JP7064750B2 - 中性子イメージング装置 - Google Patents
中性子イメージング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7064750B2 JP7064750B2 JP2018030055A JP2018030055A JP7064750B2 JP 7064750 B2 JP7064750 B2 JP 7064750B2 JP 2018030055 A JP2018030055 A JP 2018030055A JP 2018030055 A JP2018030055 A JP 2018030055A JP 7064750 B2 JP7064750 B2 JP 7064750B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detection element
- neutron
- particle
- coordinate
- detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
また、一般の金属は、中性子の吸収が少ないという特性を活かし、機械内部を移動する燃料やオイルの様子も観察可能である。
さらに、磁気モーメントを有するという特性を活かして磁気分布を調べることもできる。
また、サブミクロン領域の分解能で大画素化が実現できれば、スピン偏極中性子源を用いて磁性体材料におけるスピンの運動の様子を高速観察できるため、スピントロニクスなど最先端の研究を支援する強力なツールにもなる。
例えば、大強度陽子加速器施設J-PARC(Japan Proton Accelerator Research Complex)利用者協議会においては、「燃料電池」「蓄電デバイス」分野において、2015年に1μmの空間分解能、2030年に10msのフレーム時間が全体構想として掲げられている。
また、前述の構想に応え得る高分解能、高速の中性子イメージング装置の候補としては、ナノワイヤ状に微細加工した超伝導元素からなる検出素子を縦横にマトリックス状に配置し、これらの検出素子と中性子との核反応に伴う発熱による検出素子の電子状態の変化を電気抵抗値の変化として測定する中性子イメージング装置の発明が開示されている(例えば、特許文献1を参照)。
また、中性子と中性子検出用物質との核反応に伴って異なる方向へ放射される2つの粒子のうちの一つの粒子をX座標検出素子群で検出し、他の粒子をY座標検出素子群で検出することにより、マトリックス状に検出素子を配置する構成よりも少ない個数の検出素子で、同じ空間分解能を有する中性子検出を実現する中性子検出装置の発明も開示されている(例えば、特許文献2を参照)。
また、この発明は、光エネルギーを受容した場合に電子状態の変化が生じる超伝導物質からなる光検出素子を備え、前記光検出素子は、X方向を進行方向とし前記X方向に垂直なY方向を幅方向とする蛇行経路を有し、前記蛇行経路の両端に電極が接続されたX座標検出素子と、前記Y方向を進行方向とし前記X方向を幅方向とする蛇行経路を有し、前記蛇行経路の両端に電極が接続されたY座標検出素子を重ね合わせてなり、前記X座標検出素子は、前記電子状態の変化により生じた電磁波が前記蛇行経路の両端の電極に到達するまでの時間差から前記光エネルギーの検出位置のX座標を検出し、前記Y座標検出素子は、前記電子状態の変化により生じた電磁波が前記蛇行経路の両端の電極に到達するまでの時間差から前記光エネルギーの検出位置のY座標を検出することを特徴とするイメージング装置を提供するものである。
また、この発明は、前記イメージング装置を備えたカメラを提供するものである。
「熱エネルギーを受容」するとは、粒子の持つ熱エネルギーによって第1または第2粒子検出素子の特性の変化が生じること、特に、電子状態の変化が生じることをいう。
何らかの手段でその電子状態の変化が検出できれば特に検出手法は限定されないが、後述する実施例においては、電子状態の変化を運動インダクタンスの変化として検出している。
例えば、中性子検出用物質がMgB2で、核反応により放出される粒子がアルファ線とリチウム線の場合、それらのうちいずれが第1粒子であるかは問わない。さらに、中性子とMgB2との衝突が順次発生するとき、第1粒子検出素子が一貫してアルファ線またはリチウム線を検出すると限定するものではなく、あるときは第1粒子検出素子がアルファ線を検出し、その次はリチウム線を検出してもよい。
この発明の第1実施形態に係る中性子イメージング装置100について、図1~10に基づいて説明する。
なお、X座標検出素子1xおよびY座標検出素子1yは、表面が直接空気に接するのを防止するため、SiO2層50内に設けられる。
次に、当該SiO2層上に厚み40nmのNbナノワイヤを形成してY座標検出素子1yを設け、その上に厚み50nmのSiO2層を成膜する。
核反応層20は、MgB2薄膜に形成してもよいし、10Bそのものの薄膜であってもよい。
10Bは、自然界に主に存在する質量数11の11Bの同位体であり、中性子を吸収して4Heと7Liを生成する核反応を行うことが知られている。
この核反応は、電荷を持たないために検出が困難な中性子の検出に利用される。10Bは、特に冷中性子に対して反応確率が高いことが知られている。
第1実施形態においては、X座標検出素子1xとY座標検出素子1yとの間の間隔は5μmである。
次に、粒子検出素子10の構造について説明する。
図3に示すように、X座標検出素子1xは、X方向を進行方向とし、Y方向を幅方向とする蛇行経路を有する超伝導細線からなる。
また、Y座標検出素子1yは、Y方向を進行方向とし、X方向を幅方向とする蛇行経路を有する超伝導細線からなる。
後述する運動インダクタンスの変化を効率的に検出できるのは、熱エネルギーの拡散長程度であるため、このように、超伝導細線の幅を1μm程度にすることにより、効率的な検出が可能となる。
図4は、中性子が10Bに衝突して核反応がおこり、アルファ線とリチウム線の2つの粒子が相反する方向に放射する様子を模式的に示す説明図である。
10B+N→7Li+4He
の反応により、2つの粒子、4He(アルファ線)と7Li(リチウム線)とが生成され放射される。
4He,7Liの熱エネルギーはそれぞれ、0.88MeV、1.47MeVである。
この核反応の特徴は、運動量保存則に従い、4Heと7Liとが互いに相反する方向に放射されることであり、この発明では、この特徴を利用する。
また、Y軸方向においても同様に、Y座標検出素子1yへの衝突を検出することにより、核反応が生じた位置のY座標を検出することができる。
しかし、粒子検出素子10Aおよび10Bの間隔はたかだか5μm程度であるため、4Heと7LiのいずれもがX座標検出素子1xおよびY座標検出素子1yと衝突を生じない確率は低い。
また、ラジオグラフィでは多数の中性子を用いて試料を観察するため、一部の中性子が検出できなくても問題にならない。
この前提は、一つの中性子の検出に要する時間がナノ秒のオーダーと短いことから、利用可能な加速器の中性子発生頻度に照らして十分合理的である。
また、この前提を満たすように中性子の発生を制御すればよい。
それゆえ、必ずしも粒子がX座標検出素子1xおよびY座標検出素子1yに衝突する必要はない。
例えば、熱エネルギーを有する粒子がX座標検出素子1xおよびY座標検出素子1yの近傍を通り過ぎることによって、当該X座標検出素子1xおよびY座標検出素子1yの電子状態の変化が生じる場合でも、検出が可能である。
tanθ=(hB+hA)/(xB-xA) (1)
(xO-xA)/(xB-xA)=hA/(hA+hB) (2)
の関係が成り立つ。
xO={hA/(hA+hB)}(xB-xA)+xA (3)
図7の例においては、hA=0.5μm、hB=5.0μmとする。
現在日本国内において利用可能な中性子源としては、J-PARCなどのパルス中性子源が挙げられ、加速器で発生させた陽子ビーム等の高エネルギービームを水銀原子核に衝突させることにより中性子を発生させる。
それゆえ、試料103の裏側に中性子イメージング装置100を設置して試料103の内部を通り抜けた中性子を測定することにより、試料103の内部の詳細な様子を知ることができる。
当該窓部には、例えば、薄いアルミ合金等の中性子透過性のある材質を用いる。
なお、GM冷凍機により、Kalliope-IIからなる読出回路60の温度も4Kに保たれる。
次に、図9に基づき、粒子検出素子10の粒子検出原理について説明する。
図9は、この発明の第1実施形態に係る粒子検出素子10の粒子検出原理の説明図である。
超伝導電子対の減少により中性子検出素子内の一部の超伝導電子対のみが常伝導状態に転移する場合、超伝導状態が一部残存する。
この状態においては、電気抵抗のない超伝導電子対が一部電気抵抗を有する常伝導電子対に転移することにより運動インダクタンスの変化ΔLが生じる。
なお、この発明の第1実施形態に係る中性子イメージング装置100においては、4Kの超伝導状態で検出を行う。
V(t)={dΔLk(t)/dt}Ib
の電圧が発生し、蛇行経路の両端に接続された電極に伝搬する。
それゆえ、粒子検出素子10は、超伝導電子対が壊れる過程で生じる運動インダクタンスの急速な変化をもっぱら検出するため、高速に動作する検出素子を実現することが可能となる。
ΔLk(t)={m/nsq2}{Δl/S}
図10において、横軸はX軸(単位mm)を示し、縦軸はY軸(単位mm)を示す。
なお、ドットのサイズは100μm、厚みは50μm、ドット間のピッチは250μmである。
図11の横軸は、10Bドット間のピッチを示し、縦軸は度数を表す。
次に、図12~図14に基づき、この発明の第2実施形態に係るイメージング装置200について説明する。
図12は、この発明の第2実施形態に係るイメージング装置200の光の検出例を示す説明図である。また、図13は、図12のX座標検出素子1xのX座標検出原理の説明図である。
このとき、メゾ励起によるホットスポットの位置Oから電極el1までの距離をΔxとし、ホットスポットの位置Oから電極el1までの伝搬時間をτ1としたとき、次の関係がある。
Δx=τ1v
それゆえ、X座標検出素子1xおよびY座標検出素子1yを重ね合わせることで、(X,Y)イメージングが可能となる。
また、超伝導臨界電流よりも小さな直流バイアス電流Ibのみで済むため、途中のリード線の発熱も心配する必要もない。
さらに、超伝導状態では、直流抵抗が完全に0の状態において、ホットスポット部分の運動インダクタンスの変化ΔLkの時間微分dΔLk/dtを利用するため、高速の動作も期待できる。
それゆえ、常伝導電子による電気抵抗による熱の発生は若干生じるものの、超伝導電子対が全て常伝導電子に転移する場合ほど大きなジュール熱の発生は生じない。
図14(A)は、第2実施形態において測定対象となった試料のロゴマークであり、縦横のサイズは約900μmである。
図14(B)は、電位差計で読み取った図14(A)のロゴマークの形状である。
図14(C)は、この発明の第2実施形態に係るイメージング装置200(温度4K、サンプリング時間0.4ns)で読み取った図14(A)のロゴマークの形状である。
次に、図15に基づき、この発明の第3実施形態に係るイメージング装置200について説明する。
図15は、この発明の第3実施形態に係るイメージング装置300のキャビティ構造の一例を示す説明図である。
ここで、SiO2の比誘電率は約3.9、シリコン(Si)の比誘電率は約11.2、Nbの比誘電率は約41であり、光がキャビティ内に閉じこめられて繰り返し反射するため、微弱な光も高感度に捉えることが可能になる。
前述した実施の形態の他にも、本発明について種々の変形例があり得る。それらの変形例は、本発明の範囲に属さないと解されるべきものではない。本発明には、請求の範囲と均等の意味および前記範囲内でのすべての変形とが含まれるべきである。
Claims (7)
- 中性子検出用物質と、
前記中性子検出用物質および中性子の核反応によって熱エネルギーを伴って生成され、異なる方向へ放射される少なくとも2つの粒子のうち、一の粒子の熱エネルギーを受容した場合に電子状態の変化が生じる超伝導物質からなる第1粒子検出素子と、
他の粒子の熱エネルギーを受容した場合に電子状態の変化が生じる超伝導物質からなる第2粒子検出素子とを備え、
前記第1粒子検出素子および前記第2粒子検出素子は、前記中性子検出用物質を間に挟んで予め定められた間隔を隔てて対向する位置に設けられ、
前記第1粒子検出素子が検出した前記一の粒子の検出位置の座標および前記第2粒子検出素子が検出した前記他の粒子の検出位置の座標、前記中性子検出用物質と前記第1粒子検出素子との間隔、および前記中性子検出用物質と前記第2粒子検出素子との間隔に基づき、前記中性子検出用物質の前記核反応が発生した位置の座標を検出し、
前記第1粒子検出素子および前記第2粒子検出素子は、X方向を進行方向とし前記X方向に垂直なY方向を幅方向とする蛇行経路を有し、前記蛇行経路の両端に電極が接続されたX座標検出素子と、前記Y方向を進行方向とし前記X方向を幅方向とする蛇行経路を有し、前記蛇行経路の両端に電極が接続されたY座標検出素子を重ね合わせてなり、
前記X座標検出素子は、前記電子状態の変化により生じた電磁波が前記蛇行経路の両端の電極に到達するまでの時間差から前記粒子の検出位置のX座標を検出し、
前記Y座標検出素子は、前記電子状態の変化により生じた電磁波が前記蛇行経路の両端の電極に到達するまでの時間差から前記粒子の検出位置のY座標を検出することを特徴とする中性子イメージング装置。 - 前記蛇行経路は、超伝導細線を予め定められた長さおよび幅で蛇行させることにより形成される請求項1に記載の中性子イメージング装置。
- 前記超伝導細線がNbを含む請求項2に記載の中性子イメージング装置。
- 前記第1粒子検出素子は、前記一の粒子の熱エネルギーの受容によって超伝導電子対が減少する電子状態の変化を運動インダクタンスの変化として検出し、
前記第2粒子検出素子は、前記他の粒子の熱エネルギーの受容によって超伝導電子対が減少する電子状態の変化を運動インダクタンスの変化として検出する請求項1~3のいずれか1つに記載の中性子イメージング装置。 - 前記中性子検出用物質は、中性子との核反応によって相反する方向に2つの粒子を放射する物質を含む請求項1~4のいずれか1つに記載の中性子イメージング装置。
- 前記中性子検出用物質は、中性子との核反応によって相反する方向にアルファ線とリチウム線を放射する10Bを含む請求項1~5のいずれか1つに記載の中性子イメージング装置。
- 前記中性子検出用物質がMgB2を含むものである請求項1~6のいずれか1つに記載の中性子イメージング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018030055A JP7064750B2 (ja) | 2018-02-22 | 2018-02-22 | 中性子イメージング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018030055A JP7064750B2 (ja) | 2018-02-22 | 2018-02-22 | 中性子イメージング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019144169A JP2019144169A (ja) | 2019-08-29 |
JP7064750B2 true JP7064750B2 (ja) | 2022-05-11 |
Family
ID=67772262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018030055A Active JP7064750B2 (ja) | 2018-02-22 | 2018-02-22 | 中性子イメージング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7064750B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007104504A8 (en) | 2006-03-14 | 2008-03-06 | Scherrer Inst Paul | Segmented electrical or optical delay line with interleaved tap for 3d image device readout |
JP2011164068A (ja) | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導光検出素子 |
JP2013019777A (ja) | 2011-07-12 | 2013-01-31 | National Institute Of Information & Communication Technology | 超伝導単一光子検出システムおよび超伝導単一光子検出方法 |
JP2013053870A (ja) | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Osaka Prefecture Univ | 中性子検出装置 |
JP2014025834A (ja) | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Kumagai Gumi Co Ltd | 放射性物質漏れ検出装置 |
-
2018
- 2018-02-22 JP JP2018030055A patent/JP7064750B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007104504A8 (en) | 2006-03-14 | 2008-03-06 | Scherrer Inst Paul | Segmented electrical or optical delay line with interleaved tap for 3d image device readout |
JP2011164068A (ja) | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導光検出素子 |
JP2013019777A (ja) | 2011-07-12 | 2013-01-31 | National Institute Of Information & Communication Technology | 超伝導単一光子検出システムおよび超伝導単一光子検出方法 |
JP2013053870A (ja) | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Osaka Prefecture Univ | 中性子検出装置 |
JP2014025834A (ja) | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Kumagai Gumi Co Ltd | 放射性物質漏れ検出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019144169A (ja) | 2019-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Du et al. | Sources of low-energy events in low-threshold dark-matter and neutrino detectors | |
US8461541B2 (en) | Radiation detector, method of manufacturing a radiation detector and use of the detector for measuring radiation | |
US7855372B2 (en) | Non-streaming high-efficiency perforated semiconductor neutron detectors, methods of making same and measuring wand and detector modules utilizing same | |
Shishido et al. | High-speed neutron imaging using a current-biased delay-line detector of kinetic inductance | |
Iizawa et al. | Energy-resolved neutron imaging with high spatial resolution using a superconducting delay-line kinetic inductance detector | |
Torrisi et al. | Single crystal silicon carbide detector of emitted ions and soft x rays from power laser-generated plasmas | |
Tingsuwatit et al. | Boron nitride neutron detector with the ability for detecting both thermal and fast neutrons | |
JP5846574B2 (ja) | 中性子検出装置 | |
JP7064750B2 (ja) | 中性子イメージング装置 | |
Protic et al. | Two-dimensional microstrip germanium detector for the spectroscopy of hard X-ray transitions | |
Iizawa et al. | Temperature dependent characteristics of neutron signals from a current-biased Nb nanowire detector with 10B converter | |
JP2003344548A (ja) | 放射線検出器 | |
Zhang et al. | Transition edge sensor-based detector: from x-ray to γ-ray | |
US11211541B2 (en) | Superconducting element, particle detection device, and particle detection method | |
Nishimura et al. | Kinetic inductance neutron detector operated at near critical temperature | |
JP2009115818A (ja) | 低温中性子イメージ検出器 | |
Marrocchesi et al. | Apix: A geiger-mode avalanche digital sensor for particle detection | |
JP6884228B2 (ja) | ニュートリノ検出器装置、ニュートリノ検出システム、およびニュートリノを検出する方法 | |
Dubey | Isotopic yield determination for thermal Neutron induced fission of 235U, 239Pu and 241Pu in the light, symmetry and heavy mass regions using calorimetric low temperature detectors | |
Shishido et al. | Narrow-area Bragg-edge transmission of iron samples using superconducting neutron sensor | |
JP3543111B2 (ja) | 超伝導イメージ検出器 | |
JP4272478B2 (ja) | 低温中性子イメージ検出器 | |
da Silva et al. | Cadmium (Zinc) telluride 2D/3D spectrometers for scattering polarimetry | |
Kovanda | Beta Source Tests of Semiconductor Detectors ITk for ATLAS Upgrade | |
Dorion et al. | A novel unidimensional position sensitive multiwire detector |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20190920 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220418 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7064750 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |