JP7066525B2 - Board processing equipment and board processing method - Google Patents

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Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

特許文献１には、コロ搬送装置によって平流し搬送される基板に対して、プレヒータ部、およびメインヒータ部によって基板を加熱することが開示されている。 Patent Document 1 discloses that a substrate is heated by a preheater unit and a main heater unit with respect to a substrate which is flow-conducted by a roller transfer device.

特開２０１１－６６３１８号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-66318

本開示は、熱処理による基板温度の均一性を向上させる技術を提供する。 The present disclosure provides a technique for improving the uniformity of substrate temperature by heat treatment.

本開示の一態様による基板処理装置は、搬送機構と、第１熱処理部と、第２熱処理部と、排気機構とを備える。搬送機構は、基板を平流し搬送する。第１熱処理部は、平流し搬送される基板に対して熱処理を行う。第２熱処理部は、第１熱処理部に連続して設けられ、第１熱処理部によって熱処理された基板に対して、第１熱処理部よりも低い温度で熱処理を行う。排気機構は、第１熱処理部よりも基板の搬送方向の上流側、および第２熱処理部側から第１熱処理部内へ空気が流れるように、第１熱処理部の上方から排気する。 The substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a transport mechanism, a first heat treatment unit, a second heat treatment unit, and an exhaust mechanism. The transport mechanism flat-flows and transports the substrate. The first heat treatment unit heat-treats the substrate to be conveyed in a flat flow. The second heat treatment section is continuously provided in the first heat treatment section, and the substrate heat-treated by the first heat treatment section is heat-treated at a temperature lower than that of the first heat treatment section. The exhaust mechanism exhausts air from above the first heat treatment section so that air flows from the upstream side in the transport direction of the substrate to the first heat treatment section and from the second heat treatment section side into the first heat treatment section.

本開示によれば、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。 According to the present disclosure, the uniformity of the substrate temperature by the heat treatment can be improved.

図１は、実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment. 図２は、実施形態に係るコロ搬送装置による基板搬送を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic view showing substrate transfer by the roller transfer device according to the embodiment. 図３は、実施形態に係る第２加熱ユニットの概略構成を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the second heating unit according to the embodiment. 図４は、実施形態に係る第１排気口、および第２排気口の配置を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing the arrangement of the first exhaust port and the second exhaust port according to the embodiment. 図５は、実施形態に係る第２加熱ユニットにおける空気の流れを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an air flow in the second heating unit according to the embodiment. 図６は、比較例に係る第２加熱ユニットにおける空気の流れを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the air flow in the second heating unit according to the comparative example. 図７は、実施形態に係る第２加熱ユニット、および比較例に係る第２加熱ユニットにおける基板の温度を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing the temperature of the substrate in the second heating unit according to the embodiment and the second heating unit according to the comparative example. 図８は、実施形態に係る第２加熱ユニット、および比較例に係る第２加熱ユニットにおける基板の温度差を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing the temperature difference of the substrate between the second heating unit according to the embodiment and the second heating unit according to the comparative example. 図９は、実施形態に係る排気処理におけるチャンバー内の雰囲気温度の変化を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing changes in the atmospheric temperature in the chamber in the exhaust gas treatment according to the embodiment. 図１０は、実施形態の変形例に係る第２加熱ユニットの概略構成を示す模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a second heating unit according to a modified example of the embodiment. 図１１は、実施形態の変形例に係る第２加熱ユニットの概略構成を示す模式図である。FIG. 11 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a second heating unit according to a modified example of the embodiment.

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により開示される基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the substrate processing apparatus and the substrate processing method disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The substrate processing apparatus and the substrate processing method disclosed by the following embodiments are not limited.

＜全体構成＞
実施形態に係る基板処理装置１について図１を参照し説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す模式図である。 <Overall configuration>
The substrate processing apparatus 1 according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment.

基板処理装置１は、カセットステーション２と、第１処理ステーション３と、インターフェースステーション４と、第２処理ステーション５と、制御装置６とを備える。 The board processing device 1 includes a cassette station 2, a first processing station 3, an interface station 4, a second processing station 5, and a control device 6.

カセットステーション２には、複数のガラス基板Ｓ（以下、「基板Ｓ」と称する。）を収容するカセットＣが載置される。カセットステーション２は、複数のカセットＣを載置可能な載置台１０と、カセットＣと第１処理ステーション３との間、および第２処理ステーション５とカセットＣとの間で基板Ｓの搬送を行う搬送装置１１とを備える。 In the cassette station 2, a cassette C accommodating a plurality of glass substrates S (hereinafter, referred to as “substrate S”) is placed. The cassette station 2 transports the substrate S between the mounting table 10 on which a plurality of cassettes C can be placed, between the cassette C and the first processing station 3, and between the second processing station 5 and the cassette C. A transport device 11 is provided.

搬送装置１１は、搬送アーム１１ａを備える。搬送アーム１１ａは、水平方向および鉛直方向への移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。 The transfer device 11 includes a transfer arm 11a. The transport arm 11a is capable of moving in the horizontal and vertical directions and turning around the vertical axis.

第１処理ステーション３は、基板Ｓにフォトレジストの塗布を含む処理を行う。第１処理ステーション３は、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ－ＵＶ）２０と、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１と、プレヒートユニット（ＰＨ）２２と、アドヒージョンユニット（ＡＤ）２３と、第１冷却ユニット（ＣＯＬ）２４とを備える。これらのユニット２０～２４は、カセットステーション２からインターフェースステーション４に向かう方向に、配置される。具体的には、エキシマＵＶ照射ユニット２０、スクラブ洗浄ユニット２１、プレヒートユニット２２、アドヒージョンユニット２３、および第１冷却ユニット２４の順に配置される。 The first processing station 3 performs processing including coating of a photoresist on the substrate S. The first processing station 3 includes an excimer UV irradiation unit (e-UV) 20, a scrub cleaning unit (SCR) 21, a preheat unit (PH) 22, an adhesion unit (AD) 23, and a first cooling unit. (COL) 24 is provided. These units 20 to 24 are arranged in the direction from the cassette station 2 to the interface station 4. Specifically, the excimer UV irradiation unit 20, the scrub cleaning unit 21, the preheat unit 22, the adhesion unit 23, and the first cooling unit 24 are arranged in this order.

また、第１処理ステーション３は、フォトレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２５と、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）２６と、第１加熱ユニット（ＨＴ）２７と、第２冷却ユニット（ＣＯＬ）２８とを備える。これらのユニット２５～２８は、第１冷却ユニット２４からインターフェースステーション４に向かう方向に、フォトレジスト塗布ユニット２５、減圧乾燥ユニット２６、第１加熱ユニット２７、第２冷却ユニット２８の順に配置される。また、第１処理ステーション３は、コロ搬送装置（図２参照）２９と、搬送装置３０とを備える。 Further, the first processing station 3 includes a photoresist coating unit (CT) 25, a vacuum drying unit (DP) 26, a first heating unit (HT) 27, and a second cooling unit (COL) 28. These units 25 to 28 are arranged in the order of the photoresist coating unit 25, the vacuum drying unit 26, the first heating unit 27, and the second cooling unit 28 in the direction from the first cooling unit 24 toward the interface station 4. Further, the first processing station 3 includes a roller transfer device (see FIG. 2) 29 and a transfer device 30.

エキシマＵＶ照射ユニット２０は、紫外域光を発する紫外域光ランプから基板Ｓに対して紫外域光を照射し、基板Ｓ上に付着した有機物を除去する。 The excimer UV irradiation unit 20 irradiates the substrate S with ultraviolet light from an ultraviolet light lamp that emits ultraviolet light, and removes organic substances adhering to the substrate S.

スクラブ洗浄ユニット２１は、有機物が除去された基板Ｓに、洗浄液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ））を供給しつつ、ブラシなどの洗浄部材によって基板Ｓの表面を洗浄する。またスクラブ洗浄ユニット２１は、ブロワーなどによって洗浄した基板Ｓを乾燥させる。 The scrub cleaning unit 21 cleans the surface of the substrate S with a cleaning member such as a brush while supplying a cleaning liquid (for example, deionized water (DIW)) to the substrate S from which organic substances have been removed. Further, the scrub cleaning unit 21 dries the substrate S cleaned by a blower or the like.

プレヒートユニット２２は、スクラブ洗浄ユニット２１によって乾燥された基板Ｓをさらに加熱し、基板Ｓをさらに乾燥させる。 The preheat unit 22 further heats the substrate S dried by the scrub cleaning unit 21 to further dry the substrate S.

アドヒージョンユニット２３は、乾燥された基板Ｓにヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を吹き付けて、基板Ｓに疎水化処理を行う。 The adhesion unit 23 sprays hexamethyldisilane (HMDS) on the dried substrate S to hydrophobize the substrate S.

第１冷却ユニット２４は、疎水化処理が行われた基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。 The first cooling unit 24 cools the substrate S by blowing cold air on the substrate S that has been hydrophobized.

フォトレジスト塗布ユニット２５は、冷却された基板Ｓ上にフォトレジスト液を供給し、基板Ｓ上にフォトレジスト膜を形成する。 The photoresist coating unit 25 supplies a photoresist liquid onto the cooled substrate S and forms a photoresist film on the substrate S.

減圧乾燥ユニット２６は、基板Ｓ上に形成されたフォトレジスト膜を減圧雰囲気下で乾燥させる。 The vacuum drying unit 26 dries the photoresist film formed on the substrate S under a reduced pressure atmosphere.

第１加熱ユニット２７は、フォトレジスト膜が乾燥された基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に含まれる溶剤などを除去する。 The first heating unit 27 heats the substrate S on which the photoresist film has been dried, and removes the solvent and the like contained in the photoresist film.

第２冷却ユニット２８は、溶剤などを除去した基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。 The second cooling unit 28 cools the substrate S by blowing cold air onto the substrate S from which the solvent and the like have been removed.

ここで、コロ搬送装置２９について、図２を参照し説明する。図２は、実施形態に係るコロ搬送装置２９による基板搬送を示す模式図である。 Here, the roller transfer device 29 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a schematic view showing substrate transfer by the roller transfer device 29 according to the embodiment.

コロ搬送装置２９は、複数のコロ２９ａと、複数の駆動装置２９ｂとを備える。コロ搬送装置２９は、駆動装置２９ｂによってコロ２９ａを回転させ、コロ２９ａの回転に伴い基板Ｓを搬送する。すなわち、コロ搬送装置２９は、基板Ｓを平流し搬送する。駆動装置２９ｂは、例えば、電動モータである。 The roller transfer device 29 includes a plurality of rollers 29a and a plurality of drive devices 29b. The roller transfer device 29 rotates the rollers 29a by the drive device 29b, and conveys the substrate S as the rollers 29a rotate. That is, the roller transport device 29 flat-flows and transports the substrate S. The drive device 29b is, for example, an electric motor.

コロ搬送装置２９は、図１において矢印Ｌで示すように、基板ＳをエキシマＵＶ照射ユニット２０から第１冷却ユニット２４まで搬送する。また、コロ搬送装置２９は、図１において矢印Ｍで示すように、基板Ｓを第１加熱ユニット２７から第２冷却ユニット２８まで搬送する。 As shown by the arrow L in FIG. 1, the roller transfer device 29 transfers the substrate S from the excimer UV irradiation unit 20 to the first cooling unit 24. Further, the roller transport device 29 transports the substrate S from the first heating unit 27 to the second cooling unit 28, as shown by an arrow M in FIG.

図１に戻り、搬送装置３０は、搬送アーム３０ａを備える。搬送アーム３０ａは、水平方向および鉛直方向への移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。 Returning to FIG. 1, the transfer device 30 includes a transfer arm 30a. The transport arm 30a is capable of moving in the horizontal and vertical directions and turning around the vertical axis.

搬送装置３０は、第１冷却ユニット２４からフォトレジスト塗布ユニット２５に基板Ｓを搬送する。搬送装置３０は、フォトレジスト塗布ユニット２５から減圧乾燥ユニット２６に基板Ｓを搬送する。また、搬送装置３０は、減圧乾燥ユニット２６から第１加熱ユニット２７に基板Ｓの搬送を行う。搬送装置３０は、複数の搬送アームを備えてもよく、各ユニット間での基板Ｓの搬送を異なる搬送アームで行ってもよい。 The transport device 30 transports the substrate S from the first cooling unit 24 to the photoresist coating unit 25. The transport device 30 transports the substrate S from the photoresist coating unit 25 to the vacuum drying unit 26. Further, the transfer device 30 transfers the substrate S from the vacuum drying unit 26 to the first heating unit 27. The transfer device 30 may include a plurality of transfer arms, and may transfer the substrate S between the units with different transfer arms.

インターフェースステーション４では、第１処理ステーション３によってフォトレジスト膜が形成された基板Ｓが外部露光装置８、および第２処理ステーション５に搬送される。インターフェースステーション４は、搬送装置３１と、ロータリーステージ（ＲＳ）３２とを備える。 In the interface station 4, the substrate S on which the photoresist film is formed by the first processing station 3 is conveyed to the external exposure apparatus 8 and the second processing station 5. The interface station 4 includes a transfer device 31 and a rotary stage (RS) 32.

外部露光装置８は、外部装置ブロック８Ａと、露光装置８Ｂとを備える。外部装置ブロック８Ａは、基板Ｓの外周部のフォトレジスト膜を周辺露光装置（ＥＥ）によって除去する。また、外部装置ブロック８Ａは、露光装置８Ｂで回路パターンに露光された基板Ｓにタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）によって所定の情報を書き込む。 The external exposure device 8 includes an external device block 8A and an exposure device 8B. The external device block 8A removes the photoresist film on the outer peripheral portion of the substrate S by a peripheral exposure device (EE). Further, the external device block 8A writes predetermined information on the substrate S exposed to the circuit pattern by the exposure device 8B by a TITTLer.

露光装置８Ｂは、回路パターンに対応したパターンを有するフォトマスクを用いてフォトレジスト膜を露光する。 The exposure apparatus 8B exposes the photoresist film using a photomask having a pattern corresponding to the circuit pattern.

搬送装置３１は、搬送アーム３１ａを備える。搬送アーム３１ａは、水平方向および鉛直方向への移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。 The transfer device 31 includes a transfer arm 31a. The transport arm 31a is capable of moving in the horizontal and vertical directions and turning around the vertical axis.

搬送装置３１は、第２冷却ユニット２８からロータリーステージ３２に基板Ｓを搬送する。また、搬送装置３１は、ロータリーステージ３２から外部装置ブロック８Ａの周辺露光装置に基板Ｓを搬送し、外周部のフォトレジスト膜が除去された基板Ｓを露光装置８Ｂに搬送する。 The transport device 31 transports the substrate S from the second cooling unit 28 to the rotary stage 32. Further, the transfer device 31 conveys the substrate S from the rotary stage 32 to the peripheral exposure device of the external device block 8A, and conveys the substrate S from which the photoresist film on the outer peripheral portion has been removed to the exposure device 8B.

また、搬送装置３１は、回路パターンに露光された基板Ｓを露光装置８Ｂから外部装置ブロック８Ａのタイトラーに基板Ｓを搬送する。そして、搬送装置３１は、所定の情報が書き込まれた基板Ｓをタイトラーから第２処理ステーション５の現像ユニット（ＤＥＶ）４０に搬送する。 Further, the transport device 31 transports the substrate S exposed to the circuit pattern from the exposure device 8B to the titler of the external device block 8A. Then, the transport device 31 transports the substrate S on which the predetermined information is written from the titler to the developing unit (DEV) 40 of the second processing station 5.

第２処理ステーション５は、現像を含む処理を行う。第２処理ステーション５は、現像ユニット４０と、第２加熱ユニット（ＨＴ）４１と、第３冷却ユニット（ＣＯＬ）４２と、検査ユニット（ＩＰ）４３と、コロ搬送装置４４（図２参照）とを備える。これらのユニット４０～４３は、インターフェースステーション４からカセットステーション２に向かう方向に、現像ユニット４０、第２加熱ユニット４１、第３冷却ユニット４２、および検査ユニット４３の順に配置される。 The second processing station 5 performs processing including development. The second processing station 5 includes a developing unit 40, a second heating unit (HT) 41, a third cooling unit (COL) 42, an inspection unit (IP) 43, and a roller transfer device 44 (see FIG. 2). To prepare for. These units 40 to 43 are arranged in the order of the developing unit 40, the second heating unit 41, the third cooling unit 42, and the inspection unit 43 in the direction from the interface station 4 toward the cassette station 2.

現像ユニット４０は、露光されたフォトレジスト膜を現像液により現像する。また、現像ユニット４０は、フォトレジスト膜を現像した基板Ｓ上の現像液をリンス液によって洗い流し、リンス液を乾燥させる。 The developing unit 40 develops the exposed photoresist film with a developing solution. Further, the developing unit 40 rinses the developing solution on the substrate S on which the photoresist film is developed with a rinsing solution, and dries the rinsing solution.

第２加熱ユニット４１は、リンス液が乾燥された基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に残る溶剤、およびリンス液を除去する。第２加熱ユニット４１の構成については、後述する。 The second heating unit 41 heats the substrate S on which the rinsing liquid has been dried, and removes the solvent remaining on the photoresist film and the rinsing liquid. The configuration of the second heating unit 41 will be described later.

第３冷却ユニット４２は、溶剤、およびリンス液が除去された基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。 The third cooling unit 42 cools the substrate S by blowing cold air onto the substrate S from which the solvent and the rinsing liquid have been removed.

検査ユニット４３は、冷却された基板Ｓに対して、フォトレジストパターン（ライン）の限界寸法（ＣＤ）の測定などの検査を行う。 The inspection unit 43 inspects the cooled substrate S, such as measuring the limit dimension (CD) of the photoresist pattern (line).

検査ユニット４３によって検査が行われた基板Ｓは、搬送装置１１の搬送アーム１１ａによって第２処理ステーション５からカセットステーション２のカセットＣに搬送される。 The substrate S inspected by the inspection unit 43 is conveyed from the second processing station 5 to the cassette C of the cassette station 2 by the transfer arm 11a of the transfer device 11.

コロ搬送装置４４の構成は、第１処理ステーション３におけるコロ搬送装置２９と同じ構成であり、ここでの説明は省略する。コロ搬送装置４４は、矢印Ｎで示すように、現像ユニット４０から検査ユニット４３まで基板Ｓを搬送する。すなわち、コロ搬送装置４４は、基板Ｓを平流し搬送する。 The configuration of the roller transfer device 44 is the same as that of the roller transfer device 29 in the first processing station 3, and the description thereof is omitted here. As shown by the arrow N, the roller transfer device 44 transfers the substrate S from the developing unit 40 to the inspection unit 43. That is, the roller transport device 44 flat-flows and transports the substrate S.

制御装置６は、例えば、コンピュータであり、制御部６Ａと記憶部６Ｂとを備える。記憶部６Ｂは、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。 The control device 6 is, for example, a computer, and includes a control unit 6A and a storage unit 6B. The storage unit 6B is realized by, for example, a semiconductor memory element such as a RAM (Random Access Memory) or a flash memory (Flash Memory), or a storage device such as a hard disk or an optical disk.

制御部６Ａは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ、入出力ポート等を含むマイクロコンピュータや各種回路を含む。マイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、各ステーション２～５の制御を実現する。 The control unit 6A includes a microcomputer including a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM, an input / output port, and various circuits. The CPU of the microcomputer realizes the control of each station 2 to 5 by reading and executing the program stored in the ROM.

なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されており、記憶媒体から制御装置６の記憶部６Ｂにインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。 The program is recorded on a storage medium that can be read by a computer, and may be installed from the storage medium in the storage unit 6B of the control device 6. Examples of storage media that can be read by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.

＜第２加熱ユニット＞
次に、第２加熱ユニット４１について、図３を参照し説明する。図３は、実施形態に係る第２加熱ユニット４１の概略構成を示す模式図である。以下では、基板Ｓの搬送方向に対して直交する基板Ｓの面方向を、幅方向として説明する。なお、幅方向は、コロ搬送装置４４のコロ４４ａの回転軸に対して平行である。 <Second heating unit>
Next, the second heating unit 41 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the second heating unit 41 according to the embodiment. Hereinafter, the plane direction of the substrate S orthogonal to the transport direction of the substrate S will be described as the width direction. The width direction is parallel to the rotation axis of the roller 44a of the roller transport device 44.

第２加熱ユニット４１は、第１熱処理部５０と、第２熱処理部５１と、排気機構５２とを備える。第１熱処理部５０と第２熱処理部５１とは連続して設けられる。具体的には、基板Ｓの搬送方向において上流側、すなわち現像ユニット４０（図１参照）側に第１熱処理部５０が設けられ、基板Ｓの搬送方向において下流側、すなわち第３冷却ユニット４２（図１参照）側に第２熱処理部５１が設けられる。 The second heating unit 41 includes a first heat treatment unit 50, a second heat treatment unit 51, and an exhaust mechanism 52. The first heat treatment section 50 and the second heat treatment section 51 are continuously provided. Specifically, the first heat treatment unit 50 is provided on the upstream side in the transport direction of the substrate S, that is, on the development unit 40 (see FIG. 1) side, and on the downstream side in the transport direction of the substrate S, that is, the third cooling unit 42 (see FIG. 1). A second heat treatment section 51 is provided on the side (see FIG. 1).

第１熱処理部５０は、平流し搬送される基板Ｓに対して熱処理を行う。第１熱処理部５０は、チャンバー６０と、複数の第１ヒータ部６１と、複数の第２ヒータ部６２とを備える。 The first heat treatment unit 50 heat-treats the substrate S which is conveyed in a flat flow. The first heat treatment unit 50 includes a chamber 60, a plurality of first heater units 61, and a plurality of second heater units 62.

チャンバー６０は、コロ搬送装置４４の一部、第１ヒータ部６１、および第２ヒータ部６２を収容し、基板Ｓの搬送方向に沿って延設される。 The chamber 60 accommodates a part of the roller transport device 44, the first heater section 61, and the second heater section 62, and extends along the transport direction of the substrate S.

チャンバー６０には、基板Ｓの搬送方向における上流側、具体的には、現像ユニット４０側に搬入口６０ａが形成され、現像ユニット４０側に設けられた導入部５３を介して搬入口６０ａから基板Ｓが搬入される。搬入口６０ａには、第１熱処理部５０内への空気の流れを整える整流板５４が設けられる。 In the chamber 60, a carry-in inlet 60a is formed on the upstream side in the transport direction of the substrate S, specifically, on the development unit 40 side, and the substrate is formed from the carry-in inlet 60a via the introduction portion 53 provided on the development unit 40 side. S is carried in. The carry-in port 60a is provided with a straightening vane 54 for adjusting the flow of air into the first heat treatment unit 50.

導入部５３の上面には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）５５が設けられる。ＦＦＵ５５は、フィルタによって浄化した空気を下方に向けて吹き出す。ＦＦＵ５５によって吹き出された空気は、基板Ｓの搬送方向に沿ってチャンバー６０内に流入する。すなわち、基板処理装置１は、基板Ｓの搬送方向において第１熱処理部５０よりも上流側に設けられ、第１熱処理部５０に送風するＦＦＵ５５（上流側送風部の一例）を備える。なお、ＦＦＵ５５は、幅方向に並んで、複数設けられてもよい。 An FFU (Fan Filter Unit) 55 is provided on the upper surface of the introduction portion 53. The FFU 55 blows out the air purified by the filter downward. The air blown out by the FFU 55 flows into the chamber 60 along the transport direction of the substrate S. That is, the substrate processing device 1 is provided on the upstream side of the first heat treatment unit 50 in the transport direction of the substrate S, and includes an FFU 55 (an example of an upstream side air blowing unit) that blows air to the first heat treatment unit 50. A plurality of FFUs 55 may be provided side by side in the width direction.

また、チャンバー６０には、基板Ｓの搬送方向における下流側、具体的には、第２熱処理部５１側に搬出口６０ｂが形成され、熱処理された基板Ｓが搬出口６０ｂから搬出される。また、チャンバー６０の上面には、複数の第１排気口６０ｃ～６０ｅと、複数の第２排気口６０ｆ～６０ｈとが形成される。 Further, in the chamber 60, a carry-out port 60b is formed on the downstream side in the transport direction of the substrate S, specifically, on the side of the second heat-treated portion 51, and the heat-treated substrate S is carried out from the carry-out port 60b. Further, a plurality of first exhaust ports 60c to 60e and a plurality of second exhaust ports 60f to 60h are formed on the upper surface of the chamber 60.

第１排気口６０ｃ～６０ｅは、図４に示すように、幅方向に沿って延びるスリット状に形成され、幅方向に並んで形成される。図４は、実施形態に係る第１排気口６０ｃ～６０ｅ、および第２排気口６０ｆ～６０ｈの配置を示す模式図である。図４では、第１熱処理部５０の一部を省略する。 As shown in FIG. 4, the first exhaust ports 60c to 60e are formed in a slit shape extending along the width direction, and are formed side by side in the width direction. FIG. 4 is a schematic view showing the arrangement of the first exhaust ports 60c to 60e and the second exhaust ports 60f to 60h according to the embodiment. In FIG. 4, a part of the first heat treatment unit 50 is omitted.

第２排気口６０ｆ～６０ｈは、幅方向に沿って延びるスリット状に形成され、幅方向に並んで形成される。第２排気口６０ｆ～６０ｈは、第１排気口６０ｃ～６０ｅよりも基板Ｓの搬送方向における下流側に形成される。なお、第２排気口６０ｆ～６０ｈは、チャンバー６０の搬出口６０ｂ（図３参照）よりも所定距離、上流側に形成される。所定距離は、予め設定された距離である。所定距離は、排気機構５２によって排気を行う場合に、第２熱処理部５１から第１熱処理部５０内に空気を流入させて、基板Ｓの後端の温度が上昇し過ぎることを抑制するように設定される。 The second exhaust ports 60f to 60h are formed in a slit shape extending along the width direction, and are formed side by side in the width direction. The second exhaust ports 60f to 60h are formed on the downstream side of the first exhaust ports 60c to 60e in the transport direction of the substrate S. The second exhaust ports 60f to 60h are formed on the upstream side of the carry-out port 60b (see FIG. 3) of the chamber 60 by a predetermined distance. The predetermined distance is a preset distance. The predetermined distance is such that when exhaust is performed by the exhaust mechanism 52, air is allowed to flow from the second heat treatment section 51 into the first heat treatment section 50 to prevent the temperature of the rear end of the substrate S from rising too much. Set.

なお、ここでは、３つの第１排気口６０ｃ～６０ｅ、および３つの第２排気口６０ｆ～６０ｈが幅方向に並んだ一例を示すが、第１排気口６０ｃ～６０ｅ、および第２排気口６０ｆ～６０ｈの数は、これに限られることはない。第１排気口６０ｃ～６０ｅ、および第２排気口６０ｆ～６０ｈの数は、１つであってもよく、複数であってもよい。 Here, an example in which the three first exhaust ports 60c to 60e and the three second exhaust ports 60f to 60h are arranged in the width direction is shown, but the first exhaust ports 60c to 60e and the second exhaust port 60f are shown. The number of up to 60 hours is not limited to this. The number of the first exhaust ports 60c to 60e and the second exhaust ports 60f to 60h may be one or a plurality.

図３に戻り、第１ヒータ部６１は、隣接するコロ４４ａの間に設けられ、幅方向に沿って延設される。第１ヒータ部６１は、短冊状の電気ヒータであり、下方側から基板Ｓを加熱する。 Returning to FIG. 3, the first heater portion 61 is provided between the adjacent rollers 44a and extends along the width direction. The first heater unit 61 is a strip-shaped electric heater that heats the substrate S from the lower side.

第２ヒータ部６２は、チャンバー６０の上面に取り付けられる。第２ヒータ部６２は、基板Ｓの搬送方向に沿って並んで設けられ、幅方向に沿って延設される。第２ヒータ部６２は、短冊状の電気ヒータであり、上方側から基板Ｓを加熱する。 The second heater portion 62 is attached to the upper surface of the chamber 60. The second heater portions 62 are provided side by side along the transport direction of the substrate S, and extend along the width direction. The second heater unit 62 is a strip-shaped electric heater that heats the substrate S from above.

第１ヒータ部６１、および第２ヒータ部６２は、基板Ｓの温度が第１所定温度となるように電流制御される。第１所定温度は、予め設定された温度である。 The first heater unit 61 and the second heater unit 62 are current-controlled so that the temperature of the substrate S becomes the first predetermined temperature. The first predetermined temperature is a preset temperature.

第２熱処理部５１は、第１熱処理部５０よりも下流側であり、第１熱処理部５０に連続して設けられ、第１熱処理部５０によって熱処理された基板Ｓに対して、第１熱処理部５０よりも低い温度で熱処理を行う。第２熱処理部５１は、チャンバー６５と、複数の第１ヒータ部６６と、複数の第２ヒータ部６７とを備える。 The second heat treatment unit 51 is on the downstream side of the first heat treatment unit 50, is continuously provided in the first heat treatment unit 50, and has a first heat treatment unit with respect to the substrate S heat-treated by the first heat treatment unit 50. Heat treatment is performed at a temperature lower than 50. The second heat treatment unit 51 includes a chamber 65, a plurality of first heater units 66, and a plurality of second heater units 67.

チャンバー６５は、コロ搬送装置４４の一部、第１ヒータ部６６、および第２ヒータ部６７を収容し、基板Ｓの搬送方向に沿って延設される。 The chamber 65 accommodates a part of the roller transport device 44, the first heater section 66, and the second heater section 67, and extends along the transport direction of the substrate S.

チャンバー６５には、基板Ｓの搬送方向における上流側、具体的には、第１熱処理部５０側に搬入口６５ａが形成され、搬入口６５ａから基板Ｓが搬入される。また、チャンバー６５には、基板Ｓの搬送方向における下流側、具体的には、第３冷却ユニット４２側に搬出口６５ｂが形成され、熱処理された基板Ｓが搬出口６５ｂから搬出される。また、チャンバー６５の上面には、複数の第１排気口６５ｃ～６５ｅと、複数の第２排気口６５ｆ～６５ｈとが形成される。 In the chamber 65, a carry-in inlet 65a is formed on the upstream side in the transport direction of the substrate S, specifically, on the first heat treatment unit 50 side, and the substrate S is carried in from the carry-in inlet 65a. Further, in the chamber 65, a carry-out port 65b is formed on the downstream side in the transport direction of the substrate S, specifically, on the third cooling unit 42 side, and the heat-treated substrate S is carried out from the carry-out port 65b. Further, a plurality of first exhaust ports 65c to 65e and a plurality of second exhaust ports 65f to 65h are formed on the upper surface of the chamber 65.

第１排気口６５ｃ～６５ｅ、および第２排気口６５ｆ～６５ｈは、第１熱処理部５０の第１排気口６０ｃ～６０ｅ、および第２排気口６０ｆ～６０ｈと同様に、幅方向に沿って延びるスリット状に形成され、幅方向に並んで形成される。 The first exhaust ports 65c to 65e and the second exhaust ports 65f to 65h extend along the width direction like the first exhaust ports 60c to 60e and the second exhaust ports 60f to 60h of the first heat treatment unit 50. It is formed in a slit shape and is formed side by side in the width direction.

第１ヒータ部６６、および第２ヒータ部６７の構成は、第１熱処理部５０の第１ヒータ部６１、および第２ヒータ部６２と同様の構成であり、ここでの説明は省略する。 The configuration of the first heater unit 66 and the second heater unit 67 is the same as that of the first heater unit 61 and the second heater unit 62 of the first heat treatment unit 50, and the description thereof is omitted here.

なお、第１ヒータ部６６、および第２ヒータ部６７は、基板Ｓの温度が第２所定温度となるように、電流制御される。第２所定温度は、予め設定された温度であり、第１所定温度よりも低い温度である。 The first heater unit 66 and the second heater unit 67 are current-controlled so that the temperature of the substrate S becomes the second predetermined temperature. The second predetermined temperature is a preset temperature, which is lower than the first predetermined temperature.

排気機構５２は、第１排気機構７０と、第２排気機構７１とを備える。第１排気機構７０は、排気装置７５と、排気路７６とを備える。排気装置７５は、第１排気口６０ｃ～６０ｅ、第２排気口６０ｆ～６０ｈ、および排気路７６を介して、第１熱処理部５０のチャンバー６０から排気を行う。すなわち、第１排気機構７０は、基板Ｓの上方から排気を行う。 The exhaust mechanism 52 includes a first exhaust mechanism 70 and a second exhaust mechanism 71. The first exhaust mechanism 70 includes an exhaust device 75 and an exhaust passage 76. The exhaust device 75 exhausts air from the chamber 60 of the first heat treatment unit 50 via the first exhaust ports 60c to 60e, the second exhaust ports 60f to 60h, and the exhaust passage 76. That is, the first exhaust mechanism 70 exhausts air from above the substrate S.

排気路７６は、第１排気路７６ａ～７６ｃ、および第２排気路７６ｄ～７６ｆに分岐する。第１排気路７６ａ～７６ｃは、第１熱処理部５０のチャンバー６０に形成された第１排気口６０ｃ～６０ｅに接続する。第１排気路７６ａ～７６ｃは、第１排気口６０ｃ～６０ｅの数に対応して形成される。具体的には、図４に示すように、第１排気路７６ａは、幅方向において端に形成された第１排気口６０ｃに接続する。第１排気路７６ｂは、幅方向において中央に形成された第１排気口６０ｄに接続する。第１排気路７６ｃは、幅方向において端に形成された第１排気口６０ｅに接続する。 The exhaust passage 76 branches into the first exhaust passages 76a to 76c and the second exhaust passages 76d to 76f. The first exhaust passages 76a to 76c are connected to the first exhaust ports 60c to 60e formed in the chamber 60 of the first heat treatment unit 50. The first exhaust passages 76a to 76c are formed corresponding to the number of the first exhaust ports 60c to 60e. Specifically, as shown in FIG. 4, the first exhaust passage 76a is connected to the first exhaust port 60c formed at the end in the width direction. The first exhaust passage 76b is connected to the first exhaust port 60d formed in the center in the width direction. The first exhaust passage 76c is connected to the first exhaust port 60e formed at the end in the width direction.

第１排気路７６ａには、流量調整バルブ７７ａが設けられる。第１排気路７６ｂには、流量調整バルブ７７ｂが設けられる。第１排気路７６ｃには、流量調整バルブ７７ｃが設けられる。第１排気機構７０は、各流量調整バルブ７７ａ～７７ｃの開度が調整されることで、各第１排気路７６ａ～７６ｃにおける単位時間当たりの排気量（以下、「排気量」と称する。）を調整可能である。すなわち、第１排気機構７０は、幅方向における排気量を制御することができる。 A flow rate adjusting valve 77a is provided in the first exhaust passage 76a. A flow rate adjusting valve 77b is provided in the first exhaust passage 76b. A flow rate adjusting valve 77c is provided in the first exhaust passage 76c. The first exhaust mechanism 70 adjusts the opening degree of each flow rate adjusting valve 77a to 77c to adjust the displacement per unit time in each of the first exhaust passages 76a to 76c (hereinafter, referred to as "exhaust amount"). Is adjustable. That is, the first exhaust mechanism 70 can control the displacement in the width direction.

第２排気路７６ｄ～７６ｆは、第１熱処理部５０のチャンバー６０に形成された第２排気口６０ｆ～６０ｈに接続する。第２排気路７６ｄ～７６ｆは、第２排気口６０ｆ～６０ｈの数に対応して形成される。具体的には、第２排気路７６ｄは、幅方向において端に形成された第２排気口６０ｆに接続する。第２排気路７６ｅは、幅方向において中央に形成された第２排気口６０ｇに接続する。第２排気路７６ｆは、幅方向において端に形成された第２排気口６０ｈに接続する。 The second exhaust passages 76d to 76f are connected to the second exhaust ports 60f to 60h formed in the chamber 60 of the first heat treatment unit 50. The second exhaust passages 76d to 76f are formed corresponding to the number of the second exhaust ports 60f to 60h. Specifically, the second exhaust passage 76d is connected to the second exhaust port 60f formed at the end in the width direction. The second exhaust passage 76e is connected to the second exhaust port 60g formed in the center in the width direction. The second exhaust passage 76f is connected to the second exhaust port 60h formed at the end in the width direction.

第２排気路７６ｄには、流量調整バルブ７７ｄが設けられる。第２排気路７６ｅには、流量調整バルブ７７ｅが設けられる。第２排気路７６ｆには、流量調整バルブ７７ｆが設けられる。第１排気機構７０は、各流量調整バルブ７７ｄ～７７ｆの開度が調整されることで、各第２排気路７６ｄ～７６ｆにおける排気量を調整可能である。すなわち、第１排気機構７０は、幅方向における排気量を制御する。 A flow rate adjusting valve 77d is provided in the second exhaust passage 76d. A flow rate adjusting valve 77e is provided in the second exhaust passage 76e. A flow rate adjusting valve 77f is provided in the second exhaust passage 76f. The first exhaust mechanism 70 can adjust the displacement in each of the second exhaust passages 76d to 76f by adjusting the opening degree of each flow rate adjusting valve 77d to 77f. That is, the first exhaust mechanism 70 controls the displacement in the width direction.

図３に戻り、第２排気機構７１は、排気装置８０と、排気路８１とを備える。排気装置８０は、第１排気口６５ｃ～６５ｅ、第２排気口６５ｆ～６５ｈ、および排気路８１を介して、第２熱処理部５１のチャンバー６５から排気を行う。すなわち、第２排気機構７１は、基板Ｓの上方から排気を行う。 Returning to FIG. 3, the second exhaust mechanism 71 includes an exhaust device 80 and an exhaust passage 81. The exhaust device 80 exhausts air from the chamber 65 of the second heat treatment unit 51 via the first exhaust ports 65c to 65e, the second exhaust ports 65f to 65h, and the exhaust passage 81. That is, the second exhaust mechanism 71 exhausts air from above the substrate S.

排気路８１は、第１排気路８１ａ～８１ｃ、および第２排気路８１ｄ～８１ｆに分岐する。第１排気路８１ａ～８１ｃは、第２熱処理部５１のチャンバー６５に形成された第１排気口６５ｃ～６５ｅに接続する。第１排気路８１ａ～８１ｃは、第１排気機構７０の第１排気路７６ａ～７６ｃと同様に、第１排気口６５ｃ～６５ｅの数に対応して形成され、対応する第１排気口６５ｃ～６５ｅに接続する。 The exhaust passage 81 branches into the first exhaust passages 81a to 81c and the second exhaust passages 81d to 81f. The first exhaust passages 81a to 81c are connected to the first exhaust ports 65c to 65e formed in the chamber 65 of the second heat treatment section 51. The first exhaust passages 81a to 81c are formed corresponding to the number of the first exhaust ports 65c to 65e, similarly to the first exhaust passages 76a to 76c of the first exhaust mechanism 70, and correspond to the first exhaust ports 65c to 65c. Connect to 65e.

また、第１排気路８１ａ～８１ｃには、第１排気機構７０の第１排気路７６ａ～７６ｃと同様に、流量調整バルブ８２ａ～８２ｃが設けられる。第２排気機構７１は、各流量調整バルブ８２ａ～８２ｃの開度が調整されることで、各第１排気路８１ａ～８１ｃにおける排気量を調整可能である。 Further, the first exhaust passages 81a to 81c are provided with flow rate adjusting valves 82a to 82c, similarly to the first exhaust passages 76a to 76c of the first exhaust mechanism 70. The second exhaust mechanism 71 can adjust the displacement in each of the first exhaust passages 81a to 81c by adjusting the opening degree of each flow rate adjusting valve 82a to 82c.

第２排気路８１ｄ～８１ｆは、第２熱処理部５１のチャンバー６５に形成された第２排気口６５ｆ～６５ｈに接続する。第２排気路８１ｄ～８１ｆは、第１排気機構７０の第２排気路７６ｄ～７６ｆと同様に、第２排気口６５ｆ～６５ｈの数に対応して形成され、対応する第２排気口６５ｆ～６５ｈに接続する。 The second exhaust passages 81d to 81f are connected to the second exhaust ports 65f to 65h formed in the chamber 65 of the second heat treatment unit 51. The second exhaust passages 81d to 81f are formed corresponding to the number of the second exhaust ports 65f to 65h, similarly to the second exhaust passages 76d to 76f of the first exhaust mechanism 70, and the corresponding second exhaust ports 65f to Connect to 65h.

また、第２排気路８１ｄ～８１ｆには、第１排気機構７０の第２排気路７６ｄ～７６ｆと同様に、流量調整バルブ８２ｄ～８２ｆが設けられる。第２排気機構７１は、各流量調整バルブ８２ｄ～８２ｆの開度が調整されることで、各第２排気路８１ｄ～８１ｆにおける排気量を調整可能である。 Further, the second exhaust passages 81d to 81f are provided with flow rate adjusting valves 82d to 82f, similarly to the second exhaust passages 76d to 76f of the first exhaust mechanism 70. The second exhaust mechanism 71 can adjust the displacement in each of the second exhaust passages 81d to 81f by adjusting the opening degree of each flow rate adjusting valve 82d to 82f.

排気機構５２は、第１排気機構７０による排気量を、第２排気機構７１による排気量よりも多くする。すなわち、排気機構５２は、第１熱処理部５０における排気量を、第２熱処理部５１における排気量よりも多くする。 The exhaust mechanism 52 makes the displacement by the first exhaust mechanism 70 larger than the displacement by the second exhaust mechanism 71. That is, the exhaust mechanism 52 makes the displacement in the first heat treatment section 50 larger than the displacement in the second heat treatment section 51.

＜排気処理＞
次に、第２加熱ユニット４１における排気処理について説明する。 <Exhaust treatment>
Next, the exhaust gas treatment in the second heating unit 41 will be described.

第２加熱ユニット４１の排気機構５２は、第１熱処理部５０における排気量を第２熱処理部５１における排気量よりも多くする。例えば、第２加熱ユニット４１は、排気機構５２による総排気量に対して、第１排気機構７０による排気量の割合を８割とし、第２排気機構７１による排気量の割合を２割とする。これにより、図５に示すように、第１熱処理部５０のチャンバー６０内の雰囲気温度よりも温度が低い空気が、第２熱処理部５１から第１熱処理部５０に流れる。図５は、実施形態に係る第２加熱ユニット４１における空気の流れを示す図である。 The exhaust mechanism 52 of the second heating unit 41 makes the displacement in the first heat treatment section 50 larger than the displacement in the second heat treatment section 51. For example, in the second heating unit 41, the ratio of the displacement by the first exhaust mechanism 70 to the total displacement by the exhaust mechanism 52 is 80%, and the ratio of the displacement by the second exhaust mechanism 71 is 20%. .. As a result, as shown in FIG. 5, air having a temperature lower than the atmospheric temperature in the chamber 60 of the first heat treatment section 50 flows from the second heat treatment section 51 to the first heat treatment section 50. FIG. 5 is a diagram showing an air flow in the second heating unit 41 according to the embodiment.

すなわち、排気機構５２は、第１熱処理部５０よりも基板Ｓの搬送方向の上流側、および第２熱処理部５１側から第１熱処理部５０内へ空気が流れるように、第１熱処理部５０の上方から排気する。 That is, the exhaust mechanism 52 of the first heat treatment unit 50 is such that air flows into the first heat treatment unit 50 from the upstream side of the substrate S in the transport direction and from the second heat treatment unit 51 side to the first heat treatment unit 50. Exhaust from above.

第１熱処理部５０、および第２熱処理部５１における排気量を等しくした比較例では、ＦＦＵ５５による空気の流れによって、図６に示すように、第１熱処理部５０側から第２熱処理部５１へ空気が流れる。すなわち、比較例に係る第２加熱ユニット４１では、第２熱処理部５１側から第１熱処理部５０に空気が流入しない。図６は、比較例に係る第２加熱ユニット４１における空気の流れを示す図である。 In the comparative example in which the displacements of the first heat treatment section 50 and the second heat treatment section 51 are equalized, air is flown from the first heat treatment section 50 side to the second heat treatment section 51 due to the air flow by the FFU 55, as shown in FIG. Flows. That is, in the second heating unit 41 according to the comparative example, air does not flow into the first heat treatment unit 50 from the second heat treatment unit 51 side. FIG. 6 is a diagram showing the air flow in the second heating unit 41 according to the comparative example.

そのため、基板Ｓの後端は、温度が高い空気に煽られ続け、図７において破線で示すように、基板Ｓの後端の温度が高くなる。図７は、実施形態に係る第２加熱ユニット４１、および比較例に係る第２加熱ユニット４１における基板Ｓの温度を示す図である。なお、図７は、第１熱処理部５０と第２熱処理部５１との境界における基板Ｓの温度を示す図である。 Therefore, the rear end of the substrate S continues to be fanned by the hot air, and as shown by the broken line in FIG. 7, the temperature of the rear end of the substrate S becomes high. FIG. 7 is a diagram showing the temperature of the substrate S in the second heating unit 41 according to the embodiment and the second heating unit 41 according to the comparative example. Note that FIG. 7 is a diagram showing the temperature of the substrate S at the boundary between the first heat treatment unit 50 and the second heat treatment unit 51.

比較例に係る第２加熱ユニット４１では、基板Ｓの後端の温度が高くなるため、基板Ｓにおける温度差Ｔ１が大きくなる。 In the second heating unit 41 according to the comparative example, the temperature at the rear end of the substrate S is high, so that the temperature difference T1 in the substrate S is large.

これに対し、実施形態に係る第２加熱ユニット４１では、第１熱処理部５０のチャンバー６０内の雰囲気温度よりも温度が低い空気が第２熱処理部５１から第１熱処理部５０に流れる。そのため、図７において実線で示すように、基板Ｓの後端の温度が、比較例に係る基板Ｓの後端の温度よりも低くなる。従って、基板Ｓにおける温度差Ｔ２が比較例に係る基板Ｓにおける温度差Ｔ１よりも小さくなる。 On the other hand, in the second heating unit 41 according to the embodiment, air having a temperature lower than the atmospheric temperature in the chamber 60 of the first heat treatment unit 50 flows from the second heat treatment unit 51 to the first heat treatment unit 50. Therefore, as shown by the solid line in FIG. 7, the temperature of the rear end of the substrate S is lower than the temperature of the rear end of the substrate S according to the comparative example. Therefore, the temperature difference T2 in the substrate S is smaller than the temperature difference T1 in the substrate S according to the comparative example.

従って、実施形態に係る第２加熱ユニット４１では、図８に示すように、第２熱処理部５１における基板Ｓの温度差が、比較例に係る第２加熱ユニット４１の第２熱処理部５１における基板Ｓの温度差よりも小さくなる。図８は、実施形態に係る第２加熱ユニット４１、および比較例に係る第２加熱ユニットにおける基板Ｓの温度差を示す図である。図８は、搬入口６５ａ付近である上流、基板Ｓの搬送方向における中央付近である中央、搬出口６５ｂ付近である下流で基板Ｓの温度差を計測し、計測した温度差に基づいた作成された図である。図８では、実施形態に係る第２加熱ユニット４１における温度差を実線で示し、比較例に係る第２加熱ユニット４１における温度差を破線で示す。 Therefore, in the second heating unit 41 according to the embodiment, as shown in FIG. 8, the temperature difference of the substrate S in the second heat treatment unit 51 is the substrate in the second heat treatment unit 51 of the second heat treatment unit 41 according to the comparative example. It becomes smaller than the temperature difference of S. FIG. 8 is a diagram showing the temperature difference of the substrate S in the second heating unit 41 according to the embodiment and the second heating unit according to the comparative example. FIG. 8 is created based on the measured temperature difference by measuring the temperature difference of the substrate S in the upstream near the carry-in inlet 65a, the center near the center in the transport direction of the substrate S, and the downstream near the carry-out outlet 65b. It is a figure. In FIG. 8, the temperature difference in the second heating unit 41 according to the embodiment is shown by a solid line, and the temperature difference in the second heating unit 41 according to the comparative example is shown by a broken line.

このように、実施形態に係る第２加熱ユニット４１は、基板温度の均一性を向上させることができる。 As described above, the second heating unit 41 according to the embodiment can improve the uniformity of the substrate temperature.

また、第２加熱ユニット４１では、基板Ｓの搬送が開始される前に、各ヒータ部６１、６２、６６、６７をＯＮにし、排気機構５２によって排気を開始する。すなわち、排気機構５２は、基板Ｓが第１熱処理部５０に搬送されていない待機時に排気を行う。具体的には、第２加熱ユニット４１は、基板Ｓに対して熱処理を行っている場合と同等の排気を待機時に行う。 Further, in the second heating unit 41, the heater portions 61, 62, 66, 67 are turned on and exhaust is started by the exhaust mechanism 52 before the transfer of the substrate S is started. That is, the exhaust mechanism 52 exhausts the substrate S during standby when the substrate S is not conveyed to the first heat treatment unit 50. Specifically, the second heating unit 41 exhausts the substrate S in the same manner as when the substrate S is heat-treated during standby.

これにより、例えば、第１熱処理部５０のチャンバー６０は、待機時であっても基板Ｓに対する熱処理を行っている状態に近い状態に保持される。 As a result, for example, the chamber 60 of the first heat treatment unit 50 is maintained in a state close to the state in which the substrate S is being heat-treated even during standby.

そのため、図９に示すように、時間ｔ０において基板Ｓの搬送が開始され、基板Ｓが連続して熱処理される場合に、チャンバー６０内の雰囲気温度が低下することを抑制することができる。図９は、実施形態に係るチャンバー６０内の雰囲気温度の変化を示す図である。図９では、基板Ｓの搬送が開始される時間ｔ０において排気機構５２による排気を開始した雰囲気温度の変化を破線で示す。 Therefore, as shown in FIG. 9, when the transfer of the substrate S is started at time t0 and the substrate S is continuously heat-treated, it is possible to suppress the decrease in the atmospheric temperature in the chamber 60. FIG. 9 is a diagram showing changes in the atmospheric temperature in the chamber 60 according to the embodiment. In FIG. 9, the change in the atmospheric temperature at which the exhaust by the exhaust mechanism 52 is started at the time t0 when the transfer of the substrate S is started is shown by a broken line.

このように、第２加熱ユニット４１は、基板Ｓが連続搬送された場合に、基板Ｓに対する処理温度の変化を抑制することができ、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。 As described above, the second heating unit 41 can suppress the change in the processing temperature with respect to the substrate S when the substrate S is continuously conveyed, and can improve the uniformity of the substrate temperature by the heat treatment.

第２加熱ユニット４１では、幅方向の中央側における空気の流れが、幅方向の端側における空気の流れよりも速くなる。 In the second heating unit 41, the air flow on the center side in the width direction is faster than the air flow on the end side in the width direction.

そこで、第２加熱ユニット４１の排気機構５２は、幅方向において端に位置する第１排気口６０ｃ、６０ｅからの排気量を、幅方向において中央に位置する第１排気口６０ｄからの排気量よりも多くする。また、第２加熱ユニット４１は、幅方向において端に位置する第２排気口６０ｆ、６０ｈからの排気量を、幅方向において中央に位置する第２排気口６０ｇからの排気量よりも多くする。 Therefore, the exhaust mechanism 52 of the second heating unit 41 makes the displacement from the first exhaust ports 60c and 60e located at the ends in the width direction from the displacement from the first exhaust port 60d located at the center in the width direction. Also many. Further, the second heating unit 41 makes the displacement from the second exhaust ports 60f and 60h located at the ends in the width direction larger than the displacement from the second exhaust port 60g located at the center in the width direction.

すなわち、第２加熱ユニット４１の排気機構５２は、基板Ｓの搬送方向に対して直交する基板Ｓの面方向（幅方向の一例）に沿って設けられた複数の第１排気口６０ｃ～６０ｅ、および複数の第２排気口６０ｆ～６０ｈを介して排気する。さらに、第２加熱ユニット４１の排気機構５２は、基板Ｓの搬送方向に対して直交する基板Ｓの面方向において端側に設けられた第１排気口６０ｃ、６０ｅからの排気量を、面方向において中央側に設けられた第１排気口６０ｄからの排気量よりも多くする。また、第２加熱ユニット４１の排気機構５２は、基板Ｓの搬送方向に対して直交する基板Ｓの面方向において端側に設けられた第２排気口６０ｆ、６０ｈからの排気量を、面方向において中央側に設けられた第２排気口６０ｇからの排気量よりも多くする。 That is, the exhaust mechanism 52 of the second heating unit 41 has a plurality of first exhaust ports 60c to 60e provided along the plane direction (an example in the width direction) of the substrate S orthogonal to the transport direction of the substrate S. And exhaust through a plurality of second exhaust ports 60f to 60h. Further, the exhaust mechanism 52 of the second heating unit 41 measures the amount of exhaust gas from the first exhaust ports 60c and 60e provided on the end side in the plane direction of the substrate S orthogonal to the transport direction of the substrate S in the plane direction. The displacement is larger than the displacement from the first exhaust port 60d provided on the central side. Further, the exhaust mechanism 52 of the second heating unit 41 measures the amount of exhaust gas from the second exhaust ports 60f and 60h provided on the end side in the plane direction of the substrate S orthogonal to the transport direction of the substrate S in the plane direction. The displacement is larger than the displacement from the second exhaust port 60g provided on the central side.

これにより、第２加熱ユニット４１は、幅方向における基板Ｓの温度差を小さくすることができ、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。 As a result, the second heating unit 41 can reduce the temperature difference of the substrate S in the width direction, and can improve the uniformity of the substrate temperature by the heat treatment.

＜変形例＞
次に、本実施形態の変形例について説明する。 <Modification example>
Next, a modification of the present embodiment will be described.

変形例に係る第２加熱ユニット４１の第１排気機構７０は、図１０に示すように、基板Ｓの搬送方向における第１熱処理部５０の中央付近に排気口９０ａ～９０ｃが形成される。図１０は、実施形態の変形例に係る第２加熱ユニット４１の概略構成を示す模式図である。すなわち、変形例に係る第１排気機構７０は、基板Ｓの搬送方向における第１熱処理部５０の略中央から排気する。これにより、変形例に係る第２加熱ユニット４１は、部品点数を少なくしつつ、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。 As shown in FIG. 10, in the first exhaust mechanism 70 of the second heating unit 41 according to the modified example, exhaust ports 90a to 90c are formed near the center of the first heat treatment section 50 in the transport direction of the substrate S. FIG. 10 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the second heating unit 41 according to the modified example of the embodiment. That is, the first exhaust mechanism 70 according to the modified example exhausts from substantially the center of the first heat treatment section 50 in the transport direction of the substrate S. As a result, the second heating unit 41 according to the modified example can improve the uniformity of the substrate temperature by the heat treatment while reducing the number of parts.

変形例に係る第２加熱ユニット４１は、図１１に示すように、第２熱処理部５１の下流側にＦＦＵ９１を設ける。図１１は、実施形態の変形例に係る第２加熱ユニット４１の概略構成を示す模式図である。すなわち、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓの搬送方向において第２熱処理部５１よりも下流側に設けられ、第２熱処理部５１に送風するＦＦＵ９１（下流側送風部の一例）を備える。これにより、変形例に係る第２加熱ユニット４１は、ＦＦＵ９１によって第２熱処理部５１側から第１熱処理部５０に温度が低い空気を流すことができ、基板温度の均一性を向上させることができる。 As shown in FIG. 11, the second heating unit 41 according to the modified example is provided with the FFU 91 on the downstream side of the second heat treatment unit 51. FIG. 11 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the second heating unit 41 according to the modified example of the embodiment. That is, the substrate processing device 1 according to the modified example is provided on the downstream side of the second heat treatment section 51 in the transport direction of the substrate S, and includes an FFU 91 (an example of a downstream side blower section) that blows air to the second heat treatment section 51. .. As a result, in the second heating unit 41 according to the modified example, air having a low temperature can be flowed from the second heat treatment section 51 side to the first heat treatment section 50 by the FFU 91, and the uniformity of the substrate temperature can be improved. ..

変形例に係る第２加熱ユニット４１は、排気口の大きさを変更することで、各排気口における排気量を調整してもよい。例えば、変形例に係る第２加熱ユニット４１は、幅方向において端側の第１排気口６０ｃ、６０ｅの大きさを、中央側の第１排気口６０ｄの大きさよりも大きくする。これにより、変形例に係る第２加熱ユニット４１は、幅方向における排気量を調整し、幅方向における基板Ｓの温度差を小さくし、基板温度の均一性を向上させることができる。 The second heating unit 41 according to the modified example may adjust the displacement at each exhaust port by changing the size of the exhaust port. For example, in the second heating unit 41 according to the modified example, the size of the first exhaust ports 60c and 60e on the end side is made larger than the size of the first exhaust port 60d on the center side in the width direction. As a result, the second heating unit 41 according to the modified example can adjust the displacement in the width direction, reduce the temperature difference of the substrate S in the width direction, and improve the uniformity of the substrate temperature.

変形例に係る第２加熱ユニット４１は、整流板５４によって幅方向における空気の流れを調整してもよい。変形例に係る第２加熱ユニット４１は、整流板５４の高さや、形状を変更することで、幅方向における空気の流れを調整する。例えば、変形例に係る第２加熱ユニット４１は、幅方向において中央側の整流板５４の高さを端側の整流板５４の高さよりも低くする。これにより、変形例に係る第２加熱ユニット４１は、幅方向における排気量を調整し、幅方向における基板Ｓの温度差を小さくし、基板温度の均一性を向上させることができる。 The second heating unit 41 according to the modified example may adjust the air flow in the width direction by the straightening vane 54. The second heating unit 41 according to the modified example adjusts the air flow in the width direction by changing the height and shape of the straightening vane 54. For example, in the second heating unit 41 according to the modified example, the height of the straightening vane 54 on the center side is lower than the height of the straightening vane 54 on the end side in the width direction. As a result, the second heating unit 41 according to the modified example can adjust the displacement in the width direction, reduce the temperature difference of the substrate S in the width direction, and improve the uniformity of the substrate temperature.

変形例に係る第２加熱ユニット４１は、幅方向における温度を変更可能な第１ヒータ部６１、６６および第２ヒータ部６２、６７を備える。変形例に係る第２加熱ユニット４１は、幅方向における第１ヒータ部６１、６６および第２ヒータ部６２、６７の温度を制御する。これにより、変形例に係る第２加熱ユニット４１は、幅方向における基板Ｓの温度差を小さくし、基板温度の均一性を向上させることができる。 The second heating unit 41 according to the modified example includes first heater units 61 and 66 and second heater units 62 and 67 capable of changing the temperature in the width direction. The second heating unit 41 according to the modified example controls the temperatures of the first heater units 61 and 66 and the second heater units 62 and 67 in the width direction. As a result, the second heating unit 41 according to the modified example can reduce the temperature difference of the substrate S in the width direction and improve the uniformity of the substrate temperature.

変形例に係る第２加熱ユニット４１は、第２熱処理部５１から排気を行わず、第１熱処理部５０から排気を行う。すなわち、変形例に係る第２加熱ユニット４１は、排気機構５２として、第１排気機構７０のみを備える。 The second heating unit 41 according to the modified example does not exhaust from the second heat treatment unit 51, but exhausts from the first heat treatment unit 50. That is, the second heating unit 41 according to the modified example includes only the first exhaust mechanism 70 as the exhaust mechanism 52.

また、上記実施形態、および変形例に係る第２加熱ユニット４１の構成を組み合わせてもよい。また、上記実施形態、および変形例に係る排気機構５２は、第１加熱ユニット２７に設けられてもよい。 Further, the configuration of the second heating unit 41 according to the above embodiment and the modified example may be combined. Further, the exhaust mechanism 52 according to the above embodiment and the modified example may be provided in the first heating unit 27.

＜効果＞
基板処理装置１は、基板Ｓを平流し搬送する搬送機構（コロ搬送装置４４の一例）と、平流し搬送される基板Ｓに対して熱処理を行う第１熱処理部５０と、第１熱処理部５０に連続して設けられ、第１熱処理部５０によって熱処理された基板Ｓに対して、第１熱処理部５０よりも低い温度で熱処理を行う第２熱処理部５１と、第１熱処理部５０よりも基板Ｓの搬送方向の上流側、および第２熱処理部５１側から第１熱処理部５０内へ空気が流れるように、第１熱処理部５０の上方から排気する排気機構５２とを備える。 <Effect>
The substrate processing device 1 includes a transport mechanism (an example of a roller transport device 44) that flat-flows and transports the substrate S, a first heat treatment unit 50 that heat-treats the substrate S that is flat-flowed and transported, and a first heat treatment unit 50. A second heat treatment unit 51 that continuously heat-treats the substrate S that has been heat-treated by the first heat treatment unit 50 at a temperature lower than that of the first heat treatment unit 50, and a substrate that is more than the first heat treatment unit 50. It is provided with an exhaust mechanism 52 that exhausts air from above the first heat treatment unit 50 so that air flows from the upstream side in the transport direction of S and the second heat treatment unit 51 side into the first heat treatment unit 50.

換言すると、基板処理方法は、基板Ｓを平流し搬送する工程と、平流し搬送される基板Ｓに対して第１熱処理部５０によって熱処理を行う工程と、基板Ｓの搬送方向において第１熱処理部５０の下流側に連続して設けられた第２熱処理部５１側、および第１熱処理部５０よりも搬送方向の上流側から第１熱処理部５０内へ空気が流れるように、第１熱処理部５０の上方から排気する工程とを有する。 In other words, the substrate processing method includes a step of flattening and transporting the substrate S, a step of heat-treating the substrate S which is flatly flowed and transported by the first heat treatment unit 50, and a first heat treatment unit in the transport direction of the substrate S. The first heat treatment section 50 so that air flows into the first heat treatment section 50 from the second heat treatment section 51 side continuously provided on the downstream side of the 50 and the upstream side in the transport direction from the first heat treatment section 50. It has a process of exhausting from above.

これにより、基板処理装置１は、基板Ｓの後端の温度上昇を抑制し、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。 As a result, the substrate processing apparatus 1 can suppress the temperature rise at the rear end of the substrate S and improve the uniformity of the substrate temperature by the heat treatment.

排気機構５２は、第１熱処理部５０における排気量を第２熱処理部５１における排気量よりも多くする。 The exhaust mechanism 52 makes the displacement in the first heat treatment section 50 larger than the displacement in the second heat treatment section 51.

これにより、基板処理装置１は、第２熱処理部５１側から第１熱処理部５０に温度が低い空気を流すことができ、基板Ｓの後端の温度上昇を抑制し、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。 As a result, the substrate processing apparatus 1 can flow low-temperature air from the second heat treatment unit 51 side to the first heat treatment unit 50, suppress the temperature rise at the rear end of the substrate S, and make the substrate temperature uniform by the heat treatment. It is possible to improve the sex.

排気機構５２は、搬送方向に対して直交する基板Ｓの面方向（幅方向）に沿って設けられた複数の排気口（第１排気口６０ｃ～６０ｅ、第２排気口６０ｆ～６０ｈの一例）を介して排気し、面方向において端側に設けられた排気口（第１排気口６０ｃ、６０ｅ、第２排気口６０ｆ、６０ｈ）からの排気量を、面方向において中央側に設けられた排気口（第１排気口６０ｄ、第２排気口６０ｇの一例）からの排気量よりも多くする。 The exhaust mechanism 52 is provided with a plurality of exhaust ports (an example of a first exhaust port 60c to 60e and a second exhaust port 60f to 60h) provided along the surface direction (width direction) of the substrate S orthogonal to the transport direction. Exhaust gas from the exhaust ports (first exhaust ports 60c, 60e, second exhaust ports 60f, 60h) provided on the end side in the surface direction, and exhaust gas provided on the center side in the surface direction. The displacement is larger than the displacement from the port (an example of the first exhaust port 60d and the second exhaust port 60g).

これにより、基板処理装置１は、搬送方向に対して直交する基板Ｓの面方向における基板Ｓの温度差を小さくし、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。 As a result, the substrate processing apparatus 1 can reduce the temperature difference of the substrate S in the plane direction of the substrate S orthogonal to the transport direction, and can improve the uniformity of the substrate temperature by the heat treatment.

排気機構５２は、搬送方向における第１熱処理部５０の略中央から排気する。これにより、基板処理装置１は、部品点数を少なくしつつ、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。 The exhaust mechanism 52 exhausts air from substantially the center of the first heat treatment unit 50 in the transport direction. As a result, the substrate processing apparatus 1 can improve the uniformity of the substrate temperature by the heat treatment while reducing the number of parts.

基板処理装置１は、搬送方向において第１熱処理部５０よりも上流側に設けられ、第１熱処理部５０に送風する上流側送風部（ＦＦＵ５５の一例）を備える。 The substrate processing device 1 is provided on the upstream side of the first heat treatment unit 50 in the transport direction, and includes an upstream side air blowing unit (an example of FFU55) that blows air to the first heat treatment unit 50.

これにより、基板処理装置１は、基板Ｓの搬送方向の上流側から第１熱処理部５０に流れる空気の流量を調整することができ、第１熱処理部５０のチャンバー６０内の雰囲気温度を調整することができる。そのため、基板処理装置１は、熱処理による基板温度の均一性を向上させる。 As a result, the substrate processing apparatus 1 can adjust the flow rate of air flowing from the upstream side in the transport direction of the substrate S to the first heat treatment unit 50, and adjusts the atmospheric temperature in the chamber 60 of the first heat treatment unit 50. be able to. Therefore, the substrate processing apparatus 1 improves the uniformity of the substrate temperature by the heat treatment.

基板処理装置１は、搬送方向において第２熱処理部５１よりも下流側に設けられ、第２熱処理部５１に送風する下流側送風部（ＦＦＵ９１の一例）を備える。 The substrate processing device 1 is provided on the downstream side of the second heat treatment unit 51 in the transport direction, and includes a downstream side air blowing unit (an example of FFU91) that blows air to the second heat treatment unit 51.

これにより、基板処理装置１は、第２熱処理部５１側から第１熱処理部５０に温度が低い空気を流すことができ、基板温度の均一性を向上させることができる。 As a result, the substrate processing apparatus 1 can flow low-temperature air from the second heat treatment unit 51 side to the first heat treatment unit 50, and can improve the uniformity of the substrate temperature.

排気機構５２は、基板Ｓが第１熱処理部５０に搬送されていない待機時に、第１熱処理部５０から排気を行う。 The exhaust mechanism 52 exhausts air from the first heat treatment unit 50 during standby when the substrate S is not conveyed to the first heat treatment unit 50.

これにより、基板処理装置１は、待機時に第１熱処理部５０の温度が高くなることを抑制し、基板Ｓが連続搬送された場合に、基板Ｓに対する処理温度の変化を抑制することができ、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。 As a result, the substrate processing apparatus 1 can suppress the temperature of the first heat treatment unit 50 from becoming high during standby, and can suppress the change in the processing temperature with respect to the substrate S when the substrate S is continuously conveyed. It is possible to improve the uniformity of the substrate temperature by the heat treatment.

また、排気機構５２は、待機時にも、第１熱処理部５０における排気量を、第２熱処理部５１における排気量よりも多くする。 Further, the exhaust mechanism 52 increases the displacement of the first heat treatment unit 50 more than the displacement of the second heat treatment unit 51 even during standby.

これにより、基板処理装置１は、待機時に第１熱処理部５０の温度が高くなることを抑制し、基板Ｓが連続搬送された場合に、基板Ｓに対する処理温度の変化を抑制することができ、熱処理による基板温度の均一性を向上させることができる。 As a result, the substrate processing apparatus 1 can suppress the temperature of the first heat treatment unit 50 from becoming high during standby, and can suppress the change in the processing temperature with respect to the substrate S when the substrate S is continuously conveyed. It is possible to improve the uniformity of the substrate temperature by the heat treatment.

なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求お範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be noted that the embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and are not restrictive. Indeed, the above embodiments can be embodied in a variety of forms. Further, the above-described embodiment may be omitted, replaced or changed in various forms without departing from the scope of the attached request and its purpose.

１ 基板処理装置
４１ 第２加熱ユニット
４４ コロ搬送装置（搬送機構）
４４ａ コロ
５０ 第１熱処理部
５１ 第２熱処理部
５２ 排気機構
５５ ＦＦＵ（上流側送風部）
７０ 第１排気機構
７１ 第２排気機構
６０ｃ 第１排気口（排気口）
６０ｄ 第１排気口（排気口）
６０ｅ 第１排気口（排気口）
６０ｆ 第２排気口（排気口）
６０ｇ 第２排気口（排気口）
６０ｈ 第２排気口（排気口）
９０ａ 排気口
９０ｂ 排気口
９０ｃ 排気口
９１ ＦＦＵ（下流側送風部） 1 Substrate processing device 41 Second heating unit 44 Roller transfer device (transfer mechanism)
44a Roller 50 1st heat treatment section 51 2nd heat treatment section 52 Exhaust mechanism 55 FFU (upstream blower section)
70 1st exhaust mechanism 71 2nd exhaust mechanism 60c 1st exhaust port (exhaust port)
60d 1st exhaust port (exhaust port)
60e 1st exhaust port (exhaust port)
60f 2nd exhaust port (exhaust port)
60g 2nd exhaust port (exhaust port)
60h 2nd exhaust port (exhaust port)
90a Exhaust port 90b Exhaust port 90c Exhaust port 91 FFU (downstream ventilation part)

Claims (8)

基板を平流し搬送する搬送機構と、
平流し搬送される前記基板に対して熱処理を行う第１熱処理部と、
前記第１熱処理部に連続して設けられ、前記第１熱処理部によって熱処理された前記基板に対して、前記第１熱処理部よりも低い温度で熱処理を行う第２熱処理部と、
前記第１熱処理部よりも前記基板の搬送方向の上流側、および前記第２熱処理部側から前記第１熱処理部内へ空気が流れるように、前記第１熱処理部の上方から排気する排気機構と
を備える基板処理装置。 A transport mechanism that flat-flows and transports the substrate,
A first heat treatment unit that heat-treats the substrate to be conveyed in a flat flow,
A second heat treatment section that is continuously provided in the first heat treatment section and heat-treats the substrate that has been heat-treated by the first heat treatment section at a temperature lower than that of the first heat treatment section.
An exhaust mechanism that exhausts air from above the first heat treatment section so that air flows from the first heat treatment section upstream of the substrate in the transport direction and from the second heat treatment section side into the first heat treatment section. A board processing device to be equipped. 前記排気機構は、
前記第１熱処理部における排気量を前記第２熱処理部における排気量よりも多くする
請求項１に記載の基板処理装置。 The exhaust mechanism is
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the displacement in the first heat treatment section is larger than the displacement in the second heat treatment section. 前記排気機構は、
前記搬送方向に対して直交する前記基板の面方向に沿って設けられた複数の排気口を介して排気し、前記面方向において端側に設けられた排気口からの排気量を、前記面方向において中央側に設けられた排気口からの排気量よりも多くする
請求項１または２に記載の基板処理装置。 The exhaust mechanism is
Exhaust gas is exhausted through a plurality of exhaust ports provided along the surface direction of the substrate orthogonal to the transport direction, and the amount of exhaust gas from the exhaust ports provided on the end side in the surface direction is measured in the surface direction. The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the displacement is larger than the displacement from the exhaust port provided on the central side in the above. 前記排気機構は、
前記搬送方向における前記第１熱処理部の略中央から排気する
請求項１～３のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The exhaust mechanism is
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, which exhausts air from substantially the center of the first heat treatment section in the transport direction. 前記搬送方向において前記第１熱処理部よりも上流側に設けられ、前記第１熱処理部に送風する上流側送風部
を備える請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, which is provided on the upstream side of the first heat treatment section in the transport direction and includes an upstream side blowing section for blowing air to the first heat treatment section. 前記搬送方向において前記第２熱処理部よりも下流側に設けられ、前記第２熱処理部に送風する下流側送風部
を備える請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, which is provided on the downstream side of the second heat treatment section in the transport direction and includes a downstream side blowing section for blowing air to the second heat treatment section. 前記排気機構は、
前記基板が前記第１熱処理部に搬送されていない待機時に、前記第１熱処理部から排気を行う
請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The exhaust mechanism is
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the substrate is exhausted from the first heat treatment unit when the substrate is not transported to the first heat treatment unit. 基板を平流し搬送する工程と、
平流し搬送される前記基板に対して第１熱処理部によって熱処理を行う工程と、
前記基板の搬送方向において前記第１熱処理部の下流側に連続して設けられ、前記第１熱処理部よりも低い温度で前記基板に熱処理を行う第２熱処理部側、および前記第１熱処理部よりも前記搬送方向の上流側から前記第１熱処理部内へ空気が流れるように、前記第１熱処理部の上方から排気する工程と
を有する基板処理方法。 The process of flattening and transporting the substrate,
The process of heat-treating the substrate to be conveyed in a flat flow by the first heat treatment unit, and
From the second heat treatment section side, which is continuously provided on the downstream side of the first heat treatment section in the transport direction of the substrate and heat-treats the substrate at a temperature lower than that of the first heat treatment section, and from the first heat treatment section. A substrate processing method comprising a step of exhausting air from above the first heat treatment section so that air flows from the upstream side in the transport direction into the first heat treatment section.
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