JP7065966B2

JP7065966B2 - 電界効果トランジスタ構成および電界効果トランジスタのドレイン電流の調整方法

Info

Publication number: JP7065966B2
Application number: JP2020530950A
Authority: JP
Inventors: シュニッツァー，ライナー; シュバルツェンベルガー，トーマス; トレッター，グレゴール
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 2017-12-08
Filing date: 2018-10-23
Publication date: 2022-05-12
Anticipated expiration: 2038-10-23
Also published as: US20200304118A1; CN111466079A; JP2021506164A; TWI806936B; DE102017222284A1; WO2019110192A1; US11165424B2; EP3721550A1; TW201929233A

Description

本発明は、電界効果トランジスタ構成および電界効果トランジスタのドレイン電流の調整方法に関する。

電界効果トランジスタでのドレイン電流Ｉ_Ｄは、ピンチオフ領域とも言う飽和領域で、寄生効果により、ドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳが増すにつれて上昇する。この望ましくない挙動は、ＣＭＯＳプロセスの場合、トランジスタのスケーリングが進むにつれて増大し、これにより例えば最新のＣＭＯＳ電界効果トランジスタの出力特性曲線族はかなりの上昇を有する（これについては従来技術の図１も参照）。

前述の効果は、小信号のドレインソース間抵抗ｒ_ＤＳを低下させ、したがって電界効果トランジスタの固有の増幅度Ａ_ｉも低下させることが不利である。電界効果トランジスタの固有の増幅度とは、電界効果トランジスタが特定の作用点において達成し得る最大の電圧増幅度を表す。この固有の増幅度は、高抵抗負荷をもつソース接地回路における電界効果トランジスタに関しては、いわゆる小信号の相互コンダクタンスｇ_ｍと、小信号のドレインソース間抵抗ｒ_ＤＳとの積から計算される。この量の値が高いことが、大きな増幅度または高い精度を必要とする用途にとって重要である。

複数の電界効果トランジスタを備えた複雑な回路トポロジーにより、固有の増幅度が低い電界効果トランジスタを用いても、電圧増幅度の高い増幅回路が構想され得る。これはただし、複数の電界効果トランジスタの積層を前提とし、これは、スケーリングされたＣＭＯＳ技術においては、低い供給電圧によっては困難ないしは不可能である。強いＩ_Ｄ（Ｖ_ＤＳ）依存性および低い供給電圧の両方の効果の組合せは、スケーリングされたＣＭＯＳプロセスにおいて、高い電圧増幅度をまったく達成させ得ないかまたはかなりの費用をかけてしか達成させ得ない。

本発明によれば、バックゲート電圧によって調整可能なバックゲート端子を備えた電界効果トランジスタを含む電界効果トランジスタ構成が提供され、さらに、この電界効果トランジスタにはゲートソース間電圧およびドレインソース間電圧が印加されており、ドレイン電流が電界効果トランジスタを通って流れる。この電界効果トランジスタ構成は、バックゲート端子と接続された調節ユニットをさらに含み、この調節ユニットは、電界効果トランジスタを通って流れるドレイン電流を、バックゲート端子におけるバックゲート電圧の調節によって目標電流に調整するために設けられ、バックゲート電圧の調節は、少なくともゲートソース間電圧に依存して行われる。

本発明は、バックゲート電圧の調節により、望ましくない寄生効果が相殺され得るという利点を有する。これにより、例えば、電界効果トランジスタの飽和領域でドレイン電流がほぼ一定の出力特性曲線を作ることができ（これについては具体例として図４を参照）、これにより、小信号のドレインソース間抵抗が大きくなり、したがって電界効果トランジスタの固有の増幅度が改善される。本発明により、操作量として機能するバックゲート電圧を調節するために、したがってドレイン電流を目標電流に調整するために、少なくともゲートソース間電圧が入力量として機能する調節システムまたは調節回路が実現される。本発明は、バックゲート電圧のドレイン電流への強い支配率をもつ電界効果トランジスタに特に適しており、これは、例えばＳＯＩ－またはＦＤＳＯＩ－ＣＭＯＳ技術の場合にそうである。しかし、ドレイン電流をバックゲート電圧の変化によって敏感に変化させ得るそのほかの電界効果トランジスタも、本発明の意味において好ましく使用され得る。電界効果トランジスタは、例えばＩＧＦＥＴ、例えばＭＯＳＦＥＴまたはＪＦＥＴであることができ、これに関し本発明は特定の電界効果トランジスタには限定されていない。例えば、自己導通性電界効果トランジスタも自己遮断性電界効果トランジスタも考慮される。さらにこの電界効果トランジスタ構成は、従来技術の電界効果トランジスタの代わりに、電気回路内に接続されまたは組み込まれ得る。

調節ユニットは、電界効果トランジスタにおけるドレインソース間電圧に依存してバックゲート電圧を調節するためにも設けられていることが好ましい。これにより、例えば、電界効果トランジスタがどの動作領域に、例えば線形領域または飽和領域にあるかが確かめられ得る。したがって調節ユニットは、それぞれの領域に適したバックゲート電圧の調節をもたらし得る。

目標電流が、電界効果トランジスタの飽和領域でドレインソース間電圧に依存しないでいられることが好ましい。言い換えれば、バックゲート電圧が調節ユニットにより、ドレインソース間電圧の関数としてのドレイン電流が一定であるように調節される。これにより、電界効果トランジスタ構成の固有の増幅度が最大化される。

調節ユニットは、特別な一実施形態では、電界効果トランジスタの公知の電気的挙動に基づいて電界効果トランジスタのバックゲート電圧を調節するために設けられ得る。この実施形態の利点は、電界効果トランジスタのドレイン電流が明確に確定されなくてよいことである。そのうえ調節ユニットは、追加的な較正課題を、例えばプロセス変動を補正するために担い得る。電界効果トランジスタの公知の電気的挙動は、例えばメモリ内に保存されたデータセットの形態で、調節ユニットに提供され得る。この場合これに基づき、データならびにドレインソース間電圧およびゲートソース間電圧を使って、バックゲート電圧のための相応の修正量が確定され得る。

その代わりに調節ユニットは、電界効果トランジスタを通って流れるドレイン電流に依存してバックゲート電圧を調節するために設けられ得る。したがって、基準素子を用いた調節回路を実現するためのすべての電気的情報、つまりドレイン電流、ゲートソース間電圧、およびドレインソース間電圧が存在している。

好ましい一実施形態によれば、電界効果トランジスタ構成が基準電界効果トランジスタを含み、この基準電界効果トランジスタには、電界効果トランジスタにおけるゲートソース間電圧と同じゲートソース間電圧が印加されており、さらに、この基準電界効果トランジスタには一定のドレインソース間電圧および一定のバックゲート電圧が印加されている。これにより、基準電界効果トランジスタを通って流れるドレイン電流がドレインソース間電圧に依存しないことが有利である。

調節ユニットは、電界効果トランジスタにおけるバックゲート電圧を、基準電界効果トランジスタを通るドレイン電流が電界効果トランジスタを通るドレイン電流と同一であるように調節するために設けられ得る。したがって基準電界効果トランジスタを通るドレイン電流は、電界効果トランジスタを通るドレイン電流のための目標量として用いられる。したがって基準電界効果トランジスタにより、電界効果トランジスタを通る非依存性ドレイン電流が調整され、この非依存性ドレイン電流は、ドレインソース間電圧に依存していない。

さらに、前記請求項のいずれか一項に記載の１つまたは複数の電界効果トランジスタ構成を含む電気回路、とりわけ増幅回路が提案される。電気回路、とりわけ増幅回路は、電界効果トランジスタの寄生効果の除去または相殺により、改善された性能を有し得る。

これに関し電界効果トランジスタのドレイン電流の本発明による調整方法は、基本的に以下のステップを含み、すなわち第１のステップでは、バックゲート電圧によって調整可能なバックゲート端子を備えた電界効果トランジスタの準備が行われ、さらに、この電界効果トランジスタにはゲートソース間電圧およびドレインソース間電圧が印加されている。さらなるステップでは、バックゲート端子と接続された調節ユニットにより、バックゲート端子におけるバックゲート電圧の調節によってドレイン電流の目標電流への調整が行われ、バックゲート電圧の調節は、少なくともゲートソース間電圧およびドレインソース間電圧に依存して行われる。

本方法の利点は、上述の電界効果トランジスタ構成の利点に相応する。
バックゲート電圧の調節は、さらにドレインソース間電圧に依存して行うこともできる。

目標電流が、電界効果トランジスタの飽和領域でドレインソース間電圧に依存しないでいられることが好ましい。
特別な一実施形態では、バックゲート電圧の調節が、調節ユニットにより、電界効果トランジスタの公知の電気的挙動に基づいて行われ得る。

さらに本方法は、電界効果トランジスタを通って流れるドレイン電流に依存するバックゲート電圧の調節を含み得る。
本方法が、基準電界効果トランジスタの準備を含み得ることが好ましく、この基準電界効果トランジスタには、電界効果トランジスタにおけるゲートソース間電圧と同じゲートソース間電圧が印加されており、この基準電界効果トランジスタには一定のドレインソース間電圧および一定のバックゲート電圧が印加されている。

さらなる好ましい一実施形態では、バックゲート電圧の調節が、調節ユニットにより、基準電界効果トランジスタを通るドレイン電流が電界効果トランジスタを通るドレイン電流と同一であるように行われ得る。

本発明の有利な変形形態は、従属請求項に提示されており、明細書中で説明されている。
本発明の例示的実施形態を、図面および以下の説明に基づいてより詳しく解説する。

従来技術の電界効果トランジスタの出力特性曲線族を示すグラフである。第１の実施形態に基づく本発明による電界効果トランジスタ構成を示す図である。第２の実施形態に基づく本発明による電界効果トランジスタ構成を示す図である。本発明による電界効果トランジスタ構成の例示的な出力特性曲線族を示すグラフである。

図１では、従来技術の電界効果トランジスタの出力特性曲線族が示されており、この出力特性曲線族では、電界効果トランジスタを通って流れるドレイン電流Ｉ_Ｄが、多数の様々なゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳに関するドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳの関数として示されている。これに関し従来技術に基づく電界効果トランジスタでは、そのバックゲート端子において、調整可能な、しかし一定のバックゲート電圧が調整されており、これはここでは明確には示されていない。各々の帰属のゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳについてのドレイン電流Ｉ_Ｄの関数の推移は、ドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳの関数として、十分に小さいドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳに対する線形領域４０と、十分に大きいドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳに対する飽和領域５０とを示しており、これらの領域は、分かり易くするために分割線によって互いに分割されている。図１に示したドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳの関数としてのドレイン電流Ｉ_Ｄの推移は、ピンチオフ領域とも言う飽和領域５０で、ドレイン電流が、ドレインソース間電圧の関数としてさらに上昇することを示しており、これは望ましくなく、寄生効果が原因と考えられ得る。この効果は、小信号のドレインソース間抵抗を比較的低くし、したがって固有の増幅度を比較的低くすることが不利である。

図２では、本発明の第１の実施形態に基づく電界効果トランジスタ構成１を説明している。この場合、電界効果トランジスタ構成１は、例示的に電気回路内に、この具体例では増幅回路１００内に組み込まれている。

この場合、電界効果トランジスタ構成１は、バックゲート電圧Ｖ_ＢＧによって調整可能なバックゲート端子ＢＧを備えた電界効果トランジスタＴを含んでいる。さらに、この電界効果トランジスタＴにはゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳおよびドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳが印加されており、さらに、ドレイン電流Ｉ_Ｄが電界効果トランジスタＴを通って流れる。純粋に例示的に、この実施形態では電界効果トランジスタＴのソース端子Ｓが接地されており、したがって電界効果トランジスタＴのゲート端子Ｇに印加されている電圧が、ゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳに相当する。ただしこれに関し本発明はソース端子Ｓの接地には限定されていない。

電界効果トランジスタ構成１は、電界効果トランジスタＴのバックゲート端子ＢＧと接続された調節ユニット１０をさらに含んでいる。この調節ユニット１０は、電界効果トランジスタＴを通って流れるドレイン電流Ｉ_Ｄを、バックゲート端子ＢＧにおけるバックゲート電圧Ｖ_ＢＧの調節によって目標電流に調整するために設けられている。バックゲート電圧Ｖ_ＢＧの調節は、少なくともゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳに依存して行われる。

電界効果トランジスタ構成１は、バックゲート電圧Ｖ_ＢＧの調節により、望ましくない寄生効果を補正し得るという利点を有する。目標電流は、例えば、小信号のドレインソース間抵抗が相応に大きくなり、したがって電界効果トランジスタＴの固有の増幅度が改善されるように選択され得る。

本発明により、操作量として働くバックゲート電圧Ｖ_ＢＧを調節するために、したがってドレイン電流を目標電流に調整するために、少なくともゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳが入力量として機能するフィードバック型の調節システムまたは調節回路が説明される。

調節ユニット１０は、これに加えて電界効果トランジスタＴにおけるドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳに依存してバックゲート電圧Ｖ_ＢＧを調節することもできる。所定のゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳの場合、ドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳにより、例えば電界効果トランジスタＴがどの動作領域に存在するのか、つまり例えば電界効果トランジスタＴが飽和領域５０に存在するのかまたは線形領域４０に存在するのかが決定され得る。

この場合、調節ユニット１０は、例えば、電界効果トランジスタＴに印加されているドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳおよびゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳを直接的に検出または捕捉するために設けられ得る。その代わりにこれを、明確には示されていない相応の測定ユニットによって捕捉して、調節ユニット１０に引き渡すこともできる。

とりわけ、目標電流が、電界効果トランジスタＴの飽和領域５０でドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳに依存しないでいられる。したがってバックゲート電圧Ｖ_ＢＧは、入力量に依存して、ドレイン電流Ｉ_Ｄが相応にこの一定の目標電流と一致するように調節される。これにより、固有の増幅度が最大化され得る。

この具体的な実施形態では、バックゲート電圧Ｖ_ＢＧの調節は、ゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳおよびバックゲート電圧Ｖ_ＢＧにのみ依存して行われ、これに関し本発明はこれには限定されていない。

この例示的な実施形態では、調節ユニット１０はさらに、電界効果トランジスタＴの公知の電気的挙動に基づいて電界効果トランジスタＴのバックゲート電圧Ｖ_ＢＧを調節するために設けられている。このために、例えば電界効果トランジスタＴの電気的挙動を説明する電界効果トランジスタＴのデータセットが、メモリ１５内に格納され得る。この場合、このメモリ１５に調節ユニット１０がアクセスできる。例えば、調節ユニット１０が内部メモリ１５を含むことができ、この内部メモリ１５内に、電界効果トランジスタＴの電気的挙動についての相応のデータが保存されている。このデータは例えば、図１と同じような、ゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳの様々な値に関するＩ_Ｄ（Ｖ_ＤＳ）依存性の形態での出力特性曲線を有し得る。

この場合、調節ユニット１０は、ゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳおよび任意選択でドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳの捕捉により、公知の挙動と比較することで、バックゲート電圧Ｖ_ＢＧのための適切な修正量を決定し得る。この場合、これにより相応に、電界効果トランジスタ１を通る例えば飽和領域５０で一定の所望の目標電流が、バックゲート電圧Ｖ_ＢＧによって調整され得る。この実施形態では、入力量としてのドレイン電流Ｉ_Ｄが明確には確定されなくてよいことが有利である。ただし図３で説明している実施形態に比べ、調節ユニット１０のための設計費用の上昇および調節技術の複雑化が必要である。

このような電界効果トランジスタ構成１の例示的な出力特性曲線族は、例えば図４から読み取ることができる。
このような電界効果トランジスタ構成１は、例示的に図２に示したように、電気回路内に組み込まれ得る。この例では、電気回路は増幅回路１００として形成されている。この増幅回路１００は、典型的なソース接地回路の形態で形成されており、これに関し本発明は特定の回路には限定されていない。この実施形態での増幅回路１００は、負荷抵抗Ｒ１を介して電界効果トランジスタＴのドレイン端子Ｄと接続された動作電圧Ｖ_ＤＤを含んでいる。したがって動作電圧Ｖ_ＤＤの一部が常に負荷抵抗Ｒ１で降下する。この場合、負荷抵抗Ｒ１はさらにドレイン電流Ｉ_Ｄを制限する。この増幅回路１００の入力電圧は、この実施形態では電界効果トランジスタＴのゲート端子Ｇに印加される。この場合、ドレイン端子Ｄにおいて、増幅回路１００の増幅された出力電圧Ｖ_ｏｕｔが取り出され得る。したがってこの電界効果トランジスタ構成１は、従来技術の通常の電界効果トランジスタの代わりに使用でき、その場合、電気回路、ここでは増幅回路は、従来技術の回路に比べ、寄生挙動を有さないかまたは寄生挙動が低減している。

図３では、本発明の第２の実施形態に基づく電界効果トランジスタ構成１が示されている。これに関し以下では、図２で説明した実施形態に対する違いを詳しく説明する。共通点に関しては、図２についての説明内容を参照されたい。

図２での実施形態のように、この電界効果トランジスタ構成１は、電界効果トランジスタＴのバックゲート端子ＢＧと接続された調節ユニット１０を含んでいる。この調節ユニット１０は、電界効果トランジスタＴを通って流れるドレイン電流Ｉ_Ｄを、バックゲート端子ＢＧにおけるバックゲート電圧Ｖ_ＢＧの調節によって目標電流に調整するために設けられている。バックゲート電圧Ｖ_ＢＧの調節は、この実施形態ではゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳに依存して、およびこれに加えて電界効果トランジスタＴを通るドレイン電流Ｉ_Ｄに依存して行われる。任意選択で、この実施形態では調節をドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳに依存して行うこともできる。ドレイン電流Ｉ_Ｄは、例えば調節ユニット１０によって捕捉でき、またはしかし別の測定ユニットによって測定して、調節ユニット１０に引き渡すこともできる。これにより調節ユニット１０には、基準素子を用いた調節回路を実現するためのすべての電気的情報、つまりゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳおよびドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳおよびドレイン電流Ｉ_Ｄが提供される。

基準素子として、この好ましい実施形態では基準電界効果トランジスタＴ１が使用される。その際、この実施形態では、基準電界効果トランジスタＴ１に、電界効果トランジスタＴのゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳと同一のゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳ１が印加されている。

この一致は、この例示的な実施形態では基準電界効果トランジスタＴ１のソース端子Ｓ１によって実現されており、ソース端子Ｓ１は、ソース端子Ｓのように接地されており、さらに、電界効果トランジスタＴのゲート端子Ｇから基準電界効果トランジスタＴ１のゲート端子Ｇ１への電気的接続により、或る電位にある。したがってゲートＧ、Ｇ１の結合により、これらゲートの電位は常に同一である。ソース端子Ｓ、Ｓ１も、両方が接地されていることから同電位にあるので、基準電界効果トランジスタＴ１には常に、電界効果トランジスタＴと同じゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳ＝Ｖ_ＧＳ１が印加されている。

この実施形態ではさらに、基準電界効果トランジスタＴ１に一定のドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳ１および一定のバックゲート電圧Ｖ_ＢＧ１が印加されている。これにより、ゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳにのみ依存するドレイン電流Ｉ_Ｄ１が、基準電界効果トランジスタＴ１を通ってソース端子Ｓ１に流れる。したがってこのドレイン電流Ｉ_Ｄ１は、ドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳには依存していない。

この場合、調節ユニット１０は、電界効果トランジスタＴにおけるバックゲート電圧Ｖ_ＢＧを、基準電界効果トランジスタＴ１を通るドレイン電流Ｉ_Ｄが電界効果トランジスタＴを通るドレイン電流Ｉ_Ｄ１と同一であるように調節し得る。これにより、さらにドレイン電流Ｉ_Ｄもドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳに依存しなくなる。したがってドレイン電流Ｉ_Ｄ１は、調節回路の目標電流に相当する。

したがってこれを実現することにより、電界効果トランジスタ１の飽和領域５０での出力特性曲線が一定に保たれ得る（これについては例として図４も参照）。
この電界効果トランジスタ構成１は、図１と同じように、例えば増幅回路１００のような電気回路内に組み込まれ得る（これについては図２についての説明での実施形態を参照）。

図４では、本発明による電界効果トランジスタ構成１の例示的な出力特性曲線族が示されている。これに関し、ドレイン電流Ｉ_Ｄが、多数の様々なゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳに関するドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳの関数として示されている。

各々のゲートソース間電圧Ｖ_ＧＳについてのドレイン電流Ｉ_Ｄの関数の推移は、従来技術の図１のように、十分に小さいドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳに対する線形領域４０と、十分に大きいドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳに対する飽和領域５０とを示しており、それぞれの領域は、分かり易く示すために分割線によって分割されている。

図１に示した出力特性曲線とは違い、これらの出力特性曲線は、飽和領域５０の領域で、ドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳの関数としてのほぼ一定の推移を有するかまたは少なくとも明らかに低減した上昇を有する。言い換えれば、ドレイン電流Ｉ_Ｄがドレインソース間電圧Ｖ_ＤＳに依存していない。これにより、小信号のドレインソース間抵抗ｒ_ＤＳが相応に大きくなり、したがって固有の増幅度Ａ_ｉも改善されることが有利である。

本発明を、好ましい例示的実施形態により、細部にわたって詳しく図示および説明してきたが、本発明は開示した例によって限定されておらず、当業者により、これを基に本発明の保護範囲を逸脱することなくそのほかの変形が導き出され得る。

Claims

－バックゲート電圧（Ｖ_ＢＧ）によって調整可能なバックゲート端子（ＢＧ）を備えた電界効果トランジスタ（Ｔ）であって、さらに、前記電界効果トランジスタ（Ｔ）にはゲートソース間電圧（Ｖ_ＧＳ）およびドレインソース間電圧（Ｖ_ＤＳ）が印加されており、ドレイン電流（Ｉ_Ｄ）が前記電界効果トランジスタ（Ｔ）を通って流れる、電界効果トランジスタ（Ｔ）と；
－前記バックゲート端子（ＢＧ）と接続された調節ユニット（１０）であって、前記電界効果トランジスタ（Ｔ）を通って流れる前記ドレイン電流（Ｉ_Ｄ）を、前記バックゲート端子（ＢＧ）における前記バックゲート電圧（Ｖ_ＢＧ）の調節によって目標電流に調整するために設けられる、調節ユニット（１０）と、
前記電界効果トランジスタ構成（１）についての、複数のゲートソース間電圧（Ｖ _ＧＳ）のそれぞれの値と、ドレイン電流（Ｉ _Ｄ）およびドレインソース間電圧（Ｖ _ＤＳ）の値と、の関係を示す出力特性曲線を有するデータを保持するメモリと、
を含み、
前記調整ユニット（１０）は、前記電界効果トランジスタ（Ｔ）の前記ゲートソース間電圧（Ｖ _ＧＳ）および前記ドレインソース間電圧（Ｖ _ＤＳ）を取得し、かつ前記メモリに保持されている前記データを参照して、前記バックゲート電圧（Ｖ _ＢＧ）の修正量を決定することで、前記ドレイン電流（Ｉ _Ｄ）を、飽和領域（５０）において前記ドレインソース間電圧（Ｖ _ＤＳ）に依存しない前記目標電流に調整する、電界効果トランジスタ構成（１）。
前記調節ユニット（１０）が、さらに前記電界効果トランジスタ（Ｔ）を通る前記ドレイン電流（Ｉ_Ｄ）に依存して前記バックゲート電圧（Ｖ_ＢＧ）を調節するために設けられている、請求項１に記載の電界効果トランジスタ構成（１）。
前記電界効果トランジスタ構成（１）が基準電界効果トランジスタ（Ｔ１）を含み、前記基準電界効果トランジスタ（Ｔ１）には、前記電界効果トランジスタ（Ｔ）の前記ゲートソース間電圧（Ｖ_ＧＳ）と同じゲートソース間電圧（Ｖ_ＧＳ１）が印加されており、前記基準電界効果トランジスタ（Ｔ１）には一定のドレインソース間電圧（Ｖ_ＤＳ１）および一定のバックゲート電圧（Ｖ_ＢＧ１）が印加されている、請求項２に記載の電界効果トランジスタ構成（１）。
前記調節ユニット（１０）が、前記電界効果トランジスタ（Ｔ）における前記バックゲート電圧（Ｖ_ＢＧ）を、前記基準電界効果トランジスタ（Ｔ１）を通る前記ドレイン電流（Ｉ_Ｄ１）が前記電界効果トランジスタ（Ｔ）を通る前記ドレイン電流（Ｉ_Ｄ）と同一であるように調節するために設けられている、請求項３に記載の電界効果トランジスタ構成（１）。
請求項１から４のいずれか一項に記載の１つまたは複数の電界効果トランジスタ構成（１）を含む電気回路、とりわけ増幅回路（１００）。
電界効果トランジスタ（Ｔ）のドレイン電流の調整方法であって、
－バックゲート電圧（Ｖ_ＢＧ）によって調整可能なバックゲート端子（ＢＧ）を備えた電界効果トランジスタ（Ｔ）を準備するステップであって、さらに、前記電界効果トランジスタ（Ｔ）にはゲートソース間電圧（Ｖ_ＧＳ）およびドレインソース間電圧（Ｖ_ＤＳ）が印加されており、ドレイン電流（Ｉ_Ｄ）が前記電界効果トランジスタ（Ｔ）を通って流れるステップと；
－前記バックゲート端子（ＢＧ）と接続された調節ユニット（１０）により、前記バックゲート端子（ＢＧ）における前記バックゲート電圧（Ｖ_ＢＧ）の調節によって前記電界効果トランジスタ（Ｔ）を通って流れる前記ドレイン電流（Ｉ_Ｄ）を目標電流に調整するステップとを含み、
前記電界効果トランジスタ（Ｔ）は、前記電界効果トランジスタ構成（１）についての、複数のゲートソース間電圧（Ｖ _ＧＳ）のそれぞれの値と、ドレイン電流（Ｉ _Ｄ）およびドレインソース間電圧（Ｖ _ＤＳ）の値と、の関係を示す出力特性曲線を有するデータを保持するメモリを備えており、前記方法はさらに、
前記調節ユニット（１０）により、前記電界効果トランジスタ（Ｔ）の前記ゲートソース間電圧（Ｖ _ＧＳ）および前記ドレインソース間電圧（Ｖ _ＤＳ）を取得し、かつ前記メモリに保持されている前記データを参照して、前記バックゲート電圧（Ｖ _ＢＧ）の修正量を決定することで、前記ドレイン電流（Ｉ _Ｄ）を、飽和領域（５０）において前記ドレインソース間電圧（Ｖ _ＤＳ）に依存しない前記目標電流に調整するステップを含む、調整方法。
前記バックゲート電圧（Ｖ_ＢＧ）の前記調節が、前記電界効果トランジスタ（Ｔ）を通って流れる前記ドレイン電流（Ｉ_Ｄ）に依存して行われる、請求項６に記載の方法。
さらに、基準電界効果トランジスタ（Ｔ１）の準備を含み、前記基準電界効果トランジスタ（Ｔ１）には、前記電界効果トランジスタ（Ｔ）の前記ゲートソース間電圧（Ｖ_ＧＳ）と同じゲートソース間電圧（Ｖ_ＧＳ１）が印加されており、前記基準電界効果トランジスタ（Ｔ１）には一定のドレインソース間電圧（Ｖ_Ｄｓ１）および一定のバックゲート電圧（Ｖ_ＢＧ１）が印加されている、請求項７に記載の方法。
前記バックゲート電圧（Ｖ_ＢＧ）の前記調節が、前記調節ユニット（１０）により、前記基準電界効果トランジスタ（Ｔ１）を通る前記ドレイン電流（Ｉ_Ｄ１）が前記電界効果トランジスタ（Ｔ）を通る前記ドレイン電流（Ｉ_Ｄ）と同一であるように行われる、請求項８に記載の方法。