JP7075528B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Description
図1は、実施形態1に係る半導体装置を含む電子装置を示す。電子装置10は、マスタA20、マスタB30、マスタC40、バスサブコントローラ22、32、及び42、中央バス制御システム50、インターコネクト60、メモリコントローラ70、PHY(物理層インタフェース)80、並びにメモリ90を有する。電子装置10の構成要素のうち、例えば、マスタA20、マスタB30、マスタC40、バスサブコントローラ22、32、及び42、中央バス制御システム50、インターコネクト60、メモリコントローラ70、並びにPHY80は、半導体装置を構成する。なお、半導体装置の構成要素のうち、例えばバスサブコントローラ22、32、及び42、インターコネクト60、メモリコントローラ70、並びにPHY80は、ハードウェア回路として構成することができる。また、中央バス制御システム50は、例えばプロセッサを含んだ回路として構成することができる。
中央バス制御システム50は、マスタA20、マスタB30、及びマスタC40が発行したアクセス要求のメモリコントローラ70への出力を制御する。中央バス制御システム50は、バスサブコントローラ22、32、及び42と共にアクセス制御部を構成する。ユーザは、例えば中央バス制御システム50にあらかじめ各マスタの帯域を設定し、一定時間(スロット)内のQoS(Quality of Service)を保証する。中央バス制御システム50は、例えば、バスサブコントローラ22、32、及び42のそれぞれに対して、所定のアクセス制御の内容に従ってアクセス権を付与する。通常時における所定のアクセス制御の内容は、例えば特許文献1に記載されたものと同様でよい。特許文献1に記載の内容は、参照として本明細書に取り込まれる。
メモリコントローラ70は、バス61及びインターコネクト60などを介してマスタA20、マスタB30、及びマスタC40に接続され、インターコネクト60から出力されるアクセス要求に従ってメモリ90にアクセスする。なお、図1では電子装置10がマスタを3つ有する例が示されているが、マスタの数は特に限定されない。電子装置10は、メモリコントローラ70に対してメモリ90へのアクセス要求を発行するマスタを少なくとも1つ有していればよい。マスタの数が1つである場合、調停のためのインターコネクト60は不要である。
PHY80は、メモリコントローラ70とメモリ90との間の物理層インタフェースを構成する。メモリコントローラ70は、PHY80を通じてメモリ90にアクセスする。メモリコントローラ70は、例えばPHY80を通じてメモリ90にリードコマンド信号を送信し、PHY80を通じてメモリ90から読み出されたデータを取得する。また、メモリコントローラ70は、PHY80を通じてメモリ90にライトコマンドを送信し、PHY80を通じてメモリ90に書込みデータを送信する。PHY80とメモリコントローラ70とは、例えばDFI(DDR PHY Interface)仕様に従った所定のプロトコルで通信する。PHY80は、メモリコントローラ70に含まれていてもよいし、メモリコントローラ70が含まれる半導体装置とは別の半導体装置として構成されていてもよい。
メモリ90は、コマンドデコーダ91、セレクタ92、メモリアレイ93、及びトレーニング用FIFO(First In First Out)94を有する。メモリアレイ93は、データを記憶する。メモリアレイ93は、マトリクス状に配列された複数の記憶素子を含む。メモリ90は、例えば複数のメモリアレイ93を含んでいる。コマンドデコーダ91は、PHY80からコマンド信号を受け取り、メモリ90において各種コマンドを発行する。
図3は、メモリ90におけるクロック信号とデータ信号とのタイミング調整を示す。図3(a)はPHY80からメモリ90に出力されるクロック信号を表し、(b)はライトトレーニング実施前のデータ信号を表し、(c)は、ライトトレーニング実施後のデータ信号を表している。図3(b)を参照すると、ライトトレーニング実施前は、クロック信号の立ち上がり及び立ち下がりエッジと、データ信号の変化点の中央とは、時間差Δtだけずれている。この時間差Δtは、例えばクロック信号又はデータ信号に与えられる遅延時間を変化させることで、変化させることができる。
以下、動作例を説明する。図5は、ライトトレーニング実行時の各部の動作波形を示す。以下では、ライトトレーニングの実行に関連した期間(WTフェーズ)の長さが12個のスロット(サブスロット)に対応している例を説明する。また、実際にはマスタA20及びマスタB30はそれぞれリード要求とライト要求の双方を発行することが可能であるものの、以下では、説明簡略化のため、マスタA20はライト要求を発行し、マスタB30はリード要求を発行するものとして説明する。
本実施形態では、中央バス制御システム50は、マスタが発行したアクセス要求のメモリコントローラ70への出力の制御(アクセス制御)に加えて、メモリ90のライトトレーニングの実行を制御する。中央バス制御システム50がライトトレーニングの実行を制御する場合、中央バス制御システム50は、いつライトトレーニングを実施するのかを知ることができ、ライトトレーニングによるメモリアクセス停止期間を考慮してアクセス制御を実施することができる。特に、本実施形態では、中央バス制御システム50は、ライトトレーニングの実行中は、マスタが発行したアクセス要求のうちリード要求のメモリコントローラへの出力を抑制する。
次いで、実施形態2を説明する。本実施形態に係る電子装置の構成は、図1に示される実施形態1に係る電子装置の構成と同様である。本実施形態は、主に、中央バス制御システムがライトトレーニングの実行時にリフレッシュも実行させる点で、実施形態1と異なる。その他の点は、実施形態1と同様でよい。
以下、動作例を説明する。図6は、実施形態2におけるライトトレーニング実行時の各部の動作波形を示す。実施形態1で説明した図5に示す動作波形との違いは、主に、リフレッシュ要求信号((e)を参照)が追加されている点である。時刻t22までの動作は、図5における時刻t12までの動作と同様である。すなわち、中央バス制御システム50は、時刻t21で、リアルタイム性の保証が不要なマスタC40のリード要求及びライト要求の双方のメモリコントローラ70への出力を抑制し((c)を参照)、時刻t22において、リアルタイム性の保証が要求されるマスタB30のリード要求のメモリコントローラ70への出力を抑制する((b)を参照)。
本実施形態では、中央バス制御システム50は、ライトトレーニングの実行にあわせてリフレッシュ要求信号を出力し、メモリ90において、ライトトレーニング動作とリフレッシュ動作とを同時に実行させる。ライトトレーニング動作及びリフレッシュ動作は、共に、メモリアレイ93に対するアクセスが停止された状態で実行される。メモリアクセスが停止された状態で実行される2つの動作を同時に実行することで、リフレッシュ動作に伴うメモリアクセス停止を、ライトトレーニング動作に伴うメモリアクセス停止で隠蔽することができ、メモリ90のアクセス停止期間を短くしてアクセス帯域を改善することができる。メモリ90のアクセス帯域が多いほど、リアルタイム性の確保がしやすくなる。
続いて、実施形態3を説明する。実施形態1及び実施形態2では、中央バス制御システム50は、WTフェーズ動作モードにおいて、リード要求及びライト要求のメモリコントローラ70への出力を制御(スケジューリング)する。しかしながら、WTフェーズにおいて、最終的にメモリ90においてどのアクセス要求に従うメモリアクセスが行われるかは、メモリコントローラ70のスケジューラ72によって制御される。スケジューラ72は中央バス制御システム50とは独立に動作し、中央バス制御システム50は、メモリコントローラ70に受け付けられるアクセス要求は制御できても、バッファ71に記憶されているアクセス要求のスケジューリングまでは制御できない。
以下、動作例を説明する。図8は、実施形態3におけるライトトレーニング実行時の各部の動作波形を示す。実施形態1で説明した図5に示す動作波形との違いは、主に、WTフェーズ信号((d)を参照)と、スケジューラの動作((f)を参照)とが追加されている点である。中央バス制御システム50は、時刻t31で、動作モードをWTフェーズ動作モードに切り替え、メモリコントローラ70のスケジューラ72にWTフェーズ信号を出力(信号をアサート)する((d)を参照)。また、中央バス制御システム50は、時刻t31でリアルタイム性の保証が不要なマスタC40のリード要求及びライト要求の双方のメモリコントローラ70への出力を抑制する((c)を参照)。
本実施形態では、中央バス制御システム50は、メモリコントローラ70のスケジューラ72にWTフェーズ信号を出力し、WTフェーズをスケジューラ72に通知する。スケジューラ72は、WTフェーズでは、中央バス制御システム50が行うライトトレーニングを考慮したアクセス制御に対応したスケジューリングを行う。このように、本実施形態では、WTフェーズにおいて、中央バス制御システム50が行うメモリコントローラ70へ出力されるリード要求及びライト要求の制御(スケジューリング)と、メモリコントローラ70におけるリード要求及びライト要求のスケジューリングとを協調動作させることができる。中央バス制御システムの動作とメモリコントローラ70の動作とを協調させることで、実施形態1及び実施形態2に比べて、リアルタイム性の確実度を向上させることができる。
続いて、変形例1を説明する。図9は、変形例1に係る半導体装置を含む電子装置を示す。本変形例に係る電子装置10bは、主に、中央バス制御システム50がPHY80の調停回路81にWTスロット信号を出力する点で図1に示される実施形態1に係る電子装置10と相違する。その他の点は、実施形態1、実施形態2、又は実施形態3と同様でよい。
引き続き、変形例2を説明する。図10は、変形例2に係る半導体装置を含む電子装置を示す。本変形例に係る電子装置10cは、主に、メモリコマンド生成部73が中央バス制御システム50に対してライトトレーニングの実行を要求するWT要求信号を出力する点で図1に示される実施形態1に係る電子装置10と相違する。その他の点は、実施形態1、実施形態2、実施形態3、又は変形例1と同様でよい。
メモリに対して、リード要求及びライト要求を含むアクセス要求を発行するマスタと、
バスを介して前記マスタに接続され、前記アクセス要求に従って前記メモリにアクセスするメモリコントローラと、
前記マスタが発行したアクセス要求の前記メモリコントローラへの出力を制御するアクセス制御部と、
前記メモリに対するアクセスが停止された状態で前記メモリに対するトレーニングを実施するトレーニング回路とを備え、
前記アクセス制御部は、前記トレーニングの実行を更に制御し、かつ、前記トレーニングの実行中は、前記マスタが発行したアクセス要求のうち前記リード要求の前記メモリコントローラへの出力を抑制する半導体装置。
前記メモリと前記メモリコントローラとの間に、前記トレーニング回路を有する物理層インタフェースを更に備える付記1に記載の半導体装置。
前記物理層インタフェースは、前記メモリに対する制御権の取得を前記メモリコントローラに要求し、前記制御権を前記メモリコントローラから取得する調停回路を更に有し、
前記トレーニング回路は、前記調停回路が前記制御権を取得している場合、前記トレーニングを実施する付記2に記載の半導体装置。
前記アクセス制御部は、前記メモリコントローラに前記トレーニングの実施を通知し、
前記メモリコントローラは、前記アクセス制御部から前記トレーニングの実施の通知を受け取ると、前記調停回路に対して前記制御権を与える付記3に記載の半導体装置。
前記調停回路は、前記トレーニングが完了すると、前記制御権を前記メモリコントローラに返却する付記4に記載の半導体装置。
前記調停回路は、前記制御権の返却後、新たな制御権の取得を前記メモリコントローラへ要求する付記5に記載の半導体装置。
前記アクセス制御部は、前記調停回路に前記トレーニングの実施を通知し、
前記調停回路は、前記アクセス制御部から前記トレーニングの実施の通知を受け取ると、前記制御権の取得を前記メモリコントローラに要求する付記3に記載の半導体装置。
前記バスは、前記リード要求を伝送するためのリード要求バスと、前記ライト要求を伝送するためのライト要求バスとを含み、
前記アクセス制御部は、前記リード要求バスと前記ライト要求バスとのそれぞれに対応して配置されたリクエスト発行制御部を有するバスサブコントローラと、前記リード要求バス及び前記ライト要求バスに対応して配置されたリクエスト発行制御部に対して個別にアクセス権を付与する中央バス制御システムとを含み、
前記リード要求バス及び前記ライト要求バスに対応して配置されたリクエスト発行制御部は、それぞれ、前記中央バス制御システムから前記アクセス権が付与されている場合は前記マスタが発行したリード要求及びライト要求を前記メモリコントローラへ出力し、前記アクセス権が付与されていない場合は前記マスタが発行したリード要求及びライト要求の前記メモリコントローラへの出力を抑制する付記1に記載の半導体装置。
前記アクセス制御部は、前記トレーニングが開始されるタイミングよりも所定時間前のタイミングで、前記リード要求の出力の抑制を開始する付記1に記載の半導体装置。
前記マスタを複数有し、
前記複数のマスタから入力されるアクセス要求を調停して前記メモリコントローラに出力するインターコネクトを更に備える付記1に記載の半導体装置。
前記アクセス制御部は、前記複数のマスタのそれぞれと前記インターコネクトとの間を接続する複数のバスのそれぞれに対応して配置された複数のバスサブコントローラと、前記複数のバスサブコントローラのそれぞれに対して所定のアクセス制御の内容に従ってアクセス権を付与する中央バス制御システムとを含む付記10に記載の半導体装置。
前記複数のバスサブコントローラは、それぞれ、前記中央バス制御システムから前記アクセス権が付与されている場合は前記マスタが発行したアクセス要求を前記インターコネクトに出力し、前記アクセス権が付与されていない場合は前記マスタが発行したアクセス要求の前記インターコネクトへの出力を抑制するリクエスト発行制御部を含む付記11に記載の半導体装置。
前記複数のバスは、それぞれ、リード要求を伝送するためのリード要求バスと、ライト要求を伝送するためのライト要求バスとを含み、前記複数のバスサブコントローラのそれぞれでは、前記リクエスト発行制御部が、前記リード要求バスと前記ライト要求バスとのそれぞれに対応して配置されており、
前記中央バス制御システムは、前記リード要求バスに対応して配置されたリクエスト発行制御部と、前記ライト要求バスに対応して配置されたリクエスト発行制御部のそれぞれに対して個別に前記アクセス権の付与を行う付記12に記載の半導体装置。
前記複数のマスタは、第1のマスタと、優先度が第1のマスタよりも低い第2のマスタとを含み、
前記アクセス制御部は、前記トレーニングの実行中、前記第2のマスタが発行する前記リード要求及び前記ライト要求の前記メモリコントローラへの出力を抑制し、かつ前記第1のマスタが発行する前記リード要求の前記メモリコントローラへの出力を抑制する付記10に記載の半導体装置。
前記アクセス制御部は、前記トレーニングが開始されるタイミングよりも前で、かつ前記トレーニングが開始されるタイミングに対して所定の時間関係にある第1のタイミングで前記第2のマスタが発行する前記リード要求及びライト要求の出力の抑制を開始し、前記トレーニングが開始されるタイミングよりも前で、かつ前記第1のタイミングよりも後の第2のタイミングで前記第1のマスタが発行する前記リード要求の出力の抑制を開始する付記14に記載の半導体装置。
前記アクセス制御部は、前記トレーニングの終了後、第3のタイミングで前記第1のマスタが発行する前記リード要求の出力の抑制を解除し、かつ前記第3のタイミングよりも後の第4のタイミングで前記第2のマスタが発行する前記リード要求及びライト要求の出力の抑制を解除する付記15に記載の半導体装置。
前記メモリはリフレッシュ動作が実行可能に構成されており、
前記アクセス制御部は、前記リフレッシュ動作の実行を更に制御し、前記トレーニングの実行開始時に前記メモリに前記リフレッシュ動作を実行させる付記1に記載の半導体装置。
前記アクセス制御部は、前記トレーニングの実行終了時に前記メモリに前記リフレッシュ動作を更に実行させる付記17に記載の半導体装置。
前記メモリコントローラは、前記アクセス要求を受け付けて記憶するリクエストバッファと、前記リクエストバッファに記憶された前記アクセス要求を選択するスケジューラと、前記スケジューラで選択されたアクセス要求に従って前記メモリへアクセスするメモリコマンド生成部とを含む付記1に記載の半導体装置。
前記アクセス制御部は、前記トレーニングの実行の開始前に、前記トレーニングの実施に関連した期間である旨を示すトレーニングフェーズ信号を前記メモリコントローラに出力し、かつ前記トレーニングフェーズ信号を出力してから所定時間経過後に前記リード要求の出力の抑制を開始し、
前記スケジューラは、前記トレーニングフェーズ信号が出力されている間、前記リクエストバッファに記憶されたアクセス要求のうち、前記リード要求を優先的に選択する付記19に記載の半導体装置。
前記アクセス制御部は、前記トレーニングの終了後、前記リード要求の出力の抑制を解除し、
前記スケジューラは、前記リード要求の出力の抑制が解除されてから所定期間の経過後に前記トレーニングフェーズ信号の出力を停止する付記20に記載の半導体装置。
前記アクセス制御部は、周期的に前記トレーニング回路に前記トレーニングを実行させる付記1に記載の半導体装置。
前記メモリは、電圧及び温度の少なくとも一方を測定する測定回路を有しており、
前記メモリコントローラは、前記測定回路の測定結果を取得し、該取得した測定結果が所定の条件を満たす場合、前記トレーニング回路に前記トレーニングを実行させる付記1に記載の半導体装置。
前記トレーニングは、前記メモリに入力される信号間のスキュー調整を含む付記1に記載の半導体装置。
前記トレーニングは、クロック信号と、前記メモリに入力されるデータ信号のタイミングを調整するライトトレーニングを含む付記1に記載の半導体装置。
前記トレーニングは、クロック信号と、前記メモリから出力されるデータ信号とタイミングを調整するリードレーニングを含む付記1に記載の半導体装置。
前記メモリは、DDR-SDRAM(Double-Data-Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)である付記1に記載の半導体装置。
前記アクセス制御部は、前記マスタに対して設定されたQoS(Quality of Service)情報に基づいて、前記アクセス要求の前記メモリコントローラへの出力を制御する付記1に記載の半導体装置。
マスタから、リード要求及びライト要求を含むアクセス要求をメモリに対して発行し、
前記マスタからバスを介して前記アクセス要求を受信し、該受信したアクセス要求に従って前記メモリにアクセスするメモリコントローラへの、前記マスタが発行したアクセス要求の出力を制御し、
前記メモリに対するアクセスが停止された状態で前記メモリに対するトレーニングを実施することを有し、
前記アクセス要求の出力の制御では、前記トレーニングの実行中、前記マスタが発行したアクセス要求のうち前記リード要求の前記メモリコントローラへの出力を抑制するアクセス制御方法。
メモリに対して、リード要求及びライト要求を含むアクセス要求を発行するマスタと、
バスを介して前記マスタに接続され、前記アクセス要求に従って前記メモリにアクセスするメモリコントローラと、
前記マスタが発行したアクセス要求に対するアクセス権の付与を制御することで、前記マスタが発行したアクセス要求の前記メモリコントローラへの出力を制御するアクセス制御部と、
前記メモリに対するアクセスが停止された状態で前記メモリに対するトレーニングを実施するトレーニング回路とを備え、
前記アクセス制御部は、前記トレーニングの実行を更に制御し、かつ、
前記アクセス制御部は、動作モードが第1の動作モードと第2の動作モードとの間で切替可能に構成され、前記第1の動作モードでは前記マスタが発行するアクセス要求に所定のアクセス制御の内容に従って前記アクセス権を付与し、前記第2の動作モードでは前記トレーニングを実行させ、かつ前記マスタが発行するアクセス要求のうち前記ライト要求には前記所定のアクセス制御の内容に従って前記アクセス権を付与し、前記マスタが発行するアクセス要求のうち前記リード要求には前記アクセス権を付与しない半導体装置。
前記アクセス制御部は、周期的に前記動作モードを前記第1の動作モードから前記第2の動作モードに切り替えて、前記トレーニングを周期的に実行させる付記30に記載の半導体装置。
前記アクセス制御部は、前記第1の動作モードから前記第2の動作モードへの切替え後、前記マスタが発行するアクセス要求のうちのリード要求に対するアクセス権の付与を停止し、該アクセス権の付与の停止から所定時間経過後に前記トレーニングを実行させる付記30に記載の半導体装置。
前記マスタを複数有し、該複数のマスタは、第1のマスタと、優先度が第1のマスタよりも低い第2のマスタとを含み、
前記アクセス制御部は、前記第2の動作モードでは、前記第1のマスタが発行するアクセス要求のうち前記ライト要求には前記所定のアクセス制御の内容に従って前記アクセス権を付与し、前記第1のマスタが発行したアクセス要求のうち前記リード要求には前記アクセス権を付与せず、かつ前記第2のマスタが発行するアクセス要求には前記アクセス権を付与しない付記30に記載の半導体装置。
前記アクセス制御部は、前記第1の動作モードから前記第2の動作モードへの切替え後、前記第2のマスタが発行するアクセス要求に対する前記アクセス権の付与を停止し、該アクセス要求に対するアクセス権の付与の停止から所定時間経過後、前記第1のマスタが発行したアクセス要求のうちのリード要求に対するアクセス権の付与を停止し、該リード要求に対するアクセス権の付与の停止から所定時間経過後に前記トレーニングを実行させる付記33に記載の半導体装置。
前記アクセス制御部は、前記トレーニングの終了後、前記第1のマスタが発行するアクセス要求のうちのリード要求に対するアクセス権の付与の停止を解除し、該アクセス権の付与の停止の解除から所定時間経過後に、前記動作モードを前記第2の動作モードから前記第1の動作モードへ切り替えて前記第2のマスタが発行するアクセス要求に対するアクセス権の付与の停止を解除する付記34に記載の半導体装置。
20、30、40:マスタ
21、31、41:バス
22、32、42:バスサブコントローラ
23、33、43:リクエスト発行制御部
21、31、41:バス
50:中央バス制御システム
51:権利付与選択制御部
52:権利付与数制御部
53:QoS情報レジスタ
54:トレーニング実行制御部
55:リフレッシュ実行制御部
60:インターコネクト
61:バス
70:メモリコントローラ
71:バッファ
72:スケジューラ
73:メモリコマンド生成部
80:PHY
81:調停回路
82:トレーニング回路
83:セレクタ
90:メモリ
91:コマンドデコーダ
92:セレクタ
93:メモリアレイ
94:トレーニング用FIFO
95:温度ドリフト測定装置
96:電圧ドリフト測定装置
Claims (14)
- ライト要求およびリード要求を発行する第1のマスタと、
前記ライト要求および前記リード要求に従ってメモリにアクセスするメモリコントローラと、
第1のライトアクセス権付与信号および第1のリードアクセス権付与信号を出力し、第1の動作モードおよび第2の動作モードを切り替えて動作する中央バス制御システムと、
前記第1のマスタが発行したライト要求を受け取り、前記第1のライトアクセス権付与信号に応答して前記第1のマスタから受け取ったライト要求を前記メモリコントローラへ出力する第1のライトリクエスト発行制御部と、
前記第1のマスタが発行したリード要求を受け取り、前記第1のリードアクセス権付与信号に応答して前記第1のマスタから受け取ったリード要求を前記メモリコントローラへ出力する第1のリードリクエスト発行制御部と、
前記メモリに対してトレーニングを実行するトレーニング回路と、
を備え、
前記中央バス制御システムが前記第1の動作モードで動作する第1の期間は、前記トレーニングが実行される期間を含む第2の期間および前記トレーニングが実行される期間を含まない第3の期間を含み、
前記第2の期間は、前記トレーニングが実行されない期間と前記トレーニングが実行される期間から構成され、
前記第2の期間のうちの前記トレーニングが実行されない期間は、前記第3の期間の後に連続する期間であり、
前記中央バス制御システムは、
前記第1の期間において、前記第1のライトアクセス権付与信号を前記第1のライトリクエスト発行制御部へ出力し、
前記第2の期間において、前記第1のリードアクセス権付与信号を前記第1のリードリクエスト発行制御部へ出力せず、
前記第3の期間において、前記第1のリードアクセス権付与信号を前記第1のリードリクエスト発行制御部へ出力する、
半導体集積回路。 - 請求項1に記載の半導体集積回路であって、
前記メモリコントローラは、前記第1のライトリクエスト発行制御部から受け取ったライト要求および前記第1のリードリクエスト発行制御部から受け取ったリード要求を記憶するリクエストバッファと、前記リクエストバッファに記憶されたライト要求およびリード要求を選択するスケジューラと、を有し、前記スケジューラで選択されたライト要求およびリード要求に従って前記メモリへアクセスし、
前記スケジューラは、前記第1の期間のうちの前記トレーニングが実行されない期間において、前記リクエストバッファに記憶されたライト要求およびリード要求のうち、前記リード要求を優先的に選択する、
半導体集積回路。 - 請求項2に記載の半導体集積回路であって、
前記第1の期間は、前記トレーニングが実行される期間を含まない第4の期間を含み、
前記第4の期間は、前記第2の期間のうちの前記トレーニングが実行される期間に連続する期間であり、
前記中央バス制御システムは、前記第4の期間において、前記第1のリードアクセス権付与信号を前記第1のリードリクエスト発行制御部へ出力し、
前記スケジューラは、前記第4の期間において、前記リクエストバッファに記憶されたライト要求およびリード要求のうち、前記リード要求を優先的に選択する、
半導体集積回路。 - 請求項2に記載の半導体集積回路であって、
前記メモリコントローラは、前記トレーニングが実行される期間に前記第1のライトリクエスト発行制御部からライト要求を受け取った場合、前記第1のライトリクエスト発行制御部から受け取ったライト要求を前記リクエストバッファに記憶する、
半導体集積回路。 - 請求項1に記載の半導体集積回路であって、
前記中央バス制御システムは、前記第2の動作モードで動作する期間において、前記第1のライトアクセス権付与信号を前記第1のライトリクエスト発行制御部へ出力し、かつ、前記第1のリードアクセス権付与信号を前記第1のリードリクエスト発行制御部へ出力する、
半導体集積回路。 - 請求項5に記載の半導体集積回路であって、
前記中央バス制御システムは、前記第1の動作モードおよび前記第2の動作モードを周期的に切り替えて動作する、
半導体集積回路。 - 請求項1に記載の半導体集積回路であって、
ライト要求およびリード要求を発行する第2のマスタと、
第2のライトリクエスト発行制御部と、
第2のリードリクエスト発行制御部と、
をさらに備え、
前記中央バス制御システムは、第2のライトアクセス権付与信号を前記第2のライトリクエスト発行制御部へ出力し、かつ、第2のリードアクセス権付与信号を前記第2のリードリクエスト発行制御部へ出力し、
前記第2のライトリクエスト発行制御部は、前記第2のマスタが発行したライト要求を受け取り、前記第2のライトアクセス権付与信号に応答して前記第2のマスタから受け取ったライト要求を前記メモリコントローラへ出力し、
前記第2のリードリクエスト発行制御部は、前記第2のマスタが発行したリード要求を受け取り、前記第2のリードアクセス権付与信号に応答して前記第2のマスタから受け取ったリード要求を前記メモリコントローラへ出力し、
前記メモリコントローラは、前記第2のライトリクエスト発行制御部から受け取ったライト要求および前記第2のリードリクエスト発行制御部から受け取ったリード要求に従って前記メモリにアクセスし、
前記中央バス制御システムは、
前記第1の期間において、前記第2のライトアクセス権付与信号を前記第2のライトリクエスト発行制御部へ出力し、
前記第2の期間において、前記第2のリードアクセス権付与信号を前記第2のリードリクエスト発行制御部へ出力せず、
前記第3の期間において、前記第2のリードアクセス権付与信号を前記第2のリードリクエスト発行制御部へ出力する、
半導体集積回路。 - 請求項7に記載の半導体集積回路であって、
前記第1のマスタおよび前記第2のマスタは、リアルタイム性の保証が要求されるマスタである、
半導体集積回路。 - 請求項7に記載の半導体集積回路であって、
前記第1のライトリクエスト発行制御部、前記第1のリードリクエスト発行制御部、第2のライトリクエスト発行制御部および第2のリードリクエスト発行制御部の各々と、前記メモリコントローラとの間に接続され、前記第1のマスタに設定された優先度および前記第2のマスタに設定された優先度に基づいて、前記第1のマスタから発行されたライト要求およびリード要求、および、前記第2のマスタから発行されたライト要求およびリード要求を調停するインターコネクトをさらに備え、
前記メモリコントローラは、前記第1のライトリクエスト発行制御部から出力されたライト要求、前記第1のリードリクエスト発行制御部から出力されたリード要求、前記第2のライトリクエスト発行制御部から出力されたライト要求および前記第2のリードリクエスト発行制御部から出力されたリード要求を、前記インターコネクトを介して受け取る、
半導体集積回路。 - 請求項1に記載の半導体集積回路であって、
ライト要求およびリード要求を発行する第3のマスタと、
第3のライトリクエスト発行制御部と、
第3のリードリクエスト発行制御部と、
をさらに備え、
前記中央バス制御システムは、第3のライトアクセス権付与信号を前記第3のライトリクエスト発行制御部へ出力し、かつ、第3のリードアクセス権付与信号を前記第3のリードリクエスト発行制御部へ出力し、
前記第3のライトリクエスト発行制御部は、前記第3のマスタが発行したライト要求を受け取り、前記第3のライトアクセス権付与信号に応答して前記第3のマスタから受け取ったライト要求を前記メモリコントローラへ出力し、
前記第3のリードリクエスト発行制御部は、前記第3のマスタが発行したリード要求を受け取り、前記第3のリードアクセス権付与信号に応答して前記第3のマスタから受け取ったリード要求を前記メモリコントローラへ出力し、
前記メモリコントローラは、前記第3のライトリクエスト発行制御部から受け取ったライト要求および前記第3のリードリクエスト発行制御部から受け取ったリード要求に従って前記メモリにアクセスし、
前記中央バス制御システムは、
前記第1の期間において、前記第3のライトアクセス権付与信号を前記第3のライトリクエスト発行制御部へ出力せず、かつ、前記第3のリードアクセス権付与信号を前記第3のリードリクエスト発行制御部へ出力せず、
前記第2の動作モードで動作する期間において、前記第3のライトアクセス権付与信号を前記第3のライトリクエスト発行制御部へ出力し、かつ、前記第3のリードアクセス権付与信号を前記第3のリードリクエスト発行制御部へ出力する、
半導体集積回路。 - 請求項10に記載の半導体集積回路であって、
前記第1のマスタは、リアルタイム性の保証が要求されるマスタであり、
前記第3のマスタは、リアルタイム性の保証が不要なマスタである、
半導体集積回路。 - 請求項2に記載の半導体集積回路であって、
前記中央バス制御システムは、前記第1のマスタのQoS情報および前記リクエストバッファの空き情報に基づいて、前記第1のライトアクセス権付与信号および前記第1のリードアクセス権付与信号を生成する、
半導体集積回路。 - 請求項1に記載の半導体集積回路であって、
前記中央バス制御システムは、前記第1の動作モードで動作中に、トレーニングスロット信号を生成し、
前記トレーニング回路は、前記トレーニングスロット信号に基づいて前記メモリに対するトレーニングを実行する、
半導体集積回路。 - 請求項1に記載の半導体集積回路であって、
前記中央バス制御システムは、前記第1の動作モードで動作中に、リフレッシュ要求信号を生成し、
前記メモリコントローラは、前記トレーニングが実行される期間において、前記リフレッシュ要求信号に基づいて前記メモリにリフレッシュ動作を実行させる、
半導体集積回路。
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