JP7060938B2 - フィルム基板、及びフィルム基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、フィルム基板、及びフィルム基板の製造方法に係り、例えば、配線基板、電源回路基板に使用され、導電性のパターン金属層が絶縁層樹脂上に形成される技術に関する。

近年、電子部品が実装されたフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ）が携帯電話やデジタルカメラなどの各種電子機器において広く使用されている。
そして、半導体素子の高集積化が進み、素子の高密度化に対応すべく、ＦＣＢ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｂｏｎｄｉｎｇ）実装方法が開発、実用化されている。
このＦＣＢ実装方法において、効率よく大量生産による製造を可能にする工法として、例えば、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術や、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）技術がある。これらは、所定幅の絶縁フィルム上に、導体金属を接着剤（接着剤層）で貼付したフィルム基板を使用し、フィルム基板の導体金属をエッチング等の手法で所望のリードパターン形状に形成するものである。
このようなフィルム基板において、接着剤層に無機充填剤を充填することで、耐薬品性、耐熱性を向上させる技術が提案されている（特許文献１）。

しかし従来のフィルム基板では、耐薬品性等の向上を目的としているため、フィルム基板の全領域にわたって無機充填剤を所定の体積密度にて充填させている。
すなわち、予め一定体積比又は重量比で無機充填剤を混合した接着剤をフィルム基板の全体に塗布したものであるため、充填密度の粗密、すなわち、高密度の領域と低密度の領域ができる場合があり、領域によるフレキシブル性の差を生じていた。
また、フィルム基板では、高いフレキシブル性が要求される領域と、そうでない領域が存在するが、従来のフィルム基板ではフレキシブル性が要求される領域が高密度の領域になってしまう可能性もあった。
さらに、接着層の全領域にわたり無機充填剤が充填されているため、使用する充填剤量が増加していた。
このように従来のフィルム基板では、必ずしも適切な状態で接着剤層に充填されていなかった。

特公平７－１１４２２１号公報

本発明は、より適切な状態で無機充填剤が接着剤層に充填されたフィルム基板とその製造方法を提供することを目的とする。

（１）請求項１に記載の発明では、配線回路用の配線パターンが形成される金属箔層と、絶縁フィルムと、前記金属箔層と前記絶縁フィルムとを接着する接着剤層と、を備え、前記接着剤層は、特定領域に対して無機充填剤が充填され、前記特定領域に応じて異なる充填密度で前記無機充填剤が充填されている、ことを特徴とするフィルム基板を提供する。
（２）請求項２に記載の発明では、前記特定領域は、前記金属箔層に形成される配線パターンに応じて決められる、ことを特徴とする請求項１に記載のフィルム基板を提供する。
（３）請求項３に記載の発明では、配線回路用の配線パターンが形成される金属箔層と、絶縁フィルムと、前記金属箔層と前記絶縁フィルムとを接着する接着剤層と、を備え、前記接着剤層は、前記金属箔層に形成される配線パターンに応じて決められる特定領域に対して無機充填剤が充填されている、ことを特徴とするフィルム基板を提供する。
（４）請求項４に記載の発明では、配線回路用の配線パターンが形成される金属箔層と、ＩＣホールが形成された絶縁フィルムと、前記金属箔層と前記絶縁フィルムとを接着する接着剤層と、を備え、前記接着剤層は、少なくとも前記ＩＣホールの周辺領域に無機充填剤が充填されている、ことを特徴とするフィルム基板を提供する。
（５）請求項５に記載の発明では、前記接着剤層は、前記無機充填剤が幾何学的な格子模様に配列されている、ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１の請求項に記載のフィルム基板を提供する。
（６）請求項６に記載の発明では、前記接着剤層は、熱効果型の接着剤層である、ことを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１の請求項に記載のフィルム基板を提供する。
（７）請求項７に記載の発明では、配線回路用の配線パターンが形成される金属箔層と、絶縁フィルムと、前記金属箔層と前記絶縁フィルムとを接着する接着剤層と、を備え、前記接着剤層は、無機充填剤が充填されている特定領域と、無機充填剤が充填されていない非特定領域を有する、ことを特徴とするフィルム基板を提供する。
（８）請求項８に記載の発明では、前記無機充填剤は、前記特定領域に応じて異なる充填密度で充填されている、ことを特徴量とする請求項６に記載のフィルム基板を提供する。
（９）請求項９に記載の発明では、一方の面に熱硬化型の接着剤層が形成された絶縁フィルムを準備する準備工程と、前記接着剤層の上面に無機充填剤を、規則的配列で、及び／又は、特定領域に、配設する無機充填剤配設工程と、前記配設した無機充填剤の上面に、配線回路用の配線パターンが形成される金属箔層を配設する金属箔層配設工程と、前記接着剤層を加熱することで、前記上面に配設された無機充填剤を接着剤層内に充填させると共に、前記絶縁フィルムと前記金属箔層と接着させる接着工程と、を有することを特徴とするフィルム基板の製造方法を提供する。

請求項１～請求項７、請求項９に記載の発明によれば、接着剤層に、無機充填剤が規則的配列で充填されているので、無機充填剤が充填された領域内の強度を均一にすることができる。
請求項３～請求項５、請求項８に記載の発明によれば、無機充填剤が充填された特定領域と、無機充填剤が充填されていない非特定領域により、より適切な状態で無機充填剤を充填させることができる。

本実施形態におけるフィルム基板の構成を表した断面図である。 接着剤層に無機充填剤を充填する特定領域と、充填しない非特定領域についての説明図である。 フィルム基板の製造工程における状態を表した説明図である。 フィルム基板の製造工程における状態を表した他の説明図である。 フィルム基板を用いた配線基板の製造工程についての説明図である。 フィルム基板を用いた配線基板の製造工程についての他の説明図である。 無機充填剤の充填する特定領域と充填しない非特定領域についての変形例を表した説明図である。

以下、本発明のフィルム基板とその製造方法の好適な実施形態について説明する。
（１）実施形態の概要
本実施形態のフィルム基板１では、図１に示すように、配線回路用の配線パターンが形成される金属箔層１０と、有機絶縁フィルム２０とが、シリカ等の無機充填剤３０が充填された接着剤層２０１で接着されている。
接着剤層２０１には、無機充填剤３０（個別の粒子）が所定間隔で規則的な配列、例えば、格子状やハニカム形状等の幾何学的形状に並んだ状態で充填されている。これにより、接着剤層２０１における強度、すなわち、フィルム基板１のフレキシブル性を均一にすることができる。

無機充填剤３０の充填は、接着剤層２０１の全領域に規則的配列で充填することも可能であるが、図２に示すように、金属箔層１０に形成される配線回路に応じて特定領域３０１、３０２と非特定領域３０３に分け、特定領域に無機充填剤３０が充填され、非特定領域には充填されないようにしてもよい。
特定領域における無機充填剤３０は、図１に示したように、規則的な配列で充填されているが、必ずしも規則的でなくてもよい。
このように、無機充填剤３０を充填する特定領域３０１、３０２と、充填しない非特定領域３０３に分けることで、例えば、高いフレキシブル性が要求される領域を非特定領域とすることで、より適切な状態で接着剤層２０１を充填させることができる。
更に特定領域はその必要性に応じて、例えばＩＣホール２０３の周辺領域等の無機充填剤３０がより高密度で充填される特定領域３０１と、例えば素子が半田付けされる周辺領域等の無機充填剤３０が低い密度で充填される特定領域３０２に分けられる。
そして特定領域は、金属箔層１０に形成される配線パターンに応じて決められる。

また、フィルム基板１によれば、充填剤が規則的に、及び／又は、必要な特定領域に充填されることで、フィルム基板１全体にわたって、及び／又は、特定領域に対して、有機絶縁フィルム２０の吸湿、温度変化による伸び縮みを抑制することができる。

（２）実施形態の詳細
図１は本実施形態が適用されるフィルム基板１の構成を表した部分断面図であり、接着剤層２０１に規則的な配列として格子状に無機充填剤３０が充填された状態を表したものである。
図１（ａ）は、格子状配列の格子に沿った側断面を表し、（ｂ）は平面に沿った断面を表している。図１（ａ）におけるＡ－Ａ断面を表したものが（ｂ）で、図１（ｂ）におけるＢ－Ｂ断面を表したものが（ａ）である。

フィルム基板１は、例えば、約φ２０～４０ｃｍのリールに巻き取られることを前提とした長尺サイズに形成されている。
フィルム基板１の幅は、例えば写真撮影用３５ｍｍフィルムと同一規格で、全幅Ｗ＝３４．９７５ｍｍの長尺形状に形成されている。また、対象となる製品に応じた幅として４８ｍｍや７０ｍｍ等の各種サイズに形成される。
フィルム基板１は、ＴＡＢやＣＯＦで使用する基材であり、後述するように金属箔層１０がエッチング加工やレーザ加工、精密型加工等の手法で所望のリードパターン形状に形成される。

図１（ａ）に示すように、フィルム基板１は、配線回路用の配線パターンが形成される金属箔層１０と、絶縁フィルム２０と、金属箔層１０と有機絶縁フィルム２０とを接着する接着剤層２０１を備えている。
本実施形態の接着剤層２０１には、有機絶縁フィルム２０の吸湿や温度変化による伸び縮みを抑制するための無機充填剤３０が規則的な配列で充填されている。

本実施形態の金属箔層１０は銅箔で構成されるが、他の金属として基板材料に通常使用されているものであれば特にその種類を限定するものではない。例えば、金属箔層１０として、銀、白金、金、アルミニウム、ニッケルなどの板又は箔等を使用することが可能である。
金属箔層１０の厚さは、３～７５μｍの範囲である。好ましくは、６～２５μｍの範囲であり、特に好ましくは、１２～１８μｍの範囲である。本実施形態のフィルム基板１では、多目的基板として適用できるフレキシブル基板の製造を目的としているため、例えば、配線基板の他に板バネスイッチ用基板としても使用可能にするため、上記範囲以内の厚みが必要とされる。また、製造時に必要とされる基板全体の可撓性を確保するため、上記設定範囲としている。

本実施形態の有機絶縁フィルム２０は、有機絶縁フィルムとしてＰＩ（ポリイミド）が使用されているが、他に、ポリエステル、ポリアミドイミド、液晶ポリマー、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン等の耐熱性フィルムや、ＰＥＴ、ＰＥＮなどの安価なフィルムや、エポキシ樹脂－ガラスクロス、エポキシ樹脂－ポリイミド－ガラスクロス等の複合耐熱フィルムからなる有機絶縁フィルムを使用するようにしてもよい。
有機絶縁フィルム２０の厚さは、３～７５μｍの範囲である。但し、本実施形態の有機絶縁フィルム２０の厚さは、金属箔層１０の厚さと同じであるが、好ましくは金属箔層１０の厚さの１／２～１／１２の範囲とし、更に好ましくは、１／６～１／１０の範囲である。
このように、有機絶縁フィルム２０の厚さを薄くすることで、フィルム基板１としての可撓性の低下を抑制することができる。また、半導体素子を樹脂封止する場合において、有機絶縁フィルム２０が薄いため、層内の水分が半導体素子の信頼性を低下させることを抑制できる。

但し、本実施形態のフィルム基板１では、後述するように有機絶縁フィルム２０の幅よりも金属箔層１０の幅を広くし、金属箔層１０に移送用のパーフォレーションを形成しているが、その逆、すなわち金属箔層１０よりも有機絶縁フィルム２０の幅を広くし有機絶縁フィルム２０にパーフォレーションを形成するようにしてもよい。この場合には、上記範囲において、金属箔層１０よりも厚い有機絶縁フィルム２０を使用することが好ましい。

接着剤層２０１は、ポリアミド樹脂を主成分とする熱硬化性接着剤で形成されている。この接着剤層２０１は、温度が８０°Ｃ～１２０°Ｃで軟化し、１５０°Ｃ～１８０°Ｃで硬化するように調整されたものが使用される。なお、熱硬化性成分として、耐薬品性を付与するためにフェノール樹脂（重量比５０～６０）やエポキシ樹脂（重量比９～８８）を、ポリアミド樹脂と併用する。
接着剤層２０１の厚さは、１～５０μｍの範囲である。

図１（ｂ）に示すように、本実施形態の接着剤層２０１には、規則的に配列された無機充填剤３０が充填されている。
本実施形態における無機充填剤３０としては、粉体状のシリカが使用されるが、粉体状のアルミナ、珪藻土、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウムなどの安定な金属酸化物、その他の無機顔料等を使用するようにしてもよい。

無機充填剤３０は、その平均粒径Ｐが０．１～３０μｍの範囲のものが使用される。
なお、接着剤層２０１の厚さをＬとした場合、無機充填剤３０の粒子径ＰはＰ＜Ｌであることが必要である。平均粒子径Ｐが厚さＬ以上の場合、有機絶縁フィルム２０と金属箔層１０とを接着する機能が失われるためである。
なお、無機充填剤３０の形状としては、球形形状、立方体形状、４面体形状、いわゆる金平糖形状などの各種形状の粒子を使用する。これらの形は製造工程により異なり、球形形状にする場合には立方体形状から角をとることで形成されるため、平均粒径が０．１～３０μｍであるのに対し、他の形状では１０μｍ～３０μｍの範囲である。

本実施形態の無機充填剤３０の各粒子は、図１（ｂ）に示すように、規則的配列として正方格子状に等間隔に充填されている。無機充填剤３０は、各粒子の間隔Ｍ１が、例えば、０．２～６０μｍ毎に配置され、格子の間隔（正方形状の一辺）Ｍ２が０．４～１２０μｍ（但し、Ｍ２≧Ｍ１）に配置されている。
このように無機充填剤３０を規則的に配列することで、フィルム基板１のフレキシブル性を均一にすることができる。

なお、無機充填剤３０は、規則的配列として、正方格子状に限らず、他の幾何学模様の形状、例えば、三角格子形状、長方格子形状、六角格子形状（ハニカム形状）、網代格子形状、レンガ積み形状等であってもよい。また、麻の葉模様の形状や、捻じ麻の葉文様の形状でもよい。

無機充填剤３０の規則的配列は、図１（ｂ）に示すように、平面上から見た状態の配列である。図１（ａ）に示すように、側面から見た場合、各無機充填剤３０は、接着剤層２０１の厚さＬのほぼ中央に位置することが好ましいが、必ずしも同一平面上に位置しなくてもよい。

なお、本実施形態のフィルム基板１では、多目的基板として適用できるフレキシブル基板の製造を目的としているため、例えば、配線基板の他に板バネスイッチ用基板としても使用可能にするため、金属箔層１０、有機絶縁フィルム２０、接着剤層２０１については、上記範囲以内の厚みが必要とされる。これは、上記設定範囲を超える厚みでは、製造時に必要とされるＴＡＢ基板全体の可撓性に問題が生じてくるためである。

図２は、接着剤層２０１に無機充填剤３０を充填する領域と、非充填の領域について表したものである。
図２に示されるように、接着剤層２０１において特定領域３０１、３０２に無機充填剤３０が充填され、それ以外の非特定領域３０３には無機充填剤３０が充填されていない。
特定領域３０１と特定領域３０２には、図１（ｂ）で説明したように、規則的配列で無機充填剤３０が充填されている。

特定領域３０１、３０２は、金属箔層１０に形成される配線回路用の配線パターンにより決められ、温度や吸湿による伸びの影響が大きい領域、すなわち、位置精度が高く要求される領域が特定領域に決められる。要求される位置精度の程度に応じて、より高い精度が要求される特定領域３０１、それよりは低い精度でよい特定領域３０２に分けられる。
特定領域３０１は、特定領域３０２よりも、高い密度となるように無機充填剤３０が充填される。例えば、特定領域３０２よりも特定領域３０１の方が、図１（ｂ）に示した正方格子形状の格子の間隔を小さくし、及び／又は、無機充填剤３０の各粒子間の間隔を狭くする。但し、特定領域３０１と特定領域３０２を区別せず、両者を同じ密度で充填するようにすることも可能である。

具体的には、例えばＩＣホール２０３の周辺領域が特定領域３０１に、部品が半田付けされる領域やテストリード周辺の領域等が特定領域３０２に決められる。
一方、それ以外の領域や、位置決め用の穴部分やＩＣモジュール以外の領域（モジュール間の領域）、高いフレキシブル性が要求される領域については、非特定領域３０３に決められる。

なお、図１、図２には示していないが、後述するように本実施形態のフィルム基板１では、幅方向の両側に、長手方向に並んだパーフォレーションが形成されている（図４（ｅ２）参照）。
このパーフォレーション１１は、フィルム基板１でＩＣモジュール等を順次形成する製造装置のスプロケットと係合して、フィルム基板１を長手方向に移動させるために使用される。

次に、以上のように構成されたフィルム基板１の製造方法について説明する。
図３、図４は、フィルム基板１の製造工程における状態を表した説明図である。
最初に、図３（ａ１）（ａ２）に示されるように、一方の面に熱硬化型の接着剤層２０１が形成された有機絶縁フィルム２０を準備する（準備工程）。
本実施形態では、この準備工程において、一方の面上に予め接着剤層２０１が形成され、更に接着剤層２０１の表面に保護フィルム２０２が貼付された有機絶縁フィルム２０が準備される。この状態の有機絶縁フィルム２０は、市販品を使用するため、接着剤層２０１に無機充填剤３０は充填されていない。
なお、図３（ａ２）は、有機絶縁フィルム２０の平面図で、この平面図に表した点線円内に対応した位置の断面を表したのが図３（ａ１）である（以下同じ）。

次に、図３（ｂ１）（ｂ２）に示すように、有機絶縁フィルム２０と接着剤層２０１に貫通孔を形成する（貫通孔形成工程）。この貫通孔形成工程は、必要に応じて行われる工程である。
例えば、本実施形態のフィルム基板１は、フィルム基板１の製造の途中や、製品として完成した後において、最終製品に対応して金属箔層１０に貫通孔が形成される。
貫通孔形成工程では、後に金属箔層１０に形成される貫通孔に対応する有機絶縁フィルム２０の位置に、貫通孔が打ち抜きにより形成される。
図３（ｂ１）（ｂ２）に示す例では、半導体素子用の貫通孔に対応する位置にＩＣホール２０３が打ち抜き形成され、その他の貫通孔に対応する貫通孔２０４が形成される。

次に、図３（ｃ）に示すように、接着剤層２０１の上面に無機充填剤３０を、規則的配列で特定領域３０１、３０２に配設する（無機充填剤配設工程）。
この工程では、貼付された保護フィルム２０２を剥がし、露出した接着剤層２０１の表面に、無機充填剤３０の各粒子を規則的配列で配設する。
本実施形態では、規則的な配列として図１（ｂ）で説明したように、正方格子状に配設する。また、無機充填剤３０は、図２で説明した特定領域３０１、３０２に配設し、非特定領域３０３の上面には配設していない。

なお、マスク版を使用し所定の位置に無機充填剤３０をスキージーで落とし込む方法等により特定領域３０１、３０２に対して、無機充填剤３０の各粒子を、図１（ｂ）に示すように正方格子状に、等間隔に並べて配設する他に、インク状の無機充填剤を正方格子状に、等間隔に並べて配設してもよい。
具体的には、揮発性の分溶剤に無機充填剤３０を混入し、インク状態にした後、インクジェットで所定の位置に塗布することにより、インク状の無機充填剤を等間隔に並べて配設してもよい。

次に、図４（ｄ１）に示すように、配設した無機充填剤３０の上面に、後に配線回路用の配線パターンが形成される金属箔層１０を配設する（金属箔層配設工程）。
なお、図４（ｄ２）は、金属箔層１０の平面を表したもので、上述したように、幅方向の両側面には、長さ方向に沿って等間隔にパーフォレーション１１（パーフォレーションピッチ＝４．７５ｍｍ）が形成されている。このパーフォレーション１１は、打ち抜き加工により、端部を切り欠くことで形成されている。

本実施形態では、有機絶縁フィルム２０よりも金属箔層１０の方が幅広であり、パーフォレーション１１は金属箔層１０に形成される。このように、製造装置のスプロケットと係合してフィルム基板１を長手方向に移送させるパーフォレーション１１を金属箔層１０に形成することで、フィルム基板１を移送させる際の伸びやゆがみを抑制することができ、精度よく移送させることができる。

但し、逆に金属箔層１０よりも幅が広い有機絶縁フィルム２０の両端部にパーフォレーション１１を形成するようにしてもよい。この場合、図３（ｂ１）（ｂ２）で説明した貫通孔形成工程において、ＩＣホール２０３や他の貫通孔２０４と共にパーフォレーション１１を形成するようにしてもよい。また、予めパーフォレーション１１を形成しておくようにしてもよい。
また、説明した実施形態のパーフォレーション１１は、端部を残さない切欠きにより形成しているが、端部よりも内側に貫通孔を形成することで、端部を残すようにして形成してもよい。
パーフォレーション１１の形状については、形成位置にかかわらず、方形形状以外に、円形や楕円形状等の各種形状を採用することが可能であるが、いずれの場合にも製造装置の搬送手段（例えば、スプロケット）に合わせた形状とする。

次に、接着剤層２０１を加熱することで、上面に配設された無機充填剤３０を接着剤層２０１内に充填させると共に、有機絶縁フィルム２０と金属箔層１０とを接着させる（接着工程）。
すなわち、接着工程では、配置した無機充填剤３０上に金属箔層１０を載せた後、全体を８０°Ｃ～１２０°Ｃの温度で加熱して接着剤層２０１を軟化させ、この加熱状態を所定時間維持する。
これにより、接着剤層２０１上（図４（ｄ１）参照）にあった無機充填剤３０は、図４（ｅ１）に示すように接着剤層２０１内に充填される。この際、無機充填剤３０は、上部に載せた金属箔層１０の加重と自重により接着剤層２０１内に沈下する。

接着剤層２０１の加熱時間は、上面に配置した無機充填剤３０が軟化した接着剤層２０１内に沈み込んで金属箔層１０の全体が接着剤層２０１と接するまでの時間であり、接着剤層２０１の成分にもよるが、約１時間程度である。より正確には、使用する接着剤層２０１に対して、複数回の実験で予め調べておいた、接着剤層２０１と金属箔層１０が接するまでの時間を使用する。

所定時間が経過して、無機充填剤３０が沈み込み、金属箔層１０が接着剤層２０１と接した状態で、接着剤層２０１を硬化させて金属箔層１０を接着する。すなわち、加熱温度を接着剤層２０１の硬化温度である１５０°Ｃ～１８０°Ｃにすると共に、金属箔層１０を有機絶縁フィルム２０方向に１平方ｃｍ当たり１ｋｇの力で加圧する。
以上により、図４（ｅ１）（ｅ２）に示すように、金属箔層１０が、無機充填剤３０が充填された接着剤層２０１により、有機絶縁フィルム２０に接着されたフィルム基板１が完成する。

次に、以上のように形成されたフィルム基板１を使用したＴＡＢ基板の製造方法について説明する。
図５、図６は、本実施形態のフィルム基板１を用いて配線基板を製造する工程を表したものである。
本実施形態のフィルム基板１を、図５（ｆ１）（ｆ２）に示すように、金属箔層１０における有機絶縁フィルム２０と反対側の面にフォトレジスト層１１１を形成する（フォトレジスト工程）。
形成するフォトレジスト層１１１の幅は、有機絶縁フィルム２０の幅と同じ幅であるが、より広い幅に形成するようにしてもよい。
本実施形態におけるフォトレジスト層１１１の形成は、ロールコータ式塗布によるが、フォトレジスト層１１１となるドライフィルムを金属箔層１０の表面にラミネートすることで形成してもよい。

次に図５（ｇ１）に示すように、フォトレジスト層１１１に紫外線５００を照射して、フォトマスクのリードパターンを転写し（露光工程）、その後、現像液に浸漬して未感光部分１１２を除去する（現像工程）。
また、現像後にフォトレジスト層１１１中の溶剤や水分の除去、残ったリードパターン部分を熱架橋させて金属箔層１０との密着性を高めるためにベーキングを行う。

次に図５（ｈ１）に示すように、有機絶縁フィルム２０の表面に裏止め材２０５を塗布することで、ＩＣホール２０３、貫通孔２０４を封止する（裏止め工程）。
塗布する裏止め材２０５は各種材料を使用可能であるが、本実施形態では、ポリイミドが使用される。
なお、本実施形態では、有機絶縁フィルム２０の全面に裏止め材２０５を塗布するが、貫通孔２０３、２０４に対応する箇所に限定して塗布するようにしてもよい。

次に図６（ｉ１）に示すように、塩化第２鉄水溶液に浸漬し、リードパターン以外の金属部分１１３を除去する（エッチング工程）。
これにより、露光・現像工程で金属箔層１０上に形成したリードパターンに対応した所定パターンの導体パターン層（金属箔層１０による配線回路）が形成される。
その後、フォトレジスト層１１１と裏止め材２０５を剥離する（剥離工程）。

次に（ｊ１）に示すように、リードパターンに形成された金属箔層１０の露出表面に金めっき１１４を施す（めっき工程）。
なお、図６（ｊ２）は、図３（ａ２）の点線円に対応した箇所の平面図である。この図６（ｊ２）において、黒の太線で示した箇所が、エッチング工程後のリードパターンであり、半導体素子用のＩＣホール２０３の内側にまで伸びるインナーリード（フライングリード）１１５が形成されている。

次に図６（ｋ１）に示すように、スクリーン印刷により、リードパターンの必要箇所を絶縁膜１１６で覆い保護する（ソルダーレジスト工程）。
最後に、エッチング不良、めっき不良、異物付着等の各種検査項目の検査を行う（検査工程）。

以上、本実施形態のフィルム基板１を使用したＴＡＢ基板とその製造方法について説明した。
これに対しＣＯＦ基板の場合、半導体素子用等の貫通孔は不要であるため、当該貫通孔の形成や当該貫通孔の裏止めの形成、剥離に関する処理が不要な点を除き、ＴＡＢ基板と同様に形成することができる。

以上説明した実施形態では、図１、図２に示すように、無機充填剤３０を、接着剤層２０１の特定領域３０１、３０２に対して、方形格子状に規則的配列で充填する場合について説明したが、これに限定されるものではない。
図７は、無機充填剤３０を充填する領域、充填状態についての変形例を表した説明図である。
図７（ａ）は、特定領域、非特定領域の区別をせずに、接着剤層２０１全体に無機充填剤３０を配置した場合の例である。この場合の無機充填剤３０は、図１（ｂ）に示したように、方形格子形状やハニカム形状等の各種幾何学模様の形状に規則的配置される。
なお、ＩＣホール２０３や貫通孔２０４等は配線パターン等の最終製品とする際の要求に従って形成される。

一方、図７（ｂ）は、図２で説明したように、特定領域３０１、３０２に限定して無機充填剤３０を充填し、非特定領域３０３には充填しない場合の例である。
この場合の無機充填剤３０は、規則的配列で充填されず、予め決められた面密度又は体積密度で充填したものである。
なお、特定領域３０１と特定領域３０２は、同一の面密度でもよいが、より高い位置精度が要求される特定領域３０１の面密度をより高く設定するようにしてもよい。

また、説明したフィルム基板１の製造方法では、その準備工程において予め接着剤層２０１が形成された有機絶縁フィルム２０を準備し、これにＩＣホール２０３や貫通孔２０４を形成する場合について説明したが、準備工程において接着剤層２０１の形成を行うようにしてもよい。
すなわち、有機絶縁フィルム２０上に、接着剤層２０１となる熱硬化性接着剤を塗布し、その表面に保護フィルム２０２を貼付した後に、ＩＣホール２０３や貫通孔２０４を形成するようにしてもよい。
また、有機絶縁フィルム２０にＩＣホール２０３や貫通孔２０４を形成し、その後に接着剤層２０１を形成するようにしてもよい。この場合には、すぐに次の工程に移行できるので、保護フィルム２０２を接着剤層２０１上に貼付する必要はない。

以上説明したように本実施形態及び／又は変形例のフィルム基板１及びその製造方法によれば、次の各効果を得ることができる。
（１）接着剤層２０１に、無機充填剤３０が所定間隔で規則的配列で充填されているので、充填する領域が接着剤層２０１の全体か特定領域かにかかわらず、当該特定領域におけるフィルム基板１のフレキシブル性を均一にすることができる。
（２）接着剤層２０１に無機充填剤３０を充填する特定領域３０１、３０２と、充填しない非特定領域を設けることにより、無機充填剤３０が規則的配置で充填されているか否かかかわらず、例えば、高いフレキシブル性の要求等に対応させることができる。
（３）特定領域３０１と特定領域３０２を設けることで、位置精度の要求に応じた充填密度で無機充填剤３０を充填することができる。
（４）位置精度が高く要求される領域を特定領域として、接着剤層２０１に無機充填剤３０を充填しているので、当該領域における有機絶縁フィルム２０の温度や吸湿による伸びを抑制することができる。

１ フィルム基板
１０ 金属箔層
１１ パーフォレーション
２０ 有機絶縁フィルム
２０１ 接着剤層
３０ 無機充填剤
３０１、３０２ 特定領域
３０３ 非特定領域
１１１ フォトレジスト層
１１２ 未感光部分
１１３ リードパターン以外の金属部分
１１４ 金めっき
１１５ インナーリード
１１６ 絶縁膜
２０２ 保護フィルム
２０３ ＩＣホール
２０４ その他の貫通孔
２０５ 裏止め材

Claims (9)

1. 配線回路用の配線パターンが形成される金属箔層と、
   絶縁フィルムと、
   前記金属箔層と前記絶縁フィルムとを接着する接着剤層と、を備え、
   前記接着剤層は、特定領域に対して無機充填剤が充填され、前記特定領域に応じて異なる充填密度で前記無機充填剤が充填されている、
   ことを特徴とするフィルム基板。
2. 前記特定領域は、前記金属箔層に形成される配線パターンに応じて決められる、
   ことを特徴とする請求項１に記載のフィルム基板。
3. 配線回路用の配線パターンが形成される金属箔層と、
   絶縁フィルムと、
   前記金属箔層と前記絶縁フィルムとを接着する接着剤層と、を備え、
   前記接着剤層は、前記金属箔層に形成される配線パターンに応じて決められる特定領域に対して無機充填剤が充填されている、
   ことを特徴とするフィルム基板。
4. 配線回路用の配線パターンが形成される金属箔層と、
   ＩＣホールが形成された絶縁フィルムと、
   前記金属箔層と前記絶縁フィルムとを接着する接着剤層と、を備え、
   前記接着剤層は、少なくとも前記ＩＣホールの周辺領域に無機充填剤が充填されている、
   ことを特徴とするフィルム基板。
5. 前記接着剤層は、前記無機充填剤が幾何学的な格子模様に配列されている、
   ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１の請求項に記載のフィルム基板。
6. 前記接着剤層は、熱効果型の接着剤層である、
   ことを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１の請求項に記載のフィルム基板。
7. 配線回路用の配線パターンが形成される金属箔層と、
   絶縁フィルムと、
   前記金属箔層と前記絶縁フィルムとを接着する接着剤層と、を備え、
   前記接着剤層は、無機充填剤が充填されている特定領域と、無機充填剤が充填されていない非特定領域を有する、
   ことを特徴とするフィルム基板。
8. 前記無機充填剤は、前記特定領域に応じて異なる充填密度で充填されている、
   ことを特徴量とする請求項６に記載のフィルム基板。
9. 一方の面に熱硬化型の接着剤層が形成された絶縁フィルムを準備する準備工程と、
   前記接着剤層の上面に無機充填剤を、規則的配列で、及び／又は、特定領域に、配設する無機充填剤配設工程と、
   前記配設した無機充填剤の上面に、配線回路用の配線パターンが形成される金属箔層を配設する金属箔層配設工程と、
   前記接着剤層を加熱することで、前記上面に配設された無機充填剤を接着剤層内に充填させると共に、前記絶縁フィルムと前記金属箔層と接着させる接着工程と、
   を有することを特徴とするフィルム基板の製造方法。

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