JP7053851B2 - 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る光電変換モジュールの一例を示す側面図である。光電変換モジュール100は、二次元状に配列された複数の光電変換素子1を備える。
以下、光電変換素子1について詳細に説明する。
図2は、本実施形態に係る光電変換素子を背面側からみた図である。図2に示す光電変換素子1は、背面接合型の光電変換素子である。光電変換素子1は、2つの主面を備えるn型(第1導電型)半導体基板11を備え、半導体基板11の主面においてn型領域(第1領域)7とp型(第2導電型)領域(第2領域)8とを有する。
同様に、p型領域8は、いわゆる櫛型の形状であり、櫛歯に相当する複数のフィンガー部8fと、櫛歯の支持部に相当するバスバー部8bとを有する。バスバー部8bは、半導体基板11の一方の辺部に対向する他方の辺部に沿って第1方向(X方向)に延在し、フィンガー部8fは、バスバー部8bから、第2方向(Y方向)に延在する。
フィンガー部7fとフィンガー部8fとは、第1方向(X方向)に交互に設けられている。
なお、n型領域7およびp型領域8は、ストライプ状に形成されてもよい。
半導体基板11は、受光面側からの入射光を吸収して光キャリア(電子および正孔)を生成する光電変換基板として機能する。
半導体基板11の材料として結晶シリコンが用いられることにより、暗電流が比較的に小さく、入射光の強度が低い場合であっても比較的高出力(照度によらず安定した出力)が得られる。
真性半導体層23は、半導体基板11の背面側のn型領域7および重畳領域Rに形成されている。本実施形態では、真性半導体層23は2つの層23a,23bを含む。半導体基板11の背面側のn型領域7には、真性半導体層23の両方の層23a,23bが形成されており、半導体基板11の背面側の重畳領域Rには真性半導体層23の一方の層23bのみが形成されている。なお、n型領域7における真性半導体層23の2つの層23a,23bは、これらの層の境界を視認できない程度に一体的に形成されている。
真性半導体層13,23,33は、例えば真性(i型)アモルファスシリコン材料で形成される。
真性半導体層13,23,33は、パッシベーション層として機能し、半導体基板11で生成されたキャリアの再結合を抑制し、キャリアの回収効率を高める。
T2/(T1+T2)<T4/(T3+T4) ・・・(1)
例えば、膜厚T1,T2は、重畳領域Rにおけるn型半導体層25の表面が半導体基板11の背面から最も乖離した箇所の膜厚である。膜厚T3,T4は、n型領域7における平均膜厚である。
T11<T12+T13
第2電極層37は、p型半導体層35に対応して、具体的には半導体基板11の背面側のp型領域8におけるp型半導体層35の上に形成されている。第2電極層37は、第1電極層27から乖離している。
第1電極層27および第2電極層37は、透明電極層と金属電極層とから構成されていてもよいし、金属電極層のみから構成されていてもよい。透明電極層は、透明な導電性材料で形成される。透明導電性材料としては、ITO(Indium Tin Oxide:酸化インジウムおよび酸化スズの複合酸化物)等が挙げられる。金属電極層は、銀等の金属粉末を含有する導電性ペースト材料で形成される。
例えば、CVD法を用いて、半導体基板11の背面側の全てに真性半導体層の前駆体33Zおよびp型半導体層の前駆体35Zを順に積層する。
例えば、マスクMを用いた水素プラズマエッチング法により、n型領域7におけるp型半導体層の前駆体35Zおよび真性半導体層の前駆体33Zの一部を除去する。このとき、マスクM下の重畳領域Rにおいても、p型半導体層の前駆体35Zの一部のエッチングが進行する。
例えば、マスクMをそのまま用いたCVD法により、半導体基板11の背面側のn型領域7に真性半導体層23の残りの一部23bおよびn型半導体層25を積層する。このとき、マスクM下の重畳領域Rにおいても、真性半導体層23の一部23bおよびn型半導体層25の積層が進行する。
これにより、上述したように、重畳領域Rにおけるn型半導体層25の膜厚T1、重畳領域Rにおけるn型半導体層25とp型半導体層35とによって挟まれる真性半導体層23bの膜厚T2、n型領域7におけるn型半導体層25の膜厚T3、およびn型領域7における真性半導体層23の膜厚T4は、上記式(1)の関係を満たす。
換言すれば、上述したように、重畳領域Rにおける真性半導体層33、第2導電型半導体層35、真性半導体層23bおよび第1導電型半導体層25の総膜厚T11は、n型領域7における真性半導体層23およびn型半導体層25の総膜厚T12と、p型領域8における真性半導体層33および第2導電型半導体層35の総膜厚T13との総和よりも小さい。
また、真性半導体層23の低屈折領域にn型半導体層25が製膜されると、n型半導体層25のドーピング不純物であるリンが真性半導体層23へ僅かに拡散する(換言すれば、ドーピングされる)ことで、真性半導体層23の抵抗率が減少する。
これにより、n型領域7では、キャリアのライフタイムが維持されつつ、真性半導体層23の抵抗が小さくなる。そのため、光電変換素子1において、直列抵抗が低減され、出力が向上する。
例えば、CVD法を用いて、半導体基板11の背面側の全てに真性半導体層の一部23bの前駆体およびn型半導体層25の前駆体を積層した後、エッチング法を用いて、真性半導体層の一部23bおよびn型半導体層25を形成してもよい。n型半導体層25の前駆体に対するエッチング溶液としては、例えば、水酸化カリウムのようなアルカリ性溶液が挙げられる。
例えば、半導体基板11の背面側の全てに電極層を積層した後に、エッチング法を用いて、第1電極層27および第2電極層37を形成してもよい。または、半導体基板11の背面側に電極層を積層する際に、マスクを用いて、第1電極層27および第2電極層37を形成してもよい。
第1電極層27および第2電極層37における透明電極層の積層は、スパッタリング法を用いてもよい。また、第1電極層27および第2電極層37における金属電極層の積層は、印刷法または蒸着法を用いてもよい。
以上の工程により、図3に示す光電変換素子1が得られる。
このように製造された光電変換素子1によれば、n型領域(第1領域)7における真性半導体層23の屈折率がp型領域(第2領域)8における真性半導体層33の屈折率よりも小さくなる。これにより、n型領域(第1領域)7では、キャリアのライフタイムが維持されつつ、真性半導体層23の抵抗が小さくなる。そのため、光電変換素子1において、直列抵抗が低減され、出力が向上する。
この場合、水素プラズマエッチングにより、p型領域(第1領域)7における真性半導体層23の一部23aを形成し、その上に真性半導体層23の残りの一部23bを形成することとなる。
このように製造された光電変換素子1によれば、p型領域(第1領域)7における真性半導体層23の屈折率がn型領域(第2領域)8における真性半導体層33の屈折率よりも小さくなる。これにより、p型領域(第1領域)7では、キャリアのライフタイムが維持されつつ、真性半導体層23の抵抗が小さくなる。そのため、光電変換素子1において、直列抵抗が低減され、出力が向上する。
本実施形態の光電変換素子1によれば、重畳領域Rにおいてn型半導体層25とp型半導体層35とに挟まれる真性半導体層23bは薄く屈折率も低いので、p型、n型の両方のドーパントがドープされやすく、空乏層化により抵抗が高くなる。そのため、重畳領域RにおけるPN間のリークが低減され、光電変換素子1の出力が向上する。
本実施形態の光電変換素子1によれば、n型領域7におけるn型半導体層25に対応する第1電極層27が、重畳領域Rにおけるn型半導体層25の一部または全てを覆うように延在する。これにより、重畳領域Rにおけるn型半導体層25がアルカリ成分から保護される。
2 配線部材
3 受光面保護部材
4 背面保護部材
5 封止材
7 n型領域(第1領域)
8 p型領域(第2領域)
7b,8b バスバー部
7f,8f フィンガー部
11 半導体基板
13,23,33 真性半導体層
23a 真性半導体層の一部
23b 真性半導体層の残りの一部
33Z 真性半導体層の前駆体
25 n型半導体層(第1導電型半導体層)
27 第1電極層
35 p型半導体層(第2導電型半導体層)
35Z p型半導体層(第2導電型半導体層)の前駆体
37 第2電極層
100 光電変換モジュール
R 重畳領域
Claims (6)
- 半導体基板の一方主面側の一部に真性半導体層および第1導電型半導体層が順に積層された第1領域と、前記半導体基板の前記一方主面側の他の一部に真性半導体層および第2導電型半導体層が順に積層された第2領域とを含む背面接合型の光電変換素子であって、
前記第1領域における前記真性半導体層の屈折率は、前記第2領域における前記真性半導体層の屈折率よりも小さく、
前記第1領域と前記第2領域との間の領域であって、前記第1領域における前記真性半導体層および前記第1導電型半導体層から延びる第1真性半導体層および第1導電型半導体層が、前記第2領域における前記真性半導体層および前記第2導電型半導体層から延びる第2真性半導体層および第2導電型半導体層の上に重なる重畳領域を更に含む、
光電変換素子。 - 前記重畳領域における前記第1導電型半導体層の膜厚をT1、前記重畳領域における前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層とによって挟まれる前記第1真性半導体層の膜厚をT2、前記第1領域における前記第1導電型半導体層の膜厚をT3、前記第1領域における前記真性半導体層の膜厚をT4とすると、膜厚T1,T2,T3,T4は下記式(1)の関係を満たす、
請求項1に記載の光電変換素子。
T2/(T1+T2)<T4/(T3+T4) ・・・(1) - 前記重畳領域における前記第2真性半導体層、前記第2導電型半導体層、前記第1真性半導体層および前記第1導電型半導体層の総膜厚は、前記第1領域における前記真性半導体層および前記第1導電型半導体層の総膜厚と前記第2領域における前記真性半導体層および前記第2導電型半導体層の総膜厚との総和よりも小さい、
請求項1または2に記載の光電変換素子。 - 前記第1領域における前記第1導電型半導体層に対応する第1電極層と、
前記第2領域における前記第2導電型半導体層に対応する第2電極層と、を備え、
前記第1導電型はn型であり、
前記第2導電型はp型であり、
前記第1電極層は、前記重畳領域における前記第1導電型半導体層の一部または全てを覆うように延在する、
請求項1~3のいずれか1項に記載の光電変換素子。 - 前記第1電極層は、前記重畳領域における前記第1導電型半導体層の全て、および前記第2領域における前記第2導電型半導体層の一部を覆うように延在する、
請求項4に記載の光電変換素子。 - 半導体基板の一方主面側の一部に真性半導体層および第1導電型半導体層が順に積層された第1領域と、前記半導体基板の前記一方主面側の他の一部に真性半導体層および第2導電型半導体層が順に積層された第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の領域であって、前記第1領域における前記真性半導体層および前記第1導電型半導体層から延びる第1真性半導体層および第1導電型半導体層が、前記第2領域における前記真性半導体層および前記第2導電型半導体層から延びる第2真性半導体層および第2導電型半導体層の上に重なる重畳領域とを含む背面接合型の光電変換素子の製造方法であって、
前記半導体基板の前記一方主面側の前記第1領域、前記第2領域および前記重畳領域に、真性半導体層の前駆体および第2導電型半導体層の前駆体を順に積層する第2導電型半導体層積層工程と、
水素プラズマエッチング法を用いて、前記第1領域における前記第2導電型半導体層の前駆体および前記真性半導体層の前駆体の一部を除去することにより、前記第1領域に前記真性半導体層の一部を形成し、前記第2領域に前記真性半導体層および前記第2導電型半導体層を形成し、前記重畳領域に前記第2真性半導体層および前記第2導電型半導体層を形成する第2導電型半導体層形成工程と、
前記第1領域における前記真性半導体層の一部の上に前記真性半導体層の残りの一部および前記第1導電型半導体層を形成し、前記重畳領域における前記第2導電型半導体層の上に前記第1真性半導体層および前記第1導電型半導体層を形成する第1導電型半導体層形成工程と、
を含む、光電変換素子の製造方法。
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