポジ型レジスト材料の場合とは逆であり、すなわち光を照射した部分は現像液に不溶化し、露光されなかった部分は溶解する。
酸不安定基を有するベースポリマーを含むポジ型レジスト材料を用いて、有機溶剤現像によってネガティブパターンを得ることもできる。このときに用いる現像液としては、２－オクタノン、２－ノナノン、２－ヘプタノン、３－ヘプタノン、４－ヘプタノン、２－ヘキサノン、３－ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ペンチル、酢酸ブテニル、酢酸イソペンチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、ギ酸イソペンチル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸ペンチル、乳酸イソペンチル、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル、２－ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、ギ酸ベンジル、ギ酸フェニルエチル、３－フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸２－フェニルエチル等が挙げられる。これらの有機溶剤は、１種単独で又は２種以上を混合して使用することができる。
現像の終了時には、リンスを行う。リンス液としては、現像液と混溶し、レジスト膜を溶解させない溶剤が好ましい。このような溶剤としては、炭素数３～１０のアルコール、炭素数８～１２のエーテル化合物、炭素数６～１２のアルカン、アルケン、アルキン、芳香族系の溶剤が好ましく用いられる。
具体的に、炭素数３～１０のアルコールとしては、ｎ－プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、１－ブチルアルコール、２－ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール、１－ペンタノール、２－ペンタノール、３－ペンタノール、ｔｅｒｔ－ペンチルアルコール、ネオペンチルアルコール、２－メチル－１－ブタノール、３－メチル－１－ブタノール、３－メチル－３－ペンタノール、シクロペンタノール、１－ヘキサノール、２－ヘキサノール、３－ヘキサノール、２,３－ジメチル－２－ブタノール、３,３－ジメチル－１－ブタノール、３,３－ジメチル－２－ブタノール、２－エチル－１－ブタノール、２－メチル－１－ペンタノール、２－メチル－２－ペンタノール、２－メチル－３－ペンタノール、３－メチル－１－ペンタノール、３－メチル－２－ペンタノール、３－メチル－３－ペンタノール、４－メチル－１－ペンタノール、４－メチル－２－ペンタノール、４－メチル－３－ペンタノール、シクロヘキサノール、１－オクタノール等が挙げられる。
炭素数８～１２のエーテル化合物としては、ジ－ｎ－ブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、ジ－ｓｅｃ－ブチルエーテル、ジ－ｎ－ペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、ジ－ｓｅｃ－ペンチルエーテル、ジ－ｔｅｒｔ－ペンチルエーテル、ジ－ｎ－ヘキシルエーテル等が挙げられる。
炭素数６～１２のアルカンとしては、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、メチルシクロペンタン、ジメチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン等が挙げられる。炭素数６～１２のアルケンとしては、ヘキセン、ヘプテン、オクテン、シクロヘキセン、メチルシクロヘキセン、ジメチルシクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン等が挙げられる。炭素数６～１２のアルキンとしては、ヘキシン、ヘプチン、オクチン等が挙げられる。
芳香族系の溶剤としては、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ｔｅｒｔ－ブチルベンゼン、メシチレン等が挙げられる。
リンスを行うことによってレジストパターンの倒れや欠陥の発生を低減させることができる。また、リンスは必ずしも必須ではなく、リンスを行わないことによって溶剤の使用量を削減することができる。
現像後のホールパターンやトレンチパターンを、サーマルフロー、ＲＥＬＡＣＳ技術又はＤＳＡ技術でシュリンクすることもできる。ホールパターン上にシュリンク剤を塗布し、ベーク中のレジスト層からの酸触媒の拡散によってレジストの表面でシュリンク剤の架橋が起こり、シュリンク剤がホールパターンの側壁に付着する。ベーク温度は、好ましくは７０～１８０℃、より好ましくは８０～１７０℃であり、時間は、好ましくは１０～３００秒であり、余分なシュリンク剤を除去しホールパターンを縮小させる。
以下、合成例、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されない。
レジスト材料に用いたヨウ素化芳香族基含有Ｎ－カルボニルスルホンアミド塩からなるクエンチャー１～１３の構造を以下に示す。なお、クエンチャー１～１３は、下記アニオンを与えるＮ－カルボニルスルホンアミドと、下記カチオンを与える２,５,８,９－テトラアザ－１－ホスファビシクロ[３.３.３]ウンデカン類、ビグアニド類又はホスファゼン類とを、メタノール中で等モル混合し、メタノールを蒸発させることで作製した。
Figure 0007077997000067
Figure 0007077997000068
［合成例］ベースポリマー（ポリマー１～４）の合成
各々のモノマーを組み合わせて、溶剤であるＴＨＦ中で共重合反応を行い、メタノールに晶出し、更にヘキサンで洗浄を繰り返した後に単離、乾燥して、以下に示す組成のベースポリマー（ポリマー１～４）を得た。得られたベースポリマーの組成は1Ｈ－ＮＭＲにより、Ｍｗ及びＭｗ／ＭｎはＧＰＣ（溶剤：ＴＨＦ、標準：ポリスチレン）により確認した。
Figure 0007077997000069
Figure 0007077997000070
［実施例１～１９、比較例１～７］
［１］レジスト材料の調製
界面活性剤としてスリーエム社製FC-4430を１００ｐｐｍ溶解させた溶剤に、表１及び２に示される組成で各成分を溶解させた溶液を、０.２μｍサイズのフィルターで濾過してレジスト材料を調製した。
表１及び２中、各成分は、以下のとおりである。
有機溶剤：ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）
ＣｙＨ（シクロヘキサノン）
ＰＧＭＥ（プロピレングリコールモノメチルエーテル）
ＤＡＡ（ジアセトンアルコール）
酸発生剤：ＰＡＧ１～４（下記構造式参照）
Figure 0007077997000071
比較クエンチャー１～６（下記構造式参照）
Figure 0007077997000072
［２］ＥＵＶ露光評価
表１及び２に示す各レジスト材料を、信越化学工業(株)製ケイ素含有スピンオンハードマスクSHB-A940（ケイ素の含有量が４３質量％）を２０ｎｍ膜厚で形成したＳｉ基板上にスピンコートし、ホットプレートを用いて１０５℃で６０秒間プリベークして膜厚５０ｎｍのレジスト膜を作製した。これに、ＡＳＭＬ社製ＥＵＶスキャナーNXE3300（NA0.33、σ0.9/0.6、クアドルポール照明、ウエハー上寸法がピッチ４６ｎｍ、＋２０％バイアスのホールパターンのマスク）を用いて露光し、ホットプレート上で表１及び２記載の温度で６０秒間ＰＥＢを行い、２.３８質量％ＴＭＡＨ水溶液で３０秒間現像を行って、実施例１～１８及び比較例１～６ではポジ型レジストパターン（寸法２３ｎｍのホールパターン）を、実施例１９及び比較例７ではネガ型レジストパターン（寸法２３ｎｍのドットパターン）を形成した。
(株)日立ハイテクノロジーズ製の測長ＳＥＭ（CG5000）を用いて、ホール又はドット寸法が２３ｎｍで形成されるときの露光量を測定してこれを感度とし、また、このときのホール又はドット５０個の寸法を測定し、ＣＤＵ（寸法バラツキ３σ）を求めた。結果を表１及び２に併記する。
Figure 0007077997000073
Figure 0007077997000074
表１及び２に示した結果より、ヨウ素化芳香族基を有するＮ－カルボニルスルホンアミドの、２,５,８,９－テトラアザ－１－ホスファビシクロ[３.３.３]ウンデカン塩、ビグアニド塩又はホスファゼン塩から選ばれる塩を含む本発明のレジスト材料は、高感度であり、かつＣＤＵが小さいことがわかった。

Claims (15)

  1. ベースポリマーと、ヨウ素化芳香族基を有するＮ－カルボニルスルホンアミドの、２,５,８,９－テトラアザ－１－ホスファビシクロ[３.３.３]ウンデカン塩、ビグアニド塩又はホスファゼン塩から選ばれる塩とを含むレジスト材料。
  2. 前記塩が、下記式（Ａ）で表されるものである請求項１記載のレジスト材料。
    Figure 0007077997000075
     ［式中、ｍは、１～５の整数である。ｎは、０～２の整数である。ただし、１≦ｍ＋ｎ≦５である。
    Ｒ1は、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～６のアシロキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、アミノ基、－ＮＲ1A－Ｃ(＝Ｏ)－Ｒ1B又は－ＮＲ1A－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｒ1Bであり、Ｒ1Aは、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基であり、Ｒ1Bは、炭素数１～６のアルキル基又は炭素数２～８のアルケニル基である。
    Ｒ2は、炭素数１～１０のアルキル基又は炭素数６～１０のアリール基であり、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数１～１２のアルコキシ基、炭素数２～１２のアルコキシカルボニル基、アシル基、炭素数２～１２のアシロキシ基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。
    Ｘ1は、単結合又は炭素数１～２０の２価の連結基であり、該連結基は、エーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、スルトン基、ラクタム基、カーボネート基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を含んでいてもよい。
    Ａ+は、下記式（Ａ）－１、（Ａ）－２又は（Ａ）－３で表されるカチオンである。
    Figure 0007077997000076
     （式中、Ｒ11～Ｒ13は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２４のアルキル基、炭素数２～２４のアルケニル基、炭素数２～２４のアルキニル基又は炭素数６～２０のアリール基である。
    Ｒ14～Ｒ21は、水素原子、炭素数１～２４のアルキル基、炭素数２～２４のアルケニル基、炭素数２～２４のアルキニル基又は炭素数６～２０のアリール基であり、これらの中にエステル結合、エーテル結合、スルフィド結合、スルホキシド基、カーボネート基、カーバメート基、スルホン基、ハロゲン原子、アミノ基、アミド結合、ヒドロキシ基、チオール基、又はニトロ基を含んでいてもよく、Ｒ14とＲ15と、Ｒ15とＲ16と、Ｒ16とＲ17と、Ｒ17とＲ18と、Ｒ18とＲ19と、Ｒ19とＲ20と、又はＲ20とＲ21とが、互いに結合して環を形成してもよく、該環の中にエーテル結合を含んでいてもよい。
    Ｒ22～Ｒ29は、水素原子、炭素数１～２４のアルキル基、炭素数２～２４のアルケニル基、炭素数２～２４のアルキニル基又は炭素数６～２０のアリール基であり、これらの中にエステル結合、エーテル結合、スルフィド結合、スルホキシド基、カーボネート基、カーバメート基、スルホン基、ハロゲン原子、アミノ基、アミド結合、ヒドロキシ基、チオール基、又はニトロ基を含んでいてもよく、Ｒ22とＲ23と、Ｒ23とＲ24と、Ｒ24とＲ25と、Ｒ25とＲ26と、Ｒ26とＲ27と、又はＲ27とＲ28とが、互いに結合して環を形成してもよく、Ｒ23とＲ24と、Ｒ25とＲ26と、Ｒ27とＲ28と、又はＲ28とＲ29とが合わさって、下記式（Ａ）－３－１で表される基を形成してもよく、Ｒ22が水素原子である場合は、Ｒ23が下記式（Ａ）－３－２で表される基であってもよい。
    Figure 0007077997000077
     （式中、Ｒ30～Ｒ39は、水素原子、炭素数１～２４のアルキル基、炭素数２～２４のアルケニル基、炭素数２～２４のアルキニル基又は炭素数６～２０のアリール基であり、Ｒ30とＲ31と、Ｒ31とＲ32と、Ｒ32とＲ33と、Ｒ33とＲ34と、Ｒ34とＲ35と、Ｒ36とＲ37と、又はＲ38とＲ39とが、互いに結合して環を形成してもよく、また、Ｒ30とＲ31と、Ｒ32とＲ33と、又はＲ34とＲ35とが合わさって、式（Ａ）－３－１で表される基を形成してもよい。））］
  3. 更に、スルホン酸、スルホンイミド、又はスルホンメチドを発生する酸発生剤を含む請求項１又は２記載のレジスト材料。
  4. 更に、有機溶剤を含む請求項１～３のいずれか１項記載のレジスト材料。
  5. 前記ベースポリマーが、下記式（ａ１）で表される繰り返し単位又は下記式（ａ２）で表される繰り返し単位を含むものである請求項１～４のいずれか１項記載のレジスト材料。
    Figure 0007077997000078
     （式中、ＲAは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。Ｒ41及びＲ42は、酸不安定基である。Ｙ1は、単結合、フェニレン基若しくはナフチレン基、又はエステル結合及びラクトン環から選ばれる少なくとも１種を含む炭素数１～１２の連結基である。Ｙ2は、単結合又はエステル結合である。）
  6. 更に、溶解阻止剤を含む請求項５記載のレジスト材料。
  7. 化学増幅ポジ型レジスト材料である請求項５又は６記載のレジスト材料。
  8. 前記ベースポリマーが、酸不安定基を含まないものである請求項１～４のいずれか１項記載のレジスト材料。
  9. 更に、架橋剤を含む請求項８記載のレジスト材料。
  10. 化学増幅ネガ型レジスト材料である請求項８又は９記載のレジスト材料。
  11. 更に、界面活性剤を含む請求項１～１０のいずれか１項記載のレジスト材料。
  12. 前記ベースポリマーが、更に、下記式（ｆ１）～（ｆ３）で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１～１１のいずれか１項記載のレジスト材料。
    Figure 0007077997000079
     （式中、ＲAは、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基である。
    Ｚ1は、単結合、フェニレン基、－Ｏ－Ｚ11－、－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｚ11－又は－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－Ｚ11－であり、Ｚ11は、炭素数１～６のアルカンジイル基、炭素数２～６のアルケンジイル基、又はフェニレン基であり、カルボニル基、エステル結合、エーテル結合又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。
    Ｚ2は、単結合、－Ｚ21－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－、－Ｚ21－Ｏ－又は－Ｚ21－Ｏ－Ｃ(＝Ｏ)－であり、Ｚ21は、炭素数１～１２のアルカンジイル基であり、カルボニル基、エステル結合又はエーテル結合を含んでいてもよい。
    Ｚ3は、単結合、メチレン基、エチレン基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、－Ｏ－Ｚ31－、－Ｃ(＝Ｏ)－Ｏ－Ｚ31－又は－Ｃ(＝Ｏ)－ＮＨ－Ｚ31－であり、Ｚ31は、炭素数１～６のアルカンジイル基、炭素数２～６のアルケンジイル基、フェニレン基、フッ素化されたフェニレン基、又はトリフルオロメチル基で置換されたフェニレン基であり、カルボニル基、エステル結合、エーテル結合又はヒドロキシ基を含んでいてもよい。
    Ｒ51～Ｒ58は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０の１価炭化水素基である。また、Ｒ53、Ｒ54及びＲ55のいずれか２つが又はＲ56、Ｒ57及びＲ58のいずれか２つが、互いに結合してこれらが結合する硫黄原子と共に環を形成していてもよい。
    Ａは、水素原子又はトリフルオロメチル基である。
    Ｍ-は、非求核性対向イオンである。）
  13. 請求項１～１２のいずれか１項記載のレジスト材料を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を高エネルギー線で露光する工程と、現像液を用いて露光したレジスト膜を現像する工程とを含むパターン形成方法。
  14. 前記高エネルギー線が、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光又は波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー光である請求項１３記載のパターン形成方法。
  15. 前記高エネルギー線が、電子線又は波長３～１５ｎｍの極端紫外線である請求項１３記載のパターン形成方法。
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