JP7069966B2 - 光制御素子 - Google Patents
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Description
(1) ニオブ酸リチウム基板上に形成された、チタン拡散による光導波路と、該光導波路の近傍に設けられる制御用電極とを備えた光制御素子において、該光導波路のチタン膜のパターン幅が6μm以下であり、該ニオブ酸リチウム基板中の水酸基吸収係数が0.5~2.5cm-1の範囲内に設定されていることを特徴とする。
以下の記載においては、「水酸基吸収量」と表示する場合があるが、これは「水酸基吸収係数」を意味している。
本発明の光制御素子は、ニオブ酸リチウム基板上に形成された、チタン拡散による光導波路と、該光導波路の近傍に設けられる制御用電極とを備えた光制御素子において、該ニオブ酸リチウム基板中の水酸基吸収量が0.5~2.5cm-1の範囲内に設定されていることを特徴とする。
LN基板として、市販の直径4インチ、厚さ0.5mmのニオブ酸リチウムウェハ(X板、オプトグレード、)を用いた。
LN基板上に形成するチタン膜のパターン幅を3.5μm,4.0μm,4.5μm,5.0μm,5.5μm,6.0μm,7.0μm,及び8.0μmとし、Ti膜の高さを1000Åに設定した。
LN基板上でチタンを熱拡散させるため、電気炉内の温度を1000℃に設定し、拡散時間として15時間を設けた。
電気炉内の露点温度は、10℃,30℃及び50℃に設定した。
チタン膜のパターン幅は、オリンパス(株)社製の光学顕微鏡(MX50)に(株)フローベル社製の自動線幅測定システム(TARCY LS200)を取り付け、熱拡散前のLN基板のチタン膜のパターン幅を測定した。熱拡散後のパターン幅も本システムで測定可能であり、熱拡散前後でパターン幅に大きな差異は生じなかった。MFDは、シナジーオプトシステムズ社製の高機能型ニアフィールドパターン(NFP)計測光学系(M-Scope type S)を用いて、波長1550nmで測定した。
上記実験で使用した試料の中から、電気炉内の露点温度を10℃,30℃及び50℃に設定した場合の3つのサンプルと、別途、露点温度-20℃以下で処理したサンプルについて、水酸基吸収量を測定した。
Claims (3)
- ニオブ酸リチウム基板上に形成された、チタン拡散による光導波路と、該光導波路の近傍に設けられる制御用電極とを備えた光制御素子において、
該光導波路のチタン膜のパターン幅が6μm以下であり、
該ニオブ酸リチウム基板中の水酸基吸収係数が0.5~2.5cm-1の範囲内に設定されていることを特徴とする光制御素子。 - 請求項1に記載の光制御素子において、該水酸基吸収係数が1.0~2.5cm-1の範囲内に設定されていることを特徴とする光制御素子。
- 請求項1又は2に記載の光制御素子において、該ニオブ酸リチウム基板の厚みが、20μm以下であることを特徴とする光制御素子。
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